JPH11237613A - プラズマアドレス表示装置 - Google Patents

プラズマアドレス表示装置

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JPH11237613A
JPH11237613A JP10040776A JP4077698A JPH11237613A JP H11237613 A JPH11237613 A JP H11237613A JP 10040776 A JP10040776 A JP 10040776A JP 4077698 A JP4077698 A JP 4077698A JP H11237613 A JPH11237613 A JP H11237613A
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JP
Japan
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substrate
plasma
display device
liquid crystal
intermediate substrate
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JP10040776A
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English (en)
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Yasuhiro Matsushima
康浩 松島
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 対向基板を複雑な工程を要さずに作製するこ
とができるプラズマアドレス表示装置を提供する。 【解決手段】 液晶セル102とプラズマセル103と
が中間基板104を介して積層され、該プラズマセル1
03を構成するプラズマ基板ガラス131と該中間基板
104とが多数並列的に設けられた隔壁105を介して
対向し、該プラズマセル103内のプラズマ放電によ
り、前記液晶セル102内の液晶のスイッチングが行わ
れる画素部を有し、前記中間基板104における画素部
以外の領域には非透光性材料からなる遮光パターン20
3が配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶セルとプラズ
マセルとを間に中間基板を介して積層してなるプラズマ
アドレス表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、液晶セルを用いたマトリクスタイ
プの電気光学装置として、例えば液晶表示装置が知られ
ている。この液晶表示装置を高解像度化、高コントラス
ト化する為の手段としては、各画素毎に薄膜トランジス
タ等のスイッチング素子を設け、これを線順次で駆動す
るアクティブマトリクス方式が一般に用いられている。
しかしながら、この場合、薄膜トランジスタの様なスイ
ッチング素子は製造上欠陥の発生が多く、また、このよ
うなスイッチング素子を基板上に多数設ける必要があ
り、特に大面積化した時に製造歩留りが悪くなるという
短所がある。
【0003】そこで、この短所を解決する手段として、
ブザク等は特開平1−217396号公報において、薄
膜トランジスタ等からなるスイッチング素子に代えてプ
ラズマスイッチを利用する構成のプラズマアドレス表示
装置を提案している。
【0004】図9は、このプラズマアドレス表示装置の
構造の一例を示す断面図である。
【0005】このプラズマアドレス表示装置は、液晶セ
ル2とプラズマセル3とを中間基板4を介して積層した
構成のフラットパネル構造を有する。
【0006】液晶セル2は、対向基板21が液晶シール
材22を介して所定の間隙を有した状態で中間基板4に
接合されている。対向基板21内面側の面には、図示し
ないが行方向に延びる透明導電材料からなるストライプ
状のデータ電極が列方向に並列的に形成されている。対
向基板21と中間基板4との間隙には液晶が充填されて
液晶層23が形成されている。なお、図9では示してい
ないが液晶層23には間隙の寸法を均一にするためにス
ペーサが配設されている。
【0007】プラズマセル3においては、プラズマ基板
ガラス31が中間基板4と所定の間隙をもって対向して
いる。中間基板4側のプラズマ基板ガラス31上には、
列方向に延び、行方向に所定の間隙を持って並列的に形
成された、ニッケルなどからなるストライプ状の放電電
極32が形成され、この放電電極32上に、絶縁性のセ
ラミックなどからなり、放電電極32より幅が狭いバリ
