JPH11180800A - 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ - Google Patents
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハInfo
- Publication number
- JPH11180800A JPH11180800A JP36414397A JP36414397A JPH11180800A JP H11180800 A JPH11180800 A JP H11180800A JP 36414397 A JP36414397 A JP 36414397A JP 36414397 A JP36414397 A JP 36414397A JP H11180800 A JPH11180800 A JP H11180800A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- crystal
- single crystal
- pulling
- silicon single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 CZ法により育成されたシリコン単結晶ウエー
ハにおいて、熱酸化処理時に OSFリングは発生せず、OS
F リング核は存在せず、FPD 及び L/Dがウエーハ全面内
に存在せず、該リング内側のＮ1(V)領域を最大限拡大し
た極低欠陥密度であり、ゲッタリング能力のあるシリコ
ン単結晶ウエーハを提供する。 【解決手段】 CZ法において引上速度をＦ［mm/min］と
し、シリコンの融点から1400℃間の引上軸方向の結晶内
温度勾配平均値をＧ［℃／mm］で表した時、F/G値を縦
軸、Ｄ（結晶中心から外周までの距離）を横軸とした欠
陥分布図において、OSF リングの内側のＮ1 （Ｖ）領域
で引上げるか、F/G 値を結晶中心で0.130〜0.142mm2／
℃・minとして引上げる。
ハにおいて、熱酸化処理時に OSFリングは発生せず、OS
F リング核は存在せず、FPD 及び L/Dがウエーハ全面内
に存在せず、該リング内側のＮ1(V)領域を最大限拡大し
た極低欠陥密度であり、ゲッタリング能力のあるシリコ
ン単結晶ウエーハを提供する。 【解決手段】 CZ法において引上速度をＦ［mm/min］と
し、シリコンの融点から1400℃間の引上軸方向の結晶内
温度勾配平均値をＧ［℃／mm］で表した時、F/G値を縦
軸、Ｄ（結晶中心から外周までの距離）を横軸とした欠
陥分布図において、OSF リングの内側のＮ1 （Ｖ）領域
で引上げるか、F/G 値を結晶中心で0.130〜0.142mm2／
℃・minとして引上げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶欠陥が少ない
シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ
に関するものである。
シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年は、半導体回路の高集積化に伴う素
子の微細化に伴い、その基板となるチョクラルスキー法
（以下、ＣＺ法と略記する）で作製されたシリコン単結
晶に対する品質要求が高まってきている。特に、ＦＰ
Ｄ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−
ｉｎ）欠陥と呼ばれる酸化膜耐圧特性やデバイスの特性
を悪化させる単結晶成長起因の欠陥が存在し、その密度
とサイズの低減が重要視されている。
子の微細化に伴い、その基板となるチョクラルスキー法
（以下、ＣＺ法と略記する）で作製されたシリコン単結
晶に対する品質要求が高まってきている。特に、ＦＰ
Ｄ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグローンイン（Ｇｒｏｗｎ−
ｉｎ）欠陥と呼ばれる酸化膜耐圧特性やデバイスの特性
を悪化させる単結晶成長起因の欠陥が存在し、その密度
とサイズの低減が重要視されている。
【０００３】これらの欠陥を説明するに当たって、先
ず、シリコン単結晶に取り込まれるベイカンシイ（Ｖａ
ｃａｎｃｙ、以下Ｖと略記することがある）と呼ばれる
空孔型の点欠陥と、インタースティシアル−シリコン
（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉ、以下Ｉと略記する
ことがある）と呼ばれる格子間型シリコン点欠陥のそれ
ぞれの取り込まれる濃度を決定する因子について、一般
的に知られていることを説明する。
ず、シリコン単結晶に取り込まれるベイカンシイ（Ｖａ
ｃａｎｃｙ、以下Ｖと略記することがある）と呼ばれる
空孔型の点欠陥と、インタースティシアル−シリコン
（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉ、以下Ｉと略記する
ことがある）と呼ばれる格子間型シリコン点欠陥のそれ
ぞれの取り込まれる濃度を決定する因子について、一般
的に知られていることを説明する。
【０００４】シリコン単結晶において、Ｖ領域とは、Ｖ
ａｃａｎｃｙ、つまりシリコン原子の不足から発生する
凹部、穴のようなものが多い領域であり、Ｉ領域とは、
シリコン原子が余分に存在することにより発生する転位
や余分なシリコン原子の塊が多い領域のことであり、そ
してＶ領域とＩ領域の間には、原子の不足や余分が無い
（少ない）ニュートラル（Ｎｅｕｔｒａｌ、以下Ｎと略
記することがある）領域が存在していることになる。そ
して、前記グローンイン欠陥（ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯ
Ｐ等）というのは、あくまでもＶやＩが過飽和な状態の
時に発生するものであり、多少の原子の偏りがあって
も、飽和以下であれば、欠陥としては存在しないことが
判ってきた。
ａｃａｎｃｙ、つまりシリコン原子の不足から発生する
凹部、穴のようなものが多い領域であり、Ｉ領域とは、
シリコン原子が余分に存在することにより発生する転位
や余分なシリコン原子の塊が多い領域のことであり、そ
してＶ領域とＩ領域の間には、原子の不足や余分が無い
（少ない）ニュートラル（Ｎｅｕｔｒａｌ、以下Ｎと略
記することがある）領域が存在していることになる。そ
して、前記グローンイン欠陥（ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯ
Ｐ等）というのは、あくまでもＶやＩが過飽和な状態の
時に発生するものであり、多少の原子の偏りがあって
も、飽和以下であれば、欠陥としては存在しないことが
判ってきた。
【０００５】この両点欠陥の濃度は、ＣＺ法における結
晶の引上げ速度（成長速度）と結晶中の固液界面近傍の
温度勾配Ｇとの関係から決まり、Ｖ領域とＩ領域との境
界近辺にはＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥、Ｏｘｉｄａｔｉ
ｏｎ Ｉｎｄｕｓｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌ
ｔ）と呼ばれるリング状の欠陥の存在が確認されてい
る。
晶の引上げ速度（成長速度）と結晶中の固液界面近傍の
温度勾配Ｇとの関係から決まり、Ｖ領域とＩ領域との境
界近辺にはＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥、Ｏｘｉｄａｔｉ
ｏｎ Ｉｎｄｕｓｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌ
ｔ）と呼ばれるリング状の欠陥の存在が確認されてい
る。
【０００６】これら結晶成長起因の欠陥を分類すると、
成長速度が０．６ｍｍ／ｍｉｎ前後以上と比較的高速の
場合には、空孔タイプの点欠陥が集合したボイド起因と
されているＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグローンイン
欠陥が結晶径方向全域に高密度に存在し、これら欠陥が
存在する領域はＶ−リッチ領域と呼ばれている（図４
（ａ）参照）。 また、成長速度が０．６ｍｍ／ｍｉｎ
以下の場合は、成長速度の低下に伴い、上記したＯＳＦ
リングが結晶の周辺から発生し、このリングの外側に転
位ループ起因と考えられているＬ／Ｄ（Ｌａｒｇｅ Ｄ
ｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：格子間転位ループの略号、ＬＳ
ＥＰＤ、ＬＦＰＤ等）の欠陥が低密度に存在し、これら
欠陥が存在する領域はＩ−リッチ領域と呼ばれている
（図４（ｂ）参照）。さらに、成長速度を０．４ｍｍ／
ｍｉｎ前後と低速にすると、ＯＳＦリングがウエーハの
中心に凝集して消滅し、全面がＩ−リッチ領域となる
（図４（ｃ））。
成長速度が０．６ｍｍ／ｍｉｎ前後以上と比較的高速の
場合には、空孔タイプの点欠陥が集合したボイド起因と
されているＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ等のグローンイン
欠陥が結晶径方向全域に高密度に存在し、これら欠陥が
存在する領域はＶ−リッチ領域と呼ばれている（図４
（ａ）参照）。 また、成長速度が０．６ｍｍ／ｍｉｎ
以下の場合は、成長速度の低下に伴い、上記したＯＳＦ
リングが結晶の周辺から発生し、このリングの外側に転
位ループ起因と考えられているＬ／Ｄ（Ｌａｒｇｅ Ｄ
ｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：格子間転位ループの略号、ＬＳ
ＥＰＤ、ＬＦＰＤ等）の欠陥が低密度に存在し、これら
欠陥が存在する領域はＩ−リッチ領域と呼ばれている
（図４（ｂ）参照）。さらに、成長速度を０．４ｍｍ／
ｍｉｎ前後と低速にすると、ＯＳＦリングがウエーハの
中心に凝集して消滅し、全面がＩ−リッチ領域となる
（図４（ｃ））。
【０００７】また、最近Ｖ−リッチ領域とＩ−リッチ領
域の中間でＯＳＦリングの外側に、Ｎ（ニュートラル）
領域と呼ばれる、空孔起因のＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ
も、転位ループ起因のＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤも存在しな
い領域の存在が発見されている（特開平８−３３０３１
６号参照）。この領域はＯＳＦリングの外側にあり、そ
して、酸素析出熱処理を施し、Ｘ−ｒａｙ観察等で析出
のコントラストを確認した場合に、酸素析出がほとんど
なく、かつ、ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤが形成されるほどリ
ッチではないＩ−Ｓｉ側であると報告している（図３
（ａ）参照）。そして、従来のＣＺ引上げ機ではウエー
ハの極一部にしか存在しないニュートラル（Ｎ）領域
を、引上げ機の炉内温度分布を改良し、引上げ速度を調
節して、Ｆ／Ｇ値（単結晶引上げ速度をＦ［ｍｍ／ｍｉ
ｎ］とし、シリコンの融点から１３００℃の間の引上げ
軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］とす
るとき、Ｆ／Ｇで表わされる比）をウエーハ全面で０．
２０〜０．２２ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎに制御すれば、Ｎ領
域をウエーハ全面に広げることが可能であると提案して
いる（図３（ｂ）参照）。
域の中間でＯＳＦリングの外側に、Ｎ（ニュートラル）
領域と呼ばれる、空孔起因のＦＰＤ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰ
も、転位ループ起因のＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤも存在しな
い領域の存在が発見されている（特開平８−３３０３１
６号参照）。この領域はＯＳＦリングの外側にあり、そ
して、酸素析出熱処理を施し、Ｘ−ｒａｙ観察等で析出
のコントラストを確認した場合に、酸素析出がほとんど
なく、かつ、ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤが形成されるほどリ
ッチではないＩ−Ｓｉ側であると報告している（図３
（ａ）参照）。そして、従来のＣＺ引上げ機ではウエー
ハの極一部にしか存在しないニュートラル（Ｎ）領域
を、引上げ機の炉内温度分布を改良し、引上げ速度を調
節して、Ｆ／Ｇ値（単結晶引上げ速度をＦ［ｍｍ／ｍｉ
ｎ］とし、シリコンの融点から１３００℃の間の引上げ
軸方向の結晶内温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］とす
るとき、Ｆ／Ｇで表わされる比）をウエーハ全面で０．
２０〜０．２２ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎに制御すれば、Ｎ領
域をウエーハ全面に広げることが可能であると提案して
いる（図３（ｂ）参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この発
明に開示されていた欠陥分布図は、本発明者らが実験・
調査して求めたデータや、データを基にした作成した欠
陥分布図（図１参照）とは大幅に異なることが判明し
た。また、ＯＳＦリングの外側に分布するＮ領域には、
酸素析出量が多い領域と少ない領域があることが判明し
た。従って、従来法のように、単にＯＳＦリング外側の
Ｎ領域でウエーハを製造すると、酸素析出量の多いＮ2
（Ｖ）領域と少ないＮ（Ｉ）領域がウエーハ内に混在
し、ゲッタリング能力の相違からデバイス歩留りを低下
させる原因となった。
明に開示されていた欠陥分布図は、本発明者らが実験・
調査して求めたデータや、データを基にした作成した欠
陥分布図（図１参照）とは大幅に異なることが判明し
た。また、ＯＳＦリングの外側に分布するＮ領域には、
酸素析出量が多い領域と少ない領域があることが判明し
た。従って、従来法のように、単にＯＳＦリング外側の
Ｎ領域でウエーハを製造すると、酸素析出量の多いＮ2
（Ｖ）領域と少ないＮ（Ｉ）領域がウエーハ内に混在
し、ゲッタリング能力の相違からデバイス歩留りを低下
させる原因となった。
【０００９】本発明は、このような問題点に鑑みなされ
たもので、Ｖ−リッチ領域およびＩ−リッチ領域のいず
れも存在せず、熱酸化処理をした際にリング状に発生す
るＯＳＦリングあるいはＯＳＦリングの核が存在せず、
かつ、ＦＰＤおよびＬ／Ｄがウエーハ全面内に存在しな
い、結晶全面に亙って極低欠陥密度であると共に、酸素
析出によるゲッタリング能力のあるＣＺ法によるシリコ
ン単結晶ウエーハを、高生産性を維持しながら得ること
を目的とする。
たもので、Ｖ−リッチ領域およびＩ−リッチ領域のいず
れも存在せず、熱酸化処理をした際にリング状に発生す
るＯＳＦリングあるいはＯＳＦリングの核が存在せず、
かつ、ＦＰＤおよびＬ／Ｄがウエーハ全面内に存在しな
い、結晶全面に亙って極低欠陥密度であると共に、酸素
析出によるゲッタリング能力のあるＣＺ法によるシリコ
ン単結晶ウエーハを、高生産性を維持しながら得ること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために為されたもので、本発明の請求項１に記載
した発明は、チョクラルスキー法によってシリコン単結
晶を育成する際に、引上げ速度をＦ［ｍｍ／ｍｉｎ］と
し、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向
の結晶内温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した
時、結晶中心から結晶周辺までの距離Ｄ［ｍｍ］を横軸
とし、Ｆ／Ｇ［ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎ］の値を縦軸として
欠陥分布を示した欠陥分布図（図１参照）において、Ｖ
−リッチ領域とＮ1 （Ｖ）領域の境界線、ならびにＮ1
（Ｖ）領域とＯＳＦリング領域の境界線で囲繞されたＮ
1 （Ｖ）領域内で結晶を引上げることを特徴とするシリ
コン単結晶の製造方法である。さらに具体的な条件とし
ては、前記欠陥分布図において、前記Ｆ／Ｇの値を結晶
中心で、０．１３０〜０．１４２ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎと
して引上げることとした（請求項２）。
成するために為されたもので、本発明の請求項１に記載
した発明は、チョクラルスキー法によってシリコン単結
晶を育成する際に、引上げ速度をＦ［ｍｍ／ｍｉｎ］と
し、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方向
の結晶内温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した
時、結晶中心から結晶周辺までの距離Ｄ［ｍｍ］を横軸
とし、Ｆ／Ｇ［ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎ］の値を縦軸として
欠陥分布を示した欠陥分布図（図１参照）において、Ｖ
−リッチ領域とＮ1 （Ｖ）領域の境界線、ならびにＮ1
（Ｖ）領域とＯＳＦリング領域の境界線で囲繞されたＮ
1 （Ｖ）領域内で結晶を引上げることを特徴とするシリ
コン単結晶の製造方法である。さらに具体的な条件とし
ては、前記欠陥分布図において、前記Ｆ／Ｇの値を結晶
中心で、０．１３０〜０．１４２ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎと
して引上げることとした（請求項２）。
【００１１】このように、Ｎ1 （Ｖ）領域内での結晶の
引上げは、図１の欠陥分布図に示したように領域幅が狭
く、しかも結晶中心から外周にかけて急傾斜しているの
で結晶全面に亙って同じ領域を確保するように引上げ条
件を制御するのは難しいが、ＯＳＦリング領域の外側の
Ｎ領域で引上げるよりも引上げ速度を速くすることがで
き、生産性が向上する。品質的には図２（ｂ）に示した
ようにＮ1 （Ｖ）領域のみをウエーハ全面に拡大した極
低欠陥密度のシリコン単結晶ウエーハを得ることができ
る。
引上げは、図１の欠陥分布図に示したように領域幅が狭
く、しかも結晶中心から外周にかけて急傾斜しているの
で結晶全面に亙って同じ領域を確保するように引上げ条
件を制御するのは難しいが、ＯＳＦリング領域の外側の
Ｎ領域で引上げるよりも引上げ速度を速くすることがで
き、生産性が向上する。品質的には図２（ｂ）に示した
ようにＮ1 （Ｖ）領域のみをウエーハ全面に拡大した極
低欠陥密度のシリコン単結晶ウエーハを得ることができ
る。
【００１２】そして、本発明の請求項３に記載した発明
は、請求項１または請求項２の製造方法により製造され
たシリコン単結晶から作製されたことを特徴とするシリ
コン単結晶ウエーハである。
は、請求項１または請求項２の製造方法により製造され
たシリコン単結晶から作製されたことを特徴とするシリ
コン単結晶ウエーハである。
【００１３】このようにして作製されたシリコン単結晶
ウエーハは、チョクラルスキー法により育成されたシリ
コン単結晶ウエーハにおいて、該ウエーハ全面に熱酸化
処理をした際にリング状に発生するＯＳＦリングあるい
はＯＳＦリングの核が存在せず、かつ、ＦＰＤ及びＬ／
Ｄ（ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ）もウエーハ全面内に存在し
ないというウエーハで、いわゆるウエーハ全面にＶ−リ
ッチ領域とＩ−リッチ領域は存在せず、中性（ニュート
ラル）であると共に、析出酸素濃度（Ｏｉ）が高く、ゲ
ッタリング能力が大きくて均一なＮ1 （Ｖ）領域のみか
ら成る、ほぼ完全無欠陥なシリコン単結晶ウエーハであ
り、デバイス歩留りを著しく向上させることができる。
ウエーハは、チョクラルスキー法により育成されたシリ
コン単結晶ウエーハにおいて、該ウエーハ全面に熱酸化
処理をした際にリング状に発生するＯＳＦリングあるい
はＯＳＦリングの核が存在せず、かつ、ＦＰＤ及びＬ／
Ｄ（ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ）もウエーハ全面内に存在し
