JPH11204702A - 高熱伝導性放熱基板及びその製造方法 - Google Patents
高熱伝導性放熱基板及びその製造方法Info
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- JPH11204702A JPH11204702A JP292698A JP292698A JPH11204702A JP H11204702 A JPH11204702 A JP H11204702A JP 292698 A JP292698 A JP 292698A JP 292698 A JP292698 A JP 292698A JP H11204702 A JPH11204702 A JP H11204702A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属基板に搭載する部品が充分密着するため
の平担性と，搭載する部品の基板における所望の位置を
容易に且つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた少
なくとも１本の溝を有する高熱伝導性放熱基板とその製
造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体パッケージの金属基板において，
高熱伝導性放熱基板１に搭載する部品が充分密着するた
めの平担性と，搭載する部品の基板における所望の位置
を容易に且つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた
少なくとも１本の溝３を有する。この高熱伝導性放熱基
板１は，Ｃｕと残部をＭｏからなり，Ｃｕ粉末とＭｏ粉
末を充分混合，焼結，圧延加工により作られ，Ｃｕが３
７．７〜９７質量％で，熱膨張係数が９〜１７×１０-6
／Ｋ，熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上有し，前記溝３
加工以外に外周プレス加工を同時に施してある。この高
熱伝導性放熱基板１において，前記溝３は，Ｖ形状断面
を備えていることが好ましい。
の平担性と，搭載する部品の基板における所望の位置を
容易に且つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた少
なくとも１本の溝を有する高熱伝導性放熱基板とその製
造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体パッケージの金属基板において，
高熱伝導性放熱基板１に搭載する部品が充分密着するた
めの平担性と，搭載する部品の基板における所望の位置
を容易に且つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた
少なくとも１本の溝３を有する。この高熱伝導性放熱基
板１は，Ｃｕと残部をＭｏからなり，Ｃｕ粉末とＭｏ粉
末を充分混合，焼結，圧延加工により作られ，Ｃｕが３
７．７〜９７質量％で，熱膨張係数が９〜１７×１０-6
／Ｋ，熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上有し，前記溝３
加工以外に外周プレス加工を同時に施してある。この高
熱伝導性放熱基板１において，前記溝３は，Ｖ形状断面
を備えていることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体パッケージ
に用いられる放熱基板とその製造方法に関し，詳しく
は，金属基板からなり，高熱伝導性を備えた放熱基板と
その製造方法に関する。
に用いられる放熱基板とその製造方法に関し，詳しく
は，金属基板からなり，高熱伝導性を備えた放熱基板と
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体分野において，ＩＣチップの高性
能化，高密度化，高速化が進んでおり，エレクトロニク
スへの応用技術の進歩はめざましい。半導体素子は，家
電製品やパーソナルユースヘ拡大すると共にマルチメデ
ィアへの展開が進み，２１世紀には花盛りになると予想
される。
能化，高密度化，高速化が進んでおり，エレクトロニク
スへの応用技術の進歩はめざましい。半導体素子は，家
電製品やパーソナルユースヘ拡大すると共にマルチメデ
ィアへの展開が進み，２１世紀には花盛りになると予想
される。
【０００３】半導体素子の基板材料としては，ＣｕやＣ
ｕ系複合材等が多く用いられている。しかしながら，Ｃ
ｕを用いた場合，素子あるいはその周辺材料との熱膨張
率の差が大きいため，基板あるいは素子そのものの亀裂
や破壊の原因となる。
