JPH11168080A - Device and method of washing - Google Patents

Device and method of washing

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Publication number
JPH11168080A
JPH11168080A JP33440697A JP33440697A JPH11168080A JP H11168080 A JPH11168080 A JP H11168080A JP 33440697 A JP33440697 A JP 33440697A JP 33440697 A JP33440697 A JP 33440697A JP H11168080 A JPH11168080 A JP H11168080A
Authority
JP
Japan
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wafer
cleaning
lifter
drying
speed
Prior art date
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Application number
JP33440697A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuaki Sato
信昭 佐藤
Hiroshi Ishiyama
弘 石山
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH11168080A publication Critical patent/JPH11168080A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To dry wafers at a high throughput by a method, wherein the speed at which a retaining part passes the liquid level of a cleaning solution is made slower than the speed at which a part other than retaining part passes through the liquid level. SOLUTION: When the contact part between a wafer 1 and a wafer lifter 3b comes close to the liquid level of a washing solution, having the wafer 1 brought up quickly is ended, and slow down of the rising speed is started. Then, slow down of the rising speed of the wafer 1 is ended, and the movement before the contact part between the wafer 1 and the wafer lifter 3b reaches the liquid level, and the wafer 1 is brought up at a slow speed at which the contact part can be dried up. Subsequently, when the wafer reaches the prescribed position in a drying vessel 5, the low speed rising of the wafer lifter 3b is made to stop, and the drying of the wafer 1 is made to finish. When the contact part of the wafer 1 and the wafer lifter 3b passes through the liquid level, the contact part, which is hardly dried up by the low rising speed and cleaning solution is likely to remain, can be dried up sufficiently. When a part other than the contact part passes through the liquid level, the washing efficiency is good because the wafer is brought up at high speed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハを洗浄す
る洗浄装置及び洗浄方法に関する。特には、ウェーハの
乾燥を高いスループットで行い、ウェーハの洗浄を効率
良く行うことが可能な洗浄装置及び洗浄方法に関する。
The present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning method for cleaning a wafer. In particular, the present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning method capable of drying a wafer at a high throughput and efficiently cleaning the wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4(a),(b)は、従来のウェーハ
の乾燥方法を説明する洗浄装置の概略図である。この洗
浄装置は洗浄槽113を有し、この洗浄槽113の上に
は乾燥槽115が設けられている。洗浄槽113の内部
はウェーハ1を洗浄する洗浄液114で満たされてい
る。乾燥槽115の内部はウェーハ1を乾燥する乾燥気
体116で満たされている。また、この洗浄装置はウェ
ーハリフター112を有しており、このウェーハリフタ
ー112はウェーハ1を洗浄槽113から乾燥槽115
に移動させるものである。
2. Description of the Related Art FIGS. 4A and 4B are schematic views of a cleaning apparatus for explaining a conventional method for drying a wafer. This cleaning apparatus has a cleaning tank 113, and a drying tank 115 is provided on the cleaning tank 113. The inside of the cleaning tank 113 is filled with a cleaning liquid 114 for cleaning the wafer 1. The inside of the drying tank 115 is filled with a drying gas 116 for drying the wafer 1. Further, the cleaning apparatus has a wafer lifter 112, and the wafer lifter 112 removes the wafer 1 from the cleaning tank 113 to the drying tank 115.
Is to be moved.

【0003】次に、ウェーハの乾燥方法の概要について
説明する。先ず、図4(a)に示すように、ウェーハリ
フター112に載せられたウェーハ1を洗浄槽113内
に入れ、洗浄液114によってウェーハ1を洗浄する。
Next, an outline of a method for drying a wafer will be described. First, as shown in FIG. 4A, the wafer 1 placed on the wafer lifter 112 is placed in a cleaning tank 113, and the wafer 1 is cleaned with a cleaning liquid 114.

【0004】次に、ウェーハ1の洗浄が終了した後、洗
浄槽113内のウェーハ1をウェーハリフター112に
より乾燥槽115側に一定の速度で上昇させながら、該
ウェーハ1を乾燥させる。即ち、ウェーハ1の乾燥は、
ウェーハ1が洗浄液114の表面(液面)を通過する瞬
間に行われる。このため、液面は安定させた方が良く、
そのためにウェーハ1の上昇速度を一定としている。
Next, after the cleaning of the wafer 1 is completed, the wafer 1 in the cleaning tank 113 is dried while being lifted by the wafer lifter 112 toward the drying tank 115 at a constant speed. That is, the drying of the wafer 1
This is performed at the moment when the wafer 1 passes over the surface (liquid level) of the cleaning liquid 114. For this reason, it is better to stabilize the liquid level,
Therefore, the rising speed of the wafer 1 is kept constant.

【0005】そして、図4(b)に示すように、ウェー
ハ1が乾燥槽115内の所定の位置に到達した時、ウェ
ーハリフター112の上昇を停止させ、乾燥を終了させ
る。
Then, as shown in FIG. 4B, when the wafer 1 reaches a predetermined position in the drying tank 115, the lifting of the wafer lifter 112 is stopped, and the drying is terminated.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、ウェ
ーハ1を一定速度で上昇させながら乾燥させる場合、ウ
ェーハ1とウェーハリフター112との接触部118で
は、それ以外の部分に比べて乾燥しにくいため、洗浄液
114がその接触部118に残りやすい。したがって、
そのような部分も充分に乾燥させるためにはウェーハ1
の上昇速度を遅くする必要がある。これがスループット
の上がらない原因となっている。
As described above, when the wafer 1 is dried while being raised at a constant speed, the contact portion 118 between the wafer 1 and the wafer lifter 112 is harder to dry than the other portions. Therefore, the cleaning liquid 114 easily remains on the contact portion 118. Therefore,
In order to dry such a part sufficiently, the wafer 1
It is necessary to slow the climb speed. This causes the throughput to not increase.

【0007】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、ウェーハの乾燥を高いス
ループットで行い、ウェーハの洗浄を効率良く行うこと
が可能な洗浄装置及び洗浄方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has as its object to provide a cleaning apparatus and a cleaning method capable of drying a wafer at a high throughput and efficiently cleaning the wafer. Is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る洗浄装置は、ウェーハを洗浄する洗浄
液を有する洗浄手段と、洗浄後のウェーハを乾燥させる
乾燥手段と、該洗浄手段から該乾燥手段に該ウェーハを
保持して移動させる移動手段と、該移動手段により該ウ
ェーハを移動させ、該ウェーハを乾燥させる際、該ウェ
ーハが保持された部分が該洗浄液の液面を通過する時の
速度を該保持された部分以外の部分が通過する時の速度
より遅くする手段と、を具備することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a cleaning apparatus according to the present invention comprises a cleaning unit having a cleaning liquid for cleaning a wafer, a drying unit for drying a cleaned wafer, and a cleaning unit. Moving means for holding and moving the wafer to the drying means; and moving the wafer by the moving means to dry the wafer, when the portion holding the wafer passes through the surface of the cleaning liquid. Means for lowering the speed of a portion other than the held portion when passing through.

【0009】また、本発明に係る洗浄方法は、ウェーハ
を洗浄する洗浄液を有する洗浄手段と、洗浄後のウェー
ハを乾燥させる乾燥手段と、該洗浄手段から該乾燥手段
に該ウェーハを保持して移動させる移動手段と、を用い
て該ウェーハを洗浄する洗浄方法であって、該ウェーハ
を該洗浄液で洗浄する洗浄工程と、該移動手段により該
ウェーハを移動させ、該ウェーハを乾燥させる際、該ウ
ェーハが保持された部分が該洗浄液の液面を通過する時
の速度を該保持された部分以外の部分が通過する時の速
度より遅くする工程と、を具備することを特徴とする。
また、上記洗浄工程は、薬液で洗浄する工程と、該薬液
から水に置換し、該水で洗浄する工程と、を有すること
が好ましい。
Further, the cleaning method according to the present invention comprises a cleaning means having a cleaning liquid for cleaning the wafer, a drying means for drying the washed wafer, and the cleaning means holding and moving the wafer to the drying means. A moving means for cleaning the wafer using the cleaning method, wherein a cleaning step of cleaning the wafer with the cleaning liquid; and moving the wafer by the moving means to dry the wafer. Reducing the speed at which the portion holding the cleaning liquid passes through the liquid surface of the cleaning liquid to be lower than the speed at which the portion other than the held portion passes.
The washing step preferably includes a step of washing with a chemical solution, and a step of replacing the chemical solution with water and washing with water.

【0010】上記洗浄装置及び洗浄方法では、ウェーハ
を乾燥させる際、該ウェーハが保持された部分が洗浄液
の液面を通過する時の速度を該保持された部分以外の部
分が通過する時の速度より遅くすることにより、乾燥し
にくい該保持された部分も充分に乾燥させることができ
る。しかも、該保持された部分以外の部分が液面を通過
する時は該保持された部分より高速でウェーハを上昇さ
せることとなるため、高いスループットで乾燥を行うこ
とができ、その結果、ウェーハの洗浄を効率良く行うこ
とができる。
In the cleaning apparatus and the cleaning method, when the wafer is dried, the speed at which the portion holding the wafer passes through the surface of the cleaning liquid is reduced by the speed at which the portion other than the held portion passes. By making it slower, the held portion that is difficult to dry can be sufficiently dried. Moreover, when a portion other than the held portion passes through the liquid surface, the wafer is lifted at a higher speed than the held portion, so that drying can be performed at a high throughput, and as a result, Cleaning can be performed efficiently.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1(a)〜(d)は、本発明の
第1の実施の形態によるウェーハの乾燥方法を説明する
洗浄装置の概略図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIGS. 1A to 1D are schematic views of a cleaning apparatus illustrating a method for drying a wafer according to a first embodiment of the present invention.

【0012】この洗浄装置は、洗浄槽4を有し、この洗
浄槽4の上には乾燥槽5が設けられている。洗浄槽4の
内部はウェーハ1を洗浄する洗浄液6で満たされてお
り、この洗浄液6はウェーハ1から有機汚染、メタル汚
染、パーティクル等を除去する薬液、又は純水(水)で
ある。乾燥槽5の内部はウェーハ1を乾燥する乾燥気体
5aで満たされている。また、この洗浄装置は図示せぬ
溝を備えたウェーハリフター3bを有しており、このウ
ェーハリフター3bはウェーハ1を該溝にかけることに
より下方から支持し、洗浄槽4から乾燥槽5に移動させ
るものである。さらに、ウェーハリフター3bは、その
移動速度を必要に応じて変更できる手段を有する。
The cleaning apparatus has a cleaning tank 4, and a drying tank 5 is provided on the cleaning tank 4. The inside of the cleaning tank 4 is filled with a cleaning liquid 6 for cleaning the wafer 1, and the cleaning liquid 6 is a chemical solution for removing organic contamination, metal contamination, particles and the like from the wafer 1, or pure water (water). The inside of the drying tank 5 is filled with a drying gas 5 a for drying the wafer 1. The cleaning apparatus has a wafer lifter 3b having a groove (not shown). The wafer lifter 3b supports the wafer 1 from below by hanging the wafer 1 on the groove, and moves the wafer 1 from the cleaning tank 4 to the drying tank 5. It is to let. Further, the wafer lifter 3b has a means for changing its moving speed as needed.

【0013】次に、ウェーハの乾燥方法の概要について
説明する。先ず、図1(a)に示すように、ウェーハリ
フター3bに載せられたウェーハ1を洗浄槽4内に入
れ、洗浄液6によってウェーハ1を洗浄する。
Next, an outline of a method for drying a wafer will be described. First, as shown in FIG. 1A, a wafer 1 placed on a wafer lifter 3b is put in a cleaning tank 4, and the wafer 1 is cleaned with a cleaning liquid 6.

【0014】次に、ウェーハ1の洗浄が終了した時点
で、洗浄槽4内のウェーハ1をウェーハリフター3bに
より高速で上昇させ、乾燥を開始する。乾燥はウェーハ
1が洗浄液6の表面(液面)を通過する時に行われるた
め、ウェーハ1とウェーハリフター3bとの接触部が液
面近くに来るまでは、乾燥が可能な範囲の高速でウェー
ハ1を上昇させる。但し、速度は一定とする。
Next, when the cleaning of the wafer 1 is completed, the wafer 1 in the cleaning tank 4 is raised at a high speed by the wafer lifter 3b, and drying is started. Since the drying is performed when the wafer 1 passes over the surface (liquid level) of the cleaning liquid 6, until the contact portion between the wafer 1 and the wafer lifter 3b comes close to the liquid level, the wafer 1 is dried at a high speed within a range where drying is possible. To rise. However, the speed is constant.

【0015】この後、図1(b)に示すように、ウェー
ハ1とウェーハリフター3bとの接触部が液面近くに来
た時、高速でウェーハ1を上昇させるのを終了し、上昇
速度の減速を開始する。
Thereafter, as shown in FIG. 1 (b), when the contact portion between the wafer 1 and the wafer lifter 3b comes close to the liquid surface, the raising of the wafer 1 at high speed is terminated, and the rising speed is reduced. Start deceleration.

【0016】次に、図1(c)に示すように、ウェーハ
1とウェーハリフター3bとの接触部が液面に到達する
前に、ウェーハ1の上昇速度の減速を終了し、該接触部
の乾燥が可能な範囲の低速でウェーハ1を上昇させる。
但し、速度は一定とする。
Next, as shown in FIG. 1 (c), before the contact portion between the wafer 1 and the wafer lifter 3b reaches the liquid surface, the deceleration of the rising speed of the wafer 1 is terminated, and The wafer 1 is raised at a low speed in a range where drying is possible.
However, the speed is constant.

【0017】この後、図1(d)に示すように、ウェー
ハ1が乾燥槽5内の所定の位置に到達した時、ウェーハ
リフター3bの低速上昇を停止させ、乾燥を終了させ
る。
Thereafter, as shown in FIG. 1D, when the wafer 1 reaches a predetermined position in the drying tank 5, the low-speed rise of the wafer lifter 3b is stopped, and the drying is terminated.

【0018】上記第1の実施の形態によれば、図1
(c)に示すようにウェーハ1とウェーハリフター3b
との接触部が液面を通過する時、低速上昇とすることに
より、乾燥しにくい該接触部(即ち液残りしやすい箇
所)も充分に乾燥させることができる。しかも、該接触
部以外の部分が液面を通過する時は高速でウェーハ1を
上昇させているため、高いスループットで乾燥を行うこ
とができ、その結果、ウェーハ1の洗浄を効率良く行う
ことができる。
According to the first embodiment, FIG.
As shown in (c), the wafer 1 and the wafer lifter 3b
When the contact portion with the liquid passes through the surface of the liquid, the contact portion is set at a low speed, so that the contact portion that is difficult to dry (that is, a portion where the liquid easily remains) can be sufficiently dried. Moreover, when the portion other than the contact portion passes through the liquid surface, the wafer 1 is raised at a high speed, so that the drying can be performed at a high throughput, and as a result, the wafer 1 can be efficiently cleaned. it can.

【0019】また、図1(b)に示すように上記接触部
が液面に到達する少し前の時点からウェーハ1の上昇速
度を徐々に減速させ、図1(c)に示す該接触部が液面
を通過する前までに最終的な低速上昇の状態となるよう
にしている。これは、該接触部が液面に到達する時点で
ウェーハ1の上昇速度を高速から低速に急激に変化させ
ると、ウェーハ1にパーティクルが付着しやすくなるか
らである。このようにウェーハ1の上昇速度をコントロ
ールすることにより、ウェーハ1に付着するパーティク
ルを増やすことなく、スループットを上げることができ
る。
Further, as shown in FIG. 1B, the lifting speed of the wafer 1 is gradually reduced from a point shortly before the contact portion reaches the liquid level, and the contact portion shown in FIG. The final low-speed rise state is set before passing the liquid level. This is because if the contact portion reaches the liquid level and the rising speed of the wafer 1 is rapidly changed from a high speed to a low speed, particles tend to adhere to the wafer 1. By controlling the rising speed of the wafer 1 in this manner, the throughput can be increased without increasing the number of particles attached to the wafer 1.

【0020】図2(a)〜(f)は、本発明の第2の実
施の形態によるウェーハの乾燥方法を説明する洗浄装置
の概略図である。
FIGS. 2A to 2F are schematic views of a cleaning apparatus for explaining a method of drying a wafer according to a second embodiment of the present invention.

【0021】この洗浄装置は、実際の装置で使われるこ
との多い、ウェーハ1を3つの溝で下方から保持するウ
ェーハ保持具2aを有する。また、該装置内にはウェー
ハ保持具2aを上昇させる保持具リフター3aが設けら
れており、この保持具リフター3aは洗浄槽4と乾燥槽
5との間を上下移動させるものである。さらに、保持具
リフター3aは、その移動速度を必要に応じて変更でき
る手段を有する。また、洗浄槽4の上には、ウェーハ1
をウェーハリフター3bで上昇させる際にウェーハ1が
倒れるのを防ぐ倒れ防止具7bが設けられている。この
倒れ防止具7bは、その移動速度を必要に応じて変更で
きる手段を有し、ウェーハ1の上部を溝にかけることに
より上方から倒れを防ぐものである。尚、これら以外の
洗浄装置の構成については第1の実施の形態と同様であ
る。
This cleaning apparatus has a wafer holder 2a which is often used in an actual apparatus and holds the wafer 1 from below with three grooves. Further, a holder lifter 3a for raising the wafer holder 2a is provided in the apparatus, and the holder lifter 3a vertically moves between the cleaning tank 4 and the drying tank 5. Further, the holder lifter 3a has means for changing its moving speed as needed. Further, the wafer 1 is placed on the cleaning tank 4.
A fall prevention tool 7b is provided to prevent the wafer 1 from falling when the wafer 1 is lifted by the wafer lifter 3b. The fall prevention tool 7b has means for changing the moving speed thereof as necessary, and prevents the fall from above by placing the upper portion of the wafer 1 in a groove. The configuration of the cleaning device other than these is the same as that of the first embodiment.

【0022】次に、ウェーハの乾燥方法の概要について
説明する。先ず、図2(a)に示すように、ウェーハ保
持具2a内にウェーハ1を洗浄槽4の底面に対して垂直
に保持し(ウェーハ1を立てるように保持し)、このウ
ェーハ保持具2aを洗浄槽4内に入れ、洗浄液6によっ
てウェーハ1を洗浄する。
Next, an outline of a method for drying a wafer will be described. First, as shown in FIG. 2A, the wafer 1 is held vertically in the wafer holder 2a with respect to the bottom surface of the cleaning tank 4 (holding the wafer 1 upright). The wafer 1 is placed in the cleaning tank 4 and the wafer 1 is cleaned with the cleaning liquid 6.

【0023】次に、ウェーハ1の洗浄が終了した時点
で、洗浄槽4内のウェーハ1をウェーハ保持具2aと共
に保持具リフター3aにより所定の高速度で上昇させ、
乾燥を開始する。この高速上昇は、ウェーハ1が液面を
通過する時に行われる乾燥が可能な範囲の高い速度(但
し、一定の速度)とし、乾燥槽5内で待機している倒れ
防止具7bにウェーハ1の上部が接触するまで続けられ
る。この時、ウェーハリフター3bは保持具リフター3
aと同じように上昇させる。
Next, when the cleaning of the wafer 1 is completed, the wafer 1 in the cleaning tank 4 is raised together with the wafer holder 2a at a predetermined high speed by the holder lifter 3a.
Start drying. This high-speed rise is performed at a high speed (however, a constant speed) within a range in which drying can be performed when the wafer 1 passes over the liquid surface, and the falling prevention device 7b waiting in the drying tank 5 transfers the wafer 1 to the falling prevention device 7b. Continue until the top contacts. At this time, the wafer lifter 3b is
Raise as in a.

【0024】この後、図2(b)に示すように、上記接
触部が液面近くに来た時、ウェーハリフター3bの上昇
速度を上記所定の高速度より速くする。この速度は、ウ
ェーハ1の上端が倒れ防止具7bに接触すると同時にウ
ェーハリフター3bがウェーハ1の下端に接触するよう
な速度とする。
Thereafter, as shown in FIG. 2 (b), when the contact portion comes close to the liquid level, the rising speed of the wafer lifter 3b is made faster than the predetermined high speed. This speed is set such that the upper end of the wafer 1 comes into contact with the fall prevention tool 7b and the wafer lifter 3b comes into contact with the lower end of the wafer 1 at the same time.

【0025】次に、ウェーハ1の上端が倒れ防止具7b
に接触する(倒れ防止具作動状態)。そして、該防止具
7bによりウェーハ1が倒れないように支えられる。こ
れと同時に、ウェーハ1の下端にウェーハリフター3b
が接触する。そして、該ウェーハリフター3bによりウ
ェーハ1が保持される。この時、倒れ防止具7bをウェ
ーハリフター3bと同じように所定の高速度で上昇させ
ると共に、ウェーハリフター3bの上昇速度を上記所定
の高速度に戻し、更に、保持具リフター3aの上昇速度
を該所定の高速度より遅くする。これにより、ウェーハ
1はウェーハリフター3bと倒れ防止具7bとにより挟
持される。そして、図2(c)に示すように、このウェ
ーハ1は、ウェーハ保持具2aから離され、ウェーハ保
持具2aと非接触状態とされる。この時、保持具リフタ
ー3aの上昇速度を上記所定の高速度に戻す。
Next, the upper end of the wafer 1 is placed on the fall prevention device 7b.
Touching (operation of the fall prevention device). Then, the wafer 1 is supported by the preventing member 7b so as not to fall down. At the same time, a wafer lifter 3b is
Contact. Then, the wafer 1 is held by the wafer lifter 3b. At this time, the fall prevention device 7b is raised at a predetermined high speed in the same manner as the wafer lifter 3b, the lifting speed of the wafer lifter 3b is returned to the predetermined high speed, and the lifting speed of the holder lifter 3a is further reduced. Slower than a predetermined high speed. As a result, the wafer 1 is held between the wafer lifter 3b and the fall prevention device 7b. Then, as shown in FIG. 2C, the wafer 1 is separated from the wafer holder 2a and is brought into a non-contact state with the wafer holder 2a. At this time, the lifting speed of the holder lifter 3a is returned to the predetermined high speed.

【0026】このようにウェーハ1の支持をウェーハ保
持具2aからウェーハリフター3bに移すのは、ウェー
ハ1との接触部の乾燥をしやすくするためである。つま
り、ウェーハ保持具2aとウェーハリフター3bは、と
もにウェーハ1との接触部が溝形状となっている。けれ
ど、ウェーハ保持具2aの溝は、ウェーハ1の倒れ防止
機能も兼ねるためウェーハリフター3bの溝より幅狭と
なっている。従って、ウェーハ保持具2aにウェーハ1
を保持した状態よりウェーハリフター3bにウェーハ1
を保持した状態の方がウェーハ1を乾燥させやすい。
The reason why the support of the wafer 1 is transferred from the wafer holder 2a to the wafer lifter 3b is to facilitate drying of the contact portion with the wafer 1. That is, both the wafer holder 2a and the wafer lifter 3b have a groove-shaped contact portion with the wafer 1. However, the groove of the wafer holder 2a is narrower than the groove of the wafer lifter 3b because the groove also serves to prevent the wafer 1 from falling down. Therefore, the wafer 1 is placed on the wafer holder 2a.
Holding the wafer 1 on the wafer lifter 3b.
Holds the wafer 1 more easily.

【0027】この後、図2(d)に示すように、ウェー
ハ1とウェーハリフター3bとの接触部が液面に到達す
る前に、所定の高速度でウェーハ1を上昇させるのを終
了し、ウェーハリフター3b、保持具リフター3a及び
倒れ防止具7bの上昇速度の減速を開始する。この際、
これらのリフター3b、3a及び防止具7bそれぞれは
同一の上昇速度とする。
Thereafter, as shown in FIG. 2D, before the contact portion between the wafer 1 and the wafer lifter 3b reaches the liquid level, the raising of the wafer 1 at a predetermined high speed is completed. The deceleration of the rising speed of the wafer lifter 3b, the holder lifter 3a, and the fall prevention tool 7b is started. On this occasion,
Each of the lifters 3b, 3a and the preventer 7b has the same ascending speed.

【0028】次に、図2(e)に示すように、ウェーハ
1とウェーハリフター3bとの接触部が液面に到達する
時点では、上述した第1の実施の形態のようにウェーハ
1の上昇速度の減速を終了し、該接触部の乾燥が可能な
範囲の低速でウェーハ1を上昇させる。但し、速度は一
定とする。
Next, as shown in FIG. 2E, when the contact portion between the wafer 1 and the wafer lifter 3b reaches the liquid surface, the wafer 1 is lifted as in the first embodiment. The speed reduction is ended, and the wafer 1 is raised at a low speed within a range where the contact portion can be dried. However, the speed is constant.

【0029】この後、図2(f)に示すように、ウェー
ハ1が乾燥槽5内の所定の位置に到達した時、ウェーハ
リフター3bの低速上昇を停止させ、乾燥を終了させ
る。
Thereafter, as shown in FIG. 2 (f), when the wafer 1 reaches a predetermined position in the drying tank 5, the low-speed rise of the wafer lifter 3b is stopped, and the drying is terminated.

【0030】上記第2の実施の形態においても第1の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
The same effects as in the first embodiment can be obtained in the second embodiment.

【0031】尚、上記第2の実施の形態では、ウェーハ
保持具2aを上昇させる保持具リフター3aをウェーハ
リフター3bとは別に設けているが、装置の構造を簡素
化するために、ウェーハリフター3bと倒れ防止具7b
とを用いることなく、保持具リフター3aのみによりウ
ェーハ保持具2aを上昇させる構成とすることも可能で
ある。但し、前述したように、ウェーハ保持具2aの溝
は水はけが悪いため、溝部(即ちウェーハ1とウェーハ
保持具2aとの接触部)が液面を通過する際の上昇速度
はウェーハリフター3bを用いる場合より低速にしなけ
ればならず、この場合はスループットが少し落ちる。ま
た、該接触部が液面を通過した後、ウェーハの下端まで
距離がある場合は、再度高速にすることがスループット
を上げる点で好ましい。
In the second embodiment, the holder lifter 3a for raising the wafer holder 2a is provided separately from the wafer lifter 3b. However, in order to simplify the structure of the apparatus, the wafer lifter 3b is used. And fall prevention device 7b
It is also possible to adopt a configuration in which the wafer holder 2a is raised only by the holder lifter 3a without using the above. However, as described above, since the groove of the wafer holder 2a is poorly drained, the rising speed when the groove (that is, the contact portion between the wafer 1 and the wafer holder 2a) passes through the liquid surface uses the wafer lifter 3b. It must be slower than in this case, in which case the throughput is slightly reduced. If the contact portion has a distance to the lower end of the wafer after passing through the liquid surface, it is preferable to increase the speed again in order to increase the throughput.

【0032】[0032]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例につ
いて説明する。図3は、本発明の実施例による洗浄装置
を示す斜視図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 is a perspective view illustrating a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【0033】洗浄装置20は、全体の形状が略直方体か
らなり、装置中央部より下側に位置する略直方体形状の
洗浄槽4を有する。この洗浄槽4は固定されており、洗
浄槽4の内部は洗浄時ウェーハ1を洗浄する洗浄液6で
満たされる様になっている。この洗浄液6はウェーハ1
から有機汚染、メタル汚染、パーティクル等を除去する
薬液、又は純水(水)である。
The cleaning device 20 has a substantially rectangular parallelepiped cleaning tank 4 having a substantially rectangular parallelepiped shape as a whole and located below the center of the device. The cleaning tank 4 is fixed, and the inside of the cleaning tank 4 is filled with a cleaning liquid 6 for cleaning the wafer 1 during cleaning. This cleaning liquid 6 is applied to the wafer 1
Is a chemical solution for removing organic contamination, metal contamination, particles and the like from water, or pure water (water).

【0034】該洗浄槽4の上にはウェーハ1を乾燥させ
る乾燥槽5が設けられており、乾燥槽5の内部は乾燥時
ウェーハ1を乾燥する乾燥気体5aで満たされる様にな
っている。この乾燥槽5にはシリンダ14が取り付けら
れており、このシリンダ14により乾燥槽5は洗浄槽4
の上側にスライド可能とされている。また、乾燥槽5に
は上下シリンダ15が取り付けられており、この上下シ
リンダ15により乾燥槽5は上下に移動可能とされてい
る。
A drying tank 5 for drying the wafer 1 is provided on the cleaning tank 4, and the inside of the drying tank 5 is filled with a dry gas 5a for drying the wafer 1 during drying. A cylinder 14 is attached to the drying tank 5, and the drying tank 5 is separated from the cleaning tank 4 by the cylinder 14.
Can be slid upward. A vertical cylinder 15 is attached to the drying tank 5, and the vertical cylinder 15 allows the drying tank 5 to move up and down.

【0035】また、この洗浄装置20は図示せぬ2つの
溝を備えたウェーハリフター3bを有している。このウ
ェーハリフター3bはロッド9bの一端に取り付けられ
ており、ロッド9bの他端は部材10bの一端に取り付
けられている。部材10bの他端はボールねじ12bの
一端に取り付けられており、ボールねじ12bの他端は
パルスモータ11bに取り付けられている。
The cleaning apparatus 20 has a wafer lifter 3b having two grooves (not shown). The wafer lifter 3b is attached to one end of a rod 9b, and the other end of the rod 9b is attached to one end of a member 10b. The other end of the member 10b is attached to one end of a ball screw 12b, and the other end of the ball screw 12b is attached to a pulse motor 11b.

【0036】このウェーハリフター3bはウェーハ1を
該溝にかけることにより下方から支持し、洗浄槽4と乾
燥槽5との間をパルスモータ11bによりボールねじ1
2b、部材10b、ロッド9bを通して上下に移動させ
るものである。さらに、ウェーハリフター3bは、その
移動速度を必要に応じて変更できる図示せぬ手段を有す
る。
The wafer lifter 3b supports the wafer 1 from below by hanging the wafer 1 in the groove, and the ball screw 1 between the cleaning tank 4 and the drying tank 5 is driven by a pulse motor 11b.
2b, the member 10b, and the rod 9b are moved up and down. Further, the wafer lifter 3b has a means (not shown) that can change the moving speed as needed.

【0037】また、この洗浄装置20はウェーハ保持具
2aを載せる2本の棒状の保持具リフター3aを有す
る。この保持具リフター3aはロッド9aの一端に取り
付けられており、ロッド9aの他端は部材10aの一端
に取り付けられている。部材10aの他端はボールねじ
12aの一端に取り付けられており、ボールねじ12a
の他端はパルスモータ11aに取り付けられている。
The cleaning apparatus 20 has two rod-shaped holder lifters 3a on which the wafer holder 2a is placed. The holder lifter 3a is attached to one end of a rod 9a, and the other end of the rod 9a is attached to one end of a member 10a. The other end of the member 10a is attached to one end of the ball screw 12a.
Is attached to the pulse motor 11a.

【0038】この保持具リフター3aは洗浄槽4と乾燥
槽5との間をパルスモータ11aによりボールねじ12
a、部材10a、ロッド9aを通して上下に移動させる
ものである。さらに、保持具リフター3aは、その移動
速度を必要に応じて変更できる図示せぬ手段を有する。
The holder lifter 3a is connected between the washing tank 4 and the drying tank 5 by a ball motor 12a by a pulse motor 11a.
a, up and down through the member 10a and the rod 9a. Further, the holder lifter 3a has means (not shown) capable of changing the moving speed thereof as required.

【0039】また、この洗浄装置20はウェーハリフタ
ー3bにより支持されたウェーハ1の倒れを防止する倒
れ防止具7bを有する。この倒れ防止具7bはロッド9
cの一端に取り付けられており、ロッド9cの他端は部
材10cの一端に取り付けられている。部材10cの他
端はシリンダ13に取り付けられている。従って、倒れ
防止具7bは、シリンダ13によりロッド9c及び部材
10cを通して洗浄槽4の上を液面と平行方向に移動可
能とされている。
The cleaning device 20 has a fall prevention device 7b for preventing the wafer 1 supported by the wafer lifter 3b from falling. This fall prevention device 7b is a rod 9
The other end of the rod 9c is attached to one end of the member 10c. The other end of the member 10c is attached to the cylinder 13. Therefore, the fall prevention device 7b can be moved in the direction parallel to the liquid level on the washing tank 4 by the cylinder 13 through the rod 9c and the member 10c.

【0040】また、この洗浄装置20の外部には操作盤
8が取り付けられており、この操作盤8は操作者からの
装置の動作指令を入力するものである。
An operation panel 8 is mounted outside the cleaning device 20. The operation panel 8 is for inputting an operation command of the apparatus from an operator.

【0041】次に、この洗浄装置20の動作について図
3を用いて説明する。この図は、ウェーハ1が搭載され
たウェーハ保持具2aを操作者が保持具リフター3a上
に載置した状態を示している。また、倒れ防止具7b及
び乾燥槽5は洗浄槽4の横に待機しており、洗浄槽4内
には洗浄液6が供給されている。
Next, the operation of the cleaning device 20 will be described with reference to FIG. This figure shows a state in which the operator has mounted the wafer holder 2a on which the wafer 1 is mounted on the holder lifter 3a. Further, the fall prevention device 7b and the drying tank 5 are on standby beside the cleaning tank 4, and the cleaning liquid 6 is supplied into the cleaning tank 4.

【0042】ここで、操作者が操作盤8によりウェーハ
1の洗浄動作を行うよう指令を与えると、パルスモータ
11aによりボールねじ12aが駆動され、ロッド9a
及び部材10aを通してウェーハリフター3bを載せた
保持具リフター3aが下降する。そして、ウェーハ1の
洗浄が開始される。次に、シリンダ13が駆動され、ロ
ッド9c及び部材10cを通して倒れ防止具7bがウェ
ーハ1の上方に移動する。また、シリンダ14の駆動に
より乾燥槽5が洗浄槽4の上方に移動され、その後、該
乾燥槽5は上下シリンダ15の駆動により下降する。こ
れにより、図2に示すような洗浄槽4と乾燥槽5とが上
下に連結された部屋が形成される。
Here, when the operator gives a command to perform the cleaning operation of the wafer 1 by the operation panel 8, the ball screw 12a is driven by the pulse motor 11a, and the rod 9a is driven.
Then, the holder lifter 3a on which the wafer lifter 3b is placed is lowered through the member 10a. Then, the cleaning of the wafer 1 is started. Next, the cylinder 13 is driven, and the fall prevention device 7b moves above the wafer 1 through the rod 9c and the member 10c. In addition, the drying tank 5 is moved above the cleaning tank 4 by driving the cylinder 14, and thereafter, the drying tank 5 is lowered by driving the vertical cylinder 15. Thereby, a room in which the washing tank 4 and the drying tank 5 are vertically connected as shown in FIG. 2 is formed.

【0043】この後、洗浄液6を数種類変える等してウ
ェーハ1の洗浄を行う。次に、第2の実施の形態と同様
な方法でウェーハ1の乾燥を開始する。そして、図2
(a)〜(f)に沿って保持具リフター3a及びウェー
ハリフター3bが動作するようにパルスモータ11a,
11bを制御し、ウェーハ1の乾燥を行う。
Thereafter, the wafer 1 is cleaned by changing the cleaning liquid 6 several times. Next, the drying of the wafer 1 is started in the same manner as in the second embodiment. And FIG.
The pulse motors 11a and 11b are operated so that the holder lifter 3a and the wafer lifter 3b operate along (a) to (f).
11b is controlled to dry the wafer 1.

【0044】ここで、倒れ防止具7bとウェーハリフタ
ー3bとの連動(図2(c)に示すようにウェーハ11
をウェーハリフター3bと倒れ防止具7bとにより挟持
し、その後、倒れ防止具7bをウェーハリフター3bと
同じように所定の高速度で上昇させる際の連動)に関し
ては次のように行う。つまり、ウェーハリフター3bが
上昇し、該リフター3bがウェーハ1に接した瞬間に、
部材10bの図示せぬかけ部が部材10cにかかり、部
材10bが部材10cを持ち上げるような構成とする。
これにより、倒れ防止具7bをウェーハリフター3bと
同じ所定の高速度で上昇させることが可能となる。
Here, the interlocking of the fall prevention tool 7b and the wafer lifter 3b (as shown in FIG.
Is interposed between the wafer lifter 3b and the fall prevention device 7b, and thereafter, when the fall prevention device 7b is raised at a predetermined high speed in the same manner as the wafer lifter 3b), the following is performed. That is, at the moment when the wafer lifter 3b rises and the lifter 3b contacts the wafer 1,
A configuration is such that a not-shown hooked portion of the member 10b is hooked on the member 10c, and the member 10b lifts the member 10c.
This makes it possible to raise the fall prevention device 7b at the same predetermined high speed as the wafer lifter 3b.

【0045】また、乾燥動作中の液面は、一定の高さに
保たれ且つ液がオーバーフロー供給るのが好ましい。オ
ーバーフロー供給とは、液面と同じ高さに洗浄液を排出
する図示せぬ排出口を洗浄槽4に設け、該洗浄槽4に連
続的に洗浄液を供給すると共に該排出口から洗浄液が排
出されることをいい、これにより液面が一定に保たれ
る。オーバーフロー供給により液面のパーティクルが洗
浄液と共に排出口から排出されるので、オーバーフロー
供給は該パーティクルがウェーハ1に付着するのを防止
する効果がある。
It is preferable that the liquid level during the drying operation is maintained at a constant level and the liquid is supplied by overflow. The overflow supply means that a discharge port (not shown) for discharging the cleaning liquid at the same height as the liquid level is provided in the cleaning tank 4, and the cleaning liquid is continuously supplied to the cleaning tank 4 and the cleaning liquid is discharged from the discharge port. This keeps the liquid level constant. Since the particles on the liquid surface are discharged from the outlet together with the cleaning liquid by the overflow supply, the overflow supply has an effect of preventing the particles from adhering to the wafer 1.

【0046】ここまででウェーハの洗浄、乾燥動作は終
了し、ウェーハ1及びウェーハ保持具2aの取り出し動
作を以下のように行う。
The washing and drying operations of the wafer are completed at this point, and the operation of taking out the wafer 1 and the wafer holder 2a is performed as follows.

【0047】洗浄槽4内から洗浄液6を排液した後、ウ
ェーハ保持具2aを載置した保持具リフター3a及びウ
ェーハ1を保持したウェーハリフター3b、倒れ防止具
7bを同速度で下降させる。次に、図2(c)に示す位
置に保持具リフター3aが下降した時点で該リフター3
aのみを停止させる。すると、ウェーハ1の保持はウェ
ーハリフター3bから保持具リフター3aに移行する。
この後、保持具リフター3aをウェーハリフター3bと
同速度で再び下降させる。この時、倒れ防止具7bは既
に下降端にきているので取り残されている。倒れ防止具
7bの下降端とは図2(a)に示す倒れ防止具7bの位
置であり、該防止具7bは下降端より下に移動すること
はない。この後、ウェーハリフター3b及び保持具リフ
ター3aそれぞれも下降端まで下降し停止する。
After the cleaning liquid 6 is drained from the cleaning tank 4, the holder lifter 3a holding the wafer holder 2a, the wafer lifter 3b holding the wafer 1, and the fall prevention member 7b are lowered at the same speed. Next, when the holder lifter 3a is lowered to the position shown in FIG.
Only a is stopped. Then, the wafer 1 is transferred from the wafer lifter 3b to the holder lifter 3a.
Thereafter, the holder lifter 3a is lowered again at the same speed as the wafer lifter 3b. At this time, since the fall prevention device 7b has already reached the lower end, it is left behind. The falling end of the fall prevention device 7b is the position of the fall prevention device 7b shown in FIG. 2A, and the prevention device 7b does not move below the lower end. Thereafter, each of the wafer lifter 3b and the holder lifter 3a also descends to the lower end and stops.

【0048】次に、乾燥槽5を上下シリンダ15により
上昇させた後、シリンダ14により乾燥槽5を洗浄槽4
の横側にスライドさせ、図3に示す初期状態に戻す。ま
た、倒れ防止具7bもシリンダ13により図3に示す初
期状態に戻す。
Next, after the drying tank 5 is raised by the vertical cylinder 15, the drying tank 5 is moved by the cylinder 14 to the cleaning tank 4.
To the initial state shown in FIG. Also, the fall prevention device 7b is returned to the initial state shown in FIG.

【0049】このようにして図3に示す状態に戻した
後、操作者は洗浄されたウェーハ1とウェーハ保持具2
aとを取り出し、洗浄操作を完了する。
After returning to the state shown in FIG. 3 in this way, the operator operates the cleaned wafer 1 and the wafer holder 2.
is removed, and the washing operation is completed.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェーハが保持された部分が該洗浄液の液面を通過する時
の速度を該保持された部分以外の部分が通過する時の速
度より遅くしている。したがって、ウェーハの乾燥を高
いスループットで行うことができ、ウェーハの洗浄を効
率良く行うことが可能な洗浄装置及び洗浄方法を提供す
ることができる。
As described above, according to the present invention, the speed at which the portion holding the wafer passes through the liquid surface of the cleaning liquid is set to be higher than the speed at which the portion other than the portion held passes. I'm late. Therefore, it is possible to provide a cleaning apparatus and a cleaning method capable of drying a wafer with high throughput and efficiently cleaning the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(a)〜(d)は、本発明の第1の実施の
形態によるウェーハの乾燥方法を説明する洗浄装置の概
略図である。
FIGS. 1A to 1D are schematic views of a cleaning apparatus for explaining a method of drying a wafer according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図2(a)〜(f)は、本発明の第2の実施の
形態によるウェーハの乾燥方法を説明する洗浄装置の概
略図である。
FIGS. 2A to 2F are schematic views of a cleaning apparatus for explaining a wafer drying method according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例による洗浄装置を示す斜視図で
ある。
FIG. 3 is a perspective view illustrating a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図4】図4(a),(b)は、従来のウェーハの乾燥
方法を説明する洗浄装置の概略図である。
FIGS. 4A and 4B are schematic views of a cleaning apparatus for explaining a conventional wafer drying method.

【符号の説明】 1…ウェーハ、2a…ウェーハ保持具、3a…保持具リ
フター、3b…ウェーハリフター、4…洗浄槽、5…乾
燥槽、5a…乾燥気体、6…洗浄液、7b…倒れ防止
具、8…操作盤、9a〜9c…ロッド、10a〜10c
…部材、11a,11b…パルスモータ、12a,12
b…ボールねじ、13,14…シリンダ、15…上下シ
リンダ、20…洗浄装置、112…ウェーハリフター、
113…洗浄槽、114…洗浄液、115…乾燥槽、1
16…乾燥気体。
[Description of Signs] 1 wafer, 2a wafer holder, 3a holder lifter, 3b wafer lifter, 4 cleaning tank, 5 drying tank, 5a dry gas, 6 cleaning liquid, 7b fall prevention tool , 8 ... operation panel, 9a-9c ... rod, 10a-10c
... members, 11a, 11b ... pulse motors, 12a, 12
b: Ball screw, 13, 14: Cylinder, 15: Vertical cylinder, 20: Cleaning device, 112: Wafer lifter,
113 cleaning tank, 114 cleaning liquid, 115 drying tank, 1
16 ... Dry gas.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウェーハを洗浄する洗浄液を有する洗浄
手段と、 洗浄後のウェーハを乾燥させる乾燥手段と、 該洗浄手段から該乾燥手段に該ウェーハを保持して移動
させる移動手段と、 該移動手段により該ウェーハを移動させ、該ウェーハを
乾燥させる際、該ウェーハが保持された部分が該洗浄液
の液面を通過する時の速度を該保持された部分以外の部
分が通過する時の速度より遅くする手段と、 を具備することを特徴とする洗浄装置。
A cleaning unit having a cleaning liquid for cleaning the wafer; a drying unit for drying the cleaned wafer; a moving unit for holding and moving the wafer from the cleaning unit to the drying unit; By moving the wafer, when drying the wafer, the speed at which the portion where the wafer is held passes through the liquid surface of the cleaning liquid is slower than the speed at which the portion other than the held portion passes. A cleaning device, comprising:
【請求項2】 ウェーハを洗浄する洗浄液を有する洗浄
手段と、洗浄後のウェーハを乾燥させる乾燥手段と、該
洗浄手段から該乾燥手段に該ウェーハを保持して移動さ
せる移動手段と、を用いて該ウェーハを洗浄する洗浄方
法であって、 該ウェーハを該洗浄液で洗浄する洗浄工程と、 該移動手段により該ウェーハを移動させ、該ウェーハを
乾燥させる際、該ウェーハが保持された部分が該洗浄液
の液面を通過する時の速度を該保持された部分以外の部
分が通過する時の速度より遅くする工程と、 を具備することを特徴とする洗浄方法。
2. A cleaning device having a cleaning solution for cleaning a wafer, a drying device for drying a wafer after cleaning, and a moving device for holding and moving the wafer from the cleaning device to the drying device. A cleaning method for cleaning the wafer, comprising: a cleaning step of cleaning the wafer with the cleaning liquid; and moving the wafer by the moving unit and drying the wafer. A step of lowering the speed at the time of passing through the liquid surface from the speed at the time of passing through a portion other than the held portion.
【請求項3】 上記洗浄工程は、薬液で洗浄する工程
と、該薬液から水に置換し、該水で洗浄する工程と、を
有することを特徴とする請求項2記載の洗浄方法。
3. The cleaning method according to claim 2, wherein the cleaning step includes a step of cleaning with a chemical solution, and a step of replacing the chemical solution with water and cleaning with water.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100440892B1 (en) * 2001-02-21 2004-07-19 에이펫(주) Method for treating a substrate
JP2008118148A (en) * 2001-04-17 2008-05-22 Komag Inc Method and apparatus for drying substrate

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