ないというウエーハで、いわゆるウエーハ全面にＶ−リ
ッチ領域とＩ−リッチ領域は存在せず、中性（ニュート
ラル）であると共に、析出酸素濃度（Ｏｉ）が高く、ゲ
ッタリング能力が大きくて均一なＮ1 （Ｖ）領域のみか
ら成る、ほぼ完全無欠陥なシリコン単結晶ウエーハであ
り、デバイス歩留りを著しく向上させることができる。
【００１４】以下、本発明につき詳細に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。説明に先立ち
各用語につき予め解説しておく。 １）ＦＰＤ（Ｆｌｏｗ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｄｅｆｅｃ
ｔ）とは、成長後のシリコン単結晶棒からウェーハを切
り出し、表面の歪み層を弗酸と硝酸の混合液でエッチン
グして取り除いた後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 と弗酸と水の混合
液で表面をエッチング（Ｓｅｃｃｏエッチング）するこ
とによりピットおよびさざ波模様が生じる。このさざ波
模様をＦＰＤと称し、ウェーハ面内のＦＰＤ密度が高い
ほど酸化膜耐圧の不良が増える（特開平４−１９２３４
５号公報参照）。
発明はこれらに限定されるものではない。説明に先立ち
各用語につき予め解説しておく。 １）ＦＰＤ（Ｆｌｏｗ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｄｅｆｅｃ
ｔ）とは、成長後のシリコン単結晶棒からウェーハを切
り出し、表面の歪み層を弗酸と硝酸の混合液でエッチン
グして取り除いた後、Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 と弗酸と水の混合
液で表面をエッチング（Ｓｅｃｃｏエッチング）するこ
とによりピットおよびさざ波模様が生じる。このさざ波
模様をＦＰＤと称し、ウェーハ面内のＦＰＤ密度が高い
ほど酸化膜耐圧の不良が増える（特開平４−１９２３４
５号公報参照）。
【００１５】２）ＳＥＰＤ（Ｓｅｃｃｏ Ｅｔｃｈ Ｐ
ｉｔ Ｄｅｆｅｃｔ）とは、ＦＰＤと同一のＳｅｃｃｏ
エッチングを施した時に、流れ模様（ｆｌｏｗ ｐａｔ
ｔｅｒｎ）を伴うものをＦＰＤと呼び、流れ模様を伴わ
ないものをＳＥＰＤと呼ぶ。この中で１０μｍ以上の大
きいＳＥＰＤ（ＬＳＥＰＤ）は転位クラスターに起因す
ると考えられ、デバイスに転位クラスターが存在する場
合、この転位を通じて電流がリークし、Ｐ−Ｎジャンク
ションとしての機能を果たさなくなる。
ｉｔ Ｄｅｆｅｃｔ）とは、ＦＰＤと同一のＳｅｃｃｏ
エッチングを施した時に、流れ模様（ｆｌｏｗ ｐａｔ
ｔｅｒｎ）を伴うものをＦＰＤと呼び、流れ模様を伴わ
ないものをＳＥＰＤと呼ぶ。この中で１０μｍ以上の大
きいＳＥＰＤ（ＬＳＥＰＤ）は転位クラスターに起因す
ると考えられ、デバイスに転位クラスターが存在する場
合、この転位を通じて電流がリークし、Ｐ−Ｎジャンク
ションとしての機能を果たさなくなる。
【００１６】３）ＬＳＴＤ（Ｌａｓｅｒ Ｓｃａｔｔｅ
ｒｉｎｇ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ Ｄｅｆｅｃｔ）と
は、成長後のシリコン単結晶棒からウエーハを切り出
し、表面の歪み層を弗酸と硝酸の混合液でエッチングし
て取り除いた後、ウエーハを劈開する。この劈開面より
赤外光を入射し、ウエーハ表面から出た光を検出するこ
とでウエーハ内に存在する欠陥による散乱光を検出する
ことができる。ここで観察される散乱体については学会
等ですでに報告があり、酸素析出物とみなされている
（Ｊ．Ｊ．Ａ．Ｐ． Ｖｏｌ．３２，Ｐ３６７９，１９
９３参照）。また、最近の研究では、八面体のボイド
（穴）であるという結果も報告されている。
ｒｉｎｇ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ Ｄｅｆｅｃｔ）と
は、成長後のシリコン単結晶棒からウエーハを切り出
し、表面の歪み層を弗酸と硝酸の混合液でエッチングし
て取り除いた後、ウエーハを劈開する。この劈開面より
赤外光を入射し、ウエーハ表面から出た光を検出するこ
とでウエーハ内に存在する欠陥による散乱光を検出する
ことができる。ここで観察される散乱体については学会
等ですでに報告があり、酸素析出物とみなされている
（Ｊ．Ｊ．Ａ．Ｐ． Ｖｏｌ．３２，Ｐ３６７９，１９
９３参照）。また、最近の研究では、八面体のボイド
（穴）であるという結果も報告されている。
【００１７】４）ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉ
ｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）とは、ウエーハの中心
部の酸化膜耐圧を劣化させる原因となる欠陥で、Ｓｅｃ
ｃｏエッチではＦＰＤになる欠陥が、アンモニア過酸化
水素水洗浄（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：
１０の混合液による洗浄）では選択エッチング液として
働き、ＣＯＰになる。このピットの直径は１μｍ以下で
光散乱法で調べる。
ｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）とは、ウエーハの中心
部の酸化膜耐圧を劣化させる原因となる欠陥で、Ｓｅｃ
ｃｏエッチではＦＰＤになる欠陥が、アンモニア過酸化
水素水洗浄（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：
１０の混合液による洗浄）では選択エッチング液として
働き、ＣＯＰになる。このピットの直径は１μｍ以下で
光散乱法で調べる。
【００１８】５）Ｌ／Ｄ（Ｌａｒｇｅ Ｄｉｓｌｏｃａ
ｔｉｏｎ：格子間転位ループの略号）には、ＬＳＥＰ
Ｄ、ＬＦＰＤ等があり、転位ループ起因と考えられてい
る欠陥である。ＬＳＥＰＤは、上記したようにＳＥＰＤ
の中でも１０μｍ以上の大きいものをいう。また、ＬＦ
ＰＤは、上記したＦＰＤの中でも１０μｍ以上の大きい
ものをいい、こちらも転位ループ起因と考えられてい
る。
ｔｉｏｎ：格子間転位ループの略号）には、ＬＳＥＰ
Ｄ、ＬＦＰＤ等があり、転位ループ起因と考えられてい
る欠陥である。ＬＳＥＰＤは、上記したようにＳＥＰＤ
の中でも１０μｍ以上の大きいものをいう。また、ＬＦ
ＰＤは、上記したＦＰＤの中でも１０μｍ以上の大きい
ものをいい、こちらも転位ループ起因と考えられてい
る。
【００１９】本発明者らは、先に特願平９−１９９４１
５号で提案したように、ＣＺ法によるシリコン単結晶成
長に関し、Ｖ領域とＩ領域の境界近辺について、詳細に
調査したところ、この境界近辺の極く狭い領域にＦＰ
Ｄ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰの数が著しく少なく、ＬＳＥＰＤ
も存在しないニュートラルな領域があることを発見し
た。
５号で提案したように、ＣＺ法によるシリコン単結晶成
長に関し、Ｖ領域とＩ領域の境界近辺について、詳細に
調査したところ、この境界近辺の極く狭い領域にＦＰ
Ｄ、ＬＳＴＤ、ＣＯＰの数が著しく少なく、ＬＳＥＰＤ
も存在しないニュートラルな領域があることを発見し
た。
【００２０】そこで、このニュートラルな領域をウエー
ハ全面に広げることができれば、点欠陥を大幅に減らせ
ると発想した。すなわち成長（引上げ）速度と温度勾配
の関係の中で、結晶の水平方向、すなわちウエーハ面内
では、引上げ速度はほぼ一定であるから、面内の点欠陥
の濃度分布を決定する主な因子は温度勾配である。つま
り、ウエーハ面内で、軸方向の温度勾配に差があること
が問題で、この差を減らすことが出来れば、ウエーハ面
内の点欠陥の濃度差も減らせることを見出し、結晶中心
部の温度勾配Ｇｃと結晶周辺部分の温度勾配Ｇｅとの差
を△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）≦５℃／ｃｍとなるように炉内
温度を制御して引上げ速度を調節すれば、ウエーハ全面
がＮ領域からなる欠陥のないウエーハが得られるように
なった。
ハ全面に広げることができれば、点欠陥を大幅に減らせ
ると発想した。すなわち成長（引上げ）速度と温度勾配
の関係の中で、結晶の水平方向、すなわちウエーハ面内
では、引上げ速度はほぼ一定であるから、面内の点欠陥
の濃度分布を決定する主な因子は温度勾配である。つま
り、ウエーハ面内で、軸方向の温度勾配に差があること
が問題で、この差を減らすことが出来れば、ウエーハ面
内の点欠陥の濃度差も減らせることを見出し、結晶中心
部の温度勾配Ｇｃと結晶周辺部分の温度勾配Ｇｅとの差
を△Ｇ＝（Ｇｅ−Ｇｃ）≦５℃／ｃｍとなるように炉内
温度を制御して引上げ速度を調節すれば、ウエーハ全面
がＮ領域からなる欠陥のないウエーハが得られるように
なった。
【００２１】本発明では、上記のような温度勾配の差△
Ｇが小さいＣＺ法による結晶引上げ装置を使用し、引上
げ速度を変えて結晶面内を調査した結果、新たに次のよ
うな二つの知見を得た。本発明者らが実験・調査した結
果、Ｖ−リッチ領域とＩ−リッチ領域の間に存在するＮ
領域は、従来はＯＳＦリング（核）の外側［以下、Ｎ
（Ｉ）領域という。図２（ａ）参照］のみと考えられて
いたが、ＯＳＦリングの内側にもＮ領域が存在すること
を確認した［以下、Ｎ1 （Ｖ）領域という。図２（ａ）
参照］。すなわち、上記特願平９−１９９４１５号の場
合、ＯＳＦリングは、Ｖ−リッチ領域とＮ領域の境界領
域となっていた（図３（ａ）参照）が、この二つは必ず
しも一致しないことがわかった。
Ｇが小さいＣＺ法による結晶引上げ装置を使用し、引上
げ速度を変えて結晶面内を調査した結果、新たに次のよ
うな二つの知見を得た。本発明者らが実験・調査した結
果、Ｖ−リッチ領域とＩ−リッチ領域の間に存在するＮ
領域は、従来はＯＳＦリング（核）の外側［以下、Ｎ
（Ｉ）領域という。図２（ａ）参照］のみと考えられて
いたが、ＯＳＦリングの内側にもＮ領域が存在すること
を確認した［以下、Ｎ1 （Ｖ）領域という。図２（ａ）
参照］。すなわち、上記特願平９−１９９４１５号の場
合、ＯＳＦリングは、Ｖ−リッチ領域とＮ領域の境界領
