JPH11233939A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH11233939A JPH11233939A JP10035104A JP3510498A JPH11233939A JP H11233939 A JPH11233939 A JP H11233939A JP 10035104 A JP10035104 A JP 10035104A JP 3510498 A JP3510498 A JP 3510498A JP H11233939 A JPH11233939 A JP H11233939A
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜配線導体層に断線等の導通不良を発生す
る。 【解決手段】基板１上に、スルーホール８を有する有機
樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３とを交互に多層に積層
するとともに有機樹脂絶縁層２を間に挟んで上下に位置
する薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスル
ーホール８の内壁に形成されているスルーホール導体９
を介して電気的に接続してなる多層配線基板であって、
前記有機樹脂絶縁層２を粘度が５０〜２００ｃｐｓの有
機樹脂前駆体を層状にし、これを硬化させることによっ
て形成した。
る。 【解決手段】基板１上に、スルーホール８を有する有機
樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３とを交互に多層に積層
するとともに有機樹脂絶縁層２を間に挟んで上下に位置
する薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスル
ーホール８の内壁に形成されているスルーホール導体９
を介して電気的に接続してなる多層配線基板であって、
前記有機樹脂絶縁層２を粘度が５０〜２００ｃｐｓの有
機樹脂前駆体を層状にし、これを硬化させることによっ
て形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
シート状の生セラミツク体の外表面にスクリーン印刷法
により所定パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積
層するとともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末
と生セラミック体とを焼結一体化させる方法である。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
シート状の生セラミツク体の外表面にスクリーン印刷法
により所定パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積
層するとともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末
と生セラミック体とを焼結一体化させる方法である。
【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては、通常、酸化アルミニウム質焼結体やムラ
イト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に
酸化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用され
る。
ク体としては、通常、酸化アルミニウム質焼結体やムラ
イト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に
酸化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用され
る。
【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が採用されるようになってきた。
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が採用されるようになってきた。
【０００７】かかる多層配線基板は、酸化アルミニウム
質焼結体等から成るセラミックスやガラス繊維を織り込
んだ布にエポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエ
ポキシ樹脂等から成る絶縁基板と、該絶縁基板の上面に
スピンコート法やカーテンコート法及び熱硬化処理等に
よって形成されたエポキシ樹脂から成る有機樹脂絶縁層
と、銅やアルミニウム等の金属をめっき法や蒸着法等の
薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用する
ことによって形成される薄膜配線導体層とを交互に多層
に積層させるとともに上下に位置する薄膜配線導体層を
有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に被着形成
されているスルーホール導体を介して電気的に接続させ
た構造を有しており、有機樹脂絶縁層の上面に、前記薄
膜配線導体層と電気的に接続するボンディングパッドを
形成しておき、該ボンディングパッドに半導体素子や容
量素子、抵抗器等の電子部品の電極を半田等を介し接続
させるようになっている。
質焼結体等から成るセラミックスやガラス繊維を織り込
んだ布にエポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエ
ポキシ樹脂等から成る絶縁基板と、該絶縁基板の上面に
スピンコート法やカーテンコート法及び熱硬化処理等に
よって形成されたエポキシ樹脂から成る有機樹脂絶縁層
と、銅やアルミニウム等の金属をめっき法や蒸着法等の
薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を採用する
ことによって形成される薄膜配線導体層とを交互に多層
に積層させるとともに上下に位置する薄膜配線導体層を
有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に被着形成
されているスルーホール導体を介して電気的に接続させ
