JPH11204928A - 半田ペースト塗布方法および回路基板 - Google Patents

半田ペースト塗布方法および回路基板

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JPH11204928A
JPH11204928A JP1332598A JP1332598A JPH11204928A JP H11204928 A JPH11204928 A JP H11204928A JP 1332598 A JP1332598 A JP 1332598A JP 1332598 A JP1332598 A JP 1332598A JP H11204928 A JPH11204928 A JP H11204928A
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JP
Japan
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solder paste
circuit board
insulating layer
electrode
solder
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JP1332598A
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Yasutsugu Shirakawa
泰嗣 白川
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 端子を電極に対して常に確実に半田接続でき
るようにし、そして隣接電極どうしの半田による短絡を
防止する。 【解決手段】 回路基板2の表面には、各電極22の箇
所を除いて電極22の高さ以上の厚さを有し、かつ表面
が平坦な、例えば合成樹脂から成る絶縁層4が形成され
ている。絶縁層4は、例えば、約110μmないし18
0μmの厚さに形成する。半田ペーストを塗布する際
は、まず、絶縁層4上に半田ペースト30を載置し、ス
キージ8を回路基板2の端部から、絶縁層4上で電極2
2の箇所を通過して回路基板2の例えば反対側の端部へ
と半田ペースト30と共に摺動させる。このようなスキ
ージングの結果、絶縁層4の開口6内に半田ペースト3
0が充填され、電極22上に半田ペースト30が塗布さ
れた状態となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板上に配設
された電子部品接続用の電極に半田ペーストを塗布する
方法に関し、また、半田ペーストを塗布して電子部品を
接続する電極が配設された回路基板に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】例えば図3に示したように、回路基板1
1上に配設された電子部品接続用の各電極14に電子部
品16、18の端子を半田20により接続する方法とし
て、まず電極14上に半田ペーストを塗布し、そして電
子部品16、18の端子を電極14上に配置し、半田ペ
ーストを加熱して半田を溶融させた後、冷却硬化させる
という方法が広く用いられている。
【0003】この方法では、半田ペーストの電極への塗
布は、従来、印刷技術を応用し、メタルマスクを用いた
半田ペーストのスキージングにより行われていた。図4
の(A)ないし(D)は、従来の半田ペースト塗布方法
を示す工程図である。この半田ペーストの塗布工程を説
明すると、まず、図4の(A)に示したように、表面に
電子部品接続用の電極22が配設された回路基板12を
用意する。回路基板12の表面には、電極22と共に、
絶縁材料から成るソルダーレジストと呼ばれる絶縁層2
4が形成されている。この絶縁層24は、電極22に塗
布した半田が溶融した際などに、隣接する電極22どう
しが溶融した半田により電気的に短絡することを防止し
たり、あるいは、回路基板12に形成された不図示の配
線パターンなどを絶縁する目的で形成されており、電極
22の箇所を除いて回路基板12の表面のほぼ全体を覆
っている。なお、図では1つの電極22のみが示されて
いるが、通常、電極22は、図3にも示したように、回
路基板12上に複数配設されている。
【0004】次に、図4の(B)に示したように、回路
基板12上にメタルマスク26を配置する。メタルマス
ク26は例えば鉄製で、厚さは例えば150μm程度で
あり、電極22に相当する箇所には開口28が形成され
ている。そして、図4の(C)に示したように、メタル
マスク26上に半田ペースト30を配置し、スキージ3
2をメタルマスク26上で摺動させることにより半田ペ
ースト30をメタルマスク26の例えば端部から反対側
の端部へと矢印Aで示したように移動させる。その結
果、メタルマスク26の開口28内に半田ペーストが充
填され、図4の(D)に示したように、メタルマスク2
6を回路基板12上から排除すると、電極22上にのみ
半田ペースト30が塗布された状態となる。したがっ
て、この箇所に電子部品の端子を配置し、熱風を吹き付
けて半田ペーストに含まれる半田を溶融させることで電
