JPH11188886A - Production of basic body for ink jet head - Google Patents

Production of basic body for ink jet head

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Publication number
JPH11188886A
JPH11188886A JP9361127A JP36112797A JPH11188886A JP H11188886 A JPH11188886 A JP H11188886A JP 9361127 A JP9361127 A JP 9361127A JP 36112797 A JP36112797 A JP 36112797A JP H11188886 A JPH11188886 A JP H11188886A
Authority
JP
Japan
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heating resistor
resistance value
substrate
ink
resistance
Prior art date
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Pending
Application number
JP9361127A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ichiro Saito
一郎 斉藤
Yoshiyuki Imanaka
良行 今仲
Tomoyuki Hiroki
知之 廣木
Masahiko Ogawa
正彦 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH11188886A publication Critical patent/JPH11188886A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a heating element film for the basic body of an ink jet head in which the resistance is stabilized by suppressing fluctuation. SOLUTION: A heating element layer is formed by DC or RF sputtering, for example, while detecting the resistance by means of a resistance detecting element 4012, or the like. When a desired resistance is reached, formation of film is ended by stopping a power supply 4006 through a power controller 4013.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にインクを
吐出するための熱エネルギーを発生する複数の発熱抵抗
体を有するインクジェット用基体の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an ink jet substrate having a plurality of heating resistors for generating thermal energy for discharging ink onto a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】インクジェット記録方式は高速高密度で
高精度高画質の記録が可能であり、且つカラー化コンパ
クト化に適していることから近年注目されている(米国
特許第4723129号、米国特許第4740796
号)。
2. Description of the Related Art Ink jet recording systems have attracted attention in recent years because they enable high-speed, high-density, high-precision, high-quality recording and are suitable for colorization and compactness (US Pat. No. 4,723,129, US Pat. 4740796
issue).

【0003】このインクジェット記録に使用されるヘッ
ドは、図1に示すように、複数の吐出口1001が設け
られ、また、これからそれぞれインクを吐出するために
利用される熱エネルギーを発生する電気熱変換素子10
02が、各インク流路1003毎に基板1004上に設
けられている。電気熱変換素子1002は、主に発熱抵
抗体1005、これに電力を供給するための電極配線1
006、及びこれらを保護する絶縁膜1007により構
成される。また、各インク流路1003は、複数の流路
壁1008が一体的に形成された天板を、基板1004
上の電気熱変換素子等との相対位置を画像処理等の手段
により位置合わせしながら接合することで形成される。
As shown in FIG. 1, a head used for this ink jet recording is provided with a plurality of ejection ports 1001, and an electrothermal converter for generating thermal energy used for ejecting ink from each ejection port. Element 10
02 is provided on the substrate 1004 for each ink flow path 1003. The electrothermal conversion element 1002 is mainly composed of a heating resistor 1005 and an electrode wiring 1 for supplying power thereto.
006 and an insulating film 1007 for protecting them. Further, each ink flow path 1003 is formed by a top plate on which a plurality of flow path walls 1008 are integrally formed, and a substrate 1004.
It is formed by joining while positioning the relative position with the upper electrothermal conversion element or the like by means of image processing or the like.

【0004】各インク流路1003は、その吐出口10
01と反対側の端部が共通液室1009と連通してお
り、この共通液室1009にはインクタンク(図示せ
ず)から供給されるインクが貯留される。共通液室10
09に供給されたインクは、ここから各インク流路10
03に導かれ、吐出口1001近傍でメニスカスを形成
して保持される。ここで、電気熱変換素子1002を選
択的に駆動させることにより、その発生する熱エネルギ
ーを利用して熱作用面上のインクを急激に加熱させ膜沸
騰を生起することにより、インクを吐出させる。
[0004] Each ink flow path 1003 has a discharge port 10
The end opposite to 01 is in communication with the common liquid chamber 1009, and ink supplied from an ink tank (not shown) is stored in the common liquid chamber 1009. Common liquid chamber 10
09 is supplied to each of the ink flow paths 10 from here.
The liquid is guided to 03, and a meniscus is formed and held near the discharge port 1001. Here, by selectively driving the electrothermal conversion element 1002, the ink on the heat acting surface is rapidly heated by utilizing the generated thermal energy to cause film boiling, thereby discharging the ink.

【0005】図2は、インクジェット記録ヘッド用基体
2000のインク路に相当する部分を示すために、図1
で示したX−X’の一点鎖線に沿って基板面に垂直に切
断した時の模式的断面部分図である。図2において、2
001はシリコン基板、2002は熱酸化膜からなる蓄
熱層を示す。2003は蓄熱を兼ねるSiO膜やSiN
膜等からなる層間膜、2004は発熱抵抗層、2005
はAl、Al−Si、Al−Cu等の金属配線、200
6はSiO膜やSiN膜等からなる保護層を示す。20
07は、発熱抵抗層2004の発熱に伴う化学的、物理
的衝撃から保護膜2006を守るための耐キャビテーシ
ョン膜である。2008は、発熱抵抗層2004の熱作
用部である。
FIG. 2 shows a portion of the ink jet recording head substrate 2000 corresponding to an ink path,
FIG. 4 is a schematic partial cross-sectional view taken along a dashed-dotted line XX ′ shown in FIG. In FIG. 2, 2
001 is a silicon substrate, and 2002 is a heat storage layer made of a thermal oxide film. 2003 is a SiO film or SiN that also serves as heat storage.
An interlayer film made of a film or the like;
Is a metal wiring of Al, Al-Si, Al-Cu, etc., 200
Reference numeral 6 denotes a protective layer made of a SiO film, a SiN film, or the like. 20
Reference numeral 07 denotes a cavitation-resistant film for protecting the protective film 2006 from chemical and physical impacts caused by heat generation of the heat-generating resistance layer 2004. Reference numeral 2008 denotes a heat acting portion of the heating resistance layer 2004.

