JPH11177147A - 光半導体モジュール、およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光半導体チップを多数集合させてモジュール
化するのに伴って、モジュール全体の薄型化および小型
化を実現することができるものを提供する。 【解決手段】 透光性を有する２枚のフィルムであっ
て、フィルム各所で導電性を有する第１のフィルム２お
よびフィルム表面に複数の電極３１が形成された第２の
フィルム３と、上記複数の電極３１にそれぞれ接続され
た状態で上記第１および第２のフィルム２，３間に挟み
込まれ、これら両フィルム面内において所定の平面パタ
ーンをもって配列された複数のＬＥＤチップ１とを備え
ている。さらに、第１および第２のフィルム２，３間に
は、上記ＬＥＤチップ１に整合して嵌め合わされる穿孔
部４ａを有した中間フィルム４が挟み込まれている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、ＬＥＤ（発光ダ
イオード）チップやＬＤ（レーザダイオード）チップな
どの光半導体チップを備えた光半導体モジュール、およ
び光半導体モジュールの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子機器のインジケータなどとし
て可視形態で利用される光半導体モジュールは、通常一
つのＬＥＤチップごとに透光性を有する樹脂パッケージ
によって封止した構造とされており、つまり、ＬＥＤチ
ップは、パッケージ内に内蔵された状態とされている。
このような光半導体モジュールでは、パッケージ内にお
いてＬＥＤチップと電極とを接続するために、ワイヤ・
ボンディングによる極細状の導体ワイヤを介して接続さ
れているのが一般的とされている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光半導体モジュールでは、次のような不具合があっ
た。

【０００４】すなわち、近年において、光半導体モジュ
ールの使用用途は未だ拡大の一途を辿っているのが実情
であり、その使用用途如何では、光半導体モジュールの
薄型化が強く要請される場合がある。たとえば、全体が
薄手のカード状に形成されるＩＣカードの内部に光半導
体モジュールを組み込むような場合には、ＬＥＤチップ
を内蔵したモジュール全体の厚みをできる限り小さくす
ることが望まれる。また、多数のＬＥＤチップを集合さ
せることにより、配列画素による幾何学的な表示を可能
としてインジケータなどと異なる趣向の表示機能を発揮
させようという要望もある。

【０００５】ところが、従来のインジケータなどで利用
される光半導体モジュールでは、ＬＥＤチップと電極と
がワイヤ・ボンディングによって接続されているため、
ＬＥＤチップの厚みに加えて導体ワイヤのボンディング
高さ分を考慮しなければならず、ＩＣカードのような薄
手の厚み程度まで薄型化した構造を到底実現することが
できなかった。

【０００６】一方、複数のＬＥＤチップを利用して配列
画素による幾何学的な表示を可能とする場合、パッケー
ジ化された個々のＬＥＤチップを多数集合させる必要が
あることから、パッケージ分の大きさに起因してモジュ
ール全体が大きな構造となってしまい、上記薄型化の問
題に加えてモジュール全体の小型化を図ることができな
かった。

【０００７】また、このような不具合は、ＬＥＤチップ
に限らず、ＬＤチップなどの他の光半導体チップにおい
ても、同様に生じていた。

【０００８】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、従来とは全く異なる構造のもの
であり、光半導体チップを多数集合させてモジュール化
するのに伴って、モジュール全体の薄型化および小型化
を実現することができる光半導体モジュール、およびそ
の製造方法を提供することをその課題とする。

【０００９】

【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。

【００１０】すなわち、本願発明の第１の側面により提
供される光半導体モジュールは、少なくとも一方のフィ
ルムが透光性を有するとともに、少なくとも一方のフィ
ルムの表面に複数の電極が形成されている第１および第
２のフィルムと、上記複数の電極にそれぞれ接続された
状態で上記第１および第２のフィルム間に挟み込まれ、
これら両フィルム面内において所定の平面パターンをも
って配列された複数の光半導体チップとを備えたことを
特徴としている。