子部品の端子を電極22に半田接続することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の半田ペースト塗布方法では、メタルマスク26の開
口28の形状、開口28の縁部34(図4の(B))の
粗度、メタルマスク26を回路基板12から排除する際
の速度などによっては、図5に示すように、メタルマス
ク26を排除したとき多量の半田ペーストが開口28の
箇所に付着してしまい、電極22上に必要量の半田ペー
ストを塗布できない場合があった。
【0006】また、図6の説明図に示したように、メタ
ルマスク26が回路基板12に対して正確に配置されな
かった場合には、半田ペーストが正しく電極22上に塗
布されず、半田ペーストが電極22周辺のメタルマスク
26下に回り込む結果となる。このような半田ペースト
の回り込みが生じると、特に図6に示した回路基板36
のように表面がソルダレジストにより覆われていない場
合には、回路基板36上の配線パターンの電気的な短絡
や、隣接する電極どうしの短絡などを引き起こしてしま
う。
【0007】さらに、電極22に塗布された半田ペース
ト上に電子部品の端子を配置した際、半田ペーストは電
子部品の重みや、電子部品を自動搭載機により配置した
とき電子部品に加わる力によって変形する。そして、そ
の変形の程度が大きい場合には、隣接する電極上の半田
ペーストどうしが接触し、これら隣接する電極どうしが
電気的に短絡してしまう場合もあった。
【0008】また、端子を電極に接続するために半田ペ
ーストに熱風を吹き付けて加熱溶融させたとき、溶融し
た半田は電極22上で表面張力によってセルフアライメ
ントと呼ばれる移動を起す。さらに、溶融した半田は、
上記熱風の風力や、回路基板12の搬送時の振動によっ
て電極22の周辺に移動することがあり、このような溶
融半田の移動によっても隣接する電極どうしの短絡が引
き起こされる場合があった。そして、溶融した半田が移
動すると、電極上の半田量が減少し、端子の接続が不完
全となる場合もあった。
【0009】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、その目的は、端子を電極に対して常に
確実に半田接続でき、そして隣接する電極どうしが半田
により短絡することを防止した半田ペースト塗布方法お
よび回路基板を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、基板上に配設された電子部品接続用の電極に
半田ペーストを塗布する方法であって、前記基板の表面
に、前記電極の箇所を除き前記電極の高さ以上の厚さを
有し、かつ表面が平坦な絶縁層を形成し、前記絶縁層の
上に前記半田ペーストを載置してスキージングにより前
記電極上に前記半田ペーストを塗布することを特徴とす
る。本発明はまた、基板上に電子部品接続用の電極が配
設された回路基板であって、前記基板の表面に、前記電
極の箇所を除いて前記電極の高さ以上の厚さを有し、か
つ表面が平坦な絶縁層が形成されていることを特徴とす
る。したがって、本発明では、基板の表面に形成した上
記絶縁層が従来のメタルマスクの役割を果たすので、基
板上にメタルマスクを配置することなくスキージングに
より半田ペーストを電極上に塗布することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を実施例
にもとづき図面を参照して説明する。図1は本発明の半
田ペースト塗布方法の一例を説明するための断面側面
図、図2は本発明による回路基板の一例を示す断面側面
図である。図中、図4と同一の要素には同一の符号が付
されている。以下では、これらの図面を参照して本発明
の半田ペースト塗布方法および回路基板の一実施例につ
いて説明する。
【0012】図2に示したように、本実施例の回路基板
2は、基板3上に電子部品接続用の電極22を配設して
形成され、基板3の表面に、電極22の箇所を除いて電
極22の高さ以上の厚さを有し、かつ表面が平坦な絶縁
層4が一体に形成されている。なお、図2では1つの電
極22のみが示されているが、実際には複数の電極22
が回路基板2上に配設されている。そして、各電極の箇
所を除いて絶縁層4が形成され、各電極22の箇所に開
口6が形成されている。
【0013】本実施例では絶縁層4の厚さにより電極2
2に塗布される半田ペーストの厚さが決る。したがっ
て、絶縁層4の厚さは、必要な半田ペーストの厚さにも
とづいて決めることになり、例えば、約110μmない
し180μmの厚さに形成する。また、例えばこれまで
150μmの厚さのメタルマスク26(図4)を用いて
おり、このメタルマスク26を用いた場合と同程度の厚
さに半田ペーストを塗布する場合には、絶縁層4の厚さ
は、その表面と電極22の表面との差が150μmとな
るようにすればよい。また、絶縁層4は本実施例では一
例として合成樹脂により形成されている。回路基板2は
合成樹脂またはセラミックにより形成されており、電極
22は、導電性材料から成る薄膜を回路基板2の表面に
被着させて形成されている。
【0014】次に、このように構成された回路基板2に