た構造を有しており、有機樹脂絶縁層の上面に、前記薄
膜配線導体層と電気的に接続するボンディングパッドを
形成しておき、該ボンディングパッドに半導体素子や容
量素子、抵抗器等の電子部品の電極を半田等を介し接続
させるようになっている。
【０００８】なお、前記多層配線基板においては、積層
された各有機樹脂絶縁層間に配設された薄膜配線導体層
が有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に形成さ
れているスルーホール導体を介して電気的に接続されて
おり、各有機樹脂絶縁層へのスルーホールの形成はフォ
トリソグラフィー技術を採用することによって、具体的
にはまず各有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布すると
ともにこれに露光、現像を施すことによって所定位置に
所定形状の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部に
エッチング液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機
樹脂絶縁層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴（スルーホ
ール）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁
層上より剥離させ除去することによって行われる。
された各有機樹脂絶縁層間に配設された薄膜配線導体層
が有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に形成さ
れているスルーホール導体を介して電気的に接続されて
おり、各有機樹脂絶縁層へのスルーホールの形成はフォ
トリソグラフィー技術を採用することによって、具体的
にはまず各有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布すると
ともにこれに露光、現像を施すことによって所定位置に
所定形状の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部に
エッチング液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機
樹脂絶縁層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴（スルーホ
ール）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁
層上より剥離させ除去することによって行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層し
てなる多層配線基板は、有機樹脂絶縁層が一般に粘度が
３００ｃｐｓ以上の有機樹脂前駆体をスピンコート法や
カーテンコート法等を採用することによって層状とし、
これを硬化させることによって形成しており、有機樹脂
前駆体の粘性が高いことから各有機樹脂絶縁層はその下
方に配されている薄膜配線導体層の厚みの影響を大きく
受けて上面に多数の凹凸が形成されてしまい、その結
果、各有機樹脂絶縁層の上面に薄膜形成技術及びフォト
リソグラフィー技術を採用することによって所定パター
ンの薄膜配線導体層を形成しようとしても薄膜配線導体
層は前記有機樹脂絶縁層上面の凹凸によって断線が生じ
たり、厚みにばらつきが発生し、導通不良を生じるとい
う欠点を有していた。
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層し
てなる多層配線基板は、有機樹脂絶縁層が一般に粘度が
３００ｃｐｓ以上の有機樹脂前駆体をスピンコート法や
カーテンコート法等を採用することによって層状とし、
これを硬化させることによって形成しており、有機樹脂
前駆体の粘性が高いことから各有機樹脂絶縁層はその下
方に配されている薄膜配線導体層の厚みの影響を大きく
受けて上面に多数の凹凸が形成されてしまい、その結
果、各有機樹脂絶縁層の上面に薄膜形成技術及びフォト
リソグラフィー技術を採用することによって所定パター
ンの薄膜配線導体層を形成しようとしても薄膜配線導体
層は前記有機樹脂絶縁層上面の凹凸によって断線が生じ
たり、厚みにばらつきが発生し、導通不良を生じるとい
う欠点を有していた。
【００１０】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は、各有機樹脂絶縁層の上面を平坦とし、
所定パターンの薄膜配線導体層を正確に形成することが
できる高信頼性の多層配線基板の製造方法を提供するこ
とにある。
で、その目的は、各有機樹脂絶縁層の上面を平坦とし、
所定パターンの薄膜配線導体層を正確に形成することが
できる高信頼性の多層配線基板の製造方法を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、ス
ルーホールを有する有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層と
を交互に多層に積層するとともに有機樹脂絶縁層を間に
挟んで上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層
に設けたスルーホールの内壁に形成されているスルーホ
ール導体を介して電気的に接続してなる多層配線基板で
あって、前記有機樹脂絶縁層を粘度が５０〜２００ｃｐ
ｓの有機樹脂前駆体を層状にし、これを硬化させること
によって形成したことを特徴とするものである。
ルーホールを有する有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層と
を交互に多層に積層するとともに有機樹脂絶縁層を間に
挟んで上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層
に設けたスルーホールの内壁に形成されているスルーホ
ール導体を介して電気的に接続してなる多層配線基板で
あって、前記有機樹脂絶縁層を粘度が５０〜２００ｃｐ
ｓの有機樹脂前駆体を層状にし、これを硬化させること
によって形成したことを特徴とするものである。
【００１２】本発明の多層配線基板の製造方法によれ
