JPH11195728A - Solder ball carrier - Google Patents
Solder ball carrierInfo
- Publication number
- JPH11195728A JPH11195728A JP28926298A JP28926298A JPH11195728A JP H11195728 A JPH11195728 A JP H11195728A JP 28926298 A JP28926298 A JP 28926298A JP 28926298 A JP28926298 A JP 28926298A JP H11195728 A JPH11195728 A JP H11195728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder ball
- ball
- solder
- land
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半田ボールキャリ
ア、詳しくは、ボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡと
記述する）パッケージの基板上に形成する半田ボール
群、即ち、ボールグリッドアレイを有する半田ボールキ
ャリアに関するものである。The present invention relates to a solder ball carrier, and more particularly, to a solder ball group formed on a substrate of a ball grid array (hereinafter referred to as BGA) package, that is, a solder ball carrier having a ball grid array. It is about.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在では、多数の外部端子を有する半導
体素子（以下、ＬＳＩチップと記述する）に対応するパ
ッケージとして、あるいは、従来より用いられているＱ
ＦＰに取って代わる次世代のパッケージとして、ＢＧＡ
パッケージが注目を浴びている。これはＢＧＡ基板の下
面に、外部接続端子となる半田ボールを碁盤目状に配列
できるため、ＱＦＰの外周端子引出法に比べて端子数を
多く取れることや、ＢＧＡパッケージ内での配線長を短
くできるため、電気的特性が良くなる等の特徴を持つた
めである。2. Description of the Related Art At present, as a package corresponding to a semiconductor device having a large number of external terminals (hereinafter referred to as an LSI chip), or a Q which has been conventionally used.
BGA as the next generation package to replace FP
The package is in the spotlight. This is because solder balls to be external connection terminals can be arranged in a grid pattern on the lower surface of the BGA board, so that the number of terminals can be increased compared to the outer peripheral terminal drawing method of QFP, and the wiring length in the BGA package can be shortened. This is because they have characteristics such as improved electrical characteristics.
【０００３】このＢＧＡパッケージの基本的な構成を、
図６、図７および図８を用いて説明する。図６は、ＢＧ
Ａパッケージの一例の模式図、図７は、このＢＧＡパッ
ケージの一例の部分拡大図、そして、図８は、ＢＧＡパ
ッケージの基板の下面に形成された半田ボールの一例の
平面図である。The basic configuration of this BGA package is as follows:
This will be described with reference to FIGS. FIG. 6 shows the BG
FIG. 7 is a schematic view of an example of the A package, FIG. 7 is a partially enlarged view of an example of the BGA package, and FIG. 8 is a plan view of an example of a solder ball formed on the lower surface of the substrate of the BGA package.
【０００４】まず、図６に示すように、このＢＧＡパッ
ケージ５２は、ＢＧＡ基板３４と、このＢＧＡ基板３４
の上面中央部に載置されたＬＳＩチップ４８と、これら
のＢＧＡ基板３４とＬＳＩチップ４８とを互いに電気的
に接続するためのボンディングワイヤ５４と、このＢＧ
Ａ基板３４の上面を封止するためのモールド樹脂５６
と、このＢＧＡ基板３４の下面に形成された半田ボール
（ボールグリッドアレイ）３２とから構成されている。First, as shown in FIG. 6, a BGA package 52 includes a BGA board 34 and a BGA board 34.
An LSI chip 48 placed at the center of the upper surface of the semiconductor chip, bonding wires 54 for electrically connecting the BGA substrate 34 and the LSI chip 48 to each other,
Mold resin 56 for sealing the upper surface of A substrate 34
And a solder ball (ball grid array) 32 formed on the lower surface of the BGA substrate 34.
【０００５】ここで、図７に示すように、通常、ＢＧＡ
基板３４は多層基板であって、その上面には複数個のラ
ンドパッド５８が形成され、これらの各ランドパッド５
８とＬＳＩチップ４８の各端子とは、ボンディングワイ
ヤ５４により、互いに電気的に接続され、ＢＧＡ基板３
４の上面は、モールド樹脂５６により封止されている。
一方、ＢＧＡ基板３４の下面には、その上面に形成され
たランドパッド５８に対応する個数の半田ボール形成用
ランド３６が形成され、これらのランドパッド５８と半
田ボール形成用ランド３６とは、スルーホール６０によ
り互いに電気的に接続されている。また、図８に示すよ
うに、ＢＧＡ基板３４の下面に形成されたそれぞれの半
田ボール形成用ランド３６上には、半田ボール３２が碁
盤目のように形成され、ボールグリッドアレイ３２を構
成している。なお、この半田ボール３２の直径は通常
０．５〜０．７mm、半田ボール間のピッチは１．０〜
１．５mmに標準化されている。[0005] Here, as shown in FIG.