域となっていた（図３（ａ）参照）が、この二つは必ず
しも一致しないことがわかった。
【００２２】もう一つの発見は、ＯＳＦリング領域の外
側のＮ領域に酸素析出の多い領域と少ない領域が存在
し、ＯＳＦリング領域に隣接する内側の方が酸素析出が
多いことが判ってきた。すなわち、ＯＳＦリングの外側
に隣接するＩがリッチではないＶ側のＮ領域［以下、Ｎ
2 （Ｖ）領域という］が存在することが判ってきた［図
１、図２（ａ）参照］。
側のＮ領域に酸素析出の多い領域と少ない領域が存在
し、ＯＳＦリング領域に隣接する内側の方が酸素析出が
多いことが判ってきた。すなわち、ＯＳＦリングの外側
に隣接するＩがリッチではないＶ側のＮ領域［以下、Ｎ
2 （Ｖ）領域という］が存在することが判ってきた［図
１、図２（ａ）参照］。
【００２３】従って、上記特開平８−３３０３１６号公
報に開示された方法のように、単にＯＳＦリング外側の
Ｎ領域のみでウエーハを作製すると、ウエーハ全面がＮ
領域であることは確かではあるが、ウエーハの内側と外
側では酸素析出に差が生じ、面内でゲッタリング能力が
異なるウエーハができてしまうことになる。ちなみに、
ＯＳＦリング領域に隣接する内側のＮ2 （Ｖ）領域は、
酸素析出が多く十分にゲッタリング能力があり、Ｉ−リ
ッチ領域側のＮ（Ｉ）領域は酸素析出が少なく、ゲッタ
リング能力が低い。
報に開示された方法のように、単にＯＳＦリング外側の
Ｎ領域のみでウエーハを作製すると、ウエーハ全面がＮ
領域であることは確かではあるが、ウエーハの内側と外
側では酸素析出に差が生じ、面内でゲッタリング能力が
異なるウエーハができてしまうことになる。ちなみに、
ＯＳＦリング領域に隣接する内側のＮ2 （Ｖ）領域は、
酸素析出が多く十分にゲッタリング能力があり、Ｉ−リ
ッチ領域側のＮ（Ｉ）領域は酸素析出が少なく、ゲッタ
リング能力が低い。
【００２４】そこで、図１の欠陥分布図に示したよう
に、全面Ｎ領域でかつＯＳＦリング領域の内側に隣接す
るＮ1 （Ｖ）領域だけのウエーハを作製するのが理想的
であり、ほぼ完全無欠陥のシリコン単結晶を得ることが
できる［図２（ａ）、（ｂ）参照］。しかし、その領域
は非常に狭く、かつ、結晶の径方向に急上昇している領
域なので、引上げ速度Ｆや温度勾配Ｇを調整してＦ／Ｇ
の値をこの領域に収まるように制御するにはかなりの困
難を伴うが、結晶の引上げは可能であり、ＯＳＦリング
領域の外側のＮ領域で引上げるよりも引上げ速度を速く
することができるので生産性が向上する。
に、全面Ｎ領域でかつＯＳＦリング領域の内側に隣接す
るＮ1 （Ｖ）領域だけのウエーハを作製するのが理想的
であり、ほぼ完全無欠陥のシリコン単結晶を得ることが
できる［図２（ａ）、（ｂ）参照］。しかし、その領域
は非常に狭く、かつ、結晶の径方向に急上昇している領
域なので、引上げ速度Ｆや温度勾配Ｇを調整してＦ／Ｇ
の値をこの領域に収まるように制御するにはかなりの困
難を伴うが、結晶の引上げは可能であり、ＯＳＦリング
領域の外側のＮ領域で引上げるよりも引上げ速度を速く
することができるので生産性が向上する。
【００２５】この調査における引上げ装置の炉内温度
を、総合伝熱解析ソフトＦＥＭＡＧ（Ｆ．Ｄｕｐｒｅ
ｔ，Ｐ．Ｎｉｃｏｄｅｍｅ，Ｙ．Ｒｙｃｋｍａｎｓ，
Ｐ．Ｗｏｕｔｅｒｓ，ａｎｄ Ｍ．Ｊ．Ｃｒｏｃｈｅ
ｔ，Ｉｎｔ．Ｊ．Ｈｅａｔ ＭａｓｓＴｒａｎｓｆｅ
ｒ，３３，１８４９（１９９０））を使用して鋭意解析
を行った。その結果、引上げ速度をＦ［ｍｍ／ｍｉｎ］
とし、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方
向の結晶内温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した
時、Ｎ1 （Ｖ）領域内の引上げは、Ｆ／Ｇの値を結晶中
心で０．１３０〜０．１４２ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎの範囲
内となるように引上げ速度Ｆと温度勾配平均値Ｇとを制
御して結晶を引上げれば、結晶欠陥のないシリコン単結
晶が得られる。
を、総合伝熱解析ソフトＦＥＭＡＧ（Ｆ．Ｄｕｐｒｅ
ｔ，Ｐ．Ｎｉｃｏｄｅｍｅ，Ｙ．Ｒｙｃｋｍａｎｓ，
Ｐ．Ｗｏｕｔｅｒｓ，ａｎｄ Ｍ．Ｊ．Ｃｒｏｃｈｅ
ｔ，Ｉｎｔ．Ｊ．Ｈｅａｔ ＭａｓｓＴｒａｎｓｆｅ
ｒ，３３，１８４９（１９９０））を使用して鋭意解析
を行った。その結果、引上げ速度をＦ［ｍｍ／ｍｉｎ］
とし、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方
向の結晶内温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した
時、Ｎ1 （Ｖ）領域内の引上げは、Ｆ／Ｇの値を結晶中
心で０．１３０〜０．１４２ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎの範囲
内となるように引上げ速度Ｆと温度勾配平均値Ｇとを制
御して結晶を引上げれば、結晶欠陥のないシリコン単結
晶が得られる。
【００２６】図１は、結晶の径（直径６インチ）方向位
置を横軸とし、Ｆ／Ｇ値を縦軸とした場合の諸欠陥分布
を表している。図１から明らかなように、Ｖ−リッチ領
域／Ｎ1 （Ｖ）領域の境界は、結晶中心位置と中心から
約５０ｍｍまでの位置との間で０．１４２ｍｍ2 ／℃・
ｍｉｎから緩やかに上昇し、この位置から外周にかけて
は急激にＦ／Ｇ値を増大した線上にある。ＯＳＦリング
領域の中心は、約０．１２５ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎで、結
晶外周にかけては、Ｎ1 （Ｖ）領域／ＯＳＦリング領域
の境界線もＯＳＦリング領域／Ｎ2 （Ｖ）領域の境界線
もほぼ平行して緩やかに上昇し、結晶中心位置から約６
５ｍｍから外周にかけては急激にＦ／Ｇ値を増大した線
上にある。また、Ｎ（Ｉ）領域／Ｉ−リッチ領域との境
界線は、結晶中心位置と中心から約６０ｍｍまでの位置
との間で約０．１１２〜０．１１７ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎ
となり、その後、結晶外周に向けて急激に落ち込んでい
る。従って、ウエーハ内のＶ−リッチ領域とＯＳＦリン
グ領域の外側の領域を除いたＮ1 （Ｖ）領域を最大限に
利用するには、結晶中心位置でＦ／Ｇ値が０．１３０〜
０．１４２ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎとなるようにＦとＧを制
御すればよい。
置を横軸とし、Ｆ／Ｇ値を縦軸とした場合の諸欠陥分布
を表している。図１から明らかなように、Ｖ−リッチ領
域／Ｎ1 （Ｖ）領域の境界は、結晶中心位置と中心から
約５０ｍｍまでの位置との間で０．１４２ｍｍ2 ／℃・
ｍｉｎから緩やかに上昇し、この位置から外周にかけて
は急激にＦ／Ｇ値を増大した線上にある。ＯＳＦリング
領域の中心は、約０．１２５ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎで、結
晶外周にかけては、Ｎ1 （Ｖ）領域／ＯＳＦリング領域
の境界線もＯＳＦリング領域／Ｎ2 （Ｖ）領域の境界線
もほぼ平行して緩やかに上昇し、結晶中心位置から約６
５ｍｍから外周にかけては急激にＦ／Ｇ値を増大した線
上にある。また、Ｎ（Ｉ）領域／Ｉ−リッチ領域との境
界線は、結晶中心位置と中心から約６０ｍｍまでの位置
との間で約０．１１２〜０．１１７ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎ
となり、その後、結晶外周に向けて急激に落ち込んでい
る。従って、ウエーハ内のＶ−リッチ領域とＯＳＦリン
グ領域の外側の領域を除いたＮ1 （Ｖ）領域を最大限に
利用するには、結晶中心位置でＦ／Ｇ値が０．１３０〜
０．１４２ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎとなるようにＦとＧを制
御すればよい。
【００２７】これをウエーハの面で説明すると、従来
は、図３（ａ）に示したように、通常の引上げ速度と結
晶引上げ装置におけるＯＳＦリングの外側に存在するＮ
領域を結晶全面に拡大すべく［図３（ｂ）参照］、特別
な結晶引上げ装置を用いて引上げ速度と△Ｇを制御し、
無欠陥結晶を製造しようとしていたが、引上げ速度、温
度勾配等製造条件の制御幅が極めて狭く、制御が困難で
生産性に難点があり、実用的でなかった。その上、ＯＳ
Ｆリングの外側に存在するＮ領域には、ＯＳＦリング領
域に隣接する内側に酸素析出の多い領域（Ｎ2 （Ｖ）領
域）があり、その外側に酸素析出の少ない領域（Ｎ
（Ｉ）領域）が存在するので、単にＯＳＦリング外側の
Ｎ領域のみでウエーハを作製すると、ウエーハ全面がＮ
領域であることは確かではあるが、ウエーハの内側と外
側では酸素析出に差が生じ、面内でゲッタリング能力が
異なるウエーハができてしまうことになる。
は、図３（ａ）に示したように、通常の引上げ速度と結
晶引上げ装置におけるＯＳＦリングの外側に存在するＮ
領域を結晶全面に拡大すべく［図３（ｂ）参照］、特別
な結晶引上げ装置を用いて引上げ速度と△Ｇを制御し、
無欠陥結晶を製造しようとしていたが、引上げ速度、温
度勾配等製造条件の制御幅が極めて狭く、制御が困難で
生産性に難点があり、実用的でなかった。その上、ＯＳ
Ｆリングの外側に存在するＮ領域には、ＯＳＦリング領
域に隣接する内側に酸素析出の多い領域（Ｎ2 （Ｖ）領
域）があり、その外側に酸素析出の少ない領域（Ｎ
（Ｉ）領域）が存在するので、単にＯＳＦリング外側の
Ｎ領域のみでウエーハを作製すると、ウエーハ全面がＮ
領域であることは確かではあるが、ウエーハの内側と外
側では酸素析出に差が生じ、面内でゲッタリング能力が
異なるウエーハができてしまうことになる。
【００２８】本発明では、今回発見したＯＳＦリングの
内側のＮ1 （Ｖ）領域だけに限定した場合［図２
（ａ）、（ｂ）参照］、狭い領域内で引上げることにな
り、引上げ条件の制御は容易ではないが結晶の引上げは
可能であり、前述したようにゲッタリング能力をもった
極低欠陥密度で全面Ｎ領域の極めて高品質のウエーハを
