JPH1116963A - Test method and equipment for semiconductor wafer - Google Patents

Test method and equipment for semiconductor wafer

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JPH1116963A
JPH1116963A JP9169133A JP16913397A JPH1116963A JP H1116963 A JPH1116963 A JP H1116963A JP 9169133 A JP9169133 A JP 9169133A JP 16913397 A JP16913397 A JP 16913397A JP H1116963 A JPH1116963 A JP H1116963A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
semiconductor
test
stylus
semiconductor chips
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JP9169133A
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Japanese (ja)
Inventor
Shuji Shinagawa
修司 品川
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II S J KK
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II S J KK
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a test method and an equipment for a semiconductor wafer, wherein simultaneous test of a plurality of semiconductor chips is facilitated while corresponding to a very large aperture semiconductor wafer, and the shortening of test time and further reduction of moving distance are also enabled. SOLUTION: A probe card 101 has four probe groups 202. The four probe groups 202 divide a semiconductor chip 203 formed on a semiconductor wafer 201 into four blocks of 4×4 and arrange the four blocks, to as to have relative positioned relations (i.e., the same positions are obtained in the respective blocks). By performing an operation test in the order indicated an arrow, operation test of the semiconductor chip 203 wherein a plurality of semiconductor chips can be simultaneously tested, test time is shortened and moving distance of the semiconductor wafer 201 is reduced is enabled.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハーの
テスト方法および装置に関し、より特定的には、テスト
に伴う半導体ウェハーの移動から生じる絶対的移動誤差
を減少させつつも、複数個の半導体チップの同時テスト
を容易にし、また、超大口径半導体ウェハーをも測定可
能とする半導体ウェハーのテスト方法および装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for testing a semiconductor wafer, and more particularly, to a method for testing a plurality of semiconductor chips while reducing an absolute movement error resulting from movement of the semiconductor wafer during the test. The present invention relates to a method and an apparatus for testing a semiconductor wafer which facilitates simultaneous testing of semiconductor wafers and enables measurement of an ultra-large-diameter semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的に、半導体チップの動作テスト
は、各半導体チップごとに切断される前の半導体ウェハ
ーの状態(複数の半導体チップが成形されている)で行
われる。この半導体ウェハーに成形されている個々の半
導体チップの動作テストは、半導体チップの各接続端子
(以下、パッドと称する)に触針を押圧接触させて電気
的に行われる。
2. Description of the Related Art Generally, an operation test of a semiconductor chip is performed in a state of a semiconductor wafer (a plurality of semiconductor chips are formed) before being cut for each semiconductor chip. An operation test of each semiconductor chip formed on the semiconductor wafer is performed electrically by pressing a stylus into contact with each connection terminal (hereinafter, referred to as a pad) of the semiconductor chip.

【0003】図4に、従来の半導体ウェハーテスト装置
の簡単な構成のブロック図を示す。図4において、従来
の半導体ウェハーテスト装置400は、プローブカード
401と、半導体ウェハー移動装置102と、電気回路
103と、CPU104とを備える。なお、図4におい
て、プローブカード401と半導体ウェハー移動装置1
02とを結ぶ破線矢印は、機械的な接続関係を有するこ
とを意味している。
FIG. 4 is a block diagram showing a simple configuration of a conventional semiconductor wafer test apparatus. In FIG. 4, a conventional semiconductor wafer test apparatus 400 includes a probe card 401, a semiconductor wafer moving device 102, an electric circuit 103, and a CPU 104. In FIG. 4, the probe card 401 and the semiconductor wafer moving device 1
The dashed arrow connecting 02 has a mechanical connection relationship.

【0004】プローブカード401の構成の一例を、図
5に示す。図5(a)は、プローブカード401を下面
から見た図を、図5(b)は、図5(a)におけるA−
A断面を示した図である。図5において、プローブカー
ド401は、基本的に、触針202aと基板501とか
ら構成される。触針202aの素材としては、タングス
テン等の硬い良導体が用いられる。また、触針202a
は、図5(b)に示すように、その一方端(図5(b)
中、Bの部分)は、パッドに押圧接触可能なように加工
され、その他方端(同図中、Cの部分)は、信号等が行
き来できるように半田503等により基板501と電気
的に接続される。この触針202aは、テスト対象であ
る半導体チップ1個分のパッド(図示せず)の位置に対
応させて複数本をまとめて(以下、触針群202と称す
る)基板501に配置される。また、それぞれの触針2
02aは、熱硬化樹脂502等を用いて基板501に固
定される。なお、プローブカード401は、テスト装置
400に固定的に取付けられている(当該取付方法につ
いては、本願発明と直接関連がないため、ここでは説明
を省略する)。
FIG. 5 shows an example of the configuration of the probe card 401. As shown in FIG. FIG. 5A is a view of the probe card 401 as viewed from below, and FIG.
It is the figure which showed the A section. In FIG. 5, a probe card 401 basically includes a stylus 202a and a substrate 501. As a material of the stylus 202a, a hard good conductor such as tungsten is used. Also, the stylus 202a
Is one end (FIG. 5B) as shown in FIG.
The part B in the middle is processed so as to be able to press and contact the pad, and the other end (the part C in the figure) is electrically connected to the substrate 501 by solder 503 or the like so that signals and the like can be exchanged. Connected. A plurality of the styluses 202a are arranged on a substrate 501 (hereinafter, referred to as a stylus group 202) in such a manner as to correspond to the positions of pads (not shown) for one semiconductor chip to be tested. In addition, each stylus 2
02a is fixed to the substrate 501 using a thermosetting resin 502 or the like. It should be noted that the probe card 401 is fixedly attached to the test device 400 (the attachment method is not directly related to the present invention, and therefore the description is omitted here).

【0005】半導体ウェハー移動装置102が備える機
能の一例を、図8に示す。図8において、半導体ウェハ
ー移動装置102は、半導体ウェハー201を真空吸着
等の手段により載置するチャック801と、チャック8
01をX方向にスライド可能とするレール802と、チ
ャック801をY方向にスライド可能とするレール80
3とを備える。さらに、半導体ウェハー移動装置102
は、図示しないが、チャック801を上昇および下降す
る手段を有している。これらにより、半導体ウェハー2
01は、3次元空間を自由に移動することができる。な
お、半導体ウェハー移動装置102は、チャック801
平面がプローブカード401平面と平行になるように、
テスト装置400に固定的に取付けられている(当該取
付方法についても、本願発明と直接関連がないため、こ
こでは説明を省略する)。
FIG. 8 shows an example of the functions of the semiconductor wafer moving apparatus 102. In FIG. 8, a semiconductor wafer moving apparatus 102 includes a chuck 801 on which a semiconductor wafer 201 is mounted by means such as vacuum suction, and a chuck 8.
01 and the rail 802 that allow the chuck 801 to slide in the Y direction.
3 is provided. Further, the semiconductor wafer moving device 102
Although not shown, has a means for raising and lowering the chuck 801. Thus, the semiconductor wafer 2
01 can move freely in a three-dimensional space. Note that the semiconductor wafer moving apparatus 102 includes a chuck 801.
So that the plane is parallel to the probe card 401 plane,
It is fixedly attached to the test device 400 (the attaching method is not directly related to the present invention, and therefore, the description is omitted here).

【0006】図4において、電気回路103は、プロー
ブカード401の触針202aに、動作テスト用の電源
または信号等を供給する。CPU104は、半導体ウェ
ハー移動装置102のチャック801に載置されている
半導体ウェハー201に成形された半導体チップの各パ
ッドが、触針202aに押圧接触するように移動制御す
る。また、CPU104は、電気回路103に半導体チ
ップの動作テスト開始の指示を与え、かつ、当該動作テ
ストが正常に終了したかを判断する。
In FIG. 4, an electric circuit 103 supplies a power supply or a signal for an operation test to a stylus 202 a of a probe card 401. The CPU 104 controls the movement so that each pad of the semiconductor chip formed on the semiconductor wafer 201 placed on the chuck 801 of the semiconductor wafer moving device 102 comes into pressure contact with the stylus 202a. Further, the CPU 104 gives an instruction to start an operation test of the semiconductor chip to the electric circuit 103 and determines whether the operation test has been completed normally.

【0007】上記構成のテスト装置400によって行わ
れる従来の半導体ウェハーのテスト方法としては、図6
に示すテスト方法が存在する。図6は、従来の半導体ウ
ェハーのテスト方法を説明するにあたり、チャック80
1上の半導体ウェハー201とプローブカード401と
の垂直位置関係を示した図である。なお、図6におい
て、半導体ウェハー201とプローブカード401と
は、一定の間隔を持って配置されている。図6における
従来のテスト方法(以下、第1の従来のテスト方法と称
する)は、半導体チップ203の1個分の触針群202
を形成したプローブカード401を用いて、半導体ウェ
ハー201に成形されたすべての半導体チップ203を
動作テストするものである。半導体ウェハー201に
は、8×8の半導体チップ203が成形されている(図
6中、半導体チップ203が存在するブロックを、a〜
h行および1〜8列で規定し、以降その位置を“a1”
等で示す)。図6中のそれぞれのブロック内には、“a
1”に図示したような半導体チップ203がそれぞれ存
在する(但し、半導体ウェハー201は円形であるた
め、実際に完全な形の半導体チップ203は、中心にあ
る32個のみとなる)。以下、その動作を説明する。
FIG. 6 shows a conventional method for testing a semiconductor wafer performed by the test apparatus 400 having the above configuration.
There is a test method shown below. FIG. 6 illustrates a conventional method for testing a semiconductor wafer.
FIG. 2 is a diagram showing a vertical positional relationship between a semiconductor wafer 201 and a probe card 401 on the first embodiment. Note that, in FIG. 6, the semiconductor wafer 201 and the probe card 401 are arranged at a constant interval. The conventional test method in FIG. 6 (hereinafter, referred to as a first conventional test method) includes a stylus group 202 for one semiconductor chip 203.
The operation test is performed on all the semiconductor chips 203 formed on the semiconductor wafer 201 by using the probe card 401 on which is formed. On the semiconductor wafer 201, 8 × 8 semiconductor chips 203 are formed (in FIG. 6, blocks in which the semiconductor chips 203 exist are denoted by a to a).
Defined in h rows and 1 to 8 columns, the position is hereinafter referred to as "a1"
Etc.). In each block in FIG.
1 "is present (note that the semiconductor wafer 201 has a circular shape, so that there are only 32 semiconductor chips 203 in the perfect shape at the center). The operation will be described.

【0008】まず、半導体ウェハー201を移動させて
“a1”の半導体チップ203をプローブカード401
の真下(それぞれのパッド203aと触針202aとが
一致した位置)に持ってくる。そして、半導体ウェハー
201を、チャック801により上昇させ、“a1”の
半導体チップ203のパッド203aをプローブカード
401の触針202aに押圧接触させて動作テストを行
う。この“a1”の半導体チップ203の動作テストが
終われば、半導体ウェハー201を下降させた後、半導
体ウェハー201を半導体チップ203の1個(1ピッ
チ)分移動させて“a2”の半導体チップ203をプロ
ーブカード401の真下に持ってくる。そして、上記と
同様に“a2”の半導体チップ203の動作テストを行
う。この操作を繰返し、図6に示した矢印の順序で64
個すべての半導体チップ203の動作テストを行うので
ある。
First, the semiconductor wafer 201 is moved to insert the semiconductor chip 203 of “a1” into the probe card 401.
(The position where each pad 203a and the stylus 202a coincide with each other). Then, the semiconductor wafer 201 is raised by the chuck 801, and the operation test is performed by pressing the pad 203 a of the semiconductor chip 203 of “a 1” into contact with the stylus 202 a of the probe card 401. After the operation test of the “a1” semiconductor chip 203 is completed, the semiconductor wafer 201 is lowered, and then the semiconductor wafer 201 is moved by one (one pitch) of the semiconductor chip 203 to remove the “a2” semiconductor chip 203. Bring it just below the probe card 401. Then, the operation test of the semiconductor chip 203 of “a2” is performed as described above. This operation is repeated, and in the order of the arrows shown in FIG.
The operation test of all the semiconductor chips 203 is performed.

【0009】以上のように、第1の従来のテスト方法
は、1個の触針群202を備えたプローブカード401
を使用し、63回の半導体ウェハー201の移動および
64回の動作テストにより、すべての半導体チップ20
3の動作テストを行っている。しかしながら、この第1
の従来のテスト方法では、半導体チップ203の1個単
位で移動および動作テストを行っているため、時間がか
かってしまう。
As described above, the first conventional test method uses the probe card 401 having one stylus group 202.
By using 63 times, the movement of the semiconductor wafer 201 and the operation test of 64 times
3 operation test. However, this first
In the conventional test method of (1), since the movement and operation test are performed for each semiconductor chip 203, it takes time.

【0010】そこで、上記問題を解消すべく、1つのプ
ローブカード401に、隣接する複数個の半導体チップ
203に対応するよう複数の触針群202を設けたもの
を使用し、並列的に半導体チップ203の動作テストを
行う方法が用いられている。このテスト方法の一例を図
7に示す。図7は、図6と同様、従来の半導体ウェハー
のテスト方法を説明するにあたり、半導体ウェハー20
1とプローブカード701との垂直位置関係を示した図
である。図7における従来のテスト方法(以下、第2の
従来のテスト方法と称する)は、1つのプローブカード
701に隣接する4つの触針群202を設けたものを使
用し、1回のチャック801の上昇・下降動作で、同時
に4個の半導体チップ203(“a1”、“b1”、
“c1”および“d1”)の動作テストを行うものであ
る。これにより、第2の従来のテスト方法では、図7に
示した矢印の順序で15回の移動および16回の動作テ
ストだけで、64個すべての半導体チップ203の動作
テストを行うことができる。
In order to solve the above problem, a probe card 401 provided with a plurality of stylus groups 202 corresponding to a plurality of adjacent semiconductor chips 203 is used. A method of performing an operation test of 203 is used. FIG. 7 shows an example of this test method. FIG. 7 is a view similar to FIG. 6 for explaining a conventional method of testing a semiconductor wafer.
FIG. 3 is a diagram illustrating a vertical positional relationship between a probe card 701 and a probe card 701; The conventional test method shown in FIG. 7 (hereinafter, referred to as a second conventional test method) uses a probe card 701 provided with four stylus groups 202 adjacent to one probe card 701. The four semiconductor chips 203 (“a1”, “b1”,
An operation test of “c1” and “d1”) is performed. As a result, in the second conventional test method, the operation test of all 64 semiconductor chips 203 can be performed only by the movement 15 times and the operation test 16 times in the order of the arrows shown in FIG.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体の高集積
化技術の飛躍的進歩により、半導体素子サイズの縮小お
よび配線寸法の微細化等が図られている。これに伴い、
1つの半導体ウェハー201に成形される半導体チップ
203の数も増大し、さらに、半導体ウェハーのサイズ
も現在主流の6インチから8インチあるいは次世代の1
2インチへと拡大しようとしている。
In recent years, with the remarkable progress of the technology for increasing the degree of integration of semiconductors, reductions in the size of semiconductor elements and finer wiring dimensions have been made. Along with this,
The number of semiconductor chips 203 formed on one semiconductor wafer 201 has also increased, and the size of the semiconductor wafer has also been reduced from the currently mainstream 6 inches to 8 inches or the next generation 1 inch.
It is expanding to 2 inches.

【0012】しかし、上述した第1の従来のテスト方法
では、1つの半導体ウェハー201に成形される半導体
チップ203の数が増大すればするほど、動作テストの
回数が多くなり時間がかかる。また、第1の従来のテス
ト方法では、半導体ウェハー201に成形されている半
導体チップ203すべての位置にプローブカード401
を移動(実際にはチャック801を移動)させなければ
ならず、そのため、絶対的な移動精度の劣化が問題とな
る。すなわち、1ピッチ分の相対的な誤差が小さくて
も、絶対的な誤差は、半導体ウェハー201のサイズに
比例して増大してしまう(具体的には、図6において
“a1”から“h8”を見た絶対的な誤差は、1ピッチ
分の相対的な誤差の7倍となる)。また、半導体ウェハ
ー201に成形されている半導体チップ203のすべて
の位置にプローブカード401を移動させなければなら
ないため、テスト装置400の寸法が半導体ウェハー2
01のサイズにより制限されてしまい、半導体ウェハー
サイズの拡大によりテスト装置400の縮小化が図れな
い。
However, in the above-described first conventional test method, as the number of semiconductor chips 203 formed on one semiconductor wafer 201 increases, the number of operation tests increases and it takes time. In the first conventional test method, the probe card 401 is located at all positions of the semiconductor chips 203 formed on the semiconductor wafer 201.
Must be moved (actually, the chuck 801 is moved), and therefore, there is a problem in that absolute movement accuracy is deteriorated. That is, even if the relative error for one pitch is small, the absolute error increases in proportion to the size of the semiconductor wafer 201 (specifically, from “a1” to “h8” in FIG. 6). Is 7 times the relative error for one pitch). Further, since the probe card 401 must be moved to all positions of the semiconductor chip 203 formed on the semiconductor wafer 201, the size of the test device 400 is
01, the size of the test apparatus 400 cannot be reduced due to an increase in the size of the semiconductor wafer.

【0013】また、上述した第2の従来のテスト方法で
は、第1の従来のテスト方法における動作テスト回数お
よび移動距離の減少を図るため、隣接する複数個の触針
群202を設けたプローブカード701を使用し、並列
的に動作テストするようにしている。しかし、上述した
半導体の高集積化技術は、半導体素子サイズの縮小およ
び配線寸法の微細化等のみならず、パッドサイズおよび
隣接するパッド間隔の縮小をも図っている。この隣接す
るパッド間隔の縮小は、プローブカード701に1個の
触針群202を設ける程度ならまだよいのだが、隣接す
る複数個の触針群202を並列的に設けること(特に隣
接辺のパッドの触針202aに関して)を極めて困難に
させている。例えば、64個のパッドを有する半導体チ
ップ203を第2の従来のテスト方法で4個同時に動作
テストする場合は、64×4=256本の触針202a
を隣接して集中的に設置しなければならず、これは相当
に困難なことである。
In the above-described second conventional test method, a probe card provided with a plurality of adjacent stylus groups 202 is provided in order to reduce the number of operation tests and the moving distance in the first conventional test method. 701 is used to test the operation in parallel. However, the above-described semiconductor high integration technology not only reduces the size of the semiconductor element and the wiring size, but also reduces the pad size and the interval between adjacent pads. It is sufficient to reduce the interval between adjacent pads if only one stylus group 202 is provided on the probe card 701. However, it is preferable to provide a plurality of adjacent stylus groups 202 in parallel (especially, pads on adjacent sides). Is extremely difficult. For example, when the operation test of four semiconductor chips 203 having 64 pads is performed simultaneously by the second conventional test method, 64 × 4 = 256 stylus 202a
Must be centrally located next to each other, which is quite difficult.

【0014】それ故、本発明の目的は、超大口径半導体
ウェハーにも対応しつつ、触針を十分に余裕を持たせて
設置できるとともに、複数個の半導体チップの同時テス
トを可能にし、かつ、テスト時間の短縮および移動距離
(すなわち、移動誤差)のさらなる減少をも可能とした
半導体ウェハーのテスト方法および装置を提供すること
である。
Therefore, an object of the present invention is to provide a probe having a sufficient margin while supporting a super-large-diameter semiconductor wafer, to enable simultaneous testing of a plurality of semiconductor chips, and An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for testing a semiconductor wafer, which can shorten the test time and further reduce the moving distance (ie, moving error).

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明は、半導体ウェハーに成形された複数の半導体チッ
プを、当該半導体チップの接続パッドと触針群とを押圧
接触させることにより、テストする半導体ウェハーのテ
スト方法であって、複数の半導体チップを同一形状の複
数のブロックに分け、複数の当該ブロックごとの予め定
めた位置にある半導体チップに、同時に押圧接触が可能
な複数の触針群を2次元的に一体として形成したプロー
ブカードを用い、ブロックの中の1つのブロックに対応
する触針群が、当該1つのブロックの範囲内に存在する
半導体チップのみに関し順次テストを行うことで、複数
の触針群により半導体ウェハーに成形された複数の半導
体チップのすべてのテストが可能なことを特徴とする。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to a first aspect of the present invention, a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer are tested by bringing a plurality of contact pads of the semiconductor chips into contact with a group of styluses. A semiconductor wafer test method, wherein a plurality of semiconductor chips are divided into a plurality of blocks of the same shape, and a plurality of styluses capable of simultaneously pressing and contacting the plurality of semiconductor chips at predetermined positions of the blocks. By using a probe card in which a group is integrally formed two-dimensionally, a stylus group corresponding to one of the blocks is sequentially tested only for semiconductor chips existing within the range of the one block. In addition, all of the plurality of semiconductor chips formed on the semiconductor wafer can be tested by the plurality of stylus groups.

【0016】第2の発明は、半導体ウェハーに成形され
た複数の半導体チップを、当該半導体チップの接続パッ
ドと触針群とを押圧接触させることにより、テストする
半導体ウェハーのテスト装置であって、複数の半導体チ
ップを同一形状の複数のブロックに分け、複数の当該ブ
ロックごとの予め定めた位置にある半導体チップに、同
時に押圧接触が可能な複数の触針群を2次元的に一体と
して形成したプローブカードと、半導体ウェハーを載置
し、かつ、当該半導体ウェハーに成形された複数の接続
パッドと複数の触針群とが押圧接触できるように当該半
導体ウェハーを3次元的に移動させる移動装置とを少な
くとも備え、ブロックの中の1つのブロックに対応する
触針群が、当該1つのブロックの範囲内に存在する半導
体チップのみに関し順次テストを行うことで、複数の触
針群により半導体ウェハーに成形された複数の半導体チ
ップのすべてのテストが可能なことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor wafer test apparatus for testing a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer by bringing a plurality of semiconductor chips into press contact with connection pads of the semiconductor chips and stylus groups. A plurality of semiconductor chips are divided into a plurality of blocks of the same shape, and a plurality of stylus groups capable of simultaneously pressing and contacting the plurality of semiconductor chips at predetermined positions of the plurality of blocks are integrally formed two-dimensionally. A probe card, a moving device for mounting the semiconductor wafer, and three-dimensionally moving the semiconductor wafer so that the plurality of connection pads formed on the semiconductor wafer and the plurality of stylus groups can be brought into press contact with each other; And the stylus group corresponding to one of the blocks is related only to the semiconductor chips existing within the range of the one block. By performing sequential testing, and wherein the possible all the tests of the plurality of semiconductor chips formed into semiconductor wafers by a plurality of probe groups.

【0017】第3の発明は、複数の半導体チップが成形
された半導体ウェハーのテストに使用するプローブカー
ドであって、当該複数の半導体チップの幾つかに同時に
接触可能な複数の触針群を、任意の相対的位置関係を有
して2次元的に一体として形成したことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a probe card used for testing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor chips are formed, wherein a plurality of stylus groups capable of simultaneously contacting some of the plurality of semiconductor chips are provided. It is characterized by being formed two-dimensionally and integrally with an arbitrary relative positional relationship.

【0018】上記のように、第1〜第3の発明は、任意
のブロックごとに予め定めた位置に触針群を複数設けた
プローブカードに関するものであり、それぞれ当該プロ
ーブカードを使用したテスト方法およびテスト装置、さ
らにプローブカード自体の発明である。このプローブカ
ードを使用することにより、多数の半導体チップを同時
に動作テストできるとともに、各ブロックごとにそれぞ
れ対応する専用の触針群が設けられているので、ブロッ
ク範囲内での半導体ウェハーの移動のみで当該半導体ウ
ェハーに成形されたすべての半導体チップの動作テスト
を行うことができる。また、動作テストに必要な半導体
ウェハーの移動範囲が、ブロック範囲内に縮小すること
ができ、動作テスト時間の短縮、移動精度の向上および
移動装置メカニズムや装置全体のサイズの小型化が図れ
る。さらに、移動距離が少なくてすむということは、こ
のプローブカードを使用することにより、半導体ウェハ
ーのサイズが6インチ用の装置において、8インチや1
2インチサイズまでの半導体ウェハーを使用することも
可能となる。
As described above, the first to third inventions relate to a probe card provided with a plurality of stylus groups at predetermined positions in arbitrary blocks, and a test method using each probe card. And the invention of the test device and the probe card itself. By using this probe card, a large number of semiconductor chips can be tested for operation at the same time, and a dedicated stylus group corresponding to each block is provided, so only by moving the semiconductor wafer within the block range The operation test of all the semiconductor chips formed on the semiconductor wafer can be performed. Further, the moving range of the semiconductor wafer required for the operation test can be reduced to within the block range, so that the operation test time can be shortened, the moving accuracy can be improved, and the size of the moving device mechanism and the entire device can be reduced. Furthermore, the fact that the moving distance is small means that the use of this probe card makes it possible to use an 8 inch or 1 inch in an apparatus for a semiconductor wafer having a size of 6 inches.
It is also possible to use semiconductor wafers up to 2 inches in size.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態に係
る半導体ウェハーのテスト方法を実現するためのテスト
装置の一構成例を示したブロック図である。図1におい
て、本発明の一実施形態に係る半導体ウェハーのテスト
方法を実現するためのテスト装置100は、プローブカ
ード101と、半導体ウェハー移動装置102と、電気
回路103と、CPU104とを備える。図1におい
て、プローブカード101と半導体ウェハー移動装置1
02とを結ぶ破線矢印は、機械的な接続関係を有するこ
とを意味している。なお、プローブカード101以外
は、図4において示した従来のテスト装置400と同様
の構成であるため、以下同一の参照番号を付し、その説
明を省略する。また、以下の説明で用いる半導体ウェハ
ー201についても従来技術において説明したとおり、
8×8の半導体チップ203が成形されている。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a test apparatus for realizing a semiconductor wafer test method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a test apparatus 100 for realizing a semiconductor wafer test method according to an embodiment of the present invention includes a probe card 101, a semiconductor wafer moving apparatus 102, an electric circuit 103, and a CPU 104. In FIG. 1, a probe card 101 and a semiconductor wafer moving device 1 are shown.
The dashed arrow connecting 02 has a mechanical connection relationship. Since the configuration other than the probe card 101 is the same as that of the conventional test apparatus 400 shown in FIG. 4, the same reference numerals are given below, and description thereof will be omitted. Further, the semiconductor wafer 201 used in the following description is also described in the related art,
An 8 × 8 semiconductor chip 203 is formed.

【0020】上記構成のテスト装置100によって実現
される本発明の一実施形態に係る半導体ウェハーのテス
ト方法を図2に示す。図2は、本発明の一実施形態に係
る半導体ウェハーのテスト方法の説明にあたり、チャッ
ク801上の半導体ウェハー201とプローブカード1
01との垂直位置関係を示した図である。なお、図2に
おいて、半導体ウェハー201とプローブカード101
とは、一定の間隔を持って配置されている。
FIG. 2 shows a method for testing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention, which is implemented by the test apparatus 100 having the above configuration. FIG. 2 illustrates a method of testing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing a vertical positional relationship with the image data 01. In FIG. 2, the semiconductor wafer 201 and the probe card 101
And are arranged at regular intervals.

【0021】図2に示すように、プローブカード101
は、隣接しない4つの触針群202を有している。この
4つの触針群202は、“a1”から“h8”の64個
の半導体チップ203を、同形状の4×4の4つのブロ
ック(abcd行×1234列、efgh行×1234
列、abcd行×5678列、efgh行×5678
列)に区分し、当該4つのブロックの相対的位置関係
(すなわち、各ブロック内で同一の位置になることをい
い、図2においては左上である)を有するように設置さ
れている。
As shown in FIG. 2, the probe card 101
Has four stylus groups 202 that are not adjacent to each other. The four stylus groups 202 divide 64 semiconductor chips 203 of “a1” to “h8” into four 4 × 4 blocks of the same shape (abcd rows × 1234 columns, efgh rows × 1234).
Columns, abcd rows x 5678 columns, efgh rows x 5678
The four blocks are arranged so as to have a relative positional relationship (that is, the same position in each block, which is the upper left in FIG. 2).

【0022】半導体ウェハー201とプローブカード1
01の初期状態は、図2に示す位置にある。この状態で
チャック801により半導体ウェハー201を上昇さ
せ、4つの触針群202によりそれぞれ“a1”、“a
5”、“e1”および“e5”の位置にある半導体チッ
プ203の動作テストを行う。この位置での動作テスト
が終われば、チャック801を下降させ、半導体ウェハ
ー201を1ピッチ分移動させる(図2においては、紙
面に向かって左方向である)。そして、次に“a2”、
“a6”、“e2”および“e6”の位置にある半導体
チップ203の動作テストに移る。このように、図2中
に示した矢印の順序に動作テストを行っていき、最後の
“d1”、“d5”、“h1”および“h5”の位置に
ある半導体チップ203の動作テストを行って、64個
すべての半導体チップ203の動作テストが終了する。
Semiconductor wafer 201 and probe card 1
The initial state of 01 is at the position shown in FIG. In this state, the semiconductor wafer 201 is lifted by the chuck 801, and “a1” and “a” are respectively
An operation test is performed on the semiconductor chip 203 at the positions of "5", "e1", and "e5". When the operation test at this position is completed, the chuck 801 is lowered, and the semiconductor wafer 201 is moved by one pitch (FIG. 2 is to the left as viewed in the figure) and then “a2”,
The operation proceeds to the operation test of the semiconductor chip 203 at the positions of “a6”, “e2” and “e6”. As described above, the operation test is performed in the order of the arrows shown in FIG. 2, and the operation test of the semiconductor chip 203 at the last positions “d1”, “d5”, “h1”, and “h5” is performed. Thus, the operation test of all 64 semiconductor chips 203 is completed.

【0023】このように、本願発明の一実施形態に係る
半導体ウェハーのテスト方法は、動作テストに用いるプ
ローブカード101に、複数の触針群202を2次元的
に相対的位置関係をもたせて設置することで、半導体ウ
ェハー201(すなわち、チャック801)の移動距離
を短縮できるという効果を有する。
As described above, in the method of testing a semiconductor wafer according to one embodiment of the present invention, a plurality of stylus groups 202 are set in a two-dimensional relative positional relationship on the probe card 101 used for the operation test. By doing so, there is an effect that the moving distance of the semiconductor wafer 201 (that is, the chuck 801) can be reduced.

【0024】上記効果を、図2と図7とを比較して具体
的に説明する。図7における第2のテスト方法では、す
べての半導体チップ203の動作テストを行うために、
半導体ウェハー201を行方向に4行分、列方向に7列
分移動しなくてはならない(初期に“a1”位置にある
触針群202を“e8”の位置にまで移動する必要があ
るためである)。これに対し、図2における本願発明の
一実施形態に係るテスト方法では、すべての半導体チッ
プ203の動作テストを行うために、行方向に3行分、
列方向に3列分の移動だけですむ(初期に“a1”位置
にある触針群202は、最も遠くても“d4”の位置ま
での移動でよいからである)。従って、半導体ウェハー
201の移動距離は、本願発明の一実施形態に係るテス
ト方法のほうが第2の従来のテスト方法に比べ、直線距
離にして約1/2(=√(18/65))で済むことに
なる。これにより、1ピッチ分の相対移動誤差の積算か
ら生じる絶対移動誤差を減少することができ、すなわ
ち、動作テスト自体の精度向上を図ることができる。ま
た、半導体ウェハー201の移動距離が少なくて済むと
いうことは、テスト装置100のメカニズム(すなわ
ち、テスト装置100自体の大きさ、テスト設置100
の床面積等)を縮小することができる。なお、本願発明
の一実施形態に係るテスト方法におけるテスト装置10
0のメカニズムの縮小率は、約1/3(=9/28)と
なる。
The above effect will be specifically described by comparing FIG. 2 and FIG. In the second test method in FIG. 7, in order to perform operation tests on all the semiconductor chips 203,
The semiconductor wafer 201 must be moved by four rows in the row direction and by seven columns in the column direction (since the stylus group 202 which is initially in the “a1” position must be moved to the “e8” position) Is). On the other hand, in the test method according to the embodiment of the present invention in FIG. 2, in order to perform an operation test on all the semiconductor chips 203, three rows in the row direction are required.
It is only necessary to move three rows in the column direction (because the stylus group 202 initially at the position "a1" can be moved to the position "d4" even at the farthest position). Therefore, the moving distance of the semiconductor wafer 201 is about 1/2 (= √ (18/65)) in the linear distance in the test method according to the embodiment of the present invention, compared with the second conventional test method. Will be done. As a result, the absolute movement error resulting from the integration of the relative movement errors for one pitch can be reduced, that is, the accuracy of the operation test itself can be improved. In addition, the fact that the movement distance of the semiconductor wafer 201 can be reduced means that the mechanism of the test apparatus 100 (that is, the size of the test apparatus 100 itself, the test installation 100
Floor area, etc.) can be reduced. The test apparatus 10 in the test method according to one embodiment of the present invention
The reduction ratio of the zero mechanism is about 1/3 (= 9/28).

【0025】なお、上記図2と図7との比較において
は、半導体ウェハー201の移動距離の縮小は約1/2
程度である。しかし、前述したとおり、半導体の高集積
化に伴い、今後1つの半導体ウェハー201に成形され
る半導体チップ203の数の増加、および半導体ウェハ
ー201自体のインチサイズの拡大等の動向が考えられ
る。本願発明の一実施形態に係るテスト方法は、これら
の動向を鑑みて発明されたものであり、当該動向からテ
スト対象の規模が大きくなればなる程、上記効果が顕著
に現れるという特徴を有している。
In the comparison between FIG. 2 and FIG. 7, the reduction of the moving distance of the semiconductor wafer 201 is about 1/2.
It is about. However, as described above, with the integration of semiconductors, trends such as an increase in the number of semiconductor chips 203 formed on one semiconductor wafer 201 and an increase in the inch size of the semiconductor wafer 201 itself are considered in the future. The test method according to an embodiment of the present invention was invented in view of these trends, and has a feature that the larger the size of the test target from the trends, the more remarkable the above-mentioned effects are exhibited. ing.

【0026】また、本願発明の一実施形態に係る半導体
ウェハーのテスト方法は、動作テストに用いるプローブ
カード101に、複数の触針群を2次元的に任意の間隔
を持たせて設置することで、それぞれの触針群202を
半導体の高集積化に影響されず、余裕を持って構成する
ことができる。すなわち、第2の従来のテスト方法のよ
うに、プローブカード701に1次元的に触針群202
を並べる構成だと、半導体チップ203同士が接触する
辺に存在するパッド203aをテストすべき触針202
aは、当該触針202a同士が密集しすぎて構成するこ
とが容易ではない。このことから、第2の従来のテスト
方法は、将来的に半導体の高集積化に対応できなくなる
可能性が高い。これに対して、本願発明の一実施形態に
係る半導体ウェハーのテスト方法におけるプローブカー
ド101は、半導体の高集積化に何ら影響されることな
く複数の触針群202を構成することが可能である。
The method for testing a semiconductor wafer according to one embodiment of the present invention is such that a plurality of stylus groups are two-dimensionally arranged at an arbitrary interval on a probe card 101 used for an operation test. Each stylus group 202 can be configured with a margin without being affected by the high integration of the semiconductor. That is, as in the second conventional test method, the stylus group 202 is one-dimensionally placed on the probe card 701.
Are arranged, the stylus 202 to test the pad 203a existing on the side where the semiconductor chips 203 are in contact with each other
As for a, it is not easy to configure because the styluses 202a are too dense. For this reason, there is a high possibility that the second conventional test method will not be able to cope with high integration of semiconductors in the future. On the other hand, the probe card 101 in the method for testing a semiconductor wafer according to one embodiment of the present invention can form the plurality of stylus groups 202 without being affected by the high integration of semiconductors. .

【0027】さらに、本願発明の一実施形態に係る半導
体ウェハーのテスト方法は、以下の特徴を有する。第2
の従来のテスト方法のようにプローブカード701に1
次元的に触針群202を並べる構成だと、構成できる触
針群202の数が制限される。すなわち、図7でいえ
ば、行または列の数である8つの触針群202までしか
プローブカード701に構成することはできない(8つ
以上構成しても意味をなさないからである)。これに対
して、本願発明の一実施形態に係る半導体ウェハーのテ
スト方法は、区分するブロックの構成を変化させること
でより多くの半導体チップ203を同時に動作テストす
ることが可能である。例えば、2×2のブロックで16
区分した場合には、プローブカード101に触針群を1
6個構成することが可能で、この場合、1回の半導体ウ
ェハー201の移動で16個の半導体チップ203を同
時に動作テストすることが可能となる。
Further, the method for testing a semiconductor wafer according to one embodiment of the present invention has the following features. Second
As in the conventional test method of
If the stylus group 202 is arranged in a dimension, the number of stylus groups 202 that can be configured is limited. That is, in FIG. 7, only up to eight stylus groups 202, which is the number of rows or columns, can be configured on the probe card 701 (because it does not make sense to configure more than eight). On the other hand, the semiconductor wafer test method according to one embodiment of the present invention can simultaneously perform operation tests on more semiconductor chips 203 by changing the configuration of the divided blocks. For example, in a 2 × 2 block, 16
In the case of division, the stylus group is
It is possible to configure six, and in this case, it is possible to perform an operation test on 16 semiconductor chips 203 simultaneously by one movement of the semiconductor wafer 201.

【0028】また、半導体ウェハー201は、一般的に
円形であるため、上記説明における角となる部分(例え
ば、図2において“a1”、“a2”、“b1”等であ
る)には製品となる完全な半導体チップ203が存在し
ない。このため、当該角となる部分については、本来動
作テストを行う必要がない。そこで、本願発明に係る半
導体ウェハーのテスト方法では、図3に示すように、ブ
ロックの区分を工夫することで、上記角となる部分のテ
ストを省略することも可能である。図3においては、3
×3のブロックを半導体ウェハー201の円形状に沿っ
て区分し、それぞれ触針群202(図3において、●の
箇所)を設けている。これにより、無駄な部分(図3に
おいて、斜線の部分)のテストを省略し、テスト全体の
効率化を図ることができる。
Since the semiconductor wafer 201 is generally circular, the corners in the above description (for example, “a1”, “a2”, “b1”, etc. in FIG. 2) have no product. No complete semiconductor chip 203 exists. Therefore, it is not necessary to perform an operation test on the corner portion. Therefore, in the method of testing a semiconductor wafer according to the present invention, as shown in FIG. 3, it is possible to omit the test of the corner portion by devising the block division. In FIG. 3, 3
The × 3 blocks are sectioned along the circular shape of the semiconductor wafer 201, and a stylus group 202 (indicated by ● in FIG. 3) is provided. As a result, it is possible to omit a test of a useless portion (a hatched portion in FIG. 3) and to improve the efficiency of the entire test.

【0029】なお、上記説明において、触針202aと
パッド203aの押圧接触動作に関しては、チャック8
01により半導体ウェハー201を上昇させて行うと述
べたが、プローブカード101を半導体ウェハー201
に下降させて行ってもよい。また、本願発明の一実施形
態に係る半導体ウェハーのテスト方法におけるプローブ
カード101の初期状態を、触針群202がそれぞれ
“a1”、“a5”、“e1”および“e5”の位置に
来るものとしたが、当該位置はこれらに限られず、区分
したブロック内を連続した動作で移動可能であれば、複
数の触針群202の相対的位置関係を保持していること
を条件として、他の位置を初期状態とすることも可能で
ある。
In the above description, with respect to the pressing contact operation between the stylus 202a and the pad 203a, the chuck 8
01, the semiconductor wafer 201 was raised, but the probe card 101
It is also possible to go down. The initial state of the probe card 101 in the semiconductor wafer test method according to the embodiment of the present invention is such that the stylus group 202 comes to the positions of “a1”, “a5”, “e1” and “e5”, respectively. However, the position is not limited to these, and if it can be moved in a continuous operation in the divided block, other positions may be maintained on condition that the relative positional relationship of the plurality of stylus groups 202 is maintained. The position can be set to the initial state.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る半導体ウェハーのテ
スト方法を実現するためのテスト装置の一構成例を示し
たブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing one configuration example of a test apparatus for realizing a semiconductor wafer test method according to one embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態に係る半導体ウェハーのテ
スト方法を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of testing a semiconductor wafer according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の他の一実施形態に係る半導体ウェハー
のテスト方法を示す図である。
FIG. 3 is a view illustrating a method of testing a semiconductor wafer according to another embodiment of the present invention.

【図4】従来の半導体ウェハーのテスト方法を実現する
ためのテスト装置の一構成例を示したブロック図であ
る。
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration example of a test apparatus for realizing a conventional semiconductor wafer test method.

【図5】プローブカードの構造および形状の一例を示す
図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of the structure and shape of a probe card.

【図6】第1の従来の半導体ウェハーのテスト方法を示
す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a first conventional semiconductor wafer test method.

【図7】第2の従来の半導体ウェハーのテスト方法を示
す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a second conventional semiconductor wafer test method.

【図8】半導体ウェハーを載置するチャックのスライド
機構を示す図である。
FIG. 8 is a view showing a slide mechanism of a chuck for mounting a semiconductor wafer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100、400…テスト装置 101、401、701…プローブカード 102…半導体ウェハー移動装置 103…電気回路 104…CPU 201…半導体ウェハー 202…触針群 202a…触針 203…半導体チップ 203a…パッド 501…基板 502…熱硬化樹脂 503…半田 801…チャック 802、803…レール 100, 400: Test device 101, 401, 701: Probe card 102: Semiconductor wafer moving device 103: Electric circuit 104: CPU 201: Semiconductor wafer 202: Stylus group 202a: Stylus 203: Semiconductor chip 203a: Pad 501: Substrate 502: thermosetting resin 503: solder 801: chuck 802, 803: rail

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハーに成形された複数の半導
体チップを、当該半導体チップの接続パッドと触針群と
を押圧接触させることにより、テストする半導体ウェハ
ーのテスト方法であって、 複数の前記半導体チップを同一形状の複数のブロックに
分け、複数の当該ブロックごとの予め定めた位置にある
前記半導体チップに、同時に押圧接触が可能な複数の前
記触針群を2次元的に一体として形成したプローブカー
ドを用い、 前記ブロックの中の1つのブロックに対応する前記触針
群が、当該1つのブロックの範囲内に存在する前記半導
体チップのみに関し順次前記テストを行うことで、複数
の前記触針群により前記半導体ウェハーに成形された複
数の前記半導体チップのすべての前記テストが可能な、
半導体ウェハーのテスト方法。
1. A method for testing a semiconductor wafer by testing a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer by pressing a plurality of semiconductor chips into contact with a group of stylus pads, said plurality of semiconductor chips comprising: A probe in which a chip is divided into a plurality of blocks having the same shape, and a plurality of the stylus groups capable of simultaneously pressing and contacting the semiconductor chips at predetermined positions of the plurality of blocks are integrally formed two-dimensionally. By using a card, the stylus group corresponding to one of the blocks sequentially performs the test only on the semiconductor chips existing within the range of the one block, thereby providing a plurality of the stylus groups. By the test of all of the plurality of semiconductor chips formed on the semiconductor wafer is possible,
Test method for semiconductor wafer.
【請求項2】 半導体ウェハーに成形された複数の半導
体チップを、当該半導体チップの接続パッドと触針群と
を押圧接触させることにより、テストする半導体ウェハ
ーのテスト装置であって、 複数の前記半導体チップを同一形状の複数のブロックに
分け、複数の当該ブロックごとの予め定めた位置にある
前記半導体チップに、同時に押圧接触が可能な複数の前
記触針群を2次元的に一体として形成したプローブカー
ドと、 前記半導体ウェハーを載置し、かつ、当該半導体ウェハ
ーに成形された複数の前記接続パッドと複数の前記触針
群とが押圧接触できるように当該半導体ウェハーを3次
元的に移動させる移動装置とを少なくとも備え、 前記ブロックの中の1つのブロックに対応する前記触針
群が、当該1つのブロックの範囲内に存在する前記半導
体チップのみに関し順次前記テストを行うことで、複数
の前記触針群により前記半導体ウェハーに成形された複
数の前記半導体チップのすべての前記テストが可能な、
半導体ウェハーのテスト装置。
2. A semiconductor wafer test apparatus for testing a plurality of semiconductor chips formed on a semiconductor wafer by bringing a plurality of semiconductor chips into press contact with a group of styluses and a plurality of said semiconductor chips. A probe in which a chip is divided into a plurality of blocks having the same shape, and a plurality of the stylus groups capable of simultaneously pressing and contacting the semiconductor chips at predetermined positions of the plurality of blocks are integrally formed two-dimensionally. A card, on which the semiconductor wafer is mounted, and a movement for three-dimensionally moving the semiconductor wafer such that the plurality of connection pads formed on the semiconductor wafer and the plurality of stylus groups can be in press contact with each other. A stylus group corresponding to one of the blocks is present within the range of the one block By performing the test sequentially only on the semiconductor chip, the test of all of the plurality of semiconductor chips formed on the semiconductor wafer by the plurality of stylus groups is possible,
Test equipment for semiconductor wafers.
【請求項3】 複数の半導体チップが成形された半導体
ウェハーのテストに使用するプローブカードであって、
当該複数の半導体チップの幾つかに同時に接触可能な複
数の触針群を、任意の相対的位置関係を有して2次元的
に一体として形成したことを特徴とする、プローブカー
ド。
3. A probe card used for testing a semiconductor wafer formed with a plurality of semiconductor chips,
A probe card, wherein a plurality of stylus groups capable of simultaneously contacting some of the plurality of semiconductor chips are integrally formed two-dimensionally with an arbitrary relative positional relationship.
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