The substrate 34 is a multilayer substrate having a plurality of land pads 58 formed on an upper surface thereof.
8 and each terminal of the LSI chip 48 are electrically connected to each other by bonding wires 54, and the BGA substrate 3
4 is sealed with a mold resin 56.
On the other hand, on the lower surface of the BGA substrate 34, a number of solder ball forming lands 36 corresponding to the number of land pads 58 formed on the upper surface thereof are formed. These land pads 58 and the solder ball forming lands 36 The holes 60 are electrically connected to each other. As shown in FIG. 8, solder balls 32 are formed in a grid pattern on each of the solder ball forming lands 36 formed on the lower surface of the BGA substrate 34, forming a ball grid array 32. I have. The diameter of the solder ball 32 is usually 0.5 to 0.7 mm, and the pitch between the solder balls is 1.0 to 0.7 mm.
Standardized to 1.5 mm.
【０００６】このＢＧＡパッケージ５２の製造に際し、
最大の難点になっているのはボールグリッドアレイ３
２、即ち、半田ボール３２の形成工程である。この半田
ボール３２の形成を多数個取りの基板において、プラス
チックモールド前に行うと、プラスチックモールド時の
射出成形熱や、例えば、温度約２００℃で１０時間にも
及ぶモールド後の硬化熱処理などによって、せっかく形
成された半田ボール３２が酸化し、プリント基板への組
み込みができなくなる。このため、半田ボール３２の形
成は、たとえ多数個取りの基板であっても、プラスチッ
クモールド後に、ＢＧＡパッケージ５２一個単位で行わ
れており、非常に能率が悪いという問題点がある。In manufacturing the BGA package 52,
The biggest difficulty is the ball grid array 3
2, that is, the step of forming the solder balls 32. If the formation of the solder balls 32 is performed on a multi-piece substrate before plastic molding, injection molding heat during plastic molding or, for example, a curing heat treatment after molding for about 10 hours at a temperature of about 200 ° C. The formed solder balls 32 are oxidized and cannot be incorporated into a printed circuit board. For this reason, the formation of the solder balls 32 is performed in units of one BGA package 52 after plastic molding, even if the substrate is a multi-piece substrate, which is extremely inefficient.
【０００７】従来、この半田ボール３２の形成法として
は、振り込み法と呼ばれ、フラックスを用いて、ＢＧＡ
基板３４の下面に形成された半田ボール形成用ランド３
６上に球状半田ボールを接着しておき、その後、これを
リフロー炉に通して溶融し、ＢＧＡ基板３４の下面に半
田ボール３２を接合させる方法や、あるいは、半田ペー
ストをＢＧＡ基板３４の半田ボール形成用ランド３６上
に印刷し、その後、リフロー炉を通して半田ペーストを
溶融し、表面張力によって半田ボール３２を形成される
方法などがある。Conventionally, a method of forming the solder ball 32 is called a transfer method, which uses a flux to form a BGA.
Land 3 for solder ball formation formed on the lower surface of substrate 34
6, a solder ball is bonded to the solder ball 32 and then passed through a reflow furnace to be melted, and the solder ball 32 is bonded to the lower surface of the BGA board 34, or a solder paste is applied to the solder ball of the BGA board 34. For example, there is a method in which printing is performed on the forming land 36, the solder paste is melted through a reflow furnace, and the solder balls 32 are formed by surface tension.
【０００８】しかしながら、これらの方法では、前述し
た理由によりＢＧＡ基板３４の下面に予め半田ボール３
２を形成させることができないので、モールド工程が終
了した後に、半田ボール３２の形成工程を行っていた。
このため、ＢＧＡパッケージ５２の製造工程が非能率的
となり、さらには、半田ボール３２を連続的に形成させ
ることもできず、結局、ＢＧＡパッケージ５２が高価な
ものとなるという問題点があった。However, in these methods, the solder balls 3 are previously placed on the lower surface of the BGA substrate 34 for the above-mentioned reason.
2 cannot be formed, so that the step of forming the solder ball 32 is performed after the completion of the molding step.
