JPH11204921A - Board for electroplating process and method of dividing the same - Google Patents

Board for electroplating process and method of dividing the same

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JPH11204921A
JPH11204921A JP531298A JP531298A JPH11204921A JP H11204921 A JPH11204921 A JP H11204921A JP 531298 A JP531298 A JP 531298A JP 531298 A JP531298 A JP 531298A JP H11204921 A JPH11204921 A JP H11204921A
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JP
Japan
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circuit board
tie bar
substrate
cutter
electrolytic plating
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Application number
JP531298A
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Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Umeda
均 梅田
Hiroshi Takamichi
博 高道
Yoshikazu Nakada
好和 中田
Takeshi Kasai
毅 葛西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Original Assignee
Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Publication date
Application filed by Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc filed Critical Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable uniform plating of a metal and improve the yield by setting the distance between a plurality of circuit boards with wiring patterns and first tie bar and spacing between the circuit boards to narrow ranges cuttable by a cutter and setting the width of a second tie bar to a size cuttable by a cutter. SOLUTION: A cooling Cu plate 12c is formed together with the bottom of an approximately rectangular resin insulation board 1 through a Cu plate 12a and resin insulation board 12b. On the bottom face of the plate 12c a protective film 12d is formed to block the bottom face of the Cu plate 12c from being exposed to the plating in an electroplating process. Between circuit boards 15, approximately lattice-like tie bars 16c are made of Cu etc., and set to a thickness cuttable by a cutter 18. They are covered with protective films 17, together with lead wires 16d, wiring 4b, to constitute a board 10 for electroplating processes, including the protective films 17 etc.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電解メッキ工程用基
板及びその分割方法に関し、より詳細には、例えばBG
A(Ball Grid Array)形パッケージ等を構成する複数個
の回路基板部におけるパッドや端子に、一度にNi( ニッ
ケル)、Au(金)等の電解メッキを施す際に使用される
電解メッキ工程用基板及びその分割方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate for an electrolytic plating process and a method for dividing the same, and more particularly, to a substrate for BG, for example.
For the electrolytic plating process used when applying electrolytic plating of Ni (nickel), Au (gold), etc. at once on pads and terminals on a plurality of circuit boards constituting an A (Ball Grid Array) type package The present invention relates to a substrate and a method for dividing the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は従来のこの種電解メッキ工程用基
板を示した概略図であり、(a)は平面図、(b)は
(a)におけるA−A線拡大断面図である。絶縁基板2
1は樹脂を用いて略長方形形状に形成され、絶縁基板2
1の一主面21aの所定箇所には略円形状をした複数個
のパッド23aと、略正方形形状の電極23bとが例え
ばCu(銅)等の導電材料を用いて形成されると共に、絶
縁基板21の所定箇所には、これを貫通する態様で複数
個のスルーホール23cが形成されている。パッド23
a、電極23b、スルーホール23cには配線23dが
それぞれ接続されており、これらパッド23a、電極2
3b、スルーホール23c、配線23dを含んで配線パ
ターン23が構成されている。一方、絶縁基板21の他
主面21bの所定箇所には複数個の端子24a、24b
がCu材料等を用いて形成されている。端子24a、24
b、スルーホール23cには配線24cがそれぞれ接続
されており、これら端子24a、24b、スルーホール
23c、配線24cを含んで配線パターン24が構成さ
れている。これら配線パターン23、24と、これら配
線パターン23、24が形成された絶縁基板21の部分
とを含んで各回路基板部22が構成されている。他方、
絶縁基板面21a、21bにおける複数個の回路基板部
22の外周には、略ロの字形状をした幅d1 が約2〜3
mmのタイバー25がCu材料等を用いて形成され、この
タイバー25の角部には通電部25aが形成されてい
る。また回路基板部22間には全体が略格子形状をした
幅d2 が約1〜2mmのタイバー26がCu材料等を用い
て形成されており、これらタイバー25、26どうしは
電気的に接続されている。タイバー25、26には幅が
狭い複数個の引き出し線27の一端部が接続される一
方、引き出し線27の他端部は所定の配線23d、24
cにそれぞれ接続されており、引き出し線27の長さ
(タイバー25、26と回路基板部22との間隔)Lは
約3.5〜15mmに設定されている。タイバー25、
26、引き出し線27、配線23d、24c、パッド2
3e部分を除く電極23bの部分は、保護膜28により
それぞれ覆われている。これら回路基板部22、タイバ
ー25、26、引き出し線27、保護膜28等を含んで
電解メッキ工程用基板20が構成されている。
2. Description of the Related Art FIGS. 3A and 3B are schematic views showing a conventional substrate for such an electrolytic plating process, wherein FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is an enlarged sectional view taken along line AA in FIG. Insulating substrate 2
Reference numeral 1 denotes an insulating substrate 2 which is formed in a substantially rectangular shape using a resin.
A plurality of substantially circular pads 23a and a substantially square electrode 23b are formed at predetermined locations on one main surface 21a of the first main surface 21a using a conductive material such as Cu (copper), and an insulating substrate is formed. A plurality of through-holes 23c are formed at predetermined portions 21 so as to penetrate them. Pad 23
a, an electrode 23b, and a through hole 23c are connected to a wiring 23d, respectively.
The wiring pattern 23 includes the wiring pattern 3b, the through hole 23c, and the wiring 23d. On the other hand, a plurality of terminals 24a, 24b
Is formed using a Cu material or the like. Terminals 24a, 24
The wiring 24c is connected to each of the b and the through hole 23c, and the wiring pattern 24 is configured to include these terminals 24a and 24b, the through hole 23c, and the wiring 24c. Each circuit board part 22 is configured to include these wiring patterns 23 and 24 and the part of the insulating substrate 21 on which these wiring patterns 23 and 24 are formed. On the other hand,
Insulating substrate surface 21a, on the outer periphery of the plurality of circuit board 22 in 21b, the width d 1 in which the shape of substantially square is about 2 to 3
A tie bar 25 of mm is formed using a Cu material or the like, and a conducting portion 25a is formed at a corner of the tie bar 25. A tie bar 26 having a substantially lattice shape and a width d 2 of about 1 to 2 mm is formed using a Cu material or the like between the circuit board portions 22. The tie bars 25 and 26 are electrically connected to each other. ing. One ends of a plurality of narrow lead wires 27 are connected to the tie bars 25 and 26, while the other ends of the lead wires 27 are connected to predetermined wirings 23 d and 24.
c, and the length L of the lead wire 27 (the distance between the tie bars 25, 26 and the circuit board portion 22) L is set to about 3.5 to 15 mm. Tie bar 25,
26, lead line 27, wiring 23d, 24c, pad 2
The portion of the electrode 23b except for the portion 3e is covered with the protective film 28, respectively. The substrate 20 for the electrolytic plating process is configured to include the circuit board portion 22, the tie bars 25 and 26, the lead wire 27, the protective film 28, and the like.

