JPH11162831A - Projection aligner and projection aligning method - Google Patents

Projection aligner and projection aligning method

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JPH11162831A
JPH11162831A JP9338109A JP33810997A JPH11162831A JP H11162831 A JPH11162831 A JP H11162831A JP 9338109 A JP9338109 A JP 9338109A JP 33810997 A JP33810997 A JP 33810997A JP H11162831 A JPH11162831 A JP H11162831A
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Japan
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cleaning
projection exposure
optical member
projection
optical system
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JP9338109A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Taniguchi
哲夫 谷口
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance aligning precision and execute pattern transfer by a method, wherein contamination by an emulsion, etc., adhering to an optical member is reduced for a projection optical system.
SOLUTION: After an optical member OB at a specified position has been cleaned by a cleaner 8 at a time other than transferring, or while a gas is made to flow between a sensitivity substrate W and the optical member OB at a specified position by a contamination preventing device, a pattern transfer to the sensitivity substrate W is performed. In addition, at a time other than transferring, the optical member OB at a specified position is measured by the contamination preventing device, and the transfer is made, or cleaning or replacing of the optical member OB is executed based on measurement results.
COPYRIGHT: (C)1999,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置及び投影露光方法に係り、更に詳しくは、例えば半導体素子又は液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に転写用に用いられる投影露光装置及び投影露光方法に関するものである。 The present invention relates to relates to a projection exposure apparatus and the projection exposure method, more particularly, for example, a projection exposure apparatus used for transferring the semiconductor devices or liquid crystal display element or the like in manufacturing a photolithography process and to a projection exposure method.

【0002】 [0002]

【従来の技術】この種の装置では、近年、回路パターンの更なる微細化の要請に応じた解像力の向上のために、 BACKGROUND OF THE INVENTION This type of device, in recent years, in order to improve the resolution in accordance with the request of further miniaturization of a circuit pattern,
露光用の照明光として、波長の短い紫外領域の光が一般的に使用されている。 As illumination light for exposure, light of short ultraviolet region wavelength is commonly used. また、投影露光装置の生産性は露光時間に依存するので、生産性の向上の要請に応じて露光時間を短くするために、照度の高い露光用の照明光が使用される。 Also, productivity of the projection exposure apparatus because it depends on the exposure time, in order to shorten the exposure time at the request of improvement of productivity, the illumination light for high exposure illuminance are used. したがって、転写時には、ウエハ又はガラスプレート等基板の感光剤(フォトレジスト)の塗布面は、エネルギー密度が高い光で照射されることとなる。 Therefore, when transferring, coating surface of the wafer or glass plate substrate of the photosensitive agent (photoresist) is so that the energy density is irradiated with a high light.

【0003】エネルギー密度の高い光が感光剤塗布面に照射されると、感光剤や感光剤の変性物(以後、感光剤等と呼ぶ)が飛び散ったり、あるいは気化して蒸発する現象(アブレーション)が発生する。 [0003] When the high energy density light is irradiated to the photosensitive agent coated surface, modified products of photosensitizer or photosensitizing agent (hereinafter, referred to as a photosensitive agent, etc.) or scattered is or vaporized by phenomenon of evaporation (ablation) There occur. こうして、基板から解離した感光剤等の一部は、基板に近い位置にある光学部材に到達して、この光学部材の基板対向面に付着する。 Thus, some of such photosensitive agent dissociated from the substrate, and reaches the optical member in a position close to the substrate, adhering to the substrate surface facing the optical member.

【0004】このようにして光学部材に感光剤等が付着すると、付着物は光学部材の光学的な汚れとして作用し、例えば、投影光学系を構成する光学部材の場合には、汚れに応じた感光剤塗布面の部分の転写時における照度が他の部分よりも低下することになる。 [0004] In this way a photosensitive agent or the like adheres to the optical member, deposits act as optical fouling of the optical member, for example, in the case of optical members constituting the projection optical system, in accordance with the soiled illuminance at the time of transfer of portions of the photosensitive agent coated surface is lowered than the other portions. すなわち、 That is,
感光剤塗布面上の転写されるパターンの位置による露光量のばらつきが発生することになる。 Variation in exposure amount due to the position of the transferred the pattern on the photosensitive agent coated surface will occur. この結果、例えば均一となるべき線幅が不均一となるなどし、最終製品が集積回路の場合には動作不良を引き起こす原因となる。 As a result, for example, such uniform the line width should be becomes uneven, in the case of the final product integrated circuit is a cause of malfunction.

【0005】更に、光学部材への付着物が照明光を吸収する性質のものであると、転写時に付着物が照明光を吸収して加熱されることに伴い、光学部材の温度が上昇し光学特性が変化するので、投影光学系全体としての結像特性が変化してしまうことになる。 Furthermore, if it is of a nature which deposits on the optical member absorbs illumination light, due to the deposit at the time of transfer is heated by absorbing the illumination light, an optical temperature of the optical member rises since characteristics change, so that the imaging characteristics of the entire projection optical system is changed.

【0006】こうした事態を回避するため、投影光学系等の光学部材と感応基板との間に、交換可能なカバーガラスまたは高分子の膜を配置し、投影光学系の光学部材への汚れ物質の到達を防止する技術が提案されている(特開平−365050号公報等:以後、従来例と呼ぶ)。 [0006] To avoid such a situation, between the optical member and the sensitive substrate, such as a projection optical system, arranged exchangeable cover glass or a polymer film, the soiling material to the optical member of the projection optical system technology for preventing arrival has been proposed (JP-a--365050 Publication: hereinafter, referred to as conventional example).

【0007】 [0007]

【発明が解決しようとする課題】近年、投影光学系はその解像度を限界まで上げるため、その開口数(NA)を極限まで上げる傾向にある。 [Problems that the Invention is to Solve In recent years, the projection optical system is to increase the resolution to the limit, there is a tendency to increase the numerical aperture (NA) to the limit. したがって、感応基板に入射する露光用照明光の感応基板への入射角の最大値がより大きくなってくるので、露光装置の光学系の径を小さくするために、転写時には投影光学系をより感応基板に近付けることが考えられている。 Therefore, the maximum value of the incident angle of the sensitive substrate in the exposure illumination light incident on the sensitive substrate is becomes larger, in order to reduce the diameter of the optical system of the exposure apparatus, and more sensitive to the projection optical system at the time of transfer it has been considered closer to the substrate. 転写時に投影光学系を感応基板に近付けることは、光学設計上での収差低減にも有利な方向に働く。 Be close to the sensitive substrate and the projection optical system at the time of transfer, it acts in a direction advantageous to the aberration reduction in optical design.

【0008】しかし、転写時に投影光学系を感応基板に近付けると、感応基板から解離した感光剤等の汚れ原因物質の投影光学系の光学部材への付着が増加することになるので、投影光学系の光学部材の汚れは深刻な問題となってくる。 However, the closer the sensitive substrate a projection optical system at the time of transfer, the adhesion to the optical member of the projection optical system of dirt causative agent, such as a photosensitive agent dissociated from the sensitive substrate will increase, the projection optical system dirt of the optical member becomes a serious problem. さらに、解像度や生産性の向上の要請に伴う、露光用照明光の短波長化、高照度化も進んでおり、 Furthermore, due to the demand for resolution and improving productivity, a shorter wavelength of the exposure illumination light, which is also progressing high illumination of,
より深刻な問題となってきている。 It has become a more serious problem.

【0009】ところで、上記従来例は投影光学系と感応基板との間に交換可能な汚れ防止部材を配置する構成としているので、転写時において、投影光学系と感応基板の被露光面との間は、投影光学系と汚れ防止部材との間の雰囲気、汚れ防止部材、及び汚れ防止部材と感応基板の被露光面との間の雰囲気という三層構造を有することになる。 By the way, the so conventional example has a configuration to place a replaceable antifouling member between the sensitive substrate and the projection optical system, at the time of transfer, between the surface to be exposed of the sensitive substrate and the projection optical system It will have the atmosphere between the projection optical system and the antifouling member, soiling prevention member, and the three-layer structure of the atmosphere between the antifouling member with sensitive exposed surface of the substrate. したがって、転写時に投影光学系を感応基板に近付けることには、限界があった。 Therefore, to approach the sensitive substrate with the projection optical system at the time of transfer, there is a limit.

【0010】また、近年におけるパターン転写の高精度化の要請より、交換可能な汚れ防止部材の取付け再現性が非常に厳格になり、また、許容できる汚れ防止部材自体の光学的ばらつきが非常に厳格なものとなるため、交換可能な汚れ防止部材として、一定の厚さを有するカバーガラスを採用することは限界にきている。 Further, from the demands of the accuracy of the pattern transfer in recent years, become a replaceable antifouling member attachment reproducibility is very strict, and also very strict optical variability of acceptable stain preventing member itself since the such, a replaceable antifouling member, employing the cover glass having a constant thickness has come to the limit. すなわち、 That is,
汚れ防止部材を付け替えると、投影光学系全体の収差バランスを調整し直さなくてはならず、実用的ではなくなってきている。 If replace the antifouling member must not without re-adjusting the aberration balance of the entire projection optical system, it has become impractical.

【0011】また、交換可能な汚れ防止部材として高分子の膜を採用すると、膜厚が薄いため、投影光学系の収差バランスの再調整といった問題は発生しないが、露光用照明光の膜への入射角が大きい成分については、透過率が悪化することになる。 Further, when employing a film of the polymer as an exchangeable antifouling member, the film thickness is thin, but is not generated a problem readjust the aberration balance of the projection optical system, to the membrane of the exposure illumination light for large incident angle component would transmittance is deteriorated. 特に、結像に寄与が大きいS In particular, S having a large contribution to image
偏光の透過率が悪化して結像性能に影響を及ぼす。 Affecting the imaging performance transmittance of polarized light is deteriorated. 高分子膜の場合、反射防止コートを行うことは難しく、こちらも実使用に耐えられない。 In the case of the polymer film, to perform an anti-reflection coating is difficult, here not even stand to actual use.

【0012】本発明はかかる事情のもとになされたものであり、本発明の投影露光装置の第1の目的は、投影光学系等の光学部材の感光剤等付着による汚れを少なくすることにより、露光精度を向上させる投影露光装置を提供することにある。 [0012] The present invention has been made based on such circumstances, a first object of the projection exposure apparatus of the present invention, by reducing the contamination with the photosensitive agent adhering optical members such as a projection optical system is to provide a projection exposure apparatus to improve exposure accuracy.

【0013】また、本発明の投影露光装置の第2の目的は、特に、パターン転写時以外の時に、投影光学系等の光学部材を清掃することにより、露光精度を向上させる投影露光装置を提供することにある。 [0013] A second object of the projection exposure apparatus of the present invention, particularly, when other than the pattern transfer, by cleaning the optical member such projection optical system, provide a projection exposure apparatus to improve the exposure precision It is to.

【0014】また、本発明の投影露光装置の第3の目的は、特に、パターン転写時以外の時に、投影光学系等の光学部材の汚れを測定し、測定結果に応じて該光学部材を清掃又は交換することにより、露光精度を向上させる投影露光装置を提供することにある。 Further, a third object of the projection exposure apparatus of the present invention, particularly, when other than the pattern transfer, by measuring the contamination of optical members such as a projection optical system, clean the optical member according to the measurement results or by exchange, it is to provide a projection exposure apparatus to improve exposure accuracy.

【0015】また、本発明の投影露光装置の第4の目的は、特に、パターン転写中での、投影光学系等の光学部材の汚れを防止することにより、露光精度を向上させる投影露光装置を提供することにある。 Further, a fourth object of the projection exposure apparatus of the present invention, in particular, in a pattern transfer, by preventing contamination of the optical member such projection optical system, a projection exposure apparatus to improve the exposure precision It is to provide.

【0016】また、本発明の投影露光方法の目的は、投影光学系等の光学部材の感光剤等付着による汚れが少ない状態で好適にパターン転写を行う投影露光方法を提供することにある。 Further, the purpose of the projection exposure method of the present invention is to provide a projection exposure method for performing suitably pattern transfer while dirt is small due to the photosensitive agent adhering optical members such as a projection optical system.

【0017】 [0017]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明は、マスク(R)に形成されたパターンを、投影光学系(PL)を介して感応基板(W)上に転写する投影露光装置において、所定位置に配置された光学部材(OB) Means for Solving the Problems The first aspect of the present invention, a projection exposure apparatus a pattern formed on a mask (R), via a projection optical system (PL) is transferred onto the sensitive substrate (W) in an optical member disposed in a predetermined position (OB)
を清掃する清掃装置(8、40等)を設けたことを特徴とする。 Characterized by providing cleaning apparatus (8, 40, etc.) to clean the.

【0018】本請求項1の投影露光装置によれば、転写に先立ち、前回までの転写によって、感応基板(W)の被露光面の近くの所定位置に配置された光学部材(O According to the projection exposure apparatus of the present claim 1, prior to the transfer, the transfer up to the last time, the optical member (O located near the predetermined location of the surface to be exposed of the sensitive substrate (W)
B)の基板対向面に付着した感光剤等の汚れを清掃することにより、転写時の光学部材(OB)の基板対向面の汚れが少なくなるので、露光精度を向上させることができる。 By cleaning the dirt such as a photosensitive agent attached to the substrate-facing surface of B), because contamination of the substrate opposing surface of the optical member at the time of transfer (OB) is reduced, thereby improving the exposure accuracy.

【0019】なお、清掃は転写の都度実行してもよいが、一回の転写による光学部材の汚れが少ないものであれば、汚れが許容範囲内の間、例えば所定回数の転写の都度あるいは定期的に実行すればよい。 [0019] Incidentally, the cleaning may be performed each time the transfer but, as long as contamination of the optical element is small due to a single transfer, between the dirt tolerance, for example, each time or periodically the transfer of a predetermined number of times it may be executed in manner.

【0020】請求項1の投影露光装置において、清掃装置の配置には様々考えられるが、請求項2に記載の発明のように、清掃装置(8、40等)が、感応基板(W) [0020] In the projection exposure apparatus according to claim 1, but are different considered the arrangement of the cleaning device, as in the invention of claim 2, the cleaning device (8, 40, etc.), sensitive substrate (W)
を保持するステージ上(WST)に設置されることとしてもよいし、また、請求項4に記載の発明のように、清掃装置(8、40等)が、感応基板を保持するステージとは異なる移動機構(CST)に搭載されることとしてもよい。 It may be placed on the stage (WST) that holds, also, as in the invention according to claim 4, different from the stage cleaning device (8, 40, etc.), for holding a sensitive substrate it may be mounted to a moving mechanism (CST).

【0021】本請求項2の投影露光装置によれば、清掃の実行のために必要な清掃用部材(8)の駆動を、転写の実行にあたって感応基板(W)の移動に使用され、従来から標準的に実装されている感応基板(W)を保持するステージ(WST)によって行うことができるので、 [0021] According to the projection exposure apparatus of the claims 2, is used to drive the cleaning members necessary for the execution of cleaning (8), the movement of the sensitive substrate when the execution of the transfer (W), a conventional can be performed by a stage (WST) for holding a photosensitive substrate that has been standard implemented (W),
簡易に清掃機能を実現することができる。 It is possible to realize a cleaning function in a simple manner.

【0022】請求項2の投影露光装置では、請求項3に記載の発明のように、清掃装置(8)が、ステージ(W [0022] In the projection exposure apparatus according to claim 2, as in the invention of claim 3, the cleaning device (8), stage (W
ST)上で感応基板(W)を上下動するための駆動装置(12)に載置されることが好ましい。 It is placed on the drive unit (12) for vertically moving the sensitive substrate (W) on ST) is preferred.

【0023】本請求項3の投影露光装置によれば、駆動装置(12)によって、清掃装置(8)と光学部品(O According to the projection exposure apparatus of the claims 3, by a driving device (12), the cleaning device (8) and optics (O
B)とを接触させたり、離隔させたりすることができる。 B) or contacting the can or to separation.

【0024】また、請求項4の投影露光装置によれば、 Further, according to the projection exposure apparatus according to claim 4,
清掃装置(40等)が感応基板(W)を保持するステージ(WST)とは別個の移動機構(CST)で清掃実施位置まで移動されるので、感応基板(W)を保持するステージ(WST)の精度と清浄度とを確保しつつ、清掃機能と転写機能とを実現することができる。 Since the cleaning device (40, etc.) to the stage (WST) for holding a sensitive substrate (W) is moved to the cleaning carried out position in a separate moving mechanism (CST), a stage for holding a sensitive substrate (W) (WST) while ensuring the accuracy and cleanliness, it is possible to realize the transfer function and the cleaning function.

【0025】請求項2又は4の投影露光装置において、 [0025] In the projection exposure apparatus according to claim 2 or 4,
清掃装置の構成は様々考えられるが、請求項5に記載の発明のように、光学部材(OB)の清掃対象部分を洗浄用溶液に浸して超音波洗浄する超音波洗浄器(40)を備えることとしてもよいし、請求項6に記載の発明のように、光学部材(OB)の基板対向面と接触して、この基板対向面を清掃する清掃用部材(8)を備えることとしてもよいし、また、請求項7に記載の発明のように、 Construction of the cleaning device is used various considered, as in the invention of claim 5, comprising an ultrasonic cleaning device for ultrasonic cleaning by immersing the cleaned portion of the optical member (OB) to the cleaning solution (40) it may be, as in the invention according to claim 6, in contact with the substrate surface facing the optical member (OB), may be provided with a cleaning member for cleaning the substrate-facing surface (8) and, also, as in the invention according to claim 7,
光学部材(OB)の基板対向面に清掃用溶液を吹き付ける溶液発射器(72)を備えることとしてもよい。 Solution launcher spraying a cleaning solution to the substrate surface facing the optical member (OB) (72) may be provided with.

【0026】請求項6の投影露光装置では、清掃用部材(8)が、基板対向面と接触すべき面を有し、接触時に前記光学部材(OB)を損傷しない柔軟部材(34)を備えることが好適である。 [0026] In the projection exposure apparatus according to claim 6, the cleaning member (8) has a surface to be contacted with the substrate facing surface, comprising the optical member (OB) does not damage the flexible member (34) upon contact it is preferable. また、基板対向面と柔軟部材(34)とが接触した状態で清掃用部材を駆動し、基板対向面と柔軟部材とを擦り合わさせる駆動器を更に備えることが可能である。 Further, by driving the cleaning member in a state where the substrate surface facing the flexible member and (34) are in contact, it is possible to further include a driver for rubbed the substrate surface facing the flexible member. また、柔軟部材(34)として清掃用溶剤を浸潤可能な多孔質部材を使用することが可能である。 It is also possible to use a wettable porous member cleaning solvent as a flexible member (34).

【0027】請求項7の投影露光装置では、溶液発射器(72)として、超音波振動が付与された清掃用溶液を発射する発射器を採用することが好適である。 [0027] In the projection exposure apparatus according to claim 7, as a solution launcher (72), it is preferable to employ a firing device for firing the cleaning solution ultrasonic vibration is applied.

【0028】請求項8に記載の発明は、マスク(R)に形成されたパターンを、投影光学系(PL)を介して感応基板(W)上に転写する投影露光装置において、所定位置に配置された光学部材(OB)の汚れを測定する汚れ測定装置(84)を設けたことを特徴とする。 [0028] The invention according to claim 8, the pattern formed on the mask (R), in a projection exposure apparatus for transferring onto the sensitive substrate (W) through a projection optical system (PL), located at a predetermined position the provision soiled measuring device (84) for measuring the contamination of the optical member (OB), which is characterized by.

【0029】汚れ測定装置(84)は、清掃装置(8、 The dirt measuring device (84), cleaning device (8,
36等)と共に設けてもよいし、単独で設けてもよい。 May be provided with 36, etc.) it may be provided separately.

