JPH11201910A - Device for inspecting recessed part of laminated material and laser beam machining device - Google Patents

Device for inspecting recessed part of laminated material and laser beam machining device

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JPH11201910A
JPH11201910A JP320298A JP320298A JPH11201910A JP H11201910 A JPH11201910 A JP H11201910A JP 320298 A JP320298 A JP 320298A JP 320298 A JP320298 A JP 320298A JP H11201910 A JPH11201910 A JP H11201910A
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residual
resin
residual resin
concave portion
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祥瑞 竹野
Masaharu Moriyasu
雅治 森安
Mitsuki Kurosawa
満樹 黒澤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a recessed part inspecting device capable of speedily and easily detecting the state of a residual material remaining at the bottom part of a machined hole part in a laminated material such as a printed board in non-destructive inspection. SOLUTION: The machined hole part 6 of a printed board 21 is formed by a laser beam 20 by removing an epoxy resin 18. If a bottom part 6a is plated as a residual resin 22 remains there, and a blind via hole is formed, a layer of plating is peeled off from a copper foil 24 due to the residual resin 22, and a conduction failure occurs. For preventing this, it is necessary to detect the presence or absence of the residual resin 22 at the bottom part 6a and remove it if necessary. When the copper foil 24 is irradiated with exciting light 7, the residual resin 22 is excited to emit luminescence 8. Fluorescence in the luminescence 8 is detected by a CCD camera 11, and a detected image is processed by an image processing device 12 to detect the presence or absence, etc., of the residual resin 22. As the residual resin 22 radiates fluorescence, it is possible to detect the presence or absence of the residual resin 22.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆるプリント
基板と呼称される積層配線基板等の積層材料に対してレ
ーザビームを照射してブラインドバイアホール、溝等を
形成するようにされた凹設部を検査する積層材料の凹設
部検査装置、特に凹設部の底部に除去されずに残留する
残留材料の状況を破壊検査を行うことなく知ることがで
きるととに、残留材料の厚さの検出等を行うことができ
る積層材料の凹設部検査装置、及びこのような凹設部検
査装置を備えたレーザ加工装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a concave portion formed by irradiating a laminated material such as a so-called printed circuit board with a laser beam to form a blind via hole, a groove or the like. Inspection equipment for the concave portion of the laminated material for inspecting, in particular, the situation of the residual material remaining without being removed at the bottom of the concave portion can be known without performing a destructive inspection, and the thickness of the residual material can be known. The present invention relates to a laminated material concave portion inspection device capable of performing detection and the like, and a laser processing device provided with such a concave portion inspection device.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近の電子機器の高性能化に伴い、配線
の高密度化が要求されており、この要求を満たすにはプ
リント基板の多層化、小形化が要求されている。そのた
めにはブラインドバイアホール(以下BVHという)と
呼称される穴径150μm程度の層間導通接続用の微細
とまり穴の形成が必須となる。しかし、現状のドリル加
工では直径0.2mm以下の穴あけは困難であることに
加え、高密度プリント基板では絶縁層厚さが100μm
以下となり、この精度で深さ制御を行うことが困難なた
め、ドリル加工では微細BVHの形成は不可能である。
2. Description of the Related Art With the recent increase in the performance of electronic equipment, higher density wiring is required. To satisfy this demand, a multilayer printed circuit board and a smaller printed circuit board are required. For that purpose, it is essential to form a fine perforation hole called a blind via hole (hereinafter referred to as BVH) having a hole diameter of about 150 μm for interlayer conductive connection. However, it is difficult to drill a hole having a diameter of 0.2 mm or less in the current drilling process.
Since it is difficult to control the depth with this accuracy, it is impossible to form a fine BVH by drilling.

【0003】このドリル加工に代わるBVH形成法とし
て炭酸ガスレーザ、YAGレーザやエキシマレーザ等の
レーザビームを応用する方法が注目され、一部実用化さ
れている。これらの加工法のうち、炭酸ガスレーザによ
る加工法は、プリント基板を構成する絶縁基材である樹
脂やガラス繊維と導体層である銅に対する炭酸ガスレー
ザの光エネルギの吸収率の差を利用したものである。
As a BVH forming method replacing the drilling, a method using a laser beam such as a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, an excimer laser, etc., has attracted attention and has been partially put to practical use. Among these processing methods, the processing method using a carbon dioxide laser utilizes the difference in the absorptivity of the light energy of the carbon dioxide laser with respect to a resin or glass fiber as an insulating base material constituting a printed circuit board and copper as a conductor layer. is there.

【0004】図10〜図14は、従来のプリント基板の
BVH加工法を示すもので、図10は微細な貫通孔部を
加工する工程を説明する説明図、図11はBVHを形成
する凹設部を加工する加工方法を説明する説明図であ
る。図12は光学顕微鏡を備えたレーザ加工装置の構成
図、図13は光学顕微鏡の構成図、図14は照射された
光の反射の状況を説明するための説明図である。
FIGS. 10 to 14 show a conventional BVH processing method for a printed circuit board. FIG. 10 is an explanatory view for explaining a step of processing a fine through-hole portion, and FIG. 11 is a concave portion for forming a BVH. It is explanatory drawing explaining the processing method which processes a part. FIG. 12 is a configuration diagram of a laser processing apparatus provided with an optical microscope, FIG. 13 is a configuration diagram of an optical microscope, and FIG. 14 is an explanatory diagram for explaining a state of reflection of irradiated light.

【0005】例えば、銅は炭酸ガスレーザをほとんど反
射するので、図10(a)に示すようにプリント基板2
1の表面の銅箔24に必要な径の孔を穿孔するように銅
箔除去部36をエッチング等により形成し、この銅箔除
去部36に炭酸ガスレーザであるレーザビーム20を照
射することによって、プリント基板21を構成するエポ
キシ樹脂やガラス繊維を選択的に分解・除去して、図1
0(b)のようにプリント基板21を貫通する微細な加
工孔部37を形成することができる。
For example, since copper reflects most of a carbon dioxide gas laser, as shown in FIG.
The copper foil removing portion 36 is formed by etching or the like so as to form a hole of a required diameter in the copper foil 24 on the surface of the first surface, and the copper foil removing portion 36 is irradiated with a laser beam 20 which is a carbon dioxide gas laser. As shown in FIG. 1, the epoxy resin and the glass fiber constituting the printed circuit board 21 are selectively decomposed and removed.
A fine processing hole 37 penetrating the printed circuit board 21 can be formed as shown in FIG.

【0006】また、図11に示すようにプリント基板2
1の内部に内層の銅箔24を予め積層しておけばレーザ
ビーム20を照射したときのプリント基板21の分解・
除去は内層の銅箔24で停止するため、内層の銅箔24
で確実に停止するとまり穴加工部6(以下単に穴加工部
6という)を形成できる。しかし、このように内層の銅
箔24で停止すると穴加工部6を炭酸ガスレーザで加工
した場合、十分にレーザビームを照射しても厚さ1μm
以下の絶縁基材である樹脂やガラス繊維が内層の銅箔2
4上、すなわち穴加工部6の底部6aに残留してしま
う。
Further, as shown in FIG.
If the inner copper foil 24 is previously laminated inside the printed circuit board 1, the printed circuit board 21 can be disassembled / disassembled when the laser beam 20 is irradiated.
Since the removal stops at the inner layer copper foil 24, the inner layer copper foil 24
When the hole is securely stopped, the hole processing portion 6 (hereinafter simply referred to as the hole processing portion 6) can be formed. However, when stopping at the inner layer copper foil 24 in this way, when the hole processing portion 6 is processed with a carbon dioxide gas laser, even if the laser beam is sufficiently irradiated, the thickness is 1 μm.
The following insulating copper or resin is used as the inner layer of copper foil 2
4, that is, at the bottom 6 a of the hole processing portion 6.

【0007】このため、レーザ加工後、残留樹脂を過マ
ンガン酸などでエッチングして残留樹脂を完全に除去す
る必要がある。このとき、穴加工部6の穴径が100μ
m程度まで小さくなると、エッチング液が穴加工部6内
まで行き渡りにくくなる。このため、レーザ加工条件等
の不良で残留樹脂の厚さが厚くなると、エッチングによ
り残留樹脂を完全に除去できないと穴加工部6が発生し
やすい。この状態のままめっきを施しBVHを形成する
とめっき膜と内層の銅箔24の間に一部の樹脂が残留し
たままになる。
Therefore, after laser processing, it is necessary to completely remove the residual resin by etching the residual resin with permanganic acid or the like. At this time, the hole diameter of the hole processing portion 6 is 100 μm.
When the diameter is reduced to about m, it becomes difficult for the etchant to reach the inside of the hole processing portion 6. For this reason, if the thickness of the residual resin is increased due to poor laser processing conditions or the like, the hole processing portion 6 is likely to occur if the residual resin cannot be completely removed by etching. When plating is performed in this state to form a BVH, some resin remains between the plating film and the inner copper foil 24.

【0008】ここで、熱サイクル等により応力がかかる
と、クラックが発生し進展してめっき膜が剥がれてしま
う。めっき膜が剥がれると内層の銅箔24とめっき膜と
の間が不導通になり、製品不良となる。また、めっき膜
と内層の銅箔24の間に全面に亘って樹脂が残留してい
れば、最初から不導通で不良となる。このため、レーザ
加工後の残留樹脂の厚さを検査し、厚さが厚い場合はさ
らにレーザ加工を行い残留樹脂を除去することが必要と
なる。
Here, when stress is applied by a thermal cycle or the like, cracks are generated and propagate, and the plating film is peeled off. When the plating film is peeled off, the conduction between the inner copper foil 24 and the plating film becomes non-conductive, resulting in a product failure. Further, if the resin remains over the entire surface between the plating film and the inner layer copper foil 24, it becomes defective due to non-conduction from the beginning. For this reason, it is necessary to inspect the thickness of the residual resin after the laser processing, and when the thickness is large, further perform laser processing to remove the residual resin.