【0006】このようなインクジェットヘッドに使用さ
れる発熱抵抗層2004としては、現在、TaN膜等が
一般的である。このTaN膜における特性安定性、特に
長期繰り返し記録時の抵抗変化率は、TaN膜の組成と
強い相関関係が有る。中でもTaN0.8hexを含む
窒化タンタルで構成された発熱抵抗体が、長期繰り返し
記録時の抵抗変化率が少なく、吐出安定性に優れている
ことが知られている(特開平7−125218号)。
At present, a TaN film or the like is generally used as the heating resistor layer 2004 used in such an ink jet head. The characteristic stability of the TaN film, particularly the rate of change in resistance during long-term repeated recording, has a strong correlation with the composition of the TaN film. Among them, it is known that a heating resistor composed of tantalum nitride containing 0.8 hex of TaN has a small resistance change rate during long-term repetitive recording and is excellent in ejection stability (Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-125218).

【0007】一方、感熱紙やインクリボンに直接接触さ
せて記録を行うサーマルプリントヘッドにおいて、その
高速熱記録のために薄膜型の発熱抵抗体が種々提案され
ている。例えば、特開昭53−25442の号に記載の
ように、第1の元素がTi,Zr,Hf,V,Nb,T
a,WおよびMoのうちから選ばれた少なくとも1種で
あり、第2の元素がNであり、第3の元素がSiであ
り、第1の元素が5〜40原子%、第2の元素が30〜
60原子%、第3の元素が30〜60%で構成すること
により、高い温度で発熱させても寿命特性に優れた発熱
抵抗体を得ることができる。
On the other hand, various types of thin-film heating resistors have been proposed for high-speed thermal recording in a thermal print head which performs recording by directly contacting a thermal paper or an ink ribbon. For example, as described in JP-A-53-25442, the first element is Ti, Zr, Hf, V, Nb, T
a, W and Mo, at least one selected from the group consisting of N, the second element is Si, the third element is Si, the first element is 5 to 40 atomic%, and the second element is Is 30 ~
When the composition is 60 atomic% and the third element is 30 to 60%, a heating resistor excellent in life characteristics can be obtained even when heat is generated at a high temperature.

【0008】また現在は、発熱抵抗体を基板上に複数形
成したマルチオリフィス(多数ノズル)タイプのインク
ジェット用記録ヘッドが主流となっている。例えば、6
4ノズルや128ノズルのものがある。
At present, a multi-orifice (multiple nozzles) type ink jet recording head in which a plurality of heating resistors are formed on a substrate is mainly used. For example, 6
There are 4 nozzles and 128 nozzles.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述した多数ノズルタ
イプのインクジェット用記録ヘッドにおいては、下記の
ような問題点があった。
The above-mentioned multi-nozzle type ink jet recording head has the following problems.

【0010】例えば、一度に多数の記録ヘッドに用いら
れる発熱抵抗体を成膜するので、発熱抵抗体を形成する
際の成膜時の各種条件変動により、形成された発熱抵抗
体の抵抗値にばらつきが生じることがあった。
For example, since a heating resistor used for a large number of recording heads is formed at a time, the resistance value of the formed heating resistor depends on various conditions during film formation when the heating resistor is formed. Variation sometimes occurred.

【0011】この発熱抵抗体形成時の変動要因として
は、ターゲットに投入するパワー、導入ガス、基板加熱
温度等の変動が考えられる。これらの変動を抑えるため
に、装置上及びプロセス上の検討はなされているが、十
分なものではなかった。この発熱抵抗体の抵抗値がばら
ついていると、吐出量が変動し安定した記録がなされな
い。そこで、安定した記録を行うために各種試みがなさ
れている。
Factors that may cause fluctuations in the formation of the heating resistor include fluctuations in the power supplied to the target, the introduced gas, the substrate heating temperature, and the like. In order to suppress these fluctuations, studies on equipment and processes have been made, but they have not been sufficient. If the resistance value of the heating resistor varies, the ejection amount fluctuates and stable recording cannot be performed. Therefore, various attempts have been made to perform stable recording.

【0012】例えば、出来上がった発熱抵抗体の抵抗値
にばらつきが生じた場合には、記録ヘッド毎に印加する
駆動電圧を調整する方法がある。この方法においては、
発熱抵抗層を形成する際に、その近傍にインクの吐出に
は用いない抵抗層を同時に成膜する。そして、プリンタ
本体側からその発熱抵抗層の抵抗値を測定することによ
り、実際にインクの吐出を発熱抵抗層の抵抗値を推測し
て、その推測された抵抗値に応じた駆動電圧を記録ヘッ
ドに印加するものである。しかしながら、このようにし
て推測された抵抗値は、電極の抵抗値のばらつきや、プ
リンタ本体側での抵抗値読み取り誤差等により、実際の
発熱抵抗層の抵抗値との間に多少の誤差を含む。また、
プリンタ本体側とのやりとりが必要になることから、装
置を複雑にする等の事態を招く。
For example, when the resistance value of the completed heating resistor varies, there is a method of adjusting the driving voltage applied to each recording head. In this method,
When forming the heating resistance layer, a resistance layer that is not used for ink ejection is simultaneously formed near the heating resistance layer. Then, by measuring the resistance value of the heating resistance layer from the printer main body side, the ink ejection is actually estimated to estimate the resistance value of the heating resistance layer, and the driving voltage according to the estimated resistance value is set to the recording head. Is applied. However, the resistance value estimated in this manner includes a slight error between the resistance value of the actual heating resistance layer and the like due to variations in the resistance value of the electrodes, resistance reading errors on the printer body side, and the like. . Also,
Since the communication with the printer main body is required, a situation such as complication of the apparatus is caused.