【0030】汚れ測定装置(84)を清掃装置(8、3 The dirt measuring device (84) a cleaning device (8,3
6等)と共に設けた場合には、転写の実行に先立って、 When provided with 6, etc.), prior to execution of the transfer,
光学部材(OB)の汚れを測定することにより、光学部材(OB)を清掃する必要の有無を判断することができる。 By measuring the contamination of the optical member (OB), it is possible to determine whether it is necessary to clean the optical member (OB). したがって、汚れ測定装置(84)による測定の結果から、光学部材(OB)の清掃を必要とするときに確実に清掃を実行でき、また、清掃の効果を確認できるので、露光精度を向上させることができる。 Therefore, from the results of the measurement due to contamination measuring apparatus (84), it can be performed reliably cleaned when requiring cleaning of the optical member (OB), Since it confirm the effect of cleaning, to improve exposure accuracy can.

【0031】また、汚れ測定装置(84)を単独で設けた場合には、転写の実行に先立って、光学部材(OB) Further, in the case of providing soiled measuring device (84) alone, prior to the execution of the transfer, the optical member (OB)
の汚れを測定することにより、光学部材(OB)を交換する必要の有無を判断することができる。 By measuring the soil, it is possible to determine whether it is necessary to replace the optical member (OB). したがって、 Therefore,
汚れ測定装置(84)による測定の結果から、光学部材(OB)の交換を必要とするときに確実に交換をを実行できるので、露光精度を向上することができる。 The results of the measurement due to contamination measuring apparatus (84), it is possible to perform a reliably replaced when requiring replacement of the optical member (OB), as well as improving the exposure accuracy.

【0032】ここで、汚れ測定装置(84)の構成は様々考えられるが、例えば請求項9に記載の発明のように、汚れ測定装置(84)が、光学部材(OB)に光を照射する照射光学系(86、88、及び90)と;光学部材(OB)からの光を検出する光検出器(94)と; [0032] Here, although construction of fouling measuring devices (84) are different considered, for example, as in the invention according to claim 9, fouling measurement device (84) irradiates light to the optical member (OB) irradiation optical system (86, 88, and 90) and; light detector for detecting light from the optical member (OB) and (94);
光検出器(94)の検出結果に基づいて光学部材(O An optical member (O based on the detection result of the light detector (94)
B)の汚れを測定する汚れ測定処理器(96)とを備えることとすることができる。 Fouling measuring processor for measuring the contamination of B) (may be to comprise 96) and.

【0033】測定用の測定光として露光用の照明光を使用することも可能であるが、この場合には、測定用の光学系を構成する光学部材として紫外光を透過する部材を選択する必要があり、光学部材の選択の余地が狭くなる。 [0033] It is also possible to use the illumination light for exposure as measurement light for measuring, in this case, you need to select a member for transmitting ultraviolet light as optical members constituting the optical system for measurement There are room for the optical member selection is narrowed. そこで、汚れ測定装置(84)が、感応基板(W) Therefore, dirt measuring device (84), sensitive substrate (W)
の側から光学部材(OB)に測定光を照射することとし、測定光が光学部材(OB)で反射された反射成分光を検出することが好適である。 From the side of irradiating the measuring light to an optical member (OB), it is preferable that the measurement light to detect reflected light component reflected by the optical member (OB).

【0034】請求項10に記載の発明は、マスク(R) [0034] The invention according to claim 10, the mask (R)
に形成されたパターンを、投影光学系(PL)を介して感応基板(W)上に転写する投影露光装置であって、前記感応基板(W)の被露光面の近くに配置された光学部材(OB)と前記感応基板(W)との間で気体を流動させて、前記感応基板(W)から発生する異物が前記光学部材(OB)に到達するのを防止する汚れ防止装置(9 A pattern formed, a projection exposure apparatus for transferring onto the sensitive substrate (W) through a projection optical system (PL), an optical member placed close to the surface to be exposed of the sensitive substrate (W) and a gas to flow between (OB) and the sensitive substrate (W), anti-fouling device for preventing the foreign matter generated from the sensitive substrate (W) to reach the optical member (OB) (9
8)を設けたことを特徴とする。 Characterized in that a 8).

【0035】本請求項10の投影露光装置によれば、汚れ防止装置(98)が、感応基板(W)と光学部材(O [0035] According to the projection exposure apparatus of the present claim 10, antifouling apparatus (98) is sensitive substrate (W) and the optical member (O
B)との間で気体を流動させて、感応基板(W)からの汚れ原因物質の到達を防止する。 And gas to flow to and from the B), preventing the arrival of dirt causative agent from the sensitive substrate (W). したがって、光学部材(OB)と感応基板(W)との間における露光用照明光の進行経路には気体以外の介在物を必要としない。 Therefore, it does not require the inclusion of other gases in the traveling path of the exposure illumination light between the optical member (OB) and the sensitive substrate (W). したがって、光学部材(OB)の基板対向面の汚れが少なくなり、露光精度を向上できる。 Thus, contamination of the substrate opposing surface of the optical member (OB) is reduced, thereby improving the exposure accuracy.

【0036】ここで、汚れ防止装置(98)の構成は様々考えられるが、例えば請求項11に記載の発明のように、光学部材(OB)の基板対向面付近に気体の流動経路を設定する流動経路設定部材(102a及び104 [0036] Here, although configuration of the antifouling apparatus (98) is different thought, for example, as in the invention according to claim 11, sets a flow path of gas in the vicinity of the substrate opposing surface of the optical member (OB) flow path setting member (102a and 104
a)と;流動経路設定部材(102a及び104a)によって設定された流動経路へ気体を供給する気体供給器(106)とを備えることとすることができる。 It may be to include flow path setting member (102a and 104a) gas supply device for supplying the set gas to flow path by a (106); a) a.

【0037】上記の請求項1〜11に記載の発明における光学部材は様々考えられるが、、請求項12に記載の発明のように、露光用の照明光の光路上であって、感応基板の最も近くに配置された光学部材とすることもできるし、また、請求項13に記載の発明のように、前記感応基板を位置合わせするための光学系の先端部の光学部材とすることもできる。 [0037] As in the invention described in the optical member is used various contemplated ,, claim 12 in the invention of claim 1 to 11 described above, an optical path of the illumination light for exposure, the photosensitive substrate it can be a located closest to an optical member, and as in the embodiment described in claim 13, may be an optical member of the distal end portion of an optical system for aligning the sensitive substrate .

【0038】ここで、感応基板を位置合わせするための光学系としては、投影光学系の光軸に垂直な方向について感応基板を位置合わせするアラインメント光学系や投影光学系の光軸に平行な方向について感応基板を位置合わせすフォーカス検出光学系がある。 [0038] Here, the optical system for aligning the sensitive substrate, a direction parallel to the optical axis of the alignment optical system and a projection optical system for aligning the sensitive substrate in the direction perpendicular to the optical axis of the projection optical system it is aligned to the focus detecting optical system a sensitive substrate for.

【0039】請求項12の投影露光装置によれば、転写時における汚れ原因物質の付着による、露光用の照明光の光路上であって感応基板の最も近くに配置される投影光学系を構成する光学部材の汚れを心配する必要がなり、投影光学系を感応基板の近づけた投影光学系の設計が可能となるので、より高開口数の投影光学系の実現が簡単にできる。 [0039] According to the projection exposure apparatus according to claim 12, constituting due to adhering dirt causative agent in time of transfer, a projection optical system disposed closest to the photosensitive substrate a light path of the illumination light for exposure it is necessary to worry about contamination of the optical element, since the projection optical system becomes possible to design a close projection optical system of the sensitive substrate, more realization of high numerical aperture of the projection optical system can be simplified.

【0040】また、請求項13の投影露光装置によれば、感光剤等が付着しやすい、感応基板を位置合わせするための光学系の先端部の光学部材を清掃、汚れ測定、 Further, according to the projection exposure apparatus according to claim 13, it tends to adhere such as a photosensitive agent, cleaning an optical member of the distal end portion of an optical system for aligning the sensitive substrate, dirt measurements,
又は汚れ防止の対象とするので、光学部材の汚れが少なくなり、露光精度を向上できる。 Or because the object of preventing contamination, contamination of the optical member is reduced, thereby improving the exposure accuracy.

【0041】請求項14に記載の発明は、マスク(R) [0041] The invention according to claim 14, the mask (R)
に形成されたパターンを、投影光学系(PL)を介して感応基板(W)上に転写する投影露光方法であって、所定位置に配置された光学部材(OB)の汚れを清掃する清掃工程と;前記光学部材(OB)の清掃後に、前記マスク(R)に形成されたパターンを、前記投影光学系(PL)を介して前記感応基板(W)上に転写する転写工程とを含む。 A pattern formed, a projection exposure method for transferring onto the photosensitive substrate through a projection optical system (PL) (W), a cleaning step for cleaning the contamination of the optical member disposed at a predetermined position (OB) If; after cleaning of the optical member (OB), and a transfer step of transferring a pattern formed on the mask (R), on the sensitive substrate through a projection optical system (PL) (W).

【0042】上記の請求項14に記載の発明における光学部材は様々考えられるが、、請求項15に記載の発明のように、露光用の照明光の光路上であって、感応基板の最も近くに配置された光学部材とすることができる。 [0042] As in the invention described in the optical member is used various contemplated ,, claim 15 in the invention of claim 14 described above, an optical path of the illumination light for exposure, sensitive closest substrate It may be an optical member placed.

【0043】請求項14の投影露光方法によれば、まず、清掃工程を実行し、前回までの転写によって感応基板(W)の被露光面の近くの所定位置に配置された光学部材(OB)に付着した感光剤等の汚れを清掃して、光学部材(OB)を清浄な状態とする。 [0043] According to the projection exposure method according to claim 14, firstly, performs the cleaning step, an optical member disposed near a predetermined position of the surface to be exposed of the sensitive substrate (W) by the transfer up to the previous (OB) clean the dirt such as a photosensitive agent attached to, an optical member (OB) and clean. この後、転写ステップを実行することにより、光学部材(OB)の汚れが少なく、投影光学系(PL)と感応基板(W)との間に雰囲気以外の介在物が無い状態で、投影光学系(PL) Thereafter, by executing a transfer step, less contamination of the optical member (OB), in the absence of inclusions other than the atmosphere between the projection optical system and (PL) and the photosensitive substrate (W), the projection optical system (PL)
と感応基板(W)とを近付けて好適な転写が実行される。 Suitable transcription is performed close to the sensitive substrate (W) and.

【0044】なお、清掃は転写の都度実行してもよいが、一回の転写による光学部材(OB)の汚れが少ないものであれば、請求項16に記載の発明のように、清掃工程に先立って実行される、光学部材(OB)の基板対向面の汚れと転写回数との関係を測定し、光学部材(O [0044] Incidentally, the cleaning may be performed each time the transfer but, as long as contamination of the optical member (OB) is less by a single transfer, as in the invention of claim 16, the cleaning step prior to being executed, to measure the relationship between the dirt and the number of transfers of the substrate opposing surface of the optical member (OB), the optical member (O
B)の基板対向面が清浄な状態から所定の許容できない汚れに達するまでの露光回数である限界転写回数を評価する汚れ評価工程を更に備えることとするとともに、前回の清掃工程の実行以後における転写の回数が限界転写回数に達する前に、清掃工程を実行することとすることができる。 Together with the substrate facing surface and further comprising a dirt evaluation step of evaluating the limit number of times of transfer is a number of light exposure times to reach the dirt that can not be predetermined allowable from clean state of B), the transfer in the execution since the last cleaning step You can count before it reaches the limit number of transfers, and performing a cleaning process.

【0045】本請求項16の投影露光方法によれば、汚れが許容範囲内の間、例えば所定回数の転写の都度あるいは定期的に清掃工程を実行すればよいので、生産性が向上する。 [0045] According to the projection exposure method of the present claim 16, between the dirt tolerance, so for example may be executed each time or periodically cleaned process of transferring a predetermined number, the productivity is improved.

【0046】請求項17に記載の発明は、マスク(R) [0046] The invention according to claim 17, the mask (R)
に形成されたパターンを、投影光学系(PL)を介して感応基板(W)上に転写する投影露光方法であって、所定位置に配置された光学部材(OB)の汚れを測定する汚れ測定工程と;前記測定工程で得られた測定結果に基づいて、転写を実行するか否かを判断する判断工程とを含む。 The pattern formed on, a projection exposure method through a projection optical system (PL) is transferred onto the sensitive substrate (W), dirt measurement for measuring the contamination of the optical member disposed at a predetermined position (OB) step a; based on said measuring step measuring results obtained in, and a determination step of determining whether to execute the transfer.

【0047】本請求項17の投影露光方法によれば、転写の実行に先立って、まず、汚れ測定工程を実行して、 According to the projection exposure method of the [0047] present claim 17, prior to the execution of the transfer, first, by performing the dirt measuring step,
光学部材(OB)の汚れを測定する。 Measuring the contamination of the optical member (OB). そして、判断工程で、汚れ測定工程での測定結果から、次回の汚れ測定工程の実行までの転写によって、光学部材(OB)の汚れが所定の許容限界値を超えると予想されるか否かを判断をする。 Then, at decision step, the measurement result in the contamination measuring step, by transferring to the next execution of dirt measuring step, whether dirt of the optical member (OB) is expected to exceed a predetermined allowable limit value to the decision. 光学部材(OB)の汚れが所定の許容限界値を超えると予想される場合には、光学部材(OB)の清掃あるいは交換を行う。 If the contamination of the optical member (OB) is expected to exceed a predetermined allowable limit value, to clean or exchange of the optical member (OB). また、光学部材(OB)の汚れが所定の許容限界値を超えると予想されない場合には、転写を実行する。 Also, if the contamination of the optical member (OB) is not expected to exceed a predetermined allowable limit value, it executes the transfer.

【0048】したがって、汚れ測定工程による測定の結果から、光学部材(OB)の清掃または交換を必要とするときに確実に清掃または交換を実行できるので、露光精度を向上させるとともに、生産性を向上することができる。 [0048] Therefore, from the results of the measurement due to contamination measuring step, it is possible to reliably perform cleaning or replacement when in need of cleaning or replacement of the optical member (OB), improves the exposure accuracy, improve productivity can do.

【0049】 [0049]

【発明の実施の形態】《第1実施形態》以下、本発明の第1実施形態の投影露光装置及び投影露光方法を、図1 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "First Embodiment" Hereinafter, the projection exposure apparatus and the projection exposure method of the first embodiment of the present invention, FIG. 1
〜図5に基づいて説明する。 It will be described with reference to to 5.

【0050】本実施形態の投影露光装置は、ウエハWへのパターン転写を行うとともに、転写時以外の時に、転写時においてウエハWの近くに配設される光学部材の清掃を行うものである。 The projection exposure apparatus of this embodiment, performs pattern transfer to the wafer W, at times other than the time of transfer, and performs cleaning of the optical member disposed in the vicinity of the wafer W at the time of transfer. 図1には、本実施形態の投影露光装置の概略的な構成が示されている。 Figure 1 shows a schematic configuration of a projection exposure apparatus of this embodiment. 本実施形態の投影露光装置は、いわゆるステップ・アンド・スキャン露光方式の投影露光装置である。 Projection exposure apparatus of this embodiment is a projection exposure apparatus of a so-called step-and-scan exposure method.

【0051】図1に示されるように、本実施形態の投影露光装置は、光源1及び照明光学系(2、3、5〜7) [0051] As shown in FIG. 1, the projection exposure apparatus of the present embodiment, the light source 1 and the illumination optical system (2,3,5~7)
を含む照明系、マスクとしてのレチクルRを保持するマスクステージとしてのレチクルステージRST、投影光学系PL、基板としてのウエハW又は清掃装置としての清掃部材8のいずれか一方を保持するステージとしてのウエハステージWSTを有するステージ装置10、及びこれらの制御系等を備えている。 Illumination system comprising, a wafer as a stage for holding the reticle stage RST as a mask stage for holding a reticle R as a mask, a projection optical system PL, one of the cleaning member 8 as the wafer W or cleaning apparatus as substrate stage device 10 having a stage WST, and a control system of these parts. そして、転写時にはウエハステージWST上にウエハWが保持され、清掃時にはウエハステージWST上に清掃部材8が保持される。 Then, at the time of transferring the wafer W onto the wafer stage WST is held, the cleaning member 8 onto the wafer stage WST is held during cleaning.

【0052】前記照明系は、光源1、コリメータレンズ、フライアイレンズ等(いずれも図示せず)からなる照度均一化光学系2、リレーレンズ3、可変NDフィルタ4、レチクルブラインド5、リレーレンズ6及びダイクロイックミラー7(この内、照度均一化光学系2、リレーレンズ3、レチクルブラインド5、リレーレンズ6 [0052] The illumination system includes a light source 1, a collimator lens, a fly-eye lens, illumination equalizing optical system 2 composed of (both not shown), a relay lens 3, a variable ND filter 4, a reticle blind 5, a relay lens 6 and a dichroic mirror 7 (of this, illumination equalizing optical system 2, a relay lens 3, a reticle blind 5, a relay lens 6
及びダイクロイックミラー7によって照明光学系が構成される)等を含んで構成されている。 And is configured to include an illumination optical system is constituted) such by a dichroic mirror 7.

【0053】ここで、この照明系の構成各部についてその作用とともに説明すると、光源1で発生した照明光I [0053] Here, to explain in conjunction with its operation for each component of the illumination system, the illumination light I generated by the light source 1
Lは不図示のシャッターを通過した後、照度均一化光学系2により照度分布がほぼ均一な光束に変換される。 L after passing through the shutter (not shown), the illuminance distribution is converted into substantially uniform light flux by the illumination equalizing optical system 2. 照明光ILとしては、例えばKrFエキシマレーザ光やA As illumination light IL, for example a KrF excimer laser beam and A
rFエキシマレーザ光等のエキシマレーザ光、銅蒸気レーザやYAGレーザの高調波、あるいは超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線(g線、i線等)等が用いられる。 rF excimer laser such as an excimer laser beam, harmonics of a copper vapor laser or YAG laser, or bright lines in the ultraviolet region from an ultra high pressure mercury lamp (g-rays, i-rays, etc.) and the like.

【0054】照度均一化光学系2から水平に射出された光束は、リレーレンズ3を介して、レチクルブラインド5に達する。 [0054] The light beam emitted horizontally from the illumination equalizing optical system 2 via the relay lens 3 reaches the reticle blind 5. このレチクルブラインド5は、レチクルR The reticle blind 5, reticle R
のパターン形成面及びウエハWの露光面と光学的に共役な面に配置され、このレチクルブラインド5のリレーレンズ3側に密着するように、可変NDフィルタ4が設置されている。 Is disposed on the exposure surface optically conjugate with the plane of the pattern formation surface and the wafer W, so as to be in close contact with the relay lens 3 side of the reticle blind 5, a variable ND filter 4 is disposed.

【0055】レチクルブラインド5としては、複数枚の可動遮光板(例えば、2枚のL字型の可動遮光板)を例えばモータにより開閉することにより開口部の大きさ(スリット幅等)を調整するものが用いられる。 [0055] As the reticle blind 5, a plurality of movable light shielding plates (e.g., two L-shaped movable light shielding plate) for adjusting the size of the opening by opening and closing by, for example, a motor (slit width, etc.) what is used. その開口部の大きさを調整することにより、レチクルRを照明するスリット状の照明領域IAR(図2参照)を任意の形状及び大きさに設定できるようになっている。 By adjusting the size of the opening, it has a slit-shaped illumination area IAR that illuminates the reticle R (see FIG. 2) can be set to any shape and size.