ば、各有機樹脂絶縁層を粘度が５０〜２００ｃｐｓの有
機樹脂前駆体を使用して形成しており、各有機樹脂絶縁
層は有機樹脂前駆体の粘性が低いことから下方に配され
ている薄膜配線導体層の厚みの影響を受けることなく、
上面を平坦となすことができ、その結果、各有機樹脂絶
縁層の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技
術を採用することによって所定パターンの薄膜配線導体
層を極めて正確に形成することが可能となる。
ば、各有機樹脂絶縁層を粘度が５０〜２００ｃｐｓの有
機樹脂前駆体を使用して形成しており、各有機樹脂絶縁
層は有機樹脂前駆体の粘性が低いことから下方に配され
ている薄膜配線導体層の厚みの影響を受けることなく、
上面を平坦となすことができ、その結果、各有機樹脂絶
縁層の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技
術を採用することによって所定パターンの薄膜配線導体
層を極めて正確に形成することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の製造方法によって製作
された多層配線基板の一実施例を示し、１は絶縁性の基
板、２は有機樹脂絶縁層、３は薄膜配線導体層である。
詳細に説明する。図１は本発明の製造方法によって製作
された多層配線基板の一実施例を示し、１は絶縁性の基
板、２は有機樹脂絶縁層、３は薄膜配線導体層である。
【００１４】前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁層２
と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４が配設され
ており、該多層配線部４を支持する支持部材として作用
する。
と薄膜配線導体層３とから成る多層配線部４が配設され
ており、該多層配線部４を支持する支持部材として作用
する。
【００１５】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知
のドクターブレード法やカレンダロール法を採用するこ
とによってセラミックグリーンシート（セラミック生シ
ート）を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとと
もに高温（約１６００℃）で焼成することによって、あ
るいは酸化アルミニウム等の原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加混合して原料粉末を調製するとともに該
原料粉末をプレス成形機によって所定形状に成形し、最
後に前記成形体を約１６００℃の温度で焼成することに
よって製作され、またガラスエポキシ樹脂から成る場合
には、例えば、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹
脂の前駆体を含浸させるとともに該エポキシ樹脂前駆体
を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知
のドクターブレード法やカレンダロール法を採用するこ
とによってセラミックグリーンシート（セラミック生シ
ート）を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとと
もに高温（約１６００℃）で焼成することによって、あ
るいは酸化アルミニウム等の原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加混合して原料粉末を調製するとともに該
原料粉末をプレス成形機によって所定形状に成形し、最
後に前記成形体を約１６００℃の温度で焼成することに
よって製作され、またガラスエポキシ樹脂から成る場合
には、例えば、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹
脂の前駆体を含浸させるとともに該エポキシ樹脂前駆体
を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。
【００１６】また前記基板１には上下面に貫通する孔径
が例えば、直径０．３ｍｍ〜０．５ｍｍの貫通孔５が形
成されており、該貫通孔５の内壁には両端が基板１の上
下両面に導出する導電層６が被着されている。
が例えば、直径０．３ｍｍ〜０．５ｍｍの貫通孔５が形
成されており、該貫通孔５の内壁には両端が基板１の上
下両面に導出する導電層６が被着されている。
【００１７】前記貫通孔５は後述する基板１の上面に形
成される多層配線部４の薄膜配線導体層３と外部電気回
路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両面に多
層配線部４を形成した場合には両面の多層配線部４の薄
膜配線導体層３同士を電気的に接続する導電層６を形成
するための形成孔として作用し、基板１にドリル孔あけ
加工法等を施すことによって基板１の所定位置に所定形
状に形成される。
成される多層配線部４の薄膜配線導体層３と外部電気回
路とを電気的に接続する、或いは基板１の上下両面に多
層配線部４を形成した場合には両面の多層配線部４の薄
膜配線導体層３同士を電気的に接続する導電層６を形成
するための形成孔として作用し、基板１にドリル孔あけ
加工法等を施すことによって基板１の所定位置に所定形
状に形成される。
【００１８】更に前記貫通孔５の内壁及び基板１の上下
両面には導電層６が被着形成されており、該導電層６は
例えば、銅やニッケル等の金属材料から成り、従来周知
のめっき法及びエッチング加工法を採用することによっ
て貫通孔５の内壁に両端を基板１の上下両面に導出させ
た状態で被着形成される。
両面には導電層６が被着形成されており、該導電層６は
例えば、銅やニッケル等の金属材料から成り、従来周知
のめっき法及びエッチング加工法を採用することによっ
て貫通孔５の内壁に両端を基板１の上下両面に導出させ
た状態で被着形成される。
【００１９】前記導電層６は基板１の上面に形成される
多層配線部４の薄膜配線導体層３を外部電気回路に電気
的に接続したり、基板１の上下両面に形成される各々の
多層配線部４の薄膜配線導体層３同士を電気的に接続す
る作用をなす。
多層配線部４の薄膜配線導体層３を外部電気回路に電気
