JPH11214786A - 半導体レーザー側面励起固体レーザー - Google Patents
半導体レーザー側面励起固体レーザーInfo
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- JPH11214786A JPH11214786A JP2387898A JP2387898A JPH11214786A JP H11214786 A JPH11214786 A JP H11214786A JP 2387898 A JP2387898 A JP 2387898A JP 2387898 A JP2387898 A JP 2387898A JP H11214786 A JPH11214786 A JP H11214786A
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- semiconductor laser
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- solid
- crystal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】構成部品の点数を減少させて製造コストの低減
化を図るとともに、調整作業の簡便化を図り、さらには
装置全体の小型化を図るようにした半導体レーザー側面
励起固体レーザーを提供する。 【解決手段】半導体レーザーによりレーザー結晶の側面
励起を行う半導体レーザー側面励起固体レーザーにおい
て、レーザー結晶を被覆するようにして半導体レーザー
とレーザー結晶との間に配設され、レーザー結晶との間
に冷却水を流すことによりレーザー結晶を冷却するため
のフロー・チューブを有し、フロー・チューブのレーザ
ー結晶に対向する壁面を散乱面に形成するとともに、フ
ロー・チューブにおける半導体レーザーからの励起光の
導入部を励起光に対して透明に形成し、半導体レーザー
を導入部に近接して配置する。
化を図るとともに、調整作業の簡便化を図り、さらには
装置全体の小型化を図るようにした半導体レーザー側面
励起固体レーザーを提供する。 【解決手段】半導体レーザーによりレーザー結晶の側面
励起を行う半導体レーザー側面励起固体レーザーにおい
て、レーザー結晶を被覆するようにして半導体レーザー
とレーザー結晶との間に配設され、レーザー結晶との間
に冷却水を流すことによりレーザー結晶を冷却するため
のフロー・チューブを有し、フロー・チューブのレーザ
ー結晶に対向する壁面を散乱面に形成するとともに、フ
ロー・チューブにおける半導体レーザーからの励起光の
導入部を励起光に対して透明に形成し、半導体レーザー
を導入部に近接して配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザー側
面励起固体レーザーに関し、さらに詳細には、マーキン
グ、カッティングあるいはトリミングなどのような、加
工、医療あるいは理科学研究などの多彩な分野に応用す
ることが可能な半導体レーザー側面励起固体レーザーに
関する。
面励起固体レーザーに関し、さらに詳細には、マーキン
グ、カッティングあるいはトリミングなどのような、加
工、医療あるいは理科学研究などの多彩な分野に応用す
ることが可能な半導体レーザー側面励起固体レーザーに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レーザーによりレーザー結
晶の側面励起を行う半導体レーザー側面励起固体レーザ
ーにおいては、半導体レーザーの発散角が大きいので、
この発散角を押さえて半導体レーザーからのレーザー光
（励起光）をレーザー結晶に効率的に集光するために、
当該励起光をレーザー結晶に集光するコリメート・レン
ズを配置し、さらに、一度レーザー結晶に吸収されずに
透過した励起光、あるいは、直接レーザー結晶に吸収さ
れなかった励起光を再度効率的に集光するために、反射
鏡あるいは散乱板からなる集光器を設けていた。
晶の側面励起を行う半導体レーザー側面励起固体レーザ
ーにおいては、半導体レーザーの発散角が大きいので、
この発散角を押さえて半導体レーザーからのレーザー光
（励起光）をレーザー結晶に効率的に集光するために、
当該励起光をレーザー結晶に集光するコリメート・レン
ズを配置し、さらに、一度レーザー結晶に吸収されずに
透過した励起光、あるいは、直接レーザー結晶に吸収さ
れなかった励起光を再度効率的に集光するために、反射
鏡あるいは散乱板からなる集光器を設けていた。
【０００３】さらに、こうした集光器の内部には、レー
ザー結晶を冷却するためのフロー・チューブから構成さ
れる冷却機構が内蔵されていた。
ザー結晶を冷却するためのフロー・チューブから構成さ
れる冷却機構が内蔵されていた。
【０００４】しかしながら、こうした従来の半導体レー