【0013】また、例えば、発熱抵抗体に印加する電圧
をダブルパルス駆動にすることにより、吐出量を調整す
る方法がある。ダブルパルス駆動とは、図3に示すよう
に主パルスP2と副パルスP1と、その間の休止時間P
3とからなるパルスにおいて、副パルス長と休止時間と
を調整することにより、インクの吐出量と基板の温度を
調整するものである。各駆動パルスは、駆動手段300
4およびシフトレジスタ3005を介して発熱抵抗層3
006へ与えられ、これにより吐出口3007内のイン
ク3003に気泡3002が生じてインク滴3001が
吐出される。ここで、基板温度が摂氏10℃程度の比較
的低温の場合には、インクが高粘度化しているため吐出
量が減少している。その場合には、副パルス幅を長く設
定することで、吐出量を増やすことができる。一方、基
板温度が50℃程度に上昇している場合には、印加エネ
ルギーは小さくてよいので副パルス幅を短く設定し、吐
出量を減らす。
Further, for example, there is a method of adjusting the discharge amount by making the voltage applied to the heating resistor a double pulse drive. As shown in FIG. 3, the double pulse drive means that the main pulse P2 and the sub-pulse P1 and the pause time P
By adjusting the sub-pulse length and the pause time in the pulse composed of No. 3, the ink ejection amount and the substrate temperature are adjusted. Each drive pulse is applied to the drive means 300
4 and the heating resistor layer 3 via the shift register 3005
006, whereby a bubble 3002 is generated in the ink 3003 in the discharge port 3007, and the ink droplet 3001 is discharged. Here, when the substrate temperature is relatively low, such as about 10 ° C., the ejection amount decreases because the viscosity of the ink is increased. In that case, the ejection amount can be increased by setting the sub pulse width to be long. On the other hand, when the substrate temperature rises to about 50 ° C., the applied energy may be small, so that the sub-pulse width is set short to reduce the ejection amount.

【0014】しかしながら、安定した記録を行うために
吐出量を安定化させるためのこれらの試みでは、駆動方
法が複雑になり、必ずしも満足のいくものではなかっ
た。したがって、インクジェット用基体の製造の段階
で、発熱抵抗体の抵抗値のばらつきを可能な限り少なく
し、安定した発熱抵抗体を形成することが要求される。
しかも、今後、さらなる記録の高画質化や高速化が要求
され、そのための多数ノズル化においては、発熱抵抗体
の抵抗値のばらつきを抑えることは急務となっている。
[0014] However, these attempts to stabilize the ejection amount for stable printing have complicated the driving method and have not always been satisfactory. Therefore, it is required to form a stable heating resistor by minimizing the variation in the resistance value of the heating resistor in the stage of manufacturing the inkjet base.
Further, in the future, higher image quality and higher speed of printing will be required, and in order to increase the number of nozzles, it is urgently necessary to suppress the variation in the resistance value of the heating resistor.

【0015】本発明の主たる目的は、従来のインクジェ
ット記録ヘッドの発熱抵抗体に関する上述した諸問題を
解決し、ばらつきが少なく安定した抵抗値を有する発熱
抵抗体を簡易に得ることを可能にするインクジェット用
基体の製造方法を提供することにある。
A main object of the present invention is to solve the above-mentioned problems relating to the heating resistor of the conventional ink jet recording head, and to make it possible to easily obtain a heating resistor having a stable resistance value with little variation. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a substrate for use.

【0016】本発明の他の目的は、記録画像の高精細化
に対応した小ドット化や高速記録に対応した多数ノズル
化においても、吐出が安定した発熱抵抗体を簡易に得る
ことを可能にするインクジェット用基体の製造方法を提
供することにある。
Another object of the present invention is to make it possible to easily obtain a heat-generating resistor with stable ejection even in the case of small dots corresponding to high definition of a recorded image and multiple nozzles corresponding to high speed recording. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an ink jet substrate.

【0017】本発明の他の目的は、ばらつきが少なく安
定した抵抗値を有する発熱抵抗体を形成することによ
り、駆動方法が簡略化され、低コストの装置を実現でき
るインクジェット用基体の製造方法を提供することにあ
る。
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a substrate for ink jet which can simplify a driving method and realize a low-cost apparatus by forming a heating resistor having a stable and stable resistance value. To provide.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するために鋭意検討を行った結果、以下の製造
方法の提供により前記目的を達成した。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, have achieved the above object by providing the following manufacturing method.

【0019】すなわち本発明は、基板上に、インクを吐
出するための熱エネルギーを発生する複数の発熱抵抗体
を有するインクジェットヘッド用基体の製造方法におい
て、前記発熱抵抗体の抵抗値を検出しながら該発熱抵抗
体を形成し、該抵抗値が所望の値に達したら、該発熱抵
抗体の形成を終了させることを特徴とするインクジェッ
トヘッド用基体の製造方法である。
That is, the present invention relates to a method of manufacturing a substrate for an ink jet head having a plurality of heating resistors for generating thermal energy for ejecting ink on a substrate. A method of manufacturing a substrate for an ink jet head, comprising: forming the heating resistor; and, when the resistance value reaches a desired value, terminating the formation of the heating resistor.