【0056】また、可変NDフィルタ4は透過率分布を所望の状態に設定するもので、例えば二重すだれ構造、 [0056] The variable ND filter 4 used for setting the transmittance distribution in a desired state, for example, double-blind structure,
液晶表示パネル、エレクトロクロミックデバイス、又は所望の形状のNDフィルタより構成されている。 Liquid crystal display panel is composed of ND filters electrochromic device, or a desired shape. 本実施形態では、この可変NDフィルタ4は、可変NDフィルタ制御部22によって出し入れ(あるいはその回転角度)等の制御がなされており、これによりレチクルR上の照明領域IAR内の照度分布が意図的に不均一にされ、結果的に走査中のウエハW上の露光量を一定に保つことができるようになっている。 In the present embodiment, the variable ND filter 4, and out through the variable ND filter control section 22 (or the rotation angle) control have been made, such as, thereby illuminance distribution intentionally within illumination area IAR on reticle R to be uneven, thereby making it possible to keep the exposure amount on the wafer W in the resulting scanned constant. 通常は、可変NDフィルタ4の全体が100%透過になっており、レチクルR Typically, the entire variable ND filter 4 has reached 100% transmission, the reticle R
上の照明領域IAR内の照度分布は均一である。 Illuminance distribution in the illumination area IAR on is uniform.

【0057】可変NDフィルタ4及びレチクルブラインド5を通過した光束は、リレーレンズ6を通過してダイクロイックミラー7に至り、ここで鉛直下方に折り曲げられて回路パターン等が描かれたレチクルRの照明領域IAR部分を照明する。 [0057] Variable ND filter 4 and the light beam which has passed through the reticle blind 5 reaches the dichroic mirror 7 passes through the relay lens 6, the illumination region here bent vertically downward reticle drawn circuit patterns such as R to illuminate the IAR part.

【0058】前記レチクルステージRST上にはレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。 [0058] The reticle R on the reticle stage RST is fixed, for example by vacuum suction. レチクルステージRSTは、レチクルRの位置決めのため、照明光学系の光軸IX(後述する投影光学系PLの光軸A The reticle stage RST, for positioning the reticle R, the optical axis A of the optical axis IX (below projection optical system PL of the illumination optical system
Xに一致)に垂直な平面内で2次元的に(X軸方向及びこれに直交するY軸方向及びXY平面に直交するZ軸回りの回転方向に)微少駆動可能に構成されている。 Are two-dimensionally (in the X-axis direction and the rotation direction about the Z axis orthogonal to the Y-axis direction and the XY plane perpendicular to) micro drivable configuration in a plane perpendicular to the match) in X.

【0059】また、このレチクルステージRSTは、リニアモータ等で構成されたレチクル駆動部(図示省略) [0059] Further, the reticle stage RST, a reticle drive unit composed of a linear motor or the like (not shown)
により、所定の方向(走査方向)に指定された走査速度で移動可能となっている。 Accordingly, and it is movable in a given direction a designated scanning speed (scanning direction). このレチクルステージRST The reticle stage RST
は、レチクルRの全面が少なくとも照明光学系の光軸I The entire surface of the reticle R at least the illumination optical system optical axis I
Xを横切ることができるだけの移動ストロークを有している。 And a moving stroke of the can only cross the X.

【0060】レチクルステージRSTの端部にはレチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)1 [0060] The reticle laser interferometer at the end of the reticle stage RST (hereinafter referred to as "reticle interferometer") 1
6からのレーザビームを反射する移動鏡15が固定されており、レチクルステージRSTのステージ移動面内の位置はレチクル干渉計16によって、例えば0.01μ 6 movable mirror 15 for reflecting the laser beam is fixed from the position of the stage moving plane of the reticle stage RST by the reticle interferometer 16, for example 0.01μ
m程度の分解能で常時検出される。 It is always detected at a resolution of approximately m. ここで、実際には、 Here, in fact,
レチクルステージRST上には走査方向に直交する反射面を有する移動鏡と非走査方向に直交する反射面を有する移動鏡とが設けられ、これに対応してレチクル干渉計も走査方向位置計測用の干渉計と非走査方向位置計測用の干渉計とが設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡15、レチクル干渉計16として示されている。 The reticle stage RST, a movable mirror that has a reflection surface orthogonal to the moving mirror and the non-scanning direction having a reflection surface orthogonal to the scanning direction, also for measurement scanning direction position which the corresponding reticle interferometer While the interferometer and the interferometer for measuring the non-scanning direction position are provided, in FIG. 1 these typically movable mirror 15 is shown as a reticle interferometer 16.

【0061】レチクル干渉計16からのレチクルステージRSTの位置情報RPはステージ制御系19に送られる。 [0061] Position information RP of the reticle stage RST from reticle interferometer 16 is sent to the stage control system 19. ステージ制御系19は、レチクルステージRSTの位置情報に基づいてレチクル駆動部(図示省略)ヘレチクル移動指示MRを出力し、レチクル駆動部を介してレチクルステージRSTを駆動する。 Stage control system 19, a reticle drive unit based on the position information of the reticle stage RST and outputs (not shown) Herechikuru movement instruction MR, drives the reticle stage RST via the reticle driver.

【0062】なお、不図示のレチクルアライメント系により所定の基準位置にレチクルRが精度良く位置決めされるように、レチクルステージRSTの初期位置が決定されるため、移動鏡15の位置をレチクル干渉計16で測定するだけでレチクルRの位置を十分高精度に測定したことになる。 [0062] Incidentally, as the reticle R in a predetermined reference position by a reticle alignment system (not shown) is accurately positioned, since the initial position of the reticle stage RST is determined, the position of the reticle interferometer 16 of the moving mirror 15 in so that the measured sufficiently high accuracy the position of the reticle R by simply measuring.

【0063】前記投影光学系PLは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置され、その光軸AX [0063] The projection optical system PL is disposed below in Figure 1 of the reticle stage RST, the optical axis AX
(照明光学系の光軸IXに一致)の方向がZ軸方向とされ、転写時においてウエハWにもっとも近接した光学部材として対物レンズOBを備えている。 Direction (illumination optical system coincides with the optical axis IX) is the Z-axis direction, an objective lens OB as closest to the optical member on the wafer W at the time of transfer. 投影光学系PL Projection optical system PL
では、両側テレセントリックで所定の縮小倍率(例えば1/5、又は1/4)を有する屈折光学系が使用されている。 In a refractive optical system having a predetermined reduction magnification double telecentric (e.g. 1/5 or 1/4) it is used. このため、照明光学系からの照明光ILによってレチクルRの照明領域IARが照明されると、このレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PLを介してレチクルRの回路パターンの縮小像が表面にフォトレジスト(感光剤)が塗布されたウエハW上に形成される。 Therefore, when illumination area IAR on the reticle R is illuminated by illumination light IL from the illumination optical system, illumination light IL having passed through the reticle R, a reduced image of the circuit pattern of the reticle R through the projection optical system PL There photoresist (photosensitive agent) is formed on the wafer W which is applied to the surface.

【0064】ステージ装置10は、投影光学系PLの図1における下方に配置され、ベースBS上をXY2次元方向に移動するほぼ正方形のウエハステージWSTと、 [0064] stage device 10 is disposed below in Figure 1 of the projection optical system PL, and a substantially square wafer stage WST that moves on the base BS in XY2-dimensional direction,
このウエハステージWST上に搭載されたウエハホルダ9と、このウエハホルダ9の内部に組み込まれた上下動部材としてのセンターアップ12(図3参照)とを備えている。 The wafer stage holder 9 mounted on WST, and a center-up 12 as a vertically movable incorporated in the interior of the wafer holder 9 (see FIG. 3).

【0065】ウエハホルダ9上にはウエハWが真空吸着される。 [0065] On the wafer holder 9 wafer W is vacuum suction. ウエハホルダ9は、投影光学系PLの最良結像面に対し、任意方向に傾斜可能で、かつ投影光学系PL Wafer holder 9, to the best imaging plane of the projection optical system PL, tiltable in an arbitrary direction, and the projection optical system PL
の光軸AX方向(Z方向)に微動が可能に構成されている。 Finely moved in the optical axis AX direction (Z-direction) is configured to be. また、このウエハホルダ9は光軸AX回りの回転動作も可能になっている。 Further, the wafer holder 9 is in a possible rotation of the optical axis AX.

【0066】ウエハステージWSTは走査方向(X方向)の移動のみならず、ウエハW上の複数のショット領域を前記照明領域IARと共役な露光領域に位置させることができるように、走査方向に垂直な方向(Y方向) [0066] The wafer stage WST is not only moved in the scanning direction (X direction), so that the plurality of shot areas on wafer W can be positioned in the illumination area IAR conjugate with exposure area, perpendicular to the scanning direction such direction (Y direction)
にも移動可能に構成されており、ウエハW上の各ショット領域を走査(スキャン)露光する動作と、次のショットの露光開始位置まで移動する動作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン動作を行う。 A is configured to be movable also performs operation for scanning (scan) exposing each shot area on the wafer W, a step-and-scan operation of repeating an operation of moving to the exposure start position for the next shot. このウエハステージWSTはモータ等のウエハステージ駆動部24によりX The wafer stage WST is X by a wafer stage drive section 24 such as a motor
Y2次元方向に駆動される。 It is driven in the Y2-dimensional direction.

【0067】ウエハステージWSTの端部にはウエハレーザ干渉計(以下、「ウエハ干渉計」という)18からのレーザビームを反射する移動鏡17が固定され、ウエハステージWSTのXY平面内での位置はウエハ干渉計18によって、例えば0.01μm程度の分解能で常時検出されている。 [0067] wafer laser interferometer at the end of the wafer stage WST (hereinafter, "wafer interferometer") is movable mirror 17 for reflecting a laser beam is fixed to 18, the position within the XY plane of wafer stage WST by wafer interferometer 18, for example, it is constantly detected at a resolution of about 0.01 [mu] m. ここで、実際には、ウエハステージW Here, in fact, the wafer stage W
ST上には、走査方向に直交する反射面を有するX移動鏡17Xと非走査方向に直交する反射面を有するY移動鏡17Yとが設けられ、これに対応してウエハ干渉計もX軸方向位置計測用のX干渉計18XとY軸方向位置計測用のY干渉計18Yとが設けられているが、図1ではこれらが代表的に移動鏡17、ウエハ干渉計18として示されている。 On the ST, and Y movable mirror 17Y that has a reflection surface orthogonal to the X movable mirror 17X and a non-scanning direction having a reflection surface orthogonal to the scanning direction is provided, also the X-axis direction wafer interferometer Correspondingly Although X interferometer 18X for position measurement and the Y-axis direction position Y interferometer for measurement 18Y is provided, in Fig. 1 these typically movable mirror 17 is shown as wafer interferometer 18. ウエハステージWSTの位置情報(又は速度情報)SP1はステージ制御系19に送られ、ステージ制御系19はこの位置情報(又は速度情報)に基づいてウエハステージ駆動指示MS1を出力し、ウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTを制御する。 Positional information of wafer stage WST (or velocity information) SP1 is sent to the stage control system 19, it outputs a wafer stage driving instruction MS1 ​​based the stage control system 19 on the position information (or velocity information), a wafer stage drive section controlling the wafer stage WST through a 24.

【0068】前記ウエハホルダ9としては、ここでは円形のものが使用され、この上面にはウエハWを真空吸着するための同心円状の吸着用溝(不図示)が設けられ、 [0068] As the wafer holder 9 is here being used a circular, concentric suction grooves for vacuum adsorbing the wafer W (not shown) is provided on the upper surface,
これらの吸着用溝の内部を不図示の真空ポンプ(バキュームポンプ)の真空吸引力により真空に引くことでウエハWが吸着されるようになっている。 Wafer W by pulling a vacuum by the vacuum suction force inside the not shown vacuum pumps of these suction grooves (vacuum pump) is adapted to be adsorbed. 投影光学系PLの焦点深度を有効に使うため、ウエハWは平面度よく保持される必要があり、塵等を間に挟む可能性があるため、 Since effective use of the depth of focus of the projection optical system PL, and since the wafer W needs to be maintained well flatness, which may sandwich the dust,
できるだけ接触面積を小さくして、かつ撓まないように保持するように工夫されている。 As much as possible the contact area is reduced, and it is devised to hold so as not deflect. なお、吸着用溝は同心円状のものの他、点状のものが分布するタイプ、直線上のもの等が考案されており、いずれのタイプの吸着用溝を設けても良いことは勿論である。 Incidentally, the adsorption grooves other things concentric, type one point-like are distributed, and such as those on a straight line have been devised, may be provided suction grooves of any type can of course.

【0069】前記センターアップ12は、図3の断面図に示されるように、最上面に設けられた吸着部12aと軸部12bとを有し、ユニット30内の不図示のセンターアップ駆動機構により、ステージ制御系19が出力するセンタアップ駆動指示MC1に応じて吸着部12aが上下されるようになっている。 [0069] The center-up 12, as shown in the sectional view of FIG. 3, and a suction portion 12a and a shaft portion 12b provided on the top surface, the center-up drive mechanism (not shown) in the unit 30 suction unit 12a is adapted to be vertically according to the center-up drive command MC1 output from the stage control system 19. 吸着部12aの中心部には不図示の吸引孔が形成され、この吸引孔は軸部12b The central portion of the suction portion 12a suction holes (not shown) is formed, the suction hole shaft portion 12b
の中心を軸方向に貫通してユニット30の底部近傍で不図示の真空ポンプに接続された吸引チューブに接続されている。 Centered near the bottom of the unit through the axial direction 30 of which is connected to the connected suction tube to a vacuum pump (not shown). これにより、不図示の真空ポンプの真空吸引力によりウエハWを吸着部12a上面に吸着できるようになっている。 Thus, it has a wafer W to be adsorbed by the adsorbing portion 12a upper surface by vacuum suction force of the vacuum pump (not shown). なお、センタアップ12の上下動は、不図示のリミットスイッチ、位置センサ等により監視されている。 Note that vertical movement of the center-up 12, a limit switch (not shown), and is monitored by a position sensor or the like.

【0070】本実施形態の投影露光装置においては、図2に示されるように、レチクルRの走査方向(X方向) [0070] In the projection exposure apparatus of this embodiment, as shown in FIG. 2, the scanning direction of the reticle R (X direction)
に対して垂直な方向に長手方向を有する長方形(スリット状)の照明領域IARでレチクルRが照明され、レチクルRは転写時に−X方向に速度V Rで走査(スキャン)される。 The reticle R is illuminated with illumination area IAR rectangular (slit shape) having a longitudinal direction perpendicular to the reticle R is scanned at a speed V R in the -X direction at the time of transfer (scan). 照明領域IAR(中心は光軸AXとほぼ一致)は投影光学系PLを介してウエハW上に投影され、 Illumination area IAR (center substantially coincides with the optical axis AX) is projected onto the wafer W via the projection optical system PL,
スリット状の露光領域IAが形成される。 Slit-like exposure area IA is formed. ウエハWはレチクルRとは倒立結像関係にあるため、ウエハWは速度V Rの方向とは反対方向(+X方向)にレチクルRに同期して速度V Wで走査され、ウエハW上のショット領域SAの全面が露光可能となっている。 Since the wafer W is to the reticle R in inverted imaging relationship, the wafer W is the direction of the velocity V R is scanned at a speed V W in synchronization with the reticle R in the opposite direction (+ X direction), the shot on the wafer W entire area SA becomes possible exposure. 走査速度の比V W The ratio V W of the scanning speed
/V Rは正確に投影光学系PLの縮小倍率に応じたものになっており、レチクルRのパターン領域PAのパターンがウエハW上のショット領域SA上に正確に縮小転写される。 / V R is made to that corresponding to the reduction magnification of the exact projection optical system PL, the pattern of the pattern area PA of the reticle R is accurately reduced and transferred onto the shot area SA on the wafer W. 照明領域IARの長手方向の幅は、レチクルR Longitudinal width of the illumination area IAR is reticle R
上のパターン領域PAよりも広く、遮光領域STの最大幅よりも狭くなるように設定され、走査(スキャン)することによりパターン領域PA全面が照明されるようになっている。 Wider than the pattern area PA of the above, is set to be narrower than the maximum width of the light shielding region ST, scanning (scan) the pattern area PA entire surface by is adapted to be illuminated.

【0071】図1に戻り、投影光学系PLの側面には、 [0071] Returning to Figure 1, the side surface of the projection optical system PL,
ウエハW上の各ショット領域に付設されたアライメントマーク(ウエハマーク)の位置を検出するためのオフ・ Off for detecting the position of the alignment marks arranged in each shot area on the wafer W (wafer mark)
アクシス方式のアライメント顕微鏡(不図示、これについては、後述する)が設けられ、そのアライメント顕微鏡の計測結果が、装置全体の動作を制御する主制御装置20に供給され、主制御装置20では、ウエハマークの計測された位置よりウエハW上のショット領域の配列座標を例えば特開昭61−44429号公報に開示されるような最小自乗法を用いた統計演算の手法により算出する。 Alignment microscope (not shown, which will, be described later) of the axis system is provided, the alignment microscope measurement results are supplied to main controller 20 which controls the operation of the entire apparatus, the main controller 20, wafer method of statistical calculation is calculated by using the least square method as the array coordinates of the measured shot area on the wafer W from positions were marked as disclosed in JP 4,780,617.

【0072】また、上記の不図示のアライメント顕微鏡は、投影光学系PLの一側面に固定されており、本実施形態では高倍率の画像処理方式のものが用いられている。 [0072] In addition, the alignment microscope of the (not shown) is fixed to one side surface of the projection optical system PL, and in the present embodiment shown uses the high magnification image processing method. このアライメント顕微鏡は、ハロゲンランプ等のブロードバンドな照明光を発する光源、対物レンズ、指標板、CCD等の撮像素子及び信号処理回路、演算回路等(いずれも図示省略)を含んで構成されている。 The alignment microscope is a light source which emits broadband illumination light such as a halogen lamp, an objective lens, the index plate, the imaging element and the signal processing circuit such as a CCD, the arithmetic circuit and the like (all not shown) is configured to include a. このアライメント顕微鏡を構成する光源から発せられた照明光がアライメント顕微鏡内部の対物レンズを通過した後ウエハW上に照射され、そのウエハW表面の不図示のウエハマーク領域からの反射光がアライメント顕微鏡内部に戻り、対物レンズ、指標板を順次透過してCCD等の撮像面上にウエハマークの像、及び指標板上の指標の像が結像される。 The illumination light emitted from the light source constituting the alignment microscope is irradiated on the wafer W after passing through the alignment microscope inside an objective lens, an internal reflection light alignment microscope from the wafer mark region (not shown) of the wafer W surface returning to the objective lens, the image of the wafer mark on an image pickup surface of the CCD or the like are sequentially transmitted through the index plate, and the index image of the index plate is imaged. これらの像の光電変換信号が信号処理回路により処理され、演算回路によってウエハマークと指標との相対位置が算出される。 The photoelectric conversion signals of these images are processed by the signal processing circuit, relative position of the wafer mark and the indicator is calculated by the arithmetic circuit. この算出結果が、主制御装置20に供給される。 The calculation result is supplied to main controller 20. なお、ウエハWのアライメント方法は種々提案されているが、他の方法でも同様に使用できる。 The alignment method of the wafer W have been proposed, but can be used in other ways as well.