作製することができる。この場合、上記のように、本発
明では制御範囲が狭いため、引上げ単結晶棒の周辺部で
ＯＳＦが発生する可能性がある。しかし、引上げ単結晶
棒の周辺部のＯＳＦは、その後、単結晶棒を円筒研削、
スライスしてウエーハに加工する際になくなるので問題
はない。
内側のＮ1 （Ｖ）領域だけに限定した場合［図２
（ａ）、（ｂ）参照］、狭い領域内で引上げることにな
り、引上げ条件の制御は容易ではないが結晶の引上げは
可能であり、前述したようにゲッタリング能力をもった
極低欠陥密度で全面Ｎ領域の極めて高品質のウエーハを
作製することができる。この場合、上記のように、本発
明では制御範囲が狭いため、引上げ単結晶棒の周辺部で
ＯＳＦが発生する可能性がある。しかし、引上げ単結晶
棒の周辺部のＯＳＦは、その後、単結晶棒を円筒研削、
スライスしてウエーハに加工する際になくなるので問題
はない。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。まず、本発明
で使用するＣＺ法による単結晶引上げ装置の構成例を図
５により説明する。図５に示すように、この単結晶引上
げ装置３０は、引上げ室３１と、引上げ室３１中に設け
られたルツボ３２と、ルツボ３２の周囲に配置されたヒ
ータ３４と、ルツボ３２を回転させるルツボ保持軸３３
及びその回転機構（図示せず）と、シリコンの種結晶５
を保持するシードチャック６と、シードチャック６を引
上げるケーブル７と、ケーブル７を回転又は巻き取る巻
取機構（図示せず）を備えて構成されている。ルツボ３
２は、その内側のシリコン融液（湯）２を収容する側に
は石英ルツボが設けられ、その外側には黒鉛ルツボが設
けられている。また、ヒータ３４の外側周囲には断熱材
３５が配置されている。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。まず、本発明
で使用するＣＺ法による単結晶引上げ装置の構成例を図
５により説明する。図５に示すように、この単結晶引上
げ装置３０は、引上げ室３１と、引上げ室３１中に設け
られたルツボ３２と、ルツボ３２の周囲に配置されたヒ
ータ３４と、ルツボ３２を回転させるルツボ保持軸３３
及びその回転機構（図示せず）と、シリコンの種結晶５
を保持するシードチャック６と、シードチャック６を引
上げるケーブル７と、ケーブル７を回転又は巻き取る巻
取機構（図示せず）を備えて構成されている。ルツボ３
２は、その内側のシリコン融液（湯）２を収容する側に
は石英ルツボが設けられ、その外側には黒鉛ルツボが設
けられている。また、ヒータ３４の外側周囲には断熱材
３５が配置されている。
【００３０】また、本発明の製造方法に関わる製造条件
を設定するために、結晶の固液界面の外周に環状の固液
界面断熱材８を設け、その上に上部囲繞断熱材９が配置
されている。この固液界面断熱材８は、その下端とシリ
コン融液２の湯面との間に３〜５ｃｍの隙間１０を設け
て設置されている。上部囲繞断熱材９は条件によっては
使用しないこともある。さらに、冷却ガスを吹き付けた
り、輻射熱を遮って単結晶を冷却する筒状の冷却装置３
６を設けている。別に、最近では引上げ室３１の水平方
向の外側に、図示しない磁石を設置し、シリコン融液２
に水平方向あるいは垂直方向等の磁場を印加することに
よって、融液の対流を抑制し、単結晶の安定成長をはか
る、いわゆるＭＣＺ法が用いられることも多い。
を設定するために、結晶の固液界面の外周に環状の固液
界面断熱材８を設け、その上に上部囲繞断熱材９が配置
されている。この固液界面断熱材８は、その下端とシリ
コン融液２の湯面との間に３〜５ｃｍの隙間１０を設け
て設置されている。上部囲繞断熱材９は条件によっては
使用しないこともある。さらに、冷却ガスを吹き付けた
り、輻射熱を遮って単結晶を冷却する筒状の冷却装置３
６を設けている。別に、最近では引上げ室３１の水平方
向の外側に、図示しない磁石を設置し、シリコン融液２
に水平方向あるいは垂直方向等の磁場を印加することに
よって、融液の対流を抑制し、単結晶の安定成長をはか
る、いわゆるＭＣＺ法が用いられることも多い。
【００３１】次に、上記の単結晶引上げ装置３０による
単結晶育成方法について説明する。まず、ルツボ３２内
でシリコンの高純度多結晶原料を融点（約１４２０°
Ｃ）以上に加熱して融解する。次に、ケーブル７を巻き
出すことにより融液２の表面略中心部に種結晶５の先端
を接触又は浸漬させる。その後、ルツボ保持軸３３を適
宜の方向に回転させるとともに、ケーブル７を回転させ
ながら巻き取り種結晶５を引上げることにより、単結晶
育成が開始される。以後、引上げ速度と温度を適切に調
節することにより略円柱形状の単結晶棒１を得ることが
できる。
単結晶育成方法について説明する。まず、ルツボ３２内
でシリコンの高純度多結晶原料を融点（約１４２０°
Ｃ）以上に加熱して融解する。次に、ケーブル７を巻き
出すことにより融液２の表面略中心部に種結晶５の先端
を接触又は浸漬させる。その後、ルツボ保持軸３３を適
宜の方向に回転させるとともに、ケーブル７を回転させ
ながら巻き取り種結晶５を引上げることにより、単結晶
育成が開始される。以後、引上げ速度と温度を適切に調
節することにより略円柱形状の単結晶棒１を得ることが
できる。
【００３２】この場合、本発明では、本発明の目的を達
成するために特に重要であるのは、図５に示したよう
に、引上げ室３１の湯面上の単結晶棒１中の液状部分の
外周空間において、湯面近傍の結晶の温度が１４２０℃
から１４００℃までの温度域に環状の固液界面断熱材８
を設けたことと、その上に上部囲繞断熱材９を配置した
ことである。さらに、必要に応じてこの断熱材の上部に
結晶を冷却する装置、例えば冷却装置３６を設けて、こ
れに上部より冷却ガスを吹きつけて結晶を冷却できるも
のとし、筒下部に輻射熱反射板を取り付けた構造として
もよい。
成するために特に重要であるのは、図５に示したよう
に、引上げ室３１の湯面上の単結晶棒１中の液状部分の
外周空間において、湯面近傍の結晶の温度が１４２０℃
から１４００℃までの温度域に環状の固液界面断熱材８
を設けたことと、その上に上部囲繞断熱材９を配置した
ことである。さらに、必要に応じてこの断熱材の上部に
結晶を冷却する装置、例えば冷却装置３６を設けて、こ
れに上部より冷却ガスを吹きつけて結晶を冷却できるも
のとし、筒下部に輻射熱反射板を取り付けた構造として
もよい。
【００３３】このように液面の直上の位置に所定の隙間
を設けて断熱材を配置し、さらにこの断熱材の上部に結
晶を冷却する装置を設けた構造とすることによって、結
晶成長界面近傍では輻射熱により保温効果が得られ、結
晶の上部ではヒータ等からの輻射熱をカットできるの
で、本発明の製造条件を満足させることができる。この
結晶の冷却装置としては、前記筒状の冷却装置３６とは
別に、結晶の周囲を囲繞する空冷ダクトや水冷蛇管等を
設けて所望の温度勾配を確保するようにしても良い。
を設けて断熱材を配置し、さらにこの断熱材の上部に結
晶を冷却する装置を設けた構造とすることによって、結
晶成長界面近傍では輻射熱により保温効果が得られ、結
晶の上部ではヒータ等からの輻射熱をカットできるの
で、本発明の製造条件を満足させることができる。この
結晶の冷却装置としては、前記筒状の冷却装置３６とは
別に、結晶の周囲を囲繞する空冷ダクトや水冷蛇管等を
設けて所望の温度勾配を確保するようにしても良い。
【００３４】本発明で使用した単結晶引上げ装置と比較
のために従来の装置を図６に示した。 基本的な構造に
ついては、本発明で使用した引上げ装置と同じである
が、固液界面断熱材８、上部囲繞断熱材９や冷却装置３
６は装備していない。
のために従来の装置を図６に示した。 基本的な構造に
ついては、本発明で使用した引上げ装置と同じである
が、固液界面断熱材８、上部囲繞断熱材９や冷却装置３
６は装備していない。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施の形態を実施例
を挙げて説明するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。 （実施例１）図５に示した引上げ装置３０で、２０イン
チ石英ルツボに原料多結晶シリコンを６０Ｋｇチャージ
し、直径６インチ、方位＜１００＞のシリコン単結晶棒
を平均引上げ速度を０．８８〜０．５０ｍｍ／ｍｉｎに
変化させて引上げた（単結晶棒の直胴長さ約８５ｃ
ｍ）。シリコン融液の湯温は約１４２０℃、湯面から環
状の固液界面断熱材の下端までは、４ｃｍの空間とし、
その上に１０ｃｍ高さの環状固液界面断熱材を配置し、
湯面から引上げ室天井までの高さをルツボ保持軸を調整
して３０ｃｍに設定し、上部囲繞断熱材を配備した。そ
して、結晶中心部でのＦ／Ｇ値を０．２２〜０．１０ｍ
ｍ2 ・℃／ｍｉｎに変化させて引上げた。
を挙げて説明するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。 （実施例１）図５に示した引上げ装置３０で、２０イン
チ石英ルツボに原料多結晶シリコンを６０Ｋｇチャージ
し、直径６インチ、方位＜１００＞のシリコン単結晶棒
を平均引上げ速度を０．８８〜０．５０ｍｍ／ｍｉｎに
変化させて引上げた（単結晶棒の直胴長さ約８５ｃ
ｍ）。シリコン融液の湯温は約１４２０℃、湯面から環
状の固液界面断熱材の下端までは、４ｃｍの空間とし、
その上に１０ｃｍ高さの環状固液界面断熱材を配置し、
湯面から引上げ室天井までの高さをルツボ保持軸を調整
して３０ｃｍに設定し、上部囲繞断熱材を配備した。そ
して、結晶中心部でのＦ／Ｇ値を０．２２〜０．１０ｍ
ｍ2 ・℃／ｍｉｎに変化させて引上げた。
【００３６】ここで得られた単結晶棒から、ウエーハを
切り出し、鏡面加工を施してシリコン単結晶の鏡面ウエ
ーハを作製し、グローンイン欠陥の測定を行った。ま
た、熱酸化処理を施してＯＳＦリング発生の有無を確認
した。その結果、結晶中心でＦ／Ｇ値が０．１３０〜
０．１４２ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎの範囲内において、Ｎ1
（Ｖ）領域を最大限拡大した極低欠陥ウエーハを得た。
なお、このウエーハの酸化膜耐圧特性は、Ｃ−モード良
品率１００％となった。なお、Ｃ−モード測定条件は、