【0020】このような工程を行なうことにより、イン
クジェットヘッド用基体の発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
きを抑えることができ、その結果、高品位の記録画像が
得られ、かつ駆動方法が簡略化され、低コストの液体吐
出装置を提供することができる。
By performing such a process, it is possible to suppress the variation in the resistance value of the heating resistor of the ink jet head substrate, and as a result, it is possible to obtain a high-quality recorded image and to simplify the driving method. Thus, it is possible to provide a low-cost liquid ejection device.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0022】本発明の製造方法により、前述の図1及び
図2に示した構成のインクジェットヘッド用基体、及び
これを用いたインクジェットヘッドを製造できる。本発
明において、発熱抵抗体2004の成膜法としては、直
流(DC)電源や高周波(RF)電源を用いたDCまた
はRFスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティン
グ法など、各種成膜法が用いられるが、一般的にはDC
またはRFスパッタリング法が用いられる。
According to the manufacturing method of the present invention, an ink jet head substrate having the structure shown in FIGS. 1 and 2 and an ink jet head using the same can be manufactured. In the present invention, as a film forming method of the heating resistor 2004, various film forming methods such as a DC or RF sputtering method using a direct current (DC) power supply and a high frequency (RF) power supply, a vapor deposition method, and an ion plating method are used. But generally DC
Alternatively, an RF sputtering method is used.

【0023】図4は、発熱抵抗層2004を成膜するス
パッタリング装置の概要を示す。図4において、400
1はあらかじめ所定の組成に作製されたターゲット、4
002は平板マグネット、4011は基板への成膜をコ
ントロールするシャッター、4003は基板ホルダー、
4004は基板、4006はターゲット4001と基板
ホルダー4003に接続された電源である。4012は
発熱抵抗体の抵抗値をモニターする抵抗値検知素子、4
013は抵抗値検知素子4012の信号に応じて電源4
006のパワーを制御するコントローラーである。
FIG. 4 shows an outline of a sputtering apparatus for forming a heating resistance layer 2004. In FIG.
1 is a target prepared in advance with a predetermined composition,
002 is a plate magnet, 4011 is a shutter for controlling film formation on a substrate, 4003 is a substrate holder,
Reference numeral 4004 denotes a substrate, and 4006 denotes a power supply connected to the target 4001 and the substrate holder 4003. Reference numeral 4012 denotes a resistance detection element for monitoring the resistance of the heating resistor,
Reference numeral 013 denotes a power supply 4 according to a signal from the resistance value detecting element 4012.
006 is a controller that controls the power.

【0024】さらに、図4において、4008は成膜室
4009の外周壁を囲んで設けられた外部ヒーターであ
る。外部ヒーター4008は、成膜室4009の雰囲気
温度を調節するのに使用される。基板ホルダー4003
の裏面には、基板の温度コントロールを行う内部ヒータ
ー4005が設けられている。この基板の温度コントロ
ールは、外部ヒーター4008を併用して行うことが好
ましい。
Further, in FIG. 4, reference numeral 4008 denotes an external heater provided around the outer peripheral wall of the film forming chamber 4009. The external heater 4008 is used for adjusting the ambient temperature of the film formation chamber 4009. Substrate holder 4003
Is provided with an internal heater 4005 for controlling the temperature of the substrate. It is preferable to control the temperature of the substrate by using an external heater 4008 in combination.

【0025】図4の装置を用いた成膜は、例えば以下の
様に行なう。まず、排気ポンプ4007を用いて成膜室
4009を1×10-5〜1×10-6Paまで排気する。
次いで、アルゴンガスと窒素ガスからなる混合ガスを、
マスフローコントローラー(不図示)を介してガス導入
口4010から成膜室4009に導入する。この時、基
板温度及び雰囲気温度が所定の温度になるように、内部
ヒーター4005、外部ヒーター4008を調節する。
次に、コントローラー4013により電源4006のパ
ワーを所定の値に制御し、ターゲット4001にパワー
を印加してスパッタリング放電を行う。ターゲットから
スパッタされた発熱抵抗体が基板上に堆積すると、その
時の抵抗値Rは次式で示される。
The film formation using the apparatus shown in FIG. 4 is performed, for example, as follows. First, the deposition chamber 4009 is evacuated to 1 × 10 −5 to 1 × 10 −6 Pa using the exhaust pump 4007.
Next, a mixed gas composed of argon gas and nitrogen gas is
The gas is introduced from the gas inlet 4010 into the film forming chamber 4009 via a mass flow controller (not shown). At this time, the internal heater 4005 and the external heater 4008 are adjusted so that the substrate temperature and the ambient temperature become predetermined temperatures.
Next, the power of the power supply 4006 is controlled to a predetermined value by the controller 4013, and the sputtering is performed by applying the power to the target 4001. When the heating resistor sputtered from the target is deposited on the substrate, the resistance value R at that time is expressed by the following equation.

【0026】R=ρ・l/w・t[Ω] (ρ:抵抗体の比抵抗[Ω・cm]、l:抵抗体の長さ
[cm]、w:抵抗体の幅[cm]、t:抵抗体の厚さ
[cm])。
R = ρ · l / w · t [Ω] (ρ: specific resistance of the resistor [Ω · cm], l: length of the resistor [cm], w: width of the resistor [cm], t: thickness [cm] of the resistor.

【0027】このターゲットからスパッタされたスパッ
タ粒子は、時間とともに基板4004上に堆積していく
一方(図5曲線A)、抵抗値検知素子4012上にも堆
積(図5曲線B)することから、抵抗値検知素子401
2上の時間とともに堆積する発熱抵抗体の抵抗値をモニ
ターすることができる。ここで、図5のような基板40
04と抵抗値検知素子4012の抵抗値の相関を予め調
べ、発熱抵抗体が目標とする抵抗値Rになる時の抵抗値
検知素子4012でモニターした抵抗値R’の値を求め
ておく。そして、発熱抵抗体の成膜工程において、抵抗
値検知素子4012で抵抗値R’をモニターした時に、
コントローラー4013により電源4006のパワーを
制御もしくは停止する。また、成膜の開始/終了はシャ
ッター4011を併用して制御することも可能である。
The sputtered particles sputtered from this target accumulate on the substrate 4004 over time (curve A in FIG. 5) and also accumulate on the resistance detecting element 4012 (curve B in FIG. 5). Resistance value detection element 401
2, the resistance value of the heating resistor deposited with time can be monitored. Here, the substrate 40 as shown in FIG.
04 and the resistance value of the resistance value detection element 4012 are checked in advance, and the value of the resistance value R ′ monitored by the resistance value detection element 4012 when the heating resistor reaches the target resistance value R is obtained in advance. Then, in the step of forming the heating resistor, when the resistance value R ′ is monitored by the resistance value detecting element 4012,
The power of the power supply 4006 is controlled or stopped by the controller 4013. Further, the start / end of the film formation can be controlled by using the shutter 4011 together.