ｕ系複合材等が多く用いられている。しかしながら，Ｃ
ｕを用いた場合，素子あるいはその周辺材料との熱膨張
率の差が大きいため，基板あるいは素子そのものの亀裂
や破壊の原因となる。
【０００４】一方，Ｃｕ−Ｗ系は難加工材であり，比重
も大きく，軽量化という観点で見劣りする。しかし，Ｃ
ｕ−Ｍｏ系の一つのＣｕ−Ｍｏ−Ｃｕの順で積層した三
層積層型複合材料（以下，ＣＭＣと呼ぶ）の場合，表層
がＣｕから成っているため初期の熱逃げや横への熱放散
性は優れている。
も大きく，軽量化という観点で見劣りする。しかし，Ｃ
ｕ−Ｍｏ系の一つのＣｕ−Ｍｏ−Ｃｕの順で積層した三
層積層型複合材料（以下，ＣＭＣと呼ぶ）の場合，表層
がＣｕから成っているため初期の熱逃げや横への熱放散
性は優れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし，ＣＭＣは，表
層のＣｕを削ったり，絞ったり等すると部分的に組織が
不均一となるため，熱膨張率や熱伝導率などの熱的特性
をはじめ機械的特性も部分的に異なってくる。また，全
体的な反りも発生し易くなる。
層のＣｕを削ったり，絞ったり等すると部分的に組織が
不均一となるため，熱膨張率や熱伝導率などの熱的特性
をはじめ機械的特性も部分的に異なってくる。また，全
体的な反りも発生し易くなる。
【０００６】また，粉末を混合，焼結そして圧延加工に
より作られるＣｕ−Ｍｏ複合材料（以下，ＲＣＭと呼
ぶ）では，焼結助剤等の添加の力を借りずに高熱伝導性
を有することが，発明者の一部によりすでに開発されて
いる。このＲＣＭでは，凹凸等複雑形状にしても部位に
よる特性は変わらず，用途に応じて特に熱的特性等フレ
キシブルに変えることができる。そのため基板や素子の
破壊要素は少ない。
より作られるＣｕ−Ｍｏ複合材料（以下，ＲＣＭと呼
ぶ）では，焼結助剤等の添加の力を借りずに高熱伝導性
を有することが，発明者の一部によりすでに開発されて
いる。このＲＣＭでは，凹凸等複雑形状にしても部位に
よる特性は変わらず，用途に応じて特に熱的特性等フレ
キシブルに変えることができる。そのため基板や素子の
破壊要素は少ない。
【０００７】一方，基板に半導体素子を搭載しロー材等
で接合する際，半導体素子の位置がずれたり，余分なロ
ー材が流れ出す場合がある。例えば，素子の位置決めを
基板の先端を固定しＸＹを制御しながら行う揚合，基板
の寸法精度やバリ等の影響により所定の場所に設置てき
ない場合がある。
で接合する際，半導体素子の位置がずれたり，余分なロ
ー材が流れ出す場合がある。例えば，素子の位置決めを
基板の先端を固定しＸＹを制御しながら行う揚合，基板
の寸法精度やバリ等の影響により所定の場所に設置てき
ない場合がある。
【０００８】特に，３５μｍ位の位置ずれも素子のサイ
ズ，例えば，５×５ｍｍの素子を±１０μｍ精度で出し
たい場合，２０〜３０μｍのはみ出した余分なローは時
とし致命傷になりかねない。
ズ，例えば，５×５ｍｍの素子を±１０μｍ精度で出し
たい場合，２０〜３０μｍのはみ出した余分なローは時
とし致命傷になりかねない。
【０００９】そこで，本発明の一技術的課題は，金属基
板に搭載する部品が充分密着するための平担性と，搭載
する部品の基板における所望の位置を容易に且つ正確に
確認できるための役割を兼ね備えた少なくとも１本の溝
を有する高熱伝導性放熱基板を提供することにある。
板に搭載する部品が充分密着するための平担性と，搭載
する部品の基板における所望の位置を容易に且つ正確に
確認できるための役割を兼ね備えた少なくとも１本の溝
を有する高熱伝導性放熱基板を提供することにある。
【００１０】また，本発明の他の技術的課題は，前記利
点を備えた高熱伝導性放熱基板の製造方法を提供するこ
とにある。
点を備えた高熱伝導性放熱基板の製造方法を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，半導体
パッケージの金属基板において，前記金属基板に搭載す
る部品が充分密着するための平担性と，搭載する部品の
基板における所望の位置を容易に且つ正確に確認できる
ための役割を兼ね備えた少なくとも１本の溝を有するこ
とを特徴とする高熱伝導性放熱基板が得られる。
パッケージの金属基板において，前記金属基板に搭載す
る部品が充分密着するための平担性と，搭載する部品の
基板における所望の位置を容易に且つ正確に確認できる
ための役割を兼ね備えた少なくとも１本の溝を有するこ
とを特徴とする高熱伝導性放熱基板が得られる。
【００１２】また，本発明によれば，前記高熱伝導性放
熱基板において，前記金属基板がＣｕと残部をＭｏから
なり，Ｃｕ粉末とＭｏ粉末を充分混合，焼結，圧延加工
により作られ，Ｃｕが３７．７〜９７質量％で，熱膨張