ザー側面励起固体レーザーにおいては、コリメート・レ
ンズとして高額な非球面レンズを用いる必要があるとと
もに、このコリメート・レンズを調整するための機械装
置が必要となるという問題点があり、さらには、当該機
械装置を用いて煩雑な調整作業を行わなければならない
という問題点があった。
ザー側面励起固体レーザーにおいては、コリメート・レ
ンズとして高額な非球面レンズを用いる必要があるとと
もに、このコリメート・レンズを調整するための機械装
置が必要となるという問題点があり、さらには、当該機
械装置を用いて煩雑な調整作業を行わなければならない
という問題点があった。
【０００５】また、従来の半導体レーザー側面励起固体
レーザーにおいては、上記したように集光器も必要とな
るため、装置全体が大型化するとともに複雑になるとい
う問題点もあった。
レーザーにおいては、上記したように集光器も必要とな
るため、装置全体が大型化するとともに複雑になるとい
う問題点もあった。
【０００６】即ち、従来の半導体レーザー側面励起固体
レーザーは、構成部品の点数が多く、また、その調整作
業に手間がかかるため、製造コストの上昇を招来すると
ともに、実用性に劣るという問題点があった。
レーザーは、構成部品の点数が多く、また、その調整作
業に手間がかかるため、製造コストの上昇を招来すると
ともに、実用性に劣るという問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の技術
の有する上記したような種々の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、構成部品の点数
を減少させて製造コストの低減化を図るとともに、調整
作業の簡便化を図り、さらには装置全体の小型化を図る
ようにした半導体レーザー側面励起固体レーザーを提供
しようとするものである。
の有する上記したような種々の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、構成部品の点数
を減少させて製造コストの低減化を図るとともに、調整
作業の簡便化を図り、さらには装置全体の小型化を図る
ようにした半導体レーザー側面励起固体レーザーを提供
しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、レーザー結晶を冷却するためのフロー・
チューブの壁面に、半導体レーザーからの励起光の導入
部を除いて散乱機能あるいは反射機能をもたせ、別途に
集光器を設ける必要性を排除して、構成部品の点数を減
少させるものである。
に、本発明は、レーザー結晶を冷却するためのフロー・
チューブの壁面に、半導体レーザーからの励起光の導入
部を除いて散乱機能あるいは反射機能をもたせ、別途に
集光器を設ける必要性を排除して、構成部品の点数を減
少させるものである。
【０００９】そして、集光器を排除することによって半
導体レーザーをフロー・チューブに近接して配置するこ
とが可能になり、半導体レーザーからの励起光を集光す
るコリメート・レンズも排除できることになる。
導体レーザーをフロー・チューブに近接して配置するこ
とが可能になり、半導体レーザーからの励起光を集光す
るコリメート・レンズも排除できることになる。
【００１０】従って、本発明によれば、構成部品の点数
を減少させて製造コストの低減化を図ることができるよ
うになるとともに、調整作業の簡便化を図ることができ
るようになり、さらには装置全体の小型化を図ることが
できるようになる。
を減少させて製造コストの低減化を図ることができるよ
うになるとともに、調整作業の簡便化を図ることができ
るようになり、さらには装置全体の小型化を図ることが
できるようになる。
【００１１】即ち、本発明のうち請求項１に記載の発明
は、半導体レーザーによりレーザー結晶の側面励起を行
う半導体レーザー側面励起固体レーザーにおいて、上記
レーザー結晶を被覆するようにして上記半導体レーザー
と上記レーザー結晶との間に配設され、上記レーザー結
晶との間に冷却水を流すことにより上記レーザー結晶を
冷却するためのフロー・チューブを有し、上記フロー・
チューブの上記レーザー結晶に対向する壁面を散乱面に
形成するとともに、上記フロー・チューブにおける上記
半導体レーザーからの励起光の導入部を上記励起光に対
して透明に形成し、上記半導体レーザーを上記導入部に
近接して配置したものである。
は、半導体レーザーによりレーザー結晶の側面励起を行
う半導体レーザー側面励起固体レーザーにおいて、上記
レーザー結晶を被覆するようにして上記半導体レーザー
と上記レーザー結晶との間に配設され、上記レーザー結
晶との間に冷却水を流すことにより上記レーザー結晶を
冷却するためのフロー・チューブを有し、上記フロー・
チューブの上記レーザー結晶に対向する壁面を散乱面に