ヤリブ33が、放電電極32と等ピッチで重ね合わされ
て形成されている。これらの放電電極32とバリヤリブ
33を介してプラズマ基板ガラス31が中間基板4と所
定の間隙を持って対向している。これらの放電電極32
とバリヤリブ33とが隔壁5を構成し、この隔壁5で区
画された密閉空間がプラズマ室34として構成されてい
る。このプラズマ室34は、列方向に延び、行方向に所
定の間隔で形成されている。プラズマ室34にはイオン
化可能なガスが封入されている。このガスとしては、例
えばヘリウム、ネオン、アルゴンまたはこれらの混合ガ
スなどが使用される。このように、放電電極32とバリ
ヤリブ33は、各プラズマ室34を区分けする隔壁5と
しての役割を果たすと共に、各プラズマ室34のギャッ
プスペーサとしての役割も果たす。
【0008】なお、放電電極32は、交互にアノード電
極32Aとカソード電極32Kとなるようにそれぞれド
ライバ(図示せず)に接続されている。プラズマ基板ガ
ラス31の周辺部には低融点ガラスなどを使用したフリ
ットシール35が配設され、このフリットシール35で
プラズマ基板ガラス31と中間基板4とが気密的に接合
されている。
【0009】このように構成されたプラズマアドレス表
示装置は、データ電極(図示せず)とプラズマ室34と
が直交し、データ電極が列駆動単位となり、プラズマ室
34は行駆動単位となり、これらの交差部に画素が規定
されるものである。
【0010】このようなプラズマアドレス表示装置にお
いて、アノード電極32Aとカソード電極32Kとの間
に所定電圧が印加されると、そのプラズマ室34の部分
のガスが選択的にイオン化されてプラズマ放電が発生
し、その内部は略アノード電位に維持される。この状態
で、データ電極にデータ電圧が印加されると、そのプラ
ズマ室34に対応して列方向に並ぶ画素の液晶層23部
分に中間基板4を介してデータ電圧が書き込まれる。プ
ラズマ放電が終了すると、プラズマ室34は浮遊電位と
なり、対応する画素の液晶層23に書き込まれた電圧
は、次の書き込み期間、例えば1フレーム後まで保持さ
れる。このとき、プラズマ室34はサンプリングスイッ
チとして機能し、各画素の液晶層23はサンプリングキ
ャパシタとして機能している。
【0011】各画素の液晶層23部分に対してデータ電
極から書き込まれたデータ電圧によって液晶が動作する
ことから画素単位で表示が行われる。従って、プラズマ
放電を発生させて列方向に並ぶ複数の画素の液晶層23
にデータ電圧を書き込むプラズマ室34を行方向に順次
走査していくことで、二次元画像の表示を行うことがで
きる。
【0012】このようなプラズマアドレス表示装置の製
造方法について、図10に基づいて簡単に説明する。
【0013】まず、図10(A)に示すように、プラズ
マ基板ガラス31上に放電電極パターンを、例えばスク
リーン印刷法でストライプ状に印刷した後、乾燥して放
電電極32を形成する。
【0014】次に、ストライプ状に形成した放電電極3
2の上にスクリーン印刷でバリヤリブ33を、図10
(B)に示すように、重ねて積層する。この場合、バリ
ヤリブ33は約200μm程度の高さとするために、ス
クリーン印刷を繰り返して重ね塗りを行うことでこの高
さを出すようにしている。所定の高さのバリヤリブを印
刷した後、焼成を行い、バリヤリブの上部を研磨し、バ
リヤリブ33の高さを所定の高さに揃える。このバリヤ
リブ33と放電電極32とで隔壁が形成される。
【0015】そして、図10(C)に示すように、プラ
ズマ基板ガラス31の周辺にフリットシール35をディ
スペンサーなどで形成し、このフリットシール35を介
してガラス製の中間基板4をバリヤリブ33上に乗せた
状態でプラズマ基板ガラス31に接合し、形成されたプ
ラズマ室34を真空に引いた後、ガスを注入する。
【0016】次に、図示しない配向処理を行い、図10
(D)に示すように、液晶層23を均一の厚さにするた
めのスペーサ24を散布し、図10(E)に示すよう
に、液晶シール材22を介して対向基板21を中間基板
4に接合して、液晶室を形成し、その後液晶を注入して
図9に示したプラズマアドレス表示装置を得ることがで
きる。また、図示していないがバックライトがプラズマ
アドレス表示装置の外部に配置される。
【0017】ここで、対向基板21について説明を行
う。図11は、対向基板21の平面図であり、図12は
図11におけるa−a線による断面図である。
【0018】対向基板21は、ガラス基板10上に、遮
光パターン12が画素部13以外の領域にマトリクス状
に形成される。遮光パターン12は、後述するデータ電
極16間においてバックライトからの光が漏れるのを防
止するためのものである。次に、カラー表示を行うため
