JPH11204019A - 酸化物陰極 - Google Patents
酸化物陰極Info
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- JPH11204019A JPH11204019A JP343598A JP343598A JPH11204019A JP H11204019 A JPH11204019 A JP H11204019A JP 343598 A JP343598 A JP 343598A JP 343598 A JP343598 A JP 343598A JP H11204019 A JPH11204019 A JP H11204019A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドナー密度を増大させ、かつエミッションの
寿命を長くすることができる酸化物陰極を提供する 【解決手段】 カップ２は帽子状に形成される。カップ
２の上を凹にしてできる空間全体には、基体金属を細い
線状に形成した基体金属線１が不規則的に折り曲げられ
て収められる。基体金属線１同士の間に生じた間隙には
炭酸塩３の粒子が分散して充填される。したがって、基
体金属線１と炭酸塩３とが接触する面積は増大するの
で、基体金属線１の中に含まれる還元剤と炭酸塩３とが
反応して生成されるフリーバリウム量は増大する。その
結果、高電流密度を得ることができる。また、高電流密
度が得られるので、該還元剤と炭酸塩３との反応によっ
て生じる中間層の電気抵抗は低くなる。よって、焼結を
防いでエミッションの寿命を長くすることができる。
寿命を長くすることができる酸化物陰極を提供する 【解決手段】 カップ２は帽子状に形成される。カップ
２の上を凹にしてできる空間全体には、基体金属を細い
線状に形成した基体金属線１が不規則的に折り曲げられ
て収められる。基体金属線１同士の間に生じた間隙には
炭酸塩３の粒子が分散して充填される。したがって、基
体金属線１と炭酸塩３とが接触する面積は増大するの
で、基体金属線１の中に含まれる還元剤と炭酸塩３とが
反応して生成されるフリーバリウム量は増大する。その
結果、高電流密度を得ることができる。また、高電流密
度が得られるので、該還元剤と炭酸塩３との反応によっ
て生じる中間層の電気抵抗は低くなる。よって、焼結を
防いでエミッションの寿命を長くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドナー密度を増大
させ、かつエミッションの寿命を長くすることができる
酸化物陰極に関する。
させ、かつエミッションの寿命を長くすることができる
酸化物陰極に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の酸化物陰極（カソードスリーブ）
では、帽子（キャップ）状に形成された基体金属が下を
凹にしてスリーブにかぶせられる。該基体金属の上表面
に三元炭酸塩（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＣＯ3 から成る被覆
層が形成される。該被覆層は、三元炭酸塩（Ｂａ，Ｓ
ｒ，Ｃａ）ＣＯ3 の粉末を吹き付け等によって被覆する
ことにより形成される。
では、帽子（キャップ）状に形成された基体金属が下を
凹にしてスリーブにかぶせられる。該基体金属の上表面
に三元炭酸塩（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＣＯ3 から成る被覆
層が形成される。該被覆層は、三元炭酸塩（Ｂａ，Ｓ
ｒ，Ｃａ）ＣＯ3 の粉末を吹き付け等によって被覆する
ことにより形成される。
【０００３】該基体金属はニッケルを主成分とし、不純
物を含む。この不純物としては例えばｗ，Ｓｉ，Ｍｇ，
Ｚｒ等の還元剤が用いられる。これらの還元剤を不純物
として該基体金属に含ませることで、フリーバリウムを
形成する反応を進行させ、電子放射を行うことができ
る。
物を含む。この不純物としては例えばｗ，Ｓｉ，Ｍｇ，
Ｚｒ等の還元剤が用いられる。これらの還元剤を不純物
として該基体金属に含ませることで、フリーバリウムを
形成する反応を進行させ、電子放射を行うことができ
る。
【０００４】このカソードスリーブは、真空中で加熱さ
れる。すると、被覆層中の三元炭酸塩は分解され、三元
酸化物（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏとなる。さらに加熱され
ると、該三元酸化物と該基体金属中に含まれる還元剤と
が該基体金属の界面で反応する。この反応によってドナ
ーとなるフリーバリウムが発生する。具体的には、基体
金属中を拡散して該基体金属の表面に浮上してきた還元
剤と三元酸化物とが徐々に反応することにより、ドナー
が生成される。このドナーから放出電子（エミッショ
ン）が取り出される。該ドナーの密度が大きいほどエミ
ッションも多く、陰極（カソード）は活性化される。エ
ミッションは０．５Ａ／ｃｍ2 以下の場合、２万時間以
上継続する。
れる。すると、被覆層中の三元炭酸塩は分解され、三元
酸化物（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏとなる。さらに加熱され
ると、該三元酸化物と該基体金属中に含まれる還元剤と
が該基体金属の界面で反応する。この反応によってドナ
ーとなるフリーバリウムが発生する。具体的には、基体
金属中を拡散して該基体金属の表面に浮上してきた還元
剤と三元酸化物とが徐々に反応することにより、ドナー
が生成される。このドナーから放出電子（エミッショ
ン）が取り出される。該ドナーの密度が大きいほどエミ
ッションも多く、陰極（カソード）は活性化される。エ
ミッションは０．５Ａ／ｃｍ2 以下の場合、２万時間以
上継続する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の酸化物陰極
では、ドナーは基体金属の表面のみで発生するため、ド
ナー密度を増大させるには限度がある。したがって、高
電流密度を必要とする高輝度または高精細度のＣＲＴ
に、上記従来の酸化物陰極を使用することができない。
では、ドナーは基体金属の表面のみで発生するため、ド
ナー密度を増大させるには限度がある。したがって、高
電流密度を必要とする高輝度または高精細度のＣＲＴ
に、上記従来の酸化物陰極を使用することができない。
【０００６】また、該基体金属中に含まれる還元剤と該
三元炭酸塩との反応では、フリーバリウムの他に中間生
成物（Ｂａ3 ＷＯ3 ，ＭｇＯ）も生じる。該フリーバリ
ウムから取り出された放出電子は上記三元炭酸塩から成
る被覆層および該中間生成物から成る層（中間層）中を
通過する。該中間層は電気抵抗を有し、この電気抵抗と
上記生成される放出電子数との間には、該放出電子数が
少ないほど電気抵抗が高くなるという関係がある。した
がって、従来の酸化物陰極では、高電流密度にしようと
してもドナー密度の増大に限度があるため、放出電子数
を増大させることが出来ない。よって、該中間層の電気
抵抗は高くなってしまう。この高い電気抵抗によってジ
ュール熱が発生する。該ジュール熱によって上記三元炭
酸塩から成る被覆層は加熱され、焼結（シンター）を引
き起こす。このため、エミッションの寿命が短くなって
しまう。
三元炭酸塩との反応では、フリーバリウムの他に中間生
成物（Ｂａ3 ＷＯ3 ，ＭｇＯ）も生じる。該フリーバリ
ウムから取り出された放出電子は上記三元炭酸塩から成
る被覆層および該中間生成物から成る層（中間層）中を
通過する。該中間層は電気抵抗を有し、この電気抵抗と
上記生成される放出電子数との間には、該放出電子数が
少ないほど電気抵抗が高くなるという関係がある。した
がって、従来の酸化物陰極では、高電流密度にしようと
してもドナー密度の増大に限度があるため、放出電子数
を増大させることが出来ない。よって、該中間層の電気
抵抗は高くなってしまう。この高い電気抵抗によってジ
ュール熱が発生する。該ジュール熱によって上記三元炭
酸塩から成る被覆層は加熱され、焼結（シンター）を引
き起こす。このため、エミッションの寿命が短くなって
しまう。
【０００７】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、ドナー密度を増大させ、
かつエミッションの寿命を長くすることができる酸化物
陰極を提供することにある。
れたものであり、その目的は、ドナー密度を増大させ、
かつエミッションの寿命を長くすることができる酸化物
陰極を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る酸化物陰極では、還元剤を含みニッケ
ルを主成分とする基体金属を線状に形成した基体金属線
と、帽子状に形成され、かつ該基体金属線が収められた
カップと、該カップに収められた該基体金属線の間隙に
充填された炭酸塩と、からなるエミッタを具備すること
を特徴とする。
め、本発明に係る酸化物陰極では、還元剤を含みニッケ
ルを主成分とする基体金属を線状に形成した基体金属線
と、帽子状に形成され、かつ該基体金属線が収められた
カップと、該カップに収められた該基体金属線の間隙に
充填された炭酸塩と、からなるエミッタを具備すること
を特徴とする。
【０００９】上記酸化物陰極では、線状に形成した基体
金属線の間隙に炭酸塩を充填する。したがって、該基体
金属線と該炭酸塩とが接触する面積が大きくなるので、
生成されるドナー量が増大する結果、ドナー密度を増大
させることができる。これにより高電流密度を得ること
ができる。
金属線の間隙に炭酸塩を充填する。したがって、該基体
金属線と該炭酸塩とが接触する面積が大きくなるので、
生成されるドナー量が増大する結果、ドナー密度を増大
させることができる。これにより高電流密度を得ること
ができる。
【００１０】また、上記のようにドナー密度を増大させ
ることができるので、該還元剤と該炭酸塩との反応で生
じる中間生成物から成る層（中間層）の電気抵抗を低く
することができる。すなわち、エミッタ自体の電気抵抗
を低くすることができるので、高電流密度になってもジ
ュール熱による温度上昇を防止することができる。よっ
て、該エミッタに焼結（シンター）が生じることを防い
でエミッションの寿命を長くすることができる。
ることができるので、該還元剤と該炭酸塩との反応で生
じる中間生成物から成る層（中間層）の電気抵抗を低く
することができる。すなわち、エミッタ自体の電気抵抗
を低くすることができるので、高電流密度になってもジ
ュール熱による温度上昇を防止することができる。よっ
て、該エミッタに焼結（シンター）が生じることを防い
でエミッションの寿命を長くすることができる。
【００１１】また、上記酸化物陰極では、還元剤を含み
ニッケルを主成分とする基体金属を線状に形成した基体
金属線を用いる。したがって、該基体金属線に含まれる
還元剤は拡散によって該基体金属線の表面に長時間かけ
て出てくる。よって、該還元剤と該基体金属線の間隙に
充填された炭酸塩とを長時間かけて徐々に反応させるこ
とができる。その結果、長時間ドナーを生成することが
できる。
ニッケルを主成分とする基体金属を線状に形成した基体
金属線を用いる。したがって、該基体金属線に含まれる
還元剤は拡散によって該基体金属線の表面に長時間かけ
て出てくる。よって、該還元剤と該基体金属線の間隙に
充填された炭酸塩とを長時間かけて徐々に反応させるこ
とができる。その結果、長時間ドナーを生成することが
できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１から図３は、本発明の
第１の実施の形態による酸化物陰極（カソードスリー
ブ）の製造工程を示す側断面図である。
施の形態について説明する。図１から図３は、本発明の
第１の実施の形態による酸化物陰極（カソードスリー
ブ）の製造工程を示す側断面図である。
【００１３】図１に示すように、カップ２は帽子状に形
成される。カップ２の上を凹にしてできる空間には基体
金属を細い線状に形成した基体金属線１が収められる。
成される。カップ２の上を凹にしてできる空間には基体
金属を細い線状に形成した基体金属線１が収められる。
【００１４】該基体金属は、ニッケルを主成分とし、不
純物を含む合金（以下「ベースメタル」という）であ
る。この不純物としては、例えばｗ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｚｒ
等の還元剤が用いられる。上記カップ２の材質は、ベー
スメタルと同じ材質が望ましい。ただし、エミッション
に悪い影響を及ぼさなければ他の材質でも良い。基体金
属線１は、例えばＮｉ−Ｗ−Ｍｇ，Ｎｉ−Ｍｇ−Ｓｉ等
の材質で形成される。
純物を含む合金（以下「ベースメタル」という）であ
る。この不純物としては、例えばｗ，Ｓｉ，Ｍｇ，Ｚｒ
等の還元剤が用いられる。上記カップ２の材質は、ベー
スメタルと同じ材質が望ましい。ただし、エミッション
に悪い影響を及ぼさなければ他の材質でも良い。基体金
属線１は、例えばＮｉ−Ｗ−Ｍｇ，Ｎｉ−Ｍｇ−Ｓｉ等
の材質で形成される。
【００１５】以下に、本発明の第１の実施の形態による
酸化物陰極（カソードスリーブ）の具体的な形成方法に
ついて説明する。
酸化物陰極（カソードスリーブ）の具体的な形成方法に
ついて説明する。
【００１６】まず、基体金属線１を作成する。上記ベー
スメタルを鍛造、引き抜き等の方法により、断面の直径
が例えば１０〜７０μｍφの細い線状体（細線状）に形
成する。この線状体（ベースメタル線状体）が基体金属
線１となる。
スメタルを鍛造、引き抜き等の方法により、断面の直径
が例えば１０〜７０μｍφの細い線状体（細線状）に形
成する。この線状体（ベースメタル線状体）が基体金属
線１となる。
【００１７】図１で示すように、この基体金属線１をカ
ップ２に収める。基体金属線１は、カップ２の上を凹に
してできる空間の形状に合わせて例えば不規則的に折り
曲げられ、カップ２の該空間全体に収められる。このよ
うにして、カップ２に収められた基体金属線１どおしの
間には、金属粉末焼結体のように間隙が生ずる。
ップ２に収める。基体金属線１は、カップ２の上を凹に
してできる空間の形状に合わせて例えば不規則的に折り
曲げられ、カップ２の該空間全体に収められる。このよ
うにして、カップ２に収められた基体金属線１どおしの
間には、金属粉末焼結体のように間隙が生ずる。
【００１８】次に、陰極剤を基体金属線１が収められた
カップ２に添加する。該陰極剤は、例えばアセトン１０
０ｍｌに対し、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａの比が５：４：１の三
元炭酸塩１００ｇをアルミナ製ボールミルポット等の粉
砕装置に入れて、少なくとも２時間ローリングすること
により作成する。このローリングは、平均粒径（混合炭
酸塩平均粒度）が４〜６μｍになるまで行われる。
カップ２に添加する。該陰極剤は、例えばアセトン１０
０ｍｌに対し、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａの比が５：４：１の三
元炭酸塩１００ｇをアルミナ製ボールミルポット等の粉
砕装置に入れて、少なくとも２時間ローリングすること
により作成する。このローリングは、平均粒径（混合炭
酸塩平均粒度）が４〜６μｍになるまで行われる。
【００１９】該陰極剤は、上記カップ２に添加されるこ
とによって該カップ２内に収められた基体金属線１の間
隙に浸漬される。その後、該陰極剤中の溶媒は気化する
ことによって除去される。その結果、図２に示すように
基体金属線１の間隙に炭酸塩３の粒子が分散して充填さ
れ、エミッタ４が完成する。該エミッタ４はスリーブ５
に挿入された後、溶接される。こうして図３に示すよう
に、酸化物陰極（カソードスリーブ）が完成する。
とによって該カップ２内に収められた基体金属線１の間
隙に浸漬される。その後、該陰極剤中の溶媒は気化する
ことによって除去される。その結果、図２に示すように
基体金属線１の間隙に炭酸塩３の粒子が分散して充填さ
れ、エミッタ４が完成する。該エミッタ４はスリーブ５
に挿入された後、溶接される。こうして図３に示すよう
に、酸化物陰極（カソードスリーブ）が完成する。
【００２０】完成された該カソードスリーブは、図示せ
ぬカソード支持体に固定される。該カソード支持体は、
図示せぬ各電極をマルチフォームガラスで融着した図示
せぬ電子銃の中に位置する。具体的には、図示せぬグリ
ッド（Ｇ１）電極の内面とカソード面との距離（ｄ０
１）が所定の寸法に調節された後、該カソードスリーブ
は図示せぬ該カソード支持体に溶接固定される。その
後、図示せぬステムインナーピンと図示せぬ各電極とを
リード線でつなぎ、電子銃として完成される。
ぬカソード支持体に固定される。該カソード支持体は、
図示せぬ各電極をマルチフォームガラスで融着した図示
せぬ電子銃の中に位置する。具体的には、図示せぬグリ
ッド（Ｇ１）電極の内面とカソード面との距離（ｄ０
１）が所定の寸法に調節された後、該カソードスリーブ
は図示せぬ該カソード支持体に溶接固定される。その
後、図示せぬステムインナーピンと図示せぬ各電極とを
リード線でつなぎ、電子銃として完成される。
【００２１】該電子銃は、図示せぬパネルとファンネル
とがフリットシールされたＣＲＴバルブに封止される。
その後、図示せぬ排気台にセットされ真空にされる。該
ＣＲＴバルブ内の真空度が１０-3〜１０-4Ｐａになった
ところで、図示せぬ高周波加熱装置によって、Ｇ３電極
〜Ｇ１電極にかけて５００〜８００℃に加熱される。こ
の加熱によって、各部分（パーツ）からのガス出しが行
われる。
とがフリットシールされたＣＲＴバルブに封止される。
その後、図示せぬ排気台にセットされ真空にされる。該
ＣＲＴバルブ内の真空度が１０-3〜１０-4Ｐａになった
ところで、図示せぬ高周波加熱装置によって、Ｇ３電極
〜Ｇ１電極にかけて５００〜８００℃に加熱される。こ
の加熱によって、各部分（パーツ）からのガス出しが行
われる。
【００２２】次に、ヒータに点火される。これにより上
記カソードスリーブ中の炭酸塩３が分解されて酸化物と
なる。この酸化物と基体金属線１中の還元剤とが反応す
ることにより、陰極（カソード）は分解・活性化され
る。その後、チップオフ、ゲッター、フラッシュ、ノッ
キング、及びエージングの工程を経てＣＲＴとして完成
される。
記カソードスリーブ中の炭酸塩３が分解されて酸化物と
なる。この酸化物と基体金属線１中の還元剤とが反応す
ることにより、陰極（カソード）は分解・活性化され
る。その後、チップオフ、ゲッター、フラッシュ、ノッ
キング、及びエージングの工程を経てＣＲＴとして完成
される。
【００２３】上記第１の実施の形態によれば、線状に形
成した基体金属線１の間隙に炭酸塩３を充填する。した
がって、基体金属線１と炭酸塩３とが接触する面積は増
大する。よって、基体金属線１の中に含まれる還元剤と
炭酸塩３とが反応して生成されるフリーバリウム量は増
大する。すなわち、ドナー密度が増大する結果、高電流
密度を得ることができる。
成した基体金属線１の間隙に炭酸塩３を充填する。した
がって、基体金属線１と炭酸塩３とが接触する面積は増
大する。よって、基体金属線１の中に含まれる還元剤と
炭酸塩３とが反応して生成されるフリーバリウム量は増
大する。すなわち、ドナー密度が増大する結果、高電流
密度を得ることができる。
【００２４】また、望ましくはカップ２を基体金属（ベ
ースメタル）と同様の材質で形成する。この場合には、
該基体金属と炭酸塩３とが接触する面積がより一層増大
する。このため、生成されるフリーバリウム量はさらに
増大する。よって、さらに高電流密度を得ることができ
る。
ースメタル）と同様の材質で形成する。この場合には、
該基体金属と炭酸塩３とが接触する面積がより一層増大
する。このため、生成されるフリーバリウム量はさらに
増大する。よって、さらに高電流密度を得ることができ
る。
【００２５】また、上記のようにドナー密度を増大させ
ることができるので、基体金属線１に含まれる還元剤と
炭酸塩３との反応で生じる中間生成物から成る層（中間
層）の電気抵抗を低くすることができる。すなわち、エ
ミッタ４自体の電気抵抗を低くすることができるので、
高電流密度になってもジュール熱による温度上昇を防止
することができる。よって、該エミッタ４に焼結（シン
ター）が生じることを防いでエミッションの寿命を長く
することができる。
ることができるので、基体金属線１に含まれる還元剤と
炭酸塩３との反応で生じる中間生成物から成る層（中間
層）の電気抵抗を低くすることができる。すなわち、エ
ミッタ４自体の電気抵抗を低くすることができるので、
高電流密度になってもジュール熱による温度上昇を防止
することができる。よって、該エミッタ４に焼結（シン
ター）が生じることを防いでエミッションの寿命を長く
することができる。
【００２６】また、還元剤を含みニッケルを主成分とす
る基体金属を線状に形成した基体金属線１を用いる。し
たがって、基体金属線１に含まれる該還元剤は、拡散に
よって基体金属線１の表面に長時間かけて出てくる。よ
って、該還元剤と基体金属線１とが長時間かけて徐々に
反応するので、長時間ドナーを生成することができる。
その結果、エミッションの寿命を延ばすことができる。
る基体金属を線状に形成した基体金属線１を用いる。し
たがって、基体金属線１に含まれる該還元剤は、拡散に
よって基体金属線１の表面に長時間かけて出てくる。よ
って、該還元剤と基体金属線１とが長時間かけて徐々に
反応するので、長時間ドナーを生成することができる。
その結果、エミッションの寿命を延ばすことができる。
【００２７】具体的には、従来の酸化物陰極では０．５
Ａ／ｃｍ2 の電流密度を超えるとエミッションの寿命を
２万時間保持できなかった。これと比較して、本発明の
実施の形態によれば、少なくとも１Ａ／ｃｍ2 以上の電
流密度でエミッションの寿命を２万時間保持することが
できる。
Ａ／ｃｍ2 の電流密度を超えるとエミッションの寿命を
２万時間保持できなかった。これと比較して、本発明の
実施の形態によれば、少なくとも１Ａ／ｃｍ2 以上の電
流密度でエミッションの寿命を２万時間保持することが
できる。
【００２８】また、本発明の実施の形態による酸化物陰
極を用いれば、従来の酸化物陰極と比べてコストが２倍
以上かかる含浸型陰極を用いずに済む。よって、安価で
長時間の高電流密度を得る酸化物陰極を提供することが
できる。
極を用いれば、従来の酸化物陰極と比べてコストが２倍
以上かかる含浸型陰極を用いずに済む。よって、安価で
長時間の高電流密度を得る酸化物陰極を提供することが
できる。
【００２９】また、基体金属線１の断面の直径及び長さ
を適宜変更し、または断面の直径を適宜変更した複数種
類の基体金属線１を形成することにより、フリーバリウ
ムの生成量を制御することができる。
を適宜変更し、または断面の直径を適宜変更した複数種
類の基体金属線１を形成することにより、フリーバリウ
ムの生成量を制御することができる。
【００３０】次に本発明の第２の実施の形態について説
明する。
明する。
【００３１】図４は、本発明の第２の実施の形態による
酸化物陰極（カソードスリーブ）の製造工程を示す側断
面図である。図１から図３に示した第１の実施の形態
中、同一の部材には同一の参照符号を付して説明する。
酸化物陰極（カソードスリーブ）の製造工程を示す側断
面図である。図１から図３に示した第１の実施の形態
中、同一の部材には同一の参照符号を付して説明する。
【００３２】図４（１）に示すように、基体金属線１１
を規則的な形状、例えば渦巻き状（ディスク状）に形成
する。該渦巻きの最大直径はカップ２の内径以下に形成
される。したがって、該渦巻き状に形成された基体金属
線１１をカップ２内にスムーズに収めることができる。
を規則的な形状、例えば渦巻き状（ディスク状）に形成
する。該渦巻きの最大直径はカップ２の内径以下に形成
される。したがって、該渦巻き状に形成された基体金属
線１１をカップ２内にスムーズに収めることができる。
【００３３】図４（２）に示すように、該渦巻き状に形
成された基体金属線１１は段重ねされる。その後図４
（３）に示すように、該基体金属線１１は、カップ２
内、すなわちカップ２の上を凹にしてできる空間に段重
ねされたまま敷き詰められる。基体金属線１１の形成方
法は、第１の実施の形態で述べたのと同様に、ベースメ
タルから鍛造、引き抜き等により線状体とした後、渦巻
き状に形成する。
成された基体金属線１１は段重ねされる。その後図４
（３）に示すように、該基体金属線１１は、カップ２
内、すなわちカップ２の上を凹にしてできる空間に段重
ねされたまま敷き詰められる。基体金属線１１の形成方
法は、第１の実施の形態で述べたのと同様に、ベースメ
タルから鍛造、引き抜き等により線状体とした後、渦巻
き状に形成する。
【００３４】次に、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａの比が５：４：１
の三元炭酸塩１００ｇをアセトン１００ｍｌと共に、ア
ルミナ製ボールミルポット等の粉砕装置に入れる。その
後、第１の実施の形態と同様に、混合炭酸塩平均粒度が
４〜６μｍになるまで少なくとも２時間ローリングする
ことにより陰極剤を作成する。該陰極剤を基体金属線１
１が収められたカップ２に添加することによって、基体
金属線１１の間隙に該陰極剤を浸漬させる。その後、該
陰極剤中の溶媒は除去される。こうして、基体金属線１
１の間隙に炭酸塩３の粒子が分散して充填されたエミッ
タが完成する。該エミッタは図示せぬスリーブに挿入さ
れ、酸化物陰極（カソードスリーブ）が完成する。
の三元炭酸塩１００ｇをアセトン１００ｍｌと共に、ア
ルミナ製ボールミルポット等の粉砕装置に入れる。その
後、第１の実施の形態と同様に、混合炭酸塩平均粒度が
４〜６μｍになるまで少なくとも２時間ローリングする
ことにより陰極剤を作成する。該陰極剤を基体金属線１
１が収められたカップ２に添加することによって、基体
金属線１１の間隙に該陰極剤を浸漬させる。その後、該
陰極剤中の溶媒は除去される。こうして、基体金属線１
１の間隙に炭酸塩３の粒子が分散して充填されたエミッ
タが完成する。該エミッタは図示せぬスリーブに挿入さ
れ、酸化物陰極（カソードスリーブ）が完成する。
【００３５】その後、第１の実施の形態と同様に、該カ
ソードスリーブは図示せぬ電子銃に組み込まれる。該電
子銃は、図示せぬパネルとファンネルとがフリットシー
ルされたＣＲＴバルブに封止された後、活性、ノッキン
グ、エージング等の過程を経てＣＲＴとして完成する。
ソードスリーブは図示せぬ電子銃に組み込まれる。該電
子銃は、図示せぬパネルとファンネルとがフリットシー
ルされたＣＲＴバルブに封止された後、活性、ノッキン
グ、エージング等の過程を経てＣＲＴとして完成する。
【００３６】上記第２の実施の形態においても、第１の
実施の形態と同様の効果を得ることができる。
実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３７】尚、上記第１及び第２の実施の形態では、
陰極剤としてＢａ：Ｓｒ：Ｃａ＝５：４：１の比率の三
元炭酸塩を用いているが、他の比率でもよい。
陰極剤としてＢａ：Ｓｒ：Ｃａ＝５：４：１の比率の三
元炭酸塩を用いているが、他の比率でもよい。
【００３８】また、陰極剤として炭酸バリウム、炭酸ス
トロンチウム、炭酸カルシウムの混合物を用いてもよ
い。
トロンチウム、炭酸カルシウムの混合物を用いてもよ
い。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、還
元剤を含みニッケルを主成分とする基体金属を線状に形
成した基体金属線の間隙に炭酸塩を充填する。したがっ
て、ドナー密度を増大させ、かつエミッションの寿命を
長くすることができる。
元剤を含みニッケルを主成分とする基体金属を線状に形
成した基体金属線の間隙に炭酸塩を充填する。したがっ
て、ドナー密度を増大させ、かつエミッションの寿命を
長くすることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による酸化物陰極の
製造工程を示す側断面図である。
製造工程を示す側断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による酸化物陰極の
製造工程を示す側断面図である。
製造工程を示す側断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による酸化物陰極の
側断面図である。
側断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態による酸化物陰極の
製造工程を示す側断面図である。
製造工程を示す側断面図である。
１，１１…基体金属線、２…カップ、３…炭酸塩、４…
エミッタ、５…スリーブ
エミッタ、５…スリーブ
Claims (1)
- 【請求項１】 還元剤を含みニッケルを主成分とする基
体金属を線状に形成した基体金属線と、帽子状に形成さ
れ、かつ該基体金属線が収められたカップと、該カップ
に収められた該基体金属線の間隙に充填された炭酸塩
と、からなるエミッタを具備することを特徴とする酸化
物陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP343598A JPH11204019A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 酸化物陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP343598A JPH11204019A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 酸化物陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204019A true JPH11204019A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11557293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP343598A Pending JPH11204019A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 酸化物陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019450B2 (en) | 2000-09-19 | 2006-03-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Cathode ray tube with a particle-particle cathode coating |
| DE10121442B4 (de) * | 2000-09-19 | 2010-04-08 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Kathodenstrahlröhre mit Oxidkathode |
-
1998
- 1998-01-09 JP JP343598A patent/JPH11204019A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019450B2 (en) | 2000-09-19 | 2006-03-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Cathode ray tube with a particle-particle cathode coating |
| DE10121442B4 (de) * | 2000-09-19 | 2010-04-08 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Kathodenstrahlröhre mit Oxidkathode |
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