対し半田ペーストをいかに塗布するかについて図1を参
照して説明する。まず、絶縁層4の上の例えば回路基板
2の端部近傍に、粉状の半田をペースト状のフラックス
に混合して形成された半田ペースト30を載置し、スキ
ージ8を、矢印Aで示したように、絶縁層4上で電極2
2の箇所を通過して回路基板2の例えば反対側の端部へ
と半田ペースト30と共に摺動させる。このようなスキ
ージングの結果、図1に示したように、絶縁層4の開口
6内に半田ペースト30が充填され、電極22上に半田
ペースト30が塗布された状態となる。そして、半田ペ
ースト30が塗布された電極22の箇所に、接続すべき
電子部品の端子(図示せず)を配置し、熱風を吹き付け
て半田ペースト30を加熱し、半田ペースト30に含ま
れる半田を溶融させることで電子部品の端子を電子部品
16に半田接続することができる。
【0015】このように、本実施例では、回路基板2の
表面に形成した絶縁層4が従来のメタルマスクの役割を
果たすので、基板上にメタルマスクを配置することなく
スキージングにより半田ペースト30を電極22上に塗
布することができる。その結果、メタルマスクを回路基
板2上に配置する工程が不要となるので半田ペーストの
塗布作業に要する時間を短縮できる。また、メタルマス
クを用いないので、メタルマスクを回路基板2から排除
したときメタルマスクに半田ペーストが付着し、電極2
2上に必要量の半田ペーストを塗布できないといった問
題は発生しない。そして、半田ペーストが電極22周辺
のメタルマスク下に回り込むという問題も発生しない。
さらに、電極22に塗布された半田ペースト上に電子部
品の端子を配置した際、半田ペーストは絶縁層4の開口
6内に収容されているので、横方向に半田ペーストが変
形することはなく、隣接する電極上の半田ペーストどう
しが接触する虞がない。また、同様の理由で、半田を溶
融させた段階でも、半田は開口6に収容された状態で溶
融するので、隣接する電極上の半田どうしが接続し、半
田ブリッジが形成されるといったことも起らない。ま
た、半田溶融時に、溶融した半田は開口6内に収容さ
れ、横方向に移動することがないので、電極22上の溶
融半田はすべて端子を電極22に接続するために役立
ち、端子は電極22に確実に接続される。
【0016】なお、スキージングに用いるスキージ8と
しては、絶縁層4上に半田ペースト30の掻き残しが生
じないようにするという点で合成樹脂製のものが適して
いる。上述した電子部品の端子は種々の形態のものであ
ってよく、例えば半導体パッケージの底面に、例えばマ
トリクス状に端子としてバンプが配列されている場合に
も、上述のように半田ペーストを塗布して各バンプを各
電極上に配置し、半田を加熱溶融させ、そして冷却硬化
させることで半田接続することができる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板上に
配設された電子部品接続用の電極に半田ペーストを塗布
する方法であって、前記基板の表面に、前記電極の箇所
を除き前記電極の高さ以上の厚さを有し、かつ表面が平
坦な絶縁層を一体に形成し、前記絶縁層の上に前記半田
ペーストを載置してスキージングにより前記電極上に前
記半田ペーストを塗布することを特徴とする。本発明は
また、基板上に電子部品接続用の電極が配設された回路
基板であって、前記基板の表面に、前記電極の箇所を除
いて前記電極の高さ以上の厚さを有し、かつ表面が平坦
な絶縁層が一体に形成されていることを特徴とする。し
たがって、本発明では、回路基板の表面に形成した絶縁
層が従来のメタルマスクの役割を果たすので、基板上に
メタルマスクを配置することなくスキージングにより半
田ペーストを電極上に塗布することができる。
【0018】その結果、メタルマスクを回路基板上に配
置する工程が不要となるので半田ペーストの塗布作業に
要する時間を短縮できる。また、メタルマスクを用いな
いので、メタルマスクを回路基板から排除したときメタ
ルマスクに半田ペーストが付着し、電極上に必要量の半
田ペーストを塗布できないといった問題は発生しない。
そして、半田ペーストが電極周辺のメタルマスク下に回
り込むという問題も発生しない。さらに、電極に塗布さ
れた半田ペースト上に電子部品の端子を配置した際、半
田ペーストは絶縁層の開口内に収容されているので、横
方向に半田ペーストが変形することはなく、隣接する電
極上の半田ペーストどうしが接触する虞がない。また、
同様の理由で、半田を溶融させた段階でも、半田は開口
に収容された状態で溶融するので、隣接する電極上の半
田どうしが接続し、半田ブリッジが形成されるといった
ことも起らない。また、半田溶融時に、溶融した半田は
開口内に収容され、横方向に移動することがないので、
電極上の溶融半田はすべて端子を電極に接続するために
役立ち、端子は電極に確実に接続される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半田ペースト塗布方法の一例を説明す
るための断面側面図である。
【図2】本発明による回路基板の一例を示す断面側面図
である。
【図3】電子部品が取り付けられた回路基板の一例を示
す断面側面図である。