形成するとともに、上記フロー・チューブにおける上記
半導体レーザーからの励起光の導入部を上記励起光に対
して透明に形成し、上記半導体レーザーを上記導入部に
近接して配置したものである。
【００１２】また、本発明のうち請求項２に記載の発明
は、請求項１に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面に酸化マグネシウムを添設し
て形成したものである。
は、請求項１に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面に酸化マグネシウムを添設し
て形成したものである。
【００１３】また、本発明のうち請求項３に記載の発明
は、請求項１に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面にアルミナを添設して形成し
たものである。
は、請求項１に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面にアルミナを添設して形成し
たものである。
【００１４】また、本発明のうち請求項４に記載の発明
は、請求項１に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面にセラミックを添設して形成
したものである。
は、請求項１に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面にセラミックを添設して形成
したものである。
【００１５】また、本発明のうち請求項５に記載の発明
は、請求項１に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面を変形させて形成したもので
ある。
は、請求項１に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面を変形させて形成したもので
ある。
【００１６】また、本発明のうち請求項６に記載の発明
は、半導体レーザーによりレーザー結晶の側面励起を行
う半導体レーザー側面励起固体レーザーにおいて、上記
レーザー結晶を被覆するようにして上記半導体レーザー
と上記レーザー結晶との間に配設され、上記レーザー結
晶との間に冷却水を流すことにより上記レーザー結晶を
冷却するためのフロー・チューブを有し、上記フロー・
チューブの上記レーザー結晶に対向する壁面を反射面に
形成するとともに、上記フロー・チューブにおける上記
半導体レーザーからの励起光の導入部を上記励起光に対
して透明に形成し、上記半導体レーザーを上記導入部に
近接して配置したものである。
は、半導体レーザーによりレーザー結晶の側面励起を行
う半導体レーザー側面励起固体レーザーにおいて、上記
レーザー結晶を被覆するようにして上記半導体レーザー
と上記レーザー結晶との間に配設され、上記レーザー結
晶との間に冷却水を流すことにより上記レーザー結晶を
冷却するためのフロー・チューブを有し、上記フロー・
チューブの上記レーザー結晶に対向する壁面を反射面に
形成するとともに、上記フロー・チューブにおける上記
半導体レーザーからの励起光の導入部を上記励起光に対
して透明に形成し、上記半導体レーザーを上記導入部に
近接して配置したものである。
【００１７】また、本発明のうち請求項７に記載の発明
は、請求項６に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面に誘電体多層膜を添設して形
成したものである。
は、請求項６に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面に誘電体多層膜を添設して形
成したものである。
【００１８】また、本発明のうち請求項８に記載の発明
は、請求項６に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面に金属膜を添設して形成した
ものである。
は、請求項６に記載の発明において、上記散乱面を、上
記フロー・チューブの壁面に金属膜を添設して形成した
ものである。
【００１９】また、本発明のうち請求項９に記載の発明
は、請求項１、２、３、４、５、６、７または８のいず
れか１項に記載の発明において、上記フロー・チューブ
を、ガラスにより形成したものである。
は、請求項１、２、３、４、５、６、７または８のいず
れか１項に記載の発明において、上記フロー・チューブ
を、ガラスにより形成したものである。
【００２０】また、本発明のうち請求項１０に記載の発
明は、請求項１、２、３、４、５、６、７または８のい
ずれか１項に記載の発明において、上記フロー・チュー
ブを、上記導入部をガラスにより形成するとともに、上
記導入部を除く部位をセラミックにより形成したもので
ある。
明は、請求項１、２、３、４、５、６、７または８のい