のR(赤)、G(緑)、B(青)の色フィルタ部を有す
るカラーフィルタ14が、少なくとも画素部13を覆い
ストライプ状に形成される。それらの上部に絶縁層15
が基板10全面に形成される。次に、絶縁層15の上部
に、カラーフィルタ14とほぼ同一のパターンでデータ
信号を入力するためのストライプ状のデータ電極16が
順次形成される。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】従って、最上部にある
データ電極16の形成面に大きな段差が生じる。そのた
めデータ電極16に断線が生じ易い。また、データ電極
16の上側に配向膜(図示せず)を形成し、ラビングを
行って配向処理を行うが、段差が大きいと配向むらが生
じる。さらに、隣合うデータ電極16間に設けられる遮
光パターン12とデータ電極16とは接触しないように
遮光パターン12を形成することが必要であり、そのた
め遮光パターン12とデータ電極16との間に絶縁層1
5を形成することを要するため、対向基板21の作製工
程が複雑となる。
【0020】また、上記中間基板4をバリヤリブ33上
に乗せてプラズマ基板ガラス31に接合する際、中間基
板4が約50μm程度の厚さの薄板ガラスであるため、
その薄板ガラスで構成される中間基板4がバリヤリブ3
3に押圧されることになり、この部分で局所的に大きく
変形して割れることもある。さらに、液晶シール材22
を用いて中間基板4と液晶セル2との貼り合せが行われ
るが、この貼り合せ時に液晶シール材22と接する中間
基板4が押圧され、シール部分において中間基板4にひ
びが入ることもある。そして、このように割れやひびの
入った表示パネルは不良品となり、製造コストを上昇さ
せる原因となる。
【0021】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、中間基板に遮光パターン
を形成して対向基板を複雑な工程を要さずに作製するこ
とができるプラズマアドレス表示装置を提供することを
目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマアドレ
ス表示装置は、液晶セルとプラズマセルとが中間基板を
介して積層され、該プラズマセルを構成しかつ該中間基
板とは反対側に存在するプラズマ基板ガラスと該中間基
板とが多数並列的に設けられた隔壁を介して対向し、該
プラズマセル内のプラズマ放電により、該液晶セル内の
液晶のスイッチングが行われる画素部を有するプラズマ
アドレス表示装置であって、前記中間基板における画素
部以外の領域には非透光性材料からなる遮光パターンが
設けられ、そのことにより上記目的が達成される。
【0023】本発明のプラズマアドレス表示装置におい
て、前記遮光パターンが有機材料からなる構成とするこ
とができる。
【0024】本発明のプラズマアドレス表示装置におい
て、前記遮光パターンがその厚みを10μm以上として
形成されている構成とすることができる。
【0025】本発明のプラズマアドレス表示装置におい
て、前記中間基板は、画素部に透光性の開口部を有する
第1基板と、該第1基板に貼り合わされた第2基板とか
らなる構成とすることができる。このとき、前記第1基
板が、厚み0.5mm〜2mmのものであり、また、前
記第2基板が、厚み10μm〜25μmのものである構
成とすることができる。
【0026】以下、本発明の作用につき説明する。
【0027】本発明にあっては、中間基板における画素
部以外の領域には非透光性材料からなる遮光パターンが
設けられているので、対向基板の作製を容易にできる。
また、プラズマ電極や隔壁により乱反射した不用光を効
果的に除去することが出来るため、プラズマアドレス表
示装置の表示品位を向上できる。
【0028】また、本発明にあっては、非透光性材料か
らなる遮光パターンに有機材料を使用すると、中間基板
の機械的強度が向上し、中間基板の貼り合わせ工程等に
おいて割れにくくなる。
【0029】また、本発明にあっては、有機材料からな
る遮光パターンを厚み10μm以上とすると、例えば有
機材料に黒色の高分子樹脂を使用しても、中間基板の機
械的強度が向上し、中間基板がその貼り合わせ工程等に
おいて割れにくくなる。
【0030】また、本発明にあっては、中間基板が画素
部に透光性の開口部を有する第1基板と、第1基板に貼
り合わされた第2基板とからなる構成とすると、第1基
板を0.5mm〜2mmの厚い基板を使用することが出
来る。よって、第2基板として比較的薄い10μm〜2
5μmの薄板ガラスを使用することも可能である。ま
た、このような構造の中間基板はその機械的強度が向上
し、中間基板の貼り合わせ工程等において割れ、欠け、