【図4】(A)ないし(D)は、従来の半田ペースト塗
布方法を示す工程図である。
【図5】メタルマスクを排除する際に半田ペーストが開
口の箇所に付着する様子を示す説明図である。
【図6】半田ペーストのメタルマスク下への回り込みを
示す説明図である。
【符号の説明】
2……回路基板、3……基板、4……絶縁層、6……開
口、8……スキージ、12……回路基板、14……各電
極、16……電子部品、18……電子部品、20……半
田、22……電極、24……絶縁層、26……メタルマ
スク、28……開口、30……半田ペースト、32……
スキージ、34……縁部、36……回路基板。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に配設された電子部品接続用の電
    極に半田ペーストを塗布する方法であって、 前記基板の表面に、前記電極の箇所を除き前記電極の高
    さ以上の厚さを有し、かつ表面が平坦な絶縁層を一体に
    形成し、 前記絶縁層の上に前記半田ペーストを載置してスキージ
    ングにより前記電極上に前記半田ペーストを塗布する、 ことを特徴とする半田ペースト塗布方法。
  2. 【請求項2】 前記絶縁層は、約110μmないし18
    0μmの厚さで形成されていることを特徴とする請求項
    1記載の半田ペースト塗布方法。
  3. 【請求項3】 前記絶縁層は合成樹脂から成ることを特
    徴とする請求項1記載の半田ペースト塗布方法。
  4. 【請求項4】 前記スキージングは合成樹脂製のスキー
    ジを用いて行うことを特徴とする請求項1記載の半田ペ
    ースト塗布方法。
  5. 【請求項5】 前記半田ペーストは粉状の半田をペース
    ト状のフラックスに混合して形成されていることを特徴
    とする請求項1記載の半田ペースト塗布方法。
  6. 【請求項6】 基板上に電子部品接続用の電極が配設さ
    れた回路基板であって、 前記基板の表面に、前記電極の箇所を除いて前記電極の
    高さ以上の厚さを有し、かつ表面が平坦な絶縁層が一体
    に形成されている、 ことを特徴とする回路基板。
  7. 【請求項7】 前記絶縁層は、約110μmないし18
    0μmの厚さで形成されていることを特徴とする請求項
    6記載の回路基板。
  8. 【請求項8】 前記絶縁層は合成樹脂から成ることを特
    徴とする請求項6記載の回路基板。
  9. 【請求項9】 前記基板は合成樹脂またはセラミックに
    より形成されていることを特徴とする請求項6記載の回
    路基板。
  10. 【請求項10】 前記電極は、導電性材料から成る薄膜
    を前記基板の表面に被着させて形成されていることを特
    徴とする請求項6記載の回路基板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019012136A1 (fr) * 2017-07-13 2019-01-17 Safran Electronics & Defense Fixation d'un cms sur une couche isolante avec un joint de brasure dans une cavité réalisée dans une couche isolante

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019012136A1 (fr) * 2017-07-13 2019-01-17 Safran Electronics & Defense Fixation d'un cms sur une couche isolante avec un joint de brasure dans une cavité réalisée dans une couche isolante
FR3069128A1 (fr) * 2017-07-13 2019-01-18 Safran Electronics & Defense Fixation d'un cms sur une couche isolante avec un joint de brasure dans une cavite realisee dans une couche isolante
CN111034375A (zh) * 2017-07-13 2020-04-17 赛峰电子与防务公司 通过在绝缘层中形成的空腔中的焊接点将smd附接至绝缘层
CN111034375B (zh) * 2017-07-13 2020-12-01 赛峰电子与防务公司 将电子元件附接至印刷电路的方法
US10959338B2 (en) 2017-07-13 2021-03-23 Safran Electronics & Defense Attaching an SMD to an insulating layer with a solder joint in a cavity formed in an insulating layer

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