【0028】図6は、図4の装置を用いた発熱抵抗体の
成膜工程を示すフローチャートである。すなわち、この
ようなフローチャートに従うことにより、良好な発熱抵
抗体の成膜が可能である。
FIG. 6 is a flowchart showing a film forming process of the heating resistor using the apparatus of FIG. That is, by following such a flowchart, it is possible to form a good heat-generating resistor.

【0029】なお、図4に示した例では、基板以外の場
所に抵抗値検知素子4012を設けたが、基板上にそれ
らを構成してもよい。また、上記例においては、発熱抵
抗体の成膜は、合金ターゲットを用いた反応性スパッタ
リング法で形成する方法について説明したが、本発明は
これに限定されず、別々複数のターゲットを用い、それ
ぞれに接続された複数の電源のパワーを制御して成膜を
行う、多源同時反応性スパッタリングより形成すること
も可能である。この場合は、各々のターゲットに印加す
るパワーを単独に制御することが可能となる。
In the example shown in FIG. 4, the resistance value detecting elements 4012 are provided in places other than the substrate, but they may be formed on the substrate. Further, in the above example, the method of forming the heating resistor by a reactive sputtering method using an alloy target was described.However, the present invention is not limited to this. It is also possible to form by multi-source simultaneous reactive sputtering in which film formation is performed by controlling the power of a plurality of power supplies connected to the power source. In this case, it is possible to independently control the power applied to each target.

【0030】以上説明した方法により、発熱抵抗体を成
膜して製造したインクジェットヘッド用基板は、紙、プ
ラスチックシート、布、物品等を包含する記録保持体に
対して、インク、機能性液体等を吐出することにより文
字、記号、画像等の記録、印刷等を行うインクジェット
ヘッドを構成するための基体として用いられ、この基体
を用いて構成されるインクジェットヘッド、このインク
ジェットヘッドに対して供給されるインクを貯溜するた
めのインク貯溜部を含むインクジェットペン、及びイン
クジェットヘッドが装着されるインクジェット装置に利
用される。
The substrate for an ink-jet head manufactured by forming a heating resistor by the method described above is used for a recording medium including paper, plastic sheet, cloth, article, etc. with ink, functional liquid or the like. Is used as a base for forming an ink jet head for recording, printing, etc. of characters, symbols, images, and the like by discharging ink, and an ink jet head configured using this base is supplied to the ink jet head. It is used for an ink-jet pen including an ink storage section for storing ink and an ink-jet device to which an ink-jet head is mounted.

【0031】ここで言うインクジェットペンは、インク
ジェットヘッドとインク貯溜部とを一体としたカートリ
ッジ形態も、それらを互いに別体として取り外し可能に
組み合わせた形態も包含するものを意味する。このイン
クジェットペンは、装置本体側のキャリッジ等の搭載手
段に対して着脱自在である。また、ここで言うインクジ
ェット装置は、ワードプロセッサー、コンピューター等
の情報処理機器の出力端末として一体的に、または別体
として設けられるものの他、情報読み取り機器等と組合
わされた複写装置、情報送受信機能を有するファクシミ
リ装置、布への捺染を行う機械等の種々の形態を包含す
るものを意味する。
The ink-jet pen mentioned here includes both a cartridge form in which the ink-jet head and the ink storage section are integrated and a form in which they are detachably assembled separately from each other. This ink-jet pen is detachable from mounting means such as a carriage on the apparatus main body side. In addition, the ink jet device referred to here is a word processor, an output terminal of an information processing device such as a computer, which is integrally or separately provided, as well as a copying device combined with an information reading device and the like, and has an information transmitting / receiving function. Facsimile machines, machines that print on fabric, etc.

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。但
し、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
Embodiments of the present invention will be described below. However, the present invention is not limited to the following examples.

【0033】<実施例1>本実施例においては、Si基
板あるいは既に駆動用のICを作り込んだSi基板を用
いた。このSi基板には、熱酸化法、スパッタ法、CV
D法などによって膜厚1.2μmのSiO2の蓄熱層2
002を形成し、またICを作り込んだSi基板も同様
にその製造プロセス中で、SiO2の蓄熱層を形成して
おいた。
<Embodiment 1> In this embodiment, a Si substrate or a Si substrate in which a driving IC has already been fabricated is used. Thermal oxidation, sputtering, CV
1.2 μm thick SiO 2 heat storage layer 2 by D method or the like
002 was formed, and a heat storage layer of SiO 2 was also formed during the manufacturing process of the Si substrate in which the IC was formed.

【0034】次に、スパッタ法、CVD法などによって
SiNあるいはSiO2 から成る膜厚1.2μmの層間
絶縁膜2003を形成した。次いで、発熱抵抗層200
4を図6のフローチャートに従い、図4の装置を用いて
形成した。
Next, a 1.2 μm-thick interlayer insulating film 2003 made of SiN or SiO 2 was formed by a sputtering method, a CVD method, or the like. Next, the heating resistance layer 200
4 was formed using the apparatus of FIG. 4 according to the flowchart of FIG.

