JPH11218415A - 立体形状計測用の撮像装置 - Google Patents

立体形状計測用の撮像装置

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JPH11218415A
JPH11218415A JP10022174A JP2217498A JPH11218415A JP H11218415 A JPH11218415 A JP H11218415A JP 10022174 A JP10022174 A JP 10022174A JP 2217498 A JP2217498 A JP 2217498A JP H11218415 A JPH11218415 A JP H11218415A
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JP10022174A
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Juichi Yoneyama
寿一 米山
Hitoshi Nomura
仁 野村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、光切断法に基づいて、立体形状計
測用の画像を撮像する撮像装置に関し、一般光のもとに
おいても立体形状計測用の画像を撮像することができる
撮像装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 試料に対しスリット光を照射する照射部
と、スリット光の照射方向とは異なる角度から試料を撮
像し、少なくとも2コマ分の画素出力を生成する撮像部
と、撮像部による「一方のコマ」の撮像時にスリット光
を点灯し、「他方のコマ」の撮像時にスリット光を消灯
する制御手段と、撮像部により撮像された前記2コマの
画素出力について画素単位に差異をとり、差異信号を生
成する比較部とを備えて、立体形状計測用の撮像装置を
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、光切断法に基づいて、立体形状
計測用の画像を撮像する撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、非接触で立体形状を計測する技術
として、光切断法が知られている。図10は、この種の
光切断法を用いた立体形状計測用の撮像装置を示す概念
図である。
【0003】図10において、周囲をなるべく暗くした
状態で、計測対象である試料61が置かれている。この
試料61から離れて、電子カメラ62とスリットプロジ
ェクタ63とがそれぞれ配置される。この電子カメラ6
2は、試料61に撮影光軸を向けて配置される。また、
スリットプロジェクタ63は、電子カメラ62の撮影光
軸とは異なる角度から、試料61に対しスリット光を照
射する。
【0004】このような構成では、スリット光の照射に
より、試料61表面にスリット状の照明箇所(以下、こ
のような照明箇所を「スリットパターン」という)が形
成される。電子カメラ62は、この状態で試料61を撮
像し、図11(a)に示すような撮像画面を得る(な
お、図示の都合上、本図は明暗を逆に示す)。このよう
な撮像画面では、試料61の画像は暗闇の中に紛れ、ス
リットパターンのみがくっきりと撮像される。
【0005】図11(b)は、このとき生成される水平
ライン1本分の画像信号を示す図である。このような画
像信号では、スリットパターンの該当個所のみ輝度レベ
ルが突出する。したがって、適当な閾値(図11中に示
すR)を設定して、画像信号の輝度レベルを二値判定す
ることにより、スリットパターンのみを容易に抽出する
ことが可能となる。
【0006】このように抽出されるスリットパターン
は、試料61の表面形状に応じて形状が様々に変化す
る。例えば、試料61の稜線部分では、図10に示すよ
うに、スリットパターンが屈曲する。このような屈曲部
分を目視や画像認識を用いて識別することにより、単な
る明暗画像からでは識別しにくい稜線部分を的確に検出
することが可能となる。
【0007】また、試料61のスリットパターンと、良
品のスリットパターンとを比較することにより、立体形
状の欠陥を短時間で見つけだすことも可能となる。な
お、以上の説明では、1本のスリット光を照射する場合
について述べた。が、実際には、複数本のスリット光を
一度に照射したり、スリット光の照射角度を徐々に変更
(走査)することにより、試料61表面の立体形状を広
範囲にわたって計測することも行われている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した立
体形状計測用の撮像装置を、一般光のもとで使用した場
合、図11(c)に示すような画像信号が生成される。
この画像信号には、一般光のもとで撮像される試料61
の画像信号と、スリットパターンの信号とを足し合わせ
た信号となる。
【0009】このような画像信号について一般光による
最大輝度レベルを閾値にして二値判定を行うと(図11
中のR1)、試料61の低輝度部分にかかるスリットパ
ターンを抽出することができない。一方、スリットパタ
ーンを全て検出できるように閾値を下げると(図11中
のR2)、一般光による高輝度部分まで誤って抽出して
しまう。
【0010】このように、一般光のもとでは、撮像画像
中からスリットパターンを的確に抽出することが困難で
あった。このような問題点を解決するために、スリット
光の波長域を予め制限し、光学薄膜フィルタなどを介し
てスリットパターンの光を波長弁別する方策が考えられ
る。
【0011】しかしながら、このような方策では、試料
61の表面が「スリット光の波長域と重なる色調」と同
じ場合、試料61本来の色とスリットパターンとを波長
弁別することができない。以上のような理由から、従来
の立体形状計測用の撮像装置は、周囲をなるべく暗くし
た状態で、高輝度のスリット光を照射することが望まし
く、一般光のもとでは使用できないという問題点があっ
た。
【0012】そこで、請求項1に記載の発明は、一般光
のもとにおいても立体形状計測用の画像を撮像すること
ができる撮像装置を提供することを目的とする。請求項
2に記載の発明は、請求項1の目的と併せて、立体形状
計測用の画像を連続的に撮像することができる撮像装置
を提供することを目的とする。
【0013】請求項3に記載の発明は、請求項1の目的
と併せて、試料側の動きにタイミングを合わせて、立体
形状計測用の画像を撮像する撮像装置を提供することを
目的とする。請求項4に記載の発明は、請求項1の目的
と併せて、スリット光の照射部と画像の撮像部との位置
調整を使用時に簡略化できる撮像装置を提供することを
目的とする。
【0014】請求項5に記載の発明は、請求項1の目的
と併せて、差異信号(後述)の生成を撮像素子内で完了
することができる撮像装置を提供することを目的とす
る。請求項6に記載の発明は、請求項5の目的と併せ
て、差異信号と画像信号とを同時出力することが可能な
撮像装置を提供することを目的とする。請求項7に記載
の発明は、請求項1の目的と併せて、順次走査方式(走
査行ごとに電荷蓄積期間がずれる走査方式)の撮像部を
