JPH07128247A - Material identifying device, laser working device, and laser film forming wiring device - Google Patents

Material identifying device, laser working device, and laser film forming wiring device

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JPH07128247A
JPH07128247A JP5271951A JP27195193A JPH07128247A JP H07128247 A JPH07128247 A JP H07128247A JP 5271951 A JP5271951 A JP 5271951A JP 27195193 A JP27195193 A JP 27195193A JP H07128247 A JPH07128247 A JP H07128247A
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JP
Japan
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laser
light
processing
inspection light
inspection
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JP5271951A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideo Hara
秀雄 原
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Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a material identifying device, a laser working device, and a laser film forming wiring device having the function of easily and momentarily discriminating the material of an inspection part or working part. CONSTITUTION:A material identifying device has a working laser device 3 for emitting a working laser beam, a converging optical system 5 for converging the working laser beam L1 emitted from the working laser device 3 and emitting it to the working part of a semiconductor circuit base 1; an inspection light source 8 for emitting an inspection light L4 consisting of a light having different reflecting or scattering properties to the insulating protecting film and metal circuit pattern of the semiconductor circuit base; and a CCD camera 7 for detecting the return light by the reflection or scattering of the inspection light L14 from the working part when the inspection light L4 is emitted to the semiconductor circuit base 1 working part, so that it can be momentarily judged whether the member of the working part of the semiconductor circuit base 1 is the insulating protecting film or the metal film by the change of the detection signal of the CCD camera 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、集積回路の設
計・評価の段階や製造段階における回路修正に利用でき
る材料識別装置並びにレーザ加工装置及びレーザ成膜配
線装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a material identification device, a laser processing device and a laser film forming / wiring device which can be used for circuit modification at the design / evaluation stage of an integrated circuit and the manufacturing stage.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、集積回路の設計・評価の段階や
製造段階における集積回路配線の部分修正には、通常、
回路配線の切断と回路配線間の電気的接続(追加配線)
との2種類がある。
2. Description of the Related Art For example, in the design / evaluation stage of an integrated circuit and the partial correction of integrated circuit wiring in the manufacturing stage,
Cutting circuit wiring and electrical connection between circuit wiring (additional wiring)
There are two types.

【0003】回路配線の切断は、いわゆるレーザ加工装
置によって行われ、また、追加配線はいわゆるレーザ成
膜配線装置によって行われる。レーザ加工装置は、加工
用レーザ光を切断すべき回路配線部分に照射して該配線
部分を蒸散(アブレーション)させて除去する。また、
レーザ成膜配線装置は、レーザ光照射によって成膜され
る金属化合物の薄膜状物を追加配線をすべき領域に形成
し、これに成膜用のレーザ光を照射して成膜し、追加配
線を形成するものである。
Cutting of circuit wiring is performed by a so-called laser processing apparatus, and additional wiring is performed by a so-called laser film-forming wiring apparatus. The laser processing device irradiates a circuit wiring portion to be cut with a processing laser beam to evaporate (ablate) the wiring portion and remove it. Also,
The laser film forming / wiring device forms a thin film of a metal compound formed by laser light irradiation in a region where additional wiring is to be formed, and irradiates a laser light for film formation on this to form a film. Is formed.

【0004】ところで、加工あるいは追加配線対象たる
集積回路基板は、通常、絶縁保護膜が回路全体にオーバ
ーコートされている。このため、配線切断の場合はこの
絶縁保護膜と配線金属膜との双方をレーザ照射により完
全に除去することが必要である。同時に、この切断加工
によって下地の基板に余分なダメージを与えないことが
必要である。また、追加配線の場合は、追加配線を行う
前に、まず、接続しようとする少なくとも2カ所の配線
用金属膜の上の絶縁保護膜を加工用レーザ装置等で除去
する必要がある。同時に、絶縁保護膜の下の配線用金属
膜にはレーザ照射によるダメージを与えないことが重要
である。
By the way, in an integrated circuit substrate which is a target for processing or additional wiring, an insulating protective film is usually overcoated on the entire circuit. Therefore, in the case of cutting the wiring, it is necessary to completely remove both the insulating protective film and the wiring metal film by laser irradiation. At the same time, it is necessary that this cutting process does not give extra damage to the underlying substrate. In the case of additional wiring, it is necessary to first remove the insulating protective film on at least two wiring metal films to be connected by a processing laser device or the like before performing additional wiring. At the same time, it is important that the metal film for wiring under the insulating protective film is not damaged by laser irradiation.

【0005】それゆえ、切断加工の場合においては、切
断加工の際に、加工によって配線が全て除去されたか否
かをできるだけこまめに確認し、配線が確実に除去され
た時点で加工をただちに中止し、下地基板に余分なダメ
ージを与えないようにする必要がある。また、追加配線
の場合においては、配線用金属膜の上の絶縁保護膜を加
工用レーザ装置で除去する際に、加工によって絶縁保護
膜が全て除去されたか否かをできるだけこまめに確認
し、絶縁保護膜が確実に除去された時点で加工をただち
に中止し、下地配線用金属膜に熱的ダメージを与えない
ようにする必要がある。
Therefore, in the case of cutting, it is necessary to check as often as possible whether all the wiring has been removed by the cutting process, and immediately stop the process when the wiring is surely removed. , It is necessary to prevent extra damage to the base substrate. In addition, in the case of additional wiring, when removing the insulating protective film on the wiring metal film with the processing laser device, check as often as possible whether the insulating protective film is completely removed by processing, It is necessary to immediately stop the processing when the protective film is reliably removed so as to prevent thermal damage to the underlying wiring metal film.

【0006】従来のレーザ加工装置及びレーザ成膜配線
装置は、加工部の材料を識別して配線用金属膜の有無を
確認する手段を特に有していないので、上述の切断及び
追加配線の際の金属膜有無の確認には、材料を識別して
金属膜の有無を判別する別個の材料識別装置を用いてい
た。
Since the conventional laser processing apparatus and laser film forming / wiring apparatus have no means for identifying the material of the processing portion and confirming the presence or absence of the wiring metal film, the above-mentioned cutting and additional wiring are not performed. In order to confirm the presence / absence of the metal film, a separate material identification device for identifying the material and determining the presence / absence of the metal film was used.

【0007】この種の従来の材料識別装置としては、い
わゆる静電容量式のプローブ探針法を用いた装置があ
る。
As a conventional material identifying device of this type, there is a device using a so-called capacitance type probe probe method.