For this reason, the manufacturing process of the BGA package 52 becomes inefficient, and furthermore, the solder balls 32 cannot be formed continuously, resulting in a problem that the BGA package 52 becomes expensive.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術に基づく種々の問題点をかえりみて、ＢＧＡパ
ッケージを安価にすることができる半田ボールキャリア
を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a solder ball carrier which can reduce the cost of a BGA package in view of various problems based on the prior art.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、本発明は、絶縁フィルムの、ＢＧＡ基板の半田ボー
ル形成用ランドに対応する位置にスルーホールを開孔
し、このスルーホール毎に、前記絶縁フィルムの一方の
面にランドパッドと、他方の面にボールランドとを、前
記スルーホールを介して電気的に接続するよう形成し、
この絶縁フィルムの各ボールランドに夫々半田ボールを
形成したことを特徴とする半田ボールキャリアを提供す
るものである。In order to solve the above-mentioned object, according to the present invention, a through-hole is formed at a position of an insulating film corresponding to a land for forming a solder ball of a BGA substrate, and each through-hole is formed. Forming a land pad on one surface of the insulating film and a ball land on the other surface so as to be electrically connected through the through hole;
Another object of the present invention is to provide a solder ball carrier in which solder balls are formed on respective ball lands of the insulating film.
【００１１】ここで、本発明の半田ボールキャリアは、
その基材である絶縁フィルムが長尺のテープ状のもので
あり、それにＢＧＡパッケージ１個分の半田ボール群が
連続的に形成されていることが好ましい。Here, the solder ball carrier of the present invention comprises:
It is preferable that the insulating film as the base material is a long tape-like one, and a solder ball group for one BGA package is formed continuously.
【００１２】本発明の半田ボールキャリアは、ＢＧＡパ
ッケージの製造工程とは独立して、絶縁フィルムの一方
の面から電気的に接続できるように、この絶縁フィルム
の他方の面に、予めＢＧＡ基板の半田ボール形成用ラン
ドに接合するための半田ボールを形成させておくもので
ある。従って、ＢＧＡ基板を樹脂封止した後に、そのＢ
ＧＡ基板の半田ボール形成用ランドと、所定長に切断さ
れた半田ボールキャリアのランドパッドとを位置合わせ
して、絶縁フィルムごとこれらを電気的に接続させるこ
とで、半田ボールの連続的な形成と、酸化防止とを可能
とし、ボールグリッドアレイの製造工程を短縮させるこ
とができ、ＢＧＡパッケージを安価にすることができ
る。[0012] The solder ball carrier of the present invention is provided with a BGA substrate in advance on the other surface of the insulating film so that it can be electrically connected from one surface of the insulating film independently of the BGA package manufacturing process. A solder ball for bonding to a solder ball forming land is formed. Therefore, after sealing the BGA substrate with resin,
By aligning the solder ball forming land of the GA substrate with the land pad of the solder ball carrier cut to a predetermined length, and electrically connecting these together with the insulating film, the continuous formation of the solder ball can be achieved. , Oxidation prevention, the manufacturing process of the ball grid array can be shortened, and the cost of the BGA package can be reduced.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下に、添付の図面に示す好適実
施例に基づいて、本発明の半田ボールキャリアを詳細に
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a solder ball carrier according to the present invention will be described in detail with reference to a preferred embodiment shown in the accompanying drawings.
【００１４】図１は、本発明の半田ボールキャリアの製
造に適用する半田ボール製造装置の一実施例の模式図で
ある。同図に示す半田ボール製造装置２０は、長尺の連
続的な（帯状の）ポリイミド等のプラスチック絶縁フィ
ルム１０が巻き取られている送り出しリール２２と、こ
の送り出しリール２２から引き出された絶縁フィルム１
０の、後述するボールランド上に半田ペーストを印刷す
る印刷機２４と、この半田ペーストを溶融して、絶縁フ
ィルム１０のボールランド上に半田ボールを形成させる
リフロー炉２６と、この半田ボールが形成された半田ボ
ールキャリア３８を巻き取る巻き取りリール２８とから
構成されている。FIG. 1 is a schematic view of one embodiment of a solder ball manufacturing apparatus applied to the manufacture of a solder ball carrier according to the present invention. The solder ball manufacturing apparatus 20 shown in FIG. 1 includes a delivery reel 22 on which a long continuous (band-shaped) plastic insulation film 10 such as polyimide is wound, and an insulating film 1 drawn from the delivery reel 22.
0, a printing machine 24 for printing a solder paste on a ball land to be described later, a reflow furnace 26 for melting the solder paste to form a solder ball on the ball land of the insulating film 10, and a reflow furnace 26 for forming the solder ball. And a take-up reel 28 for winding the solder ball carrier 38 thus wound.