使用する場合に適した、スリット光の点滅動作を実行す
る撮像装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】(請求項1)請求項1に
記載の発明は、試料に対しスリット光を照射する照射部
と、スリット光の照射方向とは異なる角度から試料を撮
像し、少なくとも2コマ分の画素出力を生成する撮像部
と、撮像部による「一方のコマ」の撮像時にスリット光
を点灯し、「他方のコマ」の撮像時にスリット光を消灯
する制御手段と、撮像部により撮像された前記2コマの
画素出力について差異をとり、差異信号を生成する比較
部とを備えて、立体形状計測用の撮像装置を構成する。
【0016】このような構成では、試料を2コマ撮像す
るに際し、一方のコマのみにスリット光が照射される。
そのため、撮像部が生成する2コマの画素出力は、スリ
ットパターンの該当画素において輝度レベルの相異なる
信号となる。比較部は、このような2コマ分の画素出力
を比較することにより、スリットパターンの該当画素を
的確かつ容易に検出することができる。
【0017】(請求項2)請求項2に記載の発明は、請
求項1に記載の撮像装置において、撮像部は、試料を連
続的に撮像し、制御手段は、撮像部の1コマの撮像動作
ごとに、スリット光の点灯と消灯とを交互に繰り返し、
比較部は、交互に撮像される画素出力の差異をとって、
差異信号を順次生成することを特徴とする。
【0018】(請求項3)請求項3に記載の発明は、請
求項1または請求項2に記載の撮像装置において、制御
手段は、スリット光の点滅を停止した状態で比較部から
順次出力される差異信号を監視し、該差異信号から試料
の動きあるいは静止を検知すると、スリット光を点滅さ
せることを特徴とする。
【0019】このような構成では、まず、スリット光の
点滅を停止した状態(常時点灯もしくは常時消灯)で、
差異信号を生成する。この場合の差異信号は、時間軸方
向における試料画像の変化を示す信号である。
【0020】制御部は、この差異信号を監視することに
より、試料の動きもしくは静止を検知し、スリット光の
点滅を開始する。このスリット光の点滅に伴って、差異
信号は、スリットパターンの抽出画像を含む信号に変化
する。このように、スリット光の点滅動作を停止するこ
とにより、立体形状計測用に用いる差異信号を、試料の
動き検出に流用することが可能となる。さらに、この試
料の動き検出結果に基づいて、立体形状計測用の撮像タ
イミングを的確に決定することも可能となる。
【0021】(請求項4)請求項4に記載の発明は、請
求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の撮像装置
において、照射部は、撮像部と同一の筐体内もしくは、
撮像部に脱着可能な筐体内に構成されてなることを特徴
とする。このような構成では、照射部と撮像部とが一体
形状を構成する。したがって、筐体上の配置関係や、筐
体間の装着関係などを予め定めることにより、実使用時
における「照射部と撮像部の位置調整」を大幅に簡略化
することが可能となる。
【0022】(請求項5)請求項5に記載の発明は、請
求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の撮像装置
において、撮像部は、マトリックス状に配列され、入射
光に応じた画素出力を生成する複数の受光部と、複数の
受光部の列毎に設けられた複数の垂直読み出し線と、複
数の受光部の特定行を順次に選択しつつ、該特定行の受
光部から過去保持した前コマの画素出力と、該特定行の
受光部から新規に保持した現コマの画素出力とを、垂直
読み出し線へ逐次出力する垂直転送回路とを有して構成
され、比較部は、垂直読み出し線を介して時分割に転送
される前コマの画素出力と現コマの画素出力とを、行単
位に比較して差異信号を生成する回路であり、撮像部の
上記構成と比較部の上記構成とが一つの撮像素子内に構
成されてなることを特徴とする。
【0023】一般に、撮像素子の外部に比較部を配する
場合、画像信号をA/D変換するための回路や、デジタ
ル画像信号を記憶するためのフレームメモリや、フレー
ムメモリ内の画像信号と最新の画像信号との比較を行う
ための画像処理回路などが必要となる。そのため、装置
の構造が非常に複雑になるという不具合が生じる。
【0024】その上、A/D変換する際の標本化タイミ
ングがフレーム間でわずかでもずれた場合、比較すべき
画素位置にズレが生じてしまう。そのため、コマ間で消
去されるべき「画像中のエッジ部分」などが差異信号に
残ってしまうという不具合が生じる。
【0025】しかしながら、請求項5に記載した発明で
は、垂直読み出し線上に2コマ分の画素出力が行単位で
時分割に出力される。比較部は、これらの2コマ分の画
素出力を順次比較することにより、差異信号を生成す
る。したがって、比較部による差異信号の生成動作は、
撮像素子内で完了する。
【0026】その結果、上記のような複雑な外部回路が
不要となり、装置の構造を大幅に単純化することができ
る。また、請求項5に記載した発明では、比較部が、垂
直読み出し線上を個別に伝達される画素出力を直に比較
する。したがって、比較すべき画素位置にズレが生じる
おそれはなく、スリットパターンを正確に抽出すること
が可能となる。
【0027】(請求項6)請求項6に記載の発明は、請
求項5に記載の撮像装置において、垂直読み出し線を介
して時分割に転送される前コマの画素出力もしくは現コ
マの画素出力のどちらか一方を選択的に取り込んで、水
平転送する画像信号出力回路を備えたことを特徴とす
る。
【0028】このような一連の動作では、画像信号の生
成動作と、差異信号の生成動作とが、垂直読み出し線を
共有しつつ同時並行になされる。したがって、撮像素子
からは、画像信号と差異信号の両方を同時並行に出力す
ることができる。
【0029】(請求項7)請求項7に記載の発明は、請
求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の撮像装置
において、上記の制御手段は、「一方のコマ」の転送開
始前の垂直帰線期間内に限定して前記スリット光を点灯
するか、もしくは、「他方のコマ」の転送開始前の垂直
帰線期間内に限定して前記スリット光を消灯することを
特徴とする。
【0030】ここでは、順次走査方式(走査行ごとに電
荷蓄積期間がずれる走査方式)の撮像部について考え
る。このような撮像部は、電荷蓄積期間が、走査行ごと
にわずかずつずれる。そのため、2コマ撮像する期間内
において、スリット光を点滅した場合、一画面内に次の
ような3種類の走査行(A)〜(C)が発生する。
【0031】(A)「一方のコマ」の電荷蓄積期間のみ
スリット光が点灯されたため、「一方のコマ」のみスリ
ット光を撮像する走査行 (B)「他方のコマ」の電荷蓄積期間のみスリット光が
点灯されたため、「他方のコマ」のみスリット光を撮像
する走査行 (C)「一方のコマ」および「他方のコマ」の電荷蓄積
期間にまたがってスリット光が点灯されたため、「一方
のコマ」と「他方のコマ」の双方でスリット光を撮像す
る走査行 上記の走査行(A)〜(C)の内、走査行(A)と走査
行(B)については、「一方のコマ」と「他方のコマ」
