JPH11168153A - High-frequency circuit module and mounting structure for high-frequency circuit module - Google Patents

High-frequency circuit module and mounting structure for high-frequency circuit module

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JPH11168153A
JPH11168153A JP9334279A JP33427997A JPH11168153A JP H11168153 A JPH11168153 A JP H11168153A JP 9334279 A JP9334279 A JP 9334279A JP 33427997 A JP33427997 A JP 33427997A JP H11168153 A JPH11168153 A JP H11168153A
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dielectric layer
dielectric
layer
ground conductor
circuit module
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high-frequency circuit module which prevents a drop in the Q-value of a microstrip line, formed inside a plurality of dielectric layers which constitute a multilayered substrate. SOLUTION: At least a first dielectric layer 2a, a second dielectric layer 2b, and a third dielectric layer 2c are laminated sequentially. A first grounding conductor layer 13 is formed between the first dielectric layer 2a and the second dielectric layer 2b. A belt-like microstrip line 4 is formed between the second dielectric layer 2b and the third dielectric layer 2c to face opposite the first grounding conductor 3. A first dielectric removed hole 5 which is formed by cutting off the third dielectric layer 2c is formed in the third dielectric layer 2c, so as to face the microstrip line 4. A metal plate 8 which closes the first dielectric removed hole 5 on a face on the side opposite to a face on the side of the second dielectric layer 2c is installed on the third dielectric layer 2c. The metal plate 8 is connected to the first grounding conductor layer 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロストリッ
プラインを有し、多層配線基板で構成された電圧制御発
振器等の高周波回路モジュ−ルに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency circuit module such as a voltage controlled oscillator having a microstrip line and constituted by a multilayer wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】多層配線基板を用いた電圧制御発振器等
の従来の高周波回路モジュ−ルを図4に示す要部断面図
に従って説明する。高周波回路モジュ−ル21には、例
えば、樹脂等からなる第一の誘電体層22a乃至第五の
誘電体層22eが順に積層されて構成された四角形状の
多層配線基板22が使用される。従って、第一の誘電体
層22aと第五の誘電体層22eとは最外層の誘電体層
となる。そして、第一の誘電体層22aと第二の誘電体
層22bとの間には第一の接地導体層23が形成され、
第二の誘電体層22bと第三の誘電体層22cとの間に
は帯状のマイクロストリップライン24が形成され、第
三の誘電体層22cと第四の誘電体層33dとの間には
第二の接地導体層25が形成されている。
2. Description of the Related Art A conventional high-frequency circuit module such as a voltage-controlled oscillator using a multilayer wiring board will be described with reference to a sectional view of a main part shown in FIG. For the high-frequency circuit module 21, for example, a square multilayer wiring board 22 formed by sequentially stacking a first dielectric layer 22a to a fifth dielectric layer 22e made of resin or the like is used. Therefore, the first dielectric layer 22a and the fifth dielectric layer 22e are the outermost dielectric layers. Then, a first ground conductor layer 23 is formed between the first dielectric layer 22a and the second dielectric layer 22b,
A strip-shaped microstrip line 24 is formed between the second dielectric layer 22b and the third dielectric layer 22c, and between the third dielectric layer 22c and the fourth dielectric layer 33d. A second ground conductor layer 25 is formed.

【0003】この結果、マイクロストリップライン24
は、第二の誘電体層22bを介して第一の接地導体23
と対向し、また、第三の誘電体層22cを介して第二の
接地導体25と対向することによって共振素子を構成す
る。そして、高周波回路モジュ−ル21が、例えば、電
圧制御発振器である場合は、このマイクロストリップラ
イン24がその発振周波数を決定する。また、第四の誘
電体層22dと第五の誘電体層22eとの間には回路配
線のための第一の回路導体層26が形成されている。
As a result, the microstrip line 24
Is connected to the first ground conductor 23 via the second dielectric layer 22b.
A resonance element is formed by facing the second ground conductor 25 via the third dielectric layer 22c. When the high frequency circuit module 21 is, for example, a voltage controlled oscillator, the microstrip line 24 determines the oscillation frequency. A first circuit conductor layer 26 for circuit wiring is formed between the fourth dielectric layer 22d and the fifth dielectric layer 22e.

【0004】そして、一方の最外層である第五の誘電体
層22eの上面には発振トランジスタ、チップ抵抗器、
チップコンデンサ等の電子部品27が搭載され、この電
子部品27は第五の誘電体層22eの上面に形成された
回路導体層(図示せず)に接続されている。さらに、マ
イクロストリップライン24および第二の接地導体層2
5はいわゆるスル−ホ−ル導通手段28、29を介して
第五の誘電体層22e上の回路導体層に接続されてい
る。また、他方の最外層である第一の誘電体層22aの
下面には接地用の端子となる第三の接地導体層30と信
号引き出し用の端子となる第二の回路導体層31とが形
成されている。そして、第一の接地導体層23および第
二の接地導体層25が第一の誘電体層22a乃至第三の
誘電体層22cの端面に形成した端面導通手段32を介
して第三の接地導体層30に接続され、また、第一の回
路導体層26が端面導通手段33を介して第二の回路導
体31に接続されている。
An oscillation transistor, a chip resistor, and the like are provided on the upper surface of a fifth dielectric layer 22e which is one of the outermost layers.
An electronic component 27 such as a chip capacitor is mounted, and this electronic component 27 is connected to a circuit conductor layer (not shown) formed on the upper surface of the fifth dielectric layer 22e. Further, the microstrip line 24 and the second ground conductor layer 2
Reference numeral 5 is connected to the circuit conductor layer on the fifth dielectric layer 22e via so-called through-hole conducting means 28 and 29. On the lower surface of the first dielectric layer 22a, which is the other outermost layer, a third ground conductor layer 30 serving as a ground terminal and a second circuit conductor layer 31 serving as a signal extraction terminal are formed. Have been. Then, the first ground conductor layer 23 and the second ground conductor layer 25 are formed on the end surfaces of the first to third dielectric layers 22a to 22c through the end surface conduction means 32. The first circuit conductor layer 26 is connected to the second circuit conductor 31 via the end surface conduction means 33.

【0005】このように構成された高周波回路モジュ−
ル21は、いわゆる面実装部品の形態をなし、例えば、
携帯電話機を構成するメイン基板(図示せず)上に他の
電子部品(図示せず)とともに搭載される。そして、メ
イン基板上に形成された接続電極(図示せず)に第三の
接地導体層30および第二の回路導体層31が半田付け
等によって接続されて使用される。
[0005] The high-frequency circuit module thus configured
21 is in the form of a so-called surface mount component.
It is mounted together with other electronic components (not shown) on a main board (not shown) constituting the mobile phone. The third ground conductor layer 30 and the second circuit conductor layer 31 are connected to connection electrodes (not shown) formed on the main substrate by soldering or the like.

【0006】なお、高周波回路モジュ−ル21が電圧制
御発振器である場合は、メイン基板に搭載される前に発
振周波数が所定の値となるように調整される。この調整
は、いわゆるトリミングといわれており、第一の誘電体
層22aの下面側から図示しない専用のトリミング装置
(レ−ザ−トリミング装置等)で孔を穿ちながらマイク
ロストリップライン24に切り込み等を入れてマイクロ
ストリップライン24の等価的な長さあるいは幅を変え
ることによって行われる。
When the high-frequency circuit module 21 is a voltage controlled oscillator, the oscillation frequency is adjusted to a predetermined value before being mounted on the main board. This adjustment is called so-called trimming, and a cut or the like is made in the microstrip line 24 while drilling a hole from a lower surface side of the first dielectric layer 22a with a dedicated trimming device (laser trimming device or the like) not shown. In this case, the equivalent length or width of the microstrip line 24 is changed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来の高周波回路モジ
ュ−ル21では、マイクロストリップライン24と第一
の接地導体層23との間に第二の誘電体層22bが介在
し、同様に、マイクロストリップライン24と第二の接
地導体層25との間に第三の誘電体層22cが介在して
いる。つまり、マイクロストリップライン24は、第二
の誘電体層22bと第三の誘電体層22cとによって直
接挟まれた状態となっている。これらの誘電体層22
b、22cは、使用される材料によって決まる比誘電率
(Εr)を持つとともに誘電損失(tanδ)も有して
いる。特に、誘電体層として樹脂を使用したものにおい
ては誘電損失が大きくなり、そのため、高周波で使用す
るとマイクロストリップライン24の共振素子としての
Qが低下する。
In the conventional high-frequency circuit module 21, a second dielectric layer 22b is interposed between the microstrip line 24 and the first ground conductor layer 23. A third dielectric layer 22c is interposed between the strip line 24 and the second ground conductor layer 25. That is, the microstrip line 24 is directly sandwiched between the second dielectric layer 22b and the third dielectric layer 22c. These dielectric layers 22
b and 22c have a dielectric constant (Εr) determined by the material used and also have a dielectric loss (tan δ). In particular, when a resin is used as the dielectric layer, the dielectric loss increases, and therefore, when used at high frequencies, the Q of the microstrip line 24 as a resonance element decreases.

【0008】その結果、電圧制御発振器21の発振信号
のC/Nが低下し、(・・・C/N劣化に伴って劣化す
る装置としての性能の具体例)が悪化するという問題が
生ずる。そこで、本発明の高周波回路モジュ−ルは、多
層基板を構成する複数の誘電体層内に設けられたマイク
ロストリップラインのQの低下を防ぐことを目的とす
る。
As a result, there arises a problem that the C / N of the oscillation signal of the voltage controlled oscillator 21 decreases, and (... a specific example of performance as a device that deteriorates with C / N deterioration) deteriorates. Therefore, an object of the present invention is to prevent a Q of a microstrip line provided in a plurality of dielectric layers constituting a multilayer substrate from being lowered.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の高周波回路モジュ−ルは、少なくとも第一
の誘電体層と第二の誘電体層と第三の誘電体層とを順に
積層し、前記第一の誘電体層と前記第二の誘電体層との
間に第一の接地導体層を形成し、前記第一の接地導体層
に対向して前記第二の誘電体層と前記第三の誘電体層と
の間に帯状のマイクロストリップラインを形成し、前記
第三の誘電体層には前記マイクロストリップラインに対
向して前記第三の誘電体層を切り欠いて形成した第一の
誘電体削除孔を設け、前記第三の誘電体層には前記第二
の誘電体層側の面とは反対側の面に前記第一の誘電体削
除孔を塞ぐ金属板を設け、前記金属板を前記第一の接地
導体層に接続した。
In order to solve the above-mentioned problems, a high-frequency circuit module according to the present invention comprises at least a first dielectric layer, a second dielectric layer and a third dielectric layer. Stacked in order, forming a first ground conductor layer between the first dielectric layer and the second dielectric layer, facing the first ground conductor layer, the second dielectric A strip-shaped microstrip line is formed between the layer and the third dielectric layer, and the third dielectric layer is cut away from the third dielectric layer so as to face the microstrip line. A metal plate for providing a formed first dielectric deleted hole, and closing the first dielectric deleted hole on a surface of the third dielectric layer opposite to a surface on the second dielectric layer side. And the metal plate was connected to the first ground conductor layer.

【0010】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
前記第三の誘電体層の前記反対側の面には第二の接地導
体を形成し、前記金属板を前記第二の接地導体に接続し
た。
Further, the high-frequency circuit module of the present invention comprises:
A second ground conductor was formed on the opposite surface of the third dielectric layer, and the metal plate was connected to the second ground conductor.

【0011】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
前記第一の誘電体層の前記第二の誘電体層側とは反対側
に回路導体層を形成し、前記回路導体からの信号を導出
する信号導出用端子を前記第三の誘電体層の前記反対側
の面に形成した。
Further, the high-frequency circuit module of the present invention comprises:
A circuit conductor layer is formed on the side of the first dielectric layer opposite to the side of the second dielectric layer, and a signal deriving terminal for deriving a signal from the circuit conductor is provided on the third dielectric layer. It was formed on the opposite side.

【0012】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
前記第三の誘電体層に第四の誘電体層を積層するととも
に、前記第四の誘電体層には前記第一の誘電体削除孔よ
りも大きな第二の誘電体削除孔を形成した。
Further, the high-frequency circuit module of the present invention comprises:
A fourth dielectric layer was laminated on the third dielectric layer, and a second dielectric deleted hole larger than the first dielectric deleted hole was formed in the fourth dielectric layer.

【0013】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
前記第四の誘電体層には前記第三の誘電体側の面とは反
対側の面に接地端子と前記信号導出用端子とを形成し、
前記第一の接地導体層と前記第二の接地導体とを前記接
地端子に接続した。
Further, the high-frequency circuit module of the present invention comprises:
Forming a ground terminal and the signal deriving terminal on a surface of the fourth dielectric layer opposite to the surface on the third dielectric side,
The first ground conductor layer and the second ground conductor were connected to the ground terminal.

【0014】そして、本発明の高周波回路モジュ−ルの
取付構造は、少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電体
層と第三の誘電体層とを順に積層し、前記第一の誘電体
層と前記第二の誘電体層との間に第一の接地導体層を形
成し、前記第一の接地導体層に対向して前記第二の誘電
体層と前記第三の誘電体層との間に帯状のマイクロスト
リップラインを形成し、前記第三の誘電体層には前記マ
イクロストリップラインに対向して前記第三の誘電体層
を切り欠いて形成した第一の誘電体削除孔を設けた高周
波回路モジュ−ルと、前記高周波回路モジュ−ルを搭載
するメイン基板とを有し、前記メイン基板上には接地導
体を設け、前記第一の誘電体削除孔を前記接地導体に対
向させるとともに前記第一の接地導体層を前記接地導体
に接続した。
The mounting structure of the high-frequency circuit module according to the present invention is characterized in that at least a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a third dielectric layer are laminated in this order, Forming a first ground conductor layer between the body layer and the second dielectric layer, and facing the first ground conductor layer, the second dielectric layer and the third dielectric layer A strip-shaped microstrip line is formed between the first and second dielectric layers, and the third dielectric layer is formed by cutting out the third dielectric layer so as to face the microstrip line. And a main board on which the high-frequency circuit module is mounted, a ground conductor is provided on the main board, and the first dielectric removal hole is provided in the ground conductor. The first grounding conductor layer was connected to the grounding conductor while being opposed.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】多層配線基板を用いた電圧制御発
振器等の本発明の高周波回路モジュ−ルを図1乃至図3
に従って説明する。先ず、図1は、本発明の高周波回路
モジュ−ル1の要部断面図である。また、図2はその分
解斜視図である。高周波回路モジュ−ル1には、例え
ば、樹脂等からなる少なくとも第一の誘電体層2a乃至
第三の誘電体層2cが上から順に積層されて構成された
四角状の多層配線基板2が使用される(図2参照)。ま
た、必要に応じて第三の誘電体層2cの下には最下層と
なる第四の誘電体層2dが積層され、また、第一の誘電
体層2aの上には最上層となる第五の誘電体層2eが積
層される。従って、この場合は、図1のように、第四の
誘電体層2dと第五の誘電体層2eとが最外層の誘電体
層となる。そして、第一の誘電体層2aと第二の誘電体
層2bとの間には第一の接地導体層3が形成されてい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIGS. 1 to 3 show a high-frequency circuit module of the present invention such as a voltage controlled oscillator using a multilayer wiring board.
It will be described according to. First, FIG. 1 is a sectional view of a main part of a high-frequency circuit module 1 according to the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view thereof. For the high-frequency circuit module 1, for example, a square multilayer wiring board 2 composed of at least a first dielectric layer 2a to a third dielectric layer 2c made of resin or the like laminated in order from the top is used. (See FIG. 2). If necessary, a fourth dielectric layer 2d as a lowermost layer is laminated below the third dielectric layer 2c, and a fourth dielectric layer as an uppermost layer is formed on the first dielectric layer 2a. Five dielectric layers 2e are stacked. Therefore, in this case, as shown in FIG. 1, the fourth dielectric layer 2d and the fifth dielectric layer 2e are the outermost dielectric layers. Then, a first ground conductor layer 3 is formed between the first dielectric layer 2a and the second dielectric layer 2b.

【0016】また、第二の誘電体層2bと第三の誘電体
層2cとの間には第一の接地導体層3に対向して帯状の
マイクロストリップライン4が形成されているが、第三
の誘電体層2cには、マイクロストリップライン4に対
向した部分を四角状に切り欠いて形成した第一の誘電体
削除孔5が設けられている。また、第三の誘電体層2c
と第四の誘電体層2dとの間には第二の接地導体層6が
形成されているが、この第二の接地導体層6も、第三の
誘電体層2cにおける第一の誘電体削除孔5の形成時に
四角状に切り欠かれるので、第三の誘電体層2cと第二
の接地導体層6とは四角枠状となる(図2参照)。最下
層である第四の誘電体層2dには、第三の誘電体層2c
に設けた第一の誘電体削除孔5よりも大きな、四角状に
切り欠いて形成した第二の誘電体削除孔7が設けられて
いる。従って、第四の誘電体層2dも四角枠状となる
(図2参照)。
A strip-shaped microstrip line 4 is formed between the second dielectric layer 2b and the third dielectric layer 2c so as to face the first ground conductor layer 3. The third dielectric layer 2c is provided with a first dielectric deletion hole 5 formed by cutting out a portion facing the microstrip line 4 in a square shape. Further, the third dielectric layer 2c
A second ground conductor layer 6 is formed between the first dielectric layer 2c and the fourth dielectric layer 2d. The third dielectric layer 2c and the second ground conductor layer 6 have a square frame shape because they are cut out in a square shape when the deletion hole 5 is formed (see FIG. 2). The fourth dielectric layer 2d, which is the lowermost layer, has a third dielectric layer 2c
Is provided with a second dielectric removal hole 7 which is larger than the first dielectric removal hole 5 and is formed by notching in a square shape. Therefore, the fourth dielectric layer 2d also has a square frame shape (see FIG. 2).

【0017】このため、第三の誘電体層2cと第二の接
地導体層6と第四の誘電体層2dとが積層された状態に
おいては、第二の接地導体層6は第四の誘電体層2dに
形成された第二の誘電体削除孔7内に露出する。そし
て、第一の誘電体削除孔5を塞ぐように金属板8が第四
の誘電体層2dに形成した第二の誘電体削除孔7内に位
置決めされるとともに第三の誘電体層2cの下面に取り
付けられる(図1参照)。これによって、第三の誘電体
層2cに形成した第一の誘電体削除孔7が塞がれる。金
属板8は第二の接地導体層6の露出した部分にハンダ付
け等によって電気的に接続される。
Therefore, when the third dielectric layer 2c, the second ground conductor layer 6 and the fourth dielectric layer 2d are laminated, the second ground conductor layer 6 is It is exposed in the second dielectric removal hole 7 formed in the body layer 2d. Then, the metal plate 8 is positioned in the second dielectric removal hole 7 formed in the fourth dielectric layer 2d so as to cover the first dielectric removal hole 5, and the metal plate 8 is positioned in the third dielectric layer 2c. It is attached to the lower surface (see FIG. 1). As a result, the first dielectric deletion hole 7 formed in the third dielectric layer 2c is closed. The metal plate 8 is electrically connected to the exposed portion of the second ground conductor layer 6 by soldering or the like.

【0018】この結果、マイクロストリップライン4
は、第二の誘電体層2bを介して第一の接地導体層3と
対向し、また、第一の誘電体削除孔5を介して金属板8
と対向することによって共振素子を構成する。このマイ
クロストリップライン4は、高周波回路モジュ−ル1が
電圧制御発振器である場合はその発振周波数を決定す
る。そして、マイクロストリップライン4は、第一の誘
電体削除孔7のために空気層に接することになる。
As a result, the microstrip line 4
Opposes the first ground conductor layer 3 via the second dielectric layer 2b and the metal plate 8 via the first dielectric removal hole 5.
A resonance element is formed by opposing. When the high frequency circuit module 1 is a voltage controlled oscillator, the microstrip line 4 determines the oscillation frequency. Then, the microstrip line 4 comes into contact with the air layer for the first dielectric removal hole 7.

【0019】また、第一の誘電体層2aと最上層である
第五の誘電体層2eとの間には第一の回路導体層9が形
成され、最下層である第四の誘電体層2dの下面、即
ち、第三の誘電体層2c側の面とは反対側の面には接地
端子となる第三の接地導体層10と信号導出用端子とな
る第二の回路導体層11とが形成されている(図1参
照)。
A first circuit conductor layer 9 is formed between the first dielectric layer 2a and the uppermost fifth dielectric layer 2e, and the lowermost fourth dielectric layer 2e is formed. On the lower surface of 2d, that is, on the surface opposite to the surface on the third dielectric layer 2c side, a third ground conductor layer 10 serving as a ground terminal and a second circuit conductor layer 11 serving as a signal deriving terminal are provided. Are formed (see FIG. 1).

【0020】さらに、最上層の誘電体層である第五の誘
電体層2eの上面にはトランジスタ、チップ抵抗器、チ
ップコンデンサ等の電子部品12が搭載され、この電子
部品12は第五の誘電体層2eの上面に形成された回路
導体層(図示せず)に接続される。そして、第一の接地
導体層3は第一の誘電体層2aと第五の誘電体層2eと
に形成したスル−ホ−ル導通手段13によって第五の誘
電体層2e上面の回路導体層に接続され、マイクロスト
リップライン4も第二の誘電体層2b、第一の誘電体層
2a、第五の誘電体層2eに形成したスル−ホ−ル導通
手段14によって第五の誘電体層2e上面の回路導体層
に接続される。また、第一の接地導体層3および第二の
接地導体層6は第二の誘電体層2b、第三の誘電体層2
c、第四の誘電体層2dの端面に形成された端面導通手
段15によって第四の誘電体層2dの下面に形成した第
三の接地導体層10に接続され、さらに、第一の回路導
体層9も第一の誘電体層2a、第二の誘電体層2b、第
三の誘電体層2c、第四の誘電体層2dの端面に形成し
た端面導通手段16によって第四の誘電体層2dの下面
の第二の回路導体層11に接続される。
Further, an electronic component 12 such as a transistor, a chip resistor, and a chip capacitor is mounted on the upper surface of the fifth dielectric layer 2e, which is the uppermost dielectric layer. It is connected to a circuit conductor layer (not shown) formed on the upper surface of the body layer 2e. The first ground conductor layer 3 is formed on the first dielectric layer 2a and the fifth dielectric layer 2e by the through-hole conducting means 13 formed on the first dielectric layer 2a and the fifth dielectric layer 2e. The microstrip line 4 is also connected to the fifth dielectric layer 2b by the through-hole conducting means 14 formed on the second dielectric layer 2b, the first dielectric layer 2a, and the fifth dielectric layer 2e. 2e is connected to the circuit conductor layer on the upper surface. Further, the first ground conductor layer 3 and the second ground conductor layer 6 are composed of the second dielectric layer 2b and the third dielectric layer 2b.
c, connected to the third ground conductor layer 10 formed on the lower surface of the fourth dielectric layer 2d by end surface conduction means 15 formed on the end surface of the fourth dielectric layer 2d, The layer 9 is also formed by the end surface conduction means 16 formed on the end surfaces of the first dielectric layer 2a, the second dielectric layer 2b, the third dielectric layer 2c, and the fourth dielectric layer 2d. It is connected to the second circuit conductor layer 11 on the lower surface of 2d.

【0021】このように構成された高周波回路モジュ−
ル1は、いわゆる面実装部品の形態をなし、例えば、携
帯電話機を構成するメイン基板(図示せず)上に他の電
子部品(図示せず)とともに搭載される。そして、メイ
ン基板上に形成された接続電極(図示せず)に第三の接
地導体層10および第二の回路導体層11が半田付け等
によって接続されて使用される。
The high-frequency circuit module constructed as described above
The socket 1 is in the form of a so-called surface mount component, and is mounted, for example, on a main board (not shown) constituting a mobile phone together with other electronic components (not shown). The third ground conductor layer 10 and the second circuit conductor layer 11 are connected to connection electrodes (not shown) formed on the main substrate by soldering or the like.

【0022】なお、高周波回路モジュ−ル1が電圧制御
発振器である場合には、メイン基板に搭載される前に発
振周波数が所定の値となるように調整される。この調整
には、レ−ザ−トリミングが行われ、金属板8で第一の
誘電体削除孔5を塞ぐ前に、マイクロストリップライン
4に直接レ−ザ−光線を照射して切り込み等を入れてマ
イクロストリップライン4の等価的な長さあるいは幅を
変えることによって行われる。
When the high-frequency circuit module 1 is a voltage-controlled oscillator, the oscillation frequency is adjusted to a predetermined value before being mounted on the main board. For this adjustment, laser trimming is performed, and before closing the first dielectric removal hole 5 with the metal plate 8, the microstrip line 4 is directly irradiated with a laser beam to make a cut or the like. This is performed by changing the equivalent length or width of the microstrip line 4.

【0023】以上のように、本発明の高周波回路モジュ
−ル1は、多層基板2を構成する誘電体層の間にマイク
ロストリップライン4を形成し、マイクロストリップラ
イン4を間に挟む二つの誘電体層2b、2cのうちの一
方の誘電体層2cには、マイクロストリップライン4に
対応して第一の誘電体削除孔5を設けたので、その分、
マイクロストリップライン4に対する第三の誘電体層2
cによる誘電体損の影響がなくなり、マイクロストリッ
プライン4のQが高くなる。従って、電圧制御発振器等
の発振信号のC/N比が大きくなり(・・?)が良くな
る。また、マイクロストリップライン4に対向する第一
の誘電体削除孔5を金属板8で塞ぐことによってマイク
ロストリップライン4がシ−ルドされるので、マイクロ
ストリップライン4への妨害信号の飛び込みを防げる。
さらに、金属板8が保護カバ−の役目を果たし、取り扱
いの過程でマイクロストリップライン4が損傷するのを
防止できる。
As described above, in the high-frequency circuit module 1 of the present invention, the microstrip line 4 is formed between the dielectric layers constituting the multilayer substrate 2, and the two dielectric layers sandwiching the microstrip line 4 are formed. One of the dielectric layers 2c of the body layers 2b and 2c is provided with the first dielectric removing hole 5 corresponding to the microstrip line 4, so that
Third dielectric layer 2 for microstrip line 4
The influence of dielectric loss due to c is eliminated, and the Q of the microstrip line 4 increases. Therefore, the C / N ratio of the oscillation signal of the voltage controlled oscillator or the like is increased, and (..?) Is improved. In addition, since the microstrip line 4 is shielded by closing the first dielectric removing hole 5 facing the microstrip line 4 with the metal plate 8, it is possible to prevent the interference signal from jumping into the microstrip line 4.
Further, the metal plate 8 serves as a protective cover, and it is possible to prevent the microstrip line 4 from being damaged during the handling process.

【0024】図3は、図1における第四の誘電体層2d
と金属板8とを削除して構成した高周波回路モジュ−ル
17の取付状態を説明するための要部断面図を示してい
る。即ち、高周波回路モジュ−ル17の最下層となる第
三の誘電体層2cの下面、即ち、第二の誘電体層2b側
の面とは反対側の面には、接地端子となる第二の接地導
体層6の他に、信号導出用端子となる第二の回路導体層
11を形成する。そして、第二の誘電体層2bと第三の
誘電体層2cとの端面に形成した端面導通手段15によ
って第一の接地導体層3と第二の接地導体層6とを接続
し、また、第一の誘電体層2a、第二の誘電体層2b、
第三の誘電体層の端面に形成した端面導通手段16によ
って第一の回路導体層9と第二の回路導体層11とを接
続する。
FIG. 3 shows the fourth dielectric layer 2d in FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part for describing a mounting state of a high-frequency circuit module 17 configured by removing the metal plate 8 and the metal plate 8. That is, on the lower surface of the third dielectric layer 2c, which is the lowermost layer of the high-frequency circuit module 17, that is, on the surface opposite to the surface on the second dielectric layer 2b side, a second terminal serving as a ground terminal is provided. In addition to the ground conductor layer 6, a second circuit conductor layer 11 serving as a signal deriving terminal is formed. Then, the first ground conductor layer 3 and the second ground conductor layer 6 are connected by the end surface conduction means 15 formed on the end surfaces of the second dielectric layer 2b and the third dielectric layer 2c, and A first dielectric layer 2a, a second dielectric layer 2b,
The first circuit conductor layer 9 and the second circuit conductor layer 11 are connected by the end surface conduction means 16 formed on the end surface of the third dielectric layer.

【0025】このように構成された高周波回路モジュ−
ル17は、面実装部品の形態をなし、例えば、携帯電話
機を構成するメイン基板18上に他の電子部品(図示せ
ず)とともに搭載される。メイン基板18上には高周波
回路モジュ−ル17の最下層である第三の誘電体層2c
に形成した第一の誘電体削除孔5の領域をカバ−する広
さの接地導体18aと信号導出導体18bとが形成され
ている。そして、高周波回路モジュ−ル17をメイン基
板18上に搭載した時には、第一の誘電体削除孔5が接
地導体18aによって塞がれるようになり、第三の誘電
体層2cの下面に形成された第二の接地導体層6とメイ
ン基板18上に形成された接地導体18aとがハンダ等
によって接続される。また、第三の誘電体層2cの下面
に形成された第二の回路導体層11とメイン基板18上
に形成された信号導出導体18bとがハンダ等によって
接続される。
The high-frequency circuit module configured as described above
The module 17 is in the form of a surface mount component and is mounted together with other electronic components (not shown) on, for example, a main board 18 constituting a mobile phone. On the main board 18, the third dielectric layer 2c, which is the lowermost layer of the high-frequency circuit module 17, is provided.
A ground conductor 18a and a signal lead-out conductor 18b are formed so as to cover the area of the first dielectric removal hole 5 formed in FIG. When the high-frequency circuit module 17 is mounted on the main board 18, the first dielectric removing hole 5 is closed by the ground conductor 18a and formed on the lower surface of the third dielectric layer 2c. The second ground conductor layer 6 and the ground conductor 18a formed on the main substrate 18 are connected by solder or the like. Further, the second circuit conductor layer 11 formed on the lower surface of the third dielectric layer 2c and the signal lead-out conductor 18b formed on the main substrate 18 are connected by solder or the like.

【0026】以上のように、図3に示す高周波回路モジ
ュ−ル17では、図1に示す回路モジュ−ル1と比較し
て金属板8を削除しているが、この高周波回路モジュ−
ル17を搭載するメイン基板18の接地導体18aが金
属板8の役割を果たすので、高周波回路モジュ−ル17
をメイン基板18に搭載した状態での高さを低く出来
る。
As described above, in the high-frequency circuit module 17 shown in FIG. 3, the metal plate 8 is omitted as compared with the circuit module 1 shown in FIG.
Since the ground conductor 18a of the main board 18 on which the module 17 is mounted plays the role of the metal plate 8, the high-frequency circuit module 17
Can be reduced when the device is mounted on the main board 18.

【0027】なお、図3に示す高周波回路モジュ−ル1
7においても、第一の誘電体削除孔5を塞ぐ金属板8を
用いるようにし、この金属板8を第三の誘電体層2cの
下面の第二の接地導体層6にハンダ接続してもよいこと
はもちろんである。このようにすれば、高周波回路モジ
ュ−ルの取り扱いにおいて、マイクロストリップライン
4を損傷することがない。
The high-frequency circuit module 1 shown in FIG.
7, a metal plate 8 for closing the first dielectric hole 5 is used, and this metal plate 8 is soldered to the second ground conductor layer 6 on the lower surface of the third dielectric layer 2c. The good thing is, of course. This prevents the microstrip line 4 from being damaged in handling the high-frequency circuit module.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上のように、本発明の高周波回路モジ
ュ−ルは、少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電体層
と第三の誘電体層とを順に積層し、第一の誘電体層と第
二の誘電体層との間に第一の接地導体層を形成し、第一
の接地導体層に対向して第二の誘電体層と第三の誘電体
層との間に帯状のマイクロストリップラインを形成し、
第三の誘電体層には前記マイクロストリップラインに対
向して第三の誘電体層を切り欠いて形成した第一の誘電
体削除孔を設け、第三の誘電体層には第二の誘電体層側
の面とは反対側の面に第一の誘電体削除孔を塞ぐ金属板
を設け、金属板を第一の接地導体層に接続したので、マ
イクロストリップラインは第一の誘電体削除孔を介して
金属板と対向することになり、誘電体損によるQの低下
を防げる。また、金属板が保護カバ−の役目を有するの
で、マイクロストリップラインを損傷することがない。
さらに、金属板のシ−ルド効果によって妨害信号がマイ
クロストリップラインに飛び込むのを防止する。
As described above, the high-frequency circuit module according to the present invention has at least a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a third dielectric layer laminated in this order. Forming a first ground conductor layer between the dielectric layer and the second dielectric layer, and opposing the first ground conductor layer between the second dielectric layer and the third dielectric layer; To form a strip-shaped microstrip line,
A third dielectric layer is provided with a first dielectric deletion hole formed by cutting out the third dielectric layer facing the microstrip line, and a second dielectric layer is provided in the third dielectric layer. A metal plate that covers the first dielectric removal hole is provided on the surface opposite to the surface on the body layer side, and the metal plate is connected to the first ground conductor layer. Since it faces the metal plate via the hole, a decrease in Q due to dielectric loss can be prevented. Further, since the metal plate has a role of a protective cover, the microstrip line is not damaged.
Further, it prevents the interference signal from jumping into the microstrip line due to the shield effect of the metal plate.

【0029】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
第三の誘電体層の反対側の面には第二の接地導体を形成
し、金属板を第二の接地導体に接続したので、金属板に
よって第一の誘電体削除孔を電気的、磁気的に確実にふ
さぐことができる。
Further, the high-frequency circuit module of the present invention comprises:
A second ground conductor was formed on the opposite surface of the third dielectric layer, and the metal plate was connected to the second ground conductor, so the first dielectric removal hole was electrically and magnetically formed by the metal plate. It can be reliably closed.

【0030】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
第一の誘電体層の第二の誘電体層側とは反対側に回路導
体層を形成し、回路導体からの信号を導出する信号導出
用端子を第三の誘電体層の反対側の面に形成したので、
いわゆる面実装部品の形態となり、メイン基板に搭載す
る場合には金属板および信号導出用の端子をメイン基板
上の導体に直接接続でき、取付高さを低く出来る。
Further, the high-frequency circuit module of the present invention comprises:
A circuit conductor layer is formed on the opposite side of the first dielectric layer from the second dielectric layer side, and a signal deriving terminal for deriving a signal from the circuit conductor is provided on a surface on the opposite side of the third dielectric layer. Because it was formed in
When mounted on a main board, a metal plate and a terminal for signal derivation can be directly connected to a conductor on the main board, so that the mounting height can be reduced.

【0031】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
第三の誘電体層に第四の誘電体層を積層するとともに、
第四の誘電体層には第一の誘電体削除孔よりも大きな第
二の誘電体削除孔を形成したので、第二の誘電体削除孔
によって第一の誘電体削除孔を塞ぐ金属板を位置決めで
きる。
Further, the high-frequency circuit module of the present invention comprises:
While laminating the fourth dielectric layer on the third dielectric layer,
Since the second dielectric deleted hole larger than the first dielectric deleted hole was formed in the fourth dielectric layer, a metal plate closing the first dielectric deleted hole with the second dielectric deleted hole was formed. Can be positioned.

【0032】また、本発明の高周波回路モジュ−ルは、
第四の誘電体層には第三の誘電体側の面とは反対側の面
に接地端子と信号導出用端子とを形成し、第一の接地導
体層と第二の接地導体とを接地端子に接続したので、面
実装部品の形態とすることができ、また、第四の誘電体
層と第三の誘電体層との間、および第四の誘電体層の下
面には他の回路導体層を設けることができるので回路設
計の自由度が増す。
Further, the high-frequency circuit module of the present invention comprises:
The fourth dielectric layer has a ground terminal and a signal deriving terminal formed on the surface opposite to the surface on the third dielectric side, and the first ground conductor layer and the second ground conductor are connected to the ground terminal. Since it is connected to a surface mount component, it can be in the form of a surface mount component, and another circuit conductor is provided between the fourth dielectric layer and the third dielectric layer, and on the lower surface of the fourth dielectric layer. Since layers can be provided, the degree of freedom in circuit design is increased.

【0033】本発明の高周波回路モジュ−ルの取付構造
は、少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電体層と第三
の誘電体層とを順に積層し、第一の誘電体層と第二の誘
電体層との間に第一の接地導体層を形成し、第一の接地
導体層に対向して第二の誘電体層と第三の誘電体層との
間に帯状のマイクロストリップラインを形成し、第三の
誘電体層にはマイクロストリップラインに対向して第三
の誘電体層を切り欠いて形成した第一の誘電体削除孔を
設けた高周波回路モジュ−ルと、高周波回路モジュ−ル
を搭載するメイン基板とを有し、メイン基板上には接地
導体を設け、第一の誘電体削除孔を接地導体に対向させ
るとともに第一の接地導体層を接地導体に接続したの
で、マイクロストリップラインは第一の誘電体削除孔を
介してメイン基板の接地導体と対向することになってQ
が高められる。また、金属板を使用しないので、部品数
と組立工数も削減でき、さらに、メイン基板への取付高
さを低く出来る。
The mounting structure of the high-frequency circuit module according to the present invention is characterized in that at least a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a third dielectric layer are laminated in this order, and the first dielectric layer is A first ground conductor layer is formed between the second dielectric layer and the second ground layer, and a strip-shaped micro-layer is formed between the second dielectric layer and the third dielectric layer facing the first ground conductor layer. A high-frequency circuit module in which a strip line is formed, and a third dielectric layer is provided with a first dielectric removal hole formed by cutting out the third dielectric layer opposite to the microstrip line; A main board on which the high-frequency circuit module is mounted, a ground conductor is provided on the main board, the first dielectric removing hole is opposed to the ground conductor, and the first ground conductor layer is connected to the ground conductor. Therefore, the microstrip line is connected to the main board through the first dielectric removal hole. Q supposed to be opposed to the ground conductor
Is enhanced. In addition, since a metal plate is not used, the number of parts and the number of assembly steps can be reduced, and the height of attachment to the main board can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の高周波回路モジュ−ルの要部断面図で
ある。
FIG. 1 is a sectional view of a main part of a high-frequency circuit module according to the present invention.

【図2】本発明の高周波回路モジュ−ルの分解斜視図で
ある。
FIG. 2 is an exploded perspective view of the high-frequency circuit module of the present invention.

【図3】本発明の高周波回路モジュ−ルの取付状態を説
明するための要部断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part for describing a mounting state of the high-frequency circuit module of the present invention.

【図4】従来の高周波回路モジュ−ルの要部断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view of a main part of a conventional high-frequency circuit module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、17 高周波回路モジュ−ル 2 多層基板 2a 第一の誘電体層 2b 第二の誘電体層 2c 第三の誘電体層 2d 第四の誘電体層 2e 第五の誘電体層 3 第一の接地導体層 4 マイクロストリップライン 5 第一の誘電体削除孔 6 第二の接地導体層(接地端子) 7 第二の誘電体削除孔 8 金属板 9 第一の回路導体層 10 第三の接地導体層(接地端子) 11 第二の回路導体層(信号導出用端子) 12 電子部品 13、14 スル−ホ−ル導通手段 15、16 端面導通手段 18 メイン基板 18a 接地導体 18b 信号導出導体 Reference Signs List 1, 17 High-frequency circuit module 2 Multilayer substrate 2a First dielectric layer 2b Second dielectric layer 2c Third dielectric layer 2d Fourth dielectric layer 2e Fifth dielectric layer 3 First Ground conductor layer 4 Microstrip line 5 First dielectric removal hole 6 Second ground conductor layer (ground terminal) 7 Second dielectric removal hole 8 Metal plate 9 First circuit conductor layer 10 Third ground conductor Layer (ground terminal) 11 Second circuit conductor layer (terminal for signal derivation) 12 Electronic component 13, 14 Through-hole conduction means 15, 16 End surface conduction means 18 Main substrate 18a Ground conductor 18b Signal derivation conductor

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電
体層と第三の誘電体層とを順に積層し、前記第一の誘電
体層と前記第二の誘電体層との間に第一の接地導体層を
形成し、前記第一の接地導体層に対向して前記第二の誘
電体層と前記第三の誘電体層との間に帯状のマイクロス
トリップラインを形成し、前記第三の誘電体層には前記
マイクロストリップラインに対向して前記第三の誘電体
層を切り欠いて形成した第一の誘電体削除孔を設け、前
記第三の誘電体層には前記第二の誘電体層側の面とは反
対側の面に前記第一の誘電体削除孔を塞ぐ金属板を設
け、前記金属板を前記第一の接地導体層に接続したこと
を特徴とする高周波回路モジュ−ル。
At least a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a third dielectric layer are sequentially stacked, and a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a third dielectric layer are stacked. Forming a first ground conductor layer, forming a strip-shaped microstrip line between the second dielectric layer and the third dielectric layer facing the first ground conductor layer, The third dielectric layer is provided with a first dielectric deletion hole formed by cutting out the third dielectric layer facing the microstrip line, and the third dielectric layer has A metal plate for closing the first dielectric removal hole is provided on a surface opposite to the surface on the second dielectric layer side, and the metal plate is connected to the first ground conductor layer. High frequency circuit module.
【請求項2】 前記第三の誘電体層の前記反対側の面に
は第二の接地導体を形成し、前記金属板を前記第二の接
地導体に接続したことを特徴とする請求項1記載の高周
波回路モジュ−ル。
2. The method according to claim 1, wherein a second ground conductor is formed on the opposite surface of the third dielectric layer, and the metal plate is connected to the second ground conductor. The high-frequency circuit module as described in the above.
【請求項3】 前記第一の誘電体層の前記第二の誘電体
層側とは反対側に回路導体層を形成し、前記回路導体か
らの信号を導出する信号導出用端子を前記第三の誘電体
層の前記反対側の面に形成したことを特徴とする請求項
1または2記載の高周波回路モジュ−ル。
3. A circuit conductor layer is formed on the first dielectric layer on a side opposite to the second dielectric layer side, and a signal deriving terminal for deriving a signal from the circuit conductor is provided on the third dielectric layer. 3. The high-frequency circuit module according to claim 1, wherein said high-frequency circuit module is formed on said opposite surface of said dielectric layer.
【請求項4】 前記第三の誘電体層に第四の誘電体層を
積層するとともに、前記第四の誘電体層には前記第一の
誘電体削除孔よりも大きな第二の誘電体削除孔を形成し
たことを特徴とする請求項2記載の高周波回路モジュ−
ル。
4. A fourth dielectric layer is laminated on the third dielectric layer, and a second dielectric layer larger than the first dielectric hole is formed on the fourth dielectric layer. 3. The high-frequency circuit module according to claim 2, wherein a hole is formed.
Le.
【請求項5】 前記第四の誘電体層には前記第三の誘電
体側の面とは反対側の面に接地端子と前記信号導出用端
子とを形成し、前記第一の接地導体層と前記第二の接地
導体とを前記接地端子に接続したことを特徴とする請求
項4記載の高周波回路モジュ−ル。
5. A ground terminal and the signal deriving terminal are formed on a surface of the fourth dielectric layer opposite to the surface on the third dielectric side, and the first ground conductor layer 5. The high frequency circuit module according to claim 4, wherein said second ground conductor is connected to said ground terminal.
【請求項6】 少なくとも第一の誘電体層と第二の誘電
体層と第三の誘電体層とを順に積層し、前記第一の誘電
体層と前記第二の誘電体層との間に第一の接地導体層を
形成し、前記第一の接地導体層に対向して前記第二の誘
電体層と前記第三の誘電体層との間に帯状のマイクロス
トリップラインを形成し、前記第三の誘電体層には前記
マイクロストリップラインに対向して前記第三の誘電体
層を切り欠いて形成した第一の誘電体削除孔を設けた高
周波回路モジュ−ルと、前記高周波回路モジュ−ルを搭
載するメイン基板とを有し、前記メイン基板上には接地
導体を設け、前記第一の誘電体削除孔を前記接地導体に
対向させるとともに前記第一の接地導体層を前記接地導
体に接続したことを特徴とする高周波回路モジュ−ルの
取付構造。
6. At least a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a third dielectric layer are sequentially laminated, and a first dielectric layer, a second dielectric layer, and a third dielectric layer are stacked. Forming a first ground conductor layer, forming a strip-shaped microstrip line between the second dielectric layer and the third dielectric layer facing the first ground conductor layer, A high-frequency circuit module provided with a first dielectric removal hole formed by cutting out the third dielectric layer facing the microstrip line in the third dielectric layer; A main board on which a module is mounted, a ground conductor is provided on the main board, the first dielectric removal hole is opposed to the ground conductor, and the first ground conductor layer is grounded. A mounting structure for a high-frequency circuit module, which is connected to a conductor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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