的に接続したり、基板１の上下両面に形成される各々の
多層配線部４の薄膜配線導体層３同士を電気的に接続す
る作用をなす。
【００２０】また前記基板１に形成した貫通孔５はその
内部にエポキシ樹脂等から成る有機樹脂充填体７が充填
されており、該有機樹脂充填体７によって貫通孔５が完
全に埋められ、同時に有機樹脂充填体７の両端面が基板
１の上下両面に被着させた導電層６の面と同一平面とな
っている。
内部にエポキシ樹脂等から成る有機樹脂充填体７が充填
されており、該有機樹脂充填体７によって貫通孔５が完
全に埋められ、同時に有機樹脂充填体７の両端面が基板
１の上下両面に被着させた導電層６の面と同一平面とな
っている。
【００２１】前記有機樹脂充填体７は基板１の上面及び
／又は下面に後述する有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体
層３とから成る多層配線部４を形成する際、多層配線部
４の有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３の平坦化を維
持する作用をなす。
／又は下面に後述する有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体
層３とから成る多層配線部４を形成する際、多層配線部
４の有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３の平坦化を維
持する作用をなす。
【００２２】なお、前記有機樹脂充填体７は基板１の貫
通孔５内にエポキシ樹脂等の前駆体を充填し、しかる
後、これに８０〜２００℃の温度を０．５〜３時間印加
し、完全に熱硬化させることによって基板１の貫通孔５
内に充填される。
通孔５内にエポキシ樹脂等の前駆体を充填し、しかる
後、これに８０〜２００℃の温度を０．５〜３時間印加
し、完全に熱硬化させることによって基板１の貫通孔５
内に充填される。
【００２３】更に前記基板１はその上面にスルーホール
８を有する厚さが１０〜８０μｍ程度の有機樹脂絶縁層
２と、厚さが１μｍ〜４０μｍ程度の薄膜配線導体層３
とが交互に多層に積層された多層配線部４が形成されて
おり、かつ薄膜配線導体層３の一部は導電層６と電気的
に接続している。
８を有する厚さが１０〜８０μｍ程度の有機樹脂絶縁層
２と、厚さが１μｍ〜４０μｍ程度の薄膜配線導体層３
とが交互に多層に積層された多層配線部４が形成されて
おり、かつ薄膜配線導体層３の一部は導電層６と電気的
に接続している。
【００２４】前記多層配線部４を構成する有機樹脂絶縁
層２は上下に位置する薄膜配線導体層３の電気的絶縁を
図る作用をなし、薄膜配線導体層３は電気信号を伝達す
るための伝達路として作用する。
層２は上下に位置する薄膜配線導体層３の電気的絶縁を
図る作用をなし、薄膜配線導体層３は電気信号を伝達す
るための伝達路として作用する。
【００２５】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２はエ
ポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフエ
ニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂等から成り、例えば、
エポキシ樹脂から成る場合、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クリシジルエステ
ル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イミダゾール系
硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペ
ースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとともに該エポキ
シ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコート法やカーテ
ンコート法等によリ１０〜８０μｍ程度の厚みの層状に
被着させ、しかる後、これを約８０〜２００℃の熱で
０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることによって形
成される。
ポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフエ
ニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂等から成り、例えば、
エポキシ樹脂から成る場合、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クリシジルエステ
ル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イミダゾール系
硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペ
ースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとともに該エポキ
シ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコート法やカーテ
ンコート法等によリ１０〜８０μｍ程度の厚みの層状に
被着させ、しかる後、これを約８０〜２００℃の熱で
０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることによって形
成される。
【００２６】また前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２
は、例えば、エポキシ樹脂前駆体をスピンコート法やカ
ーテンコート法等により１０〜８０μｍ程度の厚みの層
状に被着させるとともにこれを熱硬化させて形成する
際、エポキシ樹脂前駆体の粘度を５０〜２００ｃｐｓの
範囲とし、粘性を低いものに調整してあり、これによっ
て形成される有機樹脂絶縁層２は下方に配されている薄
膜配線導体層の厚みの影響を受けることはなく、上面を
平坦となすことができ、その結果、各有機樹脂絶縁層２
の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を