との差異比較により、スリットパターンを容易に抽出す
ることができる。
【0032】また、残りの走査行(C)についても、ス
リット光の点灯時間が「一方のコマ」と「他方のコマ」
とである程度異なる場合、両コマの差異比較により、ス
リットパターンを抽出することができる。しかしなが
ら、走査行(C)において、スリット光の点灯時間が
「一方のコマ」と「他方のコマ」とで拮抗している場
合、両コマの差異比較のみでは、スリットパターンを抽
出することが困難となる。
【0033】そこで、請求項7の発明では、全ての走査
行において電荷蓄積期間が必ず共通する垂直帰線期間に
着目して、下記の解決策のどちらかを実行する。まず、
第1の解決策では、「一方のコマ」の転送開始前の垂直
帰線期間内に限定してスリット光を点灯する。この場
合、「一方のコマ」の全走査行において、スリット光が
撮像される。また、「他方のコマ」の全走査行におい
て、スリット光が撮像されない。その結果、両コマの差
異比較により、スリットパターンを確実に抽出すること
が可能となる。
【0034】また、第2の解決策では、「他方のコマ」
の転送開始前の垂直帰線期間内に限定してスリット光を
消灯する。この場合、「一方のコマ」の全走査行におい
て、スリット光が常に点灯される。また、「他方のコ
マ」の全走査行において、垂直帰線期間内の消灯期間の
みスリット光の点灯時間が必ず短くなる。したがって、
スリット光の点灯時間が両コマで拮抗することがなくな
る。その結果、両コマの差異比較に基づいて、スリット
パターンを確実に抽出することが可能となる。
【0035】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて、本発明の
実施の形態を説明する。
【0036】<第1の実施形態>第1の実施形態は、請
求項1〜6に記載の発明に対応する実施形態である。図
1は、第1の実施形態の全体構成を示す図である。図1
において、一般光のもとで、立体形状の計測対象である
試料11が配置される。この試料11に撮像光軸を向け
て、立体形状計測用の撮像装置12が配置される。
【0037】この立体形状計測用の撮像装置12の正面
には、撮影光学系13が装着される。この撮影光学系1
3の結像位置には、撮像素子14が設けられる。また、
撮像装置12の正面上部には、スリットプロジェクタ1
5が設けられる。これらの撮像素子14およびスリット
プロジェクタ15の動作は、制御部16によって制御さ
れる。
【0038】また、撮像素子14から逐次出力される画
像信号は、画像モニタ17の画像入力端子に入力され
る。この画像モニタ17は、制御部16から出力される
水平垂直の同期信号に同期して、画像信号をモニタ表示
する。一方、撮像素子14から出力される差異信号は、
制御部16および演算処理部18にそれぞれ取り込まれ
る。
【0039】この演算処理部18は、差異信号の画素位
置の演算に使用するため、制御部16から同期信号を取
り込む。また、演算処理部18は、立体座標の演算に使
用するため、制御部16からスリット光の照射角データ
を取り込む。さらに、演算処理部18には、撮影光学系
13の主点位置H1,H2の位置を記憶したメモリ19
がデータバスを介して接続される。次に、上述した撮像
素子14の内部構成について、詳細に説明する。
【0040】(撮像素子14の回路構成)図2は、撮像
素子14の内部構成を示す図である。図2において、撮
像素子14には、単位画素1が、n行m列にマトリック
ス配列される。これらの単位画素1の出力は、垂直列ご
とに共通接続され、m本分の垂直読み出し線2を形成す
る。
【0041】また、撮像素子14には、垂直転送のタイ
ミングを決定するための垂直走査回路3が配置される。
この垂直走査回路3からは、1行目の単位画素1に対し
3種類の制御パルスφTG1,φPX1,φRG1がそ
れぞれ供給される。同様にして、残りの2〜n行目の単
位画素1に対しても、垂直走査回路3から出力される3
種類の制御パルスφTG2〜n,φPX2〜n,φRG
2〜nがそれぞれ供給される。
【0042】上記のm本分の垂直読み出し線2には、バ
イアス電流を供給するための電流源4と、暗信号除去回
路5(2重サンプリング回路)と、異値検出回路6とが
それぞれ接続される。これらm個の暗信号除去回路5の
標本制御端子には、制御パルスφVが共通に供給され
る。なお、このような制御パルスφVは、例えば垂直走
査回路3などから出力される。また、m個の暗信号除去
回路5の出力端子はすべて共通接続され、画像信号用の
水平読み出し線7を形成する。この水平読み出し線7上
に出力される画像信号は、ビデオアンプ回路7aなどを
介して、撮像素子14の外部へ出力される。
【0043】また、水平読み出し線7には、リセット用
のMOSスイッチQRSHが接続される。このMOSス
イッチQRSHのゲートには、リセット用の制御パルス
φRSHが供給される。このような制御パルスφRSH
は、例えば水平走査回路8などから出力される。
【0044】また、撮像素子14には、水平転送のタイ
ミングを決定するための水平走査回路8が配置される。
この水平走査回路8からは、1列目の暗信号除去回路5
の走査制御端子に対して、制御パルスφH1が供給され
る。同様にして、残りの2〜m列目の暗信号除去回路5
の走査制御端子にも、水平走査回路8から出力される制
御パルスφH2〜φHmがそれぞれ供給される。
【0045】一方、m個の異値検出回路6の標本制御端
子には、2種類の制御パルスφSA,φSBが供給され
る。このような制御パルスφSA,φSBは、例えば垂
直走査回路3などから出力される。また、m個の異値検
出回路6の出力端子Q1〜Qmは、シフトレジスタ9の
パラレル入力にそれぞれ接続される。このシフトレジス
タ9には、パラレルデータの取り込みタイミングを決定
するための制御パルスφLDと、シリアル転送の転送ク
ロックφCKとが入力される。これらのパルスφLD,
φCKは、例えば水平走査回路8などから供給される。
また、シフトレジスタ9のシリアル出力は、差異信号と
して撮像素子14の外部へ出力される。
【0046】(単位画素1の回路構成)次に、図2に基
づいて、1行1列目に位置する単位画素1について、具
体的な回路構成を説明する。なお、その他の単位画素1
についても、制御パルスの添え字が異なるだけで、1行
1列目の単位画素1と回路構成は同様である。
【0047】まず、この単位画素1には、ホトダイオー
ドPDが配置される。このホトダイオードPDのアノー
ドは、電荷転送用のMOSスイッチQTを介して、接合
型電界効果トランジスタからなる増幅素子QAのゲート
に接続される。この電荷転送用のMOSスイッチQTの
ゲートには、垂直走査回路3から出力される制御パルス
φTG1が供給される。
【0048】また、増幅素子QAのゲートは、信号電荷
リセット用のMOSスイッチQPを介して、一定のリセ
ット電位VRDに保たれた配線層に接続される。このM
OSスイッチQPのゲートには、垂直走査回路3から出
力される制御パルスφRG1が供給される。一方、この
増幅素子QAのソースは、垂直転送用のMOSスイッチ
QXを介して垂直読み出し線2に接続される。このMO
SスイッチQXのゲートには、垂直走査回路3から出力
される制御パルスφPX1が供給される。
【0049】(暗信号除去回路5の回路構成)次に、図
2に基づいて、1列目の垂直読み出し線2に設けられた
暗信号除去回路5について、具体的な回路構成を説明す
る。なお、2列目以降の暗信号除去回路5についても、
制御パルスの添え字が一部異なるだけで、1列目の暗信
号除去回路5と回路構成は同様である。
【0050】まず、垂直読み出し線2に対し、暗信号を
保持するためのコンデンサCVの一端が接続される。こ
のコンデンサCVの他端には、接地電位などの一定電位
を与えるためのMOSスイッチQVと、水平転送用のM
OSスイッチQHとが接続される。このMOSスイッチ
QHの反対側は、水平読み出し線7に接続される。ここ
で、MOSスイッチQVのゲートには、制御パルスφV
が供給される。また、MOSスイッチQHのゲートに
は、水平走査回路8から出力される制御パルスφH1が
供給される。
【0051】(異値検出回路6の回路構成)次に、図3
に基づいて、垂直読み出し線2の1列目に設けられた異
値検出回路6について、具体的な回路構成を説明する。
なお、2列目以降の異値検出回路6についても、出力信
号の添え字が異なるだけで、1列目の異値検出回路6と
回路構成は同様である。
【0052】まず、垂直読み出し線2に対し、2つのコ
ンデンサCCA,CCBの一端側がそれぞれ接続され
る。このコンデンサCCAの他端側は、第1のインバー
タINV1の入力端子に接続され、入力成分の差分が伝
達される。さらに、第1のインバータINV1の入力端
子には、MOSスイッチQB1を介して、閾値を決定す
るための電圧VR1(=VT−Vth)が供給される。
このMOSスイッチQB1のゲートには、制御パルスφ
SAが供給される。
【0053】なお、ここでの電圧VTは、インバータI
NV1,INV2の閾値電圧に相当する電圧である。ま
た、電圧Vthは、画素出力間の差異が有意なものか否
かを決定する際の閾値に相当する電圧である。このよう
な第1のインバータINV1の出力端子は第3のインバ
ータINV3の入力端子に接続される。この第3のイン
バータINV3の出力端子と、第1のインバータINV
1の入力端子との間には、正帰還ループを断続するMO
SスイッチQB3が介在する。このMOSスイッチQB
3のゲートには、制御パルスφSBが供給される。
【0054】一方、コンデンサCCBの他端側は、第2
のインバータINV2の入力端子に接続され、入力成分
の差分が伝達される。さらに、第2のインバータINV
2の入力端子には、MOSスイッチQB2を介して、閾
値を決定するための電圧VR2(=VT+Vth)が供
給される。このMOSスイッチQB2のゲートには、制
御パルスφSAが供給される。
【0055】このような第2のインバータINV2の出
力端子は第4のインバータINV4の入力端子に接続さ
れる。この第4のインバータINV4の出力端子と、第
2のインバータINV2の入力端子との間には、正帰還
ループを断続するMOSスイッチQB4が介在する。こ
のMOSスイッチQB4のゲートには、制御パルスφS
Bが供給される。
【0056】このように接続された第4のインバータI
NV4の出力は、NAND回路NAの一方の入力端子に
入力される。また、第3のインバータINV3の出力
は、第5のインバータINV5を介して反転された後、
NAND回路NAの他方の入力端子に入力される。この
NAND回路NAの出力は、シフトレジスタ9のパラレ
ル入力端子Q1に供給される。
【0057】(本発明と第1の実施形態との対応関係)
ここで、本発明と第1の実施形態との対応関係について
説明する。まず、請求項1〜4に記載の発明と第1の実
施形態との対応関係については、照射部はスリットプロ
ジェクタ15に対応し、撮像部は撮像素子14の「光像
を光電変換して画素出力を生成する機能」に対応し、制
御手段は制御部16に対応し、比較部は撮像素子14の
「画素出力間の差異比較に基づき差異信号を生成する機
能」に対応する。
【0058】また、請求項5に記載の発明と第1の実施
形態との対応関係については、受光部はホトダイオード
PDに対応し、垂直読み出し線は垂直読み出し線2に対
応し、垂直転送回路は「垂直走査回路3,増幅素子Q
A,垂直転送用のMOSスイッチQX,電荷転送用のM
OSスイッチQTおよび信号電荷リセット用のMOSス
イッチQP」に対応し、比較部は異値検出回路6および
シフトレジスタ9に対応する。請求項6に記載の発明と
第1の実施形態との対応関係については、画像信号出力
回路が、暗信号除去回路5,水平読み出し線7および水
平走査回路8に対応する。
【0059】(撮像素子14の動作説明)以下、第1の
実施形態に関する動作全体の説明に先だち、撮像素子1
4の動作を予め説明する。図4は、撮像素子14におけ
る信号電荷の垂直転送動作を説明する図である。なお、
本図では、i行目の垂直転送動作について示す。
【0060】まず、図4に示す期間t10のタイミング
において、垂直走査回路3は、制御パルスφSBをロー
レベルに立ち下げる。その結果、異値検出回路6内のM
OSスイッチQB3,QB4が遮断され、コンデンサC
CA,CCBの他端側がフローティング状態に設定され
る。
【0061】次に、図4に示す期間t11のタイミング
において、垂直走査回路3は、制御パルスφPXiをロ
ーレベルに保持し、かつ制御パルスφSAをハイレベル
に立ち上げる。この制御パルスφPXiの立ち下げによ
り、i行目のMOSスイッチQXが導通する。
【0062】このとき、増幅素子QAのゲート領域に
は、前回のフレーム読み出しに際して蓄積された信号電
荷が保持されている。したがって、増幅素子QAからな
るソースホロワ回路は、この前フレームi行目に相当す
る画素出力Vold を垂直読み出し線2上に出力する。
【0063】一方このとき、異値検出回路6側では、制
御パルスφSAの立ち上げにより、MOSスイッチQB
1,QB2が導通する。その結果、コンデンサCCA,
CCBを通る充電経路がそれぞれ形成される。
【0064】その結果、コンデンサCCAの両端には、
(Vold−VT+Vth)の電圧が充電される。一方、
コンデンサCCBの両端には、(Vold−VT−Vt
h)の電圧が充電される。
【0065】この期間t11の終了間際に、制御パルス
φSAが立ち下げられる。そのため、コンデンサCC
A,CCBの他端側は再びフローティング状態となる。
その結果、上記の電圧は、コンデンサCCA,CCBの
両端電圧として保持される。次に、図4に示す期間t1
2のタイミングにおいて、垂直走査回路3は、制御パル
スφRGiをローレベルに立ち下げる。すると、i行目
の単位画素1では、MOSスイッチQPが導通し、増幅
素子QAのゲート領域に保持されていた前フレームの信
号電荷が排出される。その結果、ゲート領域は、配線層
を介してリセット電圧VRDに初期化される。
【0066】この期間t12の終了間際、制御パルスφ
RGiがハイレベルに戻される。その結果、MOSスイ
ッチQPが遮断され、増幅素子QAのゲート領域はフロ
ーティング状態のまま、リセット時の電圧を保持する。
続く期間t13のタイミングにおいても、制御パルスφ
PXiは依然ローレベルに維持される。そのため、垂直
読み出し線2には、増幅素子QAのソースホロワ回路を
介して暗信号Vdが出力される。このときの暗信号Vd
は、リセット動作時のリセット雑音(いわゆるkTC雑
音)や、固定パターン雑音の主原因である「増幅素子Q
Aのゲート−ソース間の電圧バラツキ」などを含んだ雑
音信号である。
【0067】一方、この期間t13において、制御パル
スφVがハイレベルに立ち上げられる。暗信号除去回路
5側では、制御パルスφVの立ち上げにより、MOSス
イッチQVが導通する。その結果、コンデンサCVを通
る充電経路が形成され、i行目の暗信号Vdは、暗信号
除去回路5内のコンデンサCVに充電される。
【0068】この期間t13の終了間際に、制御パルス
φVが立ち下げられる。そのため、コンデンサCVの一
端は再びフローティング状態となり、i行目の暗信号V
dは、コンデンサCV群の両端電圧として保持される。
次に、図4に示す期間t14のタイミングにおいて、制
御パルスφTGiがローレベルに立ち下げられる。する
と、i行目の単位画素1において、MOSスイッチQT
が導通し、i行目のホトダイオードPDに蓄積された現
フレームの信号電荷が、増幅素子QAのゲート領域に転
送される。
【0069】この期間t14の終了間際、制御パルスφ
TGiがハイレベルに戻される。その結果、MOSスイ
ッチQTが遮断され、増幅素子QAのゲート領域はフロ
ーティング状態のまま、転送された信号電荷に応じて電
位が上昇した状態を保持する。続く期間t15のタイミ
ングにおいても、制御パルスφPXiは依然ローレベル
である。そのため、垂直読み出し線2からは、増幅素子
QAのソースホロワ回路を介して現フレームかつi行目
の画素出力Vnow が新たに出力される。
【0070】この期間t15において、暗信号除去回路
5側のコンデンサCVの他端側には、現フレームかつi
行目の画素出力Vnow から、i行目の暗信号分Vdを減
じた電圧が現れる。この電圧は、暗信号成分が取り除か
れた「現フレームの画素出力」である。
【0071】また一方、この期間t15において、異値
検出回路6側のコンデンサCCAの他端側には、(Vno
w −Vold +VT−Vth)の電圧が現れる。また、コ
ンデンサCCBの他端側には、(Vnow −Vold +V
T+Vth)の電圧が現れる。これらの電圧は、インバ
ータINV1,INV2を介して、閾値電圧VTを境に
反転される。
【0072】以上のような電圧関係により、フレーム間
の画素出力差(Vnow−Vold)がVthを上回ると、イ
ンバータINV1はローレベルを出力する。一方、フレ
ーム間の画素出力差(Vnow−Vold)がVthを下回る
と、インバータINV1はハイレベルを出力する。
【0073】また、フレーム間の画素出力差(Vnow−
Vold)が(−Vth)を上回ると、インバータINV
2はローレベルを出力する。一方、フレーム間の画素出
力差(Vnow−Vold)が(−Vth)を下回ると、イン
バータINV2はハイレベルを出力する。
【0074】これらの論理出力は、インバータINV3
〜5を介した後、NAND回路NAにそれぞれ入力され
る。その結果、NAND回路NAからは、フレーム間の
画素出力差(Vnow−Vold)の値が(−Vth)〜Vt
hの許容範囲内にある場合、ローレベルが出力される。
また、フレーム間の画素出力差(Vnow−Vold)の値が
(−Vth)〜Vthの許容範囲外にある場合、ハイレ
ベルが出力される。このような動作により、NAND回
路NAからは、フレーム間の画素出力が許容範囲内で一
致しているか否かを、「0」/「1」の値で示す2値化
信号が出力される。
【0075】このような期間t15の状態において、制
御パルスφLDがハイレベルに立ち上げられる。その結
果、m個のNAND回路NAからそれぞれに出力される
2値化信号は、シフトレジスタ9のパラレル入力端子Q
1〜Qmから一括して取り込まれ、シフトレジスタ9の
内部値D1〜Dmとしてそれぞれ保持される。
【0076】次に、期間t16のタイミングにおいて、
制御パルスφSBを立ち上げることにより、MOSスイ
ッチQB3,QB4が導通する。その結果、インバータ
INV3,INV4を介してコンデンサCCA,CCB
が正帰還方向に再充電され、NAND回路NAの出力が
安定化される。
【0077】図5は、この期間t16における水平転送
の駆動タイミングを説明する図である。まず、期間t1
6のタイミングにおいて、水平走査回路8は、制御パル
スφH1〜φHmを立ち代わりハイレベルに順次設定す
る。
【0078】そのため、m列分のコンデンサCVの一端
側は、1〜m列の順番で水平読み出し線7に接続され
る。その結果、水平読み出し線7上には、現フレームか
つi行目の画像信号が順次に出力される。なお、制御パ
ルスφH1〜φHmをハイレベルに設定する合間に、φ
RSHがハイレベルに一時設定される。このような動作
により、水平読み出し線7上の残留電荷が、MOSスイ
ッチQRSHを介して毎回排出される。そのため、水平
転送される画像信号に余分な残留電荷が混じることがな
い。なお、このようなMOSスイッチQRSHのリセッ
ト動作により、出力される画像信号は間欠的な信号とな
る。そこで場合によっては、ビデオアンプ回路7aなど
において零次ホールド動作などを実行してもよい。
【0079】また一方、この期間t16のタイミングに
おいて、シフトレジスタ9に転送パルスφCKが順次与
えられる。この転送パルスφCKの立ち上がりに同期し
て、シフトレジスタ9のシリアル出力からは、内部値D
1〜Dmが差異信号として順次に出力される。
【0080】以上説明したような一連の信号読み出し処
理を、各水平行について繰り返すことにより、水平読み
出し線7からは、最新の画像信号がフレーム単位で順次
出力され、シフトレジスタ9からは差異信号が順次出力
される。なお、このとき出力される画像信号は、上述し
た画像モニタ17へ出力される。この画像モニタ17
は、制御部16からの同期信号に同期して、画像信号の
モニタ表示を行う。このモニタ表示に基づいて、立体形
状計測の担当者は、試料11の外観映像を常時確認する
ことができる。
【0081】(第1の実施形態の全体動作)図6は、第
1の実施形態の全体動作を説明するための流れ図であ
る。以下、図6の各動作ステップに沿って、第1の実施
形態における全体動作を説明する。
【0082】まず最初に、制御部16は、スリットプロ
ジェクタ15を消灯状態に初期設定し、撮像素子14に
対して連続的な撮像動作を指示する(図6S1)。この
状態では、試料11にスリット光が照射されないため、
撮像素子14は、上述した撮像動作を一般光のもとで行
う。そのため、撮像素子14から出力される差異信号
は、試料11の画像にフレーム間差が生じたか否かを、
画素単位に示す二値化信号となる。
【0083】ここで、制御部16は、この差異信号を順
次取り込み、1フレーム分の差異信号中に現れる「1」
の数を逐一計数する。制御部16は、このような「1」
の出現数に基づいて、試料11の変化(動き)の度合い
を判定する(図6S2)。ここで、「1」の出現数が所
定数(例えば、全画素数の10%)未満の場合、制御部
16は、現フレームにおいて試料11に有意な変化が生
じていないと判断してステップS2に戻り、次フレーム
についての変化判定を引き続いて実行する。
【0084】一方、このような変化判定の期間中に、
「1」の出現数が所定数を越えた場合、制御部16は、
試料11に有意な変化(動き)が生じたと判断し、ステ
ップS3以降に示す立体形状計測用の動作を開始する。
まず、制御部16は、奇数フレームの電荷蓄積にタイミ
ングを合わせて、スリットプロジェクタ15を消灯す
る。一方、制御部16は、偶数フレームの電荷蓄積にタ
イミングを合わせて、スリットプロジェクタ15を点灯
する(図6S3)。
【0085】なお、ここでは順次走査方式の撮像素子1
4を使用しているため、偶数フレームの転送開始前の垂
直帰線期間内に限定して、スリットプロジェクタ15を
点灯する。また、このような電荷蓄積動作と点滅動作と
の具体的な同期方法については、例えば、次のような方
法(A),(B)がある。
【0086】(A)制御部16が、スリットプロジェク
タ15の点滅タイミングを一意に決定する。この点滅タ
イミングに合わせて、制御部16が撮像素子14内の垂
直走査回路3を制御して、電荷蓄積動作を同期させる。
【0087】(B)撮像素子14には自走式の撮像動作
を実行させる。その上で、制御部16は、撮像素子14
から出力される画像信号もしくは差異信号もしくはタイ
ミング信号などを取り込む。制御部16は、このような
信号(例えば、垂直同期信号)から電荷蓄積動作の位相
タイミングを判断して、点滅動作を同期させる。
【0088】このような電荷蓄積動作と点滅動作との同
期により、奇数フレームの電荷蓄積中、撮像素子14の
受光面には、一般光で照らし出された試料画像が形成さ
れる。一方、偶数フレームの電荷蓄積中、撮像素子14
の受光面には、図7(a)に示すように、試料画像とス
リットパターンとを足し合わせた画像が形成される。
【0089】その結果、撮像素子14から出力される奇
数フレームの画像信号は、図7(b)に示すように、ス
リットパターンを含まない画像信号となる。また、偶数
フレームの画像信号は、図7(c)に示すように、スリ
ットパターンを含んだ画像信号となる。
【0090】これらの両画像信号間のフレーム間差(絶
対値)は、図7(d)に示すような信号となる。撮像素
子14内の異値検出回路6では、このフレーム間差が閾
値Vth以上か否かを二値判定して、差異信号を生成す
る。そのため、撮像素子14から出力される差異信号
は、図7(e)に示すようなスリットパターンを抽出し
た2値化信号となる。
【0091】ここで、演算処理部18は、この差異信号
を取り込みつつ、スリットパターンの立体座標を算出す
る(図6S4)。図8は、このような立体座標の算出原
理を説明する図である。
【0092】まず、演算処理部18は、差異信号中から
「1」を示す画素位置(例えば、図8中のA)を検出す
る。演算処理部18は、この画素位置Aを始点とし、か
つ撮影光学系13の後側主点H1を終点とするベクトル
を求める。さらに、演算処理部18は、このベクトルの
始点を前側主点H2に平行移動して、画素位置Aにおけ
る視線ベクトルCを求める。
【0093】また一方、演算処理部18は、制御部16
からスリットプロジェクタ15の照射角データを取得
し、スリット光のビーム面Zを求める。次に、演算処理
部18は、このビーム面Zと視線ベクトルCとの交点B
について立体座標値を求める。このように求めた交点B
の立体座標値は、スリットパターン上の一点(すなわ
ち、試料11表面の一点)の立体座標値に相当する。
【0094】演算処理部18は、以上のような演算処理
をパイプライン処理で高速実行することにより、スリッ
トパターン上の各点の立体座標を全て算出する。演算処
理部18は、このように求めたスリットパターン1ライ
ン分の立体座標を外部へ順次出力する(図6S5)。
【0095】このようなスリットパターンの座標算出を
完了した後に、制御部16は、スリット光の走査が完了
したか否かを判定する(図6S6)。ここで、スリット
光の走査がまだ完了していない場合(図6S6のNO
側)、制御部16は、撮像素子14の電荷蓄積の切り替
え時点に合わせて、スリット光の照射角を所定の走査角
度だけずらす(図6S7)。
【0096】このような照射角の変更により、スリット
パターンの位置はわずかにずれる。この状態で、制御部
16は、ステップS3に動作を戻し、上述した立体形状
計測用の撮像動作を再び繰り返す。
【0097】一方、スリット光の走査が完了した場合
(図6S6のYES側)、制御部16は、スリットプロ
ジェクタ15を消灯して、立体形状計測用の撮像動作を
一旦停止する(図6S8)。この状態で、制御部16
は、ステップS2に動作を戻し、試料11に再び変化が
生じるまで待機する。
【0098】(第1の実施形態の効果など)以上説明し
たような動作により、第1の実施形態では、スリット光
の点滅に合わせて撮像された2フレーム分の画素出力を
比較することにより、スリットパターンを抽出する。こ
のとき、一般光による試料画像は、画素出力の差異比較
に伴って消去される。したがって、一般光のもとにおい
ても、スリットパターンを確実に抽出することが可能と
なる。
【0099】また、第1の実施形態では、スリット光を
消灯した状態で差異信号を求め、この差異信号に基づい
て試料11の動体検出を行う。そのため、試料11にあ
る程度の変化が生じるたびに、立体形状計測用の撮像を
タイミングよく実行することができる。また、試料11
に変化が現れない期間中は、スリット光を消灯するの
で、スリットプロジェクタ15の消費電力を大幅に削減
することもできる。
【0100】さらに、第1の実施形態では、スリットプ
ロジェクタ15と撮像素子14とが一体に構成される。
したがって、互いの位置調整を省略することが可能とな
る。また、第1の実施形態では、撮像素子14内部で、
差異信号の生成動作を完了することができる。したがっ
て、差異信号を生成するための外部回路が一切不要とな
り、立体形状計測用の撮像装置12の小型化および低コ
スト化を容易に実現することができる。
【0101】さらに、第1の実施形態では、撮像素子1
4が、画像信号と差異信号とを同時並行に出力する。こ
のような同時出力により、試料11の外観映像などを確
認することが可能となる。次に、別の実施形態について
説明する。
【0102】<第2の実施形態>第2の実施形態は、請
求項1〜6に対応した実施形態である。なお、第2の実
施形態の構造は、制御部16の内部プログラミングを除
いて、第1の実施形態(図1〜3)と同一なので、ここ
での説明を省略する。
【0103】図9は、第2の実施形態の動作を説明する
流れ図である。第2の実施形態では、制御部16が、ス
リットプロジェクタ15を消灯した状態で、撮像素子1
4に撮像動作を指示する(図9S1)。制御部16は、
撮像素子14からの差異信号に基づいて、試料11の静
止状態を確認した上で、ステップS3以降の立体形状計
測用の撮像動作を開始する(図9S2′)。
【0104】まず、制御部16は、1フレームおきにス
リットプロジェクタ15を点滅させる(図9S3)。な
お、ここでは順次走査方式の撮像素子14を使用してい
るため、偶数フレームの転送開始前の垂直帰線期間内に
限定して、スリットプロジェクタ15を点灯する。
【0105】この状態で、演算処理部18は、差異信号
に基づいて、スリットパターンの立体座標を算出する
(図9S4)。演算処理部18は、このように求めた立
体座標を外部へ順次出力する(図9S5)。
【0106】このような演算処理の完了後、スリット光
の走査がまだ完了していない場合(図9S6のNO
側)、制御部16は、スリットプロジェクタ15の照射
角を所定の走査角度だけずらし(図9S7)、ステップ
S3に動作を戻す。
【0107】一方、スリット光の走査が完了した場合
(図9S6のYES側)、制御部16は、スリットプロ
ジェクタ15を消灯した後(図9S8)、ステップS
2′に動作を戻す。以上のような動作により、第2の実
施形態では、試料11の一時停止にタイミングを合わせ
て、立体形状計測用の撮像動作を実行することができ
る。また、試料11の移動中などはスリット光を消灯す
るので、スリットプロジェクタ15の消費電力を大幅に
削減することもできる。
【0108】なお、上述した第1および第2の実施形態
では、スリット光を走査移動する場合について述べた
が、これに限定されるものではない。例えば、スリット
パターン1本分を抽出すれば足りるような場合は、スリ
ット光を走査移動しなくてもかまわない。また、スリッ
ト光を走査移動する代わりに、複数本のスリット光を同
時照射したり、試料11側を走査移動してもかまわな
い。
【0109】また、上述した第1および第2の実施形態
では、スリット光の点灯期間を垂直帰線期間内に限定し
ているが、これに限定されるものではない。例えば、1
フレームおきの垂直帰線期間内に限定して、スリット光
を消灯しても、全走査行についてスリットパターンを確
実に抽出することができる。また、一部の走査行につい
てスリットパターンを抽出すればよい場合は、スリット
光の点灯期間もしくは消灯期間を垂直帰線期間内に限定
する必要はなくなる。さらに、一括走査方式(信号電荷
を垂直CCDなどに一括転送することにより、全ての走
査行における電荷蓄積期間が一致する転送方式)の撮像
部を使用する場合は、電荷蓄積期間に同期して、スリッ
ト光の点灯/消灯を単に切り替えればよい。
【0110】さらに、上述した第1および第2の実施形
態では、試料の動きを検出することにより撮像タイミン
グを自動決定しているが、これに限定されるものではな
い。例えば、マニュアル操作に応じて撮像タイミングを
決定してもよい。また、外部からのトリガ入力に応じて
撮像タイミングを決定してもよい。
【0111】また、上述した第1および第2の実施形態
では、増幅素子QAとして接合型電界効果トランジスタ
を使用しているが、この構成に特に限定されるものでは
ない。一般的には、増幅機能を有する素子を増幅素子Q
Aとして使用することができる。例えば、増幅素子QA
としてMOSトランジスタやバイポーラトランジスタや
CMDなどを使用してもよいし、これらの素子を混在使
用した機能素子を使用しても良い。また、これらの増幅
素子のゲートやベースに発生する寄生容量に信号電荷を
保持してもよいし、これら増幅素子のゲートやベースに
信号電荷を保持するためのコンデンサなどを補助的に設
けてもよい。
【0112】さらに、上述した第1および第2の実施形
態では、垂直転送用のMOSスイッチQXを用いて増幅
素子QAと垂直読み出し線2との接続/分離を制御して
いるが、これに限定されるものではない。例えば、増幅
素子のゲートやベースに信号電荷を蓄積するためのコン
デンサを設け、このコンデンサの他端側の電圧を上下さ
せることにより、増幅素子と垂直読み出し線との接続・
分離を制御してもよい。
【0113】また、上述した第1および第2の実施形態
では、ホトダイオードPDで生じた信号電荷を、増幅素
子の制御領域に直接転送する場合を説明したが、本発明
はこれに限定されるものではない。例えば、信号電荷を
拡散領域に一旦転送し保持した後、その拡散領域の電位
を信号線を介してMOSトランジスタのゲートで検出し
てもよい。このような画素の例としては、例えば、文献
『Active Pixel Sensors:Are CCD's Dinosaurs?』,Foss
um E.R.,Proceeding of SPIE: Charge-CoupledDevice a
nd Solid State Optical SensorsIII、Vol.1900,pp2-14
(1993)に記されたものがある。
【0114】
【発明の効果】(請求項1)請求項1に記載の発明で
は、スリット光の点滅に合わせて撮像された2コマ分の
画素出力を比較して、スリットパターンの画像を抽出す
る。このとき、一般光による試料画像は、画素出力の差
異比較に伴って消去される。したがって、一般光のもと
においても、スリットパターンの画像を確実に抽出する
ことができる。
【0115】(請求項2)請求項2に記載の発明では、
スリット光の点滅を繰り返しつつ、撮像部から出力され
る画素出力の差異を交互にとる。このような動作によ
り、スリットパターンを連続的に抽出することが可能と
なる。
【0116】(請求項3)請求項3に記載の発明では、
スリット光の点滅を停止状態にして、試料画像の変化を
示す差異信号を生成する。このような動作により、立体
形状計測用の差異信号を、試料の動き検出に有効利用す
ることが可能となる。したがって、試料の動きを検出す
るような場合、動き検出専用の構成を別途設ける必要が
なく、装置の小型化および低コスト化を図ることができ
る。
【0117】また、請求項3に記載の発明では、上記の
ような試料の動き検出を行うことにより、「立体形状計
測に適したスリットパターン」の撮像タイミングを的確
に決定することができる。さらに、請求項3に記載の発
明では、上記のように決定した撮像タイミングに合わせ
て、スリット光の点滅を実行する。その結果、無用な期
間の点滅動作を省くことができ、照射部などの消費電力
を効率よく削減することができる。
【0118】(請求項4)請求項4に記載の発明では、
照射部と撮像部とが一体形状を構成する。したがって、
実際の撮像時に当たっては、照射部と撮像部との位置調
整を大幅に省くことができる。
【0119】このように位置調整の手間がかからず、さ
らに、一般光のもとで撮像可能であるため、請求項4に
記載の発明では、「いつでもどこでも立体形状計測用の
撮像を容易に実行できる撮像装置」を実現することが可
能となる。
【0120】(請求項5)請求項5に記載の発明では、
垂直読み出し線上に2コマの画素出力を行単位で時分割
に出力し、これらの画素出力を比較して差異信号を生成
する。したがって、比較部による差異信号の生成動作
を、撮像素子内でひととおり完了することができる。
【0121】このように撮像素子内で差異信号の生成が
完了するため、差異信号を生成するための外部回路など
が不要となり、装置の小型化および低コスト化を大幅に
図ることが可能となる。特に、このような構成では、垂
直読み出し線上を伝達する画素出力を直に比較する。こ
のとき、比較すべき画素位置にズレを生じるおそれはな
い。したがって、比較すべき画素位置のズレのために
「試料画像中のエッジ部」をスリットパターンと誤って
検出するなどの不具合が生じず、スリットパターン抽出
の信頼性を一段と高めることができる。
【0122】(請求項6)請求項6に記載の発明は、垂
直読み出し線上を時分割転送される画素出力のどちらか
一方を選択的に出力することにより、画像信号を生成す
る。このような画像信号の生成動作は、垂直読み出し線
を共有しつつなされるため、差異信号の生成動作を妨げ
ることがない。したがって、画像信号と差異信号とを撮
像素子から同時出力することが可能となる。このような
画像信号と差異信号の同時出力を利用することにより、
差異信号から求めた立体座標に、画像信号をテクスチャ
マッピングするなど、本撮像装置の応用範囲を格段に広
げることが可能となる。
【0123】(請求項7)請求項7に記載の発明では、
2コマ分の撮像に際し、どちらか一方の垂直帰線期間内
に限定して、スリット光の点灯もしくは消灯を実施す
る。
【0124】その結果、順次走査方式の撮像部を使用し
た場合においても、スリット光の点灯期間は2コマ間で
確実に異なる。したがって、両コマの差異比較に基づい
て、スリットパターンを確実かつ容易に抽出することが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態の全体構成を示す図である。
【図2】撮像素子14の回路構成を示す図である。
【図3】異値検出回路6の回路構成を示す図である。
【図4】撮像素子14の垂直転送動作を説明する図であ
る。
【図5】撮像素子14の水平転送動作を説明する図であ
る。
【図6】第1の実施形態の動作を説明する流れ図であ
る。
【図7】差異信号の生成過程を説明する図である。
【図8】立体座標の算出原理を説明する図である。
【図9】第2の実施形態の動作を説明する流れ図であ
る。
【図10】従来の立体形状計測用の撮像装置を示す概念
図である。
【図11】従来におけるスリットパターンの抽出過程を
示す図である。
【符号の説明】
1 単位画素 2 垂直読み出し線 3 垂直走査回路 4 電流源 5 暗信号除去回路 6 異値検出回路 7 水平読み出し線 7a ビデオアンプ回路 8 水平走査回路 9 シフトレジスタ 11 試料 12 立体形状計測用の撮像装置 13 撮影光学系 14 撮像素子 15 スリットプロジェクタ 16 制御部 17 画像モニタ 18 演算処理部 19 メモリ CCA,CCB コンデンサ QH 水平転送用のMOSスイッチ QV 一定電位を与えるためのMOSスイッチ CV 暗信号を保持するためのコンデンサ QX 垂直転送用のMOSスイッチ QP 信号電荷リセット用のMOSスイッチ QA 増幅素子 QT 電荷転送用のMOSスイッチ PD ホトダイオード QRSH リセット用のMOSスイッチ 61 試料 62 電子カメラ 63 スリットプロジェクタ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料に対しスリット光を照射する照射部
    と、 前記スリット光の照射方向とは異なる角度から前記試料
    を撮像し、少なくとも2コマ分の画素出力を生成する撮
    像部と、 前記撮像部における「一方のコマ」の撮像時に前記スリ
    ット光を点灯し、「他方のコマ」の撮像時に前記スリッ
    ト光を消灯する制御手段と、 前記撮像部により撮像された前記2コマ分の画素出力に
    ついて差異をとり、差異信号を生成する比較部とを備え
    たことを特徴とする立体形状計測用の撮像装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の撮像装置において、 前記撮像部は、前記試料を連続的に撮像し、 前記制御手段は、前記撮像部の1コマの撮像動作ごと
    に、前記スリット光の点灯と消灯とを交互に行い、 前記比較部は、交互に撮像される画素出力の差異をとっ
    て、差異信号を順次生成することを特徴とする立体形状
    計測用の撮像装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の撮像装
    置において、 前記制御手段は、前記スリット光の点滅を停止した状態
    で前記比較部から順次出力される差異信号を監視し、該
    差異信号から前記試料の動きあるいは静止を検知する
    と、前記スリット光を点滅させることを特徴とする立体
    形状計測用の撮像装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項
    に記載の撮像装置において、 前記照射部は、前記撮像部と同一の筐体内もしくは、前
    記撮像部に脱着可能な筐体内に構成されてなることを特
    徴とする立体形状計測用の撮像装置。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれか1項
    に記載の撮像装置において、 前記撮像部は、 マトリックス状に配列され、入射光に応じて画素出力を
    生成する複数の受光部と、 前記複数の受光部の列毎に設けられた複数の垂直読み出
    し線と、 前記複数の受光部の特定行を順次に選択しつつ、選択さ
    れた該特定行の受光部から過去保持した前コマの画素出
    力と、該特定行の受光部から新規に保持した現コマの画
    素出力とを、前記垂直読み出し線へ逐次出力する垂直転
    送回路とを有して構成され、 前記比較部は、 前記垂直読み出し線を介して時分割に転送される前コマ
    の画素出力と現コマの画素出力とを、行単位に比較して
    差異信号を生成する回路であり、 前記撮像部の上記構成と前記比較部の上記構成とが一つ
    の撮像素子内に構成されてなることを特徴とする立体形
    状計測用の撮像装置。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の撮像装置において、 前記垂直読み出し線を介して時分割に転送される前コマ
    の画素出力もしくは現コマの画素出力のどちらか一方を
    選択的に取り込んで、水平転送する画像信号出力回路を
    備えたことを特徴とする立体形状計測用の撮像装置。
  7. 【請求項7】 請求項1ないし請求項6のいずれか1項
    に記載の撮像装置において、 前記制御手段は、 前記「一方のコマ」の転送開始前の垂直帰線期間内に限
    定して前記スリット光を点灯するか、もしくは、前記
    「他方のコマ」の転送開始前の垂直帰線期間内に限定し
    て前記スリット光を消灯することを特徴とする立体形状
    計測用の撮像装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7190402B2 (en) 2001-05-09 2007-03-13 Fanuc Ltd Visual sensor for capturing images with different exposure periods
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WO2018211663A1 (ja) * 2017-05-18 2018-11-22 株式会社Pfu 測定装置、測定方法、判断方法及びプログラム

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