係数が９〜１７×１０-6／Ｋ，熱伝導率が２００Ｗ／ｍ
・Ｋ以上有し，前記溝加工以外に外周プレス加工を同時
に施してあることを特徴とする高熱伝導性放熱基板が得
られる。
熱基板において，前記金属基板がＣｕと残部をＭｏから
なり，Ｃｕ粉末とＭｏ粉末を充分混合，焼結，圧延加工
により作られ，Ｃｕが３７．７〜９７質量％で，熱膨張
係数が９〜１７×１０-6／Ｋ，熱伝導率が２００Ｗ／ｍ
・Ｋ以上有し，前記溝加工以外に外周プレス加工を同時
に施してあることを特徴とする高熱伝導性放熱基板が得
られる。
【００１３】また，本発明によれば，前記いずれかの高
熱伝導性放熱基板において，前記溝は，Ｖ形状断面を備
えていることを特徴とする高熱伝導性放熱基板が得られ
る。
熱伝導性放熱基板において，前記溝は，Ｖ形状断面を備
えていることを特徴とする高熱伝導性放熱基板が得られ
る。
【００１４】また，本発明によれば，前記高熱伝導性放
熱基板において，前記金属基板のＶ形状の溝の角度が４
５〜９０゜で，かつ幅が最大で０．２ｍｍあるいは深さ
が基板の厚みの１０％以下であることを特徴とする高熱
伝導性放熱基板が得られる。
熱基板において，前記金属基板のＶ形状の溝の角度が４
５〜９０゜で，かつ幅が最大で０．２ｍｍあるいは深さ
が基板の厚みの１０％以下であることを特徴とする高熱
伝導性放熱基板が得られる。
【００１５】また，本発明によれば，前記いずれかの高
熱伝導性放熱基板において，前記溝は，断面半円形また
は台形の形状を備えていることを特徴とする高熱伝導性
放熱基板が得られる。
熱伝導性放熱基板において，前記溝は，断面半円形また
は台形の形状を備えていることを特徴とする高熱伝導性
放熱基板が得られる。
【００１６】さらに，本発明によれば，前記高熱伝導性
放熱基板を製造する方法であって，前記金属基板のＶ形
状の溝の角度が４５〜９０゜で，かつ幅が最大で０．２
ｍｍあるいは深さが基板の厚みの１０％以下に形成する
ことを特徴とする高熱伝導性放熱基板の製造方法が得ら
れる。
放熱基板を製造する方法であって，前記金属基板のＶ形
状の溝の角度が４５〜９０゜で，かつ幅が最大で０．２
ｍｍあるいは深さが基板の厚みの１０％以下に形成する
ことを特徴とする高熱伝導性放熱基板の製造方法が得ら
れる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１８】図１は本発明の一実施の形態による高熱伝
導性放熱基板を示す断面図である。図１に示すように，
高熱伝導性放熱基板１は，Ｃｕ−Ｍｏの焼結・圧延材か
らなる基材２に搭載する部品の基板における所望の位置
を容易に且つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた
断面Ｖ形状の溝（以下，Ｖ溝と呼ぶ）３を有する。
導性放熱基板を示す断面図である。図１に示すように，
高熱伝導性放熱基板１は，Ｃｕ−Ｍｏの焼結・圧延材か
らなる基材２に搭載する部品の基板における所望の位置
を容易に且つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた
断面Ｖ形状の溝（以下，Ｖ溝と呼ぶ）３を有する。
【００１９】高熱伝導性放熱基板１の基材２は，ＴＴ−
ＲＣＭ（登録商標，以下，ＲＣＭと呼ぶ）からなる。こ
のＲＣＭは，Ｃｕ粉末およびＭｏ粉末を充分に均一混合
したものを成形，焼結，圧延加工を施し，均一性が良く
十分緻密化したものである。従つて，組成比を制御する
ことにより，熱伝導率，熱膨張率あるいは電気伝導率を
容易に制御できることが特長として挙げられる。
ＲＣＭ（登録商標，以下，ＲＣＭと呼ぶ）からなる。こ
のＲＣＭは，Ｃｕ粉末およびＭｏ粉末を充分に均一混合
したものを成形，焼結，圧延加工を施し，均一性が良く
十分緻密化したものである。従つて，組成比を制御する
ことにより，熱伝導率，熱膨張率あるいは電気伝導率を
容易に制御できることが特長として挙げられる。
【００２０】基材２を構成するＣｕとＭｏの組成として
は，Ｃｕが質量比で，３７．７％の時，得られた高熱伝
導性複合基板の熱伝導率２００ｗ／ｍ・Ｋ，熱膨張係数
で９×１０-6／Ｋとなる。一方，Ｃｕが質量比で，９７
％で熱膨張係数で，１７×１０-6／Ｋ（純度１００％の
Ｃｕの熱膨張係数を１７．３×１０-6／Ｋとした場合）
を示す。
は，Ｃｕが質量比で，３７．７％の時，得られた高熱伝
導性複合基板の熱伝導率２００ｗ／ｍ・Ｋ，熱膨張係数
で９×１０-6／Ｋとなる。一方，Ｃｕが質量比で，９７
％で熱膨張係数で，１７×１０-6／Ｋ（純度１００％の
Ｃｕの熱膨張係数を１７．３×１０-6／Ｋとした場合）
を示す。
【００２１】ここで，半導体パッケージに組み込まれる
放熱基板は，熱伝導率が大きい方が好ましく，最近の小
