JPH11189628A - 芳香族ビニル系樹脂材料及びその成形体 - Google Patents
芳香族ビニル系樹脂材料及びその成形体Info
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- JPH11189628A JPH11189628A JP10227763A JP22776398A JPH11189628A JP H11189628 A JPH11189628 A JP H11189628A JP 10227763 A JP10227763 A JP 10227763A JP 22776398 A JP22776398 A JP 22776398A JP H11189628 A JPH11189628 A JP H11189628A
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- JP
- Japan
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- group
- aromatic vinyl
- ethylene
- resin material
- vinyl resin
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- Pending
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- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性，耐溶剤性等に優れ、良好な靱性，引
張伸び，透明性を有する成形体を得ることができる樹脂
材料を提供する。 【解決手段】 下記性状を有する芳香族ビニル系樹脂材
料及びその成形体。３００℃、歪み＝２０％、周波数
１.0Ｈｚ又は０.1Ｈｚとして測定したときの貯蔵弾性率
（Ｇ’(1.0) ）とＧ’(0.1) とが、ｌｏｇ〔Ｇ’(1.0)
／Ｇ’(0.1)〕≦ 0.６を満足している。また、２０
０〜２９５℃における融解熱量が８〜５０（Ｊ／ｇ）で
あり、シクロヘキサンでのソックスレー抽出残渣又は
ｏ−ジクロロベンゼンによる分取昇温分別における５０
℃以上の溶出分について、 1Ｈ−ＮＭＲでのピーク積分
値が〔１.8〜２.1（ｐｐｍ）〕／〔１.0〜１.7（ｐｐ
ｍ）〕＜０.4９である。
張伸び，透明性を有する成形体を得ることができる樹脂
材料を提供する。 【解決手段】 下記性状を有する芳香族ビニル系樹脂材
料及びその成形体。３００℃、歪み＝２０％、周波数
１.0Ｈｚ又は０.1Ｈｚとして測定したときの貯蔵弾性率
（Ｇ’(1.0) ）とＧ’(0.1) とが、ｌｏｇ〔Ｇ’(1.0)
／Ｇ’(0.1)〕≦ 0.６を満足している。また、２０
０〜２９５℃における融解熱量が８〜５０（Ｊ／ｇ）で
あり、シクロヘキサンでのソックスレー抽出残渣又は
ｏ−ジクロロベンゼンによる分取昇温分別における５０
℃以上の溶出分について、 1Ｈ−ＮＭＲでのピーク積分
値が〔１.8〜２.1（ｐｐｍ）〕／〔１.0〜１.7（ｐｐ
ｍ）〕＜０.4９である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族ビニル系樹
脂材料及び芳香族ビニル系樹脂成形体に関し、さらに詳
しくは、耐熱性，耐溶剤性等に優れるとともに、良好な
靱性、引張伸び及び透明性に優れた芳香族ビニル系樹脂
材料及びそれを成形してなる芳香族ビニル系樹脂成形体
に関する。
脂材料及び芳香族ビニル系樹脂成形体に関し、さらに詳
しくは、耐熱性，耐溶剤性等に優れるとともに、良好な
靱性、引張伸び及び透明性に優れた芳香族ビニル系樹脂
材料及びそれを成形してなる芳香族ビニル系樹脂成形体
に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明者らの研究グループは、先にシン
ジオタクティシティの高いスチレン系重合体を開発する
ことに成功した（特開昭６２−１０４８１８号公報、同
６３−２４１００９号公報）。しかし、このシンジオタ
クチック構造を有するスチレン系重合体（以下、単に
「シンジオタクチックポリスチレン」又は「ＳＰＳ」と
呼ぶことがある。）は、耐熱性，耐溶剤性等に優れるも
のの、靱性や伸びが十分ではない上、他の樹脂との相溶
性に乏しく、用途が限定されるのを免れ得なかった。特
にフィルムについて、その透明性が要求される場合にお
いては、ＳＰＳを溶融状態から急冷することにより透明
性を獲得できるが、この場合、フィルムは脆性を有する
ものになってしまうという欠点があった。
ジオタクティシティの高いスチレン系重合体を開発する
ことに成功した（特開昭６２−１０４８１８号公報、同
６３−２４１００９号公報）。しかし、このシンジオタ
クチック構造を有するスチレン系重合体（以下、単に
「シンジオタクチックポリスチレン」又は「ＳＰＳ」と
呼ぶことがある。）は、耐熱性，耐溶剤性等に優れるも
のの、靱性や伸びが十分ではない上、他の樹脂との相溶
性に乏しく、用途が限定されるのを免れ得なかった。特
にフィルムについて、その透明性が要求される場合にお
いては、ＳＰＳを溶融状態から急冷することにより透明
性を獲得できるが、この場合、フィルムは脆性を有する
ものになってしまうという欠点があった。
【０００３】かかる欠点を解消するために、本発明者ら
の研究グループはスチレンとオレフィン類とを共重合さ
せることにより、上記シンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体に靱性を付与することに成功した（特
開平３−７７０５号公報、特開平４−１３０１１４号公
報、同４−３００９０４号公報）。しかしながら、これ
らにおけるスチレンとオレフィン類とのランダム又はブ
ロック共重合体について、その共重合組成の制御性が十
分ではなく、かつ共重合変性率が低いため、靱性や伸
び、さらに他の樹脂との相溶性の改良は必ずしも十分な
ものとはいえなかった。
の研究グループはスチレンとオレフィン類とを共重合さ
せることにより、上記シンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体に靱性を付与することに成功した（特
開平３−７７０５号公報、特開平４−１３０１１４号公
報、同４−３００９０４号公報）。しかしながら、これ
らにおけるスチレンとオレフィン類とのランダム又はブ
ロック共重合体について、その共重合組成の制御性が十
分ではなく、かつ共重合変性率が低いため、靱性や伸
び、さらに他の樹脂との相溶性の改良は必ずしも十分な
ものとはいえなかった。
【０００４】また、ＳＰＳにゴム状弾性体や熱可塑性樹
脂を添加した組成物も多数提案されている（特開平０１
−１４６９４４号公報、特開平０１−２７９９４４号公
報等）が、有効な相溶化剤が存在しないため熱可塑性樹
脂等の分散が不十分なものになり透明性の低下が免れえ
なかった。さらには、側鎖に二重結合を有する高分子重
合体にスチレン系モノマーをグラフト共重合させたグラ
フト共重合体や、末端に重合活性ビニル基を有するマク
ロモノマーにスチレン系モノマーをブロック共重合させ
たブロック共重合体も提案されている（特開平０５−２
４７１４７号公報、同０５−２９５０５６号公報）が、
それらにおいて具体的に開示されている共重合体は共重
合組成が不均一で、かつグラフト率が十分ではなく、そ
のため靱性，伸び，耐衝撃性等、目標とする物性が十分
改良されたものとは言えなかった。
脂を添加した組成物も多数提案されている（特開平０１
−１４６９４４号公報、特開平０１−２７９９４４号公
報等）が、有効な相溶化剤が存在しないため熱可塑性樹
脂等の分散が不十分なものになり透明性の低下が免れえ
なかった。さらには、側鎖に二重結合を有する高分子重
合体にスチレン系モノマーをグラフト共重合させたグラ
フト共重合体や、末端に重合活性ビニル基を有するマク
ロモノマーにスチレン系モノマーをブロック共重合させ
たブロック共重合体も提案されている（特開平０５−２
４７１４７号公報、同０５−２９５０５６号公報）が、
それらにおいて具体的に開示されている共重合体は共重
合組成が不均一で、かつグラフト率が十分ではなく、そ
のため靱性，伸び，耐衝撃性等、目標とする物性が十分
改良されたものとは言えなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる状況
下で、耐熱性，耐溶剤性等に優れるとともに、良好な靱
性，引張伸びを有し、透明性に優れた成形体を得ること
ができる芳香族ビニル系樹脂材料及びその成形体を提供
することを目的とする。
下で、耐熱性，耐溶剤性等に優れるとともに、良好な靱
性，引張伸びを有し、透明性に優れた成形体を得ること
ができる芳香族ビニル系樹脂材料及びその成形体を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ある樹脂材料
における靱性は、その貯蔵弾性率の周波数依存性と関係
があること、さらにある特定の温度範囲における融解熱
量ΔＨ及びポリマー中のグラフト成分の存在量が良好な
靱性，伸び及び透明性と関係があることを見出し、本発
明を完成したものである。
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ある樹脂材料
における靱性は、その貯蔵弾性率の周波数依存性と関係
があること、さらにある特定の温度範囲における融解熱
量ΔＨ及びポリマー中のグラフト成分の存在量が良好な
靱性，伸び及び透明性と関係があることを見出し、本発
明を完成したものである。
【０００７】即ち、本発明は、以下を提供するものであ
る。 （１）３００℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波数を
１.0Ｈｚとして測定したときの貯蔵弾性率（Ｇ’(1.0)
）と、３００℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波数を
０.1Ｈｚとして測定したときの貯蔵弾性率（Ｇ’(0.1)
）とが次式で表される関係を満足する芳香族ビニル系
樹脂材料。
る。 （１）３００℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波数を
１.0Ｈｚとして測定したときの貯蔵弾性率（Ｇ’(1.0)
）と、３００℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波数を
０.1Ｈｚとして測定したときの貯蔵弾性率（Ｇ’(0.1)
）とが次式で表される関係を満足する芳香族ビニル系
樹脂材料。
【０００８】 ＳＧ値＝ｌｏｇ〔Ｇ’(1.0) ／Ｇ’(0.1) 〕≦ 0.６ （２）下記性状を有する芳香族ビニル系樹脂材料。 示差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における
融解熱量ΔＨが８〜５０（Ｊ／ｇ）であること。 シクロヘキサンを用いてソックスレー抽出を行なった
ときの残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおいて、Ｂ／Ａ＜
０.4９であること。（式中、Ａは１.0〜１.7（ｐｐｍ）
に現れるピークの積分値であり、Ｂは１.8〜２.1（ｐｐ
ｍ）に現れるピークの積分値である。） 引張伸びが５％以上であること。 （３）下記性状を有する芳香族ビニル系樹脂材料。
融解熱量ΔＨが８〜５０（Ｊ／ｇ）であること。 シクロヘキサンを用いてソックスレー抽出を行なった
ときの残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおいて、Ｂ／Ａ＜
０.4９であること。（式中、Ａは１.0〜１.7（ｐｐｍ）
に現れるピークの積分値であり、Ｂは１.8〜２.1（ｐｐ
ｍ）に現れるピークの積分値である。） 引張伸びが５％以上であること。 （３）下記性状を有する芳香族ビニル系樹脂材料。
【０００９】示差走査熱量計で測定した２００〜２９
５℃における融解熱量ΔＨが８〜５０（Ｊ／ｇ）である
こと。 ｏ−ジクロロベンゼンによる分取昇温分別における５
０℃以上の溶出分についての 1Ｈ−ＮＭＲにおいて、Ｂ
／Ａ＜０.4９であること。（式中、Ａは１.0〜１.7（ｐ
ｐｍ）に現れるピークの積分値であり、Ｂは１.8〜２.1
（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値である。） 引張伸びが５％以上であること。 （４）芳香族ビニル系樹脂材料が、芳香族ビニルモノマ
ー（ａ）とエチレン系共重合体マクロマー（ｂ）とのグ
ラフト共重合生成物である上記（１）〜（３）のいずれ
かに記載の芳香族ビニル系樹脂材料。 （５）上記（４）に記載のエチレン系共重合体マクロマ
ー（ｂ）が、エチレン，ジエン系モノマー，及び必要に
応じて用いられる芳香族ビニルモノマー及びα−オレフ
ィンの共重合生成物である上記（４）に記載の芳香族ビ
ニル系樹脂材料。 （６）芳香族ビニル系樹脂材料が、（Ａ）芳香族ビニル
重合体、（Ｂ）分子鎖中にジエン系モノマーに由来する
ビニル基を有するエチレン系共重合体、及び（Ｃ）芳香
族ビニルモノマー（ａ）とエチレン系共重合体マクロマ
ー（ｂ）とのグラフト共重合生成物からなる芳香族ビニ
ル系樹脂組成物である上記（１）〜（３）のいずれかに
記載の芳香族ビニル系樹脂材料。 （７）上記（４）〜（６）のいずれかに記載の芳香族ビ
ニル系樹脂材料において、芳香族ビニルモノマーに由来
する連鎖が主としてシンジオタクチック構造を有するも
のである上記（４）〜（６）のいずれかに記載の芳香族
ビニル系樹脂材料。 （８）上記（１）〜（７）に記載のいずれかの芳香族ビ
ニル系樹脂材料と、主としてシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体及び／又はゴム状弾性体からな
る芳香族ビニル系樹脂組成物である芳香族ビニル系樹脂
材料。 （９）上記（１）〜（８）に記載のいずれかの芳香族ビ
ニル系樹脂材料を成形してなる成形体。
５℃における融解熱量ΔＨが８〜５０（Ｊ／ｇ）である
こと。 ｏ−ジクロロベンゼンによる分取昇温分別における５
０℃以上の溶出分についての 1Ｈ−ＮＭＲにおいて、Ｂ
／Ａ＜０.4９であること。（式中、Ａは１.0〜１.7（ｐ
ｐｍ）に現れるピークの積分値であり、Ｂは１.8〜２.1
（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値である。） 引張伸びが５％以上であること。 （４）芳香族ビニル系樹脂材料が、芳香族ビニルモノマ
ー（ａ）とエチレン系共重合体マクロマー（ｂ）とのグ
ラフト共重合生成物である上記（１）〜（３）のいずれ
かに記載の芳香族ビニル系樹脂材料。 （５）上記（４）に記載のエチレン系共重合体マクロマ
ー（ｂ）が、エチレン，ジエン系モノマー，及び必要に
応じて用いられる芳香族ビニルモノマー及びα−オレフ
ィンの共重合生成物である上記（４）に記載の芳香族ビ
ニル系樹脂材料。 （６）芳香族ビニル系樹脂材料が、（Ａ）芳香族ビニル
重合体、（Ｂ）分子鎖中にジエン系モノマーに由来する
ビニル基を有するエチレン系共重合体、及び（Ｃ）芳香
族ビニルモノマー（ａ）とエチレン系共重合体マクロマ
ー（ｂ）とのグラフト共重合生成物からなる芳香族ビニ
ル系樹脂組成物である上記（１）〜（３）のいずれかに
記載の芳香族ビニル系樹脂材料。 （７）上記（４）〜（６）のいずれかに記載の芳香族ビ
ニル系樹脂材料において、芳香族ビニルモノマーに由来
する連鎖が主としてシンジオタクチック構造を有するも
のである上記（４）〜（６）のいずれかに記載の芳香族
ビニル系樹脂材料。 （８）上記（１）〜（７）に記載のいずれかの芳香族ビ
ニル系樹脂材料と、主としてシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体及び／又はゴム状弾性体からな
る芳香族ビニル系樹脂組成物である芳香族ビニル系樹脂
材料。 （９）上記（１）〜（８）に記載のいずれかの芳香族ビ
ニル系樹脂材料を成形してなる成形体。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。 １．芳香族ビニル系樹脂材料 （１）本発明にかかる芳香族ビニル系樹脂材料は、３０
０℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波数を１.0Ｈｚとし
て測定したときの貯蔵弾性率（Ｇ’(1.0) ）と、３００
℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波数を０.1Ｈｚとして
測定したときの貯蔵弾性率（Ｇ’(0.1) ）とが次式で表
される関係を満足するするものである。
いて説明する。 １．芳香族ビニル系樹脂材料 （１）本発明にかかる芳香族ビニル系樹脂材料は、３０
０℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波数を１.0Ｈｚとし
て測定したときの貯蔵弾性率（Ｇ’(1.0) ）と、３００
℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波数を０.1Ｈｚとして
測定したときの貯蔵弾性率（Ｇ’(0.1) ）とが次式で表
される関係を満足するするものである。
【００１１】 ＳＧ値＝ｌｏｇ〔Ｇ’(1.0) ／Ｇ’(0.1) 〕≦ 0.６ ここで、貯蔵弾性率Ｇ’（ｄｙｎｅ／ｃｍ2 ）とは、レ
オメトリック社製、コーンプレート型レオメーターを用
い、３００℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波数の測定
範囲を１０-2〜１０2 Ｈｚとして測定したときの値で、
Ｇ’(1.0) とは、周波数が１.0Ｈｚの時の値をさす。な
お、測定に供した試料は、測定するサンプルを３００℃
で小型混練機を用いてペレット化した後、さらに３００
℃にてプレス板（厚さ１.0ｍｍ）を作成して試験片とし
たものを用いている。 （２）また、本発明にかかる芳香族ビニル系樹脂材料
は、次の性状を有するものである。
オメトリック社製、コーンプレート型レオメーターを用
い、３００℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波数の測定
範囲を１０-2〜１０2 Ｈｚとして測定したときの値で、
Ｇ’(1.0) とは、周波数が１.0Ｈｚの時の値をさす。な
お、測定に供した試料は、測定するサンプルを３００℃
で小型混練機を用いてペレット化した後、さらに３００
℃にてプレス板（厚さ１.0ｍｍ）を作成して試験片とし
たものを用いている。 （２）また、本発明にかかる芳香族ビニル系樹脂材料
は、次の性状を有するものである。
【００１２】示差走査熱量計で測定した２００〜２９
５℃における融解熱量ΔＨが８〜５０（Ｊ／ｇ）、好ま
しくは１０〜４０（Ｊ／ｇ）、さらには１５〜３０（Ｊ
／ｇ）であること。示差走査熱量計で測定した２００〜
２９５℃における融解熱量ΔＨとは、示差走査熱量計
（パーキンエルマー社製ＤＳＣ７）を用い、予め試料１
０ミリグラムを窒素雰囲気下にて３００℃にて５分間加
熱して溶融させた後、２０℃／分の速度で５０℃まで降
温し、この温度にて１分間保持した後、２０℃／分の速
度で昇温したときの融解吸熱曲線より、２００〜２９５
℃の融解熱量を算出することにより得た値である。この
融解熱量ΔＨが８（Ｊ／ｇ）未満では耐熱性及び耐溶剤
性が低下するおそれがあり、５０（Ｊ／ｇ）を超えると
靱性が低下するおそれがある。
５℃における融解熱量ΔＨが８〜５０（Ｊ／ｇ）、好ま
しくは１０〜４０（Ｊ／ｇ）、さらには１５〜３０（Ｊ
／ｇ）であること。示差走査熱量計で測定した２００〜
２９５℃における融解熱量ΔＨとは、示差走査熱量計
（パーキンエルマー社製ＤＳＣ７）を用い、予め試料１
０ミリグラムを窒素雰囲気下にて３００℃にて５分間加
熱して溶融させた後、２０℃／分の速度で５０℃まで降
温し、この温度にて１分間保持した後、２０℃／分の速
度で昇温したときの融解吸熱曲線より、２００〜２９５
℃の融解熱量を算出することにより得た値である。この
融解熱量ΔＨが８（Ｊ／ｇ）未満では耐熱性及び耐溶剤
性が低下するおそれがあり、５０（Ｊ／ｇ）を超えると
靱性が低下するおそれがある。
【００１３】シクロヘキサンを用いてソックスレー抽
出を行なったときの残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
て、Ｂ／Ａ＜０.4９、好ましくはＢ／Ａ＜０.4５、さら
にはＢ／Ａ＜０.4０であること。（式中、Ａは１.0〜
１.7（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値であり、Ｂは
１.8〜２.1（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値であ
る。） 引張伸びが５％以上、好ましくは１０％以上、さらに
好ましくは２０％以上であること。
出を行なったときの残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
て、Ｂ／Ａ＜０.4９、好ましくはＢ／Ａ＜０.4５、さら
にはＢ／Ａ＜０.4０であること。（式中、Ａは１.0〜
１.7（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値であり、Ｂは
１.8〜２.1（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値であ
る。） 引張伸びが５％以上、好ましくは１０％以上、さらに
好ましくは２０％以上であること。
【００１４】引張伸びとは、次のようにして得られた値
である。即ち、試料を３００℃にてプレス成形後、コー
ルドプレス（型温３０℃）にて冷却することにより、厚
さ１００μｍのフィルムを作成し、これを１５０℃の雰
囲気下で３時間アニーリングした後室温に下げ、取り出
す。このフィルムから規格番号ＤＩＮ５３５０４のＳ３
サイズの打ち抜き型にて、ダンベル型の引張試験片を打
ち抜く。この試験片を用い、島津製作所社製オートグラ
フＡＧ５０００Ｂにて、初期チャック間距離２０ｍｍ、
引張速度１ｍｍ／分の条件で引張試験を行なって得た値
である。
である。即ち、試料を３００℃にてプレス成形後、コー
ルドプレス（型温３０℃）にて冷却することにより、厚
さ１００μｍのフィルムを作成し、これを１５０℃の雰
囲気下で３時間アニーリングした後室温に下げ、取り出
す。このフィルムから規格番号ＤＩＮ５３５０４のＳ３
サイズの打ち抜き型にて、ダンベル型の引張試験片を打
ち抜く。この試験片を用い、島津製作所社製オートグラ
フＡＧ５０００Ｂにて、初期チャック間距離２０ｍｍ、
引張速度１ｍｍ／分の条件で引張試験を行なって得た値
である。
【００１５】引張伸びが５％未満では、樹脂成形体の靱
性が低いことを意味している。 （３）さらにまた下記性状を有するものである。 示差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における
融解熱量ΔＨが８〜５０（Ｊ／ｇ）、好ましくは１０〜
４０（Ｊ／ｇ）、さらには１５〜３０（Ｊ／ｇ）である
こと。
性が低いことを意味している。 （３）さらにまた下記性状を有するものである。 示差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における
融解熱量ΔＨが８〜５０（Ｊ／ｇ）、好ましくは１０〜
４０（Ｊ／ｇ）、さらには１５〜３０（Ｊ／ｇ）である
こと。
【００１６】ｏ−ジクロロベンゼンによる分取昇温分
別における５０℃以上の溶出分についての 1Ｈ−ＮＭＲ
において、Ｂ／Ａ＜０.4９、好ましくはＢ／Ａ＜０.4
５、さらにはＢ／Ａ＜０.4０であること。（式中、Ａは
１.0〜１.7（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値であり、
Ｂは１.8〜２.1（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値であ
る。） ここで、上記、シクロヘキサンを用いてソックスレー抽
出を行なったときの残渣、又はｏ−ジクロロベンゼンに
よる分取昇温分別における５０℃以上の溶出分のうち、
少なくとも一方が上記を満足していればよい。Ｂ／Ａが
０.4９以上であると靱性が低下するおそれがある。
別における５０℃以上の溶出分についての 1Ｈ−ＮＭＲ
において、Ｂ／Ａ＜０.4９、好ましくはＢ／Ａ＜０.4
５、さらにはＢ／Ａ＜０.4０であること。（式中、Ａは
１.0〜１.7（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値であり、
Ｂは１.8〜２.1（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値であ
る。） ここで、上記、シクロヘキサンを用いてソックスレー抽
出を行なったときの残渣、又はｏ−ジクロロベンゼンに
よる分取昇温分別における５０℃以上の溶出分のうち、
少なくとも一方が上記を満足していればよい。Ｂ／Ａが
０.4９以上であると靱性が低下するおそれがある。
【００１７】また、ｏ−ジクロロベンゼンによる分取昇
温分別における１１０℃以上の溶出分についての 1Ｈ−
ＮＭＲにおいて、Ｂ／Ａ＜０.4９を満足していることが
好ましく、さらには１２５℃以上の溶出分についての 1
Ｈ−ＮＭＲにおいて、Ｂ／Ａ＜０.4９を満足しているこ
とがより好ましい。ここで、ｏ−ジクロロベンゼン（Ｏ
ＤＣＢ）による分取昇温分別におけるＴ℃以上の溶出成
分は次のようにして得ることができる。即ち、試料２０
ｇにｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）２５０ミリリッ
トルを加え、約１５０℃にて完全に溶解させた後、この
溶液をシリカゲルカラムに注入し、３０℃まで５℃／時
間の速度で降温する。次いで、１０ミリリットル／分の
流速でＯＤＣＢを流しながらＴ℃まで昇温し、温度一定
下でポリマーを溶出させ分離する。次に１３５℃まで昇
温し、完全にポリマーを溶出させる。このＴ〜１３５℃
までの溶出成分をメタノール中に沈殿させることにより
回収したポリマーを分取昇温分別におけるＴ℃以上の溶
出成分とする。
温分別における１１０℃以上の溶出分についての 1Ｈ−
ＮＭＲにおいて、Ｂ／Ａ＜０.4９を満足していることが
好ましく、さらには１２５℃以上の溶出分についての 1
Ｈ−ＮＭＲにおいて、Ｂ／Ａ＜０.4９を満足しているこ
とがより好ましい。ここで、ｏ−ジクロロベンゼン（Ｏ
ＤＣＢ）による分取昇温分別におけるＴ℃以上の溶出成
分は次のようにして得ることができる。即ち、試料２０
ｇにｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）２５０ミリリッ
トルを加え、約１５０℃にて完全に溶解させた後、この
溶液をシリカゲルカラムに注入し、３０℃まで５℃／時
間の速度で降温する。次いで、１０ミリリットル／分の
流速でＯＤＣＢを流しながらＴ℃まで昇温し、温度一定
下でポリマーを溶出させ分離する。次に１３５℃まで昇
温し、完全にポリマーを溶出させる。このＴ〜１３５℃
までの溶出成分をメタノール中に沈殿させることにより
回収したポリマーを分取昇温分別におけるＴ℃以上の溶
出成分とする。
【００１８】また、 1Ｈ−ＮＭＲは、日本電子（株）
製、ＪＮＭ−ＥＸ４００型ＮＭＲ装置にて、溶媒として
１，２，４−トリクロロベンゼン／ベンゼンｄ6 ＝４／
１を用い、試料温度１３０℃，積算回数２５６回，パル
ス角度４５度，パルス間隔９秒の条件下で測定した値で
ある。 引張伸びが５％以上、好ましくは１０％以上、さらに
好ましくは２０％以上であること。
製、ＪＮＭ−ＥＸ４００型ＮＭＲ装置にて、溶媒として
１，２，４−トリクロロベンゼン／ベンゼンｄ6 ＝４／
１を用い、試料温度１３０℃，積算回数２５６回，パル
ス角度４５度，パルス間隔９秒の条件下で測定した値で
ある。 引張伸びが５％以上、好ましくは１０％以上、さらに
好ましくは２０％以上であること。
【００１９】引張伸びとは、次のようにして得られた値
である。即ち、試料を３００℃にてプレス成形後、コー
ルドプレス（型温３０℃）にて冷却することにより、厚
さ１００μｍのフィルムを作成し、これを１５０℃の雰
囲気下で３時間アニーリングした後室温に下げ、取り出
す。このフィルムから規格番号ＤＩＮ５３５０４のＳ３
サイズの打ち抜き型にて、ダンベル型の引張試験片を打
ち抜く。この試験片を用い、島津製作所社製オートグラ
フＡＧ５０００Ｂにて、初期チャック間距離２０ｍｍ、
引張速度１ｍｍ／分の条件で引張試験を行なって得た値
である。
である。即ち、試料を３００℃にてプレス成形後、コー
ルドプレス（型温３０℃）にて冷却することにより、厚
さ１００μｍのフィルムを作成し、これを１５０℃の雰
囲気下で３時間アニーリングした後室温に下げ、取り出
す。このフィルムから規格番号ＤＩＮ５３５０４のＳ３
サイズの打ち抜き型にて、ダンベル型の引張試験片を打
ち抜く。この試験片を用い、島津製作所社製オートグラ
フＡＧ５０００Ｂにて、初期チャック間距離２０ｍｍ、
引張速度１ｍｍ／分の条件で引張試験を行なって得た値
である。
【００２０】引張伸びが５％未満では、樹脂成形体の靱
性が低いことを意味している。 （４）さらには、本発明にかかる芳香族ビニル系樹脂材
料は次の性状を有していることが好ましい。 内部ヘイズが７０％以下、好ましくは５５％以下、さ
らに好ましくは４０％以下であること。
性が低いことを意味している。 （４）さらには、本発明にかかる芳香族ビニル系樹脂材
料は次の性状を有していることが好ましい。 内部ヘイズが７０％以下、好ましくは５５％以下、さ
らに好ましくは４０％以下であること。
【００２１】内部ヘイズとは、試料を３００℃にてプレ
ス成形後、直ちに氷水中に浸すことにより急冷し、厚さ
２５μｍの急冷フィルムを作成し、ＪＩＳ Ｋ７１０５
に準拠して測定した値である。ただし、このときガラス
の片面にシリコンオイルを塗布し、塗布面で該フィルム
を挟み測定したものである。測定値は該フィルムを挟ん
でいない場合でのブランク値により補正を行なったもの
である。
ス成形後、直ちに氷水中に浸すことにより急冷し、厚さ
２５μｍの急冷フィルムを作成し、ＪＩＳ Ｋ７１０５
に準拠して測定した値である。ただし、このときガラス
の片面にシリコンオイルを塗布し、塗布面で該フィルム
を挟み測定したものである。測定値は該フィルムを挟ん
でいない場合でのブランク値により補正を行なったもの
である。
【００２２】内部ヘイズが７０％を超えると、透明性が
低いことを意味している。 光散乱法によって得られるドメイン成分の平均直径が
０.0１〜３μｍ、好ましくは０.0５〜２μｍ、さらに好
ましくは０.1〜１μｍであること。光散乱法によって得
られるドメイン成分の平均直径とは、、次のようにして
得られた値である。即ち、試料を３００℃にてプレス成
形後、直ちに氷水中に浸すことにより急冷し、厚さ２５
μｍの急冷フィルムを作成する。このフィルムに波長
（λ）６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザを入射し、フィル
ムからの散乱光をフォトダイオードアレイ一次検出器を
用いて測定し、散乱光強度分布Ｉを散乱角（θ）の関数
として得る。Ｉ（θ）の自然対数ｌｎＩ（θ）を（４π
ｎ／λ）2 ｓｉｎ（θ／２）2 に対してプロットし、初
期勾配の絶対値Ａｉを求め、Ｒ＝（３Ａｉ）1/2 よりド
メイン成分粒径（Ｒ）を算出する。 ２．芳香族ビニル系樹脂材料の具体的態様 本発明にかかる芳香族ビニル系樹脂材料の具体的態様に
ついては、特に制限はないが、以下に示す（Ｉ）〜（II
I)のものが好ましく用いられる。 （Ｉ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエチレン系共重合
体マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合生成物であり、
該エチレン系共重合体マクロマー（ｂ）が、エチレン，
ジエン系モノマー，及び必要に応じて用いられる芳香族
ビニルモノマー及びα−オレフィンの共重合生成物であ
る場合である。 （II）（Ａ）芳香族ビニル重合体、（Ｂ）分子鎖中にジ
エン系モノマーに由来するビニル基を有するエチレン系
共重合体、及び（Ｃ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエ
チレン系共重合体マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合
生成物（上記（Ｉに該当）からなる芳香族ビニル系樹脂
組成物である場合である。 （III ）上記（Ｉ）又は(II)の芳香族ビニル系樹脂材料
と、主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体及び／又はゴム状弾性体からなる芳香族ビニル
系樹脂組成物であるである場合である。
低いことを意味している。 光散乱法によって得られるドメイン成分の平均直径が
０.0１〜３μｍ、好ましくは０.0５〜２μｍ、さらに好
ましくは０.1〜１μｍであること。光散乱法によって得
られるドメイン成分の平均直径とは、、次のようにして
得られた値である。即ち、試料を３００℃にてプレス成
形後、直ちに氷水中に浸すことにより急冷し、厚さ２５
μｍの急冷フィルムを作成する。このフィルムに波長
（λ）６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザを入射し、フィル
ムからの散乱光をフォトダイオードアレイ一次検出器を
用いて測定し、散乱光強度分布Ｉを散乱角（θ）の関数
として得る。Ｉ（θ）の自然対数ｌｎＩ（θ）を（４π
ｎ／λ）2 ｓｉｎ（θ／２）2 に対してプロットし、初
期勾配の絶対値Ａｉを求め、Ｒ＝（３Ａｉ）1/2 よりド
メイン成分粒径（Ｒ）を算出する。 ２．芳香族ビニル系樹脂材料の具体的態様 本発明にかかる芳香族ビニル系樹脂材料の具体的態様に
ついては、特に制限はないが、以下に示す（Ｉ）〜（II
I)のものが好ましく用いられる。 （Ｉ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエチレン系共重合
体マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合生成物であり、
該エチレン系共重合体マクロマー（ｂ）が、エチレン，
ジエン系モノマー，及び必要に応じて用いられる芳香族
ビニルモノマー及びα−オレフィンの共重合生成物であ
る場合である。 （II）（Ａ）芳香族ビニル重合体、（Ｂ）分子鎖中にジ
エン系モノマーに由来するビニル基を有するエチレン系
共重合体、及び（Ｃ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエ
チレン系共重合体マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合
生成物（上記（Ｉに該当）からなる芳香族ビニル系樹脂
組成物である場合である。 （III ）上記（Ｉ）又は(II)の芳香族ビニル系樹脂材料
と、主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体及び／又はゴム状弾性体からなる芳香族ビニル
系樹脂組成物であるである場合である。
【００２３】上記の場合について、以下に詳述する。 （Ｉ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエチレン系共重合
体マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合生成物 （Ｉ−１）芳香族ビニル系モノマー（ａ）としては、一
般式（１）で表される化合物が挙げられる。
体マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合生成物 （Ｉ−１）芳香族ビニル系モノマー（ａ）としては、一
般式（１）で表される化合物が挙げられる。
【００２４】
【化１】
【００２５】〔式中、Ｘ1 は次の〜のいずれかを示
す。水素原子，ハロゲン原子，あるいは炭素原
子，スズ原子及びケイ素原子から選ばれたいずれか一種
以上を含む置換基。ｎは１〜５の整数を示し、ｎが２以
上のときは、各Ｘ1 は、同じでも異なっていてもよ
い。〕で表される化合物が使用される。具体的には、ス
チレン，ｐ−メチルスチレン，ｍ−メチルスチレン，ｏ
−メチルスチレン，２，４−ジメチルスチレン，２，５
−ジメチルスチレン，３，４−ジメチルスチレン，３，
５−ジメチルスチレン，ｐ−エチルスチレン，ｍ−エチ
ルスチレン，ｐ−ターシャリーブチルスチレン等のアル
キルスチレン；ｐ−クロロスチレン，ｍ−クロロスチレ
ン，ｏ−クロロスチレン，ｐ−ブロモスチレン，ｍ−ブ
ロモスチレン，ｏ−ブロモスチレン，ｐ−フルオロスチ
レン，ｍ−フルオロスチレン，ｏ−フルオロスチレン，
ｏ−メチル−ｐ−フルオロスチレン等のハロゲン化スチ
レン、メトキシスチレン，エトキシスチレン，ｔ−ブト
キシスチレン等のアルコキシスチレン、ビニルビフェニ
ル類、ビニルフェニルナフタレン類、ビニルフェニルア
ントラセン類、ハロゲン化ビニルビフェニル類、トリア
ルキルシリルビニルビフェニル類、ハロゲン置換アルキ
ルスチレン、アルキルシリルスチレン類、フェニル基含
有シリルスチレン類、ハロゲン含有シリルスチレン類、
シリル基含有シリルスチレン類、あるいはこれらを二種
以上を混合したものが挙げられる。さらには、ビニルナ
フタレン類やビニルアントラセン類、或いはこれらの置
換体等も用いることができる。 （Ｉ−２）エチレン系共重合体系マクロマー（ｂ） 該エチレン系共重合体系マクロマー（ｂ）は、エチレ
ン、ジエン系モノマー、及び必要に応じて用いられる芳
香族ビニルモノマー及びα−オレフィンを共重合させて
得られた生成物であって、主として分子鎖中にジエン系
モノマーに由来するビニル基を有するエチレン系共重合
体である。
す。水素原子，ハロゲン原子，あるいは炭素原
子，スズ原子及びケイ素原子から選ばれたいずれか一種
以上を含む置換基。ｎは１〜５の整数を示し、ｎが２以
上のときは、各Ｘ1 は、同じでも異なっていてもよ
い。〕で表される化合物が使用される。具体的には、ス
チレン，ｐ−メチルスチレン，ｍ−メチルスチレン，ｏ
−メチルスチレン，２，４−ジメチルスチレン，２，５
−ジメチルスチレン，３，４−ジメチルスチレン，３，
５−ジメチルスチレン，ｐ−エチルスチレン，ｍ−エチ
ルスチレン，ｐ−ターシャリーブチルスチレン等のアル
キルスチレン；ｐ−クロロスチレン，ｍ−クロロスチレ
ン，ｏ−クロロスチレン，ｐ−ブロモスチレン，ｍ−ブ
ロモスチレン，ｏ−ブロモスチレン，ｐ−フルオロスチ
レン，ｍ−フルオロスチレン，ｏ−フルオロスチレン，
ｏ−メチル−ｐ−フルオロスチレン等のハロゲン化スチ
レン、メトキシスチレン，エトキシスチレン，ｔ−ブト
キシスチレン等のアルコキシスチレン、ビニルビフェニ
ル類、ビニルフェニルナフタレン類、ビニルフェニルア
ントラセン類、ハロゲン化ビニルビフェニル類、トリア
ルキルシリルビニルビフェニル類、ハロゲン置換アルキ
ルスチレン、アルキルシリルスチレン類、フェニル基含
有シリルスチレン類、ハロゲン含有シリルスチレン類、
シリル基含有シリルスチレン類、あるいはこれらを二種
以上を混合したものが挙げられる。さらには、ビニルナ
フタレン類やビニルアントラセン類、或いはこれらの置
換体等も用いることができる。 （Ｉ−２）エチレン系共重合体系マクロマー（ｂ） 該エチレン系共重合体系マクロマー（ｂ）は、エチレ
ン、ジエン系モノマー、及び必要に応じて用いられる芳
香族ビニルモノマー及びα−オレフィンを共重合させて
得られた生成物であって、主として分子鎖中にジエン系
モノマーに由来するビニル基を有するエチレン系共重合
体である。
【００２６】エチレン 特に問わず、水素がハロゲン等で置換されたものでもよ
い。 ジエン系モノマー ここで用いられるジエン系モノマーとは、分子内に炭素
−炭素二重結合を２つ以上有するモノマーをいう。例え
ば、ブタジエン、イソプレン、クロロプレン、１，３−
ヘキサジエン、１，３−ヘプタジエン、１，３，５−ヘ
キサトリエン、１，３，６−ヘプタトリエンなどの炭素
数４〜２０の共役ジエン系化合物、シクロペンタジエ
ン、２，５−ノルボルナジエン、１，３−シクロヘキサ
ジエン、１，４−シクロヘキサジエン、１，３−シクロ
オクタジエン、１，５−シクロオクタなどの環状ジエン
系化合物、ビニルノルボルネンなどの環状オレフィンが
挙げられる。さらには、下記一般式（２）や（３）で表
されるスチレン系ビニルを有するビニルスチレン系化合
物が好ましく挙げられる。
い。 ジエン系モノマー ここで用いられるジエン系モノマーとは、分子内に炭素
−炭素二重結合を２つ以上有するモノマーをいう。例え
ば、ブタジエン、イソプレン、クロロプレン、１，３−
ヘキサジエン、１，３−ヘプタジエン、１，３，５−ヘ
キサトリエン、１，３，６−ヘプタトリエンなどの炭素
数４〜２０の共役ジエン系化合物、シクロペンタジエ
ン、２，５−ノルボルナジエン、１，３−シクロヘキサ
ジエン、１，４−シクロヘキサジエン、１，３−シクロ
オクタジエン、１，５−シクロオクタなどの環状ジエン
系化合物、ビニルノルボルネンなどの環状オレフィンが
挙げられる。さらには、下記一般式（２）や（３）で表
されるスチレン系ビニルを有するビニルスチレン系化合
物が好ましく挙げられる。
【００２７】
【化２】
【００２８】
【化３】
【００２９】（式中、Ｘ2 はベンゼン，ナフタレン，ア
ントラセン等の芳香族化合物残基、トルエン，キシレ
ン，エチルベンゼン等、炭素数が１〜２０のアルキル基
で置換された芳香族化合物残基、クロロベンゼン，ブロ
モベンゼン等のハロゲン置換芳香族化合物残基であり、
Ｙ1 はＣＨ2 やアルキレン基或いはアルキリデン基を示
し、ｎは０又は１〜２０の整数を示す。） 具体的には、一般式（２）で表される化合物としては、
ｏ−ジビニルベンゼン、ｍ−ジビニルベンゼン、ｐ−ジ
ビニルベンゼン、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）ジビニルトルエ
ン、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）２−プロペニルスチレン、
（ｏ−，ｍ−，ｐ−）３−ブテニルスチレン、（ｏ−，
ｍ−，ｐ−）４−ペンテニルスチレン等が挙げられ、一
般式（３）で表される化合物としては、以下の化合物が
挙げられる。
ントラセン等の芳香族化合物残基、トルエン，キシレ
ン，エチルベンゼン等、炭素数が１〜２０のアルキル基
で置換された芳香族化合物残基、クロロベンゼン，ブロ
モベンゼン等のハロゲン置換芳香族化合物残基であり、
Ｙ1 はＣＨ2 やアルキレン基或いはアルキリデン基を示
し、ｎは０又は１〜２０の整数を示す。） 具体的には、一般式（２）で表される化合物としては、
ｏ−ジビニルベンゼン、ｍ−ジビニルベンゼン、ｐ−ジ
ビニルベンゼン、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）ジビニルトルエ
ン、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）２−プロペニルスチレン、
（ｏ−，ｍ−，ｐ−）３−ブテニルスチレン、（ｏ−，
ｍ−，ｐ−）４−ペンテニルスチレン等が挙げられ、一
般式（３）で表される化合物としては、以下の化合物が
挙げられる。
【００３０】
【化４】
【００３１】芳香族ビニルモノマー ここで用いられる芳香族ビニル系モノマーは、前記に挙
げたもののなかから選ばれる。 α−オレフィン エチレンを除くα−オレフィンモノマーである。具体的
には、プロピレン；ブテン−１；ペンテン−１；ヘキセ
ン−１；ヘプテン−１；オクテン−１；ノネン−１；デ
セン−１；４−フェニルブテン−１；６−フェニルヘキ
セン−１；３−メチルブテン−１；４−メチルペンテン
−１；３−メチルペンテン−１；３−メチルヘキセン−
１；４−メチルヘキセン−１；５−メチルヘキセン−
１；３，３−ジメチルペンテン−１；３，４−ジメチル
ペンテン−１；４，４−ジメチルペンテン−１；ビニル
シクロヘキサンなどのα−オレフィン、ヘキサフルオロ
プロペン；テトラフルオロエチレン；２−フルオロプロ
ペン；フルオロエチレン；１，１−ジフルオロエチレ
ン；３−フルオロプロペン；トリフルオロエチレン；
３，４−ジクロロブテン−１などのハロゲン置換α−オ
レフィン、シクロペンテン；シクロヘキセン；ノルボル
ネン；５−メチルノルボルネン；５−エチルノルボルネ
ン；５−プロピルノルボルネン；５，６−ジメチルノル
ボルネン；１−メチルノルボルネン；７−メチルノルボ
ルネン；５，５，６−トリメチルノルボルネン；５−フ
ェニルノルボルネン；５−ベンジルノルボルネンなどの
環状オレフィンなどが挙げられ、これらの１種又は２種
以上が用いられる。
げたもののなかから選ばれる。 α−オレフィン エチレンを除くα−オレフィンモノマーである。具体的
には、プロピレン；ブテン−１；ペンテン−１；ヘキセ
ン−１；ヘプテン−１；オクテン−１；ノネン−１；デ
セン−１；４−フェニルブテン−１；６−フェニルヘキ
セン−１；３−メチルブテン−１；４−メチルペンテン
−１；３−メチルペンテン−１；３−メチルヘキセン−
１；４−メチルヘキセン−１；５−メチルヘキセン−
１；３，３−ジメチルペンテン−１；３，４−ジメチル
ペンテン−１；４，４−ジメチルペンテン−１；ビニル
シクロヘキサンなどのα−オレフィン、ヘキサフルオロ
プロペン；テトラフルオロエチレン；２−フルオロプロ
ペン；フルオロエチレン；１，１−ジフルオロエチレ
ン；３−フルオロプロペン；トリフルオロエチレン；
３，４−ジクロロブテン−１などのハロゲン置換α−オ
レフィン、シクロペンテン；シクロヘキセン；ノルボル
ネン；５−メチルノルボルネン；５−エチルノルボルネ
ン；５−プロピルノルボルネン；５，６−ジメチルノル
ボルネン；１−メチルノルボルネン；７−メチルノルボ
ルネン；５，５，６−トリメチルノルボルネン；５−フ
ェニルノルボルネン；５−ベンジルノルボルネンなどの
環状オレフィンなどが挙げられ、これらの１種又は２種
以上が用いられる。
【００３２】該エチレン系共重合体マクロマー（ｂ）
は、前記の各モノマーを共重合することにより得られる
ものである。 (-i) 該エチレン系共重合体マクロマー（ｂ）におい
ては、好ましくは、エチレンに由来する繰返し単位が９
９〜１モル％、好ましくは９０〜２０モル％、さらに好
ましくは８０〜３０モル％、及びジエン系モノマーに由
来する繰返し単位が１０〜０.0０１モル％、好ましくは
５〜０.0１モル％、さらに好ましくは１〜０.0５モル％
からなるものである。また、芳香族ビニル系モノマー又
はα−オレフィンをモノマーとして用いる場合には、芳
香族ビニル系モノマーに由来する繰返し単位が０〜７０
モル％、好ましくは０〜５０モル％、さらに好ましくは
０〜３０モル％（いずれも０を含まず）、α−オレフィ
ンに由来する繰返し単位が０〜７０モル％、好ましくは
０〜５０モル％、さらに好ましくは０〜２０モル％（い
ずれも０を含まず）からなるものである。エチレンに由
来する繰返し単位が９９モル％を超える場合、スチレン
モノマーに溶解しにくくなりグラフト共重合を行なうこ
とが困難になり、１モル％未満の場合、ゴム成分として
作用しなくなるおそれがある。また、ジエン系モノマー
に由来する繰返し単位が１０モル％を超えるとグラフト
共重合と共に架橋が生じるおそれがあり、０.0０１モル
％未満の場合、グラフト共重合が十分に起きにくくなる
ことがある。さらに芳香族ビニル系モノマーに由来する
繰返し単位が７０モル％を超えるとガラス転位温度が低
下しゴム弾性が低下するおそれがあり、α−オレフィン
に由来する繰返し単位が７０モル％を超えると結晶性が
高くなりグラフト共重合させる際の溶解性か低下するお
それがある。
は、前記の各モノマーを共重合することにより得られる
ものである。 (-i) 該エチレン系共重合体マクロマー（ｂ）におい
ては、好ましくは、エチレンに由来する繰返し単位が９
９〜１モル％、好ましくは９０〜２０モル％、さらに好
ましくは８０〜３０モル％、及びジエン系モノマーに由
来する繰返し単位が１０〜０.0０１モル％、好ましくは
５〜０.0１モル％、さらに好ましくは１〜０.0５モル％
からなるものである。また、芳香族ビニル系モノマー又
はα−オレフィンをモノマーとして用いる場合には、芳
香族ビニル系モノマーに由来する繰返し単位が０〜７０
モル％、好ましくは０〜５０モル％、さらに好ましくは
０〜３０モル％（いずれも０を含まず）、α−オレフィ
ンに由来する繰返し単位が０〜７０モル％、好ましくは
０〜５０モル％、さらに好ましくは０〜２０モル％（い
ずれも０を含まず）からなるものである。エチレンに由
来する繰返し単位が９９モル％を超える場合、スチレン
モノマーに溶解しにくくなりグラフト共重合を行なうこ
とが困難になり、１モル％未満の場合、ゴム成分として
作用しなくなるおそれがある。また、ジエン系モノマー
に由来する繰返し単位が１０モル％を超えるとグラフト
共重合と共に架橋が生じるおそれがあり、０.0０１モル
％未満の場合、グラフト共重合が十分に起きにくくなる
ことがある。さらに芳香族ビニル系モノマーに由来する
繰返し単位が７０モル％を超えるとガラス転位温度が低
下しゴム弾性が低下するおそれがあり、α−オレフィン
に由来する繰返し単位が７０モル％を超えると結晶性が
高くなりグラフト共重合させる際の溶解性か低下するお
それがある。
【００３３】(-ii)また、該エチレン系共重合体マク
ロマー（ｂ）は、デカリン中で１３５℃で測定した極限
粘度〔η〕が０.0１〜１５ｄｌ／ｇ、好ましくは０.1〜
１２ｄｌ／ｇ、さらに好ましくは０.5〜１０ｄｌ／ｇで
ある。０.0１未満であるとグラフト化したときの相溶化
能が悪く、１５を超えるとマクロマーを溶解させたとき
の溶液粘度が上昇しグラフト共重合が困難になるおそれ
がある。また、ＧＰＣで測定した分子量分布が８以下、
好ましくは６以下、さらに好ましくは４以下である。８
を超えるとグラフト重合の際の効率が低下し、グラフト
共重合体の物性が低下するおそれがある。
ロマー（ｂ）は、デカリン中で１３５℃で測定した極限
粘度〔η〕が０.0１〜１５ｄｌ／ｇ、好ましくは０.1〜
１２ｄｌ／ｇ、さらに好ましくは０.5〜１０ｄｌ／ｇで
ある。０.0１未満であるとグラフト化したときの相溶化
能が悪く、１５を超えるとマクロマーを溶解させたとき
の溶液粘度が上昇しグラフト共重合が困難になるおそれ
がある。また、ＧＰＣで測定した分子量分布が８以下、
好ましくは６以下、さらに好ましくは４以下である。８
を超えるとグラフト重合の際の効率が低下し、グラフト
共重合体の物性が低下するおそれがある。
【００３４】(-iii) エチレン系共重合体系マクロマ
ー（ｂ）の製造方法 前記エチレン系共重合体系マクロマー（ｂ）の製造方法
は特に問わない。例えば、四塩化バナジウムやオキシ三
塩化バナジウム、四塩化チタンなどのバナジウムやチタ
ンのハロゲン含有物や、トリ（アセチルアセトナート）
バナジウム、トリ（２−メチル−１，３−ブタンジナ
ト）バナジウム、トリ（１，３−ブタンジナト）バナジ
ウム等のバナジウム化合物と、トリアルキルアルミニウ
ムやジアルキルモノハロゲン化アルミニウムなどの有機
アルミニウムの組み合わせによる触媒や、さらには、
（ａ）遷移金属化合物，（ｂ）（イ）酸素含有化合物、
及び／又は（ロ）該（ａ）成分の遷移金属化合物と反応
してイオン性の錯体を形成しうる化合物、及び必要に応
じて（ｃ）アルキル化剤からなる触媒を用いて共重合す
ることが好ましく行なわれる。 （-iii-1) 触媒の各成分 （ａ）遷移金属化合物 遷移金属化合物（ａ）としては、各種のものが使用可能
であるが、通常は以下に記すものが好ましく用いられ
る。
ー（ｂ）の製造方法 前記エチレン系共重合体系マクロマー（ｂ）の製造方法
は特に問わない。例えば、四塩化バナジウムやオキシ三
塩化バナジウム、四塩化チタンなどのバナジウムやチタ
ンのハロゲン含有物や、トリ（アセチルアセトナート）
バナジウム、トリ（２−メチル−１，３−ブタンジナ
ト）バナジウム、トリ（１，３−ブタンジナト）バナジ
ウム等のバナジウム化合物と、トリアルキルアルミニウ
ムやジアルキルモノハロゲン化アルミニウムなどの有機
アルミニウムの組み合わせによる触媒や、さらには、
（ａ）遷移金属化合物，（ｂ）（イ）酸素含有化合物、
及び／又は（ロ）該（ａ）成分の遷移金属化合物と反応
してイオン性の錯体を形成しうる化合物、及び必要に応
じて（ｃ）アルキル化剤からなる触媒を用いて共重合す
ることが好ましく行なわれる。 （-iii-1) 触媒の各成分 （ａ）遷移金属化合物 遷移金属化合物（ａ）としては、各種のものが使用可能
であるが、通常は以下に記すものが好ましく用いられ
る。
【００３５】（a-1)下記一般式（４）で表される化合物
【００３６】
【化５】
【００３７】〔式中、Ｍ1 は周期律表３〜１０族又はラ
ンタノイド系列の金属元素を示し、Ｅ 1 及びＥ2 はそれ
ぞれ置換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換
インデニル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基，
ヘキサヒドロアズレニル基，置換ヘキサヒドロアズレニ
ル基，テトラヒドロインデニル基，置換テトラヒドロイ
ンデニル基，テトラヒドロフルオレニル基，置換テトラ
ヒドロフルオレニル基，オクタヒドロフルオレニル基，
置換オクタヒドロフルオレニル基, ヘテロシクロペンタ
ジエニル基，置換ヘテロシクロペンタジエニル基，アミ
ド基，ホスフィド基，炭化水素基及び珪素含有基の中か
ら選ばれた配位子であって、Ａ1 及びＡ2を介して架橋
構造を形成しており、またそれらはたがいに同一でも異
なっていてもよく、Ｘ3 はσ結合性の配位子を示し、Ｘ
3 が複数ある場合、複数のＸ3 は同じでも異なっていて
もよく、他のＸ3 ，Ｅ1 ，Ｅ2 又はＹ1 と架橋していて
もよい。Ｙ1 はルイス塩基を示し、Ｙ1 が複数ある場
合、複数のＹ1 は同じでも異なっていてもよく、他のＹ
1 ，Ｅ1 ，Ｅ2 又はＸ1 と架橋していてもよく、Ａ1 及
びＡ2 はそれぞれ炭素数１以上の炭化水素基からなる架
橋基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていても
よい。ｑは１〜５の整数で〔（Ｍ1 の原子価）−２〕を
示し、ｒは０〜３の整数を示す。〕 上記のＸ3 の具体例としては、ハロゲン原子、炭素数１
〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、
炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数１〜２０の
アミド基、炭素数１〜２０の珪素含有基、炭素数１〜２
０のホスフィド基、炭素数１〜２０のスルフィド基、炭
素数１〜２０のアシル基などが挙げられる。また、上記
のＹ1 の具体例としては、アミン類、エーテル類、ホス
フィン類、チオエーテル類などを挙げることができる。
また、上記のＡ1 及びＡ2 の具体例としては、例えば一
般式（５）
ンタノイド系列の金属元素を示し、Ｅ 1 及びＥ2 はそれ
ぞれ置換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換
インデニル基，フルオレニル基，置換フルオレニル基，
ヘキサヒドロアズレニル基，置換ヘキサヒドロアズレニ
ル基，テトラヒドロインデニル基，置換テトラヒドロイ
ンデニル基，テトラヒドロフルオレニル基，置換テトラ
ヒドロフルオレニル基，オクタヒドロフルオレニル基，
置換オクタヒドロフルオレニル基, ヘテロシクロペンタ
ジエニル基，置換ヘテロシクロペンタジエニル基，アミ
ド基，ホスフィド基，炭化水素基及び珪素含有基の中か
ら選ばれた配位子であって、Ａ1 及びＡ2を介して架橋
構造を形成しており、またそれらはたがいに同一でも異
なっていてもよく、Ｘ3 はσ結合性の配位子を示し、Ｘ
3 が複数ある場合、複数のＸ3 は同じでも異なっていて
もよく、他のＸ3 ，Ｅ1 ，Ｅ2 又はＹ1 と架橋していて
もよい。Ｙ1 はルイス塩基を示し、Ｙ1 が複数ある場
合、複数のＹ1 は同じでも異なっていてもよく、他のＹ
1 ，Ｅ1 ，Ｅ2 又はＸ1 と架橋していてもよく、Ａ1 及
びＡ2 はそれぞれ炭素数１以上の炭化水素基からなる架
橋基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていても
よい。ｑは１〜５の整数で〔（Ｍ1 の原子価）−２〕を
示し、ｒは０〜３の整数を示す。〕 上記のＸ3 の具体例としては、ハロゲン原子、炭素数１
〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、
炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数１〜２０の
アミド基、炭素数１〜２０の珪素含有基、炭素数１〜２
０のホスフィド基、炭素数１〜２０のスルフィド基、炭
素数１〜２０のアシル基などが挙げられる。また、上記
のＹ1 の具体例としては、アミン類、エーテル類、ホス
フィン類、チオエーテル類などを挙げることができる。
また、上記のＡ1 及びＡ2 の具体例としては、例えば一
般式（５）
【００３８】
【化６】
【００３９】（Ｔ1 及びＴ 2は、それぞれ水素原子又は
炭素数１〜２０の炭化水素基で、それらはたがいに同一
でも異なっていてもよく、また互いに結合して環を形成
していてもよい。ｅは１〜４の整数を示す。）で表され
るものが挙げられ、その具体例としては、メチレン基、
エチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、イソプロ
ピリデン基、シクロヘキシリデン基、１，２−シクロヘ
キシレン基、ビニリデン基（ＣＨ ＝Ｃ＝）などを挙げ
ることができる。これらの中で、メチレン基、エチレン
基及びイソプロピリデン基が好適である。
炭素数１〜２０の炭化水素基で、それらはたがいに同一
でも異なっていてもよく、また互いに結合して環を形成
していてもよい。ｅは１〜４の整数を示す。）で表され
るものが挙げられ、その具体例としては、メチレン基、
エチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、イソプロ
ピリデン基、シクロヘキシリデン基、１，２−シクロヘ
キシレン基、ビニリデン基（ＣＨ ＝Ｃ＝）などを挙げ
ることができる。これらの中で、メチレン基、エチレン
基及びイソプロピリデン基が好適である。
【００４０】本発明の一般式（４）で表される遷移金属
化合物の具体例としては、（１，１’−エチレン）
（２，２’−エチレン）−ビス（インデニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−
エチレン）−ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，１’−メチレン）（２，２’−メチレン）−
ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−メチレン）（２，１’−メチレン）−ビス（イン
デニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−イソプ
ロピリデン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビス
（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−
イソプロピリデン）（２，１’−イソプロピリデン）−
ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−エチレン）（２，２’−エチレン）−ビス（３−
メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−エチレン）（２，１’−エチレン）−ビス（３−
メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−エチレン）（２，２’−エチレン）−ビス（４，
５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）−ビス
（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，１’−エチレン）（２，２’−エチレン）−
ビス（４−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジク
ロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレ
ン）−ビス（４−イソプロピルインデニル）ジルコニウ
ムジクロリド，（１，１’−エチレン）（２，２’−エ
チレン）−ビス（５，６−ジメチルインデニル）ジルコ
ニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’
−エチレン）−ビス（５，６−ジメチルインデニル）ジ
ルコニウムジクロリド，（１，１’−エチレン）（２，
２’−エチレン）−ビス（４，７−ジイソプロピルイン
デニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレ
ン）（２，１’−エチレン）−ビス（４，７−ジイソプ
ロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−エチレン）（２，２’−エチレン）−ビス（４−
フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−エチレン）（２，１’−エチレン）−ビス（４−
フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−エチレン）（２，２’−エチレン）−ビス（３−
メチル−４−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジ
クロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレ
ン）−ビス（３−メチル−４−イソプロピルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−エチレン）
（２，２’−エチレン）−ビス（５，６−ベンゾインデ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレ
ン）（２，１’−エチレン）−ビス（５，６−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−エチ
レン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（インデ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレ
ン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビス（インデニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−イソプロピ
リデン）（２，２’−エチレン）−ビス（インデニル）
ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）
（２，１’−エチレン）−ビス（インデニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，１’−メチレン）（２，２’−
エチレン）−ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，１’−エチレン）（２，２’−メチレン）−
ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−メチレン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビ
ス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’
−メチレン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビス
（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−
イソプロピリデン）（２，２’−メチレン）−ビス（イ
ンデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−メチ
レン）（２，２’−メチレン）（３−メチルシクロペン