ずれか１項に記載の発明において、上記フロー・チュー
ブを、上記導入部をガラスにより形成するとともに、上
記導入部を除く部位をセラミックにより形成したもので
ある。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づいて、本
発明による半導体レーザー側面励起固体レーザーの実施
の形態の一例を詳細に説明するものとする。
発明による半導体レーザー側面励起固体レーザーの実施
の形態の一例を詳細に説明するものとする。
【００２２】図１には、本発明による半導体レーザー側
面励起固体レーザーの実施の形態の一例を備えたレーザ
ー共振器の概略構成図が示されており、図２には、図１
における半導体レーザー側面励起固体レーザーの概略断
面構成図が示されている。
面励起固体レーザーの実施の形態の一例を備えたレーザ
ー共振器の概略構成図が示されており、図２には、図１
における半導体レーザー側面励起固体レーザーの概略断
面構成図が示されている。
【００２３】ここで、符号１０は半導体レーザー側面励
起固体レーザーであり、符号１２は全反射鏡であり、符
号１４は出力鏡であり、符号１６は偏光制御用偏光板で
あり、符号１８はＡＯ−Ｑスイッチである。
起固体レーザーであり、符号１２は全反射鏡であり、符
号１４は出力鏡であり、符号１６は偏光制御用偏光板で
あり、符号１８はＡＯ−Ｑスイッチである。
【００２４】そして、半導体レーザー側面励起固体レー
ザー１０は、例えばＮｄ：ＹＡＧなどのレーザー結晶２
０と、レーザー結晶２０の側面励起を行う励起光を生成
する半導体レーザー２２と、レーザー結晶２０を被覆す
るようにして半導体レーザー２２とレーザー結晶２０と
の間に配設されたフロー・チューブ２４とを有してい
る。
ザー１０は、例えばＮｄ：ＹＡＧなどのレーザー結晶２
０と、レーザー結晶２０の側面励起を行う励起光を生成
する半導体レーザー２２と、レーザー結晶２０を被覆す
るようにして半導体レーザー２２とレーザー結晶２０と
の間に配設されたフロー・チューブ２４とを有してい
る。
【００２５】そして、レーザー結晶２０とフロー・チュ
ーブ２４との間には、冷却水が流れている。
ーブ２４との間には、冷却水が流れている。
【００２６】ここで、フロー・チューブ２４は、例え
ば、石英ガラスにより形成されており、その壁面、少な
くともレーザー結晶２０に対向する壁面たる壁面２４ａ
には、アルミナの粉を焼き付けて付着して散乱面が形成
されている。
ば、石英ガラスにより形成されており、その壁面、少な
くともレーザー結晶２０に対向する壁面たる壁面２４ａ
には、アルミナの粉を焼き付けて付着して散乱面が形成
されている。
【００２７】なお、フロー・チューブ２４における半導
体レーザー２２からの励起光の導入部２４ｂにはアルミ
ナを付着させることなく、透明な状態となされている。
体レーザー２２からの励起光の導入部２４ｂにはアルミ
ナを付着させることなく、透明な状態となされている。
【００２８】そして、半導体レーザー２２は導入部２４
ｂに近接して配置し、半導体レーザー２２からの励起光
は導入部２４ｂを通してレーザー結晶２０に照射され
る。
ｂに近接して配置し、半導体レーザー２２からの励起光
は導入部２４ｂを通してレーザー結晶２０に照射され
る。
【００２９】このように、半導体レーザー２２を導入部
２４ｂに近接して配置するので、大きなビーム散乱角を
もつ半導体レーザー２２の励起光を効率よくフロー・チ
ューブ２４内に導入することができる。
２４ｂに近接して配置するので、大きなビーム散乱角を
もつ半導体レーザー２２の励起光を効率よくフロー・チ
ューブ２４内に導入することができる。
【００３０】そして、フロー・チューブ２４内に導入さ
れた励起光は、レーザー結晶２０に直接吸収される他
に、壁面２４ａに形成された散乱面により散乱されて再
びレーザー結晶２０に入射され吸収される。
れた励起光は、レーザー結晶２０に直接吸収される他
に、壁面２４ａに形成された散乱面により散乱されて再
びレーザー結晶２０に入射され吸収される。
【００３１】ここで、上記したレーザー共振器を用いた
出願人の実験によると、半導体レーザー２２の４０Ｗ出
力時に、出力鏡１４からは４ｋＨｚ、８Ｗの基本波出力
を得ることができた。このとき、励起光、出力光の光−
光変換出力は２０％であった。
出願人の実験によると、半導体レーザー２２の４０Ｗ出
力時に、出力鏡１４からは４ｋＨｚ、８Ｗの基本波出力
を得ることができた。このとき、励起光、出力光の光−
光変換出力は２０％であった。
【００３２】なお、上記した実施の形態においては、フ
ロー・チューブ２４の壁面２４ａにアルミナを添設する
ことにより散乱面を形成したが、これに限られることな
しに、壁面２４ａに酸化マグネシウムを添設することに
より散乱面を形成してもよいし、また、壁面２４ａにセ