【0008】この材料識別装置は、金属製のプローブ探
針を被検査面に徐々に近づけてついには接触させた際の
静電容量の変化を電気回路で検出するものである。探針
が被検査面に近づくにつれて静電容量が増し、被検査面
に接触したときに静電容量の増加が止まって一定になっ
た場合には該被検査面が絶縁膜であると判断する。一
方、探針が被検査面に近づくにつれて静電容量が増して
いくが、接触した瞬間に突然ゼロに降下した場合には該
被検査面が導電体面(金属膜)であると判断するもので
ある。このような装置としては、例えば、米国ウエント
ワースラボラトリーズ社から市販されているセンスチッ
プコンタクトセンサー(ウエントワースラボラトリーズ
社の商品名)等が知られている。
This material identifying device detects the change in electrostatic capacitance by an electric circuit when the probe tip made of metal is gradually brought close to the surface to be inspected and finally brought into contact with it. The capacitance increases as the probe approaches the surface to be inspected, and when the capacitance stops increasing when contacting the surface to be inspected and becomes constant, it is determined that the surface to be inspected is an insulating film. . On the other hand, the capacitance increases as the probe approaches the surface to be inspected, but if it suddenly drops to zero at the moment of contact, it is determined that the surface to be inspected is a conductor surface (metal film). is there. As such a device, for example, a sense chip contact sensor (trade name of Wentworth Laboratories, Inc.) commercially available from Wentworth Laboratories, Inc. in the United States is known.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
プローブ探針法では、プローブ探針の微小化に限界があ
り、微細化が著しい集積回路の配線パターンサイズに対
応するのは事実上困難になってきている。また、レーザ
加工によって下地基板や配線用金属膜にダメージを与え
ないようにするためには、加工を頻繁に中断してその都
度プローブを操作して検査・確認を行う必要があり、リ
アルタイムで検査ができないとともに、プローブを徐々
に被検査面に近付ける操作は熟練を要するので、検査及
び加工に著しい手間がかかるという問題点があった。
However, in the above-described probe probe method, there is a limit to the miniaturization of the probe probe, and it is practically difficult to cope with the wiring pattern size of the integrated circuit, which is extremely miniaturized. Is coming. Also, in order to prevent damage to the base substrate and metal film for wiring by laser processing, it is necessary to frequently interrupt the processing and operate the probe each time to inspect and confirm, so real-time inspection In addition to the above, there is a problem in that the operation of gradually bringing the probe closer to the surface to be inspected requires skill, so that inspection and processing take a lot of time and labor.

【0010】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、材料の識別を簡単に瞬時に行うことを可能に
する材料識別装置、並びに、配線用導電膜の有無をリア
ルタイムで確認しながら配線用導電膜の切断を行うこと
を可能にするレーザ加工装置、並びに、絶縁保護膜の有
無をリアルタイムで確認しながら絶縁保護膜の除去を行
って追加配線を行うことができるレーザ成膜配線装置を
提供することを目的としたものである。
The present invention has been made under the above-mentioned background, and confirms in real time whether or not there is a material identification device that enables material identification to be performed easily and instantaneously, and a conductive film for wiring. A laser processing apparatus that enables cutting of the conductive film for wiring, and a laser deposition that can remove the insulating protective film and perform additional wiring while checking the presence or absence of the insulating protective film in real time It is intended to provide a wiring device.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明にかかる材料識別装置は、 (構成1) 複数の材料からなる被検体の各材料を識別
する材料識別装置であって、各材料に対して反射又は散
乱の性質が異なる光からなる検査光を出射する検査用光
源と、前記検査光を前記被検体に照射したときにおける
該被検体からの検査光の反射又は散乱による戻り光を検
知する光検出器とを備え、該光検出器の検出信号によっ
て前記被検体の材料を識別することを特徴とした構成と
し、この構成1の態様として、 (構成2) 構成1の材料識別装置において、前記検査
光は、前記各材料のうちの1又は2以上の材料の一部を
除去できる性質を兼ね備えたものであることを特徴とし
た構成、及び、 (構成3) 構成1又は2の材料識別装置において、前
記検査用光源から出射した光の強度と前記戻り光の強度
との比を求める装置を備え、この比の値によって前記被
検体の材料を識別することを特徴とした構成とした。
In order to solve the above-mentioned problems, a material identifying apparatus according to the present invention is (Structure 1) A material identifying apparatus for identifying each material of a subject made of a plurality of materials, An inspection light source that emits inspection light composed of light having different reflection or scattering properties for each material, and a return due to reflection or scattering of inspection light from the subject when the inspection light is irradiated to the subject. And a photodetector for detecting light, wherein the material of the subject is identified by a detection signal of the photodetector. As an aspect of the configuration 1, (configuration 2) material of the configuration 1 In the identification device, the inspection light has a property of removing a part of one or more materials of the respective materials, and (Configuration 3) Configuration 1 or For 2 material identification device Te, comprising a device for determining the ratio of the intensity between the intensity of the light emitted from the inspection light source the return light, and a configuration in which wherein the identifying material of the subject by the value of this ratio.

【0012】また、本発明にかかるレーザ加工装置は、 (構成4) 複数層からなる被加工体の一部を除去する
加工を施す装置であって、加工用レーザ光を出射する加
工用レーザ装置と、この加工用レーザ装置から出射され
た加工用レーザ光を集光して被加工体の加工部に照射す
る集光光学系とを有するレーザ加工装置において、前記
被加工体の各層を構成する部材の2以上の部材に対して
反射又は散乱の性質が異なる光からなる検査光を出射す
る検査用光源と、前記検査光を前記被加工体の加工部に
照射したときにおける該加工部からの検査光の反射又は
散乱による戻り光を検知する光検出器とを備え、該光検
出器の検出信号の変化によって前記被加工体の加工部の
部材の変化を検知できるようにしたことを特徴とする構
成とし、さらに、本発明にかかるレーザ成膜配線装置
は、 (構成5) 表面が絶縁膜で被膜された回路パターンに
おける離間した箇所どうしを電気的に接続する装置であ
って、前記各々の箇所に加工用レーザ光を照射すること
により該箇所の絶縁膜を除去して複数のコンタクトホー
ルを形成するレーザ加工装置部と、これらコンタクトホ
ールを包含する領域に塗布された液状金属化合物に成膜
用レーザ光を照射して該液状金属化合物を固化・成膜す
ることにより前記回路パターンにおける離間した箇所ど
うしを電気的に接続する回路を形成する成膜用レーザ装
置部とを備えたレーザ成膜配線装置において、前記レー
ザ加工装置部を請求項1に記載のレーザ加工装置で構成
したことを特徴とする構成としたものである。
The laser processing apparatus according to the present invention is (Structure 4) is a processing apparatus for removing a part of a workpiece having a plurality of layers, and is a processing laser apparatus for emitting a processing laser beam. And a converging optical system that condenses the processing laser light emitted from the processing laser device and irradiates the processing portion of the processing target with each other, and configures each layer of the processing target. A light source for inspection, which emits inspection light composed of light having different reflection or scattering properties with respect to two or more members, and a processing portion when the processing light of the workpiece is irradiated with the inspection light. And a photodetector for detecting return light due to reflection or scattering of inspection light, wherein a change in a member of a processed portion of the workpiece can be detected by a change in a detection signal of the photodetector. In addition, A laser film forming / wiring device according to the invention is (Configuration 5) is a device for electrically connecting separated portions in a circuit pattern whose surface is coated with an insulating film, wherein a laser beam for processing is applied to each of the portions. By irradiating, the laser processing apparatus part which removes the insulating film at the location to form a plurality of contact holes, and the liquid metal compound applied to the region including these contact holes is irradiated with a film forming laser beam. A laser film forming / wiring apparatus comprising: a film forming laser device section for forming a circuit for electrically connecting separated portions in the circuit pattern by solidifying and forming a film of the liquid metal compound, The apparatus is configured by the laser processing apparatus according to claim 1.