【0035】まず、Ta−Siからなる合金ターゲット
を用い、Arガス80ccm、N2ガス20ccmの混
合ガスをガス導入口4010から導入した。この時の基
板温度は200℃で行った、次いで、コントローラー4
013から電源4006に制御信号を送り、ターゲット
4001にパワーを投入し、放電が安定したところでシ
ャッター4011を開き、基板4004上に発熱抵抗層
2004の形成を開始した。一方、シャッター4011
を開いたことにより、基板4004の近傍に設置された
抵抗値検知素子4012上にも膜形成が開始された。
First, a mixed gas of Ar gas 80 ccm and N 2 gas 20 ccm was introduced from a gas inlet 4010 using an alloy target made of Ta-Si. At this time, the substrate temperature was set at 200 ° C.
A control signal was sent from 013 to a power supply 4006, power was applied to the target 4001, the shutter 4011 was opened when the discharge was stabilized, and the formation of the heating resistor layer 2004 on the substrate 4004 was started. On the other hand, the shutter 4011
Was opened, film formation was started on the resistance value detecting element 4012 provided near the substrate 4004.

【0036】この抵抗値検知素子4012としては、図
7に示すように、実際に使用されるヒーターサイズにパ
ターン形成されたものが両側の電極にはさまれているも
のを用いた。勿論この抵抗値検知素子4012にパター
ン形成されたヒーターサイズは、実際に使用されるヒー
ターサイズと対応がとれたものであれば必ずしもその大
きさは限定されるものではない。
As the resistance value detecting element 4012, as shown in FIG. 7, an element having a pattern of a heater size actually used and sandwiched between electrodes on both sides was used. Of course, the size of the heater formed in a pattern on the resistance value detecting element 4012 is not necessarily limited as long as it corresponds to the heater size actually used.

【0037】この電極は抵抗値測定器に接続されてお
り、上記パターン上に薄膜が形成されると両端電極間の
抵抗値が測定されるようになっている。従って、シャッ
ター4011を開いて膜形成が進行している際の抵抗値
が常時モニターできるようになっており、そのデータは
コントローラー4013に入力される。そして、その抵
抗値が所定の値に達すると、コントローラー4013か
ら電源4006に制御信号が送られ、ターゲットに投入
するパワーを停止するとともに、シャッターが閉じら
れ、発熱抵抗層2004の形成が終了する。
This electrode is connected to a resistance value measuring device, and when a thin film is formed on the pattern, the resistance value between both electrodes is measured. Therefore, the resistance value when the film formation is in progress by opening the shutter 4011 can be constantly monitored, and the data is input to the controller 4013. Then, when the resistance value reaches a predetermined value, a control signal is sent from the controller 4013 to the power supply 4006, the power supplied to the target is stopped, the shutter is closed, and the formation of the heating resistance layer 2004 is completed.

【0038】発熱抵抗層2004の形成を終了した後、
電極配線2005として厚さ5500オングストローム
のAl膜をスパッタリング法により形成した。次に、フ
ォトリソ法を用いてパターン形成し、Al膜を取り除い
た22μm×45μmの熱作用部2008を形成した。
次に、保護膜2006としてプラズマCVD法によっ
て、SiNから成る膜厚1μmの絶縁体を形成した。次
に、耐キャビテーション層2007としてスパッタリン
グ法によりTa膜を膜厚2300オングストローム形成
し、フォトリソ法により、図1に示すようなインクジェ
ットヘッド用基体を作製した。
After the formation of the heating resistor layer 2004 is completed,
An Al film having a thickness of 5500 Å was formed as the electrode wiring 2005 by a sputtering method. Next, a pattern was formed using a photolithography method, and a 22 μm × 45 μm heat acting portion 2008 from which the Al film had been removed was formed.
Next, a 1 μm-thick insulator made of SiN was formed as a protective film 2006 by a plasma CVD method. Next, a Ta film having a thickness of 2300 Å was formed as the anti-cavitation layer 2007 by a sputtering method, and a substrate for an ink jet head as shown in FIG. 1 was produced by a photolithography method.

【0039】このようにして作製された基体を用いて、
発熱抵抗体の抵抗値を測定した。目標とする抵抗値45
0Ωを得るために設定した抵抗値600Ωに対して実際
に作製された抵抗値は455Ωであり、誤差の少ない抵
抗値が得られた。
Using the substrate thus produced,
The resistance value of the heating resistor was measured. Target resistance value 45
The resistance value actually manufactured was 455 Ω with respect to the resistance value of 600 Ω set to obtain 0 Ω, and a resistance value with a small error was obtained.

【0040】次に、この基体を用いてインクの発泡開始
電圧Vthを調べた。この発泡開始電圧Vthとは、発熱抵
抗体に駆動周波数10kHz、駆動パルス幅5μse
c.のパルス信号を与え、印加電圧を上げていきながら
インクが発泡を開始する電圧である。この発泡開始電圧
thはヘッド毎に同一で、ばらつきが少なければ、ヘッ
ドに左右されない安定した吐出がなされるので好まし
い。この基体の発泡開始電圧Vthは約16Vであった。
Next, using this substrate, the foaming start voltage Vth of the ink was examined. The foaming start voltage V th is obtained by applying a driving frequency of 10 kHz and a driving pulse width of 5 μs to the heating resistor.
c. And a voltage at which the ink starts foaming while increasing the applied voltage. The foaming start voltage Vth is the same for each head, and it is preferable that the variation is small because stable ejection independent of the head is performed. The foaming start voltage V th of this substrate was about 16 V.

【0041】本実施例においては、連続して10個の基
体を作製し、同様の方法で発熱抵抗体の抵抗値およびV
thを測定した。その結果を図8および図9の実線に示
す。これら図に示す様に、本実施例においては、抵抗値
およびVthのばらつきが少なかった。
In this embodiment, ten substrates are successively formed, and the resistance value of the heating resistor and V
th was measured. The results are shown by the solid lines in FIGS. As shown in these figures, in the present embodiment, variations in the resistance value and Vth were small.