次の通りである。 １）酸化膜厚：２５ｎｍ、 ２）測定電極：りんド
ープ・ポリシリコン、 ３）電極面積：８ｍｍ2 、 ４）判定電流：１ｍＡ
／ｃｍ2 、 ５）良品判定：絶縁破壊電界が８ＭＶ／ｃｍ以上のもの
を良品と判定した。
切り出し、鏡面加工を施してシリコン単結晶の鏡面ウエ
ーハを作製し、グローンイン欠陥の測定を行った。ま
た、熱酸化処理を施してＯＳＦリング発生の有無を確認
した。その結果、結晶中心でＦ／Ｇ値が０．１３０〜
０．１４２ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎの範囲内において、Ｎ1
（Ｖ）領域を最大限拡大した極低欠陥ウエーハを得た。
なお、このウエーハの酸化膜耐圧特性は、Ｃ−モード良
品率１００％となった。なお、Ｃ−モード測定条件は、
次の通りである。 １）酸化膜厚：２５ｎｍ、 ２）測定電極：りんド
ープ・ポリシリコン、 ３）電極面積：８ｍｍ2 、 ４）判定電流：１ｍＡ
／ｃｍ2 、 ５）良品判定：絶縁破壊電界が８ＭＶ／ｃｍ以上のもの
を良品と判定した。
【００３７】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３８】例えば、上記実施形態においては、直径６
インチのシリコン単結晶を育成する場合につき例を挙げ
て説明したが、本発明はこれには限定されず、引上げ速
度をＦ［ｍｍ／ｍｉｎ］とし、シリコンの融点から１４
００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を
Ｇ［℃／ｍｍ］で表した時、前記欠陥分布図においてＯ
ＳＦリング領域の内側に存在するＮ1 （Ｖ）領域内で結
晶を引上げるようにすれば、直径にかかわりなく、例え
ば直径８〜１６インチあるいはそれ以上のシリコン単結
晶にも適用できる。また、本発明は、シリコン融液に水
平磁場、縦磁場、カスプ磁場等を印加するいわゆるＭＣ
Ｚ法にも適用できることは言うまでもない。
インチのシリコン単結晶を育成する場合につき例を挙げ
て説明したが、本発明はこれには限定されず、引上げ速
度をＦ［ｍｍ／ｍｉｎ］とし、シリコンの融点から１４
００℃の間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を
Ｇ［℃／ｍｍ］で表した時、前記欠陥分布図においてＯ
ＳＦリング領域の内側に存在するＮ1 （Ｖ）領域内で結
晶を引上げるようにすれば、直径にかかわりなく、例え
ば直径８〜１６インチあるいはそれ以上のシリコン単結
晶にも適用できる。また、本発明は、シリコン融液に水
平磁場、縦磁場、カスプ磁場等を印加するいわゆるＭＣ
Ｚ法にも適用できることは言うまでもない。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
全面Ｎ1 （Ｖ）領域で、Ｖ−リッチ領域およびＩ−リッ
チ領域のいずれも存在せず、熱酸化処理をした際にリン
グ状に発生するＯＳＦリングあるいはＯＳＦリングの核
が存在せず、かつ、ＦＰＤおよびＬ／Ｄがウエーハ全面
内に存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度である
と共に、酸素析出によるゲッタリング能力のあるＣＺ法
によるシリコン単結晶ウエーハを、高生産性を維持しな
がら製造することができる。
全面Ｎ1 （Ｖ）領域で、Ｖ−リッチ領域およびＩ−リッ
チ領域のいずれも存在せず、熱酸化処理をした際にリン
グ状に発生するＯＳＦリングあるいはＯＳＦリングの核
が存在せず、かつ、ＦＰＤおよびＬ／Ｄがウエーハ全面
内に存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度である
と共に、酸素析出によるゲッタリング能力のあるＣＺ法
によるシリコン単結晶ウエーハを、高生産性を維持しな
がら製造することができる。
【図１】本発明で発見したシリコン単結晶ウエーハ面内
における、結晶の径方向位置を横軸とし、Ｆ／Ｇ値を縦
軸とした場合の諸欠陥分布図である。
における、結晶の径方向位置を横軸とし、Ｆ／Ｇ値を縦
軸とした場合の諸欠陥分布図である。
【図２】本発明で発見した結晶面内諸欠陥分布を表した
説明図である。 （ａ）通常の引上げ条件で引上げた場合、（ｂ）本発明
の特定引上げ条件で引上げた場合。
説明図である。 （ａ）通常の引上げ条件で引上げた場合、（ｂ）本発明
の特定引上げ条件で引上げた場合。
【図３】従来の引上げ方法における結晶面内諸欠陥分布
を表した説明図である。 （ａ）通常の引上げ条件で引上げた場合、（ｂ）引上げ
速度と結晶内温度勾配を精密制御して引上げた場合。
を表した説明図である。 （ａ）通常の引上げ条件で引上げた場合、（ｂ）引上げ
速度と結晶内温度勾配を精密制御して引上げた場合。
【図４】従来の引上げ方法における引上げ速度と結晶面
内欠陥分布との関係を表した説明図である。 （ａ）高速引上げの場合、（ｂ）中速引上げの場合、
（ｃ）低速引上げの場合。
内欠陥分布との関係を表した説明図である。 （ａ）高速引上げの場合、（ｂ）中速引上げの場合、
（ｃ）低速引上げの場合。
【図５】本発明で使用したＣＺ法による単結晶引上げ装
置の概略説明図である。
置の概略説明図である。
【図６】ＣＺ法による従来の単結晶引上げ装置の概略説
明図である。
明図である。
１…成長単結晶棒、 ２…シリコン融液、 ３…湯面、 ４…固液界面、 ５…種結晶、 ６…シードチャック、 ７…ケーブル、 ８…固液界面断熱材、 ９…上部囲繞断熱材、 １０…湯面と固液界面断熱材下端との隙間、 ３０…単結晶引上げ装置、 ３１…引上げ室、 ３２…ルツボ、 ３３…ルツボ保持軸、 ３４…ヒータ、 ３５…断熱材、 ３６…冷却装置。 Ｖ …Ｖ−リッチ領域、 Ｎ …Ｎ−領域、 Ｎ1 （Ｖ）…Ｎ1 （Ｖ）領域、 Ｎ2 （Ｖ）…Ｎ2 （Ｖ）領域、 Ｎ（Ｉ） …Ｎ（Ｉ）領域、 Ｉ …Ｉ−リッチ領域、 ＯＲ…ＯＳＦリング。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 雅規 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社半導体磯部研究所内 (72)発明者 村岡 正三 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社半導体磯部研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法によってシリコン単
結晶を育成する際に、引上げ速度をＦ［ｍｍ／ｍｉｎ］
とし、シリコンの融点から１４００℃の間の引上げ軸方
向の結晶内温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した
時、結晶中心から結晶周辺までの距離Ｄ［ｍｍ］を横軸
とし、Ｆ／Ｇ［ｍｍ2 ／℃・ｍｉｎ］の値を縦軸として
欠陥分布を示した欠陥分布図において、Ｖ−リッチ領域
とＮ1 （Ｖ）領域の境界線、ならびにＮ1 （Ｖ）領域と
ＯＳＦリング領域の境界線で囲繞されたＮ1 （Ｖ）領域
内で結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の
製造方法。 - 【請求項２】 前記Ｆ／Ｇの値を結晶中心で、０．１３
０〜０．１４２ｍｍ2／℃・ｍｉｎとして引上げること
を特徴とする請求項１に記載したシリコン単結晶の製造
方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２の製造方法によ
り製造されたシリコン単結晶から作製されたことを特徴
とするシリコン単結晶ウエーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36414397A JP3634133B2 (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36414397A JP3634133B2 (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11180800A true JPH11180800A (ja) | 1999-07-06 |
| JP3634133B2 JP3634133B2 (ja) | 2005-03-30 |
Family
ID=18481084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36414397A Expired - Lifetime JP3634133B2 (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3634133B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236104B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-05-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon on insulator structure from low defect density single crystal silicon |
| US6254672B1 (en) | 1997-04-09 | 2001-07-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density self-interstitial dominated silicon |
| US6284039B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafers substantially free of grown-in defects |
| US6312516B2 (en) | 1998-10-14 | 2001-11-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions |
| US6328795B2 (en) | 1998-06-26 | 2001-12-11 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for growth of defect free silicon crystals of arbitrarily large diameters |
| US6379642B1 (en) | 1997-04-09 | 2002-04-30 | Memc Electronic Materials, Inc. | Vacancy dominated, defect-free silicon |
| US6416836B1 (en) | 1998-10-14 | 2002-07-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Thermally annealed, low defect density single crystal silicon |
| US6555194B1 (en) | 1997-04-09 | 2003-04-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for producing low defect density, ideal oxygen precipitating silicon |
| US6846539B2 (en) | 2001-01-26 | 2005-01-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density silicon having a vacancy-dominated core substantially free of oxidation induced stacking faults |
| US6858307B2 (en) | 2000-11-03 | 2005-02-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the production of low defect density silicon |
| US7105050B2 (en) | 2000-11-03 | 2006-09-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the production of low defect density silicon |
| JP2009263197A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Sumco Corp | シリコン単結晶インゴット及びエピタキシャル成長用シリコンウェーハ並びにシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| US8216362B2 (en) | 2006-05-19 | 2012-07-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Controlling agglomerated point defect and oxygen cluster formation induced by the lateral surface of a silicon single crystal during CZ growth |
-
1997
- 1997-12-17 JP JP36414397A patent/JP3634133B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6409827B2 (en) | 1997-04-09 | 2002-06-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density silicon and a process for producing low defect density silicon wherein V/G0 is controlled by controlling heat transfer at the melt/solid interface |
| US6409826B2 (en) | 1997-04-09 | 2002-06-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density, self-interstitial dominated silicon |
| US6555194B1 (en) | 1997-04-09 | 2003-04-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for producing low defect density, ideal oxygen precipitating silicon |
| US6287380B1 (en) | 1997-04-09 | 2001-09-11 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density silicon |
| US6896728B2 (en) | 1997-04-09 | 2005-05-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for producing low defect density, ideal oxygen precipitating silicon |
| US6632278B2 (en) | 1997-04-09 | 2003-10-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density epitaxial wafer and a process for the preparation thereof |
| US6254672B1 (en) | 1997-04-09 | 2001-07-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density self-interstitial dominated silicon |
| US6379642B1 (en) | 1997-04-09 | 2002-04-30 | Memc Electronic Materials, Inc. | Vacancy dominated, defect-free silicon |
| US6605150B2 (en) | 1997-04-09 | 2003-08-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density regions of self-interstitial dominated silicon |
| US6328795B2 (en) | 1998-06-26 | 2001-12-11 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for growth of defect free silicon crystals of arbitrarily large diameters |
| US6913647B2 (en) | 1998-06-26 | 2005-07-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for cooling a silicon ingot having a vacancy dominated region to produce defect free silicon |
| US6562123B2 (en) | 1998-06-26 | 2003-05-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for growing defect-free silicon wherein the grown silicon is cooled in a separate chamber |
| US6342725B2 (en) | 1998-09-02 | 2002-01-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon on insulator structure having a low defect density handler wafer and process for the preparation thereof |
| US6849901B2 (en) | 1998-09-02 | 2005-02-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Device layer of a silicon-on-insulator structure having vacancy dominated and substantially free of agglomerated vacancy-type defects |
| US6236104B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-05-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon on insulator structure from low defect density single crystal silicon |
| US6565649B2 (en) | 1998-10-14 | 2003-05-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial wafer substantially free of grown-in defects |
| US6284039B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafers substantially free of grown-in defects |
