JPH1119475A - Method of purifying harmful gas - Google Patents

Method of purifying harmful gas

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JPH1119475A
JPH1119475A JP9187498A JP18749897A JPH1119475A JP H1119475 A JPH1119475 A JP H1119475A JP 9187498 A JP9187498 A JP 9187498A JP 18749897 A JP18749897 A JP 18749897A JP H1119475 A JPH1119475 A JP H1119475A
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JP
Japan
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gas
purifying
oxide
harmful
cylinder
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JP9187498A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideki Fukuda
秀樹 福田
Kenji Otsuka
健二 大塚
Chitsu Arakawa
秩 荒川
Eisei Koura
永生 古浦
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Japan Pionics Ltd
Original Assignee
Japan Pionics Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable purifying a large flow rate of gaseous hydridecontaining harmful gas with high purifying capacity even in the presence of moisture by bringing harmful gas containing gaseous hydride as harmful components into contact with a purifying agent consisting essentially of copper oxide and silver oxide. SOLUTION: A purifying pipe 1 is packed with a purifying agent 2 consisting essentially of copper (II) oxide and silver (I) oxide. Between a cylinder cabinet 4 for housing a gas cylinder 3 and a blower 5 for continuously sucking air in the cylinder cabinet 4 to ventilate it, the purifying pipe 1 is installed through a ventilating duct 6. And when gas which is gaseous hydride such as arsine, phosphine, silane, disilane and trisilane in the gas cylinder 3 leaks from the gas cylinder 3, the blower 5 installed at the poststage of the purifying pipe 1 is switched to large flow rate operation, and harmful gas is led together with a large quantity of air taken in from an air intake 7 to the ventilating duct 6 to purify it in the purifying pipe 1, allowing it to be discharged as gas madeharmless.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は有害ガスの浄化方法
に関し、さらに詳細にはボンベなどから大量の水素化物
ガスが急激に大気中に漏洩した場合において、漏洩した
有害ガスを効率よく浄化するためのガスの浄化方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for purifying harmful gas, and more particularly, to a method for purifying harmful gas efficiently when a large amount of hydride gas is suddenly leaked into the atmosphere from a cylinder or the like. A gas purification method.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体工業、液晶工業の発展とと
もに、これらの工程に用いられるアルシン、ホスフィ
ン、シランおよびジボランなどの水素化物ガスの種類お
よび使用量が増加している。
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of the semiconductor industry and the liquid crystal industry, the types and amounts of hydride gases such as arsine, phosphine, silane and diborane used in these processes have been increasing.

【0003】これらの水素化物ガスはシリコン半導体や
化合物半導体、液晶などの製造工程において、原料ガス
あるいはドーピングガスとして不可欠なものであるが、
いずれも極めて毒性が高く、それぞれの許容濃度はアル
シン(AsH3 )で0.05ppm、ホスフィン(PH
3 )で0.3ppm、シラン(SiH4 )で5ppm、
ジボラン(B2 3 )で0.05ppmとされている。
[0003] These hydride gases are indispensable as a source gas or a doping gas in the production process of silicon semiconductors, compound semiconductors, liquid crystals and the like.
All are extremely toxic, and their allowable concentrations are 0.05 ppm for arsine (AsH 3 ) and phosphine (PH).
3 ) 0.3 ppm, silane (SiH 4 ) 5 ppm,
It is 0.05 ppm in diborane (B 2 H 3 ).

【0004】このため、高濃度の水素化物ガスを含有す
る有害ガスを大気中に排出した場合、環境を破壊するば
かりでなく人命を奪うといった危険性があるため、有害
ガスを排出する場合には有害ガス中の水素化物ガスの濃
度が許容濃度以下となるまで浄化する必要がある。
[0004] For this reason, if a harmful gas containing a high concentration of hydride gas is discharged into the atmosphere, there is a danger of not only destroying the environment but also killing human life. It is necessary to purify until the concentration of the hydride gas in the harmful gas becomes lower than the allowable concentration.

【0005】半導体や液晶の製造工場において、これら
の水素化物ガスのボンベは、ガスが漏洩した場合に直接
外部の大気を汚染することを防止するため、通常はシリ
ンダーキャビネットと呼ばれるボンベ収納容器内に収納
された状態で製造工程などへのガス供給配管に接続して
使用される。このようにボンベがシリンダーキャビネッ
ト内に収納されていても思わぬ事故によりガスが漏洩す
る危険性が皆無といえず、このような事故発生時には迅
速に浄化しなければならない。また製造工程においても
製造装置やガス供給配管からガスが漏洩し、製造現場の
環境を汚染する危険性があり、このような場合も有害ガ
スを緊急に浄化しなければならない。
In a semiconductor or liquid crystal manufacturing plant, these hydride gas cylinders are usually placed in a cylinder storage container called a cylinder cabinet in order to prevent the outside air from being directly polluted when the gas leaks. In the stored state, it is used by being connected to a gas supply pipe to a manufacturing process or the like. Thus, even if the cylinder is stored in the cylinder cabinet, there is no danger of gas leaking due to an unexpected accident, and when such an accident occurs, it must be quickly cleaned. Also, in the manufacturing process, there is a risk that gas leaks from a manufacturing apparatus or a gas supply pipe and contaminates the environment of the manufacturing site. In such a case, the harmful gas must be urgently purified.

【0006】これらの水素化物ガスを有害成分として含
有する有害ガスを浄化する方法としては、湿式浄化法と
乾式浄化法が知られている。湿式浄化法としては、アル
カリ溶液に水素化物系廃ガスを接触させ、紫外線を照射
して除害する方法(特開平3−178317号公報)、
アルカリ溶液に水素化物系廃ガスを接触させ、超音波を
作用させて除害する方法(特開平3−178318号公
報)などが知られている。乾式浄化法としては銅、亜
鉛、鉄、珪素、燐、マンガンおよびアルミニウムから選
ばれる金属化合物からなるハニカム成型体を有害ガスと
接触させて除去する方法(特開昭64−15135号公
報)、ホスフィン、ジボランまたはアルシンを含有す
るシラン系ガスを固体金属酸化物を主成分とする充填層
を通過させて除去する方法(特開平5−269347号
公報)、酸化第二銅と、AgO、HgO、CdOの1
つ以上を含む触媒とガス状水素化物を接触させて除去す
る方法(特開平5−317715号公報)などが知られ
ている。
As a method for purifying harmful gases containing these hydride gases as harmful components, a wet purification method and a dry purification method are known. Examples of the wet purification method include a method in which a hydride-based waste gas is brought into contact with an alkaline solution and irradiated with ultraviolet rays to remove the harmful substances (Japanese Patent Laid-Open No. 3-178317).
There is known a method in which a hydride-based waste gas is brought into contact with an alkali solution and subjected to ultrasonic waves to remove harm (Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-178318). Examples of the dry purification method include a method of removing a honeycomb formed body made of a metal compound selected from copper, zinc, iron, silicon, phosphorus, manganese, and aluminum by contact with a harmful gas (Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-15135); Of removing a silane-based gas containing diborane or arsine by passing through a packed layer containing a solid metal oxide as a main component (JP-A-5-269347), using cupric oxide, AgO, HgO, CdO Of 1
There is known a method of contacting a gaseous hydride with a catalyst containing at least one of them to remove the gaseous hydride (JP-A-5-317715).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】アルシン、ホスフィン
等の有害成分がボンベ、配管あるいはこれらのガスを使
用する装置等から大気中に漏洩した場合の有害ガスの浄
化においては、大流量の有害ガスを迅速に処理する必要
があり、高い浄化能力が必要とされる。また、大気中に
漏洩した水素化物ガスを空気の共存下で浄化するため、
水分を含む場合が多い。さらに、製造現場においては安
全性の面から製造装置近傍での有害ガスの浄化が望まれ
ており、また浄化設備のコストを低減するためにも浄化
設備の小型化が求められている。
In purifying harmful gas when harmful components such as arsine and phosphine leak into the atmosphere from cylinders, pipes or equipment using these gases, a large flow of harmful gas is used. It needs to be processed quickly and requires high purification capacity. In order to purify hydride gas leaked into the atmosphere in the presence of air,
Often contains water. Further, at a manufacturing site, it is desired to purify harmful gases in the vicinity of the manufacturing apparatus from the viewpoint of safety, and downsizing of the purification apparatus is required to reduce the cost of the purification apparatus.

【0008】しかしながら、前述の湿式浄化法は超音波
発生装置や紫外線発生装置が必要なため設備が大型とな
ること、アルカリ溶液を使用するため薬液による浄化装
置の腐食が起こること、浄化能力が低いことといった問
題点がある。また、およびの方法は空気中の水分に
より浄化能力が低下しやすく、水分存在下では有害ガス
を充分浄化することができないといった問題点がある。
一方、の方法は、浄化能力が充分ではなく、特にAg
Oを用いた場合はAgOが化学的に不安定であること、
さらにAgOは高価であるといった問題点がある。
[0008] However, the above-mentioned wet purification method requires an ultrasonic generator or an ultraviolet ray generator, so that the equipment becomes large, the use of an alkaline solution causes corrosion of the purification device by a chemical solution, and low purification ability. There are problems. In addition, the methods (1) and (2) have a problem that the purifying ability is easily lowered by moisture in the air, and the harmful gas cannot be sufficiently purified in the presence of moisture.
On the other hand, the method (1) has insufficient purification ability, and
When O is used, AgO is chemically unstable.
Furthermore, AgO has a problem that it is expensive.

【0009】以上のことから、設備が小型であり、浄化
能力が高く、水分存在下であっても能力が低下すること
のない、水素化物ガスを含有する有害ガスの浄化方法の
開発が強く望まれていた。
In view of the above, it is strongly desired to develop a method for purifying harmful gases containing hydride gas, which is compact in size, has a high purifying ability, and does not decrease its capacity even in the presence of moisture. Was rare.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
問題点を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、アルシン、
ホスフィン等の水素化物ガスがボンベ、配管あるいはこ
れらのガスを使用する装置等から大気中に漏洩した場合
の有害ガスの浄化において、酸化銅(II)と酸化銀(I) を
主成分とする浄化剤を用いることにより、従来予想しな
かった大きな浄化能力が得られることを見出し本発明を
完成した。
The present inventors have made intensive studies to solve these problems and found that arsine,
When purifying harmful gases when hydride gas such as phosphine leaks into the atmosphere from cylinders, pipes, or equipment that uses these gases, purifying mainly copper (II) oxide and silver (I) oxide It has been found that the use of an agent can provide a large purification capacity which has not been expected in the past, and completed the present invention.

【0011】すなわち本発明は、有害成分として水素化
物ガスを含有する有害ガスを酸化銅(II)と酸化銀(I) を
主成分とする浄化剤と接触させ、該有害ガスを浄化する
ことを特徴とする有害ガスの浄化方法である。
That is, the present invention provides a method for purifying a harmful gas containing a hydride gas as a harmful component by contacting the harmful gas with a purifying agent containing copper (II) oxide and silver (I) oxide as main components. This is a method for purifying harmful gases.

【0012】本発明で用いられる浄化剤は、酸化銅(II)
と酸化銀(I) を主成分とするものであり、これにより空
気中などに含まれるアルシン、ホスフィン、シラン、ジ
シラン、トリシラン、ジボラン、セレン化水素などの水
素化物ガスを従来公知の方法では得られなかった高い浄
化能力で、また水分などの影響を受けることなく浄化す
ることができる。
The purifying agent used in the present invention is copper (II) oxide.
And silver (I) oxide as main components, whereby hydride gas such as arsine, phosphine, silane, disilane, trisilane, diborane, hydrogen selenide and the like contained in the air or the like can be obtained by a conventionally known method. It can be purified with high purification ability that has not been obtained and without being affected by moisture.

【0013】本発明で用いられる浄化剤中の酸化銀(I)
の量としては、少なすぎると充分な浄化能力が得られ
ず、また多すぎると浄化剤が高価となることから、通常
は浄化剤全重量に対して0.1〜20重量%であり、よ
り好ましくは1〜15重量%である。
Silver (I) oxide in the purifying agent used in the present invention
When the amount is too small, a sufficient purifying ability cannot be obtained, and when the amount is too large, the purifying agent becomes expensive. Therefore, the amount is usually 0.1 to 20% by weight based on the total weight of the purifying agent. Preferably it is 1 to 15% by weight.

【0014】本発明で用いられる浄化剤としては酸化銅
(II)と酸化銀(I) の混合成型体であってもよく、また酸
化銅(II)成型体に酸化銀(I) を添着させたものであって
もよい。
The purifying agent used in the present invention is copper oxide.
It may be a mixed molded product of (II) and silver oxide (I), or may be a molded product of copper oxide (II) with silver oxide (I) impregnated thereon.

【0015】浄化剤を調製する方法としては公知の種々
の方法が用いられる。酸化銅(II)と酸化銀(I) の混合成
型体を調製する方法としては、例えば酸化銅(II)と酸化
銀(I) を所定の割合で予備的に混合したものに水を加え
てかき混ぜ得られたスラリーまたはケーキを押し出し成
型し、適当な長さに切断して得られたペレットを乾燥さ
せて浄化剤とする方法、または上記のようなスラリーま
たはケーキを乾燥させた後粉砕し、打錠成型して浄化剤
とする方法、あるいはスラリーまたはケーキを造粒機な
どを用いて粒状に成型して浄化剤とする方法などが挙げ
られる。これらのうち加工性および形状、大きさの選択
の容易さなどの点から押し出し成型によりペレット状と
する方法が好ましい。
As a method for preparing the purifying agent, various known methods are used. As a method of preparing a mixed molded body of copper oxide (II) and silver oxide (I), for example, water is added to a mixture obtained by preliminarily mixing copper oxide (II) and silver oxide (I) at a predetermined ratio. Extruding the slurry or cake obtained by stirring, drying the pellets obtained by cutting to an appropriate length to obtain a purifying agent, or crushing after drying the slurry or cake as described above, Examples include a method of tableting and forming a purifying agent, and a method of forming a slurry or cake into granules using a granulator or the like to obtain a purifying agent. Among these, a method of forming a pellet by extrusion molding is preferable from the viewpoint of workability, ease of selection of shape and size, and the like.

【0016】成型体を調製する際、成型性や成型強度を
高めるためにバインダーを加えても良い。バインダーと
しては、例えばポリビニルアルコール、ポリエチレング
リコール、ポリプロピレングリコール、メチルセルロー
ス、カルボキシメチルセルロース、シリカ、珪藻土、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウムな
どが挙げられる。これらは、浄化剤を調製する際、粉体
原料に添加、混練される。バインダーの添加量は、各成
分の割合、成型条件などによって異なり一概には特定で
きないが、少なすぎる場合はバインダーとしての効果が
得られず、多すぎる場合は浄化能力が低下することか
ら、通常は浄化剤全重量に対して0.1〜15重量%で
あり、好ましくは0.5〜7重量%である。
When preparing a molded article, a binder may be added to enhance moldability and molding strength. Examples of the binder include polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, polypropylene glycol, methyl cellulose, carboxymethyl cellulose, silica, diatomaceous earth, sodium hydroxide, potassium hydroxide, and sodium silicate. These are added and kneaded to the powder raw material when preparing the purifying agent. The amount of the binder to be added is different depending on the ratio of each component, molding conditions and the like, and cannot be specified unconditionally.However, if the amount is too small, the effect as the binder is not obtained, and if the amount is too large, the purification ability is reduced. It is 0.1 to 15% by weight, preferably 0.5 to 7% by weight, based on the total weight of the purifying agent.

【0017】酸化銅(II)に酸化銀(I) を添着して浄化剤
を調製する場合、酸化銅(II)成型体の調製は前記の酸化
銅(II)と酸化銀(I) の混合成型体を調製する方法と同様
の方法で行なうことができる。酸化銅(II)に酸化銀(I)
を添着する方法としては、湿式法でもよく乾式法でもよ
い。湿式法としては酸化銀(I) を水性スラリーとして添
着する方法がある。また乾式法としては酸化銅(II)成型
体に粉末状の酸化銀(I) をまぶし付ける方法などがあ
る。
When a purifying agent is prepared by impregnating copper (II) with silver oxide (I), the preparation of the copper oxide (II) molded product is performed by mixing the above copper (II) oxide and silver (I) oxide. It can be carried out by a method similar to the method of preparing a molded body. Copper (II) oxide to silver (I) oxide
As a method for attaching, a wet method or a dry method may be used. As a wet method, there is a method in which silver (I) is applied as an aqueous slurry. In addition, as a dry method, there is a method of dusting silver (I) oxide on a copper (II) oxide molded body.

【0018】本発明で用いられる浄化剤の大きさおよび
形状は特に限定されないが、例えば球状、円柱状、円筒
状および粒状などが挙げられる。その大きさは球状であ
れば直径0.5〜10mm、ペレットやタブレットなど
の円柱状であれば直径0.5〜10mm、高さ2〜20
mm程度が好ましく、粒状など不定形のものであれば、
ふるいの目の開きで0.84〜5.66mm程度のもの
が好ましい。浄化剤を浄化筒に充填したときの充填密度
は、浄化剤の形状により異なるが通常0.5〜2.0g
/ml程度である。
The size and shape of the purifying agent used in the present invention are not particularly limited, and examples thereof include a sphere, a column, a cylinder and a particle. Its size is 0.5 to 10 mm in diameter if it is spherical, 0.5 to 10 mm in diameter if it is columnar such as pellets or tablets, and 2 to 20 in height.
mm is preferable, and if it is irregular, such as granular,
A sieve with an opening of about 0.84 to 5.66 mm is preferred. The packing density when the purifying agent is filled in the purifying column varies depending on the shape of the purifying agent, but is usually 0.5 to 2.0 g.
/ Ml.

【0019】本発明で用いられる浄化剤は、固定床のほ
か、移動床、流動床として用いることもできるが、通常
は固定床として用いられる。浄化剤は浄化筒内に充填さ
れ、浄化筒内に誘導された有害ガスが浄化剤と接触して
浄化される。
The purifying agent used in the present invention can be used not only as a fixed bed but also as a moving bed or a fluidized bed, but is usually used as a fixed bed. The purifying agent is charged into the purifying cylinder, and the harmful gas guided into the purifying cylinder is purified by contact with the purifying agent.

【0020】固定床の場合の浄化剤の充填長は、ガスの
流量および有害ガス中の有害成分の濃度などによって異
なり、一概に特定はできないが、実用上通常は50〜5
00mm程度とされる。浄化筒の内径は筒内を流れるガ
スの空筒線速度(LV)が0.3〜1.5m/sec程
度となる大きさとされる。一般的にこれらは充填層の圧
力損失、ガスとの接触効率および有害ガス中の有害成分
の濃度などによって定められる。
The filling length of the purifying agent in the case of a fixed bed varies depending on the flow rate of gas and the concentration of harmful components in harmful gas, and cannot be specified unconditionally.
It is about 00 mm. The inner diameter of the purifying cylinder has a size such that the linear velocity (LV) of the gas flowing in the cylinder becomes about 0.3 to 1.5 m / sec. Generally, these are determined by the pressure loss of the packed bed, the contact efficiency with the gas, the concentration of harmful components in the harmful gas, and the like.

【0021】本発明によって浄化できる有害ガス中の有
害成分の濃度は、特に限定されない。しかし有害成分が
高濃度の場合には、浄化剤と有害成分との反応で生じる
反応熱によって温度が上昇し、危険を伴うことがある。
このため空気との混合によってその濃度を1%以下の低
濃度に希釈することが好ましく、通常は吸引用のブロア
ーが設置される。ブロアーは、換気容量が5〜200m
3 /min程度のものが多く用いられる。このようなブ
ロアーを用いた場合には市販のガスボンベが5〜10分
間で空になるような大量の漏洩が生じても、浄化筒へ導
入する有害ガス中の有害成分の濃度は50〜1000p
pm程度に保持される。またブロアーは、有害成分が漏
洩した時に有害ガスを強制的に浄化筒に導く目的でも設
置される。
The concentration of the harmful components in the harmful gas that can be purified by the present invention is not particularly limited. However, when the concentration of the harmful component is high, the temperature rises due to the reaction heat generated by the reaction between the purifying agent and the harmful component, which may be dangerous.
For this reason, it is preferable to dilute the concentration to a low concentration of 1% or less by mixing with air. Usually, a suction blower is provided. The blower has a ventilation capacity of 5-200m
Those having a rate of about 3 / min are often used. When such a blower is used, the concentration of the harmful components in the harmful gas introduced into the purification column is 50 to 1000 p, even if a large amount of leakage occurs such that a commercially available gas cylinder becomes empty in 5 to 10 minutes.
pm. The blower is also provided for the purpose of forcibly guiding the harmful gas to the purification column when harmful components leak.

【0022】このように本発明は、有害成分を含む有害
ガスを大量の空気の共存下で浄化することから、通常の
大気中の環境と同様の条件、すなわち相対湿度30〜1
00%の環境下で使用されることが多いが、本発明によ
ればこのような水分を含む場合でも充分浄化することが
できる。また、空気中の炭酸ガスなどにも影響されな
い。
As described above, the present invention purifies harmful gases containing harmful components in the presence of a large amount of air, so that the same conditions as ordinary atmospheric environments, that is, a relative humidity of 30 to 1 are used.
Although it is often used under an environment of 00%, according to the present invention, even when such moisture is contained, it can be sufficiently purified. It is not affected by carbon dioxide in the air.

【0023】また水素化物ガスは、窒素、アルゴンなど
のガスで希釈された状態でボンベに充填されており、半
導体、液晶の製造装置へ供給される時も窒素、アルゴン
などのガスで希釈されたまま供給される。従って漏洩時
においてもこのようなガスが存在するが、本発明によれ
ばこのようなガス存在下でも浄化能力が低下することは
ない。
The hydride gas is filled in a cylinder in a state diluted with a gas such as nitrogen or argon, and diluted with a gas such as nitrogen or argon when supplied to a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus. Supplied as is. Therefore, such a gas is present even at the time of leakage, but according to the present invention, the purification ability does not decrease even in the presence of such a gas.

【0024】有害ガスと浄化剤と接触させる温度は通常
は0〜90℃、好ましくは室温付近の温度(10〜40
℃)で操作され、特に加熱や冷却を必要としない。勿
論、接触開始後は反応熱のため、有害成分の濃度に応じ
た温度上昇を示すが浄化能力が低下することはない。接
触時の圧力は、通常は常圧であるが、減圧ないし加圧下
で操作することもできる。また、接触時間は通常は0.
01秒以上であり、好ましくは0.025秒以上であ
る。0.01秒より短い接触時間では充分な浄化能力が
得られないことがある。
The temperature at which the harmful gas is brought into contact with the purifying agent is usually 0 to 90 ° C., preferably a temperature around room temperature (10 to 40 ° C.).
° C) and does not require special heating or cooling. Of course, after the start of contact, due to the heat of reaction, the temperature rises according to the concentration of the harmful component, but the purification ability does not decrease. The pressure at the time of contact is usually normal pressure, but it can be operated under reduced or increased pressure. In addition, the contact time is usually 0.1.
01 second or more, preferably 0.025 second or more. If the contact time is shorter than 0.01 second, a sufficient purification ability may not be obtained.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】図1に本発明の浄化方法の実施の
一例を示す。浄化筒1に浄化剤2が充填されており、ガ
スボンベ3を収納するシリンダーキャビネット4と、シ
リンダーキャビネット4内の空気を連続的に吸引換気す
るためのブロアー5の間に換気ダクト6を介して該浄化
筒1が設置される。シリンダーキャビネット4内のガス
ボンベ3からボンベ内のガスが漏洩した場合、浄化筒1
の後段に設置されているブロアー5が大流量運転に切り
替わり、空気取り入れ口7から取り入れられた大量の空
気とともに有害ガスが換気ダクト6に誘導され、浄化筒
1で浄化され、無害化されたガスが排出される。
FIG. 1 shows an embodiment of the purification method of the present invention. A purifying cylinder 1 is filled with a purifying agent 2 and is provided through a ventilation duct 6 between a cylinder cabinet 4 accommodating a gas cylinder 3 and a blower 5 for continuously sucking and ventilating the air in the cylinder cabinet 4. A purifying cylinder 1 is installed. If gas in the cylinder leaks from the gas cylinder 3 in the cylinder cabinet 4,
The blower 5 installed at the subsequent stage is switched to the large flow operation, and the harmful gas is guided to the ventilation duct 6 together with a large amount of air taken in from the air intake port 7, purified by the purification column 1, and detoxified gas Is discharged.

【0026】[0026]

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.

【0027】実施例1 84重量%の酸化銅(II)、15重量%の酸化銀(I) 、1
重量%のバインダーからなる浄化剤Aを内径19mmの
石英製の浄化筒に充填長が100mmとなるように充填
し、これにホスフィンを500ppm含有する相対湿度
60%、温度25℃の空気を12.7l/min(空筒
線速度 LV=75cm/sec)で流通させた。浄化
筒の出口ガスの一部を半導体材料ガス漏洩検知警報器
(日本酸素(株)製:HD−1)にて連続サンプリング
し、出口ガス中のホスフィンの濃度が28ppbに上昇
するまでの時間(有効処理時間)を測定した。結果を表
1に示す。
Example 1 84% by weight of copper (II) oxide, 15% by weight of silver (I) oxide, 1
Purification agent A consisting of a binder in an amount of 1% by weight is filled in a quartz purification cylinder having an inner diameter of 19 mm so as to have a filling length of 100 mm, and air containing 500 ppm of phosphine at 60% relative humidity and a temperature of 25 ° C. It was circulated at a rate of 7 l / min (linear line velocity LV = 75 cm / sec). A part of the outlet gas of the purification column is continuously sampled by a semiconductor material gas leak detection alarm (manufactured by Nippon Sanso Corporation: HD-1), and the time until the concentration of phosphine in the outlet gas rises to 28 ppb ( Effective processing time) was measured. Table 1 shows the results.

【0028】実施例2 93重量%の酸化銅(II)、6重量%の酸化銀(I) 、1重
量%のバインダーからなる浄化剤Bを用いて、実施例1
と同じ条件で浄化能力試験を行なった。結果を表1に示
す。
Example 2 Example 1 was carried out using a purifying agent B consisting of 93% by weight of copper (II) oxide, 6% by weight of silver (I) oxide and 1% by weight of a binder.
A purification ability test was performed under the same conditions as described above. Table 1 shows the results.

【0029】実施例3 98重量%の酸化銅(II)、1重量%の酸化銀(I) 、1重
量%のバインダーからなる浄化剤Cを用いて、実施例1
と同じ条件で浄化能力試験を行なった。結果を表1に示
す。
Example 3 Example 1 using a purifying agent C comprising 98% by weight of copper (II) oxide, 1% by weight of silver (I) oxide and 1% by weight of a binder.
A purification ability test was performed under the same conditions as described above. Table 1 shows the results.

【0030】実施例4 実施例1で用いたものと同種の浄化剤Aを内径19mm
の石英製の浄化筒に充填長が100mmとなるように充
填し、アルシンを500ppm含有する空気を12.7
l/min(空筒線速度 LV=75cm/sec)で
流通させた。浄化筒の出口ガスの一部を半導体材料ガス
漏洩検知警報器(日本酸素(株)製:HD−1)にて連
続サンプリングし、出口ガス中のアルシンの濃度が22
ppbに上昇するまでの時間(有効処理時間)を測定し
た。結果を表1に示す。
Example 4 The same type of purifying agent A as used in Example 1 was used with an inner diameter of 19 mm.
Is filled so that the filling length is 100 mm, and air containing 500 ppm of arsine is 12.7.
1 / min (linear linear velocity LV = 75 cm / sec). A part of the outlet gas of the purifying column is continuously sampled by a semiconductor material gas leak detection alarm (manufactured by Nippon Sanso Corporation: HD-1), and the concentration of arsine in the outlet gas is 22.
The time required to increase to ppb (effective treatment time) was measured. Table 1 shows the results.

【0031】比較例1 99重量%の酸化銅(II)と1重量%のバインダーからな
る浄化剤Dを用いて、実施例1と同じ条件で浄化能力試
験を行なった。結果を表1に示す。
Comparative Example 1 A purifying ability test was carried out under the same conditions as in Example 1 using Purifying Agent D comprising 99% by weight of copper (II) oxide and 1% by weight of a binder. Table 1 shows the results.

【0032】比較例2 84重量%の酸化銅(II)、15重量%の酸化銀(II)、1
重量%のバインダーからなる浄化剤Eを用いて、実施例
1と同じ条件で浄化能力試験を行なった。結果を表1に
示す。
Comparative Example 2 84% by weight of copper (II) oxide, 15% by weight of silver (II) oxide, 1
A purifying ability test was carried out under the same conditions as in Example 1 using the purifying agent E consisting of a binder by weight. Table 1 shows the results.

【0033】比較例3 84重量%の酸化銅(I) 、15重量%の酸化銀(II)、1
重量%のバインダーからなる浄化剤Fを用いて、実施例
1と同じ条件で浄化能力試験を行なった。結果を表1に
示す。
Comparative Example 3 84% by weight of copper (I) oxide, 15% by weight of silver (II) oxide, 1
A purifying ability test was carried out under the same conditions as in Example 1 using the purifying agent F composed of a binder by weight. Table 1 shows the results.