ひび等の発生を防止することができる。また、第1基板
に、開口部を設けて基板全面に非透光性材料を配置する
ことにより、画素部以外を非透光性の遮光パターンとし
た中間基板を容易に作製することができる。
【0031】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
の第1の実施形態につき図面を参照しながら具体的に説
明する。
【0032】図1は、本実施形態に係るプラズマアドレ
ス表示装置を示す断面図である。
【0033】本実施形態のプラズマアドレス表示装置
は、液晶セル102とプラズマセル103とを中間基板
104を介して積層したフラットパネル構造を有する。
また、プラズマアドレス表示装置の外部にはバックライ
ト(図示せず)が配置され、プラズマ基板ガラス131
側から光が照射される。
【0034】プラズマセル103は、スクリーン印刷法
等種々の方法によってNi等の放電電極132をプラズ
マ基板ガラス131に形成し、この放電電極132に対
応させてバリヤリブ133を放電電極132の上側に形
成しているプラズマ基板ガラス131を有する。プラズ
マ基板ガラス131は、フリットシール135を介して
後述する構成の中間基板104と接合されている。上記
バリヤリブ133と放電電極132とはプラズマ室13
4を区画する隔壁105として構成される。
【0035】一方、液晶セル102は、前記中間基板1
04と対向基板121とが液晶シール材122を介して
貼り合わされ、間に液晶材料が封入されている。液晶セ
ル102における対向基板121にはデータ信号を入力
するためのデータ電極125が形成されている。
【0036】図2は本実施形態における中間基板104
の平面図を示し、図3は図2におけるA−A線による断
面図を示す。
【0037】本実施形態の中間基板104は、厚み50
μmの薄板ガラス201の画素部202以外の領域にマ
トリクス状に遮光パターン203が形成されている。遮
光パターン203の材料としては、Cr、Al等の金属
や他の非透光性材料を使用できるが、本実施形態におい
ては黒色の高分子材料を使用した。例えば遮光パターン
203の厚みが10μm以上となるように黒色の高分子
材料を使用すれば、中間基板104の機械的強度が向上
する。
【0038】図4に示すように、この中間基板104
と、放電電極132及びバリヤリブ133が形成された
プラズマ基板ガラス131とをフリットシール135を
介して貼り合せを行った。
【0039】次に、この状態の中間基板104に対し、
データ電極125が形成された対向基板121を液晶シ
ール材122を用いて貼り合せた。その後、基板104
と121との間に液晶材料を注入した。また、基板10
4と121との間には間隔を均一に保つために6μmの
直径のスペーサ124を介在させている。
【0040】このようにして、本実施形態によるプラズ
マアドレス表示装置は作製される。
【0041】図5は本実施形態における対向基板121
の平面図を示し、図6は図5におけるb−b線による断
面図を示す。
【0042】本実施形態においては、ガラス基板150
上にR、G、Bの色フィルタ部を有するカラーフィルタ
151をストライプ状に形成している。続いて、このカ
ラーフィルタ151とほぼ同様のパターンでデータ電極
125をITO等の透明導電膜を用いて形成した。本実
施形態の対向基板121においては、遮光パターンがな
く、データ電極125と遮光パターンとの短絡の虞れが
ないので、絶縁膜が無くても良い。また、データ電極1
25はカラーフィルタ151と同様のパターン形成すれ
ば良いので、データ電極形成面はほぼ平坦である。
【0043】本実施形態においては、遮光パターン20
3を中間基板104上に形成しているので、対向基板1
21の作製工程が簡略化されるとともに対向基板121
においてデータ電極125の断線が生じ難くなる。
【0044】また、バックライトからの光は、通常プラ
ズマ基板ガラス131側から液晶層を通過するが、対向
基板121ではなく中間基板104に遮光パターン20
3を形成することにより、放電電極132やバリヤリブ
133により乱反射した不用光を効果的に除去すること
が出来る。したがって、プラズマアドレス表示装置の表
示品位が向上する。
【0045】(第2の実施形態)以下、本発明の第2の
実施形態について図面を参照しながら具体的に説明す
る。
【0046】図7は、本実施形態に係るプラズマアドレ
ス表示装置を示す断面図である。
【0047】本実施形態のプラズマアドレス表示装置
は、スクリーン印刷法等種々の方法によってNi等の放
電電極132をプラズマ基板ガラス131に形成し、こ
の放電電極132に対応させてバリヤリブ133を放電