型化，高密度化の流れの中で，従来言われて来た空冷効
果の得られるとされる１４０〜１５０Ｗ／ｍ・Ｋでは，
所望の設定条件は，充足されず，少なくとも，２００Ｗ
／ｍ・Ｋ以上を有することが大切である。
放熱基板は，熱伝導率が大きい方が好ましく，最近の小
型化，高密度化の流れの中で，従来言われて来た空冷効
果の得られるとされる１４０〜１５０Ｗ／ｍ・Ｋでは，
所望の設定条件は，充足されず，少なくとも，２００Ｗ
／ｍ・Ｋ以上を有することが大切である。
【００２２】一方，銅そのものでは，前述したように，
少なくともセラミック壁（ウォール）等との接合，即
ち，セラミックを構成材料に有するパッケージでは，反
り剥離等パッケージのトラブルが避けられず好ましく無
いことが多い。
少なくともセラミック壁（ウォール）等との接合，即
ち，セラミックを構成材料に有するパッケージでは，反
り剥離等パッケージのトラブルが避けられず好ましく無
いことが多い。
【００２３】従って，最大でも５０ｍｍ×５０ｍｍ×Ｔ
（板厚）以下の小型のパッケージに用いられる放熱基板
では，搭載する部品の位置決めは，プロセスコスト及び
素子性能を有効に発揮するための搭載精度を確保するの
に実用上極めて重要である。
（板厚）以下の小型のパッケージに用いられる放熱基板
では，搭載する部品の位置決めは，プロセスコスト及び
素子性能を有効に発揮するための搭載精度を確保するの
に実用上極めて重要である。
【００２４】また，本発明の実施の形態において基材２
として用いられるＲＣＭは，全体に均一な組織をしてお
り，例えば，溝加工等，片面が一部加工されても，前述
したＣＭＣのように部分的な特性は変わることがないた
め，特に熱特性のバランスが崩れることはなく，反りな
どの変形は起こらない。機械的強度も削られたり，絞っ
たり等した部分についての応力集中をのみ考慮すれば概
ね充分である。
として用いられるＲＣＭは，全体に均一な組織をしてお
り，例えば，溝加工等，片面が一部加工されても，前述
したＣＭＣのように部分的な特性は変わることがないた
め，特に熱特性のバランスが崩れることはなく，反りな
どの変形は起こらない。機械的強度も削られたり，絞っ
たり等した部分についての応力集中をのみ考慮すれば概
ね充分である。
【００２５】この特長を生かし，本発明の実施の形態に
おいては，基材２の片面（素子搭載側）に，素子の位置
決め用にＶ溝３を形成する加工を行なうことによって，
これをセンサー等で感知し素子を正確に所定の位置に設
置することができる。
おいては，基材２の片面（素子搭載側）に，素子の位置
決め用にＶ溝３を形成する加工を行なうことによって，
これをセンサー等で感知し素子を正確に所定の位置に設
置することができる。
【００２６】また，このＶ溝３は素子と基板１とをロー
付けで接合する際に，余分なロー材を溜める役割も果た
し，隣接する素子等にその位置精度および基板１からの
「浮き」等悪影響を及ぼさなくする効果もある。
付けで接合する際に，余分なロー材を溜める役割も果た
し，隣接する素子等にその位置精度および基板１からの
「浮き」等悪影響を及ぼさなくする効果もある。
【００２７】本発明の実施の形態においては，Ｖ溝３の
形状については，溝角度αを４５〜９０゜で，かつＶ上
部の幅Ｗ１を最大で０．２ｍｍあるいは深さＤ１を基板
１の厚みの１０％以下とした。また，プレスにより加工
することにより素子の位置決めの精度を良くし，余分な
ロー材が溜められるＶ溝３付き基板１である。ここで，
溝角度αが４５゜未満あるいは９０゜より大きい場合，
基板に亀裂やクラックが入り易く，いわゆる基板１の破
損等を招き易い。また，溝角度αが小さくなるほど金型
の摩耗が激しくなり経済的にも良くない。
形状については，溝角度αを４５〜９０゜で，かつＶ上
部の幅Ｗ１を最大で０．２ｍｍあるいは深さＤ１を基板
１の厚みの１０％以下とした。また，プレスにより加工
することにより素子の位置決めの精度を良くし，余分な
ロー材が溜められるＶ溝３付き基板１である。ここで，
溝角度αが４５゜未満あるいは９０゜より大きい場合，
基板に亀裂やクラックが入り易く，いわゆる基板１の破
損等を招き易い。また，溝角度αが小さくなるほど金型
の摩耗が激しくなり経済的にも良くない。
【００２８】また，本発明の実施の形態において，溝幅
Ｗ１が０．２ｍｍより大きく，あるいは深さＤ１が基板
の厚みの１０％を超える場合も同様に基板が損傷し易く
なり，また，金型の摩耗が早く寿命を縮めてしまう。
Ｗ１が０．２ｍｍより大きく，あるいは深さＤ１が基板
の厚みの１０％を超える場合も同様に基板が損傷し易く
なり，また，金型の摩耗が早く寿命を縮めてしまう。
【００２９】図２（ａ）は図１の基板に溝形成するため