【００１１】上記技術的手段が講じられた第１の側面に
より提供される光半導体モジュールによれば、複数の光
半導体チップが第１および第２のフィルム間に挟み込ま
れた状態で、これら両フィルム面内において所定の平面
パターンをもって配列された構造である。これら複数の
光半導体チップは、第１および第２のフィルムのうち、
少なくとも一方のフィルムの表面に形成された複数の電
極を介して通電可能とされている。これにより、複数の
電極を介した通電制御に応じて複数の光半導体チップか
ら選択的に光が発せられ、複数の光半導体チップによる
配列画素に応じた幾何学的な表示が可能となる。したが
って、光半導体モジュールは、２枚のフィルムに挟み込
まれた状態で複数の光半導体チップを配列した構造であ
るので、チップおよび２枚のフィルム分のみの厚みを有
することでモジュール全体の薄型化を実現することがで
きる。しかも、フィルム面内において個々の光半導体チ
ップが単に平面パターンをもって配列された構造である
ことから、第１および第２のフィルムによって従来のパ
ッケージ機能を果たしつつ、モジュール全体の小型化を
実現することができる。

【００１２】なお、光半導体チップとしては、たとえば
ＬＥＤチップやＬＤチップなどが適用可能である。

【００１３】好ましい実施の形態においては、上記光半
導体チップは、化合物半導体の結晶成長に用いられた基
板以外の半導体積層部を本体としている。

【００１４】このような実施形態によれば、光半導体チ
ップは、化合物半導体の結晶成長に用いられた基板以外
の半導体積層部を本体としているので、結晶成長用の基
板を備えた光半導体チップとは異なり、ウェハから形成
される結晶成長用の基板の厚み分が排除されることか
ら、チップ自体の厚みをかなり小さくすることができ、
それにともなってモジュール全体の厚みも相当小さくす
ることができる。

【００１５】他の好ましい実施の形態においては、上記
第１および第２のフィルム間には、上記複数の光半導体
チップに整合して複数の穿孔部を有する中間フィルムが
挟み込まれている。

【００１６】このような実施形態によれば、第１および
第２のフィルム間には、複数の光半導体チップに整合し
て複数の穿孔部を有する中間フィルムが挟み込まれてい
るので、中間フィルムの穿孔部に光半導体チップが嵌め
合わされる状態で、その中間フィルムが第１および第２
のフィルムを表裏面としてモジュール全体の補強機能を
果たし、薄型でありながら剛性のあるモジュール構造を
提供することができる。

【００１７】さらに、他の好ましい実施の形態において
は、上記中間フィルムは、光拡散性を有している。

【００１８】このような実施形態によれば、中間フィル
ムが光拡散性を有しているので、光半導体チップから発
せられた光が中間フィルムを通じて効率よく第１のフィ
ルムまたは第２のフィルムへと導かれ、外部に放出され
る光の明るさを一定に保つことができる。

【００１９】さらに、他の好ましい実施の形態において
は、上記電極は、透光性を有するとともに、上記第１お
よび第２のフィルムのうち、少なくとも一方の透光性を
有するフィルムの表面に形成されている。

【００２０】このような実施形態によれば、透光性を有
する電極が第１および第２のフィルムのうち、少なくと
も一方の透光性を有するフィルムの表面に形成されてい
るので、光半導体チップから発せられた光が透光性を有
するフィルムを透過しつつ電極も透過することとなり、
光半導体チップから外部に放出される光の透過性を良好
とすることができる。

【００２１】なお、透光性を有する電極としては、液晶
ディスプレイなどで用いられるＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de）膜などの透明導電膜が利用可能である。あるいは、
一般的に良導体である金などの金属でも適用可能であ
り、その厚みを十分に小さくすることによって、透光性
をもたせることができる。

【００２２】さらに、他の好ましい実施の形態において
は、上記複数の光半導体チップは、マトリクス状の平面
パターンをもって配列されている。

【００２３】このような実施形態によれば、複数の光半
導体チップは、マトリクス状の平面パターンをもって配
列されているので、そのような光半導体チップを選択的
に発光させることにより、インジケータなどと異なる趣
向の表示機能、たとえば文字や図形などの幾何学的な表
示を行うことができる。

【００２４】さらに、他の好ましい実施の形態において
は、上記第１および第２のフィルムは、ともに透光性を
有している。

【００２５】このような実施形態によれば、第１および
第２のフィルムは、ともに透光性を有しているので、モ
ジュール全体の表裏両面から光が外部に放出されること
となり、いずれの面を表面または裏面とするか関わりな
くしてモジュールの取り扱いを容易とすることができ
る。