【0013】[0013]

【作用】上述の構成1によれば、検査用光源から出射し
た検査光を被検体に照射し、その被検体からの検査光の
戻り光を光検出器で検出した場合、該光検出器の検出信
号は照射部の材料に依存して変化するから、この検出信
号によって被検体の材料を識別することが可能となる。
この識別は光の照射・検出によるものであるので、瞬時
に行うことができ、かつ、例えば、加工用レーザ光等と
同じ光路を通じて照射・検出が可能であるので、加工作
業等を行いながらリアルタイムで材料の識別ができる。
According to the above configuration 1, when the inspection light emitted from the inspection light source is applied to the subject and the return light of the inspection light from the subject is detected by the photodetector, Since the detection signal changes depending on the material of the irradiation section, it is possible to identify the material of the subject by this detection signal.
Since this identification is based on light irradiation / detection, it can be performed instantaneously, and, for example, since irradiation / detection can be performed through the same optical path as the laser light for processing, etc. The material can be identified with.

【0014】構成2によれば、前記検査光を各材料の一
部を除去できる性質を兼ね備えたものとしたことによ
り、例えば、照射時間を制御することにより、被検体の
表面部のみならず、被検体の表面を覆う被膜や不純物を
除去して下層の材料の識別を行ったり、あるいは、被検
体の内部の材料の識別をも極めて容易に行うことが可能
となる。
According to the configuration 2, the inspection light has the property of removing a part of each material, so that, for example, by controlling the irradiation time, not only the surface portion of the subject, It is possible to identify the material of the lower layer by removing the film or impurities covering the surface of the subject, or to identify the material inside the subject very easily.

【0015】構成3によれば、検査用光源から出射した
光の強度と前記戻り光の強度との比の値によって前記被
検体の材料を識別するようにしたことにより、検査光の
強度が変化してもその変化分はキャンセルされるかたち
となり、比の値は主として材料にのみ依存することにな
るから、検査光の強度変化に左右されることなく、材料
の識別を行うことが可能となる。
According to the structure 3, since the material of the subject is identified by the value of the ratio of the intensity of the light emitted from the inspection light source and the intensity of the return light, the intensity of the inspection light changes. However, the change is canceled and the ratio value mainly depends only on the material. Therefore, the material can be identified without being affected by the change in the intensity of the inspection light. .

【0016】また、構成4によれば、被加工体の各層を
構成する部材の2以上の部材に対して反射又は散乱の性
質が異なる光からなる検査光を出射する検査用光源と、
検査光を被加工体の加工部に照射したときにおける該加
工部からの検査光の反射又は散乱による戻り光を検知す
る光検出器とを備えており、該光検出器の検出信号の変
化によって前記被加工体の加工部の部材の変化を検知で
きるようになっている。しかも、この検知を加工を行い
ながらできる構成とすることも比較的容易にできるか
ら、各層が光学的性質の異なる部材で構成されている場
合には、現在どの層の部材の加工を行っているかをリア
ルタイムで知ることができる構成とすることもできる。
したがって、例えば、被加工体のある特定の層の表面で
加工を止め、この特定の層に加工によるダメージを与え
ることを防止することも容易に可能になる。
According to the structure 4, an inspection light source which emits inspection light composed of light having different reflection or scattering properties with respect to two or more members constituting each layer of the workpiece,
It is provided with a photodetector that detects return light due to reflection or scattering of the inspection light from the processing portion when the processing light of the processing object is irradiated with the inspection light, and changes in the detection signal of the photodetector. It is possible to detect a change in the member of the processed portion of the workpiece. In addition, since it is relatively easy to configure such detection while processing, if each layer is composed of members having different optical properties, which layer member is currently processed? Can also be configured to be able to know in real time.
Therefore, for example, it becomes possible to easily stop the processing on the surface of a specific layer of the object to be processed and prevent the specific layer from being damaged by the processing.

【0017】構成5によれば、回路パターンにダメージ
を与えることなく絶縁保護膜を確実に除去することが可
能となり、加工に起因する欠陥を生じさせるおそれなく
確実な追加配線を行うことができる。
According to the structure 5, the insulating protective film can be surely removed without damaging the circuit pattern, and reliable additional wiring can be performed without the possibility of causing defects due to processing.

【0018】[0018]

【実施例】【Example】

(第1実施例)図1は本発明の第1実施例にかかるレー
ザ加工装置及びレーザ成膜配線装置の構成を示す図、図
2ないし図6は第1実施例のレーザ加工装置及びレーザ
成膜配線装置による加工説明図である。以下、これらの
図面を参照にしながら第1実施例を説明する。なお、こ
の実施例は、材料識別装置及びレーザ加工装置がレーザ
成膜配線装置内にレーザ加工装置部として組み込まれた
例である。
(First Embodiment) FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a laser processing apparatus and a laser film forming / wiring apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 6 are laser processing apparatus and laser processing apparatus of the first embodiment. It is processing explanatory drawing by a film wiring apparatus. The first embodiment will be described below with reference to these drawings. This embodiment is an example in which the material identification device and the laser processing device are incorporated as a laser processing device unit in the laser film forming / wiring device.

【0019】図1において、第1実施例のレーザ成膜配
線装置は、半導体回路基板1を載置してそのXーY位置
を自由に移動設定できるXーYステージ2と、このXー
Yステージ2に載置された半導体回路基板1の表面に加
工用レーザ光L1 を照射する加工用レーザ装置3と、半
導体回路基板1の表面に形成された金属化合物の薄膜状
物に成膜用レーザ光L2 を照射する成膜用レーザ装置4
と、これらレーザ光L1 ,L2 を半導体回路基板1の表
面に集光させる集光光学系5と、半導体回路基板1に照
明光L3 を照射する照明用光源6と、半導体回路基板1
に検査光L4 を照射する検査用光源8と、観察用CCD
カメラ7とを備えている。
In FIG. 1, the laser film forming / wiring apparatus of the first embodiment has an XY stage 2 on which a semiconductor circuit substrate 1 is placed and whose XY position can be freely set and moved, and this XY stage. A processing laser device 3 for irradiating the surface of the semiconductor circuit board 1 placed on the stage 2 with the processing laser beam L1, and a film forming laser for a thin film of a metal compound formed on the surface of the semiconductor circuit board 1. Film forming laser device 4 for irradiating light L2
A condensing optical system 5 for condensing these laser lights L1 and L2 on the surface of the semiconductor circuit board 1, an illumination light source 6 for irradiating the semiconductor circuit board 1 with illumination light L3, and the semiconductor circuit board 1
Inspection light source 8 for irradiating the inspection light L4 on the background, and an observation CCD
And a camera 7.

【0020】加工用レーザ装置3は、集光光学系5とそ
の光学軸が一致するように配置されている。また、上記
加工用レーザ装置3と集光光学系5との間の主光路L上
にはピームスプリッタ42,72,61が配置されてい
る。ビームスプリッタ42は、上記主光路Lの外に配置
された成膜用レーザ装置4から出射されて光ファイバ4
1を通じて導かれた成膜用レーザ光L2 を主光路L上に
導入して集光光学系5を通じて半導体回路基板1に導
く。また、ビームスプリッタ72は、主光路Lを通じて
導かれる半導体回路基板1の表面の画像情報を含む光を
主光路Lの外に配置された観察用CCDカメラ7に導
く。さらに、ビームスプリッタ61は、主光路Lの外に
配置された照射用光源6及び検査用光源8から出射され
た照射光L3及び検査光L4 を主光路L上に導入して集
光光学系5を通じて半導体回路基板1の表面に導く。な
お、照明用光源6から出射した照明光L3 は直進してビ
ームスプリッタ61に導かれるようになっており、一
方、検査用光源8から出射した検査光L4 は、照明用光
源6とビームスプリッタ61との間であって照明光L3
の光路上に配置されたビームスプリッタ81によって反
射されて照明光L3 と同一光路上を通ってビームスプリ
ッタ61に導かれるようになっている。また、観察用C
CDカメラ7の画像情報はモニタテレビ等を備えた画像
処理装置71に送られ、観察や所望の画像処理を行うこ
とができるようになっている。さらに、集光光学系5
は、図示しない駆動機構によってX,Y,Z方向に位置
調節ができるようになっている。
The processing laser device 3 is arranged so that its converging optical system 5 and its optical axis coincide with each other. Beam splitters 42, 72, 61 are arranged on the main optical path L between the processing laser device 3 and the condensing optical system 5. The beam splitter 42 is emitted from the film-forming laser device 4 arranged outside the main optical path L, and the optical fiber 4 is emitted.
The film-forming laser light L2 guided through 1 is introduced onto the main optical path L and guided through the focusing optical system 5 to the semiconductor circuit board 1. Further, the beam splitter 72 guides the light including the image information of the surface of the semiconductor circuit board 1 guided through the main optical path L to the observation CCD camera 7 arranged outside the main optical path L. Further, the beam splitter 61 introduces the irradiation light L3 and the inspection light L4 emitted from the irradiation light source 6 and the inspection light source 8 which are arranged outside the main optical path L onto the main optical path L to collect the light. Through to the surface of the semiconductor circuit board 1. The illumination light L3 emitted from the illumination light source 6 is designed to go straight and be guided to the beam splitter 61, while the inspection light L4 emitted from the inspection light source 8 is emitted to the illumination light source 6 and the beam splitter 61. And the illumination light L3
It is reflected by the beam splitter 81 disposed on the optical path of the above and is guided to the beam splitter 61 through the same optical path as the illumination light L3. Also, C for observation
The image information of the CD camera 7 is sent to an image processing device 71 equipped with a monitor TV or the like, and observation and desired image processing can be performed. Furthermore, the condensing optical system 5
The position can be adjusted in the X, Y, and Z directions by a drive mechanism (not shown).

【0021】ここで、加工用レーザ装置3として、N
d:YAGレーザの第2高調波(波長λ=532nm)
を発振できるレーザ装置を用いた。
Here, as the processing laser device 3, N
Second harmonic of d: YAG laser (wavelength λ = 532 nm)
A laser device that can oscillate is used.

【0022】また、成膜用レーザ装置4としては、無偏
光マルチライン(波長;458〜514.5nm)発振
のできるArイオンレーザ装置(例えば、スペクトラフ
ィジックス社から市販されている)を用いた。
As the film forming laser device 4, an Ar ion laser device (for example, commercially available from Spectra Physics, Inc.) capable of non-polarized multi-line (wavelength: 458 to 514.5 nm) oscillation was used.

【0023】照明用光源6としては、可視光尾光源(H
OYAショット株式会社から市販されているコールドラ
イト(商品名))を用いた。
The illumination light source 6 is a visible light tail light source (H
Cold light (trade name) commercially available from OYA Shot Co., Ltd. was used.

【0024】さらに、検査用光源8としては、波長36
5nmのi線(紫外光)を出射できる水銀ランプを用い
た。このi線は、集積回路等の半導体回路基板1の表面
に被覆されている絶縁保護膜の材料として一般的なポリ
イミド樹脂並びに半導体回路基板の基板本体を構成する
部材として一般的なシリコン基板に照射した場合にはそ
のほとんどが吸収されて反射戻り光がほとんど生じな
い。一方、絶縁保護膜の下に形成されている回路パター
ンの材料としてのアルミニウム膜等の金属膜に照射した
場合にはそのほとんとが反射されてさらにその一部が反
射戻り光となる。
Further, the inspection light source 8 has a wavelength of 36
A mercury lamp capable of emitting 5 nm i-line (ultraviolet light) was used. This i-line is applied to a general polyimide resin as a material of an insulating protective film coated on the surface of the semiconductor circuit substrate 1 such as an integrated circuit and a general silicon substrate as a member constituting a substrate body of the semiconductor circuit substrate. In the case of doing so, most of them are absorbed and reflected return light is hardly generated. On the other hand, when a metal film such as an aluminum film as a material of a circuit pattern formed under the insulating protective film is irradiated, most of it is reflected and a part of it is reflected and returned light.

【0025】また、CCDカメラ6としては、照明光L
3 と検査光L4 との双方に対して検出感度を有するもの
を用いた。この場合、画像処理装置71は、照明光L3
による画像と、検査光L4 による画像とを切り替えて別
々に表示したり、両者を色分けして合成表示する処理機
能を備えたものを用いた。
As the CCD camera 6, the illumination light L
A detector having detection sensitivity for both 3 and the inspection light L4 was used. In this case, the image processing device 71 uses the illumination light L3.
An image having a processing function of switching between the image by the inspection light and the image by the inspection light L4 and displaying them separately, or by combining and displaying by color-coding them is used.

【0026】さらに、集光光学系5としてはレーザ光L
1 ,L2 の照射スポット径を1〜10μmに集光できる
顕微鏡(例えば、株式会社ミツトヨから市販されてい
る)を用いた。
Further, as the focusing optical system 5, a laser beam L
A microscope (for example, commercially available from Mitutoyo Co., Ltd.) capable of condensing the irradiation spot diameters of 1 and L2 to 1 to 10 μm was used.

【0027】次に、図2ないし図6を参照にしながら、
第1実施例のレーザ成膜配線装置によって半導体回路基
板1の回路パターンの切断加工や、追加配線を行う前段
階での絶縁保護膜除去加工の手順を説明する。
Next, referring to FIGS. 2 to 6,
The procedure of cutting the circuit pattern of the semiconductor circuit board 1 by the laser film forming and wiring apparatus of the first embodiment and removing the insulating protective film at the stage before the additional wiring will be described.

【0028】図2は加工対象たる半導体回路基板1の部
分断面図である。この半導体回路基板1は、シリコン基
板11の上にアルミニウム膜からなる回路パターン12
が形成され、その上にポリイミド樹脂からなる絶縁保護
膜13が形成されたものである。ここで、回路パターン
12は、平面視では幅が数μmの長尺帯状をなしたもの
であるが、図2はその長手方向に沿った部分縦断面を示
したものである。
FIG. 2 is a partial sectional view of the semiconductor circuit board 1 to be processed. This semiconductor circuit board 1 has a circuit pattern 12 made of an aluminum film on a silicon substrate 11.
Is formed, and the insulating protective film 13 made of polyimide resin is formed thereon. Here, the circuit pattern 12 has a long strip shape with a width of several μm in a plan view, and FIG. 2 shows a partial vertical cross section along the longitudinal direction.

【0029】絶縁保護膜13の一部を除去してコンタク
トホールを形成するには、まず、半導体回路基板1の表
面に照明用光源6によって照明光L3 を照射し、その反
射戻り光L31を観察用CCDカメラ7によって検知して
画像処理装置71のモニタテレビに半導体回路基板1の
表面画像を表示し、この画像を観察しがらXYステージ
2及び集光光学系5等の調整を行って加工部を定めると
同時にレーザ照射位置の設定及びレーザ照射の光学調整
を済ませる。
To form a contact hole by removing a part of the insulating protective film 13, first, the surface of the semiconductor circuit board 1 is illuminated with the illumination light L3 by the illumination light source 6, and the reflected return light L31 is observed. The surface image of the semiconductor circuit board 1 is displayed on the monitor television of the image processing device 71 by being detected by the CCD camera 7 for use, and the XY stage 2 and the condensing optical system 5 are adjusted while observing this image to process the image. At the same time, the laser irradiation position is set and the laser irradiation is optically adjusted.

【0030】次に、検査用光源8から出射した検査光L
4 を集光光学系5を通じて加工部に照射し、同時に、画
像処理装置71を切り替えてモニタテレビの画面を検査
光L4 の反射戻り光による画面とする。この時点では、
検査光L4 は絶縁保護膜13によってほとんど吸収され
て反射戻り光が生じないので、画面全体が暗く表示され
る。
Next, the inspection light L emitted from the inspection light source 8
4 is irradiated to the processing portion through the condensing optical system 5, and at the same time, the image processing device 71 is switched to change the screen of the monitor television to the screen by the reflected return light of the inspection light L4. At this point,
Since the inspection light L4 is almost absorbed by the insulating protective film 13 and no reflected return light is generated, the entire screen is displayed dark.

【0031】次に、画像処理装置71を上記状態に維持
しながら、加工用レーザ装置3から出射した加工用レー
ザ光L1 を集光光学系5を通じて絶縁保護膜13の加工
部に照射する。この場合、加工用レーザ光L1 の照射
は、絶縁保護膜13をアブレーションにより除去するた
めに必要最少限のパワーに設定してパルスレーザの多重
照射手法によって行う。この加工用レーザ光L1 の照射
により、絶縁保護膜13はアブレーションによりしだい
に除去される(図3参照)。この場合、回路パターン1
2の表面に絶縁保護膜13が残っている間は、モニタテ
レビの画面は暗いままである。
Next, while maintaining the image processing device 71 in the above state, the processing laser beam L1 emitted from the processing laser device 3 is applied to the processed portion of the insulating protective film 13 through the condensing optical system 5. In this case, the irradiation of the processing laser beam L1 is performed by the pulse laser multiple irradiation method with the minimum power required for removing the insulating protective film 13 by ablation. By the irradiation of the processing laser beam L1, the insulating protective film 13 is gradually removed by ablation (see FIG. 3). In this case, circuit pattern 1
The screen of the monitor TV remains dark while the insulating protective film 13 remains on the surface of 2.

【0032】加工用レーザ光L1 の照射を続けると、や
がて加工部における回路パターン12上の絶縁保護膜1
3が全て除去されて回路パターン12の表面が露出する
(図4参照)。そうすると、この露出した表面によって
検査光L4 が反射されて反射戻り光L41が生じ、観察用
CCDカメラ7によって検知される。これにより、画像
処理装置71のモニタテレビ画面の画像は、回路パター
ン12が露出した部分が明るく、他の部分(絶縁保護膜
の部分)が暗い画像となる。そこで、明るい部分が所定
の大きさになった時点で加工用レーザ光L4 の照射をた
だちに停止する。これにより、回路パターン12に余分
なダメージを与えることなく、絶縁保護膜13のみが完
全に除去されたコンタクトホール13aを形成すること
ができる。
If the irradiation of the processing laser beam L1 is continued, the insulating protective film 1 on the circuit pattern 12 in the processed portion will eventually come out.
All 3 are removed and the surface of the circuit pattern 12 is exposed (see FIG. 4). Then, the inspection light L4 is reflected by the exposed surface to generate reflected return light L41, which is detected by the observation CCD camera 7. As a result, in the image on the monitor television screen of the image processing device 71, the exposed portion of the circuit pattern 12 is bright and the other portion (insulating protective film portion) is dark. Therefore, the irradiation of the processing laser beam L4 is immediately stopped when the bright portion reaches a predetermined size. As a result, the contact hole 13a in which only the insulating protective film 13 is completely removed can be formed without giving extra damage to the circuit pattern 12.

【0033】同様にして、図示しないが、追加配線を行
うべき他の箇所にもコンタクトホールを形成し、これら
コンタクトホールを含みこれらを接続する領域にペース
ト状の金属化合物をスピンコート法により2〜3μm程
度の均一な厚さの薄膜状になるように塗布し、取り扱い
を容易にするためにオーブンで加熱する(80℃で約1
0分間)。この場合、ペースト状の金属化合物として
は、Engelhard 社から市販されているMOインク(Enge
lhard 社の商品名)を有機溶媒で稀釈し、さらに樹脂を
加えて適当な粘度に調整したものを使用した。なお、樹
脂は必ずしも加えなくてもよい。このMOインクは、金
の有機化合物からなるものである。なお、金属化合物と
して、金の有機化合物であるMOインクの外にも、銀、
白金もしくはパラジウム等の有機化合物を用いることが
できる。この金属化合物の薄膜状物を形成した後、この
金属化合物の薄膜状物に成膜用レーザ装置4から出射し
た成膜用レーザ光L3 を上記コンタクトホールどうしを
接続する領域に沿って走査しながら照射する。なお、こ
の走査はXーYステージ2を移動させることによって行
う。これにより、金属化合物が成膜されて追加配線が形
成される。
Similarly, although not shown, contact holes are formed also in other places where additional wiring is to be performed, and a paste-like metal compound is applied to a region including these contact holes and connecting these by spin coating. It is applied to form a thin film with a uniform thickness of about 3 μm, and heated in an oven for easy handling (about 1 at 80 ° C).
0 minutes). In this case, as the pasty metal compound, MO ink (Enge
A product obtained by diluting (trade name of Lhard Co.) with an organic solvent and further adding a resin to have an appropriate viscosity was used. The resin does not necessarily have to be added. This MO ink is made of a gold organic compound. In addition to MO ink, which is an organic compound of gold, as a metal compound, silver,
Organic compounds such as platinum or palladium can be used. After forming the thin film of the metal compound, the thin film of the metal compound is scanned with the film forming laser beam L3 emitted from the film forming laser device 4 along the area connecting the contact holes. Irradiate. Note that this scanning is performed by moving the XY stage 2. Thereby, the metal compound is formed into a film and the additional wiring is formed.