ラミックを添設することにより散乱面を形成してもよい
し、あるいは、壁面２４ａを変形させることにより散乱
面を形成してもよい。また、上記した実施の形態におい
ては、フロー・チューブ２４の壁面２４ａに散乱面を形
成したが、これに限られることなしに、フロー・チュー
ブ２４の壁面２４ａに散乱面に代えて反射面を形成して
もよい。そして、この反射面は、壁面２４ａに誘電体多
層膜や金属膜を添設することにより形成することができ
る。
ロー・チューブ２４の壁面２４ａにアルミナを添設する
ことにより散乱面を形成したが、これに限られることな
しに、壁面２４ａに酸化マグネシウムを添設することに
より散乱面を形成してもよいし、また、壁面２４ａにセ
ラミックを添設することにより散乱面を形成してもよい
し、あるいは、壁面２４ａを変形させることにより散乱
面を形成してもよい。また、上記した実施の形態におい
ては、フロー・チューブ２４の壁面２４ａに散乱面を形
成したが、これに限られることなしに、フロー・チュー
ブ２４の壁面２４ａに散乱面に代えて反射面を形成して
もよい。そして、この反射面は、壁面２４ａに誘電体多
層膜や金属膜を添設することにより形成することができ
る。
【００３３】また、上記した実施の形態においては、フ
ロー・チューブ２４をガラスにより形成したが、これに
限られることなしに、フロー・チューブ２４の導入部２
４ｂをガラスにより形成するとともに、導入部２４ｂを
除く部位をセラミックにより形成するようにしてもよ
い。
ロー・チューブ２４をガラスにより形成したが、これに
限られることなしに、フロー・チューブ２４の導入部２
４ｂをガラスにより形成するとともに、導入部２４ｂを
除く部位をセラミックにより形成するようにしてもよ
い。
【００３４】なお、上記した実施の形態においては、２
台の半導体レーザー２２を用いたが、半導体レーザー２
２の数は２台に限られるものではないことは勿論であ
り、１台でもよいし、あるいは、３台以上でもよい。
台の半導体レーザー２２を用いたが、半導体レーザー２
２の数は２台に限られるものではないことは勿論であ
り、１台でもよいし、あるいは、３台以上でもよい。
【００３５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、構成部品の点数を減少させて製造コストの
低減化を図ることができるとともに、調整作業の簡便化
を図ることができ、さらには装置全体の小型化を図るこ
とができるという優れた効果を奏する。
ているので、構成部品の点数を減少させて製造コストの
低減化を図ることができるとともに、調整作業の簡便化
を図ることができ、さらには装置全体の小型化を図るこ
とができるという優れた効果を奏する。
【図１】本発明による半導体レーザー側面励起固体レー
ザーの実施の形態の一例を備えたレーザー共振器の概略
構成図である。
ザーの実施の形態の一例を備えたレーザー共振器の概略
構成図である。
【図２】図１における半導体レーザー側面励起固体レー
ザーの概略断面構成図である。
ザーの概略断面構成図である。
１０ 半導体レーザー側面励起固体レーザー １２ 全反射鏡 １４ 出力鏡 １６ 偏光制御用偏光板 １８ ＡＯ−Ｑスイッチ ２０ レーザー結晶 ２２ 半導体レーザー ２４ フロー・チューブ ２４ａ 壁面 ２４ｂ 導入部
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体レーザーによりレーザー結晶の側
面励起を行う半導体レーザー側面励起固体レーザーにお
いて、 前記レーザー結晶を被覆するようにして前記半導体レー
ザーと前記レーザー結晶との間に配設され、前記レーザ
ー結晶との間に冷却水を流すことにより前記レーザー結
晶を冷却するためのフロー・チューブを有し、 前記フロー・チューブの前記レーザー結晶に対向する壁
面を散乱面に形成するとともに、前記フロー・チューブ
における前記半導体レーザーからの励起光の導入部を前
記励起光に対して透明に形成し、 前記半導体レーザーを前記導入部に近接して配置したこ
とを特徴とする半導体レーザー側面励起固体レーザー。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザー側面励起
固体レーザーにおいて、 前記散乱面は、前記フロー・チューブの壁面に酸化マグ
ネシウムを添設して形成されたことを特徴とする半導体
レーザー側面励起固体レーザー。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体レーザー側面励起
固体レーザーにおいて、 前記散乱面は、前記フロー・チューブの壁面にアルミナ
を添設して形成されたことを特徴とする半導体レーザー
側面励起固体レーザー。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体レーザー側面励起