【００２６】また、本願発明の第２の側面により提供さ
れる光半導体モジュールの製造方法は、少なくとも一方
のフィルムが透光性を有するとともに、少なくとも一方
のフィルムの表面に複数の光半導体チップと接続可能な
複数の電極を有する第１および第２のフィルムが用意さ
れている、光半導体モジュールの製造方法であって、一
定面積を有する光半導体原形上に延伸可能な帯状部材を
貼着する工程と、上記光半導体原形を切断して上記複数
の光半導体チップに分割する工程と、上記帯状部材を所
定の方向に延伸させることにより、上記複数の光半導体
チップを所定の平面パターンに配列させる工程と、上記
帯状部材が貼着された面とは反対の面に対して、上記複
数の光半導体チップ全体にわったて上記第１のフィルム
を接合する工程と、上記複数の光半導体チップから上記
帯状部材を剥離した後、その帯状部材が貼着されていた
面に対して、上記複数の光半導体チップ全体にわったて
上記第２のフィルムを接合する工程とを有していること
を特徴としている。

【００２７】上記技術的手段が講じられた第２の側面に
より提供される光半導体モジュールの製造方法によれ
ば、延伸可能な帯状部材を利用して複数に分割された光
半導体チップを一まとめにして一度に配列させることが
できるので、本願発明の第１の側面によって提供される
光半導体モジュールを適切に、かつ効率良く製造するこ
とができる。

【００２８】好ましい実施の形態においては、一定面積
を有する基板上に化合物半導体を結晶成長させることに
より、半導体積層部を有する上記光半導体原形を形成す
る工程と、上記光半導体原形から上記基板を除去する工
程とを有している。

【００２９】このような実施形態によれば、先述と同様
の光半導体モジュール、つまり、化合物半導体の結晶成
長に用いられた基板以外の半導体積層部を本体とする光
半導体チップを備えた光半導体モジュールを製造するこ
とができる。

【００３０】他の好ましい実施の形態においては、上記
複数の光半導体チップを所定の平面パターンに配列させ
る工程の後、これら複数の光半導体チップに整合して複
数の穿孔部を有する中間フィルムを上記帯状部材に貼着
する工程を有している。

【００３１】このような実施形態によれば、先述と同様
の光半導体モジュール、つまり、複数の光半導体チップ
に整合して複数の穿孔部を有する中間フィルムが第１お
よび第２のフィルム間に挟み込まれた状態の光半導体モ
ジュールを製造することができる。

【００３２】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。

【００３４】図１は、本願発明にかかる光半導体モジュ
ールの一実施形態を示した概略斜視図、図２は、図１に
示す光半導体モジュールを拡大分解して示した拡大分解
斜視図、図３は、図１に示す光半導体モジュールのＸ−
Ｘ断面を一部拡大して示した一部拡大断面図である。

【００３５】図１によく示されるように、光半導体モジ
ュールＡは、一例として薄手のＩＣカードＢ内に組み込
まれる程度の大きさのものであり、ＩＣカードＢの厚み
よりも薄いシート状とされている。このような光半導体
モジュールＡは、複数のＬＥＤ（発光ダイオード）チッ
プ１、ＬＥＤチップ１を挟み込む状態で被覆する第１お
よび第２のフィルム２，３、およびＬＥＤチップ１とと
もに第１および第２のフィルム２，３間に挟み込まれる
中間フィルム４を具備して概略構成されている。

【００３６】ＬＥＤチップ１それぞれは、光反射層１
１、半導体積層部１２、および導電層１３が順次積層し
て設けられた構造を有しており、上記半導体積層部１２
によって発光作用が発揮されるものである。このＬＥＤ
チップ１は、上記半導体積層部１２を構成する化合物半
導体を結晶成長させるのに用いられた後述の基板が上記
半導体積層部１２から除去された構造となっている。ま
た、ＬＥＤチップ１は、たとえば０．３ｍｍ角のペレッ
ト状に形成されている。さらに、上記光反射層１１、半
導体積層部１２、および導電層１３のトータルの厚み
は、５〜１０μｍ程度の極薄寸法とされている。このよ
うなＬＥＤチップ１の複数個は、後述する第１および第
２のフィルム２，３間の平面内において、複数行複数列
にわたるマトリクス状の平面パターンをもって所定間隔
おきに配列された構造とされている。