【００１５】ここで図２（ａ）および（ｂ）に、上述す
る絶縁フィルムに形成された導体パターンの一実施例の
横断面図および平面図を示す。同図（ａ）および（ｂ）
に示すように、絶縁フィルム１０の上面にはランドパッ
ド１２が形成され、このランドパッド１２は、絶縁フィ
ルム１０に開孔されたスルーホール１４内に形成された
導体層１５を介して、絶縁フィルム１０の下面に形成さ
れた引出し線１６の一端に接続され、さらに、絶縁フィ
ルム１０の下面に形成された引出し線１６の他端には、
ボールランド１８が形成されている。即ち、絶縁フィル
ム１０の上面に形成されたランドパッド１２と、絶縁フ
ィルム１０の下面に形成されたボールランド１８とは、
互いに電気的に接続されている。これらのランドパッド
１２、導体層１５、引出し線１６、ボールランド１８な
どの導体パターンは、例えば絶縁フィルム１０上に銅め
っき等によって銅箔層を形成し、この銅箔層をエッチン
グすることにより形成させることができる。FIGS. 2A and 2B are a cross-sectional view and a plan view of an embodiment of the conductor pattern formed on the insulating film described above. Figures (a) and (b)
As shown in FIG. 1, a land pad 12 is formed on the upper surface of the insulating film 10, and the land pad 12 is connected to the insulating film 10 via a conductor layer 15 formed in a through hole 14 opened in the insulating film 10. 10 is connected to one end of a lead wire 16 formed on the lower surface of the insulating film 10, and further connected to the other end of the lead wire 16 formed on the lower surface of the insulating film 10.
A ball land 18 is formed. That is, the land pad 12 formed on the upper surface of the insulating film 10 and the ball land 18 formed on the lower surface of the insulating film 10
They are electrically connected to each other. The conductor patterns such as the land pad 12, the conductor layer 15, the lead wire 16, and the ball land 18 are formed by, for example, forming a copper foil layer on the insulating film 10 by copper plating or the like and etching the copper foil layer. Can be done.
【００１６】このように構成される半田ボール製造装置
２０において、上述するように送り出しリール２２に
は、図２（ａ）および（ｂ）に示す導体パターンが形成
された絶縁フィルム１０が巻き取られている。この送り
出しリール２２から引き出された絶縁フィルム１０は、
まず、印刷機２４により、図３（ａ）に示すように、絶
縁フィルム１０のボールランド１８上に、微細半田粒、
フラックス成分および高分子粘結成分からなる半田ペー
スト３０が、印刷法により印刷される。そして、この半
田ペースト３０が印刷された絶縁フィルム１０は、リフ
ロー炉２６により、所定温度で所定時間、例えば、２３
０℃で１５秒間加熱されると、半田ペースト３０が溶融
し、表面張力により、図３（ｂ）に示すように、絶縁フ
ィルム１０のボールランド１８上にアレイ状に半田ボー
ル（ボールグリッドアレイ）３２が形成され、この半田
ボールキャリア３８が巻き取りリール２８により巻き取
られる。なお、半田ペースト３０は溶融されて、そのフ
ラックスおよび高分子粘結成分は、ある程度揮発、ある
いは、半田ボール３２の周囲に多少残留して半田ボール
を形成するものである。In the solder ball manufacturing apparatus 20 constructed as described above, the insulating film 10 on which the conductor pattern shown in FIGS. 2A and 2B is formed is wound on the delivery reel 22 as described above. ing. The insulating film 10 pulled out from the delivery reel 22 is
First, as shown in FIG. 3A, fine solder particles are placed on the ball lands 18 of the insulating film 10 by the printing machine 24.
A solder paste 30 composed of a flux component and a polymer binding component is printed by a printing method. Then, the insulating film 10 on which the solder paste 30 is printed is placed in a reflow furnace 26 at a predetermined temperature for a predetermined time, for example, 23 hours.
When the solder paste 30 is heated at 0 ° C. for 15 seconds, the solder paste 30 is melted, and due to surface tension, solder balls (ball grid array) are formed on the ball lands 18 of the insulating film 10 in an array as shown in FIG. The solder ball carrier 38 is wound by the take-up reel 28. In addition, the solder paste 30 is melted, and its flux and polymer binder component volatilize to some extent, or slightly remain around the solder balls 32 to form solder balls.
【００１７】従って、送り出しリール２２から引き出さ
れた絶縁フィルム１０が、印刷機２４およびリフロー炉
２６を経由して、半田ボールキャリア３８が巻き取りリ
ール２８に巻き取られることにより、絶縁フィルム１０
のボールランド１８上に、半田ボール３２を連続的に形
成させて、半田ボールキャリア３８を作製することがで
きる。なお、送り出しリール２２から引き出される絶縁
フィルム１０は、そのボールランド１８を上面として水
平に搬送されるのが好ましいが、これとは逆に、ボール
ランド１８を下面として水平に搬送されても良い。Accordingly, the insulating film 10 pulled out from the delivery reel 22 passes through the printing machine 24 and the reflow furnace 26, and the solder ball carrier 38 is taken up by the take-up reel 28.