【0073】また、図1の装置には、投影光学系PLの最良結像面に向けてピンホール、あるいはスリット像を形成するための結像光束を光軸AX方向に対して斜め方向より供給する照射光学系13と、その結像光束のウエハWの表面での反射光束を、スリットを介して受光する受光光学系14とから成る斜入射方式のウエハ位置検出系(焦点検出系)が、投影光学系PLを支える支持部(図示省略)に固定されている。 [0073] Further, in the apparatus of FIG. 1, supplied from an oblique direction the imaging light flux to form a pinhole or slit images, toward the best imaging plane of the projection optical system PL with respect to the optical axis AX direction an irradiation optical system 13, the reflected light beam on the surface of the wafer W of the imaging light beam, the wafer position detecting system of the oblique incidence type comprising a light-receiving optical system 14 for receiving through a slit (focus detection system), It is fixed to a support portion which supports the projection optical system PL (not shown). このウエハ位置検出系の構成等については、例えば特開昭60−168112 Configuration and the like of the wafer position detection system, for example, JP 60-168112
号公報に開示されており、ウエハ表面の結像面に対する上下方向(Z方向)の位置偏差を検出し、ウエハWと投影光学系PLとが所定の間隔を保つようにウエハホルダ9をZ方向に駆動するために用いられる。 No. is disclosed in Japanese detects the position deviation in the vertical direction (Z-direction) with respect to the image plane of the wafer surface, the wafer holder 9 as the wafer W and the projection optical system PL is maintained a predetermined distance in the Z-direction used to drive. ウエハ位置検出系からのウエハ位置情報は、主制御装置20を介してステージ制御系19に送られる。 Wafer position information from the wafer position detecting system are sent to the stage control system 19 via the main controller 20. ステージ制御系19はこのウエハ位置情報に基づいてウエハホルダ9をZ方向に駆動する。 The stage control system 19 drives the wafer holder 9 on the basis of the wafer position information in the Z direction.

【0074】なお、本実施形態では結像面が零点基準となるように、予め受光光学系14の内部に設けられた不図示の平行平板ガラス(プレーンパラレル)の角度が調整され、ウエハ位置検出系のキャリブレーションが行われるものとする。 [0074] As image forming surface in the present embodiment is the zero point reference is adjusted in advance angle of the parallel plate glass (not shown) provided inside the light-receiving optical system 14 (plane parallel), the wafer position detecting shall calibration of the system is performed. また、例えば特開昭58−11370 In addition, for example, JP-A-58-11370
6号公報に開示されているような水平位置検出系を用いたり、あるいは投影光学系PLのイメージフィールド内における任意の複数の位置での焦点位置を検出できるようにウエハ位置検出系を構成する(例えば複数のスリット像をイメージフィールド内に形成する)ことによって、ウエハW上の所定領域の結像面に対する傾きを検出可能に構成してもよい。 Or using the horizontal position-detecting system as disclosed in 6 JP, or constituting the wafer position detecting system so as to detect the focus position at any of a plurality of positions in the image field of the projection optical system PL ( for example by forming to) that the image field a plurality of slit images may be detectably constituting an inclination with respect to the image plane of a predetermined area on the wafer W.

【0075】図4には、清掃時に、ウエハWに代ってウエハステージWST上に搭載される清掃部材8の構成が示されている。 [0075] Figure 4, at the time of cleaning, construction of the cleaning member 8 to be mounted on a wafer stage WST on behalf of the wafer W is shown. 図4(a)には清掃部材8の斜視図が示され、図4(b)には清掃部材8のA−A縦断面図が示されている。 In FIG. 4 (a) is shown a perspective view of the cleaning member 8, A-A longitudinal sectional view of the cleaning member 8 is shown in Figure 4 (b). 図4に示されるように、清掃部材8は、金属などの硬質材から成るベース部材32と、このベース部材32の上底面に接着固定された柔軟部材34とを備える。 As shown in FIG. 4, the cleaning member 8 includes a base member 32 made of a hard material such as metal, and a flexible member 34 that is adhered and fixed to the upper bottom surface of the base member 32. 柔軟部材34は、対物レンズOBとの接触時に対物レンズOBを損傷することがない材質から成る。 Flexible member 34 is made of a material that does not damage the objective lens OB on contact with the objective lens OB. 例えば布状、紙状、またはスポンジ状の部材が好適に使用できる。 For example cloth, paper-like, or sponge-like member can be suitably used.

【0076】清掃部材8は、センタアップ12の吸着部12aとの接触部位が清掃部材8の下底面の中央部となるように、吸着部12a上に載置され、真空吸着される。 [0076] cleaning member 8, so that the contact portion between the suction portion 12a of the center-up 12 is a central portion of the bottom surface of the cleaning member 8 is placed on the suction unit 12a, are vacuum suction. そして、清掃部材8は、真空吸着された状態でセンタアップ12が上下することにより上下する。 Then, the cleaning member 8, vertically by the center-up 12 moves up and down while being vacuum suction.

【0077】本実施形態の投影露光装置では、以下のようにしてパターン転写を行う。 [0077] In the projection exposure apparatus of this embodiment performs pattern transfer in the following manner.

【0078】まず、ウエハWへのパターン転写をするのに先立って、投影光学系PLの対物レンズOBの露出した基板対向面の清掃を行う。 [0078] First, prior to the pattern transfer to the wafer W, cleaning the exposed substrate surface facing the objective lens OB in the projection optical system PL. 図5には、本実施形態での対物レンズOBの清掃作業が示されている。 FIG. 5 is cleaning of the objective lens OB in the present embodiment. なお、図5 It should be noted that, as shown in FIG. 5
では、説明の明確化のため、投影光学系PLの対物レンズOB付近及び清掃部材8を断面表示している。 In, for clarity of description, the objective lens OB and around the cleaning member 8 of the projection optical system PL are sectional view.

【0079】清掃にあたって、まず、ウエハWが搭載されていない状態で、センタアップ12の吸着部12aが清掃部材8の下底面のほぼ中央部となるように、清掃部材8をセンタアップ12上に載置する。 [0079] In cleaning, first, in a state where the wafer W is not mounted, as the suction portion 12a of the center-up 12 is substantially central portion of the bottom surface of the cleaning member 8, the cleaning member 8 onto the center-up 12 It is placed. そして、真空吸着して、吸着部12a上に清掃部材8を固定する。 Then, by vacuum suction, to fix the cleaning member 8 onto the suction unit 12a.

【0080】ここで、センタアップ12上への清掃部材8の載置は、投影光学系PLの下方から退避したウエハステージWST上に人手により行うことも可能であるし、不図示のウエハ搬送装置にウエハWの代わりに清掃部材8を搬送させ、ウエハWと同様に清掃部材8を取り扱うことにより行うことも可能である。 [0080] Here, placement of the cleaning member 8 to the center-up 12 above, to it is also possible to carry out by hand on a wafer stage WST which is retracted from below of the projection optical system PL, and the wafer conveying apparatus (not shown) in the place of the wafer W is transported to the cleaning member 8, it can be performed by treating the wafer W as well as the cleaning member 8.

【0081】次に、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系19が、ウエハステージWSTの位置情報(あるいは速度情報)SP1に基づいてウエハステージWSTの位置を確認しつつウエハステージ駆動指示MS Next, according to a command of the main control unit 20, the stage control system 19, position information (or velocity information) of wafer stage WST SP1 wafer stage drive instruction while confirming the position of wafer stage WST based on the MS
1を出力し、ウエハステージ駆動部24を介して、ウエハステージWSTをXY方向に移動して清掃部材8を投影光学系PLの下方に移動させる。 Outputs 1, via wafer stage drive section 24 moves the wafer stage WST in the XY direction to move the cleaning member 8 below the projection optical system PL. 引き続き、ステージ制御系19がセンタアップ駆動指示MC1を出力し、吸着部12aを上昇させて、清掃部材8の柔軟部材34と対物レンズOBの露出した基板対向面とを接触させる(図5(a)参照)。 Subsequently, the stage control system 19 outputs a center-up drive instruction MC1, raises the suction portion 12a, to contact the exposed substrate surface facing the flexible member 34 and the objective lens OB of the cleaning member 8 (Fig. 5 (a )reference).

【0082】次いで、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系19が、ウエハステージWSTの位置情報(あるいは速度情報)SP1に基づいてウエハステージWSTの位置を確認しつつウエハステージ駆動指示MS [0082] Then, according to a command of the main control unit 20, the stage control system 19, position information (or velocity information) of wafer stage WST SP1 wafer stage drive instruction while confirming the position of wafer stage WST based on the MS
1を出力し、ウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTをX方向及びY方向の少なくとも一方の方向について往復移動し、柔軟部材34と対物レンズO Outputs 1, the wafer stage WST moves back and forth in at least one direction of the X direction and Y direction via wafer stage drive section 24, the flexible member 34 and the objective lens O
Bの基板対向面とを擦り合わさせる(図5(b)参照)。 Thereby rubbed the substrate-facing surface of B (see Figure 5 (b)). こうして、対物レンズOBの基板対向面に付着した汚れが清掃される。 Thus, dirt adhered to the substrate-facing surface of the objective lens OB is cleaned. なお、図5(b)では、ウエハステージWSTのX方向についての往復運動のみが矢印X In FIG. 5 (b), the only reciprocating motion in the X direction of the wafer stage WST arrow X
1で示されている。 It is shown in 1.

【0083】次に、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系19が、センタアップ駆動指示MC1を出力し、吸着部12aを下降させて、清掃部材8の柔軟部材34と対物レンズOBとを分離させる。 [0083] Next, according to a command of the main control unit 20, the stage control system 19, and outputs the center-up drive instruction MC1, lowers the suction portion 12a, and the flexible member 34 of the cleaning member 8 and the objective lens OB the to separate. 引き続き、清掃部材8のセンタアップ12の吸着部12aへの真空吸着が解除され、ウエハステージWST上から清掃部材8が取り外される。 Subsequently, the vacuum suction is released to the suction portion 12a of the center-up 12 of the cleaning member 8, the cleaning member 8 from the wafer stage WST is removed.

【0084】ここで、ウエハステージWST上からの清掃部材8の取り外しは、ウエハステージWSTを投影光学系PLの下方から退避後に人手によることも可能であるし、ウエハWの場合と同様にウエハ搬送装置と共同して行うことも可能である。 [0084] Here, removal of the cleaning member 8 from the wafer stage WST to the wafer stage WST from below the projection optical system PL is also possible manual after evacuation, as well as the wafer transfer in the case of the wafer W it is also possible to carry out in cooperation with the device.

【0085】以上のようにして、清掃作業が完了した後に、ウエハWへのパターン転写を実行する。 [0085] As described above, after the cleaning operation is completed, to perform the pattern transfer to the wafer W.

【0086】まず、ウエハ搬送装置によって搬送されてきたウエハWがウエハステージWST上に載置され、ウエハホルダ9に真空吸着される。 [0086] First, a wafer W that has been conveyed by the wafer transfer apparatus is placed on the wafer stage WST, is vacuum adsorbed to the wafer holder 9. 次に、投影光学系PL Next, the projection optical system PL
に対するウエハW及びレチクルRの位置が、アラインメント顕微鏡やステージ制御系19によって高精度に設定される。 Position of the wafer W and reticle R relative to is set with high accuracy by alignment microscope or the stage control system 19. 次いで、照明系(1,2,3,4〜7)で発生した露光用照明光でレチクルRを照明し、レチクルRに描画されたパターンを投影光学系PLでウエハW上に投影し、ウエハWを露光して、パターン転写を行う。 Then, to illuminate the reticle R with the exposure illumination light generated by the illumination system (1,2,3,4~7), projected onto the wafer W drawn pattern on the reticle R in the projection optical system PL, the wafer by exposing the W, the pattern transfer.

【0087】本実施形態によれば、パターン転写に先立ち、前回までの転写によって、ウエハWの被露光面の最も近くに配置された投影光学系PLの光学部材(対物レンズOB)の基板対向面に付着した感光剤等の汚れを清掃することにより、光学部材の基板対向面の汚れが少なく、投影光学系PLとウエハWとの間に雰囲気以外の介在物無しの状態で、投影光学系PLとウエハWとを近付けて好適な転写を実行することができる。 According to [0087] this embodiment, prior to the pattern transfer by a transfer up to the last time, the substrate opposing surface of the optical member of the projection optical system PL which is arranged closest to the surface to be exposed of the wafer W (the objective lens OB) by cleaning the dirt such as a photosensitive agent attached to, less contamination of the substrate opposing surface of the optical member, in the state without inclusions other than the atmosphere between the projection optical system PL and the wafer W, the projection optical system PL and close the wafer W can be performed suitably transcription.

【0088】なお、清掃は転写の都度実行してもよいが、一回の転写による光学部材の汚れが少ないものであれば、汚れが許容範囲内の間、例えば所定回数の転写の都度あるいは定期的に実行すればよい。 [0088] Incidentally, the cleaning may be performed each time the transfer but, as long as contamination of the optical element is small due to a single transfer, between the dirt tolerance, for example, each time or periodically the transfer of a predetermined number of times it may be executed in manner.

【0089】このためには、汚れと転写回数との関係を測定し、清浄な基板対向面が所定の許容できない汚れに達するまでの露光回数である限界転写回数を評価しておく必要がある。 [0089] For this purpose, measurement of the relationship between the dirt and the number of transfers, it is necessary to clean the substrate facing surface keep evaluate the limit number of times of transfer is a number of light exposure times to reach the dirt that can not be predetermined allowable. こうした限界転写回数の評価にあたっては、レチクル透過率も関係してくるので、基板ステージWST上に設けられたセンサで投影光学系PLを透過する光エネルギを測定し、この測定結果を限界転写回数の評価に反映させることも考えられる。 In evaluation of these limitations the number of transfers, since come into play also reticle transmittance, measured light energy transmitted through the projection optical system PL by a sensor provided on the substrate stage WST, limit the number of transfers the measurement result it is also conceivable to be reflected in the evaluation. そして、前回の清掃の実行以後における転写の回数がこうして評価された前記限界転写回数に達する前に清掃を実行する。 Then, run the cleaning before reaching the limit number of transfers which is the number of transcription in execution since the last cleaning was assessed way. この結果、汚れが許容範囲内の間に、例えば所定回数の転写や所定光エネルギ量の照射の都度あるいは定期的に清掃工程を実行すればよいので、投影露光装置を清掃のために頻繁に停止させなくともよく、生産性が向上する。 As a result, during the contamination tolerance, for example, it is sufficient to perform the each or cleaned periodically step of irradiating the transfer and a predetermined light energy value of the predetermined number of times, frequent stop projection exposure apparatus for cleaning may not let, the productivity is improved.

【0090】本実施形態では、清掃部材8の柔軟部材3 [0090] In the present embodiment, the flexible member 3 of the cleaning member 8
4と対物レンズOBとを擦り合わさせることにより機械的に汚れ清掃したが、柔軟部材8として多孔質部材を採用し、感光剤の溶剤等を含む清掃用溶液を柔軟部材8に浸潤させた上で対物レンズOBとを擦り合わさせることができる。 4 and has been mechanically dirt cleaned by causing rubbed and an objective lens OB, a porous member is adopted as a flexible member 8, after having infiltrated the cleaning solution containing a solvent of the photosensitive agent into the flexible member 8 in can be rubbed and an objective lens OB. なお、清掃用溶液が、対物レンズOBやそのコートにダメージを与えないことが必須の条件である。 Incidentally, the cleaning solution is an essential condition that does not damage the objective lens OB and its coat.
この場合、清掃用溶液が汚れ原因物質を溶かすので、清掃効率が向上する。 In this case, the cleaning solution so dissolve dirt causative agent, thereby improving the cleaning efficiency. なお、清掃用溶液を使用する場合には、柔軟部材8と対物レンズOBとを接触させるだけで、十分な清掃効果を奏する場合もある。 When using the cleaning solution, simply by contacting the flexible member 8 and the objective lens OB, it may exert a sufficient cleaning effect. こうした場合には、柔軟部材34と対物レンズOBとの擦り合わせを省略することができる。 In such cases, it is possible to omit the flexible member 34 and the rubbing alignment between the objective lens OB. なお、清掃部材8をワイパ状あるいはブラシ状に構成することも可能である。 It is also possible to configure the cleaning member 8 to the wiper-like or brush-like.

【0091】また、センタアップ12を構成する吸着部12aをXY平面内で回転させる回転駆動部を更に設け、この回転駆動部により吸着部12aを回転させることにより清掃部材8を回転させて、柔軟部材34と対物レンズOBの基板対向面とを擦り合わさせることも可能である。 [0091] Further, the rotation driving unit for rotating the suction unit 12a constituting the center-up 12 in the XY plane is further provided to rotate the cleaning member 8 by rotating the suction portion 12a by the rotation driving section, flexible it is also possible to rubbed the member 34 and the substrate-facing surface of the objective lens OB.

【0092】《第2実施形態》以下、本発明の第2実施形態の投影露光装置及び投影露光方法を、図6及び図7 [0092] "Second Embodiment" Hereinafter, a projection exposure apparatus and the projection exposure method of the second embodiment of the present invention, FIGS. 6 and 7
に基づいて説明する。 It will be described with reference to. なお、本実施形態の説明にあたって、上記の説明における要素と同等の要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。 In the description of this embodiment, the same reference numerals are given to elements analogous to those in the above description, without redundant description.

【0093】本実施形態の投影露光装置は、前述した第1実施形態の投影露光装置におけるウエハステージWS [0093] The projection exposure apparatus of this embodiment, the wafer stage WS in the projection exposure apparatus of the first embodiment described above
T上に設置される清掃部材8に代えて、図6にその概略構成が示される清掃装置としての超音波洗浄器40がウエハステージWSTとは異なる清掃用ステージCSTに搭載される点に特徴を有する。 Instead of the cleaning member 8 to be installed on the T, characterized in that the ultrasonic cleaner 40 as a cleaning apparatus to which the schematic configuration is shown in Figure 6 are mounted on different cleaning stages CST and wafer stage WST a. そして、パターン転写時以外の時に投影光学系PLを構成する対物レンズOB Then, the objective lens OB in the projection optical system PL at a time other than during pattern transfer
を、超音波洗浄器40を使用して清掃する。 And cleaning using ultrasonic cleaner 40.

【0094】図6に示されるように、超音波洗浄器40 [0094] As shown in FIG. 6, an ultrasonic cleaner 40
は、ステージ装置10とともにベースBS上に配設され、ベースBS上をXY2次元方向に移動するほぼ正方形の清掃用ステージCST上に搭載される。 It is disposed on the base BS together with the stage device 10 is mounted on a substantially square cleaning on the stage CST that moves on the base BS in XY2 dimensional direction. この清掃用ステージCSTの内部には、上下動機構としての昇降器38が組み込まれている。 Inside the cleaning stage CST, elevator 38 as vertical motion mechanism is incorporated.

【0095】清掃用ステージCSTは、ウエハステージWSTと同様に構成され、モータ等の清掃用ステージ駆動部58によりXY2次元方向に駆動される。 [0095] cleaning stage CST is configured similarly to wafer stage WST, it is driven by a cleaning stage driver 58 such as a motor XY2 dimensional direction.

【0096】清掃用ステージCSTの端部には、ウエハステージWSTと同様に、清掃器レーザ干渉計(以下、 [0096] At the end of the cleaning stage CST, as with the wafer stage WST, cleaner laser interferometer (hereinafter,
「清掃器干渉計」という)56からのレーザビームを反射する移動鏡54が固定され、清掃用ステージCSTのXY平面内での位置は清掃器干渉計56によって、常時検出されている。 Moving mirror 54 for reflecting a laser beam from) 56 referred to as "cleaner interferometer" is fixed, the position in the XY plane of the cleaning stage CST depending cleaner interferometer 56 is constantly detected. ここで、実際には、清掃用ステージC Here, in fact, the cleaning stage C
ST上には、X方向に直交する反射面を有するX移動鏡とY方向に直交する反射面を有するY移動鏡とが設けられ、これに対応して清掃器干渉計もX軸方向位置計測用のX干渉計とY軸方向位置計測用のY干渉計とが設けられているが、図6ではこれらが代表的に移動鏡54、清掃器干渉計56として示されている。 On ST, and a Y movable mirror provided with an X movable mirror and reflection surface orthogonal to the Y-direction having a reflection surface orthogonal to the X direction, the cleaning device interferometer Correspondingly also the X-axis direction position measurement Although X interferometer and Y interferometer Y-axis direction position for measurement of use and is provided, in Fig. 6 these are representatively shown as movable mirror 54, the cleaning device interferometer 56. 清掃用ステージC Cleaning stage C
STの位置情報(又は速度情報)SP2はステージ制御系19に送られ、ステージ制御系19は、この位置情報(又は速度情報)に基づいて清掃用ステージCSTの位置を確認しつつ清掃用ステージ駆動指示MS2を出力し、清掃用ステージ駆動部58を介して清掃用ステージCSTを制御する。 Position information (or velocity information) SP2 of ST is sent to the stage control system 19, the stage control system 19, the cleaning stage driving while checking the position of the cleaning stage CST based on the positional information (or velocity information) outputs an instruction MS2, controls the cleaning stage CST through the cleaning stage driving unit 58.

【0097】昇降器38は前述のセンタアップ12と同様の構造を有する。 [0097] elevator 38 has the same structure as that of the center-up 12 described above. すなわち、昇降器38は、最上面に設けられた吸着部38aと軸部38bとを有し、ユニット52内の不図示の昇降駆動機構により、ステージ制御系19が出力する昇降駆動指示MC2に応じて吸着部3 That is, elevator 38, and a suction portion 38a and a shaft portion 38b provided on the top surface, the not shown lifting drive mechanism in the unit 52, depending on the elevation driving instruction MC2 to the stage control system 19 outputs adsorption unit on 3
8aが上下されるようになっている。 8a is adapted to be up and down. そして、センタアップ12と同様に、不図示の真空ポンプの真空吸引力により超音波洗浄器40を吸着部38a上面に吸着できるようになっている。 Then, as in the center-up 12, which is an ultrasonic cleaner 40 to be adsorbed by the adsorbing portion 38a upper surface by vacuum suction force of the vacuum pump (not shown). なお、昇降器38の上下動は、不図示のリミットスイッチ、位置センサ等により監視されている。 Incidentally, the vertical movement of the elevator 38, the limit switch (not shown), and is monitored by a position sensor or the like.

【0098】図6に示されるように、超音波洗浄器40 [0098] As shown in FIG. 6, an ultrasonic cleaner 40
は、清掃用溶液42を収納する容器44と、容器44内に配設され、主制御装置20から出力される超音波振動指示SS1に応じて超音波振動し、清掃用溶液42に超音波振動を付与する超音波振動器46とを有する。 Includes a container 44 for accommodating the cleaning solution 42 is disposed in the container 44, the ultrasonic vibrates according to ultrasonic vibration instruction SS1 outputted from the main controller 20, an ultrasonic vibration to the cleaning solution 42 and a ultrasonic vibrator 46 to impart. ここで、清掃用溶液としては、高純度の水やアセトン、あるいは感光剤の溶剤を含有する溶液などが好適に使用できるが、対物レンズOBやそのコートにダメージを与えないことが必須の条件である。 Here, as the cleaning solution, pure water and acetone, or the like solution containing a solvent of a photosensitive agent can be suitably used, an essential condition that does not damage the objective lens OB and the coating is there.

【0099】本実施形態の投影露光装置では、以下のようにしてパターン転写を行う。 [0099] In the projection exposure apparatus of this embodiment performs pattern transfer in the following manner.

【0100】まず、ウエハWへのパターン転写に先立って、投影光学系PLの対物レンズOBの露出した基板対向面の清掃を行う。 [0100] First, prior to pattern transfer to the wafer W, cleaning the exposed substrate surface facing the objective lens OB in the projection optical system PL. 図7には、本実施形態での対物レンズOBの清掃作業の工程が示されている。 Figure 7 is a process of cleaning of the objective lens OB in the present embodiment. なお、図7では、図5と同様に、説明の明確化のため、投影光学系P In FIG. 7, similarly to FIG. 5, for clarity of description, the projection optical system P
Lの対物レンズOB付近及び超音波洗浄器40を断面表示している。 The L objective lens OB and around an ultrasonic cleaner 40 in which cross section view.

【0101】清掃にあたって、まず、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系19が、ウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTを投影光学系P [0102] In cleaning, first, according to a command of the main control unit 20, the stage control system 19, a projection optical system of the wafer stage WST via wafer stage drive section 24 P
Lの下方から退避させる。 It is retracted from below the L. 引き続き、清掃用ステージC Subsequently, the cleaning stage C
STの位置情報(あるいは速度情報)SP2に基づいて清掃用ステージCSTの位置を確認しつつ清掃用ステージ駆動指示MS2を出力し、清掃用ステージ駆動部58 Outputs position information (or speed information) cleaning stage driving instruction MS2 while confirming the position of the cleaning stage CST based on SP2 of ST, cleaning stage driving unit 58
を介して、清掃用ステージCSTをXY方向に移動させ、超音波洗浄器40を投影光学系PLの下方に移動させる。 Through to move the cleaning stage CST in the XY directions to move the ultrasonic cleaner 40 below the projection optical system PL. その後、ステージ制御系19が昇降器駆動指示M Thereafter, the stage control system 19 is the elevator drive instruction M
C2を出力し、昇降器38を上昇させて、対物レンズO Outputs C2, raising the elevator 38, the objective lens O
Bの露出した基板対向面を清掃用溶液42に浸す(図7 Immersing the exposed substrate surface facing B in cleaning solution 42 (FIG. 7
(a)参照)。 (A) see).

【0102】次に、主制御装置20が超音波振動指示S Next, main controller 20 ultrasonic vibration instruction S
S1を出力し、これを受信した超音波振動器46が超音波振動する。 Outputs S1, this ultrasonic vibrator 46 that receives the to ultrasonic vibration. この超音波振動が清掃用溶液42に付与され、超音波振動する清掃用溶液によって、対物レンズO The ultrasonic vibration is applied to the cleaning solution 42, the cleaning solution to the ultrasonic vibration, the objective lens O
Bの基板対向面が清掃される(図7(b)参照)。 Substrate-facing surface of B is cleaned (see FIG. 7 (b)).

【0103】次いで、主制御装置20が超音波振動器4 [0103] Then, the main controller 20 is an ultrasonic vibrator 4
6の超音波振動を停止させた後に、ステージ制御系19 Ultrasonic vibration of 6 after stopping, the stage control system 19
が、昇降駆動指示MC2を出力し、昇降器38を下降させて、超音波振動器40と投影光学系PLとを分離させる。 But it outputs the elevation driving instruction MC2, the elevator 38 is lowered, thereby separating the projection optical system PL and the ultrasonic vibrator 40.

【0104】以上のようにして、清掃作業が完了した後、ステージ制御系19が清掃用ステージ駆動部58を介して清掃用ステージCSTを投影光学系PLの下方から退避する。 [0104] As described above, after the cleaning operation is completed, the stage control system 19 is retracted the cleaning stage CST through the cleaning stage driving unit 58 from the lower side of the projection optical system PL. そして、第1実施形態と同様に、ウエハW Then, like the first embodiment, the wafer W
をウエハホルダ9で保持し、位置合わせを行った後、照明系で発生した露光用照明光でレチクルRを照明し、レチクルRに描画されたパターンを、投影光学系PLでウエハW上に投影し、ウエハWを露光する。 Was held in the wafer holder 9, after the alignment, and illuminates the reticle R with the exposure illumination light generated by the illumination system, the pattern drawn on the reticle R, is projected onto the wafer W by the projection optical system PL , to expose the wafer W.

【0105】本実施形態によれば、第1実施形態と同様に、パターン転写に先立ち、前回までの転写によって、 According to [0105] this embodiment, like the first embodiment, prior to the pattern transfer by a transfer up to the previous time,
ウエハWの被露光面の最も近くに配置された投影光学系PLの光学部材(対物レンズOB)の基板対向面に付着した感光剤等の汚れを清掃することにより、光学部材の基板対向面の汚れが少なく、投影光学系PLとウエハW By cleaning the dirt such as a photosensitive agent attached to the substrate-facing surface of the optical member located closest to projection optical system PL of the exposure surface (the objective lens OB) of the wafer W, the substrate-facing surface of the optical member dirt is small, the projection optical system PL and the wafer W
との間に雰囲気以外の介在物無しの状態で、投影光学系PLとウエハWとを近付けて好適な転写を実行することができる。 It can be in the state without inclusions other than the atmosphere, to perform a suitable transfer closer to the projection optical system PL and the wafer W between.

【0106】更に、本実施形態では、清掃の実施とウエハWの取り扱いとが独立した駆動部を使用して行われるので、ウエハステージWSTの精度及び清浄度が確保され、好適に清掃及び露光を行うことができる。 [0106] Further, in the present embodiment, since carried out using a drive unit and handling is independent of the implementation and the wafer W cleaning, precision and cleanliness of the wafer stage WST is secured, the suitably cleaned and exposed It can be carried out.

【0107】なお、第1実施形態と同様に、汚れと転写回数やウエハWに照射された光エネルギ量との関係を測定し、清浄な基板対向面が所定の許容できない汚れに達するまでの露光回数である限界転写回数を評価しておくことにより、例えば所定回数の転写や所定光エネルギ量の照射の都度あるいはそれ以前の時点で定期的に清掃作業を実行することで、投影露光装置を清掃のため頻繁に停止させなくとも良いので、生産性が向上する。 [0107] As in the first embodiment, measurement of the relationship between the dirt and the number of transfers and the wafer W light energy amount irradiated to the exposure to the clean substrate facing surface reaches the dirt that can not be predetermined allowable by previously evaluated limit transfer times which is the number of times, for example, by executing regular cleaning in each case, or a point in time prior thereto the irradiation of the transfer and a predetermined light energy value of the predetermined number of times, cleaning the projection exposure apparatus since frequently may not be stopped for, the productivity is improved.

【0108】《第3実施形態》以下、本発明の第3実施形態の投影露光装置及び投影露光方法を、図8及び図9 [0108] "Third Embodiment" Hereinafter, a third projection exposure apparatus and the projection exposure method of the embodiment of the present invention, FIGS. 8 and 9
に基づいて説明する。 It will be described with reference to. なお、本実施形態の説明にあたって、上記の説明における要素と同等の要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。 In the description of this embodiment, the same reference numerals are given to elements analogous to those in the above description, without redundant description.

【0109】本実施形態の投影露光装置は、図1に示される第1実施形態の投影露光装置における清掃部材8 [0109] The projection exposure apparatus of this embodiment, the cleaning member 8 in the projection exposure apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1
を、図8に示されるように、ウエハステージWSTとは異なる清掃用ステージCST上に設置する点に特徴を有する。 The, as shown in FIG. 8, characterized in that it placed on different cleaning stages CST to the wafer stage WST. そして、転写時以外の時に投影光学系PLを構成する対物レンズOBを、清掃部材8を使用して清掃する。 Then, the objective lens OB in the projection optical system PL at times other than the time of transfer, and cleaning using a cleaning member 8. すなわち、本実施形態は、第2実施形態における超音波洗浄器40を第1実施形態の清掃部材8に置き換えたものである。 That is, the present embodiment is obtained by replacing the ultrasonic cleaner 40 in the second embodiment the cleaning member 8 of the first embodiment.

【0110】第2実施形態と同様に、ステージ制御系1 [0110] Similar to the second embodiment, the stage control system 1
9が、位置情報(又は速度情報)SP2に基づいて清掃用ステージCSTの位置を確認しつつ清掃用ステージ駆動指示MS2を出力し、清掃用ステージ駆動部58を介して清掃用ステージCSTを制御する。 9, outputs the cleaning stage driving instruction MS2 while confirming the position of the cleaning stage CST on the basis of the position information (or velocity information) SP2, and controls the cleaning stage CST through the cleaning stage driving unit 58 .

【0111】本実施形態の投影露光装置では、以下のようにしてパターン転写を行う。 [0111] In the projection exposure apparatus of this embodiment performs pattern transfer in the following manner.

【0112】まず、ウエハWへのパターン転写に先立って、投影光学系PLの対物レンズOBの露出した基板対向面の清掃を行う。 [0112] First, prior to pattern transfer to the wafer W, cleaning the exposed substrate surface facing the objective lens OB in the projection optical system PL. 図9には、本実施形態での対物レンズOBの清掃作業の工程が示されている。 FIG 9 is a process of cleaning of the objective lens OB in the present embodiment. なお、図9では、図5と同様に、説明の明確化のため、投影光学系P In FIG. 9, as in FIG. 5, for clarity of description, the projection optical system P
Lの対物レンズOB付近及び清掃部材8を断面表示している。 The L of the objective lens OB and around the cleaning member 8 are cross-sectional view.

【0113】清掃にあたって、第2実施形態と同様に、 [0113] In cleaning, as in the second embodiment,
まず、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系1 First, depending on the direction of master controller 20, the stage control system 1
9が、ウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTを投影光学系PLの下方から退避させた後、清掃用ステージ駆動部58を介して、清掃用ステージCS 9, after withdrawing the wafer stage WST from below the projection optical system PL via the wafer stage drive section 24, via the cleaning stage driving unit 58, a cleaning stage CS
TをXY方向に移動して、清掃装置60を投影光学系P Move the T in the XY direction, the cleaning device 60 the projection optical system P
Lの下方に移動させる。 L to the move downward. その後、ステージ制御系19が昇降器38駆動指示MC2を出力し、昇降器38を上昇させて、清掃部材8の柔軟部材34と対物レンズOBの露出した基板対向面とを接触させる(図9(a)参照)。 Thereafter, the stage control system 19 outputs a elevator 38 drive instruction MC2, elevator 38 is raised to, contacting the exposed substrate surface facing the flexible member 34 and the objective lens OB of the cleaning member 8 (Fig. 9 ( a)).

【0114】次いで、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系19が、清掃用ステージCSTの位置情報(あるいは速度情報)SP2に基づいて清掃用ステージCSTの位置を確認しつつ清掃用ステージ駆動指示MS [0114] Then, according to a command of the main control unit 20, the stage control system 19, the cleaning stage driving while checking the position of the cleaning stage CST on the basis of the position information (or speed information) SP2 cleaning stage CST instruction MS
2を出力し、清掃用ステージ駆動部58を介して、清掃用ステージCSTをX方向及びY方向の少なくとも一方の方向について往復移動させ、柔軟部材34と対物レンズOBの基板対向面とを擦り合わさせる(図9(b)参照)。 Outputs 2 through a cleaning stage driving unit 58, the cleaning stage CST is reciprocated in at least one direction of the X and Y directions, Awa rubbing a substrate-facing surface of the flexible member 34 and the objective lens OB causes (see FIG. 9 (b)). こうして、対物レンズOBの基板対向面に付着した汚れが清掃される。 Thus, dirt adhered to the substrate-facing surface of the objective lens OB is cleaned. なお、図9(b)では、図5 Incidentally, in FIG. 9 (b), FIG. 5
(b)と同様に、ウエハステージWSTのX方向についての往復運動のみが矢印X1で示されている。 (B) and likewise, only reciprocating motion of the X direction of the wafer stage WST is indicated by an arrow X1.

【0115】次いで、主制御装置20の指令に応じて、 [0115] Then, in response to a command of the main control unit 20,
ステージ制御系19が、昇降駆動指示MC2を出力し、 Stage control system 19, and outputs the elevator drive instruction MC2,
昇降器38を下降させて、超音波振動器40と投影光学系PLとを分離させる。 The elevator 38 is lowered, thereby separating the projection optical system PL and the ultrasonic vibrator 40.

【0116】以上のようにして、清掃作業が完了した後、第1実施形態と同様に、ウエハWをウエハホルダ9 [0116] As described above, after the cleaning operation has been completed, as in the first embodiment, the wafer W holder 9
で保持し、位置合わせを行った後、照明系で発生した露光用照明光でレチクルRを照明し、レチクルRに描画されたパターンを、投影光学系PLでウエハW上に投影し、ウエハWを露光して、パターン転写を行う。 In holding, after the alignment, and illuminates the reticle R with the exposure illumination light generated by the illumination system projects the pattern drawn on the reticle R, onto the wafer W by the projection optical system PL, the wafer W by exposing and transferring a pattern.

【0117】本実施形態によれば、第2実施形態と同様に、転写に先立ち、前回までの転写によって、ウエハW According to [0117] this embodiment, like the second embodiment, prior to the transfer, the transfer up to the last time, the wafer W
の被露光面の最も近くに配置された投影光学系PLの光学部材(対物レンズOB)の基板対向面に付着した感光剤等の汚れを清掃することにより、光学部材の基板対向面の汚れが少なく、投影光学系PLとウエハWとの間に雰囲気以外の介在物無しの状態で、投影光学系PLとウエハWとを近付けて好適な転写を実行することができる。 By cleaning dirt such as a photosensitive agent attached to the substrate-facing surface of the optical member located closest to projection optical system PL of the exposure surface (the objective lens OB), the contamination of the substrate opposing surface of the optical member less, in the state without inclusions other than the atmosphere between the projection optical system PL and the wafer W, it is possible to perform a suitable transfer closer to the projection optical system PL and the wafer W.

【0118】なお、第1実施形態と同様に、汚れと転写回数やウエハWに照射された光エネルギとの関係を測定し、清浄な基板対向面が所定の許容できない汚れに達するまでの露光回数である限界転写回数を評価しておくことにより、例えば所定回数の転写や所定光エネルギ量の照射の都度あるいはそれ以前の時点で定期的に清掃作業を実行することで、投影露光装置を清掃のため頻繁に停止させなくともよくなるので、生産性が向上する。 [0118] As in the first embodiment, measurement of the relationship between light energy irradiated on the dirt transfer frequency and the wafer W, the number exposed to the clean substrate facing surface reaches the dirt that can not be predetermined allowable by it by previously evaluated limit transfer times, for example, by executing regular cleaning in each case, or a point in time prior thereto the irradiation of the transfer and a predetermined light energy value of the predetermined number, cleaning the projection exposure apparatus since well without frequent stops for, productivity is improved. また、第1実施形態と同様の清掃部材8の変形が可能である。 It is also possible variant of the first embodiment and the same cleaning member 8.

【0119】《第4実施形態》以下、本発明の第4実施形態の投影露光装置及び投影露光方法を、図10及び図11に基づいて説明する。 [0119] "Fourth Embodiment" Hereinafter, a fourth projection exposure apparatus and the projection exposure method of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. なお、本実施形態の説明にあたって、上記の説明における要素と同等の要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。 In the description of this embodiment, the same reference numerals are given to elements analogous to those in the above description, without redundant description.

【0120】本実施形態の投影露光装置は、図1に示した第1実施形態の投影露光装置における清掃部材8を、 [0120] The projection exposure apparatus of this embodiment, the cleaning member 8 in the projection exposure apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1,
図10にその概略構成が断面で示される清掃装置62で置き換えた点に特徴を有する。 Its schematic configuration in FIG. 10 has a feature that was replaced with a cleaning device 62 shown in cross-section. そして、転写時以外の時に投影光学系PLを構成する対物レンズOBを、清掃装置62を使用して清掃する。 Then, the objective lens OB in the projection optical system PL at times other than the time of transfer, and cleaning using a cleaning device 62.

【0121】清掃装置62は、図10に示されるように、投影光学系PLに水平方向に延びる支持部材70を介して固定された駆動部68と、この駆動部68にその一端部64aが鉛直に向けて回転自在に支持されたL字状部材から成る保持保持部材64と、この保持部材64 [0121] The cleaning device 62, as shown in FIG. 10, a drive unit 68 fixed via a support member 70 extending in the horizontal direction to the projection optical system PL, one end portion 64a is vertically to the drive unit 68 and holding the holding member 64 made of a rotatably supported L-shaped member toward, the holding member 64
の他端部64bに水平に保持された柔軟部材66とを備えている。 And a flexible member 66 which is horizontally held in the other end portion 64b. 柔軟部材66は、駆動部68に内蔵されたモータを含む不図示の駆動機構によって、保持部材64の一端部(鉛直部)64aを回転軸として、他端部64b Flexible member 66, by a drive mechanism (not shown) including a motor built in the drive unit 68, one end portion of the holding member 64 (the vertical portion) 64a as a rotation axis, the other end 64b
と一体的に図10における紙面に直交する水平面内で揺動されるとともに、保持部材64と一体的に紙面に平行な鉛直方向(Z方向)に移動させられる。 While it is swung in a horizontal plane in a direction perpendicular to the sheet of integrally FIG 10 and is moved to the holding member 64 integrally with parallel to the plane (Z direction).

【0122】こうした、揺動および鉛直移動は、ステージ制御系19によって制御される。 [0122] Such rocking and vertical movement is controlled by the stage control system 19. すなわち、駆動部6 That is, the driving unit 6
8は、ステージ制御系19が出力したZ駆動指示ZMV 8, Z drive instruction ZMV the stage control system 19 has an output
に応じて保持部材64をZ方向に駆動するとともに、ステージ制御系19が出力した回転駆動指示RMVに応じて一端部64aを回転軸として保持部材64を回転駆動する。 The holding member 64 to drive the Z-direction, the holding member 64 to rotate the end portion 64a as a rotation axis according to the rotation drive instruction RMV the stage control system 19 is output according to the. なお、保持部材64の動きは、不図示のリミットスイッチ、位置センサ、回転センサ等により監視されている。 Incidentally, the movement of the holding member 64, the limit switch (not shown), position sensors are monitored by the rotation sensor. ここで、保持部材64と柔軟部材66とで清掃器が構成される。 Here, the cleaning device is constituted by the holding member 64 and the flexible member 66.

【0123】本実施形態の投影露光装置では、以下のようにしてパターン転写を行う。 [0123] In the projection exposure apparatus of this embodiment performs pattern transfer in the following manner.

【0124】まず、ウエハWへのパターン転写に先立って、投影光学系PLの対物レンズOBの露出した基板対向面の清掃を行う。 [0124] First, prior to pattern transfer to the wafer W, cleaning the exposed substrate surface facing the objective lens OB in the projection optical system PL. 図11には、本実施形態での対物レンズOBの清掃作業の工程が示されている。 Figure 11 is a process of cleaning of the objective lens OB in the present embodiment. なお、図1 It should be noted that, as shown in FIG. 1
1では、説明の明確化のため、投影光学系PLの対物レンズOB付近及び柔軟部材66を断面表示している。 In 1, for clarity of description, the objective lens OB and around the flexible member 66 of the projection optical system PL are sectional view.

【0125】清掃にあたって、まず、柔軟部材66が投影光学系PLの下方から退避した初期状態(図11 [0125] In cleaning, first, an initial state in which the flexible member 66 is retracted from below the projection optical system PL (FIG. 11
(a)参照)から、ステージ制御系19がZ駆動指示Z (A) from the reference), the stage control system 19 is the Z drive instruction Z
MV及び回転駆動指示RMVを逐次出力し、駆動部68 The MV and the rotation drive command RMV sequentially output, the driving unit 68
を介して保持部材64を動かして、柔軟部材66を対物レンズOBの基板対向面に接触させる(図11(b)参照)。 Moving the holding member 64 via a contacting flexible member 66 on the substrate surface facing the objective lens OB (see FIG. 11 (b)).

【0126】次に、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系19が、回転駆動RMVを出力し、駆動部6 [0126] Next, according to a command of the main control unit 20, the stage control system 19, and outputs a rotation drive RMV, the driving unit 6
8を介して、柔軟部材66を揺動させ、柔軟部材66と対物レンズOBの基板対向面とを擦り合わさせる(図1 8 through, by swinging the flexible member 66, thereby rubbed the substrate-facing surface of the flexible member 66 and the objective lens OB (Fig. 1
1(c)参照)。 1 (c) reference). こうして、対物レンズOBの基板対向面に付着した汚れが清掃される。 Thus, dirt adhered to the substrate-facing surface of the objective lens OB is cleaned.

【0127】次いで、主制御装置20の指令に応じて、 [0127] Then, in response to a command of the main control unit 20,
ステージ制御系19がZ駆動指示ZMV及び回転駆動指示RMVを逐次出力し、保持部材64を初期位置に移動する。 Stage control system 19 sequentially outputs the Z drive instruction ZMV and rotary drive instruction RMV, to move the holding member 64 to the initial position.

【0128】以上のようにして、清掃作業が完了した後、第1実施形態と同様に、ウエハWをウエハホルダ9 [0128] As described above, after the cleaning operation has been completed, as in the first embodiment, the wafer W holder 9
で保持し、位置合わせを行った後、照明系で発生した露光用照明光でレチクルRを照明し、レチクルRに描画されたパターンを投影光学系PLでウエハW上に投影し、 In holding, after the alignment, and illuminates the reticle R with the exposure illumination light generated by the illumination system, and projected onto the wafer W drawn pattern on the reticle R in the projection optical system PL,
ウエハWを露光して、パターン転写を行う。 The wafer W is exposed to light, a pattern transfer.

【0129】本実施形態によれば、第2実施形態と同様に、転写に先立ち、前回までの転写によって、ウエハW According to [0129] this embodiment, like the second embodiment, prior to the transfer, the transfer up to the last time, the wafer W
の被露光面の最も近くに配置された投影光学系PLの光学部材(対物レンズOB)の基板対向面に付着した感光剤等の汚れを清掃することにより、光学部材の基板対向面の汚れが少なく、投影光学系PLとウエハWとの間に雰囲気以外の介在物が無い状態で、投影光学系PLとウエハWとを近付けて好適な転写を実行することができる。 By cleaning dirt such as a photosensitive agent attached to the substrate-facing surface of the optical member located closest to projection optical system PL of the exposure surface (the objective lens OB), the contamination of the substrate opposing surface of the optical member less, in the absence of inclusions other than the atmosphere between the projection optical system PL and the wafer W, it is possible to perform a suitable transfer closer to the projection optical system PL and the wafer W.

【0130】なお、第1実施形態と同様に、汚れと転写回数やウエハWに照射された光エネルギ量との関係を測定し、清浄な基板対向面が所定の許容できない汚れに達するまでの露光回数である限界転写回数を評価しておくことにより、例えば所定回数の転写や所定光エネルギ量の照射の都度あるいはそれ以前の時点で定期的に清掃作業を実行することで、投影露光装置を清掃のため頻繁に停止させなくとも良いので、生産性が向上する。 [0130] As in the first embodiment, measurement of the relationship between the dirt and the number of transfers and the wafer W light energy amount irradiated to the exposure to the clean substrate facing surface reaches the dirt that can not be predetermined allowable by previously evaluated limit transfer times which is the number of times, for example, by executing regular cleaning in each case, or a point in time prior thereto the irradiation of the transfer and a predetermined light energy value of the predetermined number of times, cleaning the projection exposure apparatus since frequently may not be stopped for, the productivity is improved.

【0131】また、第1実施形態での柔軟部材34の変形と同様の、柔軟部材66の変形が可能である。 [0131] Further, similar to the deformation of the flexible member 34 in the first embodiment, modifications are possible flexible member 66.

【0132】《第5実施形態》以下、本発明の第5実施形態の投影露光装置及び投影露光方法を、図12及び図13に基づいて説明する。 [0132] "Fifth Embodiment" Hereinafter, a fifth projection exposure apparatus and the projection exposure method of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 and 13. なお、本実施形態の説明にあたって、上記の説明における要素と同等の要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。 In the description of this embodiment, the same reference numerals are given to elements analogous to those in the above description, without redundant description.

【0133】本実施形態の投影露光装置は、図1に示した第1実施形態の投影露光装置における清掃部材8を、 [0133] The projection exposure apparatus of this embodiment, the cleaning member 8 in the projection exposure apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1,
図12にその概略構成が断面で示される、基板ステージWSTとは異なる清掃用ステージCSTに搭載される溶液発射器72で置き換えた点に特徴を有する。 Its schematic configuration in FIG. 12 is shown in cross-section, characterized in that was replaced by a solution launcher 72 mounted on a different cleaning stages CST the substrate stage WST. そして、 And,
転写時以外の時に投影光学系PLを構成する対物レンズOBを、溶液発射器72を使用して清掃する。 The objective lens OB in the projection optical system PL at times other than the time of transfer, and cleaning using a solution launcher 72.

【0134】溶液発射器72は、図12に示されるように、清掃用ステージCST上に配設される。 [0134] The solution launcher 72, as shown in FIG. 12, is disposed on the cleaning stage CST. また、溶液発射器72は、ステージ制御系19が出力した回転駆動指示RDVに応じて溶液発射器72を回転駆動する回転駆動器74上に搭載され、主制御装置20の指示に応じて、超音波振動が付与された液滴を発射する。 Further, the solution launcher 72 is mounted on the rotary actuator 74 to the stage control system 19 is the solution launcher 72 is driven to rotate in response to rotation drive instruction RDV outputted in response to an instruction of the main control unit 20, ultrasonic to fire a droplet sound wave vibration it has been granted.

【0135】清掃用ステージCSTは、第2実施形態と同様に、ステージ制御系19によって制御される。 [0135] Stage CST for cleaning, as in the second embodiment is controlled by a stage control system 19. また、回転駆動器74は不図示の回転センサを有し、回転駆動動作が監視されている。 Further, the rotation driving device 74 has a rotation sensor (not shown), the rotational driving operation is being monitored.

【0136】溶液発射器72は、清掃用溶液を収納する液漕76と、液漕76から取り出された清掃用溶液の流路を設定する流路設定部材78a、78bと、主制御装置20が出力した超音波振動指示SS2に応じて超音波振動し、流路設定部材78b内の流路中の清掃用溶液に超音波振動を付与する超音波振動器80と、流路設定部材78a、78bを経由した清掃用溶液を発射するためのノズル82と、主制御装置20が出力した発射指示P [0136] The solution launcher 72 includes a liquid tank 76 for accommodating the cleaning solution, flow path setting member 78a for setting the flow path of the cleaning solution taken out from the liquid tank 76, and 78b, the main controller 20 the ultrasonic vibrator 80 in response to ultrasonic vibrations instruction SS2 outputted by the ultrasonic vibration, ultrasonic vibration is applied to the cleaning solution flow path in the flow path setting member 78b, the channel setting member 78a, 78b a nozzle 82 for firing the cleaning solution that has passed through the firing instruction P of the main controller 20 has outputs
DVに応じて内の清掃用溶液を流路設定部材78a、7 Flow path sets the cleaning solution in accordance to the DV member 78a, 7
8bを介してノズル82へ向けて駆動するポンプ84 Pump 84 is driven toward the nozzle 82 through the 8b
と、容器86とを備える。 And, and a container 86.

【0137】ここで、清掃用溶液としては、第2実施形態と同様に、高純度の水やアセトン、あるいは感光剤の溶剤を含有する溶液であって、対物レンズOBやそのコートにダメージを与えない溶液を使用できる。 [0137] As the cleaning solution, as in the second embodiment, a solution containing high-purity water or acetone, or a solvent of a photosensitive agent, damage to the objective lens OB and the coating with no solution can be used.

【0138】本実施形態の投影露光装置では、以下のようにして転写を行う。 [0138] In the projection exposure apparatus of this embodiment performs transfer as follows.

【0139】まず、ウエハWへのパターン転写に先立って、投影光学系PLの対物レンズOBの露出した基板対向面の清掃を行う。 [0139] First, prior to pattern transfer to the wafer W, cleaning the exposed substrate surface facing the objective lens OB in the projection optical system PL. 図13には、本実施形態での対物レンズOBの清掃作業の工程が示されている。 Figure 13 is a process of cleaning of the objective lens OB in the present embodiment.

【0140】清掃にあたって、まず、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系19が、ウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTを投影光学系P [0140] In cleaning, first, according to a command of the main control unit 20, the stage control system 19, a projection optical system of the wafer stage WST via wafer stage drive section 24 P
Lの下方から退避させる。 It is retracted from below the L. 引き続き、清掃用ステージC Subsequently, the cleaning stage C
STの位置情報(あるいは速度情報)SP2に基づいて清掃用ステージCSTの位置を確認しつつ清掃用ステージ駆動指示MS2を出力し、清掃用ステージ駆動部58 Outputs position information (or speed information) cleaning stage driving instruction MS2 while confirming the position of the cleaning stage CST based on SP2 of ST, cleaning stage driving unit 58
を介して、清掃用ステージCSTをXY方向に移動して超音波洗浄器40を投影光学系PLの下方であって、ノズル82から清掃用溶液が発射された場合に、清掃用溶液が対物レンズOBの基板対向面に到達する位置に移動させる。 Through, the ultrasonic cleaner 40 by moving the cleaning stage CST in the XY directions to a lower of the projection optical system PL, and if the cleaning solution is emitted from the nozzle 82, the cleaning solution is an objective lens It is moved to a position reaching the substrate surface facing OB.

【0141】次に、主制御装置20が超音波振動指示S [0141] Next, main controller 20 ultrasonic vibration instruction S
S2及び発射指示PDVを出力し、超音波振動器80を超音波振動させるとともに、液漕76内の清掃用溶液を流路に供給する。 S2 and outputs a firing instruction PDV, supplies an ultrasonic vibrator 80 causes ultrasonic vibration, the cleaning solution in the liquid tank 76 to the flow path. この結果、流路中の流路設定部材78 As a result, flow path setting member 78 in the channel
b内で清掃用液体に超音波振動が付与され、超音波振動している清掃用溶液がノズル82から対物レンズOBへ向けて発射される。 Ultrasonic vibration to the cleaning liquid in the b is applied, a cleaning solution that ultrasonic vibrations are emitted toward the nozzle 82 to the objective lens OB. こうして、清掃用溶液によって対物レンズOBの基板対向面が清掃される(図13(a)参照)。 Thus, the substrate-facing surface of the objective lens OB is cleaned by the cleaning solution (see FIG. 13 (a)).

【0142】次いで、ステージ制御系19が回転駆動指示RDVを出力し、回転駆動器74を介して発射器72 [0142] Then, the stage control system 19 outputs a rotational driving instruction RDV, launchers via a rotary drive 74 72
をXY平面内で180°回転するとともに、清掃用ステージCSTの位置情報(あるいは速度情報)SP2に基づいて清掃用ステージCSTの位置を確認しつつ清掃用ステージ駆動指示MS2を出力し、清掃用ステージ駆動部58を介して、清掃用ステージCSTをXY方向に移動して超音波洗浄器40を投影光学系PLの下方であって、ノズル82から清掃用溶液が発射された場合に、清掃用溶液が対物レンズOBの基板対向面に到達する位置に移動させる。 Together with 180 ° rotation in the XY plane, and outputs the cleaning stage driving instruction MS2 while confirming the position of the cleaning stage CST on the basis of the position information (or speed information) SP2 cleaning stage CST, cleaning stage via the drive unit 58, a lower moving the cleaning stage CST in the XY directions ultrasonic cleaner 40 the projection optical system PL, when the cleaning solution from the nozzle 82 is fired, the solution for cleaning There is moved to a position reaching the substrate surface facing the objective lens OB.

【0143】次に、主制御装置20が超音波振動指示S [0143] Next, the main control device 20 is an ultrasonic vibration instruction S
S2及び発射指示PDVを出力し、超音波振動している清掃用溶液をノズル82から対物レンズOBへ向けて発射し、対物レンズOBの基板対向面を清掃する。 S2 and outputs a firing instruction PDV, cleaning solution that ultrasonic vibration emits toward the objective lens OB from nozzles 82 to clean the substrate-facing surface of the objective lens OB.

【0144】以上のようにして、清掃作業が完了した後、ステージ制御系19が清掃器駆動部58を介して清掃用ステージCSTを投影光学系PLの下方から退避する。 [0144] As described above, after the cleaning operation is completed, the stage control system 19 is retracted the cleaning stage CST through the cleaning device drive unit 58 from below the projection optical system PL. そして、第1実施形態と同様に、ウエハWをウエハホルダ9で保持し、位置合わせを行った後、照明系で発生した露光用照明光でレチクルRを照明し、レチクルR Then, like the first embodiment, holding the wafer W in the wafer holder 9, after the alignment, and illuminates the reticle R with the exposure illumination light generated by the illumination system, a reticle R
に描画されたパターンを投影光学系PLでウエハW上に投影し、ウエハWを露光して、パターン転写を行う。 Projected onto the wafer W to the drawn pattern projection optical system PL, the wafer W is exposed, a pattern transfer.

【0145】本実施形態によれば、第2実施形態と同様に、転写に先立ち、前回までの転写によって、ウエハW According to [0145] this embodiment, like the second embodiment, prior to the transfer, the transfer up to the last time, the wafer W
の被露光面の最も近くに配置された投影光学系PLの光学部材(対物レンズOB)の基板対向面に付着した感光剤等の汚れを清掃することにより、光学部材の基板対向面の汚れが少なく、投影光学系PLとウエハWとの間に雰囲気以外の介在物が無い状態で、投影光学系PLとウエハWとを近付けて好適な転写を実行することができる。 By cleaning dirt such as a photosensitive agent attached to the substrate-facing surface of the optical member located closest to projection optical system PL of the exposure surface (the objective lens OB), the contamination of the substrate opposing surface of the optical member less, in the absence of inclusions other than the atmosphere between the projection optical system PL and the wafer W, it is possible to perform a suitable transfer closer to the projection optical system PL and the wafer W.

【0146】なお、第1実施形態と同様に、汚れと転写回数やウエハWに照射された光エネルギ量との関係を測定し、清浄な基板対向面が所定の許容できない汚れに達するまでの露光回数である限界転写回数を評価しておくことにより、例えば所定回数の転写や所定光エネルギ量の照射の都度あるいはそれ以前の時点で定期的に清掃作業を実行することで、投影露光装置を清掃のため頻繁に停止させなくとも良いので、生産性が向上する。 [0146] As in the first embodiment, measurement of the relationship between the dirt and the number of transfers and the wafer W light energy amount irradiated to the exposure to the clean substrate facing surface reaches the dirt that can not be predetermined allowable by previously evaluated limit transfer times which is the number of times, for example, by executing regular cleaning in each case, or a point in time prior thereto the irradiation of the transfer and a predetermined light energy value of the predetermined number of times, cleaning the projection exposure apparatus since frequently may not be stopped for, the productivity is improved.

【0147】なお、本実施形態では、異なる2方向で清掃用溶液を対物レンズOBへ向けて発射することとしたが、1方向のみで発射することとすることも可能であるし、異なる3方向以上で発射することも可能である。 [0147] In the present embodiment, different cleaning solutions in two directions has been decided to fire toward the objective lens OB, it is also possible to be fired only in one direction, three different directions it is also possible to fire at least.

【0148】本実施形態は、例えば第1、3、または4 [0148] The present embodiment, for example, first and third or 4,
実施形態と組み合わせることが可能であり、本実施形態での清掃動作を実行後に、組み合わせた各実施形態の清掃動作を実行することにより、清掃用溶液の回収を兼ねることができる。 It can be combined with the embodiment, after performing the cleaning operation of the present embodiment, by performing the cleaning operation of the embodiments in combination, can also serve as a collection of the cleaning solution.

【0149】また、本実施形態では、清掃用溶液に超音波振動を付与したが、超音波振動を付与せずに対物レンズOBに清掃用溶液を吹き付けることとすることも可能である。 [0149] In the present exemplary embodiment has been applying ultrasonic vibration to the cleaning solution, it is also possible to blowing cleaning solution to the objective lens OB without applying ultrasonic vibration. この場合にも、例えば第1、3、または4実施形態と組み合わせることが可能であり、本実施形態での清掃動作を実行後に、組み合わせた各実施形態の清掃動作を実行することにより、清掃用溶液の回収を兼ねることができる。 Also in this case, can be combined with for example 1, 3 or 4 embodiments, after performing the cleaning operation of the present embodiment, by performing the cleaning operation of the embodiments in combination, for cleaning it can also serve as a collection of the solution.

【0150】《第6実施形態》以下、本発明の第6実施形態の投影露光装置及び投影露光方法を、図14及び図15に基づいて説明する。 [0150] "Sixth Embodiment" Hereinafter, a sixth projection exposure apparatus and the projection exposure method of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 and 15. なお、本実施形態の説明にあたって、上記の説明における要素と同等の要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。 In the description of this embodiment, the same reference numerals are given to elements analogous to those in the above description, without redundant description.

【0151】本実施形態の投影露光装置は、図1に示した第1実施形態の投影露光装置における清掃部材8に代えて、図14にその概略構成が断面で示される超音波洗浄器40及び汚れ測定装置84を採用した点に特徴を有する。 [0151] The projection exposure apparatus of this embodiment, in place of the cleaning member 8 in the projection exposure apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1, an ultrasonic cleaner 40 and its schematic structure in FIG. 14 is shown in cross-section characterized in that employing the dirt measuring device 84. そして、転写時以外の時に投影光学系PLを構成する対物レンズOBの汚れを汚れ測定装置84測定し、 Then, the projection optical system PL objective lens dirt and measuring device 84 measures contamination of OB constituting the time other than the time of transfer,
必要に応じて超音波洗浄器40によって清掃する。 Cleaning by ultrasonic cleaner 40 as needed.

【0152】汚れ測定装置84は、主制御装置20から出力された発光指示PSDに応じて測定光を発光する光源86と、ハーフミラー88及びレンズ90、92を有する光学系と、対物レンズOBの基板対向面で反射された測定光を検出する光検出器94と、光検出器94から出力された検出結果DDTから汚れを測定する汚れ測定処理部96とを備える。 [0152] contamination measuring apparatus 84 includes a light source 86 for emitting measuring light according to the light emission instruction PSD outputted from the main controller 20, an optical system having a half-mirror 88 and the lens 90, 92, the objective lens OB It includes a photodetector 94 for detecting the measurement light reflected by the substrate facing surface, and a stain measurement processing unit 96 to measure the dirt from the detection result DDT outputted from the light detector 94. そして、光源86から出射された測定光は、ハーフミラー88及びレンズ90を順次経由して対物レンズOBの基板対向面に照射され、また、 Then, the measurement light emitted from the light source 86 is irradiated on the substrate-facing surface of the objective lens OB via the half mirror 88 and the lens 90 sequentially, also,
対物レンズOBの基板対向面で反射された測定光は、レンズ90、ハーフミラー88、及びレンズ92を順次経由して、光検出器94の受光面で結像される。 Measurement light reflected by the substrate-facing surface of the objective lens OB, the lens 90 via the half mirror 88, and the lens 92 sequentially imaged by the light receiving surface of the photodetector 94. すなわち、本実施形態では、ハーフミラー88及びレンズ90 That is, in this embodiment, a half mirror 88 and the lens 90
が照射光学系を構成し、光源86及び照明光学系が照明系を構成し、また、レンズ90、ハーフミラー88、及びレンズ92が結像光学系を構成している。 There constitute an irradiation optical system, the light source 86 and illumination optical system constitute an illumination system, also, the lens 90, half mirror 88, and lens 92 constitute an imaging optical system.

【0153】ここで、光検出器94としては、2次元配列された光電変換単位を有する光検出器、例えば2次元電荷結合デバイス(CCD)を好適に採用できる。 [0153] As the photodetector 94, the photodetector having a two-dimensional array of photoelectric conversion units, for example, a two-dimensional charge-coupled device (CCD) can be suitably employed.

【0154】本実施形態の投影露光装置では、以下のようにしてパターン転写を行う。 [0154] In the projection exposure apparatus of this embodiment performs pattern transfer in the following manner.

【0155】まず、ウエハWへのパターン転写に先立って、投影光学系PLの対物レンズOBの露出した基板対向面の汚れを測定し、必要に応じて清掃を行う。 [0155] First, prior to pattern transfer to the wafer W, to measure the contamination of the exposed substrate surface facing the objective lens OB of the projection optical system PL, and to clean if necessary. 図15 Figure 15
には、本実施形態での対物レンズOBの清掃作業の工程が示されている。 The step of cleaning the objective lens OB in the present embodiment.

【0156】まず、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系19が、ウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTを投影光学系PLの下方から退避させる。 [0156] First, according to a command of the main control unit 20, the stage control system 19, to retract the wafer stage WST from below the projection optical system PL via the wafer stage drive section 24. 引き続き、清掃用ステージCSTの位置情報(あるいは速度情報)SP2に基づいて清掃用ステージCSTの位置を確認しつつ清掃用ステージ駆動指示MS Subsequently, the position information (or speed information) cleaning stage driving instruction MS and while checking the position of the cleaning stage CST based on SP2 of the cleaning stage CST
2を出力し、清掃用ステージ駆動部58を介して、清掃用ステージCSTをXY方向に移動して汚れ測定装置8 Outputs 2 through a cleaning stage driving unit 58, dirt by moving the cleaning stage CST in the XY direction measuring device 8
4の光学系を投影光学系PLの下方であって、測定光を対物レンズOBの基板対向面に照射できる位置に移動させる。 4 of the optical system to a lower of the projection optical system PL, and moves the measuring beam at a position capable of irradiating the substrate-facing surface of the objective lens OB.

【0157】次に、主制御装置20が発光指示PSDを出力し、光源86を発光させて測定光を発生させる。 [0157] Next, the main controller 20 outputs a light emission instruction PSD, and generates a measurement light by the light emitting light source 86. 光源86から出射された測定光は、照射光学系を経由して対物レンズOBの基板対向面に照射される。 Measuring light emitted from the light source 86 is irradiated to the substrate surface facing the objective lens OB via the irradiation optical system. そして、対物レンズOBの基板対向面で反射された測定光は、結像光学系を経由して光検出器94の受光面に入射し、光検出器94で検出される。 The measurement light reflected by the substrate-facing surface of the objective lens OB, via the image forming optical system is incident on the light receiving surface of the photodetector 94, is detected by the photodetector 94. 光検出器94での検出結果は汚れ測定処理部96に通知され、汚れが測定される(図1 Detection result in the photodetector 94 is notified to contamination measuring unit 96, dirt is measured (Fig. 1
5(a)参照)。 5 (a) see).

【0158】次いで、測定された汚れに基づいて、主制御装置20が清掃の必要の有無を判定する。 [0158] Then, based on the measured stain, the main controller 20 determines whether it is necessary for cleaning. この判定は、次回の露光が、汚れが所定の許容限界値以下の状態でなされ得るか否かの観点からなされる。 This determination is next exposure, contamination is made in terms of whether may be made in the following state for a predetermined tolerable value. なされ得る場合には、清掃の必要無の判定がなされ、なされ得ない場合には、清掃の必要有の判定がなされる。 If that can be made is, a determination is made of the need no cleaning, if not made, determination is made necessary chromatic cleaning.

【0159】清掃の必要無と判定された場合には、ステージ制御系19が清掃器駆動部58を介して清掃用ステージCSTを投影光学系PLの下方から退避する。 [0159] If it is determined that required no cleaning, the stage control system 19 is retracted the cleaning stage CST through the cleaning device drive unit 58 from below the projection optical system PL. そして、第1実施形態と同様に、ウエハWをウエハホルダ9 Then, like the first embodiment, the wafer W holder 9
で保持し、位置合わせを行った後、照明系で発生した露光用照明光でレチクルRを照明し、レチクルRに描画されたパターンを、投影光学系PLでウエハW上に投影し、ウエハWを露光する。 In holding, after the alignment, and illuminates the reticle R with the exposure illumination light generated by the illumination system projects the pattern drawn on the reticle R, onto the wafer W by the projection optical system PL, the wafer W to expose the.

【0160】清掃の必要有と判定された場合には、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系19が、清掃用ステージCSTの位置情報(あるいは速度情報)SP [0160] If it is determined that necessary chromatic of cleaning, depending on the direction of master controller 20, the stage control system 19, position information (or speed information) of the cleaning stage CST SP
2に基づいて清掃用ステージの位置を確認しつつ清掃用ステージ駆動指示MS2を出力し、清掃用ステージ駆動部58を介して、清掃用ステージCSTをXY方向に移動して超音波洗浄器40を投影光学系PLの下方に移動させる(図15(b)参照)。 2 the position of the cleaning stage and while outputting the cleaning stage driving instruction MS2 confirmed based on, through a cleaning stage driving unit 58, the ultrasonic cleaner 40 by moving the cleaning stage CST in the XY directions is moved below the projection optical system PL (see FIG. 15 (b)). 以後、第2実施形態と同様にして、対物レンズOBの清掃が実行される。 Thereafter, as in the second embodiment, the cleaning of the objective lens OB is performed.

【0161】次に、主制御装置20の指令に応じ、ステージ制御系19が、清掃用ステージCSTの位置情報(あるいは速度情報)SP2に基づいて清掃用ステージ駆動指示MS2を出力し、清掃用ステージ駆動部58を介して、清掃用ステージCSTをXY方向に移動して汚れ測定装置84の光学系を投影光学系PLの下方であって、測定光を対物レンズOBの基板対向面に照射できる位置に移動させる。 [0161] Next, the main control according to a command device 20, the stage control system 19 outputs a cleaning stage driving instruction MS2 based on the positional information (or velocity information) SP2 cleaning stage CST, cleaning stage via the drive unit 58, the optical system of the fouling measurement device 84 by moving the cleaning stage CST in the XY directions to a lower of the projection optical system PL, and the position can be irradiated with the measurement light to the substrate surface facing the objective lens OB to move to. そして、汚れ測定装置84によって、上述の汚れ測定と同様にして、対物レンズOBの基板対向面の汚れを測定し、清掃の効果を確認する。 Then, by contamination measuring apparatus 84, similar to the dirt measurements described above, to measure the contamination of the substrate surface facing the objective lens OB, to confirm the effect of the cleaning.

【0162】清掃の効果が十分であると確認された場合には、ステージ制御系19が清掃用ステージ駆動部58 [0162] If the effect of cleaning has been confirmed to be sufficient, the stage control system 19 is the cleaning stage driving unit 58
を介して清掃用ステージCSTを投影光学系PLの下方から退避する。 It saves the cleaning stage CST from below the projection optical system PL via the. そして、第1実施形態と同様に、ウエハWをウエハホルダ9で保持し、位置合わせを行った後、 Then, like the first embodiment, holding the wafer W in the wafer holder 9, after the alignment,
照明系で発生した露光用照明光でレチクルRを照明し、 It illuminates the reticle R with the exposure illumination light generated by the illumination system,
レチクルRに描画されたパターンを投影光学系PLでウエハW上に投影し、ウエハWを露光して、パターン転写を実行する。 Projected onto the wafer W drawn pattern on the reticle R in the projection optical system PL, the wafer W is exposed, to perform the pattern transfer. 清掃の効果が不十分であった場合には、清掃作業及び清掃効果の確認を繰り返す。 If the effect of cleaning was insufficient, repeat the confirmation of the cleaning work and cleaning effect.

【0163】本実施形態によれば、転写に先立ち、前回までの転写によって、ウエハWの被露光面の最も近くに配置された投影光学系PLの光学部材(対物レンズO According to [0163] this embodiment, prior to the transfer, the transfer up to the last time, located closest to an optical member of the projection optical system PL (the objective lens O to be exposed surface of the wafer W
B)の基板対向面に付着した感光剤等の汚れを測定し、 Dirt measured such as a photosensitive agent attached to the substrate-facing surface of B),
必要に応じて清掃するので、光学部材の基板対向面の汚れが少なく、投影光学系PLとウエハWとの間に雰囲気以外の介在物が無い状態で、投影光学系PLとウエハW Since clean if necessary, less contamination of the substrate opposing surface of the optical member, in the absence of inclusions other than the atmosphere between the projection optical system PL and the wafer W, the projection optical system PL and the wafer W
とを近付けて好適な転写を確実に実行することができる。 It is possible to perform a suitable transcription securely close and.

【0164】なお、本実施形態では、汚れ測定装置を第2実施形態と組み合わせたが、本実施形態の汚れ測定装置と第1、3〜5実施形態と組み合わせることも可能である。 [0164] Incidentally, in the present embodiment, the soiled measuring apparatus in combination with a second embodiment, it is also possible to combine the soiled measuring device and the 1, 3 to 5 embodiments of the present embodiment.

【0165】また、汚れ測定にあたって、測定光として露光用照明光を使用し、対物レンズOBの透過光を検出することにより、汚れを測定することも可能であるが、 [0165] Further, when dirt measurement, using the exposure illumination light as measurement light, by detecting the light transmitted through the objective lens OB, it is also possible to measure the contamination,
測定用の光学系を構成する光学部材として紫外光を透過する部材を選択する必要があり、光学部材の選択の余地が狭くなることに注意する必要がある。 Must select a member for transmitting ultraviolet light as optical members constituting the optical system for the measurement, it should be noted that the scope of the optical member selection is narrowed.

【0166】《第7実施形態》以下、本発明の第7実施形態の投影露光装置及び投影露光方法を、図16及び図17に基づいて説明する。 [0166] "Seventh Embodiment" Hereinafter, a seventh projection exposure apparatus and the projection exposure method of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 16 and 17. なお、本実施形態の説明にあたって、上記の説明における要素と同等の要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。 In the description of this embodiment, the same reference numerals are given to elements analogous to those in the above description, without redundant description.

【0167】本実施形態の投影露光装置は、ウエハWの投影露光を行うとともに、転写時に、ウエハWの最も近くに配設される投影光学系の光学部材への汚れ原因物質の到達を防止するものである。 [0167] The projection exposure apparatus of this embodiment, performs the projection exposure of the wafer W, at the time of transfer, to prevent the arrival of dirt causative agent of the optical element of the projection optical system disposed closest to the wafer W it is intended. 図16には、本実施形態の投影露光装置の概略的な構成が示されている。 Figure 16 shows a schematic configuration of a projection exposure apparatus of this embodiment.

【0168】本実施形態の投影露光装置は、図16に示されるように、図1に示した第1実施形態の投影露光装置における清掃部材8を、図17にその概略構成が示される汚れ防止装置98で置き換えた点に特徴を有する。 [0168] The projection exposure apparatus of this embodiment, as shown in FIG. 16, anti-fouling cleaning member 8 in the projection exposure apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1, the schematic configuration thereof in FIG. 17 shown characterized in that replaced in the apparatus 98.

【0169】汚れ防止装置98は、図17に示されるように、雰囲気気体の流動経路を設定する流動経路設定部材102a、102b、104a、及び104bと、流動経路設定部材102bの開放端から雰囲気を取り込み流動経路設定部材102bを経由して流動経路設定部材102aへ取り込んだ雰囲気を供給する吸入ポンプ10 [0169] anti-fouling device 98, as shown in FIG. 17, the flow path setting member 102a for setting the flow path of the atmospheric gas, 102b, 104a, and the 104b, the atmosphere from the open end of the flow path setting member 102b uptake flow routing via member 102b flow path setting member inhalation pump for supplying the atmosphere taken to 102a 10
6と、流動経路設定部材104aを経由した雰囲気を流動経路設定部材104bの開放端から排出させる排出ポンプ108とを備える。 It includes a 6, and a discharge pump 108 for discharging the atmosphere via the flow path setting member 104a from the open end of the flow path setting member 104b. そして、流動経路設定部材10 The flow path setting member 10
2aの開放端と流動経路設定部材104aの開放端とは、雰囲気流動の点では結合しているが、少なくとも対物レンズOBの付近では物理的に分離しており、露光用照明光の進行経路にまでは延伸していない。 The open end of the open end and the flow path setting member 104a of 2a, but in terms of atmosphere flow are attached, in the vicinity of at least the objective lens OB are physically separate, the traveling path of the illumination light for exposure up is not stretched. したがって、投影光学系PLから出射された露光用照明光は、雰囲気中のみを経由してウエハWに到達する。 Accordingly, the exposure illumination light emitted from the projection optical system PL reaches the wafer W via the atmosphere only.

【0170】吸入ポンプ106は、主制御装置20から出力された吸入指示PD1に応じて吸入動作を実行し、 [0170] Inhalation pump 106 performs a suction operation in accordance with the suction instruction PD1 output from the main controller 20,
排出ポンプ108は、主制御装置20から出力された排出指示PD2に応じて排出動作を実行する。 Discharge pump 108 performs a discharging operation in accordance with the discharge instruction PD2 output from the main controller 20.

【0171】本実施形態の投影露光装置では、以下のようにしてパターン転写を行う。 [0171] In the projection exposure apparatus of this embodiment performs pattern transfer in the following manner.

【0172】まず、主制御装置20が、吸入指示PD1 [0172] First, the main controller 20, inhalation instruction PD1
及び排出指示PD2を出力し、流動経路102b、10 And outputs a discharge instruction PD2, flow path 102b, 10
2a、104a、及び104bを順次経由する雰囲気気体の流動を発生させる。 2a, 104a, and generates a flow of atmospheric gas via 104b sequentially. 次に、ウエハWをウエハホルダ9で保持し、露光用の位置合わせを行った後、照明系で発生した露光用照明光でレチクルRを照明し、レチクルRに描画されたパターンを投影光学系PLでウエハW上に投影し、ウエハWを露光して、パターン転写を行う。 Then, holding the wafer W in the wafer holder 9, after the positioning of the exposure, and illuminates the reticle R with the exposure illumination light generated by the illumination system, a projection optical system drawn pattern on the reticle R PL in projected onto the wafer W, the wafer W is exposed, a pattern transfer.

【0173】本実施形態の投影露光装置によれば、まず、投影光学系PLの対物レンズOBという、ウエハW [0173] According to the projection exposure apparatus of this embodiment, first, that the objective lens OB of the projection optical system PL, and the wafer W
の近くに配置される光学部材の基板対向面付近の雰囲気気体を流動させながら、転写を実行する。 In flowing atmospheric gas near the substrate surface facing the optical member disposed in the vicinity of, performing transcription. したがって、 Therefore,
雰囲気気体の流動によって、感応基板としてのウエハW By the flow of the atmospheric gas, the wafer W as a sensitive substrate
で発生した汚れ原因物質の対物レンズOBへの到達を防止しながら、投影光学系とウエハWとの間における露光用照明光の進行経路には雰囲気気体以外の介在物が無い状態で転写を行う。 In while preventing the arrival of the objective lens OB for generating dirt causative agent, performs transfer in a state inclusions other than ambient gas is not the traveling path of the exposure illumination light between the projection optical system and the wafer W . この結果、対物レンズOBの基板対向面の汚れが少なく、投影光学系とウエハWとの間に雰囲気気体以外の介在物が無い状態で、投影光学系とウエハWとを近付けて、好適な転写を実行することができる。 As a result, less contamination of the substrate surface facing the objective lens OB, in the absence of inclusions other than ambient gas between the projection optical system and the wafer W, closer to the projection optical system and the wafer W, the preferred transfer it is possible to run.

【0174】なお、本実施形態では雰囲気気体を流動させたが、他の種類の気体を流動させることとしてもよい。 [0174] Note that in this embodiment, in flowing gaseous atmosphere, may be flowing other types of gases.

【0175】本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。 [0175] The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible. 例えば、上記の各実施形態では、転写時における露光用照明光の光路上、ウエハWの最も近くに配置された光学部材を対物レンズとしたが、対物レンズよりも露光用照明光の光路の下流に、例えば光路補正用の光学部材が配設される場合には、この光路補正用の光学部材を清掃対象あるいは汚れ防止対象として、各実施形態を適用することができる。 For example, in the above embodiments, the optical path of the exposure illumination light at the time of transfer, the disposed closest to the optical member wafer W has been an objective lens, downstream of the optical path of the exposure illumination light than the objective lens to, for example, when the optical member for optical path compensation is provided, as a cleaned or dirt-protected optical members for the optical path correction, can be applied to the embodiments.

【0176】また、清掃の対象となる光学部材は、投影光学系の先端部の光学部材に限定されない。 [0176] Further, the optical member to be cleaned is not limited to the optical member at the end portion of the projection optical system. 例えば、ウエハWの位置を検出するためのフォーカス検出光学系やアラインメント光学系の先端部の光学部材を清掃対象とすることも可能である。 For example, it is possible to make the focus detecting optical system and alignment optical system the optical member of the tip portion of the for detecting the position of the wafer W and cleaned.

【0177】また、第6実施形態における汚れ検出装置が、清掃装置と共に配設されるのではなく、単独で配設され、汚れ測定装置による測定結果が許容限界値を超える前に、測定対象の光学部材を交換することとすることが可能である。 [0177] In addition, contamination detection apparatus according to the sixth embodiment, rather than being disposed with the cleaning device is disposed alone, the measurement results due to contamination measuring apparatus before exceeding the allowable limit value, the measurement object it is possible to replacing the optical member.

【0178】なお、上記の各実施形態において、ウエハステージ又はウエハステージとは別の清掃用ステージを、2次元平面モータ上で浮上して駆動されるガイドレスタイプのステージとすることもできるし、また、機械的なガイドを持ったステージとすることもできる。 [0178] In each embodiment described above, a separate cleaning stage and the wafer stage or the wafer stage, may be employed a guideless type stage that is driven by floating on 2 dimensional planar motor, In addition, it is also possible to the stage with a mechanical guide.

【0179】 [0179]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、請求項1 Effect of the Invention] As described above in detail, according to claim 1
〜7の投影露光装置によれば、転写に先立ち、前回までの転写によって、感応基板の被露光面の近くに配置された光学部材に付着した感光剤等の汚れを清掃することにより、光学部材の汚れが少なくなり、露光精度を向上できるという従来にない優れた効果がある。 According to 7-projection exposure apparatus, prior to the transfer, the transfer of up to the previous time, by cleaning the dirt such as a photosensitive agent adhered to an optical member disposed in the vicinity of the surface to be exposed of the sensitive substrate, the optical element dirt is reduced, there is excellent effect unprecedented that can improve exposure accuracy.

【0180】また、請求項8及び請求項9の投影露光装置によれば、転写に先立ち、前回までの転写によって、 [0180] Also, according to the projection exposure apparatus according to claim 8 and claim 9, prior to the transfer, the transfer up to the previous time,
感応基板の被露光面の近くに配置された光学部材に付着した感光剤等の汚れを測定し、必要に応じて光学部材の清掃あるいは交換をすることができるので、光学部材の汚れが少なくなり、露光精度を向上できるとともに、生産性を向上できるという従来にない優れた効果がある。 Dirt such as a photosensitive agent adhered to an optical member disposed in the vicinity of the surface to be exposed of the sensitive substrate is measured, it is possible to clean or replace the optical element as required, contamination of the optical member is reduced , it is possible to improve exposure accuracy, there is excellent effect unprecedented that productivity can be improved.

【0181】また、請求項10及び請求項11の投影露光装置によれば、感応基板の近くに配置された光学部材と感応基板との間の気体を流動させることにより、汚れ原因物質の光学部材への到達を防止するので、光学部材の汚れが少なくなり、露光精度を向上できるとともに、 [0181] Also, according to the projection exposure apparatus according to claim 10 and claim 11, by flowing the gas between the optical member located in the vicinity of the sensitive substrate with sensitive substrate, an optical member dirt causative agent since prevented from reaching the dirt of the optical member is reduced, it is possible to improve exposure accuracy,
生産性を向上できるという従来にない優れた効果がある。 There are excellent effects unprecedented that productivity can be improved.

【0182】また、請求項12に記載の投影露光装置によれば、転写時における汚れ原因物質の付着による、露光用の照明光の光路上であって感応基板の最も近くに配置される投影光学系を構成する光学部材の汚れを心配する必要がなくなるとともに、投影光学系を感応基板の近づけた投影光学系の設計が可能となるので、より高開口数の投影光学系の実現が簡単にできるという従来にない優れた効果がある。 [0182] Further, according to the projection exposure apparatus according to claim 12, projection optics due to adhesion of dirt causative agent upon transfer, it is arranged closest to the photosensitive substrate a light path of the illumination light for exposure together need to worry about contamination of the optical element is eliminated to configure the system, since the projection optical system becomes possible to design a close projection optical system of the sensitive substrate, more realization of high numerical aperture of the projection optical system can be easily there is an excellent effect unprecedented that.

【0183】また、請求項13の投影露光装置によれば、感光剤等が付着しやすい、感応基板を位置合わせするための光学系の先端部の光学部材を清掃、汚れ測定、 [0183] Also, according to the projection exposure apparatus according to claim 13, it tends to adhere such as a photosensitive agent, cleaning an optical member of the distal end portion of an optical system for aligning the sensitive substrate, dirt measurements,
又は汚れ防止の対象とするので、光学部材の汚れが少なくなり、露光精度を向上できるという従来にない優れた効果がある。 Or because the object of preventing contamination, contamination of the optical element is reduced, there is excellent effect unprecedented that can improve exposure accuracy.

【0184】また、請求項14〜16の投影露光方法によれば、まず、清掃工程を実行し、前回までの転写によって感応基板の被露光面の近くに配置された光学部材に付着した感光剤等の汚れを清掃して、基板対向面を清浄とした後、転写ステップを実行するので、光学部材の汚れが少なくなり、露光精度を向上できるという従来にない優れた効果がある。 [0184] Also, according to the projection exposure method according to claim 14 to 16, first, executes the cleaning process, the photosensitive agent attached to an optical member disposed in the vicinity of the surface to be exposed of the sensitive substrate by the transfer up to the last time clean the dirt etc., after the substrate-facing surface was cleaned, so to perform the transfer step, contamination of the optical element is reduced, there is excellent effect unprecedented that can improve exposure accuracy.

【0185】また、請求項17の投影露光方法によれば、転写の実行に先立って、まず、汚れ測定工程を実行して光学部品の汚れを測定し、判断工程で、測定結果に基づいて転写を実行するか否かを判断するので、光学部材の基板対向面の汚れが少なくなり、露光精度を向上できるとともに、生産性を向上できるという従来にない優れた効果がある。 [0185] Also, according to the projection exposure method according to claim 17, prior to the execution of the transfer, first, by performing the dirt measuring step measures the contamination of the optical components, at decision step, transfer based on the measurement result since it is determined whether or not to execute, contamination of the substrate opposing surface of the optical member is reduced, it is possible to improve exposure accuracy, there is excellent effect unprecedented that productivity can be improved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】第1実施形態の投影露光装置の概略構成を示す図である。 1 is a diagram showing a schematic arrangement of a projection exposure apparatus of the first embodiment.

【図2】図1の装置の走査露光の原理を説明するための図である。 2 is a diagram for explaining the principle of scanning exposure apparatus of Figure 1.

【図3】図1の装置のセンタアップの構成を示す図である。 3 is a diagram showing the configuration of the center-up of the device of FIG.

【図4】図1の装置の清掃装置の構成を示す図である。 4 is a diagram showing a configuration of a cleaning device of the apparatus of FIG.

【図5】図1の装置による清掃工程を説明するための図である。 5 is a diagram for explaining a cleaning process by the apparatus of FIG.

【図6】第2実施形態の投影露光装置の清掃装置の構成を示す図である。 6 is a diagram showing a configuration of a cleaning device of a projection exposure apparatus of the second embodiment.

【図7】第2実施形態の投影露光装置による清掃工程を説明するための図である。 7 is a diagram for explaining a cleaning process by the projection exposure apparatus of the second embodiment.

【図8】第3実施形態の投影露光装置の清掃装置の構成を示す図である。 8 is a diagram showing a configuration of a cleaning device of a projection exposure apparatus of the third embodiment.

【図9】第3実施形態の投影露光装置による清掃工程を説明するための図である。 9 is a diagram for explaining a cleaning process by the projection exposure apparatus of the third embodiment.

【図10】第4実施形態の投影露光装置の清掃装置の構成を示す図である。 10 is a diagram showing a configuration of a cleaning device of a projection exposure apparatus of the fourth embodiment.

【図11】第4実施形態の投影露光装置による清掃工程を説明するための図である。 11 is a diagram for explaining a cleaning process by the projection exposure apparatus of the fourth embodiment.

【図12】第5実施形態の投影露光装置の清掃装置の構成を示す図である。 12 is a diagram showing a configuration of a cleaning device of a projection exposure apparatus of the fifth embodiment.

【図13】第5実施形態の投影露光装置による清掃工程を説明するための図である。 13 is a diagram for explaining a cleaning process by the projection exposure apparatus of the fifth embodiment.

【図14】第6実施形態の投影露光装置の清掃装置の構成を示す図である。 14 is a diagram showing a configuration of a cleaning device of a projection exposure apparatus of the sixth embodiment.

【図15】第6実施形態の投影露光装置による清掃工程を説明するための図である。 15 is a diagram for explaining a cleaning process by the projection exposure apparatus of the sixth embodiment.

【図16】第7実施形態の投影露光装置の概略構成を示す図である。 16 is a diagram showing a schematic arrangement of a projection exposure apparatus of the seventh embodiment.

【図17】図16の装置の汚れ防止装置の構成を示す図である。 17 is a diagram showing a configuration of a stain prevention apparatus of the apparatus of FIG. 16.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

8 清掃部材(清掃装置) 34 柔軟部材(清掃装置の一部) 38 昇降器(移動機構の一部) 40 超音波洗浄器(清掃装置器) 54 移動鏡(移動機構の一部) 56 清掃器干渉計(移動機構の一部) 58 清掃用ステージ駆動部(移動機構の一部) 62 清掃装置 64 保持部材(清掃装置の一部) 66 柔軟部材(清掃装置の一部) 68 駆動部(移動機構の一部) 72 溶液発射器(清掃装置) 74 回転駆動器(移動機構の一部) 80 超音波振動器 84 汚れ測定装置 94 光検出器 98 汚れ防止装置 102 流動経路設定部材 104 流動経路設定部材 106 ポンプ(雰囲気気体供給器) R レチクル W ウエハ(感応基板) PL 投影光学系 WSD ウエハステージ CSD 清掃用ステージ(移動機構及び駆動器の一部) 8 the cleaning member (cleaning device) 34 the flexible member (portion of the cleaning device) 38 (part of the moving mechanism) elevator 40 (part of the moving mechanism) ultrasonic cleaner (cleaning device unit) 54 movable mirror 56 cleaner interferometer (part of the moving mechanism) 58 (part of the moving mechanism) cleaning stage driver 62 cleaning device 64 holding member (a part of the cleaning device) 66 (part of the cleaning device) the flexible member 68 driving unit (mobile some of the mechanisms) 72 solution launcher (cleaning device) 74 rotary actuator (part of the moving mechanism) 80 ultrasonic vibrator 84 fouling measurement device 94 photodetector 98 antifouling apparatus 102 flow path setting member 104 flow routing member 106 pump (atmospheric gas supplier) R reticle W wafer (photosensitive substrate) (part of the moving mechanism and driver) PL projection optical system WSD wafer stage CSD cleaning stage

Claims (17)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 マスクに形成されたパターンを、投影光学系を介して感応基板上に転写する投影露光装置において、所定位置に配置された光学部材を清掃する清掃装置を設けたことを特徴とする投影露光装置。 The method according to claim 1] pattern formed on the mask, a projection exposure apparatus for transferring onto a photosensitive substrate via a projection optical system, and characterized in that a cleaning device for cleaning an optical member disposed in a predetermined position projection exposure apparatus that.
  2. 【請求項2】 前記清掃装置は、前記感応基板を保持するステージ上に設置されることを特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。 Wherein said cleaning apparatus is a projection exposure apparatus according to claim 1, characterized in that it is placed on a stage for holding the photosensitive substrate.
  3. 【請求項3】 前記清掃装置は、前記ステージ上で前記感応基板を上下動するための駆動装置に載置されることを特徴とする請求項2に記載の投影露光装置。 Wherein the cleaning apparatus is a projection exposure apparatus according to claim 2, characterized in that it is mounted to a drive device for vertically moving the sensitive substrate on the stage.
  4. 【請求項4】 前記清掃装置は、前記感応基板を保持するステージとは異なる移動機構に搭載されることを特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。 Wherein said cleaning apparatus is a projection exposure apparatus according to claim 1, characterized in that it is mounted on a different mobile mechanism is a stage for holding the photosensitive substrate.
  5. 【請求項5】 前記清掃装置は、前記光学部材の清掃対象部分を洗浄用溶液に浸して超音波洗浄する超音波洗浄器を備えることを特徴とする請求項2又は4に記載の投影露光装置。 Wherein said cleaning apparatus is a projection exposure apparatus according to claim 2 or 4, characterized in that it comprises the ultrasonic cleaner for cleaning solution to soak ultrasonic cleaning the cleaned portion of the optical member .
  6. 【請求項6】 前記清掃装置は、前記光学部材の基板対向面と接触して、前記基板対向面を清掃する清掃用部材を備えることを特徴とする請求項2又は4に記載の投影露光装置。 Wherein said cleaning device, the contact with the substrate surface facing the optical member, a projection exposure apparatus according to claim 2 or 4, characterized in that it comprises a cleaning member for cleaning the substrate-facing surface .
  7. 【請求項7】 前記清掃装置は、前記光学部材の基板対向面に清掃用溶液を吹き付ける溶液発射器を備えることを特徴とする請求項2又は4に記載の投影露光装置。 Wherein said cleaning apparatus is a projection exposure apparatus according to claim 2 or 4, characterized in that it comprises a solution launcher spraying a cleaning solution to the substrate surface facing the optical member.
  8. 【請求項8】 マスクに形成されたパターンを、投影光学系を介して感応基板上に転写する投影露光装置において、所定位置に配置された光学部材の汚れを測定する汚れ測定装置を設けたことを特徴とする投影露光装置。 8. A formed on the mask pattern, that in a projection exposure apparatus for transferring onto a photosensitive substrate via a projection optical system, provided with a dirt measuring device for measuring the contamination of the optical member disposed at a predetermined position projection exposure apparatus according to claim.
  9. 【請求項9】 前記汚れ測定装置は、 前記光学部材に光を照射する照射光学系と;前記光学部材からの光を検出する光検出器と;前記光検出器の検出結果に基づいて前記光学部材の汚れを測定する汚れ測定処理器とを備えることを特徴とする請求項8に記載の投影露光装置。 Wherein said dirt measuring device, the irradiation optical system for irradiating light to the optical member and, said optical based on the detection result of the photodetector; photodetector for detecting light from the optical member and the projection exposure apparatus according to claim 8, characterized in that it comprises a stain measurement processor for measuring the contamination of members.
  10. 【請求項10】 マスクに形成されたパターンを、投影光学系を介して感応基板上に転写する投影露光装置であって、前記感応基板の露光面の近くに配置された光学部材と前記感応基板との間で気体を流動させて、前記感応基板から発生する異物が前記光学部材に到達するのを防止する汚れ防止装置を設けたことを特徴とする投影露光装置。 The 10. pattern formed on a mask, a projection exposure apparatus for transferring onto a photosensitive substrate via a projection optical system, wherein an optical member disposed near the exposure surface of the sensitive substrate sensitive substrate and a gas to flow between the projection exposure apparatus in which the foreign matter generated from the sensitive substrate, characterized in that a dirt prevention device for preventing from reaching the optical member.
  11. 【請求項11】 前記汚れ防止装置は、前記基板対向面付近に前記気体の流動経路を設定する流動経路設定部材と;前記流動経路設定部材によって設定された流動経路へ前記気体を供給する気体供給器とを備えることを特徴とする請求項10に記載の投影露光装置。 Wherein said anti-fouling device has a flow path setting member and for setting the flow path of the gas in the vicinity of the substrate opposing surface; a gas supply for supplying the gas to the flow path that is set by the flow path setting member the projection exposure apparatus according to claim 10, characterized in that it comprises a vessel.
  12. 【請求項12】 前記光学部材は、露光用の照明光の光路上であって、前記感応基板の最も近くに配置された光学部材であることを特徴とする請求項1、8、及び10 12. The method of claim 11, wherein the optical member is an optical path of the illumination light for exposure, claim 1,8, characterized in that said an optical member disposed closest to the sensitive substrate and 10,
    のいずれかに記載の投影露光装置。 The projection exposure apparatus according to any one of.
  13. 【請求項13】 前記光学部材は、前記感応基板を位置合わせするための光学系の先端部の光学部材であることを特徴とする請求項1、8、及び10のいずれかに記載の投影露光装置。 Wherein said optical member is a projection exposure according to any one of claims 1, 8, and 10, characterized in that said an optical member at the tip portion of the optical system for the sensitive substrate alignment apparatus.
  14. 【請求項14】 マスクに形成されたパターンを、投影光学系を介して感応基板上に転写する投影露光方法であって、 所定位置に配置された光学部材の汚れを清掃する清掃工程と;前記光学部材の清掃後に、前記マスクに形成されたパターンを、前記投影光学系を介して前記感応基板上に転写する転写工程とを含む投影露光方法。 14. A formed on the mask pattern, a projection exposure method for transferring onto the sensitive substrate through a projection optical system, a cleaning step for cleaning the contamination of the optical member disposed at a predetermined position; the after cleaning of the optical member, a projection exposure method comprising a transfer step of transferring the pattern formed on the mask, on the sensitive substrate through said projection optical system.
  15. 【請求項15】 前記光学部材は、露光用の照明光の光路上であって、前記感応基板の最も近くに配置された光学部材であることを特徴とする請求項14に記載の投影露光方法。 15. The optical member is an optical path of the illumination light for exposure, a projection exposure method according to claim 14, wherein an optical member disposed closest to the photosensitive substrate .
  16. 【請求項16】 前記清掃工程に先立って実行される、 16. is performed prior to the cleaning step,
    前記光学部材の汚れと転写回数との関係を測定し、前記光学部材の基板対向面が清浄な状態から所定の許容できない汚れに達するまでの露光回数である限界転写回数を評価する汚れ評価工程を更に含み、 前回の前記清掃工程の実行以後における転写の回数が前記限界転写回数に達する前に、前記清掃工程を実行することを特徴とする請求項14に記載の投影露光方法。 Measurement of the relationship between the dirt and the number of transfers of the optical member, dirt evaluation process the substrate opposing surface of the optical member to assess the limit number of times of transfer is a number of light exposure times to reach the dirt that can not be predetermined allowable from a clean state further comprising, before the number of transferring the execution after the last of the cleaning step reaches said limit number of transfers, the projection exposure method according to claim 14, wherein performing said cleaning step.
  17. 【請求項17】 マスクに形成されたパターンを、投影光学系を介して感応基板上に転写する投影露光方法であって、 所定位置に配置された光学部材の汚れを測定する汚れ測定工程と;前記測定工程で得られた測定結果に基づいて、転写を実行するか否かを判断する判断工程とを含む投影露光方法。 The 17. pattern formed on a mask, a projection exposure method for transferring onto the sensitive substrate through a projection optical system, a dirt measuring step of measuring the contamination of the optical member disposed at a predetermined position; on the basis of the measurement the measurement results obtained in step, the projection exposure method comprising a determination step of determining whether to execute the transfer.
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