固体レーザーにおいて、 前記散乱面は、前記フロー・チューブの壁面にセラミッ
クを添設して形成されたことを特徴とする半導体レーザ
ー側面励起固体レーザー。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体レーザー側面励起
固体レーザーにおいて、 前記散乱面は、前記フロー・チューブの壁面を変形させ
て形成されたことを特徴とする半導体レーザー側面励起
固体レーザー。 - 【請求項６】 半導体レーザーによりレーザー結晶の側
面励起を行う半導体レーザー側面励起固体レーザーにお
いて、 前記レーザー結晶を被覆するようにして前記半導体レー
ザーと前記レーザー結晶との間に配設され、前記レーザ
ー結晶との間に冷却水を流すことにより前記レーザー結
晶を冷却するためのフロー・チューブを有し、 前記フロー・チューブの前記レーザー結晶に対向する壁
面を反射面に形成するとともに、前記フロー・チューブ
における前記半導体レーザーからの励起光の導入部を前
記励起光に対して透明に形成し、 前記半導体レーザーを前記導入部に近接して配置したこ
とを特徴とする半導体レーザー側面励起固体レーザー。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体レーザー側面励起
固体レーザーにおいて、 前記反射面は、前記フロー・チューブの壁面に誘電体多
層膜を添設して形成されたことを特徴とする半導体レー
ザー側面励起固体レーザー。 - 【請求項８】 請求項６記載の半導体レーザー側面励起
固体レーザーにおいて、 前記反射面は、前記フロー・チューブの壁面に金属膜を
添設して形成されたことを特徴とする半導体レーザー側
面励起固体レーザー。 - 【請求項９】 請求項１、２、３、４、５、６、７また
は８のいずれか１項に記載の半導体レーザー側面励起固
体レーザーにおいて、 前記フロー・チューブは、ガラスにより形成したことを
特徴とする半導体レーザー側面励起固体レーザー。 - 【請求項１０】 請求項１、２、３、４、５、６、７ま
たは８のいずれか１項に記載の半導体レーザー側面励起
固体レーザーにおいて、 前記フロー・チューブは、前記導入部をガラスにより形
成するとともに、前記導入部を除く部位をセラミックに
より形成したことを特徴とする半導体レーザー側面励起
固体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2387898A JPH11214786A (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 半導体レーザー側面励起固体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2387898A JPH11214786A (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 半導体レーザー側面励起固体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214786A true JPH11214786A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=12122718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2387898A Pending JPH11214786A (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 半導体レーザー側面励起固体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214786A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004084364A1 (ja) * | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | レーザ発振器 |
| KR100733200B1 (ko) | 2005-09-16 | 2007-06-27 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 레이저 발진기 |
| CN100367580C (zh) * | 2003-08-22 | 2008-02-06 | 北京光电技术研究所 | 激光器玻璃聚光腔及其加工方法 |
-
1998
- 1998-01-21 JP JP2387898A patent/JPH11214786A/ja active Pending
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