【００３７】上記光反射層１１は、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、
あるいはその他の光沢を有する金属の薄膜層であり、後
述するように、蒸着あるいはスパッタリングなどによっ
て所定の金属を成膜して形成された部分である。

【００３８】上記半導体積層部１２は、従来既知の発光
ダイオードと同様な構成である。この半導体積層部１２
は、ガリウムを含むIIIb−Ｖｂ属化合物半導体の単純結
晶を利用したものであり、たとえば、光拡散層としての
ＧａＰ層１２ａ、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ層１２ｂ、発光層
１２ｃ、およびｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層１２ｄが積層され
た構造となっている。上記発光層１２ｃは、ＩｎＧａＡ
ｌＰの層である。

【００３９】上記導電層１３は、たとえば金（Ａｕ）の
薄膜層であり、上記ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層１２ｄの表面
全面に金を蒸着あるいはスパッタリングなどによって成
膜させた部分である。この金製の導電層１３は、その厚
みがたとえば１００Å程度であり、十分に薄いことから
透光性を有している。

【００４０】第１および第２のフィルム２，３それぞれ
は、たとえば厚みが１０μｍ〜１００μｍ程度で透光性
を有する合成樹脂フィルムであり、図示される一例で
は、その全体的な平面視形状が長矩形状に形成されてい
る。

【００４１】上記第１のフィルム２は、上記ＬＥＤチッ
プ１の片側となる光反射層１１の表面に貼着されるもの
であり、金属粒子などの導電性粒子を練り込むなどして
そのフィルム各所に導電性をもたせたものである。

【００４２】上記第２のフィルム３は、上記ＬＥＤチッ
プ１の光反射層１１の反対側となる電極層１３の表面に
貼着されるものであり、その貼着面には、複数のＬＥＤ
チップ１それぞれに接続する複数の電極３１が形成され
ている。これら電極３１は、複数のＬＥＤチップ１それ
ぞれと整合する位置でマトリクス状の平面パターンをも
って薄膜形成されており、第２のフィルム３の厚みに比
べて十分に薄く形成されることから透光性を有してい
る。また、これら電極３１は、互いに導通することなく
第２のフィルム３の一端へと引き延ばされた配線パター
ン３２に接続されており、このような配線パターン３２
も、電極３１と同様にして薄膜形成されたものである。
なお、これら電極３１と配線パターン３２とは、いわゆ
るＩＴＯ膜などの透明電極膜によって構成することも可
能である。

【００４３】中間フィルム４は、上記ＬＥＤチップ１と
同程度の厚みを有する合成樹脂フィルムであり、その全
体的な平面視形状が上記第１および第２のフィルム２，
３と同様の形状とされている。また、中間フィルム４に
は、第１および第２のフィルム２，３間に挟み込まれた
状態で複数のＬＥＤチップ１に嵌め合わされる複数の穿
孔部４ａが形成されており、それ以外の実体部分は、絶
縁性および光拡散性を有している。このような穿孔部４
ａは、その各々がＬＥＤチップ１よりもわずかに大きな
形状をもって形成されており、ＬＥＤチップ１が収まる
具合の大きさとされている。

【００４４】次に、上記光半導体モジュールＡの製造方
法について、図４ないし図１３を参照しながら説明す
る。

【００４５】まず、図４に示すように、製造方法におい
てのみ用いられるＧａＡｓ基板５の表面上に、複数の半
導体層１２ａ〜１２ｄを結晶成長させて、半導体積層部
１２を作製する。この結晶成長は、たとえば有機金属化
学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によって行えばよく、こ
の成長法によって発光ダイオードを構成する所定の化合
物半導体の単結晶を効率良く成長させることができる。
なお、上記ＧａＡｓ基板５は、ウェハとして形成された
ものであって、その厚みは２００μｍ〜３００μｍ以上
である。上記半導体積層部１２は、このウェハの表面の
全面に作製する。

【００４６】次いで、図５に示すように、上記半導体積
層部１２の最上層のＧａＰ層１２ａの表面に、光沢を有
する所定のＡｇやＣｒなどの金属を蒸着またはスパッタ
リングによって成膜し、光反射層１１を作製する。この
ようにして作製されたウエハ全体の大きさに匹敵するも
のを光半導体原形という。

【００４７】その後、図６に示すように、光半導体原形
の光反射層１１の表面全面に、延伸可能な帯状部材６を
貼着する。この帯状部材６とは、上記ウェハよりも大き
な平面積を有するたとえばエキスパンドテープなどから
なるものであり、その貼着面には、あらかじめ粘着層が
被膜形成されている。

【００４８】上記帯状部材６の貼着作業後には、図７に
示すように、結晶成長に用いられたＧａＡｓ基板５を半
導体積層部１２の片面から除去する。この作業は、たと
えば上記ＧａＡｓ基板５をアンモニアと過酸化水素水と
を混合したエッチング処理液に浸漬させるエッチング処
理によって行うことができる。また、このようなエッチ
ング処理に代えて、たとえば上記ＧａＡｓ基板５を機械
的な手段によって研削して除去することも可能である。
ただし、作業性および半導体積層部１２の保護の観点か
らすれば、エッチッグ処理を行うことが好ましい。

【００４９】上記ＧａＡｓ基板５を除去した後には、図
８に示すように、半導体積層部１２の最外層に位置する
ｎ型ＩｎＧａＡｌＰ層１２ｄの表面に、金製の導電層１
３を形成する。この作業は、金を蒸着し、またはスパッ
タリングすることによって行うことができる。これまで
の作業工程により光半導体原形が作製され、続いて以下
に説明する作業工程によってペレット状のＬＥＤチップ
１が作製される。

【００５０】ウエハ全体の大きさに匹敵する光半導体原
形が完成された後には、図９に示すように、その光半導
体原形を帯状部材６に貼着させた状態で分割する。この
際、光半導体原形は、図示されないが采の目状に分割さ
れ、その分割された各々がペレット状のＬＥＤチップ１
とされる。この作業は、一般のウェハのダイシング工程
と同様に、たとえばダイヤモンドカッタやレーザカッタ
を用いて行われる。

【００５１】次いで、図１０に示すように、帯状部材６
を矢印方向Ｗに延伸させることにより、その帯状部材６
に貼着されたＬＥＤチップ１を所定間隔ｔおきに配列さ
せた状態とする。この際、帯状部材６は、図示しないが
矢印方向Ｗに直交する方向にも延伸され、その結果、Ｌ
ＥＤチップ１は、マトリクス状の平面パターンをもって
配列された状態となる。

【００５２】その後、図１１に示すように、帯状部材６
を延伸させたままの状態で穿孔部４ａをＬＥＤチップ１
に嵌め合わせつつ、その帯状部材６の貼着面に中間フィ
ルム４を貼着する。この際、中間フィルム４は、連続し
たテープ状の中間形態のものが用いられる。

【００５３】上記中間フィルム４の貼着作業後には、図
１２に示すように、帯状部材６を延伸させたままの状態
で、その帯状部材６が貼着された面とは反対の面となる
ＬＥＤチップ１および中間フィルム４の表面全体に第２
のフィルム３を接合する。この際、ＬＥＤチップ１の導
電層１３と第２のフィルム３の電極３１とが整合して接
続されるように位置合わせしながら作業が行われる。ま
た、第２のフィルム３は、上記中間フィルム４と同様に
連続したテープ状の中間形態のものが用いられる。

【００５４】上記第２のフィルム３の接合作業後、貼着
状態にある帯状部材６がＬＥＤチップ１および中間フィ
ルム４から剥離され、その後、図１３に示すように、帯
状部材６が貼着されていたＬＥＤチップ１および中間フ
ィルム４の表面全体に第１のフィルム２を接合する。こ
の際も、第１のフィルム２は、上記中間フィルム４や第
２のフィルム３と同様に連続したテープ状の中間形態の
ものが用いられる。

【００５５】上記一連の作業工程によれば、第１および
第２のフィルム２，３間にマトリクス状の平面パターン
をもって複数のＬＥＤチップ１が配列された構造の半完
成品が作製され、この半完成品を所定寸法の長矩形状に
切断することによって最終形態の上記光半導体モジュー
ルＡが完成することとなる。

【００５６】このようにして製造された光半導体モジュ
ールＡでは、複数のＬＥＤチップ１が第１および第２の
フィルム２，３間に挟み込まれた状態で、これら両フィ
ルム２，３面内においてマトリクス状の平面パターンを
もって配列された構造である。これら複数のＬＥＤチッ
プ１それぞれは、第１のフィルム２に対してそのフィル
ム全体に練り込まれた導電性粒子を介してアース接続さ
れた状態であり、一方、第２のフイルム３に対してはそ
れぞれ対応する電極３１を介して図示しない外部電源と
導通された状態とされている。これにより、複数の電極
３１を介した通電制御に応じて複数のＬＥＤチップ１か
ら選択的に光が発せられ、複数のＬＥＤチップ１による
配列画素に応じた幾何学的な表示発光が第２のフィルム
３を通じて視認されることとなる。

【００５７】したがって、光半導体モジュールＡは、２
枚のフィルム２，３に挟み込まれた状態で複数のＬＥＤ
チップ１をマトリクス状に配列した構造であるので、チ
ップ１および２枚のフィルム２，３分のみの厚みを有す
ることでモジュール全体の薄型化を実現することがで
き、しかも、フィルム２，３面内において個々のＬＥＤ
チップ１がマトリクス状の平面パターンをもって配列さ
れた構造であることから、第１および第２のフィルム
２，３によって従来のパッケージ機能を果たしつつ、モ
ジュール全体の小型化を実現することができる。

【００５８】また、ＬＥＤチップ１は、製造工程におけ
る化合物半導体の結晶成長に用いられた基板５以外の半
導体積層部１２を本体としているので、結晶成長用の基
板５を備えた従来構造のＬＥＤチップとは異なり、ウェ
ハから形成される結晶成長用の基板５の厚み分が排除さ
れることから、チップ自体の厚みをかなり小さくするこ
とができ、それにともなってモジュール全体の厚みも相
当小さくすることができる。

【００５９】さらに、第１および第２のフィルム２，３
間には、複数のＬＥＤチップ１に整合して複数の穿孔部
４ａを有する中間フィルム４が挟み込まれているので、
中間フィルム４の穿孔部４ａにＬＥＤチップ１が嵌め合
わされる状態で、その中間フィルム４が第１および第２
のフィルム２，３を表裏面としてモジュール全体の補強
機能を果たし、薄型でありながら剛性のあるモジュール
構造を提供することができる。

【００６０】さらにまた、複数のＬＥＤチップ１は、マ
トリクス状の平面パターンをもって配列されているの
で、そのようなＬＥＤチップ１を選択的に発光させるこ
とにより、インジケータなどと異なる趣向の表示機能、
たとえば文字や図形などの幾何学的な表示を行うことが
できる。

【００６１】一方、上記したような光半導体モジュール
Ａの製造方法によれば、延伸可能な帯状部材６を利用し
て複数に分割されたＬＥＤチップ１を一まとめにして一
度に配列させることができるので、薄型化および小型化
された上記光半導体モジュールＡを適切に、かつ効率良
く製造することができる。

【００６２】なお、本実施形態においては、第１および
第２のフィルム２，３ともに透光性を有するものである
が、他の実施形態としてＩＣカードＢの表面側となる第
２のフィルム３のみに透光性をもたせ、ＩＣカードＢの
内部に収容される第１のフィルム２は、透光性を有する
ことなく光反射性を有するようなものであってもよい。

【００６３】また、第１のフィルム２は、第２のフィル
ム３と同様に片面に透光性を有する電極が形成されたも
のであってもよい。この場合、その電極の厚み分がモジ
ュール全体の厚みに加えられることから、なるべく薄型
のモジュールを作製する場合には、上記実施形態の構造
がもっとも望ましいといえる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明にかかる光半導体モジュールの一実施
形態を示した概略斜視図である。