のプレス装置の構成を示す図である。また，図２（ｂ）
は，図２（ａ）のＡ部分の拡大図である。図２（ａ）に
示すように，プレス装置１０は，上部と，下部１３とを
備えている。上部は，上金型１１と，上金型１１を支持
する上支持部材１２とを備えている。上支持部材１２
は，上金型１１を駆動する駆動部１２ｂとプレスの際の
ストッパーの役割をするリング部材１２ａとを備えてい
る。下部１３は，プレスされる基材（ここでは，符号１
３ａで示す）を載せる下金型１３ｂと，ストッパの役割
をするリング部材１３ｃとを備えている。溝形成の際に
は，上金型１１とリング部材１２ａとが同時に下降し，
基材１３ａをプレスする。ここで，下降する距離は，リ
ング部材１２ａが，リング部材１３ｃに当接することで
決定される。
のプレス装置の構成を示す図である。また，図２（ｂ）
は，図２（ａ）のＡ部分の拡大図である。図２（ａ）に
示すように，プレス装置１０は，上部と，下部１３とを
備えている。上部は，上金型１１と，上金型１１を支持
する上支持部材１２とを備えている。上支持部材１２
は，上金型１１を駆動する駆動部１２ｂとプレスの際の
ストッパーの役割をするリング部材１２ａとを備えてい
る。下部１３は，プレスされる基材（ここでは，符号１
３ａで示す）を載せる下金型１３ｂと，ストッパの役割
をするリング部材１３ｃとを備えている。溝形成の際に
は，上金型１１とリング部材１２ａとが同時に下降し，
基材１３ａをプレスする。ここで，下降する距離は，リ
ング部材１２ａが，リング部材１３ｃに当接することで
決定される。
【００３０】図２（ｂ）に示す上金型１１の刃型部１１
ａのＶ尖端部は，１００μｍ以下の幅Ｗあるいは５０μ
ｍＲ以下が加工性が良く，それよりも大きくなると押し
込み力がなくなったり，あるいは基板に亀裂やクラック
が入り易くなる。その幅Ｗはパッケージングの設計事情
から決めれば良い。
ａのＶ尖端部は，１００μｍ以下の幅Ｗあるいは５０μ
ｍＲ以下が加工性が良く，それよりも大きくなると押し
込み力がなくなったり，あるいは基板に亀裂やクラック
が入り易くなる。その幅Ｗはパッケージングの設計事情
から決めれば良い。
【００３１】図３は図２の金型の拡大図である。図３に
示すように，プレスによりＶ溝を付ける時，その肉を逃
がすため，刃型部１１ａの横に０．１ｍｍ以下の空洞
（肉逃げ場）１５を設ける。これにより溝の横表面に２
０μｍ以下の盛り上がりができるが，これは素子搭載の
際の影響はない。もし，その逃げ場を設けない場合，プ
レスしたＶ溝の肉が背面に出，外観上見栄えが良くない
他，基板の外周囲材料との接合の安定性に欠けてしま
う。
示すように，プレスによりＶ溝を付ける時，その肉を逃
がすため，刃型部１１ａの横に０．１ｍｍ以下の空洞
（肉逃げ場）１５を設ける。これにより溝の横表面に２
０μｍ以下の盛り上がりができるが，これは素子搭載の
際の影響はない。もし，その逃げ場を設けない場合，プ
レスしたＶ溝の肉が背面に出，外観上見栄えが良くない
他，基板の外周囲材料との接合の安定性に欠けてしま
う。
【００３２】一方，コスト的にもこのＶ溝３の加工は，
プレス加工により基板の外周抜きと同時に行うため，一
般の打ち抜き加工費と同等にできる。
プレス加工により基板の外周抜きと同時に行うため，一
般の打ち抜き加工費と同等にできる。
【００３３】図４（ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施
の形態による高熱伝導性放熱基板の形状を示す図であ
る。図４（ａ）に示すように，溝幅Ｗ２が０．２で深さ
がＤ２０．２ｍｍ程度の略半円形状の半円溝６であって
も，図４（ｂ）に示すように，溝幅Ｗ２が０．２〜０．
３ｍｍ，深さＤ３が０．２ｍｍ程度の溝底部８ａと溝側
壁８ｂとを備えた台形状の台形溝８であっても，図１と
同様の効果を奏することができる。
の形態による高熱伝導性放熱基板の形状を示す図であ
る。図４（ａ）に示すように，溝幅Ｗ２が０．２で深さ
がＤ２０．２ｍｍ程度の略半円形状の半円溝６であって
も，図４（ｂ）に示すように，溝幅Ｗ２が０．２〜０．
３ｍｍ，深さＤ３が０．２ｍｍ程度の溝底部８ａと溝側
壁８ｂとを備えた台形状の台形溝８であっても，図１と
同様の効果を奏することができる。
【００３４】次に，本発明の実施の形態による高熱伝導
性放熱基板の製造の具体例について説明する。
性放熱基板の製造の具体例について説明する。
【００３５】（例１）６０ｍａｓｓ％のＣｕ粉末と４０
ｍａｓｓ％のＭｏ粉末を湿式法により均一に混合し，成
形，焼結，熱間圧延し，冷間圧延により厚み（Ｔ）１．
５ｍｍの圧延板を加工した後，加工歪を除去するために
焼鈍したＲＣＭ６０を作製した。
ｍａｓｓ％のＭｏ粉末を湿式法により均一に混合し，成