The solder balls 32 can be continuously formed on the ball lands 18 to produce a solder ball carrier 38. It is preferable that the insulating film 10 pulled out from the delivery reel 22 be transported horizontally with the ball land 18 as the upper surface. However, the insulating film 10 may be transported horizontally with the ball land 18 as the lower surface.
【００１８】続いて図４に、上述する方法で製造された
半田ボールキャリアと、ＢＧＡ基板の半田ボール形成用
ランドとを電気的に接続させる工程の一実施例の正面模
式図を示す。同図において、ＢＧＡ基板３４の上面は既
に樹脂封止され、その下面には、半田ボール３２を形成
するための半田ボール形成用ランド３６が形成されてい
る。一方、半田ボールキャリア３８は、上述する印刷法
により、ボールランド１８上に半田ボール３２が形成さ
れた半田ボールキャリア３８を、ＢＧＡパッケージ１個
分の長さに切断したもので、絶縁フィルム１０の上面に
は、半田ボール３２と電気的に接続されたランドパッド
１２が、ＢＧＡ基板３４の下面に形成された半田ボール
形成用ランド３６に応じた位置に形成されている。Next, FIG. 4 is a schematic front view showing an embodiment of a step of electrically connecting the solder ball carrier manufactured by the above-mentioned method and the solder ball forming land of the BGA substrate. In the figure, the upper surface of the BGA substrate 34 is already resin-sealed, and the lower surface thereof is formed with a solder ball forming land 36 for forming the solder ball 32. On the other hand, the solder ball carrier 38 is obtained by cutting the solder ball carrier 38 in which the solder ball 32 is formed on the ball land 18 by the above-described printing method into a length of one BGA package. On the upper surface, the land pads 12 electrically connected to the solder balls 32 are formed at positions corresponding to the solder ball forming lands 36 formed on the lower surface of the BGA substrate 34.
【００１９】このように構成されたＢＧＡ基板３４と、
半田ボールキャリア３８とにおいて、ＢＧＡ基板３４の
下面に形成された半田ボール形成用ランド３６に、同様
に印刷法により、銅微粉末を含むエポキシ系の導電性ペ
ーストを印刷し、ＢＧＡ基板３４の半田ボール形成用ラ
ンド３６と、半田ボールキャリア３８のランドパッド１
２とを位置合わせした後、所定温度で所定時間、例え
ば、１２０℃で１分間加熱することにより、この導電性
ペーストを硬化させて、ＢＧＡ基板３４の半田ボール形
成用ランド３６と、半田ボールキャリア３８のランドパ
ッド１２とを電気的に接続させることができる。なお、
上述する導電性ペーストは、低温かつ短時間で硬化させ
ることができるので、半田ボール３２を溶融・酸化させ
る心配は全くない。なお、上述する導電性ペースト３０
は、予め製造された半田ボールキャリア３８のランドパ
ッド１２に印刷しても良い。The BGA board 34 configured as described above,
In the solder ball carrier 38, an epoxy-based conductive paste containing fine copper powder is printed on the solder ball forming lands 36 formed on the lower surface of the BGA substrate 34 by the same printing method. Land 36 for ball formation and land pad 1 of solder ball carrier 38
Then, the conductive paste is cured by heating at a predetermined temperature for a predetermined time, for example, 120 ° C. for 1 minute, and the solder ball forming land 36 of the BGA substrate 34 and the solder ball carrier are aligned. 38 land pads 12 can be electrically connected. In addition,
Since the above-mentioned conductive paste can be cured at a low temperature and in a short time, there is no fear of melting and oxidizing the solder balls 32. The conductive paste 30 described above is used.
May be printed on the land pads 12 of the solder ball carrier 38 manufactured in advance.
