JP2006165502A - Exposure apparatus, method of cleaning member thereof, maintenance method of exposure apparatus, maintenance device, and device manufacturing method - Google Patents

Exposure apparatus, method of cleaning member thereof, maintenance method of exposure apparatus, maintenance device, and device manufacturing method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure apparatus capable of preventing deterioration in exposure accuracy and measurement accuracy due to contamination of a member contacting a liquid in a liquid immersion region. <P>SOLUTION: The exposure apparatus EXS forms the liquid immersion region AR2 of a liquid LQ on the image face side of a projection optical system PL, and exposes a board P via the projection optical system PL and the liquid LQ of the liquid immersion region AR2. The exposure apparatus EXS is provided with an optical cleaning device 80 for irradiating the upper surface 31 etc. of a substrate stage PST in contact with the liquid LQ for forming the liquid immersion region AR2 with a predetermined irradiation light Lu having an optical cleaning effect. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、露光装置を構成する所定部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法に関するものである。   The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid, a cleaning method for a predetermined member constituting the exposure apparatus, a maintenance method for the exposure apparatus, maintenance equipment, and a device manufacturing method.

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長はKrFエキシマレーザの248nmであるが、更に短波長のArFエキシマレーザの193nmも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。解像度R、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。   Semiconductor devices and liquid crystal display devices are manufactured by a so-called photolithography technique in which a pattern formed on a mask is transferred onto a photosensitive substrate. An exposure apparatus used in this photolithography process has a mask stage for supporting a mask and a substrate stage for supporting a substrate, and a mask pattern is transferred via a projection optical system while sequentially moving the mask stage and the substrate stage. It is transferred to the substrate. In recent years, in order to cope with higher integration of device patterns, higher resolution of the projection optical system is desired. The resolution of the projection optical system becomes higher as the exposure wavelength used is shorter and the numerical aperture of the projection optical system is larger. Therefore, the exposure wavelength used in the exposure apparatus is shortened year by year, and the numerical aperture of the projection optical system is also increasing. The mainstream exposure wavelength is 248 nm of the KrF excimer laser, but the 193 nm of the shorter wavelength ArF excimer laser is also being put into practical use. Also, when performing exposure, the depth of focus (DOF) is important as well as the resolution. The resolution R and the depth of focus δ are each expressed by the following equations.

R=k・λ/NA … (1)
δ=±k・λ/NA … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k、kはプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
R = k 1 · λ / NA (1)
δ = ± k 2 · λ / NA 2 (2)
Here, λ is the exposure wavelength, NA is the numerical aperture of the projection optical system, and k 1 and k 2 are process coefficients. From the equations (1) and (2), it can be seen that the depth of focus δ becomes narrower when the exposure wavelength λ is shortened and the numerical aperture NA is increased in order to increase the resolution R.

焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献1に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、液体中での露光光の波長が空気中の1/n(nは液体の屈折率で通常1.2〜1.6程度)になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約n倍に拡大するというものである。
国際公開第99/49504号パンフレット
If the depth of focus δ becomes too narrow, it becomes difficult to match the substrate surface with the image plane of the projection optical system, and the focus margin during the exposure operation may be insufficient. Therefore, as a method for substantially shortening the exposure wavelength and increasing the depth of focus, for example, a liquid immersion method disclosed in Patent Document 1 below has been proposed. In this immersion method, a space between the lower surface of the projection optical system and the substrate surface is filled with a liquid such as water or an organic solvent to form an immersion region, and the wavelength of exposure light in the liquid is 1 / n of that in air. (Where n is the refractive index of the liquid, which is usually about 1.2 to 1.6), the resolution is improved, and the depth of focus is expanded about n times.
International Publication No. 99/49504 Pamphlet

ところで、基板上に液体の液浸領域を形成したとき、その液浸領域の液体中に、例えば基板上から発生した不純物が混入する可能性がある。不純物を含んだ液体の液浸領域が基板ステージ上を移動すると、基板ステージ上面(基板ステージ上に設けられた計測部上面を含む)が汚染される可能性がある。また、不純物によって基板ステージ上面が汚染されると、基板ステージ上面の液体との接触角が変化する可能性がある。   By the way, when a liquid immersion region is formed on the substrate, impurities generated from the substrate, for example, may be mixed in the liquid in the liquid immersion region. When the liquid immersion area containing impurities moves on the substrate stage, the substrate stage upper surface (including the measurement unit upper surface provided on the substrate stage) may be contaminated. Further, when the upper surface of the substrate stage is contaminated by impurities, the contact angle with the liquid on the upper surface of the substrate stage may change.

また、基板ステージ上面のみならず、液浸領域の液体に接触する投影光学系や液浸領域を形成するノズル部材などの各種部材も汚染される可能性がある。   Further, not only the upper surface of the substrate stage but also various members such as a projection optical system that contacts the liquid in the liquid immersion area and a nozzle member that forms the liquid immersion area may be contaminated.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸法を適用する場合にも、その性能劣化を防止できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。特に、液浸領域の液体に接触する部材の汚染に起因する性能劣化を防止できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また、液浸法を用いる露光装置の性能劣化を防止できるメンテナンス方法、及びメンテナンス機器を提供することを目的とする。本発明の更なる目的は、液浸領域の液体に接触する部材を、簡易に洗浄する方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and it is intended to provide an exposure apparatus capable of preventing performance deterioration even when the immersion method is applied, and a device manufacturing method using the exposure apparatus. Objective. In particular, it is an object of the present invention to provide an exposure apparatus capable of preventing performance deterioration due to contamination of a member in contact with liquid in an immersion area, and a device manufacturing method using the exposure apparatus. It is another object of the present invention to provide a maintenance method and maintenance equipment that can prevent performance deterioration of an exposure apparatus that uses an immersion method. It is a further object of the present invention to provide a method for easily cleaning a member in contact with liquid in an immersion area.

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図1〜図17に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。   In order to solve the above-described problems, the present invention adopts the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 17 shown in the embodiment. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.

本発明の第1の態様に従えば、投影光学系(PL)の像面側に液体(LQ)の液浸領域(AR2)を形成し、投影光学系(PL)と液浸領域(AR2)の液体(LQ)とを介して基板(P)を露光する露光装置において、液浸領域(AR2)を形成するための液体(LQ)に接触する部材(2、31、70、300、400、500、600など)に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光(Lu)を照射する光洗浄装置(80)を備えた露光装置(EXS、EX)が提供される。   According to the first aspect of the present invention, the liquid immersion area (AR2) of the liquid (LQ) is formed on the image plane side of the projection optical system (PL), and the projection optical system (PL) and the liquid immersion area (AR2). In the exposure apparatus that exposes the substrate (P) via the liquid (LQ), the members (2, 31, 70, 300, 400, which contact the liquid (LQ) for forming the liquid immersion area (AR2) are exposed. An exposure apparatus (EXS, EX) provided with a light cleaning device (80) for irradiating predetermined irradiation light (Lu) having a light cleaning effect to 500, 600, etc. is provided.

本発明の第1の態様によれば、液浸領域を形成するための液体に接触する部材に対して光洗浄装置を使って光洗浄効果を有する照射光を照射して光洗浄することで、その部材の汚染物質を除去することができる。   According to the first aspect of the present invention, the member that comes into contact with the liquid for forming the liquid immersion region is irradiated with irradiation light having a light cleaning effect using a light cleaning device, and is subjected to light cleaning. Contaminants on the member can be removed.

本発明の第2の態様に従えば、投影光学系(PL)の像面側の光路空間を液体(LQ)で満たして、投影光学系(PL)と液体(LQ)とを介して基板(P)を露光する露光装置において、光路空間を液体(LQ)で満たすためのノズル部材(70)と、ノズル部材(70)に付着した汚染物を除去するために、ノズル部材(70)の少なくとも一部を振動させる振動機構とを備えた露光装置(EXS、EX)が提供される。   According to the second aspect of the present invention, the optical path space on the image plane side of the projection optical system (PL) is filled with the liquid (LQ), and the substrate (with the projection optical system (PL) and the liquid (LQ) is interposed ( In the exposure apparatus for exposing P), at least one of the nozzle member (70) for filling the optical path space with the liquid (LQ) and at least one of the nozzle members (70) for removing contaminants attached to the nozzle member (70). An exposure apparatus (EXS, EX) provided with a vibration mechanism that vibrates a part is provided.

本発明の第2の態様によれば、ノズル部材を振動機構で振動させることで、ノズル部材に付着した汚染物を除去することができる。   According to the second aspect of the present invention, contaminants attached to the nozzle member can be removed by vibrating the nozzle member with the vibration mechanism.

本発明の第3の態様に従えば、上記態様の露光装置(EXS、EX)を用いるデバイス製造方法が提供される。   According to the third aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method using the exposure apparatus (EXS, EX) of the above aspect.

本発明の第3の態様によれば、高い露光精度及び計測精度を得ることができるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。   According to the third aspect of the present invention, high exposure accuracy and measurement accuracy can be obtained, so that a device having desired performance can be manufactured.

本発明の第4の態様に従えば、露光光(EL)の光路空間を液体(LQ)で満たして、液体(LQ)を介して基板(P)を露光する露光装置(EXS、EX)のメンテナンス方法において、露光装置(EXS、EX)内で液体(LQ)に接触する部材(2、31、70、300、400、500、600など)に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光(Lu、EL)を照射するメンテナンス方法が提供される。   According to the fourth aspect of the present invention, the exposure apparatus (EXS, EX) of the exposure apparatus (EXS, EX) that fills the optical path space of the exposure light (EL) with the liquid (LQ) and exposes the substrate (P) through the liquid (LQ). In the maintenance method, predetermined irradiation light having a light cleaning effect on a member (2, 31, 70, 300, 400, 500, 600, etc.) that contacts the liquid (LQ) in the exposure apparatus (EXS, EX). A maintenance method for irradiating (Lu, EL) is provided.

本発明の第4の態様によれば、液体に接触する部材に対して光洗浄効果を有する照射光を照射して光洗浄することで、その部材の汚染物質を除去することができる。したがって、露光装置の性能劣化を防止することができる。   According to the 4th aspect of this invention, the contaminant of the member can be removed by irradiating the member which contacts a liquid with the irradiation light which has a light cleaning effect, and carrying out optical cleaning. Accordingly, it is possible to prevent performance deterioration of the exposure apparatus.

本発明の第5の態様に従えば、露光光(EL)の光路空間を液体(LQ)で満たして、液体(LQ)を介して基板(P)を露光する露光装置(EXS、EX)のメンテナンス機器において、露光装置(EXS、EX)内で液体(LQ)に接触する部材(2、31、70、300、400、500、600など)に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光(Lu)を発生する発光部(901)を備えたメンテナンス機器(900)が提供される。   According to the fifth aspect of the present invention, the exposure apparatus (EXS, EX) of the exposure apparatus (EXS, EX) that fills the optical path space of the exposure light (EL) with the liquid (LQ) and exposes the substrate (P) through the liquid (LQ). In maintenance equipment, predetermined irradiation light having a light cleaning effect on a member (2, 31, 70, 300, 400, 500, 600, etc.) that contacts the liquid (LQ) in the exposure apparatus (EXS, EX) A maintenance device (900) including a light emitting unit (901) that generates (Lu) is provided.

本発明の第5の態様によれば、メンテナンス機器を使って、液体に接触する部材に対して光洗浄効果を有する照射光を照射して光洗浄することで、その部材の汚染物質を除去することができる。したがって、露光装置の性能劣化を防止することができる。   According to the fifth aspect of the present invention, by using the maintenance device, the member that contacts the liquid is irradiated with the irradiation light having a light cleaning effect to perform light cleaning, thereby removing the contaminants of the member. be able to. Accordingly, it is possible to prevent performance deterioration of the exposure apparatus.

本発明の第6の態様に従えば、基板を露光するための露光装置を構成する部材の洗浄方法であって、前記露光装置が少なくとも基板(P)上に形成される液浸領域(AR2)の液体(LQ)を介して基板を露光する液浸露光装置(EXS、EX)であり、前記部材(2、31、70、300、400、500、600など)が前記液浸領域を形成する液体に接触する部材であり、前記洗浄方法が、前記部材に所定の照射光(Lu,EL)を照射することを含む露光装置を構成する部材の洗浄方法が提供される。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for cleaning a member constituting an exposure apparatus for exposing a substrate, wherein the exposure apparatus is formed on an immersion area (AR2) formed on at least the substrate (P). Immersion exposure apparatus (EXS, EX) that exposes the substrate through the liquid (LQ) of the liquid, and the member (2, 31, 70, 300, 400, 500, 600, etc.) forms the immersion region. There is provided a cleaning method for a member which is a member in contact with a liquid, and the cleaning method includes irradiating the member with predetermined irradiation light (Lu, EL).

本発明の第6の態様によれば、液浸露光装置の液浸領域を形成する液体に接触する部材に、所定の照射光を照射して光洗浄することでその部材の汚染物質を容易に除去し、液浸露光における汚染物質や不純物の影響を低減することができる。なお、本発明の洗浄方法を露光装置から部材を取り外すことなく実施できる場合には、メンテナンスが容易であり、露光装置のスループットに与える影響は少ない。   According to the sixth aspect of the present invention, the member that contacts the liquid that forms the liquid immersion region of the liquid immersion exposure apparatus is irradiated with predetermined irradiation light to be washed with light, thereby easily removing contaminants on the member. It is possible to reduce the influence of contaminants and impurities in immersion exposure. When the cleaning method of the present invention can be carried out without removing the members from the exposure apparatus, maintenance is easy and the influence on the throughput of the exposure apparatus is small.

本発明の第7の態様によれば、基板を露光する露光方法であって、前記洗浄方法により部材(2、31、70、300、400、500、600など)を光洗浄すること、前記基板(P)を液体(LQ)を介して露光することを含む露光方法が提供される。   According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate, wherein a member (2, 31, 70, 300, 400, 500, 600, etc.) is optically cleaned by the cleaning method, An exposure method comprising exposing (P) through a liquid (LQ) is provided.

本発明の第8の態様によれば、本発明の露光方法により基板を露光すること(204)と、露光した基板を現像することと、現像した基板を加工すること(205)を含むデバイスの製造方法もまた提供される。   According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a device comprising: exposing a substrate by the exposure method of the present invention (204); developing the exposed substrate; and processing the developed substrate (205). A manufacturing method is also provided.

本発明によれば、露光装置の劣化を防止することができる。特に、液浸領域を形成するための液体に接触する部材の汚染に起因する露光装置の性能劣化を防止することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent the exposure apparatus from deteriorating. In particular, it is possible to prevent deterioration of the performance of the exposure apparatus due to contamination of a member that contacts the liquid for forming the liquid immersion region.

以下、本発明の露光装置の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。   Hereinafter, embodiments of the exposure apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.

<第1の実施形態>
図1は本発明の露光装置の第1の実施形態を示す概略構成図、図2は図1の要部拡大図である。図1において、露光装置EXSは、クリーンルーム内の床面F上に設置された本体チャンバCH1と、この本体チャンバCH1に隣接して配置された機械室CH2とを備えている。本体チャンバCH1の内部に設けられた露光室100は、空調系KCによって空調されており、その内部の環境(清浄度、温度、圧力等)をほぼ一定に維持されている。本実施形態においては、露光室100は清浄な空気で満たされる。露光室100には、露光装置本体EXが収容されている。露光室100は、本体チャンバCH1内部に設けられた給気流路101及び接続部102を介して、機械室CH2の内部に設けられた気体流路の出口114に接続されている。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic block diagram showing a first embodiment of the exposure apparatus of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of a main part of FIG. In FIG. 1, the exposure apparatus EXS includes a main body chamber CH1 installed on a floor surface F in a clean room, and a machine room CH2 arranged adjacent to the main body chamber CH1. The exposure chamber 100 provided in the main body chamber CH1 is air-conditioned by the air conditioning system KC, and the internal environment (cleanness, temperature, pressure, etc.) is maintained substantially constant. In the present embodiment, the exposure chamber 100 is filled with clean air. In exposure chamber 100, exposure apparatus body EX is accommodated. The exposure chamber 100 is connected to an outlet 114 of a gas channel provided inside the machine chamber CH2 via an air supply channel 101 and a connection portion 102 provided inside the main body chamber CH1.

露光室100に収容されている露光装置本体EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、光洗浄効果を有する所定の照射光Luを射出する光洗浄装置80とを備えている。本実施形態においては、光洗浄装置80は紫外光(UV光)を射出する。露光装置EXS(露光装置本体EX)全体の動作は、制御装置CONTによってを統括制御される。   The exposure apparatus main body EX accommodated in the exposure chamber 100 illuminates the mask stage MST for supporting the mask M, the substrate stage PST for supporting the substrate P, and the mask M supported by the mask stage MST with the exposure light EL. Illuminating optical system IL, projection optical system PL for projecting and exposing a pattern image of mask M illuminated by exposure light EL onto substrate P supported by substrate stage PST, and predetermined irradiation light Lu having a light cleaning effect And an optical cleaning device 80 for injecting water. In the present embodiment, the light cleaning device 80 emits ultraviolet light (UV light). The entire operation of the exposure apparatus EXS (exposure apparatus body EX) is totally controlled by the control apparatus CONT.

なお、「光洗浄効果」とは、部材に、所定の光が照射されることによって、その部材が浄化されることを意味し、その部材に、所定の波長、特には紫外光またはそれより短波長の真空紫外光などの光が照射されることで、部材の表面に付着(吸着)または生成している有機物質や炭素などの不純物または汚染物が除去、分解または変性されて部材表面が浄化されること、及び/又はその部材近傍の気体中の酸素が所定の波長、特には紫外光またはそれより短波長の真空紫外光などを吸収して励起状態となり、酸化力を増したオゾンなどに化学変化することによって、部材の表面の有機物質や炭素などの不純物または汚染物が除去、分解または変性されて部材表面が浄化されることが含まれる。また、部材表面の不純物や汚染物は、基板Pに塗布されるフォトレジスト、液体や、周囲の気体、オペレータなどから導入されると考えられる。   The “light cleaning effect” means that the member is purified by irradiating the member with predetermined light, and the member has a predetermined wavelength, particularly ultraviolet light or shorter than that. Irradiation with light such as vacuum ultraviolet light of wavelength removes, decomposes or denatures impurities or contaminants such as organic substances and carbon adhering (adsorbing) or generated on the surface of the member, and purifying the surface of the member And / or oxygen in the gas in the vicinity of the member absorbs a predetermined wavelength, in particular ultraviolet light or vacuum ultraviolet light having a wavelength shorter than that, and becomes an excited state. By chemical change, impurities or contaminants such as organic substances and carbon on the surface of the member are removed, decomposed or modified to purify the member surface. Further, it is considered that impurities and contaminants on the surface of the member are introduced from a photoresist, liquid, ambient gas, operator, or the like applied to the substrate P.

また、露光装置EXSは、露光室100に隣接する位置に、基板ステージPSTに対して基板Pを搬入及び搬出する基板搬送系150を備えている。基板搬送系150は不図示の基板搬送系収容室に収容されている。同様に、不図示ではあるが、露光室100に隣接する位置には、マスクステージMSTに対してマスクMを搬入及び搬出するマスク搬送系を収容するマスク搬送系収容室が設けられている。これら基板搬送系収容室及びマスク搬送系収容室は、露光室100に対して機械室CH2とは反対側に設けられている。基板搬送系収容室及びマスク搬送系収容室のそれぞれは、露光室100同様、空調系KCによってその内部の環境をほぼ一定に維持されている。   Further, the exposure apparatus EXS includes a substrate transport system 150 that carries the substrate P in and out of the substrate stage PST at a position adjacent to the exposure chamber 100. The substrate transfer system 150 is accommodated in a substrate transfer system accommodation chamber (not shown). Similarly, although not shown, at a position adjacent to the exposure chamber 100, there is provided a mask transport system accommodation chamber for housing a mask transport system for carrying the mask M in and out of the mask stage MST. The substrate transfer system storage chamber and the mask transfer system storage chamber are provided on the opposite side of the exposure chamber 100 from the machine chamber CH2. Each of the substrate transfer system storage chamber and the mask transfer system storage chamber is maintained substantially constant in its internal environment by the air conditioning system KC, like the exposure chamber 100.

本実施形態の露光装置EXS(露光装置本体EX)は、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板P上に液体LQを供給する液体供給機構10と、基板P上の液体LQを回収する液体回収機構20とを備えている。本実施形態において、液体LQには純水が用いられる。露光装置EXSは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に転写している間、液体供給機構10から供給した液体LQにより投影光学系PLの投影領域AR1を含む基板P上の少なくとも一部に、投影領域AR1よりも大きく且つ基板Pよりも小さい液浸領域AR2を局所的に形成する。具体的には、露光装置EXSは、投影光学系PLの像面側先端部の光学素子2と基板Pの表面(露光面)との間、すなわち投影光学系PLの像面側の光路空間を液体LQで満たした状態で露光光ELを照射し、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMのパターン像を基板P上に投影することによって、基板Pを露光する。   The exposure apparatus EXS (exposure apparatus main body EX) of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which an immersion method is applied in order to improve the resolution by substantially shortening the exposure wavelength and substantially increase the depth of focus. A liquid supply mechanism 10 that supplies the liquid LQ onto the substrate P and a liquid recovery mechanism 20 that recovers the liquid LQ on the substrate P are provided. In the present embodiment, pure water is used as the liquid LQ. The exposure apparatus EXS transfers at least part of the substrate P including the projection region AR1 of the projection optical system PL by the liquid LQ supplied from the liquid supply mechanism 10 while at least transferring the pattern image of the mask M onto the substrate P. A liquid immersion area AR2 that is larger than the projection area AR1 and smaller than the substrate P is locally formed. Specifically, the exposure apparatus EXS forms an optical path space between the optical element 2 at the image surface side tip of the projection optical system PL and the surface (exposure surface) of the substrate P, that is, on the image surface side of the projection optical system PL. By irradiating the exposure light EL in a state filled with the liquid LQ, and projecting the pattern image of the mask M onto the substrate P through the liquid LQ and the projection optical system PL between the projection optical system PL and the substrate P. Then, the substrate P is exposed.

ここで、本実施形態では、露光装置EXSとしてマスクMと基板Pとを走査方向(所定方向)における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向、所定方向)をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向(非走査方向)、X軸及びY軸方向に垂直で投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ上にレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。   Here, in the present embodiment, the pattern formed on the mask M is exposed to the substrate P while the mask M and the substrate P are synchronously moved in different directions (reverse directions) in the scanning direction (predetermined direction) as the exposure apparatus EXS. An example of using a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) will be described. In the following description, the synchronous movement direction (scanning direction, predetermined direction) of the mask M and the substrate P in the horizontal plane is the X axis direction, and the direction orthogonal to the X axis direction is the Y axis direction (non-scanning direction) in the horizontal plane. A direction perpendicular to the X-axis and Y-axis directions and coincident with the optical axis AX of the projection optical system PL is defined as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively. Here, the “substrate” includes a semiconductor wafer coated with a resist, and the “mask” includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected on the substrate is formed.

照明光学系ILは、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるマスクM上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びFレーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。本実施形態では、ArFエキシマレーザ光が用いられる。上述したように、本実施形態における液体LQは純水であって、露光光ELがArFエキシマレーザ光であっても透過可能である。また、純水は輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)も透過可能である。 The illumination optical system IL illuminates the mask M supported by the mask stage MST with the exposure light EL, and the exposure light source, and an optical integrator and an optical integrator for uniformizing the illuminance of the light beam emitted from the exposure light source A condenser lens that collects the exposure light EL from the light source, a relay lens system, a variable field stop that sets the illumination area on the mask M by the exposure light EL in a slit shape, and the like. A predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. The exposure light EL emitted from the illumination optical system IL is, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g line, h line, i line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp. Alternatively, vacuum ultraviolet light (VUV light) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm) is used. In this embodiment, ArF excimer laser light is used. As described above, the liquid LQ in the present embodiment is pure water and can be transmitted even if the exposure light EL is ArF excimer laser light. The pure water can also transmit bright ultraviolet rays (g-rays, h-rays, i-rays) and far ultraviolet light (DUV light) such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm).

マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能であって、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。マスクステージMSTはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置MSTDにより駆動される。マスクステージ駆動装置MSTDは制御装置CONTにより制御される。マスクステージMST上には移動鏡50が設けられている。また、移動鏡50に対向する位置にはレーザ干渉計51が設けられている。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計51によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはレーザ干渉計51の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMSTに支持されているマスクMの位置決めを行う。   The mask stage MST can move while holding the mask M, can move two-dimensionally in a plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, in the XY plane, and can be rotated slightly in the θZ direction. The mask stage MST is driven by a mask stage driving device MSTD such as a linear motor. The mask stage driving device MSTD is controlled by the control device CONT. A movable mirror 50 is provided on the mask stage MST. A laser interferometer 51 is provided at a position facing the moving mirror 50. The two-dimensional position and rotation angle of the mask M on the mask stage MST are measured in real time by the laser interferometer 51, and the measurement result is output to the control device CONT. The control device CONT drives the mask stage driving device MSTD based on the measurement result of the laser interferometer 51, thereby positioning the mask M supported by the mask stage MST.

投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、基板P側の先端部に設けられた光学素子(レンズ)2を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒PKで支持されている。本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、屈折素子を含まない反射系、反射素子を含まない屈折系、屈折素子と反射素子とを含む屈折反射系のいずれであってもよい。また、本実施形態の投影光学系PLの先端部の光学素子2は鏡筒PKに対して着脱(交換)可能に設けられている。また、先端部の光学素子2は鏡筒PKより露出しており、液浸領域AR2の液体LQは光学素子2に接触する。これにより、金属からなる鏡筒PKの腐蝕等が防止されている。   The projection optical system PL projects and exposes the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification β, and includes a plurality of optical elements including an optical element (lens) 2 provided at the front end portion on the substrate P side. These optical elements are supported by a lens barrel PK. In the present embodiment, the projection optical system PL is a reduction system having a projection magnification β of, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. The projection optical system PL may be any of a reflective system that does not include a refractive element, a refractive system that does not include a reflective element, and a refractive reflective system that includes a refractive element and a reflective element. Further, the optical element 2 at the tip of the projection optical system PL of the present embodiment is provided so as to be detachable (replaceable) with respect to the lens barrel PK. The optical element 2 at the tip is exposed from the lens barrel PK, and the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 is in contact with the optical element 2. Thereby, corrosion etc. of the lens barrel PK made of metal are prevented.

基板ステージPSTは、基板Pを基板ホルダPHを介して保持するZチルトステージ52と、Zチルトステージ52を支持するXYステージ53とを備えている。基板ステージPSTはリニアモータ等の基板ステージ駆動装置PSTDにより駆動される。基板ステージ駆動装置PSTDは制御装置CONTにより制御される。Zチルトステージ52は基板ホルダPHに保持されている基板PをZ軸方向、及びθX、θY方向(傾斜方向)に移動可能である。XYステージ53は基板ホルダPHに保持されている基板PをZチルトステージ52を介してXY方向(投影光学系PLの像面と実質的に平行な方向)、及びθZ方向に移動可能である。なお、ZチルトステージとXYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。   The substrate stage PST includes a Z tilt stage 52 that holds the substrate P via a substrate holder PH, and an XY stage 53 that supports the Z tilt stage 52. The substrate stage PST is driven by a substrate stage driving device PSTD such as a linear motor. The substrate stage driving device PSTD is controlled by the control device CONT. The Z tilt stage 52 can move the substrate P held by the substrate holder PH in the Z-axis direction and in the θX and θY directions (inclination directions). The XY stage 53 can move the substrate P held by the substrate holder PH in the XY direction (direction substantially parallel to the image plane of the projection optical system PL) and the θZ direction via the Z tilt stage 52. Needless to say, the Z tilt stage and the XY stage may be provided integrally.

基板ステージPST上には凹部32が設けられており、基板ホルダPHは凹部32に配置されている。そして、基板ステージPST(Zチルトステージ52)のうち凹部32以外の上面31は、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ(面一)になるような平坦面(平坦部)となっている。また、移動鏡55の上面も、基板ステージPSTの上面31とほぼ同じ高さ(面一)となっている。基板Pの周囲に基板P表面とほぼ面一の上面31を設けたので、基板Pのエッジ領域を液浸露光するときにおいても、投影光学系PLの像面側に液体LQを保持して液浸領域AR2を良好に形成することができる。また、基板Pのエッジ部とその基板Pの周囲に設けられた平坦面(上面)31との間には0.1〜2mm程度のギャップが形成されるが、液体LQの表面張力によりそのギャップに液体LQが流れ込むことはほとんどなく、基板Pの周縁近傍を露光する場合にも、上面31により投影光学系PLの下に液体LQを保持することができる。   A recess 32 is provided on the substrate stage PST, and the substrate holder PH is disposed in the recess 32. Then, the upper surface 31 other than the concave portion 32 of the substrate stage PST (Z tilt stage 52) is a flat surface (flat portion) that is substantially the same height (level) as the surface of the substrate P held by the substrate holder PH. ). The upper surface of the movable mirror 55 is also substantially the same height (level) as the upper surface 31 of the substrate stage PST. Since the upper surface 31 that is substantially flush with the surface of the substrate P is provided around the substrate P, the liquid LQ is held on the image plane side of the projection optical system PL even when the edge region of the substrate P is subjected to immersion exposure. The immersion area AR2 can be formed satisfactorily. Further, a gap of about 0.1 to 2 mm is formed between the edge portion of the substrate P and the flat surface (upper surface) 31 provided around the substrate P. The gap is caused by the surface tension of the liquid LQ. The liquid LQ hardly flows into the substrate L, and the liquid LQ can be held under the projection optical system PL by the upper surface 31 even when the vicinity of the periphery of the substrate P is exposed.

基板ステージPSTの上面31は撥液化処理されて撥液性を有している。上面31の撥液化処理としては、例えばポリ四フッ化エチレン(テフロン(登録商標))等のフッ素系樹脂材料あるいはアクリル系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する処理が挙げられる。基板ステージPSTの上面31を形成する部材そのものをフッ素系樹脂などの撥液性部材で形成してもよい。上面31を撥液性にすることで、液浸露光中においては基板ステージPST外側への液体LQの流出を防止でき、液浸露光後においては、上面31に残留した液体LQを良好に回収(除去)することができる。   The upper surface 31 of the substrate stage PST is liquid repellent and has liquid repellency. As the liquid repellent treatment of the upper surface 31, for example, a liquid repellent material such as polytetrafluoroethylene (Teflon (registered trademark)) or a liquid repellent material such as an acrylic resin material is applied, or the liquid repellent material is used. The process which sticks a thin film is mentioned. The member itself forming the upper surface 31 of the substrate stage PST may be formed of a liquid repellent member such as a fluorine-based resin. By making the upper surface 31 liquid repellent, the liquid LQ can be prevented from flowing out of the substrate stage PST during the immersion exposure, and the liquid LQ remaining on the upper surface 31 can be recovered well after the immersion exposure ( Removed).