【0034】また、回路パターンの切断加工を行う場合
には、加工の途中までは上述の絶縁保護膜除去の工程と
同様の手法・手順で行うが、切断加工の場合には、加工
用レーザ光L1 の照射パワーを保護膜除去の場合に比較
して大きくし、また、照射を回路パターン12の表面が
露出しても停止することなく継続し、加工部における回
路パターン12がアブレーションによって除去されて回
路パターン12が完全に切断されるまで行う。
Further, when the circuit pattern is cut, the same method and procedure as the above-described insulating protective film removing step are performed until the middle of the process, but in the case of the cutting process, the processing laser beam is used. The irradiation power of L1 is increased as compared with the case of removing the protective film, and the irradiation is continued without stopping even if the surface of the circuit pattern 12 is exposed, and the circuit pattern 12 in the processed portion is removed by ablation. The process is repeated until the circuit pattern 12 is completely cut.

【0035】この加工においては、加工の当初は、画像
処理装置71のモニタテレビの画面全体が暗いが、加工
が回路パターン12に至ると、回路パターン12が露出
した部分が明るく表示される(図5参照)。保護膜除去
の場合は明るい部分が所定の大きさになった時点でただ
ちに加工を停止したが、切断加工の場合は、この時点で
も加工用レーザ光L1 の照射を継続する。加工がさらに
進行するとシリコン基板11の表面が露出し始めるが、
この露出の初期においては、加工用レーザ光L1 のスポ
ットの中心部に相当する部分から露出が開始し、これが
やがて回路パターンを完全に切断するまでに拡がってい
く(図6参照)。このとき、モニタテレビ画面の画像
は、上記シリコン基板11の露出の初期においては画像
の明るい部分の中心部に円形の暗い部分が現れ始める
が、加工が進むにつれてこれがしだいに拡がって、回路
パターン12が完全に切断されると、暗部によって明る
い部分が2つに分離された画像になる。したがって、モ
ニタテレビ画像が、暗部によって明るい部分が完全に2
つに分離された画像となった時点でただちに加工用レー
ザ光L1 の照射を停止する。これにより、シリコン基板
11に余分なダメージを与えることなく、回路パターン
12の切断加工を行うことができる。
In this processing, the entire screen of the monitor television of the image processing apparatus 71 is dark at the beginning of processing, but when the processing reaches the circuit pattern 12, the exposed portion of the circuit pattern 12 is displayed brightly (FIG. 5). In the case of removing the protective film, the processing was stopped immediately when the bright portion became a predetermined size, but in the case of the cutting processing, the irradiation of the processing laser beam L1 was continued even at this time. When the processing further progresses, the surface of the silicon substrate 11 begins to be exposed,
In the initial stage of this exposure, the exposure starts from the portion corresponding to the central portion of the spot of the processing laser beam L1 and eventually extends until the circuit pattern is completely cut off (see FIG. 6). At this time, in the image on the monitor TV screen, a circular dark portion begins to appear in the center of the bright portion of the image in the initial stage of exposure of the silicon substrate 11, but this gradually spreads as the processing progresses, and the circuit pattern 12 is formed. When is completely cut, the image becomes an image in which the bright portion is separated into two by the dark portion. Therefore, in the monitor TV image, the dark part is completely covered by the bright part.
Immediately when the separated image is obtained, the irradiation of the processing laser beam L1 is stopped. As a result, the circuit pattern 12 can be cut without damaging the silicon substrate 11 excessively.

【0036】(第2実施例)図7は本発明の第2実施例
の構成を示す図である。以下、図7を参照にしながら第
2実施例を説明する。なお、この実施例は、レーザパタ
ーンジェネレータと呼ばれるレーザ加工機に本発明を適
用した例であって、上述の第1実施例の構成と一部共通
する部分があるので、共通する部分には同一の符号を付
して一部その説明を省略する。
(Second Embodiment) FIG. 7 is a diagram showing the configuration of the second embodiment of the present invention. The second embodiment will be described below with reference to FIG. Note that this embodiment is an example in which the present invention is applied to a laser processing machine called a laser pattern generator, and there is a part in common with the configuration of the above-mentioned first embodiment, so the common parts are the same. And the description thereof is partially omitted.

【0037】ここで、レーザパターンジェネレータの目
的は金属箔の面全体に一様に薄くコートされた有機薄膜
面にレーザを照射して指定された微細なパターン形状に
該コート材を除去し金属面を露出させることである。
Here, the purpose of the laser pattern generator is to irradiate a laser on an organic thin film surface uniformly thinly coated on the entire surface of the metal foil to remove the coating material into a specified fine pattern shape to remove the metal surface. Is to expose.

【0038】この実施例の概略構成は、第1実施例にお
ける成膜用レーザ装置4を除去し、また、加工用レーザ
装置3と検査用光源8とを同一のUV(紫外線)レーザ
装置38で兼ねるようにし、該UVレーザ装置38を第
1実施例における加工用レーザ装置3の位置に配置した
ものである。
The schematic structure of this embodiment is such that the film forming laser device 4 in the first embodiment is removed, and the processing laser device 3 and the inspection light source 8 are the same UV (ultraviolet) laser device 38. The UV laser device 38 is also arranged at the position of the processing laser device 3 in the first embodiment.

【0039】UVレーザ装置38としては、Nd:YL
Fレーザの第3高調波(波長349nm)をパルス発振
するレーザ装置を用いた。
The UV laser device 38 is Nd: YL.
A laser device that pulse-oscillates the third harmonic (wavelength 349 nm) of the F laser was used.

【0040】UVレーザ装置38から出射したレーザ光
L14はビームスプリッタ72及び93を順次通過した
後、集光光学系5によって基板全面に金属泊が形成さ
れ、その上に有機薄膜が被覆された被加工体10の表面
に集光される。ビームスプリッタ93は、UVレーザ装
置38から出射したレーザ光L14の一部を反射してフォ
トダイオード91に入射させてUVレーザ装置38から
の出射したレーザ光L14の強度を検知させる。同時に、
被加工体10の表面からの反射又は散乱による戻り光の
一部を反射してフォトダイオード92に入射させて戻り
光の強度を検知する。フォトダイオード91及び92の
検知信号は制御・演算装置9に送られ、戻り光が有機薄
膜からの戻り光なのか、金属泊からの戻り光なのかが判
断される。すなわち、有機薄膜からの戻り光であればそ
の強度はほとんどゼロであり、逆に金属泊からの戻り光
であればその強度は大である。制御・演算装置9は、戻
り光がほとんどゼロである間は、UVレーザ装置38か
らレーザ光L14を出射し続け、戻り光が所定の強度まで
増大した時点でただちにレーザ光38を停止するよう
に、UVレーザ装置38を制御する。同時に、XーYス
テージ2を制御して照射位置を次の所定の位置に移動
し、再度レーザ光L14の出射を開始し、以後、同様の動
作を繰り返して有機薄膜を所定のパターンどうりに除去
する。ここで、観察用CCDカメラ7及び画像処理措置
71は、レーザ光L14の戻り光による画像をモニタテレ
ビ画面に写してモニタを行う装置として用いられる。
The laser beam L14 emitted from the UV laser device 38 sequentially passes through the beam splitters 72 and 93, and then a metal film is formed on the entire surface of the substrate by the condensing optical system 5, and an organic thin film is coated thereon. It is focused on the surface of the processed body 10. The beam splitter 93 reflects a part of the laser light L14 emitted from the UV laser device 38, makes it enter the photodiode 91, and detects the intensity of the laser light L14 emitted from the UV laser device 38. at the same time,
Part of the return light due to reflection or scattering from the surface of the workpiece 10 is reflected and incident on the photodiode 92, and the intensity of the return light is detected. The detection signals of the photodiodes 91 and 92 are sent to the control / arithmetic unit 9, and it is determined whether the return light is the return light from the organic thin film or the return light from the metal foil. That is, the intensity of the return light from the organic thin film is almost zero, and conversely, the intensity of the return light from the metal foil is high. The control / arithmetic unit 9 continues to emit the laser light L14 from the UV laser device 38 while the return light is almost zero, and immediately stops the laser light 38 when the return light increases to a predetermined intensity. , And controls the UV laser device 38. At the same time, the XY stage 2 is controlled to move the irradiation position to the next predetermined position, start emitting the laser beam L14 again, and thereafter, the same operation is repeated to form the organic thin film in a predetermined pattern. Remove. Here, the observation CCD camera 7 and the image processing device 71 are used as a device for displaying an image by the return light of the laser beam L14 on a monitor television screen for monitoring.

【0041】なお、本実施例に用いることのできるUV
レーザとしては、上記実施例で採用したNd:YLFレ
ーザの高調波の他にもNd:YAG固体レーザの高調波
(λ=355nm、 266nm etc )、窒素レーザ(λ=337nm)、
エキシマレーザ(λ=308nm、248nm etc )などを用いる
ことができる。
UV which can be used in this embodiment
As the laser, in addition to the harmonics of the Nd: YLF laser adopted in the above embodiment, harmonics of the Nd: YAG solid-state laser (λ = 355 nm, 266 nm etc), nitrogen laser (λ = 337 nm),
An excimer laser (λ = 308 nm, 248 nm etc) can be used.

【0042】(第3実施例)図8は本発明の第3実施例
の構成を示す図である。以下、図8を参照にしながら第
3実施例を説明する。なお、この実施例は、被検体11
の表面の材質分布を調べるための検査装置であって、上
述の第2実施例の構成と一部共通する部分があるので、
共通する部分には同一の符号を付して一部その説明を省
略する。
(Third Embodiment) FIG. 8 is a diagram showing the configuration of the third embodiment of the present invention. The third embodiment will be described below with reference to FIG. It should be noted that in this embodiment, the subject 11
Since it is an inspection device for examining the material distribution of the surface of, there is a part in common with the configuration of the above-mentioned second embodiment,
The common parts are denoted by the same reference numerals and the description thereof is partially omitted.

【0043】この実施例の概略構成は、第2実施例にお
けるUV用レーザ装置38の代わりに検査用レーザ光L
40を出射する検査用UVレーザ装置30を配置し、ビー
ムスプリッタ93と集光光学系5との間にレーザビーム
を走査させる光変調器500を用い、さらに、集光光学
系5として自動焦点機構及び共焦点光学系を備えて走査
型レーザ顕微鏡としての機能も発揮できるものを用い、
加えて、フォトダイオード91と92の検出信号の比を
演算し、これを予め登録させてある各種材料のデータと
比較することにより被検体の微小スポット領域の材質を
特定する機能を有する制御・演算装置90を用いたもの
である。制御・演算装置90は光変調器500、集光光
学系5及びXーYステージ2等の必要な制御も行う。
The schematic configuration of this embodiment is similar to the UV laser device 38 of the second embodiment except that the inspection laser light L is used.
An inspection UV laser device 30 that emits 40 is arranged, and an optical modulator 500 that scans a laser beam between the beam splitter 93 and the condensing optical system 5 is used. And a confocal optical system that can also function as a scanning laser microscope,
In addition, a control / calculation having a function of calculating the ratio of the detection signals of the photodiodes 91 and 92 and comparing it with the data of various materials registered in advance to specify the material of the micro spot area of the subject. The device 90 is used. The control / arithmetic unit 90 also performs necessary control of the light modulator 500, the condensing optical system 5, the XY stage 2, and the like.

【0044】本実施例の装置は被検体11の表面が、有
機物かまたは金属かを迅速に判断するのに特に威力を発
揮する。なお、この実施例では検査用UVレーザ装置3
0としてHe−Cdレーザ(λ=442nm、 325nm )を用い
たが、紫外域に発振波長を持つArイオンレーザ(λ=2
75.4nm〜418.5nm )も同様に有用である。また、複数の
材料を識別可能な性質を有するものであれば、どのよう
な波長の光でもよい。
The apparatus of this embodiment is particularly effective in promptly determining whether the surface of the subject 11 is an organic substance or a metal. In this embodiment, the inspection UV laser device 3 is used.
A He-Cd laser (λ = 442 nm, 325 nm) was used as 0, but an Ar ion laser (λ = 2) having an oscillation wavelength in the ultraviolet region was used.
75.4 nm to 418.5 nm) are also useful. Further, light of any wavelength may be used as long as it has a property of distinguishing a plurality of materials.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明にかかる材
料識別装置、レーザ加工装置及び レーザ成膜配線装置
は、複数の材料に対して反射又は散乱の性質が異なる光
からなる検査光を出射する検査用光源と、検査光を被検
体に照射したときにおける該被検体からの検査光の反射
又は散乱による戻り光を検知する光検出器とを備え、該
光検出器の検出信号によって前記被検体の材料を識別す
る構成を有することにより、材料の識別を簡単に瞬時に
行うことを可能にする材料識別装置、並びに、配線用導
電膜の有無をリアルタイムで確認しながら配線用導電膜
の切断を行うことを可能にするレーザ加工装置、並び
に、絶縁保護膜の有無をリアルタイムで確認しながら絶
縁保護膜の除去を行って追加配線を行うことができるレ
ーザ成膜配線装置を得ることを可能にした。
As described in detail above, the material identifying apparatus, laser processing apparatus, and laser film forming / wiring apparatus according to the present invention use an inspection light composed of light having different reflection or scattering properties with respect to a plurality of materials. An inspection light source that emits light, and a photodetector that detects return light due to reflection or scattering of the inspection light from the subject when the inspection light is applied to the subject, and the detection signal of the photodetector By having a configuration for identifying the material of the subject, it is possible to easily and instantly identify the material, and a material identification device for the wiring conductive film while confirming the presence or absence of the wiring conductive film in real time. A laser processing apparatus capable of cutting, and a laser film forming and wiring apparatus capable of performing additional wiring by removing the insulating protective film while confirming the presence or absence of the insulating protective film in real time. Made it possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.