タジエニル）（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
クロリド，（１，１’−イソプロピリデン）（２，２’
−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニ
ル）（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，１’−プロピリデン）（２，２’−プロピリ
デン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（シクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−
エチレン）（２，２’−メチレン）−ビス（３−メチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，１’−メチレン）（２，２’−エチレン）−ビス
（３−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリド，（１，１’−イソプロピリデン）（２，２’−
エチレン）−ビス（３−メチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリド，（１，１’−エチレン）
（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（３−メチルシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−メチレン）（２，２’−メチレン）−ビス（３−
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，１’−メチレン）（２，２’−イソプロピリ
デン）−ビス（３−メチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジクロリド，（１，１’−イソプロピリデン）
（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（３−メチルシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−エチレン）（２，２’−メチレン）−ビス（３，
４−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリド，（１，１’−エチレン）（２，２’−イソプロ
ピリデン）−ビス（３，４−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−メチレ
ン）（２，２’−メチレン）−ビス（３，４−ジメチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，１’−メチレン）（２，２’−イソプロピリデ
ン）−ビス（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリド，（１，１’−イソプロピリデ
ン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（３，４−
ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−エチレン）（２，１’−メチレン）−
ビス（３−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−イソ
プロピリデン）−ビス（３−メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）
（２，１’−メチレン）−ビス（３−メチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メ
チレン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビス（３−
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−イソプロピリデン）（２，１’−イソ
プロピリデン）−ビス（３−メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）
（２，１’−メチレン）−ビス（３，４−ジメチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−エチレン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビ
ス（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−
メチレン）−ビス（３，４−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレ
ン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビス（３，４−
ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−イソプロピリデン）（２，１’−イソ
プロピリデン）−ビス（３，４−ジメチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジクロリドなど及びこれらの化
合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置
換したものを挙げることができる。もちろんこれらに限
定されるものではない。また、他の族又はランタノイド
系列の金属元素の類似化合物であってもよい。 （ii）下記一般式（６）又は一般式（７）で表される化
合物
化合物の具体例としては、（１，１’−エチレン）
（２，２’−エチレン）−ビス（インデニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−
エチレン）−ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，１’−メチレン）（２，２’−メチレン）−
ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−メチレン）（２，１’−メチレン）−ビス（イン
デニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−イソプ
ロピリデン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビス
（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−
イソプロピリデン）（２，１’−イソプロピリデン）−
ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−エチレン）（２，２’−エチレン）−ビス（３−
メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−エチレン）（２，１’−エチレン）−ビス（３−
メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−エチレン）（２，２’−エチレン）−ビス（４，
５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）−ビス
（４，５−ベンゾインデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，１’−エチレン）（２，２’−エチレン）−
ビス（４−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジク
ロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレ
ン）−ビス（４−イソプロピルインデニル）ジルコニウ
ムジクロリド，（１，１’−エチレン）（２，２’−エ
チレン）−ビス（５，６−ジメチルインデニル）ジルコ
ニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’
−エチレン）−ビス（５，６−ジメチルインデニル）ジ
ルコニウムジクロリド，（１，１’−エチレン）（２，
２’−エチレン）−ビス（４，７−ジイソプロピルイン
デニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレ
ン）（２，１’−エチレン）−ビス（４，７−ジイソプ
ロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−エチレン）（２，２’−エチレン）−ビス（４−
フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−エチレン）（２，１’−エチレン）−ビス（４−
フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−エチレン）（２，２’−エチレン）−ビス（３−
メチル−４−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジ
クロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレ
ン）−ビス（３−メチル−４−イソプロピルインデニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−エチレン）
（２，２’−エチレン）−ビス（５，６−ベンゾインデ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレ
ン）（２，１’−エチレン）−ビス（５，６−ベンゾイ
ンデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−エチ
レン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（インデ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレ
ン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビス（インデニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−イソプロピ
リデン）（２，２’−エチレン）−ビス（インデニル）
ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）
（２，１’−エチレン）−ビス（インデニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，１’−メチレン）（２，２’−
エチレン）−ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，１’−エチレン）（２，２’−メチレン）−
ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−メチレン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビ
ス（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’
−メチレン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビス
（インデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−
イソプロピリデン）（２，２’−メチレン）−ビス（イ
ンデニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−メチ
レン）（２，２’−メチレン）（３−メチルシクロペン
タジエニル）（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジ
クロリド，（１，１’−イソプロピリデン）（２，２’
−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニ
ル）（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，１’−プロピリデン）（２，２’−プロピリ
デン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（シクロペ
ンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−
エチレン）（２，２’−メチレン）−ビス（３−メチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，１’−メチレン）（２，２’−エチレン）−ビス
（３−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリド，（１，１’−イソプロピリデン）（２，２’−
エチレン）−ビス（３−メチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリド，（１，１’−エチレン）
（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（３−メチルシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−メチレン）（２，２’−メチレン）−ビス（３−
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，１’−メチレン）（２，２’−イソプロピリ
デン）−ビス（３−メチルシクロペンタジエニル）ジル
コニウムジクロリド，（１，１’−イソプロピリデン）
（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（３−メチルシ
クロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
１’−エチレン）（２，２’−メチレン）−ビス（３，
４−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジク
ロリド，（１，１’−エチレン）（２，２’−イソプロ
ピリデン）−ビス（３，４−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，１’−メチレ
ン）（２，２’−メチレン）−ビス（３，４−ジメチル
シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
（１，１’−メチレン）（２，２’−イソプロピリデ
ン）−ビス（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）
ジルコニウムジクロリド，（１，１’−イソプロピリデ
ン）（２，２’−イソプロピリデン）−ビス（３，４−
ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−エチレン）（２，１’−メチレン）−
ビス（３−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム
ジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−イソ
プロピリデン）−ビス（３−メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）
（２，１’−メチレン）−ビス（３−メチルシクロペン
タジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メ
チレン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビス（３−
メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−イソプロピリデン）（２，１’−イソ
プロピリデン）−ビス（３−メチルシクロペンタジエニ
ル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）
（２，１’−メチレン）−ビス（３，４−ジメチルシク
ロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，
２’−エチレン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビ
ス（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニ
ウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−
メチレン）−ビス（３，４−ジメチルシクロペンタジエ
ニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレ
ン）（２，１’−イソプロピリデン）−ビス（３，４−
ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリ
ド，（１，２’−イソプロピリデン）（２，１’−イソ
プロピリデン）−ビス（３，４−ジメチルシクロペンタ
ジエニル）ジルコニウムジクロリドなど及びこれらの化
合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置
換したものを挙げることができる。もちろんこれらに限
定されるものではない。また、他の族又はランタノイド
系列の金属元素の類似化合物であってもよい。 （ii）下記一般式（６）又は一般式（７）で表される化
合物
【００４１】
【化７】
【００４２】
【化８】
【００４３】（上記（６）及び（７）式中において、Ｅ
3 及びＥ4 は、非置換又は置換シクロペンタジエニル
基、インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル
基，置換フルオレニル基，ヘキサヒドロアズレニル基，
置換ヘキサヒドロアズレニル基，テトラヒドロインデニ
ル基，置換テトラヒドロインデニル基，テトラヒドロフ
ルオレニル基，置換テトラヒドロフルオレニル基，オク
タヒドロフルオレニル基置換オクタヒドロフルオレニル
基であり、Ａ3 及びＡ4 は、水素原子、炭素数１〜１０
のアルキル基、又はそれぞれ炭素数６〜２０のアリール
基、アルキルアリール基、アリールアルキル基もしくは
ハロゲン化アリール基、又は酸素、窒素、硫黄もしくは
珪素から選ばれたヘテロ原子を含む炭素数１〜２０の炭
化水素基であり、ＱはＥ3 及びＥ4 を連結する炭素数２
〜１０の炭化水素基又は珪素、ゲルマニウムもしくはス
ズを含む炭素数１〜１０の炭化水素基、又は炭素、珪
素、ゲルマニウムもしくはスズ原子であり、また、Ａ3
及びＡ4 は互いに連結していてＡ3 ，Ａ4 及びＱの間で
環構造を形成していてもよい。Ｒ1 及びＲ2 はハロゲン
原子、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、珪素含
有アルキル基、それぞれ炭素数６〜２０のアリール基、
アルキルアリール基もしくはアリールアルキル基であ
り、かつＭ2 はチタン、ジルコニウム又はハフニウムで
ある。） 上記において、Ｅ3 及びＥ4 として、具体的には、シク
ロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、
ジメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロ
ペンタジエニル基、インデニル基、３−メチルインデニ
ル基、テトラヒドロインデニル基、フルオレニル基、メ
チルフルオレニル基、ヘキサヒドロアズレニル基、オク
タヒドロフルオレニル基、２，７−ジ−ｔ−ブチルフル
オレニル基等を挙げることができる。
3 及びＥ4 は、非置換又は置換シクロペンタジエニル
基、インデニル基，置換インデニル基，フルオレニル
基，置換フルオレニル基，ヘキサヒドロアズレニル基，
置換ヘキサヒドロアズレニル基，テトラヒドロインデニ
ル基，置換テトラヒドロインデニル基，テトラヒドロフ
ルオレニル基，置換テトラヒドロフルオレニル基，オク
タヒドロフルオレニル基置換オクタヒドロフルオレニル
基であり、Ａ3 及びＡ4 は、水素原子、炭素数１〜１０
のアルキル基、又はそれぞれ炭素数６〜２０のアリール
基、アルキルアリール基、アリールアルキル基もしくは
ハロゲン化アリール基、又は酸素、窒素、硫黄もしくは
珪素から選ばれたヘテロ原子を含む炭素数１〜２０の炭
化水素基であり、ＱはＥ3 及びＥ4 を連結する炭素数２
〜１０の炭化水素基又は珪素、ゲルマニウムもしくはス
ズを含む炭素数１〜１０の炭化水素基、又は炭素、珪
素、ゲルマニウムもしくはスズ原子であり、また、Ａ3
及びＡ4 は互いに連結していてＡ3 ，Ａ4 及びＱの間で
環構造を形成していてもよい。Ｒ1 及びＲ2 はハロゲン
原子、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、珪素含
有アルキル基、それぞれ炭素数６〜２０のアリール基、
アルキルアリール基もしくはアリールアルキル基であ
り、かつＭ2 はチタン、ジルコニウム又はハフニウムで
ある。） 上記において、Ｅ3 及びＥ4 として、具体的には、シク
ロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、
ジメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロ
ペンタジエニル基、インデニル基、３−メチルインデニ
ル基、テトラヒドロインデニル基、フルオレニル基、メ
チルフルオレニル基、ヘキサヒドロアズレニル基、オク
タヒドロフルオレニル基、２，７−ジ−ｔ−ブチルフル
オレニル基等を挙げることができる。
【００４４】また、Ａ3 及びＡ4 として、具体的には、
水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル
基、トルイル基、フルオロフェニル基、メトキシフェニ
ル基、ベンジル基等を挙げることができる。さらに、Ａ
3 及びＡ4 が互いに連結していてＡ3 ，Ａ4 及びＱの間
で環構造を形成している場合、Ａ3 ，Ａ4 及びＱがなす
基としては、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデ
ン基、テトラヒドロピラン−４−イリデン基等を挙げる
ことができる。
水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル
基、トルイル基、フルオロフェニル基、メトキシフェニ
ル基、ベンジル基等を挙げることができる。さらに、Ａ
3 及びＡ4 が互いに連結していてＡ3 ，Ａ4 及びＱの間
で環構造を形成している場合、Ａ3 ，Ａ4 及びＱがなす
基としては、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデ
ン基、テトラヒドロピラン−４−イリデン基等を挙げる
ことができる。
【００４５】Ｒ1 及びＲ2 の好ましい具体例としては、
塩素原子、メチル基、フェニル基、トリメチルシリルメ
チル基等を挙げることができる。上記の遷移金属化合物
として、具体的には、エチレンビス（１−インデニル）
ジルコニウムジクロリド、エチレンビス（テトラヒドロ
−１−インデニル）ジルコニウムジクロリド、イソプロ
ピリデン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジ
ルコニウムジクロリド、メチルフェニルメチレン（シク
ロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジク
ロリド、ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）
（フルオレニル）ジルコニウムジクロリド、イソプロピ
リデン（９−フルオレニル）（１−インデニル）ジルコ
ニウムジクロリド、ジメチルシリル−ビス−（２−メチ
ルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリ
ル−ビス−（２−メチルベンゾインデニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ジメチルシリル−ビス−（２−メチル−
４−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ジ
メチルシリル−ビス−（２−メチル−４−ナフチルイン
デニル）ジルコニウムジクロリド等を挙げることができ
る。 （iii)以下の一般式（８）で表される化合物
塩素原子、メチル基、フェニル基、トリメチルシリルメ
チル基等を挙げることができる。上記の遷移金属化合物
として、具体的には、エチレンビス（１−インデニル）
ジルコニウムジクロリド、エチレンビス（テトラヒドロ
−１−インデニル）ジルコニウムジクロリド、イソプロ
ピリデン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジ
ルコニウムジクロリド、メチルフェニルメチレン（シク
ロペンタジエニル）（フルオレニル）ジルコニウムジク
ロリド、ジフェニルメチレン（シクロペンタジエニル）
（フルオレニル）ジルコニウムジクロリド、イソプロピ
リデン（９−フルオレニル）（１−インデニル）ジルコ
ニウムジクロリド、ジメチルシリル−ビス−（２−メチ
ルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリ
ル−ビス−（２−メチルベンゾインデニル）ジルコニウ
ムジクロリド、ジメチルシリル−ビス−（２−メチル−
４−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、ジ
メチルシリル−ビス−（２−メチル−４−ナフチルイン
デニル）ジルコニウムジクロリド等を挙げることができ
る。 （iii)以下の一般式（８）で表される化合物
【００４６】
【化９】
【００４７】（式中、Ｍ3 はチタン，ジルコニウム又は
ハフニウムであり、Ｃｐ* は、Ｍ3 にη5 結合様式で結
合するシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエ
ニル基又はインデニル基，置換インデニル基，フルオレ
ニル基，置換フルオレニル基，ヘキサヒドロアズレニル
基，置換ヘキサヒドロアズレニル基，テトラヒドロイン
デニル基，置換テトラヒドロインデニル基，テトラヒド
ロフルオレニル基，置換テトラヒドロフルオレニル基，
オクタヒドロフルオレニル基，置換オクタヒドロフルオ
レニル基である。Ｘ4 はσ配位子を示し、ｎは１又は２
であり、複数のＸ 4 はたがいに同一でも異なっていても
よく、また、任意の基を介して結合していてもよい。Ｙ
2 は、Ｏ，Ｓ，ＮＲ，ＰＲ又はＣＲ2 であるか、又はＯ
Ｒ，ＳＲ，ＮＲ2 又はＰＲ2 から選ばれた中性の２個電
子供与性配位子であり、Ｚは、ＳｉＲ2 ，ＣＲ2 ，Ｓｉ
Ｒ2 ＳｉＲ2 ，ＣＲ2 ＣＲ2 ，ＣＲ＝ＣＲ，ＣＲＳｉＲ
2 ，ＧｅＲ2 ，ＢＲ，ＢＲ2 であり、ここにおいて、Ｒ
は、各々の場合に、水素，アルキル基，アリール基，シ
リル基，ハロゲン化アルキル，ハロゲン化アリール，及
びこれらの少なくとも２つの組合せからなり、２０個以
下の非水素原子をもつものからなる群より選ばれたもの
である。さらに、２個又はそれ以上の上記Ｒ基はＺ，又
はＹ2 とＺの双方から縮合環系を形成していてもよ
い。） ここにおいて、置換シクロペンタジエニル基は、例え
ば、炭素数１〜６のアルキル基で１個以上置換されたシ
クロペンタジエニル基、具体的には、メチルシクロペン
タジエニル基；１，２−ジメチルシクロペンタジエニル
基；１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニル基；
１，２，３，４−テトラメチルシクロペンタジエニル
基；トリメチルシリルシクロペンタジエニル基；１，３
−ジ（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル基；タ
ーシャリーブチルシクロペンタジエニル基；１，３−ジ
（ターシャリーブチル）シクロペンタジエニル基；炭素
数１〜２０のハイドロカルビル基，ハロハイドロカルビ
ル基等である。また、置換インデニル基は、例えば、メ
チルインデニル基，ジメチルインデニル基，テトラメチ
ルインデニル基，ヘキサメチルインデニル基であり、置
換テトラヒドロインデニル基としては、例えば、４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル基；１−メチル−
４，５，６，７−テトラヒドロインデニル基；２−メチ
ル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル基；１，
２−ジメチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニ
ル基；１，３−ジメチル−４，５，６，７−テトラヒド
ロインデニル基；１，２，３−トリメチル−４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル基；１，２，３，４，
５，６，７−ヘプタメチル−４，５，６，７−テトラヒ
ドロインデニル基；１，２，４，５，６，７−ヘキサメ
チル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル基；
１，３，４，５，６，７−ヘキサメチル−４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル基；４，５，６，７−テト
ラヒドロ−１，２，３トリメチルインデニル基等であ
り、置換フルオレニル基は、例えば、メチルフルオレニ
ル基，ジメチルフルオレニル基，テトラメチルフルオレ
ニル基，オクタメチルフルオレニル基である。置換テト
ラヒドロフルオレニル基は、例えば、１，２，３，４−
テトラヒドロフルオレニル基；９−メチル−１，２，
３，４−テトラヒドロフルオレニル基であり、置換オク
タヒドロフルオレニル基は、例えば、９−メチル−オク
タヒドロフルオレニル基等である。置換ヘキサヒドロア
ズレニル基としては、例えば、１−メチルヘキサヒドロ
アズレニル基，２−メチルヘキサヒドロアズレニル基，
１，２−ジメチルヘキサヒドロアズレニル基，１，３−
ジメチルヘキサヒドロアズレニル基，１，２，３−トリ
メチルヘキサヒドロアズレニル基である。
ハフニウムであり、Ｃｐ* は、Ｍ3 にη5 結合様式で結
合するシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエ
ニル基又はインデニル基，置換インデニル基，フルオレ
ニル基，置換フルオレニル基，ヘキサヒドロアズレニル
基，置換ヘキサヒドロアズレニル基，テトラヒドロイン
デニル基，置換テトラヒドロインデニル基，テトラヒド
ロフルオレニル基，置換テトラヒドロフルオレニル基，
オクタヒドロフルオレニル基，置換オクタヒドロフルオ
レニル基である。Ｘ4 はσ配位子を示し、ｎは１又は２
であり、複数のＸ 4 はたがいに同一でも異なっていても
よく、また、任意の基を介して結合していてもよい。Ｙ
2 は、Ｏ，Ｓ，ＮＲ，ＰＲ又はＣＲ2 であるか、又はＯ
Ｒ，ＳＲ，ＮＲ2 又はＰＲ2 から選ばれた中性の２個電
子供与性配位子であり、Ｚは、ＳｉＲ2 ，ＣＲ2 ，Ｓｉ
Ｒ2 ＳｉＲ2 ，ＣＲ2 ＣＲ2 ，ＣＲ＝ＣＲ，ＣＲＳｉＲ
2 ，ＧｅＲ2 ，ＢＲ，ＢＲ2 であり、ここにおいて、Ｒ
は、各々の場合に、水素，アルキル基，アリール基，シ
リル基，ハロゲン化アルキル，ハロゲン化アリール，及
びこれらの少なくとも２つの組合せからなり、２０個以
下の非水素原子をもつものからなる群より選ばれたもの
である。さらに、２個又はそれ以上の上記Ｒ基はＺ，又
はＹ2 とＺの双方から縮合環系を形成していてもよ
い。） ここにおいて、置換シクロペンタジエニル基は、例え
ば、炭素数１〜６のアルキル基で１個以上置換されたシ
クロペンタジエニル基、具体的には、メチルシクロペン
タジエニル基；１，２−ジメチルシクロペンタジエニル
基；１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニル基；
１，２，３，４−テトラメチルシクロペンタジエニル
基；トリメチルシリルシクロペンタジエニル基；１，３
−ジ（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル基；タ
ーシャリーブチルシクロペンタジエニル基；１，３−ジ
（ターシャリーブチル）シクロペンタジエニル基；炭素
数１〜２０のハイドロカルビル基，ハロハイドロカルビ
ル基等である。また、置換インデニル基は、例えば、メ
チルインデニル基，ジメチルインデニル基，テトラメチ
ルインデニル基，ヘキサメチルインデニル基であり、置
換テトラヒドロインデニル基としては、例えば、４，
５，６，７−テトラヒドロインデニル基；１−メチル−
４，５，６，７−テトラヒドロインデニル基；２−メチ
ル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル基；１，
２−ジメチル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニ
ル基；１，３−ジメチル−４，５，６，７−テトラヒド
ロインデニル基；１，２，３−トリメチル−４，５，
６，７−テトラヒドロインデニル基；１，２，３，４，
５，６，７−ヘプタメチル−４，５，６，７−テトラヒ
ドロインデニル基；１，２，４，５，６，７−ヘキサメ
チル−４，５，６，７−テトラヒドロインデニル基；
１，３，４，５，６，７−ヘキサメチル−４，５，６，
７−テトラヒドロインデニル基；４，５，６，７−テト
ラヒドロ−１，２，３トリメチルインデニル基等であ
り、置換フルオレニル基は、例えば、メチルフルオレニ
ル基，ジメチルフルオレニル基，テトラメチルフルオレ
ニル基，オクタメチルフルオレニル基である。置換テト
ラヒドロフルオレニル基は、例えば、１，２，３，４−
テトラヒドロフルオレニル基；９−メチル−１，２，
３，４−テトラヒドロフルオレニル基であり、置換オク
タヒドロフルオレニル基は、例えば、９−メチル−オク
タヒドロフルオレニル基等である。置換ヘキサヒドロア
ズレニル基としては、例えば、１−メチルヘキサヒドロ
アズレニル基，２−メチルヘキサヒドロアズレニル基，
１，２−ジメチルヘキサヒドロアズレニル基，１，３−
ジメチルヘキサヒドロアズレニル基，１，２，３−トリ
メチルヘキサヒドロアズレニル基である。
【００４８】また、Ｘ4 はσ配位子であるが、具体的に
は、ハイドライド，ハロゲン，アルキル，シリル，アリ
ール，アリールシリル，アミド，アリールオキシ，アル
コキシ，シリルオキシ，ホスファイド，サルファイド，
アシル，シアニド，アジド，アセチルアセトネート等、
及びこれらの組み合わせをあげることができる。具体的
な化合物としては、（ｔ−ブチルアミド）（テトラメチ
ルシクロペンタジエニル）１，２−エタンジイルジルコ
ニウムジクロライド，（ｔ−ブチルアミド）（テトラメ
チルシクロペンタジエニル）１，２−エタンジイルチタ
ンジクロライド，（メチルアミド）（テトラメチルシク
ロペンタジエニル）１，２−エタンジイルジルコニウム
ジクロライド，（メチルアミド）（テトラメチルシクロ
ペンタジエニル）１，２−エタンジイルチタンジクロラ
イド，（エチルアミド）（テトラメチルシクロペンタジ
エニル）−メチレンチタンジクロライド，（ｔ−ブチル
アミド）ジメチル（テトラメチルシクロペンタジエニ
ル）シランチタンジクロライド，（ｔ−ブチルアミド）
ジメチル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シラン
ジルコニウムジクロライド，（ｔ−ブチルアミド）ジメ
チル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シランチタ
ンジメチル，（ｔ−ブチルアミド）ジメチル（テトラメ
チルシクロペンタジエニル）シランジルコニウムジメチ
ル，（ｔ−ブチルアミド）ジメチル（テトラメチルシク
ロペンタジエニル）シランチタンジベンジル，（ｔ−ブ
チルアミド）ジメチル（テトラメチルシクロペンタジエ
ニル）シランジルコニウムジベンジル，（ベンジルアミ
ド）ジメチル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シ
ランチタンジクロライド，（フェニルホスフィド）ジメ
チル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シランジル
コニウムジベンジル，（ｔ−ブチルアミド）ジメチル
（テトラメチルシクロペンタジエニル）シランチタンク
ロライド，（ジメチルアミノエチル）テトラメチル−シ
クロペンタジエニルチタニウム（III)ジクロリド, ９−
（ジメチルアミノエチル）オクタヒドロ−フルオレニル
チタニウム（III)ジクロリド, （ジ−ｎ−ブチルアミノ
エチル）テトラメチル−シクロペンタジエニルチタニウ
ム（III)ジクロリド, （ジメチルアミノメチル）テトラ
メチル−シクロペンタジエニルチタニウム（III)ジクロ
リド, （ジメチルアミノプロピル）テトラメチル−シク
ロペンタジエニルチタニウム（III)ジクロリド等が挙げ
られる。 （iv) 以下の一般式（９）で表されるπ配位子Ｒ3 を１
個有する遷移金属化合物 Ｍ4Ｒ3Ｘ5ｎ ・・・ （９） （式中、Ｍ4 は元素の周期律表の第４族の遷移金属元素
及びランタノイド系金属元素を表す。Ｒ3 はπ配位子を
示し、具体的にはシクロペンタジエニル骨格を有する基
を表す。Ｘ5 は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２
０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素
数１〜２０のチオアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリ
ール基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数６
〜２０のチオアリールオキシ基、アミノ基、アルキルシ
リル基等を表し、複数のＸ5 は同一でも異なっていても
よい。また該Ｘ5 は特定の基を介してＲ3 と結合してい
てもよい。ｎはＭ4 の価数を示す。
は、ハイドライド，ハロゲン，アルキル，シリル，アリ
ール，アリールシリル，アミド，アリールオキシ，アル
コキシ，シリルオキシ，ホスファイド，サルファイド，
アシル，シアニド，アジド，アセチルアセトネート等、
及びこれらの組み合わせをあげることができる。具体的
な化合物としては、（ｔ−ブチルアミド）（テトラメチ
ルシクロペンタジエニル）１，２−エタンジイルジルコ
ニウムジクロライド，（ｔ−ブチルアミド）（テトラメ
チルシクロペンタジエニル）１，２−エタンジイルチタ
ンジクロライド，（メチルアミド）（テトラメチルシク
ロペンタジエニル）１，２−エタンジイルジルコニウム
ジクロライド，（メチルアミド）（テトラメチルシクロ
ペンタジエニル）１，２−エタンジイルチタンジクロラ
イド，（エチルアミド）（テトラメチルシクロペンタジ
エニル）−メチレンチタンジクロライド，（ｔ−ブチル
アミド）ジメチル（テトラメチルシクロペンタジエニ
ル）シランチタンジクロライド，（ｔ−ブチルアミド）
ジメチル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シラン
ジルコニウムジクロライド，（ｔ−ブチルアミド）ジメ
チル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シランチタ
ンジメチル，（ｔ−ブチルアミド）ジメチル（テトラメ
チルシクロペンタジエニル）シランジルコニウムジメチ
ル，（ｔ−ブチルアミド）ジメチル（テトラメチルシク
ロペンタジエニル）シランチタンジベンジル，（ｔ−ブ
チルアミド）ジメチル（テトラメチルシクロペンタジエ
ニル）シランジルコニウムジベンジル，（ベンジルアミ
ド）ジメチル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シ
ランチタンジクロライド，（フェニルホスフィド）ジメ
チル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シランジル
コニウムジベンジル，（ｔ−ブチルアミド）ジメチル
（テトラメチルシクロペンタジエニル）シランチタンク
ロライド，（ジメチルアミノエチル）テトラメチル−シ
クロペンタジエニルチタニウム（III)ジクロリド, ９−
（ジメチルアミノエチル）オクタヒドロ−フルオレニル
チタニウム（III)ジクロリド, （ジ−ｎ−ブチルアミノ
エチル）テトラメチル−シクロペンタジエニルチタニウ
ム（III)ジクロリド, （ジメチルアミノメチル）テトラ
メチル−シクロペンタジエニルチタニウム（III)ジクロ
リド, （ジメチルアミノプロピル）テトラメチル−シク
ロペンタジエニルチタニウム（III)ジクロリド等が挙げ
られる。 （iv) 以下の一般式（９）で表されるπ配位子Ｒ3 を１
個有する遷移金属化合物 Ｍ4Ｒ3Ｘ5ｎ ・・・ （９） （式中、Ｍ4 は元素の周期律表の第４族の遷移金属元素
及びランタノイド系金属元素を表す。Ｒ3 はπ配位子を
示し、具体的にはシクロペンタジエニル骨格を有する基
を表す。Ｘ5 は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２
０の炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素
数１〜２０のチオアルコキシ基、炭素数６〜２０のアリ
ール基、炭素数６〜２０のアリールオキシ基、炭素数６
〜２０のチオアリールオキシ基、アミノ基、アルキルシ
リル基等を表し、複数のＸ5 は同一でも異なっていても
よい。また該Ｘ5 は特定の基を介してＲ3 と結合してい
てもよい。ｎはＭ4 の価数を示す。
【００４９】上記一般式（９）で表される化合物とし
て、例えば、モノ（シクロペンタジエニル）遷移金属化
合物、モノ（インデニル）遷移金属化合物、モノ（フル
オレニル）遷移金属化合物などがある。置換シクロペン
タジエニル基は、例えば、炭素数１〜６のアルキル基で
１個以上置換されたシクロペンタジエニル基、具体的に
は、メチルシクロペンタジエニル基；１，３−ジメチル
シクロペンタジエニル基；１，２，４−トリメチルシク
ロペンタジエニル基；１，２，３，４−テトラメチルシ
クロペンタジエニル基；トリメチルシリルシクロペンタ
ジエニル基；１，３−ジ（トリメチルシリル）シクロペ
ンタジエニル基；ターシャリーブチルシクロペンタジエ
ニル基；１，３−ジ（ターシャリーブチル）シクロペン
タジエニル基；ペンタメチルシクロペンタジエニル基な
どである。また、インデニル基，置換インデニル基，フ
ルオレニル基，置換フルオレニル基，ヘキサヒドロアズ
レニル基，置換ヘキサヒドロアズレニル基，テトラヒド
ロインデニル基，置換テトラヒドロインデニル基，テト
ラヒドロフルオレニル基，置換テトラヒドロフルオレニ
ル基，オクタヒドロフルオレニル基，置換オクタヒドロ
フルオレニル基である。遷移金属としてはチタンが好ま
しく用いられる。チタン化合物の具体例としては、シク
ロペンタジエニルトリメチルチタン、シクロペンタジエ
ニルトリエチルチタン、シクロペンタジエニルトリプロ
ピルチタン、シクロペンタジエニルトリブチルチタン、
メチルシクロペンタジエニルトリメチルチタン、１，２
−ジメチルシクロペンタジエニルトリメチルチタン、
１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニルトリメチ
ルチタン、１，２，３，４−テトラメチルシクロペンタ
ジエニルトリメチルチタン、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルトリメチルチタン、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルトリメチルチタン、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルトリエチルチタン、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルトリプロピルチタン、ペンタメチルシクロペン
タジエニルトリブチルチタン、シクロペンタジエニルメ
チルチタンジクロリド、シクロペンタジエニルエチルチ
タンジクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルメ
チルチタンジクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエ
ニルエチルチタンジクロリド、シクロペンタジエニルジ
メチルチタンモノクロリド、シクロペンタジエニルジエ
チルチタンモノクロリド、シクロペンタジエニルチタン
トリメトキシド、シクロペンタジエニルチタントリエト
キシド、シクロペンタジエニルチタントリプロポキシ
ド、シクロペンタジエニルチタントリフェノキシド、ペ
ンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシ
ド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリエト
キシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリ
プロポキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタ
ントリフェノキシド、シクロペンタジエニルチタントリ
クロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタント
リクロリド、シクロペンタジエニルメトキシチタンジク
ロリド、シクロペンタジエニルジメトキシチタンクロリ
ド、ペンタメチルシクロペンタジエニルメトキシチタン
ジクロリド、シクロペンタジエニルトリベンジルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジエニルメチルジエトキ
シチタン、インデニルチタントリクロリド、インデニル
チタントリメトキシド、インデニルチタントリエトキシ
ド、インデニルトリメチルチタン、インデニルトリベン
ジルチタン、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタン
トリチオメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニ
ルチタントリチオフェノキシド、（１，２，３，４，
５，６，７，８−オクタヒドロフルオレニル）チタント
リクロリド、（１，２，３，４，５，６，７，８−オク
タヒドロフルオレニル）チタントリメトキシド等が挙げ
られる。 (V) 下記一般式（１０）で表される化合物
て、例えば、モノ（シクロペンタジエニル）遷移金属化
合物、モノ（インデニル）遷移金属化合物、モノ（フル
オレニル）遷移金属化合物などがある。置換シクロペン
タジエニル基は、例えば、炭素数１〜６のアルキル基で
１個以上置換されたシクロペンタジエニル基、具体的に
は、メチルシクロペンタジエニル基；１，３−ジメチル
シクロペンタジエニル基；１，２，４−トリメチルシク
ロペンタジエニル基；１，２，３，４−テトラメチルシ
クロペンタジエニル基；トリメチルシリルシクロペンタ
ジエニル基；１，３−ジ（トリメチルシリル）シクロペ
ンタジエニル基；ターシャリーブチルシクロペンタジエ
ニル基；１，３−ジ（ターシャリーブチル）シクロペン
タジエニル基；ペンタメチルシクロペンタジエニル基な
どである。また、インデニル基，置換インデニル基，フ
ルオレニル基，置換フルオレニル基，ヘキサヒドロアズ
レニル基，置換ヘキサヒドロアズレニル基，テトラヒド
ロインデニル基，置換テトラヒドロインデニル基，テト
ラヒドロフルオレニル基，置換テトラヒドロフルオレニ
ル基，オクタヒドロフルオレニル基，置換オクタヒドロ
フルオレニル基である。遷移金属としてはチタンが好ま
しく用いられる。チタン化合物の具体例としては、シク
ロペンタジエニルトリメチルチタン、シクロペンタジエ
ニルトリエチルチタン、シクロペンタジエニルトリプロ
ピルチタン、シクロペンタジエニルトリブチルチタン、
メチルシクロペンタジエニルトリメチルチタン、１，２
−ジメチルシクロペンタジエニルトリメチルチタン、
１，２，４−トリメチルシクロペンタジエニルトリメチ
ルチタン、１，２，３，４−テトラメチルシクロペンタ
ジエニルトリメチルチタン、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルトリメチルチタン、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルトリメチルチタン、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルトリエチルチタン、ペンタメチルシクロペンタ
ジエニルトリプロピルチタン、ペンタメチルシクロペン
タジエニルトリブチルチタン、シクロペンタジエニルメ
チルチタンジクロリド、シクロペンタジエニルエチルチ
タンジクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルメ
チルチタンジクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエ
ニルエチルチタンジクロリド、シクロペンタジエニルジ
メチルチタンモノクロリド、シクロペンタジエニルジエ
チルチタンモノクロリド、シクロペンタジエニルチタン
トリメトキシド、シクロペンタジエニルチタントリエト
キシド、シクロペンタジエニルチタントリプロポキシ
ド、シクロペンタジエニルチタントリフェノキシド、ペ
ンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシ
ド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリエト
キシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリ
プロポキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタ
ントリフェノキシド、シクロペンタジエニルチタントリ
クロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタント
リクロリド、シクロペンタジエニルメトキシチタンジク
ロリド、シクロペンタジエニルジメトキシチタンクロリ
ド、ペンタメチルシクロペンタジエニルメトキシチタン
ジクロリド、シクロペンタジエニルトリベンジルチタ
ン、ペンタメチルシクロペンタジエニルメチルジエトキ
シチタン、インデニルチタントリクロリド、インデニル
チタントリメトキシド、インデニルチタントリエトキシ
ド、インデニルトリメチルチタン、インデニルトリベン
ジルチタン、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタン
トリチオメトキシド、ペンタメチルシクロペンタジエニ
ルチタントリチオフェノキシド、（１，２，３，４，
５，６，７，８−オクタヒドロフルオレニル）チタント
リクロリド、（１，２，３，４，５，６，７，８−オク
タヒドロフルオレニル）チタントリメトキシド等が挙げ
られる。 (V) 下記一般式（１０）で表される化合物
【００５０】
【化１０】
【００５１】（式中、Ｍ5 は元素の周期律表の第４族の
遷移金属元素を、Ｃｐはシクロペンタジエニル骨格を有
する基を表す。Ｙ3 はＯ，Ｓ，ＮＲ，ＰＲ又はＣＲ2 で
あるか、又はＯＲ，ＳＲ，ＮＲ2 又はＰＲ2 から選ばれ
た中性の２個電子供与性配位子であり、Ｂは元素の周期
律表の第１４族の原子を表す（ただし、Ｒは、各々の場
合に、水素，アルキル基，アリール基，シリル基，ハロ
ゲン化アルキル，ハロゲン化アリール，及び２０個まで
の非水素原子をもつそれらの組み合わせから選ばれた部
分である）。Ｘ6 ，Ｘ7 は水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン
化炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数
１〜２０のアリールオキシ基又は炭素数２〜２０の２置
換アミノ基を表し、それらは同一でも異なっていてもよ
い。Ｒ4 〜Ｒ9 は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜
２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン化炭化水
素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０
のアリールオキシ基又は炭素数２〜２０の２置換アミノ
基又は炭素数１〜２０のシリル基を表し、それらは同一
でも異なっていてもよい。さらにそれらは任意に結合し
て環を形成してもよい。） 上記Ｃｐにおけるシクロペンタジエニル骨格を有する基
とは、シクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエ
ニル基又はインデニル基，置換インデニル基，フルオレ
ニル基，置換フルオレニル基，ヘキサヒドロアズレニル
基，置換ヘキサヒドロアズレニル基，テトラヒドロイン
デニル基，置換テトラヒドロインデニル基，テトラヒド
ロフルオレニル基，置換テトラヒドロフルオレニル基，
オクタヒドロフルオレニル基，置換オクタヒドロフルオ
レニル基等をいう。また、Ｂとしては、炭素原子、珪素
原子、ゲルマニウム原子が挙げられ、中でも、炭素原
子、珪素原子が好ましい。
遷移金属元素を、Ｃｐはシクロペンタジエニル骨格を有
する基を表す。Ｙ3 はＯ，Ｓ，ＮＲ，ＰＲ又はＣＲ2 で
あるか、又はＯＲ，ＳＲ，ＮＲ2 又はＰＲ2 から選ばれ
た中性の２個電子供与性配位子であり、Ｂは元素の周期
律表の第１４族の原子を表す（ただし、Ｒは、各々の場
合に、水素，アルキル基，アリール基，シリル基，ハロ
ゲン化アルキル，ハロゲン化アリール，及び２０個まで
の非水素原子をもつそれらの組み合わせから選ばれた部
分である）。Ｘ6 ，Ｘ7 は水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン
化炭化水素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数
１〜２０のアリールオキシ基又は炭素数２〜２０の２置
換アミノ基を表し、それらは同一でも異なっていてもよ
い。Ｒ4 〜Ｒ9 は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜
２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン化炭化水
素基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０
のアリールオキシ基又は炭素数２〜２０の２置換アミノ
基又は炭素数１〜２０のシリル基を表し、それらは同一
でも異なっていてもよい。さらにそれらは任意に結合し
て環を形成してもよい。） 上記Ｃｐにおけるシクロペンタジエニル骨格を有する基
とは、シクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエ
ニル基又はインデニル基，置換インデニル基，フルオレ
ニル基，置換フルオレニル基，ヘキサヒドロアズレニル
基，置換ヘキサヒドロアズレニル基，テトラヒドロイン
デニル基，置換テトラヒドロインデニル基，テトラヒド
ロフルオレニル基，置換テトラヒドロフルオレニル基，
オクタヒドロフルオレニル基，置換オクタヒドロフルオ
レニル基等をいう。また、Ｂとしては、炭素原子、珪素
原子、ゲルマニウム原子が挙げられ、中でも、炭素原
子、珪素原子が好ましい。
【００５２】上記一般式（１０）で表される化合物とし
ては、具体的には、イソプロピリデン（シクロペンタジ
エニル）（３−ｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキ
シ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデン（メチル
シクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチル−５−メチル
−２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプロピ
リデン（ジメチルシクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブ
チル−５−メチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロ
リド、イソプロピリデン（トリメチルシクロペンタジエ
ニル）（３−ｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキ
シ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデン（テトラ
メチルシクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチル−５−
メチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソ
プロピリデン（ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）
（３−ｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタ
ニウムジクロリド、イソプロピリデン（第１級ブチルシ
クロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチル−５−メチル−
２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプロピリ
デン（フェニルシクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチ
ル−５−メチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリ
ド、イソプロピリデン（シクロペンタジエニル）（３−
ｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、
イソプロピリデン（メチルシクロペンタジエニル）（３
−ｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリ
ド、イソプロピリデン（ジメチルシクロペンタジエニ
ル）（３−ｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタニウムジ
クロリド、イソプロピリデン（トリメチルシクロペンタ
ジエニル）（３−ｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタニ
ウムジクロリド、イソプロピリデン（テトラメチルシク
ロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチル−２−フェノキ
シ）チタニウムジクロリド、、イソプロピリデン（ｎ−
プロピルシクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチル−２
−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデ
ン（第１級ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブ
チル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプ
ロピリデン（フェニルシクロペンタジエニル）（３−ｔ
−ブチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イ
ソプロピリデン（シクロペンタジエニル）（２−フェノ
キシ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデン（メチ
ルシクロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チタニウ
ムジクロリド、イソプロピリデン（ジメチルシクロペン
タジエニル）（２−フェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、イソプロピリデン（トリメチルシクロペンタジエニ
ル）（２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプ
ロピリデン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（２
−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデ
ン（ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）（２−フェノ
キシ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデン（第１
級ブチルシクロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チ
タニウムジクロリド、イソプロピリデン（フェニルシク
ロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チタニウムジク
ロリド、等が挙げられる。また、上記の具体例における
チタニウムをジルコニウム或いはハフニウムに変更した
化合物、及びそれらをイソプロピリデンをジメチルシリ
レン、ジフェニルシリレン、メチレンに変更した化合物
についても同様に例示できる。更に、ジクロリド、をジ
ブロミド、ジアイオダイド、ジメチル、ジベンジル、ジ
メトキシド、ジエトキシドに変更した化合物についても
同様に例示できる。
ては、具体的には、イソプロピリデン（シクロペンタジ
エニル）（３−ｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキ
シ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデン（メチル
シクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチル−５−メチル
−２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプロピ
リデン（ジメチルシクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブ
チル−５−メチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロ
リド、イソプロピリデン（トリメチルシクロペンタジエ
ニル）（３−ｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキ
シ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデン（テトラ
メチルシクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチル−５−
メチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソ
プロピリデン（ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）
（３−ｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタ
ニウムジクロリド、イソプロピリデン（第１級ブチルシ
クロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチル−５−メチル−
２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプロピリ
デン（フェニルシクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチ
ル−５−メチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリ
ド、イソプロピリデン（シクロペンタジエニル）（３−
ｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、
イソプロピリデン（メチルシクロペンタジエニル）（３
−ｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリ
ド、イソプロピリデン（ジメチルシクロペンタジエニ
ル）（３−ｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタニウムジ
クロリド、イソプロピリデン（トリメチルシクロペンタ
ジエニル）（３−ｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタニ
ウムジクロリド、イソプロピリデン（テトラメチルシク
ロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチル−２−フェノキ
シ）チタニウムジクロリド、、イソプロピリデン（ｎ−
プロピルシクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブチル−２
−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデ
ン（第１級ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔ−ブ
チル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプ
ロピリデン（フェニルシクロペンタジエニル）（３−ｔ
−ブチル−２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イ
ソプロピリデン（シクロペンタジエニル）（２−フェノ
キシ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデン（メチ
ルシクロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チタニウ
ムジクロリド、イソプロピリデン（ジメチルシクロペン
タジエニル）（２−フェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、イソプロピリデン（トリメチルシクロペンタジエニ
ル）（２−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプ
ロピリデン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（２
−フェノキシ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデ
ン（ｎ−プロピルシクロペンタジエニル）（２−フェノ
キシ）チタニウムジクロリド、イソプロピリデン（第１
級ブチルシクロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チ
タニウムジクロリド、イソプロピリデン（フェニルシク
ロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チタニウムジク
ロリド、等が挙げられる。また、上記の具体例における
チタニウムをジルコニウム或いはハフニウムに変更した
化合物、及びそれらをイソプロピリデンをジメチルシリ
レン、ジフェニルシリレン、メチレンに変更した化合物
についても同様に例示できる。更に、ジクロリド、をジ
ブロミド、ジアイオダイド、ジメチル、ジベンジル、ジ
メトキシド、ジエトキシドに変更した化合物についても
同様に例示できる。
【００５３】以上の遷移金属化合物の中で、共重合性が
優れていることから、一般式（６）または一般式（８）
で表されるものを用いて本発明のエチレン系共重合体を
製造することが好ましい。さらに好ましくは、一般式
（８）を用いた場合である。（ｂ）（イ）酸素含有化合
物及び／又は（ロ）遷移金属化合物と反応してイオン性
の錯体を形成しうる化合物 本発明において用いられる重合用触媒の（ｂ）成分とし
ては、以下に示す、（イ）酸素含有化合物及び／又は
（ロ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成
しうる化合物である。 （イ）成分の酸素含有化合物 下記一般式（１１）で表される化合物
優れていることから、一般式（６）または一般式（８）
で表されるものを用いて本発明のエチレン系共重合体を
製造することが好ましい。さらに好ましくは、一般式
（８）を用いた場合である。（ｂ）（イ）酸素含有化合
物及び／又は（ロ）遷移金属化合物と反応してイオン性
の錯体を形成しうる化合物 本発明において用いられる重合用触媒の（ｂ）成分とし
ては、以下に示す、（イ）酸素含有化合物及び／又は
（ロ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成
しうる化合物である。 （イ）成分の酸素含有化合物 下記一般式（１１）で表される化合物
【００５４】
【化１１】
【００５５】及び／又は一般式（１２）
【００５６】
【化１２】
【００５７】で表される酸素含有化合物である。上記一
般式（１１) 及び（１２）において、Ｒ10〜Ｒ16はそれ
ぞれ炭素数１〜８のアルキル基を示し、具体的にはメチ
ル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，各
種ブチル基，各種ペンチル基，各種ヘキシル基，各種ヘ
プチル基，各種オクチル基が挙げられる。Ｒ10〜Ｒ16は
たがいに同一でも異なっていてもよく、Ｒ15及びＲ16は
たがいに同一でも異なっていてもよい。Ｙ4 〜Ｙ8 はそ
れぞれ周期律表１３族元素を示し、具体的にはＢ，Ａ
ｌ，Ｇａ，Ｉｎ及びＴｌが挙げられるが、これらの中で
Ｂ及びＡｌが好適である。Ｙ4 〜Ｙ6 はたがいに同一で
も異なっていてもよく、Ｙ7 及びＹ8 はたがいに同一で
も異なっていてもよい。また、ａ〜ｄはそれぞれ０〜５
０の数であるが、（ａ＋ｂ）及び（ｃ＋ｄ）はそれぞれ
１以上である。ａ〜ｄとしては、それぞれ１〜２０の範
囲が好ましく、特に１〜５の範囲が好ましい。
般式（１１) 及び（１２）において、Ｒ10〜Ｒ16はそれ
ぞれ炭素数１〜８のアルキル基を示し、具体的にはメチ
ル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，各
種ブチル基，各種ペンチル基，各種ヘキシル基，各種ヘ
プチル基，各種オクチル基が挙げられる。Ｒ10〜Ｒ16は
たがいに同一でも異なっていてもよく、Ｒ15及びＲ16は
たがいに同一でも異なっていてもよい。Ｙ4 〜Ｙ8 はそ
れぞれ周期律表１３族元素を示し、具体的にはＢ，Ａ
ｌ，Ｇａ，Ｉｎ及びＴｌが挙げられるが、これらの中で
Ｂ及びＡｌが好適である。Ｙ4 〜Ｙ6 はたがいに同一で
も異なっていてもよく、Ｙ7 及びＹ8 はたがいに同一で
も異なっていてもよい。また、ａ〜ｄはそれぞれ０〜５
０の数であるが、（ａ＋ｂ）及び（ｃ＋ｄ）はそれぞれ
１以上である。ａ〜ｄとしては、それぞれ１〜２０の範
囲が好ましく、特に１〜５の範囲が好ましい。
【００５８】このような触媒成分として用いる酸素含有
化合物、特にアルキルアルミノキサンの好適な例は、 1
Ｈ−ＮＭＲスペクトルで観測されるアルミニウム・メチ
ル基（Ａｌ−ＣＨ3 ）結合に基づくメチルプロトンシグ
ナル領域における高磁場成分が５０％以下のものであ
る。つまり、上記の接触生成物を室温下、トルエン溶媒
中でその 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを観測すると、「Ａｌ
−ＣＨ3 」に基づくメチルプロトンシグナルはテトラメ
チルシラン（ＴＭＳ）基準において1.０〜−0.５ｐｐｍ
の範囲に見られる。ＴＭＳのプロトンシグナル（０ｐｐ
ｍ）が「Ａｌ−ＣＨ3 」に基づくメチルプロトン観測領
域にあるため、この「Ａｌ−ＣＨ3 」に基づくメチルプ
ロトンシグナルを、ＴＭＳ基準におけるトルエンのメチ
ルプロトンシグナル2.３５ｐｐｍを基準に測定し高磁場
成分（即ち、0.１〜−0.５ｐｐｍ）と他の磁場成分（即
ち、1.０〜−0.１ｐｐｍ）とに分けたときに、該高磁場
成分が全体の５０％以下、好ましくは４５〜５％のもの
が触媒成分として好適に使用できる。 （ロ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成
しうる化合物 遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる
化合物としては、複数の基が金属に結合したアニオンと
カチオンとからなる配位錯化合物又はルイス酸を挙げる
ことができる。複数の基が金属に結合したアニオンとカ
チオンとからなる配位錯化合物としては様々なものがあ
るが、例えば下記一般式（１３) 又は（１４）で表され
る化合物を好適に使用することができる。
化合物、特にアルキルアルミノキサンの好適な例は、 1
Ｈ−ＮＭＲスペクトルで観測されるアルミニウム・メチ
ル基（Ａｌ−ＣＨ3 ）結合に基づくメチルプロトンシグ
ナル領域における高磁場成分が５０％以下のものであ
る。つまり、上記の接触生成物を室温下、トルエン溶媒
中でその 1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを観測すると、「Ａｌ
−ＣＨ3 」に基づくメチルプロトンシグナルはテトラメ
チルシラン（ＴＭＳ）基準において1.０〜−0.５ｐｐｍ
の範囲に見られる。ＴＭＳのプロトンシグナル（０ｐｐ
ｍ）が「Ａｌ−ＣＨ3 」に基づくメチルプロトン観測領
域にあるため、この「Ａｌ−ＣＨ3 」に基づくメチルプ
ロトンシグナルを、ＴＭＳ基準におけるトルエンのメチ
ルプロトンシグナル2.３５ｐｐｍを基準に測定し高磁場
成分（即ち、0.１〜−0.５ｐｐｍ）と他の磁場成分（即
ち、1.０〜−0.１ｐｐｍ）とに分けたときに、該高磁場
成分が全体の５０％以下、好ましくは４５〜５％のもの
が触媒成分として好適に使用できる。 （ロ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成
しうる化合物 遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる
化合物としては、複数の基が金属に結合したアニオンと
カチオンとからなる配位錯化合物又はルイス酸を挙げる
ことができる。複数の基が金属に結合したアニオンとカ
チオンとからなる配位錯化合物としては様々なものがあ
るが、例えば下記一般式（１３) 又は（１４）で表され
る化合物を好適に使用することができる。
【００５９】 （〔Ｌ1 −Ｈ〕g+）h （〔Ｍ6 Ｘ8 Ｘ9 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（１３） （〔Ｌ2 〕g+）h （〔Ｍ7 Ｘ8 Ｘ9 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（１４） 〔式（１３) 又は（１４）中、Ｌ2 は後述のＭ8 ，Ｒ17
Ｒ18Ｍ9 又はＲ19 3 Ｃであり、Ｌ1 はルイス塩基、Ｍ6
及びＭ7 はそれぞれ周期律表の５族〜１５族から選ばれ
る金属、Ｍ8 は周期律表の１族及び８族〜１２族から選
ばれる金属、Ｍ9は周期律表の８族〜１０族から選ばれ
る金属、Ｘ8 〜Ｘn はそれぞれ水素原子，ジアルキルア
ミノ基，アルコキシ基，アリールオキシ基，炭素数１〜
２０のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，アル
キルアリール基，アリールアルキル基，置換アルキル
基，有機メタロイド基又はハロゲン原子を示す。Ｒ17及
びＲ18はそれぞれシクロペンタジエニル基，置換シクロ
ペンタジエニル基，インデニル基又はフルオレニル基、
Ｒ19はアルキル基を示す。ｍはＭ6 ，Ｍ7 の原子価で１
〜７の整数、ｎは２〜８の整数、ｇはＬ1 −Ｈ，Ｌ2 の
イオン価数で１〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ
×ｇ／（ｎ−ｍ）である。〕Ｍ6 及びＭ7 の具体例とし
てはＢ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂなどの各原子、Ｍ
8 の具体例としてはＡｇ，Ｃｕ，Ｎａ，Ｌｉなどの各原
子、Ｍ9 の具体例としてはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの各原
子が挙げられる。Ｘ8 〜Ｘn の具体例としては、例え
ば、ジアルキルアミノ基としてジメチルアミノ基，ジエ
チルアミノ基など、アルコキシ基としてメトキシ基，エ
トキシ基，ｎ−ブトキシ基など、アリールオキシ基とし
てフェノキシ基，２，６−ジメチルフェノキシ基，ナフ
チルオキシ基など、炭素数１〜２０のアルキル基として
メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル
基，ｎ−ブチル基，ｎ−オクチル基，２−エチルヘキシ
ル基など、炭素数６〜２０のアリール基，アルキルアリ
ール基若しくはアリールアルキル基としてフェニル基，
ｐ−トリル基，ベンジル基，ペンタフルオロフェニル
基，３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル基，４
−ターシャリ−ブチルフェニル基，２，６−ジメチルフ
ェニル基，３，５−ジメチルフェニル基，２，４−ジメ
チルフェニル基，１，２−ジメチルフェニル基など、ハ
ロゲンとしてＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ、有機メタロイド基と
して五メチルアンチモン基，トリメチルシリル基，トリ
メチルゲルミル基，ジフェニルアルシン基，ジシクロヘ
キシルアンチモン基，ジフェニル硼素基などが挙げられ
る。Ｒ17及びＲ18のそれぞれで表される置換シクロペン
タジエニル基の具体例としては、メチルシクロペンタジ
エニル基，ブチルシクロペンタジエニル基，ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル基などが挙げられる。
Ｒ18Ｍ9 又はＲ19 3 Ｃであり、Ｌ1 はルイス塩基、Ｍ6
及びＭ7 はそれぞれ周期律表の５族〜１５族から選ばれ
る金属、Ｍ8 は周期律表の１族及び８族〜１２族から選
ばれる金属、Ｍ9は周期律表の８族〜１０族から選ばれ
る金属、Ｘ8 〜Ｘn はそれぞれ水素原子，ジアルキルア
ミノ基，アルコキシ基，アリールオキシ基，炭素数１〜
２０のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，アル
キルアリール基，アリールアルキル基，置換アルキル
基，有機メタロイド基又はハロゲン原子を示す。Ｒ17及
びＲ18はそれぞれシクロペンタジエニル基，置換シクロ
ペンタジエニル基，インデニル基又はフルオレニル基、
Ｒ19はアルキル基を示す。ｍはＭ6 ，Ｍ7 の原子価で１
〜７の整数、ｎは２〜８の整数、ｇはＬ1 −Ｈ，Ｌ2 の
イオン価数で１〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ
×ｇ／（ｎ−ｍ）である。〕Ｍ6 及びＭ7 の具体例とし
てはＢ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂなどの各原子、Ｍ
8 の具体例としてはＡｇ，Ｃｕ，Ｎａ，Ｌｉなどの各原
子、Ｍ9 の具体例としてはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの各原
子が挙げられる。Ｘ8 〜Ｘn の具体例としては、例え
ば、ジアルキルアミノ基としてジメチルアミノ基，ジエ
チルアミノ基など、アルコキシ基としてメトキシ基，エ
トキシ基，ｎ−ブトキシ基など、アリールオキシ基とし
てフェノキシ基，２，６−ジメチルフェノキシ基，ナフ
チルオキシ基など、炭素数１〜２０のアルキル基として
メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル
基，ｎ−ブチル基，ｎ−オクチル基，２−エチルヘキシ
ル基など、炭素数６〜２０のアリール基，アルキルアリ
ール基若しくはアリールアルキル基としてフェニル基，
ｐ−トリル基，ベンジル基，ペンタフルオロフェニル
基，３，５−ジ（トリフルオロメチル）フェニル基，４
−ターシャリ−ブチルフェニル基，２，６−ジメチルフ
ェニル基，３，５−ジメチルフェニル基，２，４−ジメ
チルフェニル基，１，２−ジメチルフェニル基など、ハ
ロゲンとしてＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ、有機メタロイド基と
して五メチルアンチモン基，トリメチルシリル基，トリ
メチルゲルミル基，ジフェニルアルシン基，ジシクロヘ
キシルアンチモン基，ジフェニル硼素基などが挙げられ
る。Ｒ17及びＲ18のそれぞれで表される置換シクロペン
タジエニル基の具体例としては、メチルシクロペンタジ
エニル基，ブチルシクロペンタジエニル基，ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル基などが挙げられる。
【００６０】本発明において、複数の基が金属に結合し
たアニオンとしては、具体的には、Ｂ( Ｃ6 Ｆ5)4 - ，
Ｂ( Ｃ6 ＨＦ4)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3)4 - ，Ｂ( Ｃ6
Ｈ3Ｆ2)4 -，Ｂ( Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)4 - ，Ｂ( Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)
4 - ，Ｂ( Ｃ6Ｈ5) -，ＰＦ6 - ，Ｐ( Ｃ6 Ｆ5)6 - ，
Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)4 - などが挙げられる。また、金属カ
チオンとしては、Ｃｐ2 Ｆｅ+ ，（ＭｅＣｐ）2 Ｆ
ｅ+ ，（ｔＢｕＣｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ2 Ｃｐ）2 Ｆｅ
+ ，（Ｍｅ3 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ 4 Ｃｐ）2 Ｆ
ｅ+ ，（Ｍｅ5 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，Ａｇ+ , Ｎａ+ ，Ｌｉ
+ などが挙げられ、またその他カチオンとしては、ピリ
ジニウム，２，４−ジニトロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリ
ニウム，ジフェニルアンモニウム，ｐ−ニトロアニリニ
ウム，２，５−ジクロロアニリン，ｐ−ニトロ−Ｎ，Ｎ
−ジメチルアニリニウム，キノリニウム，Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアニリニウム，Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムなど
の窒素含有化合物、トリフェニルカルベニウム，トリ
（４−メチルフェニル）カルベニウム，トリ（４−メト
キシフェニル）カルベニウムなどのカルベニウム化合
物、ＣＨ3 ＰＨ3 + ，Ｃ2 Ｈ5 ＰＨ3 + ，Ｃ3 Ｈ7 ＰＨ
3 + ，（ＣＨ3 ）2ＰＨ2 + ，（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）3 Ｐ
Ｈ +，（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰＨ +，（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ＰＨ +，
（ＣＦ3 ）3 ＰＨ +，（ＣＨ3 ）4 Ｐ+ ，（Ｃ2 Ｈ5 ）
4 Ｐ+ ，（Ｃ3 Ｈ7 ）4 Ｐ+ 等のアルキルフォスフォニ
ウムイオン，及びＣ6 Ｈ5 ＰＨ3 + ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ6 Ｈ 5 ）3 ＰＨ+ ，（Ｃ6 Ｈ5 ）4 Ｐ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，（ＣＨ3 ）（Ｃ6
Ｈ5 ）ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ） 2 （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ+ などのアリールフォ
スフォニウムイオンなどが挙げられる。
たアニオンとしては、具体的には、Ｂ( Ｃ6 Ｆ5)4 - ，
Ｂ( Ｃ6 ＨＦ4)4 - ，Ｂ( Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3)4 - ，Ｂ( Ｃ6
Ｈ3Ｆ2)4 -，Ｂ( Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)4 - ，Ｂ( Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)
4 - ，Ｂ( Ｃ6Ｈ5) -，ＰＦ6 - ，Ｐ( Ｃ6 Ｆ5)6 - ，
Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)4 - などが挙げられる。また、金属カ
チオンとしては、Ｃｐ2 Ｆｅ+ ，（ＭｅＣｐ）2 Ｆ
ｅ+ ，（ｔＢｕＣｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ2 Ｃｐ）2 Ｆｅ
+ ，（Ｍｅ3 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，（Ｍｅ 4 Ｃｐ）2 Ｆ
ｅ+ ，（Ｍｅ5 Ｃｐ）2 Ｆｅ+ ，Ａｇ+ , Ｎａ+ ，Ｌｉ
+ などが挙げられ、またその他カチオンとしては、ピリ
ジニウム，２，４−ジニトロ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリ
ニウム，ジフェニルアンモニウム，ｐ−ニトロアニリニ
ウム，２，５−ジクロロアニリン，ｐ−ニトロ−Ｎ，Ｎ
−ジメチルアニリニウム，キノリニウム，Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアニリニウム，Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムなど
の窒素含有化合物、トリフェニルカルベニウム，トリ
（４−メチルフェニル）カルベニウム，トリ（４−メト
キシフェニル）カルベニウムなどのカルベニウム化合
物、ＣＨ3 ＰＨ3 + ，Ｃ2 Ｈ5 ＰＨ3 + ，Ｃ3 Ｈ7 ＰＨ
3 + ，（ＣＨ3 ）2ＰＨ2 + ，（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ3 Ｈ7 ）2 ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）3 Ｐ
Ｈ +，（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰＨ +，（Ｃ3 Ｈ7 ）3 ＰＨ +，
（ＣＦ3 ）3 ＰＨ +，（ＣＨ3 ）4 Ｐ+ ，（Ｃ2 Ｈ5 ）
4 Ｐ+ ，（Ｃ3 Ｈ7 ）4 Ｐ+ 等のアルキルフォスフォニ
ウムイオン，及びＣ6 Ｈ5 ＰＨ3 + ，（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ
Ｈ2 + ，（Ｃ6 Ｈ 5 ）3 ＰＨ+ ，（Ｃ6 Ｈ5 ）4 Ｐ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，（ＣＨ3 ）（Ｃ6
Ｈ5 ）ＰＨ2 + ，（ＣＨ3 ）2 （Ｃ6 Ｈ5 ）ＰＨ+ ，
（Ｃ2 Ｈ5 ） 2 （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｐ+ などのアリールフォ
スフォニウムイオンなどが挙げられる。
【００６１】一般式（１３) 及び（１４）の化合物の中
で、具体的には、下記のものを特に好適に使用できる。
一般式（１３) の化合物としては、例えばテトラフェニ
ル硼酸トリエチルアンモニウム，テトラフェニル硼酸ト
リ（ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラフェニル硼酸ト
リメチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）硼酸トリエチルアンモニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸トリ（ｎ−ブチル）アンモ
ニウム，ヘキサフルオロ砒素酸トリエチルアンモニウ
ム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピリジ
ニウム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピロリ
ニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）硼酸メチルジフェニルアンモニウムな
どが挙げられる。一方、一般式（１４）の化合物として
は、例えばテトラフェニル硼酸フェロセニウム，テトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ジメチルフェロセ
ニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸フ
ェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）
硼酸デカメチルフェロセニウム，テトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）硼酸アセチルフェロセニウム，テトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ホルミルフェロセ
ニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸シ
アノフェロセニウム，テトラフェニル硼酸銀，テトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）硼酸銀，テトラフェニル
硼酸トリチル，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）
硼酸トリチル，ヘキサフルオロ砒素酸銀，ヘキサフルオ
ロアンチモン酸銀，テトラフルオロ硼酸銀などが挙げら
れる。
で、具体的には、下記のものを特に好適に使用できる。
一般式（１３) の化合物としては、例えばテトラフェニ
ル硼酸トリエチルアンモニウム，テトラフェニル硼酸ト
リ（ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラフェニル硼酸ト
リメチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフ
ェニル）硼酸トリエチルアンモニウム，テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）硼酸トリ（ｎ−ブチル）アンモ
ニウム，ヘキサフルオロ砒素酸トリエチルアンモニウ
ム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピリジ
ニウム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸ピロリ
ニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）硼酸メチルジフェニルアンモニウムな
どが挙げられる。一方、一般式（１４）の化合物として
は、例えばテトラフェニル硼酸フェロセニウム，テトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ジメチルフェロセ
ニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸フ
ェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）
硼酸デカメチルフェロセニウム，テトラキス（ペンタフ
ルオロフェニル）硼酸アセチルフェロセニウム，テトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）硼酸ホルミルフェロセ
ニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）硼酸シ
アノフェロセニウム，テトラフェニル硼酸銀，テトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）硼酸銀，テトラフェニル
硼酸トリチル，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）
硼酸トリチル，ヘキサフルオロ砒素酸銀，ヘキサフルオ
ロアンチモン酸銀，テトラフルオロ硼酸銀などが挙げら
れる。
【００６２】また、ルイス酸として、例えばＢ（Ｃ6 Ｆ
5)3 ，Ｂ（Ｃ6 ＨＦ4)3 ，Ｂ（Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3)3, Ｂ（Ｃ
6 Ｈ3 Ｆ2)3, Ｂ（Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)3,Ｂ（Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)4,
ＰＦ5, Ｐ（Ｃ6 Ｆ5)5 , Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)3 なども
用いることができる。 本発明の重合用触媒において
は、上記（ｂ）成分として、（イ）成分の酸素含有化合
物のみを一種又は二種以上組み合わせて用いてもよく、
また（ロ）成分の遷移金属化合物と反応してイオン性の
錯体を形成しうる化合物のみを一種又は二種以上組み合
わせて用いてもよい。あるいは、該（イ）成分及び
（ロ）成分を適当に組み合わせて用いてもよい。 （ｃ）アルキル化剤 アルキル化剤としては様々なものがあるが、例えば、一
般式（１５) Ｒ20 m Ａl(ＯＲ21) n Ｘ10 3-m-n ・・・（１５) 〔式中、Ｒ20及びＲ21は、それぞれ炭素数１〜８、好ま
しくは１〜４のアルキル基を示し、Ｘ10は水素原子ある
いはハロゲン原子を示す。また、ｍは０＜ｍ≦３、好ま
しくは２あるいは３、最も好ましくは３であり、ｎは０
≦ｎ＜３、好ましくは０あるいは１である。〕で表わさ
れるアルキル基含有アルミニウム化合物や一般式（１
６) Ｒ20 2 Ｍｇ ・・・（１６） 〔式中、Ｒ20は前記と同じである。〕で表わされるアル
キル基含有マグネシウム化合物、さらには一般式（15) Ｒ20 2 Ｚｎ ・・・（15)
〔 式中、Ｒ20は前記と同じである。〕で表わされるアルキ
ル基含有亜鉛化合物等が挙げられる。
5)3 ，Ｂ（Ｃ6 ＨＦ4)3 ，Ｂ（Ｃ6 Ｈ2 Ｆ3)3, Ｂ（Ｃ
6 Ｈ3 Ｆ2)3, Ｂ（Ｃ6 Ｈ4 Ｆ)3,Ｂ（Ｃ6 ＣＦ3 Ｆ4)4,
ＰＦ5, Ｐ（Ｃ6 Ｆ5)5 , Ａｌ（Ｃ6 ＨＦ4)3 なども
用いることができる。 本発明の重合用触媒において
は、上記（ｂ）成分として、（イ）成分の酸素含有化合
物のみを一種又は二種以上組み合わせて用いてもよく、
また（ロ）成分の遷移金属化合物と反応してイオン性の
錯体を形成しうる化合物のみを一種又は二種以上組み合
わせて用いてもよい。あるいは、該（イ）成分及び
（ロ）成分を適当に組み合わせて用いてもよい。 （ｃ）アルキル化剤 アルキル化剤としては様々なものがあるが、例えば、一
般式（１５) Ｒ20 m Ａl(ＯＲ21) n Ｘ10 3-m-n ・・・（１５) 〔式中、Ｒ20及びＲ21は、それぞれ炭素数１〜８、好ま
しくは１〜４のアルキル基を示し、Ｘ10は水素原子ある
いはハロゲン原子を示す。また、ｍは０＜ｍ≦３、好ま
しくは２あるいは３、最も好ましくは３であり、ｎは０
≦ｎ＜３、好ましくは０あるいは１である。〕で表わさ
れるアルキル基含有アルミニウム化合物や一般式（１
６) Ｒ20 2 Ｍｇ ・・・（１６） 〔式中、Ｒ20は前記と同じである。〕で表わされるアル
キル基含有マグネシウム化合物、さらには一般式（15) Ｒ20 2 Ｚｎ ・・・（15)
〔 式中、Ｒ20は前記と同じである。〕で表わされるアルキ
ル基含有亜鉛化合物等が挙げられる。
【００６３】これらのアルキル基含有化合物のうち、ア
ルキル基含有アルミニウム化合物、とりわけトリアルキ
ルアルミニウムやジアルキルアルミニウム化合物が好ま
しい。 （-iii-2) 触媒の調製方法 重合に供せられる触媒における（ａ）成分と（ｂ）成分
と所望により用いられる（ｃ）成分との接触方法として
は、例えば（ａ）成分と（ｂ）成分との接触混合物
に、（ｃ）成分を加えて触媒とし、重合すべき各モノマ
ーと接触させる方法、（ｂ）成分と（ｃ）成分との接
触混合物に（ａ）成分を加えて触媒とし、重合すべきモ
ノマーと接触させる方法、（ａ）成分と（ｃ）成分と
の接触混合物に（ｂ）成分を加えて触媒とし、重合すべ
きモノマーと接触させる方法、重合すべきモノマー成
分に（ａ），（ｂ），（ｃ）成分を別々に接触させる方
法、重合すべきモノマー成分と（ｃ）成分との接触混
合物に、上記の〜で調製して触媒を接触させる方法
などがある。
ルキル基含有アルミニウム化合物、とりわけトリアルキ
ルアルミニウムやジアルキルアルミニウム化合物が好ま
しい。 （-iii-2) 触媒の調製方法 重合に供せられる触媒における（ａ）成分と（ｂ）成分
と所望により用いられる（ｃ）成分との接触方法として
は、例えば（ａ）成分と（ｂ）成分との接触混合物
に、（ｃ）成分を加えて触媒とし、重合すべき各モノマ
ーと接触させる方法、（ｂ）成分と（ｃ）成分との接
触混合物に（ａ）成分を加えて触媒とし、重合すべきモ
ノマーと接触させる方法、（ａ）成分と（ｃ）成分と
の接触混合物に（ｂ）成分を加えて触媒とし、重合すべ
きモノマーと接触させる方法、重合すべきモノマー成
分に（ａ），（ｂ），（ｃ）成分を別々に接触させる方
法、重合すべきモノマー成分と（ｃ）成分との接触混
合物に、上記の〜で調製して触媒を接触させる方法
などがある。
【００６４】上記（ａ）成分と（ｂ）成分と所望により
用いられる（ｃ）成分との接触は、重合温度下で行える
ことはもちろん、−２０〜２００℃の範囲で行うことも
可能である。また、触媒の各成分を投入する前に、トリ
イソブチルアルミニウム等の有機アルミニウム類を添加
してもよい。 （-iii-3) 重合方法 重合方法としては、塊状重合でもよく、ペンタン，ヘキ
サン，ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサン
などの環状脂肪族炭化水素あるいはベンゼン，トルエ
ン，キシレン，エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素溶
媒中で行ってもよい。また、重合温度は特に制限はない
が、一般には０〜２００℃、好ましくは２０〜１００℃
である。
用いられる（ｃ）成分との接触は、重合温度下で行える
ことはもちろん、−２０〜２００℃の範囲で行うことも
可能である。また、触媒の各成分を投入する前に、トリ
イソブチルアルミニウム等の有機アルミニウム類を添加
してもよい。 （-iii-3) 重合方法 重合方法としては、塊状重合でもよく、ペンタン，ヘキ
サン，ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサン
などの環状脂肪族炭化水素あるいはベンゼン，トルエ
ン，キシレン，エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素溶
媒中で行ってもよい。また、重合温度は特に制限はない
が、一般には０〜２００℃、好ましくは２０〜１００℃
である。
【００６５】また、得られるエチレン系共重合体におい
ては、各モノマーに由来する繰り返し単位の含有割合に
ついては、重合に供する各モノマーの使用量によって適
宜、制御することが可能である。 （Ｉ−３）芳香族ビニルモノマー（ａ）と前記エチレン
系共重合体マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合生成
物。
ては、各モノマーに由来する繰り返し単位の含有割合に
ついては、重合に供する各モノマーの使用量によって適
宜、制御することが可能である。 （Ｉ−３）芳香族ビニルモノマー（ａ）と前記エチレン
系共重合体マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合生成
物。
【００６６】該グラフト共重合生成物は、芳香族ビニル
モノマー（ａ）と、前記エチレン系共重合体マクロマー
（ｂ）とを共重合させて得たものであって、好ましくは
芳香族ビニルモノマーに由来する連鎖の立体規則性が高
度のシンジオタクチック構造を有するものである。 該グラフト共重合生成物の製造方法 該グラフト共重合生成物の製造方法は特に問わない。例
えば、既に合成して得たシンジオタクチック芳香族ビニ
ルポリマーパウダーに、パウダー状のエチレン系共重合
体マクロマーを加え、熱履歴を与えただけでも、反応を
開始し該グラフト共重合生成物を得ることが可能であ
る。好ましくは、該エチレン系共重合体マクロマーを、
芳香族ビニルモノマー又は芳香族ビニルモノマーを含む
溶剤に溶解させた後、（ａ）遷移金属化合物，（ｂ）
（イ）酸素含有化合物、及び／又は（ロ）該（ａ）成分
の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しう
る化合物、及び必要に応じて（ｃ）アルキル化剤からな
る触媒を用いて、共重合することにより得ることができ
る。この場合において、反応を均一に行うことができる
ことから、エチレン系共重合体マクロマーを芳香族ビニ
ルモノマー又は芳香族ビニルモノマーを含む溶剤に溶解
させる方法が好ましく用いられる。該溶剤としては、特
に制限はなく、トルエン，ベンゼン，エチルベンゼン等
の炭化水素系溶媒が好ましく用いられる。共重合させる
にあたって好ましく用いられる触媒については、以下の
とおりである。 （-i）触媒の各成分 (a) 遷移金属化合物 （ａ）遷移金属化合物としては、各種のものが使用可能
であり、前記のエチレン系共重合体マクロマーの重合用
触媒の成分として前述した遷移金属化合物を用いること
ができる。さらには、それらのみならず、下記一般式
（１８）又は一般式（１９）で表される化合物を用いる
こともできる。
モノマー（ａ）と、前記エチレン系共重合体マクロマー
（ｂ）とを共重合させて得たものであって、好ましくは
芳香族ビニルモノマーに由来する連鎖の立体規則性が高
度のシンジオタクチック構造を有するものである。 該グラフト共重合生成物の製造方法 該グラフト共重合生成物の製造方法は特に問わない。例
えば、既に合成して得たシンジオタクチック芳香族ビニ
ルポリマーパウダーに、パウダー状のエチレン系共重合
体マクロマーを加え、熱履歴を与えただけでも、反応を
開始し該グラフト共重合生成物を得ることが可能であ
る。好ましくは、該エチレン系共重合体マクロマーを、
芳香族ビニルモノマー又は芳香族ビニルモノマーを含む
溶剤に溶解させた後、（ａ）遷移金属化合物，（ｂ）
（イ）酸素含有化合物、及び／又は（ロ）該（ａ）成分
の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しう
る化合物、及び必要に応じて（ｃ）アルキル化剤からな
る触媒を用いて、共重合することにより得ることができ
る。この場合において、反応を均一に行うことができる
ことから、エチレン系共重合体マクロマーを芳香族ビニ
ルモノマー又は芳香族ビニルモノマーを含む溶剤に溶解
させる方法が好ましく用いられる。該溶剤としては、特
に制限はなく、トルエン，ベンゼン，エチルベンゼン等
の炭化水素系溶媒が好ましく用いられる。共重合させる
にあたって好ましく用いられる触媒については、以下の
とおりである。 （-i）触媒の各成分 (a) 遷移金属化合物 （ａ）遷移金属化合物としては、各種のものが使用可能
であり、前記のエチレン系共重合体マクロマーの重合用
触媒の成分として前述した遷移金属化合物を用いること
ができる。さらには、それらのみならず、下記一般式
（１８）又は一般式（１９）で表される化合物を用いる
こともできる。
【００６７】 Ｍ10Ｒ21 a Ｒ22 b Ｒ23 c Ｒ24 4-(a+b+c) ・・・（１８） Ｍ10Ｒ21 d Ｒ22 e Ｒ23 3-(d+e) ・・・（１９) 〔式中、Ｍ10は周期律表３〜６族の金属またはランタン
系金属を表し、Ｒ21，Ｒ 22，Ｒ23及びＲ24は、それぞれ
アルキル基，アルコキシ基，アリール基，アルキルアリ
ール基，アリールアルキル基，アリールオキシ基，アシ
ルオキシ基，シクロペンタジエニル基，アルキルチオ
基，アリールチオ基，置換シクロペンタジエニル基，イ
ンデニル基，置換インデニル基，フルオレニル基，アミ
ノ基，アミド基，アシルオキシ基，ホスフィド基，ハロ
ゲン原子，又はキレート剤を表し、ａ，ｂ及びｃは、そ
れぞれ０〜４の整数を示し、ｄ及びｅは、それぞれ０〜
３の整数を示す。また、Ｒ21〜Ｒ24のいずれか二つをＣ
Ｈ2 またはＳｉ（ＣＨ3 ）2 等で架橋した錯体も含
む。〕 上記Ｍ8 で表される周期律表３〜６族の金属またはラン
タン系金属としては、好ましくは第４族金属、特にチタ
ン，ジルコニウム，ハフニウム等が用いられる。 好適
なチタン化合物としては、一般式（２０） ＴｉＲ25Ｘ11Ｙ9 Ｚ2 ・・・（２０） 〔式中、Ｒ25はシクロペンタジエニル基，置換シクロペ
ンタジエニル基，インデニル基，置換インデニル基，フ
ルオレニル基等を示し、Ｘ11，Ｙ9 及びＺ2 は、それぞ
れ独立に水素原子，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素
数１〜２０のアルコキシ基，炭素数６〜２０のアリール
基，アルキルアリール基，アリールアルキル基，炭素数
６〜２０のアリールオキシ基，炭素数１〜２０のアシル
オキシ基，炭素数１〜５０のアミノ基，アミド基，ホス
フィド基，アルキルチオ基，アリールチオ基，あるいは
ハロゲン原子を示す。〕で表わされる化合物がある。こ
こで、Ｘ11，Ｙ9 及びＺ2 のうち一つとＲ25がＣＨ2 ，
ＳｉＲ2 等により架橋した化合物も含む。
系金属を表し、Ｒ21，Ｒ 22，Ｒ23及びＲ24は、それぞれ
アルキル基，アルコキシ基，アリール基，アルキルアリ
ール基，アリールアルキル基，アリールオキシ基，アシ
ルオキシ基，シクロペンタジエニル基，アルキルチオ
基，アリールチオ基，置換シクロペンタジエニル基，イ
ンデニル基，置換インデニル基，フルオレニル基，アミ
ノ基，アミド基，アシルオキシ基，ホスフィド基，ハロ
ゲン原子，又はキレート剤を表し、ａ，ｂ及びｃは、そ
れぞれ０〜４の整数を示し、ｄ及びｅは、それぞれ０〜
３の整数を示す。また、Ｒ21〜Ｒ24のいずれか二つをＣ
Ｈ2 またはＳｉ（ＣＨ3 ）2 等で架橋した錯体も含
む。〕 上記Ｍ8 で表される周期律表３〜６族の金属またはラン
タン系金属としては、好ましくは第４族金属、特にチタ
ン，ジルコニウム，ハフニウム等が用いられる。 好適
なチタン化合物としては、一般式（２０） ＴｉＲ25Ｘ11Ｙ9 Ｚ2 ・・・（２０） 〔式中、Ｒ25はシクロペンタジエニル基，置換シクロペ
ンタジエニル基，インデニル基，置換インデニル基，フ
ルオレニル基等を示し、Ｘ11，Ｙ9 及びＺ2 は、それぞ
れ独立に水素原子，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素
数１〜２０のアルコキシ基，炭素数６〜２０のアリール
基，アルキルアリール基，アリールアルキル基，炭素数
６〜２０のアリールオキシ基，炭素数１〜２０のアシル
オキシ基，炭素数１〜５０のアミノ基，アミド基，ホス
フィド基，アルキルチオ基，アリールチオ基，あるいは
ハロゲン原子を示す。〕で表わされる化合物がある。こ
こで、Ｘ11，Ｙ9 及びＺ2 のうち一つとＲ25がＣＨ2 ，
ＳｉＲ2 等により架橋した化合物も含む。
【００６８】これらのチタン化合物のうち、ハロゲン原
子を含まない化合物が好適であり、特に、上述した如き
π電子系配位子を１個有するチタン化合物が好ましい。
さらにチタン化合物としては一般式（２１)
子を含まない化合物が好適であり、特に、上述した如き
π電子系配位子を１個有するチタン化合物が好ましい。
さらにチタン化合物としては一般式（２１)
【００６９】
【化１３】
【００７０】〔式中、Ｒ26, Ｒ27は、それぞれハロゲン
原子，炭素数１〜２０のアルコキシ基，アシロキシ基を
示し、ｋは２〜２０を示す。〕で表わされる縮合チタン
化合物を用いてもよい。また、上記チタン化合物は、エ
ステルやエーテルなどと錯体を形成させたものを用いて
もよい。その他（ａ）成分である遷移金属化合物として
は、共役π電子を有する配位子を２個有する遷移金属化
合物、例えば、一般式（２２） Ｍ11Ｒ28Ｒ29Ｒ30Ｒ31 ・・・（２２） 〔式中、Ｍ11はチタン，ジルコニウムあるいはハフニウ
ムを示し、Ｒ28及びＲ29は、それぞれシクロペンタジエ
ニル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基あ
るいはフルオレニル基を示し、Ｒ30及びＲ31は、それぞ
れ水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜２０の炭化水素
基，炭素数１〜２０のアルコキシ基，アミノ基あるいは
炭素数１〜２０のチオアルコキシ基を示す。ただし、Ｒ
31及びＲ32は、炭素数１〜５の炭化水素基，炭素数１〜
２０及び珪素数１〜５のアルキルシリル基あるいは炭素
数１〜２０及びゲルマニウム数１〜５のゲルマニウム含
有炭化水素基によって架橋されていてもよい。〕で表わ
される遷移金属化合物よりなる群から選ばれた少なくと
も１種の化合物がある。 (b) （イ）酸素含有化合物及び／又は（ロ）遷移金属化
合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物 前記エチレン系共重合体マクロマーの合成のところで記
載したものと同様のものを用いることができる。 (c) アルキル化剤 前記エチレン系共重合体マクロマーの合成のところで記
載したものと同様のものを用いることができる。 （-ii)触媒の調製方法 重合に供せられる触媒における（ａ）成分と（ｂ）成分
と所望により用いられる（ｃ）成分との接触方法として
は、例えば（ａ）成分と（ｂ）成分との接触混合物
に、（ｃ）成分を加えて触媒とし、重合すべきモノマ
ー、即ち、本発明においては、上記マクロマー（ｂ）
を、芳香族ビニルモノマー（ａ）又は芳香族ビニルモノ
マー（ａ）を含む溶剤に溶解させたものと接触させる方
法、（ｂ）成分と（ｃ）成分との接触混合物に（ａ）
成分を加えて触媒とし、重合すべきモノマーと接触させ
る方法、（ａ）成分と（ｃ）成分との接触混合物に
（ｂ）成分を加えて触媒とし、重合すべきモノマーと接
触させる方法、重合すべきモノマー成分に（ａ），
（ｂ），（ｃ）成分を別々に接触させる方法、重合す
べきモノマー成分と（ｃ）成分との接触混合物に、上記
の〜で調製して触媒を接触させる方法などがある。
原子，炭素数１〜２０のアルコキシ基，アシロキシ基を
示し、ｋは２〜２０を示す。〕で表わされる縮合チタン
化合物を用いてもよい。また、上記チタン化合物は、エ
ステルやエーテルなどと錯体を形成させたものを用いて
もよい。その他（ａ）成分である遷移金属化合物として
は、共役π電子を有する配位子を２個有する遷移金属化
合物、例えば、一般式（２２） Ｍ11Ｒ28Ｒ29Ｒ30Ｒ31 ・・・（２２） 〔式中、Ｍ11はチタン，ジルコニウムあるいはハフニウ
ムを示し、Ｒ28及びＲ29は、それぞれシクロペンタジエ
ニル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基あ
るいはフルオレニル基を示し、Ｒ30及びＲ31は、それぞ
れ水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜２０の炭化水素
基，炭素数１〜２０のアルコキシ基，アミノ基あるいは
炭素数１〜２０のチオアルコキシ基を示す。ただし、Ｒ
31及びＲ32は、炭素数１〜５の炭化水素基，炭素数１〜
２０及び珪素数１〜５のアルキルシリル基あるいは炭素
数１〜２０及びゲルマニウム数１〜５のゲルマニウム含
有炭化水素基によって架橋されていてもよい。〕で表わ
される遷移金属化合物よりなる群から選ばれた少なくと
も１種の化合物がある。 (b) （イ）酸素含有化合物及び／又は（ロ）遷移金属化
合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物 前記エチレン系共重合体マクロマーの合成のところで記
載したものと同様のものを用いることができる。 (c) アルキル化剤 前記エチレン系共重合体マクロマーの合成のところで記
載したものと同様のものを用いることができる。 （-ii)触媒の調製方法 重合に供せられる触媒における（ａ）成分と（ｂ）成分
と所望により用いられる（ｃ）成分との接触方法として
は、例えば（ａ）成分と（ｂ）成分との接触混合物
に、（ｃ）成分を加えて触媒とし、重合すべきモノマ
ー、即ち、本発明においては、上記マクロマー（ｂ）
を、芳香族ビニルモノマー（ａ）又は芳香族ビニルモノ
マー（ａ）を含む溶剤に溶解させたものと接触させる方
法、（ｂ）成分と（ｃ）成分との接触混合物に（ａ）
成分を加えて触媒とし、重合すべきモノマーと接触させ
る方法、（ａ）成分と（ｃ）成分との接触混合物に
（ｂ）成分を加えて触媒とし、重合すべきモノマーと接
触させる方法、重合すべきモノマー成分に（ａ），
（ｂ），（ｃ）成分を別々に接触させる方法、重合す
べきモノマー成分と（ｃ）成分との接触混合物に、上記
の〜で調製して触媒を接触させる方法などがある。
【００７１】上記（ａ）成分と（ｂ）成分と所望により
用いられる（ｃ）成分との接触は、重合温度下で行える
ことはもちろん、−２０〜２００℃の範囲で行うことも
可能である。重合に供せられる触媒、上記（ａ）及び
（ｂ）成分、あるいは（ａ），（ｂ）及び（ｃ）成分の
組合せからなるものであるが、このほかにさらに他の触
媒成分を加えることも可能である。各触媒成分の配合割
合は、各種条件により異なり、一義的には定められない
が、通常、（ｂ）成分が酸素含有化合物の場合、（ａ）
成分と（ｂ）成分とのモル比は、好ましくは１：１〜
１：１0,０００、より好ましくは１：１〜１：1,０００
の範囲で選ばれ、（ｂ）成分が遷移金属化合物と反応し
てイオン性の錯体を形成しうる化合物、（ａ）成分と
（ｂ）成分とのモル比は、好ましくは0.１：１〜１：0.
１の範囲で選ばれる。また、（ｃ）成分を用いる場合
は、（ａ）成分と（ｃ）成分とのモル比は、好ましくは
１：0.１〜１：1,０００の範囲で選ばれる。
用いられる（ｃ）成分との接触は、重合温度下で行える
ことはもちろん、−２０〜２００℃の範囲で行うことも
可能である。重合に供せられる触媒、上記（ａ）及び
（ｂ）成分、あるいは（ａ），（ｂ）及び（ｃ）成分の
組合せからなるものであるが、このほかにさらに他の触
媒成分を加えることも可能である。各触媒成分の配合割
合は、各種条件により異なり、一義的には定められない
が、通常、（ｂ）成分が酸素含有化合物の場合、（ａ）
成分と（ｂ）成分とのモル比は、好ましくは１：１〜
１：１0,０００、より好ましくは１：１〜１：1,０００
の範囲で選ばれ、（ｂ）成分が遷移金属化合物と反応し
てイオン性の錯体を形成しうる化合物、（ａ）成分と
（ｂ）成分とのモル比は、好ましくは0.１：１〜１：0.
１の範囲で選ばれる。また、（ｃ）成分を用いる場合
は、（ａ）成分と（ｃ）成分とのモル比は、好ましくは
１：0.１〜１：1,０００の範囲で選ばれる。
【００７２】また、触媒の各成分を投入する前に、不純
物を捕捉するために、トリイソブチルアルミニウム等の
有機アルミニウム類を添加してもよい。 （-iii) 重合方法 重合方法としては、塊状重合でもよく、ペンタン，ヘキ
サン，ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサン
などの脂環族炭化水素あるいはベンゼン，トルエン，キ
シレン，エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒中で
行ってもよい。また、重合温度は特に制限はないが、一
般には０〜２００℃、好ましくは２０〜１００℃であ
る。
物を捕捉するために、トリイソブチルアルミニウム等の
有機アルミニウム類を添加してもよい。 （-iii) 重合方法 重合方法としては、塊状重合でもよく、ペンタン，ヘキ
サン，ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサン
などの脂環族炭化水素あるいはベンゼン，トルエン，キ
シレン，エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素溶媒中で
行ってもよい。また、重合温度は特に制限はないが、一
般には０〜２００℃、好ましくは２０〜１００℃であ
る。
【００７３】また、得られるグラフト共重合生成物にお
ける、芳香族ビニルモノマー（ａ）に由来する重合体セ
グメントと、エチレン系共重合体マクロマー（ｂ）に由
来する重合体セグメントの含有割合については、重合に
供する芳香族ビニルモノマー（ａ）と該マクロマー
（ｂ）の使用量によって適宜、制御することが可能であ
る。 （II）（Ａ）芳香族ビニル重合体、（Ｂ）分子鎖中にジ
エン系モノマーに由来するビニル基を有するエチレン系
共重合体、及び（Ｃ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエ
チレン系共重合体系マクロマー（ｂ）とのグラフト共重
合生成物（上記（Ｉ））からなる芳香族ビニル系樹脂組
成物 （II-1) 組成物の構成成分 （Ａ）芳香族ビニル重合体 前記の芳香族ビニルモノマーを公知の方法、例えば、特
開昭６２−１０４８１８号公報等に記載の公知の方法に
より重合することにより得たものであり、好ましくは、
芳香族ビニルモノマーに由来する繰り返し単位がシンジ
オタクチック構造を持つものである。 （Ｂ）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体は、前記（Ｉ）におけるエ
チレン系共重合体マクロマーと同様の内容である。 （Ｃ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエチレン系共重合
体系マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合生成物は、前
記（Ｉ）のものと同様の内容である。 （Ｄ）その他の成分 公知のものから必要に応じて、任意に選択して配合する
ことができる。例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリカーボネート，ポリエステル系樹
脂、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル，ポリ
フェニレンスルフィドなどの熱可塑性樹脂や、例えば、
天然ゴム，ポリブタジエン，ポリイソプレン，ポリイソ
ブチレン，ネオプレン、ポリスルフィドゴム、チオコー
ルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴ
ム、エビクロロヒドリンゴム、スチレン−ブタジエンブ
ロック共重合体（ＳＢＲ），水素添加スチレン−ブタジ
エンブロック共重合体（ＳＥＢ），スチレン−ブタジエ
ン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ），水素添加ス
チレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＥ
ＢＳ），スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩ
Ｒ），水素添加スチレン−イソプレンブロック共重合体
（ＳＥＰ），スチレン−イソプレン−スチレンブロック
共重合体（ＳＩＳ），水素添加スチレン−イソプレン−
スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ），エチレンプロ
ピレンゴム（ＥＰＲ）やエチレン−ヘキセン共重合体，
エチレン−オクテン共重合体などのエチレン−α−オレ
フィン共重合体ゴム，エチレン−スチレン共重合体ゴ
ム，エチレン−スチレン疑似ランダム共重合体ゴム，エ
チレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）、あるいはブ
タジエン−アクリロニトリル−スチレン−コアシェルゴ
ム（ＡＢＳ），メチルメタクリレート−ブタジエン−ス
チレン−コアシェルゴム（ＭＢＳ），メチルメタクリレ
ート−ブチルアクリレート−スチレン−コアシェルゴム
（ＭＡＳ），オクチルアクリレート−ブタジエン−スチ
レン−コアシェルゴム（ＭＡＢＳ），アルキルアクリレ
ート−ブタジエン−アクリロニトリル−スチレンコアシ
ェルゴム（ＡＡＢＳ），ブタジエン−スチレン−コアシ
ェルゴム（ＳＢＲ）、メチルメタクリレート−ブチルア
クリレートシロキサンをはじめとするシロキサン含有コ
アシェルゴム等のコアシェルタイプの粒子状弾性体、又
はこれらを変性したゴム等のゴム状弾性体や、本発明の
目的を阻害しない範囲で加えられる各種添加成分、例え
ば、無機充填材，酸化防止剤，核剤，可塑剤，離型剤，
難燃剤，難燃助剤，帯電防止剤などの添加剤を配合する
ことができる。
ける、芳香族ビニルモノマー（ａ）に由来する重合体セ
グメントと、エチレン系共重合体マクロマー（ｂ）に由
来する重合体セグメントの含有割合については、重合に
供する芳香族ビニルモノマー（ａ）と該マクロマー
（ｂ）の使用量によって適宜、制御することが可能であ
る。 （II）（Ａ）芳香族ビニル重合体、（Ｂ）分子鎖中にジ
エン系モノマーに由来するビニル基を有するエチレン系
共重合体、及び（Ｃ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエ
チレン系共重合体系マクロマー（ｂ）とのグラフト共重
合生成物（上記（Ｉ））からなる芳香族ビニル系樹脂組
成物 （II-1) 組成物の構成成分 （Ａ）芳香族ビニル重合体 前記の芳香族ビニルモノマーを公知の方法、例えば、特
開昭６２−１０４８１８号公報等に記載の公知の方法に
より重合することにより得たものであり、好ましくは、
芳香族ビニルモノマーに由来する繰り返し単位がシンジ
オタクチック構造を持つものである。 （Ｂ）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体は、前記（Ｉ）におけるエ
チレン系共重合体マクロマーと同様の内容である。 （Ｃ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエチレン系共重合
体系マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合生成物は、前
記（Ｉ）のものと同様の内容である。 （Ｄ）その他の成分 公知のものから必要に応じて、任意に選択して配合する
ことができる。例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリカーボネート，ポリエステル系樹
脂、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル，ポリ
フェニレンスルフィドなどの熱可塑性樹脂や、例えば、
天然ゴム，ポリブタジエン，ポリイソプレン，ポリイソ
ブチレン，ネオプレン、ポリスルフィドゴム、チオコー
ルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴ
ム、エビクロロヒドリンゴム、スチレン−ブタジエンブ
ロック共重合体（ＳＢＲ），水素添加スチレン−ブタジ
エンブロック共重合体（ＳＥＢ），スチレン−ブタジエ
ン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ），水素添加ス
チレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＥ
ＢＳ），スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩ
Ｒ），水素添加スチレン−イソプレンブロック共重合体
（ＳＥＰ），スチレン−イソプレン−スチレンブロック
共重合体（ＳＩＳ），水素添加スチレン−イソプレン−
スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ），エチレンプロ
ピレンゴム（ＥＰＲ）やエチレン−ヘキセン共重合体，
エチレン−オクテン共重合体などのエチレン−α−オレ
フィン共重合体ゴム，エチレン−スチレン共重合体ゴ
ム，エチレン−スチレン疑似ランダム共重合体ゴム，エ
チレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）、あるいはブ
タジエン−アクリロニトリル−スチレン−コアシェルゴ
ム（ＡＢＳ），メチルメタクリレート−ブタジエン−ス
チレン−コアシェルゴム（ＭＢＳ），メチルメタクリレ
ート−ブチルアクリレート−スチレン−コアシェルゴム
（ＭＡＳ），オクチルアクリレート−ブタジエン−スチ
レン−コアシェルゴム（ＭＡＢＳ），アルキルアクリレ
ート−ブタジエン−アクリロニトリル−スチレンコアシ
ェルゴム（ＡＡＢＳ），ブタジエン−スチレン−コアシ
ェルゴム（ＳＢＲ）、メチルメタクリレート−ブチルア
クリレートシロキサンをはじめとするシロキサン含有コ
アシェルゴム等のコアシェルタイプの粒子状弾性体、又
はこれらを変性したゴム等のゴム状弾性体や、本発明の
目的を阻害しない範囲で加えられる各種添加成分、例え
ば、無機充填材，酸化防止剤，核剤，可塑剤，離型剤，
難燃剤，難燃助剤，帯電防止剤などの添加剤を配合する
ことができる。
【００７４】無機充填材としては、例えば、繊維状のも
のとしては、ガラス繊維，炭素繊維，ウィスカー等が挙
げられる。粒状又は粉状のものとしては、例えばタル
ク，カーボンブラック，グラファイト，二酸化チタン，
シリカ，マイカ，炭酸カルシウム，硫酸カルシウム，炭
酸バリウム，炭酸マグネシウム，硫酸マグネシウム，硫
酸バリウム，オキシサルフェート，酸化スズ，アルミ
ナ，カオリン，炭化ケイ素，金属粉末，ガラスパウダ
ー，ガラスフレーク，ガラスビーズ等が挙げられる。こ
のような無機充填材の中でも、特にガラス充填材が好ま
しい。
のとしては、ガラス繊維，炭素繊維，ウィスカー等が挙
げられる。粒状又は粉状のものとしては、例えばタル
ク，カーボンブラック，グラファイト，二酸化チタン，
シリカ，マイカ，炭酸カルシウム，硫酸カルシウム，炭
酸バリウム，炭酸マグネシウム，硫酸マグネシウム，硫
酸バリウム，オキシサルフェート，酸化スズ，アルミ
ナ，カオリン，炭化ケイ素，金属粉末，ガラスパウダ
ー，ガラスフレーク，ガラスビーズ等が挙げられる。こ
のような無機充填材の中でも、特にガラス充填材が好ま
しい。
【００７５】また、無機充填材としては、樹脂との接着
性を良好にするために、シラン系カップリング剤，チタ
ン系カップリング剤等のカップリング剤等で表面処理を
施したものが好適に用いられる。このような無機充填材
は、１種類のみを用いてもよいが、必要により２種類以
上を併用してもよい。 （II-2) 組成物の調製 前記芳香族ビニル系樹脂組成物の製造方法については、
特に制限はなく、添加順序，混合方式等の条件は任意に
設定できる。該組成物には、各配合成分を混合後、溶融
混練したものも含まれる。溶融混練の方法も特に制限さ
れず、通常行われている公知の方法を利用できる。 （II-3) 組成物における各成分の配合割合 前記芳香族ビニル系樹脂組成物における各成分の配合割
合については、次のとおりである。（Ａ）芳香族ビニル
重合体０〜９９重量％、好ましくは０〜５０重量％（い
ずれも０を含まず）、（Ｂ）分子鎖中にジエン系モノマ
ーに由来するビニル基を有するエチレン系共重合体０〜
５０重量％、好ましくは０〜３０重量％（いずれも０を
含まず）、及び（Ｃ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエ
チレン系共重合体マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合
生成物１〜１００重量％、好ましくは１０〜１００重量
％（いずれも１００を含まず）である。
性を良好にするために、シラン系カップリング剤，チタ
ン系カップリング剤等のカップリング剤等で表面処理を
施したものが好適に用いられる。このような無機充填材
は、１種類のみを用いてもよいが、必要により２種類以
上を併用してもよい。 （II-2) 組成物の調製 前記芳香族ビニル系樹脂組成物の製造方法については、
特に制限はなく、添加順序，混合方式等の条件は任意に
設定できる。該組成物には、各配合成分を混合後、溶融
混練したものも含まれる。溶融混練の方法も特に制限さ
れず、通常行われている公知の方法を利用できる。 （II-3) 組成物における各成分の配合割合 前記芳香族ビニル系樹脂組成物における各成分の配合割
合については、次のとおりである。（Ａ）芳香族ビニル
重合体０〜９９重量％、好ましくは０〜５０重量％（い
ずれも０を含まず）、（Ｂ）分子鎖中にジエン系モノマ
ーに由来するビニル基を有するエチレン系共重合体０〜
５０重量％、好ましくは０〜３０重量％（いずれも０を
含まず）、及び（Ｃ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエ
チレン系共重合体マクロマー（ｂ）とのグラフト共重合
生成物１〜１００重量％、好ましくは１０〜１００重量
％（いずれも１００を含まず）である。
【００７６】（Ａ）芳香族ビニル重合体が９９重量％よ
り多いと、靱性が発現しにくくなるおそれがあり、
（Ｂ）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体が５０重量％より多いと、
弾性率が低下し成形性が悪化するおそれがある。（Ｃ）
芳香族ビニルモノマー（ａ）とエチレン系共重合体マク
ロマー（ｂ）とのグラフト共重合生成物が１重量％より
少ないと靱性が発現しにくくなるおそれがある。 (III) 上記（Ｉ）又は(II)の芳香族ビニル系樹脂材料
と、主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体（ａ）及び／又はゴム状弾性体（ｂ）からなる
芳香族ビニル系樹脂組成物 （III-1)構成成分 （ａ）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体 シンジオタクチック構造とは、立体化学構造がシンジオ
タクチック構造、即ち炭素- 炭素結合から形成される主
鎖に対して側鎖であるフェニル基が交互に反対方向に位
置する立体構造を有するものであり、そのタクティシテ
ィーは同位体炭素による核磁気共鳴法(13C-NMR) により
定量される。１３Ｃ−ＮＭＲ法により測定されるタクテ
ィシティーは、連続する複数個の構成単位の存在割合、
例えば２個の場合はダイアッド、３個の場合はトリアッ
ド、５個の場合はペンタッドによって示すことができる
が、本発明に言う主としてシンジオタクチック構造を有
するスチレン系重合体とは、通常はラセミダイアッドで
７５％以上、好ましくは８５％以上、若しくはラセミペ
ンタッドで３０％以上、好ましくは５０％以上のシンジ
オタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ（アル
キルスチレン）、ポリ( ハロゲン化スチレン) 、ポリ(
ハロゲン化アルキルスチレン) 、ポリ（アルコキシスチ
レン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）、これらの水
素化重合体およびこれらの混合物、あるいはこれらを主
成分とする共重合体を指称する。なお、ここでポリ（ア
ルキルスチレン）としては、ポリ（メチルスチレン）、
ポリ（エチルスチレン）、ポリ（イソピルスチレン）、
ポリ（ターシャリーブチルスチレン）、ポリ（フェニル
スチレン）、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ビニル
スチレン）などがあり、ポリ（ハロゲン化スチレン）と
しては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（ブロモスチレ
ン）、ポリ（フルオロスチレン）などがある。また、ポ
リ（ハロゲン化アルキルスチレン）としては、ポリ（ク
ロロメチルスチレン）など、またポリ（アルコキシスチ
レン）としては、ポリ（メチキシスチレン）、ポリ（エ
トキシスチレン）などがある。
り多いと、靱性が発現しにくくなるおそれがあり、
（Ｂ）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体が５０重量％より多いと、
弾性率が低下し成形性が悪化するおそれがある。（Ｃ）
芳香族ビニルモノマー（ａ）とエチレン系共重合体マク
ロマー（ｂ）とのグラフト共重合生成物が１重量％より
少ないと靱性が発現しにくくなるおそれがある。 (III) 上記（Ｉ）又は(II)の芳香族ビニル系樹脂材料
と、主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体（ａ）及び／又はゴム状弾性体（ｂ）からなる
芳香族ビニル系樹脂組成物 （III-1)構成成分 （ａ）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体 シンジオタクチック構造とは、立体化学構造がシンジオ
タクチック構造、即ち炭素- 炭素結合から形成される主
鎖に対して側鎖であるフェニル基が交互に反対方向に位
置する立体構造を有するものであり、そのタクティシテ
ィーは同位体炭素による核磁気共鳴法(13C-NMR) により
定量される。１３Ｃ−ＮＭＲ法により測定されるタクテ
ィシティーは、連続する複数個の構成単位の存在割合、
例えば２個の場合はダイアッド、３個の場合はトリアッ
ド、５個の場合はペンタッドによって示すことができる
が、本発明に言う主としてシンジオタクチック構造を有
するスチレン系重合体とは、通常はラセミダイアッドで
７５％以上、好ましくは８５％以上、若しくはラセミペ
ンタッドで３０％以上、好ましくは５０％以上のシンジ
オタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ（アル
キルスチレン）、ポリ( ハロゲン化スチレン) 、ポリ(
ハロゲン化アルキルスチレン) 、ポリ（アルコキシスチ
レン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）、これらの水
素化重合体およびこれらの混合物、あるいはこれらを主
成分とする共重合体を指称する。なお、ここでポリ（ア
ルキルスチレン）としては、ポリ（メチルスチレン）、
ポリ（エチルスチレン）、ポリ（イソピルスチレン）、
ポリ（ターシャリーブチルスチレン）、ポリ（フェニル
スチレン）、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ビニル
スチレン）などがあり、ポリ（ハロゲン化スチレン）と
しては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（ブロモスチレ
ン）、ポリ（フルオロスチレン）などがある。また、ポ
リ（ハロゲン化アルキルスチレン）としては、ポリ（ク
ロロメチルスチレン）など、またポリ（アルコキシスチ
レン）としては、ポリ（メチキシスチレン）、ポリ（エ
トキシスチレン）などがある。
【００７７】なお、これらのうち特に好ましいスチレン
系重合体としては、ポリスチレン、ポリ（ｐ−メチルス
チレン）、ポリ（ｍ−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−タ
ーシャリープチルスチレン）、ポリ（ｐ−クロロスチレ
ン）、ポリ（ｍ−クロロスチレン）、ポリ（ｐ−フルオ
ロスチレン）、水素化ポリスチレン及びこれらの構造単
位を含む共重合体が挙げられる。
系重合体としては、ポリスチレン、ポリ（ｐ−メチルス
チレン）、ポリ（ｍ−メチルスチレン）、ポリ（ｐ−タ
ーシャリープチルスチレン）、ポリ（ｐ−クロロスチレ
ン）、ポリ（ｍ−クロロスチレン）、ポリ（ｐ−フルオ
ロスチレン）、水素化ポリスチレン及びこれらの構造単
位を含む共重合体が挙げられる。
【００７８】このような主としてシンジオタクチック構
造を有するスチレン系重合体の製造方法については、公
知の方法を用いればよいが、例えば不活性炭化水素溶媒
中または溶媒の不存在下に、チタン化合物及び水とトリ
アルキルアルミニウムの縮合生成物を触媒として、スチ
レン系単量体( 上記スチレン系重合体に対応する単量
体) を重合する方法等が挙げられる( 特開昭６２―１８
７７０８号公報等) 。また、ポリ（ハロゲン化アルキル
スチレン）及びこれらの水素化重合体についても同様に
公知の方法、例えば、特開平１−４６９１２号公報、特
開平１−１７８５０５号公報記載の方法などにより得る
ことができる。なお、これらの主としてシンジオタクチ
ック構造を有するスチレン系重合体は一種のみを単独
で、または、二種以上を組み合わせて用いることができ
る。 （ｂ）ゴム状弾性体 具体的には、例えば、天然ゴム，ポリブタジエン，ポリ
イソプレン，ポリイソブチレン，ネオプレン、ポリスル
フィドゴム、チオコールゴム、アクリルゴム、ウレタン
ゴム、シリコーンゴム、エビクロロヒドリンゴム、スチ
レン−ブタジエンブロック共重合体（ＳＢＲ），水素添
加スチレン−ブタジエンブロック共重合体（ＳＥＢ），
スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（Ｓ
ＢＳ），水素添加スチレン−ブタジエン−スチレンブロ
ック共重合体（ＳＥＢＳ），スチレン−イソプレンブロ
ック共重合体（ＳＩＲ），水素添加スチレン−イソプレ
ンブロック共重合体（ＳＥＰ），スチレン−イソプレン
−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ），水素添加スチ
レン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰ
Ｓ），エチレンプロピレンゴム（ＥＰＲ）やエチレン−
ヘキセン共重合体，エチレン−オクテン共重合体などの
エチレン−α−オレフィン共重合体ゴム，エチレン−ス
チレン共重合体ゴム，エチレン−スチレン疑似ランダム
共重合体ゴム，エチレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤ
Ｍ）、あるいはブタジエン−アクリロニトリル−スチレ
ン−コアシェルゴム（ＡＢＳ），メチルメタクリレート
−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＭＢＳ），
メチルメタクリレート−ブチルアクリレート−スチレン
−コアシェルゴム（ＭＡＳ），オクチルアクリレート−
ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡＢＳ），
アルキルアクリレート−ブタジエン−アクリロニトリル
−スチレンコアシェルゴム（ＡＡＢＳ），ブタジエン−
スチレン−コアシェルゴム（ＳＢＲ）、メチルメタクリ
レート−ブチルアクリレートシロキサンをはじめとする
シロキサン含有コアシェルゴム等のコアシェルタイプの
粒子状弾性体、又はこれらを変性したゴム等である。
造を有するスチレン系重合体の製造方法については、公
知の方法を用いればよいが、例えば不活性炭化水素溶媒
中または溶媒の不存在下に、チタン化合物及び水とトリ
アルキルアルミニウムの縮合生成物を触媒として、スチ
レン系単量体( 上記スチレン系重合体に対応する単量
体) を重合する方法等が挙げられる( 特開昭６２―１８
７７０８号公報等) 。また、ポリ（ハロゲン化アルキル
スチレン）及びこれらの水素化重合体についても同様に
公知の方法、例えば、特開平１−４６９１２号公報、特
開平１−１７８５０５号公報記載の方法などにより得る
ことができる。なお、これらの主としてシンジオタクチ
ック構造を有するスチレン系重合体は一種のみを単独
で、または、二種以上を組み合わせて用いることができ
る。 （ｂ）ゴム状弾性体 具体的には、例えば、天然ゴム，ポリブタジエン，ポリ
イソプレン，ポリイソブチレン，ネオプレン、ポリスル
フィドゴム、チオコールゴム、アクリルゴム、ウレタン
ゴム、シリコーンゴム、エビクロロヒドリンゴム、スチ
レン−ブタジエンブロック共重合体（ＳＢＲ），水素添
加スチレン−ブタジエンブロック共重合体（ＳＥＢ），
スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（Ｓ
ＢＳ），水素添加スチレン−ブタジエン−スチレンブロ
ック共重合体（ＳＥＢＳ），スチレン−イソプレンブロ
ック共重合体（ＳＩＲ），水素添加スチレン−イソプレ
ンブロック共重合体（ＳＥＰ），スチレン−イソプレン
−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ），水素添加スチ
レン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＰ
Ｓ），エチレンプロピレンゴム（ＥＰＲ）やエチレン−
ヘキセン共重合体，エチレン−オクテン共重合体などの
エチレン−α−オレフィン共重合体ゴム，エチレン−ス
チレン共重合体ゴム，エチレン−スチレン疑似ランダム
共重合体ゴム，エチレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤ
Ｍ）、あるいはブタジエン−アクリロニトリル−スチレ
ン−コアシェルゴム（ＡＢＳ），メチルメタクリレート
−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＭＢＳ），
メチルメタクリレート−ブチルアクリレート−スチレン
−コアシェルゴム（ＭＡＳ），オクチルアクリレート−
ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡＢＳ），
アルキルアクリレート−ブタジエン−アクリロニトリル
−スチレンコアシェルゴム（ＡＡＢＳ），ブタジエン−
スチレン−コアシェルゴム（ＳＢＲ）、メチルメタクリ
レート−ブチルアクリレートシロキサンをはじめとする
シロキサン含有コアシェルゴム等のコアシェルタイプの
粒子状弾性体、又はこれらを変性したゴム等である。
【００７９】なかでも、オレフィン系のゴム状弾性体が
好ましい。さらに好適なオレフィン系のゴム状弾性体と
しては、室温にてゴム弾性を有するエラストマーであ
り、弾性回復率が４０以上、好ましくは５５以上、さら
には７０以上のものが挙げられる。ここで、弾性回復率
とは、次のようにして求めた値である。即ち、融点以上
の温度で融解した樹脂をコールドプレスにてプレスフィ
ルムに成形した後、規格番号ＤＩＮ５３５０４のＳ３サ
イズの打ち抜き型でダンベル型の引張試験片を打ち抜
く。この試験片を用い、島津製作所社製オートグラフＡ
Ｇ５０００Ｂにて、初期チャック間距離２０ｍｍ、引張
速度１ｍｍ／分の条件で１００％まで伸長した後、同じ
速度で戻し、応力が０になった時点での歪み（％）を残
留歪みとして測定し、弾性回復率を次の式より算出す
る。
好ましい。さらに好適なオレフィン系のゴム状弾性体と
しては、室温にてゴム弾性を有するエラストマーであ
り、弾性回復率が４０以上、好ましくは５５以上、さら
には７０以上のものが挙げられる。ここで、弾性回復率
とは、次のようにして求めた値である。即ち、融点以上
の温度で融解した樹脂をコールドプレスにてプレスフィ
ルムに成形した後、規格番号ＤＩＮ５３５０４のＳ３サ
イズの打ち抜き型でダンベル型の引張試験片を打ち抜
く。この試験片を用い、島津製作所社製オートグラフＡ
Ｇ５０００Ｂにて、初期チャック間距離２０ｍｍ、引張
速度１ｍｍ／分の条件で１００％まで伸長した後、同じ
速度で戻し、応力が０になった時点での歪み（％）を残
留歪みとして測定し、弾性回復率を次の式より算出す
る。
【００８０】弾性回復率＝１００−残留歪み （Ｃ）その他の成分 公知のものから必要に応じて、任意に選択して配合する
ことができる。具体的には前述のものと同じである。 （III-2)構成成分の配合割合 上記（Ｉ）又は(II)の芳香族ビニル系樹脂材料と、主と
してシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
（ａ）及び／又はゴム状弾性体（ｂ）からなるものであ
るが、上記（Ｉ）又は(II)の芳香族ビニル系樹脂材料と
（ａ）及び／又は（ｂ）との配合比は任意である。
（ａ）と（ｂ）との配合比については次のとおりであ
る。即ち、（ａ）芳香族ビニルポリマーが５０〜９７重
量％、好ましくは６０〜９５重量％、さらには６５〜９
０重量％であり、（ｂ）ゴム状弾性体が３〜５０重量
％、好ましくは５〜４０重量％、さらには１０〜３５重
量％である。
ことができる。具体的には前述のものと同じである。 （III-2)構成成分の配合割合 上記（Ｉ）又は(II)の芳香族ビニル系樹脂材料と、主と
してシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
（ａ）及び／又はゴム状弾性体（ｂ）からなるものであ
るが、上記（Ｉ）又は(II)の芳香族ビニル系樹脂材料と
（ａ）及び／又は（ｂ）との配合比は任意である。
（ａ）と（ｂ）との配合比については次のとおりであ
る。即ち、（ａ）芳香族ビニルポリマーが５０〜９７重
量％、好ましくは６０〜９５重量％、さらには６５〜９
０重量％であり、（ｂ）ゴム状弾性体が３〜５０重量
％、好ましくは５〜４０重量％、さらには１０〜３５重
量％である。
【００８１】芳香族ビニルポリマーが５０重量％未満で
は、耐熱性，耐溶剤性が低下し、９７重量％を超えると
靱性が低下するおそれがある。 ３．芳香族ビニル系樹脂材料を成形してなる成形体 本発明にかかる芳香族ビニル系樹脂材料は公知の成形法
により、様々な成形体に成形される。成形体の具体例と
しては、フィルム，シート，延伸フィルム，射出成形体
等であり、成形法としても公知の方法を用いることがで
きる。
は、耐熱性，耐溶剤性が低下し、９７重量％を超えると
靱性が低下するおそれがある。 ３．芳香族ビニル系樹脂材料を成形してなる成形体 本発明にかかる芳香族ビニル系樹脂材料は公知の成形法
により、様々な成形体に成形される。成形体の具体例と
しては、フィルム，シート，延伸フィルム，射出成形体
等であり、成形法としても公知の方法を用いることがで
きる。
【００８２】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳しく説
明する。尚、評価方法は前述のとおりである。また、Ｔ
ｍ（融点）については、パーキンエルマー社製 ＤＳＣ
−７を用いて測定した。測定方法は、試料を一旦３００
℃まで昇温して５分間融解させた後、２０℃／分の速度
で５０℃まで降温させ、そこで１分間ホールドした後、
再び２０℃／分の速度の速度で昇温させて行なった。 〔実施例１〕 （１）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体マクロマーの合成 ２リットルの耐圧重合槽に、脱水したトルエン２６０ミ
リリットル、活性アルミナにより処理した精製スチレン
６００ミリリットル、活性アルミナにより処理したジビ
ニルベンゼン（新日鉄化学社製、高純度パラ体Ｔ−３
０，パラジビニルベンゼン含有量７０重量％）４.5ミリ
リットル、及びメチルアルミノキサン（アルベマール社
製）をアルミ濃度で９ミリモルを投入後、エチレンをケ
ージ圧力で０.6ＭＰａに一定に保持し、十分にエチレン
を溶解させた後、（η5 −１，２，３，４−テトラヒド
ロ−９−フルオレニル）（ｔ−ブチルアミド）ジメチル
シランチタニウムジクロリドをチタン濃度で１５マイク
ロモル添加し、７０℃にてエチレン圧一定の下、３０分
間重合した。重合後はエチレンを脱気後、メタノールを
少量添加し、重合を停止した。
明する。尚、評価方法は前述のとおりである。また、Ｔ
ｍ（融点）については、パーキンエルマー社製 ＤＳＣ
−７を用いて測定した。測定方法は、試料を一旦３００
℃まで昇温して５分間融解させた後、２０℃／分の速度
で５０℃まで降温させ、そこで１分間ホールドした後、
再び２０℃／分の速度の速度で昇温させて行なった。 〔実施例１〕 （１）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体マクロマーの合成 ２リットルの耐圧重合槽に、脱水したトルエン２６０ミ
リリットル、活性アルミナにより処理した精製スチレン
６００ミリリットル、活性アルミナにより処理したジビ
ニルベンゼン（新日鉄化学社製、高純度パラ体Ｔ−３
０，パラジビニルベンゼン含有量７０重量％）４.5ミリ
リットル、及びメチルアルミノキサン（アルベマール社
製）をアルミ濃度で９ミリモルを投入後、エチレンをケ
ージ圧力で０.6ＭＰａに一定に保持し、十分にエチレン
を溶解させた後、（η5 −１，２，３，４−テトラヒド
ロ−９−フルオレニル）（ｔ−ブチルアミド）ジメチル
シランチタニウムジクロリドをチタン濃度で１５マイク
ロモル添加し、７０℃にてエチレン圧一定の下、３０分
間重合した。重合後はエチレンを脱気後、メタノールを
少量添加し、重合を停止した。
【００８３】得られた粘稠な溶液はメタノール中に沈殿
させ、重合物を回収した後、５０℃で減圧乾燥し、８５
ｇのエチレン系共重合体を得た。1Ｈ−ＮＭＲから得ら
れた組成は、エチレン／スチレン／ジビニルベンゼン＝
７８.4／２１.5／０.1（モル％）であった。 （２）グラフト共重合 ５００ミリリットルのセパラブルフラスコに、十分に脱
水したトルエン１５０ミリリットルと活性アルミナによ
り処理した精製スチレン１００ミリリットルを仕込ん
だ。次に攪拌しながら上記（１）で合成したエチレン系
共重合体マクロマー４.0グラムを窒素置換したのち添加
し、５０℃にてスチレンモノマー中に完全に溶解させ
た。
させ、重合物を回収した後、５０℃で減圧乾燥し、８５
ｇのエチレン系共重合体を得た。1Ｈ−ＮＭＲから得ら
れた組成は、エチレン／スチレン／ジビニルベンゼン＝
７８.4／２１.5／０.1（モル％）であった。 （２）グラフト共重合 ５００ミリリットルのセパラブルフラスコに、十分に脱
水したトルエン１５０ミリリットルと活性アルミナによ
り処理した精製スチレン１００ミリリットルを仕込ん
だ。次に攪拌しながら上記（１）で合成したエチレン系
共重合体マクロマー４.0グラムを窒素置換したのち添加
し、５０℃にてスチレンモノマー中に完全に溶解させ
た。
【００８４】次に、このエチレン系共重合体マクロマー
のスチレン溶液を７５℃まで昇温した後、トリイソブチ
ルアルミニウムを１.0ミリモル添加し、続いて予め調合
しておいたチタン混合触媒をチタン濃度にして５.0マイ
クロモル添加し、攪拌しながら２０分間重合した。ここ
で、チタン混合触媒とは、メチルアルミノキサン：トリ
イソブチルアルミニウム：チタン＝７５：２５：１（モ
ル比）の割合で混合したものであり、チタンとしては、
１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフルオ
レニルチタントリメトキシドを用いた。
のスチレン溶液を７５℃まで昇温した後、トリイソブチ
ルアルミニウムを１.0ミリモル添加し、続いて予め調合
しておいたチタン混合触媒をチタン濃度にして５.0マイ
クロモル添加し、攪拌しながら２０分間重合した。ここ
で、チタン混合触媒とは、メチルアルミノキサン：トリ
イソブチルアルミニウム：チタン＝７５：２５：１（モ
ル比）の割合で混合したものであり、チタンとしては、
１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフルオ
レニルチタントリメトキシドを用いた。
【００８５】重合後、少量のメタノールを添加して重合
を停止した。重合物はメタノールにて洗浄した後、５０
℃にて１２時間減圧乾燥した。重合物の収量は２7.0 グ
ラムであった。このグラフト共重合生成物における全エ
チレン系共重合体マクロマーの含有率は１５重量％であ
った。乾燥後、３００℃にて融解しながらストランド状
に成形しペレット化した。
を停止した。重合物はメタノールにて洗浄した後、５０
℃にて１２時間減圧乾燥した。重合物の収量は２7.0 グ
ラムであった。このグラフト共重合生成物における全エ
チレン系共重合体マクロマーの含有率は１５重量％であ
った。乾燥後、３００℃にて融解しながらストランド状
に成形しペレット化した。
【００８６】結果を表１に示す。
【００８７】
【表１】
【００８８】〔実施例２〕実施例１の「（２）グラフト
共重合」において、エチレン系共重合体マクロマーとス
チレンとの共重合時間を２０分間の代わりに、５分間と
した以外は、実施例１と同様に行なった。グラフト共重
合生成物における全エチレン系共重合体マクロマーの含
有率は３７重量％であった。
共重合」において、エチレン系共重合体マクロマーとス
チレンとの共重合時間を２０分間の代わりに、５分間と
した以外は、実施例１と同様に行なった。グラフト共重
合生成物における全エチレン系共重合体マクロマーの含
有率は３７重量％であった。
【００８９】重合ポリマーの処理についても、実施例１
と同様に行なった。結果を表１に示す。 〔実施例３〕 （１）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体の合成 １リットルの耐圧重合槽に、脱水したトルエン２５０ミ
リリットル、活性アルミナにより処理したパラジビニル
ベンゼン（新日鉄化学社製、高純度パラ体，Ｔ−３０）
０.6ミリリットル、及びメチルアルミノキサン（アルベ
マール社製）をアルミ濃度で７.5ミリモルを投入後、エ
チレン及びプロピレンをモル比で８：２で混合したガス
をゲージ圧力で０.6ＭＰａ張り込み、定常状態にした。
その後、（η5 −１，２，３，４−テトラヒドロ−９−
フルオレニル）（ｔ−ブチルアミド）ジメチルシランチ
タニウムジクロリドをチタン濃度で７.5マイクロモル添
加し、７０℃にて圧一定の下、３０分間重合した。重合
後はガス状モノマーを脱気後、メタノールを少量添加
し、重合を停止した。
と同様に行なった。結果を表１に示す。 〔実施例３〕 （１）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体の合成 １リットルの耐圧重合槽に、脱水したトルエン２５０ミ
リリットル、活性アルミナにより処理したパラジビニル
ベンゼン（新日鉄化学社製、高純度パラ体，Ｔ−３０）
０.6ミリリットル、及びメチルアルミノキサン（アルベ
マール社製）をアルミ濃度で７.5ミリモルを投入後、エ
チレン及びプロピレンをモル比で８：２で混合したガス
をゲージ圧力で０.6ＭＰａ張り込み、定常状態にした。
その後、（η5 −１，２，３，４−テトラヒドロ−９−
フルオレニル）（ｔ−ブチルアミド）ジメチルシランチ
タニウムジクロリドをチタン濃度で７.5マイクロモル添
加し、７０℃にて圧一定の下、３０分間重合した。重合
後はガス状モノマーを脱気後、メタノールを少量添加
し、重合を停止した。
【００９０】得られた粘稠な溶液はメタノール中に沈殿
させ、重合物を回収した後、５０℃で減圧乾燥し、２６
ｇのエチレン系共重合体を得た。 （２）グラフト共重合 実施例１と同様に行なった。グラフト共重合生成物にお
ける全エチレン系共重合体マクロマーの含有率は２２重
量％であった。
させ、重合物を回収した後、５０℃で減圧乾燥し、２６
ｇのエチレン系共重合体を得た。 （２）グラフト共重合 実施例１と同様に行なった。グラフト共重合生成物にお
ける全エチレン系共重合体マクロマーの含有率は２２重
量％であった。
【００９１】乾燥後、３００℃にて融解しながらストラ
ンド状に成形しペレット化した。結果を表１に示す。 〔比較例１〕実施例１（２）のグラフト共重合におい
て、エチレン系共重合体マクロマーを添加せず、スチレ
ンモノマーとトルエンの混合溶液を８０℃にて予め、予
備混合しておいた。実施例１（２）で用いたのと同じチ
タン混合触媒をチタン濃度で５.0マイクロモル添加し、
２０分間重合を行なった。重合後少量のメタノールを添
加して重合を停止させた後、重合物を多量のメタノール
中で３０分間、２回洗浄した。
ンド状に成形しペレット化した。結果を表１に示す。 〔比較例１〕実施例１（２）のグラフト共重合におい
て、エチレン系共重合体マクロマーを添加せず、スチレ
ンモノマーとトルエンの混合溶液を８０℃にて予め、予
備混合しておいた。実施例１（２）で用いたのと同じチ
タン混合触媒をチタン濃度で５.0マイクロモル添加し、
２０分間重合を行なった。重合後少量のメタノールを添
加して重合を停止させた後、重合物を多量のメタノール
中で３０分間、２回洗浄した。
【００９２】ろ過後、２００℃にて２時間減圧乾燥さ
せ、２４.5ｇのシンジオタクチックポリスチレン（ＳＰ
Ｓ）を得た。結果を表１に示す。 〔比較例２〕比較例１で用いたＳＰＳに、エチレン−プ
ロピレンゴム（日本合成ゴム社製、商品名ＥＰ−０１
Ｐ）が２０重量％になるように配合し、３００℃にてペ
レット化した。
せ、２４.5ｇのシンジオタクチックポリスチレン（ＳＰ
Ｓ）を得た。結果を表１に示す。 〔比較例２〕比較例１で用いたＳＰＳに、エチレン−プ
ロピレンゴム（日本合成ゴム社製、商品名ＥＰ−０１
Ｐ）が２０重量％になるように配合し、３００℃にてペ
レット化した。
【００９３】結果を表１に示す。 〔比較例３〕比較例１で用いたＳＰＳに、エチレン−プ
ロピレンゴム（日本合成ゴム社製、商品名ＥＰ−０１
Ｐ）が１０重量％、ＳＥＢＳ（シェル化学社製、商品名
Ｇ１６５１）が１０重量％になるように配合し、３００
℃にてペレット化した。
ロピレンゴム（日本合成ゴム社製、商品名ＥＰ−０１
Ｐ）が１０重量％、ＳＥＢＳ（シェル化学社製、商品名
Ｇ１６５１）が１０重量％になるように配合し、３００
℃にてペレット化した。
【００９４】結果を表１に示す。 〔実施例４〕 （２）グラフト共重合 １リットルのセパラブルフラスコに、実施例１（１）で
合成したエチレン系共重合体マクロマー１２.0グラム、
十分に脱水したトルエン４００ミリリットルと活性アル
ミナにより処理した精製スチレン１００ミリリットルを
投入し、エチレン系共重合体マクロマーを十分に溶解さ
せたのち、予め調製した１，２，３，４，５，６，７，
８−オクタヒドロフルオレニルチタントリメトキシドを
チタン濃度にして１８マイクロモルと、メチルアルミノ
キサン（アルベマール社製）をアルミ濃度で１.7ミリモ
ル、トリイソブチルアルミニウム（東ソーアクゾ社製）
３８０マイクロモルの混合溶液を投入し、窒素雰囲気
下、７５℃にて１５分間重合した。重合後、少量のメタ
ノールを添加して重合を停止した。重合物はメタノール
にて洗浄した後、６０℃にて乾燥した。重合物の収量は
４8.4 グラムであった。
合成したエチレン系共重合体マクロマー１２.0グラム、
十分に脱水したトルエン４００ミリリットルと活性アル
ミナにより処理した精製スチレン１００ミリリットルを
投入し、エチレン系共重合体マクロマーを十分に溶解さ
せたのち、予め調製した１，２，３，４，５，６，７，
８−オクタヒドロフルオレニルチタントリメトキシドを
チタン濃度にして１８マイクロモルと、メチルアルミノ
キサン（アルベマール社製）をアルミ濃度で１.7ミリモ
ル、トリイソブチルアルミニウム（東ソーアクゾ社製）
３８０マイクロモルの混合溶液を投入し、窒素雰囲気
下、７５℃にて１５分間重合した。重合後、少量のメタ
ノールを添加して重合を停止した。重合物はメタノール
にて洗浄した後、６０℃にて乾燥した。重合物の収量は
４8.4 グラムであった。
【００９５】このポリマーについて、沸騰シクロヘキサ
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.2６（ここで、Ａは１.0〜１.7（ｐｐｍ）
に現れるピークの積分値であり、Ｂは１.8〜２.1（ｐｐ
ｍ）に現れるピークの積分値である。）、ｏ−ジクロロ
ベンゼン（ＯＤＣＢ）による分取昇温分別における５０
℃以上の溶出分についての 1Ｈ−ＮＭＲにおいてＢ／Ａ
は０.2７（ここで、Ａ及びＢは前記と同様である。以下
同じ）、同じく１１０℃以上の溶出分についてはＢ／Ａ
は０.2８であり、同じく１２５℃以上の溶出分について
はＢ／Ａは０.2９であった。
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.2６（ここで、Ａは１.0〜１.7（ｐｐｍ）
に現れるピークの積分値であり、Ｂは１.8〜２.1（ｐｐ
ｍ）に現れるピークの積分値である。）、ｏ−ジクロロ
ベンゼン（ＯＤＣＢ）による分取昇温分別における５０
℃以上の溶出分についての 1Ｈ−ＮＭＲにおいてＢ／Ａ
は０.2７（ここで、Ａ及びＢは前記と同様である。以下
同じ）、同じく１１０℃以上の溶出分についてはＢ／Ａ
は０.2８であり、同じく１２５℃以上の溶出分について
はＢ／Ａは０.2９であった。
【００９６】また、得られたポリマーを３００℃にて融
解しながらストランド状に成形し、ペレット状のポリマ
ーを得た。このポリマーについて示差走査熱量計で測定
した２００〜２９５℃における融解熱量ΔＨは２１.1
（Ｊ／ｇ）、引張伸びは９６％、内部ヘイズは２５.7
％、光散乱法によって得られるドメイン成分の平均直径
が０.6μｍであった。また、ＳＧ値は０.3２であった。 〔実施例５〕実施例４の「（２）グラフト共重合」にお
いて、実施例１（１）で合成したエチレン系共重合体マ
クロマーを４.0グラムとし、１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロフルオレニルチタントリメトキシ
ドをチタン濃度にして５マイクロモル、メチルアルミノ
キサンをアルミ濃度で０.6ミリモル、トリイソブチルア
ルミニウム１２５マイクロモルにした以外は実施例４と
同様に行なった。収量は２１.6ｇであった。
解しながらストランド状に成形し、ペレット状のポリマ
ーを得た。このポリマーについて示差走査熱量計で測定
した２００〜２９５℃における融解熱量ΔＨは２１.1
（Ｊ／ｇ）、引張伸びは９６％、内部ヘイズは２５.7
％、光散乱法によって得られるドメイン成分の平均直径
が０.6μｍであった。また、ＳＧ値は０.3２であった。 〔実施例５〕実施例４の「（２）グラフト共重合」にお
いて、実施例１（１）で合成したエチレン系共重合体マ
クロマーを４.0グラムとし、１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロフルオレニルチタントリメトキシ
ドをチタン濃度にして５マイクロモル、メチルアルミノ
キサンをアルミ濃度で０.6ミリモル、トリイソブチルア
ルミニウム１２５マイクロモルにした以外は実施例４と
同様に行なった。収量は２１.6ｇであった。
【００９７】このポリマーについて、沸騰シクロヘキサ
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.3４（ここで、Ａ及びＢは前記と同様であ
る）、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）による分取昇
温分別における１２５℃以上の溶出分についての 1Ｈ−
ＮＭＲにおいてＢ／Ａは０.3５であった。また、得られ
たポリマーを３００℃にて融解しながらストランド状に
成形し、ペレット状のポリマーを得た。このポリマーに
ついて示差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃にお
ける融解熱量ΔＨは２３.4（Ｊ／ｇ）、引張伸びは２７
％、内部ヘイズは２７.8％、光散乱法によって得られる
ドメイン成分の平均直径が０.6μｍであった。また、Ｓ
Ｇ値は０.5７であった。 〔実施例６〕 （１）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体の合成 ２リットルの耐圧重合槽に、脱水したトルエン５００ミ
リリットル、活性アルミナにより処理した精製スチレン
９３０ミリリットル、活性アルミナにより処理したジビ
ニルベンゼン（新日鉄化学社製、高純度パラ体Ｔ−３
０，パラジビニルベンゼン含有量７０重量％）１０.5ミ
リリットル、及びメチルアルミノキサン（アルベマール
社製）をアルミ濃度で１８ミリモル、さらにトリイソブ
チルアルミニウム（東ソーアクゾ社製）をアルミ濃度で
０.5ミリモルを投入後、エチレンを圧力で０.6ＭＰａに
一定に保持し、十分にエチレンを溶解させた後、（η5
−１，２，３，４−テトラヒドロ−９−フルオレニル）
（ｔ−ブチルアミド）ジメチルシランチタニウムジクロ
リドをチタン濃度で３０マイクロモル添加し、７０℃に
てエチレン圧一定の下、９０分間重合した。重合後はエ
チレンを脱気後、メタノールを少量添加し、重合を停止
した。
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.3４（ここで、Ａ及びＢは前記と同様であ
る）、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）による分取昇
温分別における１２５℃以上の溶出分についての 1Ｈ−
ＮＭＲにおいてＢ／Ａは０.3５であった。また、得られ
たポリマーを３００℃にて融解しながらストランド状に
成形し、ペレット状のポリマーを得た。このポリマーに
ついて示差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃にお
ける融解熱量ΔＨは２３.4（Ｊ／ｇ）、引張伸びは２７
％、内部ヘイズは２７.8％、光散乱法によって得られる
ドメイン成分の平均直径が０.6μｍであった。また、Ｓ
Ｇ値は０.5７であった。 〔実施例６〕 （１）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体の合成 ２リットルの耐圧重合槽に、脱水したトルエン５００ミ
リリットル、活性アルミナにより処理した精製スチレン
９３０ミリリットル、活性アルミナにより処理したジビ
ニルベンゼン（新日鉄化学社製、高純度パラ体Ｔ−３
０，パラジビニルベンゼン含有量７０重量％）１０.5ミ
リリットル、及びメチルアルミノキサン（アルベマール
社製）をアルミ濃度で１８ミリモル、さらにトリイソブ
チルアルミニウム（東ソーアクゾ社製）をアルミ濃度で
０.5ミリモルを投入後、エチレンを圧力で０.6ＭＰａに
一定に保持し、十分にエチレンを溶解させた後、（η5
−１，２，３，４−テトラヒドロ−９−フルオレニル）
（ｔ−ブチルアミド）ジメチルシランチタニウムジクロ
リドをチタン濃度で３０マイクロモル添加し、７０℃に
てエチレン圧一定の下、９０分間重合した。重合後はエ
チレンを脱気後、メタノールを少量添加し、重合を停止
した。
【００９８】得られた粘稠な溶液はメタノール中に沈殿
させ、重合物を回収した後、５０℃で減圧乾燥し、１１
５.3ｇのエチレン系共重合体を得た。1Ｈ−ＮＭＲから
得られた組成は、エチレン／スチレン／ジビニルベンゼ
ン＝７１.1／２８.6／０.4（モル％）であった。 （２）グラフト共重合 ５リットルの重合槽に、上記（１）で合成したエチレン
系共重合体マクロマー１００グラム、十分に脱水したト
ルエン１５００ミリリットルと活性アルミナにより処理
した精製スチレン１５００ミリリットルを投入し、エチ
レン系共重合体マクロマーを十分に溶解させたのち、予
め調製した１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒ
ドロフルオレニルチタントリメトキシドをチタン濃度に
して２００マイクロモルと、メチルアルミノキサン（ア
ルベマール社製）をアルミ濃度で２２ミリモル、トリイ
ソブチルアルミニウム（東ソーアクゾ社製）５ミリモル
の混合溶液を投入し、窒素雰囲気下、７５℃にて９０分
間重合した。重合後、少量のメタノールを添加して重合
を停止した。重合物はメタノールにて洗浄した後、６０
℃にて乾燥した。重合物の収量は５７０グラムであっ
た。
させ、重合物を回収した後、５０℃で減圧乾燥し、１１
５.3ｇのエチレン系共重合体を得た。1Ｈ−ＮＭＲから
得られた組成は、エチレン／スチレン／ジビニルベンゼ
ン＝７１.1／２８.6／０.4（モル％）であった。 （２）グラフト共重合 ５リットルの重合槽に、上記（１）で合成したエチレン
系共重合体マクロマー１００グラム、十分に脱水したト
ルエン１５００ミリリットルと活性アルミナにより処理
した精製スチレン１５００ミリリットルを投入し、エチ
レン系共重合体マクロマーを十分に溶解させたのち、予
め調製した１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒ
ドロフルオレニルチタントリメトキシドをチタン濃度に
して２００マイクロモルと、メチルアルミノキサン（ア
ルベマール社製）をアルミ濃度で２２ミリモル、トリイ
ソブチルアルミニウム（東ソーアクゾ社製）５ミリモル
の混合溶液を投入し、窒素雰囲気下、７５℃にて９０分
間重合した。重合後、少量のメタノールを添加して重合
を停止した。重合物はメタノールにて洗浄した後、６０
℃にて乾燥した。重合物の収量は５７０グラムであっ
た。
【００９９】このポリマーについて、沸騰シクロヘキサ
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.3７、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）
による分取昇温分別における１２５℃以上の溶出分につ
いてはＢ／Ａは０.3８であった。また、得られたポリマ
ーを３００℃にて融解しながらストランド状に成形し、
ペレット状のポリマーを得た。このポリマーについて示
差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における融解
熱量ΔＨは２５.8（Ｊ／ｇ）、引張伸びは３７％、内部
ヘイズは１５.7％、光散乱法によって得られるドメイン
成分の平均直径が０.3μｍであった。また、ＳＧ値は
０.2２であった。 〔実施例７〕 （１）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体の合成 １リットルの耐圧重合槽に、脱水したトルエン２００ミ
リリットル、ｐ−（３−ブテニル）スチレン４０ミリモ
ル、メチルアルミノキサン（アルベマール社製）をアル
ミ濃度で５ミリモル、及びトリイソブチルアルミニウム
（東ソーアクゾ社製）をアルミ濃度で０.5ミリモルを投
入後、エチレンとプロピレンの流量比が７：２になるよ
うに比例制御し、圧力がゲージ圧で０.9ＭＰａになるよ
う調節した。エチレンビス−１，１’−インデニルジル
コニウムジクロリドをジルコニウム濃度で２マイクロモ
ル添加し、３０℃にて１５分間重合した。
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.3７、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）
による分取昇温分別における１２５℃以上の溶出分につ
いてはＢ／Ａは０.3８であった。また、得られたポリマ
ーを３００℃にて融解しながらストランド状に成形し、
ペレット状のポリマーを得た。このポリマーについて示
差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における融解
熱量ΔＨは２５.8（Ｊ／ｇ）、引張伸びは３７％、内部
ヘイズは１５.7％、光散乱法によって得られるドメイン
成分の平均直径が０.3μｍであった。また、ＳＧ値は
０.2２であった。 〔実施例７〕 （１）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有するエチレン系共重合体の合成 １リットルの耐圧重合槽に、脱水したトルエン２００ミ
リリットル、ｐ−（３−ブテニル）スチレン４０ミリモ
ル、メチルアルミノキサン（アルベマール社製）をアル
ミ濃度で５ミリモル、及びトリイソブチルアルミニウム
（東ソーアクゾ社製）をアルミ濃度で０.5ミリモルを投
入後、エチレンとプロピレンの流量比が７：２になるよ
うに比例制御し、圧力がゲージ圧で０.9ＭＰａになるよ
う調節した。エチレンビス−１，１’−インデニルジル
コニウムジクロリドをジルコニウム濃度で２マイクロモ
ル添加し、３０℃にて１５分間重合した。
【０１００】重合後は未反応ガスを脱気後、メタノール
を少量添加し、重合を停止した。得られた粘稠な溶液は
メタノール中に沈殿させ、重合物を回収した後、５０℃
で減圧乾燥し、２７.0ｇのエチレン系共重合体を得た。
1Ｈ−ＮＭＲから得られた組成は、エチレン／プロピレ
ン／３−ブテニルスチレン＝８１.3／１８.2／０.5（モ
ル％）であった。 （２）グラフト共重合 ５００ミリリットルのセパラブルフラスコに、上記
（１）で合成したエチレン系共重合体マクロマー４.0グ
ラム、十分に脱水したトルエン１５０ミリリットルと活
性アルミナにより処理した精製スチレン１００ミリリッ
トルを投入し、エチレン系共重合体マクロマーを十分に
溶解させたのち、予め調製した１，２，３，４，５，
６，７，８−オクタヒドロフルオレニルチタントリメト
キシドをチタン濃度にして７.5マイクロモルと、メチル
アルミノキサン（アルベマール社製）をアルミ濃度で８
３０マイクロモル、トリイソブチルアルミニウム（東ソ
ーアクゾ社製）１９０マイクロモルの混合溶液を投入
し、窒素雰囲気下、６５℃にて７分間重合した。重合
後、少量のメタノールを添加して重合を停止した。重合
物はメタノールにて洗浄した後、６０℃にて乾燥した。
重合物の収量は１８.0グラムであった。
を少量添加し、重合を停止した。得られた粘稠な溶液は
メタノール中に沈殿させ、重合物を回収した後、５０℃
で減圧乾燥し、２７.0ｇのエチレン系共重合体を得た。
1Ｈ−ＮＭＲから得られた組成は、エチレン／プロピレ
ン／３−ブテニルスチレン＝８１.3／１８.2／０.5（モ
ル％）であった。 （２）グラフト共重合 ５００ミリリットルのセパラブルフラスコに、上記
（１）で合成したエチレン系共重合体マクロマー４.0グ
ラム、十分に脱水したトルエン１５０ミリリットルと活
性アルミナにより処理した精製スチレン１００ミリリッ
トルを投入し、エチレン系共重合体マクロマーを十分に
溶解させたのち、予め調製した１，２，３，４，５，
６，７，８−オクタヒドロフルオレニルチタントリメト
キシドをチタン濃度にして７.5マイクロモルと、メチル
アルミノキサン（アルベマール社製）をアルミ濃度で８
３０マイクロモル、トリイソブチルアルミニウム（東ソ
ーアクゾ社製）１９０マイクロモルの混合溶液を投入
し、窒素雰囲気下、６５℃にて７分間重合した。重合
後、少量のメタノールを添加して重合を停止した。重合
物はメタノールにて洗浄した後、６０℃にて乾燥した。
重合物の収量は１８.0グラムであった。
【０１０１】このポリマーについて、沸騰シクロヘキサ
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.3０、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）
による分取昇温分別における１２５℃以上の溶出分につ
いてはＢ／Ａは０.3１であった。また、得られたポリマ
ーを３００℃にて融解しながらストランド状に成形し、
ペレット状のポリマーを得た。このポリマーについて示
差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における融解
熱量ΔＨは２１.1（Ｊ／ｇ）、引張伸びは６８％、内部
ヘイズは１４.3％、光散乱法によって得られるドメイン
成分の平均直径が０.3μｍであった。 〔比較例４〕 （１）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有さないエチレン系共重合体の合成 １リットルの耐圧重合槽に、脱水したトルエン９０ミリ
リットル、活性アルミナにより処理した精製スチレン２
１０ミリリットル、メチルアルミノキサン（アルベマー
ル社製）をアルミ濃度で４.5ミリモルを投入後、エチレ
ンを圧力で０.6ＭＰａに一定に保持し、十分にエチレン
を溶解させた後、（η5 −１，２，３，４−テトラヒド
ロ−９−フルオレニル）（ｔ−ブチルアミド）ジメチル
シランチタニウムジクロリドをチタン濃度で７.5マイク
ロモル添加し、７０℃にてエチレン圧一定の下、３０分
間重合した。重合後はエチレンを脱気後、メタノールを
少量添加し、重合を停止した。
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.3０、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）
による分取昇温分別における１２５℃以上の溶出分につ
いてはＢ／Ａは０.3１であった。また、得られたポリマ
ーを３００℃にて融解しながらストランド状に成形し、
ペレット状のポリマーを得た。このポリマーについて示
差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における融解
熱量ΔＨは２１.1（Ｊ／ｇ）、引張伸びは６８％、内部
ヘイズは１４.3％、光散乱法によって得られるドメイン
成分の平均直径が０.3μｍであった。 〔比較例４〕 （１）分子鎖中にジエン系モノマーに由来するビニル基
を有さないエチレン系共重合体の合成 １リットルの耐圧重合槽に、脱水したトルエン９０ミリ
リットル、活性アルミナにより処理した精製スチレン２
１０ミリリットル、メチルアルミノキサン（アルベマー
ル社製）をアルミ濃度で４.5ミリモルを投入後、エチレ
ンを圧力で０.6ＭＰａに一定に保持し、十分にエチレン
を溶解させた後、（η5 −１，２，３，４−テトラヒド
ロ−９−フルオレニル）（ｔ−ブチルアミド）ジメチル
シランチタニウムジクロリドをチタン濃度で７.5マイク
ロモル添加し、７０℃にてエチレン圧一定の下、３０分
間重合した。重合後はエチレンを脱気後、メタノールを
少量添加し、重合を停止した。
【０１０２】得られた粘稠な溶液はメタノール中に沈殿
させ、重合物を回収した後、５０℃で減圧乾燥し、２
９.7ｇのエチレン系共重合体を得た。1Ｈ−ＮＭＲから
得られた組成は、エチレン／スチレン＝７９.6／２０.4
（モル％）であった。 （２）グラフト共重合 ５００ミリリットルのセパラブルフラスコに、上記
（１）で合成したエチレン系共重合体マクロマー４.0グ
ラム、十分に脱水したトルエン２００ミリリットルと活
性アルミナにより処理した精製スチレン５０ミリリット
ルを投入し、エチレン系共重合体マクロマーを十分に溶
解させたのち、予め調製した１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロフルオレニルチタントリメトキシ
ドをチタン濃度にして７.5マイクロモルと、メチルアル
ミノキサン（アルベマール社製）をアルミ濃度で８３０
マイクロモル、トリイソブチルアルミニウム（東ソーア
クゾ社製）１９０マイクロモルの混合溶液を投入し、窒
素雰囲気下、６５℃にて１５分間重合した。重合後、少
量のメタノールを添加して重合を停止した。重合物はメ
タノールにて洗浄した後、６０℃にて乾燥した。重合物
の収量は１９.9グラムであった。
させ、重合物を回収した後、５０℃で減圧乾燥し、２
９.7ｇのエチレン系共重合体を得た。1Ｈ−ＮＭＲから
得られた組成は、エチレン／スチレン＝７９.6／２０.4
（モル％）であった。 （２）グラフト共重合 ５００ミリリットルのセパラブルフラスコに、上記
（１）で合成したエチレン系共重合体マクロマー４.0グ
ラム、十分に脱水したトルエン２００ミリリットルと活
性アルミナにより処理した精製スチレン５０ミリリット
ルを投入し、エチレン系共重合体マクロマーを十分に溶
解させたのち、予め調製した１，２，３，４，５，６，
７，８−オクタヒドロフルオレニルチタントリメトキシ
ドをチタン濃度にして７.5マイクロモルと、メチルアル
ミノキサン（アルベマール社製）をアルミ濃度で８３０
マイクロモル、トリイソブチルアルミニウム（東ソーア
クゾ社製）１９０マイクロモルの混合溶液を投入し、窒
素雰囲気下、６５℃にて１５分間重合した。重合後、少
量のメタノールを添加して重合を停止した。重合物はメ
タノールにて洗浄した後、６０℃にて乾燥した。重合物
の収量は１９.9グラムであった。
【０１０３】このポリマーについて、沸騰シクロヘキサ
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.5０、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）
による分取昇温分別における１２５℃以上の溶出分につ
いてはＢ／Ａは０.5０であった。また、得られたポリマ
ーを３００℃にて融解しながらストランド状に成形し、
ペレット状のポリマーを得た。このポリマーについて示
差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における融解
熱量ΔＨは２１.5（Ｊ／ｇ）、引張伸びは３.8％、内部
ヘイズは８７.1％、光散乱法によって得られるドメイン
成分の平均直径は２.4μｍであった。 〔比較例５〕比較例４（２）において、比較例４（１）
で合成したエチレン系共重合体のかわりに、スチレン−
ブタジエンブロック共重合体ＮＳ３１２Ｓ（日本ゼオン
社製）を４.0ｇとした以外は同様に行い、２０.1ｇのポ
リマーを得た。
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.5０、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）
による分取昇温分別における１２５℃以上の溶出分につ
いてはＢ／Ａは０.5０であった。また、得られたポリマ
ーを３００℃にて融解しながらストランド状に成形し、
ペレット状のポリマーを得た。このポリマーについて示
差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における融解
熱量ΔＨは２１.5（Ｊ／ｇ）、引張伸びは３.8％、内部
ヘイズは８７.1％、光散乱法によって得られるドメイン
成分の平均直径は２.4μｍであった。 〔比較例５〕比較例４（２）において、比較例４（１）
で合成したエチレン系共重合体のかわりに、スチレン−
ブタジエンブロック共重合体ＮＳ３１２Ｓ（日本ゼオン
社製）を４.0ｇとした以外は同様に行い、２０.1ｇのポ
リマーを得た。
【０１０４】このポリマーについて、沸騰シクロヘキサ
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.5０、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）
による分取昇温分別における１２５℃以上の溶出分につ
いてはＢ／Ａは０.5０であった。また、得られたポリマ
ーを３００℃にて融解しながらストランド状に成形し、
ペレット状のポリマーを得た。このポリマーについて示
差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における融解
熱量ΔＨは２１.5（Ｊ／ｇ）、引張伸びは４.8％、内部
ヘイズは７５.7％であった。なお、このポリマーにおい
てはゴム自体がミクロ相分離するため、光散乱法によっ
てドメイン成分の平均直径は測定できなかった。 〔比較例６〕比較例４（２）において、比較例４（１）
で合成したエチレン系共重合体のかわりに、エチレン−
プロピレン共重合体ＥＰＯ１（ＪＳＲ社製）を４.0ｇと
した以外は同様に行い、２１.1ｇのポリマーを得た。
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.5０、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）
による分取昇温分別における１２５℃以上の溶出分につ
いてはＢ／Ａは０.5０であった。また、得られたポリマ
ーを３００℃にて融解しながらストランド状に成形し、
ペレット状のポリマーを得た。このポリマーについて示
差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における融解
熱量ΔＨは２１.5（Ｊ／ｇ）、引張伸びは４.8％、内部
ヘイズは７５.7％であった。なお、このポリマーにおい
てはゴム自体がミクロ相分離するため、光散乱法によっ
てドメイン成分の平均直径は測定できなかった。 〔比較例６〕比較例４（２）において、比較例４（１）
で合成したエチレン系共重合体のかわりに、エチレン−
プロピレン共重合体ＥＰＯ１（ＪＳＲ社製）を４.0ｇと
した以外は同様に行い、２１.1ｇのポリマーを得た。
【０１０５】このポリマーについて、沸騰シクロヘキサ
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.5０、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）
による分取昇温分別における１２５℃以上の溶出分につ
いてはＢ／Ａは０.5０であった。また、得られたポリマ
ーを３００℃にて融解しながらストランド状に成形し、
ペレット状のポリマーを得た。このポリマーについて示
差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における融解
熱量ΔＨは２２.5（Ｊ／ｇ）、引張伸びは３.8％、内部
ヘイズは８５.3％であった。光散乱法によって得られる
ドメイン成分の平均直径は２.8μｍであった。 〔実施例８〕実施例３で得たグラフト共重合体と比較例
１で用いたＳＰＳ及びエチレン−プロピレンゴム（日本
合成ゴム社製、商品名ＥＰ−０１Ｐ）をそれぞれ重量比
で、５０：４０：１０になるように配合し、二軸押出機
（東洋精機社製、ラボプラストミル）を用いて３００℃
にて混練しペレットを得た。このポリマーの引張伸びは
２５％であった。
ンによって抽出した残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
てＢ／Ａは０.5０、ｏ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）
による分取昇温分別における１２５℃以上の溶出分につ
いてはＢ／Ａは０.5０であった。また、得られたポリマ
ーを３００℃にて融解しながらストランド状に成形し、
ペレット状のポリマーを得た。このポリマーについて示
差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃における融解
熱量ΔＨは２２.5（Ｊ／ｇ）、引張伸びは３.8％、内部
ヘイズは８５.3％であった。光散乱法によって得られる
ドメイン成分の平均直径は２.8μｍであった。 〔実施例８〕実施例３で得たグラフト共重合体と比較例
１で用いたＳＰＳ及びエチレン−プロピレンゴム（日本
合成ゴム社製、商品名ＥＰ−０１Ｐ）をそれぞれ重量比
で、５０：４０：１０になるように配合し、二軸押出機
（東洋精機社製、ラボプラストミル）を用いて３００℃
にて混練しペレットを得た。このポリマーの引張伸びは
２５％であった。
【０１０６】
【発明の効果】本発明によれば、耐熱性，耐溶剤性等に
優れるとともに、良好な靱性、引張伸び及び透明性に優
れた芳香族ビニル系樹脂材料及びそれを成形してなる芳
香族ビニル系樹脂成形体を得ることができた。
優れるとともに、良好な靱性、引張伸び及び透明性に優
れた芳香族ビニル系樹脂材料及びそれを成形してなる芳
香族ビニル系樹脂成形体を得ることができた。
Claims (9)
- 【請求項１】 ３００℃の温度で、歪みγ＝２０％、周
波数を１.0Ｈｚとして測定したときの貯蔵弾性率（Ｇ’
(1.0) ）と、３００℃の温度で、歪みγ＝２０％、周波
数を０.1Ｈｚとして測定したときの貯蔵弾性率（Ｇ’
(0.1) ）とが次式で表される関係を満足する芳香族ビニ
ル系樹脂材料。 ＳＧ値＝ｌｏｇ〔Ｇ’(1.0) ／Ｇ’(0.1) 〕≦ 0.６ - 【請求項２】 下記性状を有する芳香族ビニル系樹脂材
料。 （１）示差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃にお
ける融解熱量ΔＨが８〜５０（Ｊ／ｇ）であること。 （２）シクロヘキサンを用いてソックスレー抽出を行な
ったときの残渣についての 1Ｈ−ＮＭＲにおいて、Ｂ／
Ａ＜０.4９であること。（式中、Ａは１.0〜１.7（ｐｐ
ｍ）に現れるピークの積分値であり、Ｂは１.8〜２.1
（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値である。） （３）引張伸びが５％以上であること。 - 【請求項３】 下記性状を有する芳香族ビニル系樹脂材
料。 （１）示差走査熱量計で測定した２００〜２９５℃にお
ける融解熱量ΔＨが８〜５０（Ｊ／ｇ）であること。 （２）ｏ−ジクロロベンゼンによる分取昇温分別におけ
る５０℃以上の溶出分についての 1Ｈ−ＮＭＲにおい
て、Ｂ／Ａ＜０.4９であること。（式中、Ａは１.0〜
１.7（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値であり、Ｂは
１.8〜２.1（ｐｐｍ）に現れるピークの積分値であ
る。） （３）引張伸びが５％以上であること。 - 【請求項４】 芳香族ビニル系樹脂材料が、芳香族ビニ
ルモノマー（ａ）とエチレン系共重合体マクロマー
（ｂ）とのグラフト共重合生成物である請求項１〜３の
いずれかに記載の芳香族ビニル系樹脂材料。 - 【請求項５】 請求項４に記載のエチレン系共重合体マ
クロマー（ｂ）が、エチレン，ジエン系モノマー，及び
必要に応じて用いられる芳香族ビニルモノマー及びα−
オレフィンの共重合生成物である請求項４に記載の芳香
族ビニル系樹脂材料。 - 【請求項６】 芳香族ビニル系樹脂材料が、（Ａ）芳香
族ビニル重合体、（Ｂ）分子鎖中にジエン系モノマーに
由来するビニル基を有するエチレン系共重合体、及び
（Ｃ）芳香族ビニルモノマー（ａ）とエチレン系共重合
体マクロマー（ｂ）との共重合生成物からなる芳香族ビ
ニル系樹脂組成物である請求項１〜３のいずれかに記載
の芳香族ビニル系樹脂材料。 - 【請求項７】 請求項４〜６のいずれかに記載の芳香族
ビニル系樹脂材料において、芳香族ビニルモノマーに由
来する連鎖が主としてシンジオタクチック構造を有する
ものである請求項４〜６のいずれかに記載の芳香族ビニ
ル系樹脂材料。 - 【請求項８】 請求項１〜７に記載のいずれかの芳香族
ビニル系樹脂材料と、主としてシンジオタクチック構造
を有するスチレン系重合体及び／又はゴム状弾性体から
なる芳香族ビニル系樹脂組成物である芳香族ビニル系樹
脂材料。 - 【請求項９】 請求項１〜８に記載のいずれかの芳香族
ビニル系樹脂材料を成形してなる成形体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10227763A JPH11189628A (ja) | 1997-10-24 | 1998-08-12 | 芳香族ビニル系樹脂材料及びその成形体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-292347 | 1997-10-24 | ||
| JP29234797 | 1997-10-24 | ||
| JP10227763A JPH11189628A (ja) | 1997-10-24 | 1998-08-12 | 芳香族ビニル系樹脂材料及びその成形体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11189628A true JPH11189628A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=26527854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10227763A Pending JPH11189628A (ja) | 1997-10-24 | 1998-08-12 | 芳香族ビニル系樹脂材料及びその成形体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11189628A (ja) |
-
1998
- 1998-08-12 JP JP10227763A patent/JPH11189628A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20041126 |