JPH07183359A - Substrate carrier - Google Patents

Substrate carrier

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JPH07183359A
JPH07183359A JP34757093A JP34757093A JPH07183359A JP H07183359 A JPH07183359 A JP H07183359A JP 34757093 A JP34757093 A JP 34757093A JP 34757093 A JP34757093 A JP 34757093A JP H07183359 A JPH07183359 A JP H07183359A
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fork
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semiconductor wafer
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哲 大沢
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Tokyo Electron Tohoku Ltd
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To retain a semiconductor wafer to the tip of a substrate fork and then prevent position deviation despite vibration on transfer by providing a cut-out part at a part colliding with the post of a wafer boat at the main part of the substrate fork. CONSTITUTION:Since a cut-out part 44 is provided at the tip part of a substrate fork 30, a semiconductor wafer 4 can be transferred from a substrate fork 30 to a wafer boat 3 or vice versa without causing the collision of the post 43 of the wafer boat 3 when transferring between the substrate fork 30 and the wafer boat 3. Further, even if vibration in horizontal direction or of rotary move by a transfer machine 21 during the placement or vibration in up/down movement by a raise/lower mechanism 22 is applied to the substrate fork 30, side deviation can be prevented by a protruding part 40 located at the substrate fork 30, thus preventing a falling accident. Also, the cut-out part 44 provided at the substrate fork 30 is matched to the shape of the wafer boat 3 and a protruding part 40 can be left in a state for supporting the semiconductor wafer 4 to cope with any shape.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、基板搬送装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate transfer device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程において歩留りを低下さ
せる最大の原因の一つとして、大気中に浮遊する塵が半
導体ウェハに付着することによって、半導体素子を破戒
し、もって歩留りを低下させるということが知られてい
る。この大気中に浮遊する塵に起因する歩留りの低下を
改善するために、大気中に存在する塵を取り除く設備を
備えたクリーンルーム内で、半導体を製造するという手
段が取られている。
2. Description of the Related Art One of the main causes of reducing the yield in the semiconductor manufacturing process is that dust floating in the atmosphere adheres to a semiconductor wafer, which may damage a semiconductor element and thus reduce the yield. Are known. In order to improve the reduction in yield due to dust floating in the atmosphere, a method of manufacturing semiconductors in a clean room equipped with a facility for removing dust existing in the atmosphere has been adopted.

【0003】このクリーンルーム内で薄板状の基板、例
えば半導体ウェハを基板フォークで移載する方法として
バキュームチャック方法とソフトランディング方法とい
う方法が一般に使われている。バキュームチャック方法
は、基板フォークに設けられた吸気穴からの吸気によっ
て、半導体ウェハを吸着し、たとえ移載時に基板フォー
クに振動が伝わっても、吸気作用によって基板を十分に
吸着しているため、安定して半導体ウェハを搬送するこ
とができる。しかし、この方法はクリーンルーム内の大
気に残っている極微量の塵を半導体ウェハの吸着作用に
よって基板フォークに集めることになり、この塵が半導
体ウェハに付着していまい、この塵が半導体ウェハの素
子に重大な欠陥をもたらすことになってしまう。そこ
で、近々、ソフトランディング方法が注目を集めている
が、この方法は基板フォーク上に設けられた凸部が半導
体ウェハをの周囲を支持することによって、半導体ウェ
ハの搬送時の振動による横ずれを防止している。
Generally, a vacuum chuck method and a soft landing method are used as a method for transferring a thin plate-shaped substrate, for example, a semiconductor wafer by a substrate fork in this clean room. The vacuum chuck method sucks a semiconductor wafer by suction from a suction hole provided in the substrate fork, and even if vibration is transmitted to the substrate fork during transfer, the substrate is sufficiently sucked by the suction action. The semiconductor wafer can be stably transported. However, in this method, a very small amount of dust remaining in the atmosphere in the clean room is collected on the substrate fork by the adsorption action of the semiconductor wafer, and this dust may adhere to the semiconductor wafer. Will result in serious defects. Therefore, the soft landing method has recently attracted attention. In this method, the convex portion provided on the substrate fork supports the periphery of the semiconductor wafer to prevent lateral displacement due to vibration during transportation of the semiconductor wafer. is doing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】つまり、ソフトランデ
ィング方法は基板フォークに設けられた半導体ウェハの
側面を支持する凸部によって、横ずれを防止しているた
め、安定した状態で移載するにはこの凸部による半導体
ウェハの支持が不可欠になる。
In other words, in the soft landing method, the lateral shift is prevented by the convex portion provided on the substrate fork and supporting the side surface of the semiconductor wafer. Supporting the semiconductor wafer by the convex portions becomes indispensable.

【0005】しかし、半導体ウェハを載置するウェハボ
ートの支柱の位置によって、基板フォークは、ウェハボ
ートの支柱に衝突するため、半導体ウェハを完全に支持
して移載することができない。例えば、図6に示すよう
に3本足形状のウェハボートに移載する場合、半導体ウ
ェハは、基板フォークからはみ出した状態でしか、登載
することができない。
However, since the substrate fork collides with the support of the wafer boat depending on the position of the support of the wafer boat on which the semiconductor wafer is mounted, the semiconductor wafer cannot be completely supported and transferred. For example, when the wafer is transferred to a three-legged wafer boat as shown in FIG. 6, the semiconductor wafer can be mounted only in a state of protruding from the substrate fork.

【0006】バキュームチャック方法であれば吸気作用
によって、半導体ウェハを十分に保持できる。しかし、
ソフトランディング方法では、半導体ウェハを取り囲む
凸部がなければ、だだ基板フォーク上に載置しているだ
けで、移載時の震動等によって、半導体ウェハが基板フ
ォーク上で位置ずれをしたり、落下の原因になったりし
てしまい、うまくウェハボートに移載できないという問
題があった。
With the vacuum chuck method, the semiconductor wafer can be sufficiently held by the suction action. But,
In the soft landing method, if there is no convex portion that surrounds the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is simply placed on the substrate fork, and the semiconductor wafer may be displaced on the substrate fork due to vibration during transfer, There is a problem that it may be dropped and cannot be transferred onto the wafer boat properly.

【0007】この発明は、このような位置ずれの課題に
着目してなされたものであり、その目的はソフトランデ
ィング方法を採用した基板搬送装置において、ウェハボ
ートの支柱の位置に関係なく、確実に保持できる基板搬
送装置を提供するものである。
The present invention has been made by paying attention to the problem of such a positional deviation, and its object is to ensure that a substrate transfer apparatus adopting a soft landing method is irrelevant to the position of the support of the wafer boat. A substrate transfer device capable of holding the substrate is provided.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】半導体製造装置に使われ
る薄板状の基板を載置して搬送する基板搬送装置におい
て、薄板状の基板を載置して搬送する基板フォークと、
前記基板フォークに前記薄板状の基板の裏面を多点支持
する凸部と、前記基板フォークに前記薄板状の基板の側
面を多点支持する凸部と、前記基板フォークに前記薄板
状の基板が載置されるウェハボートの支柱との接触を回
避する切り欠き部を基板フォーク先端に設ける。
A substrate transfer apparatus for mounting and transferring a thin plate-shaped substrate used in a semiconductor manufacturing apparatus, and a substrate fork for mounting and transferring the thin plate-shaped substrate,
The substrate fork has a convex portion that supports the back surface of the thin plate-shaped substrate at multiple points, the convex portion that supports the side surface of the thin plate-shaped substrate at multiple points on the substrate fork, and the thin plate-shaped substrate at the substrate fork. A notch is provided at the tip of the substrate fork to avoid contact with the support of the wafer boat to be placed.

【作用】この発明は、基板フォークの本体に、ウェハボ
ートの支柱と衝突する部分に切り欠け部を設けることに
よって、半導体ウェハを基板フォークの先端まで保持で
きるから、移載時の震動等によっても、位置ずれを防止
することができる。
According to the present invention, since the semiconductor wafer can be held up to the tip of the substrate fork by providing a notch in a portion of the main body of the substrate fork which collides with the support of the wafer boat, the semiconductor wafer can be held even by vibration during transfer. The position shift can be prevented.

【0009】[0009]

【実施例】この発明を縦型熱処理装置に実施した一実施
例を、図面を参照して具体的に説明する。図1に示すよ
うに、縦型熱処理装置1は、被処理体として薄板状の基
板、例えば半導体ウェハを熱処理するために、次のよう
に構成している。まず、半導体ウェハを反応ガスと反応
させる容器として、耐熱材料、例えば石英ガラスを円筒
状に形成し、上端部を閉鎖し、下端部を開放した反応管
2が設けられている。この反応管2内には、半導体ウェ
ハ4を所定ピッチで多数枚積層搭載できる、耐熱材料、
例えば石英ガラス製のウエハボート3が設けられてい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus will be specifically described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the vertical heat treatment apparatus 1 is configured as follows in order to heat-treat a thin plate-shaped substrate, for example, a semiconductor wafer, as an object to be processed. First, as a container for reacting a semiconductor wafer with a reaction gas, there is provided a reaction tube 2 in which a heat-resistant material, for example, quartz glass is formed into a cylindrical shape, the upper end is closed, and the lower end is opened. In this reaction tube 2, a heat-resistant material capable of stacking and mounting a large number of semiconductor wafers 4 at a predetermined pitch,
For example, a wafer boat 3 made of quartz glass is provided.

【0010】そして、前記反応管2の外周には、半導体
ウェハ4を加熱するための発熱体、例えば抵抗加熱ヒー
タ5が設けられている。さらに、この抵抗加熱ヒータ5
の外周には断熱材6を介して、ステンレススチール製の
筒体状のアウターシェル7が設けられており、全体とし
て加熱炉を構成している。前記反応管2の一端に処理ガ
スを供給するためのガス導入管8が連結され、また、前
記反応管2の他端には処理ガスを排出するための排出管
9が連結され、この排出管9は図示しない排気装置に接
続され前記反応管2内を排気可能に構成している。
On the outer periphery of the reaction tube 2, a heating element for heating the semiconductor wafer 4, for example, a resistance heater 5 is provided. Furthermore, this resistance heater 5
An outer shell 7 made of stainless steel and having a cylindrical shape is provided on the outer periphery of the heat-insulating material 6 and constitutes a heating furnace as a whole. A gas introduction pipe 8 for supplying a processing gas is connected to one end of the reaction tube 2, and a discharge pipe 9 for discharging a processing gas is connected to the other end of the reaction tube 2, and this discharge pipe Reference numeral 9 is connected to an exhaust device (not shown) so that the inside of the reaction tube 2 can be exhausted.

【0011】そして、前記ウェハボート3は耐熱材料、
例えば石英よりなる保温筒10の上に載置され、この保
温筒10は耐熱材料、例えば石英よりなる蓋体11に載
置され、この蓋体11は昇降機構、例えばボートエレベ
ータ20により保持されて、前記ウェハボート3を前記
反応管2内の均熱領域にロード、アンロードできるよう
に構成している。前記反応管2の下部には、前記ウェハ
ボート3に半導体ウェハ4を移載するための、機構、例
えばウェハ移載機21が設けられている。
The wafer boat 3 is made of a heat-resistant material,
For example, it is placed on a heat insulating cylinder 10 made of quartz, and the heat insulating cylinder 10 is placed on a lid 11 made of a heat resistant material, for example, quartz, and the lid 11 is held by an elevating mechanism, for example, a boat elevator 20. The wafer boat 3 can be loaded and unloaded in the soaking area in the reaction tube 2. A mechanism, for example, a wafer transfer machine 21, for transferring the semiconductor wafers 4 to the wafer boat 3 is provided below the reaction tube 2.

【0012】次に、図2に半導体搬送装置部を示す。ウ
ェハ移積載機21は、半導体ウェハ4を載置する薄板状
の5枚の基板フォーク30を、昇降機構22によって上
下移動でき、回転機構23によって水平回転移動でき、
水平移動機構24によって水平方向に伸縮移動できるよ
うに構成されている。また、複数の半導体ウェハ4を収
納したキャリア31が、キャリア積載台32の上に載置
されている。
Next, FIG. 2 shows a semiconductor carrier device section. The wafer transfer machine 21 can vertically move five thin plate-like substrate forks 30 on which the semiconductor wafers 4 are placed by the elevating mechanism 22 and horizontally rotate by the rotating mechanism 23.
The horizontal movement mechanism 24 is configured to be capable of expanding and contracting in the horizontal direction. Further, a carrier 31 accommodating a plurality of semiconductor wafers 4 is placed on a carrier loading table 32.

【0013】そして、図3に示すように、前記ウェハ移
載機21は、5枚の前記基板フォーク30を重ねて所定
の間隔、例えば前記キャリア31の半導体ウェハ収納ピ
ッチである3/16インチ間隔で設けられている。そし
て、前記ウェハ移載機21は、モータ37の軸に張設さ
れたベルト38に接続され、モータ37の回転によっ
て、5枚の前記基板フォーク30を一度に水平方向に移
動させることができる。
Then, as shown in FIG. 3, the wafer transfer machine 21 is arranged such that five substrate forks 30 are overlapped with each other at a predetermined interval, for example, a 3/16 inch interval which is a semiconductor wafer accommodating pitch of the carrier 31. It is provided in. The wafer transfer machine 21 is connected to a belt 38 stretched around the shaft of a motor 37, and the rotation of the motor 37 can move the five substrate forks 30 horizontally at a time.

【0014】図4に示すように前記基板フォーク30
は、炭化シリコンやアルミナなどを使い、厚さ1.3m
m、長さ240m、幅40mmの長方形状に成形し、こ
の基板フォーク30の表面は、半導体ウェハ4が横ずれ
を起こさないように、半導体ウェハ4の周囲部分を支持
できるように凸部40を例えば4カ所設け、半導体ウェ
ハ4の裏面と接する部分に半導体ウェハ4のそりがあっ
ても、確実に半導体ウェハ4を保持するために凸部41
が成形されている。
As shown in FIG. 4, the substrate fork 30 is provided.
Is made of silicon carbide or alumina, and has a thickness of 1.3 m
m, a length of 240 m, and a width of 40 mm are formed into a rectangular shape, and the surface of the substrate fork 30 has a convex portion 40, for example, so as to support the peripheral portion of the semiconductor wafer 4 so that the semiconductor wafer 4 does not laterally shift. Even if there is a warp of the semiconductor wafer 4 provided at four places and in contact with the back surface of the semiconductor wafer 4, the convex portion 41 is provided to surely hold the semiconductor wafer 4.
Is molded.

【0015】また、前記基板フォーク30を取り付ける
穴部42が、長手方向の根本に4カ所設けられている。
一方、前記基板フォーク30の、長手方向の先端部に
は、例えば三本柱のウェハボート3の中心部にある支柱
43が、基板フォーク30からウェハボートに移載する
ときでも、基板フォーク30が支柱43に衝突しないよ
うに切欠部44が設けられている。
Further, four holes 42 for mounting the substrate fork 30 are provided at four positions at the base in the longitudinal direction.
On the other hand, at the tip of the substrate fork 30 in the longitudinal direction, for example, the column 43 at the center of the three-column wafer boat 3 is mounted on the substrate fork 30 even when it is transferred from the substrate fork 30 to the wafer boat. A notch 44 is provided so as not to collide with the column 43.

【0016】次に、以上のように構成した装置の動作に
ついて説明する。ウェハ移載機21は、基板フォーク3
0を昇降機機構22と回転機構23の所定の運動によっ
て、キャリア31の前方位置へ移動する。次に、前記基
板フォーク30は、ウェハ移載機21の前進水平移動に
よって、半導体ウェハ4間の所定位置に挿入する。そし
て、昇降機構22は、基板フォーク30を約2mm上昇
することによって、半導体ウェハ4を基板フォーク30
上にある4個の凸部40内で支持することができるよう
に載置する。
Next, the operation of the apparatus configured as described above will be described. The wafer transfer machine 21 includes the substrate fork 3
0 is moved to the front position of the carrier 31 by a predetermined motion of the elevator mechanism 22 and the rotation mechanism 23. Next, the substrate fork 30 is inserted into a predetermined position between the semiconductor wafers 4 by the forward horizontal movement of the wafer transfer machine 21. Then, the elevating mechanism 22 raises the substrate fork 30 by about 2 mm to move the semiconductor wafer 4 to the substrate fork 30.
It is placed so that it can be supported in the four convex portions 40 above.

【0017】次にウェハ移載機21は、後退水平移動を
行って、半導体ウェハ4をキャリア31から取り出し
て、昇降機構22と回転機構23の所定の動作によっ
て、ウェハボート3の前方へ移動する。次に、ウェハ移
載機21は、基板フォークをウェハ移載機21の前進水
平移動によって、ウェハボート3の方向へ前進する。こ
のとき、ウェハボート3の支柱43は、基板フォーク3
0の切欠部44内に位置され、ウェハボート3に設けら
れた図示しない溝部に半導体ウェハ4を嵌入させ、昇降
機構22によって基板フォーク30を2mm下降させる
と半導体ウェハ4は、ウェハボート3に載置できる。前
記操作を繰り返し行い、所望枚数の半導体ウェハ4をキ
ャリア31からウェハボート3へ移載する。
Next, the wafer transfer machine 21 performs a backward horizontal movement to take out the semiconductor wafer 4 from the carrier 31, and moves it to the front of the wafer boat 3 by a predetermined operation of the elevating mechanism 22 and the rotating mechanism 23. . Next, the wafer transfer device 21 advances the substrate fork toward the wafer boat 3 by the forward horizontal movement of the wafer transfer device 21. At this time, the support column 43 of the wafer boat 3 is attached to the substrate fork 3
When the semiconductor wafer 4 is fitted into a groove (not shown) provided in the wafer boat 3 and located in the notch 44 of 0, and the substrate fork 30 is lowered by 2 mm by the elevating mechanism 22, the semiconductor wafer 4 is mounted on the wafer boat 3. Can be placed. The above operation is repeated to transfer the desired number of semiconductor wafers 4 from the carrier 31 to the wafer boat 3.

【0018】次に、複数枚の半導体ウェハ4が収納され
たウェハボート3は、昇降機構22の上昇によって、前
記熱処理炉の反応管2内へ移動する。反応管2は予め抵
抗加熱ヒータ5によって、例えば1000℃に加熱され
ており、ガス供給管8から処理ガスが供給され、半導体
ウェハ4を熱処理する。半導体ウェハ4を処理した後の
高温処理済みガスは排出管9から図示しない排気装置に
よって排出する。
Next, the wafer boat 3 accommodating the plurality of semiconductor wafers 4 is moved into the reaction tube 2 of the heat treatment furnace by the raising and lowering mechanism 22. The reaction tube 2 is preheated to, for example, 1000 ° C. by the resistance heater 5, and the processing gas is supplied from the gas supply tube 8 to heat-treat the semiconductor wafer 4. The high-temperature processed gas after processing the semiconductor wafer 4 is exhausted from the exhaust pipe 9 by an exhaust device (not shown).

【0019】前記熱処理を終了した後、ボートエレベー
タ20の下降によって、半導体ウェハ4が熱処理炉の下
方に移動する。そして、半導体ウェハ4が所定の温度、
例えば50℃まで自然冷却された後、半導体ウェハ4を
キャリア31からウェハボート3に移載した場合とは、
逆の手順で熱処理終了された半導体ウェハ4をウェハボ
ート3からキャリア31に移載して、所定の熱処理が終
了する。
After the heat treatment is completed, the boat elevator 20 is lowered to move the semiconductor wafer 4 below the heat treatment furnace. Then, the semiconductor wafer 4 has a predetermined temperature,
For example, when the semiconductor wafer 4 is transferred from the carrier 31 to the wafer boat 3 after being naturally cooled to 50 ° C.,
The semiconductor wafer 4, which has been heat-treated in the reverse order, is transferred from the wafer boat 3 to the carrier 31, and the predetermined heat treatment is completed.

【0020】前記実施例で示したように、この実施例で
は基板フォーク30の先端部に切欠部44を設けたの
で、基板フォーク30とウェハボート3間での移載と
き、ウェハボート3の支柱43が衝突せずに、半導体ウ
ェハ4を基板フォーク30からウェハボート3に、又は
ウェハボート3から基板フォーク30に載置することが
できる。さらに、基板フォーク30に載置中に移載機2
1による水平方向や回転移動又は昇降機構22による上
下移動中の振動が加わっても、基板フォーク30にある
凸部40により横ズレを防止でき、落下事故をも防止す
ることができる。
As shown in the above-mentioned embodiment, since the notch 44 is provided at the tip of the substrate fork 30 in this embodiment, when the wafer is transferred between the substrate fork 30 and the wafer boat 3, the support of the wafer boat 3 is supported. The semiconductor wafer 4 can be placed on the wafer boat 3 from the substrate fork 30 or on the substrate fork 30 from the wafer boat 3 without the collision of 43. Further, the transfer machine 2 is mounted on the substrate fork 30 while being mounted.
Even if vibration is applied in the horizontal direction by 1 and rotational movement or vertical movement by the elevating mechanism 22, the lateral deviation can be prevented by the convex portion 40 on the substrate fork 30, and a fall accident can be prevented.

【0021】なお、この発明は前記実施例に限定され
ず、基板フォークに設ける切欠部44をウェハボートの
形状に合せ、凸部40を半導体ウェハ4の支持できる状
態で残すことにより、どのようなウェハボートの形状に
も対応することができる。また、半導体ウェハに限らず
液晶基板やガラス基板等の平板状の被搬送物を搬送する
装置であれば、どのような装置でも適用することができ
る。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but any kind of shape can be obtained by matching the notch portion 44 provided on the substrate fork with the shape of the wafer boat and leaving the convex portion 40 in a state capable of supporting the semiconductor wafer 4. The shape of the wafer boat can also be accommodated. Further, not only a semiconductor wafer but also any device can be applied as long as it is a device for carrying a flat object such as a liquid crystal substrate or a glass substrate.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
基板を基板フォークに載置するだけのソフトランディン
グ方式による搬送に対しても、基板を円滑に移載でき
る。
As described above, according to the present invention,
The substrate can be transferred smoothly even when it is conveyed by the soft landing method in which the substrate is simply placed on the substrate fork.

【0023】[0023]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明を縦型熱処理装置に適した全体の断面
図である。
FIG. 1 is an overall sectional view of the present invention suitable for a vertical heat treatment apparatus.

【図2】半導体搬送装置部の斜視説明図である。FIG. 2 is a perspective explanatory view of a semiconductor transfer device section.

【図3】図2のウェハ移載機の説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of the wafer transfer machine of FIG.

【図4】基板フォークの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a substrate fork.

【図5】基板フォークの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a substrate fork.

【図6】従来の基板フォークの斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a conventional substrate fork.

【0024】[0024]

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 縦型熱処理装置 2 反応管 3 ウェハボート 4 半導体ウェハ 20 ウェハ移載機 30 基板フォーク 40 凸部 41 凹部 43 支柱 44 切欠部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vertical heat treatment apparatus 2 Reaction tube 3 Wafer boat 4 Semiconductor wafer 20 Wafer transfer machine 30 Substrate fork 40 Convex portion 41 Recessed portion 43 Strut 44 Notched portion

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体製造装置に使われる薄板状の基板を載置して搬送
する基板搬送装置において、薄板状の基板を載置して搬
送する基板フォークと、前記基板フォークに前記薄板状
の基板の裏面を多点支持する凸部と、前記基板フォーク
に前記薄板状の基板の側面を多点支持する凸部と、前記
基板フォークに前記薄板状の基板が載置されるウェハボ
ートの支柱との接触を回避する切り欠き部を基板フォー
ク先端に設けたことを特徴とする基板搬送装置。
In a substrate transfer device for mounting and transferring a thin plate-shaped substrate used in a semiconductor manufacturing apparatus, a substrate fork for mounting and transferring the thin plate-shaped substrate and a back surface of the thin plate-shaped substrate are often mounted on the substrate fork. Avoid contact between the convex portion that supports the point, the convex portion that supports the side surface of the thin plate substrate on the substrate fork at multiple points, and the support of the wafer boat on which the thin plate substrate is mounted on the substrate fork. A substrate transfer device, wherein a cutout portion is provided at the tip of the substrate fork.
JP34757093A 1993-12-24 1993-12-24 Substrate transfer device and heat treatment device Expired - Lifetime JP3395799B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34757093A JP3395799B2 (en) 1993-12-24 1993-12-24 Substrate transfer device and heat treatment device

Applications Claiming Priority (1)

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JP34757093A JP3395799B2 (en) 1993-12-24 1993-12-24 Substrate transfer device and heat treatment device

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JPH07183359A true JPH07183359A (en) 1995-07-21
JP3395799B2 JP3395799B2 (en) 2003-04-14

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ID=18391118

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5718574A (en) * 1995-03-01 1998-02-17 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus
WO2000005761A1 (en) * 1998-07-24 2000-02-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wafer holding hand
JP2001035903A (en) * 1999-05-28 2001-02-09 Applied Materials Inc Assembly for wafer handling apparatus
KR100716299B1 (en) * 2005-12-20 2007-05-09 삼성전자주식회사 Transferring unit and supporting method for the workpiece
JP2008172241A (en) * 2007-01-11 2008-07-24 Applied Materials Inc High temperature robot end effector
WO2009099107A1 (en) * 2008-02-06 2009-08-13 Ulvac, Inc. Robot hand for substrate transportation

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5718574A (en) * 1995-03-01 1998-02-17 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus
WO2000005761A1 (en) * 1998-07-24 2000-02-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wafer holding hand
US6216883B1 (en) 1998-07-24 2001-04-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Wafer holding hand
JP2001035903A (en) * 1999-05-28 2001-02-09 Applied Materials Inc Assembly for wafer handling apparatus
JP4554765B2 (en) * 1999-05-28 2010-09-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Blades and blade assemblies for mechanical wafer handling equipment
KR100716299B1 (en) * 2005-12-20 2007-05-09 삼성전자주식회사 Transferring unit and supporting method for the workpiece
JP2008172241A (en) * 2007-01-11 2008-07-24 Applied Materials Inc High temperature robot end effector
WO2009099107A1 (en) * 2008-02-06 2009-08-13 Ulvac, Inc. Robot hand for substrate transportation
US8141926B2 (en) 2008-02-06 2012-03-27 Ulvac, Inc. Robot hand for substrate transfer
US8393662B2 (en) 2008-02-06 2013-03-12 Ulvac, Inc. Robot hand for substrate transfer

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