【図2】第1実施例のレーザ加工装置及びレーザ成膜配
線装置による加工説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view of processing by the laser processing apparatus and the laser film forming / wiring apparatus of the first embodiment.

【図3】第1実施例のレーザ加工装置及びレーザ成膜配
線装置による加工説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view of processing by the laser processing apparatus and the laser film forming / wiring apparatus of the first embodiment.

【図4】第1実施例のレーザ加工装置及びレーザ成膜配
線装置による加工説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view of processing by the laser processing apparatus and the laser film forming / wiring apparatus of the first embodiment.

【図5】第1実施例のレーザ加工装置及びレーザ成膜配
線装置による加工説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view of processing by the laser processing apparatus and the laser film forming / wiring apparatus of the first embodiment.

【図6】第1実施例のレーザ加工装置及びレーザ成膜配
線装置による加工説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view of processing by the laser processing apparatus and the laser film forming / wiring apparatus of the first embodiment.

【図7】本発明の第2実施例の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a second exemplary embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2実施例の構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a second exemplary embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体回路基板、XーYステージ、3…加工用レー
ザ装置、4…成膜用レーザ装置、5…集光光学系、6…
照明用光源、7…観察様CCDカメラ、8…検査用光
源。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor circuit board, XY stage, 3 ... Laser device for processing, 4 ... Laser device for film formation, 5 ... Focusing optical system, 6 ...
Light source for illumination, 7 ... CCD camera for observation, 8 ... Light source for inspection.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の材料からなる被検体の各材料を識
別する材料識別装置であって、 各材料に対して反射又は散乱の性質が異なる光からなる
検査光を出射する検査用光源と、 前記検査光を前記被検体に照射したときにおける該被検
体からの検査光の反射又は散乱による戻り光を検知する
光検出器とを備え、 該光検出器の検出信号によって前記被検体の材料を識別
することを特徴とした材料識別装置。
1. A material identification device for identifying each material of an object made of a plurality of materials, the inspection light source emitting an inspection light composed of light having different reflection or scattering properties with respect to each material, A photodetector for detecting return light due to reflection or scattering of the test light from the test object when the test light is applied to the test object, and a material of the test object is detected by a detection signal of the photodetector. Material identification device characterized by identification.
【請求項2】 請求項1に記載の材料識別装置におい
て、 前記検査光は、前記各材料のうちの1又は2以上の材料
の一部を除去できる性質を兼ね備えたものであることを
特徴とした材料識別装置。
2. The material identification device according to claim 1, wherein the inspection light has a property of removing a part of one or more materials of the respective materials. Material identification device.
【請求項3】 請求項1又は2に記載の材料識別装置に
おいて、 前記検査用光源から出射した光の強度と前記戻り光の強
度との比を求める装置を備え、この比の値によって前記
被検体の材料を識別することを特徴とした材料識別装
置。
3. The material identification device according to claim 1, further comprising a device that obtains a ratio between the intensity of light emitted from the inspection light source and the intensity of the return light, and the value of the ratio is used to detect the target object. A material identification device characterized by identifying a material of a specimen.
【請求項4】 複数層からなる被加工体の一部を除去す
る加工を施す装置であって、加工用レーザ光を出射する
加工用レーザ装置と、この加工用レーザ装置から出射さ
れた加工用レーザ光を集光して被加工体の加工部に照射
する集光光学系とを有するレーザ加工装置において、 前記被加工体の各層を構成する部材の2以上の部材に対
して反射又は散乱の性質が異なる光からなる検査光を出
射する検査用光源と、前記検査光を前記被加工体の加工
部に照射したときにおける該加工部からの検査光の反射
又は散乱による戻り光を検知する光検出器とを備え、 該光検出器の検出信号の変化によって前記被加工体の加
工部の部材の変化を検知できるようにしたことを特徴と
するレーザ加工装置。
4. An apparatus for performing a process of removing a part of a workpiece having a plurality of layers, the processing laser device emitting a processing laser beam, and the processing laser emitted from the processing laser device. In a laser processing apparatus having a condensing optical system that collects laser light and irradiates the processed portion of the object to be processed, a laser processing device that reflects or scatters two or more members constituting each layer of the object to be processed is provided. An inspection light source that emits inspection light composed of light having different properties, and light that detects return light due to reflection or scattering of inspection light from the processing part when the inspection light is applied to the processing part of the workpiece. A laser processing apparatus comprising: a detector, wherein a change in a member of a processed portion of the workpiece can be detected by a change in a detection signal of the photodetector.
【請求項5】 表面が絶縁膜で被膜された回路パターン
における離間した箇所どうしを電気的に接続する装置で
あって、前記各々の箇所に加工用レーザ光を照射するこ
とにより該箇所の絶縁膜を除去して複数のコンタクトホ
ールを形成するレーザ加工装置部と、これらコンタクト
ホールを包含する領域に塗布された液状金属化合物に成
膜用レーザ光を照射して該液状金属化合物を固化・成膜
することにより前記回路パターンにおける離間した箇所
どうしを電気的に接続する回路を形成する成膜用レーザ
装置部とを備えたレーザ成膜配線装置において、 前記レーザ加工装置部を請求項1に記載のレーザ加工装
置で構成したことを特徴とするレーザ成膜配線装置。
5. A device for electrically connecting spaced apart portions of a circuit pattern whose surface is coated with an insulating film, wherein the insulating film at each portion is irradiated with a processing laser beam. And a laser processing device section for removing a plurality of contact holes to form a plurality of contact holes, and a liquid metal compound applied to an area including these contact holes is irradiated with a film forming laser beam to solidify and form the liquid metal compound. The laser processing apparatus unit according to claim 1, wherein the laser processing apparatus unit is provided with a film forming laser device unit that forms a circuit that electrically connects the separated positions in the circuit pattern by performing the above. A laser film forming / wiring device comprising a laser processing device.
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