電極132の上部に形成する工程と、中間基板104と
プラズマ基板ガラス131とをフリットシール135を
介して接合する工程とを有する。
【0048】本実施形態における中間基板104を図8
に示す。
【0049】本実施形態における中間基板104として
は、通常の厚みのガラス基板141に非透光性である黒
色材料の樹脂膜107を形成した後、その基板における
画素部に対応した位置に開口部142を形成し、その
後、薄板ガラス104Bを貼り合せたものを使用してい
る。開口部142を形成した後、ガラス基板141に黒
色の樹脂膜107を形成しても良い。中間基板104以
外の構成は、実施形態1と同様である。
【0050】本実施形態によれば、黒色材料の樹脂膜1
07が形成されたガラス基板141に開口部142を形
成するといった単純な製造工程により、中間基板104
に遮光パターンを形成することが出来る。
【0051】従って、中間基板104としての強度は、
薄板ガラス104Bを用いたものよりも遥かに強く、貼
り合せ工程における割れ、欠け、ひびの心配はない。ま
た、画素部においてはデータ電極に印加された電圧が薄
板ガラス104Bと液晶層との容量比で、液晶層に電圧
が印加されるため、低電圧化のためには中間基板104
は薄い方が望ましく、また液晶層の容量は小さい方が望
ましい。
【0052】本実施形態においては、画素部の中間基板
104は薄くなっているため、画素部以外の中間基板1
04本体を厚くしたために電圧が高くなることはない。
また、強度の問題で、中間基板104は少なくとも厚み
30μm程度のものを使用していたが、それ以下の厚
み、具体的には10μmから25μmの薄板ガラス10
4Bをガラス基板141に貼り合せることにより、中間
基板104の画素部として用いることができる。さらに
は、ガラス基板141には、従来の中間基板としては使
用できなかった500μmから2.0mmの厚みのガラ
スを使用することができる。
【0053】また、薄板ガラス104Bを貼り合せた後
に、プラズマ基板ガラス131との貼り合せを行うこと
が出来るため、中間基板104としての強度は十分であ
り、プラズマ基板ガラス131との貼り合せ工程を容易
に行うことができる。
【0054】また、ガラス基板141の強度の問題で開
口部を大きく形成することができない場合には、1画素
に対して開口部142を複数形成することも可能であ
る。
【0055】このようにして、中間基板104とプラズ
マ基板ガラス131とを接合する工程が完了した後、形
成されたプラズマ室134にガスを注入する。次に、配
向膜を形成し、配向処理を行うが、薄板ガラス104B
はガラス基板141における液晶セルに対向した面に貼
り合わされているので、配向膜が形成される中間基板1
04の表面は平坦であり、ラビング時の配向不良は起こ
り難い。
【0056】次に、液晶層を均一の厚さにするためのス
ペーサ124を散布し、液晶シール材122を介して対
向基板を中間基板104に接合して、液晶室を形成し、
その後液晶を注入して図7に示したプラズマアドレス表
示装置を得た。
【0057】本実施形態においても実施形態1と同様、
遮光パターンが形成されていない対向基板が利用できる
ため、対向基板の作製工程が簡略化されるとともに対向
基板においてデータ電極の断線が生じにくくなる。
【0058】また、バックライトからの光は、通常プラ
ズマ基板ガラス側から液晶層を通過するが、対向基板で
はなく中間基板に遮光パターンを形成することにより、
プラズマ電極や隔壁により乱反射した不用光を効果的に
除去することが出来る。したがって、プラズマアドレス
表示装置の表示品位が向上する。
【0059】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
には、液晶セルとプラズマセルとが中間基板を介して積
層され、該プラズマセルを構成するプラズマ基板ガラス
と該中間基板とが多数並列的に設けられた隔壁を介して
対向し、該プラズマセル内のプラズマ放電により、前記
液晶セル内の液晶のスイッチングが行われる画素部を有
し、前記中間基板における画素部以外の領域には非透光
性材料からなる遮光パターンが設けられているので、対
向基板の作製を容易にでき、また、プラズマ電極や隔壁
により乱反射した不用光を効果的に除去することが出来
るため、プラズマアドレス表示装置の表示品位を向上で
きる。
【0060】また、本発明による場合には、非透光性材
料からなる遮光パターンが有機材料であるので、中間基
板の機械的強度が向上し、中間基板の貼り合わせ工程等
において割れにくくなる。
【0061】また、本発明による場合には、有機材料か
らなる遮光パターンが厚み10μm以上であるので、例
えば黒色の高分子樹脂を使用しても、中間基板の機械的