【0042】<比較例1>従来法と同様に、抵抗値検知
素子4012は使用せずに、予め設定した画一の成膜条
件に従い実施したこと以外は、実施例1と同様にしてイ
ンクジェットヘッド用基体を連続して10個作製し、同
様に発熱抵抗体の抵抗値およびVthを測定した。その結
果を図8および図9の破線に示す。これらの図に示す結
果から、本発明の製造方法を用いた実施例1(実線)で
は、従来の製造方法を用いた比較例1(破線)に対し
て、抵抗値およびVthともにばらつきが少ないことが分
かる。
Comparative Example 1 In the same manner as in the conventional method, the inkjet head was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the resistance value detecting element 4012 was not used and the film formation was performed in accordance with preset uniform film forming conditions. Ten substrates were continuously manufactured, and the resistance value and V th of the heating resistor were measured in the same manner. The results are shown by the broken lines in FIGS. From the results shown in these figures, in Example 1 (solid line) using the manufacturing method of the present invention, there is less variation in both the resistance value and Vth than in Comparative Example 1 (dashed line) using the conventional manufacturing method. You can see that.

【0043】<実施例2>成膜条件を、Taターゲット
パワー:400W、Siターゲットパワー:200W
(2元スパッタリング法)、Arガス:78ccm、N
2 ガス:22cmに変更し、ヒーターサイズ(熱作用部
2008)を23×30μmに変えたこと以外は、実施
例1と同様にしてインクジェットヘッド用基体を連続し
て10個作製し、同様に発熱抵抗体の抵抗値およびVth
を測定した。その結果を図10および図11の実線に示
す。これら図に示す様に、本実施例においても、抵抗値
およびVthのばらつきが少なかった。
<Embodiment 2> The film forming conditions were as follows: Ta target power: 400 W, Si target power: 200 W
(Binary sputtering method), Ar gas: 78 ccm, N
2 gas: changed to 22 cm, and 10 ink-jet head bases were continuously produced in the same manner as in Example 1 except that the heater size (heat acting portion 2008) was changed to 23 × 30 μm, and heat was similarly generated. Resistance value of resistor and V th
Was measured. The results are shown by the solid lines in FIG. 10 and FIG. As shown in these figures, also in the present example, the variation in the resistance value and Vth was small.

【0044】<比較例2>従来法と同様に、抵抗値検知
素子4012は使用せずに、予め設定した画一の成膜条
件に従い実施したこと以外は、実施例1と同様にしてイ
ンクジェットヘッド用基体を連続して10個作製し、同
様に発熱抵抗体の抵抗値およびVthを測定した。その結
果を図10および図11の破線に示す。これらの図に示
す結果から、本発明の製造方法を用いた実施例2(実
線)においても、同様に、従来の製造方法を用いた比較
例2(破線)に対して、抵抗値およびVthともにばらつ
きが少ないことが分かる。
Comparative Example 2 In the same manner as in the conventional method, the inkjet head was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the resistance value sensing element 4012 was not used and the film formation was performed in accordance with preset uniform film forming conditions. Ten substrates were continuously manufactured, and the resistance value and V th of the heating resistor were measured in the same manner. The results are shown by broken lines in FIGS. From the results shown in these figures, in Example 2 (solid line) using the manufacturing method of the present invention, the resistance value and V th were similarly compared with Comparative Example 2 (dashed line) using the conventional manufacturing method. It can be seen that both have little variation.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ばらつきが少なく安定した抵抗値を有する発熱抵抗体を
簡易に得ることができる。
As described above, according to the present invention,
A heating resistor having a small resistance and a stable resistance value can be easily obtained.

【0046】さらに、記録画像の高精細化に対応した小
ドット化や高速記録に対応した多数ノズル化において
も、吐出が安定した発熱抵抗体を簡易に得ることがで
き、すなわち吐出が安定した液体吐出ヘッド用基体、該
基体を備えた液体吐出ヘッド、及び該液体ヘッドを備え
た液体吐出装置を提供することが可能となる。
Further, even in the case of a small dot corresponding to high definition of a recorded image and a large number of nozzles corresponding to high speed recording, a heating resistor with stable ejection can be easily obtained. It is possible to provide a discharge head base, a liquid discharge head including the base, and a liquid discharge apparatus including the liquid head.

【0047】さらに、ばらつきが少なく安定した抵抗値
を有する発熱抵抗体を形成することにより、従来吐出を
安定化させるために必要であった駆動方法が簡略化さ
れ、低コストの装置を実現できる。
Further, by forming a heating resistor having a stable resistance value with a small variation, the driving method conventionally required for stabilizing the ejection is simplified, and a low-cost apparatus can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明によるインクジェットヘッドの基板を示
す概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a substrate of an inkjet head according to the present invention.

【図2】図1をX−X’の一点鎖線で垂直に切断したと
きの基板の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate when FIG. 1 is cut perpendicularly by a dashed line XX ′.

【図3】インクジェット記録ヘッド用基体のダブルパル
ス駆動発泡の模式的断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of double pulse driving foaming of a substrate for an ink jet recording head.

【図4】本発明によるインクジェット記録ヘッド用基体
の各層を成膜する成膜装置である。
FIG. 4 is a film forming apparatus for forming each layer of a substrate for an ink jet recording head according to the present invention.

【図5】成膜時間の経過とともに変化する発熱抵抗体の
抵抗値を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a resistance value of a heating resistor that changes with the lapse of a film forming time.

【図6】本発明による成膜方法を示すフローチャートで
ある。
FIG. 6 is a flowchart showing a film forming method according to the present invention.

【図7】本発明の製造方法に用いる抵抗値検知素子を示
す図である。
FIG. 7 is a view showing a resistance value detecting element used in the manufacturing method of the present invention.