形，焼結，熱間圧延し，冷間圧延により厚み（Ｔ）１．
５ｍｍの圧延板を加工した後，加工歪を除去するために
焼鈍したＲＣＭ６０を作製した。
【００３６】この板を用い，Ｖ角度６０°，Ｖ尖端幅１
０μｍで，基板の片面の中心部に，深さ０．１２ｍｍ
（幅０．１４ｍｍ），長さ１２ｍｍの溝を０．８ｍｍの
間隔で２本平行に１５×２５ｍｍの矩形の外周抜きと同
時に一発プレス加工した。
０μｍで，基板の片面の中心部に，深さ０．１２ｍｍ
（幅０．１４ｍｍ），長さ１２ｍｍの溝を０．８ｍｍの
間隔で２本平行に１５×２５ｍｍの矩形の外周抜きと同
時に一発プレス加工した。
【００３７】これに電解Ｎｉめっき，電解Ａｕめっきを
施した後，この基板に素子をセンサーで所定の位置を感
知し，慣用的に用いられているＡｇローで接合したが，
素子の位置は所望通りに配し得て，汐止めの効果を発揮
し余分なロー材が溢れ出すということはなく，また基板
に反りも発主しなかった。
施した後，この基板に素子をセンサーで所定の位置を感
知し，慣用的に用いられているＡｇローで接合したが，
素子の位置は所望通りに配し得て，汐止めの効果を発揮
し余分なロー材が溢れ出すということはなく，また基板
に反りも発主しなかった。
【００３８】なお，Ｖ尖端Ｒ５μｍで同形状の溝加工し
たが，基板を破壊することなく加工できた。
たが，基板を破壊することなく加工できた。
【００３９】比較として，Ｔ１．５ｍｍの同素材を用い
た基板の片面の中心部にＶ角度を３０°，Ｖ尖端幅１０
μｍで，深さ０．１２ｍｍ（幅０．０６ｍｍ），長さ１
２ｍｍの溝を０．８ｍｍの間隔で２本平行に，１５×２
５ｍｍの矩形の外周抜きと同時に一発プレス加工した。
その結果，Ｖ先端部に亀裂が発生してしまった。
た基板の片面の中心部にＶ角度を３０°，Ｖ尖端幅１０
μｍで，深さ０．１２ｍｍ（幅０．０６ｍｍ），長さ１
２ｍｍの溝を０．８ｍｍの間隔で２本平行に，１５×２
５ｍｍの矩形の外周抜きと同時に一発プレス加工した。
その結果，Ｖ先端部に亀裂が発生してしまった。
【００４０】また，Ｖ角度を１２０°，Ｖ尖端幅１０μ
ｍで，深さ０．１２ｍｍ（幅０．４２ｍｍ）の同溝を一
発プレス加工したところ，Ｖ先端部に亀裂が発生してし
まった。
ｍで，深さ０．１２ｍｍ（幅０．４２ｍｍ）の同溝を一
発プレス加工したところ，Ｖ先端部に亀裂が発生してし
まった。
【００４１】（例２）４０ｍａｓｓ％のＣｕ粉末と６０
ｍａｓｓ％のＭｏ粉末を湿式法により充分均一に混合し
た後，成形，焼結，熱間圧延し，冷間圧延により厚み
（Ｔ）１．５ｍｍの圧延板を加工し，加工歪を除去する
ために焼鈍したＲＣＭ４０を作製した。
ｍａｓｓ％のＭｏ粉末を湿式法により充分均一に混合し
た後，成形，焼結，熱間圧延し，冷間圧延により厚み
（Ｔ）１．５ｍｍの圧延板を加工し，加工歪を除去する
ために焼鈍したＲＣＭ４０を作製した。
【００４２】この板を用い，Ｖ角度を６０゜で，基板の
片面の中心部に，深さ０．１２ｍｍ（幅０．１４ｍｍ）
の例１と同様の溝を一発プレス加工した。これに電解Ｎ
ｉめっき，電解Ａｕめっきを施した後，この基板に素子
をセンサーで所定の位置を感知し，慣用的に用いられて
いるＡｇローで接合したが，素子の位置は所望通りに配
し得て，ロー材が汐止めの効果を発揮し余分なロー材が
溢れ出すということはなく，また基板に反りは発生しな
かった。
片面の中心部に，深さ０．１２ｍｍ（幅０．１４ｍｍ）
の例１と同様の溝を一発プレス加工した。これに電解Ｎ
ｉめっき，電解Ａｕめっきを施した後，この基板に素子
をセンサーで所定の位置を感知し，慣用的に用いられて
いるＡｇローで接合したが，素子の位置は所望通りに配
し得て，ロー材が汐止めの効果を発揮し余分なロー材が
溢れ出すということはなく，また基板に反りは発生しな
かった。
【００４３】なお，Ｖ尖端Ｒ５μｍで同形状の溝を加工
したが，基板を破壊することなく加工できた。
したが，基板を破壊することなく加工できた。
【００４４】比較として，Ｔ１．５ｍｍの同素材を用い
た基板の片面の中心部に，例１と同様Ｖ尖端幅１０μｍ
で，Ｖ角度を３０゜，深さ０．１２ｍｍ（幅０．０６ｍ
ｍ），およびＶ角度１２０゜，深さ０．１２ｍｍ（幅
０．４２ｍｍ）の溝を一発プレス加工した。その結果，
いすれもＶ先端部に亀裂が発生してしまった。
た基板の片面の中心部に，例１と同様Ｖ尖端幅１０μｍ
で，Ｖ角度を３０゜，深さ０．１２ｍｍ（幅０．０６ｍ
ｍ），およびＶ角度１２０゜，深さ０．１２ｍｍ（幅
０．４２ｍｍ）の溝を一発プレス加工した。その結果，
いすれもＶ先端部に亀裂が発生してしまった。
【００４５】（例３）前記例１と同様の板を用い，Ｖ角
度を４５°，Ｖ尖端幅５０μｍで深さ０．１５ｍｍ（幅
０．１２ｍｍ）の例１と同様の溝を外周抜きと同時に一