【0009】さらに、YAGレーザやエキシマレーザに
よる加工法があり、この加工法は1パルスでの除去深さ
が1μmオーダであることを利用したものである。これ
らの加工法では、1パルスの除去量が少ないため、加工
に必要なパルス数が多くなり加工中のエネルギ変動等の
外乱の影響が平均化される。このことを利用して、パル
ス数を適正に選択することで内層の銅箔24の近傍で停
止する穴加工部を均一に形成しようとするものである。
Further, there is a processing method using a YAG laser or an excimer laser. This processing method utilizes the fact that the removal depth per pulse is on the order of 1 μm. In these processing methods, since the removal amount of one pulse is small, the number of pulses required for processing increases, and the influence of disturbance such as energy fluctuation during processing is averaged. By taking advantage of this fact, the number of pulses is appropriately selected to uniformly form a drilled portion that stops near the inner copper foil 24.

【0010】しかし、YAGレーザやエキシマレーザに
よる加工法でも長時間周期でのエネルギ変動が生じた場
合には、炭酸ガスレーザと同様に厚さ1μm以下の樹脂
が内層の銅箔24上に残留してしまう場合が生じる。
[0010] However, when energy is changed over a long period of time even in a processing method using a YAG laser or an excimer laser, a resin having a thickness of 1 μm or less remains on the inner copper foil 24 like the carbon dioxide laser. In some cases.

【0011】このため、従来の積層材料のレーザ加工装
置は図12に示すように光学顕微鏡を具備し、穴加工部
6の検査を行っていた。しかし、日経サイエンス199
0年10月号第45ページに示されるような従来の光学
顕微鏡では、図12に示す穴加工部6の底部6aに10
μm程度以上の残留樹脂22が残った加工不良は検出で
きるが、上記のような数μm程度の残留樹脂22を検出
することが不可能であった。なお、プリント基板21
は、エポキシ樹脂18とガラスエポキシ19を有し、間
に銅箔24が設けられている。
For this reason, a conventional laser processing apparatus for a laminated material is equipped with an optical microscope as shown in FIG. However, Nikkei Science 199
In a conventional optical microscope as shown on page 45 of the October 2000 issue, 10 mm is formed at the bottom 6a of the hole processing portion 6 shown in FIG.
Although a processing defect in which the residual resin 22 of about μm or more remains can be detected, it is impossible to detect the residual resin 22 of about several μm as described above. The printed circuit board 21
Has an epoxy resin 18 and a glass epoxy 19, and a copper foil 24 is provided therebetween.

【0012】このため、現状では、めっき後、破壊検査
により穴加工部6を切断・研磨後、断面観察により残留
樹脂厚さの検査を行ったり、破壊検査の代りに検査用の
穴加工部6を別に設けて同様にこの穴加工部を切断・研
磨後、断面観察により残留樹脂厚さの検査を行ったりし
ていた。このため、検査に要する時間が著しく長くかか
った。この他の方法でも基板を非破壊で簡便に残留樹脂
を検出することはできなかった。
For this reason, under the present circumstances, after plating, the hole processing portion 6 is cut and polished by a destructive inspection, and then the residual resin thickness is inspected by cross-sectional observation, or the hole processing portion 6 for inspection is used instead of the destructive inspection. In the same way, after cutting and polishing the hole processing portion, the thickness of the residual resin was inspected by observing the cross section. Therefore, the time required for the inspection was significantly long. Even with this other method, it was not possible to easily detect the residual resin without destroying the substrate.

【0013】以下に従来の光学顕微鏡で残留樹脂を検出
できない理由について説明する。従来の光学顕微鏡は図
13に示すように構成されている。光源1から出た光学
顕微鏡の照明用の白色光38はビームスプリッタ25に
より対物レンズ5を経由してプリント基板21に照射さ
れる。プリント基板21からの反射光は対物レンズ5に
より拡大した倒立実像27を結像レンズ9の前方(図1
3の右方)に作り、この実像をCCD(固体撮像素子)
カメラ11で検出する。
Hereinafter, the reason why the residual resin cannot be detected by the conventional optical microscope will be described. A conventional optical microscope is configured as shown in FIG. The white light 38 for illumination of the optical microscope emitted from the light source 1 is applied to the printed board 21 via the objective lens 5 by the beam splitter 25. The reflected light from the printed circuit board 21 forms an inverted real image 27 enlarged by the objective lens 5 in front of the imaging lens 9 (FIG. 1).
3 (to the right of 3) and this real image
It is detected by the camera 11.

【0014】図12に戻って、この像を画像処理装置1
2により解析し、残留樹脂の有無を判定する。この判定
結果はレーザ発振器13と加工テーブル17を制御する
制御装置13に伝達され、残留樹脂22が所定厚さより
も多くある場合には、加工テーブル17を移動させるこ
とによりレーザビーム20を位置決めし、転写マスク1
4、位置決めミラー15、転写レンズ16を経てプリン
ト基板21にもう一度その穴加工部6にレーザ照射を行
い、残留樹脂22をさらに除去する。
Returning to FIG. 12, this image is
2 to determine the presence or absence of residual resin. This determination result is transmitted to the laser oscillator 13 and the control device 13 for controlling the processing table 17, and when the residual resin 22 is larger than a predetermined thickness, the laser beam 20 is positioned by moving the processing table 17, Transfer mask 1
4. The laser beam is again applied to the hole processing portion 6 of the printed circuit board 21 via the positioning mirror 15 and the transfer lens 16 to further remove the residual resin 22.

【0015】ここで、図14に示すように、光学顕微鏡
の照明光である白色光38が残留樹脂22の表面に照射
されると、一部は表面より反射光29として反射され、
その他は残留樹脂22を透過しての底部の銅箔24に達
し、反射光30としてほとんど反射される。従って、銅
箔24上の厚さの薄い残留樹脂22に対して、白色光3
8を照明光として照射すると、大部分の反射光は銅箔2
4から戻ってくる反射光30であるるため、残留樹脂2
2は見えない。
Here, as shown in FIG. 14, when white light 38, which is illumination light of an optical microscope, is irradiated on the surface of the residual resin 22, a part thereof is reflected as reflected light 29 from the surface.
Others reach the bottom copper foil 24 through the residual resin 22 and are almost reflected as reflected light 30. Accordingly, the white light 3 is applied to the thin residual resin 22 on the copper foil 24.
8 as illumination light, most of the reflected light is
4 is the reflected light 30 returning from the
2 is not visible.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】従来の積層材料の凹設
部検査装置である光学顕微鏡は以上のように構成されて
いるので、残留樹脂が薄い場合に検出ができないという
問題があった。この発明は、上記のような問題点を解消
するためになされたもので、非破壊で簡便に積層材料の
凹設部の底部に除去されずに残留する材料の状況を確実
に知ることができるとともに、残留する材料の厚さの検
出を行うことができる凹設部検査装置、及びこのような
凹設部検査装置を備えたレーザ加工装置を得ることを目
的とする。
The optical microscope, which is a conventional device for inspecting a recessed portion of a laminated material, is configured as described above, and has a problem that detection cannot be performed when the residual resin is thin. The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is possible to easily know the state of the material remaining without being removed at the bottom of the concave portion of the laminated material easily and nondestructively. It is another object of the present invention to obtain a concave portion inspection device capable of detecting the thickness of the remaining material and a laser processing device including such a concave portion inspection device.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の積層材料の凹設部検査装置においては、第
一の材料と第二の材料とを層状に形成した積層材料に加
工用レーザビーム照射装置によりレーザビームを照射し
て上記第一の材料を除去して形成される凹設部の底部に
除去されずに残留する上記第一の材料である残留材料に
照明光を照射する照明光照射装置を設けたものである。
残留材料に照明光を照射して残留材料からの光に基づい
て残留材料の状況を確実に知ることができる。
In order to achieve the above-mentioned object, in the apparatus for inspecting a concave portion of a laminated material according to the present invention, a first material and a second material are processed into a laminated material formed in layers. Irradiating a laser beam with a laser beam irradiating device for irradiating a residual material, which is the first material remaining without being removed at the bottom of the recess formed by removing the first material, An illumination light irradiation device is provided.
By irradiating the residual material with illumination light, it is possible to reliably know the state of the residual material based on the light from the residual material.

【0018】そして、照射光を照射された残留材料から
の光を検出する光検出装置を設けた。光検出装置を設け
ることにより、検出の機械化が可能となる。
Further, a light detection device for detecting light from the residual material irradiated with the irradiation light is provided. Provision of the light detection device enables mechanization of detection.

【0019】さらに、照明光照射装置を残留材料を励起
してルミネセンスを放出させる励起光を照射するものと
した。残留材料に励起光を照射してルミネセンスを放射
させ、このルミネセンスの目視による観察や機器による
測定により、破壊検査を行うことなく残留材料の状況を
確実に知ることができる。
Further, the illumination light irradiating device irradiates an excitation light for exciting the residual material to emit luminescence. The residual material is irradiated with excitation light to emit luminescence, and the status of the residual material can be surely known without performing a destructive inspection by visually observing the luminescence or measuring with a device.

【0020】また、照明光照射装置を残留材料を励起し
てルミネセンスを放出させる励起光を照射するものと
し、光検出装置を残留材料が放出するルミネセンスを検
出するものとした。このように光検出装置によりルミネ
センスを検出することにより、残留材料の状況を知るこ
とができる。
Further, the illumination light irradiating device is configured to irradiate excitation light for exciting the residual material to emit luminescence, and the light detecting device is configured to detect luminescence emitted from the residual material. As described above, the state of the residual material can be known by detecting the luminescence by the light detection device.

【0021】そして、照明光照射装置を残留材料に対す
る吸収係数が所定値以上である紫外光を照射するものと
し、光検出装置を凹設部の底部から反射される反射光を
検出するものとした。紫外光が残留材料の中を通過中に
吸収されるので、残留材料の厚さ及び吸収係数が大きい
ほど減少率が大きくなる。従って、残留材料の状況を感
度良く知るためには吸収係数が所定以上の紫外光を用い
て厚さに対する感度を確保するのがよい。
The illumination light irradiating device irradiates ultraviolet light having an absorption coefficient of a predetermined value or more with respect to a residual material, and the light detecting device detects reflected light reflected from the bottom of the concave portion. . Since ultraviolet light is absorbed while passing through the residual material, the greater the thickness and the absorption coefficient of the residual material, the greater the rate of reduction. Therefore, in order to know the state of the residual material with high sensitivity, it is preferable to secure the sensitivity to the thickness by using ultraviolet light having an absorption coefficient equal to or more than a predetermined value.