【００２０】（実施例）まず、幅方向両側に４．７５mm
ピッチで搬送用のスプロケットホールが開孔された、厚
さ０．１２５mm、幅３５mmのポリイミドフィルム１０を
用いて、図２に示した絶縁フィルム１０を作成した。こ
のポリイミドフィルム１０において、ＢＧＡ基板３４の
ボール形成用ランド３６に相当する位置に、ＢＧＡ基板
３４のボール形成用ランド３６に相当する数のスルーホ
ール１４を開孔させた。そして、このポリイミドフィル
ム１０に開孔されたスルーホール１４の内壁を含むポリ
イミドフィルム１０の全面に銅めっきを施し、その後、
ホトケミカルエッチング法により、それぞれのスルーホ
ール１４部分において、ポリイミドフィルム１０の上面
にランドバッド１２と、同様に、その下面に引出し線１
６の先端に接続されたボールランド１８とを形成させ
た。(Embodiment) First, 4.75 mm on both sides in the width direction
The insulating film 10 shown in FIG. 2 was prepared by using a polyimide film 10 having a thickness of 0.125 mm and a width of 35 mm in which sprocket holes for conveyance were opened at a pitch. In this polyimide film 10, a number of through holes 14 corresponding to the ball-forming lands 36 of the BGA substrate 34 were opened at positions corresponding to the ball-forming lands 36 of the BGA substrate 34. Then, copper plating is applied to the entire surface of the polyimide film 10 including the inner wall of the through hole 14 opened in the polyimide film 10, and thereafter,
By photochemical etching, in each of the through holes 14, the land pad 12 is formed on the upper surface of the polyimide film 10, and the lead wire 1 is similarly formed on the lower surface.
6 and a ball land 18 connected to the tip end.
【００２１】次に、図１に示した半田ボールの製造装置
を用いて、半田ボールキャリア３８を作成した。印刷機
２４により、ポリイミドフィルム１０のボールランド１
８上に印刷された半田ペースト３０は、６０Ｓｎ−Ｐｂ
からなる３０〜４０μｍ程度の微細半田粒と、フラック
ス成分と、高分子粘結成分とから構成したもので、ポリ
イミドフィルム１０上に印刷された半田ペースト３０の
高さは３００μｍ程度であった。また、リフロー炉２６
による半田ペースト３０のリフロー条件は、予熱温度１
５０℃で３０秒間加熱した後、リフロー温度２３０℃で
１０秒間加熱するものとした。また、ポリイミドフィル
ム１０の搬送には、このポリイミドフィルム１０の幅方
向両側に開孔されたスプロケットホールを用いた。送り
出しリール２２から引き出されたポリイミドフィルム１
０は、印刷機２４により連続的に半田ペースト３０が印
刷され、また、リフロー炉２６により半田ボール３２が
形成され、さらに、この半田ボールキャリア３８を巻き
取りリール２８へ巻き取ることで、半田ボールキャリア
を連続的に作成することができた。Next, a solder ball carrier 38 was prepared using the solder ball manufacturing apparatus shown in FIG. The ball land 1 of the polyimide film 10 is printed by the printing machine 24.
8, the solder paste 30 printed is 60Sn-Pb
The solder paste 30 printed on the polyimide film 10 was composed of fine solder particles of about 30 to 40 μm, a flux component, and a polymer binder component, and the height was about 300 μm. Also, the reflow furnace 26
The reflow condition of the solder paste 30 by the preheating temperature 1
After heating at 50 ° C. for 30 seconds, heating was performed at a reflow temperature of 230 ° C. for 10 seconds. For transporting the polyimide film 10, sprocket holes opened on both sides in the width direction of the polyimide film 10 were used. Polyimide film 1 pulled out from delivery reel 22
0 indicates that the solder paste 30 is continuously printed by the printing machine 24, the solder balls 32 are formed by the reflow furnace 26, and the solder ball carrier 38 is taken up by the take-up reel 28, so that the solder balls 30 A career could be created continuously.
【００２２】なお、本実施例におけるボールグリッドア
レイ３２の形状は、外形３１×３１mm、半田ボール数４
００個で、図５に示したように、半田ボール間のピッチ
１．５mm、半田ボール直径１．０mm、目標高さ０．６mm
であった。The shape of the ball grid array 32 in this embodiment has an outer shape of 31 × 31 mm and a solder ball number of 4
5, the pitch between the solder balls was 1.5 mm, the solder ball diameter was 1.0 mm, and the target height was 0.6 mm, as shown in FIG.
Met.