【図8】実施例1及び比較例1における発熱抵抗体の抵
抗値の結果を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing the results of the resistance values of the heating resistors in Example 1 and Comparative Example 1.

【図9】実施例1及び比較例1における発泡開始電圧V
thの結果を示す図である。
FIG. 9 shows a foaming start voltage V in Example 1 and Comparative Example 1.
It is a figure showing a result of th .

【図10】実施例2及び比較例2における発熱抵抗体の
抵抗値の結果を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing the results of the resistance values of the heating resistors in Example 2 and Comparative Example 2.

【図11】実施例2及び比較例2における発泡開始電圧
thの結果を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing the results of foaming start voltage V th in Example 2 and Comparative Example 2.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1001 吐出口 1002 電気熱変換素子 1003 インク流路 1004 基板 1005 発熱抵抗体 1006 電極配線 1007 絶縁膜 1008 流路壁 1009 共通液室 2000 基体 2001 シリコン基板 2002 蓄熱層 2003 層間膜 2004 発熱抵抗層 2005 金属配線 2006 保護膜 2007 耐キャビテーション膜 2008 熱作用部 3001 インク滴 3002 気泡 3003 インク 3004 駆動手段 3005 シフトレジスタ 3006 発熱抵抗層 3007 吐出口 4001 ターゲット 4002 平板マグネット 4003 基板ホルダー 4004 基板 4005 内部ヒーター 4006 電源 4007 排気ポンプ 4008 外部ヒーター 4009 成膜室 4010 ガス導入口 4011 シャッター 4012 抵抗値検知素子 4013 コントローラー REFERENCE SIGNS LIST 1001 discharge port 1002 electrothermal conversion element 1003 ink flow path 1004 substrate 1005 heating resistor 1006 electrode wiring 1007 insulating film 1008 flow path wall 1009 common liquid chamber 2000 base 2001 silicon substrate 2002 heat storage layer 2003 interlayer film 2004 heating resistance layer 2005 metal wiring 2006 Protective film 2007 Anti-cavitation film 2008 Heat acting part 3001 Ink droplet 3002 Bubbles 3003 Ink 3004 Driving means 3005 Shift register 3006 Heating resistance layer 3007 Discharge port 4001 Target 4002 Plate magnet 4003 Substrate holder 4004 Substrate 4005 Internal heater 4006 Power supply 4007 Pump External heater 4009 Deposition chamber 4010 Gas inlet 4011 Shutter 4012 Resistance detection Element 4013 Controller

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 正彦 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Masahiko Ogawa 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、インクを吐出するための熱エ
ネルギーを発生する複数の発熱抵抗体を有するインクジ
ェットヘッド用基体の製造方法において、 前記発熱抵抗体の抵抗値を検出しながら該発熱抵抗体を
形成し、該抵抗値が所望の値に達したら、該発熱抵抗体
の形成を終了させることを特徴とするインクジェットヘ
ッド用基体の製造方法。
1. A method of manufacturing a substrate for an inkjet head having a plurality of heating resistors for generating thermal energy for discharging ink on a substrate, wherein the heating resistor is detected while detecting a resistance value of the heating resistor. Forming a heating element and terminating the formation of the heating resistor when the resistance value reaches a desired value.
【請求項2】 前記発熱抵抗体を形成するためのパワー
を供給する電源と、該電源のパワーをコントロールする
ためのパワーコントローラーと、該発熱抵抗体の抵抗値
をモニターする抵抗値検出手段とを用い、該抵抗値検出
手段により該発熱抵抗体の抵抗値を検出しながら該発熱
抵抗体を形成し、該抵抗値が所望の値に達したら、該パ
ワーコントローラーを介して該電源のパワーを停止させ
ることにより該発熱抵抗体の形成を終了させる請求項1
記載のインクジェットヘッド用基体の製造方法。
2. A power supply for supplying power for forming the heating resistor, a power controller for controlling the power of the power supply, and a resistance detecting means for monitoring a resistance value of the heating resistor. The heating resistor is formed while detecting the resistance value of the heating resistor by the resistance value detecting means, and when the resistance value reaches a desired value, the power of the power supply is stopped via the power controller. The formation of the heating resistor is terminated by causing the heating resistor to be formed.
A method for producing a substrate for an inkjet head as described above.
【請求項3】 DCまたはRFスパッタリング法により
前記発熱抵抗体を形成し、該発熱抵抗体の抵抗値が所望
の値に達したら、ターゲットに投入するDCまたはRF
電源のパワーを停止させることにより該発熱抵抗体の形
成を終了させる請求項2記載のインクジェットヘッド用
基体の製造方法。
3. The heating resistor is formed by a DC or RF sputtering method, and when the resistance value of the heating resistor reaches a desired value, DC or RF is applied to a target.
3. The method for manufacturing a substrate for an ink jet head according to claim 2, wherein the formation of the heating resistor is terminated by stopping the power of the power supply.
【請求項4】 Ta−Siからなる合金ターゲットを用
い、ArとN2からなる混合ガス雰囲気中で反応性スパ
ッタリングにより前記発熱抵抗体を形成する請求項2記
載のインクジェットヘッド用基体の製造方法。
4. The method according to claim 2, wherein the heating resistor is formed by reactive sputtering in a mixed gas atmosphere of Ar and N 2 using an alloy target made of Ta—Si.
【請求項5】 TaおよびSiからなる2種類のターゲ
ットを用い、ArとN2からなる混合ガス雰囲気中で2
元反応性スパッタリングにより前記発熱抵抗体を形成す
る請求項2記載のインクジェットヘッド用基体の製造方
法。
5. using two types of targets made of Ta and Si, 2 in a mixed gas atmosphere consisting of Ar and N 2
3. The method for manufacturing a substrate for an ink jet head according to claim 2, wherein the heat generating resistor is formed by primary reactive sputtering.
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