【0022】さらに、紫外光照射装置を、吸収係数が5
000/cm以上の紫外光を照射するものとした。吸収
係数が5000/cm以上の紫外光を用いると、残留材
料の膜厚0.2μmの場合に対し0.6μmの場合は反
射光強度が約20%減少する、すなわち底部の明るさが
約20%変化する。この程度変化すれば反射光検出装置
で容易に検出することができる。残留材料の膜厚が0.
2μm程度なら化学処理で除去できるため不良となら
ず、これが0.6μm程度を超えると化学処理で除去で
きなくなり不良となる場合が多くなるので、この差を容
易に検出できるようにしている。
Further, an ultraviolet light irradiator is used, and the absorption coefficient is 5
Irradiation of ultraviolet light of 000 / cm or more was performed. When an ultraviolet light having an absorption coefficient of 5000 / cm or more is used, the reflected light intensity is reduced by about 20% when the thickness of the residual material is 0.6 μm as compared with the case where the thickness of the residual material is 0.2 μm. %Change. If it changes to this extent, it can be easily detected by the reflected light detection device. The thickness of the residual material is 0.
If it is about 2 μm, it can be removed by the chemical treatment, so that no defect occurs. If it exceeds about 0.6 μm, it cannot be removed by the chemical treatment, and it often becomes defective. Therefore, this difference can be easily detected.

【0023】また、照明光照射装置を残留材料に対する
吸収係数が第一の所定値である第一の照射光と上記残留
材料に対する吸収係数が上記第一の所定値よりも小さい
第二の所定値である第二の照射光とを照射するものと
し、光検出装置を凹設部の底部から反射される上記第一
及び第二の照射光の各反射光に基づき上記残留材料の厚
さを検出するものとした。第一及び第二の照射光の残留
材料に対する吸収係数を異ならせ、残留材料の表面で反
射されるものが第一の反射光の過半を占め、第二の材料
の表面で反射されるものが第二の反射光の過半を占める
ようにすれば、第一及び第二の反射光から残留材料の表
面及び第二の材料の表面の位置を検出でき、この両表面
の位置の差から残留材料の厚さを知ることができる。
Also, the illumination light irradiating device may include a first irradiation light whose absorption coefficient for the residual material is a first predetermined value and a second predetermined value whose absorption coefficient for the residual material is smaller than the first predetermined value. And irradiate the second irradiation light, and the light detection device detects the thickness of the residual material based on each reflected light of the first and second irradiation lights reflected from the bottom of the concave portion. To do. The absorption coefficients of the first and second irradiation lights with respect to the residual material are made different, and those reflected on the surface of the residual material occupy a majority of the first reflected light, and those reflected on the surface of the second material are By occupying the majority of the second reflected light, the position of the surface of the residual material and the position of the surface of the second material can be detected from the first and second reflected light, and the residual material can be detected from the difference between the positions of the two surfaces. You can know the thickness of the.

【0024】そして、照明光照射装置として、加工用レ
ーザビーム照射装置のレーザビームを用いるものとし
た。照明光照射装置として加工用レーザビーム照射装置
を利用して、装置が安価になるようにしている。
Then, the laser beam of the processing laser beam irradiation device is used as the illumination light irradiation device. A laser beam irradiation device for processing is used as the illumination light irradiation device to reduce the cost of the device.

【0025】さらに、この発明におけるレーザ加工装置
は、上記各積層材料の凹設部検査装置の一つを備えたも
のである。このような積層材料の凹設部検査装置を備え
れば、凹設部の加工後破壊検査を行うことなく直ちに残
留材料の状況を知ることができ、必要に応じて再度残留
材料を除去する加工を行うことができる。
Further, the laser processing apparatus according to the present invention is provided with one of the above-described concave portion inspection devices for the laminated materials. With such a laminated material concave portion inspection device, it is possible to immediately know the state of the residual material without performing a destructive inspection after processing the concave portion, and if necessary, a process of removing the residual material again. It can be performed.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、この発明の
実施の一形態を図により説明する。図1、図2は本発明
の実施の一形態を示すもので、図1はである凹設部検査
装置(以下、単に検査装置という場合もある)を備えた
レーザ加工装置の構成を示す構成図、図2は凹設部に残
留樹脂があるときとないときの反射光強度を説明する説
明図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 show an embodiment of the present invention, and FIG. 1 shows a configuration of a laser processing apparatus provided with a recessed portion inspection device (hereinafter sometimes simply referred to as an inspection device). FIGS. 2A and 2B are explanatory diagrams for explaining the reflected light intensity when there is a residual resin in the recessed portion and when there is no residual resin.

【0027】図1において、積層材料であるプリント基
板21は層状に形成されたエポキシ樹脂18とガラスエ
ポキシ19とを有する。レーザ加工装置は、レーザ発振
器13として炭酸ガスレーザを用いている。レーザ発振
器13から出た加工用のレーザビーム20は、転写マス
ク14、位置決めミラー15、転写レンズ16を経てプ
リント基板21に照射され、エポキシ樹脂18を除去し
て所定の径を穴を穿設して穴加工部6を形成する。この
とき、上述のようにレーザビーム20を当てたにもかか
わらず穴加工部6の底部6aに除去されずに残留樹脂2
2が残留する場合がある。
In FIG. 1, a printed circuit board 21 which is a laminated material has an epoxy resin 18 and a glass epoxy 19 formed in layers. The laser processing apparatus uses a carbon dioxide laser as the laser oscillator 13. The processing laser beam 20 emitted from the laser oscillator 13 is applied to the printed board 21 via the transfer mask 14, the positioning mirror 15, and the transfer lens 16, and the epoxy resin 18 is removed to form a hole having a predetermined diameter. The hole processing part 6 is formed. At this time, even though the laser beam 20 is applied as described above, the residual resin 2
2 may remain.

【0028】なお、この実施の形態においては、照明光
として残留樹脂を励起させる紫外光を発生する光源1と
して水銀ランプを用いた。励起フィルタ3は、残留樹脂
22を励起する波長付近の紫外光である励起光7を主に
透過させるもので、330〜380nm付近に透過特性
を有するものを用いた。ダイクロイックミラー4は38
0nm以下は反射し400nm以上は透過する特性を有
するものを用いている。また、吸収フィルタ10は41
0nm以下の波長を吸収するフィルタを使用した。
In this embodiment, a mercury lamp is used as the light source 1 for generating ultraviolet light for exciting the residual resin as illumination light. The excitation filter 3 mainly transmits the excitation light 7, which is ultraviolet light having a wavelength near the wavelength at which the residual resin 22 is excited, and has a transmission characteristic around 330 to 380 nm. Dichroic mirror 4 is 38
A material having a characteristic of reflecting light at 0 nm or less and transmitting light at 400 nm or more is used. The absorption filter 10 has 41
A filter that absorbs a wavelength of 0 nm or less was used.

【0029】光源1から出た光は、励起フィルタ3、ダ
イクロイックミラー4、対物レンズ5を経由して、加工
後の穴加工部6の底部6aに照射される。励起フィルタ
3を通過した励起光7は、穴加工部6の底部6aの残留
樹脂22を励起させ蛍光を発生させる波長域とされてい
るので、残留樹脂22が存在する場合にはルミネセンス
8が発生する。このルミネセンス8は対物レンズ5と結
像レンズ9により主として蛍光波長の近傍の波長を透過
させる吸収フィルタ10を介してCCDカメラ11上に
像を結像する。この像を画像処理装置12により解析
し、残留樹脂22の有無を判定する。
The light emitted from the light source 1 passes through the excitation filter 3, the dichroic mirror 4, and the objective lens 5, and is applied to the bottom 6a of the processed hole processing portion 6. The excitation light 7 that has passed through the excitation filter 3 has a wavelength range in which the residual resin 22 at the bottom 6a of the hole processing portion 6 is excited to generate fluorescence. Occur. The luminescence 8 forms an image on the CCD camera 11 through the absorption filter 10 that mainly transmits a wavelength near the fluorescence wavelength by the objective lens 5 and the imaging lens 9. This image is analyzed by the image processing device 12 to determine the presence or absence of the residual resin 22.

【0030】この判定結果はレーザ発振器13と加工テ
ーブル17を制御する制御装置23に伝達され、残留樹
脂22の厚さが所定厚さよりも厚い場合には、加工テー
ブル17を移動させることによりレーザビーム20を位
置決めし、もう一度その穴加工部6にレーザ照射を行い
残留樹脂22をさらに除去する。
The result of this determination is transmitted to the laser oscillator 13 and a controller 23 for controlling the processing table 17. If the thickness of the residual resin 22 is larger than a predetermined thickness, the processing table 17 is moved to The laser beam is again radiated to the hole processing portion 6 to further remove the residual resin 22.

【0031】本実施の形態では、上記のように、レーザ
発振器13として炭酸ガスレーザを、励起光7を発生す
る光源1として水銀ランプを用い、供試品として穴加工
部6の底部6aの銅箔24上に部分的に厚さ1μm以下
のエポキシ樹脂の残留樹脂22が残留した穴加工部6
と、完全にエポキシ樹脂が除去されて銅箔24上に残留
樹脂が残存しない穴加工部6と、が混在したプリント基
板21をCCDカメラ11により観察した。
In the present embodiment, as described above, a carbon dioxide laser is used as the laser oscillator 13, a mercury lamp is used as the light source 1 for generating the excitation light 7, and a copper foil on the bottom 6 a of the drilled portion 6 is used as a test sample. A hole processing portion 6 in which a residual resin 22 of an epoxy resin having a thickness of 1 μm or less partially remains on
The printed circuit board 21 in which the epoxy resin was completely removed and the hole processing portion 6 where the residual resin did not remain on the copper foil 24 was observed by the CCD camera 11.

【0032】上記試料を観察した結果、エポキシ樹脂2
2が残留している穴加工部6は明るく、銅箔24が露出
している穴加工部6は暗い像が得られ、残留樹脂22を
像の明暗の目視により容易に判別することができた。な
お、観察はCCDカメラ11によらなくとも、残留材料
からの蛍光を直接目視して行ってもよい。
As a result of observing the above sample, the epoxy resin 2
The drilled portion 6 where 2 remained remained bright, and the drilled portion 6 where the copper foil 24 was exposed provided a dark image, and the residual resin 22 could be easily identified by visual observation of the brightness of the image. . Note that the observation may be performed without directly using the CCD camera 11 by directly observing the fluorescence from the residual material.

