JPH11204448A - Manufacturing apparatus of semiconductor device - Google Patents

Manufacturing apparatus of semiconductor device

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JPH11204448A
JPH11204448A JP636398A JP636398A JPH11204448A JP H11204448 A JPH11204448 A JP H11204448A JP 636398 A JP636398 A JP 636398A JP 636398 A JP636398 A JP 636398A JP H11204448 A JPH11204448 A JP H11204448A
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JP
Japan
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wafer
boat
wafers
shielding plate
particles
Prior art date
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Pending
Application number
JP636398A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuto Ikeda
和人 池田
Harunobu Sakuma
春信 佐久間
Hisashi Yoshida
久志 吉田
Yukinori Yuya
幸則 油谷
Tomoshi Taniyama
智志 谷山
Kazuhiro Nakagome
和広 中込
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To circumvent constraints of sequential control of a wafer transfer machine over a boat by setting a cover on each wafer on the boat. SOLUTION: A boat 9 horizontally holds a plurality of wafers 3 at established longitudinal intervals. Shielding plates 23 which shields particles from dropping on the wafers 3 by covering the upside of each wafer 3 are placed between the wafers 3. The shielding plates 23 may be fixed or removably attached to the boat.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置、特
に複数のウェーハをボートに載せて反応管に搬入し、反
応管内でバッチ式に加熱処理するものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus in which a plurality of wafers are loaded on a boat, loaded into a reaction tube, and heat-treated in the reaction tube in a batch system.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体製造装置、例えば縦型拡散
・CVD装置を図3を用いて説明する。カセット収納棚
1内のカセット2から複数段に載置されているウェーハ
3をエレベータ(図示せず)で昇降するウェーハ移載機
5のツィーザ4により保持して石英製ボート9に移載
し、ボートエレベータ(図示せず)により上昇したボー
ト9を石英製の反応管10内に搬入し、ウェーハ3をヒ
ータ11により加熱し、ガス導入口12より反応ガス又
は不活性ガスを導入し、ガス排気口13から排気する。
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor manufacturing apparatus, for example, a vertical diffusion / CVD apparatus will be described with reference to FIG. The wafers 3 placed in a plurality of stages from the cassette 2 in the cassette storage shelf 1 are held by the tweezers 4 of the wafer transfer machine 5 that moves up and down by an elevator (not shown) and transferred to the quartz boat 9. A boat 9 lifted by a boat elevator (not shown) is carried into a quartz reaction tube 10, the wafer 3 is heated by a heater 11, a reaction gas or an inert gas is introduced from a gas inlet 12, and gas is exhausted. Exhaust from the mouth 13.

【0003】ウェーハ3の加熱処理、例えば不純物拡散
処理、アニール処理、熱酸化処理、化学気相成長反応な
どが終了すると、反応管10内を不活性ガス雰囲気に置
換しボート昇降機によりボート9を下降して反応管10
より搬出し、ボート9に載置されているウェーハ3が所
定温度以下になったところで、複数段に載置されている
ウェーハ3をウェーハ移載機5でボート9からカセット
収納棚1内のカセット2に移載する。
When the heat treatment of the wafer 3, for example, the impurity diffusion treatment, the annealing treatment, the thermal oxidation treatment, the chemical vapor deposition reaction, etc., is completed, the inside of the reaction tube 10 is replaced with an inert gas atmosphere, and the boat 9 is lowered by the boat elevator. Reaction tube 10
When the temperature of the wafers 3 placed on the boat 9 becomes lower than a predetermined temperature, the wafers 3 placed on a plurality of stages are transferred from the boat 9 to the cassettes in the cassette storage shelf 1 by the wafer transfer machine 5. Transfer to 2.

【0004】図2は、反応管に対して搬出入されるボー
ト9を示し、(a) は側面図、(b) はウェーハ移載時の側
面図、(c) は(a) の部分拡大図である。石英製ボート9
には上板21、下板22間に立設した複数本の支柱14
に、ウェーハ3を挿入するための多数のスリット15が
切り込まれている。これらのスリット15に多数のウェ
ーハ3を移載して、反応管(図示せず)内へバッチ搬送
できるようになっている。ボート9の材質は、反応管で
の成膜上問題のない材料として石英などが用いられる。
FIGS. 2A and 2B show a boat 9 carried in and out of the reaction tube, wherein FIG. 2A is a side view, FIG. 2B is a side view when a wafer is transferred, and FIG. 2C is a partially enlarged view of FIG. FIG. Quartz boat 9
Has a plurality of columns 14 standing between the upper plate 21 and the lower plate 22.
A number of slits 15 for inserting the wafer 3 are cut. A large number of wafers 3 are transferred to these slits 15 and can be batch-transferred into a reaction tube (not shown). As a material of the boat 9, quartz or the like is used as a material having no problem in film formation in the reaction tube.

【0005】なお、ボート9の上下両端に均熱長の確保
のためにサイドダミー用ウェーハを所定枚数移載した
り、プロセス用ウェーハの要所要所にモニタ用ウェーハ
を一枚づつ挟み込んだりすることが行なわれている。
[0005] A predetermined number of side dummy wafers are transferred to the upper and lower ends of the boat 9 in order to secure a uniform heat length, or monitor wafers are sandwiched one by one at required portions of process wafers. Is being done.

【0006】ところで上記したボート構成では各ウェー
ハ3上を保護するための覆いがないため、ボート9への
ウェーハ3の移載時に、ボート9ないしスリット15と
移載しようとするウェーハ3との接触により、ゴミない
しパーティクル(以下、単にパーティクルという)が下
方のウェーハ3へ落下する可能性があった。パーティク
ルがウェーハ3上に落下すると、成膜不良が発生し、そ
れに伴い製品の歩留りが低下する。
In the boat configuration described above, since there is no cover for protecting each wafer 3, when the wafer 3 is transferred to the boat 9, contact between the boat 9 or the slit 15 and the wafer 3 to be transferred is made. As a result, dust or particles (hereinafter simply referred to as particles) may fall onto the lower wafer 3. When the particles fall on the wafer 3, a film formation failure occurs, and the yield of the product is reduced accordingly.

【0007】そこで、パーティクル落下の防止策とし
て、投入時はボート9の上方からウェーハ3を投入し、
取出し時はボート9の下方からウェーハ3を取り出すこ
とが行なわれている。投入時ボート9の上方から下方に
向けて順次投入していくと、投入するウェーハ3の下方
にはまだウェーハ3が移載されていないので、パーティ
クルが落下しても問題はない。一方、取出し時ボート9
の下方から上方に向けて順次取り出していくと、取り出
すウェーハ3の下方にはウェーハが存在しないので、同
じくパーティクルが落下しても問題は生じない。これに
よりウェーハ3の投入・取出し時ともにパーティクルが
下方のウェーハに落下することを防止している。
Therefore, as a measure for preventing particles from falling, the wafer 3 is loaded from above the boat 9 at the time of loading.
At the time of taking out, the wafer 3 is taken out from under the boat 9. If the wafers 3 are sequentially loaded from above to below at the time of loading, the wafers 3 have not yet been transferred below the loaded wafers 3, so that there is no problem if the particles fall. On the other hand, boat 9
When the wafers are sequentially taken out from below, there is no wafer below the wafer 3 to be taken out, so that there is no problem even if particles fall. This prevents the particles from falling onto the lower wafer both when the wafer 3 is loaded and unloaded.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来技術では、ボート投入時はウェーハを上方から入
れ、取出し時は下方から出すという場合分けをしたシー
ケンス制御をウェーハ移載機に組込まなければならない
ため、ウェーハ移載機のシーケンス制御上の制約となっ
ていた。
However, in the above-mentioned prior art, a sequence control in which a wafer is loaded from above when a boat is loaded and removed from a bottom when a boat is loaded must be incorporated in the wafer transfer machine. This has been a constraint on the sequence control of the wafer transfer machine.

【0009】またボート9に対してウェーハ3を投入し
ている途中で、エレベータにより持ち上げられているウ
ェーハ移載機が、停電などにより落下した場合には、ウ
ェーハ移載機のツィーザが、その位置でのウェーハを破
損する可能性があった。特に投入時にボートの上から下
に投入していく手法をとっていない場合には、その位置
から下にある全てのウェーハを破損してしまうことにな
る。
If the wafer transfer machine lifted by the elevator falls while the wafers 3 are being loaded into the boat 9 due to a power failure or the like, the tweezers of the wafer transfer machine move to the position. There was a possibility of damaging the wafer. In particular, unless a method of loading the boat from the top to the bottom at the time of loading is adopted, all the wafers below the position will be damaged.

【0010】本発明の課題は、ボート上の各ウェーハに
覆いをつけることによって、上述した従来技術の問題点
を解消して、ウェーハ移載機のシーケンス制御上の制約
を無くし、しかもウェーハ移載機が落下してもウェーハ
の破損を免れることが可能な半導体製造装置を提供する
ことにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art by covering each wafer on a boat, to eliminate the restriction on the sequence control of the wafer transfer machine, and to transfer the wafer. An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of avoiding breakage of a wafer even when a machine falls.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、複数のウェー
ハを縦方向に一定間隔に水平に保持するボートを備えた
半導体製造装置において、上記ボートに保持されるべき
各ウェーハの間に、各ウェーハの上方を覆って上方から
落下してくるパーティクルをさえぎるための遮蔽板を設
けたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus provided with a boat for holding a plurality of wafers horizontally at predetermined intervals in a vertical direction, wherein each wafer is held between the wafers to be held by the boat. A shielding plate is provided to cover the upper part of the wafer and block particles falling from above.

【0012】ボートに対するウェーハ移載時にパーティ
クルが上方から落下してきても、パーティクルはウェー
ハ間に設けた遮蔽板によりさえぎられるので、パーティ
クルがウェーハ上に落下することがない。
Even if the particles fall from above when transferring the wafer to the boat, the particles are blocked by the shielding plate provided between the wafers, so that the particles do not drop onto the wafer.

【0013】また、ウェーハ間に遮蔽板を設けたので、
ボートに対してウェーハを投入している途中で、エレベ
ータにより持ち上げられているウェーハ移載機が、停電
などにより落下した場合でも、ウェーハ移載機のツィー
ザが破損したり、遮蔽板が損傷するだけなので、その位
置より下方のウェーハが破損することがなくなる。
Further, since a shielding plate is provided between the wafers,
Even if the wafer transfer machine lifted by the elevator falls while the wafers are being loaded into the boat and falls due to a power outage, etc., only the tweezers of the wafer transfer machine will be damaged or the shielding plate will be damaged. Therefore, the wafer below the position is not damaged.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。図1は半導体製造装置としての縦型拡散・CVD
装置に備えられた石英製のボート9を示す。(a) は平面
図、(b) は底面図、(c) は側面図、(d) は(c) の部分拡
大図である。
Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 shows vertical diffusion / CVD as a semiconductor manufacturing apparatus
1 shows a quartz boat 9 provided in the apparatus. (a) is a plan view, (b) is a bottom view, (c) is a side view, and (d) is a partially enlarged view of (c).

【0015】石英製ボート9は、円形の下板22と、下
板22の上に水平に保持されるべきウェーハの半周に沿
ってたとえば60°間隔で垂直に立てられた4本の支柱
14と、これらの支柱14の上に下板22と平行に取り
付けられた円形の上板21とから構成される。
The quartz boat 9 includes a circular lower plate 22 and four pillars 14 vertically set at, for example, 60 ° intervals along a half circumference of the wafer to be held horizontally on the lower plate 22. And a circular upper plate 21 mounted in parallel with the lower plate 22 on these columns 14.

【0016】各支柱14の対向側面には、上板21及び
下板22と平行に保持されるべきプロセス用ウェーハ3
および遮蔽板23を挿入するためのスリット15が、支
柱14の長さ方向に沿って等ピッチで、支柱14の中心
線に達する深さで多数本切り込まれている。ピッチはウ
ェーハカセットのウェーハ保持ピッチと同一である場合
もあるが、膜種あるいは成膜条件によって異なる場合も
ある。
On the opposite side of each column 14, the processing wafer 3 to be held in parallel with the upper plate 21 and the lower plate 22 is provided.
A large number of slits 15 for inserting the shielding plate 23 are cut at equal pitches along the length direction of the pillar 14 and at a depth reaching the center line of the pillar 14. The pitch may be the same as the wafer holding pitch of the wafer cassette, but may be different depending on the type of film or film formation conditions.

【0017】ボート9のスリット15には、図1(c) 、
(d) に示すように、一つ置きにウェーハの形状をした遮
蔽板23が挿入されている。遮蔽板23は、各ウェーハ
3の上方を覆って上方から落下してくるパーティクルを
さえぎるために、プロセス用ウェーハ3が1つ置きに挿
入されるスリット15、15間のスリット15に挿入さ
れる。なお、プロセス用ウェーハ3が挿入されるスリッ
ト15も、遮蔽板23が挿入されるスリット15も形状
に差異はない。
In the slit 15 of the boat 9, FIG.
As shown in (d), every other shielding plate 23 in the shape of a wafer is inserted. The shielding plate 23 is inserted into the slits 15 between the slits 15 in which the process wafers 3 are inserted every other in order to cover the upper part of each wafer 3 and block particles falling from above. Note that there is no difference in shape between the slit 15 into which the processing wafer 3 is inserted and the slit 15 into which the shielding plate 23 is inserted.

【0018】遮蔽板23は、例えばボート9と同材質の
石英とする。この遮蔽板23は支柱14に溶接した構成
としてもよいし、着脱可能な構成としてもよい。溶接は
例えばレーザ融着などで行なう。着脱は、プロセス用ウ
ェーハ3の移載と同様にウェーハ移載機で行なってもよ
いし、マニュアルで行なってもよい。
The shielding plate 23 is made of, for example, quartz made of the same material as the boat 9. The shielding plate 23 may be configured to be welded to the column 14, or may be configured to be detachable. The welding is performed by, for example, laser welding. The attachment / detachment may be performed by a wafer transfer machine similarly to the transfer of the process wafer 3, or may be performed manually.

【0019】さて、上記した遮蔽板23を溶接または着
脱可能に設けたボート9を使って、例えばポリシリコン
の薄膜を形成する場合について説明する。ボート9の遮
蔽板23間にプロセス用ウェーハ3及びモニタ用ウェー
ハを移載する。遮蔽板23が着脱可能となっている場合
には、ボート9のスリット15に予め遮蔽板23を一つ
置きに移載しておく。
Now, a case where a thin film of, for example, polysilicon is formed by using the boat 9 provided with the above-mentioned shield plate 23 so as to be welded or detachable will be described. The process wafer 3 and the monitor wafer are transferred between the shield plates 23 of the boat 9. If the shield plates 23 are detachable, every other shield plate 23 is transferred to the slit 15 of the boat 9 in advance.

【0020】ウェーハ移載機(図示略)によりカセット
収納棚(図示略)からウェーハを一枚または同時に複数
枚取出し、遮蔽板23の間のボート9のスリット15に
移載していく。このときボート9の上から投入しても下
から投入しても、あるいは中間から投入してもよく、要
はボート9のどの位置から投入してもよい。その理由
は、重量をもつパーティクルが上方から落下してきて
も、パーティクルはウェーハ間に設けた遮蔽板23によ
りさえぎられるので、パーティクルがウェーハ上に落下
することがない。
One or a plurality of wafers are taken out from a cassette storage shelf (not shown) by a wafer transfer machine (not shown) and transferred to the slit 15 of the boat 9 between the shielding plates 23. At this time, the boat 9 may be thrown in from above, may be thrown in from below, or may be thrown in from the middle. The reason is that even if heavy particles fall from above, the particles are blocked by the shielding plate 23 provided between the wafers, so that the particles do not fall on the wafer.

【0021】このようにしてボート9を石英製反応管
(図示略)内に搬入し、加熱し反応ガスを導入する。プ
ロセス用ウェーハ及びモニタ用ウェーハの加熱処理を行
ない、その上にポリシリコン膜を形成する。このとき遮
蔽板23にも同じ様に成膜される。遮蔽板23をウェー
ハと略同形状とし、一つ置きにセットするので、上記成
膜時、サイドダミー用ウェーハと同等の保温効果とガス
整流効果が得られる。ウェーハの加熱処理が終了する
と、ボート9を反応管より搬出し、ボート9からプロセ
ス用ウェーハをウェーハ移載機でカセット収納棚内のカ
セットに移載する。このときもボート9の上から取り出
しても下から取り出しても、あるいは中間から取り出し
てもよく、要はボートのどの位置から取り出してもよ
い。その理由も、パーティクルが上方から落下してきて
も、パーティクルはウェーハ間に設けた遮蔽板23によ
りさえぎられるので、パーティクルがウェーハ上に落下
することがないからである。このポリシリコンの薄膜形
成を数バッチ繰り返した。
In this way, the boat 9 is carried into a quartz reaction tube (not shown), heated and a reaction gas is introduced. A process wafer and a monitor wafer are heated, and a polysilicon film is formed thereon. At this time, a film is similarly formed on the shielding plate 23. Since the shielding plate 23 has substantially the same shape as the wafer and is set every other, the same heat retaining effect and gas rectifying effect as those of the side dummy wafer can be obtained during the film formation. When the wafer heating process is completed, the boat 9 is unloaded from the reaction tube, and the processing wafer is transferred from the boat 9 to a cassette in a cassette storage shelf by a wafer transfer machine. At this time, the boat 9 may be taken out from above, below, or from the middle, and may be taken out from any position on the boat. The reason is that even if the particles fall from above, the particles are blocked by the shielding plate 23 provided between the wafers, so that the particles do not fall on the wafer. This polysilicon thin film formation was repeated for several batches.

【0022】シリコンからなるサイドダミー用ウェーハ
では、薄膜形成を数バッチ繰り返すと、サイドダミー用
ウェーハに堆積したポリシリコン膜が規定値以上に達し
たとき、新しいサイドダミー用ウェーハに交換する必要
がある。しかし、本実施の形態ではウェーハの形状をし
た石英製の遮蔽板23を使用し、石英製の反応管、ボー
ト9と同様にクリーニングできるため遮蔽板23の投
入、交換の必要はない。
In the case of a side dummy wafer made of silicon, when a thin film is repeatedly formed in several batches, it is necessary to replace the polysilicon film deposited on the side dummy wafer with a new side dummy wafer when the polysilicon film reaches a specified value or more. . However, in the present embodiment, a quartz shielding plate 23 in the shape of a wafer is used, and cleaning can be performed in the same manner as the quartz reaction tube and boat 9, so that there is no need to insert or replace the shielding plate 23.

【0023】すなわち、石英製反応管内壁に堆積したポ
リシリコン膜をクリーニングするときと同様に、ボート
9に遮蔽板23を設けたまま、ボート表面及び遮蔽板2
3に堆積したポリシリコン膜をクリーニングすればよ
い。このとき遮蔽板23をシリコンではなく石英で構成
してあるので、ガスクリーニングによる損傷を最小限に
抑えることができる。クリーニングにより遮蔽板23に
付着した反応生成物を除去することにより、遮蔽板23
を投入・交換することなく、再利用できる。
That is, in the same manner as when cleaning the polysilicon film deposited on the inner wall of the quartz reaction tube, the boat surface and the shielding plate 2 are kept while the shielding plate 23 is provided on the boat 9.
The polysilicon film deposited on 3 may be cleaned. At this time, since the shielding plate 23 is made of quartz instead of silicon, damage due to gas cleaning can be minimized. By removing the reaction products attached to the shield plate 23 by cleaning, the shield plate 23 is removed.
Can be reused without having to insert and replace them.

【0024】上述したように遮蔽板23はボート9に溶
接しても着脱可能としてもよい。溶接した場合には、遮
蔽板23をボート9と一体に扱えるので取扱いが便利で
ある。しかし、そうすると遮蔽板23を交換する必要が
生じるときに不都合がある。例えば、プロセス上の都合
でプロセス用ウェーハをボート9の各スリット15に2
つ置き以上に移載する場合がある。そのようなことが要
請される場合には、遮蔽板23は溶接せず、ボート9に
対して着脱可能にして、異なる移載枚数/移載位置の設
定ができるようにするとよい。これにより遮蔽効果を維
持しつつ、ボート9上のウェーハピッチや遮蔽板23の
ピッチを自由に設定でき、ピッチに制約を受ける膜種に
対しても対応できる。
As described above, the shield plate 23 may be welded to the boat 9 or may be detachable. In the case of welding, the shielding plate 23 can be handled integrally with the boat 9, so that the handling is convenient. However, this is inconvenient when the shield plate 23 needs to be replaced. For example, a process wafer is placed in each slit 15 of the boat 9 for processing convenience.
It may be transferred more than every other. If such a request is required, it is preferable that the shielding plate 23 is not welded but is detachable from the boat 9 so that different transfer sheets / transfer positions can be set. Thus, the wafer pitch on the boat 9 and the pitch of the shield plate 23 can be set freely while maintaining the shielding effect, and it is possible to cope with film types that are restricted by the pitch.

【0025】以上本実施の形態によれば、ウェーハ間に
遮蔽板を設けて、ウェーハ移載時に発生するパーティク
ルが下方のウェーハに落下しないようにしたので、パー
ティクルに起因する成膜不良を激減することができる。
また、パーティクルのウェーハへの落下を防ぐようにし
たので、投入時は上方から投入し、取出し時は下方から
取り出すというようなウェーハ搬送時のシーケンス制御
の制約がなくなるので、制御プログラムに自由度や統一
性がとれ、その作成が容易となる。
As described above, according to the present embodiment, the shielding plate is provided between the wafers so that the particles generated at the time of transferring the wafer are prevented from dropping on the lower wafer, so that the film formation failure caused by the particles is drastically reduced. be able to.
In addition, since the particles are prevented from dropping onto the wafer, there is no restriction on sequence control during wafer transfer, such as loading from the top when loading and removing from the bottom when removing, so the control program has a high degree of freedom and Uniformity is obtained and its creation becomes easy.

【0026】なお、上記実施の形態では、遮蔽板として
石英板を用いて成膜上問題がないようにしたが、本発明
はこれに限定されない。石英板以外では、シリコン酸化
膜(SiO2 )で覆ったウェーハ、またはAlN、Si
C板等を用いてもよい。
In the above embodiment, a quartz plate is used as a shielding plate so that there is no problem in film formation, but the present invention is not limited to this. Other than the quartz plate, a wafer covered with a silicon oxide film (SiO 2 ), or AlN, Si
A C plate or the like may be used.

【0027】また、ウェーハ移載機の落下時にはウェー
ハの代りに遮蔽板がツィーザを受け止めるので高価なウ
ェーハを保護できる。遮蔽板とツィーザとの材質および
板厚を同じにした場合、計算上ツィーザに生じる応力が
約13倍大きくなるので、ツィーザの方が破損すること
になる。材質が違うばあいでも、例えば、遮蔽板を石
英、ツィーザを石英より約10倍の強度を有するアルミ
ナとした場合でも、ツィーザの方に13倍大きな応力が
加わるので、ツィーザの方が破損される。したがって、
遮蔽板の破損はもちろんウェーハの破損は生じ得ない。
なお、安全面をさらに考慮するならば、遮蔽板の板厚を
ツィーザよりも厚くして対応してもよい。すなわち、遮
蔽板に強度をもたせることで確実にウェーハを保護する
ことができる。
Further, when the wafer transfer device falls, the shield plate receives the tweezers instead of the wafer, so that the expensive wafer can be protected. When the material and the thickness of the shield plate and the tweezer are made the same, the stress generated in the tweezer is calculated to be about 13 times larger, so that the tweezer is more damaged. Even if the material is different, for example, even if the shielding plate is made of quartz and the tweezer is made of alumina having a strength about 10 times that of quartz, the tweezers are stressed 13 times larger, so the tweezers are more damaged. . Therefore,
Damage to the wafer, as well as damage to the shielding plate, cannot occur.
If the safety aspect is further taken into consideration, the shielding plate may be made thicker than the tweezers. That is, it is possible to reliably protect the wafer by giving strength to the shielding plate.

【0028】また、上記実施の形態は、反応管内に付着
される膜をポリシリコン膜に適用した場合を説明した
が、本発明はこれに限定されない。アモルファスシリコ
ン膜、窒化シリコン膜、タングステン膜、タングステン
シリサイド膜等にも適用できる。
Further, in the above embodiment, the case where the film attached in the reaction tube is applied to the polysilicon film has been described, but the present invention is not limited to this. The present invention can be applied to an amorphous silicon film, a silicon nitride film, a tungsten film, a tungsten silicide film, and the like.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明によれば、ボートに対するウェー
ハ移載時、遮蔽板を設けることによりパーティクルのウ
ェーハ上への落下を防止できるので、ウェーハ移載時の
パーティクル落下に起因する成膜不良がなくなり、それ
にともない製品の歩留りが向上する。ウェーハが遮蔽板
により保護されるので、ウェーハ移載機などの故障によ
りウェーハが破損するのを有効に防止できる。
According to the present invention, when a wafer is transferred to a boat, it is possible to prevent particles from dropping onto the wafer by providing a shielding plate. As a result, the product yield is improved. Since the wafer is protected by the shielding plate, it is possible to effectively prevent the wafer from being damaged by a failure of the wafer transfer device or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態による遮蔽板を設けたウェーハボー
トの構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of a wafer boat provided with a shielding plate according to an embodiment.

【図2】従来例によるウェーハボートの構成図。FIG. 2 is a configuration diagram of a wafer boat according to a conventional example.

【図3】縦型拡散・CVD装置の構成図。FIG. 3 is a configuration diagram of a vertical diffusion / CVD apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 ウェーハ 9 ボート 23 遮蔽板 3 Wafer 9 Boat 23 Shield plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 油谷 幸則 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 谷山 智志 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 中込 和広 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yukinori Yutani 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Satoshi Taniyama 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric (72) Inventor Kazuhiro Nakagome 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo International Electric Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数のウェーハを縦方向に一定間隔に水平
に保持するボートを備えた半導体製造装置において、 上記ボートに、各ウェーハの上方を覆って上方から落下
してくるパーティクルをさえぎるための遮蔽板を設けた
ことを特徴とする半導体製造装置。
1. A semiconductor manufacturing apparatus provided with a boat for holding a plurality of wafers horizontally at predetermined intervals in a vertical direction, wherein said boat covers an upper part of each wafer and blocks particles falling from above. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a shielding plate.
JP636398A 1998-01-16 1998-01-16 Manufacturing apparatus of semiconductor device Pending JPH11204448A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012235042A (en) * 2011-05-09 2012-11-29 Fuji Mach Mfg Co Ltd Component supply apparatus
WO2012151431A3 (en) * 2011-05-03 2013-03-14 Entergris, Inc. Wafer container with particle shield

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012151431A3 (en) * 2011-05-03 2013-03-14 Entergris, Inc. Wafer container with particle shield
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