【0034】[0034]

【表1】 表1 有害成分 浄化剤 有効処理時間 (min) 実施例1 ホスフィン CuO+Ag2 O 341 実施例2 ホスフィン CuO+Ag2 O 339 実施例3 ホスフィン CuO+Ag2 O 337 実施例4 アルシン CuO+Ag2 O 375 比較例1 ホスフィン CuO 瞬時破過 比較例2 ホスフィン CuO+AgO 222 比較例3 ホスフィン Cu2 O+AgO 227TABLE 1 harmful components cleaning agent effective treatment time (min) Example 1 phosphine CuO + Ag 2 O 341 Example 2 Phosphine CuO + Ag 2 O 339 Example 3 phosphine CuO + Ag 2 O 337 Example 4 arsine CuO + Ag 2 O 375 Comparative Example 1 Phosphine CuO Instantaneous Breakthrough Comparative Example 2 Phosphine CuO + AgO 222 Comparative Example 3 Phosphine Cu 2 O + AgO 227

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明によれば、有害成分としてアルシ
ン、ホスフィン、シラン、ジシラン、トリシラン、ジボ
ランおよびセレン化水素などの水素化物ガスを含有する
大流量の有害ガスを水分存在下であっても非常に高い浄
化能力で浄化することができる。このため、ボンベ、半
導体製造装置、ガス供給配管などからこれらのガスが漏
洩した場合の有害ガスの浄化において優れた効果が得ら
れる。また室温付近の温度でも大きな浄化能力を有する
ため、加熱、冷却等の設備が必要でなく、浄化装置を小
型化することができる。さらに、浄化剤成分として化学
的に安定な酸化銀(I) を用いるため浄化剤の劣化を生じ
ることがないほか、酸化銀(II)を使用した場合に比べ、
浄化剤が安価である。
According to the present invention, even when a large flow of harmful gas containing hydride gas such as arsine, phosphine, silane, disilane, trisilane, diborane and hydrogen selenide as harmful components is used even in the presence of moisture. It can be purified with a very high purification capacity. For this reason, an excellent effect can be obtained in purifying harmful gases when these gases leak from a cylinder, a semiconductor manufacturing apparatus, a gas supply pipe, or the like. In addition, since it has a large purification ability even at a temperature near room temperature, facilities such as heating and cooling are not required, and the purification device can be downsized. Furthermore, since the chemically stable silver oxide (I) is used as the purifying agent component, the purifying agent does not deteriorate, and compared with the case where silver (II) oxide is used.
Purifiers are inexpensive.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明浄化方法の実施の一例であるシリンダー
キャビネットからの漏洩ガス浄化装置の概念図。
FIG. 1 is a conceptual diagram of a device for purifying gas leaked from a cylinder cabinet, which is an embodiment of the purification method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 浄化筒 2 浄化剤 3 ガスボンベ 4 シリンダーキャビネット 5 ブロアー 6 換気ダクト 7 空気取り入れ口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Purifier 2 Purifier 3 Gas cylinder 4 Cylinder cabinet 5 Blower 6 Ventilation duct 7 Air intake

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古浦 永生 神奈川県平塚市田村5181番地 日本パイオ ニクス株式会社平塚研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Nagao Furuura 5181 Tamura, Hiratsuka-shi, Kanagawa Prefecture Japan Hiratsuka Research Laboratories

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 有害成分として水素化物ガスを含有する
有害ガスを酸化銅(II)と酸化銀(I) を主成分とする浄化
剤と接触させ、該有害ガスを浄化することを特徴とする
有害ガスの浄化方法。
A harmful gas containing a hydride gas as a harmful component is brought into contact with a purifying agent containing copper (II) oxide and silver (I) oxide as main components to purify the harmful gas. How to purify harmful gases.
【請求項2】 水素化物ガスがアルシン、ホスフィン、
シラン、ジシラン、トリシラン、ジボランおよびセレン
化水素から選ばれる1種以上である請求項1に記載の浄
化方法。
2. The method of claim 1, wherein the hydride gas is arsine, phosphine,
The purification method according to claim 1, wherein the method is at least one selected from silane, disilane, trisilane, diborane, and hydrogen selenide.
【請求項3】 浄化剤中の酸化銀(I) の含有量が浄化剤
全重量に対して0.1重量%〜20重量%である請求項
1に記載の浄化方法。
3. The method according to claim 1, wherein the content of silver (I) in the cleaning agent is 0.1% by weight to 20% by weight based on the total weight of the cleaning agent.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7598938B2 (en) 2001-12-01 2009-10-06 Lg Electronics Inc. Cooling apparatus of plasma display panel and method for stabilizing plasma display panel

Cited By (2)

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US7598938B2 (en) 2001-12-01 2009-10-06 Lg Electronics Inc. Cooling apparatus of plasma display panel and method for stabilizing plasma display panel
US7817107B2 (en) 2001-12-01 2010-10-19 Lg Electronics Inc. Cooling apparatus of plasma display panel and method for stabilizing plasma display panel

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