【0033】さらに、画像処理装置12により穴加工部
の円形の像33を図2に示すように予め定められた矩形
の区域34内の反射光強度xの平均Xが、予め設定され
た所定の反射光強度35よりも明るい場合は残留樹脂が
所定厚さより多く残留した穴加工部、反射光強度yの平
均Yが反射光強度35よりも暗い場合はエポキシの残留
が所定厚さより少ない穴加工部と判定することにし、穴
加工部を判別した結果、簡便にエポキシが所定厚さより
多く残留した穴加工部を判別できた。この判別は、画像
処理装置12で行った。なお、機械によらなくとも、目
視によっても判別が可能である。
Further, as shown in FIG. 2, the image processing device 12 converts the circular image 33 of the drilled portion into an average X of the reflected light intensities x in a predetermined rectangular area 34 as shown in FIG. When the light intensity is higher than the reflected light intensity 35, a hole-processed portion where the residual resin remains more than a predetermined thickness. When the average Y of the reflected light intensity y is lower than the reflected light intensity 35, the hole-processed portion where the epoxy remains less than the predetermined thickness. As a result of discriminating the drilled portion, it was possible to easily determine the drilled portion where the epoxy remained more than a predetermined thickness. This determination was performed by the image processing device 12. It should be noted that the determination can be made visually without using a machine.

【0034】なお、比較例1として、この供試品のプリ
ント基板21をめっき後、断面を研磨し、電子顕微鏡で
めっき層と銅箔の間に残留樹脂の有無を観察した。この
観察結果と本実施の形態で述べた画像処理装置12によ
り穴加工部の明暗で判定した結果とを比較したところ、
両方の結果はよく対応しており、本検査装置の妥当性が
検証された。
As Comparative Example 1, the printed circuit board 21 of this sample was plated, the section was polished, and the presence or absence of residual resin between the plating layer and the copper foil was observed with an electron microscope. Comparing this observation result with the result determined by the image processing device 12 described in the present embodiment based on the brightness of the drilled portion,
Both results corresponded well, and the validity of this inspection device was verified.

【0035】また、比較例2として、従来の手法と比較
するために、実施の形態1において照明光をエポキシ樹
脂の残留樹脂22を励起させることのない可視光とし
て、励起フィルタ3及びダイクロックミラー4を除き同
様の試験を行ったところ、穴加工部間で濃淡は発生せ
ず、残留樹脂量の大小あるいは残留の有無は検出できな
かった。
As a comparative example 2, the excitation filter 3 and the dichroic mirror were used as the illumination light in the first embodiment as visible light without exciting the residual resin 22 of the epoxy resin in order to compare with the conventional method. When the same test was performed except for No. 4, no shading occurred between the drilled portions, and it was not possible to detect the amount of the residual resin or the presence or absence of the residual resin.

【0036】以上のように、本発明によれば、非破壊で
簡便に銅箔24上の残留樹脂24を検出することが可能
となる。なお、残留樹脂22はエポキシ樹脂に限らず、
ポリイミド樹脂その他の樹脂であってもよく、樹脂の種
類に応じて適切な波長の励起光を照射することにより同
様に蛍光を放射するので、容易に判別することができ
る。
As described above, according to the present invention, the residual resin 24 on the copper foil 24 can be easily detected without destruction. Note that the residual resin 22 is not limited to the epoxy resin,
A polyimide resin or another resin may be used, and the fluorescent light is similarly emitted by irradiating excitation light having an appropriate wavelength in accordance with the type of the resin, so that it can be easily determined.

【0037】また、CCDカメラ11は可視光を対象に
しており、また目視に穴加工部6の明暗を判別すときの
目の保護のために、主に蛍光波長のみを通過させる吸収
フィルタ10を用いたが、吸収フィルタ10は必須のも
のではなく、例えばフォトダイオード等を使用する場合
は紫外線を含めたルミネセンスを検出可能であるので不
要である。
The CCD camera 11 is intended for visible light. In order to visually protect the eyes when determining the brightness of the hole processing portion 6, the CCD camera 11 is provided with an absorption filter 10 that mainly transmits only the fluorescence wavelength. Although used, the absorption filter 10 is not indispensable. For example, when a photodiode or the like is used, it is unnecessary because luminescence including ultraviolet rays can be detected.

【0038】実施の形態2.図3は本発明の他の実施の
形態を示す検査装置及びレーザ加工装置の構成図であ
る。図3において、レーザ発振器13として波長473
nmのYAGレーザの第二高調波を用いている。レーザ
発振器13は穴加工部6を加工するレーザビーム20
(図1参照)を発生するとともに穴加工部6の底部6a
に残留するエポキシ樹脂の残留樹脂22を励起するため
の励起光7を発生する。具体的には、レーザ発振器13
の出力を絞ることにより励起光7を発する図1の光源1
に相当するものとして用いる。
Embodiment 2 FIG. 3 is a configuration diagram of an inspection apparatus and a laser processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In FIG. 3, the wavelength 473 is used as the laser oscillator 13.
nm second harmonic of a YAG laser is used. The laser oscillator 13 is a laser beam 20 for processing the hole processing portion 6.
(See FIG. 1) and the bottom 6a of the drilled portion 6
The excitation light 7 for exciting the residual resin 22 of the epoxy resin remaining on the substrate is generated. Specifically, the laser oscillator 13
The light source 1 shown in FIG.
Used as equivalent to

【0039】穴加工部6を形成するときは、レーザ発振
器13の出力されたレーザビームは、ダイクロイックミ
ラー4により対物レンズ5を経由して、プリント基板2
1に照射され、穴加工部6を形成する。その後、加工後
の穴加工部6の底部6aに出力を10%程度に絞り励起
光7として照射する。この励起用のレーザ光を、穴加工
部6の残留樹脂22を励起させ蛍光を発生させる波長域
とすることで、残留樹脂22が存在する場合にはルミネ
センス8が発生する。なお、ダイクロイックミラー4
は、490nm以下は反射、505nm以上は透過する
特性を有するものを、吸収フィルタ10は520nm以
下の波長を吸収するフィルタを使用している。
When forming the hole processing portion 6, the laser beam output from the laser oscillator 13 passes through the objective lens 5 by the dichroic mirror 4, and
1 to form a drilled portion 6. Thereafter, the output is squeezed to the bottom 6a of the processed hole 6 to about 10% as excitation light 7. By setting the excitation laser beam to a wavelength range in which the residual resin 22 in the hole processing portion 6 is excited to generate fluorescence, the luminescence 8 is generated when the residual resin 22 exists. The dichroic mirror 4
The filter has a characteristic of reflecting light at 490 nm or less and transmitting light at 505 nm or more, and the absorption filter 10 uses a filter absorbing a wavelength of 520 nm or less.

【0040】このルミネセンス8は対物レンズ5と結像
レンズ9により蛍光波長の近傍の波長のみを透過させる
吸収フィルタ10を介してCCDカメラ11上に像を結
像する。この像の明暗を画像処理装置12により解析
し、残留樹脂22の有無や残留の程度を判定する。この
判定結果はレーザ発振器13と加工テーブル17を制御
する制御装置23に伝達され、残留樹脂22が所定厚さ
よりも多くある場合には、レーザ強度を増加させもう一
度その穴加工部6にレーザ照射を行い残留樹脂22をさ
らに除去する。
The luminescence 8 forms an image on a CCD camera 11 through an absorption filter 10 that transmits only a wavelength near a fluorescence wavelength by an objective lens 5 and an imaging lens 9. The brightness of the image is analyzed by the image processing device 12, and the presence or absence of the residual resin 22 and the degree of the residual resin 22 are determined. This determination result is transmitted to the control device 23 which controls the laser oscillator 13 and the processing table 17, and when the residual resin 22 is larger than a predetermined thickness, the laser intensity is increased and the laser beam is again irradiated to the hole processing portion 6 again. Then, the residual resin 22 is further removed.

【0041】本実施の形態では、上記のようにレーザ発
振器13として波長473nmのYAGレーザの第二高
調波を用いた。供試品として銅箔24上に部分的に厚さ
1μm以下のエポキシ樹脂が残留した穴加工部6と、完
全にエポキシ樹脂が除去されてエポキシ樹脂が残存しな
い穴加工部6と、が混在したプリント基板21を用い、
その穴加工部6の底部6aを観察した。上記供試品を観
察した結果、底部6aにエポキシ樹脂が残留している穴
加工部6は明るく、銅箔が露出している穴加工部6は暗
い像が得られ、残留樹脂22を明確に検出することがで
きた。
In the present embodiment, the second harmonic of the YAG laser having a wavelength of 473 nm is used as the laser oscillator 13 as described above. As a test sample, a hole processing part 6 in which an epoxy resin having a thickness of 1 μm or less partially remained on a copper foil 24 and a hole processing part 6 in which the epoxy resin was completely removed and no epoxy resin remained remained mixed. Using the printed circuit board 21,
The bottom 6a of the drilled portion 6 was observed. As a result of observing the test sample, the drilled portion 6 where the epoxy resin remains on the bottom 6a is bright, and the drilled portion 6 where the copper foil is exposed gives a dark image, and the residual resin 22 is clearly shown. Could be detected.

【0042】この穴加工部の像を図2に示すのと同様に
予め定められた区域内の反射光強度の平均が、予め設定
された反射光強度よりも明るい場合はエポキシが所定厚
さより多く残留した穴加工部、暗い場合はエポキシの残
留が所定厚さより少ない穴加工部と判定することとし、
穴加工部6の残留樹脂の有無や程度を判別した結果容易
にエポキシが所定厚さより多く残留した穴加工部を判別
できた。
As shown in FIG. 2, when the average of the reflected light intensity in the predetermined area is brighter than the predetermined reflected light intensity, the epoxy is larger than the predetermined thickness. The remaining hole processing part, if dark, it is determined that the hole processing part where the residual epoxy is less than the predetermined thickness,
As a result of determining the presence / absence and degree of the residual resin in the hole processing portion 6, it was possible to easily determine the hole processing portion where the epoxy remained more than a predetermined thickness.