採用することによって所定パターンの薄膜配線導体層３
を極めて正確に形成することが可能となる。
は、例えば、エポキシ樹脂前駆体をスピンコート法やカ
ーテンコート法等により１０〜８０μｍ程度の厚みの層
状に被着させるとともにこれを熱硬化させて形成する
際、エポキシ樹脂前駆体の粘度を５０〜２００ｃｐｓの
範囲とし、粘性を低いものに調整してあり、これによっ
て形成される有機樹脂絶縁層２は下方に配されている薄
膜配線導体層の厚みの影響を受けることはなく、上面を
平坦となすことができ、その結果、各有機樹脂絶縁層２
の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技術を
採用することによって所定パターンの薄膜配線導体層３
を極めて正確に形成することが可能となる。
【００２７】なお、前記有機樹脂絶縁層２となる有機樹
脂前駆体はその粘度が５０ｃｐｓ未満となると有機樹脂
前駆体の粘性が低くなりすぎて所定厚みの有機樹脂絶縁
層２を得ることができず、また２００ｃｐｓを超えると
有機樹脂絶縁層２を形成する際、下方に配されている薄
膜配線導体層の厚みの影響を受け、有機樹脂絶縁層２の
上面を平坦となすことができなくなる。従って、前記有
機樹脂絶縁層２となる有機樹脂前駆体はその粘度が５０
〜２００ｃｐｓの範囲に特定される。
脂前駆体はその粘度が５０ｃｐｓ未満となると有機樹脂
前駆体の粘性が低くなりすぎて所定厚みの有機樹脂絶縁
層２を得ることができず、また２００ｃｐｓを超えると
有機樹脂絶縁層２を形成する際、下方に配されている薄
膜配線導体層の厚みの影響を受け、有機樹脂絶縁層２の
上面を平坦となすことができなくなる。従って、前記有
機樹脂絶縁層２となる有機樹脂前駆体はその粘度が５０
〜２００ｃｐｓの範囲に特定される。
【００２８】また前記有機樹脂絶縁層２はその各々の所
定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚みに対し約１．
５倍程度のスルーホール８が形成されており、該スルー
ホール８は後述する有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位
置する薄膜配線導体層３の各々を電気的に接続するスル
ーホール導体９を形成するための形成孔として作用す
る。
定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚みに対し約１．
５倍程度のスルーホール８が形成されており、該スルー
ホール８は後述する有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位
置する薄膜配線導体層３の各々を電気的に接続するスル
ーホール導体９を形成するための形成孔として作用す
る。
【００２９】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル８は例えば、フォトリソグラフィー技術を採用するこ
とによって、具体的には有機樹脂絶縁層２上にレジスト
材を塗布するとともにこれに露光、現像を施すことによ
って所定位置に所定形状の窓部を形成し、次に前記レジ
スト材の窓部にエッチング液を離し、レジスト材の窓部
に位置する有機樹脂絶縁層２を除去して、有機樹脂絶縁
層２に穴（スルーホール）を形成し、最後に前記レジス
ト材を有機樹脂絶縁層２上より剥離させ除去することに
よって行われる。
ル８は例えば、フォトリソグラフィー技術を採用するこ
とによって、具体的には有機樹脂絶縁層２上にレジスト
材を塗布するとともにこれに露光、現像を施すことによ
って所定位置に所定形状の窓部を形成し、次に前記レジ
スト材の窓部にエッチング液を離し、レジスト材の窓部
に位置する有機樹脂絶縁層２を除去して、有機樹脂絶縁
層２に穴（スルーホール）を形成し、最後に前記レジス
ト材を有機樹脂絶縁層２上より剥離させ除去することに
よって行われる。
【００３０】更に前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、また各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導
体９が各々配設されており、スルーホール導体９によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。
定パターンの薄膜配線導体層３が、また各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導
体９が各々配設されており、スルーホール導体９によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。
【００３１】前記各有機樹脂絶縁層８の上面及びスルー
ホール８内に配設される薄膜配線導体層３及びスルーホ
ール導体９は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属
材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の
薄膜形成技術及びエッチング加工技術を採用することに
よって形成され、例えば、銅で形成されている場合に
は、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール８の内壁
面に硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３
モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リッ
トル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットル
からなる無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μｍ〜４０μ
ｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング
加工技術を採用することにより所定パターンに加工する
ことによって各有機樹脂絶縁層２間及び各有機樹脂絶縁
層２のスルーホール８内壁に配設される。この場合、薄
膜配線導体層３は薄膜形成技術により形成されることか
ら配線の微細化が可能であり、これによって薄膜配線導
体層３を極めて高密度に形成することが可能となる。ま
た同時に各有機樹脂絶縁層２は粘度が５０〜２００ｃｐ
ｓの有機樹脂前駆体を使用することによって形成されて
いるための上面が平坦であり、これによって各有機樹脂
絶縁層の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー
技術を採用することによって所定パターンの薄膜配線導
体層３を極めて正確に形成することが可能となる。
ホール８内に配設される薄膜配線導体層３及びスルーホ
ール導体９は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金属
材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等の
薄膜形成技術及びエッチング加工技術を採用することに
よって形成され、例えば、銅で形成されている場合に
は、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール８の内壁
面に硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３
モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リッ
トル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットル
からなる無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μｍ〜４０μ
ｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング
加工技術を採用することにより所定パターンに加工する
ことによって各有機樹脂絶縁層２間及び各有機樹脂絶縁
層２のスルーホール８内壁に配設される。この場合、薄
膜配線導体層３は薄膜形成技術により形成されることか
ら配線の微細化が可能であり、これによって薄膜配線導
体層３を極めて高密度に形成することが可能となる。ま
た同時に各有機樹脂絶縁層２は粘度が５０〜２００ｃｐ
ｓの有機樹脂前駆体を使用することによって形成されて
いるための上面が平坦であり、これによって各有機樹脂
絶縁層の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー
技術を採用することによって所定パターンの薄膜配線導
体層３を極めて正確に形成することが可能となる。
【００３２】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部
４は基板１に設けた貫通孔５が有機樹脂充填体７で完全
に埋められていることから基板１の上面に有機樹脂絶縁
層２を形成しても該有機樹脂絶縁層２はその平坦化が維
持され、各有機樹脂絶縁層２上に形成される薄膜配線導
体層３に断線等が発生するのを有効に防止することが可
能となる。
体層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部
４は基板１に設けた貫通孔５が有機樹脂充填体７で完全
に埋められていることから基板１の上面に有機樹脂絶縁
層２を形成しても該有機樹脂絶縁層２はその平坦化が維
持され、各有機樹脂絶縁層２上に形成される薄膜配線導
体層３に断線等が発生するのを有効に防止することが可
能となる。
【００３３】また前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体
層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部４
は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）
で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと有機
樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に位
置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすことが
できる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶縁層
２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、中心
線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗
面としておくこが好ましい。
層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部４
は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）
で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと有機
樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に位
置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすことが
できる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶縁層
２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、中心
線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗
面としておくこが好ましい。
【００３４】更に前記多層配線部４の各薄膜配線導体層
３はその厚みが１μｍ未満となると各薄膜配線導体層３
の電気抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体層３に
所定の電気信号を伝達させることが困難なものとなり、
また４０μｍを超えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶
縁層２に被着させる際、薄膜配線導体層３内に大きな応
力が内在し、該内在応力によって薄膜配線導体層３が有
機樹脂絶縁層２より剥離し易いものとなる。従って、前
