JPH11167123A - Display device - Google Patents

Display device

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Publication number
JPH11167123A
JPH11167123A JP27799998A JP27799998A JPH11167123A JP H11167123 A JPH11167123 A JP H11167123A JP 27799998 A JP27799998 A JP 27799998A JP 27799998 A JP27799998 A JP 27799998A JP H11167123 A JPH11167123 A JP H11167123A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tft
display
adhesive
inspection
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP27799998A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideki Matsuoka
英樹 松岡
Takao Suzuki
崇夫 鈴木
Norio Oku
規夫 奥
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To decide whether or not all elements of a driver incorporated type LCD(liquid crystal display device) are good. SOLUTION: A TFT(thin film transistor) 11 is provided right below a seal material 3 for sticking a TFT substrate 1 and an opposite substrate 2 together and its terminal 9 for inspection is led out to a hood part formed by projecting the TFT substrate 1 from he opposite substrate 2. A quality decision is made including variation of characteristics of the TFT element under conditions after the sticking.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶等の光学部材
を用いた表示装置に関し、特に、駆動回路を内蔵した表
示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device using an optical member such as a liquid crystal, and more particularly, to a display device having a built-in drive circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】所定の電極配線が形成された一組の基板
を細隙をもって貼り合わせ、その細隙に液晶を封入する
ことで、表示画素として液晶を誘電層とした容量を構成
してなる液晶表示装置(LCD)、あるいは、電流量に
より発光量が制御できる有機エレクトロルミネッセンス
(EL)を用いた有機EL表示装置は、小型、薄型、低
消費電力の利点から、OA機器、AV機器の分野におい
て、ディスプレイとして実用化が進められている。特
に、LCDにおいて、各表示画素容量に表示信号電圧の
書き込みと保持を制御するためにスイッチング素子とし
て薄膜トランジスタ(TFT)を接続形成したアクティ
ブマトリクス型は、高精細な表示を行うことができ、主
流となっている。
2. Description of the Related Art A set of substrates on which predetermined electrode wirings are formed is attached with a small gap, and a liquid crystal is sealed in the small gap to constitute a capacitor using a liquid crystal as a dielectric layer as a display pixel. A liquid crystal display (LCD) or an organic EL display using organic electroluminescence (EL) in which the amount of light emission can be controlled by the amount of current is small, thin, and has low power consumption. Has been put into practical use as a display. In particular, in an LCD, an active matrix type in which a thin film transistor (TFT) is formed as a switching element to control writing and holding of a display signal voltage in each display pixel capacitor can perform high-definition display. Has become.

【0003】図3は、従来の液晶表示装置の平面図であ
る。(1)は紙面向こう側に位置するTFT基板、
(2)は紙面手前に位置する対向基板、(3)は基板
(1)と基板(2)とを貼り合わせるシール材であり、
エポキシ樹脂等の熱硬化性の接着材からなる。TFT基
板(1)と対向基板(2)との間には、不図示のスペー
サにより支持された細隙があり、また、シール材(3)
は一部が切り欠かれて注入孔(31)となっている。こ
の注入孔(31)より内部の細隙に液晶を注入し、注入
孔(31)を封止材(32)で塞ぐことにより液晶が密
封されている。
FIG. 3 is a plan view of a conventional liquid crystal display device. (1) TFT substrate located on the other side of the paper,
(2) is a counter substrate located in front of the sheet, (3) is a sealing material for bonding the substrate (1) and the substrate (2),
It is made of a thermosetting adhesive such as an epoxy resin. Between the TFT substrate (1) and the counter substrate (2), there is a gap supported by a spacer (not shown), and a sealing material (3)
Is partially cut out to form an injection hole (31). Liquid crystal is injected from the injection hole (31) into the internal gap, and the liquid crystal is sealed by closing the injection hole (31) with a sealing material (32).

【0004】TFT基板(1)は、基板上にチャンネル
層として多結晶シリコン(p−Si)を用いたTFTが
形成されている。この基板(1)上には、互いに交差す
るように形成された複数のゲートライン(GL)とドレ
インライン(DL)、及び、これらの交差部に形成され
た表示画素容量(LC)の一方を成す画素電極、電荷蓄
積用補助容量(SC)、これら各々の画素電極と補助容
量(SC)に接続する画素TFT(SE)がマトリクス
状に配列されてなる表示領域(4)と、表示領域(4)
の周辺に、これら画素TFT(SE)に走査信号を供給
するゲートドライバー(5)、および、ゲートドライバ
ー(5)の走査に同期して画素TFT(SE)に表示信
号電圧を供給するドレインドライバー(6)が形成され
ている。これらドライバー(5,6)は、表示領域
(4)と同じ構造のp−SiTFTから構成されたCM
OSによりなる。p−SiTFTは動作速度が十分に速
いため、このように画素TFT(SE)としてのみなら
ず、これを駆動するための周辺ドライバーをも構成する
ことができ、ドライバーを、表示パネルに内蔵形成した
ドライバー内蔵型LCDが可能となっている。(8)は
これらドライバーの信号入力端子である。また、(9)
は、後に述べる検査用TFTの検査用端子である。
A TFT substrate (1) has a TFT on which polycrystalline silicon (p-Si) is formed as a channel layer. On this substrate (1), one of a plurality of gate lines (GL) and drain lines (DL) formed so as to intersect with each other, and one of display pixel capacitances (LC) formed at these intersections is provided. A display area (4) in which pixel electrodes to be formed, a charge storage auxiliary capacitance (SC), and pixel TFTs (SE) connected to the respective pixel electrodes and the auxiliary capacitance (SC) are arranged in a matrix; 4)
A gate driver (5) for supplying a scanning signal to the pixel TFT (SE) and a drain driver (S) for supplying a display signal voltage to the pixel TFT (SE) in synchronization with the scanning of the gate driver (5). 6) is formed. These drivers (5, 6) are CMs composed of p-Si TFTs having the same structure as the display area (4).
It depends on the OS. Since the operation speed of the p-SiTFT is sufficiently high, not only the pixel TFT (SE) but also a peripheral driver for driving the p-SiTFT can be configured. The driver is built in the display panel. LCDs with built-in drivers are now possible. (8) is a signal input terminal of these drivers. Also, (9)
Is an inspection terminal of an inspection TFT described later.

【0005】対向基板(2)は、表示画素容量(LC)
の他方を成す共通電極が全面的に形成されている。表示
画素容量は、液晶および共通電極が画素電極に区画され
た形で構成されている。
The opposing substrate (2) has a display pixel capacitance (LC).
Are formed on the entire surface. The display pixel capacitance is configured such that liquid crystal and a common electrode are partitioned into pixel electrodes.

【0006】図4は、TFT基板(1)が対向基板
(2)に対して迫り出されてなるひさし部で、その上に
入力端子(8)及び検査用端子(9)が配列された領域
の拡大平面図である。(10)は、表示領域(4)及び
ドライバー部(5,6)と同じ構造のTFTからなる検
査用TFTであり、検査用端子(9)に測定針を当てて
TFT(10)の良不良を調べることによって、他のT
FTの良否が判定される。
FIG. 4 shows an eaves portion in which the TFT substrate (1) is protruded from the counter substrate (2), and an area in which the input terminals (8) and the inspection terminals (9) are arranged. FIG. (10) is an inspection TFT composed of a TFT having the same structure as the display area (4) and the driver sections (5, 6). By examining the other T
The quality of the FT is determined.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】p−Siを用いたTF
TLCDでは、その高速動作を生かして画素TFT(S
E)のサイズを小さく、かつ、画素数を増やすことがで
き、高精細表示が可能となる。また、前述の如く、同様
のTFTを表示領域(4)の周辺に形成し、LCDパネ
ル内部にドライバー(5,6)を作り込むことで、ドラ
イバーの内蔵が実現された。この結果、同一のTFT基
板(1)上に作成されるTFT素子の数は著しく増加
し、これらすべての素子の動作特性が正常なものとなら
なければ、前述の利点を実現したディスプレイ装置は、
良好に作動することはできない。
SUMMARY OF THE INVENTION TF using p-Si
In the TLCD, the pixel TFT (S
The size of E) can be reduced and the number of pixels can be increased, and high-definition display can be performed. Further, as described above, the same TFT is formed around the display area (4), and the drivers (5, 6) are formed inside the LCD panel, thereby realizing the built-in driver. As a result, the number of TFT elements formed on the same TFT substrate (1) increases remarkably, and if the operating characteristics of all these elements do not become normal, the display device which has realized the above-mentioned advantages is
It cannot work well.

【0008】従来、図4に示されているように、入力端
子(8)が配列されたTFT基板(1)のひさし部上
に、検査用TFT(10)が形成され、このTFT(1
0)の動作の良否を調べることで、表示領域(4)及び
ドライバー(5,6)におけるTFTの良不良を判定し
ていた。
Conventionally, as shown in FIG. 4, an inspection TFT (10) is formed on an eaves portion of a TFT substrate (1) on which input terminals (8) are arranged.
The quality of the TFT in the display area (4) and the drivers (5, 6) was determined by examining the quality of the operation of (0).

【0009】このような検査用TFT(10)は、図4
から明らかなように、TFT基板(1)上の外部に露出
された部分に形成されているのみであった。しかしなが
ら、シール材(3)に囲われた内側の表示領域(4)及
びドライバー(5,6)の一部において液晶層に接する
TFT素子、あるいは、シール材(3)の直下にあるド
ライバー(5,6)の一部のTFT素子等とは周辺条件
が異なっている。即ち、外部に露出されたTFTは、特
に、湿気、異物等にさらされ、この点では、表示領域
(4)あるいはドライバー(5,6)領域よりも劣化が
進みやすい状況に置かれているといえる。また、シール
材(3)は、例えば、TFTを全面的に覆う平坦化絶縁
膜等の保護膜上に設けられる等の構成が採られていて
も、両基板(1,2)を相互に接着支持するシール材
(3)にかかる応力は相当な程度となり、シール材
(3)直下にあるTFTが受ける応力も時には無視でき
ないものとなり得、この点では、外部露出されたTFT
よりも劣化しやすいと言える。
Such an inspection TFT (10) is shown in FIG.
As can be seen from the above, it was only formed on the portion of the TFT substrate (1) exposed to the outside. However, a TFT element in contact with the liquid crystal layer in the inner display area (4) surrounded by the sealing material (3) and a part of the driver (5, 6), or the driver (5) immediately below the sealing material (3). , 6) have different peripheral conditions. That is, the TFT exposed to the outside is particularly exposed to moisture, foreign matter, and the like, and in this regard, it is assumed that the TFT is more likely to deteriorate than the display area (4) or the driver (5, 6) area. I can say. Further, even if the sealing material (3) is provided on a protective film such as a flattening insulating film that covers the entire surface of the TFT, the two substrates (1, 2) are bonded to each other. The stress on the supporting sealing material (3) is considerable, and the stress on the TFT directly below the sealing material (3) can sometimes be non-negligible, and in this regard, the TFT exposed outside is in this respect.
It can be said that it is more easily deteriorated.

【0010】従って、TFT基板(1)の露出された領
域に設けられた検査用TFT(10)を調べるのみで
は、ドライバー内蔵型LCDを構成する全ての素子の良
否を判定することは難しかった。
Therefore, it is difficult to judge the quality of all the elements constituting the LCD with built-in driver only by examining the inspection TFT (10) provided in the exposed area of the TFT substrate (1).

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、この課題を解
決するためになされ、周縁の接着材により光学部材を挟
持して貼り合わされた一対の基板の内側に、前記光学部
材を変調するための複数の表示用素子が形成されてなる
表示装置において、前記一対の基板の一方の基板の内側
表面には、前記接着材の下部領域に、前記表示用素子と
類似構造の検査用素子が設けられ、前記検査用素子の検
査用端子は、前記接着材の外側領域に引き出されている
構成である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is intended to modulate the optical member inside a pair of substrates which are bonded by sandwiching the optical member with a peripheral adhesive. In the display device in which a plurality of display elements are formed, an inspection element having a structure similar to that of the display element is provided in a lower region of the adhesive on an inner surface of one of the pair of substrates. The test terminal of the test element is drawn out to an outer region of the adhesive.

【0012】これにより、外部に引き出された検査用端
子を用いて検査用素子の動作を調べることで、接着材下
にある表示用素子の良否を判定することができる。
[0012] Thus, by examining the operation of the test element using the test terminal drawn out, it is possible to determine the quality of the display element under the adhesive.

【0013】また、周縁の接着材により光学部材を挟持
して貼り合わされた一対の基板の内側に、前記光学部材
を変調するための複数の表示用素子が形成されてなる表
示装置において、前記一対の基板の一方の基板の内側表
面には、前記接着剤の内側領域に、前記表示用素子と類
似構造の検査用素子が設けられ、前記検査用素子の検査
用端子は、前記接着材の外側領域に引き出されている構
成である。
[0013] In a display device, a plurality of display elements for modulating the optical member are formed inside a pair of substrates which are bonded by sandwiching the optical member with a peripheral adhesive. On the inner surface of one of the substrates, an inspection element having a structure similar to that of the display element is provided in an inner region of the adhesive, and an inspection terminal of the inspection element is provided outside of the adhesive. This is the configuration that is drawn out to the area.

【0014】これにより、外部に引き出された検査用端
子を用いて検査用素子の動作を調べることで、接着材の
外側にある表示用素子の良否を判定することができる。
Thus, by inspecting the operation of the test element using the test terminal drawn out, it is possible to judge the quality of the display element outside the adhesive.

【0015】更に、前記表示用素子は、前記接着材で囲
まれた表示領域内の薄膜トランジスタ、または前記接着
材と重畳した領域に設けられ前記表示領域内の薄膜トラ
ンジスタに駆動信号を供給する薄膜トランジスタであ
り、前記両薄膜トランジスタは多結晶シリコンから成る
能動層を有している構成である。
Further, the display element is a thin film transistor in a display region surrounded by the adhesive or a thin film transistor provided in a region overlapping with the adhesive and supplying a drive signal to the thin film transistor in the display region. Each of the thin film transistors has an active layer made of polycrystalline silicon.

【0016】これにより、高速動作が可能となり、その
高速動作を生かして画素TFTのサイズを小さくし、か
つ画素数を増やすことができるとともに、高精細表示が
可能となる。
As a result, high-speed operation can be performed. By utilizing the high-speed operation, the size of the pixel TFT can be reduced, the number of pixels can be increased, and high-definition display can be performed.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1の実施の形
態にかかる表示装置の主要部を示す拡大平面図である。
なお、表示装置の全容を示した平面構造図は図3に示さ
れている。(1)はp−SiTFTが形成されたTFT
基板で、互いに交差配置された複数のゲートライン(G
L)とドレインライン(DL)との交差部分に、表示画
素容量(LC)の一方を成す画素電極とこれに接続され
た画素TFT(SE)、及び、電荷蓄積用の補助容量
(SC)がマトリクス状に配列された表示領域(4)
と、表示領域(4)周辺で画素TFT(SE)に駆動信
号を供給するためのゲートドライバー(5)およびドレ
インドライバー(6)を有している。これらドライバー
(5,6)は画素TFT(SE)と同じ構造のTFTに
より構成されるCMOSからなっている。基板(1)の
端部には、これらドライバー(5,6)の信号入力端子
(8)が設けられている。また、(2)は表示画素容量
(LC)の他方を成す共通電極が全面的に形成された対
向基板で、これらTFT基板(1)と対向基板(2)と
は周縁に設けられたシール材(3)により細隙をもって
貼り合わされ、注入孔(31)により液晶が注入され、
封止材(32)により密封されている。
FIG. 1 is an enlarged plan view showing a main part of a display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing the entire structure of the display device. (1) TFT with p-Si TFT formed
In the substrate, a plurality of gate lines (G
L) and a drain line (DL), a pixel electrode forming one of the display pixel capacitances (LC), a pixel TFT (SE) connected thereto, and an auxiliary capacitance (SC) for charge storage are provided at the intersection of the drain line (DL). Display areas arranged in a matrix (4)
And a gate driver (5) and a drain driver (6) for supplying a drive signal to the pixel TFT (SE) around the display area (4). These drivers (5, 6) are composed of a CMOS constituted by a TFT having the same structure as the pixel TFT (SE). At the end of the substrate (1), signal input terminals (8) of these drivers (5, 6) are provided. Further, (2) is a counter substrate on which a common electrode forming the other side of the display pixel capacitor (LC) is entirely formed. The TFT substrate (1) and the counter substrate (2) are sealing materials provided on the periphery. Bonded with a small gap according to (3), liquid crystal is injected through an injection hole (31),
It is sealed by a sealing material (32).

【0018】TFT基板(1)が対向基板(2)から迫
り出されたひさし部上の外部に露出された表面には、ド
ライバー(5,6)の入力端子(8)と、次に述べる検
査用TFT(10)(11)の検査用端子(9)が配列
されている。
On the exposed surface of the eaves portion where the TFT substrate (1) protrudes from the counter substrate (2), input terminals (8) of drivers (5, 6) and an inspection described below are provided. The inspection terminals (9) of the TFTs (10) and (11) are arranged.

【0019】本発明では、検査用TFT(11)は、シ
ール材(3)が形成された領域、即ち、シール材(3)
の直下に形成され、各々のゲート、ソース及びドレイン
に接続する検査用端子(9)が、シール材(3)の領域
外に取り出されている。従って、シール材(3)による
両基板(1,2)の貼り合わせ以降も、外部に露出され
た検査用端子(9)に測定針を当てて、検査用TFT
(11)の動作特性を調べることで、シール材(3)直
下にある他のTFTの良否を判定することができる。
In the present invention, the inspection TFT (11) has a region where the sealing material (3) is formed, that is, the sealing material (3).
, And an inspection terminal (9) connected to each gate, source and drain is taken out of the region of the sealing material (3). Therefore, even after bonding the two substrates (1, 2) with the sealing material (3), the measuring needle is applied to the inspection terminal (9) exposed to the outside, and the inspection TFT is inspected.
By examining the operation characteristics of (11), it is possible to determine the quality of another TFT immediately below the sealing material (3).

【0020】シール材(3)は、通常、TFT素子を覆
って全面適任形成された平坦化絶縁膜等の保護膜の上に
形成される構成が採られてはいるが、両基板(1,2)
を相互に接着支持するシール材(3)には応力がかかり
やすく、特に、貼り合わせ以降、外部筐体に収納され保
護されるまでの工程を経る間には、シール材(3)にか
かる応力も相当な程度に達し、その下地である平坦化絶
縁膜の下にあるTFTが受ける応力も時には無視できな
いものとなり得る。従って、本発明により、シール材
(3)による貼り合わせ以降も、シール材(3)下にあ
るTFTの良否を調べることで、出荷前に不良品を発見
することができる。また、検査用TFT(11)を調べ
た結果を製造工程に反映させること、信頼性を向上させ
ることも可能となる。
The sealing material (3) is usually formed on a protective film such as a flattening insulating film which is appropriately formed over the entire surface of the TFT element. 2)
Stress is likely to be applied to the sealing material (3) that mutually adheres and supports the sealing materials. Particularly, during the process from bonding to storage and protection in the external housing, the stress applied to the sealing material (3) is increased. Reaches a considerable level, and the stress applied to the TFT under the planarizing insulating film, which is the underlying layer, can sometimes be not negligible. Therefore, according to the present invention, even after bonding with the sealing material (3), defective products can be found before shipment by checking the quality of the TFT under the sealing material (3). In addition, it is possible to reflect the result of checking the inspection TFT (11) in the manufacturing process and to improve reliability.

【0021】図2は、本発明の第2の実施の形態にかか
る表示装置の主要部を示す拡大平面図である。本実施の
形態では、シール材(3)が形成された領域の内側、即
ち、液晶層に面する領域に検査用TFT(12)が設け
られ、各々のゲート、ソース及びドレインに接続する検
査用端子(9)が、シール材(3)の形成領域の外側に
取り出されている。従って、シール材(3)による両基
板(1,2)の貼り合わせ後、液晶の注入工程以降も、
外部に露出された検査用端子(9)に測定針を当てて検
査用TFT(12)の動作特性を調べることで、シール
材(3)の形成領域の内側にある他のTFTの良否を判
定することができる。
FIG. 2 is an enlarged plan view showing a main part of a display device according to a second embodiment of the present invention. In the present embodiment, the inspection TFT (12) is provided inside the region where the sealing material (3) is formed, that is, in the region facing the liquid crystal layer, and the inspection TFT (12) connected to each gate, source and drain is provided. The terminal (9) is taken out of the area where the sealing material (3) is formed. Therefore, after bonding the two substrates (1, 2) with the sealing material (3), the liquid crystal injection step and the subsequent steps are also performed.
By inspecting the operating characteristics of the inspection TFT (12) by applying a measuring needle to the inspection terminal (9) exposed to the outside, the quality of other TFTs inside the formation region of the sealing material (3) is determined. can do.

【0022】このように、LCD表示にかかわるシール
材(3)直下及びシール材(3)の内側領域におけるT
FTの特性を調べることができるようになり、電極基板
製造工程から後のTFTの特性変動を管理することによ
り、TFTに起因する表示不良をいち早く発見できるよ
うになった。
As described above, the T just below the seal member (3) and the inner region of the seal member (3) related to the LCD display.
The characteristics of the FT can be examined, and by controlling the fluctuation of the characteristics of the TFT after the electrode substrate manufacturing process, a display defect caused by the TFT can be quickly found.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明により、駆動回路を内蔵した表示
装置において、接着材により、両基板を貼り合わせた
後、更には、液晶を注入した後の、接着材の形成領域の
直下、あるいは、液晶に面した領域にある素子の特性が
判定できるようになった。従って、接着材の形成領域の
直下、あるいは、液晶に面した領域に特有の条件下にお
ける素子特性の良否が調べられ、信頼性の向上が図られ
た。
According to the present invention, in a display device having a built-in drive circuit, after bonding both substrates with an adhesive, and further, after injecting liquid crystal, immediately below a region where the adhesive is formed, or The characteristics of the device in the region facing the liquid crystal can be determined. Therefore, the quality of the element characteristics under the condition immediately below the region where the adhesive was formed or the region specific to the liquid crystal was examined, and reliability was improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる表示装置の
要部拡大平面図である。
FIG. 1 is an enlarged plan view of a main part of a display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態にかかる表示装置の
要部拡大平面図である。
FIG. 2 is an enlarged plan view of a main part of a display device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来の表示装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a conventional display device.

【図4】従来の表示装置の拡大平面図である。FIG. 4 is an enlarged plan view of a conventional display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 TFT基板 2 対向基板 3 シール材 4 表示領域 5 ゲートドライバー 6 ドレインドライバー 8 入力端子 9 検査用端子 10,11,12 検査用TFT DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 TFT substrate 2 Counter substrate 3 Sealing material 4 Display area 5 Gate driver 6 Drain driver 8 Input terminal 9 Inspection terminal 10, 11, 12 Inspection TFT

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/66 H01L 21/66 V 29/786 29/78 612B 624 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/66 H01L 21/66 V 29/786 29/78 612B 624

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 周縁の接着材により光学部材を挟持して
貼り合わされた一対の基板の内側に、前記光学部材を変
調するための複数の表示用素子が形成されてなる表示装
置において、 前記一対の基板の一方の基板の内側表面には、前記接着
材の下部領域に、前記表示用素子と類似構造の検査用素
子が設けられ、前記検査用素子の検査用端子は、前記接
着材の外側領域に引き出されていることを特徴とする表
示装置。
1. A display device comprising: a plurality of display elements for modulating the optical member formed inside a pair of substrates that are bonded by sandwiching the optical member with a peripheral adhesive material; On the inner surface of one of the substrates, an inspection element having a structure similar to that of the display element is provided in a lower region of the adhesive, and an inspection terminal of the inspection element is provided outside the adhesive. A display device, which is drawn to an area.
【請求項2】 周縁の接着材により光学部材を挟持して
貼り合わされた一対の基板の内側に、前記光学部材を変
調するための複数の表示用素子が形成されてなる表示装
置において、 前記一対の基板の一方の基板の内側表面には、前記接着
剤の内側領域に、前記表示用素子と類似構造の検査用素
子が設けられ、前記検査用素子の検査用端子は、前記接
着材の外側領域に引き出されていることを特徴とする表
示装置。
2. A display device comprising a plurality of display elements for modulating the optical member formed inside a pair of substrates bonded and sandwiched by an optical member with a peripheral adhesive material, On the inner surface of one of the substrates, an inspection element having a structure similar to that of the display element is provided in an inner region of the adhesive, and an inspection terminal of the inspection element is provided outside of the adhesive. A display device, which is drawn to an area.
【請求項3】 前記表示用素子は、前記接着材で囲まれ
た表示領域内の薄膜トランジスタ、または前記接着材と
重畳した領域に設けられ前記表示領域内の薄膜トランジ
スタに駆動信号を供給する薄膜トランジスタであり、前
記両薄膜トランジスタは多結晶シリコンから成る能動層
を有していることを特徴とする請求項1または2に記載
の表示装置。
3. The display element is a thin film transistor in a display region surrounded by the adhesive or a thin film transistor provided in a region overlapping with the adhesive and supplying a drive signal to the thin film transistor in the display region. 3. The display device according to claim 1, wherein each of the thin film transistors has an active layer made of polycrystalline silicon.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001201765A (en) * 2000-01-18 2001-07-27 Toshiba Corp Liquid crystal display device and its inspection method
JP2001358189A (en) * 2000-06-15 2001-12-26 Seiko Epson Corp Method for manufacturing electrode substrate, electrode substrate and optoelectronic device
JP2003233331A (en) * 2002-02-12 2003-08-22 Seiko Epson Corp Electro-optical device, electronic equipment, and method for manufacturing the electro-optical device
KR100425969B1 (en) * 2000-10-31 2004-04-06 샤프 가부시키가이샤 Method for manufacturing a display device, and display device substrate
JP2004199054A (en) * 2002-12-06 2004-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Image display device and inspection method therefor
JP2005338540A (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Inspection substrate for active matrix type liquid crystal display
JP2006189777A (en) * 2004-12-31 2006-07-20 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7145533B2 (en) 2004-05-20 2006-12-05 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method of checking the same, and electronic apparatus
JP2007235106A (en) * 2006-01-31 2007-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
JP2007272248A (en) * 2007-06-08 2007-10-18 Seiko Epson Corp Electro-optic device and electronic apparatus
JP2019503579A (en) * 2016-01-08 2019-02-07 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING AND INSPECTING THIN FILM TRANSISTOR

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001201765A (en) * 2000-01-18 2001-07-27 Toshiba Corp Liquid crystal display device and its inspection method
JP2001358189A (en) * 2000-06-15 2001-12-26 Seiko Epson Corp Method for manufacturing electrode substrate, electrode substrate and optoelectronic device
KR100425969B1 (en) * 2000-10-31 2004-04-06 샤프 가부시키가이샤 Method for manufacturing a display device, and display device substrate
JP2003233331A (en) * 2002-02-12 2003-08-22 Seiko Epson Corp Electro-optical device, electronic equipment, and method for manufacturing the electro-optical device
US7233155B2 (en) 2002-02-12 2007-06-19 Seiko Epson Corporation Electrooptic device, electronic apparatus, and method for making the electrooptic device
JP2004199054A (en) * 2002-12-06 2004-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Image display device and inspection method therefor
CN100399396C (en) * 2004-05-20 2008-07-02 精工爱普生株式会社 Electro-optical device, method of checking the same, and electronic apparatus
US7145533B2 (en) 2004-05-20 2006-12-05 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method of checking the same, and electronic apparatus
JP2005338540A (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Inspection substrate for active matrix type liquid crystal display
JP4660122B2 (en) * 2004-05-28 2011-03-30 東芝モバイルディスプレイ株式会社 Inspection matrix for active matrix liquid crystal display devices
JP2006189777A (en) * 2004-12-31 2006-07-20 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US7595859B2 (en) 2004-12-31 2009-09-29 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP2007235106A (en) * 2006-01-31 2007-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
JP2007272248A (en) * 2007-06-08 2007-10-18 Seiko Epson Corp Electro-optic device and electronic apparatus
JP2019503579A (en) * 2016-01-08 2019-02-07 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING AND INSPECTING THIN FILM TRANSISTOR

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