【0043】なお、この供試品のプリント基板をめっき
後、断面を研磨し、電子顕微鏡で観察し、めっき層と銅
箔の間の残留樹脂の状況を観察した。この結果と本実施
の形態で述べた検査装置による判定結果との比較を行っ
たところ、両方の結果はよく対応しており、本検査装置
による判定の妥当性が検証された。
After plating the printed circuit board of this sample, the cross section was polished and observed with an electron microscope, and the state of the residual resin between the plating layer and the copper foil was observed. When this result was compared with the determination result by the inspection device described in the present embodiment, both results corresponded well, and the validity of the determination by the inspection device was verified.

【0044】実施の形態3.図4〜図7はさらにこの発
明の他の実施の形態を示すもので、図4は検査装置及び
レーザ加工装置の構成図、図5は反射の状況を説明する
ための説明図である。図7は残留材料の残留膜圧と反射
光強度の関係を示す特性図、図8は凹設部に残留樹脂が
あるときとないときの反射光強度を説明する説明図であ
る。
Embodiment 3 FIG. 4 to 7 show still another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a configuration diagram of an inspection device and a laser processing device, and FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining a state of reflection. FIG. 7 is a characteristic diagram showing the relationship between the residual film pressure of the residual material and the intensity of the reflected light, and FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining the intensity of the reflected light with and without the residual resin in the recessed portion.

【0045】これらの図において、光源1から照明用の
紫外光2を送出し、ビームスプリッタ25から対物レン
ズ5を経由してプリント基板21に照射する。プリント
基板21の穴加工部の底部(図4においては、図示を省
略)からの反射光32は対物レンズ5と結像レンズ9に
より照明用の紫外光2の近傍の波長のみを透過させるバ
ンドパスフィルタ31を介してCCDカメラ11に装着
されたイメージインテンシファイア26上に像27を結
像する。
In these figures, a light source 1 emits ultraviolet light 2 for illumination, and irradiates a printed circuit board 21 from a beam splitter 25 via an objective lens 5. The reflected light 32 from the bottom of the hole processing portion of the printed circuit board 21 (not shown in FIG. 4) is transmitted through the objective lens 5 and the imaging lens 9 to pass only a wavelength near the ultraviolet light 2 for illumination. An image 27 is formed on the image intensifier 26 mounted on the CCD camera 11 via the filter 31.

【0046】この像27が画像処理装置12で解析さ
れ、解析結果がCRT28に表示されるとともに、制御
装置23に解析結果が送られる。ここで、イメージイン
テンシファイア26は入射光強度を数万倍にも増強でき
るデバイスで、イメージインテンシファイア26に印加
する電圧を調整することで、ゲインを調整でき、入射光
強度の増強程度を変化させることが可能である。
The image 27 is analyzed by the image processing device 12, the analysis result is displayed on the CRT 28, and the analysis result is sent to the control device 23. Here, the image intensifier 26 is a device that can increase the intensity of incident light by tens of thousands of times. By adjusting the voltage applied to the image intensifier 26, the gain can be adjusted and the degree of enhancement of the incident light intensity can be reduced. It is possible to change.

【0047】ところで、図5に示すように、照明用の紫
外光2がプリント基板21の穴加工部の底部に残留する
残留樹脂22の表面に照射されると、一部は表面より樹
脂表面反射光29として反射され対物レンズ5(図4)
に達し、その他は残留樹脂22に吸収されつつ残留樹脂
22を透過して穴加工部の底部の銅箔24に達する。
By the way, as shown in FIG. 5, when the ultraviolet light 2 for illumination is applied to the surface of the residual resin 22 remaining at the bottom of the hole processing portion of the printed circuit board 21, a part of the resin surface is reflected from the surface. Reflected as light 29 and objective lens 5 (FIG. 4)
The others reach the copper foil 24 at the bottom of the drilled portion through the residual resin 22 while being absorbed by the residual resin 22.

【0048】銅箔24に到達した紫外光2は、一部は吸
収され、残りは銅箔表面反射光30として反射され、再
び残留樹脂22中を吸収されながら通過して残留樹脂2
2から出て対物レンズ5に達する。銅箔表面反射光30
が樹脂表面反射光29に比較して著しく大きい場合に
は、樹脂表面反射光29を検知することが困難となり、
樹脂表面は検出できない。すなわち、残留樹脂22は検
出できず、銅箔24を検知できるだけである。
The ultraviolet light 2 that has reached the copper foil 24 is partially absorbed and the rest is reflected as the copper foil surface reflected light 30 and passes through the residual resin 22 while being absorbed again.
2 and reaches the objective lens 5. Copper foil surface reflected light 30
Is significantly larger than the resin surface reflected light 29, it becomes difficult to detect the resin surface reflected light 29,
The resin surface cannot be detected. That is, the residual resin 22 cannot be detected, and only the copper foil 24 can be detected.

【0049】従って、残留樹脂22を検知するために
は、残留樹脂22の表面での残留樹脂反射光29が、銅
箔24の表面での銅箔反射光30よりも大きい光を使用
する必要がある。そこで、この実施の形態では、銅箔2
4に対する反射率が低い紫外光(反射率:約30%)を
照明光として用いた。なお、可視光は銅箔24に対する
反射率が70〜95%程度であり、上記紫外光の30%
よりもかなり高い。
Therefore, in order to detect the residual resin 22, it is necessary to use light in which the residual resin reflected light 29 on the surface of the residual resin 22 is larger than the copper foil reflected light 30 on the surface of the copper foil 24. is there. Therefore, in this embodiment, the copper foil 2
Ultraviolet light (reflectance: about 30%) having a low reflectance for No. 4 was used as illumination light. The visible light has a reflectance of about 70 to 95% with respect to the copper foil 24, and 30% of the ultraviolet light.
Much higher than.

【0050】今、残留樹脂に対する吸収係数がα/cm
で強度Kの紫外光2が残留樹脂22に入射すると仮定す
る。紫外光2に対する残留樹脂22の吸収係数がα/c
mであるから、残留樹脂22の表面から深さzの地点で
の紫外光の強度J(z)は J(z)=K・exp(−α・z) (1) で表される。
Now, the absorption coefficient for the residual resin is α / cm
It is assumed that the ultraviolet light 2 having the intensity K is incident on the residual resin 22. The absorption coefficient of the residual resin 22 for the ultraviolet light 2 is α / c
m, the intensity J (z) of the ultraviolet light at a depth z from the surface of the residual resin 22 is expressed by J (z) = Kexp (-αz) (1)

【0051】紫外光2に対する残留樹脂22の表面での
反射率を約10%とすると、樹脂表面反射光29の強度
Aは、次のようになる。 A=0.1K (2) また、残留樹脂22中に入射する入射光の強度Bは、 B=0.9K (3) となる。従って、厚さd(cm)の残留樹脂22中を減
衰しながら通過し銅箔24の表面に到達した紫外光2の
強度Cは、 C=0.9K・exp(−α・d) (4) となる。
Assuming that the reflectance of the surface of the residual resin 22 with respect to the ultraviolet light 2 is about 10%, the intensity A of the resin surface reflected light 29 is as follows. A = 0.1K (2) Further, the intensity B of the incident light incident on the residual resin 22 is B = 0.9K (3). Accordingly, the intensity C of the ultraviolet light 2 that has passed through the residual resin 22 having a thickness of d (cm) while attenuating and has reached the surface of the copper foil 24 is: C = 0.9 K · exp (−α · d) (4) ).

【0052】そして、銅箔24の表面での銅箔表面反射
光30の強度Dは、銅箔24の表面での反射率は30%
程度であるため、次のようになる。 D=0.9K・{exp(−α・d)}・0.3 (5) この反射された光が、さらに残留樹脂22中を減衰しな
がら通過して残留樹脂22の表面から銅箔表面反射光3
0と出ていく。この銅箔表面反射光30の強度Eは、厚
さdの残留樹脂22中でさらに上記(5)式の値よりも
exp(−α・d)だけ減衰し、 E=0.9K・{exp(−2α・d)}・0.3 (6) となる。
The intensity D of the copper foil surface reflection light 30 on the surface of the copper foil 24 is such that the reflectance on the surface of the copper foil 24 is 30%.
It is as follows. D = 0.9K · {exp (−α · d)} · 0.3 (5) The reflected light further passes through the residual resin 22 while attenuating, and from the surface of the residual resin 22 to the copper foil surface Reflected light 3
It goes out with 0. The intensity E of the copper foil surface reflected light 30 is further attenuated by exp (−α · d) in the residual resin 22 having the thickness d from the value of the above equation (5), and E = 0.9 K · {exp (−2α · d)} · 0.3 (6)

【0053】穴加工部の底部からの反射光強度Rは、銅
箔24から銅箔表面反射光30と樹脂表面反射光29の
和であるから R=A+E (7) となる。図6に残留樹脂の残留膜厚tと反射光強度Rの
関係をいくつかの吸収係数αについて示す。この曲線の
傾きが大きいものほど残留膜厚の変化に伴い穴加工部の
底部の明るさが大きく変化することになる。
The reflected light intensity R from the bottom of the drilled portion is the sum of the copper foil surface reflected light 30 and the resin surface reflected light 29 from the copper foil 24, so that R = A + E (7). FIG. 6 shows the relationship between the residual film thickness t of the residual resin and the reflected light intensity R for some absorption coefficients α. The greater the slope of this curve, the more the brightness at the bottom of the drilled portion changes with the change in the residual film thickness.