記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の厚みは１μｍ〜
４０μｍの範囲としておくことが好ましい。
３はその厚みが１μｍ未満となると各薄膜配線導体層３
の電気抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体層３に
所定の電気信号を伝達させることが困難なものとなり、
また４０μｍを超えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶
縁層２に被着させる際、薄膜配線導体層３内に大きな応
力が内在し、該内在応力によって薄膜配線導体層３が有
機樹脂絶縁層２より剥離し易いものとなる。従って、前
記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の厚みは１μｍ〜
４０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３５】かくして、本発明の多層配線基板によれ
は、基板１の上面に被着させた多層配線部４上に半導体
素子や容量素子、抵抗器等の電子部品Ａを搭載実装さ
せ、電子部品Ａの各電極を薄膜配線導体層３に電気的に
接続させることによって半導体装置や混成集積回路装置
となり、基板１の下面に被着されている導電層６を外部
電気回路に接続すれば半導体装置や混成集積回路装置は
外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
は、基板１の上面に被着させた多層配線部４上に半導体
素子や容量素子、抵抗器等の電子部品Ａを搭載実装さ
せ、電子部品Ａの各電極を薄膜配線導体層３に電気的に
接続させることによって半導体装置や混成集積回路装置
となり、基板１の下面に被着されている導電層６を外部
電気回路に接続すれば半導体装置や混成集積回路装置は
外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００３６】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例にお
いては基板１の上面のみに有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とから成る多層配線部４を設けたが、多層配線
部４を基板１の下面側のみに設けても、上下の両面に設
けてもよい。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例にお
いては基板１の上面のみに有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とから成る多層配線部４を設けたが、多層配線
部４を基板１の下面側のみに設けても、上下の両面に設
けてもよい。
【００３７】
【発明の効果】本発明の多層配線基板の製造方法によれ
ば、各有機樹脂絶縁層を粘度が５０〜２００ｃｐｓの有
機樹脂前駆体を使用して形成しており、各有機樹脂絶縁
層は有機樹脂前駆体の粘性が低いことから下方に配され
ている薄膜配線導体層の厚みの影響を受けることなく、
上面を平坦となすことができ、その結果、各有機樹脂絶
縁層の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技
術を採用することによって所定パターンの薄膜配線導体
層を極めて正確に形成することが可能となる。
ば、各有機樹脂絶縁層を粘度が５０〜２００ｃｐｓの有
機樹脂前駆体を使用して形成しており、各有機樹脂絶縁
層は有機樹脂前駆体の粘性が低いことから下方に配され
ている薄膜配線導体層の厚みの影響を受けることなく、
上面を平坦となすことができ、その結果、各有機樹脂絶
縁層の上面に薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技
術を採用することによって所定パターンの薄膜配線導体
層を極めて正確に形成することが可能となる。
【図１】本発明の多層配線基板の−実施例を示す断面図
である。
である。
１・・・・基板 ２・・・・有機樹脂絶縁層 ３・・・・薄膜配線導体層 ４・・・・多層配線部 ８・・・・スルーホール ９・・・・スルーホール導俸
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、スルーホールを有する有機樹脂
絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層するとと
もに有機樹脂絶縁層を間に挟んで上下に位置する薄膜配
線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁
に形成されているスルーホール導体を介して電気的に接
続してなる多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層
を粘度が５０〜２００ｃｐｓの有機樹脂前駆体を層状に
し、これを硬化させることによって形成したことを特徴
とする多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035104A JPH11233939A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035104A JPH11233939A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233939A true JPH11233939A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12432637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10035104A Pending JPH11233939A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233939A (ja) |
-
1998
- 1998-02-17 JP JP10035104A patent/JPH11233939A/ja active Pending
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