発プレス加工した。
度を４５°，Ｖ尖端幅５０μｍで深さ０．１５ｍｍ（幅
０．１２ｍｍ）の例１と同様の溝を外周抜きと同時に一
発プレス加工した。
【００４６】これに電解Ｎｉめっき，電解Ａｕめっきを
施した後，この基板に素子をセンサーで所定の位置を感
知し，慣用的に用いられているＡｇローで接合したが，
素子の位置は所望通り配し得て，ロー材が汐止めの効果
を発揮し余分なロー材が溢れ出すということはなく，ま
た基板に反りは発生しなかった。
施した後，この基板に素子をセンサーで所定の位置を感
知し，慣用的に用いられているＡｇローで接合したが，
素子の位置は所望通り配し得て，ロー材が汐止めの効果
を発揮し余分なロー材が溢れ出すということはなく，ま
た基板に反りは発生しなかった。
【００４７】なお，Ｖ尖端Ｒ２５μｍで同形状の溝を加
工したが，基板を破壊することなく加工できた。
工したが，基板を破壊することなく加工できた。
【００４８】（例４）例１と同様の板を用い，Ｖ角度を
９０°，Ｖ尖端幅５０μｍで，深さ０．１ｍｍ（幅０．
２０ｍｍ）の例１と同様の溝を外周抜きと同時に一発プ
レス加工した。
９０°，Ｖ尖端幅５０μｍで，深さ０．１ｍｍ（幅０．
２０ｍｍ）の例１と同様の溝を外周抜きと同時に一発プ
レス加工した。
【００４９】これに電解Ｎｉめっき，電解Ａｕめっきを
施した後，この基板に素子をセンサーで所定の位置を感
知し，慣用的に用いられているＡｇローで接合したが，
素子の位置は所望通りに配し得て，ロー材が汐止めの効
果を発揮し余分なロー材が溢れ出すということはなく，
また基板に反りは発生しなかった。
施した後，この基板に素子をセンサーで所定の位置を感
知し，慣用的に用いられているＡｇローで接合したが，
素子の位置は所望通りに配し得て，ロー材が汐止めの効
果を発揮し余分なロー材が溢れ出すということはなく，
また基板に反りは発生しなかった。
【００５０】なお，Ｖ尖端Ｒ２５μｍで同形状の溝を加
工したが，基板を破壊することなく加工できた。
工したが，基板を破壊することなく加工できた。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
金属基板に搭載する部品が充分密着するための平担性
と，搭載する部品の基板における所望の位置を容易に且
つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた少なくとも
１本の溝を有する高熱伝導性放熱基板を提供することが
できる。
金属基板に搭載する部品が充分密着するための平担性
と，搭載する部品の基板における所望の位置を容易に且
つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた少なくとも
１本の溝を有する高熱伝導性放熱基板を提供することが
できる。
【００５２】また，本発明によれば，少なくとも１本の
溝を有することによって，素子を接合する場合に，ロー
材による汐止めの効果を発揮できる高熱伝導性放熱基板
を提供することができる。
溝を有することによって，素子を接合する場合に，ロー
材による汐止めの効果を発揮できる高熱伝導性放熱基板
を提供することができる。
【００５３】また，本発明によれば，前記利点を備えた
高熱伝導性放熱基板の製造方法を提供することができ
る。
高熱伝導性放熱基板の製造方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態による高熱伝導性放熱基
板の表面部分を示す断面図である。
板の表面部分を示す断面図である。
【図２】（ａ）は図１の高熱伝導性放熱基板のＶ溝を形
成するためのプレス装置の構成を示す図である。（ｂ）
は（ａ）の上金型の刃型部の先端部の拡大断面図であ
る。
成するためのプレス装置の構成を示す図である。（ｂ）
は（ａ）の上金型の刃型部の先端部の拡大断面図であ
る。
【図３】図２の上金型の拡大図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は，本発明の他の実施の形態
による高熱伝導性放熱基板の表面部分を夫々示す断面図
である。
による高熱伝導性放熱基板の表面部分を夫々示す断面図
である。
１，５ 高熱伝導性放熱基板 ２，１３ａ 基材 ３ Ｖ溝 ６ 半円溝 ８ａ 溝底部 ８ｂ 溝側壁 １０ プレス装置 １１ 上金型 １１ａ 刃型部 １２ 上支持部材 １３ 下部 １２ｂ 駆動部 １２ａ リング部材 １３ｂ 下金型 １３ｃ リング部材 １５ 空洞（肉逃げ場）