【0054】残留膜厚が0.2μm程度なら化学処理で
除去できるため不良とならない。これが0.6μm程度
を超えると化学処理で除去できなくなり不良となる場合
が多くなる。この膜厚の差による反射光強度の変化を機
械で検知するには、例えばCCDカメラ11、画像処理
装置12にて検知するには20%程度以上の反射光強度
Rの変化が必要である。すなわち、残留膜厚0.2μm
のときの反射光強度と残留膜厚0.6μmのときの反射
光強度との差が0.2(20%)生ずるためには、図6
より吸収係数α≧5000/cm程度が必要条件とな
る。図6によれば、吸収係数α=5000/cmのと
き、残留膜厚0.2μmでの反射光強度は約0.32、
残留膜厚0.6μmのときの反射光強度は約0.25で
あり、0.25/0.32=0.78となり20%強の
変化があることになる。
If the residual film thickness is about 0.2 μm, it can be removed by a chemical treatment, so that no defect occurs. If it exceeds about 0.6 μm, it cannot be removed by the chemical treatment, resulting in many cases of failure. In order to detect the change in the reflected light intensity due to the difference in the film thickness by a machine, for example, to detect the change in the reflected light intensity R by about 20% or more, the CCD camera 11 and the image processing device 12 need to detect the change. That is, the residual film thickness is 0.2 μm
In order for the difference between the reflected light intensity in the case of (1) and the reflected light intensity in the case of the residual film thickness of 0.6 μm to be 0.2 (20%), it is necessary to use FIG.
More necessary is an absorption coefficient α ≧ 5000 / cm. According to FIG. 6, when the absorption coefficient α = 5000 / cm, the reflected light intensity at the residual film thickness of 0.2 μm is about 0.32,
The reflected light intensity when the residual film thickness is 0.6 μm is about 0.25, and 0.25 / 0.32 = 0.78, which means that there is a change of more than 20%.

【0055】上記検討を基に、本実施の形態において、
照明光を発生する光源1として波長337nmの紫外光
2を発生する窒素レーザを用い、供試品のプリント基板
21として銅箔24上に厚さ約1μmと約0.4μmの
ポリイミド樹脂が残留した穴加工部が混在したプリント
基板を用いた。なお、本実施の形態で用いた波長337
nmの紫外光のポリイミド樹脂に対する吸収係数は約8
000/cmである。また、バンドパスフィルタ31と
して337nm付近のバンドパス幅10nmのフィルタ
を用いた。
Based on the above examination, in the present embodiment,
A nitrogen laser that generates ultraviolet light 2 having a wavelength of 337 nm was used as a light source 1 that generates illumination light, and a polyimide resin having a thickness of about 1 μm and a thickness of about 0.4 μm remained on a copper foil 24 as a sample printed circuit board 21. A printed circuit board with a mixture of holes was used. Note that the wavelength 337 used in this embodiment is used.
The absorption coefficient of UV light of 10 nm to polyimide resin is about 8
000 / cm. Further, a filter having a band pass width of 10 nm around 337 nm was used as the band pass filter 31.

【0056】本実施の形態の検査装置を用いて上記プリ
ント基板21を検査した結果、イメージインテンシファ
イア26のゲインを調節することにより、ポリイミドが
約1μm残留している穴加工部は暗く、約0.4μm残
留した穴加工部は明るい像が得られた。
As a result of inspecting the printed circuit board 21 using the inspection apparatus of the present embodiment, by adjusting the gain of the image intensifier 26, the hole processing portion where the polyimide remains about 1 μm is dark, and A bright image was obtained in the hole processed portion where 0.4 μm remained.

【0057】この穴加工部の像33を図7に示すように
予め定めた区域34の反射光uの強度の平均Uが、予め
定められた所定の反射光の強度レベル35よりも明るい
場合はポリイミドが約0.4μm残留した穴加工部と判
定し、反射光vの強度の平均Vが、反射光の強度レベル
35よりも暗い場合はポリイミドが約1μm残留した穴
加工部と判定することとし、穴加工部を判別した結果、
ポリイミドが1μm残留した穴加工部を容易に判別でき
た。この判別は、インテンシィファイア26の像を解析
する画像処理装置12で行った。
As shown in FIG. 7, when the average U of the intensity of the reflected light u in the predetermined area 34 is higher than the predetermined intensity 35 of the reflected light, as shown in FIG. It is determined that the hole is a hole processed portion where the polyimide remains about 0.4 μm, and when the average V of the intensity of the reflected light v is darker than the intensity level 35 of the reflected light, it is determined that the polyimide is a hole processed portion where the polyimide remains about 1 μm. , As a result of discriminating the hole machining part,
The drilled portion where 1 μm of the polyimide remained could be easily identified. This determination was performed by the image processing device 12 that analyzes the image of the intensifier 26.

【0058】なお、このプリント基板をめっき後、断面
を研磨し、電子顕微鏡で観察したところ、めっき層と銅
箔の間に残留樹脂部分が観察された。この観察結果と本
実施の形態で述べた検査装置での結果との比較を行った
ところ、両方の結果は100%対応しており、本検査装
置による検出の妥当性が検証された。
After plating the printed circuit board, the cross section was polished and observed with an electron microscope. As a result, a residual resin portion was observed between the plating layer and the copper foil. When the observation results were compared with the results of the inspection device described in the present embodiment, both results corresponded to 100%, and the validity of the detection by the inspection device was verified.

【0059】また、比較例1として、従来の手法と比較
するために、図4の光源1を可視光として、バンドパス
フィルタ31を除いて同様の試験を行ったところ、イメ
ージインテンシファイア26のゲインを調整しても残留
樹脂22の厚い薄いで穴加工部の底部の明るさに変化は
なく、残留樹脂厚さの大小を検出できなかった。
As a comparative example 1, the same test was performed except that the band-pass filter 31 was used with the light source 1 shown in FIG. Even if the gain was adjusted, the brightness of the bottom portion of the drilled portion did not change because the residual resin 22 was thick and thin, and the magnitude of the residual resin thickness could not be detected.

【0060】さらに、比較例2として、この実施の形態
において、窒素レーザを用いず、ポリイミドに対する吸
収係数が約4000/cmである波長442nmの光を
発生するHe−Cdレーザを用い、バンドパスフィルタ
もこの波長用に交換して同様の試験を行ったところ、判
別はできたものの、断面観察での結果との一致率は80
%まで低下していた。すなわち、吸収係数が約4000
/cmでは判別の精度が低くなる。
Further, as Comparative Example 2, a band-pass filter using a He-Cd laser which generates light at a wavelength of 442 nm having an absorption coefficient for polyimide of about 4000 / cm without using a nitrogen laser in this embodiment was used. When the same test was performed with this wavelength changed, the discrimination was successful, but the coincidence rate with the cross-sectional observation result was 80%.
%. That is, the absorption coefficient is about 4000
/ Cm lowers the accuracy of the discrimination.

【0061】なお、ポリイミド以外の樹脂の場合も、そ
の樹脂に応じて吸収係数が5000/cm以上になるよ
うな波長の光を選べばよい。以上のように、本発明によ
れば、非破壊で簡便に銅箔24上の残留樹脂22の残留
厚さを検出することが可能となる。
In the case of a resin other than polyimide, light having a wavelength such that the absorption coefficient becomes 5000 / cm or more may be selected according to the resin. As described above, according to the present invention, the residual thickness of the residual resin 22 on the copper foil 24 can be easily detected nondestructively.

【0062】実施の形態4.図8、図9は、さらにこの
発明の他の実施の形態を示すもので、図8は検査装置及
びレーザ加工装置の動作を説明するための説明図、図9
は焦点位置がずれた場合の光の通路を説明する説明図で
ある。図8において、光源1は照明用の光として紫外光
2(図8(a))と白色光38(図8(b))とを切換
えて発生しうるようにされている。まず、紫外光2の場
合、図8(a)のように、光源1の前におかれたピンホ
ール板39aから出射した紫外光2はビームスプリッタ
25により対物レンズ5を経由して、残留樹脂22の表
面に照射される。このとき、残留樹脂22上で焦点が結
ぶようにプリント基板21が設置された場合、残留樹脂
22の表面からの反射光32aは対物レンズ5により、
光検出器40の前に設置されたピンホール板39bの位
置に焦点を結び、ピンホール板39bを通過して光電検
出器40で検知される。
Embodiment 4 8 and 9 show still another embodiment of the present invention. FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining the operation of the inspection device and the laser processing device.
FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining a light path when the focal position is shifted. In FIG. 8, a light source 1 can be generated by switching between ultraviolet light 2 (FIG. 8A) and white light 38 (FIG. 8B) as illumination light. First, in the case of the ultraviolet light 2, as shown in FIG. 8A, the ultraviolet light 2 emitted from the pinhole plate 39a placed in front of the light source 1 passes through the objective lens 5 by the beam splitter 25 and passes through the residual resin. Irradiation is performed on the surface 22. At this time, when the printed circuit board 21 is set so as to be focused on the residual resin 22, the reflected light 32 a from the surface of the residual resin 22 is reflected by the objective lens 5.
The focus is on the position of the pinhole plate 39b provided in front of the photodetector 40, and the light passes through the pinhole plate 39b and is detected by the photoelectric detector 40.

【0063】この紫外光2による光学系では光源1側の
ピンホール板39aにより生じた点光源と光電検出器4
0側のピンホール板39bが対物レンズ5に対して共役
の位置関係にある。このような光学系を共焦点光学系と
呼ぶ。共焦点光学系の場合、図9に示すように試料であ
る残留樹脂22上で焦点がずれると、反射光32aは光
電検出器40側のピンホール板39bの手前で大きくぼ
けてしまい、ピンホール板39bを通過できない。
In the optical system using the ultraviolet light 2, the point light source generated by the pinhole plate 39 a on the light source 1 side and the photoelectric detector 4
The pinhole plate 39b on the 0 side has a conjugate positional relationship with the objective lens 5. Such an optical system is called a confocal optical system. In the case of the confocal optical system, if the focus is shifted on the residual resin 22 as the sample as shown in FIG. 9, the reflected light 32a is largely blurred before the pinhole plate 39b on the photoelectric detector 40 side, and It cannot pass through the plate 39b.

【0064】このように、光電検出器40は残留樹脂2
2上に焦点が合った場合のみ反射光32aを検出できる
ため、焦点位置を正確に検出できる。なお、焦点位置の
調節は、プリント基板21を載せた加工テーブル17
(図1参照)を図8の左右方向に動かすことにより行
う。
As described above, the photoelectric detector 40 has the residual resin 2
Since the reflected light 32a can be detected only when the focus is on the focal point 2, the focal position can be accurately detected. The adjustment of the focal position is performed on the processing table 17 on which the printed circuit board 21 is placed.
(See FIG. 1) in the left-right direction of FIG.

【0065】ここで、紫外光2の反射光32aは、図5
に示すように樹脂表面反射光29と銅箔表面反射光30
の2種類がある。紫外光で少なくとも樹脂表面を検出す
るためには、樹脂表面反射光29の強度Aが入射強度の
10%しかないため、銅箔表面反射光30の強度Eを樹
脂表面反射光29の強度A以下としなければならない。
従って、実施の形態3に述べた(2)式、(6)式にお
いて、A≧Eとなるようにするためには、残留樹脂厚さ
dを1μmとして吸収係数α≧5000/cmが必要条
件となる。
Here, the reflected light 32a of the ultraviolet light 2 is shown in FIG.
As shown in the figure, the resin surface reflected light 29 and the copper foil surface reflected light 30
There are two types. In order to detect at least the resin surface with ultraviolet light, the intensity A of the resin surface reflected light 29 is only 10% of the incident intensity. And must be.
Therefore, in order to satisfy A ≧ E in the equations (2) and (6) described in the third embodiment, the absorption coefficient α ≧ 5000 / cm is required with the residual resin thickness d being 1 μm. Becomes

【0066】次に、銅箔24の位置を探すために、照明
光を白色光38に切換えて焦点位置を検出する。この
時、白色光38は紫外光2よりも残留樹脂22に対する
吸収係数が著しく小さく、銅箔24に対する反射率が高
いため、銅箔24の銅箔表面反射光30の強度が高い。
従って、銅箔24の表面の位置を図9の原理に従って焦
点位置を検出することによって、銅箔24の位置を正確
に検出できる。なお、焦点位置の調節は、紫外光2の場
合と同様にプリント基板21を載せた加工テーブル17
(図1参照)を図8の左右方向に動かすことにより行
う。
Next, in order to find the position of the copper foil 24, the illumination light is switched to the white light 38 and the focus position is detected. At this time, the white light 38 has a significantly lower absorption coefficient for the residual resin 22 and a higher reflectance for the copper foil 24 than the ultraviolet light 2, so that the intensity of the copper foil surface reflected light 30 of the copper foil 24 is higher.
Therefore, the position of the copper foil 24 can be accurately detected by detecting the focal position of the surface of the copper foil 24 in accordance with the principle of FIG. The focal position can be adjusted in the same manner as in the case of the ultraviolet light 2 by using the processing table 17 on which the printed circuit board 21 is mounted.
(See FIG. 1) in the left-right direction of FIG.

【0067】これにより、紫外光2と白色光38での焦
点位置の差d(図8(b))が残留膜厚となり、残留膜
厚を非破壊で簡便に測定することができる。そして、残
留膜厚が所定値、例えば0.15μm以上なら、加工用
レーザ光線を穴加工部6に再度照射して、残留樹脂の除
去を行う。
As a result, the difference d (FIG. 8B) between the focal positions of the ultraviolet light 2 and the white light 38 becomes the residual film thickness, and the residual film thickness can be easily measured nondestructively. Then, when the residual film thickness is equal to or more than a predetermined value, for example, 0.15 μm or more, the processing laser beam is again irradiated to the hole processing portion 6 to remove the residual resin.

【0068】上記検討を基に、本実施の形態では、紫外
光2として波長337nmの窒素レーザを、白色光38
としてハロゲンランプ光を用い、プリント基板21とし
て銅箔24上に厚さ約1μmのポリイミド樹脂が残留樹
脂22として残留した穴加工部6が形成されたプリント
基板を用いた。なお、本実施の形態で用いた波長337
nmの光のポリイミド樹脂に対する吸収係数は約800
0/cmである。
Based on the above examination, in the present embodiment, a nitrogen laser having a wavelength of 337 nm
A halogen lamp light was used as a printed circuit board 21, and a printed circuit board 21 having a hole processed portion 6 in which a polyimide resin having a thickness of about 1 μm remained as a residual resin 22 on a copper foil 24 was used. Note that the wavelength 337 used in this embodiment is used.
The absorption coefficient of nm light to polyimide resin is about 800
0 / cm.

【0069】本実施の形態で述べた検査装置を用いて上
記プリント基板21の残留樹脂22の残留膜厚を測定し
た結果、残留ポリイミド厚dが約1μmであることが確
認された。なお、上記実施の形態では紫外光2と白色光
38を用いたが、これに限られるものではなく、白色光
38の代わりに例えば紫外光2の吸収係数よりも吸収係
数が小さい紫外光を用いることもできる。
The residual film thickness of the residual resin 22 on the printed circuit board 21 was measured using the inspection apparatus described in this embodiment, and it was confirmed that the residual polyimide thickness d was about 1 μm. In the above embodiment, the ultraviolet light 2 and the white light 38 are used. However, the present invention is not limited to this. For example, ultraviolet light having an absorption coefficient smaller than the absorption coefficient of the ultraviolet light 2 is used instead of the white light 38. You can also.

【0070】また、上記各実施の形態では、銅箔24で
ある場合について述べたが、アルミニウム箔等のレーザ
ビームに対する反射率が所定値以上のものであれば同様
の効果を奏する。また、紫外光2や励起光7の波長は、
残留樹脂の材料に合わせて適宜選定すればよい。
Further, in each of the above-described embodiments, the case where the copper foil 24 is used has been described. However, similar effects can be obtained as long as the reflectance of the aluminum foil or the like with respect to the laser beam is equal to or more than a predetermined value. The wavelengths of the ultraviolet light 2 and the excitation light 7 are
What is necessary is just to select suitably according to the material of the residual resin.

【0071】[0071]

【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、次のような効果を奏する。すなわち、第一の
材料と第二の材料とを層状に形成した積層材料に加工用
レーザビーム照射装置によりレーザビームを照射して上
記第一の材料を除去して形成される凹設部の底部に除去
されずに残留する上記第一の材料である残留材料に照明
光を照射する照明光照射装置を設けたので、残留材料に
照明光を照射して残留材料からの光に基づいて、この光
の目視による観察や、機器による測定により破壊検査を
行うことなく迅速かつ的確に残留材料の状況を知ること
ができる。
Since the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained. That is, a bottom portion of a concave portion formed by irradiating a laser beam to a laminated material formed by laminating a first material and a second material by a processing laser beam irradiation device to remove the first material. Since the illumination light irradiating device for irradiating illumination light to the residual material, which is the first material remaining without being removed, is provided, based on light from the residual material by irradiating illumination light to the residual material, It is possible to quickly and accurately know the status of the residual material without performing a visual inspection of light or a destructive inspection by measuring with a device.

【0072】そして、照射光を照射された残留材料から
の光を検出する光検出装置を設けたので、光検出装置を
設けることにより検出の機械化が可能となり、破壊検査
を行うことなく迅速かつ的確に残留材料の状況を知るこ
とができる。
Since the light detecting device for detecting the light from the residual material irradiated with the irradiation light is provided, the provision of the light detecting device makes it possible to mechanize the detection, and quickly and accurately without performing the destructive inspection. The status of the residual material can be known at a glance.

【0073】さらに、照明光照射装置を残留材料を励起
してルミネセンスを放出させる励起光を照射するものと
したので、残留材料が放出するルミネセンスの目視によ
る観察や機器による測定により、破壊検査を行うことな
く残留材料の状況を確実に知ることができる。
Further, since the illumination light irradiating device is configured to irradiate the excitation light for exciting the residual material to emit luminescence, the destructive inspection is carried out by visually observing the luminescence emitted by the residual material and measuring by the equipment. The situation of the residual material can be known without fail.

【0074】また、照明光照射装置を残留材料を励起し
てルミネセンスを放出させる励起光を照射するものと
し、光検出装置を残留材料が放出するルミネセンスを検
出するものとしたので、ルミネセンスを検出することに
より、残留材料の状況を知ることができる。
Further, the illumination light irradiating device is configured to irradiate excitation light for exciting the residual material to emit luminescence, and the light detecting device is configured to detect luminescence emitted from the residual material. Is detected, the status of the residual material can be known.

【0075】そして、照明光照射装置を残留材料に対す
る吸収係数が所定値以上である紫外光を照射するものと
し、光検出装置を凹設部の底部から反射される反射光を
検出するものとしたので、吸収係数が所定以上の紫外光
を用いて、紫外光が残留材料の中を通過中に吸収され、
残留材料の厚さ及び吸収係数が大きいほど減少率が大き
くなるようにして、残留材料の状況を感度良く知ること
ができる。
The illumination light irradiating device irradiates ultraviolet light having an absorption coefficient of a predetermined value or more with respect to the residual material, and the light detecting device detects the reflected light reflected from the bottom of the concave portion. So, using an ultraviolet light having an absorption coefficient equal to or greater than a predetermined value, the ultraviolet light is absorbed while passing through the residual material,
As the thickness and absorption coefficient of the residual material increase, the rate of reduction increases, so that the state of the residual material can be known with high sensitivity.

【0076】さらに、紫外光照射装置を、吸収係数が5
000/cm以上の紫外光を照射するものとしたので、
吸収係数が5000/cm以上の紫外光を用いることに
より、残留材料の膜厚0.2μmの場合に対し0.6μ
mの場合は反射光強度が約20%減少する、すなわち底
部の明るさが約20%変化する。この程度変化すれば反
射光検出装置で容易に検出することができる。残留材料
の膜厚が0.2μm程度なら化学処理で除去できるため
不良とならず、これが0.6μm程度を超えると化学処
理で除去できなくなり不良となる場合が多くなるので、
不良となるような残留膜厚を容易に検出でき不良を防止
できる。
Further, an ultraviolet light irradiating device was used, and the absorption coefficient was 5
000 / cm or more UV light
By using ultraviolet light having an absorption coefficient of 5000 / cm or more, 0.6 μm compared to the case where the thickness of the residual material is 0.2 μm.
In the case of m, the intensity of the reflected light decreases by about 20%, that is, the brightness at the bottom changes by about 20%. If it changes to this extent, it can be easily detected by the reflected light detection device. If the film thickness of the residual material is about 0.2 μm, it can be removed by chemical treatment, so that no failure occurs. If it exceeds about 0.6 μm, it cannot be removed by chemical treatment, and it often becomes defective.
It is possible to easily detect a residual film thickness that causes a failure and prevent the failure.

【0077】また、照明光照射装置を残留材料に対する
吸収係数が第一の所定値である第一の照射光と上記残留
材料に対する吸収係数が上記第一の所定値よりも小さい
第二の所定値である第二の照射光とを照射するものと
し、光検出装置を凹設部の底部から反射される上記第一
及び第二の照射光の各反射光に基づき上記残留材料の厚
さを検出するものとしたので、第一及び第二の照射光の
残留材料に対する吸収係数を異なり、残留材料の表面で
反射されるものが第一の反射光の過半を占め、第二の材
料の表面で反射されるものが第二の反射光の過半を占め
るので、第一及び第二の反射光から残留材料の表面及び
第二の材料の表面の位置を検出でき、この両表面の位置
の差から残留材料の厚さを知り、必要に応じて適切な処
置を講じることができる。
Further, the illumination light irradiating device may be configured such that the first irradiation light whose absorption coefficient for the residual material is the first predetermined value and the second predetermined value whose absorption coefficient for the residual material is smaller than the first predetermined value. And irradiate the second irradiation light, and the light detection device detects the thickness of the residual material based on each reflected light of the first and second irradiation lights reflected from the bottom of the concave portion. Therefore, the absorption coefficients of the first and second irradiation lights with respect to the residual material are different, and those reflected on the surface of the residual material occupy a majority of the first reflected light, and are reflected on the surface of the second material. Since the reflected light occupies the majority of the second reflected light, the position of the surface of the residual material and the position of the surface of the second material can be detected from the first and second reflected light, and the difference between the positions of the two surfaces can be detected. Know the thickness of the residual material and take appropriate action if necessary. That.

【0078】そして、照明光照射装置として、加工用レ
ーザビーム照射装置のレーザビームを用いるものとした
ので、照明光照射装置として加工用レーザビーム照射装
置を利用でき、装置が安価になる。
Since the laser beam of the processing laser beam irradiation device is used as the illumination light irradiation device, the processing laser beam irradiation device can be used as the illumination light irradiation device, and the device is inexpensive.

【0079】さらに、この発明におけるレーザ加工装置
は、上記各積層材料の凹設部検査装置の一つを備えたも
のであるので、凹設部の加工後破壊検査を行うことなく
直ちに残留材料の有無を知ることができ、必要に応じて
再度残留材料を除去する加工を行うことができ、信頼
性、生産性を向上させることができる。
Further, since the laser processing apparatus according to the present invention is provided with one of the above-described apparatus for inspecting the concave portion of each laminated material, the residual material can be immediately inspected without performing a destructive inspection after processing the concave section. The presence / absence can be known, and if necessary, processing for removing the residual material can be performed again, so that reliability and productivity can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の一形態を示す検査装置を備
えたレーザ加工装置の構成を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a configuration of a laser processing apparatus including an inspection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の検査装置における凹設部に残留樹脂が
あるときとないときの反射光強度を説明する説明図であ
る。
FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the reflected light intensity when there is a residual resin in a concave portion in the inspection device of FIG. 1 and when there is no residual resin.

【図3】 この発明の他の実施の形態を示す検査装置及
びレーザ加工装置の構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of an inspection apparatus and a laser processing apparatus showing another embodiment of the present invention.

【図4】 さらに、この発明の他の実施の形態を示す検
査装置及びレーザ加工装置の構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of an inspection apparatus and a laser processing apparatus showing another embodiment of the present invention.

【図5】 図4の検査装置における反射の状況を説明す
るための説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining a state of reflection in the inspection device of FIG. 4;

【図6】 図4の検査装置における残留材料の残留膜圧
と反射光強度の関係を示す特性図である。
FIG. 6 is a characteristic diagram showing a relationship between a residual film pressure of a residual material and a reflected light intensity in the inspection device of FIG.

【図7】 図4の検査装置における凹設部に残留樹脂が
あるときとないときの反射光強度を説明する説明図であ
る。
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the reflected light intensity when there is a residual resin in the concave portion in the inspection device of FIG. 4 and when there is no residual resin.

【図8】 さらに、この発明の他の実施の形態を示す検
査装置及びレーザ加工装置の動作を説明するための説明
図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining an operation of an inspection apparatus and a laser processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図9】 図8の検出装置において焦点位置がずれた場
合の光の通路を説明する説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram illustrating a light path when the focal position is shifted in the detection device of FIG. 8;

【図10】 従来のプリント基板のBVH加工法を示す
もので、微細な貫通孔部を加工する工程を説明する説明
図である。
FIG. 10 is an explanatory view showing a conventional BVH processing method for a printed circuit board and illustrating a step of processing a fine through-hole portion.

【図11】 従来のプリント基板のBVH加工法を示す
もので、BVHを形成する凹設部を加工する加工方法を
説明する説明図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a conventional BVH processing method for a printed circuit board, and is an explanatory diagram illustrating a processing method for processing a recessed portion forming a BVH.

【図12】 光学顕微鏡を備えた従来のレーザ加工装置
の構成図である。
FIG. 12 is a configuration diagram of a conventional laser processing apparatus provided with an optical microscope.

【図13】 図12の光学顕微鏡の構成図である。13 is a configuration diagram of the optical microscope in FIG.

【図14】 プリント基板における照射された光の反射
の状況を説明するための説明図である。
FIG. 14 is an explanatory diagram for describing a state of reflection of irradiated light on a printed circuit board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光源、2 紫外光、6 穴加工部、6a 底部、7
励起光、8 蛍光、11 CCDカメラ、12 画像
処理装置、13 レーザ発振器、18 エポキシ樹脂、
19 ガラスエポキシ、20 レーザビーム、21 プ
リント基板、22 残留樹脂、24 銅箔、27 像、
29 樹脂表面反射光、30 銅箔表面反射光、32
a,32b 穴加工部の底部からの反射光、33 穴加
工部の像、38 白色光、39a,39b ピンホール
板。
1 light source, 2 ultraviolet light, 6 hole processing part, 6a bottom part, 7
Excitation light, 8 fluorescence, 11 CCD camera, 12 image processing device, 13 laser oscillator, 18 epoxy resin,
19 glass epoxy, 20 laser beam, 21 printed circuit board, 22 residual resin, 24 copper foil, 27 images,
29 resin surface reflected light, 30 copper foil surface reflected light, 32
a, 32b Reflected light from the bottom of the hole processing part, image of the 33 hole processing part, 38 white light, 39a, 39b pinhole plate.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第一の材料と第二の材料とを層状に形成
した積層材料に加工用レーザビーム照射装置によりレー
ザビームを照射して上記第一の材料を除去して形成され
る凹設部の底部に除去されずに残留する上記第一の材料
である残留材料に照明光を照射する照明光照射装置を備
えた積層材料の凹設部検査装置。
1. A recess formed by removing a first material by irradiating a laser beam to a laminated material formed by laminating a first material and a second material by a processing laser beam irradiation device. A concave material inspection device for a laminated material, comprising: an illumination light irradiating device that irradiates an illumination light to a residual material that is the first material remaining without being removed at a bottom of the portion.
【請求項2】 照射光を照射された残留材料からの光を
検出する光検出装置を設けたことを特徴とする請求項1
に記載の積層材料の凹設部検査装置。
2. A light detecting device for detecting light from a residual material irradiated with irradiation light.
3. The apparatus for inspecting a concave portion of a laminated material according to claim 1.
【請求項3】 照明光照射装置を、残留材料を励起して
ルミネセンスを放出させる励起光を照射するものとした
ことを特徴とする請求項1に記載の積層材料の凹設部検
査装置。
3. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the illumination light irradiating device irradiates an excitation light for exciting the residual material to emit luminescence.
【請求項4】 照明光照射装置を残留材料を励起してル
ミネセンスを放出させる励起光を照射するものとし、光
検出装置を残留材料が放出するルミネセンスを検出する
ものとしたことを特徴とする請求項2に記載の積層材料
の凹設部検査装置。
4. An illumination light irradiation device for irradiating excitation light for exciting residual material to emit luminescence, and a light detecting device for detecting luminescence emitted from the residual material. The apparatus for inspecting a concave portion of a laminated material according to claim 2.
【請求項5】 照明光照射装置を残留材料に対する吸収
係数が所定値以上である紫外光を照射するものとし、光
検出装置を凹設部の底部から反射される反射光を検出す
るものとしたことを特徴とする請求項2に記載の積層材
料の凹設部検査装置。
5. An illumination light irradiating device for irradiating ultraviolet light having an absorption coefficient of a predetermined value or more with respect to a residual material, and a light detecting device for detecting reflected light reflected from the bottom of the concave portion. The apparatus for inspecting a concave portion of a laminated material according to claim 2, wherein:
【請求項6】 照明光照射装置を、吸収係数が5000
/cm以上の紫外光を照射するものとしたことを特徴と
する請求項5に記載の積層材料の凹設部検査装置。
6. An illumination light irradiating device having an absorption coefficient of 5000
6. The apparatus for inspecting a concave portion of a laminated material according to claim 5, wherein the apparatus is irradiated with an ultraviolet light of not less than / cm.
【請求項7】 照明光照射装置を残留材料に対する吸収
係数が第一の所定値である第一の照射光と上記残留材料
に対する吸収係数が上記第一の所定値よりも小さい第二
の所定値である第二の照射光とを照射するものとし、光
検出装置を凹設部の底部から反射される上記第一及び第
二の照射光の各反射光に基づき上記残留材料の厚さを検
出するものとしたことを特徴とする請求項2に記載の積
層材料の凹設部検査装置。
7. An illumination light irradiating device, wherein a first irradiation light whose absorption coefficient for a residual material is a first predetermined value and a second predetermined value whose absorption coefficient for said residual material is smaller than said first predetermined value. And irradiate the second irradiation light, and the light detection device detects the thickness of the residual material based on each reflected light of the first and second irradiation lights reflected from the bottom of the concave portion. 3. The apparatus for inspecting a concave portion of a laminated material according to claim 2, wherein the inspection is performed.
【請求項8】 照明光照射装置として、加工用レーザビ
ーム照射装置のレーザビームを用いるものとしたことを
特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の
積層材料の凹設部検査装置。
8. The recess of a laminated material according to claim 1, wherein a laser beam of a processing laser beam irradiation device is used as the illumination light irradiation device. Inspection equipment.
【請求項9】 請求項1ないし請求項8のいずれか1項
に記載の積層材料の凹設部検査装置を備えたレーザ加工
装置。
9. A laser processing apparatus provided with the apparatus for inspecting a concave portion of a laminated material according to claim 1. Description:
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