強度が向上し、中間基板の貼り合わせ工程等において割
れにくくなる。
【0062】また、本発明による場合には、中間基板が
画素部に透光性の開口部を有する第1基板と、第1基板
に貼り合わされた第2基板とからなるとき、第1基板を
厚い基板とすることが出来、中間基板の機械的強度が向
上し、中間基板の貼り合わせ工程等において割れ、欠
け、ひび等の発生を防止できる。また、第1基板に、開
口部を設けて基板全面に非透光性材料を配置することに
より、画素部以外を非透光性とした中間基板を容易に作
製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るプラズマアドレ
ス表示装置を示す断面図である。
【図2】本発明の第1の実施形態に係るプラズマアドレ
ス表示装置の中間基板を示す平面図である。
【図3】本発明の第1の実施形態に係るプラズマアドレ
ス表示装置の中間基板を示す断面図である。
【図4】本発明の第1の実施形態に係るプラズマアドレ
ス表示装置におけるプラズマ基板ガラスと中間基板との
間の部分を示す断面図である。
【図5】本発明の第1の実施形態に係るプラズマアドレ
ス表示装置の対向基板を示す平面図である。
【図6】本発明の第1の実施形態に係るプラズマアドレ
ス表示装置の対向基板を示す断面図である。
【図7】本発明の第2の実施形態に係るプラズマアドレ
ス表示装置を示す断面図である。
【図8】本発明の第2の実施形態に係るプラズマアドレ
ス表示装置の中間基板を示す断面図である。
【図9】従来例のプラズマアドレス表示装置の一例を示
す断面図である。
【図10】(A)〜(E)は、図9のプラズマアドレス
表示装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図11】従来例のプラズマアドレス表示装置の対向基
板を示す平面図である。
【図12】従来例のプラズマアドレス表示装置の対向基
板を示す断面図である。
【符号の説明】
102 液晶セル 103 プラズマセル 104 中間基板 104B 薄板ガラス 105 隔壁 107 樹脂膜 121 対向基板 122 液晶シール材 124 スペーサ 125 データ電極 131 プラズマ基板ガラス 132 放電電極 133 バリヤリブ 134 プラズマ室 135 フリットシール 141 ガラス基板 142 開口部 201 薄板ガラス 202 画素部 203 遮光パターン

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液晶セルとプラズマセルとが中間基板を
    介して積層され、該プラズマセルを構成しかつ該中間基
    板とは反対側に存在するプラズマ基板ガラスと該中間基
    板とが多数並列的に設けられた隔壁を介して対向し、該
    プラズマセル内のプラズマ放電により、該液晶セル内の
    液晶のスイッチングが行われる画素部を有するプラズマ
    アドレス表示装置であって、 前記中間基板における画素部以外の領域には非透光性材
    料からなる遮光パターンが設けられているプラズマアド
    レス表示装置。
  2. 【請求項2】 前記遮光パターンが有機材料からなる請
    求項1記載のプラズマアドレス表示装置。
  3. 【請求項3】 前記遮光パターンがその厚みを10μm
    以上として形成されている請求項2記載のプラズマアド
    レス表示装置。
  4. 【請求項4】 前記中間基板は、画素部に透光性の開口
    部を有する第1基板と、該第1基板に貼り合わされた第
    2基板とからなることを特徴とする請求項1ないし請求
    項3のいずれかに記載のプラズマアドレス表示装置。
  5. 【請求項5】 前記第1基板が、厚み0.5mm〜2m
    mのものである請求項4記載のプラズマアドレス表示装
    置。
  6. 【請求項6】 前記第2基板が、厚み10μm〜25μ
    mのものである請求項4または5記載のプラズマアドレ
    ス表示装置。
JP10040776A 1998-02-23 1998-02-23 プラズマアドレス表示装置 Withdrawn JPH11237613A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002352737A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Nec Corp プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

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