本実施形態においては、後述するように、この上面31には光洗浄装置80より紫外光(UV光)が照射されるが、紫外光を照射されても、上面31の撥液性が大きく損なわれない膜材料が使用されている。   In the present embodiment, as will be described later, the upper surface 31 is irradiated with ultraviolet light (UV light) from the light cleaning device 80, but the liquid repellency of the upper surface 31 is greatly impaired even when irradiated with ultraviolet light. Incompatible membrane material is used.

基板ステージPST(Zチルトステージ52)上には移動鏡55が設けられている。また、移動鏡55に対向する位置にはレーザ干渉計56が設けられている。基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計56によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはレーザ干渉計56の計測結果に基づいて、レーザ干渉計56で規定される2次元座標系内で基板ステージ駆動装置PSTDを介してXYステージ53を駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。   A movable mirror 55 is provided on the substrate stage PST (Z tilt stage 52). A laser interferometer 56 is provided at a position facing the movable mirror 55. The two-dimensional position and rotation angle of the substrate P on the substrate stage PST are measured in real time by the laser interferometer 56, and the measurement result is output to the control device CONT. Based on the measurement result of the laser interferometer 56, the control device CONT supports the substrate stage PST by driving the XY stage 53 via the substrate stage driving device PSTD within the two-dimensional coordinate system defined by the laser interferometer 56. The substrate P is positioned in the X-axis direction and the Y-axis direction.

図2に示すように、露光装置EXS(露光装置本体EX)は、基板P表面の面位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出系60を有している。フォーカス・レベリング検出系60は、投射部60Aと受光部60Bとを有し、投射部60Aから液体LQを介して基板P表面(露光面)に斜め方向から検出光Laを投射するとともに、その基板Pからの反射光を液体LQを介して受光部60Bで受光することによって、基板P表面の面位置情報を検出する。制御装置CONTは、フォーカス・レベリング検出系60の動作を制御するとともに、受光部60Bの受光結果に基づいて、所定基準面(像面)に対する基板P表面のZ軸方向における位置(フォーカス位置)を検出する。また、基板P表面における複数の各点での各フォーカス位置を求めることにより、フォーカス・レベリング検出系60は基板Pの傾斜方向の姿勢を求めることもできる。なお、フォーカス・レベリング検出系60の構成としては、例えば特開平8−37149号公報に開示されているものを用いることができる。なお、フォーカス・レベリング検出系60は、液体LQを介さずに基板Pの表面位置を検出するものであってもよい。   As shown in FIG. 2, the exposure apparatus EXS (exposure apparatus body EX) has a focus / leveling detection system 60 that detects surface position information on the surface of the substrate P. The focus / leveling detection system 60 includes a projection unit 60A and a light receiving unit 60B, and projects the detection light La from the projection unit 60A through the liquid LQ onto the surface (exposed surface) of the substrate P from an oblique direction. The surface position information on the surface of the substrate P is detected by receiving the reflected light from P by the light receiving unit 60B through the liquid LQ. The control device CONT controls the operation of the focus / leveling detection system 60 and determines the position (focus position) in the Z-axis direction of the surface of the substrate P with respect to the predetermined reference plane (image plane) based on the light reception result of the light receiving unit 60B. To detect. Further, by obtaining each focus position at a plurality of points on the surface of the substrate P, the focus / leveling detection system 60 can also obtain the posture of the substrate P in the tilt direction. As the configuration of the focus / leveling detection system 60, for example, the one disclosed in JP-A-8-37149 can be used. The focus / leveling detection system 60 may detect the surface position of the substrate P without using the liquid LQ.

制御装置CONTは、基板ステージ駆動装置PSTDを介して基板ステージPSTのZチルトステージ52を駆動することにより、Zチルトステージ52に保持されている基板PのZ軸方向における位置(フォーカス位置)、及びθX、θY方向における位置を制御する。すなわち、Zチルトステージ52は、フォーカス・レベリング検出系60の検出結果に基づく制御装置CONTからの指令に基づいて動作し、基板Pのフォーカス位置(Z位置)及び傾斜角を制御して基板Pの表面(露光面)を投影光学系PL及び液体LQを介して形成される像面に合わせ込む。   The control device CONT drives the Z tilt stage 52 of the substrate stage PST via the substrate stage driving device PSTD, so that the position (focus position) of the substrate P held by the Z tilt stage 52 in the Z-axis direction, and The position in the θX and θY directions is controlled. That is, the Z tilt stage 52 operates based on a command from the control device CONT based on the detection result of the focus / leveling detection system 60, and controls the focus position (Z position) and tilt angle of the substrate P to control the substrate P. The surface (exposure surface) is adjusted to the image surface formed through the projection optical system PL and the liquid LQ.

投影光学系PLの先端近傍には、基板P上のアライメントマークあるいはZチルトステージ52上に設けられた後述する基準部材(計測部材)上の基準マークを検出する基板アライメント系350が設けられている。本実施形態の基板アライメント系350では、例えば特開平4−65603号公報に開示されているような、基板ステージPSTを静止させてマーク上にハロゲンランプからの白色光等の照明光を照射して、得られたマークの画像を撮像素子により所定の撮像視野内で撮像し、画像処理によってマークの位置を計測するFIA(フィールド・イメージ・アライメント)方式が採用されている。   A substrate alignment system 350 that detects an alignment mark on the substrate P or a reference mark (measurement member) described later provided on the Z tilt stage 52 is provided in the vicinity of the tip of the projection optical system PL. . In the substrate alignment system 350 according to the present embodiment, for example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-65603, the substrate stage PST is stopped and illumination light such as white light from a halogen lamp is irradiated on the mark. An FIA (Field Image Alignment) method is employed in which an image of the obtained mark is captured within a predetermined imaging field by an image sensor and the position of the mark is measured by image processing.

図1に戻って、マスクステージMST、投影光学系PL、及び基板ステージPSTは、本体コラム1に支持されている。本体コラム1は、本体チャンバCH1の底面上に設置されたベースプレートBPの上方に複数の防振ユニット3を介して支持されている。本体コラム1は、防振ユニット3によって支持されたメインコラム4と、メインコラム4の上に設けられたサポートコラム5とを備えている。投影光学系PLは、メインコラム4の上面4Aに保持部材PFを介して保持されている。サポートコラム5は、照明光学系ILの少なくとも一部を下方から支持している。   Returning to FIG. 1, the mask stage MST, the projection optical system PL, and the substrate stage PST are supported by the main body column 1. The main body column 1 is supported via a plurality of vibration isolation units 3 above a base plate BP installed on the bottom surface of the main body chamber CH1. The main body column 1 includes a main column 4 supported by the vibration isolation unit 3 and a support column 5 provided on the main column 4. The projection optical system PL is held on the upper surface 4A of the main column 4 via a holding member PF. The support column 5 supports at least a part of the illumination optical system IL from below.

マスクステージMSTは、メインコラム4に支持された不図示のマスクステージベース上を2次元移動可能に設けられている。また、基板ステージPST(XYステージ53)は、メインコラム4の底面によって構成されている基板ステージベース57上を2次元移動可能に設けられている。   The mask stage MST is provided so as to be two-dimensionally movable on a mask stage base (not shown) supported by the main column 4. The substrate stage PST (XY stage 53) is provided so as to be capable of two-dimensional movement on the substrate stage base 57 formed by the bottom surface of the main column 4.

また、マスクステージMSTの近傍には、マスクMと投影光学系PLとを介してZチルトステージ52上に設けられた後述する基準部材上の基準マークを検出するマスクアライメント系360が設けられている。本実施形態のマスクアライメント系360では、例えば特開平7−176468号公報に開示されているような、マークに対して光を照射し、CCDカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出するVRA(ビジュアル・レチクル・アライメント)方式が採用されている。   Further, in the vicinity of the mask stage MST, a mask alignment system 360 for detecting a reference mark on a reference member (described later) provided on the Z tilt stage 52 through the mask M and the projection optical system PL is provided. . In the mask alignment system 360 of the present embodiment, for example, as disclosed in JP-A-7-176468, the mark is irradiated with light, and image data of the mark imaged by a CCD camera or the like is subjected to image processing. A VRA (visual reticle alignment) method for detecting a mark position is employed.

次に、露光装置本体EXを収容している露光室100を空調する空調系KCについて、図1を参照しながら説明する。   Next, an air conditioning system KC that air-conditions the exposure chamber 100 containing the exposure apparatus main body EX will be described with reference to FIG.

空調系KCは、本体チャンバCH1の内部と機械室CH2の内部とを含む循環流路の複数の所定位置のそれぞれ配置されたフィルタユニット103、105、118、121、及び温調装置110、111、116を備えている。空調系KCは、前記フィルタユニット及び温調装置等を介して気体を循環することで、露光室100の環境(清浄度、温度、圧力等)を所望状態に維持する。また、機械室CH2の所定位置には、フィルタユニット109を配置された外気取り入れ口(OA口)108が形成されている。清浄度を維持するために、本体チャンバCH1の内部、特に露光室100の内部は外部に対して陽圧に維持されている。そのため、本体チャンバCH1の内部から外部に対して気体が漏洩する。OA口108は、前記漏洩分の気体を外部から取り入れるために設けられている。   The air conditioning system KC includes filter units 103, 105, 118, 121, and temperature control devices 110, 111, 121, which are respectively arranged at a plurality of predetermined positions in a circulation flow path including the inside of the main body chamber CH1 and the inside of the machine room CH2. 116 is provided. The air conditioning system KC maintains the environment (cleanness, temperature, pressure, etc.) of the exposure chamber 100 in a desired state by circulating gas through the filter unit and the temperature control device. In addition, an outside air intake (OA port) 108 in which the filter unit 109 is disposed is formed at a predetermined position in the machine room CH2. In order to maintain cleanliness, the inside of the main body chamber CH1, particularly the inside of the exposure chamber 100, is maintained at a positive pressure with respect to the outside. Therefore, gas leaks from the inside of the main body chamber CH1 to the outside. The OA port 108 is provided to take in the leaked gas from the outside.

本体チャンバCH1の内部に設けられた給気流路101の一端部(機械室CH2側の端部)には、気体中の化学汚染物質を化学吸着及び物理吸着にて除去するケミカルフィルタ等を備えたフィルタユニット103が設けられている。給気流路101の一端部は、接続部102を介して機械室CH2の内部に設けられた気体流路の出口114に接続されている。一方、給気流路101の他端部は、露光室100の上部に設けられた開口(給気口)104に接続されている。給気口104には、露光室100に流入する気体中のパーティクルを除去するパーティクルフィルタであるULPAフィルタ(ultra low penetration air-filter)等を備えたフィルタユニット105が設けられている。空調系KCは、給気口104より露光室100の上部空間に対して横方向、本実施形態では−X方向に気体を供給する。   A chemical filter or the like for removing chemical contaminants in the gas by chemical adsorption and physical adsorption is provided at one end portion (end portion on the machine chamber CH2 side) of the air supply channel 101 provided in the main body chamber CH1. A filter unit 103 is provided. One end of the air supply channel 101 is connected to an outlet 114 of a gas channel provided inside the machine chamber CH2 via a connection unit 102. On the other hand, the other end of the air supply channel 101 is connected to an opening (air supply port) 104 provided in the upper part of the exposure chamber 100. The air supply port 104 is provided with a filter unit 105 including an ULPA filter (ultra low penetration air-filter) that is a particle filter for removing particles in the gas flowing into the exposure chamber 100. The air conditioning system KC supplies gas from the air supply port 104 to the upper space of the exposure chamber 100 in the lateral direction, in the present embodiment, in the −X direction.

露光室100の底部には排気部(リターン部)106が設けられている。リターン部106は、排気流路(リターンダクト)107を介して、機械室CH2の床面に形成された開口107Aに接続されている。露光室100の内部の気体は、排気部106より排気され、機械室CH2に送られる。   An exhaust unit (return unit) 106 is provided at the bottom of the exposure chamber 100. The return unit 106 is connected to an opening 107A formed on the floor surface of the machine room CH2 via an exhaust passage (return duct) 107. The gas inside the exposure chamber 100 is exhausted from the exhaust unit 106 and sent to the machine chamber CH2.

機械室CH2の所定位置に設けられたOA口108には、ケミカルフィルタ等を備えたフィルタユニット109が設けられている。機械室CH2内部の気体流路中には、冷却装置(温調装置)110が設けられている。冷却装置110の上方には、加熱装置(温調装置)111が所定距離だけ離れて配置されている。加熱装置111の上方に設けられた機械室CH2の出口114近傍には、給気用ファン112が設けられている。また、冷却装置110の下方には、ドレインパン122が配置されている。温調装置110、111で温度調整された気体は、出口114を介して本体チャンバCH1に供給される。   A filter unit 109 provided with a chemical filter or the like is provided at an OA port 108 provided at a predetermined position in the machine room CH2. A cooling device (temperature control device) 110 is provided in the gas flow path inside the machine chamber CH2. Above the cooling device 110, a heating device (temperature control device) 111 is arranged at a predetermined distance. An air supply fan 112 is provided in the vicinity of the outlet 114 of the machine room CH2 provided above the heating device 111. A drain pan 122 is disposed below the cooling device 110. The gas whose temperature is adjusted by the temperature control devices 110 and 111 is supplied to the main body chamber CH1 through the outlet 114.

機械室CH2の内部において加熱装置111の下方には、冷却装置110を下方から上方に通過した気体の一部(例えば約1/5)が流れ込む分岐路113の一端部が接続されている。分岐路113の一端部には伸縮可能な蛇腹状部材113aが設けられており、分岐路113の一端部と機械室CH2の内部とは蛇腹状部材113aを介して接続されている。一方、分岐路113の他端部に設けられた開口(給気口)115は、基板ステージPST近傍に配置されている。図1に示すように、分岐路113の大部分は、露光室100内部に設けられている。   One end portion of a branch passage 113 into which a part of the gas (for example, about 1/5) that has passed through the cooling device 110 from the lower side to the upper side flows is connected to the lower side of the heating device 111 inside the machine chamber CH2. An extendable bellows-like member 113a is provided at one end of the branch path 113, and one end of the branch path 113 and the inside of the machine room CH2 are connected via the bellows-like member 113a. On the other hand, an opening (air supply port) 115 provided at the other end of the branch path 113 is disposed in the vicinity of the substrate stage PST. As shown in FIG. 1, most of the branch path 113 is provided inside the exposure chamber 100.

分岐路113の内部には加熱装置116が設けられている。また、分岐路113のうち給気口115の近傍には、給気用ファン117が設けられている。給気口115は、メインコラム4の−X側の側壁に設けられている。給気口115には、ケミカルフィルタ及びULPAフィルタ等を備えたフィルタユニット118が設けられている。温調装置110、116で温度調整された気体は、給気口115を介して、露光室100の内部うち、投影光学系PLの一部を含む基板ステージPST近傍の空間(空調空間)125に供給される。以下の説明では、投影光学系PLの一部及び基板ステージPSTを含み、メインコラム4で囲まれた空間を、空調空間125として説明する。   A heating device 116 is provided inside the branch path 113. An air supply fan 117 is provided in the vicinity of the air supply port 115 in the branch path 113. The air supply port 115 is provided on the side wall on the −X side of the main column 4. The air supply port 115 is provided with a filter unit 118 including a chemical filter and a ULPA filter. The gas whose temperature has been adjusted by the temperature control devices 110 and 116 passes through the air supply port 115 into the space (air-conditioned space) 125 in the vicinity of the substrate stage PST including a part of the projection optical system PL in the exposure chamber 100. Supplied. In the following description, a space including a part of the projection optical system PL and the substrate stage PST and surrounded by the main column 4 will be described as an air-conditioned space 125.

空調系KCは、給気口115より、投影光学系PLの一部を含む基板ステージPST近傍の空間(空調空間)125に対して横方向、本実施形態では+X方向に気体を供給し、その空調空間125を空調する。すなわち、空調空間125においては、空調系KCによって形成される気体の流れは、ほぼ+X方向に設定されている。   The air conditioning system KC supplies gas from the air supply port 115 to the space (air conditioning space) 125 in the vicinity of the substrate stage PST including a part of the projection optical system PL, in the present embodiment, in the + X direction. The air-conditioned space 125 is air-conditioned. That is, in the air-conditioned space 125, the gas flow formed by the air-conditioning system KC is set substantially in the + X direction.

一方、基板ステージPSTに対して給気口115と反対側には、排気流路(リターンダクト)119の一端部である排気口120が配置されている。排気口120は、メインコラム4の+X側の側壁に設けられており、給気口115と排気口120とは対向している。一方、リターンダクト119の他端部は、機械室CH2の床面に形成された開口119Aに接続されている。機械室CH2の床面に形成された開口107A、119Aには、ケミカルフィルタ等を備えたフィルタユニット121が設けられている。露光室100の内部のうち空調空間125の気体は、排気口120より排気され、機械室CH2に送られる。   On the other hand, an exhaust port 120 that is one end portion of an exhaust flow path (return duct) 119 is disposed on the opposite side of the air supply port 115 with respect to the substrate stage PST. The exhaust port 120 is provided on the side wall on the + X side of the main column 4, and the air supply port 115 and the exhaust port 120 face each other. On the other hand, the other end of the return duct 119 is connected to an opening 119A formed on the floor surface of the machine room CH2. A filter unit 121 including a chemical filter or the like is provided in the openings 107A and 119A formed on the floor surface of the machine room CH2. The gas in the air-conditioned space 125 in the exposure chamber 100 is exhausted from the exhaust port 120 and sent to the machine chamber CH2.

次に、図1及び図2を参照しながら液体供給機構10及び液体回収機構20について説明する。   Next, the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

液体供給機構10は、所定の液体LQを投影光学系PLの像面側に供給するためのものであって、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端部を接続する供給管13とを備えている。液体供給部11は、液体LQを収容するタンク、加圧ポンプ、及び液体LQ中に含まれる異物や気泡を取り除くフィルタユニット等を備えている。液体供給部11の液体供給動作は制御装置CONTにより制御される。基板P上に液浸領域AR2を形成する際、液体供給機構10は液体LQを基板P上に供給する。   The liquid supply mechanism 10 is for supplying a predetermined liquid LQ to the image plane side of the projection optical system PL. And a supply pipe 13 to be connected. The liquid supply unit 11 includes a tank that stores the liquid LQ, a pressure pump, a filter unit that removes foreign matters and bubbles contained in the liquid LQ, and the like. The liquid supply operation of the liquid supply unit 11 is controlled by the control device CONT. When forming the liquid immersion area AR2 on the substrate P, the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid LQ onto the substrate P.

液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収するためのものであって、液体LQを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端部を接続する回収管23とを備えている。液体回収部21は例えば真空ポンプ等の真空系(吸引装置)、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。なお真空系、気液分離器、タンクなどの少なくとも一部を、露光装置EXSに設けずに、露光装置EXSが配置される工場の設備などを用いるようにしてもよい。液体回収部21の液体回収動作は制御装置CONTにより制御される。基板P上に液浸領域AR2を形成するために、液体回収機構20は液体供給機構10より供給された基板P上の液体LQを所定量回収する。   The liquid recovery mechanism 20 is for recovering the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL, and has a liquid recovery part 21 that can recover the liquid LQ and one end connected to the liquid recovery part 21. And a recovery pipe 23. The liquid recovery unit 21 includes, for example, a vacuum system (a suction device) such as a vacuum pump, a gas-liquid separator that separates the recovered liquid LQ and gas, and a tank that stores the recovered liquid LQ. Note that at least a part of the vacuum system, the gas-liquid separator, the tank, etc. may not be provided in the exposure apparatus EXS, but the equipment of the factory where the exposure apparatus EXS is arranged may be used. The liquid recovery operation of the liquid recovery unit 21 is controlled by the control device CONT. In order to form the immersion area AR2 on the substrate P, the liquid recovery mechanism 20 recovers a predetermined amount of the liquid LQ on the substrate P supplied from the liquid supply mechanism 10.

投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、液体LQに接する光学素子2の近傍にはノズル部材70が配置されている。ノズル部材70は、投影光学系PLの像面側の露光光ELが通過する光路空間を液体LQで満たすためのものであって、基板P(基板ステージPST)の上方において、光学素子2の側面を囲むように設けられた環状部材である。ノズル部材70と光学素子2との間には隙間が設けられており、ノズル部材70は光学素子2に対して振動的に分離されるように所定の支持機構で支持されている。また、その隙間に液体LQが浸入しないように、且つその隙間から液体LQ中に気泡が混入しないように構成されている。ノズル部材70は、例えばステンレス鋼、チタンなどによって形成されている。   Of the plurality of optical elements constituting the projection optical system PL, a nozzle member 70 is disposed in the vicinity of the optical element 2 in contact with the liquid LQ. The nozzle member 70 is for filling the optical path space through which the exposure light EL on the image plane side of the projection optical system PL passes with the liquid LQ, and above the substrate P (substrate stage PST), the side surface of the optical element 2. It is the annular member provided so that it might surround. A gap is provided between the nozzle member 70 and the optical element 2, and the nozzle member 70 is supported by a predetermined support mechanism so as to be vibrationally separated from the optical element 2. Further, the liquid LQ is prevented from entering the gap, and the bubbles are not mixed into the liquid LQ from the gap. The nozzle member 70 is made of, for example, stainless steel or titanium.

ノズル部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方に設けられ、その基板P表面に対向するように配置された供給口12を備えている。本実施形態において、ノズル部材70は2つの供給口12A、12Bを有している。供給口12A、12Bはノズル部材70の下面70Aに設けられている。   The nozzle member 70 includes a supply port 12 provided above the substrate P (substrate stage PST) and disposed so as to face the surface of the substrate P. In the present embodiment, the nozzle member 70 has two supply ports 12A and 12B. The supply ports 12 </ b> A and 12 </ b> B are provided on the lower surface 70 </ b> A of the nozzle member 70.

ノズル部材70の内部には、基板P上に供給される液体LQが流れる供給流路が形成されている。ノズル部材70の供給流路の一端部は供給管13の他端部に接続され、供給流路の他端部は供給口12A、12Bのそれぞれに接続されている。ここで、ノズル部材70の内部に形成された供給流路の他端部は、複数(2つ)の供給口12A、12Bのそれぞれに接続可能なように途中から分岐している。   A supply flow path through which the liquid LQ supplied onto the substrate P flows is formed inside the nozzle member 70. One end of the supply flow path of the nozzle member 70 is connected to the other end of the supply pipe 13, and the other end of the supply flow path is connected to each of the supply ports 12A and 12B. Here, the other end portion of the supply flow path formed inside the nozzle member 70 is branched from the middle so that it can be connected to each of the plurality (two) of supply ports 12A and 12B.

また、ノズル部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方に設けられ、その基板P表面に対向するように配置された回収口22を備えている。本実施形態において、回収口22は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの光学素子2(投影領域AR1)及び供給口12を囲むように環状に形成されている。   The nozzle member 70 includes a recovery port 22 provided above the substrate P (substrate stage PST) and disposed so as to face the surface of the substrate P. In the present embodiment, the recovery port 22 is formed in an annular shape so as to surround the optical element 2 (projection region AR1) of the projection optical system PL and the supply port 12 on the lower surface 70A of the nozzle member 70.

また、ノズル部材70の内部には、回収口22を介して回収された液体LQが流れる回収流路が形成されている。ノズル部材70の回収流路の一端部は回収管23の他端部に接続され、回収流路の他端部は回収口22に接続されている。ここで、ノズル部材70の内部に形成された回収流路は、回収口22に応じた環状流路と、その環状流路を流れた液体LQを集合するマニホールド流路とを備えている。   In addition, a recovery flow path through which the liquid LQ recovered via the recovery port 22 flows is formed inside the nozzle member 70. One end of the recovery flow path of the nozzle member 70 is connected to the other end of the recovery pipe 23, and the other end of the recovery flow path is connected to the recovery port 22. Here, the recovery channel formed inside the nozzle member 70 includes an annular channel corresponding to the recovery port 22 and a manifold channel for collecting the liquid LQ flowing through the annular channel.

本実施形態において、ノズル部材70は、液体供給機構10及び液体回収機構20それぞれの一部を構成している。液体供給機構10を構成する供給口12A、12Bは、投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだX軸方向両側のそれぞれの位置に設けられており、液体回収機構20を構成する回収口22は、投影光学系PLの投影領域AR1に対して液体供給機構10の液体供給口12A、12Bの外側に設けられている。なお本実施形態における投影光学系PLの投影領域AR1は、Y軸方向を長手方向とし、X軸方向を短手方向とした平面視矩形状に設定されている。   In the present embodiment, the nozzle member 70 constitutes a part of each of the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20. Supply ports 12A and 12B constituting the liquid supply mechanism 10 are provided at respective positions on both sides in the X-axis direction across the projection area AR1 of the projection optical system PL, and the recovery ports 22 constituting the liquid recovery mechanism 20 are The liquid supply ports 12A and 12B of the liquid supply mechanism 10 are provided outside the projection area AR1 of the projection optical system PL. In the present embodiment, the projection area AR1 of the projection optical system PL is set in a rectangular shape in plan view with the Y-axis direction as the long direction and the X-axis direction as the short direction.

液体供給部11の動作は制御装置CONTにより制御される。制御装置CONTは液体供給部11による単位時間あたりの液体供給量を制御可能である。基板P上に液体LQを供給する際、制御装置CONTは、液体供給部11より液体LQを送出し、供給管13及びノズル部材70内部に形成された供給流路を介して、基板Pの上方に設けられている供給口12A、12Bより基板P上に液体LQを供給する。液体LQは、供給口12A、12Bを介して、投影領域AR1の両側から供給される。   The operation of the liquid supply unit 11 is controlled by the control device CONT. The control device CONT can control the liquid supply amount per unit time by the liquid supply unit 11. When supplying the liquid LQ onto the substrate P, the control device CONT sends out the liquid LQ from the liquid supply unit 11 and above the substrate P via the supply channel formed inside the supply pipe 13 and the nozzle member 70. The liquid LQ is supplied onto the substrate P from the supply ports 12A and 12B provided in. The liquid LQ is supplied from both sides of the projection area AR1 via the supply ports 12A and 12B.

液体回収部21の液体回収動作は制御装置CONTにより制御される。制御装置CONTは液体回収部21による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。基板Pの上方に設けられた回収口22から回収された基板P上の液体LQは、ノズル部材70内部に形成された回収流路、及び回収管23を介して液体回収部21に回収される。   The liquid recovery operation of the liquid recovery unit 21 is controlled by the control device CONT. The control device CONT can control the liquid recovery amount per unit time by the liquid recovery unit 21. The liquid LQ on the substrate P recovered from the recovery port 22 provided above the substrate P is recovered by the liquid recovery unit 21 via the recovery flow path formed inside the nozzle member 70 and the recovery pipe 23. .

なお、ノズル部材70の構成(供給口、回収口の位置、形状、数など)は、上述のものに限られず、露光光ELの光路の液体LQで満たすように液浸領域AR2を維持できる構成であればよい。例えば、供給口12A、12Bは、投影光学系PLの投影領域AR1に対してY軸方向両側にそれぞれ配置してもよいし、ノズル部材70を複数の部材で構成するようにしてもよい。   Note that the configuration of the nozzle member 70 (position, shape, number, etc. of the supply port and the recovery port) is not limited to the above-described configuration, and the immersion area AR2 can be maintained so as to be filled with the liquid LQ in the optical path of the exposure light EL. If it is. For example, the supply ports 12A and 12B may be arranged on both sides in the Y-axis direction with respect to the projection area AR1 of the projection optical system PL, or the nozzle member 70 may be configured by a plurality of members.

投影光学系PLの光学素子2の下面(液体接触面)2A、及びノズル部材70の下面(液体接触面)70Aは親液性(親水性)を有している。本実施形態においては、光学素子2は、純水との親和性が高い蛍石で形成されている。なお光学素子2は、水との親和性が高い石英であってもよい。また光学素子2の液体接触面2A及びノズル部材70の液体接触面70Aに親水化(親液化)処理を施して、液体LQとの親和性をより高めるようにしてもよい。親液化処理としては、MgF、Al、SiOなどの親液性材料を前記液体接触面に設ける処理が挙げられる。あるいは、本実施形態における液体LQは極性の大きい水であるため、親液化処理(親水化処理)として、例えばアルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を設けるようにしてもよい。光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aを親液性にすることで、液体LQの表面張力を利用して、液体LQの液浸領域AR2を、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aと、基板Pの上面及び/又は基板ステージPSTの上面との間で良好に形成することができる。 The lower surface (liquid contact surface) 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL and the lower surface (liquid contact surface) 70A of the nozzle member 70 are lyophilic (hydrophilic). In the present embodiment, the optical element 2 is formed of fluorite having high affinity with pure water. The optical element 2 may be quartz having high affinity with water. Further, the liquid contact surface 2A of the optical element 2 and the liquid contact surface 70A of the nozzle member 70 may be hydrophilized (lyophilic) so as to further increase the affinity with the liquid LQ. Examples of the lyophilic treatment include a treatment in which a lyophilic material such as MgF 2 , Al 2 O 3 , or SiO 2 is provided on the liquid contact surface. Alternatively, since the liquid LQ in the present embodiment is water having a high polarity, a thin film may be provided using a substance having a molecular structure with a high polarity such as alcohol as a lyophilic process (hydrophilization process). By making the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 lyophilic, the immersion area AR2 of the liquid LQ can be changed into the lower surface 2A of the optical element 2 and the nozzle member using the surface tension of the liquid LQ. 70 can be satisfactorily formed between the lower surface 70A of the substrate 70 and the upper surface of the substrate P and / or the upper surface of the substrate stage PST.

なお、本実施形態においては、光学素子2の下面2Aとノズル部材70の下面70Aはほぼ面一となるようにノズル部材70が配置されているが、光学素子2の下面2Aとノズル部材70の下面70Aとに段差があってもよい。例えば、ノズル部材70の下面70Aと基板Pの上面及び/又は基板ステージPSTの上面との距離が、光学素子2の下面2Aと基板Pの上面及び/又は基板ステージPSTの上面との距離よりも小さくなるように、ノズル部材70を配置してもよい。   In the present embodiment, the nozzle member 70 is arranged so that the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 are substantially flush with each other, but the lower surface 2A of the optical element 2 and the nozzle member 70 There may be a step on the lower surface 70A. For example, the distance between the lower surface 70A of the nozzle member 70 and the upper surface of the substrate P and / or the upper surface of the substrate stage PST is greater than the distance between the lower surface 2A of the optical element 2 and the upper surface of the substrate P and / or the upper surface of the substrate stage PST. You may arrange | position the nozzle member 70 so that it may become small.

次に、図2を参照しながら光洗浄装置80について説明する。   Next, the optical cleaning device 80 will be described with reference to FIG.

光洗浄装置80は、光洗浄効果を有する照射光Luを射出するものである。光洗浄装置80は、光源82と、その光源82を保持する筐体81とを備えている。本実施形態においては、光洗浄装置80は、紫外光(UV光)を下方に向けて射出するものである。光源82としては、Xe2エキシマレーザ(波長172nm)、KrClエキシマレーザ(波長222nm)、XeClエキシマレーザ(波長308nm)などが使用されている。光洗浄装置80は、投影光学系PLの先端部の光学素子2、ノズル部材70、及び基板ステージPSTを収容した空調空間125の内側であって、投影光学系PLと並んだ位置に設けられている。具体的には、光洗浄装置80は、空調空間125の内側であって、メインコラム4の天井面4Bのうち、投影光学系PL(露光光ELの光路)に対して+X側に所定距離離れた位置に取り付けられている。ここで、上述したように、空調空間125においては、給気口115から供給された気体は+X方向に流れる。したがって、光洗浄装置80は、投影光学系PLに対して空調系KCによって形成される気体(空気)の流れの下流側に設けられた構成となっている。   The light cleaning device 80 emits irradiation light Lu having a light cleaning effect. The optical cleaning device 80 includes a light source 82 and a casing 81 that holds the light source 82. In the present embodiment, the light cleaning device 80 emits ultraviolet light (UV light) downward. As the light source 82, an Xe2 excimer laser (wavelength 172 nm), a KrCl excimer laser (wavelength 222 nm), an XeCl excimer laser (wavelength 308 nm), or the like is used. The optical cleaning device 80 is provided inside the air-conditioned space 125 that houses the optical element 2 at the tip of the projection optical system PL, the nozzle member 70, and the substrate stage PST and is aligned with the projection optical system PL. Yes. Specifically, the light cleaning device 80 is inside the air-conditioned space 125 and is separated by a predetermined distance on the + X side with respect to the projection optical system PL (optical path of the exposure light EL) in the ceiling surface 4B of the main column 4. It is attached at the position. Here, as described above, in the air-conditioned space 125, the gas supplied from the air supply port 115 flows in the + X direction. Accordingly, the optical cleaning device 80 is provided on the downstream side of the flow of gas (air) formed by the air conditioning system KC with respect to the projection optical system PL.

本実施形態においては、空調空間125の+X側の外側に、基板ステージPSTに対して基板Pを搬入(ロード)及び搬出(アンロード)する基板搬送系150が配置されている。制御装置CONTは、基板ステージPSTに対して基板Pをロード・アンロードするとき、基板ステージPSTを空調空間125の+X側に移動し、基板搬送系150の近傍位置(ロード・アンロード位置)に配置する。光洗浄装置80はそのロード・アンロード位置の上方に設けられており、基板ステージPSTは、光洗浄装置80の直下に移動可能な構成となっている。   In the present embodiment, a substrate transfer system 150 for loading (loading) and unloading (unloading) the substrate P with respect to the substrate stage PST is disposed outside the + X side of the air-conditioned space 125. When the control device CONT loads / unloads the substrate P with respect to the substrate stage PST, the control device CONT moves the substrate stage PST to the + X side of the air-conditioned space 125 to a position near the substrate transport system 150 (load / unload position). Deploy. The optical cleaning device 80 is provided above the load / unload position, and the substrate stage PST is configured to be movable directly below the optical cleaning device 80.

また、空調空間125の内側には、その空調空間125の気体成分を検出する検出器84(84A、84B)が設けられている。本実施形態においては、検出器84は、空調空間125の酸素濃度を検出可能な酸素濃度計によって構成されている。検出器84は一つでもよいが、本実施形態においては、空調空間125の複数の所定位置のそれぞれに検出器84A、84Bが設けられている。具体的には、検出器84Aは、メインコラム4の天井面4Bのうち、光洗浄装置80に並ぶ位置に取り付けられている。検出器84Bは、光洗浄装置80より射出される紫外光Luの光路近傍に設けられている。   Further, a detector 84 (84A, 84B) that detects a gas component in the conditioned space 125 is provided inside the conditioned space 125. In the present embodiment, the detector 84 is configured by an oxygen concentration meter that can detect the oxygen concentration in the conditioned space 125. Although the number of detectors 84 may be one, in this embodiment, detectors 84A and 84B are provided at each of a plurality of predetermined positions in the conditioned space 125. Specifically, the detector 84 </ b> A is attached to the ceiling surface 4 </ b> B of the main column 4 at a position aligned with the light cleaning device 80. The detector 84 </ b> B is provided in the vicinity of the optical path of the ultraviolet light Lu emitted from the light cleaning device 80.

図3は基板ステージPSTのZチルトステージ52を上方から見た平面図である。なお図3においては、基板Pは破線で仮想的に図示されている。平面視矩形状のZチルトステージ52の互いに垂直な2つの縁部に移動鏡55が配置されている。また、Zチルトステージ52のほぼ中央部に凹部32が形成されており、この凹部32に基板Pを保持する基板ホルダPHが配置されている。   FIG. 3 is a plan view of the Z tilt stage 52 of the substrate stage PST as viewed from above. In FIG. 3, the substrate P is virtually illustrated by a broken line. A movable mirror 55 is disposed on two mutually perpendicular edges of the Z tilt stage 52 that is rectangular in plan view. In addition, a recess 32 is formed substantially at the center of the Z tilt stage 52, and a substrate holder PH that holds the substrate P is disposed in the recess 32.

基板ホルダPHは、略円環状の周壁部33と、この周壁部33の内側に配置され、基板Pを保持(支持)する複数のピン状の支持部34とを備えている。ピン状の支持部34のそれぞれは、その上面34Aを基板Pの裏面に接触させて基板Pを保持する。なお、図においては、支持部34は比較的大きく示されているが、実際には非常に小さなピン状の支持部が周壁部33の内側に多数形成されている。   The substrate holder PH includes a substantially annular peripheral wall portion 33 and a plurality of pin-shaped support portions 34 that are disposed inside the peripheral wall portion 33 and hold (support) the substrate P. Each of the pin-shaped support portions 34 holds the substrate P with its upper surface 34A in contact with the back surface of the substrate P. In the figure, the support portion 34 is shown to be relatively large, but actually, a very small number of pin-like support portions are formed inside the peripheral wall portion 33.

周壁部33は支持部34の周囲に配置されており、支持部34は周壁部33の内側において一様に配置されている。上述したように、基板ホルダPHに保持されている基板Pの側面とZチルトステージ52の上面31との間には所定のギャップが形成されている。なお図においては、周壁部33の上端面は比較的広い幅を有しているが、実際には0.1〜2mm程度の幅しか有していない。   The peripheral wall portion 33 is disposed around the support portion 34, and the support portion 34 is uniformly disposed inside the peripheral wall portion 33. As described above, a predetermined gap is formed between the side surface of the substrate P held by the substrate holder PH and the upper surface 31 of the Z tilt stage 52. In the drawing, the upper end surface of the peripheral wall portion 33 has a relatively wide width, but actually has a width of about 0.1 to 2 mm.

基板ホルダPHの支持部34以外の上面には、吸引口41が複数設けられている。吸引口41は、基板ステージPST外部に設けられた真空ポンプを含む不図示の真空系に流路を介して接続されている。制御装置CONTは、真空系を駆動し、周壁部33及び支持部34を含む基板ホルダPHと支持部34に支持された基板Pとの間に形成された空間38内部のガス(空気)を吸引口41より吸引してこの空間38を負圧にすることで、支持部34に基板Pを吸着保持する。すなわち、本実施形態における基板ホルダPHは、所謂ピンチャック機構を備えた構成である。   A plurality of suction ports 41 are provided on the upper surface of the substrate holder PH other than the support portion 34. The suction port 41 is connected to a vacuum system (not shown) including a vacuum pump provided outside the substrate stage PST via a flow path. The control device CONT drives the vacuum system and sucks the gas (air) inside the space 38 formed between the substrate holder PH including the peripheral wall portion 33 and the support portion 34 and the substrate P supported by the support portion 34. The substrate P is sucked and held on the support portion 34 by sucking from the port 41 and making the space 38 have a negative pressure. That is, the substrate holder PH in the present embodiment has a so-called pin chuck mechanism.

また、基板ステージPST上において、基板Pの外側の所定位置には、光計測部として基準部材(計測部材)300が配置されている。基準部材300には、基板アライメント系350により検出される基準マークPFMと、マスクアライメント系360により検出される基準マークMFMとが所定の位置関係で設けられている。基準部材300の上面はほぼ平坦面となっており、基板ステージPSTに保持された基板P表面、及び基板ステージPSTの上面31とほぼ同じ高さ(面一)に設けられている。基準部材300の上面は、フォーカス・レベリング検出系60の基準面としての役割も果たすことができる。   On the substrate stage PST, a reference member (measurement member) 300 is disposed as a light measurement unit at a predetermined position outside the substrate P. The reference member 300 is provided with a reference mark PFM detected by the substrate alignment system 350 and a reference mark MFM detected by the mask alignment system 360 in a predetermined positional relationship. The upper surface of the reference member 300 is a substantially flat surface, and is provided at substantially the same height (level) as the surface of the substrate P held by the substrate stage PST and the upper surface 31 of the substrate stage PST. The upper surface of the reference member 300 can also serve as a reference surface for the focus / leveling detection system 60.

また、基板ステージPST上のうち、基板Pの外側の所定位置には、光計測部として例えば特開昭57−117238号公報に開示されているような照度ムラセンサ400、例えば特開2002−14005号公報に開示されているような空間像計測センサ500、及び例えば特開平11−16816号公報に開示されているような照射量センサ(照度センサ)600、特開昭62−183522に開示されているような不図示の反射部材(計測部材)など、各種光計測部が設けられている。   Further, an illuminance unevenness sensor 400 as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-117238, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-14005 is provided as a light measurement unit at a predetermined position on the substrate stage PST. An aerial image measuring sensor 500 as disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 11-168816, an irradiation amount sensor (illuminance sensor) 600 as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-16816, and Japanese Laid-Open Patent Publication No. 62-183522. Various optical measurement units such as a reflection member (measurement member) (not shown) are provided.

また、各光計測部の上面は、基板ステージPSTの上面31とほぼ面一で、光透過性の撥液材料で被覆されている。本実施形態においては、液体LQとして純水を使用しており、各光計測部の上面は撥水性のサイトップ(旭硝子社製、登録商標)で被覆されている。   In addition, the upper surface of each optical measurement unit is substantially flush with the upper surface 31 of the substrate stage PST and is covered with a light-transmitting liquid repellent material. In this embodiment, pure water is used as the liquid LQ, and the upper surface of each optical measurement unit is covered with a water-repellent CYTOP (registered trademark, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.).

また、各光計測部の上面の撥液材料は、露光光ELや光洗浄装置80からの紫外光(UV光)が照射されても、その撥液性が損なわれにくいものを用いているが、撥液性が劣化した場合や、不純物が付着して汚染された場合には、各光計測部の上面を形成する部材を交換するようにしてもよい。   In addition, the liquid repellent material on the upper surface of each optical measurement unit is a material that does not easily lose its liquid repellency even when irradiated with exposure light EL or ultraviolet light (UV light) from the optical cleaning device 80. When the liquid repellency is deteriorated or when impurities are adhered and contaminated, the members forming the upper surface of each optical measuring unit may be replaced.

また、基板ステージPST上に基準部材300,センサ400,500、600のすべてを設ける必要はなく、それらの少なくとも一つを省略してもよい。   Further, it is not necessary to provide all of the reference member 300 and the sensors 400, 500, 600 on the substrate stage PST, and at least one of them may be omitted.

なお、各光計測部の上面は、基板ステージPSTの上面31と一体的に形成してもよいし、基板ステージPSTの上面31を形成する部材とは別の部材に形成してもよい。   The upper surface of each optical measurement unit may be formed integrally with the upper surface 31 of the substrate stage PST, or may be formed on a member different from the member forming the upper surface 31 of the substrate stage PST.

次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いてマスクMのパターン像を基板Pに露光する方法について説明する。   Next, a method for exposing the pattern image of the mask M onto the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described.

基板Pの露光処理を行うために、まず、制御装置CONTは、基板ステージPST上に基板Pを支持した状態で、液体供給機構10及び液体回収機構20による液体LQの供給及び回収を行い、投影光学系PLの像面側に液体LQの液浸領域AR2を形成する。   In order to perform the exposure processing of the substrate P, first, the control apparatus CONT supplies and recovers the liquid LQ by the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 while supporting the substrate P on the substrate stage PST, and performs projection. A liquid immersion area AR2 for the liquid LQ is formed on the image plane side of the optical system PL.

制御装置CONTは、基板Pの露光処理を行う前に、光計測部300、400、500、600を使った各種計測動作を行い、その計測結果に基づいて、基板Pのアライメント処理や、投影光学系PLの結像特性調整(キャリブレーション)処理を行う。例えば光計測部400を使った計測動作を行う場合には、制御装置CONTは、基板ステージPSTをXY方向に移動することで液体LQの液浸領域AR2に対して基板ステージPSTを相対的に移動し、光計測部400上に液体LQの液浸領域AR2を配置し、その状態で液体LQを介した計測動作を行う。同様に、光計測部300を使った計測動作や、光計測部500、600を使った計測動作を行う際にも、液体LQの液浸領域AR2に対して基板ステージPSTを相対的に移動し、光計測部300、500、600上に液体LQの液浸領域AR2を配置した状態で液体LQを介した計測動作を行う。   The controller CONT performs various measurement operations using the optical measurement units 300, 400, 500, and 600 before performing the exposure processing of the substrate P, and performs alignment processing of the substrate P and projection optics based on the measurement results. An imaging characteristic adjustment (calibration) process of the system PL is performed. For example, when performing a measurement operation using the optical measurement unit 400, the control device CONT moves the substrate stage PST relative to the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ by moving the substrate stage PST in the XY direction. Then, the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ is disposed on the optical measurement unit 400, and the measurement operation via the liquid LQ is performed in that state. Similarly, when performing a measurement operation using the optical measurement unit 300 and a measurement operation using the optical measurement units 500 and 600, the substrate stage PST is moved relative to the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ. Then, the measurement operation through the liquid LQ is performed in a state where the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ is disposed on the optical measurement units 300, 500, and 600.

上記アライメント処理及びキャリブレーション処理を行った後、制御装置CONTは、液体供給機構10による基板P上に対する液体LQの供給と並行して、液体回収機構20による基板P上の液体LQの回収を行い、基板Pよりも小さく且つ投影領域AR1よりも大きい液浸領域AR2を局所的に形成しつつ、基板Pを支持する基板ステージPSTをX軸方向(走査方向)に移動しながら、マスクMのパターン像を投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介して基板P上に投影露光する。   After performing the alignment process and the calibration process, the control device CONT collects the liquid LQ on the substrate P by the liquid recovery mechanism 20 in parallel with the supply of the liquid LQ to the substrate P by the liquid supply mechanism 10. The pattern of the mask M while moving the substrate stage PST supporting the substrate P in the X-axis direction (scanning direction) while locally forming the immersion area AR2 smaller than the substrate P and larger than the projection area AR1. The image is projected and exposed onto the substrate P via the liquid LQ between the projection optical system PL and the substrate P and the projection optical system PL.

本実施形態における露光装置EXは、マスクMと基板PとをX軸方向(走査方向)に移動しながらマスクMのパターン像を基板Pに投影露光するものであって、走査露光時には、液浸領域AR2の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMの一部のパターン像が投影領域AR1内に投影され、マスクMが−X方向(又は+X方向)に速度Vで移動するのに同期して、基板Pが投影領域AR1に対して+X方向(又は−X方向)に速度β・V(βは投影倍率)で移動する。基板P上には複数のショット領域が設定されており、1つのショット領域への露光終了後に、基板Pのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で基板Pを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行われる。なお、投影光学系PLの構造によっては、マスクMと基板Pとを同一の方向(例えば、+X方向)へ移動して各ショット領域が露光される。   The exposure apparatus EX in the present embodiment projects and exposes the pattern image of the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P in the X-axis direction (scanning direction). A pattern image of a part of the mask M is projected into the projection area AR1 via the liquid LQ in the area AR2 and the projection optical system PL, and is synchronized with the movement of the mask M in the −X direction (or + X direction) at the velocity V. Then, the substrate P moves in the + X direction (or −X direction) with respect to the projection area AR1 at the speed β · V (β is the projection magnification). A plurality of shot areas are set on the substrate P, and after the exposure to one shot area is completed, the next shot area is moved to the scanning start position by the stepping movement of the substrate P. Hereinafter, step-and-scan The scanning exposure process for each shot area is sequentially performed while moving the substrate P by the method. Depending on the structure of the projection optical system PL, the mask M and the substrate P are moved in the same direction (for example, + X direction) to expose each shot area.

基板Pの中央領域に設定されたショット領域を露光するときは、液浸領域AR2は基板P上に配置される。一方、基板Pのエッジ領域に設定されたショット領域を露光するときは、液浸領域AR2は、基板Pと基板ステージPSTの上面31とのそれぞれに跨るように配置される。   When exposing the shot region set in the central region of the substrate P, the immersion region AR2 is disposed on the substrate P. On the other hand, when the shot area set in the edge area of the substrate P is exposed, the immersion area AR2 is arranged so as to straddle the substrate P and the upper surface 31 of the substrate stage PST.

基板Pの液浸露光終了後、制御装置CONTは、液体供給機構10による液体供給を停止した後、液体回収機構20を使って、基板P上や基板ステージPSTの上面31、あるいは光計測部、300、400、500、600上に残留している液体LQを回収する。次いで、制御装置CONTは、露光処理を終えた基板Pを搬出(アンロード)するとともに、未だ露光されていない未露光基板Pを基板ステージPSTに搬入(ロード)するために、図4に示すように、基板ステージPSTを投影光学系PLに対して+X側に移動し、空調空間125の+X側、すなわち基板搬送系150の近傍位置(ロード・アンロード位置)に配置する。上述したように、そのロード・アンロード位置の上方には光洗浄装置80が設けられている。   After the immersion exposure of the substrate P, the control device CONT stops the liquid supply by the liquid supply mechanism 10 and then uses the liquid recovery mechanism 20 to use the upper surface 31 of the substrate P or the substrate stage PST, or the optical measurement unit, The liquid LQ remaining on 300, 400, 500, 600 is recovered. Next, the control device CONT carries out (unloads) the substrate P that has been subjected to the exposure processing, and carries in (loads) the unexposed substrate P that has not been exposed to the substrate stage PST as shown in FIG. Further, the substrate stage PST is moved to the + X side with respect to the projection optical system PL, and is arranged at the + X side of the air-conditioned space 125, that is, at a position near the substrate transport system 150 (load / unload position). As described above, the optical cleaning device 80 is provided above the load / unload position.

制御装置CONTは、基板搬送系150によって露光処理を終えた基板Pを基板ステージPSTからアンロードした後、未露光基板Pを基板ステージPSTにロードする前に、基板ステージPST上に基板Pが無い状態で、基板ステージPSTを移動して光洗浄装置80の直下に配置する。その状態で、制御装置CONTは光洗浄装置80を駆動し、光洗浄装置80より紫外光Luを下方に向けて射出する。光洗浄装置80より射出された紫外光Luは基板ステージPSTに対して照射される。光洗浄装置80は、基板ステージPSTの上面31、基板ステージPSTの上面31に設けられている光計測部300、400、500、600、及び基板ホルダPHに紫外光Luを所定時間だけ照射する。なお、光洗浄装置80は、移動鏡55の上面に紫外光Luを照射してもよい。   The control device CONT unloads the substrate P, which has been subjected to the exposure processing by the substrate transport system 150, from the substrate stage PST, and before loading the unexposed substrate P onto the substrate stage PST, there is no substrate P on the substrate stage PST. In this state, the substrate stage PST is moved and disposed immediately below the optical cleaning device 80. In this state, the control device CONT drives the light cleaning device 80 and emits the ultraviolet light Lu downward from the light cleaning device 80. The ultraviolet light Lu emitted from the optical cleaning device 80 is applied to the substrate stage PST. The optical cleaning device 80 irradiates the upper surface 31 of the substrate stage PST, the optical measurement units 300, 400, 500, 600 provided on the upper surface 31 of the substrate stage PST, and the substrate holder PH with ultraviolet light Lu for a predetermined time. Note that the optical cleaning device 80 may irradiate the upper surface of the movable mirror 55 with ultraviolet light Lu.

紫外光Luが照射されることにより、基板ステージPST上面の不純物(有機物)を気化(除去)することができる。また、基板ステージPST上面近傍では、空気中の酸素が紫外光Luを吸収して励起状態となり、酸化力を増したオゾンなどに化学変化し、基板ステージPST上面に付着した不純物(有機物)が酸化分解される。   Irradiation with the ultraviolet light Lu can vaporize (remove) impurities (organic matter) on the upper surface of the substrate stage PST. Further, in the vicinity of the upper surface of the substrate stage PST, oxygen in the air absorbs the ultraviolet light Lu to be in an excited state, chemically changes to ozone or the like having increased oxidizing power, and impurities (organic matter) adhering to the upper surface of the substrate stage PST are oxidized. Disassembled.

液浸領域AR2の液体LQ中には、例えば基板P上に塗布された感光剤から発生した不純物(異物)が混入する可能性がある。なお、感光剤から発生する不純物とは、感光剤の破片や感光剤に含まれる電解質の析出物等を含む。上記感光剤は有機物を含んでいるため、液浸領域AR2の液体LQ中に有機物を含む不純物が混入する可能性がある。上述したように、液体LQの液浸領域AR2は、基板P表面、光計測部300、400、500、600を含む基板ステージPSTの上面31上を移動するが、液浸領域AR2が基板ステージPST上を相対的に移動することにより、基板ステージPSTの上面31、基板ステージPST上に設けられた光計測部300、400、500、600等に不純物(有機物)が付着する可能性がある。また、空中を浮遊している不純物(有機物)が、基板ステージPSTの上面31や、光計測部300、400、500、600等に付着する可能性もある。   In the liquid LQ in the liquid immersion area AR2, for example, impurities (foreign matter) generated from the photosensitive agent applied on the substrate P may be mixed. The impurities generated from the photosensitizer include debris of the photosensitizer and electrolyte deposits contained in the photosensitizer. Since the photosensitive agent contains an organic substance, impurities containing the organic substance may be mixed into the liquid LQ in the immersion area AR2. As described above, the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ moves on the surface of the substrate P and the upper surface 31 of the substrate stage PST including the optical measurement units 300, 400, 500, 600, but the liquid immersion area AR2 is moved to the substrate stage PST. By relatively moving above, impurities (organic substances) may adhere to the upper surface 31 of the substrate stage PST, the optical measurement units 300, 400, 500, 600, etc. provided on the substrate stage PST. In addition, impurities (organic substances) floating in the air may adhere to the upper surface 31 of the substrate stage PST, the optical measurement units 300, 400, 500, 600, and the like.

本実施形態においては、基板ステージPSTの上面31、光計測部300、400、500、600、基板ホルダPH上に付着した有機物は、酸化力の強化された雰囲気下で、前記紫外光Luにより除去される。このようにして、上記基板ステージPSTの上面31、光計測部300、400、500、600の上面、及び基板ホルダPHが光洗浄され、液体LQの付着跡の形成も抑制できる。   In the present embodiment, organic substances adhering to the upper surface 31 of the substrate stage PST, the optical measuring units 300, 400, 500, 600, and the substrate holder PH are removed by the ultraviolet light Lu in an atmosphere with enhanced oxidizing power. Is done. In this manner, the upper surface 31 of the substrate stage PST, the upper surfaces of the optical measurement units 300, 400, 500, and 600, and the substrate holder PH are optically cleaned, and the formation of adhesion marks of the liquid LQ can be suppressed.

また、基板Pの液浸露光終了後、基板ステージPST上の液体LQを回収しきれずに、基板ステージPST上に液体LQが残留する可能性もある。残留した液体LQを放置しておくと、液体LQが乾燥した後、基板ステージPSTの上面31や、光計測部300、400、500、600の上面等に、液体LQの付着跡(所謂ウォーターマーク)が形成される可能性がある。また、液体LQが基板Pの裏面側に入り込んで基板ホルダPHに付着すると、その基板ホルダPHにも液体LQの付着跡(ウォーターマーク)が形成される可能性がある。また、基板Pの液浸露光終了後に、基板ステージPST上の液体LQが回収しきれたとしても、不純物(有機物)を基板ステージPST上に付着させた状態で長時間放置しておくと、付着跡(ウォーターマーク)が形成される可能性がある。   In addition, after the immersion exposure of the substrate P, the liquid LQ on the substrate stage PST may not be collected and the liquid LQ may remain on the substrate stage PST. If the remaining liquid LQ is allowed to stand, after the liquid LQ has dried, the liquid LQ adheres to the upper surface 31 of the substrate stage PST, the upper surfaces of the optical measuring units 300, 400, 500, 600, etc. ) May be formed. Further, when the liquid LQ enters the back side of the substrate P and adheres to the substrate holder PH, there is a possibility that an adhesion trace (watermark) of the liquid LQ may be formed on the substrate holder PH. Further, even if the liquid LQ on the substrate stage PST is completely recovered after the immersion exposure of the substrate P, if the impurities (organic substances) are left on the substrate stage PST for a long time, they will adhere. A mark (watermark) may be formed.

本実施形態においては、光洗浄装置80によって、上記基板ステージPSTの上面31、光計測部300、400、500、600の上面、及び基板ホルダPHに紫外光を照射することで、光洗浄効果による付着跡(ウォーターマーク)の除去も期待できる。   In the present embodiment, the optical cleaning device 80 irradiates the upper surface 31 of the substrate stage PST, the upper surfaces of the optical measuring units 300, 400, 500, and 600, and the substrate holder PH with ultraviolet light, thereby achieving the optical cleaning effect. Removal of adhesion marks (watermarks) can also be expected.

基板ステージPSTの光洗浄処理を終えた後、制御装置CONTは、その光洗浄された基板ステージPSTに未露光基板Pをロードする。基板ホルダPHに不純物(有機物)が付着していたり、付着跡(ウォーターマーク)が形成されていると、それらが異物として作用し、基板ホルダPHで基板Pを良好に吸着保持できなくなったり、あるいは保持した基板Pの平坦度(フラットネス)が劣化し、良好な露光精度及び計測精度を得られない不都合が生じる。本実施形態においては、未露光の基板Pを基板ホルダPHで保持する前に、その基板ホルダPHを光洗浄することで、上記不都合の発生を防止することができる。   After finishing the optical cleaning process of the substrate stage PST, the control device CONT loads the unexposed substrate P onto the optically cleaned substrate stage PST. If impurities (organic substances) are attached to the substrate holder PH, or if adhesion marks (watermarks) are formed, they act as foreign matters, and the substrate holder PH cannot be satisfactorily held by adsorption, or The flatness (flatness) of the held substrate P deteriorates, and there is a disadvantage that good exposure accuracy and measurement accuracy cannot be obtained. In the present embodiment, before the unexposed substrate P is held by the substrate holder PH, the substrate holder PH can be optically washed to prevent the above-described inconvenience.

また、基板Pを露光する前に、上述したように、光計測部300、400、500、600を使った計測処理を行う場合には、その計測処理を行う前に、それら光計測部300、400、500、600を光洗浄することで、付着した不純物(有機物)や付着跡(ウォーターマーク)に起因する計測精度の劣化を防止することができる。   In addition, as described above, when performing the measurement process using the optical measurement units 300, 400, 500, and 600 before exposing the substrate P, before performing the measurement process, the optical measurement units 300, By photo-cleaning 400, 500, and 600, it is possible to prevent deterioration in measurement accuracy due to attached impurities (organic matter) and attached traces (watermarks).

また、上述したように、基板Pのエッジ領域を液浸露光するときは、液浸領域AR2の一部が基板ステージPSTの上面31に配置されるが、液浸露光を行う前に、基板ステージPSTの上面31を光洗浄することで、付着した不純物(有機物)や付着跡(ウォーターマーク)に起因する基板ステージPSTの上面31の液体LQとの接触角の変化や、光計測部300、400、500、600の上面の液体LQとの接触角の変化を防止することができる。例えば、基板ステージPSTの上面31の液体LQとの接触角が変化すると、液浸領域LQの液体LQの圧力が変化し、それに伴って、基板Pや基板ステージPST、投影光学系PLの光学素子2に及ぼす液体LQの力も変化する。すると、基板Pやその基板Pを支持する基板ステージPSTが変形したり、光学素子2の位置が変動する等の不都合が生じ、露光精度及び計測精度が劣化する可能性がある。また、基板Pなどに及ぼす液体LQの力が変化すると、液浸領域AR2の液体LQが基板Pの外側に流出したり、液浸領域AR2中に気泡が発生したり、上面31と基板Pのエッジ部との隙間に液体LQが入り込むなどの不都合が発生し易くなる。本実施形態においては、液浸露光を行う前に、基板ステージPSTの上面31を光洗浄することで、上面31の液体LQとの接触角の変化を防止し、上記不都合の発生を防止することができる。   As described above, when the edge region of the substrate P is subjected to immersion exposure, a part of the immersion region AR2 is disposed on the upper surface 31 of the substrate stage PST. By optically cleaning the upper surface 31 of the PST, changes in the contact angle with the liquid LQ on the upper surface 31 of the substrate stage PST caused by adhered impurities (organic matter) and adhesion marks (watermarks), and the optical measuring units 300 and 400 , 500 and 600 can be prevented from changing the contact angle with the liquid LQ. For example, when the contact angle of the upper surface 31 of the substrate stage PST with the liquid LQ changes, the pressure of the liquid LQ in the immersion area LQ changes, and accordingly, the optical elements of the substrate P, the substrate stage PST, and the projection optical system PL. The force of liquid LQ on 2 also changes. Then, inconveniences such as deformation of the substrate P and the substrate stage PST that supports the substrate P, and fluctuation of the position of the optical element 2 may occur, and the exposure accuracy and measurement accuracy may deteriorate. Further, when the force of the liquid LQ exerted on the substrate P or the like changes, the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 flows out of the substrate P, bubbles are generated in the liquid immersion area AR2, or the upper surface 31 and the substrate P Inconveniences such as liquid LQ entering the gap with the edge portion are likely to occur. In the present embodiment, the upper surface 31 of the substrate stage PST is optically cleaned before performing immersion exposure, thereby preventing a change in the contact angle of the upper surface 31 with the liquid LQ and preventing the above-described inconvenience. Can do.

また、基板ステージPST上などに形成された付着跡(ウォーターマーク)は異物として作用するため、その異物が例えば空中を浮遊して基板P上に付着し、その状態で露光処理が行われると、基板P上のパターン欠陥を招く。本実施形態においては、光洗浄装置80は、付着跡(ウォーターマーク)が基板ステージPST上に形成されないように、紫外光Luを照射しているので、付着跡(ウォーターマーク)の形成を抑制し、上記パターン欠陥などの不都合の発生を防止することができる。   Further, since the adhesion mark (watermark) formed on the substrate stage PST or the like acts as a foreign substance, the foreign substance floats in the air and adheres to the substrate P, for example, and exposure processing is performed in that state. This causes a pattern defect on the substrate P. In the present embodiment, the optical cleaning device 80 irradiates the ultraviolet light Lu so that the adhesion trace (watermark) is not formed on the substrate stage PST, and therefore suppresses the formation of the adhesion trace (watermark). The occurrence of inconveniences such as pattern defects can be prevented.

本実施形態においては、光洗浄装置80は投影光学系PLに並んだ位置に設けられている。このような配置にすることにより、露光処理をしていないときは、基板ステージPSTを直ちに光洗浄装置80の直下に移動することができ、光洗浄処理時間の短縮化を図ることができる。   In the present embodiment, the light cleaning device 80 is provided at a position aligned with the projection optical system PL. With this arrangement, when the exposure process is not performed, the substrate stage PST can be immediately moved directly below the light cleaning device 80, and the time for the light cleaning process can be shortened.

ところで、光洗浄装置80(光源82)は発熱源となるため、投影光学系PLに近づけすぎると、投影光学系PLの結像特性の変動などを引き起こし、露光精度及び投影光学系PLを介した計測精度を劣化させる。また、光洗浄装置80の光洗浄によって空中に飛散した異物(不純物)が露光精度や計測精度に影響を及ぼすおそれもある。したがって、光洗浄装置80は、投影光学系PL(露光光ELの光路)から所定距離だけ離れた位置に設けることが望ましい。   By the way, since the optical cleaning device 80 (light source 82) is a heat source, if it is too close to the projection optical system PL, it causes fluctuations in the imaging characteristics of the projection optical system PL, and the exposure accuracy and the projection optical system PL are passed through. Degradation of measurement accuracy. Further, foreign matter (impurities) scattered in the air by the optical cleaning of the optical cleaning device 80 may affect the exposure accuracy and measurement accuracy. Therefore, it is desirable to provide the optical cleaning device 80 at a position away from the projection optical system PL (optical path of the exposure light EL) by a predetermined distance.

本実施形態においては、光洗浄装置80は、投影光学系PLに対して空調系KCによって形成される気体(空気)の流れの下流側に設けられた構成となっている。したがって、光洗浄装置80で発生した熱が、投影光学系PL(露光光ELの光路)に伝わることを効果的に防止することができる。また、光洗浄装置80による光洗浄によって分解された異物(不純物)が空中に飛散しても、投影光学系PL側へ流れることなく、排気口120から排出することができる。   In the present embodiment, the optical cleaning device 80 is provided on the downstream side of the flow of gas (air) formed by the air conditioning system KC with respect to the projection optical system PL. Therefore, it is possible to effectively prevent the heat generated in the optical cleaning device 80 from being transmitted to the projection optical system PL (the optical path of the exposure light EL). Further, even if foreign matter (impurities) decomposed by light cleaning by the light cleaning device 80 is scattered in the air, it can be discharged from the exhaust port 120 without flowing to the projection optical system PL side.

このように、空調系KCによって形成される気体の流れの方向を考慮して、光洗浄装置80の設置位置を設定することで、光洗浄装置80に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止することができる。   In this way, by setting the installation position of the optical cleaning device 80 in consideration of the direction of the flow of gas formed by the air conditioning system KC, it is possible to prevent deterioration in exposure accuracy and measurement accuracy due to the optical cleaning device 80. can do.

なお、光洗浄装置80から射出する照射光Luとしては、光洗浄効果を有する照射光であれば、例えばArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びFレーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などでもよい。あるいは、水銀ランプ、重水素ランプなどを用いることもでき、この場合には光洗浄装置80の低コスト化を図ることができる。 The irradiation light Lu emitted from the optical cleaning device 80 is vacuum ultraviolet light (for example, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm)) as long as it is irradiation light having a light cleaning effect. VUV light) or the like. Alternatively, a mercury lamp, a deuterium lamp, or the like can be used. In this case, the cost of the optical cleaning device 80 can be reduced.

ところで、上述したように、光洗浄は、酸素による紫外光Luの吸収に基づいて、紫外光Luの照射領域近傍の雰囲気の酸化力を強化し、不純物(有機物)を酸化分解し、その除去を促進させる構成であるが、紫外光Luの照射領域近傍の雰囲気中の酸素は必ずしも必要ではない。一方で、酸素は、紫外光Luに対する吸光物質として作用するため、前記雰囲気中の酸素濃度が高すぎると、紫外光Luは十分な光強度で照射されない。したがって、照射する紫外光Luの波長などに応じて、前記雰囲気中の酸素濃度を最適に設定することが望ましい。   By the way, as described above, the optical cleaning enhances the oxidizing power of the atmosphere in the vicinity of the irradiation region of the ultraviolet light Lu based on the absorption of the ultraviolet light Lu by oxygen, oxidizes and decomposes impurities (organic substances), and removes them. Although it is a structure to promote, oxygen in the atmosphere in the vicinity of the irradiation region of the ultraviolet light Lu is not necessarily required. On the other hand, since oxygen acts as a light-absorbing substance for the ultraviolet light Lu, if the oxygen concentration in the atmosphere is too high, the ultraviolet light Lu is not irradiated with sufficient light intensity. Therefore, it is desirable to optimally set the oxygen concentration in the atmosphere according to the wavelength of the ultraviolet light Lu to be irradiated.

そこで、制御装置CONTは、紫外光Luの光路を含む空調空間125の酸素濃度を検出器84(84A、84B)を使って検出し、光洗浄するときは、検出器84の検出結果に基づいて、空調空間125のうち、少なくとも紫外光Luの光路を含む空間の酸素濃度を調整するとよい。例えば、検出器84で検出した酸素濃度が、所望濃度に対して低い場合には、制御装置CONTは、空調系KCの給気口115より空調空間125に対して供給する気体に酸素を追加することで、空調空間125の酸素濃度を高くすることができる。一方、検出器84で検出した酸素濃度が、所望濃度に対して高い場合には、制御装置CONTは、空調系KCの給気口115より空調空間125に対して供給する気体に窒素などの不活性ガスを追加することで、空調空間125の酸素濃度を低くすることができる。
空調空間125の気体は、排気口120より回収される。
Therefore, the control device CONT detects the oxygen concentration in the air-conditioned space 125 including the optical path of the ultraviolet light Lu using the detector 84 (84A, 84B), and performs optical cleaning based on the detection result of the detector 84. The oxygen concentration of the space including at least the optical path of the ultraviolet light Lu in the conditioned space 125 may be adjusted. For example, when the oxygen concentration detected by the detector 84 is lower than the desired concentration, the control device CONT adds oxygen to the gas supplied to the conditioned space 125 from the air supply port 115 of the air conditioning system KC. As a result, the oxygen concentration in the conditioned space 125 can be increased. On the other hand, when the oxygen concentration detected by the detector 84 is higher than the desired concentration, the control device CONT sets the gas supplied from the air supply port 115 of the air conditioning system KC to the air conditioned space 125, such as nitrogen. By adding the active gas, the oxygen concentration in the air-conditioned space 125 can be lowered.
The gas in the conditioned space 125 is collected from the exhaust port 120.

<第2の実施形態>
図5は本発明の第2の実施形態を示す概略構成図である。ここで、以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Second Embodiment>
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the present invention. Here, in the following description, the same or equivalent components as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

上述したように、光洗浄装置80(光源82)は発熱源となるため、図5に示すように、空調空間125の外側に配置するようにしてもよい。こうすることにより、光洗浄装置80で発生した熱が、投影光学系PL(露光光ELの光路)に伝わることを更に効果的に防止することができる。図5において、光洗浄装置80はメインコラム4の上面4Aに設けられており、空調空間125よりも外側に配置されている。メインコラム4の上壁の一部には、紫外光Luを透過可能な透過窓83が設けられており、光洗浄装置80は透過窓83の上に設けられている。透過窓83は、例えば石英ガラスや蛍石、あるいはフッ化マグネシウムなど、紫外光Luに対して吸収の少ない材料で構成されている。光洗浄装置80は下方に向けて紫外光Luを射出する。光洗浄装置80より射出された紫外光Luは、透過窓83を通過した後、光洗浄装置80及び透過窓83の直下に配置されている基板ステージPST上に照射される。   As described above, since the light cleaning device 80 (light source 82) serves as a heat source, it may be disposed outside the air-conditioned space 125 as shown in FIG. By doing so, it is possible to more effectively prevent the heat generated in the optical cleaning device 80 from being transmitted to the projection optical system PL (the optical path of the exposure light EL). In FIG. 5, the light cleaning device 80 is provided on the upper surface 4 </ b> A of the main column 4, and is disposed outside the air-conditioned space 125. A transmission window 83 capable of transmitting the ultraviolet light Lu is provided on a part of the upper wall of the main column 4, and the light cleaning device 80 is provided on the transmission window 83. The transmission window 83 is made of a material that absorbs less ultraviolet light Lu, such as quartz glass, fluorite, or magnesium fluoride. The optical cleaning device 80 emits ultraviolet light Lu downward. The ultraviolet light Lu emitted from the light cleaning device 80 passes through the transmission window 83 and is then irradiated onto the substrate stage PST disposed immediately below the light cleaning device 80 and the transmission window 83.

また、図5に示す実施形態においては、光洗浄装置80を空調空間125の外側に配置しているため、空調系KCによって形成される空調空間125における気体の流れ方の設計に対する自由度を広げることができる。   In the embodiment shown in FIG. 5, since the light cleaning device 80 is disposed outside the air-conditioned space 125, the degree of freedom in designing the gas flow in the air-conditioned space 125 formed by the air-conditioning system KC is expanded. be able to.

<第3の実施形態>
図6は第3の実施形態を示す図である。図6において、光洗浄装置80は、空調空間125の外側に配置され、紫外光Luを射出する光源82と、光源82から射出された紫外光Luを空調空間125の内部に配置された基板ステージPST上に導く光学系86とを備えている。光学系86は、メインコラム4の+X側の側壁の一部に設けられ、紫外光Luを透過可能な透過窓83と、空調空間125の内側に配置され、透過窓83を通過した紫外光Luの光路を折り曲げる反射ミラー85とを備えている。透過窓83は、上述同様、例えば石英ガラスや蛍石、あるいはフッ化マグネシウムなど、紫外光Luに対して吸収の少ない材料で構成されている。光源82はハウジング81に収容された状態で、メインコラム4の+X側の外側において、透過窓83の近くに配置されている。光源82から射出された紫外光Luは、透過窓83を通過した後、反射ミラー85で反射し、基板ステージPSTに照射される。なお、反射ミラー85は、凸面であっても凹面であってもよい。反射ミラー85を凸面にすることにより、基板ステージPSTの広い領域を紫外光Luで一括して照射することができる。一方、反射ミラー85を凹面にすることにより、光源82から射出された紫外光Luを反射ミラー85で集光した後、基板ステージPSTに照射することができる。また、反射ミラー85を移動可能(揺動可能)に設け、その反射ミラー85を動かすことで、反射ミラー85で反射した紫外光Luを基板ステージPSTの所望位置に照射することができる。なお、反射ミラー85に代えてあるいは反射ミラー85に加えて、紫外光Luを偏向または集光させるレンズやプリズムなどの光学素子を用いても良い。
<Third Embodiment>
FIG. 6 is a diagram showing a third embodiment. In FIG. 6, the light cleaning device 80 is disposed outside the air-conditioned space 125 and has a light source 82 that emits ultraviolet light Lu, and a substrate stage in which the ultraviolet light Lu emitted from the light source 82 is disposed inside the air-conditioned space 125. And an optical system 86 for guiding the light onto the PST. The optical system 86 is provided on a part of the side wall on the + X side of the main column 4, and is disposed inside the conditioned space 125 through the transmission window 83 that can transmit the ultraviolet light Lu, and the ultraviolet light Lu that has passed through the transmission window 83. And a reflection mirror 85 for bending the optical path. As described above, the transmission window 83 is made of a material that absorbs less ultraviolet light Lu, such as quartz glass, fluorite, or magnesium fluoride. The light source 82 is accommodated in the housing 81 and is disposed near the transmission window 83 on the outer side of the main column 4 on the + X side. The ultraviolet light Lu emitted from the light source 82 passes through the transmission window 83, is reflected by the reflection mirror 85, and is applied to the substrate stage PST. The reflection mirror 85 may be a convex surface or a concave surface. By making the reflecting mirror 85 convex, a wide area of the substrate stage PST can be collectively irradiated with ultraviolet light Lu. On the other hand, by making the reflecting mirror 85 concave, it is possible to irradiate the substrate stage PST after the ultraviolet light Lu emitted from the light source 82 is collected by the reflecting mirror 85. Further, by providing the reflecting mirror 85 to be movable (swingable) and moving the reflecting mirror 85, the ultraviolet light Lu reflected by the reflecting mirror 85 can be irradiated to a desired position of the substrate stage PST. Instead of the reflection mirror 85 or in addition to the reflection mirror 85, an optical element such as a lens or a prism that deflects or condenses the ultraviolet light Lu may be used.

図6に示した実施形態においても、発熱源となる光源82は、空調空間125の外側に配置されているので、光洗浄装置80の光源82で発生した熱が、投影光学系PL(露光光ELの光路)に伝わることを更に効果的に防止することができる。   Also in the embodiment shown in FIG. 6, the light source 82 serving as a heat generation source is disposed outside the air-conditioned space 125, so that the heat generated by the light source 82 of the light cleaning device 80 is generated by the projection optical system PL (exposure light). It is possible to more effectively prevent transmission to the EL optical path).

また、図6に示す実施形態においても、光洗浄装置80の光源82を空調空間125の外側に配置しているため、空調系KCによって形成される空調空間125における気体の流れ方の設計に対する自由度を広げることができる。例えば、図6に示す実施形態においては、空調空間125に対して気体を供給する給気口115(115A、115B)は2つ設けられており、メインコラム4の上壁に設けられている。なお、上述した実施形態同様、給気口115A、115Bのそれぞれにはフィルタユニット118(118A、118B)が設けられている。本実施形態においては、空調系KCは、給気口118A、118Bより空調空間125に対して縦方向、本実施形態では−Z方向に気体を供給する。また、メインコラム4の+X側及び−X側それぞれの側壁の下部には、空調空間125の気体を排気する排気口120(120A、120B)が設けられている。   In the embodiment shown in FIG. 6 as well, since the light source 82 of the light cleaning device 80 is disposed outside the air-conditioned space 125, freedom in designing the gas flow in the air-conditioned space 125 formed by the air-conditioning system KC. Can expand the degree. For example, in the embodiment shown in FIG. 6, two air supply openings 115 (115 </ b> A and 115 </ b> B) for supplying gas to the air-conditioned space 125 are provided on the upper wall of the main column 4. As in the above-described embodiment, filter units 118 (118A and 118B) are provided in the air supply ports 115A and 115B, respectively. In the present embodiment, the air conditioning system KC supplies gas in the vertical direction, in the present embodiment, in the −Z direction, from the air supply ports 118A and 118B to the conditioned space 125. Further, exhaust ports 120 (120A, 120B) for exhausting the gas in the air-conditioned space 125 are provided at the lower portions of the side walls of the main column 4 on the + X side and the −X side, respectively.

なお、図4〜6に示した例(第1〜第3実施形態)では基板ステージPSTを投影光学系PLの下方の位置からX方向に所定位置まで移動させ、所定位置にて紫外光Luを基板ステージPSTに照射していた。しかし、これに限らず、基板ステージPSTを投影光学系PLの下方の位置に維持したまま、図6に示したような反射鏡やその他の光学部材を用いて紫外光Luを投影光学系PLの下方に位置する基板ステージPSTに導いても良い。   4 to 6 (first to third embodiments), the substrate stage PST is moved from the position below the projection optical system PL to the predetermined position in the X direction, and the ultraviolet light Lu is emitted at the predetermined position. The substrate stage PST was irradiated. However, the present invention is not limited to this, and ultraviolet light Lu is projected from the projection optical system PL using a reflecting mirror or other optical member as shown in FIG. 6 while the substrate stage PST is maintained at a position below the projection optical system PL. You may guide to the substrate stage PST located below.

また、図4〜6に示した例(第1〜第3実施形態)空調系KCによって、空調空間125内の酸素濃度が光洗浄可能な状態に維持される場合には、検出器84を省略して、検出器84の検出結果に基づく酸素濃度の調整を積極的に行わなくてもよい。   4 to 6 (first to third embodiments) When the air conditioning system KC maintains the oxygen concentration in the air-conditioned space 125 in a state where it can be washed with light, the detector 84 is omitted. Thus, it is not necessary to positively adjust the oxygen concentration based on the detection result of the detector 84.

ここで、図2などを参照して説明した第1の実施形態においては、空調空間125における気体の流れは横方向なので、その気体の流れる距離が長くなり、上流部と下流部とで温度差が生じる可能性が高くなる。したがって、レーザ干渉計56の計測ビームの照射方向に関して温度分布が生じることとなり、計測ビームの光路が変動する可能性が高くなり、その結果、レーザ干渉計56による基板ステージPSTの位置計測精度が低下するおそれもある。一方、図6に示した第3の実施形態においては、空調空間125における気体の流れの方向が縦方向なので、その気体の流れる距離を短くすることができ、上流部と下流部とで温度差が生じる不都合を抑えることができる。また、気体の流れの方向はレーザ干渉計56の計測ビームの照射方向とほぼ直交するため、計測ビームの照射方向に関して温度分布が生じる不都合を抑えることができる。したがって、レーザ干渉計56による基板ステージPSTの位置計測精度を維持することができる。   Here, in the first embodiment described with reference to FIG. 2 and the like, the gas flow in the air-conditioned space 125 is in the lateral direction, so the distance that the gas flows becomes long, and the temperature difference between the upstream portion and the downstream portion. Is likely to occur. Therefore, a temperature distribution is generated with respect to the irradiation direction of the measurement beam of the laser interferometer 56, and the possibility that the optical path of the measurement beam fluctuates increases. As a result, the position measurement accuracy of the substrate stage PST by the laser interferometer 56 decreases. There is also a risk. On the other hand, in the third embodiment shown in FIG. 6, since the direction of gas flow in the conditioned space 125 is the vertical direction, the gas flow distance can be shortened, and the temperature difference between the upstream portion and the downstream portion. The inconvenience that occurs can be suppressed. Further, since the direction of the gas flow is substantially orthogonal to the measurement beam irradiation direction of the laser interferometer 56, it is possible to suppress inconvenience that a temperature distribution occurs in the measurement beam irradiation direction. Therefore, the position measurement accuracy of the substrate stage PST by the laser interferometer 56 can be maintained.

<第4の実施形態>
次に、第4の実施形態について図7を参照しながら説明する。上述した第1〜第3の実施形態のように、空調空間125全体の酸素濃度を空調系KCを使って調整する構成では、空調空間125全体を所望の酸素濃度に置換するまでに時間がかかる可能性がある。そこで、図7に示すように、光洗浄装置80は、基板ステージPSTのうち紫外光Luが照射される照射領域近傍に対して所定の気体を供給する気体供給系87と、気体を吸引回収する気体回収系88とを備えた構成とするとよい。気体供給系87の供給口87A及び気体回収系88の回収口88Aは、基板ステージPSTの近傍に設けられ、基板ステージPSTを挟んで互いに対向するように配置されている。
<Fourth Embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG. In the configuration in which the oxygen concentration of the entire conditioned space 125 is adjusted using the air conditioning system KC as in the first to third embodiments described above, it takes time to replace the entire conditioned space 125 with a desired oxygen concentration. there is a possibility. Therefore, as shown in FIG. 7, the optical cleaning device 80 sucks and collects a gas, and a gas supply system 87 that supplies a predetermined gas to the vicinity of an irradiation region irradiated with the ultraviolet light Lu in the substrate stage PST. It is good to set it as the structure provided with the gas recovery system 88. FIG. The supply port 87A of the gas supply system 87 and the recovery port 88A of the gas recovery system 88 are provided in the vicinity of the substrate stage PST, and are arranged to face each other with the substrate stage PST interposed therebetween.

制御装置CONTは、紫外光Luの光路を含む空調空間125の酸素濃度を検出器84(84A、84B)を使って検出し、光洗浄するときは、検出器84の検出結果に基づいて、気体供給系87より供給する気体成分(酸素濃度)を調整する。例えば、検出器84で検出した酸素濃度が、所望濃度に対して低い場合には、制御装置CONTは、気体供給系87より前記照射領域に対して供給する気体に酸素を追加することで、前記照射領域近傍の酸素濃度を高くすることができる。一方、検出器84で検出した酸素濃度が、所望濃度に対して高い場合には、制御装置CONTは、気体供給系87より前記照射領域に対して供給する気体に窒素などの不活性ガスを追加することで、前記照射領域近傍の酸素濃度を低くすることができる。   When the control device CONT detects the oxygen concentration in the conditioned space 125 including the optical path of the ultraviolet light Lu using the detector 84 (84A, 84B) and performs optical cleaning, based on the detection result of the detector 84, the gas The gas component (oxygen concentration) supplied from the supply system 87 is adjusted. For example, when the oxygen concentration detected by the detector 84 is lower than the desired concentration, the control device CONT adds oxygen to the gas supplied from the gas supply system 87 to the irradiation region, thereby The oxygen concentration in the vicinity of the irradiation region can be increased. On the other hand, when the oxygen concentration detected by the detector 84 is higher than the desired concentration, the control device CONT adds an inert gas such as nitrogen to the gas supplied from the gas supply system 87 to the irradiation region. As a result, the oxygen concentration in the vicinity of the irradiation region can be lowered.

このような構成とすることにより、光洗浄対象領域(紫外光Luの照射領域)近傍の比較的小さい空間のみを光洗浄に適した環境に迅速に設定することができ、光洗浄処理時間を短くすることができる。また、図7に示した実施形態においては、紫外光Luの照射領域近傍に気体回収系88の回収口88Aが設けられているので、基板ステージPST上などから異物が発生した場合でも、その異物を吸引回収することができる。例えば、基板ステージPSTを光洗浄したとき、その基板ステージPSTに付着している有機物が気化して浮遊する場合があるが、その気化した有機物を気体回収系88で迅速に回収することで、空調空間125の清浄度を維持することができる。また、気体供給系87は、オゾンガスのような酸化促進ガス(光洗浄促進ガス)を供給することも可能である。こうすることにより、光洗浄対象領域(紫外光Luの照射領域)近傍の空間(雰囲気)をオゾンガスで満たすことができ、酸化力の強化された雰囲気下で、基板ステージPST上に付着した不純物(有機物)を紫外光Luにより酸化分解して光洗浄することができる。   By adopting such a configuration, it is possible to quickly set only a relatively small space in the vicinity of the light cleaning target region (the irradiation region of the ultraviolet light Lu) to an environment suitable for light cleaning, and shorten the light cleaning processing time. can do. In the embodiment shown in FIG. 7, since the recovery port 88A of the gas recovery system 88 is provided in the vicinity of the irradiation region of the ultraviolet light Lu, even if a foreign matter is generated on the substrate stage PST, the foreign matter is generated. Can be collected by suction. For example, when the substrate stage PST is optically cleaned, the organic matter adhering to the substrate stage PST may be vaporized and float, but the vaporized organic matter can be quickly recovered by the gas recovery system 88 to achieve air conditioning. The cleanliness of the space 125 can be maintained. The gas supply system 87 can also supply an oxidation promoting gas (photocleaning promoting gas) such as ozone gas. By doing so, the space (atmosphere) in the vicinity of the light cleaning target region (irradiation region of the ultraviolet light Lu) can be filled with ozone gas, and the impurities (on the substrate stage PST in the atmosphere with enhanced oxidizing power) Organic matter) can be oxidatively decomposed with ultraviolet light Lu and washed with light.

<第5の実施形態>
次に、第5の実施形態について図8を参照しながら説明する。図8に示す光洗浄装置80は、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち最も像面側の光学素子2、及びノズル部材70に紫外光Luを照射し、光洗浄する。光学素子2及びノズル部材70は、液浸領域AR2の液体LQに接触する部材であって、光洗浄装置80は、光学素子2及びノズル部材70のうち液浸領域AR2の液体LQに接触する液体接触面2A、70Aに少なくとも紫外光Luを照射する。光洗浄装置80は、基板ステージPSTのうち、基板ホルダPH、基準部材、光計測部以外の所定位置に設けられている。光洗浄装置80の光源82は基板ステージPSTの所定位置に設けられた凹部59の内側に設けられており、その凹部59の開口は、紫外光Luを透過可能な透過窓83で塞がれている。光洗浄装置80の光源82は、上方に向けて紫外光Luを射出する。光源82から射出された紫外光Luは、透過窓83を通過した後、光学素子2及びノズル部材70を照射する。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIG. The optical cleaning device 80 shown in FIG. 8 irradiates the optical element 2 closest to the image plane and the nozzle member 70 among the plurality of optical elements constituting the projection optical system PL, and performs optical cleaning. The optical element 2 and the nozzle member 70 are members that are in contact with the liquid LQ in the liquid immersion area AR2, and the optical cleaning device 80 is a liquid that is in contact with the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 of the optical element 2 and the nozzle member 70. The contact surfaces 2A and 70A are irradiated with at least ultraviolet light Lu. The optical cleaning device 80 is provided in a predetermined position of the substrate stage PST other than the substrate holder PH, the reference member, and the optical measurement unit. The light source 82 of the optical cleaning device 80 is provided inside a recess 59 provided at a predetermined position of the substrate stage PST, and the opening of the recess 59 is blocked by a transmission window 83 that can transmit the ultraviolet light Lu. Yes. The light source 82 of the optical cleaning device 80 emits ultraviolet light Lu upward. The ultraviolet light Lu emitted from the light source 82 irradiates the optical element 2 and the nozzle member 70 after passing through the transmission window 83.

また、図8においては、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aの汚染を検出する検出装置90が設けられている。検出装置90は、下面2A、70Aに付着している不純物(有機物)を検出可能である。また、ここでいう不純物は、上述同様、液体LQの付着跡(ウォーターマーク)や、基板Pの感光剤(フォトレジスト)から発生した異物(感光剤の破片や感光剤に含まれる電解質の析出物等)を含む。なお、以下の説明では、光学素子2の下面2Aの汚染(異物)を検出する場合について説明するが、ノズル部材70の下面70Aの汚染(異物)を検出する場合も、同様の手順で検出可能である。   In FIG. 8, a detection device 90 that detects contamination of the lower surface 2 </ b> A of the optical element 2 and the lower surface 70 </ b> A of the nozzle member 70 is provided. The detection device 90 can detect impurities (organic substances) adhering to the lower surfaces 2A and 70A. In addition, the impurities referred to here are, as described above, the adhesion mark (watermark) of the liquid LQ and the foreign matter generated from the photosensitive agent (photoresist) of the substrate P (debris of the photosensitive agent and the deposit of the electrolyte contained in the photosensitive agent). Etc.). In the following description, the case of detecting contamination (foreign matter) on the lower surface 2A of the optical element 2 will be described. However, detection of contamination (foreign matter) on the lower surface 70A of the nozzle member 70 can also be detected by the same procedure. It is.

図8において、検出装置90は、基板ステージPST(Zステージ52)上に設けられ、投影光学系PLの光学素子2の下面2A(又はノズル部材70の下面70A)に対して斜め下方から所定の検出光を照射する発光部91と、光学素子2の下面2Aと発光部91とを結ぶ光路上に配置された分岐ミラー93と、基板ステージPST上に設けられ、発光部91からの照射に基づく光学素子2の下面2Aからの反射光を受光するための第1受光部92と、基板ステージPSTの上方位置に配置され、発光部91からの照射に基づく分岐ミラー93からの分岐光を受光するための第2受光部94とを備えている。検出装置90を構成する発光部91及び第1受光部92等は、基板ステージPST上のうち基板ホルダPHや基準部材、光計測部以外の位置に設けられている。そして、第1、第2受光部92、94の受光結果は、制御装置CONTへ出力される。制御装置CONTは、第1、第2受光部92、94の受光結果に基づいて、光学素子2の下面2Aの光反射率を求め、その求めた光反射率と、予め記憶している所定反射率とを比較し、その比較した結果に基づいて、光学素子2の下面2Aの汚染(汚染度)を検出(測定)する。つまり、光学素子2に異物が付着していれば、この異物に起因して散乱光が生じて反射率が変化し、第1受光部92で受光される受光量が変化する。制御装置CONTは、光学素子2の下面2Aが光学特性に影響を与えるほど汚染されていないと想定される本装置完成時及び/または前回の光洗浄後に測定された光学素子2の下面2Aの光反射率を所定反射率として予め記憶している。   In FIG. 8, the detection device 90 is provided on the substrate stage PST (Z stage 52) and has a predetermined angle from below with respect to the lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL (or the lower surface 70A of the nozzle member 70). A light emitting unit 91 that emits detection light, a branching mirror 93 disposed on the optical path connecting the lower surface 2A of the optical element 2 and the light emitting unit 91, and a substrate stage PST are provided on the basis of irradiation from the light emitting unit 91. The first light receiving unit 92 for receiving the reflected light from the lower surface 2A of the optical element 2 and the branched light from the branching mirror 93 based on the irradiation from the light emitting unit 91 are received above the substrate stage PST. And a second light receiving portion 94 for the purpose. The light emitting unit 91, the first light receiving unit 92, and the like constituting the detection device 90 are provided on the substrate stage PST at positions other than the substrate holder PH, the reference member, and the optical measurement unit. And the light reception result of the 1st, 2nd light-receiving parts 92 and 94 is output to the control apparatus CONT. The control device CONT obtains the light reflectivity of the lower surface 2A of the optical element 2 based on the light reception results of the first and second light receiving units 92 and 94, the obtained light reflectivity, and the predetermined reflection stored in advance. And the contamination (degree of contamination) of the lower surface 2A of the optical element 2 is detected (measured) based on the comparison result. That is, if a foreign substance is attached to the optical element 2, scattered light is generated due to the foreign substance, the reflectance is changed, and the amount of light received by the first light receiving unit 92 is changed. The control device CONT uses the light on the lower surface 2A of the optical element 2 measured when the present device is completed and / or after the previous light cleaning, assuming that the lower surface 2A of the optical element 2 is not contaminated so as to affect the optical characteristics. The reflectance is stored in advance as a predetermined reflectance.

光学素子2の汚染を検出するとき、制御装置CONTは、基板ステージPSTを移動して検出装置90を投影光学系PLの下に配置する。そして、発光部91から所定の検出光が照射されると、その検出光のうち分岐ミラー93を透過した検出光は光学素子2の下面2Aを照射した後この下面2Aで反射し、その反射光は第1受光部92により受光される。一方、分岐ミラー93により分岐された検出光(分岐光)は光学素子2の下面2Aに至ることなく第2受光部94により受光される。そして、両受光部92、94の受光結果が制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、第1受光部92の受光結果と第2受光部94の受光結果とに基づいて光学素子2の下面2Aの光反射率を求め、その求めた光反射率が上記所定反射率に対して許容値以上であるか否かを求める。すなわち、求めた光反射率が上記所定反射率に対して許容値未満である場合、制御装置CONTは、光学素子2の下面2Aは汚染されていないと判断する。一方、求めた光反射率が上記所定反射率に対して許容値以上である場合、制御装置CONTは、光学素子2の下面2Aは汚染されていると判断する。   When detecting contamination of the optical element 2, the control device CONT moves the substrate stage PST and arranges the detection device 90 under the projection optical system PL. Then, when predetermined detection light is irradiated from the light emitting unit 91, the detection light transmitted through the branch mirror 93 among the detection light is irradiated on the lower surface 2A of the optical element 2 and then reflected on the lower surface 2A, and the reflected light. Is received by the first light receiving unit 92. On the other hand, the detection light (branched light) branched by the branch mirror 93 is received by the second light receiving unit 94 without reaching the lower surface 2 </ b> A of the optical element 2. And the light reception result of both the light-receiving parts 92 and 94 is output to the control apparatus CONT. The control device CONT obtains the light reflectance of the lower surface 2A of the optical element 2 based on the light reception result of the first light receiving unit 92 and the light reception result of the second light receiving unit 94, and the obtained light reflectance is the predetermined reflectance. It is determined whether or not the value is greater than the allowable value. That is, when the obtained light reflectance is less than the allowable value with respect to the predetermined reflectance, the control device CONT determines that the lower surface 2A of the optical element 2 is not contaminated. On the other hand, when the obtained light reflectance is equal to or greater than the allowable value with respect to the predetermined reflectance, the control device CONT determines that the lower surface 2A of the optical element 2 is contaminated.

制御装置CONTは、検出装置90の検出結果に基づいて、光洗浄装置80の動作を制御する。具体的には、検出装置90の検出結果に基づいて、光学素子2の下面2Aが汚染されていないと判断した場合、制御装置CONTは、光洗浄装置80による光洗浄処理を行わず、露光動作を継続する。こうすることにより、不必要な光洗浄処理を行うことが無くなるので、スループット(露光装置の稼働率)を向上することができる。一方、検出装置90の検出結果に基づいて、光学素子2の下面2Aが汚染されていると判断した場合、制御装置CONTは、光洗浄装置80による光洗浄処理を行う。投影光学系PLの光学素子2の下面2Aが汚染され、液体の付着跡などが形成されてしまうと、投影光学系PLを通過する露光光や計測光の照射量や照度分布が変化するなどして、露光精度や計測精度が劣化する可能性がある。本実施形態においては、光洗浄装置80を使って光学素子2の下面2Aを光洗浄処理しているので、汚染された状態の光学素子2を使って露光処理や計測処理を行ってしまうといった不都合の発生を防止することができる。また、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aを光洗浄装置80を用いて光洗浄処理を行うことで、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aの親液性(液体LQの接触角が20度以下)を維持することができ、光学素子2及びノズル部材70と、基板ステージPST(基板P)との間で液体LQを良好に保持し続けることができる。また、ノズル部材70の供給口12、回収口22に付着した汚染物(異物)も除去することができるので、光学素子2の像面側の光路空間への液体の供給及び回収が安定的に行われ、液体LQの液浸領域AR2を良好に維持することができる。   The control device CONT controls the operation of the light cleaning device 80 based on the detection result of the detection device 90. Specifically, when it is determined that the lower surface 2A of the optical element 2 is not contaminated based on the detection result of the detection device 90, the control device CONT does not perform the light cleaning process by the light cleaning device 80, and performs the exposure operation. Continue. By doing so, unnecessary light cleaning processing is not performed, so that throughput (operation rate of the exposure apparatus) can be improved. On the other hand, when it is determined that the lower surface 2A of the optical element 2 is contaminated based on the detection result of the detection device 90, the control device CONT performs a light cleaning process by the light cleaning device 80. If the lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL is contaminated and a liquid adhesion mark or the like is formed, the amount of exposure light or measurement light passing through the projection optical system PL or the illuminance distribution may change. As a result, exposure accuracy and measurement accuracy may be degraded. In the present embodiment, the lower surface 2A of the optical element 2 is optically cleaned using the optical cleaning device 80, so that the exposure process and the measurement process are performed using the contaminated optical element 2. Can be prevented. Further, by performing optical cleaning treatment on the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 using the optical cleaning device 80, the lyophilicity (liquid) of the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 is obtained. LQ contact angle can be maintained at 20 degrees or less), and the liquid LQ can be maintained well between the optical element 2 and the nozzle member 70 and the substrate stage PST (substrate P). In addition, since contaminants (foreign matter) adhering to the supply port 12 and the recovery port 22 of the nozzle member 70 can be removed, liquid supply and recovery to the optical path space on the image plane side of the optical element 2 can be performed stably. As a result, the immersion area AR2 of the liquid LQ can be maintained well.

なお、本実施形態において、光洗浄装置80を使って光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aを光洗浄するときに、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aと光洗浄装置80との間を液体LQで満たしてもよい。この場合、液体供給装置10の供給動作と液体回収装置20の回収動作を行わなくても、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aと光洗浄装置80との間を液体LQで満たし続けることも可能であるが、液体の供給動作と回収動作を実行しながら光洗浄することによって、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aから除去された不純物(汚染物)を液体LQと一緒に回収することができる。   In this embodiment, when the optical cleaning device 80 is used to optically clean the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70, the optical lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 are optically cleaned. The space between the device 80 may be filled with the liquid LQ. In this case, even if the supply operation of the liquid supply device 10 and the recovery operation of the liquid recovery device 20 are not performed, the space between the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 and the light cleaning device 80 is filled with the liquid LQ. Although it is possible to continue, the liquid LQ removes impurities (contaminants) removed from the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 by performing optical cleaning while performing the liquid supply operation and the recovery operation. Can be collected together.

なお、光学素子2の下面2Aの汚染を検出するために、検出装置90として、マスクアライメント系360を用いることもできる。また、基板ステージPST上に配置されている光計測部を使って、投影光学系PLの露光光の透過率変化から光学素子2の下面2Aの汚染状態を判断するようにしてもよい。あるいは、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの下方に観察系(カメラなど)を対向させて、その観察系を使って、光学素子2の下面2Aおよびノズル部材70の下面70Aの光洗浄を実行するか否かを判断するようにしてもよい。また、図8を用いて説明した第5実施形態においては、検出装置90を使って光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの汚染状態を確認してから、光洗浄装置80による光洗浄処理を行うようにしているが、検出装置90を省いて、例えば、所定時間毎、あるいは所定枚数の基板処理毎に光洗浄処理を行うこともできる。   In order to detect contamination of the lower surface 2A of the optical element 2, a mask alignment system 360 can be used as the detection device 90. Further, the contamination state of the lower surface 2A of the optical element 2 may be determined from the change in the transmittance of the exposure light of the projection optical system PL using an optical measurement unit arranged on the substrate stage PST. Alternatively, an observation system (such as a camera) is opposed to the lower surface 2A of the optical element 2 or the lower surface 70A of the nozzle member 70, and the observation system is used to form the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70. It may be determined whether or not to perform light cleaning. In the fifth embodiment described with reference to FIG. 8, after the contamination state of the lower surface 2 </ b> A of the optical element 2 and the lower surface 70 </ b> A of the nozzle member 70 is confirmed using the detection device 90, the light by the light cleaning device 80 is used. Although the cleaning process is performed, the optical cleaning process can be performed every predetermined time or every predetermined number of substrates, for example, without the detection device 90.

また、第5実施形態においては、光学素子2の下面2Aおよびノズル部材70の下面70Aの両方を光洗浄しているが、どちらか一方を行うだけでもよい。   In the fifth embodiment, both the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 are optically cleaned, but only one of them may be performed.

<第6の実施形態>
次に、第6の実施形態について図9を参照しながら説明する。上述した第1〜第5の各実施形態においては、露光装置EXS(露光装置本体EX)は、1つの基板ステージPSTを備えた構成であるが、本発明の光洗浄装置80は、特開平11−135400号公報に開示されているような、2つのステージを備えた露光装置にも適用可能である。
<Sixth Embodiment>
Next, a sixth embodiment will be described with reference to FIG. In each of the first to fifth embodiments described above, the exposure apparatus EXS (exposure apparatus main body EX) is configured to include one substrate stage PST. The present invention is also applicable to an exposure apparatus having two stages as disclosed in Japanese Patent No. -135400.

図9に示す露光装置本体EXは、基板Pを保持する基板ホルダPHを有し、基板Pを保持した状態で移動可能な基板ステージPST1と、基板ステージPST1に並ぶ位置に設けられ、上述した光計測部300、400、500、600を備えた計測ステージPST2とを備えている。本実施形態においては、基板ステージPST1には基準部材(計測部材)及び光計測部は設けられていない。また計測ステージPST2は計測専用のステージであって基板Pを保持しない。基板ステージPST1及び計測ステージPST2は、リニアモータ等を含むステージ駆動装置をそれぞれ有しており、XY平面内で互いに独立して2次元移動可能となっている。また、基板ステージPST1及び計測ステージPST2のXY方向の位置は、レーザ干渉計によって計測される。   The exposure apparatus main body EX shown in FIG. 9 has a substrate holder PH for holding the substrate P, and is provided at a position aligned with the substrate stage PST1 that can be moved while holding the substrate P, and the above-described light beam. And a measurement stage PST2 including measurement units 300, 400, 500, and 600. In the present embodiment, the substrate stage PST1 is not provided with a reference member (measurement member) and an optical measurement unit. The measurement stage PST2 is a stage dedicated to measurement and does not hold the substrate P. The substrate stage PST1 and the measurement stage PST2 each have a stage drive device including a linear motor and the like, and can move two-dimensionally independently from each other in the XY plane. Further, the positions of the substrate stage PST1 and the measurement stage PST2 in the XY directions are measured by a laser interferometer.

各種計測処理を行う場合には、計測ステージPST2が投影光学系PLの下に配置され、その計測ステージPST2上に液体LQの液浸領域AR2が形成される。そして、その液浸領域AR2の液体LQを介して、光計測部300、400、500、600を使った計測処理が行われる。計測ステージPST2を使った計測処理を行っている間、基板ステージPST1には未露光基板Pがロードされる。   When performing various measurement processes, the measurement stage PST2 is disposed below the projection optical system PL, and an immersion area AR2 of the liquid LQ is formed on the measurement stage PST2. Then, measurement processing using the optical measurement units 300, 400, 500, and 600 is performed via the liquid LQ in the immersion area AR2. While performing the measurement process using the measurement stage PST2, the unexposed substrate P is loaded on the substrate stage PST1.

そして、上記計測処理を終えた後、制御装置CONTは、計測ステージPST2上に形成されている液体LQの液浸領域AR2を、基板Pを支持している基板ステージPST1上に移動する。液浸領域AR2を計測ステージPST2から基板ステージPST1上に移動する場合には、制御装置CONTは、例えば計測ステージPST2と基板ステージPST1との間から液体LQが漏出しない程度に互いを近接させた状態で、投影光学系PLの像面側に形成されている液浸領域AR2に対して計測ステージPST2と基板ステージPST1とを一緒に移動する。そして、基板ステージPST1上に液浸領域AR2を移動した後、制御装置CONTは、上記計測ステージPST2を使って計測した計測結果に基づいて、基板Pのアライメント処理や、投影光学系PLの結像特性調整(キャリブレーション)処理を行った後、基板ステージPST1上の基板Pを液浸露光する。   Then, after finishing the measurement process, the control device CONT moves the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ formed on the measurement stage PST2 onto the substrate stage PST1 supporting the substrate P. In the case where the liquid immersion area AR2 is moved from the measurement stage PST2 onto the substrate stage PST1, the controller CONT brings the liquid LQ close to each other so that the liquid LQ does not leak from between the measurement stage PST2 and the substrate stage PST1, for example. Thus, the measurement stage PST2 and the substrate stage PST1 are moved together with respect to the immersion area AR2 formed on the image plane side of the projection optical system PL. Then, after moving the immersion area AR2 onto the substrate stage PST1, the control device CONT performs alignment processing of the substrate P and imaging of the projection optical system PL based on the measurement result measured using the measurement stage PST2. After performing the characteristic adjustment (calibration) process, the substrate P on the substrate stage PST1 is subjected to immersion exposure.

このように、図9に示す実施形態においては、基板ステージPST1上及び計測ステージPST2上の双方に液体LQの液浸領域AR2が形成されるため、それら基板ステージPST1の上面及び計測ステージPST2の上面のそれぞれに、不純物(有機物)が付着したり、液体LQの付着跡(ウォーターマーク)が形成される可能性があるが、第1〜第4の実施形態で説明したような光洗浄装置80を用いて、基板ステージPST1や計測ステージPST2の光洗浄を行うことができる。例えば、制御装置CONTは、所定時間間隔毎(所定処理基板枚数毎)に、光洗浄装置80を使って、基板ステージPST1及び計測ステージPST2それぞれに紫外光Luを照射して光洗浄を行うことができる。あるいは、制御装置CONTは、上記検出装置90を使って、基板ステージPST1及び計測ステージPST2の汚染を検出し、その検出結果に基づいて、光洗浄装置80の動作を制御する。また、基板ステージPST1上の基板Pの露光中に、計測ステージPST2を光洗浄装置80を使って光洗浄することもできる。あるいは、計測ステージPST2で計測動作を実行している間に、基板ステージPST1の光洗浄を行ってもよい。また、上述のような基板ステージPST1と計測ステージPST2とを備えた露光装置の場合には、第5の実施形態に示したような光洗浄装置80を計測ステージPST2に設けて、光学素子2の下面2A及び/又はノズル部材70の下面70Aを光洗浄することができる。この場合、光学素子2の下面2A及び/又はノズル部材70の下面70Aの汚染状態を検出する検出系の少なくとも一部を計測ステージに設けてもよい。   Thus, in the embodiment shown in FIG. 9, since the liquid LQ immersion area AR2 is formed on both the substrate stage PST1 and the measurement stage PST2, the upper surface of the substrate stage PST1 and the upper surface of the measurement stage PST2 are formed. There is a possibility that impurities (organic substances) may adhere to each of them, or an adhesion mark (watermark) of the liquid LQ may be formed, but the optical cleaning device 80 as described in the first to fourth embodiments is used. It is possible to perform optical cleaning of the substrate stage PST1 and the measurement stage PST2. For example, the control device CONT may perform optical cleaning by irradiating the substrate stage PST1 and the measurement stage PST2 with ultraviolet light Lu at each predetermined time interval (every predetermined number of processed substrates) using the optical cleaning device 80, respectively. it can. Alternatively, the control device CONT uses the detection device 90 to detect contamination of the substrate stage PST1 and the measurement stage PST2, and controls the operation of the light cleaning device 80 based on the detection result. In addition, the measurement stage PST2 can be optically cleaned using the optical cleaning device 80 during the exposure of the substrate P on the substrate stage PST1. Alternatively, the substrate stage PST1 may be optically cleaned while the measurement operation is being performed on the measurement stage PST2. Further, in the case of the exposure apparatus provided with the substrate stage PST1 and the measurement stage PST2 as described above, the optical cleaning device 80 as shown in the fifth embodiment is provided in the measurement stage PST2, The lower surface 2A and / or the lower surface 70A of the nozzle member 70 can be optically cleaned. In this case, at least a part of the detection system for detecting the contamination state of the lower surface 2A of the optical element 2 and / or the lower surface 70A of the nozzle member 70 may be provided on the measurement stage.

また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報などに開示されている複数の基板ステージを備えるツインステージ型の露光装置にも適用できる。上述のようなツインステージ型の露光装置の場合には、第5の実施形態などに示したような光洗浄装置80をどちらか一方の基板ステージに設けてもよいし、両方に設けてもよい。このようなツインステージ型の露光装置においては、一方の基板ステージ上の基板が露光されている間または位置合わせ動作が行われている間に、別の基板ステージの光洗浄を行うことができる。   The present invention is also applicable to a twin stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages disclosed in JP-A-10-163099, JP-A-10-214783, JP-T 2000-505958, and the like. it can. In the case of the twin stage type exposure apparatus as described above, the light cleaning apparatus 80 as shown in the fifth embodiment or the like may be provided on either one of the substrate stages or on both. . In such a twin stage type exposure apparatus, it is possible to perform optical cleaning of another substrate stage while the substrate on one substrate stage is being exposed or while the alignment operation is being performed.

また、上述の第5の実施形態及び第6実施形態においては、光洗浄装置80が基板ステージPSTや計測ステージPST2に固定される構成となっているが、光洗浄装置80を基板ステージPSTや計測ステージPST2に脱着可能な構成とすることもできる。この場合には、所定のタイミングで行われる露光装置EXのメンテナンスのときに、オペレータが基板ステージPSTや計測ステージPST2への光洗浄装置80の脱着を行うようにしてもよいし、露光装置EX内に配置された所定の搬送機構や工具を用いて光洗浄装置80を露光装置EX内に設置するようにしてもよい。   In the fifth and sixth embodiments described above, the optical cleaning device 80 is fixed to the substrate stage PST and the measurement stage PST2. However, the optical cleaning device 80 is fixed to the substrate stage PST and the measurement stage PST2. It can also be set as the structure which can be attached or detached to stage PST2. In this case, at the time of maintenance of the exposure apparatus EX performed at a predetermined timing, the operator may attach / detach the optical cleaning apparatus 80 to / from the substrate stage PST and the measurement stage PST2, or the exposure apparatus EX The optical cleaning device 80 may be installed in the exposure apparatus EX using a predetermined transport mechanism or tool disposed in the exposure apparatus EX.

なお、投影光学系PLの像面側で移動可能な可動体(基板ステージPSTや計測ステージPST2)に設けられた光洗浄装置80は、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aを光洗浄するものであるが、空調空間125内で浮遊している不純物や液滴が、通常ならば液体LQと接することがない部材、例えば液浸領域AR2の近傍に配置された基板アライメント系350の一部(対物レンズなど)やフォーカス・レベリング検出系60の一部に付着する可能性がある場合には、その光洗浄装置80を使って、液浸領域AR2の近傍に配置された部材を光洗浄処理するようにしてもよい。   The optical cleaning device 80 provided on the movable body (substrate stage PST and measurement stage PST2) movable on the image plane side of the projection optical system PL applies light to the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70. A member to be cleaned, but impurities or droplets floating in the air-conditioned space 125 normally do not come into contact with the liquid LQ, for example, the substrate alignment system 350 disposed in the vicinity of the liquid immersion area AR2. If there is a possibility of adhering to a part (such as an objective lens) or a part of the focus / leveling detection system 60, the optical cleaning device 80 is used to light a member disposed near the liquid immersion area AR2. You may make it wash-process.

なお、上述した第5の実施形態においては、光洗浄装置80を基板ステージPSTに設けているが、基板ステージPSTとは別に、投影光学系PLの下(像面側)でXY方向に2次元的に移動可能な可動体を配置して、その可動体に光洗浄装置80を配置するようにしてもよい。そして、そのような可動体として、上述したように、第6の実施形態のような計測ステージPST2を用いることができる。   In the fifth embodiment described above, the optical cleaning device 80 is provided on the substrate stage PST. However, separately from the substrate stage PST, it is two-dimensionally in the XY direction under the projection optical system PL (on the image plane side). It is also possible to dispose a movable body that can be moved, and to arrange the light cleaning device 80 on the movable body. As such a movable body, as described above, the measurement stage PST2 as in the sixth embodiment can be used.

なお、上述した第1〜第4の実施形態や第6の実施形態において、光洗浄装置80の近傍に液浸領域AR2を形成するための機構とは別に、液体LQの供給機構と回収機構とを配置して、例えば基板ステージPSTの上面31を光洗浄するとき、光洗浄装置80による紫外光Luの照射動作と並行して、上面31の紫外光Luの照射領域に対する液体LQの供給及び回収動作を行ってもよい。こうすることによっても、基板ステージPSTの上面31から発生した異物を、液体LQとともに回収することができる。   In the first to fourth embodiments and the sixth embodiment described above, a liquid LQ supply mechanism and a recovery mechanism are provided separately from the mechanism for forming the liquid immersion area AR2 in the vicinity of the optical cleaning device 80. For example, when optical cleaning of the upper surface 31 of the substrate stage PST is performed, the liquid LQ is supplied to and recovered from the irradiation region of the ultraviolet light Lu on the upper surface 31 in parallel with the irradiation operation of the ultraviolet light Lu by the optical cleaning device 80. An operation may be performed. Also by doing so, the foreign matter generated from the upper surface 31 of the substrate stage PST can be collected together with the liquid LQ.

なお、上述した第1〜第6の実施形態においては、露光光ELとして、光洗浄効果を有するArFエキシマレーザ光が使用されているため、光洗浄するための照射光として、基板Pを露光するための露光光ELを用いてもよい。基板ステージPSTを光洗浄する場合には、光洗浄対象である基板ステージPST上に基板Pが無い状態で、その基板ステージPSTを投影光学系PLの直下に配置し、基板ステージPSTに対して投影光学系PLを介して照明光学系ILからの露光光EL(照射光)を照射すればよい。また、計測ステージを備えた露光装置において、計測ステージを光洗浄する場合には、計測ステージを投影光学系PLの直下に配置し、計測ステージに対して投影光学系PLを介して露光光EL(照射光)を照射すればよい。また、投影光学系PLに露光光ELを通過させることにより、液浸領域AR2の液体LQに接触する光学素子2も光洗浄することができる。この場合も、例えば基板ステージPSTの上面や光計測部300、400、500、600の上面を光洗浄しているときに、液体供給機構10と液体回収機構20とを併用するようにしてもよい。   In the first to sixth embodiments described above, ArF excimer laser light having a light cleaning effect is used as the exposure light EL, so that the substrate P is exposed as irradiation light for light cleaning. Exposure light EL may be used. When the substrate stage PST is optically cleaned, the substrate stage PST is disposed directly below the projection optical system PL and projected onto the substrate stage PST without the substrate P on the substrate stage PST to be optically cleaned. The exposure light EL (irradiation light) from the illumination optical system IL may be irradiated via the optical system PL. Further, in the exposure apparatus equipped with the measurement stage, when the measurement stage is optically cleaned, the measurement stage is disposed immediately below the projection optical system PL, and the exposure light EL ( Irradiation light) may be irradiated. Further, by passing the exposure light EL through the projection optical system PL, the optical element 2 in contact with the liquid LQ in the liquid immersion area AR2 can also be optically cleaned. Also in this case, for example, the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 may be used together when the upper surface of the substrate stage PST and the upper surfaces of the optical measuring units 300, 400, 500, and 600 are optically cleaned. .

なお、上述した第1〜第4、第6の実施形態においては、光洗浄装置80から射出される紫外光Luの光束の径は比較的大きく、基板ステージPST(あるいは計測ステージ)の全域を一括して照射可能であるが、光洗浄装置80から射出される紫外光Luの光束の径を小さくし、その光束及び基板ステージPSTのうち少なくとも一方を相対的に移動しながら、基板ステージPSTの全域あるいは予め定められた一部の領域に紫外光Luを照射するようにしてもよい。こうすることにより光洗浄装置80を小型化でき、省スペース化を実現できる。また、光洗浄装置80は、基板ステージPST(あるいは計測ステージ)の上面31、光計測部300、400、500、600の上面、基板ホルダPHの上面の全てを毎回光洗浄しなくてもよく、また紫外光Luの照射時間もそれぞれ異なっていてもよい。例えば光計測部400の上面など、基板ステージPST上の特定領域に対して紫外光Luを重点的に(長い時間)照射するようにしてもよい。また、第5の実施形態などにおいても、光洗浄装置80から射出される紫外光Luの光束の径を小さくし、その光束及び光洗浄装置80を搭載した基板ステージPSTのうち少なくとも一方を相対的に移動しながら、光学素子2やノズル部材70の全域あるいは予め定められた一部の領域に紫外光Luを照射するようにしてもよい。   In the above-described first to fourth and sixth embodiments, the diameter of the light beam of the ultraviolet light Lu emitted from the optical cleaning device 80 is relatively large, and the entire region of the substrate stage PST (or measurement stage) is batched. However, the diameter of the light beam of the ultraviolet light Lu emitted from the optical cleaning device 80 is reduced, and at least one of the light beam and the substrate stage PST is relatively moved while the entire region of the substrate stage PST is moved. Or you may make it irradiate ultraviolet light Lu to a predetermined part area | region. By doing so, the optical cleaning device 80 can be miniaturized and space saving can be realized. Further, the optical cleaning device 80 does not have to optically clean the upper surface 31 of the substrate stage PST (or the measurement stage), the upper surfaces of the optical measurement units 300, 400, 500, 600, and the upper surface of the substrate holder PH every time. Also, the irradiation time of the ultraviolet light Lu may be different. For example, a specific region on the substrate stage PST, such as the upper surface of the optical measurement unit 400, may be irradiated with ultraviolet light Lu in a focused manner (long time). Also in the fifth embodiment, the diameter of the light beam of the ultraviolet light Lu emitted from the light cleaning device 80 is reduced, and at least one of the light beam and the substrate stage PST on which the light cleaning device 80 is mounted is relative. The entire area of the optical element 2 and the nozzle member 70 or a predetermined part of the area may be irradiated with the ultraviolet light Lu.

なお、上述した第1〜第4、第6の実施形態において、基板ステージPSTより露光処理を終えた基板Pをアンロードした後、未露光基板Pをロードする前に、基板ステージPSTを光洗浄装置80を使って光洗浄処理する構成であるが、予め定められた所定時間間隔毎、あるいは所定処理基板枚数毎に、光洗浄処理を行う構成であってもよい。その場合、制御装置CONTは、基板ステージPST上に基板Pが無い状態で、基板ステージPSTを光洗浄装置80の直下まで移動する。光洗浄装置80は、制御装置CONTの制御の下、基板ステージPSTの移動とともに紫外光Luの照射を開始する。そして、制御装置CONTは、光洗浄装置80を使って基板ステージPSTに対して所定時間だけ紫外光Luを照射した後、再び露光動作に戻ればよい。また、上記時間間隔が長すぎたり、上記処理基板枚数が多すぎると、基板ステージPST上などに液体LQの付着跡(ウォーターマーク)が形成される確率が高くなるため、基板ステージPST上などに液体LQの付着跡(ウォーターマーク)が形成されないように、光洗浄装置80による紫外光Luを照射する時間間隔(処理基板枚数)を適宜決定すればよい。   In the first to fourth and sixth embodiments described above, the substrate stage PST is optically cleaned after unloading the substrate P after the exposure processing from the substrate stage PST and before loading the unexposed substrate P. Although the optical cleaning process is performed using the apparatus 80, the optical cleaning process may be performed every predetermined time interval or every predetermined number of processing substrates. In that case, the control device CONT moves the substrate stage PST to a position immediately below the optical cleaning device 80 without the substrate P on the substrate stage PST. The optical cleaning device 80 starts irradiation of the ultraviolet light Lu with the movement of the substrate stage PST under the control of the control device CONT. Then, the control device CONT only needs to return to the exposure operation again after irradiating the substrate stage PST with the ultraviolet light Lu for a predetermined time using the optical cleaning device 80. In addition, if the time interval is too long or the number of processed substrates is too large, the probability that a liquid LQ adhesion mark (watermark) is formed on the substrate stage PST or the like increases. What is necessary is just to determine suitably the time interval (processing board | substrate number) which irradiates the ultraviolet light Lu by the optical cleaning apparatus 80 so that the adhesion trace (watermark) of the liquid LQ may not be formed.

なお、上述の第1〜第6の実施形態において、光洗浄処理を行うための照射光Luを発する光源としては、上述の記載と一部重複するが、Arエキシマランプ(波長126nm)、Arエキシマレーザ(波長126nm)、Krエキシマランプ(波長146nm)、Krエキシマレーザ(波長146nm)、Fダイマランプ(波長157nm)、Fダイマレーザ(波長157nm)、Xeエキシマランプ(波長172nm)、Xeエキシマレーザ(波長172nm)、ArFエキシマランプ(波長193nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、KrClエキシマランプ(波長222nm)、KrClエキシマレーザ(波長222nm)、KrFエキシマランプ(波長248nm)、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、XeClエキシマランプ(波長308nm)、XeClエキシマレーザ(波長308nm)、低圧水銀ランプ(波長185nmと254nmとの光を同時に発光)、重水素ランプ(真空紫外〜可視まで広域な波長を有する光)などを使用することができる。 In the first to sixth embodiments described above, the light source that emits the irradiation light Lu for performing the light cleaning process partially overlaps the above description, but an Ar 2 excimer lamp (wavelength 126 nm), Ar 2 excimer laser (wavelength 126 nm), Kr 2 excimer lamp (wavelength 146 nm), Kr 2 excimer laser (wavelength 146 nm), F 2 Daimaranpu (wavelength 157 nm), F 2 Daimareza (wavelength 157 nm), Xe 2 excimer lamp (wavelength 172 nm) Xe 2 excimer laser (wavelength 172 nm), ArF excimer lamp (wavelength 193 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), KrCl excimer lamp (wavelength 222 nm), KrCl excimer laser (wavelength 222 nm), KrF excimer lamp (wavelength 248 nm), KrF excimer laser 248 nm), XeCl excimer lamp (wavelength 308 nm), XeCl excimer laser (wavelength 308 nm), low-pressure mercury lamp (simultaneously emitting light of wavelengths 185 nm and 254 nm), deuterium lamp (having a wide wavelength range from vacuum ultraviolet to visible) Light) or the like.

それらの光源を用いて、照射光Luを連続照射してもよく、パルス光として断続的に照射してもよい。また、照射光Luのパワーや照射時間は、汚染度や光洗浄の対象などに応じて適宜調整することができる。また、複数の光源を用いたり、波長可変レーザーを用いて複数の波長の光を液体と接触する部材に照射することもできる。   Using these light sources, the irradiation light Lu may be continuously irradiated, or may be intermittently irradiated as pulsed light. Further, the power and irradiation time of the irradiation light Lu can be appropriately adjusted according to the degree of contamination, the object of light cleaning, and the like. In addition, a plurality of light sources can be used, or a wavelength variable laser can be used to irradiate a member in contact with the liquid with a plurality of wavelengths of light.

<第7の実施形態>
次に、第7の実施形態について図10を参照しながら説明する。図10に示す露光装置EXS(露光装置本体EX)は、図7を用いて説明した第6の実施形態同様、2つのステージを備えたものである。図10において、投影光学系PLの像面側には、光学部材として反射部材700が設けられている。反射部材700は例えばガラスによって形成されており、その上面は光を反射可能な反射面となっている。本実施形態においては、反射部材700は、投影光学系PLの像面側で移動可能な計測ステージPST2上に配置されている。制御装置CONTは、計測ステージPST2を駆動して、投影光学系PLの下に反射部材700を配置した状態で、投影光学系PLを介して露光光ELを反射部材700上に照射する。投影光学系PLからの露光光ELを照射された反射部材700は、露光光ELを反射することで、その露光光ELと同一波長の光を発生する。反射部材700から発生した露光光ELと同一波長の反射光は、液浸領域AR2の液体LQに接触する光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aに照射される。本実施形態においても、露光光ELとして、光洗浄効果を有するArFエキシマレーザ光が使用されている。なお本実施形態においては、ノズル部材70の下面70Aに形成された回収口22には多孔部材(又はメッシュ部材)22Pが配置されいる。この多孔部材22Pは下面70Aの一部を構成しており、反射部材700から発生した反射光は、この多孔部材22Pにも照射される。このように、光洗浄装置の一部として機能する反射部材700を投影光学系PLの像面側に配置し、光洗浄効果を有する露光光ELを反射部材700を介して光学素子2の下面2Aや、多孔部材22Pを含むノズル部材70の下面70Aに照射することで、これら光学素子2やノズル部材70(多孔部材22P)を光洗浄することができる。それにより、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの親液性を維持する(高める)ことができる。
<Seventh Embodiment>
Next, a seventh embodiment will be described with reference to FIG. The exposure apparatus EXS (exposure apparatus main body EX) shown in FIG. 10 includes two stages as in the sixth embodiment described with reference to FIG. In FIG. 10, a reflecting member 700 is provided as an optical member on the image plane side of the projection optical system PL. The reflecting member 700 is made of, for example, glass, and its upper surface is a reflecting surface that can reflect light. In the present embodiment, the reflecting member 700 is disposed on the measurement stage PST2 that can move on the image plane side of the projection optical system PL. The control device CONT drives the measurement stage PST2 to irradiate the reflection member 700 with the exposure light EL through the projection optical system PL in a state where the reflection member 700 is disposed below the projection optical system PL. The reflective member 700 irradiated with the exposure light EL from the projection optical system PL reflects the exposure light EL to generate light having the same wavelength as the exposure light EL. Reflected light having the same wavelength as the exposure light EL generated from the reflecting member 700 is irradiated to the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 that are in contact with the liquid LQ in the liquid immersion area AR2. Also in the present embodiment, ArF excimer laser light having a light cleaning effect is used as the exposure light EL. In the present embodiment, a porous member (or mesh member) 22P is disposed in the recovery port 22 formed in the lower surface 70A of the nozzle member 70. The porous member 22P constitutes a part of the lower surface 70A, and the reflected light generated from the reflecting member 700 is also applied to the porous member 22P. As described above, the reflecting member 700 functioning as a part of the optical cleaning device is arranged on the image plane side of the projection optical system PL, and the exposure light EL having the optical cleaning effect is sent to the lower surface 2A of the optical element 2 through the reflective member 700. Alternatively, by irradiating the lower surface 70A of the nozzle member 70 including the porous member 22P, the optical element 2 and the nozzle member 70 (porous member 22P) can be optically cleaned. Thereby, the lyophilicity of the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 can be maintained (enhanced).

なお、投影光学系PLの像面側に配置する光学部材700としては、照射された光(露光光EL)を反射する反射部材に限られず、照射された光を散乱する散乱面を有する散乱部材であってもよい。光学部材700として、散乱部材を用いることによって、散乱部材に照射された露光光ELは、散乱して光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aに達するため、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの比較的広い領域に、光洗浄作用を有する露光光ELと同一波長の照射光を照射することができる。更には、光学部材700として、照射された光を回折する回折面を有する回折部材を用いてもよく、その場合においても、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの比較的広い領域に、光洗浄作用を有する露光光ELと同一波長の照射光を照射することができる。   The optical member 700 disposed on the image plane side of the projection optical system PL is not limited to the reflecting member that reflects the irradiated light (exposure light EL), and has a scattering surface that scatters the irradiated light. It may be. By using a scattering member as the optical member 700, the exposure light EL applied to the scattering member is scattered and reaches the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70. Irradiation light having the same wavelength as that of the exposure light EL having a light cleaning function can be applied to a relatively wide area of the lower surface 70A of the nozzle member 70. Furthermore, a diffractive member having a diffractive surface that diffracts the irradiated light may be used as the optical member 700, and even in this case, a relatively wide area on the lower surface 2 </ b> A of the optical element 2 and the lower surface 70 </ b> A of the nozzle member 70. Further, it is possible to irradiate irradiation light having the same wavelength as that of the exposure light EL having a light cleaning action.

なお、計測ステージPST2上に配置された光学部材(反射部材、回折部材、散乱部材)700に露光光ELを照射する場合、計測ステージPST2をXY方向に移動しながら、この光学部材700に露光光ELを照射するようにしてもよい。あるいは、光学部材700を可動にして、光学部材700からの照射光(露光光)の方向を変化させてもよい。こうすることにより、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの比較的広い領域に照射光(露光光)を照射して良好に光洗浄することができる。   In addition, when irradiating the exposure light EL to the optical member (reflection member, diffraction member, scattering member) 700 disposed on the measurement stage PST2, the exposure light is applied to the optical member 700 while moving the measurement stage PST2 in the XY direction. You may make it irradiate EL. Alternatively, the direction of irradiation light (exposure light) from the optical member 700 may be changed by making the optical member 700 movable. By doing so, irradiation light (exposure light) can be irradiated to a relatively wide area of the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70, and the light can be cleaned well.

また、ノズル部材70の下面70A(多孔部材22Pを含む)に、光触媒作用を有する材料701を被覆しておいてもよい。そのような材料としては酸化チタンが挙げられる。ノズル部材70の下面70Aに酸化チタン701を被覆した状態で、そのノズル部材70の下面70Aに、光洗浄作用を有する露光光ELと同一波長の光を照射することで、有機物などの汚染物は光触媒反応によって酸化分解されるので、より効果的に光洗浄することができる。また、光触媒反応により、ノズル部材70の下面70Aの親液性が向上されるため、ノズル部材70Aの下に液浸領域AR2を良好に形成できるという効果も期待できる。   Further, the lower surface 70A (including the porous member 22P) of the nozzle member 70 may be coated with a material 701 having a photocatalytic action. An example of such a material is titanium oxide. When the lower surface 70A of the nozzle member 70 is coated with titanium oxide 701, the lower surface 70A of the nozzle member 70 is irradiated with light having the same wavelength as the exposure light EL having a light cleaning action, so that contaminants such as organic matter are removed. Since it is oxidatively decomposed by the photocatalytic reaction, it can be washed more effectively. Further, since the lyophilicity of the lower surface 70A of the nozzle member 70 is improved by the photocatalytic reaction, an effect that the liquid immersion area AR2 can be favorably formed under the nozzle member 70A can be expected.

また、図10に示すように、光洗浄中においては、制御装置CONTは、液体供給機構10及び液体回収機構20を使って、投影光学系PLと光学部材700との間に、基板Pを液浸露光するときに用いる液体と同じ液体LQを満たした状態で、投影光学系PL及び液体LQを介して露光光ELを光学部材700に照射するようにしてもよい。光学部材700から発生した露光光ELと同一波長の光は、液浸領域AR2の液体LQを介して光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aに照射される。液体供給機構10及び液体回収機構20を使って液体LQの供給及び回収を行いながら光洗浄することで、光洗浄したことによって光学素子2やノズル部材70から発生した異物を、液体LQとともに回収することができる。   Further, as shown in FIG. 10, during the optical cleaning, the control device CONT uses the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 to place the substrate P between the projection optical system PL and the optical member 700. The optical member 700 may be irradiated with the exposure light EL through the projection optical system PL and the liquid LQ in a state where the same liquid LQ as that used for immersion exposure is filled. Light having the same wavelength as the exposure light EL generated from the optical member 700 is applied to the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 via the liquid LQ in the liquid immersion area AR2. By performing optical cleaning while supplying and recovering the liquid LQ using the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20, the foreign matter generated from the optical element 2 and the nozzle member 70 by the optical cleaning is recovered together with the liquid LQ. be able to.

ところで、基板Pを液浸露光するときに用いる液体LQは、液浸領域AR2における気泡発生の防止等を目的として、投影光学系PLの像面側に供給される前に脱気処理されている。すなわち、液体供給機構10(液体供給部11)は、液体LQ中の溶存酸素(溶存気体)を低減するための脱気装置を備えており、投影光学系PLの像面側に供給する前の液体LQに対して脱気処理を行った後に、その脱気処理した液体LQを投影光学系PLの像面側に供給している。一方で、光洗浄は、光洗浄効果を有する光を照射することによって汚染物(有機物)を酸化分解することができるため、光洗浄するときにおいては、液体LQ中に所定濃度の酸素が存在(溶存)していることが望ましい。したがって、投影光学系PLと光学部材700との間に液体LQを満たした状態で、光学部材700に露光光ELを照射して、光学素子2やノズル部材70を光洗浄するときには、制御装置CONTは、投影光学系PLの像面側に供給する液体LQの酸素濃度を、基板Pを露光するときの液体LQの酸素濃度よりも多くするようにしてもよい。すなわち、光洗浄するときには、制御装置CONTは、例えば脱気処理を施さない液体LQを投影光学系PLの像面側に供給する。あるいは、投影光学系PLと光学部材700との間に液体LQを満たした状態で、光学部材700に露光光ELを照射して、光学素子2やノズル部材70を光洗浄するときには、制御装置CONTは、基板Pの露光に用いる液体(純水)とは別の、例えば過酸化水素水を、投影光学系PLの像面側に供給するようにしてもよい。   By the way, the liquid LQ used when the substrate P is subjected to immersion exposure is deaerated before being supplied to the image plane side of the projection optical system PL for the purpose of preventing bubbles in the immersion area AR2. . That is, the liquid supply mechanism 10 (liquid supply unit 11) includes a deaeration device for reducing dissolved oxygen (dissolved gas) in the liquid LQ, and is supplied before being supplied to the image plane side of the projection optical system PL. After degassing the liquid LQ, the degassed liquid LQ is supplied to the image plane side of the projection optical system PL. On the other hand, in light cleaning, contaminants (organic matter) can be oxidatively decomposed by irradiating light having a light cleaning effect. Therefore, when light cleaning is performed, oxygen of a predetermined concentration is present in the liquid LQ ( It is desirable to have dissolved. Therefore, when the optical member 700 is irradiated with the exposure light EL in a state where the liquid LQ is filled between the projection optical system PL and the optical member 700 to optically wash the optical element 2 and the nozzle member 70, the control device CONT. The oxygen concentration of the liquid LQ supplied to the image plane side of the projection optical system PL may be made larger than the oxygen concentration of the liquid LQ when the substrate P is exposed. That is, when performing optical cleaning, the control device CONT supplies, for example, a liquid LQ that is not subjected to deaeration processing to the image plane side of the projection optical system PL. Alternatively, when the optical member 700 is irradiated with the exposure light EL in a state where the liquid LQ is filled between the projection optical system PL and the optical member 700 to optically wash the optical element 2 and the nozzle member 70, the control device CONT. For example, hydrogen peroxide water different from the liquid (pure water) used for exposure of the substrate P may be supplied to the image plane side of the projection optical system PL.

なお本実施形態において、光学部材(反射部材、回折部材、散乱部材)700の設置位置としては、計測ステージPST2に限られず、例えば基板ステージPST1の上面のうち、基板Pが配置される以外の領域に配置してもよい。更には、基板ステージPST1及び計測ステージPST2とは別の、投影光学系PLの像面側に配置されている部材で支持するようにしてもよい。また、光学部材700を、基板ステージPSTや計測ステージPST2に脱着可能とすることもできる。あるいは、基板ステージPSTの基板ホルダに、反射面、回折面、及び散乱面のうち少なくともいずれか1つを有するダミー基板を配置し、そのダミー基板に露光光ELを照射するようにしてもよい。ダミー基板を用いる場合には、基板搬送系150を使ってダミー基板を基板ステージPST(基板ホルダPH)に容易に搭載することができる。   In this embodiment, the installation position of the optical member (reflecting member, diffractive member, scattering member) 700 is not limited to the measurement stage PST2, and for example, in the upper surface of the substrate stage PST1, a region other than the substrate P is disposed. You may arrange in. Furthermore, it may be supported by a member arranged on the image plane side of the projection optical system PL, which is different from the substrate stage PST1 and the measurement stage PST2. Further, the optical member 700 can be detachable from the substrate stage PST and the measurement stage PST2. Alternatively, a dummy substrate having at least one of a reflection surface, a diffraction surface, and a scattering surface may be arranged on the substrate holder of the substrate stage PST, and the dummy substrate may be irradiated with the exposure light EL. In the case of using a dummy substrate, the dummy substrate can be easily mounted on the substrate stage PST (substrate holder PH) using the substrate transport system 150.

なお、基板ステージPSTに光学部材700を配置したり、回折面などを有するダミー基板を基板ステージPSTに搭載する場合には、上述したようなツインステージ型の露光装置にも適用できることはいうまでもない。   Needless to say, when the optical member 700 is disposed on the substrate stage PST or a dummy substrate having a diffractive surface or the like is mounted on the substrate stage PST, the present invention can also be applied to a twin-stage type exposure apparatus as described above. Absent.

また、光学部材700からの光洗浄作用を有する光で、液浸領域AR2の近くに配置された基板アライメント系350の一部やフォーカス・レベリング検出系60の一部を光洗浄処理するようにしてもよい。こうすることによって、基板アライメント系350の一部やフォーカス・レベリング検出系60の一部に不純物や液滴が付着することによって生じる計測精度の劣化を防止することができる。   In addition, a part of the substrate alignment system 350 and a part of the focus / leveling detection system 60 disposed near the liquid immersion area AR2 are subjected to a light cleaning process with light having a light cleaning action from the optical member 700. Also good. By doing so, it is possible to prevent deterioration in measurement accuracy caused by impurities and droplets adhering to a part of the substrate alignment system 350 and the focus / leveling detection system 60.

なお、第7の実施形態においては、ノズル部材70の下面70Aを酸化チタン(二酸化チタン)などの光触媒作用を有する親液性(親水性)の材料で被膜しているが、ノズル部材70そのもの、またはその一部(液体と接触する部分)を光触媒作用を有する材料で形成するようにしてもよい。   In the seventh embodiment, the lower surface 70A of the nozzle member 70 is coated with a lyophilic (hydrophilic) material having a photocatalytic action such as titanium oxide (titanium dioxide), but the nozzle member 70 itself, Or you may make it form the part (part which contacts a liquid) with the material which has a photocatalytic action.

また、光学素子2の下面2Aを光触媒作用を有する酸化チタンなどの材料で被膜して、光学部材700からの光により光洗浄を行ってもよい。このようにすることで、光学素子2の下面2Aの汚染をより確実に防止することができる。   Alternatively, the lower surface 2A of the optical element 2 may be coated with a material such as titanium oxide having a photocatalytic action, and light cleaning may be performed with light from the optical member 700. By doing in this way, contamination of the lower surface 2A of the optical element 2 can be prevented more reliably.

また、上述の第5の実施形態などで説明した光洗浄装置80を用いる場合にも、ノズル部材70の下面70Aや光学素子2の下面2Aを酸化チタンなどの材料で被膜してもよい。   Even when the optical cleaning device 80 described in the fifth embodiment is used, the lower surface 70A of the nozzle member 70 and the lower surface 2A of the optical element 2 may be coated with a material such as titanium oxide.

また、基板ステージPST1の上面や計測ステージPST2の上面(光計測部の上面を含む)の少なくとも一部を、必要に応じて酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料で形成するようにしてもよい。この場合も、第1〜第4の実施形態及び第6の実施形態のように、光洗浄装置80を用いることによって、基板ステージPSTや計測ステージPST2の上面の汚染を防止することができる。   Further, at least a part of the upper surface of the substrate stage PST1 and the upper surface of the measurement stage PST2 (including the upper surface of the optical measurement unit) may be formed of a material having a photocatalytic action such as titanium oxide as necessary. Also in this case, the contamination of the upper surfaces of the substrate stage PST and the measurement stage PST2 can be prevented by using the optical cleaning device 80 as in the first to fourth embodiments and the sixth embodiment.

また、ノズル部材70やステージ(PST1、PST2)など、液体LQに接触する部材をチタンや二酸化亜鉛を含む材料で形成してもよい。チタンや二酸化亜鉛は、光触媒作用を有する不動態膜が表面に形成されるため、酸化チタンコーティングと同様に、光洗浄処理を行うことによって、その表面の汚染物(有機物)を除去することができる。   Further, a member that contacts the liquid LQ, such as the nozzle member 70 and the stage (PST1, PST2), may be formed of a material containing titanium or zinc dioxide. Since titanium and zinc dioxide have a passive film with photocatalytic action formed on the surface, the surface contaminants (organic matter) can be removed by performing a photo-cleaning treatment in the same manner as titanium oxide coating. .

<第8の実施形態>
次に、第8の実施形態について図11を参照しながら説明する。図11に示す露光装置EXS(露光装置本体EX)は、ノズル部材70を振動させる振動機構800を備えている。本実施形態においては、振動機構800は、超音波振動子によって構成されており、ノズル部材70の所定位置に取り付けられている。図11に示す例では、超音波振動子800は、ノズル部材70の側面に取り付けられている。超音波振動子としては、ピエゾ素子や電磁式の振動子が挙げられる。超音波振動子800は、多孔部材22Pを含むノズル部材70の70Aや、側面に付着した汚染物を除去するためのものであって、ノズル部材70を振動させることで、付着している汚染物を振るい落とし、このノズル部材70を洗浄する。更に、超音波振動子800を使ってノズル部材70を振動させることにより、供給口12近傍や、その供給口12に接続するノズル部材70内部に形成された供給流路に付着した汚染物を除去することもできるし、回収口22近傍や、回収口22に配置された多孔部材22P、その回収口22に接続するノズル部材70内部に形成された回収流路に付着した汚染物を除去することもできる。なお、超音波振動子800を使った洗浄作業は、基板Pの交換時やロット間で行うことができる。
<Eighth Embodiment>
Next, an eighth embodiment will be described with reference to FIG. The exposure apparatus EXS (exposure apparatus body EX) shown in FIG. 11 includes a vibration mechanism 800 that vibrates the nozzle member 70. In the present embodiment, the vibration mechanism 800 is configured by an ultrasonic transducer and is attached to a predetermined position of the nozzle member 70. In the example shown in FIG. 11, the ultrasonic transducer 800 is attached to the side surface of the nozzle member 70. Examples of the ultrasonic vibrator include a piezoelectric element and an electromagnetic vibrator. The ultrasonic transducer 800 is for removing the contaminants attached to the nozzle member 70 including the porous member 22P and the side surfaces thereof, and is attached to the contaminants by vibrating the nozzle member 70. The nozzle member 70 is washed. Further, the ultrasonic vibrator 800 is used to vibrate the nozzle member 70 to remove contaminants adhering to the vicinity of the supply port 12 and the supply flow path formed inside the nozzle member 70 connected to the supply port 12. It is also possible to remove contaminants attached to the recovery passage formed in the vicinity of the recovery port 22, the porous member 22 </ b> P disposed in the recovery port 22, and the nozzle member 70 connected to the recovery port 22. You can also. The cleaning operation using the ultrasonic transducer 800 can be performed when the substrate P is replaced or between lots.

また、超音波振動子800を使ってノズル部材70を振動させている状態においては、制御装置CONTは、液体供給機構10及び液体回収機構20を使って、投影光学系PLと基板ステージPSTの上面31との間の光路空間に、基板Pを液浸露光するときに用いる液体と同じ液体LQを満たすようにしてもよい。こうすることにより、ノズル部材70より除去(分離)された汚染物を、液体LQとともに回収することができる。なお、超音波振動子800を使ってノズル部材70を振動させているときに、投影光学系PLと基板ステージPSTの上面31との間の光路空間に満たす液体としては、基板Pを液浸露光するときに用いる液体(純水)とは別の、例えばアルコールや過酸化水素水を用いるようにしてもよい。また、超音波振動子800を使った洗浄作業と、第5の実施形態の光洗浄装置80や第7の実施形態の光学部材700を使った洗浄作業とを併用してもよい。   Further, in a state where the nozzle member 70 is vibrated using the ultrasonic vibrator 800, the control device CONT uses the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 to perform upper surfaces of the projection optical system PL and the substrate stage PST. The optical path space between them may be filled with the same liquid LQ as that used when the substrate P is subjected to immersion exposure. By doing so, the contaminants removed (separated) from the nozzle member 70 can be collected together with the liquid LQ. As the liquid filling the optical path space between the projection optical system PL and the upper surface 31 of the substrate stage PST when the nozzle member 70 is vibrated using the ultrasonic vibrator 800, the substrate P is immersed in the liquid. For example, alcohol or hydrogen peroxide water may be used other than the liquid (pure water) used. Further, the cleaning operation using the ultrasonic vibrator 800 and the cleaning operation using the optical cleaning device 80 of the fifth embodiment and the optical member 700 of the seventh embodiment may be used in combination.

なお、上述した第1〜第3、第5〜第8の実施形態において、第4の実施形態で説明したような気体供給系87及び気体回収系88を設け、光学素子2及びノズル部材70のうち、紫外光Luの照射領域近傍の空間(雰囲気)を、光洗浄に適した環境に設定するようにしてもよい。   In the above-described first to third and fifth to eighth embodiments, the gas supply system 87 and the gas recovery system 88 as described in the fourth embodiment are provided, and the optical element 2 and the nozzle member 70 are provided. Among these, the space (atmosphere) near the irradiation region of the ultraviolet light Lu may be set to an environment suitable for light cleaning.

また、上述した第1〜第4、第6〜第8の実施形態において、第5の実施形態のような検出装置90を設け、その検出装置90で基板ステージPSTの上面31、光計測部300、400、500、600、基板ホルダPHなどの汚染を検出するようにしてもよい。制御装置CONTは、その検出装置90の検出結果に基づいて、基板ステージPSTが汚染しているか否かを判断し、光洗浄装置80の動作を制御することができる。また、この場合、検出装置90として、基板アライメント系350やマスクアライメント系360を用いることもできる。   In the first to fourth and sixth to eighth embodiments described above, the detection device 90 as in the fifth embodiment is provided, and the detection device 90 uses the upper surface 31 of the substrate stage PST and the optical measurement unit 300. , 400, 500, 600, and substrate holder PH may be detected. Based on the detection result of the detection device 90, the control device CONT can determine whether or not the substrate stage PST is contaminated, and can control the operation of the optical cleaning device 80. In this case, the substrate alignment system 350 and the mask alignment system 360 can also be used as the detection device 90.

また、上述の第1〜第8の実施形態における投影光学系PLは、光学素子2の下面2A側の光路空間を液体LQで満たす構成になっているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、光学素子2のマスクM側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。この場合、照明光学系ILからの露光光ELや、第5の実施形態や第7の実施形態で説明した光洗浄装置80を用いて、投影光学系PLの終端の光学部材(光学素子2)の上面側、及び終端の光学部材のマスクM側の光学部材の下面を光洗浄処理するようにしてもよい。   Further, the projection optical system PL in the first to eighth embodiments described above is configured to fill the optical path space on the lower surface 2A side of the optical element 2 with the liquid LQ. However, in the pamphlet of International Publication No. 2004/019128. As disclosed, it is also possible to employ a projection optical system in which the optical path space on the mask M side of the optical element 2 is filled with a liquid. In this case, the optical member (optical element 2) at the end of the projection optical system PL using the exposure light EL from the illumination optical system IL and the light cleaning device 80 described in the fifth and seventh embodiments. The upper surface side of the optical member and the lower surface of the optical member on the mask M side of the terminal optical member may be subjected to light cleaning treatment.

なお、上述した第1〜第8の実施形態においては、洗浄作業を基板交換時などに行うように説明したが、予め定められた所定期間間隔毎に露光装置のメンテナンスを行う場合においては、そのメンテナンスの項目の一つとして、上記光洗浄効果を有する照射光を照射して光洗浄する処理を加えてもよい。   In the above-described first to eighth embodiments, it has been described that the cleaning operation is performed at the time of replacing the substrate. However, in the case where maintenance of the exposure apparatus is performed at predetermined intervals, As one of the maintenance items, a process of irradiating with irradiation light having the above optical cleaning effect to perform optical cleaning may be added.

<第9の実施形態>
次に、第9の実施形態について図12を参照しながら説明する。本実施形態においては、露光装置EXSの光洗浄処理は、露光装置EXSとは別に設けられたメンテナンス機器900によって行われる。図12において、メンテナンス機器900は、露光装置EXS内で液体LQに接触する部材に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光Luを発生する発光部901を備えている。発光部901は光源を有しており、その光源としては、上述の実施形態と同様の光源(Xe2エキシマレーザ、KrClエキシマレーザ、XeClエキシマレーザなど)を用いることができる。また、本実施形態のメンテナンス機器900は、発光部901を移動可能に支持する支持機構902を備えている。支持機構902は、露光装置EX内部と外部との間で発光部901を移動可能であって、発光部901を支持する支持台903と、支持台903を移動可能に支持するステージ904と、ステージ904と台車905とを連結する連結部材906とを備えている。ステージ904はアクチュエータ等の駆動機構を有しており、発光部901を支持した支持台903は、ステージ904上でX軸方向及びY軸方向に移動可能である。なお、ステージ904は、支持台903をZ軸方向に移動可能であってもよい。
<Ninth Embodiment>
Next, a ninth embodiment will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the light cleaning process of the exposure apparatus EXS is performed by a maintenance device 900 provided separately from the exposure apparatus EXS. In FIG. 12, the maintenance device 900 includes a light emitting unit 901 that generates predetermined irradiation light Lu having a light cleaning effect on a member that contacts the liquid LQ in the exposure apparatus EXS. The light emitting unit 901 has a light source, and as the light source, the same light source (Xe2 excimer laser, KrCl excimer laser, XeCl excimer laser, etc.) as in the above-described embodiment can be used. In addition, the maintenance device 900 according to the present embodiment includes a support mechanism 902 that supports the light emitting unit 901 in a movable manner. The support mechanism 902 is capable of moving the light emitting unit 901 between the inside and the outside of the exposure apparatus EX. The support base 903 supports the light emitting unit 901, the stage 904 supports the support base 903 movably, and the stage. And a connecting member 906 that connects 904 and the carriage 905. The stage 904 has a drive mechanism such as an actuator, and the support base 903 that supports the light emitting unit 901 is movable on the stage 904 in the X-axis direction and the Y-axis direction. Note that the stage 904 may be capable of moving the support base 903 in the Z-axis direction.

露光装置EXSのメインコラム4の一部には、空調空間125に対して発光部901を出し入れ可能な開口部120Cが形成されている。メンテナンス機器900は、開口部120Cを介して、露光装置EXSのうち空調空間125の内部に対して発光部901を移動可能である。   In a part of the main column 4 of the exposure apparatus EXS, an opening 120C through which the light emitting unit 901 can be taken in and out of the air-conditioned space 125 is formed. The maintenance device 900 can move the light emitting unit 901 to the inside of the air-conditioned space 125 in the exposure apparatus EXS through the opening 120C.

本実施形態においては、露光装置EXSのメンテナンス時に、メンテナンス機器900を使った光洗浄処理が行われる。メンテナンス機器900を使って光洗浄処理を行う場合には、例えば作業者が、メンテナンス機器900を露光装置EXSの開口部120C近傍に搬送する。メンテナンス機器900は台車905を有しているので、作業者はメンテナンス機器900を容易に搬送可能である。そして、連結部材906の先端部に支持されているステージ904及びそのステージ904上の支持台903が、発光部901とともに開口部120Cを介して空調空間125の内部に移動される。そして、発光部901は投影光学系PL及びノズル部材70の下方の位置に配置される。このとき、基板ステージPSTは、投影光学系PLの下方の位置以外の所定の退避位置に退避している。そして、メンテナンス機器900は、ステージ904を駆動して、支持台903に支持されている発光部901を投影光学系PLの光学素子2の下面2Aに対して位置決めする。発光部901の発光面は上方を向いており、光学素子2の下面2Aと対向する。この状態で、メンテナンス機器900は、発光部901より照射光Luを射出する。光学素子2の下面2Aは照射光Luを照射されることにより光洗浄される。また、メンテナンス機器900は、ステージ904を駆動することにより、発光部901をノズル部材70の下面70Aに対して位置決めすることができ、その状態で発光部901より照射光Luを射出することにより、ノズル部材70の下面70Aを良好に光洗浄することができる。このように本実施形態のメンテナンス方法及びメンテナンス機器においても、露光装置内で、洗浄すべき部材を露光装置から取り外すことなく、露光装置内でかかる部材だけを光洗浄することが可能であるので、部材を露光装置から取り外す場合に比べて短時間でメンテナンスを完了することができる。上述のように、液浸領域AR2を良好に形成するためには、投影光学系PLの光学素子2の下面2A、及びノズル部材70の下面70Aは親液性(親水性)であることが好ましく、照射光(紫外光)Luを照射することで、光学素子2の下面2A、及びノズル部材70の下面70Aに親液性を付与することもできる。   In the present embodiment, a light cleaning process using the maintenance device 900 is performed during maintenance of the exposure apparatus EXS. When performing the optical cleaning process using the maintenance device 900, for example, an operator transports the maintenance device 900 to the vicinity of the opening 120C of the exposure apparatus EXS. Since the maintenance device 900 includes the carriage 905, the operator can easily transport the maintenance device 900. Then, the stage 904 supported at the tip of the connecting member 906 and the support base 903 on the stage 904 are moved into the air-conditioned space 125 together with the light emitting unit 901 through the opening 120C. The light emitting unit 901 is disposed at a position below the projection optical system PL and the nozzle member 70. At this time, the substrate stage PST is retracted to a predetermined retracted position other than the position below the projection optical system PL. Then, the maintenance device 900 drives the stage 904 to position the light emitting unit 901 supported by the support base 903 with respect to the lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL. The light emitting surface of the light emitting unit 901 faces upward and faces the lower surface 2 </ b> A of the optical element 2. In this state, the maintenance device 900 emits the irradiation light Lu from the light emitting unit 901. The lower surface 2A of the optical element 2 is optically cleaned by being irradiated with the irradiation light Lu. In addition, the maintenance device 900 can position the light emitting unit 901 with respect to the lower surface 70A of the nozzle member 70 by driving the stage 904, and in that state, by emitting the irradiation light Lu from the light emitting unit 901, The lower surface 70 </ b> A of the nozzle member 70 can be cleaned with good light. Thus, in the maintenance method and the maintenance device of the present embodiment, it is possible to optically wash only such a member in the exposure apparatus without removing the member to be cleaned from the exposure apparatus in the exposure apparatus. Maintenance can be completed in a shorter time than when the member is removed from the exposure apparatus. As described above, in order to satisfactorily form the liquid immersion area AR2, the lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL and the lower surface 70A of the nozzle member 70 are preferably lyophilic (hydrophilic). By applying irradiation light (ultraviolet light) Lu, lyophilicity can be imparted to the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70.

またメンテナンス機器900は、ステージ904を駆動して、発光部901を移動することにより、基板アライメント系350やフォーカス・レベリング検出系60等の他の部材も良好に光洗浄することができる。   In addition, the maintenance device 900 can clean the other members such as the substrate alignment system 350 and the focus / leveling detection system 60 with good light by driving the stage 904 and moving the light emitting unit 901.

またメンテナンス機器900は、発光部901の発光面を下方に向けて、基板ステージPSTの上面31や、基板ステージPST上の各光計測部300、400、500、600を光洗浄することができる。あるいは、メンテナンス機器900は、発光部901の発光面を上方に向けた状態で照射光Luを射出し、反射部材を使って発光部901から射出した照射光Luを基板ステージPSTに導くこともできる。すなわち、メンテナンス機器900が反射部材を有する構成とすることで、発光部901から射出された照射光Luを所定方向に導くことができる。   In addition, the maintenance device 900 can optically wash the upper surface 31 of the substrate stage PST and the optical measurement units 300, 400, 500, and 600 on the substrate stage PST with the light emitting surface of the light emitting unit 901 facing downward. Alternatively, the maintenance device 900 can emit the irradiation light Lu with the light emitting surface of the light emitting unit 901 facing upward, and can guide the irradiation light Lu emitted from the light emitting unit 901 to the substrate stage PST using a reflecting member. . That is, when the maintenance device 900 includes the reflecting member, the irradiation light Lu emitted from the light emitting unit 901 can be guided in a predetermined direction.

なお、本実施形態においても、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aと発光部901の発光面との間を液体LQで満たしながら光洗浄処理を行うようにしてもよい。   Also in this embodiment, the light cleaning process may be performed while filling the space between the lower surface 2A of the optical element 2 or the lower surface 70A of the nozzle member 70 and the light emitting surface of the light emitting unit 901 with the liquid LQ.

<第10の実施形態>
次に、第10の実施形態について図13を参照しながら説明する。図13に示すメンテナンス機器900Aは、発光部901と、発光部901を支持する支持面908Aを有する支持部材908とを備えている。支持部材908は、ノズル部材70と接続可能な接続部909を備えている。ノズル部材70の側面には、支持部材908の接続部909と接続する被接続部70Sが設けられており、接続部909と被接続部70Sとが接続することで、支持部材908とノズル部材70とが接続する。そして、ノズル部材70と支持部材908とを接続部909を介して接続することにより、支持部材908の支持面908A上の発光部901と、投影光学系PLの光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aとが対向するようになっている。また、本実施形態においては、発光部901は、支持面908A上でX軸方向及びY軸方向のそれぞれに移動可能に設けられている。
<Tenth Embodiment>
Next, a tenth embodiment will be described with reference to FIG. A maintenance device 900A illustrated in FIG. 13 includes a light emitting unit 901 and a support member 908 having a support surface 908A that supports the light emitting unit 901. The support member 908 includes a connection portion 909 that can be connected to the nozzle member 70. On the side surface of the nozzle member 70, a connected portion 70S connected to the connecting portion 909 of the supporting member 908 is provided, and the supporting member 908 and the nozzle member 70 are connected by connecting the connecting portion 909 and the connected portion 70S. And connect. Then, by connecting the nozzle member 70 and the support member 908 via the connection portion 909, the light emitting portion 901 on the support surface 908A of the support member 908, the lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL, and the nozzle member The lower surface 70A of 70 is opposed. In the present embodiment, the light emitting unit 901 is provided so as to be movable in the X axis direction and the Y axis direction on the support surface 908A.

メンテナンス機器900Aを使って光洗浄処理を行う場合には、例えば作業者によって、発光部901を支持した支持部材908とノズル部材70とが接続される。このとき、基板ステージPSTは投影光学系PLの下方の位置以外の所定の退避位置に退避している。そして、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aと発光部901の発光面とを対向させた状態で、発光部901から照射光Luを射出することにより、光学素子2の下面2A及びノズル部材70Aの下面70Aは照射光Luに照射されて光洗浄される。また、発光部901は支持面908Aで移動可能であるため、発光部901を光学素子2の下面2A及びノズル部材70Aの下面70Aのそれぞれに対して所望の位置に位置決めした状態で照射光Luを照射することができる。   When performing the optical cleaning process using the maintenance device 900A, the support member 908 that supports the light emitting unit 901 and the nozzle member 70 are connected by, for example, an operator. At this time, the substrate stage PST is retracted to a predetermined retracted position other than the position below the projection optical system PL. Then, in a state where the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 are opposed to the light emitting surface of the light emitting unit 901, the irradiation light Lu is emitted from the light emitting unit 901, thereby The lower surface 70A of the nozzle member 70A is irradiated with the irradiation light Lu and is optically cleaned. Further, since the light emitting unit 901 is movable on the support surface 908A, the irradiation light Lu is emitted in a state where the light emitting unit 901 is positioned at a desired position with respect to the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70A. Can be irradiated.

なお、本実施形態においても、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aと発光部901の発光面との間を液体LQで満たしながら光洗浄処理を行うようにしてもよい。   Also in this embodiment, the light cleaning process may be performed while filling the space between the lower surface 2A of the optical element 2 or the lower surface 70A of the nozzle member 70 and the light emitting surface of the light emitting unit 901 with the liquid LQ.

また、上述の第9及び第10の実施形態においては、1つの基板ステージPSTを備えた露光装置のメンテナンスについて述べているが、上述のような計測ステージと基板ステージとを備えた露光装置や、複数の基板ステージを備えた露光装置にも、第9及び第10の実施形態のメンテナンス機器を適用することができる。   In the ninth and tenth embodiments described above, the maintenance of the exposure apparatus provided with one substrate stage PST is described. However, the exposure apparatus provided with the measurement stage and the substrate stage as described above, The maintenance equipment of the ninth and tenth embodiments can also be applied to an exposure apparatus provided with a plurality of substrate stages.

<第11の実施形態>
次に、第11の実施形態について図14を参照しながら説明する。図14に示す露光装置EXSは、図9や図10の実施形態同様、投影光学系PLの像面側で移動可能な基板ステージPST1及び計測ステージPST2を備えている。また、図14に示すメンテナンス機器900Bは、発光部901と、発光部901を支持する支持部材912とを備えている。支持部材912は、計測ステージPST2と接続可能な接続部913を備えている。計測ステージPST2には、支持部材912の接続部913と接続する被接続部914が設けられており、接続部913と被接続部914とが接続することで、支持部材912と計測ステージPST2とが接続する。
<Eleventh embodiment>
Next, an eleventh embodiment will be described with reference to FIG. The exposure apparatus EXS shown in FIG. 14 includes a substrate stage PST1 and a measurement stage PST2 that can move on the image plane side of the projection optical system PL, as in the embodiments of FIGS. A maintenance device 900B shown in FIG. 14 includes a light emitting unit 901 and a support member 912 that supports the light emitting unit 901. The support member 912 includes a connection portion 913 that can be connected to the measurement stage PST2. The measurement stage PST2 is provided with a connected portion 914 that is connected to the connection portion 913 of the support member 912. By connecting the connection portion 913 and the connected portion 914, the support member 912 and the measurement stage PST2 are connected. Connecting.

メンテナンス機器900Bを使って光洗浄処理を行う場合には、例えば作業者によって、図14(A)に示すように、発光部901を支持した支持部材912と計測ステージPST2とが接続部913を介して接続される。そして、図14(B)に示すように、計測ステージPST2を移動して、発光部901を投影光学系PLの下方の位置に配置し、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aと発光部901の発光面とを対向させる。その状態で、発光部901から照射光Luを射出することにより、光学素子2の下面2A及びノズル部材70Aの下面70Aは照射光Luに照射されて光洗浄される。また、発光部901は計測ステージPST2の移動に伴って移動可能であるため、発光部901を光学素子2の下面2A及びノズル部材70Aの下面70Aのそれぞれに対して所望の位置に位置決めした状態で、照射光Luを照射することができる。   In the case where the optical cleaning process is performed using the maintenance device 900B, for example, as shown in FIG. 14A, the support member 912 supporting the light emitting unit 901 and the measurement stage PST2 are connected via the connection unit 913 by an operator. Connected. Then, as shown in FIG. 14B, the measurement stage PST2 is moved so that the light emitting unit 901 is disposed at a position below the projection optical system PL, and the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70 The light emitting surface of the light emitting unit 901 is opposed. In this state, by emitting the irradiation light Lu from the light emitting unit 901, the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70A are irradiated with the irradiation light Lu and are optically cleaned. In addition, since the light emitting unit 901 can move as the measurement stage PST2 moves, the light emitting unit 901 is positioned at desired positions with respect to the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70A. Irradiation light Lu can be irradiated.

なお、メンテナンス機器900Bは、計測ステージPST2に限らず、基板ステージPST1に接続されてもよい。メンテナンス機器900Bの支持部材912に基板ステージPST1と接続可能な接続部を設けることで、メンテナンス機器900Bと基板ステージPST1とを接続することができる。   Maintenance device 900B is not limited to measurement stage PST2, and may be connected to substrate stage PST1. By providing the support member 912 of the maintenance device 900B with a connection portion that can be connected to the substrate stage PST1, the maintenance device 900B and the substrate stage PST1 can be connected.

また、本実施形態においても、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aと発光部901の発光面との間を液体LQで満たしながら光洗浄処理を行うようにしてもよい。   Also in the present embodiment, the light cleaning process may be performed while the space between the lower surface 2A of the optical element 2 or the lower surface 70A of the nozzle member 70 and the light emitting surface of the light emitting unit 901 is filled with the liquid LQ.

<第12の実施形態>
次に、第12の実施形態について図15を参照しながら説明する。図15に示すメンテナンス機器900Cは、発光部901と、発光部901を支持する支持部材915とを備えている。支持部材915は、基板ステージPST1及び計測ステージPST2を移動可能に支持するステージベース(ベース部材)57と接続可能な接続部916を備えている。ステージベース57には、支持部材915の接続部916と接続する被接続部917が設けられており、接続部916と被接続部917とが接続することで、支持部材915とステージベース57とが接続する。本実施形態においては、ステージベース57の上面と、そのステージベース57に接続されたメンテナンス機器900C(発光部901)の表面とはほぼ面一となっている。これにより、基板ステージPST1及び計測ステージPST2がメンテナンス機器900C(発光部901)の表面上を移動可能であり、メンテナンス機器900Cをステージベース57に設けることによるステージベース57上の基板ステージPST1及び計測ステージPST2の移動範囲を拘束することはない。そして、ステージベース57に接続部916を介して接続された支持部材915上の発光部901から照射光Luを射出することにより、投影光学系PLの光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aを光洗浄することができる。
<Twelfth Embodiment>
Next, a twelfth embodiment will be described with reference to FIG. A maintenance device 900C illustrated in FIG. 15 includes a light emitting unit 901 and a support member 915 that supports the light emitting unit 901. The support member 915 includes a connection portion 916 that can be connected to a stage base (base member) 57 that movably supports the substrate stage PST1 and the measurement stage PST2. The stage base 57 is provided with a connected portion 917 that is connected to the connecting portion 916 of the supporting member 915. By connecting the connecting portion 916 and the connected portion 917, the supporting member 915 and the stage base 57 are connected. Connecting. In the present embodiment, the upper surface of the stage base 57 and the surface of the maintenance device 900C (light emitting unit 901) connected to the stage base 57 are substantially flush with each other. Thereby, the substrate stage PST1 and the measurement stage PST2 can move on the surface of the maintenance device 900C (light emitting unit 901), and the substrate stage PST1 and the measurement stage on the stage base 57 by providing the maintenance device 900C on the stage base 57. The movement range of PST2 is not constrained. Then, the lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL and the lower surface of the nozzle member 70 are emitted from the light emitting portion 901 on the support member 915 connected to the stage base 57 via the connection portion 916. 70A can be light washed.

なお、本実施形態においては、メンテナンス機器900Cは、ベース部材57に常駐させることもできる。また、メンテナンス機器900C(発光部901)をベース部材57に対して上下動可能に配置しておき、メンテナンス機器900(発光部901)を光学素子2やノズル部材70に近接させて光洗浄処理を行うこともできる。   In the present embodiment, the maintenance device 900 </ b> C can be resident in the base member 57. In addition, the maintenance device 900C (light emitting unit 901) is arranged so as to be movable up and down with respect to the base member 57, and the maintenance device 900 (light emitting unit 901) is brought close to the optical element 2 and the nozzle member 70 to perform the light cleaning process. It can also be done.

なお、上述の第11及び第12の実施形態においては、基板ステージPST1と計測ステージPST2とを備えた露光装置のメンテナンス機器について述べているが、一つ又は複数の基板ステージのみを備えた露光装置に、第11及び第12の実施形態のメンテナンス機器を用いることもできる。   In the eleventh and twelfth embodiments described above, the maintenance apparatus of the exposure apparatus including the substrate stage PST1 and the measurement stage PST2 is described. However, the exposure apparatus including only one or a plurality of substrate stages. In addition, the maintenance devices of the eleventh and twelfth embodiments can also be used.

<第13の実施形態>
次に、第13の実施形態について図16を参照しながら説明する。図16には基板ステージPSTの一例が示されている。図16において、基板ステージPSTは、Xガイド部材920によりX軸方向への移動を案内され、Xリニアモータ921によりX軸方向に移動する。Xリニアモータ921は、基板ステージPSTに設けられた可動子921MとXガイド部材920に設けられた固定子921Cとによって構成されている。基板ステージPSTは、Xガイド部材920を囲むように設けられた枠部材930を有しており、その下面934に、ステージベース57の上面に対して基板ステージPSTを非接触支持するためのエアベアリング935が設けられている。エアベアリング935によって、枠部材930を含む基板ステージPSTがステージベース57に対して非接触支持され、枠部材930とXガイド部材920とのZ軸方向に関するギャップが維持されている。また、枠部材930の内側面にはエアベアリング935が設けられており、このエアベアリング935によって、枠部材930の内側面とXガイド部材920とのY軸方向に関するギャップが維持されている。
<13th Embodiment>
Next, a thirteenth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 16 shows an example of the substrate stage PST. In FIG. 16, the substrate stage PST is guided in the X-axis direction by the X guide member 920 and moved in the X-axis direction by the X linear motor 921. The X linear motor 921 includes a movable element 921M provided on the substrate stage PST and a stator 921C provided on the X guide member 920. The substrate stage PST has a frame member 930 provided so as to surround the X guide member 920, and an air bearing for supporting the substrate stage PST in a non-contact manner on the lower surface 934 with respect to the upper surface of the stage base 57. 935 is provided. The air bearing 935 supports the substrate stage PST including the frame member 930 in a non-contact manner with respect to the stage base 57, and the gap in the Z-axis direction between the frame member 930 and the X guide member 920 is maintained. An air bearing 935 is provided on the inner side surface of the frame member 930, and the air bearing 935 maintains a gap in the Y axis direction between the inner side surface of the frame member 930 and the X guide member 920.

Xガイド部材920は、ステージベース57のX軸方向両側のそれぞれに設けられた側面視略L字状の支持部材923の上端部のガイド部923BによりY軸方向への移動を案内される。ガイド部923B(支持部材923)は、Xガイド部材920の両端部のそれぞれに対応する位置に設けられており、Xガイド部材920の両端部のそれぞれには、ガイド部923Bに対応する被ガイド部924が設けられている。ガイド部923Bと被ガイド部924との間にはエアベアリングが介在しており、被ガイド部924はガイド部923Bに対して非接触支持されている。Xガイド部材920は、Yリニアモータ922によりY軸方向に移動可能に設けられている。基板ステージPSTは、Yリニアモータ922の駆動により、Xガイド部材920と一緒にY軸方向へ移動可能である。Yリニアモータ922は、Xガイド部材920の長手方向両端部のそれぞれに設けられた可動子922Mと、この可動子922Mに対応するように、支持部材923の平面部923A上にエアベアリングを介して非接触支持されている固定子922Cとを備えている。Yリニアモータ922の可動子922Mが固定子922Cに対して駆動することで、Xガイド部材920が基板ステージPSTと一緒にY軸方向に移動する。また、Yリニアモータ922、922のそれぞれの駆動を調整することでXガイド部材920はθZ方向にも回転移動可能となっている。したがって、このYリニアモータ922、922により基板ステージPSTがXガイド部材920とほぼ一体的にY軸方向及びθZ方向に移動可能となっている。   The X guide member 920 is guided to move in the Y axis direction by the guide portions 923B at the upper end portions of the substantially L-shaped support members 923 provided on the both sides of the stage base 57 in the X axis direction. Guide portions 923B (support members 923) are provided at positions corresponding to both ends of the X guide member 920, and guided portions corresponding to the guide portions 923B are provided at both ends of the X guide member 920, respectively. 924 is provided. An air bearing is interposed between the guide portion 923B and the guided portion 924, and the guided portion 924 is supported in a non-contact manner with respect to the guide portion 923B. The X guide member 920 is provided so as to be movable in the Y axis direction by a Y linear motor 922. The substrate stage PST can move in the Y-axis direction together with the X guide member 920 by driving a Y linear motor 922. The Y linear motor 922 includes a mover 922M provided at each of both ends in the longitudinal direction of the X guide member 920, and an air bearing on the flat portion 923A of the support member 923 so as to correspond to the mover 922M. And a stator 922C that is supported in a non-contact manner. When the mover 922M of the Y linear motor 922 is driven relative to the stator 922C, the X guide member 920 moves in the Y axis direction together with the substrate stage PST. Further, by adjusting the driving of each of the Y linear motors 922 and 922, the X guide member 920 can be rotated and moved also in the θZ direction. Therefore, the Y linear motors 922 and 922 allow the substrate stage PST to move in the Y axis direction and the θZ direction almost integrally with the X guide member 920.

図16の実施形態において、メンテナンス機器900Dを構成する発光部901は、ガイド部923Bに接続された支持部材919上に支持されている。支持部材919は、ステージベース57のX軸方向両側に設けられたガイド部923Bのそれぞれに接続可能な接続部918を有している。メンテナンス時においては、基板ステージPSTは、投影光学系PLの下方の位置以外の所定の退避位置に退避する。そして、メンテナンス機器900Dの支持部材919がガイド部923Bに支持される。このとき、発光部901が投影光学系PLの下方の位置に配置されるように、支持部材919がガイド部923Bに支持される。この状態で、発光部901が照射光Luを射出することにより、投影光学系PLの光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aを光洗浄することができる。   In the embodiment of FIG. 16, the light emitting unit 901 constituting the maintenance device 900D is supported on a support member 919 connected to the guide unit 923B. The support member 919 has connection portions 918 that can be connected to the guide portions 923 </ b> B provided on both sides of the stage base 57 in the X-axis direction. At the time of maintenance, the substrate stage PST is retracted to a predetermined retract position other than the position below the projection optical system PL. Then, the support member 919 of the maintenance device 900D is supported by the guide portion 923B. At this time, the support member 919 is supported by the guide portion 923B so that the light emitting portion 901 is disposed at a position below the projection optical system PL. In this state, the light emitting unit 901 emits the irradiation light Lu, whereby the lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL and the lower surface 70A of the nozzle member 70 can be optically cleaned.

なお、メンテナンス機器900Dの発光部901をXガイド部材920上に設置し、Xガイド部材920上に設置された発光部901と光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aとを対向させ、その発光部901から照射光Luを射出して、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aに照射するようにしてもよい。   The light emitting unit 901 of the maintenance device 900D is installed on the X guide member 920, the light emitting unit 901 installed on the X guide member 920 is opposed to the lower surface 2A of the optical element 2 and the lower surface 70A of the nozzle member 70, The irradiation light Lu may be emitted from the light emitting unit 901 to irradiate the lower surface 2A of the optical element 2 or the lower surface 70A of the nozzle member 70.

また本実施形態においては、1つの基板ステージPSTを備えた露光装置のメンテナンスについて述べているが、上述のような計測ステージと基板ステージとを備えた露光装置や、複数の基板ステージを備えた露光装置にも本実施形態のメンテナンス機器を適用することができる。   In the present embodiment, the maintenance of the exposure apparatus provided with one substrate stage PST is described. However, the exposure apparatus provided with the measurement stage and the substrate stage as described above, and the exposure provided with a plurality of substrate stages. The maintenance device of this embodiment can also be applied to the apparatus.

なお、上述の第10〜第13の実施形態おいては、メンテナンス機器を、ノズル部材、ステージ、ベース部材に接続しているが、露光装置EXSに対してメンテナンス機器を接続する接続位置(取り付け位置)としては、例えばメインコラム4(図1など参照)であってもよい。   In the above tenth to thirteenth embodiments, the maintenance device is connected to the nozzle member, the stage, and the base member. However, the connection position (attachment position) for connecting the maintenance device to the exposure apparatus EXS. ) May be, for example, the main column 4 (see FIG. 1 and the like).

なお、上述の第10〜第13の実施形態のメンテナンス機器においても、発光部901から射出した照射光Luを反射部材で反射し、その反射光を光学素子2やノズル部材70、あるいはステージに照射するようにしてもよい。   In the maintenance devices of the tenth to thirteenth embodiments described above, the irradiation light Lu emitted from the light emitting unit 901 is reflected by the reflecting member, and the reflected light is irradiated to the optical element 2, the nozzle member 70, or the stage. You may make it do.

また、第9〜第13の実施形態においても、第7の実施形態で述べたように、光洗浄を行う部材の表面に光触媒作用を有する膜が形成されていることが望ましい。   Also in the ninth to thirteenth embodiments, as described in the seventh embodiment, it is desirable that a film having a photocatalytic action is formed on the surface of a member that performs optical cleaning.

なお上述のメンテナンス機器においては、発光部901に光源が内蔵されたものとして説明したが、光源を発光部901とは離れた位置(例えば露光装置EXSの外部)に設け、その光源から射出された照射光Luを光ファイバ等で発光部901まで伝送するようにしてもよい。   In the above-described maintenance device, the light source is built in the light emitting unit 901. However, the light source is provided at a position away from the light emitting unit 901 (for example, outside the exposure apparatus EXS) and emitted from the light source. The irradiation light Lu may be transmitted to the light emitting unit 901 by an optical fiber or the like.

なお、上述の各実施形態においては、ステージの基準部材、光計測部、光学素子2の下面2A,ノズル部材70の下面70Aなどを光洗浄しているが、これらのすべてを光洗浄する必要はなく、必要に応じて、これらの少なくとも一部に光洗浄を行うようにすればよい。   In each of the above-described embodiments, the stage reference member, the optical measurement unit, the lower surface 2A of the optical element 2, the lower surface 70A of the nozzle member 70, and the like are optically cleaned. However, all of these need to be optically cleaned. However, if necessary, light cleaning may be performed on at least a part of these.

また、上述の実施形態においては、露光装置EXSに搭載された部材を光洗浄する場合について説明したが、液体LQに接触する部材を、露光装置EXSに組み込む前や、露光装置EXSから取り外したときに光洗浄することも効果的である。   In the above-described embodiment, the case where the member mounted on the exposure apparatus EXS is optically cleaned has been described. However, the member that contacts the liquid LQ is incorporated into the exposure apparatus EXS or removed from the exposure apparatus EXS. It is also effective to perform light cleaning.

上述したように、本実施形態における液体LQは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。   As described above, the liquid LQ in the present embodiment is composed of pure water. Pure water has an advantage that it can be easily obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing factory or the like, and has no adverse effect on the photoresist, optical element (lens), etc. on the substrate P. In addition, pure water has no adverse effects on the environment, and since the impurity content is extremely low, it can be expected to clean the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL. . When the purity of pure water supplied from a factory or the like is low, the exposure apparatus may have an ultrapure water production device.

そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水(水)の屈折率nはほぼ1.44程度と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nm程度に短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍程度に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。   The refractive index n of pure water (water) with respect to the exposure light EL having a wavelength of about 193 nm is said to be about 1.44, and when ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source of the exposure light EL On the substrate P, the wavelength is shortened to 1 / n, that is, about 134 nm, and a high resolution is obtained. Furthermore, since the depth of focus is expanded to about n times, that is, about 1.44 times compared with that in the air, the projection optical system can be used when it is sufficient to ensure the same depth of focus as that used in the air. The numerical aperture of PL can be further increased, and the resolution is improved also in this respect.

なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数NAが0.9〜1.3になることもある。このように投影光学系の開口数NAが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、マスク(レチクル)のライン・アンド・スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスク(レチクル)のパターンからは、S偏光成分(TE偏光成分)、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が空気(気体)で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与するS偏光成分(TE偏光成分)の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系の開口数NAが1.0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位相シフトマスクや特開平6−188169号公報に開示されているようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法(特にダイポール照明法)等を適宜組み合わせると更に効果的である。   As described above, when the liquid immersion method is used, the numerical aperture NA of the projection optical system may be 0.9 to 1.3. When the numerical aperture NA of the projection optical system becomes large in this way, the imaging performance may deteriorate due to the polarization effect with random polarized light conventionally used as exposure light. desirable. In that case, linearly polarized illumination is performed in accordance with the longitudinal direction of the line pattern of the mask (reticle) line-and-space pattern. From the mask (reticle) pattern, the S-polarized light component (TE-polarized light component), that is, the line pattern It is preferable that a large amount of diffracted light having a polarization direction component is emitted along the longitudinal direction. When the space between the projection optical system PL and the resist applied on the surface of the substrate P is filled with a liquid, the space between the projection optical system PL and the resist applied on the surface of the substrate P is filled with air (gas). Compared with the case where the transmittance of the diffracted light of the S-polarized component (TE-polarized component) contributing to the improvement of the contrast is high on the resist surface, the numerical aperture NA of the projection optical system exceeds 1.0. Even in this case, high imaging performance can be obtained. Further, it is more effective to appropriately combine a phase shift mask and an oblique incidence illumination method (particularly a dipole illumination method) or the like according to the longitudinal direction of the line pattern as disclosed in JP-A-6-188169.

また、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、微細なライン・アンド・スペースパターン(例えば25〜50nm程度のライン・アンド・スペース)を基板P上に露光するような場合、マスクMの構造(例えばパターンの微細度やクロムの厚み)によっては、Wave guide効果によりマスクMが偏光板として作用し、コントラストを低下させるP偏光成分(TM偏光成分)の回折光よりS偏光成分(TE偏光成分)の回折光が多くマスクMから射出されるようになるので、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスクMを照明しても、投影光学系PLの開口数NAが0.9〜1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。また、マスクM上の極微細なライン・アンド・スペースパターンを基板P上に露光するような場合、Wire Grid効果によりP偏光成分(TM偏光成分)がS偏光成分(TE偏光成分)よりも大きくなる可能性もあるが、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、25nmより大きいライン・アンド・スペースパターンを基板P上に露光するような場合には、S偏光成分(TE偏光成分)の回折光がP偏光成分(TM偏光成分)の回折光よりも多くマスクMから射出されるので、投影光学系PLの開口数NAが0.9〜1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。   Further, for example, an ArF excimer laser is used as the exposure light, and a fine line and space pattern (for example, a line and space of about 25 to 50 nm) is formed on the substrate by using the projection optical system PL with a reduction magnification of about 1/4. When exposing on P, depending on the structure of the mask M (for example, the fineness of the pattern and the thickness of chrome), the mask M acts as a polarizing plate due to the Wave guide effect, and the P-polarized component (TM polarized light) that lowers the contrast. Since the diffracted light of the S-polarized component (TE-polarized component) is emitted from the mask M more than the diffracted light of the component), it is desirable to use the above-mentioned linearly polarized illumination, but the mask M is illuminated with random polarized light Even when the numerical aperture NA of the projection optical system PL is as large as 0.9 to 1.3, high resolution performance can be obtained. When an extremely fine line-and-space pattern on the mask M is exposed on the substrate P, the P-polarized component (TM-polarized component) is larger than the S-polarized component (TE-polarized component) due to the Wire Grid effect. For example, an ArF excimer laser is used as exposure light, and a line and space pattern larger than 25 nm is exposed on the substrate P using the projection optical system PL with a reduction magnification of about 1/4. In this case, since the diffracted light of the S polarization component (TE polarization component) is emitted from the mask M more than the diffracted light of the P polarization component (TM polarization component), the numerical aperture NA of the projection optical system PL is 0.9. High resolution performance can be obtained even when the value is as large as -1.3.

更に、マスク(レチクル)のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明(S偏光照明)だけでなく、特開平6−53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線(周)方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。特に、マスク(レチクル)のパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合には、同じく特開平6−53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数NAが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。   Furthermore, not only linearly polarized illumination (S-polarized illumination) matched to the longitudinal direction of the line pattern of the mask (reticle) but also a circle centered on the optical axis as disclosed in JP-A-6-53120. A combination of the polarization illumination method that linearly polarizes in the tangential (circumferential) direction and the oblique incidence illumination method is also effective. In particular, when a mask (reticle) pattern includes not only a line pattern extending in a predetermined direction but also a plurality of line patterns extending in different directions, the same is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-53120. In addition, by using the polarization illumination method that linearly polarizes in the tangential direction of the circle centered on the optical axis and the annular illumination method, high imaging performance can be obtained even when the numerical aperture NA of the projection optical system is large. it can.

本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子2が取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。この場合、平行平面板のマスクM側及び基板P側の両方に液体LQを配置するようにしてもよい。特に、投影光学系PLの開口数NAが1以上となる場合には、平行平面板のマスクM側にも液体が必要となる。   In the present embodiment, the optical element 2 is attached to the tip of the projection optical system PL, and the optical characteristics of the projection optical system PL, for example, aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) can be adjusted by this lens. The optical element attached to the tip of the projection optical system PL may be an optical plate used for adjusting the optical characteristics of the projection optical system PL. Alternatively, it may be a plane parallel plate that can transmit the exposure light EL. In this case, the liquid LQ may be arranged on both the mask M side and the substrate P side of the plane parallel plate. In particular, when the numerical aperture NA of the projection optical system PL is 1 or more, liquid is also required on the mask M side of the plane parallel plate.

なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。   When the pressure between the optical element at the tip of the projection optical system PL generated by the flow of the liquid LQ and the substrate P is large, the optical element is not exchangeable but the optical element is moved by the pressure. It may be fixed firmly so that there is no.

なお、本実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たす構成であってもよい。   In the present embodiment, the space between the projection optical system PL and the surface of the substrate P is filled with the liquid LQ. However, for example, the liquid with the cover glass made of a plane-parallel plate attached to the surface of the substrate P is used. The structure which satisfy | fills LQ may be sufficient.

また、上述の液浸法を適用した露光装置は、投影光学系PLの光学素子2の射出側の光路空間を液体(純水)で満たして基板Pを露光する構成になっているが、国際公開第2004/019128号に開示されているように、投影光学系PLの光学素子2の入射側の光路空間も液体(純水)で満たすようにしてもよい。この場合、光学素子2の入射側の光路空間の液体に接触する部材を、上述したように光洗浄処理するようにしてもよい。また、光洗浄処理要の照射光Luを使って光学素子2の入射側の液体の殺菌に用いてもよい。   An exposure apparatus to which the above-described immersion method is applied is configured to expose the substrate P by filling the optical path space on the emission side of the optical element 2 of the projection optical system PL with liquid (pure water). As disclosed in Japanese Patent Publication No. 2004/019128, the optical path space on the incident side of the optical element 2 of the projection optical system PL may be filled with liquid (pure water). In this case, the member in contact with the liquid in the optical path space on the incident side of the optical element 2 may be subjected to the light cleaning process as described above. Moreover, you may use for the disinfection of the liquid of the incident side of the optical element 2 using the irradiation light Lu required for a light cleaning process.

なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がFレーザである場合、このFレーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはFレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体LQの極性に応じて行われる。 The liquid LQ of the present embodiment is water, but may be a liquid other than water. For example, when the light source of the exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser light does not pass through water. The liquid LQ may be, for example, a fluorinated fluid such as perfluorinated polyether (PFPE) or fluorinated oil that can transmit F 2 laser light. In this case, the lyophilic treatment is performed by forming a thin film with a substance having a molecular structure having a small polarity including fluorine, for example, at a portion in contact with the liquid LQ. In addition, as the liquid LQ, the liquid LQ is transmissive to the exposure light EL, has a refractive index as high as possible, and is stable with respect to the photoresist applied to the projection optical system PL and the surface of the substrate P (for example, Cedar). Oil) can also be used. Also in this case, the surface treatment is performed according to the polarity of the liquid LQ to be used.

なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。   The substrate P in each of the above embodiments is not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。   As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.

上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いても良い。   In the above-described embodiment, a light transmissive mask (reticle) in which a predetermined light shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light transmissive substrate is used. Instead of this reticle, for example, the United States As disclosed in Japanese Patent No. 6,778,257, an electronic mask that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed may be used.

また、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞をウエハW上に形成することによって、ウエハW上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that forms a line and space pattern on a wafer W by forming interference fringes on the wafer W. The present invention can also be applied.

また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系(例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系)を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。   Further, as the exposure apparatus EX, a reduced image of the first pattern is projected with the first pattern and the substrate P being substantially stationary (for example, a refraction type projection optical system that does not include a reflecting element at 1/8 reduction magnification). The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs batch exposure on the substrate P using the above. In this case, after that, with the second pattern and the substrate P substantially stationary, a reduced image of the second pattern is collectively exposed onto the substrate P by partially overlapping the first pattern using the projection optical system. It can also be applied to a stitch type batch exposure apparatus. Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.

また、上述の実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平6−124873号公報や特開平10−303114号公報などに開示されているような、露光対象の基板の表面全体が液体で覆われている液浸露光装置にも適用可能である。   Further, in the above-described embodiment, an exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system PL and the substrate P is employed. However, the present invention is disclosed in JP-A-6-124873 and JP-A-10. The present invention can also be applied to an immersion exposure apparatus in which the entire surface of a substrate to be exposed is covered with a liquid as disclosed in JP-A-303114.

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ) Or an exposure apparatus for manufacturing reticles or masks.

基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージPST、MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。   When using a linear motor (see USP5,623,853 or USP5,528,118) for the substrate stage PST and mask stage MST, use either an air levitation type using air bearings or a magnetic levitation type using Lorentz force or reactance force. Also good. Each stage PST, MST may be a type that moves along a guide, or may be a guideless type that does not have a guide.

各ステージPST、MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージPST、MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージPST、MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージPST、MSTの移動面側に設ければよい。   As a driving mechanism for each stage PST, MST, a planar motor that drives each stage PST, MST by electromagnetic force with a magnet unit having a two-dimensionally arranged magnet and an armature unit having a two-dimensionally arranged coil facing each other is provided. It may be used. In this case, either one of the magnet unit and the armature unit may be connected to the stages PST and MST, and the other of the magnet unit and the armature unit may be provided on the moving surface side of the stages PST and MST.

基板ステージPSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−166475号公報(USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。   As described in JP-A-8-166475 (USP 5,528,118), the reaction force generated by the movement of the substrate stage PST is not transmitted to the projection optical system PL, but mechanically using a frame member. You may escape to the floor (ground).

マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−330224号公報(US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。   As described in JP-A-8-330224 (US S / N 08 / 416,558), a frame member is used so that the reaction force generated by the movement of the mask stage MST is not transmitted to the projection optical system PL. May be mechanically released to the floor (ground).

以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   As described above, the exposure apparatus EX according to the present embodiment maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図17に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。   As shown in FIG. 17, a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate which is a base material of the device. Manufacturing step 203, exposure processing step 204 for exposing the mask pattern onto the substrate by the exposure apparatus EX of the above-described embodiment, device assembly step (including dicing process, bonding process, packaging process) 205, inspection step 206, etc. It is manufactured after.

第1の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 図1の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of FIG. 基板ステージの平面図である。It is a top view of a substrate stage. 第1の実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of operation | movement of the exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第2の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exposure apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exposure apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exposure apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exposure apparatus which concerns on 5th Embodiment. 第6の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exposure apparatus which concerns on 6th Embodiment. 第7の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exposure apparatus which concerns on 7th Embodiment. 第8の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exposure apparatus which concerns on 8th Embodiment. 第9の実施形態に係るメンテナンス機器を示す図である。It is a figure which shows the maintenance apparatus which concerns on 9th Embodiment. 第10の実施形態に係るメンテナンス機器を示す図である。It is a figure which shows the maintenance apparatus which concerns on 10th Embodiment. 第11の実施形態に係るメンテナンス機器を示す図である。It is a figure which shows the maintenance apparatus which concerns on 11th Embodiment. 第12の実施形態に係るメンテナンス機器を示す図である。It is a figure which shows the maintenance apparatus which concerns on 12th Embodiment. 第13の実施形態に係るメンテナンス機器を示す図である。It is a figure which shows the maintenance apparatus which concerns on 13th Embodiment. 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows an example of the manufacturing process of a semiconductor device.

符号の説明Explanation of symbols

2…光学素子、12…供給口、22…回収口、31…上面、57…ステージベース(ベース部材)、70…ノズル部材、80…光洗浄装置、82…光源、84(84A、84B)…検出器、86…光学系、87…気体供給系、88…気体回収系、90…検出装置、125…空調空間、300…基準部材(計測部材)、400、500、600…光計測部、700…光学部材、800…振動機構、900…メンテナンス機器、901…発光部、AR1…投影領域、AR2…液浸領域、CONT…制御装置、EL…露光光、EX…露光装置本体、EXS…露光装置、KC…空調系、LQ…液体、Lu…照射光(紫外光)、P…基板、PH…基板ホルダ、PL…投影光学系、PST(PST1)…基板ステージ、PST2…計測ステージ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Optical element, 12 ... Supply port, 22 ... Recovery port, 31 ... Upper surface, 57 ... Stage base (base member), 70 ... Nozzle member, 80 ... Light washing apparatus, 82 ... Light source, 84 (84A, 84B) ... Detector: 86 ... Optical system, 87 ... Gas supply system, 88 ... Gas recovery system, 90 ... Detection device, 125 ... Air-conditioned space, 300 ... Reference member (measurement member), 400, 500, 600 ... Optical measurement unit, 700 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Optical member, 800 ... Vibration mechanism, 900 ... Maintenance apparatus, 901 ... Light emission part, AR1 ... Projection area, AR2 ... Liquid immersion area, CONT ... Control apparatus, EL ... Exposure light, EX ... Exposure apparatus main body, EXS ... Exposure apparatus , KC ... air conditioning system, LQ ... liquid, Lu ... irradiation light (ultraviolet light), P ... substrate, PH ... substrate holder, PL ... projection optical system, PST (PST1) ... substrate stage, PST2 ... measurement stage

Claims (81)

投影光学系の像面側に液体の液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記基板を露光する露光装置において、
前記液浸領域を形成するための液体に接触する部材に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光を照射する光洗浄装置を備えた露光装置。
In an exposure apparatus that forms a liquid immersion region on the image plane side of the projection optical system and exposes the substrate through the projection optical system and the liquid in the immersion region.
An exposure apparatus provided with a light cleaning device that irradiates a predetermined contact light having a light cleaning effect on a member that contacts the liquid for forming the liquid immersion region.
前記像面側で移動可能なステージを備え、
前記光洗浄装置は、前記ステージ上面に前記照射光を照射する請求項1記載の露光装置。
A stage movable on the image plane side;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light cleaning device irradiates the irradiation light onto the upper surface of the stage.
前記ステージは、前記基板を保持する基板ホルダを有し、
前記光洗浄装置は、前記基板ホルダに前記照射光を照射する請求項2記載の露光装置。
The stage has a substrate holder for holding the substrate,
The exposure apparatus according to claim 2, wherein the light cleaning device irradiates the substrate holder with the irradiation light.
前記ステージは前記基板を保持可能であって、
前記光洗浄装置は、前記ステージ上に前記基板が無い状態で、前記照射光を照射する請求項2又は3記載の露光装置。
The stage can hold the substrate,
The exposure apparatus according to claim 2, wherein the light cleaning apparatus irradiates the irradiation light in a state where the substrate is not present on the stage.
前記光洗浄装置は、前記ステージ上に設けられた光計測部に前記照射光を照射する請求項2〜4のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 2 to 4, wherein the light cleaning device irradiates an optical measurement unit provided on the stage with the irradiation light. 前記光洗浄装置は、前記投影光学系を構成する複数の光学素子のうち最も像面に近い光学素子に前記照射光を照射する請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light cleaning device irradiates the irradiation light to an optical element closest to an image plane among a plurality of optical elements constituting the projection optical system. 前記投影光学系の像面側近傍に配置され、前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材を有し、
前記光洗浄装置は、前記ノズル部材に前記照射光を照射する請求項1〜6のいずれか一項記載の露光装置。
A nozzle member that is disposed in the vicinity of the image plane side of the projection optical system and has at least one of a supply port for supplying the liquid and a recovery port for recovering the liquid;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light cleaning device irradiates the nozzle member with the irradiation light.
前記部材のうち前記照射光が照射される照射領域近傍に対して気体を供給する気体供給系と、
前記気体を回収する気体回収系とを備えた請求項1〜7のいずれか一項記載の露光装置。
A gas supply system for supplying a gas to the vicinity of an irradiation region irradiated with the irradiation light among the members;
The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a gas recovery system that recovers the gas.
前記照射光の光路を含む空間の気体成分を検出する検出器を備え、
前記気体供給系は、前記検出器の検出結果に基づいて、供給する気体成分を調整する請求項8記載の露光装置。
A detector for detecting a gas component in a space including the optical path of the irradiation light;
The exposure apparatus according to claim 8, wherein the gas supply system adjusts a gas component to be supplied based on a detection result of the detector.
前記投影光学系の少なくとも一部を収容し、空調系によって空調される空調空間を有し、
前記光洗浄装置は、前記投影光学系に対して前記空調系によって形成される気体の流れの下流側に設けられている請求項1〜9のいずれか一項記載の露光装置。
Containing at least a part of the projection optical system, and having an air-conditioned space that is air-conditioned by an air-conditioning system;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light cleaning device is provided downstream of a gas flow formed by the air conditioning system with respect to the projection optical system.
前記光洗浄装置は、前記空調空間の外側に配置され、前記照射光を射出する光源と、
前記光源から射出された前記照射光を前記空調空間内部に配置された部材に導く光学系とを備えた請求項10記載の露光装置。
The light cleaning device is disposed outside the air-conditioned space, and a light source that emits the irradiation light;
The exposure apparatus according to claim 10, further comprising: an optical system that guides the irradiation light emitted from the light source to a member disposed in the conditioned space.
前記部材の汚染を検出する検出装置と、
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記光洗浄装置の動作を制御する制御装置とを備えた請求項1〜11のいずれか一項記載の露光装置。
A detection device for detecting contamination of the member;
The exposure apparatus according to claim 1, further comprising: a control device that controls an operation of the light cleaning device based on a detection result of the detection device.
前記光洗浄装置は、前記部材に付着した有機物を除去する請求項1〜12のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light cleaning device removes organic substances attached to the member. 前記光洗浄装置は、前記部材上の液体が乾燥した後に、その付着跡が前記部材上に形成されないように、前記所定の照射光を照射する請求項1〜13のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure according to any one of claims 1 to 13, wherein the light cleaning device irradiates the predetermined irradiation light so that an adhesion trace is not formed on the member after the liquid on the member is dried. apparatus. 前記光洗浄装置は、前記部材に照射光を照射することによって、前記部材の液体接触面の親液性を高める請求項1〜12のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light cleaning device increases lyophilicity of a liquid contact surface of the member by irradiating the member with irradiation light. 前記液体は純水であって、
前記光洗浄装置は、前記部材上にウォーターマークが形成されないように、前記所定の照射光を照射する請求項1〜13のいずれか一項記載の露光装置。
The liquid is pure water,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light cleaning apparatus irradiates the predetermined irradiation light so that a watermark is not formed on the member.
前記照射光として、前記基板を露光するための露光光を用いる請求項1〜16のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein exposure light for exposing the substrate is used as the irradiation light. 前記光洗浄装置は、前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系からの露光光の照射によって前記露光光と同一波長の光を、前記照射光として発生する光学部材を含む請求項17記載の露光装置。   The optical cleaning device includes an optical member that is disposed on an image plane side of the projection optical system and generates light having the same wavelength as the exposure light as the irradiation light by irradiation of the exposure light from the projection optical system. Item 18. The exposure apparatus according to Item 17. 前記光学部材は反射部材を含み、
前記照射光は、前記露光光の照射によって前記反射部材から発生する反射光を含む請求項18記載の露光装置。
The optical member includes a reflective member,
The exposure apparatus according to claim 18, wherein the irradiation light includes reflected light generated from the reflecting member by irradiation of the exposure light.
前記光学部材は回折部材を含み、
前記照射光は、前記露光光の照射によって前記回折部材から発生する回折光を含む請求項18記載の露光装置。
The optical member includes a diffractive member,
The exposure apparatus according to claim 18, wherein the irradiation light includes diffracted light generated from the diffraction member by irradiation of the exposure light.
前記光学部材は散乱部材を含み、
前記照射光は、前記露光光の照射によって前記散乱部材から発生する散乱光を含む請求項18記載の露光装置。
The optical member includes a scattering member,
The exposure apparatus according to claim 18, wherein the irradiation light includes scattered light generated from the scattering member by irradiation of the exposure light.
前記光学部材は、前記投影光学系の像面側で移動可能な可動部材に配置されている請求項18〜21のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 18 to 21, wherein the optical member is disposed on a movable member movable on the image plane side of the projection optical system. 前記液体に接触する部材は、光触媒作用を有する材料で被覆されている請求項1〜22のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the member that contacts the liquid is coated with a material having a photocatalytic action. 前記材料は、酸化チタンを含む請求項23記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 23, wherein the material includes titanium oxide. 前記液体に接触する部材は、光触媒作用を有する膜が形成される材料を含む請求項1〜24のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 24, wherein the member in contact with the liquid includes a material on which a film having a photocatalytic action is formed. 前記光触媒作用を有する膜が形成される材料はチタンを含む請求項25記載の露光装置。   26. The exposure apparatus according to claim 25, wherein the material on which the film having a photocatalytic action is formed contains titanium. 前記光洗浄装置は、前記投影光学系と前記光学部材との間に液体を満たした状態で、前記液体に接触する部材に、前記照射光を照射する請求項1〜26のいずれか一項記載の露光装置。   The said optical cleaning apparatus irradiates the said irradiation light to the member which contacts the said liquid in the state with which the liquid was filled between the said projection optical system and the said optical member. Exposure equipment. 前記投影光学系と前記光学部材との間の液体は酸素を含む請求項27記載の露光装置。   28. The exposure apparatus according to claim 27, wherein the liquid between the projection optical system and the optical member contains oxygen. 前記投影光学系と前記光学部材との間の液体は前記基板の露光に用いられる液体である請求項27記載の露光装置。   28. The exposure apparatus according to claim 27, wherein the liquid between the projection optical system and the optical member is a liquid used for exposure of the substrate. 前記液体に接触する部材の少なくとも一部が、光触媒作用をもたらす材料から形成されている請求項18に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 18, wherein at least a part of the member that contacts the liquid is formed of a material that provides a photocatalytic action. 前記光洗浄装置は、前記投影光学系と前記光学部材との間に液体を満たした状態で、前記液体に接触する部材に、前記照射光を照射する請求項18に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 18, wherein the light cleaning device irradiates a member in contact with the liquid with the irradiation light in a state where the liquid is filled between the projection optical system and the optical member. 前記光洗浄装置は、前記部材に照射光を照射することによって、前記部材の液体接触面の親液性を高める請求項31に記載の露光装置。   32. The exposure apparatus according to claim 31, wherein the light cleaning device increases lyophilicity of the liquid contact surface of the member by irradiating the member with irradiation light. 投影光学系の像面側の光路空間を液体で満たして、前記投影光学系と前記液体とを介して基板を露光する露光装置において、
前記光路空間を液体で満たすためのノズル部材と、
前記ノズル部材に付着した汚染物を除去するために、前記ノズル部材の少なくとも一部を振動させる振動機構とを備えた露光装置。
In an exposure apparatus that fills an optical path space on the image plane side of the projection optical system with a liquid and exposes the substrate through the projection optical system and the liquid,
A nozzle member for filling the optical path space with a liquid;
An exposure apparatus comprising: a vibration mechanism that vibrates at least a part of the nozzle member in order to remove contaminants attached to the nozzle member.
前記振動機構は、前記光路空間を液体で満たした状態で前記ノズル部材の少なくとも一部を振動させる請求項33記載の露光装置。   34. The exposure apparatus according to claim 33, wherein the vibration mechanism vibrates at least a part of the nozzle member in a state where the optical path space is filled with a liquid. 前記振動機構によって前記ノズル部材を振動させるときに、前記光路空間に供給された液体は、前記基板の露光に用いられる液体である請求項34記載の露光装置。   35. The exposure apparatus according to claim 34, wherein when the nozzle member is vibrated by the vibration mechanism, the liquid supplied to the optical path space is a liquid used for exposure of the substrate. 前記振動機構は、超音波振動子を含む請求項33〜35のいずれか一項記載の露光装置。   36. The exposure apparatus according to any one of claims 33 to 35, wherein the vibration mechanism includes an ultrasonic transducer. 請求項1〜請求項36のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。   37. A device manufacturing method using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 36. 露光光の光路空間を液体で満たして、前記液体を介して基板を露光する露光装置のメンテナンス方法において、
前記露光装置内で前記液体に接触する部材に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光を照射するメンテナンス方法。
In an exposure apparatus maintenance method for filling an optical path space of exposure light with a liquid and exposing the substrate through the liquid,
A maintenance method for irradiating a member in contact with the liquid in the exposure apparatus with predetermined irradiation light having a light cleaning effect.
前記液体に接触する部材は、前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくとも一方を有するノズル部材を含む請求項38記載のメンテナンス方法。   The maintenance method according to claim 38, wherein the member in contact with the liquid includes a nozzle member having at least one of a supply port for supplying the liquid and a recovery port for recovering the liquid. 前記液体に接触する部材は、光触媒作用を有する膜が表面に形成されている請求項38又は39記載のメンテナンス方法。   40. The maintenance method according to claim 38 or 39, wherein the member in contact with the liquid has a film having a photocatalytic action formed on a surface thereof. 前記液体に接触する部材はチタンを含む請求項40記載のメンテナンス方法。   41. The maintenance method according to claim 40, wherein the member that contacts the liquid contains titanium. 前記液体に接触する部材に照射光を照射することによって、前記液体に接触する部材に付着した有機物を除去する請求項38〜41のいずれか一項記載のメンテナンス方法。   The maintenance method according to any one of claims 38 to 41, wherein an organic substance attached to the member in contact with the liquid is removed by irradiating the member in contact with the liquid with irradiation light. 前記液体に接触する部材に照射光を照射することによって、前記液体に接触する部材の液体接触面の親液性を高める請求項38〜42のいずれか一項記載のメンテナンス方法。   43. The maintenance method according to any one of claims 38 to 42, wherein the lyophilicity of the liquid contact surface of the member that contacts the liquid is enhanced by irradiating the member that contacts the liquid with irradiation light. 前記液体に接触する部材は、前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくとも一方を有するノズル部材を含む請求項43記載のメンテナンス方法。   44. The maintenance method according to claim 43, wherein the member in contact with the liquid includes a nozzle member having at least one of a supply port for supplying the liquid and a recovery port for recovering the liquid. 前記露光装置は、前記液体と光学部材とを介して前記基板に露光光を照射する露光装置であって、
前記液体と接触する部材は、前記光学部材を含む請求項43又は44記載のメンテナンス方法。
The exposure apparatus is an exposure apparatus that irradiates the substrate with exposure light through the liquid and an optical member,
45. The maintenance method according to claim 43 or 44, wherein the member in contact with the liquid includes the optical member.
前記液体と接触する部材を液体と接触させた状態で、前記液体と接触する部材に前記照射光を照射する請求項38〜45のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。   The maintenance method according to any one of claims 38 to 45, wherein the irradiation light is irradiated to a member that contacts the liquid in a state where the member that contacts the liquid is in contact with the liquid. 前記露光装置内に所定の光学素子を持ち込み、
前記光学素子に前記露光光を照射し、前記光学素子からの光を、前記光洗浄効果を有する照射光として、前記液体と接触する部材に照射する請求項38〜46のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
Bring a predetermined optical element into the exposure apparatus,
47. The optical element according to any one of claims 38 to 46, wherein the optical element is irradiated with the exposure light, and light from the optical element is irradiated onto a member that contacts the liquid as irradiation light having the light cleaning effect. Maintenance method.
前記露光装置は投影光学系を備え、前記投影光学系の像面側の光路空間を液体で満たして、前記投影光学系と前記液体とを介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光する請求項38〜47のいずれか一項記載のメンテナンス方法。   The exposure apparatus includes a projection optical system, fills an optical path space on the image plane side of the projection optical system with a liquid, irradiates the substrate with exposure light through the projection optical system and the liquid, The maintenance method according to any one of claims 38 to 47, wherein exposure is performed. 露光光の光路空間を液体で満たして、前記液体を介して基板を露光する露光装置のメンテナンス機器において、
前記露光装置内で前記液体に接触する部材に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光を発生する発光部を備えたメンテナンス機器。
In an exposure apparatus maintenance apparatus that fills the optical path space of exposure light with a liquid and exposes the substrate through the liquid,
Maintenance equipment comprising a light emitting unit that generates predetermined irradiation light having a light cleaning effect on a member that contacts the liquid in the exposure apparatus.
前記露光装置内の物体と接続可能な接続部を備えた請求項49記載のメンテナンス機器。   50. The maintenance apparatus according to claim 49, further comprising a connection portion connectable to an object in the exposure apparatus. 前記接続部は、前記露光装置のうち、前記投影光学系の像面側で移動可能なステージと接続可能である請求項50記載のメンテナンス機器。   51. The maintenance device according to claim 50, wherein the connection unit is connectable to a stage movable on the image plane side of the projection optical system in the exposure apparatus. 前記接続部は、前記露光装置のうち、前記投影光学系の像面側で移動可能なステージを支持するベース部材と接続可能である請求項50又は51記載のメンテナンス機器。   52. The maintenance device according to claim 50, wherein the connection unit is connectable to a base member that supports a stage movable on the image plane side of the projection optical system in the exposure apparatus. 前記接続部は、前記露光装置のうち、前記光路空間を満たすための液体を供給する供給口及び液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材と接続可能である請求項50〜52のいずれか一項記載のメンテナンス機器。   The connection unit can be connected to a nozzle member having at least one of a supply port for supplying a liquid for filling the optical path space and a recovery port for recovering the liquid in the exposure apparatus. 52. The maintenance device according to any one of 52. 前記発光部を移動可能に支持する支持機構を有する請求項49〜53のいずれか一項記載のメンテナンス機器。   The maintenance device according to any one of claims 49 to 53, further comprising a support mechanism that movably supports the light emitting unit. 前記支持機構は、露光装置内部と外部との間で発光部を移動する請求項54記載のメンテナンス機器。   55. The maintenance device according to claim 54, wherein the support mechanism moves the light emitting unit between the inside and the outside of the exposure apparatus. 前記液体に接触する部材は、前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくとも一方を有するノズル部材を含む請求項49〜55のいずれか一項記載のメンテナンス機器。   The maintenance device according to any one of claims 49 to 55, wherein the member in contact with the liquid includes a nozzle member having at least one of a supply port for supplying the liquid and a recovery port for recovering the liquid. 前記液体に接触する部材は、光触媒作用を有する膜が表面に形成されている請求項49〜56のいずれか一項記載のメンテナンス機器。   57. The maintenance device according to claim 49, wherein the member in contact with the liquid has a film having a photocatalytic action formed on a surface thereof. 前記液体に接触する部材はチタンを含む請求項57記載のメンテナンス機器。   58. The maintenance device according to claim 57, wherein the member in contact with the liquid includes titanium. 前記液体に接触する部材に照射光を照射することによって、前記液体に接触する部材に付着した有機物を除去する請求項49〜58のいずれか一項記載のメンテナンス機器。   59. The maintenance device according to any one of claims 49 to 58, wherein an organic substance attached to the member in contact with the liquid is removed by irradiating the member in contact with the liquid with irradiation light. 前記液体に接触する部材に照射光を照射することによって、前記液体に接触する部材の液体接触面の親液性を高める請求項49〜59のいずれか一項記載のメンテナンス機器。   60. The maintenance device according to any one of claims 49 to 59, wherein lyophilicity of a liquid contact surface of a member that contacts the liquid is enhanced by irradiating the member that contacts the liquid with irradiation light. 前記露光光を前記発光部に照射することによって、前記発光部から発生する光を前記光洗浄効果を有する照射光として前記液体と接触する部材に照射する請求項49、56〜60のいずれか一項に記載のメンテナス機器。   61. The member that contacts the liquid is irradiated with light generated from the light emitting unit as irradiation light having the light cleaning effect by irradiating the light emitting unit with the exposure light. Maintenance equipment as described in the paragraph. 前記発光部は光学面を含み、
前記露光光を前記光学面に照射することによって、前記光学面から発生する光を前記光洗浄効果を有する照射光として前記液体と接触する部材に照射する請求項61に記載のメンテナス機器。
The light emitting unit includes an optical surface,
The maintenance device according to claim 61, wherein the exposure light is irradiated onto the optical surface, so that the light generated from the optical surface is irradiated onto the member in contact with the liquid as irradiation light having the light cleaning effect.
前記露光装置は、前記基板を保持する基板ステージを有し、
前記光学面が、前記基板ステージに搭載される請求項62記載のメンテナンス機器。
The exposure apparatus has a substrate stage for holding the substrate,
The maintenance device according to claim 62, wherein the optical surface is mounted on the substrate stage.
前記露光装置は、投影光学系を備え、前記投影光学系と前記液体とを介して前記基板を露光する請求項49〜63のいずれか一項記載のメンテナンス方法。   64. The maintenance method according to any one of claims 49 to 63, wherein the exposure apparatus includes a projection optical system and exposes the substrate through the projection optical system and the liquid. 基板を露光するための露光装置を構成する部材の洗浄方法であって、
前記露光装置が少なくとも基板上に形成される液浸領域の液体を介して基板を露光する液浸露光装置であり、
前記部材が前記液浸領域を形成する液体に接触する部材であり、
前記洗浄方法が、前記部材に所定の光を照射することを含む露光装置を構成する部材の洗浄方法。
A method for cleaning a member constituting an exposure apparatus for exposing a substrate,
The exposure apparatus is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate through liquid in an immersion area formed on at least the substrate,
The member is a member in contact with the liquid forming the immersion region;
A cleaning method for a member constituting an exposure apparatus, wherein the cleaning method includes irradiating the member with predetermined light.
露光装置から該部材を取り外すことなく、前記所定の光として紫外光を前記部材に照射する請求項65に記載の洗浄方法。   66. The cleaning method according to claim 65, wherein the member is irradiated with ultraviolet light as the predetermined light without removing the member from the exposure apparatus. 前記露光装置が複数の光学素子を備える投影光学系を有し、前記部材が投影光学系の像面側の端部の光学素子である請求項65又は66に記載の洗浄方法。   The cleaning method according to claim 65 or 66, wherein the exposure apparatus includes a projection optical system including a plurality of optical elements, and the member is an optical element at an end portion on the image plane side of the projection optical system. 前記所定の光を、光学素子により前記部材に照射する請求項65〜67のいずれか一項に記載の洗浄方法。   The cleaning method according to any one of claims 65 to 67, wherein the predetermined light is applied to the member by an optical element. さらに、前記部材の汚染状態をチェックすることを含み、
前記部材の汚染状態に基づいて前記所定の光の照射を制御する請求項65〜68のいずれか一項に記載の洗浄方法。
Further comprising checking the contamination status of the member;
69. The cleaning method according to claim 65, wherein irradiation of the predetermined light is controlled based on a contamination state of the member.
前記制御は、前記所定の光を前記部材に照射するか否かも含む請求項69記載の洗浄方法。   70. The cleaning method according to claim 69, wherein the control includes whether to irradiate the member with the predetermined light. 前記露光装置が液体を供給及び/又は回収するためのノズル部材を有し、前記所定の光が照射される部材が該ノズル部材である請求項65〜70のいずれか一項に記載の洗浄方法。   The cleaning method according to any one of claims 65 to 70, wherein the exposure apparatus includes a nozzle member for supplying and / or recovering a liquid, and the member irradiated with the predetermined light is the nozzle member. . 前記露光装置において、前記ノズル部材は、前記基板と対向するように配置され、
前記ノズル部材と前記基板との間に前記液体を保持可能である請求項71記載の洗浄方法。
In the exposure apparatus, the nozzle member is arranged to face the substrate,
72. The cleaning method according to claim 71, wherein the liquid can be held between the nozzle member and the substrate.
前記ノズル部材の液体と接する面は、親水性である請求項71又は72に記載の洗浄方法。   The cleaning method according to claim 71 or 72, wherein a surface of the nozzle member that contacts the liquid is hydrophilic. 前記ノズル部材の液体と接する面が、光触媒作用をもたらす材料から形成されている請求項71〜73のいずれか一項に記載の洗浄方法。   The cleaning method according to any one of claims 71 to 73, wherein a surface of the nozzle member that comes into contact with the liquid is formed of a material that provides a photocatalytic action. 前記露光装置が光学部材を備え、前記所定の光が露光光であり、該露光光を光学部材を使ってノズル部材に向けて照射する請求項71〜74のいずれか一項に記載の洗浄方法。   The cleaning method according to any one of claims 71 to 74, wherein the exposure apparatus includes an optical member, the predetermined light is exposure light, and the exposure light is irradiated toward the nozzle member using the optical member. . 前記ノズル部材と前記光学部材との間に前記液体を存在させつつ、露光光を液体を介して前記光学部材に照射する請求項75に記載の洗浄方法。   The cleaning method according to claim 75, wherein the optical member is irradiated with exposure light through the liquid while the liquid is present between the nozzle member and the optical member. さらに、前記液体中の酸素濃度を調整する請求項76に記載の洗浄方法。   The cleaning method according to claim 76, further comprising adjusting an oxygen concentration in the liquid. 酸化促進雰囲気下で、前記所定の光を部材に照射する請求項65〜77のいずれか一項に記載の洗浄方法。   78. The cleaning method according to any one of claims 65 to 77, wherein the member is irradiated with the predetermined light in an oxidation promoting atmosphere. 基板を露光する露光方法であって、
請求項65〜78のいずれか一項に記載の洗浄方法により前記部材を光洗浄すること、
前記基板を液体を介して露光することを含む露光方法。
An exposure method for exposing a substrate,
Cleaning the member by the cleaning method according to any one of claims 65 to 78;
An exposure method comprising exposing the substrate through a liquid.
前記基板を液体を介して露光する前または露光した後に、前記部材を光洗浄する請求項79に記載の露光方法。   80. The exposure method according to claim 79, wherein the member is optically washed before or after the substrate is exposed through a liquid. 請求項79又は80に記載の露光方法により基板を露光することと、
露光した基板を現像することと、
現像した基板を加工することを含むデバイスの製造方法。
Exposing the substrate by the exposure method of claim 79 or 80;
Developing the exposed substrate;
A method for manufacturing a device, comprising processing a developed substrate.
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