【0003】上記構成の電解メッキ工程用基板20を製
造する場合、絶縁基板21の両主面21a、21bに例
えばCu箔を貼り付け、このCu箔にエッチング処理を施し
てパッド23a、電極23b、配線23d、24c、端
子24a、24b、タイバー25、26、引き出し線2
7を形成する。次に絶縁基板21の所定箇所に貫通孔部
を形成し、この貫通孔部に例えばCuペースト(共に図示
せず)を印刷・塗布してスルーホール23cを形成す
る。この後タイバー25、26、引き出し線27、配線
23d、24c、パッド23e部分を除く電極23bの
部分の各上面に保護膜28を印刷・塗布すると、電解メ
ッキ工程用基板20が製造される。
When manufacturing the substrate 20 for the electroplating process having the above-described structure, for example, a Cu foil is adhered to both main surfaces 21a and 21b of the insulating substrate 21, and the Cu foil is subjected to an etching process to form the pads 23a, the electrodes 23b, and the like. Wirings 23d, 24c, terminals 24a, 24b, tie bars 25, 26, lead wire 2
7 is formed. Next, a through-hole is formed at a predetermined position of the insulating substrate 21, and a through-hole 23c is formed by printing and applying, for example, a Cu paste (both not shown) to the through-hole. Thereafter, when the protective film 28 is printed and applied on the upper surfaces of the electrodes 23b except for the tie bars 25 and 26, the lead wires 27, the wirings 23d and 24c, and the pads 23e, the substrate 20 for the electrolytic plating process is manufactured.

【0004】次に、電解メッキ液中にNi、あるいはAu電
極(共に図示せず)と電解メッキ工程用基板20とを浸
漬し、この基板20の通電部25aに負の直流電圧を印
加する一方、前記Au電極に正の直流電圧を印加すると、
Ni、Au電極、電解メッキ液、パッド23a、23e端子
24a、24b、タイバー25、26、通電部25aの
順に電流が流れる回路が形成される。回路基板部22の
周囲には電気抵抗が比較的小さいタイバー25、26が
配設されているため、配線パターン23、24の末端部
まで電流密度が均一に維持され易く、この結果、表面が
露出しているパッド23a、23e、端子24a、24
bにNiあるいはAuが確実にメッキされる。この後カッタ
ー等を用い、切断部29において引き出し線27及び絶
縁基板21を完全に切断し、回路基板部22を個々に分
割すると、配線パターン23、24が形成され、かつパ
ッド23a、23e、端子24a、24bの表面にメッ
キ処理が施された回路基板が製造される。
Next, a Ni or Au electrode (both not shown) and the substrate 20 for electrolytic plating are immersed in an electrolytic plating solution, and a negative DC voltage is applied to a current-carrying portion 25a of the substrate 20. When a positive DC voltage is applied to the Au electrode,
A circuit is formed in which a current flows in the order of Ni, Au electrodes, electrolytic plating solution, pads 23a and 23e terminals 24a and 24b, tie bars 25 and 26, and conducting section 25a. Since the tie bars 25 and 26 having relatively small electric resistance are arranged around the circuit board portion 22, the current density is easily maintained even to the end portions of the wiring patterns 23 and 24, and as a result, the surface is exposed. Pads 23a, 23e, terminals 24a, 24
b is reliably plated with Ni or Au. Thereafter, when the lead wire 27 and the insulating substrate 21 are completely cut at the cutting portion 29 using a cutter or the like and the circuit board portion 22 is divided individually, wiring patterns 23 and 24 are formed, and pads 23a and 23e and terminals A circuit board having the surfaces of 24a and 24b plated is manufactured.

【0005】しかし、上記した構成の電解メッキ工程用
基板20においては、除去するタイバー26、引き出し
線27の形成スペース、及び切断部29の幅を確保する
ため、どうしてもタイバー25、26と回路基板部22
との間隔Lが広くなり、1枚の絶縁基板21内に配置し
得る回路基板部22の個数が少なくなる。またタイバー
26と回路基板部22との間の切断部29の数が多いの
で、コストが高く付き易いという問題があった。この問
題に対処するため、各回路基板部が近接配置させられる
と共にタイバー26が省略され、各配線及び各引き出し
線どうしがスネーク状に配線・連結された電解メッキ工
程用基板の利用が試みられている。
However, in the substrate 20 for the electroplating process having the above-described structure, the tie bars 25 and 26 and the circuit board portion are inevitably provided in order to secure the space for forming the tie bar 26 and the lead wire 27 to be removed and the width of the cut portion 29. 22
Is increased, and the number of circuit board portions 22 that can be arranged in one insulating substrate 21 is reduced. Further, since the number of cut portions 29 between the tie bar 26 and the circuit board portion 22 is large, there is a problem that the cost is easily increased. In order to cope with this problem, an attempt is made to use a substrate for an electrolytic plating process in which each circuit board portion is arranged close to each other and the tie bar 26 is omitted, and each wiring and each lead wire are wired and connected in a snake shape. I have.

【0006】図4はこの種スネーク配線が形成された従
来の電解メッキ工程用基板を概略的に示した平面図であ
り、図中31は絶縁基板を示している。絶縁基板31は
樹脂を用いて略長方形形状に形成されており、図3に示
したものと同様、絶縁基板31の一主面31aの所定箇
所には複数個のパッド(図示せず)と電極33bとがCu
材料等を用いて形成されている。電極33b、前記パッ
ドには配線33dが略L字形状にそれぞれ接続されてお
り、これら電極33b、配線33d、パッドを含んで配
線パターン33が構成されている。これら配線パターン
33と、この配線パターン33が形成された絶縁基板3
1の部分とを含んで各回路基板部32が構成されてい
る。一方図3に示したものと同様、複数個の回路基板部
32の外周には、略ロの字形状をした幅d1 が約2〜3
mmのタイバー35がCu材料等を用いて形成され、タイ
バー35と回路基板部32との間隔Lは約3.5〜15
mmに設定されており、このタイバー35の角部には通
電部35aが形成されている。また各回路基板部32ど
うしは近接配置され、タイバー35と回路基板部32の
配線33dとの間、及び各回路基板部32の所定の配線
33dどうしは、幅が狭い複数個の引き出し線37を介
して略スネーク形状に連結されている。タイバー35、
引き出し線37、配線33d、パッド(図示せず)部分
を除く電極33bの部分は、保護膜38によりそれぞれ
覆われている。これら回路基板部32、タイバー35、
引き出し線37、保護膜38等を含んで電解メッキ工程
用基板30が構成されている。
FIG. 4 is a plan view schematically showing a conventional substrate for an electrolytic plating process on which such a snake wiring is formed. In the figure, reference numeral 31 denotes an insulating substrate. The insulating substrate 31 is formed in a substantially rectangular shape using a resin, and a plurality of pads (not shown) and electrodes are provided at predetermined locations on one main surface 31a of the insulating substrate 31 as shown in FIG. 33b is Cu
It is formed using a material or the like. A wiring 33d is connected to the electrode 33b and the pad in a substantially L-shape, and a wiring pattern 33 is configured to include the electrode 33b, the wiring 33d and the pad. These wiring patterns 33 and the insulating substrate 3 on which the wiring patterns 33 are formed
Each circuit board section 32 is configured to include the first section. On the other hand similar to that shown in FIG. 3, on the outer periphery of the plurality of circuit board 32, the width d 1 in which the shape of substantially square is about 2 to 3
mm tie bar 35 is formed using a Cu material or the like, and the distance L between the tie bar 35 and the circuit board portion 32 is about 3.5 to 15
mm, and a current-carrying portion 35 a is formed at a corner of the tie bar 35. The circuit boards 32 are arranged close to each other, and between the tie bar 35 and the wiring 33d of the circuit board 32, and between the predetermined wirings 33d of the circuit board 32, a plurality of lead wires 37 having a small width are formed. It is connected in a substantially snake shape via the same. Tie bar 35,
The portion of the electrode 33b excluding the lead line 37, the wiring 33d, and the pad (not shown) is covered with a protective film 38, respectively. These circuit board part 32, tie bar 35,
The substrate 30 for the electrolytic plating step is configured to include the lead lines 37, the protective film 38, and the like.

【0007】上記構成の電解メッキ工程用基板30を製
造する場合、絶縁基板31の一主面31aにCu箔等を貼
り付け、このCu箔にエッチング処理を施して前記パッ
ド、電極33b、配線33d、タイバー35、引き出し
線37を形成する。その後タイバー35、引き出し線3
7、配線33d、パッド部分を除く電極33bの部分の
各上面に保護膜38を印刷・塗布すると、電解メッキ工
程用基板30が製造される。
When manufacturing the substrate 30 for the electroplating process having the above-described structure, a Cu foil or the like is adhered to one main surface 31a of the insulating substrate 31, and the Cu foil is subjected to an etching treatment to form the pads, the electrodes 33b, and the wirings 33d. , Tie bars 35 and lead lines 37 are formed. Then tie bar 35, lead 3
7. When the protective film 38 is printed and applied on each upper surface of the electrode 33b excluding the wiring 33d and the pad portion, the substrate 30 for the electrolytic plating process is manufactured.

【0008】次に、電解メッキ液中にNi、あるいはAu電
極(共に図示せず)と電解メッキ工程用基板30とを浸
漬し、この基板30の通電部35aに負の直流電圧を印
加する一方、前記Ni、Au電極に正の直流電圧を印加す
る。するとNi、Au電極、電解メッキ液、パッド、配線3
3d、引き出し線37、タイバー35、通電部35aの
順に電流が流れる回路が形成され、露出している前記パ
ッドの表面にメッキ処理を施し得ることとなる。この後
カッター等を用い、切断部39において引き出し線37
及び絶縁基板31を完全に切断し、回路基板部32を個
々に分割すると、配線パターン33が形成され、かつ前
記パッドの表面にNi、Auがメッキされた回路基板が製造
される。
Next, a Ni or Au electrode (both not shown) and the substrate 30 for the electrolytic plating step are immersed in an electrolytic plating solution, and a negative DC voltage is applied to the current-carrying portion 35a of the substrate 30. A positive DC voltage is applied to the Ni and Au electrodes. Then, Ni, Au electrode, electrolytic plating solution, pad, wiring 3
A circuit through which a current flows is formed in the order of 3d, the lead wire 37, the tie bar 35, and the conducting portion 35a, so that the surface of the exposed pad can be plated. Thereafter, using a cutter or the like, the lead wire 37 is cut at the cutting portion 39.
When the insulating substrate 31 is completely cut and the circuit board portion 32 is individually divided, a circuit board having a wiring pattern 33 formed thereon and a surface of the pad plated with Ni or Au is manufactured.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記した電解メッキ工
程用基板20においては、上述したようにタイバー2
5、26と回路基板部22との間隔Lがどうしても広く
なり、1枚の絶縁基板21に配置される回路基板部22
の個数が少ない。またタイバー26と回路基板部22と
の間に切断部29があるので、切断回数が多く、切断長
が長くなり、コストが高く付き易いという課題があっ
た。
In the above-mentioned substrate 20 for the electrolytic plating step, as described above, the tie bar 2 is used.
The distance L between the circuit boards 5 and 26 and the circuit board 22 is inevitably widened, and the circuit board 22 disposed on one insulating substrate 21
Is small. In addition, since the cutting portion 29 is provided between the tie bar 26 and the circuit board portion 22, there is a problem that the number of times of cutting is large, the cutting length is long, and the cost is easily increased.

【0010】また上記した電解メッキ工程用基板30に
おいては、回路基板部32間の距離が近接しているた
め、図3に示した電解メッキ工程用基板20に比べて、
1枚の絶縁基板31に配置される回路基板部32の個数
を増加させることができる。しかし、配線33d及び引
き出し線37の配線が難しく、設計上の制約が大きくな
る。また幅が狭い引き出し線37及び配線33dは電気
抵抗が比較的大きく、かつ回路基板部32の位置によ
り、直列状に連結された引き出し線37及び配線33d
のタイバー35までの長さ、すなわち電気抵抗値が大き
く異なるので、前記各パッドにおける電流密度がそれぞ
れ異なってくる。この結果、全てのパッドの表面に均一
にメッキすることが困難である。また回路基板部32を
分割する際、切断部39においてカッター等を用い、引
き出し線37及び絶縁基板31を完全に切断しており、
回路基板部32の厚さが厚い場合には切断時間が掛かり
易く、コストが高く付くという課題があった。
Further, in the above-described substrate 30 for the electroplating process, since the distance between the circuit board portions 32 is short, compared with the substrate 20 for the electroplating process shown in FIG.
The number of circuit board parts 32 arranged on one insulating board 31 can be increased. However, it is difficult to wire the wiring 33d and the lead-out line 37, and the design restrictions are increased. The lead wire 37 and the wiring 33d having a small width have relatively high electric resistance, and the lead wire 37 and the wiring 33d connected in series depending on the position of the circuit board portion 32.
Of the tie bar 35, that is, the electrical resistance value, greatly differs, so that the current densities at the respective pads differ. As a result, it is difficult to uniformly plate the surfaces of all the pads. Further, when the circuit board part 32 is divided, the lead wire 37 and the insulating substrate 31 are completely cut using a cutter or the like in the cutting part 39,
When the thickness of the circuit board part 32 is large, there is a problem that the cutting time is easily taken and the cost is high.

【0011】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、各回路基板の全てのパッドや端子等の表面にNi、Au
等の金属を均一にメッキすることができ、1枚の絶縁基
板に多くの回路基板部を配置して歩留りの向上を図り得
ると共に、切断時間を短縮することができ、この結果、
製造コストを削減することができる電解メッキ工程用基
板及びその分割方法を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it has been proposed that Ni, Au and the like be provided on the surfaces of all pads and terminals of each circuit board.
And the like can be plated uniformly, a large number of circuit boards can be arranged on one insulating substrate to improve the yield, and the cutting time can be shortened.
It is an object of the present invention to provide a substrate for an electrolytic plating process and a method for dividing the substrate, which can reduce the manufacturing cost.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段及びその効果】本発明者等
は、タイバー26及び引き出し線27(共に図3)の幅
や長さと電流密度との関係について研究を行った結果、
タイバー26の幅を細く設定した場合でも、引き出し線
27の長さLを所定長さに短く設定すると、電解メッキ
工程の際、各回路基板部22ごとの各パッド23a、2
3e(図3)に流れる電流密度を均一になし得ること、
及び図3に示した切断部29の廃止と、図4に示した配
線33どうしの連結とを応用すると、引き出し線27を
短くし得ることを知見し、本発明を完成するに至った。
The present inventors have conducted research on the relationship between the current density and the width and length of the tie bar 26 and the lead wire 27 (both shown in FIG. 3).
Even if the width of the tie bar 26 is set to be small, if the length L of the lead wire 27 is set to be short to a predetermined length, each pad 23a, 2
3e (FIG. 3) can be made uniform in current density;
Further, the inventor has found that the application of the abolition of the cutting portion 29 shown in FIG. 3 and the connection of the wirings 33 shown in FIG. 4 can shorten the lead wire 27, thereby completing the present invention.

【0013】すなわち、本発明に係る電解メッキ工程用
基板は、配線パターンが形成された複数個の回路基板部
と、前記複数個の回路基板部の外周に配設されたロの字
形状の第1のタイバーと、前記回路基板部間に配設され
た格子形状の第2のタイバーと、前記第1及び第2のタ
イバーと前記配線パターンとを接続する引き出し線とが
一体的に形成された電解メッキ工程用基板において、前
記回路基板部と前記第1のタイバーとの距離及び前記回
路基板部どうしの間隔がカッターにより切断可能な範囲
に狭く設定されると共に、前記第2のタイバーの幅がカ
ッターにより切除可能な太さに設定されていることを特
徴としている(1)。
That is, a substrate for an electrolytic plating step according to the present invention comprises a plurality of circuit board portions on which wiring patterns are formed, and a square-shaped second board disposed on the outer periphery of the plurality of circuit board portions. 1 tie bar, a grid-shaped second tie bar provided between the circuit board portions, and a lead wire connecting the first and second tie bars and the wiring pattern are integrally formed. In the substrate for the electroplating step, the distance between the circuit board portion and the first tie bar and the interval between the circuit board portions are set to be narrow to a range that can be cut by a cutter, and the width of the second tie bar is reduced. The thickness is set so that it can be cut by a cutter (1).

【0014】上記した電解メッキ工程用基板(1)によ
れば、前記回路基板部と前記第1のタイバーとの距離及
び前記回路基板部どうしの間隔がカッターにより切断可
能な範囲に狭く設定されると共に、前記第2のタイバー
の幅がカッターで切断可能な太さに設定されているの
で、前記引き出し線の長さが短くなり、前記引き出し線
及び前記第2のタイバーにおける電気抵抗を全体的に低
下させると共に、前記回路基板部間のばらつきを減少さ
せることができる。この結果電解メッキ処理を施した
際、前記各回路基板部ごとの前記各配線パターンに流れ
る電流密度が均一となり、パッド、端子等の表面にAu等
の金属を均一的にメッキ処理することができる。また前
記回路基板部どうしの間隔を狭くし得るので、1枚の前
記電解メッキ工程用基板から取れる前記回路基板部の数
を大幅に増やすことができ、また歩留りの向上を図るこ
とができる。また前記カッターを用い、前記第2のタイ
バーに当てて切断すると、一回の切断・分割作業により
前記第2のタイバーを切除すると同時に、該第2のタイ
バーを挟む2列または2個の前記回路基板部を分割する
ことができる。この結果、切断回数が減少し、コストを
削減することができる。
According to the substrate (1) for the electrolytic plating step, the distance between the circuit board portion and the first tie bar and the interval between the circuit board portions are set to be narrow to a range that can be cut by a cutter. At the same time, since the width of the second tie bar is set to a thickness that can be cut by a cutter, the length of the lead wire is shortened, and the electrical resistance of the lead wire and the second tie bar is reduced as a whole. In addition, the variation between the circuit board portions can be reduced. As a result, when the electrolytic plating process is performed, the current density flowing in each of the wiring patterns of each of the circuit board portions becomes uniform, and the surface of the pads, the terminals, and the like can be plated uniformly with a metal such as Au. . Further, since the interval between the circuit board portions can be narrowed, the number of the circuit board portions that can be obtained from one electrolytic plating process substrate can be significantly increased, and the yield can be improved. Further, when the cutter is cut by hitting the second tie bar using the cutter, the second tie bar is cut off by one cutting / dividing operation, and at the same time, two rows or two of the circuits sandwiching the second tie bar are cut. The substrate part can be divided. As a result, the number of cuts is reduced, and costs can be reduced.

【0015】また本発明に係る電解メッキ工程用基板
は、電解メッキ工程用基板(1)において、前記回路基
板部と前記第1のタイバーとの距離が0.3〜3.0m
mの範囲に設定され、前記回路基板部どうしの間隔が
0.3〜3.0mmの範囲に設定されると共に、前記第
2のタイバーの幅が0.05〜0.8mmの範囲に設定
されていることを特徴としている(2)。
Further, in the substrate for an electrolytic plating step according to the present invention, in the substrate for an electrolytic plating step (1), a distance between the circuit board portion and the first tie bar is 0.3 to 3.0 m.
m, the interval between the circuit board portions is set in a range of 0.3 to 3.0 mm, and the width of the second tie bar is set in a range of 0.05 to 0.8 mm. (2).

【0016】上記した電解メッキ工程用基板(2)によ
れば、前記回路基板部と前記第1のタイバーとの距離が
0.3〜3.0mmの範囲に設定され、前記回路基板部
どうしの間隔が0.3〜3.0mmの範囲に設定される
と共に、前記第2のタイバーの幅が0.05〜0.8m
mの範囲に設定されているので、厚さが0.3〜3.0
mmの範囲の通常のカッターを用い、前記回路基板部間
を容易に切断することができる。
According to the substrate (2) for the electrolytic plating step, the distance between the circuit board portion and the first tie bar is set in the range of 0.3 to 3.0 mm, and the distance between the circuit board portions is set to 0.3 to 3.0 mm. The interval is set in the range of 0.3 to 3.0 mm, and the width of the second tie bar is 0.05 to 0.8 m.
m, so that the thickness is 0.3 to 3.0.
The distance between the circuit board portions can be easily cut using a normal cutter in a range of mm.

【0017】また本発明に係る電解メッキ工程用基板の
分割方法は、電解メッキ工程用基板(1)または(2)
における前記第1のタイバーと前記回路基板部とをカッ
ターにより切り離す一方、前記第2のタイバー部に前記
カッターを当てることにより該第2のタイバーを全て取
り除くと共に、前記回路基板部を個々に分割可能とする
カット溝を形成しておくことを特徴としている。
Further, the method for dividing a substrate for an electrolytic plating step according to the present invention comprises the steps of:
The first tie bar and the circuit board portion are cut off by a cutter, and the second tie bar is removed by applying the cutter to the second tie bar portion, and the circuit board portion can be divided individually. It is characterized in that a cut groove is formed in advance.

【0018】上記した電解メッキ工程用基板の分割方法
によれば、前記カット溝の位置で折り曲げることによ
り、前記各回路基板部を個々に簡単に分割することがで
き、該回路基板部の厚さが厚い場合でも、切断時間が短
縮され、コストを削減することができる。また、分割使
用する直前まで前記回路基板部の多数個を一括的に取り
扱うことができる
According to the above-described method of dividing the substrate for the electrolytic plating step, each of the circuit board portions can be easily divided individually by bending at the position of the cut groove, and the thickness of the circuit board portion can be reduced. Even when the thickness is thick, the cutting time is shortened, and the cost can be reduced. Also, a large number of the circuit board portions can be handled collectively until immediately before the divided use.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電解メッキ工
程用基板及びその分割方法の実施の形態を図面に基づい
て説明する。なお、従来例と同一機能を有する構成部品
には同一の符号を付すこととする。図1は実施の形態
(1)に係る電解メッキ工程用基板を示した概略図であ
り、(a)は平面図、(b)は(a)におけるB−B線
拡大断面図である。絶縁基板11は樹脂を用いて略長方
形状に形成され、絶縁基板11下部にはCu板部12a、
樹脂製の絶縁板部12bを介して冷却用のCu板部12c
が一体的に形成されている。このCu板部12cの下面に
は保護膜12dが形成されており、電解メッキ工程の
際、この保護膜12dによりCu板部12cの下面にメッ
キされるのが阻止されるようになっている。一方、電解
メッキ工程用基板10の所定箇所には略箱形状をした複
数個のキャビティ13が形成されており、キャビティ1
3内にはICチップ(図示せず)が搭載されるようにな
っている。絶縁基板主面11aにおけるキャビティ13
の周囲には、例えば電源供給用の枠部14aがCu等の導
電性材料を用いて略ロの字形状に形成され、枠部14a
と前記ICチップとはワイヤー(図示せず)を介して接
続されるようになっている。また枠部14aの外周には
複数個の端子14bがCu材料等を用いて形成され、この
端子14bの外周には封止用ダムになると共に、スペー
サの役目も有する枠部13aが樹脂により形成されてお
り、封止剤(図示せず)を用いてキャビティ13内のI
Cチップ等を封止する際、枠部13aによりこの封止剤
の外方へのはみ出しが阻止されるようになっている。枠
部13aの外周の所定箇所には略円形状をした複数個の
パッド14cがCu材料を用いて形成されており、これら
枠部14a、端子14b、パッド14cには配線14d
の一端部がそれぞれ接続されている。これら枠部14
a、端子14b、パッド14c、配線14d等を含んで
配線パターン14が構成されている。これら配線パター
ン14と、この配線パターン14が形成された絶縁基板
11、Cu板部12b、絶縁板部12c、保護膜12dの
部分等とを含んで各回路基板部15が構成されている。
他方、絶縁基板面11aにおける複数個の回路基板部1
5の外周には、幅d3 が約2〜3mmのタイバー16a
がCu材料等を用いて略ロの字形状に形成されている。こ
のタイバー16aと回路基板部15との間隔L1 は厚さ
tのカッター18により切断可能な範囲(0.3〜3.
0mm)に狭く設定されており、このタイバー16aの
角部には通電部16bが形成されている。また回路基板
部15どうしの間隔L2 はカッター18により切断可能
な範囲(0.3〜3.0mm)に狭く設定されると共
に、回路基板部15間には全体が略格子形状をしたタイ
バー16cがCu材料等を用いて形成されている。このタ
イバー16cの幅d4 はカッター18により切除可能な
太さ(0.05〜0.8mm)に設定されており、これ
らタイバー16a、16cどうしは電気的に接続されて
いる。タイバー16a、16cには幅がd4 に設定され
た複数個の引き出し線16dの一端部が接続される一
方、引き出し線16dの他端部は各回路基板部15の所
定の配線14dにそれぞれ接続されている。タイバー1
6a、16c、引き出し線16d、配線14dは保護膜
17によりそれぞれ覆われており、これら回路基板部1
5、タイバー16a、16c、引き出し線16d、保護
膜17等を含んで電解メッキ工程用基板10が構成され
ている。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a substrate for an electroplating process according to the present invention and a method of dividing the substrate. Note that components having the same functions as those of the conventional example are denoted by the same reference numerals. FIG. 1 is a schematic view showing a substrate for an electrolytic plating step according to Embodiment (1), where (a) is a plan view and (b) is an enlarged cross-sectional view taken along line BB in (a). The insulating substrate 11 is formed in a substantially rectangular shape using a resin.
Cu plate portion 12c for cooling via resin insulating plate portion 12b
Are integrally formed. A protective film 12d is formed on the lower surface of the Cu plate portion 12c, so that the lower surface of the Cu plate portion 12c is prevented from being plated by the protective film 12d during the electrolytic plating step. On the other hand, a plurality of substantially box-shaped cavities 13 are formed at predetermined positions of the substrate 10 for the electrolytic plating process.
An IC chip (not shown) is mounted in 3. Cavity 13 in insulating substrate main surface 11a
A frame portion 14a for supplying power, for example, is formed in a substantially square shape using a conductive material such as Cu around the frame portion 14a.
And the IC chip are connected via a wire (not shown). A plurality of terminals 14b are formed on the outer periphery of the frame portion 14a using a Cu material or the like. A frame portion 13a serving as a sealing dam and serving as a spacer is formed of resin on the outer periphery of the terminal 14b. Of the cavity 13 using a sealant (not shown).
When sealing the C chip or the like, the frame 13a prevents the sealing agent from protruding outside. A plurality of substantially circular pads 14c are formed using a Cu material at predetermined positions on the outer periphery of the frame 13a, and the frame 14a, the terminals 14b, and the pads 14c are provided with wirings 14d.
Are connected to each other. These frame parts 14
a, a terminal 14b, a pad 14c, a wiring 14d, and the like, the wiring pattern 14 is configured. Each circuit board section 15 includes these wiring patterns 14, the insulating substrate 11, the Cu plate section 12b, the insulating plate section 12c, the protective film 12d, and the like on which the wiring patterns 14 are formed.
On the other hand, the plurality of circuit board portions 1 on the insulating board surface 11a
The outer circumference of the 5, tie bars 16a of about 2~3mm width d 3
Are formed in a substantially square shape using a Cu material or the like. The tie bar 16a and spacing L 1 is cleavable by a cutter 18 with a thickness t ranging between the circuit board unit 15 (0.3-3.
0 mm), and a current-carrying portion 16b is formed at a corner of the tie bar 16a. Tie bar 16c also distance L 2 of and how the circuit board 15 while being narrowly set cleavable range (0.3 to 3.0 mm) by a cutter 18, which overall between the circuit board unit 15 has a substantially grid shape Is formed using a Cu material or the like. The tie bar 16c width d 4 of the is set to resectable thickness (0.05~0.8mm) by a cutter 18, these tie bars 16a, and what 16c are electrically connected. Tie bar 16a, while the width of the 16c one end portion of the plurality of lead lines 16d set in the d 4 is connected, the other end of the lead wire 16d is connected to a predetermined wiring 14d of the circuit board portion 15 Have been. Tie bar 1
6a, 16c, the lead line 16d, and the wiring 14d are covered with the protective film 17, respectively.
The substrate 10 for the electroplating process is configured to include the tie bars 16a, 16c, the lead lines 16d, the protective film 17, and the like.

【0020】上記構成の電解メッキ工程用基板10を製
造する場合、絶縁基板11の一主面11aにCu板等を貼
り付け、このCu板にエッチング処理を施して配線パター
ン14、タイバー16a、16c、引き出し線16dを
形成する。次に配線14d、タイバー16a、16c、
引き出し線16d、配線14dの各上面に樹脂を印刷・
塗布して保護膜17を形成した後、さらに端子14bの
外周に樹脂を印刷・塗布して枠部13aを形成すると、
電解メッキ工程用基板10が製造される。
When manufacturing the substrate 10 for the electroplating process having the above configuration, a Cu plate or the like is attached to one main surface 11a of the insulating substrate 11, and the Cu plate is subjected to an etching process to form the wiring pattern 14, the tie bars 16a and 16c. , A lead line 16d is formed. Next, wiring 14d, tie bars 16a, 16c,
Resin is printed on each upper surface of the lead 16d and the wiring 14d.
After forming the protective film 17 by applying, a resin is further printed and applied on the outer periphery of the terminal 14b to form the frame portion 13a.
The substrate 10 for the electrolytic plating process is manufactured.

【0021】次に、電解メッキ液中にNi、あるいはAu電
極(共に図示せず)と電解メッキ工程用基板10とを浸
漬し、この基板10の通電部16bに負の直流電圧を印
加する一方、前記Ni、Au電極に正の直流電圧を印加す
る。するとNi、Au電極、電解メッキ液、配線パターン1
4、引き出し線16d、タイバー16a、16c、通電
部16bの順に電流が流れる回路が形成され、配線パタ
ーン14において露出している枠部14a、端子14
b、パッド14cの表面にNi、あるいはAuがメッキされ
る。この後、断面形状がV字形形状(刃角α)で厚さが
t(L1 ≧L2 ≧t≧d4 )のカッター18を用い、切
断部18aにおいて引き出し線16d、絶縁基板11、
Cu板部12a、絶縁板部12b、Cu板部12c、保護膜
12dを完全に切り離す。またタイバー16cにカッタ
ー18を当て、タイバー16cを全て取り除くと共に、
絶縁基板11、Cu板部12a、絶縁板部12b等に所定
深さのカット溝19を形成し、カット溝19の箇所で折
り曲げると回路基板部15が個々に分割される。すると
配線パターン14が形成され、かつ枠部14a、端子1
4b、パッド14cの表面にAuメッキ処理が施された回
路基板が製造される。
Next, a Ni or Au electrode (both not shown) and the substrate 10 for the electrolytic plating step are immersed in the electrolytic plating solution, and a negative DC voltage is applied to the current-carrying portion 16b of the substrate 10. A positive DC voltage is applied to the Ni and Au electrodes. Then, Ni, Au electrode, electrolytic plating solution, wiring pattern 1
4. A circuit through which a current flows is formed in the order of the lead wire 16d, the tie bars 16a and 16c, and the conducting portion 16b, and the frame portion 14a exposed in the wiring pattern 14, the terminal 14
b, Ni or Au is plated on the surface of the pad 14c. Thereafter, a cutter 18 having a V-shaped cross section (a blade angle α) and a thickness t (L 1 ≧ L 2 ≧ t ≧ d 4 ) is used.
The Cu plate portion 12a, the insulating plate portion 12b, the Cu plate portion 12c, and the protective film 12d are completely separated. In addition, the cutter 18 is applied to the tie bar 16c to remove all the tie bars 16c.
When a cut groove 19 having a predetermined depth is formed in the insulating substrate 11, the Cu plate portion 12a, the insulating plate portion 12b, and the like, and then bent at the cut groove 19, the circuit board portion 15 is individually divided. Then, the wiring pattern 14 is formed, and the frame portion 14a and the terminal 1 are formed.
4b, a circuit board having the surfaces of the pads 14c plated with Au is manufactured.

【0022】上記説明から明らかなように、実施の形態
(1)に係る電解メッキ工程用基板10では、回路基板
部15と第1のタイバー16aとの距離L1 及び回路基
板部15どうしの間隔L2 がカッター18により切断可
能な範囲に狭く設定されると共に、第2のタイバー16
cの幅d4 がカッター18で切断可能な太さに設定され
ているので、引き出し線16dの長さが短くなってお
り、第2のタイバー16c及び引き出し線16dにおけ
る電気抵抗を全体的に低下させると共に、回路基板部1
5間のばらつきを減少させることができる。この結果電
解メッキ処理を施した際、各回路基板部15ごとの各配
線パターン14に流れる電流密度が均一となり、配線パ
ターン14に露出・形成されたパッド14c、端子14
b、枠部14aの表面にAu等の金属を均一にメッキする
ことができる。また回路基板部15どうしの間隔L2
狭くし得るので、図3に示した1枚の絶縁基板21から
取れる回路基板部15の数を大幅に増やすことができ、
また歩留りの向上を図ることができる。またカッター1
8を用い、第2のタイバー16cに当てて切断すると、
一回の切断・分割作業により第2のタイバー16cを切
除すると同時に、第2のタイバー16cを挟む2列また
は2個の回路基板部15を分割することができる。この
結果、切断回数が減少し、コストを削減することができ
る。また、回路基板部15と第1のタイバー16aとの
距離L1 が0.3〜3.0mmの範囲に設定され、回路
基板部15どうしの間隔L2 が0.3〜3.0mmの範
囲に設定されると共に、第2のタイバー16cの幅d4
が0.05〜0.8mmの範囲に設定されているので、
厚さtが0.3〜3.0mmの範囲の通常のカッター1
8を用い、回路基板部15間を容易に切断することがで
きる。
As is clear from the above description, in the substrate 10 for the electrolytic plating step according to the embodiment (1), the distance L 1 between the circuit board portion 15 and the first tie bar 16a and the distance between the circuit board portions 15 are set. L 2 is set to a narrow range that can be cut by the cutter 18 and the second tie bar 16
Since the width d 4 of c is set to be able to cut the thickness of a cutter 18, and the shorter length of the lead wire 16d, generally lower the electrical resistance of the second tie bars 16c and the lead wire 16d And the circuit board 1
5 can be reduced. As a result, when the electrolytic plating process is performed, the current density flowing through each wiring pattern 14 of each circuit board portion 15 becomes uniform, and the pads 14 c and the terminals 14 exposed and formed on the wiring pattern 14 are formed.
b. A metal such as Au can be uniformly plated on the surface of the frame portion 14a. Since may reduce the distance L 2 of and how the circuit board unit 15, can significantly increase the number of circuit board 15 can take from one of the insulating substrate 21 shown in FIG. 3,
Also, the yield can be improved. Also cutter 1
8 and cut against the second tie bar 16c,
The second tie bar 16c can be cut off by one cutting / dividing operation, and at the same time, two rows or two circuit board portions 15 sandwiching the second tie bar 16c can be divided. As a result, the number of cuts is reduced, and costs can be reduced. Moreover, the range distance L 1 between the circuit board portion 15 and the first tie bar 16a is set in a range of 0.3 to 3.0 mm, distance L 2 of and how the circuit board portion 15 is 0.3 to 3.0 mm And the width d 4 of the second tie bar 16c
Is set in the range of 0.05 to 0.8 mm,
Normal cutter 1 having a thickness t in the range of 0.3 to 3.0 mm
By using 8, it is possible to easily cut between the circuit board portions 15.

【0023】また、実施の形態(1)に係る電解メッキ
工程用基板の分割方法では、カット溝19の位置で折り
曲げることにより、各回路基板部15を個々に簡単に分
割することができ、回路基板部15の厚さが厚い場合で
も、切断時間が短縮され、コストを削減することができ
る。
Further, in the method of dividing the substrate for the electrolytic plating step according to the embodiment (1), each of the circuit board portions 15 can be easily divided individually by bending at the position of the cut groove 19. Even when the thickness of the substrate unit 15 is large, the cutting time is shortened, and the cost can be reduced.

【0024】なお、図1に示した実施の形態(1)に係
る基板の分割方法では、カッターとして刃先断面形状が
V字形状のカッター18を用いた場合について説明した
が、別の実施の形態(2)に係る分割方法では、刃先断
面形状が略U字形状のカッター41(図2(a))を用
いてもよい。またさらに別の実施の形態(3)に係る分
割方法では、刃先断面形状が略コの字形状のカッター4
2を用いてもよい。
In the method of dividing a substrate according to the embodiment (1) shown in FIG. 1, a case where a cutter 18 having a V-shaped cutting edge is used as a cutter has been described. In the dividing method according to (2), a cutter 41 (FIG. 2A) having a substantially U-shaped cross section may be used. In the dividing method according to still another embodiment (3), the cutter 4 having a substantially U-shaped cross section of the cutting edge is provided.
2 may be used.

【0025】また、図1に示した実施の形態(1)に係
る電解メッキ工程用基板10では、配線パターン14が
絶縁基板11の一主面11aに形成されると共に、絶縁
基板11の下部にCu板部12a、絶縁板部12bを介し
てCu板部12cが一体的に形成されている場合について
説明したが、図3に示したものと略同様、配線パターン
が絶縁基板の両主面に形成されると共に、この絶縁基板
の下部に複数層の絶縁板部、Cu板部が積層されているも
のであってもよい。またCu板部12a、12cに代えて
他の導電性材料を用いたものであっても差し支えない。
Further, in the substrate 10 for the electrolytic plating step according to the embodiment (1) shown in FIG. 1, the wiring pattern 14 is formed on one main surface 11a of the insulating substrate 11, and the wiring pattern 14 is formed under the insulating substrate 11. Although the case where the Cu plate portion 12c is integrally formed via the Cu plate portion 12a and the insulating plate portion 12b has been described, the wiring pattern is formed on both main surfaces of the insulating substrate in substantially the same manner as that shown in FIG. In addition, a plurality of layers of an insulating plate portion and a Cu plate portion may be laminated below the insulating substrate. Further, another conductive material may be used instead of the Cu plate portions 12a and 12c.

【0026】また、図1に示した実施の形態(1)に係
る電解メッキ工程用基板10では、キャビティ13a、
枠部13a、14aが形成されている場合について説明
したが、これらが形成されていない形態のものにも本発
明は適用可能である。
Further, in the substrate 10 for the electrolytic plating step according to the embodiment (1) shown in FIG.
Although the case where the frame portions 13a and 14a are formed has been described, the present invention is also applicable to a case where these are not formed.

【0027】また、図1に示した実施の形態(1)に係
る電解メッキ工程用基板10では、電源供給用の枠部1
4aが1個形成されている場合について説明したが、枠
部14aの内側に、略ロの字形状をしたアース接続用の
枠部が形成されているものにも本発明は適用可能であ
る。
In the substrate 10 for the electrolytic plating step according to the embodiment (1) shown in FIG.
Although the case in which one 4a is formed has been described, the present invention is also applicable to a case in which a substantially square-shaped ground connection frame portion is formed inside the frame portion 14a.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る電解メッキ工程用基板の実施の形
態(1)を示した概略図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)におけるB−B線拡大断面図である。
FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment (1) of a substrate for an electrolytic plating step according to the present invention, wherein (a) is a plan view,
(B) is an enlarged sectional view along line BB in (a).

【図2】実施の形態(2)、(3)に係る電解メッキ工
程用基板の分割方法に用いるカッターを概略的に示した
側面図であり、(a)は刃先断面形状がU字形状の場
合、(b)は刃先断面形状がコの字形状の場合を示して
いる。
FIG. 2 is a side view schematically showing a cutter used in a method of dividing a substrate for an electrolytic plating step according to embodiments (2) and (3), where (a) shows a U-shaped blade edge cross-sectional shape. In this case, (b) shows a case where the cutting edge has a U-shape.

【図3】従来の電解メッキ工程用基板を示した概略図で
あり、(a)は平面図、(b)は(a)におけるB−B
線拡大断面図である。
FIGS. 3A and 3B are schematic views showing a conventional substrate for an electrolytic plating process, wherein FIG. 3A is a plan view and FIG.
It is a line expanded sectional view.

【図4】スネーク配線が形成された従来の電解メッキ工
程用基板を概略的に示した平面図である。
FIG. 4 is a plan view schematically showing a conventional substrate for an electrolytic plating process on which snake wiring is formed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 電解メッキ工程用基板 14 配線パターン 15 回路基板部 16a 第1のタイバー 16c 第2のタイバー 16d 引き出し線 18 カッター DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate for electrolytic plating process 14 Wiring pattern 15 Circuit board part 16a 1st tie bar 16c 2nd tie bar 16d Leader 18 Cutter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 葛西 毅 山口県美祢市大嶺町東分字岩倉2701番1株 式会社住友金属エレクトロデバイス内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Takeshi Kasai 2701-1, Iwakura, Higashi-ku, Omine-cho, Mine-shi, Yamaguchi Pref.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 配線パターンが形成された複数個の回路
基板部と、前記複数個の回路基板部の外周に配設された
ロの字形状の第1のタイバーと、前記回路基板部間に配
設された格子形状の第2のタイバーと、前記第1及び第
2のタイバーと前記配線パターンとを接続する引き出し
線とが一体的に形成された電解メッキ工程用基板におい
て、前記回路基板部と前記第1のタイバーとの距離及び
前記回路基板部どうしの間隔がカッターにより切断可能
な範囲に狭く設定されると共に、前記第2のタイバーの
幅がカッターにより切除可能な太さに設定されているこ
とを特徴とする電解メッキ工程用基板。
1. A plurality of circuit board portions on which a wiring pattern is formed, a first rectangular tie bar disposed on the outer periphery of the plurality of circuit board portions, and between the circuit board portions. In a substrate for an electrolytic plating process, wherein a second lattice-shaped second tie bar and a lead line connecting the first and second tie bars to the wiring pattern are integrally formed, the circuit board portion The distance between the second tie bar and the first tie bar and the interval between the circuit board portions are set to be narrow to a range that can be cut by a cutter, and the width of the second tie bar is set to a thickness that can be cut by the cutter. A substrate for an electrolytic plating process.
【請求項2】 前記回路基板部と前記第1のタイバーと
の距離が0.3〜3.0mmの範囲に設定され、前記回
路基板部どうしの間隔が0.3〜3.0mmの範囲に設
定されると共に、前記第2のタイバーの幅が0.05〜
0.8mmの範囲に設定されていることを特徴とする請
求項1記載の電解メッキ工程用基板。
2. A distance between the circuit board portion and the first tie bar is set in a range of 0.3 to 3.0 mm, and an interval between the circuit board portions is set in a range of 0.3 to 3.0 mm. And the width of the second tie bar is 0.05 to
2. The substrate for an electrolytic plating process according to claim 1, wherein the substrate is set to a range of 0.8 mm.
【請求項3】 請求項1または請求項2記載の電解メッ
キ工程用基板における前記第1のタイバーと前記回路基
板部とをカッターにより切り離す一方、前記第2のタイ
バー部に前記カッターを当てることにより該第2のタイ
バーを全て取り除くと共に、前記回路基板部を個々に分
割可能とするカット溝を形成しておくことを特徴とする
電解メッキ工程用基板の分割方法。
3. The method according to claim 1, wherein the first tie bar and the circuit board portion are separated from each other by a cutter while the cutter is applied to the second tie bar portion. A method of dividing a substrate for an electrolytic plating step, wherein all of the second tie bars are removed, and a cut groove is formed so as to divide the circuit board portion individually.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127197A (en) * 1999-10-28 2001-05-11 Texas Instr Japan Ltd Semiconductor package insulating film and method of manufacturing semiconductor package provided with the same
CN100424844C (en) * 2002-02-08 2008-10-08 三星电机株式会社 Design method for plating of printed circuit board strip and manufacturing method of semiconductor chip package using the same

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