JPH11166976A - X-ray detector and x-ray ct device - Google Patents

X-ray detector and x-ray ct device

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JPH11166976A
JPH11166976A JP9333838A JP33383897A JPH11166976A JP H11166976 A JPH11166976 A JP H11166976A JP 9333838 A JP9333838 A JP 9333838A JP 33383897 A JP33383897 A JP 33383897A JP H11166976 A JPH11166976 A JP H11166976A
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JP
Japan
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layer
light
scintillator
ray
ray detector
Prior art date
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Application number
JP9333838A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuru Tamura
充 田村
Tomotsune Yoshioka
智恒 吉岡
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Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Original Assignee
Hitachi Medical Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH11166976A publication Critical patent/JPH11166976A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an X-ray detector without scattering of each channel characteristic. SOLUTION: A semiconductor layer 701 where a photoelectric converter element is placed in parallel, a scintillator layer 703 piled on the semiconductor layer, a metal plate 706 having the effects of light shield and X-ray shield preventing incidence of light and X-ray stroke against adjacent element on the scintillator layer 703 and a light reflection means preventing light scattering on the scintillator upper surface are provided. A light reflection means preventing light scattering is provided on the light reflection means, and a light reflection layer 707 is formed in the structure using a light reflection material with high reflection factor only on the upper surface of the scintillator layer and uniform light reflection layer thin film is easily formed using a peeling film pressurizing method.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、X線検出器及び高
精度な画像計測を行うX線CT装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an X-ray detector and an X-ray CT apparatus for performing highly accurate image measurement.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばX線CT装置に用いられるX線検
出器は、並設された半導体光電変換素子にシンチレータ
層を積層させ、このシンチレータ層には光電変換素子の
並設間隔で光電変換素子に至るまでの溝を入れ、この溝
に隣接素子から発光する可視光を遮断するための光遮蔽
版を挿入し固定することによって隣接素子の分離をはか
るという方法で個々の独立した検出部であるチャンネル
を形成し、全体として一個の光電変換素子アレイを構成
している。そしてこの光電変換素子アレイをポリゴン状
に数十個並列してX線検出器を構成している。
2. Description of the Related Art For example, in an X-ray detector used in an X-ray CT apparatus, a scintillator layer is laminated on a side-by-side semiconductor photoelectric conversion element, and the scintillator layer has a photoelectric conversion element arranged at intervals of the photoelectric conversion elements. Each independent detection unit is a method of separating adjacent elements by inserting and fixing a light shielding plate for blocking visible light emitted from adjacent elements into this groove. Channels are formed to constitute one photoelectric conversion element array as a whole. An X-ray detector is formed by arranging several tens of the photoelectric conversion element arrays in a polygon shape in parallel.

【0003】そして従来、シンチレータ層上面の光反射
手段としては、このポリゴン状に並列された光電変換素
子アレイ群の上部から光反射率の高いアルミなどを鏡面
処理した一枚の金属板を密着固定する構造を採用してい
る。
Conventionally, as a light reflecting means on the upper surface of the scintillator layer, a single metal plate mirror-finished with aluminum or the like having a high light reflectance is fixed from above the photoelectric conversion element array group arranged in a polygonal shape. The structure is adopted.

【0004】即ち図2は従来のX線検出器構造を示すも
のである。1はX線検出器の容器、2はポリゴン状に配
列された光電変換素子アレイ、3は光電変換素子アレイ
2のシンチレータ層上面から光漏洩を防止するための光
反射板、図3は従来のX線検出器の光電変換素子であ
る。図3は従来のX線検出器の光電変換素子である。2
01はフォトダイオードを形成している半導体層、20
2は半導体層を形成するための基板、203は半導体層
上面に積層されたシンチレータ層、204は半導体層2
03の上にシンチレータ層203を固定するための接着
剤層、205はチャンネル分離のための溝、206は隣
接素子からの光及びX線遮断手段の金属板である。
FIG. 2 shows a conventional X-ray detector structure. 1 is a container of the X-ray detector, 2 is a photoelectric conversion element array arranged in a polygonal shape, 3 is a light reflection plate for preventing light leakage from the upper surface of the scintillator layer of the photoelectric conversion element array 2, and FIG. It is a photoelectric conversion element of an X-ray detector. FIG. 3 shows a photoelectric conversion element of a conventional X-ray detector. 2
01 is a semiconductor layer forming a photodiode, 20
2 is a substrate for forming a semiconductor layer, 203 is a scintillator layer laminated on the upper surface of the semiconductor layer, and 204 is a semiconductor layer 2
An adhesive layer for fixing the scintillator layer 203 on the reference numeral 03, a groove 205 for channel separation, and a metal plate 206 for blocking light from adjacent elements and X-rays.

【0005】またその他の従来のシンチレータ層上面の
光反射手段としては、上述したようなシンチレータ上面
に金属板を密着固定する方法の他に、シンチレータ上面
にアルミ蒸着を行う方法や、また図4に示すように溝2
05及びシンチレータ層203上面に光反射材料を充填
して反射層208を形成すると共に、各チャンネルを形
成するシンチレータ層をも上面及び側面から光反射材料
で密閉して反射層208を形成する、との方法である。
これによって、側面からの散乱X線等の進入を防止す
る。
As other conventional light reflecting means on the upper surface of the scintillator layer, in addition to the above-described method of tightly fixing a metal plate on the upper surface of the scintillator, a method of depositing aluminum on the upper surface of the scintillator, and FIG. Groove 2 as shown
05 and the top surface of the scintillator layer 203 are filled with a light reflecting material to form the reflecting layer 208, and the scintillator layer forming each channel is also sealed from the top and side surfaces with the light reflecting material to form the reflecting layer 208. This is the method.
This prevents entry of scattered X-rays and the like from the side.

【0006】具体的公知例としてチャンネル分離のため
の溝内に微細状の光反射材を混入した光硬化樹脂を主成
分とする流動性物質を充填し、シンチレータ層に光線を
照射して充填物を光硬化させて反射層にしたりする例
(特開平6−160538号)がある。
As a specific well-known example, a groove for channel separation is filled with a flowable substance mainly composed of a photocurable resin mixed with a fine light reflecting material, and the scintillator layer is irradiated with light rays to fill the groove. (JP-A-6-160538).

【0007】また別の公知例(特開平7−148615
号)では図6に示すようにシンチレータ板22と光反射
部材23を交互にサンドイッチ状にチャンネル数分だけ
重ね合わせたものを切断してシンチレータアレイ5を作
成し、これを、基板702上に形成されているフォトダ
イオードアレイ2上に張り合わせ、更にシンチレータア
レイ15の上面に上面反射層19を設けるという製造手
法による例がある。またこの公知例では図5に示すよう
に構造例としてみるとチャンネル間の遮蔽としてチャン
ネル間の溝部分に光反射を目的とした側面反射層21
(TiO2などの物質)及び遮蔽板を目的とした遮光層
20(アルミ箔など)を設け、更に溝の上部にはX線遮
断を目的とした金属ワイヤ18(タングステンなど)を
設けるなどそれぞれの目的に合わせた構造を1つずつ取
り入れている。
Another known example (JP-A-7-148615)
In FIG. 6, a scintillator array 5 is formed by cutting a scintillator plate 22 and a light reflecting member 23 which are alternately overlapped by the number of channels in a sandwich shape as shown in FIG. 6, and formed on a substrate 702. There is an example of a manufacturing method in which the upper surface reflective layer 19 is provided on the upper surface of the scintillator array 15 by bonding the photodiode array 2 on the photodiode array 2. In this known example, when viewed as a structural example as shown in FIG. 5, a side surface reflective layer 21 for light reflection is formed in a groove between channels as a shield between channels.
(A substance such as TiO2) and a light shielding layer 20 (aluminum foil or the like) for the purpose of providing a shielding plate, and a metal wire 18 (a tungsten or the like) for the purpose of blocking X-rays is provided above the groove. The structure according to is adopted one by one.

【0008】また別の公知例(特開平9−54161
号)では図7に示すように製造方法として一枚のシンチ
レータ板22に光反射膜23を形成した後、細長く角材
状に切断(24が切断面)し、各切断片を、光反射膜面
がサンドイッチ状に挟まれるような状態にしてチャンネ
ル数分だけ張り合わせ(即ち並べ換え)、これを基板7
02上のフォトダイオードアレイ2面に張り付けるとい
う例がある。
Another known example (JP-A-9-54161)
7, a light reflecting film 23 is formed on a single scintillator plate 22 as shown in FIG. 7 and then cut into an elongated rectangular shape (24 is a cut surface). Are sandwiched in a sandwich shape, and are bonded (that is, rearranged) by the number of channels.
There is an example in which it is attached to the surface of the photodiode array 2 on the substrate 02.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】図2のように光電変換
素子アレイ2を数十個ポリゴン状に配列した後、アレイ
群の上面から光反射板3を密着固定する構造では、ポリ
ゴン状に配列された素子アレイに対して金属反射板3は
円弧状に固定されることになり、光電変換素子アレイ2
の上面と光反射板3との間にチャンネル毎に異なった隙
間幅が生じ、これに起因する反射率のばらつき、すなわ
ち出力のばらつきがチャンネル間で発生して、X線検出
器の出力特性を悪化させる問題となっていた。
As shown in FIG. 2, in a structure in which several tens of photoelectric conversion element arrays 2 are arranged in a polygon as shown in FIG. 2, the light reflection plate 3 is fixed in close contact with the upper surface of the array group. The metal reflector 3 is fixed in an arc shape with respect to the element array thus formed, and the photoelectric conversion element array 2 is fixed.
A gap width different for each channel is generated between the upper surface of the X-ray and the light reflection plate 3, and a variation in the reflectance due to this, that is, a variation in the output occurs between the channels, and the output characteristic of the X-ray detector is reduced. It was a problem that made it worse.

【0010】また図3の例では、チャンネル分離のため
に挿入されている光遮蔽手段としての金属板206が、
シンチレータ層の溝205に挿入された際にシンチレー
タ上面に一部が突出し、金属板205の加工精度により
この突出量のばらつきが生じるために、図2の如く光反
射板3を上面から押さえつける際に光電変換素子アレイ
2の上面と光反射板3との間に素子毎に異なった隙間幅
が生じ、これに起因する出力のばらつきを起こし、同様
にX線検出器の出力特性を悪化させる問題となってい
た。
In the example of FIG. 3, a metal plate 206 as a light shielding means inserted for channel separation is provided.
When the light reflecting plate 3 is pressed down from the upper surface as shown in FIG. 2, since a part of the protrusion protrudes from the upper surface of the scintillator when it is inserted into the groove 205 of the scintillator layer and the protrusion amount varies due to the processing accuracy of the metal plate 205. Different gap widths are generated between the upper surface of the photoelectric conversion element array 2 and the light reflection plate 3 for each element, which causes variations in output and similarly deteriorates output characteristics of the X-ray detector. Had become.

【0011】またシンチレータ上面にアルミ蒸着を行う
方法もあるが、この方法では、強固な蒸着を行うために
蒸着前に蒸着面を研磨加工したりする等の工程が必要に
なり作業コストが増える等の問題が生じたり、反射フィ
ルムをシンチレータ上面に張り付ける方法でもチャンネ
ル分離のための溝加工を行う際に反射フィルムの断面に
バリが出たり、反射フィルムの接着の際に気泡が混入す
るなどの問題も生じていた。
There is also a method in which aluminum is deposited on the upper surface of the scintillator. However, this method requires a step of polishing the deposited surface before the deposition in order to perform a strong deposition, thereby increasing work costs. Problems occur, even when the reflective film is attached to the top of the scintillator, burrs appear on the cross section of the reflective film when grooves are formed for channel separation, and bubbles are mixed in when bonding the reflective film. Problems had arisen.

【0012】また図4に示すような溝205及びシンチ
レータ層203に光反射層208を設け、シンチレータ
層203の上面及び側面から密閉してしまう方法では、
溝205に充填して得た光反射層208は光に対する反
射率は十分であり、隣接チャンネルのシンチレータ層で
発光した光が光反射層208の溝の部分を透過してチャ
ンネル内に光が漏れ込むことはないが、X線に対しては
隣接チャンネルに入射したX線が光反射層208の溝の
部分を透過してチャンネル内にX線が漏れ込むという、
いわゆるX線のクロストーク16と呼ばれる現象が非常
に大きく、このためにX線のクロストーク16を軽減す
るために光反射層208の溝幅を大きくするなどの方法
が一般に行われるが、溝幅を大きくすることで出力が低
下したりする問題が生じていた。
In a method of providing a light reflecting layer 208 in the groove 205 and the scintillator layer 203 as shown in FIG. 4 and sealing the light from the top and side surfaces of the scintillator layer 203,
The light reflecting layer 208 obtained by filling the groove 205 has a sufficient reflectance to light, and light emitted from the scintillator layer of the adjacent channel passes through the groove of the light reflecting layer 208 and leaks into the channel. Although the X-rays do not enter the channel, the X-rays incident on the adjacent channel pass through the groove of the light reflection layer 208 and leak into the channel.
A phenomenon called so-called X-ray crosstalk 16 is extremely large. For this reason, a method of increasing the groove width of the light reflecting layer 208 is generally performed to reduce the X-ray crosstalk 16. However, there is a problem that the output is reduced by increasing the value.

【0013】またシンチレータ上面や側面の遮蔽手段を
設ける製造方法からみて、図6に示す複数枚のシンチレ
ータ板をサンドイッチ状に張り合わせたものをスライス
してシンチレータアレイを作成したり、あるいは図7に
示すチャンネル毎のシンチレータの角材を張り合わせる
などの方法ではチャンネル間の特性ばらつきを起こすと
いう問題も生じる。
In view of the manufacturing method in which the top and side surfaces of the scintillator are provided with shielding means, a scintillator array is prepared by slicing a plurality of scintillator plates shown in FIG. 6 which are laminated in a sandwich manner, or as shown in FIG. In a method such as laminating a scintillator square for each channel, there is also a problem that characteristics are varied between channels.

【0014】そこで本発明はこのような事情に基づいて
なされたものであり、本発明の目的はチャンネル相互に
特性ばらつきのないX線検出器及びその製造方法並びに
X線CT装置を提供するものである。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an X-ray detector having no characteristic variation between channels, a method of manufacturing the same, and an X-ray CT apparatus. is there.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、チャンネル区
分の光電領域を並設した半導体層と、半導体層の光電領
域の上部に設けたシンチレータ層と、各シンチレータ層
の上部に設けた、内部光を外部上部に放出しないための
光反射層と、光反射層からシンチレータ層を経て半導体
層に至る、チャンネル区分毎に設けたチャンネル区分溝
と、このチャンネル区分溝に挿入したX線遮蔽板と、を
備えるX線検出器を開示する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a semiconductor layer in which photoelectric regions of channel sections are juxtaposed, a scintillator layer provided above the photoelectric region of the semiconductor layer, and an internal layer provided above each scintillator layer. A light reflection layer for preventing light from being emitted to the outside upper part, a channel division groove provided for each channel division from the light reflection layer to the semiconductor layer via the scintillator layer, and an X-ray shielding plate inserted in the channel division groove. An X-ray detector comprising:

【0016】更に本発明は、チャンネル区分の光電領域
を並設した半導体層と、半導体層の光電領域の上部に設
けたシンチレータ層と、各シンチレータ層の上部に設け
た、内部光を外部上部に放出しないための光反射層と、
光反射層からシンチレータ層を経て半導体層に至る、チ
ャンネル区分毎に設けたチャンネル区分溝と、半導体層
から光反射層又はシンチレータ層の途中の層位置までの
チャンネル区分溝に挿入した第1のX線遮蔽板と、該第
1のX線遮蔽板の上部に挿入され、外部に突出する端部
を持つ第2のX線遮蔽板と、を備えるX線検出器を開示
する。
Further, according to the present invention, there is provided a semiconductor layer in which photoelectric regions of channel divisions are juxtaposed, a scintillator layer provided above the photoelectric region of the semiconductor layer, and an internal light provided above each scintillator layer. A light reflection layer for preventing emission,
A first X inserted into a channel dividing groove provided for each channel section from the light reflecting layer to the semiconductor layer via the scintillator layer and a channel dividing groove extending from the semiconductor layer to the light reflecting layer or the middle of the scintillator layer. An X-ray detector including a X-ray shield plate and a second X-ray shield plate having an end protruding to the outside and inserted above the first X-ray shield plate is disclosed.

【0017】更に本発明は、X線検出器で被検体透過X
線を検出しCT断層象を得るX線CT装置において、前
記X線検出器は、上記開示のX線検出器とするX線CT
装置を開示する。
Further, the present invention provides an X-ray detector for detecting X-rays through an object.
In an X-ray CT apparatus for detecting a line and obtaining a CT tomographic image, the X-ray detector is an X-ray CT as the X-ray detector disclosed above.
An apparatus is disclosed.

【0018】更に本発明は、半導体層の上部に、シンチ
レータ層を積層するステップと、このシンチレータ層の
上面に光反射層を積層するステップと、この積層後にチ
ャンネル区分するためのチャンネル区分溝を、光反射層
からシンチレータ層を経て半導体層のチャンネル区分溝
に形成するステップと、このチャンネル区分溝にX線遮
蔽板を挿入するステップと、を含むX線検出器の製造方
法を開示する。
Further, according to the present invention, a step of laminating a scintillator layer on a semiconductor layer, a step of laminating a light reflecting layer on an upper surface of the scintillator layer, and a channel dividing groove for dividing a channel after the laminating, A method of manufacturing an X-ray detector including a step of forming a channel division groove of a semiconductor layer from a light reflection layer via a scintillator layer and a step of inserting an X-ray shielding plate into the channel division groove is disclosed.

【0019】更に本発明は、半導体層の上部に、光反射
層を上面に持つシンチレータ層を積層するステップと、
このシンチレータ層の上面に光反射層を積層するステッ
プと、この積層後にチャンネル区分するためのチャンネ
ル区分溝を、光反射層からシンチレータ層を経て半導体
層のチャンネル区分溝に形成するステップと、このチャ
ンネル区分溝の半導体層から光反射層又はシンチレータ
層の途中の層位置まで、のチャンネル区分溝に第1のX
線遮蔽板を挿入するステップと、この第1のX線遮蔽板
上部に、外部に突出する端部を持つ第2のX線遮蔽板を
挿入するステップと、を含むX線検出器の製造方法を開
示する。
The present invention further provides a step of laminating a scintillator layer having a light reflecting layer on the upper surface of the semiconductor layer,
Laminating a light reflecting layer on the upper surface of the scintillator layer; forming a channel dividing groove for dividing the channel after the lamination in the channel dividing groove of the semiconductor layer from the light reflecting layer through the scintillator layer; The first X is provided in the channel dividing groove from the semiconductor layer of the dividing groove to a layer position in the middle of the light reflecting layer or the scintillator layer.
A method of manufacturing an X-ray detector including a step of inserting a X-ray shield plate and a step of inserting a second X-ray shield plate having an end protruding outside above the first X-ray shield plate. Is disclosed.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】図8は本発明によるX線検出器が
適用されるX線CT装置の一実施の形態を説明するもの
である。図8においてX線発生装置4、被検体5、X線
検出器6が配置されている。X線発生装置がある広がり
角度で照射され被検体5を透過した後にX線検出器6に
入射される。X線検出器6はX線発生装置4からある広
がりを持って照射されてくるX線をそれぞれ検出するた
めに円弧形状をしており、この円弧に沿って光電変換素
子アレイ7が配列されている構造になっている。次に本
発明によるX線検出器6における光電変換素子アレイ7
の実施例の各種の形態について説明する。
FIG. 8 illustrates an embodiment of an X-ray CT apparatus to which the X-ray detector according to the present invention is applied. In FIG. 8, an X-ray generator 4, a subject 5, and an X-ray detector 6 are arranged. The X-ray generator is irradiated at a certain spread angle, passes through the subject 5, and then enters the X-ray detector 6. The X-ray detector 6 has an arc shape for detecting X-rays emitted from the X-ray generator 4 with a certain spread, and the photoelectric conversion element array 7 is arranged along the arc. It has a structure. Next, the photoelectric conversion element array 7 in the X-ray detector 6 according to the present invention
Various embodiments of the embodiment will be described.

【0021】(実施の形態1)まず最初に本発明の光電
変換素子アレイ7の構造について、第2としてその製造
方法について、第3として製造工程中の光反射層形成に
ついての順に従って説明する。まず最初に図9にX線検
出器6を構成する光電変換素子アレイの外観を斜視図で
示しながら構造について説明する。
(Embodiment 1) First, the structure of the photoelectric conversion element array 7 of the present invention will be described in the order of the second, the manufacturing method thereof, and the third, the formation of the light reflection layer during the manufacturing process. First, the structure will be described with reference to a perspective view of the appearance of the photoelectric conversion element array constituting the X-ray detector 6 in FIG.

【0022】図9において基板702上にはフォトダイ
オードから成る光電変換素子701が形成され、この上
面に蛍光材料であるBGO、CdWO4等のシンチレー
タ層703が積層されている。上面側から入射したX線
はシンチレータ層で発光し、この光が電気信号に変換さ
れる。
[0022] The photoelectric conversion element 701 formed of a photodiode on the substrate 702 in FIG. 9 is formed, a fluorescent material BGO, the scintillator layer 703, such as CdWO 4 are laminated in this top. X-rays incident from the upper surface emit light at the scintillator layer, and this light is converted into an electric signal.

【0023】シンチレータ層703は等間隔、平行にフ
ォトダイオードに至るまでの溝705が形成され、この
溝には、モリブデンやタングステンなどX線遮蔽効果の
高い材料にアルミ蒸着して光反射率を高めた金属板70
6が挿入されて、それぞれ独立した検出部であるチャン
ネルを構成している。シンチレータ層上面には、光反射
層707を各チャンネル毎に形成させてある。
A groove 705 is formed in the scintillator layer 703 at equal intervals and parallel to the photodiode. In this groove, a material having a high X-ray shielding effect such as molybdenum or tungsten is vapor-deposited with aluminum to increase the light reflectance. Metal plate 70
6 are inserted to form channels that are independent detection units. On the top surface of the scintillator layer, a light reflection layer 707 is formed for each channel.

【0024】図1は図9のI−I線における断面図を示
した構成図である。図1ではシンチレータ層703が光
透過率の良い透明な接着剤による接着層704を介して
半導体層701に固定されていることを示し、溝705
によってそれぞれのチャンネルに分割され、溝には光遮
蔽のための金属板706が挿入されている。各シンチレ
ータ層703の上面には光反射層707が形成されてい
る。光反射層707は、例えばエポキシ樹脂に色素を添
加したものから成り、いわゆる塗布によって被着された
ものとなっている。ここで色素としては黒色よりも白色
のものが効果的である。なぜならば光反射率の高いもの
の方がシンチレータ内部での発光を効率良く利用できる
からである。例えば二酸化チタンや酸化バリウム等の白
色剤をエポキシ樹脂に混合した光反射材料を均一に塗布
し硬化させて光反射層を各チャンネル毎に形成させてあ
る。光反射材料としては高温多湿環境やX線照射環境で
変色や軟化など化学変化を起こさず、X線の減弱の小さ
いものが適当である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a cross-sectional view taken along line II of FIG. FIG. 1 shows that the scintillator layer 703 is fixed to the semiconductor layer 701 via an adhesive layer 704 made of a transparent adhesive having a high light transmittance, and a groove 705 is shown.
Are divided into respective channels, and a metal plate 706 for shielding light is inserted into the groove. On the upper surface of each scintillator layer 703, a light reflection layer 707 is formed. The light reflection layer 707 is made of, for example, a material obtained by adding a dye to an epoxy resin, and is applied by so-called coating. Here, white pigments are more effective than black pigments. This is because a light having a higher light reflectance can use light emitted inside the scintillator more efficiently. For example, a light reflection material in which a white agent such as titanium dioxide or barium oxide is mixed with an epoxy resin is uniformly applied and cured to form a light reflection layer for each channel. As the light reflecting material, a material which does not cause a chemical change such as discoloration or softening in a high-temperature and high-humidity environment or an X-ray irradiation environment and has a small attenuation of X-rays is suitable.

【0025】このような光電変換素子アレイ7で構成さ
れたX線検出器は光反射層707を透過してシンチレー
タ層703に入射したX線は、このシンチレータ層70
3内部で可視光に変換されるが、この変換された可視光
は、外部に即ち隣接するシンチレータ層703側に入射
されることはなく、全て直下に配置されている半導体層
701表面のフォトダイオードに入射することになる。
そしてこのような状態は、他の全てのシンチレータ層7
03において同様であることから、各フォトダイオード
に対する光検知(X線検知)における特性のばらつきが
なく、特性を均一にそろえることが可能になる。
The X-ray detector constituted by the photoelectric conversion element array 7 transmits X-rays transmitted through the light reflecting layer 707 and incident on the scintillator layer 703.
3, the converted visible light is not incident on the outside, that is, on the side of the adjacent scintillator layer 703, and all the photodiodes on the surface of the semiconductor layer 701 disposed immediately below Will be incident.
Such a state is caused by all other scintillator layers 7
Since the same applies to 03, there is no variation in the characteristics in the light detection (X-ray detection) for each photodiode, and the characteristics can be made uniform.

【0026】第2として光反射層707を形成した光電
変換素子アレイの製造方法について図10を用いて説明
する。まず初めの工程1として、基板702上のチャン
ネル分離された半導体層701上面であるフォトダイオ
ードから成る光電変換素子(チャンネル分離されてい
る)が形成された面に単体のシンチレータ板703を接
着(接着層704)する。このとき用いる接着剤は光を
十分透過しシンチレータでの発光をフォトダイオードで
効率良く検出できるように光透過率の良い透明色の接着
剤が適当である。またここで接着するシンチレータ板7
03はチャンネル方向にフォトダイオードのチャンネル
方向長さよりも若干長めの寸法(+α)の大きさとして
おく。これは次工程においてシンチレータ板を反射層形
成治具に固定するために必要になるからである。
Second, a method for manufacturing a photoelectric conversion element array having the light reflection layer 707 formed will be described with reference to FIG. First, as a first step 1, a single scintillator plate 703 is adhered (adhered) to a surface of a substrate 702 on which a photoelectric conversion element (channel-separated) composed of a photodiode is formed, which is an upper surface of a semiconductor layer 701 separated by a channel. Layer 704). The adhesive used at this time is suitably a transparent adhesive having a good light transmittance so that light can be sufficiently transmitted and light emitted from the scintillator can be efficiently detected by the photodiode. Also, the scintillator plate 7 to be bonded here
03 is a dimension (+ α) slightly longer in the channel direction than the length of the photodiode in the channel direction. This is because it becomes necessary to fix the scintillator plate to the reflection layer forming jig in the next step.

【0027】次に工程2として、張り合わせたシンチレ
ータ板(シンチレータ層703)の上面に光反射材料を
均一に塗布して光反射層707を形成する。シンチレー
タ層703上面の塗布面は有機溶剤で予め洗浄してお
き、汚れ等を光反射層及びシンチレータ境界面に閉じこ
めないように留意する。光反射層707の層厚さとして
は、シンチレータ層703で発光した光が光反射層を透
過して外部に光漏れを起こして出力低下等の損失を起こ
さず、また光反射層707の層厚さに若干の部分的ムラ
が生じていても局所的な出力低下等の損失を起こさない
だけの十分な層厚さにすることが重要である。また後の
工程3における溝切り加工時の光反射層707の剥がれ
などを起こさない強度を確保できる層厚さであることも
重要であり、実際には100〜300μm程度が適当で
ある。層形成方法としてブレード方式やスクリーン印刷
方式やスピナー方式または滴下方式等の方法があるが、
均一な層厚さを容易に精度良く形成する方法として剥離
フィルム加圧法がある。この剥離フィルム加圧法は、液
体状の光反射材料を被形成面に滴下し、これを上から平
板等で均等に加圧して押しつぶして均一な膜を形成しよ
うという手法である。剥離フィルム加圧法については後
述する。
Next, as a step 2, a light reflecting material is uniformly applied on the upper surface of the bonded scintillator plate (scintillator layer 703) to form a light reflecting layer 707. The application surface on the top surface of the scintillator layer 703 is washed with an organic solvent in advance, and care is taken so that dirt and the like are not trapped in the boundary surface between the light reflection layer and the scintillator. As the layer thickness of the light reflecting layer 707, light emitted from the scintillator layer 703 passes through the light reflecting layer and causes light leakage to the outside without causing a loss such as a decrease in output, and the thickness of the light reflecting layer 707. It is important that the layer has a sufficient thickness so as not to cause a local loss of output or the like even if some partial unevenness occurs. It is also important that the layer thickness has such a strength that the light reflection layer 707 does not peel off at the time of the groove cutting process in the later step 3, and the actual thickness is about 100 to 300 μm. There are methods such as a blade method, a screen printing method, a spinner method or a dropping method as a layer forming method,
As a method for easily and accurately forming a uniform layer thickness, there is a release film pressing method. The peeling film pressing method is a method in which a liquid light reflecting material is dropped on a surface on which a liquid is to be formed, and the liquid light reflecting material is uniformly pressed from above with a flat plate or the like and crushed to form a uniform film. The release film pressing method will be described later.

【0028】次に工程3として、チャンネル分離を行う
ための溝加工を行う。これは半導体層701に形成され
た光電変換素子チャンネルピッチに合わせて等間隔平行
に、光反射層707及びシンチレータ層703にフォト
ダイオードに至るまで垂直に溝705を形成する。光反
射層の光反射材料が十分乾燥し、硬化していないと溝切
りの際に光反射材料を溝の中に巻き込み局所的な感度ム
ラを起こすことになるので光反射材料が十分乾燥した後
に溝切り加工を行う。
Next, as a step 3, a groove is formed for channel separation. In this case, grooves 705 are formed in the light reflection layer 707 and the scintillator layer 703 vertically to the photodiodes at equal intervals and parallel to the channel pitch of the photoelectric conversion elements formed in the semiconductor layer 701. After the light-reflective material of the light-reflective layer is sufficiently dried and not cured, the light-reflective material will be caught in the groove during groove cutting, causing local sensitivity unevenness. Perform grooving.

【0029】次に工程4として形成した溝705に光遮
蔽のための金属板706を挿入する。金属板706は溝
長さよりも幾分長め(+α1)のものを使用し、溝の両
端に金属板706等が等しくはみ出すように挿入する。
金属板706の高さは溝705に挿入した際にシンチレ
ータ層上面より突出する高さを持ったものとする。ここ
で挿入時にはこの金属板706に傷や汚れなどをつけて
光反射率を低下させないように留意することが重要であ
る。
Next, a metal plate 706 for shielding light is inserted into the groove 705 formed in step 4. The metal plate 706 is slightly longer (+ α 1 ) than the groove length, and is inserted into both ends of the groove such that the metal plate 706 and the like protrude equally.
The height of the metal plate 706 has a height protruding from the upper surface of the scintillator layer when inserted into the groove 705. At this time, it is important to take care not to damage or dirt the metal plate 706 at the time of insertion so as not to lower the light reflectance.

【0030】次に最後の工程5として溝705に挿入し
た金属板706の固定を行う。金属板706の溝から外
にはみ出している両端部分をエポキシ樹脂等の接着剤を
用いて接着固定708を行う。この際に金属板706を
伝って毛細管現象により接着剤が溝705の内部に流れ
込まないように留意する。溝内部に接着剤が流れ込むと
シンチレータ層703の側壁の金属板706の反射率が
低下しチャンネル間の特性ばらつきを来す原因になる。
以上のようにして光反射層を形成した素子ブロックを製
作する。
Next, as a final step 5, the metal plate 706 inserted into the groove 705 is fixed. Both ends of the metal plate 706 protruding from the groove are bonded and fixed 708 using an adhesive such as epoxy resin. At this time, care should be taken so that the adhesive does not flow into the groove 705 due to the capillary phenomenon along the metal plate 706. When the adhesive flows into the inside of the groove, the reflectance of the metal plate 706 on the side wall of the scintillator layer 703 decreases, causing a characteristic variation between channels.
As described above, an element block on which the light reflection layer is formed is manufactured.

【0031】さて第3として工程2における反射層形成
方法の部分について特に最適な形成法について図11を
用いて説明する。剥離フィルム加圧法を説明する前にま
ず反射層形成に使用する反射層形成治具9について図1
2〜図14で説明する。
Thirdly, a particularly optimum method for forming the reflective layer in the step 2 will be described with reference to FIG. Before explaining the release film pressing method, first, a reflection layer forming jig 9 used for forming a reflection layer is shown in FIG.
This will be described with reference to FIGS.

【0032】反射層形成治具9は、ある決まった段差部
分を両側に持つ形状をしている。図12に示すようにそ
れぞれの面を面A、面B、面A′、面B′と呼ぶことに
する。面A及び面A′、そして面B及び面B′はそれぞ
れ同一高さにある水平面であり(図13)、両方とも対
称の形状をしている。図14に示すように面Aと面Bの
段差距離aはシンチレータ板703(シンチレータ層)
の厚さdに形成しようとする光反射層の層厚さhを加え
た距離(d+h)と決めておく。即ちa=d+hであ
る。同様に面A′と面B′の段差も距離(d+h)であ
る。また面Bと面B′の距離eは基板702の幅fより
も大きく、シンチレータ板703の幅gよりも短い長
さ、つまりf<e<gとなる距離eとしてある。実際に
は距離eはシンチレータ板703の幅gよりも1〜2m
m程度短い長さであれば十分である。また面Aと面A′
の距離kはシンチレータ板703の幅gよりも大きくg
<kとしておく。
The reflection layer forming jig 9 has a shape having a predetermined step on both sides. As shown in FIG. 12, the respective planes will be referred to as plane A, plane B, plane A ', and plane B'. The plane A and the plane A 'and the plane B and the plane B' are horizontal planes at the same height, respectively (FIG. 13), and both have symmetric shapes. As shown in FIG. 14, the step distance a between the surface A and the surface B is equal to the scintillator plate 703 (scintillator layer).
The distance (d + h) is determined by adding the thickness d of the light reflecting layer to be formed to the thickness d. That is, a = d + h. Similarly, the step between the surfaces A 'and B' is also the distance (d + h). The distance e between the surface B and the surface B 'is longer than the width f of the substrate 702 and shorter than the width g of the scintillator plate 703, that is, the distance e where f <e <g. Actually, the distance e is 1 to 2 m larger than the width g of the scintillator plate 703.
A length as short as about m is sufficient. Surface A and surface A '
Is larger than the width g of the scintillator plate 703.
<K.

【0033】剥離フィルム加圧法について図11を用い
て説明する。まず最初に反射層形成治具8の面B及び面
B′の上にシンチレータ板703の裏面を密着するよう
に固定する(工程2−1)。この時シンチレータ板70
3の上面とに反射層形成治具8の面A(面A′)との差
はhとなる。シンチレータ板の裏面及び反射層形成治具
8の面B及び面B′は所定の膜厚を形成するための基準
面となるので、汚れや傷等による凹凸がないか確認する
ことが重要である。
The release film pressing method will be described with reference to FIG. First, the back surface of the scintillator plate 703 is fixed on the surface B and the surface B 'of the reflection layer forming jig 8 so as to be in close contact with each other (step 2-1). At this time, the scintillator plate 70
The difference between the upper surface of the jig 8 and the surface A (surface A ′) of the reflection layer forming jig 8 is h. Since the back surface of the scintillator plate and the surfaces B and B 'of the reflection layer forming jig 8 serve as reference surfaces for forming a predetermined film thickness, it is important to check whether there are any irregularities due to dirt, scratches, or the like. .

【0034】次にシンチレータ板を固定したらシンチレ
ータ板703上面の中央部分に盛り上げるように光反射
材料9を滴下する(工程2−2)。この光反射材料9は
気泡が混入しないように十分な脱泡したものを使用す
る。気泡を光反射層に閉じこめてしまうとその部分で光
反射層厚さが薄くなり光反射率を低下させてしまうから
である。また光反射材料9の滴下量は有効面積と膜厚か
ら計算した体積値よりも約1.5〜2.0倍と多めにす
るのがよい。ここで滴下量を多めにしているのは膜厚の
ための必要量だけでは十分に光反射材料9がシンチレー
タ板703の4隅まで行き渡らず、膜厚にムラができた
りするのを防止するためである。
Next, after fixing the scintillator plate, the light reflecting material 9 is dropped so as to swell the central portion of the upper surface of the scintillator plate 703 (step 2-2). The light reflecting material 9 is sufficiently defoamed so as not to mix air bubbles. This is because if air bubbles are trapped in the light reflection layer, the thickness of the light reflection layer becomes thinner at that portion, and the light reflectance is reduced. The amount of the light reflecting material 9 dropped is preferably about 1.5 to 2.0 times the volume calculated from the effective area and the film thickness. The reason why the amount of dripping is set to be large is to prevent the light reflecting material 9 from reaching the four corners of the scintillator plate 703 sufficiently with only the necessary amount for the film thickness, thereby preventing the film thickness from becoming uneven. It is.

【0035】次に滴下した光反射材料9の上方から剥離
フィルム10を水平に静かに落とし、更にこの剥離フィ
ルム10の上から金属板11を水平に載せる(工程2−
3)。この時、気泡を巻き込まないように静かに水平に
載せることが重要である。
Next, the release film 10 is gently dropped horizontally from above the dropped light reflecting material 9, and the metal plate 11 is placed horizontally on the release film 10 (Step 2).
3). At this time, it is important to gently and horizontally place so as not to get air bubbles.

【0036】次に金属平板11と反射層形成治具8をネ
ジ12を用いて密着固定する(工程2−4)。この時面
A側と面A′側のネジを交互に締め付け、水平状態を保
ちながら固定する。剥離フィルム10とシンチレータ板
703との隙間は距離hとなる。これにより光反射材料
9は金属平板11で押しつぶされて厚さhの光反射層7
07が形成される。金属平板11をネジ12で締め付け
て加圧した際に余分な光反射材料9が隙間hから四方に
漏れだしていることで光反射材料9が反射層形成面領域
の隅々まで行き渡る。
Next, the metal flat plate 11 and the reflection layer forming jig 8 are tightly fixed with the screws 12 (step 2-4). At this time, the screws on the surface A side and the surface A 'side are alternately tightened and fixed while maintaining a horizontal state. The gap between the release film 10 and the scintillator plate 703 is a distance h. As a result, the light reflecting material 9 is crushed by the metal flat plate 11 to form the light reflecting layer 7 having a thickness h.
07 is formed. When the metal flat plate 11 is tightened with the screws 12 and pressed, excess light reflecting material 9 leaks from the gap h in all directions, so that the light reflecting material 9 spreads to every corner of the reflective layer forming surface area.

【0037】剥離フィルム10及び金属板11の大きさ
は面A及び面A′の両面に載るように十分な横幅を持
ち、シンチレータ板のスライス方向幅よりも若干長めの
縦幅のものとする。剥離フィルム10の素材は反射層形
成に用いる光反射材料9の素材によるが、光反射材料9
と化学反応を起こして光反射材料9が硬化した時に剥離
フィルム10に接着して剥がれなくなるようなことのな
い素材をフィルムに選ぶ。例えばポリエステルやあるい
テフロン等があげられる。また剥離フィルム10が最初
から反っていると光反射層の膜厚にムラが生じるため反
りのないものを使用することが重要である。図2の工程
2−5では、フィルム10を剥離する様子を示す。かく
して、工程2に示した積層構成体が得られる。以上のよ
うにして光反射層を形成する。
The release film 10 and the metal plate 11 have a sufficient width so as to be placed on both surfaces A and A 'and a vertical width slightly longer than the width of the scintillator plate in the slice direction. The material of the release film 10 depends on the material of the light reflection material 9 used for forming the reflection layer.
A material that does not cause a chemical reaction to adhere to the release film 10 when the light reflecting material 9 is cured and does not come off is selected as the film. For example, polyester or Teflon can be used. Also, if the release film 10 is warped from the beginning, the thickness of the light reflecting layer will be uneven, so it is important to use a film that does not warp. Step 2-5 in FIG. 2 shows a state where the film 10 is peeled off. Thus, the laminated structure shown in Step 2 is obtained. The light reflection layer is formed as described above.

【0038】(実施の形態2)工程2−3における光反
射材料9を形成するための他の実施の形態を図15に示
す。実施の形態1ではポリエステルやテフロンを素材と
する剥離フィルム10を用いて光反射層を形成している
が、フィルム状でなくてもよい。例えば実施の形態2と
して図15に示すように剥離フィルムの代わりに透明な
ガラス板等を用いる方法について述べる。剥離フィルム
10としての必要条件は、光反射層を形成する光反射材
料9が張り付いて剥がれなくなるような事態が起こらず
且つ平面度が十分出せるようなものであればよい。そこ
で剥離フィルム10の代わりに透明なガラス板13を使
用する。光反射材料9に密着する側のガラス面には剥離
するように剥離油14を塗布しておく。剥離油14とし
ては例えばシリコンオイル等が挙げられる。剥離油14
は光反射層に浸透したりせず、また簡単な洗浄で落とせ
るものを選ぶ。塗布方法としてはスプレー等全体に均一
に薄く塗布できる方法を用いた法がよい。この実施の形
態2では剥離フィルムの代わりに硬いガラス板を用いて
いるので、上方から金属平板等で更に押しつける必要も
なく、また透明ガラスで加圧して光反射材料を押しつぶ
す際に気泡が混入したかどうかが透明ガラスを通して直
接目視検査できる利点がある。製作方法としては工程2
−3において上述の方法をとるだけで、これ以外は実施
の形態1と同様の工程をたどり製作すればよい。
(Embodiment 2) FIG. 15 shows another embodiment for forming the light reflecting material 9 in the step 2-3. In the first embodiment, the light reflection layer is formed using the release film 10 made of polyester or Teflon. However, the light reflection layer may not be a film. For example, a method using a transparent glass plate or the like instead of the release film as shown in FIG. The requisite conditions for the release film 10 are such that the light reflection material 9 forming the light reflection layer 9 does not stick and does not come off, and that sufficient flatness can be obtained. Therefore, a transparent glass plate 13 is used instead of the release film 10. A release oil 14 is applied to the glass surface on the side that is in close contact with the light reflection material 9 so as to be released. The release oil 14 includes, for example, silicone oil. Release oil 14
Select a material that does not penetrate the light reflection layer and can be removed by simple washing. As a coating method, a method using a method such as spraying which can apply a thin film uniformly on the whole is preferable. In the second embodiment, since a hard glass plate is used instead of the release film, there is no need to further press with a metal flat plate or the like from above, and air bubbles are mixed when the light reflecting material is crushed by pressing with transparent glass. It has the advantage that it can be visually inspected directly through the transparent glass. Process 2
-3, the same method as that of the first embodiment may be used except for the above-described method.

【0039】以上の実施の形態2で述べてきた構造を持
つ光電変換素子アレイ7を配列して構成されたX線検出
器6は、X線グリッドと組み合わせる構造をとることに
より、更に各チャンネル毎の特性ばらつきのない、極め
て高性能なX線検出器を提供することが可能になる。X
線グリッドとの組み合わせた場合のX線検出器の構造に
ついて図16で説明する。X線グリッド15は本発明の
光電変換素子アレイ7に対してX線入射側に搭載する。
X線グリッド15とは各チャンネルに斜めに入射してく
る散乱X線17を除去するためのものであり、X線減弱
の大きい金属板をチャンネルの間隔でX線焦点に対して
放射方向を向くようにX線検出器に沿って円弧状に、ま
たはポリゴン状に配置することで散乱X線を遮蔽する構
造になっている。
The X-ray detector 6 configured by arranging the photoelectric conversion element arrays 7 having the structure described in the second embodiment has a structure combined with an X-ray grid. It is possible to provide an extremely high-performance X-ray detector having no characteristic variation. X
The structure of the X-ray detector when combined with a line grid will be described with reference to FIG. The X-ray grid 15 is mounted on the X-ray incident side with respect to the photoelectric conversion element array 7 of the present invention.
The X-ray grid 15 is for removing the scattered X-rays 17 obliquely incident on each channel. A metal plate having a large attenuation of X-rays is directed in the radiation direction with respect to the X-ray focal point at a channel interval. As described above, the scattered X-rays are shielded by disposing them in an arc shape or a polygon shape along the X-ray detector.

【0040】図17は図16におけるX線グリッド15
及び本発明の光電変換素子アレイ7の部分を詳細に説明
するために拡大した図である。X線グリッド15の配置
間隔は光電変換素子アレイ7のチャンネル間隔とずれず
にぴたりと一致していることが要求される。なぜならば
両者の間隔が一致していないとチャンネル間の特性ばら
つきを発生させることになるからである。本発明におけ
るX線検出器では高精度にX線グリッドを配置すること
が可能となる。図17において光電変換素子アレイ7の
溝705には隣接チャンネルの光を遮蔽するための金属
板706が挿入されている。この金属板706の高さは
シンチレータ層703の高さよりも高く、光反射層70
7よりも低くなっている。即ち光反射層707の層の幅
の間に金属板706の上辺部が収まるような高さになっ
ている。X線グリッド15の一部がこの溝705に挿入
されており、X線グリッドの下辺部は光反射層707の
層の幅の間に収まるように挿入されている。従って光遮
蔽の金属板706とX線グリッド4が同一の溝位置に配
置され、両者の継ぎ目が光反射層707の幅の間になっ
ている。このような構造をとることによってX線グリッ
ド15の配置間隔と光電変換素子アレイ7のチャンネル
間隔とが一致し、チャンネル間の特性ばらつきのないX
線検出器が可能となる。
FIG. 17 shows the X-ray grid 15 in FIG.
FIG. 2 is an enlarged view for explaining in detail a photoelectric conversion element array 7 of the present invention. It is required that the arrangement interval of the X-ray grids 15 be exactly the same without being shifted from the channel interval of the photoelectric conversion element array 7. This is because if the intervals do not match, characteristic variations between channels will occur. In the X-ray detector according to the present invention, it is possible to arrange the X-ray grid with high accuracy. In FIG. 17, a metal plate 706 for blocking light of an adjacent channel is inserted into a groove 705 of the photoelectric conversion element array 7. The height of the metal plate 706 is higher than the height of the scintillator layer 703, and
It is lower than 7. In other words, the height is such that the upper side of the metal plate 706 fits between the widths of the light reflecting layer 707. A part of the X-ray grid 15 is inserted into the groove 705, and the lower side of the X-ray grid is inserted so as to fit between the widths of the light reflecting layers 707. Therefore, the light shielding metal plate 706 and the X-ray grid 4 are arranged at the same groove position, and the joint between them is between the widths of the light reflection layer 707. With such a structure, the arrangement interval of the X-ray grid 15 and the channel interval of the photoelectric conversion element array 7 coincide with each other, and there is no X-ray characteristic variation between channels.
A line detector becomes possible.

【0041】また前述したX線グリッド15は光電変換
素子アレイ8の溝705にX線グリッド15の金属板が
一部に挿入された形態をとっているが、この他には光電
変換素子アレイ8の溝705にX線グリッド15の金属
板の一部を挿入しないで、X線グリッド15と光電変換
素子アレイ7とを離して、両者の間にスペースを設ける
形態をとることも可能である。この場合には隣接チャン
ネルからの光を遮蔽するための金属板706は光反射層
707の表面から上方に突出していても構わない。
The X-ray grid 15 described above has a configuration in which the metal plate of the X-ray grid 15 is partially inserted into the groove 705 of the photoelectric conversion element array 8. Without inserting a part of the metal plate of the X-ray grid 15 into the groove 705, the X-ray grid 15 and the photoelectric conversion element array 7 may be separated to provide a space between them. In this case, the metal plate 706 for blocking the light from the adjacent channel may protrude upward from the surface of the light reflection layer 707.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上説明してきたことからも明らかなよ
うに、シンチレータ層上面にのみ光反射層を形成し、隣
接チャンネル分離のための溝には光遮蔽効果を持つ金属
板を挿入した構造をとることによって、個々の素子によ
ってシンチレータ層上面での反射率に差が生じることに
起因する出力特性のばらつきが解消され、高性能なX線
検出器が得られる。また光反射層の形成方法としては剥
離フィルム加圧法を適用することによってシンチレータ
層上面に非常に均一な膜厚を持つ光反射層を形成するこ
とが容易に行うことができる。
As is clear from the above description, a structure in which a light reflecting layer is formed only on the upper surface of the scintillator layer and a metal plate having a light shielding effect is inserted in the groove for separating adjacent channels. By doing so, variations in output characteristics due to differences in reflectivity on the top surface of the scintillator layer depending on individual elements are eliminated, and a high-performance X-ray detector is obtained. As a method for forming the light reflecting layer, a light reflecting layer having a very uniform film thickness can be easily formed on the upper surface of the scintillator layer by applying a release film pressing method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明によるX線検出器を構成する光電変換素
子アレイの断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a photoelectric conversion element array constituting an X-ray detector according to the present invention.

【図2】従来のX線検出器の構造を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a structure of a conventional X-ray detector.

【図3】従来のX線検出器を構成する光電変換素子アレ
イの断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a photoelectric conversion element array constituting a conventional X-ray detector.

【図4】従来のX線検出器を構成する光電変換素子アレ
イの断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a photoelectric conversion element array constituting a conventional X-ray detector.

【図5】従来のX線検出器を構成する光電変換素子アレ
イの断面図の公知例である。
FIG. 5 is a known example of a cross-sectional view of a photoelectric conversion element array constituting a conventional X-ray detector.

【図6】従来のX線検出器を構成する光電変換素子アレ
イの製造工程を示した公知例の図である。
FIG. 6 is a view of a known example showing a manufacturing process of a photoelectric conversion element array constituting a conventional X-ray detector.

【図7】従来のX線検出器を構成する光電変換素子アレ
イの製造工程を示した公知例の図である。
FIG. 7 is a view of a known example showing a manufacturing process of a photoelectric conversion element array constituting a conventional X-ray detector.

【図8】本発明によるX線検出器が適用されるX線CT
装置の概略図である。
FIG. 8 shows an X-ray CT to which the X-ray detector according to the present invention is applied.
It is the schematic of an apparatus.

【図9】本発明のX線検出器を構成する光電変換素子ア
レイの斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view of a photoelectric conversion element array constituting the X-ray detector of the present invention.

【図10】本発明のX線検出器を構成する光電変換素子
アレイの製造工程を示した図である。
FIG. 10 is a diagram showing a manufacturing process of a photoelectric conversion element array constituting the X-ray detector of the present invention.

【図11】本発明のX線検出器を構成する光電変換素子
アレイの製造工程の中の光反射層形成の工程部分を示し
た図である。
FIG. 11 is a view showing a process portion of forming a light reflection layer in a process of manufacturing a photoelectric conversion element array constituting the X-ray detector of the present invention.

【図12】本発明のX線検出器を構成する光電変換素子
アレイの製造工程の中の光反射層形成の工程で用いる反
射層形成治具を示した図である。
FIG. 12 is a view showing a reflection layer forming jig used in a light reflection layer formation step in the manufacturing process of the photoelectric conversion element array constituting the X-ray detector of the present invention.

【図13】反射層形成治具(図12)の断面図である。FIG. 13 is a sectional view of a reflection layer forming jig (FIG. 12).

【図14】反射層形成治具に光電変換素子アレイを載せ
た断面図である。
FIG. 14 is a sectional view in which a photoelectric conversion element array is mounted on a reflection layer forming jig.

【図15】(実施の形態2)を説明した図である。FIG. 15 is a diagram illustrating (Embodiment 2).

【図16】本発明によるX線検出器にX線グリッドを搭
載した場合の図である。
FIG. 16 is a diagram when an X-ray grid is mounted on the X-ray detector according to the present invention.

【図17】本発明によるX線検出器にX線グリッドを搭
載した場合の詳細拡大した図である。
FIG. 17 is a detailed enlarged view when an X-ray grid is mounted on the X-ray detector according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、6 X線検出器の容器 2 光電変換素子アレイ 3 光反射板 4 X線発生装置 5 被検体 7 本発明の光電変換素子アレイ 8 反射層形成治具 9 光反射材料 10 剥離フィルム 11 金属平板 12 ネジ 13 ガラス平板 14 剥離油 15 X線グリッド 16 X線のクロストーク 17 散乱X線 18 ワイヤ 19 上面反射層 20 遮光層 21 側面反射層 22 シンチレータ板 23 光反射部材 24 切断 201、701 従来のX線検出器フォトダイオードの
形成される半導体層 202、702 基板 203、703 シンチレータ層 204、704 接着剤層 205、705 溝 206、706 光遮蔽のための金属板 207、707 光反射層 208 シンチレータ層を周辺から密閉した光反射層 706 金属板
1, 6 container of X-ray detector 2 photoelectric conversion element array 3 light reflection plate 4 X-ray generator 5 subject 7 photoelectric conversion element array of the present invention 8 reflection layer forming jig 9 light reflection material 10 release film 11 metal flat plate DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Screw 13 Glass flat plate 14 Peeling oil 15 X-ray grid 16 X-ray crosstalk 17 Scattered X-ray 18 Wire 19 Upper surface reflection layer 20 Light shielding layer 21 Side reflection layer 22 Scintillator plate 23 Light reflection member 24 Cutting 201, 701 Conventional X Semiconductor layer 202, 702 Substrate 203, 703 Scintillator layer 204, 704 Adhesive layer 205, 705 Groove 206, 706 Metal plate for light shielding 207, 707 Light reflecting layer 208 Scintillator layer Light reflection layer 706 metal plate sealed from the periphery

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チャンネル区分の光電領域を並設した半
導体層と、 半導体層の光電領域の上部に設けたシンチレータ層と、 各シンチレータ層の上部に設けた、内部光を外部上部に
放出しないための光反射層と、 光反射層からシンチレータ層を経て半導体層に至る、チ
ャンネル区分毎に設けたチャンネル区分溝と、 このチャンネル区分溝に挿入したX線遮蔽板と、 を備えるX線検出器。
1. A semiconductor layer in which photoelectric regions of a channel section are juxtaposed; a scintillator layer provided on the photoelectric region of the semiconductor layer; and an internal light provided on each scintillator layer to prevent internal light from being emitted to the outside. An X-ray detector comprising: a light reflecting layer; a channel dividing groove provided for each channel section from the light reflecting layer to the semiconductor layer via the scintillator layer; and an X-ray shielding plate inserted into the channel dividing groove.
【請求項2】 X線検出器で被検体透過X線を検出しC
T断層象を得るX線CT装置において、上記X線検出器
は、請求項1記載のX線検出器とするX線CT装置。
2. An X-ray detector detects X-rays transmitted through an object and detects C-rays.
2. An X-ray CT apparatus according to claim 1, wherein said X-ray detector is an X-ray detector according to claim 1.
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