| US6652646B2 (en) | 1998-10-14 | 2003-11-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for growing a silicon crystal segment substantially free from agglomerated intrinsic point defects which allows for variability in the process conditions |
| US6743289B2 (en) | 1998-10-14 | 2004-06-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Thermal annealing process for producing low defect density single crystal silicon |
| US6500255B2 (en) | 1998-10-14 | 2002-12-31 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for growing silicon crystals which allows for variability in the process conditions while suppressing the formation of agglomerated intrinsic point defects |
| US6416836B1 (en) | 1998-10-14 | 2002-07-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Thermally annealed, low defect density single crystal silicon |
| US7097718B2 (en) | 1998-10-14 | 2006-08-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Single crystal silicon wafer having an epitaxial layer substantially free from grown-in defects |
| US6312516B2 (en) | 1998-10-14 | 2001-11-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions |
| US7105050B2 (en) | 2000-11-03 | 2006-09-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the production of low defect density silicon |
| US6858307B2 (en) | 2000-11-03 | 2005-02-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the production of low defect density silicon |
| US6846539B2 (en) | 2001-01-26 | 2005-01-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density silicon having a vacancy-dominated core substantially free of oxidation induced stacking faults |
| US7217320B2 (en) | 2001-01-26 | 2007-05-15 | Memc Electronics Materials, Inc. | Low defect density silicon having a vacancy-dominated core substantially free of oxidation induced stacking faults |
| US8216362B2 (en) | 2006-05-19 | 2012-07-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Controlling agglomerated point defect and oxygen cluster formation induced by the lateral surface of a silicon single crystal during CZ growth |
| US8673248B2 (en) | 2006-05-19 | 2014-03-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon material with controlled agglomerated point defects and oxygen clusters induced by the lateral surface |
| JP2009263197A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Sumco Corp | シリコン単結晶インゴット及びエピタキシャル成長用シリコンウェーハ並びにシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3634133B2 (ja) | 2005-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3747123B2 (ja) | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ | |
| JP3943717B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 | |
| JP3460551B2 (ja) | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 | |
| EP0890662B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing a silicon single crystal having few crystal defects, and a silicon single crystal and silicon wafers manufactured by the same | |
| EP1347083B1 (en) | Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal | |
| JP4020987B2 (ja) | ウエーハ周辺部に結晶欠陥がないシリコン単結晶およびその製造方法 | |
| US20130323153A1 (en) | Silicon single crystal wafer | |
| JP2000053497A (ja) | 窒素ド―プした低欠陥シリコン単結晶ウエ―ハおよびその製造方法 | |
| EP0909840A1 (en) | Method for producing a silicon single crystal having few crystal defects, and a silicon single crystal and silicon wafers produced by the method | |
| JP3601324B2 (ja) | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 | |
| JP3627498B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2000007498A (ja) | 窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP3634133B2 (ja) | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ | |
| JP4218080B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 | |
| JPH11349394A (ja) | 窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 | |
| JP2003321297A (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ | |
| JP2005119964A (ja) | 窒素ドープした低欠陥シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040816 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20040907 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041105 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041209 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041222 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080107 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080107 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100107 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110107 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120107 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120107 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |