JPH11176757A - バレル型気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の内部構造を改善して大型化を抑止する
とともに高い加熱効率が得られるバレル型気相成長装置
を提供する。 【解決手段】 装置の中心部で垂直方向に延在する加熱
源１１と、この加熱源１１の外側を取り囲む内壁に半導
体ウエハ１を保持して回転するサセプタ１２とを設け
る。このサセプタ１２と加熱源１１との間を仕切る反応
炉１３を備え、サセプタ１２の下部にベルト４により連
結してサセプタ１２を回転させる駆動源２を有する。外
部に放出する加熱源１１の放射熱を装置内部に反射させ
る反射板１４を備え、反応炉１３内部を冷却するために
空気を供給する空気供給口１５と、反応炉１３内部の空
気を排出する空気排出口１６とを設けるとともに、サセ
プタ１２と反応炉１３との間に反応ガスを供給する反応
ガス供給口１７と、この反応ガスを底部から排出する反
応ガス排出口１８とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バレル型気相成長
装置に係り、さらに詳しくは半導体製造工程でサセプタ
に保持された半導体ウエハ上に反応炉内を所定の温度に
維持してエピタキシャル層を気相成長させるバレル型気
相成長装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造工程では、半導体ウエ
ハ上に化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて気相反応させ
ることでエピタキシャル層を生成させる工程を実施して
いる。この化学気相成長法は、エピタキシャル層を気相
成長させる際に、ウエハを所定の反応温度まで加熱し、
ウエハを収容した反応炉内に原料ガスをキャリアガスと
共に流出させて半導体ウエハ上にエピタキシャル層を成
長させるものである。このように、エピタキシャル層を
気相成長させる装置として、温度域が一定し、スリップ
などの結晶欠陥が発生しづらく、比較的均一なエピタキ
シャル層を形成することができるバレル型気相成長装置
がよく適用されている。このような装置としては、例え
ば、特開平８−２３６４６３号公報などに開示されてい
る。

【０００３】図３は、このような従来のバレル型気相成
長装置を示した断面図であり、図４は図３に示したＹ−
Ｙ部の断面を示す断面図である。図３に示すように従来
のバレル型気相成長装置は、垂直方向に長く延在した円
筒状の反応炉３３と、この反応炉３３内で多角形断面を
有して略垂直に延在し、外壁に半導体ウエハ２０を保持
して回転するサセプタ３２と、このサセプタ３２の上部
３２ｂに一体に設けられた中心軸３２ｃを回転させる駆
動源２２と、反応炉３３の側壁外周を取り囲むように配
列される複数の加熱源３１と、この加熱源３１の放射熱
を外部に放出させないように加熱源３１を取り囲むよう
に設けた反射板３４とにより構成されている。また、こ
のバレル型気相成長装置は、外部から反応炉３３の上部
に反応ガスを供給するために細長く延在した筒状の反応
ガス供給口３７と、反応炉３３内に流出された反応ガス
を反応炉３３の下部から外部に排出する反応ガス排出口
３８とを備えている。

【０００４】ここで、反応炉３３は、円筒の形状を有し
ており垂直方向に長く延在した中空の直胴部を備えてい
る。この直胴部は、加熱源３１からの放射熱を十分に透
過させるために材質を透明な石英ガラスにより形成して
いる。このような反応炉３３の内部には、中央部に半導
体ウエハ２０を保持するためのサセプタ３２が設けられ
ている。サセプタ３２は、多角形断面を有して略垂直に
細長く延在した外壁３２ａを備えており、この外壁３２
ａに所定の間隔を有して凹状に形成された座ぐり部３２
ｅが複数形成されている。この凹状の座ぐり部３２ｅに
は、複数の半導体ウエハ２０が保持できるようになって
おり、サセプタ３２の多角形の外壁３２ａに配列されて
いる。またサセプタ３２には、上部３２ｂの中心から垂
直に延在した棒状の中心軸３２ｃが一体に形成されてい
る。サセプタ３２は、通常グラファイトからなり、表面
が炭化ケイ素によって被覆されており、半導体ウエハ２
０が炭素によって汚染されるのを防止している。このサ
セプタ３２の中心軸３２ｃには、サセプタ３２を回転さ
せるための駆動源２２が連結されている。駆動源２２
は、電圧を印加することで回転するモータを備えてお
り、サセプタ３２の上部中心に設けた中心軸３２ｃの一
端と、モータの駆動部とが係合することで、サセプタ３
２が中心軸３２ｃを中心に回転するように設けてある。

【０００５】図４に示すように、反応炉３３の側壁外周
には、一定の距離を置いて外周を取り囲むように複数の
加熱源３１が設けられている。この加熱源３１は、例え
ば、直線管状のハロゲンクォーツランプなどからなる加
熱ランプを縦軸方向に複数配列させて構成する。また加
熱源３１は、電圧を印加できるようになっており、印加
した電圧に比例した放射熱を放出してサセプタ３２を放
射加熱できるようになっている。また、このような加熱
源３１の外周には、さらに外周を取り囲むように円筒形
状を有した反射板３４が設けられている。この反射板３
４は、反応炉３３の外側に設けた加熱源３１からの放射
熱が、外部に放出しないように反応炉３３の外周で放出
する放射熱を反射させている。この反射板３４には、加
熱ランプを中心に取り囲む内側、または全体に、放射熱
を効果的に反射させるために金メッキが施されている。

【０００６】反応炉３３の上部には、図３に示したよう
に外部から反応ガスを供給するための反応ガス供給口３
７が設けられている。この反応ガス供給口３７は、細長
く円筒管状に延在するように形成されており、外部から
反応炉３３内の上部に反応ガスを供給するために設けら
れている。この反応ガス供給口３７は、反応ガスを供給
するために外部に設けた反応ガス供給部（図示せず）と
接続されている。

【０００７】また、反応炉３３の底部には、反応炉３３
内に供給された反応ガスを外部に排出するための反応ガ
ス排出口３８が設けてある。ここで反応炉３３の周壁
は、加熱源３１の放射熱を透過させるので、サセプタ３
２の周壁と比べるとあまり温度が上昇しないが、それで
もある程度温度が上昇すると反応炉３３の内壁に不要な
堆積物が付着する。この堆積物は、放射熱を吸収して反
応炉３３内の温度分布に悪影響を及ぼしたり、剥離して
エピタキシャル層に付着して結晶欠陥やパーティクルの
発生原因となる。そこで、反応ガス排出口３８を設け、
反応炉３３内で堆積物が発生しないように余分な反応ガ
スを排出する。これにより、半導体ウエハに及ぼす悪影
響を防止している。また図示されていないが、このよう
なバレル型気相成長装置には、反応炉３３の温度の上昇
を防止し、内部を所定の温度に維持するため、外部にブ
ロアなどの冷却装置を設けて内部に冷却空気を供給して
いる。この冷却装置（図示せず）は、空冷式のブロアか
ら冷却空気を供給して加熱源３１および反応炉３３内を
冷却するように設けてある。

【０００８】次に、このように構成された従来のバレル
型気相成長装置の動作を説明する。まず、サセプタ３２
の外壁３２ａに設けた座ぐり部３２ｅに、半導体ウエハ
２０を保持する。これによりサセプタ３２には、外壁３
２ａの周囲に複数の半導体ウエハ２０が配列される。こ
のようにサセプタ３２に複数の半導体ウエハ２０を配列
した後、反応炉３３内を密閉する。半導体ウエハ２０を
設置して反応炉３３内を密閉すると、このサセプタ３２
の上面３２ｃに形成した中心軸３２ｃと係合する駆動源
２２を作動させる。これにより、サセプタ３２が回転
し、このサセプタ３２に設置された半導体ウエハ２０が
共に反応炉３３内で回転する。

【０００９】サセプタ３２に設置された半導体ウエハ２
０が回転すると同時に、加熱源３１を作動させて、この
加熱源３１から放出される放射熱により、回転するサセ
プタ３２と半導体ウエハ２０とを加熱する。この際、半
導体ウエハ２０は、所定の反応温度に上がるまで加熱さ
れる。半導体ウエハ２０が所定の反応温度まで達する
と、外部に設けた反応ガス供給部（図示せず）から反応
ガス供給口３７を介して、半導体ウエハ２０が収容され
た反応炉３３内に原料ガスとキャリアガスとを共に供給
する。反応炉３３内に反応ガスが供給されると、この反
応ガスが反応ガス供給口３７からサセプタ３２表面に沿
って下部方向に流出する。この下部方向に流出した反応
ガスは、反応炉３３の底部に設けた反応ガス排出口３８
から外部に排出される。このとき半導体ウエハ２０上で
反応ガスが反応し、半導体ウエハ２０上にエピタキシャ
ル層が成長する。

【００１０】このように、従来のバレル型気相成長装置
は、回転するサセプタ３２の外周に半導体ウエハ２０を
設置し、このサセプタ３２の外側周囲に設置した加熱源
３１により加熱して反応ガスを供給することで、効果的
に半導体ウエハ２０上にエピタキシャル層を成長させる
ことができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のバレル型気相成長装置は、反応炉の外部周囲
に加熱源を配置して反応炉内の半導体ウエハを加熱する
構成を有している。従って、このような構造は反応炉を
中心として外側に他の装置が装着されるため、反応炉の
半径方向に大型化するという不具合があった。特に今
後、半導体ウエハの大径化が進むと反応炉の断面積は、
より一層、大型化するために高い加熱効率を維持するこ
とが困難になるという不具合があった。また、従来のバ
レル型気相成長装置は、加熱源から反応炉と反対方向に
放出される放射熱が存在し、この反対方向に放出される
放射熱を反射板などを用いて再び反応炉に照射してい
る。しかし、このような反射板は、放射熱の吸収が生じ
るため、高い加熱効率が得られず反応炉内の温度が低下
し、反応ガスが凝縮して半導体ウエハに悪影響を与えて
しまう不具合があった。本発明はこのような問題点を解
決し、装置の内部構造を改善して大型化を抑止するとと
もに高い加熱効率が得られるバレル型気相成長装置を提
供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、半導体ウエハ上に半導体薄膜層を気相成
長させるバレル型気相成長装置において、半導体ウエハ
を所定の反応温度までに加熱するために装置の中心で垂
直方向に延在する加熱源と、加熱源から所定の間隔を置
いて外周を取り囲むように設けて内壁に半導体ウエハを
保持し回転するサセプタと、このサセプタと加熱源との
間を仕切るように加熱源の外周を取り囲むとともに加熱
源の放射熱をサセプタ側に透過可能な反応炉と、半導体
ウエハを保持したサセプタと係合してサセプタを回転さ
せる駆動源と、反応炉の内部を冷却するために空気を供
給する空気供給口と空気を排出する空気排出口とを備え
た空気冷却口と、サセプタと反応炉との間に、加熱源に
触れないように反応ガスを供給する反応ガス供給口およ
び反応ガスを排出する反応ガス排出口を備えた反応ガス
循環口とを設ける。

【００１３】ここで、サセプタの外周を取り囲むように
設置され加熱源から放出する放射熱を内側に反射させる
反射部材をさらに設け、この反射部材は加熱源の放射熱
を反射するために金メッキを施して設ける。また、加熱
源は直線管状のハロゲンクォーツランプを縦軸方向に複
数配列させて設け、サセプタはグラファイトにより形成
されて加熱源の外周を取り囲む内壁に凹状の座ぐり部を
複数設けて半導体ウエハを保持する。また反応炉は加熱
源の放射熱を透過するために透明な石英ガラスにより形
成し、駆動源はサセプタの外周近傍にモータを設けてモ
ータとサセプタの外周とをベルトにより連結してサセプ
タを回転させるように設ける。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よるバレル型気相成長装置の実施の形態を詳細に説明す
る。図１は本発明によるバレル型気相成長装置の実施の
形態を示す断面図であり、図２は図１に示したＸ−Ｘ部
の断面を示す断面図である。

【００１５】図１に示すように、本発明によるバレル型
気相成長装置の実施の形態は、装置の中心部で垂直方向
に延在する加熱源１１と、この加熱源１１の外側を取り
囲むように設けられ、内壁に半導体ウエハ１を保持して
回転するサセプタ１２と、このサセプタ１２と加熱源１
１との間を仕切るように加熱源１１の周囲を取り囲む反
応炉１３と、サセプタ１２の下部にベルト４により連結
してサセプタ１２を回転させる駆動源２と、外部に放出
してしまう加熱源１１の放射熱を内部に反射させる反射
板１４とにより構成されている。また、反応炉１３に
は、内部を冷却するための空気を供給する空気供給口１
５と、内部の空気を排出する空気排出口１６とを設けて
ある。さらに、半導体ウエハ１を保持したサセプタ１２
と反応炉１３との間には、反応ガスを加熱源１１に触れ
ないように上部から供給する反応ガス供給口１７と、こ
の反応ガスを底部から排出する反応ガス排出口１８とを
備えている。

【００１６】ここで加熱源１１は、図３に示した従来の
装置では外周近傍に設けられていたのに対し、本実施の
形態では中心部に設けられ、この中心部の縦軸方向に延
在するように設置されている。この加熱源１１は、例え
ば、直線管状のハロゲンクォーツランプからなる加熱ラ
ンプを中心部の縦軸方向に複数配列させて構成する。ま
た加熱源１１は、電圧を印加できるようになっており、
印加した電圧に比例した放射熱を放出して中心から外側
へ放射加熱できるように設けてある。この加熱源１１の
外側には、所定の間隔を有して取り囲むように設けたサ
セプタ１２が装着されている。従って、従来の装置のよ
うに外側に設置されていた加熱源のスペースが不要とな
り、装置内部のスペースを小型化することができる。ま
た加熱源１１がサセプタ１２の内部に設けられているた
め、半導体ウエハ１を加熱する加熱効率を向上すること
ができる。

【００１７】サセプタ１２は、多角形断面（図２参照）
を有して略垂直に細長く延在した内壁１２ａを有してお
り、この内壁１２ａには所定の間隔を有して凹状に形成
された座ぐり部１２ｅが複数形成されている。この凹状
の座ぐり部１２ｅには、半導体ウエハ１が保持できるよ
うになっており、サセプタ１２の内壁１２ａに複数配列
できるようになっている。サセプタ１２は、通常、グラ
ファイトからなり、表面が炭化ケイ素によって被覆され
ており、半導体ウエハ１が炭素によって汚染されるのを
防止している。またサセプタ１２は、下部に向かうほ
ど、その断面積が小さくなるように設けてあり、底部近
傍で再び外側に広がる円筒状の結合部１２ｃが一体に形
成されている。このサセプタ１２と加熱源１１との間に
は、サセプタ１２と加熱源１１とを仕切るように反応炉
１３が設けてある。

【００１８】反応炉１３は、円筒の形状を有し、垂直方
向に長く延在する中空の直胴部を備えており、この直胴
部の内側に加熱源１１が設けてある。反応炉１３は、加
熱源１１から放射する放射熱を透過させてサセプタ１２
に保持した半導体ウエハ１を加熱できるように、透明な
石英ガラスの材質により形成されている。ここで、サセ
プタ１２の下部に形成した結合部１２ｃは、サセプタ１
２下部の近傍にモータを備えた駆動源２を設け、この駆
動源２のモータとベルト４により連結されている。駆動
源２は、電圧を印加することで回転するように構成され
る。またサセプタ１２は、中心軸を中心に回転するよう
に設けてある。従って、駆動源２は、電圧を加えること
で回転し、ベルト４により伝達されサセプタ１２を回転
させる。この回転するサセプタ１２の外周には、サセプ
タ１２の外周をさらに取り囲むように反射板１４が設け
てある。

【００１９】反射板１４は、図２に示すように反応炉１
３内の加熱源１１から放射した放射熱がサセプタ１２の
外部に放出しないように、サセプタ１２の外側で放射熱
を内部に反射させている。この反射板１４は、サセプタ
１２を取り囲む内壁、または全体に放射熱を効果的に反
射させるために金メッキが施されている。このように反
射板１４は、装置の外側に放射熱が放出することを防止
しているため、サセプタ１２に設置した半導体ウエハ１
を効果的に加熱できるとともに、装置内の温度を一定に
維持することができる。

【００２０】サセプタ１２と反応炉１３との間は、加熱
源１１を内設した反応炉１３に比べるとあまり温度が上
昇しないが、それでもある程度温度が上昇すると反応炉
１３の外壁に不要な堆積物が付着する。この堆積物は、
放射熱を吸収してサセプタ１２と反応炉１３との間内の
温度分布に悪影響を及ぼしたり、剥離してエピタキシャ
ル層に付着して結晶欠陥やパーティクルの発生原因とな
る。そこで図１に示すように反応炉１３の内部に、温度
の上昇を防止する冷却空気を供給できる空気供給口１５
と、反応炉１３の内部の空気を排出するための空気排出
口１６とを設けている。このように、反応炉１３内で加
熱された空気を常に循環させることで、反応炉１３の温
度を所定の温度に維持することができる。この空気供給
口１６は、反応炉１３内に冷却空気を供給するため、外
部に設けた空冷式のブロア（図示せず）に接続されてい
る。このように、反応炉１３には、内部の空気を循環す
ることができる空気供給口１５と空気排出口１６とを設
けて温度を一定に維持している。

【００２１】一方、サセプタ１２と反応炉１３との間に
は、上部から加熱源１１に触れないように反応ガスを供
給するための反応ガス供給口１７が設けられている。こ
の反応ガス供給口１７は、細長く円筒管状に延在するよ
うに形成されており、外部に設けた反応ガス供給部（図
示せず）と接続され、外部から反応ガスを供給できるよ
うに設けられている。また、反応ガス供給口１７から供
給された反応ガスは、サセプタ１２と反応炉１３との間
の底部に流出する。この際、底部に流出した反応ガスを
外部に排出する反応ガス排出口１８が設けてある。この
ように、サセプタ１２と反応炉１３との間には、反応ガ
スが必要以上に充満することなく供給および排出できる
反応ガス供給口１７および反応ガス排出口１８が設けて
ある。

【００２２】次に、このように構成された本発明による
バレル型気相成長装置を駆動させる動作を詳細に説明す
る。まず、サセプタ１２の内壁１２ａに設けた複数の座
ぐり部１２ｅに、半導体ウエハ１の下部を保持させて設
置する。これによりサセプタ１２の内壁１２ａには、複
数の半導体ウエハ１が配列する。また、サセプタ１２の
内壁１２ａに複数の半導体ウエハ１を配列させた後、反
射板１４内を密閉する。半導体ウエハ１を設置して反射
板１４内を密閉すると、このサセプタ１２の結合部１２
ｃにベルト４により連結した駆動源２を作動する。これ
により、サセプタ１２が回転するとともに、このサセプ
タ１２の内壁１２ａに複数設置された半導体ウエハ１も
同時に反応炉１４の外周に沿って回転する。

【００２３】サセプタ１２が回転すると同時に、装置の
中心部に設けた加熱源１１を作動させて、この加熱源１
１から外側に放出される放射熱により、サセプタ１２と
半導体ウエハ１とを加熱する。この際、半導体ウエハ１
は、所定の反応温度に上昇するまで加熱される。このよ
うにサセプタ１２に内設された加熱源１１がサセプタ１
２内部を加熱するため、従来の装置に比べて加熱効率が
向上する。また、サセプタ１２の外周に設けた反射板１
４が、外部に放出される加熱源を内部に反射しているた
めに内部の温度を一定に維持することができる。半導体
ウエハ１が所定の反応温度まで達すると、外部に設けた
反応ガス供給部（図示せず）から反応ガス供給口１７を
介して半導体ウエハ１が収容された反応炉１３とサセプ
タ１２との間に原料ガスおよびキャリアガスとを共に供
給する。この際、加熱源１１を内設した反応炉１４内
で、温度が必要以上に上昇することを防止し、内部の温
度を一定に維持するため、空気供給口１５から冷却空気
を供給するとともに、空気排出口１６から内部で加熱さ
れた高温の空気を外部に排出する。

【００２４】反応炉１３内とサセプタ１２との間に反応
ガスが供給されると、この反応ガスが反応ガス供給口１
７からサセプタ１２表面に沿って下部方向に流出する。
この下部方向に流出した反応ガスは、反応炉１３内とサ
セプタ１２との間の底部に設けた反応ガス排出口１８か
ら外部に排出される。このように反応ガス供給口１７か
らサセプタ１２表面に沿って流出する反応ガスにより、
サセプタ１２に設置された半導体ウエハ１の表面で反応
することで半導体ウエハ１上にエピタキシャル層を成長
させる。このように本発明によるバレル型気相成長装置
は、中心部に加熱源を設けた構造により、半導体ウエハ
を効果的に加熱でき、装置内の温度を一定に維持できる
とともに、装置の小型化を実現することができる。

【００２５】以上、本発明に係るバレル型気相成長装置
の実施の形態を詳細に説明したが、本発明は前述の実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で変更可能である。例えば、サセプタと駆動源と
をベルトにより連結した実施の形態を説明したが、ベル
トにより連結することに限定されるものではなく、歯車
などにより係合させてもよい。また、加熱源１１はハロ
ゲンクォーツランプに限定されるものではなく、また直
線管状のハロゲンクォーツランプを縦軸方向に配列させ
ることに限定するものではない。例えば、円環形状のハ
ロゲンクォーツランプを積み重ねた形状の加熱源でもよ
い。

【００２６】

【発明の効果】このように本発明によるバレル型気相成
長装置によれば、従来は反応炉の周辺に配置していた加
熱源を反応炉の中心に配置したため、サセプタの内部の
空間を有効に利用でき、装置内の断面積を従来の装置に
比べて小さくすることができるという効果がある。ま
た、加熱源をサセプタの内部に設けたことにより、加熱
源の側面は、全てサセプタおよび半導体ウエハに向いて
いるため、高い加熱効率を得ることができるとともに、
従来の装置に比べて中心部の反応炉内に設けた加熱源を
効果的に空気供給口により冷却し、反応炉内を所定の反
応温度に維持できるため、半導体ウエハ上に与える悪影
響を減少させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるバレル型気相成長装置の実施の形
態を示す断面図。

【図２】図１に示したＸ−Ｘ部の断面を示す断面図。

【図３】従来のバレル型気相成長装置を示した断面図。

【図４】図３に示したＹ−Ｙ部の断面を示す断面図。

【符号の説明】

１ 半導体ウエハ ２ 駆動源 ４ ベルト １１ 加熱源 １２ サセプタ １２ａ 内壁 １２ｃ 結合部 １２ｅ 座ぐり部 １３ 反応炉 １４ 反射板 １５ 空気供給口 １６ 空気排出口 １７ 反応ガス供給口 １８ 反応ガス排出口

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体製造工程で反応ガスにより半導体
   ウエハ上に半導体薄膜層を気相成長させるバレル型気相
   成長装置において、 前記半導体ウエハを所定の反応温度まで加熱するために
   前記バレル型気相成長装置の中心で垂直方向に延在する
   加熱源と、 前記加熱源から所定の間隔を置いて外周を取り囲むよう
   に設けられ、この取り囲む内壁に前記半導体ウエハを保
   持し回転するサセプタと、 前記加熱源と前記サセプタとの間を仕切るように前記加
   熱源の外周を取り囲むとともに、前記加熱源の放射熱を
   前記サセプタ側に透過可能な反応炉と、 前記半導体ウエハを保持した前記サセプタと係合し、こ
   のサセプタを回転させる駆動源と、 前記反応炉の内部を冷却するために、空気を供給する空
   気供給口と、空気を排出する空気排出口とを備えた空気
   冷却口と、 前記サセプタと前記反応炉との間に、前記加熱源に触れ
   ないように反応ガスを供給する反応ガス供給口および反
   応ガスを排出する反応ガス排出口を備えた反応ガス循環
   口とを設けたことを特徴とするバレル型気相成長装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のバレル型気相成長装置
   において、 前記サセプタの外周を取り囲むように設けられ、前記加
   熱源から放出する放射熱を内側に反射させる反射部材を
   さらに設けたことを特徴とするバレル型気相成長装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載のバレル型気相成長装置
   において、 前記反射部材は、前記加熱源の放射熱を反射するために
   金メッキを施して設けたことを特徴とするバレル型気相
   成長装置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載のバレル型気相成長装置
   において、 前記加熱源は、直線管状のハロゲンクォーツランプを縦
   軸方向に複数配列させて設けたことを特徴とするバレル
   型気相成長装置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載のバレル型気相成長装置
   において、 前記サセプタは、グラファイトにより形成され、前記加
   熱源の外周を取り囲む内壁に凹状の座ぐり部を複数設け
   て前記半導体ウエハを保持することを特徴とするバレル
   型気相成長装置。
6. 【請求項６】 請求項１に記載のバレル型気相成長装置
   において、 前記反応炉は、前記加熱源の放射熱を透過するために透
   明な石英ガラスにより形成したことを特徴とするバレル
   型気相成長装置。
7. 【請求項７】 請求項１に記載のバレル型気相成長装置
   において、 前記駆動源は、前記サセプタの外周近傍にモータを設
   け、このモータとサセプタの外周とをベルトにより連結
   して前記サセプタを回転させることを特徴とするバレル
   型気相成長装置。