【００２３】上記のように作成した半田ボールキャリア
３８を用いて、図４に示したように、ＢＧＡ基板３４の
半田ボール形成用ランド３６に、この半田ボールキャリ
ア３８を接合させた。まず、半田ボールキャリア３８を
ＢＧＡ基板３４に合わせて所定長に切断した。次いで、
ＢＧＡ基板３４の半田ボール形成用ランド３６に、銅の
微粉末を含むエポキシ系の導電性ペーストを印刷し、半
田ボール３２が形成された半田ボールキャリア３８のラ
ンドパッド１２と、ＢＧＡ基板３４の半田ボール形成用
ランド３６とを導電性ペーストを介して連結した。その
後、温度１２０℃で１分間加熱して導電性ペーストを硬
化させ、ＢＧＡ基板３４の半田ボール形成用ランド３６
に、ポリイミドフィルム１０を介して半田ボール３２を
接合した。この時、半田ボールキャリア３８に形成され
た半田ボール３２は、溶融も酸化もしていなかった。Using the solder ball carrier 38 prepared as described above, as shown in FIG. 4, the solder ball carrier 38 was joined to the solder ball forming land 36 of the BGA substrate 34. First, the solder ball carrier 38 was cut into a predetermined length according to the BGA substrate 34. Then
An epoxy-based conductive paste containing fine copper powder is printed on the solder ball forming lands 36 of the BGA board 34, and the land pads 12 of the solder ball carrier 38 on which the solder balls 32 are formed, and the solder of the BGA board 34 The ball-forming lands 36 were connected via a conductive paste. Thereafter, the conductive paste is cured by heating at a temperature of 120 ° C. for one minute, and the solder ball forming land 36 of the BGA substrate 34 is
Then, a solder ball 32 was bonded via a polyimide film 10. At this time, the solder balls 32 formed on the solder ball carrier 38 were not melted or oxidized.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半田ボー
ルキャリアは、ＢＧＡパッケージの製造工程とは独立し
て、絶縁フィルムに予め半田ボールを形成しておくもの
である。そして、樹脂封止されたＢＧＡ基板と、この半
田ボールキャリアとを、絶縁フィルムごと電気的に接続
するものである。従って、本発明の半田ボールキャリア
によれば、半田ボールの連続的な形成と、酸化防止とを
可能とし、ボールグリッドアレイの製造工程を短縮させ
ることができ、ＢＧＡパッケージを安価にすることがで
きる。As described above, in the solder ball carrier of the present invention, the solder balls are previously formed on the insulating film independently of the manufacturing process of the BGA package. Then, the resin-sealed BGA substrate and the solder ball carrier are electrically connected together with the insulating film. Therefore, according to the solder ball carrier of the present invention, continuous formation of solder balls and prevention of oxidation are enabled, the manufacturing process of the ball grid array can be shortened, and the BGA package can be reduced in cost. .
【図１】本発明の半田ボールキャリアの製造に適用する
半田ボール製造装置の一実施例の模式図である。FIG. 1 is a schematic view of one embodiment of a solder ball manufacturing apparatus applied to manufacture of a solder ball carrier of the present invention.
【図２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明のボー
ルグリッドアレイの製造方法において、絶縁フィルムに
形成された導体パターンの一実施例の横断面および平面
図である。FIGS. 2A and 2B are a cross-sectional view and a plan view, respectively, of one embodiment of a conductor pattern formed on an insulating film in a method of manufacturing a ball grid array according to the present invention.
【図３】（ａ）は本発明の半田ボールキャリアの製造に
おいて、半田ボール形成用ランド上に半田ペーストが印
刷された絶縁フィルムの一実施例の模式図、（ｂ）は本
発明の半田ボールキャリアの製造において、半田ボール
形成用ランド上に半田ボールが形成された絶縁フィルム
の一実施例の模式図である。FIG. 3A is a schematic view of an embodiment of an insulating film in which a solder paste is printed on a solder ball forming land in manufacturing the solder ball carrier of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a schematic view of an example of an insulating film in which solder balls are formed on solder ball forming lands in manufacturing a carrier.
【図４】本発明の半田ボールキャリアと、ＢＧＡ基板の
半田ボール形成用ランドとを電気的に接続させる一実施
例となる模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing an example in which a solder ball carrier of the present invention is electrically connected to a solder ball forming land of a BGA substrate.
【図５】本発明の実施例において形成された半田ボール
の形状を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a shape of a solder ball formed in the example of the present invention.
【図６】ＢＧＡパッケージの一例の模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram of an example of a BGA package.
【図７】ＢＧＡパッケージの一例の部分拡大図である。FIG. 7 is a partially enlarged view of an example of a BGA package.
【図８】ＢＧＡ基板の下面に形成されたボールグリッド
アレイ（半田ボール）の一例の平面図である。FIG. 8 is a plan view of an example of a ball grid array (solder balls) formed on a lower surface of a BGA substrate.
１０ 絶縁フィルム １２ ランドパッド １４ スルーホール １５ 導体層 １６ 引出し線 １８ ボールランド ２０ 半田ボール製造装置 ２２ 送り出しリール ２４ 印刷機 ２６ リフロー炉 ２８ 巻き取りリール ３０ 半田ペースト ３２ 半田ボール（ボールグリッドアレイ） ３４ ＢＧＡ基板 ３６ 半田ボール形成用ランド ３８ 半田ボールキャリア ４８ 半導体素子（ＬＳＩチップ） ５２ ＢＧＡパッケージ ５４ ボンディングワイヤ ５６ モールド樹脂 ５８ ランドパッド ６０ スルーホール DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Insulating film 12 Land pad 14 Through hole 15 Conductive layer 16 Lead wire 18 Ball land 20 Solder ball manufacturing device 22 Sending reel 24 Printing machine 26 Reflow furnace 28 Take-up reel 30 Solder paste 32 Solder ball (ball grid array) 34 BGA substrate 36 Solder Ball Forming Land 38 Solder Ball Carrier 48 Semiconductor Element (LSI Chip) 52 BGA Package 54 Bonding Wire 56 Mold Resin 58 Land Pad 60 Through Hole
Claims (2)
板の半田ボール形成用ランドに対応する位置にスルーホ
ールが開孔され、そのスルーホール毎に前記絶縁フィル
ムの一方の面にランドパッドと他方の面にボールランド
とが前記スルーホールを介して電気的に接続するよう形
成され、前記ボールランド毎に半田ボールが形成されて
いることを特徴とする半田ボールキャリア。1. A through hole is formed in a position of an insulating film corresponding to a land for forming a solder ball of a ball grid array substrate. For each through hole, a land pad and another surface are formed on one surface of the insulating film. A solder ball formed so as to be electrically connected to the ball land via the through hole, and a solder ball is formed for each of the ball lands.
リットアレイ基板１個分の半田ボール群が連続的に形成
されている請求項１に記載の半田ボールキャリア。2. The solder ball carrier according to claim 1, wherein a solder ball group for one ball grid array substrate is continuously formed on a long continuous insulating film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28926298A JPH11195728A (en) | 1994-05-18 | 1998-10-12 | Solder ball carrier |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10379694A JP2864984B2 (en) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | Method of manufacturing ball grid array |
| JP28926298A JPH11195728A (en) | 1994-05-18 | 1998-10-12 | Solder ball carrier |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10379694A Division JP2864984B2 (en) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | Method of manufacturing ball grid array |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195728A true JPH11195728A (en) | 1999-07-21 |
Family
ID=14363365
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10379694A Expired - Fee Related JP2864984B2 (en) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | Method of manufacturing ball grid array |
| JP28926298A Pending JPH11195728A (en) | 1994-05-18 | 1998-10-12 | Solder ball carrier |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10379694A Expired - Fee Related JP2864984B2 (en) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | Method of manufacturing ball grid array |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP2864984B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG79258A1 (en) * | 1999-06-05 | 2001-03-20 | Inst Of Microelectronics | Forming solder bumps on semiconductor chips |
| US6816385B1 (en) * | 2000-11-16 | 2004-11-09 | International Business Machines Corporation | Compliant laminate connector |
-
1994
- 1994-05-18 JP JP10379694A patent/JP2864984B2/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-12 JP JP28926298A patent/JPH11195728A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07312399A (en) | 1995-11-28 |
| JP2864984B2 (en) | 1999-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6521997B1 (en) | Chip carrier for accommodating passive component | |
| US6825569B2 (en) | BGA package having substrate with patterned solder mask defining open die attach area | |
| US6064111A (en) | Substrate for holding a chip of semi-conductor package, semi-conductor package, and fabrication process of semi-conductor package | |
| US6809405B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP4312766B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH04192596A (en) | Mounting structure of electronic component | |
| JP5117270B2 (en) | WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE | |
| JP3391282B2 (en) | Electronic component manufacturing method | |
| JPH09266267A (en) | Transfer wiring supporting member and method of manufacturing semiconductor package using the same | |
| JP3617072B2 (en) | Chip carrier | |
| JPH01303730A (en) | Mounting structure of semiconductor element and manufacture thereof | |
| JP2864984B2 (en) | Method of manufacturing ball grid array | |
| JPH10135366A (en) | Manufacturing method of outer terminal of bga semiconductor package | |
| JP2988286B2 (en) | BGA type semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| KR100192758B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor package and structure of the same | |
| JP3191617B2 (en) | Lead frame and semiconductor device using the same | |
| JP2002151627A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method and method for mounting | |
| US6429049B1 (en) | Laser method for forming vias | |
| JP3661822B2 (en) | Chip support substrate for semiconductor packaging | |
| JP2013258330A (en) | Electronic apparatus and manufacturing method of the same | |
| JP3570400B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH0927563A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0758244A (en) | Semiconductor package and manufacture thereof | |
| JPH0766318A (en) | Semiconductor device | |
| JP3324472B2 (en) | Method for manufacturing TAB tape for BGA |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000704 |