【図２】図１に示す光半導体モジュールを拡大分解して
示した拡大分解斜視図である。

【図３】図１に示す光半導体モジュールのＸ−Ｘ断面を
一部拡大して示した一部拡大断面図である。

【図４】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一
工程を示した要部断面図である。

【図５】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一
工程を示した要部断面図である。

【図６】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一
工程を示した要部断面図である。

【図７】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一
工程を示した要部断面図である。

【図８】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一
工程を示した要部断面図である。

【図９】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の一
工程を示した要部断面図である。

【図１０】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の
一工程を示した要部断面図である。

【図１１】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の
一工程を示した要部断面図である。

【図１２】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の
一工程を示した要部断面図である。

【図１３】図１に示す光半導体モジュールの製造方法の
一工程を示した要部断面図である。

【符号の説明】

１ ＬＥＤチップ ２ 第１のフィルム ３ 第２のフィルム ３１ 電極 ４ 中間フィルム ４ａ 穿孔部 ５ 基板 １２ 半導体積層部 Ａ 光半導体モジュール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 弘光 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一方のフィルムが透光性を有
   するとともに、少なくとも一方のフィルムの表面に複数
   の電極が形成されている第１および第２のフィルムと、 上記複数の電極にそれぞれ接続された状態で上記第１お
   よび第２のフィルム間に挟み込まれ、これら両フィルム
   面内において所定の平面パターンをもって配列された複
   数の光半導体チップと、 を備えたことを特徴とする、光半導体モジュール。
2. 【請求項２】 上記光半導体チップは、化合物半導体の
   結晶成長に用いられた基板以外の半導体積層部を本体と
   している、請求項１に記載の光半導体モジュール。
3. 【請求項３】 上記第１および第２のフィルム間には、
   上記複数の光半導体チップに整合して複数の穿孔部を有
   する中間フィルムが挟み込まれている、請求項１または
   請求項２に記載の光半導体モジュール。
4. 【請求項４】 上記中間フィルムは、光拡散性を有して
   いる、請求項３に記載の光半導体モジュール。
5. 【請求項５】 上記電極は、透光性を有するとともに、
   上記第１および第２のフィルムのうち、少なくとも一方
   の透光性を有するフィルムの表面に形成されている、請
   求項１ないし請求項４のいずれかに記載の光半導体モジ
   ュール。
6. 【請求項６】 上記複数の光半導体チップは、マトリク
   ス状の平面パターンをもって配列されている、請求項１
   ないし請求項５のいずれかに記載の光半導体モジュー
   ル。
7. 【請求項７】 上記第１および第２のフィルムは、とも
   に透光性を有している、請求項１ないし請求項６のいず
   れかに記載の光半導体モジュール。
8. 【請求項８】 少なくとも一方のフィルムが透光性を有
   するとともに、少なくとも一方のフィルムの表面に複数
   の光半導体チップと接続可能な複数の電極を有する第１
   および第２のフィルムが用意されている、光半導体モジ
   ュールの製造方法であって、 一定面積を有する光半導体原形上に延伸可能な帯状部材
   を貼着する工程と、 上記光半導体原形を切断して上記複数の光半導体チップ
   に分割する工程と、 上記帯状部材を所定の方向に延伸させることにより、上
   記複数の光半導体チップを所定の平面パターンに配列さ
   せる工程と、 上記帯状部材が貼着された面とは反対の面に対して、上
   記複数の光半導体チップ全体にわったて上記第１のフィ
   ルムを接合する工程と、 上記複数の光半導体チップから上記帯状部材を剥離した
   後、その帯状部材が貼着されていた面に対して、上記複
   数の光半導体チップ全体にわったて上記第２のフィルム
   を接合する工程と、 を有していることを特徴とする、光半導体モジュールの
   製造方法。
9. 【請求項９】 一定面積を有する基板上に化合物半導体
   を結晶成長させることにより、半導体積層部を有する上
   記光半導体原形を形成する工程と、 上記光半導体原形から上記基板を除去する工程と、 を有している、請求項８に記載の光半導体モジュールの
   製造方法。
10. 【請求項１０】 上記複数の光半導体チップを所定の平
    面パターンに配列させる工程の後、これら複数の光半導
    体チップに整合して複数の穿孔部を有する中間フィルム
    を上記帯状部材に貼着する工程を有している、請求項８
    または請求項９に記載の光半導体モジュールの製造方
    法。