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２２Ｃ 1/04 Ｃ２２Ｃ 27/04 １０２ 9/00 Ｂ２２Ｆ 5/00 Ｚ 27/04 １０２ Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｍ (72)発明者 市田 晃 富山県富山市岩瀬古志町２番地 東京タン グステン株式会社富山製作所内 (72)発明者 戸塚 浩 東京都大田区下丸子一丁目18番11号 株式 会社トキオテック内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体パッケージの金属基板において，
前記金属基板に搭載する部品が充分密着するための平担
性と，搭載する部品の基板における所望の位置を容易に
且つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた少なくと
も１本の溝を有することを特徴とする高熱伝導性放熱基
板。 - 【請求項２】 請求項１記載の高熱伝導性放熱基板にお
いて，前記金属基板がＣｕと残部をＭｏからなり，Ｃｕ
粉末とＭｏ粉末を充分混合，焼結，圧延加工により作ら
れ，Ｃｕが３７．７〜９７質量％で，熱膨張係数が９〜
１７×１０-6／Ｋ，熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上有
し，前記溝加工以外に外周プレス加工を同時に施してあ
ることを特徴とする高熱伝導性放熱基板。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の高熱伝導性放熱基
板において，前記溝は，Ｖ形状断面を備えていることを
特徴とする高熱伝導性放熱基板。 - 【請求項４】 請求項３記載の高熱伝導性放熱基板にお
いて，前記金属基板のＶ形状の溝の角度が４５〜９０゜
で，かつ幅が最大で０．２ｍｍあるいは深さが基板の厚
みの１０％以下であることを特徴とする高熱伝導性放熱
基板。 - 【請求項５】 請求項１又は２記載の高熱伝導性放熱基
板において，前記溝は，断面半円形または台形の形状を
備えていることを特徴とする高熱伝導性放熱基板。 - 【請求項６】 請求項３記載の高熱伝導性放熱基板を製
造する方法であって，前記金属基板のＶ形状の溝の角度
が４５〜９０゜で，かつ幅が最大で０．２ｍｍあるいは
深さが基板の厚みの１０％以下に形成することを特徴と
する高熱伝導性放熱基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP292698A JPH11204702A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 高熱伝導性放熱基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP292698A JPH11204702A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 高熱伝導性放熱基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204702A true JPH11204702A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11542956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP292698A Withdrawn JPH11204702A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 高熱伝導性放熱基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020059870A (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-16 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・データ・エンジニアリングシステムズ | 銅合金造形物の製造方法および銅合金造形物 |
-
1998
- 1998-01-09 JP JP292698A patent/JPH11204702A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020059870A (ja) * | 2018-10-05 | 2020-04-16 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・データ・エンジニアリングシステムズ | 銅合金造形物の製造方法および銅合金造形物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |