JP2006165502A - Exposure apparatus, method of cleaning member thereof, maintenance method of exposure apparatus, maintenance device, and device manufacturing method - Google Patents

Exposure apparatus, method of cleaning member thereof, maintenance method of exposure apparatus, maintenance device, and device manufacturing method Download PDF

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株式会社ニコン
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<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure apparatus capable of preventing deterioration in exposure accuracy and measurement accuracy due to contamination of a member contacting a liquid in a liquid immersion region. <P>SOLUTION: The exposure apparatus EXS forms the liquid immersion region AR2 of a liquid LQ on the image face side of a projection optical system PL, and exposes a board P via the projection optical system PL and the liquid LQ of the liquid immersion region AR2. The exposure apparatus EXS is provided with an optical cleaning device 80 for irradiating the upper surface 31 etc. of a substrate stage PST in contact with the liquid LQ for forming the liquid immersion region AR2 with a predetermined irradiation light Lu having an optical cleaning effect. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、露光装置を構成する所定部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid, the method of cleaning a predetermined member constituting the exposure apparatus, maintenance method for an exposure apparatus, maintenance equipment, and to a device manufacturing method.

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。 Semiconductor devices and liquid crystal display devices, to transfer a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate, is manufactured by a so-called photolithography technique. このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。 An exposure apparatus used in this photolithographic process, and a substrate stage that supports the mask stage and the substrate supporting the mask, the pattern of the mask through a projection optical system while moving the mask stage and the substrate stage sequentially it is transferred onto the substrate. 近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。 Recently for higher resolution of the projection optical system in order to cope with higher integration of the device pattern it is desired. 投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。 Resolution of the projection optical system, as the exposure wavelength to be used is shorter, the higher the larger the numerical aperture of the projection optical system. そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。 Therefore, the exposure wavelength used in exposure apparatuses has shortened year by year wavelength has increased numerical aperture of projection optical systems. そして、現在主流の露光波長はKrFエキシマレーザの248nmであるが、更に短波長のArFエキシマレーザの193nmも実用化されつつある。 The mainstream exposure wavelength currently is a 248nm from a KrF excimer laser, it is being put to practical use yet ArF excimer laser of short wavelength 193 nm. また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。 Further, when exposure is performed, similarly to the resolution depth of focus (DOF) is also important. 解像度R、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。 The resolution R, and the depth of focus δ are represented by the following expressions.

R=k ・λ/NA … (1) R = k 1 · λ / NA ... (1)
δ=±k ・λ/NA … (2) δ = ± k 2 · λ / NA 2 ... (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k 、k はプロセス係数である。 Here, lambda is the exposure wavelength, NA is the numerical aperture of the projection optical system, k 1, k 2 represent the process coefficients. (1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。 (1) and (2), in order to enhance the resolution R, then shorten the exposure wavelength lambda, and the numerical aperture NA is increased, it can be seen that the depth of focus δ becomes narrower.

焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがある。 If the depth of focus δ is too narrowed, it is difficult to match the substrate surface with respect to the image plane of the projection optical system, the focus margin during the exposure operation may be insufficient. そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献1に開示されている液浸法が提案されている。 Therefore, by substantially shortening the exposure wavelength and a method of widening the depth of focus, for example, immersion method disclosed in Patent Document 1 it has been proposed. この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たして液浸領域を形成し、液体中での露光光の波長が空気中の1/n(nは液体の屈折率で通常1.2〜1.6程度)になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約n倍に拡大するというものである。 This liquid immersion method forms an immersion area between the lower surface and the substrate surface of the projection optical system is filled with liquid such as water or an organic solvent, 1 / n of the wavelength of the exposure light in the liquid in the air (n is usually about 1.2 to 1.6 in the refractive index of the liquid) as well as improving the resolution as well be a, is that the depth of focus is magnified about n times.
国際公開第99/49504号パンフレット International Publication No. WO 99/49504

ところで、基板上に液体の液浸領域を形成したとき、その液浸領域の液体中に、例えば基板上から発生した不純物が混入する可能性がある。 Incidentally, when forming the liquid immersion area of ​​the liquid onto the substrate, the liquid of the liquid immersion area, for example, an impurity generated from the substrate is likely to be mixed. 不純物を含んだ液体の液浸領域が基板ステージ上を移動すると、基板ステージ上面(基板ステージ上に設けられた計測部上面を含む)が汚染される可能性がある。 When the liquid immersion area of ​​the liquid containing impurities is moved on the substrate stage, the substrate stage top (including measurement upper surface provided on the substrate stage) are likely to be contaminated. また、不純物によって基板ステージ上面が汚染されると、基板ステージ上面の液体との接触角が変化する可能性がある。 Further, when the substrate stage top is contaminated by impurities, the contact angle with a liquid having a substrate stage top may change.

また、基板ステージ上面のみならず、液浸領域の液体に接触する投影光学系や液浸領域を形成するノズル部材などの各種部材も汚染される可能性がある。 Further, not only the substrate stage top but also various members such as the nozzle member to form a projection optical system and the liquid immersion area in contact with the liquid immersion area can be contaminated.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸法を適用する場合にも、その性能劣化を防止できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention was made in view of such circumstances, even in the case of applying the liquid immersion method, exposure apparatus which can prevent the performance degradation, and to provide a device manufacturing method using the exposure apparatus for the purpose. 特に、液浸領域の液体に接触する部材の汚染に起因する性能劣化を防止できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 In particular, it is an object to provide an exposure apparatus capable of preventing performance degradation due to contamination of the member in contact with the liquid immersion area, and a device manufacturing method using the exposure apparatus. また、液浸法を用いる露光装置の性能劣化を防止できるメンテナンス方法、及びメンテナンス機器を提供することを目的とする。 Another object is to provide a maintenance method, and a maintenance device capable of preventing degradation in performance of the exposure apparatus using the immersion method. 本発明の更なる目的は、液浸領域の液体に接触する部材を、簡易に洗浄する方法を提供することにある。 A further object of the present invention is a member that contacts the liquid immersion area, to provide a method for cleaning easily.

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図1〜図17に対応付けした以下の構成を採用している。 To solve the above problems, the present invention adopts the following constructions corresponding to Figs. 1 to 17 as illustrated in embodiments. 但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。 However, parenthesized reference numerals affixed to respective elements merely exemplify the elements by way of example and are not intended to limit the respective elements.

本発明の第1の態様に従えば、投影光学系(PL)の像面側に液体(LQ)の液浸領域(AR2)を形成し、投影光学系(PL)と液浸領域(AR2)の液体(LQ)とを介して基板(P)を露光する露光装置において、液浸領域(AR2)を形成するための液体(LQ)に接触する部材(2、31、70、300、400、500、600など)に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光(Lu)を照射する光洗浄装置(80)を備えた露光装置(EXS、EX)が提供される。 According to a first aspect of the present invention, the projection optical system on the image plane side of the (PL) to form a liquid (LQ) immersion area of ​​(AR2), the projection optical system (PL) and the liquid immersion area (AR2) in the liquid (LQ) and an exposure apparatus which exposes a substrate (P) via a member in contact with the liquid (LQ) for forming the liquid immersion area (AR2) (2,31,70,300,400, against 500 and 600, etc.), an exposure apparatus having a light cleaning device (80) for irradiating a predetermined irradiation light having an optical cleaning effect (Lu) (EXS, EX) is provided.

本発明の第1の態様によれば、液浸領域を形成するための液体に接触する部材に対して光洗浄装置を使って光洗浄効果を有する照射光を照射して光洗浄することで、その部材の汚染物質を除去することができる。 According to a first aspect of the present invention, that is irradiated with irradiation light having a light cleaning effect using the optical cleaning device relative member in contact with the liquid for forming the liquid immersion area light wash, it is possible to remove contaminants of the member.

本発明の第2の態様に従えば、投影光学系(PL)の像面側の光路空間を液体(LQ)で満たして、投影光学系(PL)と液体(LQ)とを介して基板(P)を露光する露光装置において、光路空間を液体(LQ)で満たすためのノズル部材(70)と、ノズル部材(70)に付着した汚染物を除去するために、ノズル部材(70)の少なくとも一部を振動させる振動機構とを備えた露光装置(EXS、EX)が提供される。 According to a second aspect of the present invention, it meets the optical path space on the image plane side of the projection optical system (PL) in the liquid (LQ), via a projection optical system and (PL) and the liquid (LQ) substrate ( the exposure apparatus comprising P), the optical path space between the liquid (nozzle member for filling in LQ) (70), in order to remove contaminants attached to the nozzle member (70), at least the nozzle member (70) exposure apparatus that includes a vibration mechanism for vibrating the part (EXS, EX) is provided.

本発明の第2の態様によれば、ノズル部材を振動機構で振動させることで、ノズル部材に付着した汚染物を除去することができる。 According to a second aspect of the present invention, by vibrating the nozzle member by the vibration mechanism, it is possible to remove contamination adhering to the nozzle member.

本発明の第3の態様に従えば、上記態様の露光装置(EXS、EX)を用いるデバイス製造方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, the embodiment of the exposure apparatus (EXS, EX) device manufacturing method using a are provided.

本発明の第3の態様によれば、高い露光精度及び計測精度を得ることができるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。 According to a third aspect of the present invention, it is possible to obtain a high exposure accuracy and measurement accuracy, it is possible to produce the device having the desired performance.

本発明の第4の態様に従えば、露光光(EL)の光路空間を液体(LQ)で満たして、液体(LQ)を介して基板(P)を露光する露光装置(EXS、EX)のメンテナンス方法において、露光装置(EXS、EX)内で液体(LQ)に接触する部材(2、31、70、300、400、500、600など)に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光(Lu、EL)を照射するメンテナンス方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, the optical path space of the exposure light (EL) filled with liquid (LQ), of the liquid exposure apparatus that exposes a substrate (P) through the (LQ) (EXS, EX) in the maintenance process, an exposure apparatus (EXS, EX) to liquid (such as 2,31,70,300,400,500,600) member in contact with the (LQ) in a predetermined irradiation light having an optical cleaning effect (Lu, EL) maintenance method for irradiation with are provided.

本発明の第4の態様によれば、液体に接触する部材に対して光洗浄効果を有する照射光を照射して光洗浄することで、その部材の汚染物質を除去することができる。 According to a fourth aspect of the present invention, by optical cleaning by irradiating an irradiation light having a light cleaning effect against member in contact with the liquid, it is possible to remove contaminants of the member. したがって、露光装置の性能劣化を防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent performance deterioration of the exposure apparatus.

本発明の第5の態様に従えば、露光光(EL)の光路空間を液体(LQ)で満たして、液体(LQ)を介して基板(P)を露光する露光装置(EXS、EX)のメンテナンス機器において、露光装置(EXS、EX)内で液体(LQ)に接触する部材(2、31、70、300、400、500、600など)に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光(Lu)を発生する発光部(901)を備えたメンテナンス機器(900)が提供される。 According to a fifth aspect of the present invention, the optical path space of the exposure light (EL) filled with liquid (LQ), of the liquid exposure apparatus that exposes a substrate (P) through the (LQ) (EXS, EX) in maintenance device, an exposure device (EXS, EX) to liquid (such as 2,31,70,300,400,500,600) member in contact with the (LQ) in a predetermined irradiation light having an optical cleaning effect maintenance device (900) comprising light emitting unit for generating (Lu) and (901) are provided.

本発明の第5の態様によれば、メンテナンス機器を使って、液体に接触する部材に対して光洗浄効果を有する照射光を照射して光洗浄することで、その部材の汚染物質を除去することができる。 According to a fifth aspect of the present invention, by using a maintenance device, it is irradiated with irradiation light having the optical cleaning effect by optical cleaning against member in contact with the liquid, to remove contaminants of the member be able to. したがって、露光装置の性能劣化を防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent performance deterioration of the exposure apparatus.

本発明の第6の態様に従えば、基板を露光するための露光装置を構成する部材の洗浄方法であって、前記露光装置が少なくとも基板(P)上に形成される液浸領域(AR2)の液体(LQ)を介して基板を露光する液浸露光装置(EXS、EX)であり、前記部材(2、31、70、300、400、500、600など)が前記液浸領域を形成する液体に接触する部材であり、前記洗浄方法が、前記部材に所定の照射光(Lu,EL)を照射することを含む露光装置を構成する部材の洗浄方法が提供される。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a cleaning method of members constituting an exposure apparatus for exposing a substrate, immersion area where the exposure apparatus is formed on at least the substrate (P) (AR2) an immersion exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid (LQ) (EXS, EX), said member (such as 2,31,70,300,400,500,600) forms the liquid immersion area a member in contact with the liquid, the cleaning method, the predetermined illumination light to a member (Lu, EL) is a cleaning method of a member constituting the exposure apparatus comprises irradiating a is provided.

本発明の第6の態様によれば、液浸露光装置の液浸領域を形成する液体に接触する部材に、所定の照射光を照射して光洗浄することでその部材の汚染物質を容易に除去し、液浸露光における汚染物質や不純物の影響を低減することができる。 According to a sixth aspect of the present invention, the member in contact with the liquid forming the liquid immersion area of ​​the liquid immersion exposure apparatus, the pollutants of the member easily by optical cleaning by irradiating predetermined irradiation light removed, it is possible to reduce the influence of contaminants or impurities in the liquid immersion exposure. なお、本発明の洗浄方法を露光装置から部材を取り外すことなく実施できる場合には、メンテナンスが容易であり、露光装置のスループットに与える影響は少ない。 Incidentally, if it can be performed without removing the member cleaning method of the present invention from the exposure apparatus, maintenance is easy, less impact on the throughput of the exposure apparatus.

本発明の第7の態様によれば、基板を露光する露光方法であって、前記洗浄方法により部材(2、31、70、300、400、500、600など)を光洗浄すること、前記基板(P)を液体(LQ)を介して露光することを含む露光方法が提供される。 According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate, to optical cleaning member (such as 2,31,70,300,400,500,600) by the cleaning method, the substrate (P) is an exposure method comprising exposing through a liquid (LQ) is provided.

本発明の第8の態様によれば、本発明の露光方法により基板を露光すること(204)と、露光した基板を現像することと、現像した基板を加工すること(205)を含むデバイスの製造方法もまた提供される。 According to an eighth aspect of the present invention, exposing the substrate by the exposure method of the present invention and (204), and developing the exposed substrate, the device comprising that the (205) for processing the developed substrate manufacturing methods are also provided.

本発明によれば、露光装置の劣化を防止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the deterioration of the exposure apparatus. 特に、液浸領域を形成するための液体に接触する部材の汚染に起因する露光装置の性能劣化を防止することができる。 In particular, it is possible to prevent performance deterioration of the exposure apparatus due to contamination of the member in contact with the liquid for forming the liquid immersion area.

以下、本発明の露光装置の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。 Will be explained below with reference to the accompanying drawings, embodiments of the exposure apparatus of the present invention, the present invention is not limited thereto.

<第1の実施形態> <First embodiment>
図1は本発明の露光装置の第1の実施形態を示す概略構成図、図2は図1の要部拡大図である。 Figure 1 is a schematic structural diagram showing a first embodiment of the exposure apparatus of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view of FIG. 図1において、露光装置EXSは、クリーンルーム内の床面F上に設置された本体チャンバCH1と、この本体チャンバCH1に隣接して配置された機械室CH2とを備えている。 1, the exposure apparatus EXS includes a main chamber CH1 installed on a floor surface F of a clean room, and a machine chamber CH2 disposed adjacent to the main body chamber CH1. 本体チャンバCH1の内部に設けられた露光室100は、空調系KCによって空調されており、その内部の環境(清浄度、温度、圧力等)をほぼ一定に維持されている。 Exposure chamber 100 which is provided in the main body chamber CH1 is conditioned by the air conditioning system KC, the internal environment (cleanliness, temperature, pressure, etc.) are maintained substantially constant. 本実施形態においては、露光室100は清浄な空気で満たされる。 In the present embodiment, the exposure chamber 100 is filled with clean air. 露光室100には、露光装置本体EXが収容されている。 The exposure chamber 100, the exposure apparatus main body EX is accommodated. 露光室100は、本体チャンバCH1内部に設けられた給気流路101及び接続部102を介して、機械室CH2の内部に設けられた気体流路の出口114に接続されている。 Exposure chamber 100 via the air supply channel 101 and the connection portion 102 provided inside the body chamber CH1, and is connected to the outlet 114 of the gas flow path provided inside the machine chamber CH2.

露光室100に収容されている露光装置本体EXは、マスクMを支持するマスクステージMSTと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影露光する投影光学系PLと、光洗浄効果を有する所定の照射光Luを射出する光洗浄装置80とを備えている。 The exposure apparatus main body EX accommodated in the exposure chamber 100, illuminating a mask stage MST which supports a mask M, a substrate stage PST which supports a substrate P, the mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL to the illumination optical system IL, a projection optical system PL which the pattern image of the mask M illuminated with the exposure light EL onto exposed on the substrate P supported by the substrate stages PST, predetermined irradiation light Lu with optical cleaning effect and a light cleaning device 80 for emitting. 本実施形態においては、光洗浄装置80は紫外光(UV光)を射出する。 In the present embodiment, the optical cleaning device 80 for emitting ultraviolet light (UV light). 露光装置EXS(露光装置本体EX)全体の動作は、制御装置CONTによってを統括制御される。 Overall operation exposure apparatus EXS (exposure apparatus main body EX) is integrally controls the control unit CONT.

なお、「光洗浄効果」とは、部材に、所定の光が照射されることによって、その部材が浄化されることを意味し、その部材に、所定の波長、特には紫外光またはそれより短波長の真空紫外光などの光が照射されることで、部材の表面に付着(吸着)または生成している有機物質や炭素などの不純物または汚染物が除去、分解または変性されて部材表面が浄化されること、及び/又はその部材近傍の気体中の酸素が所定の波長、特には紫外光またはそれより短波長の真空紫外光などを吸収して励起状態となり、酸化力を増したオゾンなどに化学変化することによって、部材の表面の有機物質や炭素などの不純物または汚染物が除去、分解または変性されて部材表面が浄化されることが含まれる。 Note that the "optical cleaning effect", the member, by the predetermined light is irradiated, means that the member is cleaned on its members, predetermined wavelength, particularly ultraviolet light or more short by light such as vacuum ultraviolet light having a wavelength is irradiated, adhered to the surface of the member (adsorption) or generated by impurities or contaminants such as organic substances and carbon are are removed, decomposed or modified by the surface of the member purification is the fact, and / or oxygen predetermined wavelength in the gas of the member near, particularly an excited state by absorbing ultraviolet light or the like or from a short-wavelength vacuum ultraviolet light, such as ozone with an increased oxidizing power by chemical change, impurities or contaminants such as organic substances and carbon in the surface of the member is removed, is decomposed or modified by the surface of the member involves is purified. また、部材表面の不純物や汚染物は、基板Pに塗布されるフォトレジスト、液体や、周囲の気体、オペレータなどから導入されると考えられる。 Further, impurities and contaminants member surface, photoresist applied to the substrate P, and the liquid, the surrounding gas is believed to be introduced from such an operator.

また、露光装置EXSは、露光室100に隣接する位置に、基板ステージPSTに対して基板Pを搬入及び搬出する基板搬送系150を備えている。 The exposure apparatus EXS is a position adjacent to the exposure chamber 100, and a substrate transfer system 150 for loading and unloading the substrate P with respect to the substrate stage PST. 基板搬送系150は不図示の基板搬送系収容室に収容されている。 Substrate transfer system 150 is accommodated in the substrate transfer system containing chamber (not shown). 同様に、不図示ではあるが、露光室100に隣接する位置には、マスクステージMSTに対してマスクMを搬入及び搬出するマスク搬送系を収容するマスク搬送系収容室が設けられている。 Similarly, although not shown, at a position adjacent to the exposure chamber 100, the mask conveyance system accommodating chamber for accommodating a mask conveying system for loading and unloading the mask M is provided for the mask stage MST. これら基板搬送系収容室及びマスク搬送系収容室は、露光室100に対して機械室CH2とは反対側に設けられている。 These substrate transfer system containing chamber and the mask conveyance system accommodating chamber is provided on the opposite side of the machine chamber CH2 to exposure chamber 100. 基板搬送系収容室及びマスク搬送系収容室のそれぞれは、露光室100同様、空調系KCによってその内部の環境をほぼ一定に維持されている。 Each of the substrate transfer system containing chamber and the mask conveyance system accommodating chamber, the exposure chamber 100 similarly are maintained substantially constant the internal environment by air conditioning system KC.

本実施形態の露光装置EXS(露光装置本体EX)は、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板P上に液体LQを供給する液体供給機構10と、基板P上の液体LQを回収する液体回収機構20とを備えている。 The exposure apparatus EXS of the present embodiment (the exposure apparatus main body EX) is an exposure wavelength in the liquid immersion exposure apparatus that applies the liquid immersion method to substantially widen the depth of focus is improved substantially shortened by resolution there are provided with a liquid supply mechanism 10 supplies the liquid LQ onto the substrate P, and the liquid recovery mechanism 20 which recovers the liquid LQ on the substrate P. 本実施形態において、液体LQには純水が用いられる。 In the present embodiment, pure water is used as the liquid LQ. 露光装置EXSは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に転写している間、液体供給機構10から供給した液体LQにより投影光学系PLの投影領域AR1を含む基板P上の少なくとも一部に、投影領域AR1よりも大きく且つ基板Pよりも小さい液浸領域AR2を局所的に形成する。 The exposure apparatus EXS, the pattern image of at least the mask M while transferred onto the substrate P, on at least a part of the substrate P including the projection area AR1 of the projection optical system PL by the liquid LQ supplied from the liquid supply mechanism 10 locally to form small liquid immersion area AR2 than larger and the substrate P than the projection area AR1. 具体的には、露光装置EXSは、投影光学系PLの像面側先端部の光学素子2と基板Pの表面(露光面)との間、すなわち投影光学系PLの像面側の光路空間を液体LQで満たした状態で露光光ELを照射し、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMのパターン像を基板P上に投影することによって、基板Pを露光する。 Specifically, the exposure apparatus EXS is between the surface of the optical element 2 and the substrate P on the image plane side end portion of the projection optical system PL (exposure surface), i.e. the optical path space on the image plane side of the projection optical system PL irradiating the exposure light EL in a state filled with the liquid LQ, by projecting a pattern image of the mask M onto the substrate P via the liquid LQ and the projection optical system PL between the projection optical system PL and the substrate P , the exposure of the substrate P.

ここで、本実施形態では、露光装置EXSとしてマスクMと基板Pとを走査方向(所定方向)における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。 In the present embodiment, the exposure apparatus EXS exposing a pattern formed on the mask M while synchronously moving the different directions (opposite directions) from each other in the mask M and the substrate P and the scanning direction (predetermined direction) on the substrate P as It will be described as an example the case of using a scanning type exposure apparatus (so-called scanning stepper) that. 以下の説明において、水平面内においてマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向、所定方向)をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向(非走査方向)、X軸及びY軸方向に垂直で投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向とする。 In the following description, the synchronous movement direction (scanning direction, predetermined direction) of the mask M and the substrate P in a horizontal plane in the X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane a Y-axis direction (non-scanning direction), the direction that matches the optical axis AX of the X-axis and Y-axis directions perpendicular projection optical system PL is the Z-axis direction. また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Further, X-axis, Y-axis, and rotation about the Z-axis (inclination) directions, .theta.X, [theta] Y, and the θZ direction. なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ上にレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。 The term "substrate" referred to herein includes those obtained by coating a resist on a semiconductor wafer, and the term "mask" includes a reticle formed with a device pattern that is reduction projected onto the substrate.

照明光学系ILは、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ELによるマスクM上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。 The illumination optical system IL is for illuminating the mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL, the exposure light source, an optical integrator for uniforming the illuminance of a light flux emitted from the exposure light source, an optical integrator a condenser lens which collects the exposure light EL from the relay lens system, and the illumination area on the mask M illuminated with the exposure light EL and a variable field diaphragm which sets a slit shape. マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。 The predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. 照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。 As the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL, for example, for example, emission lines (g-ray, h-ray, i-ray) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) deep ultraviolet light (DUV light beam) such as and, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser beam (wavelength 157 nm) vacuum ultraviolet light (VUV light) and the like. 本実施形態では、ArFエキシマレーザ光が用いられる。 In the present embodiment, ArF excimer laser light is used. 上述したように、本実施形態における液体LQは純水であって、露光光ELがArFエキシマレーザ光であっても透過可能である。 As described above, the liquid LQ in the present embodiment is a pure water, the exposure light EL can be transmitted even ArF excimer laser beam. また、純水は輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)も透過可能である。 Further, pure water emission line (g-ray, h-ray, i-ray) and KrF excimer laser beam (wavelength 248 nm) deep ultraviolet light (DUV light) such as is permeable.

マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能であって、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。 The mask stage MST is movable while holding the mask M, the plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, finely rotatable in the two-dimensional movable and θZ directions in the XY plane. マスクステージMSTはリニアモータ等のマスクステージ駆動装置MSTDにより駆動される。 The mask stage MST is driven by mask stage driving unit MSTD such as a linear motor. マスクステージ駆動装置MSTDは制御装置CONTにより制御される。 The mask stage driving unit MSTD is controlled by the controller CONT. マスクステージMST上には移動鏡50が設けられている。 Moving mirror 50 is provided on the mask stage MST. また、移動鏡50に対向する位置にはレーザ干渉計51が設けられている。 A laser interferometer 51 is provided at a position opposed to the movement mirror 50. マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計51によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。 Dimensional position of the mask M on the mask stage MST, and the angle of rotation are measured in real time by the laser interferometer 51, the measurement results are output to the control unit CONT. 制御装置CONTはレーザ干渉計51の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMSTに支持されているマスクMの位置決めを行う。 The control apparatus CONT performs positioning of the mask M supported on the mask stage MST by driving the mask stage drive apparatus MSTD based on the measurement results of the laser interferometer 51.

投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、基板P側の先端部に設けられた光学素子(レンズ)2を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒PKで支持されている。 Projection optical system PL is for projection exposing the substrate P with the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification beta, the plurality of optical elements including an optical element (lens) 2 provided at the tip portion of the substrate P side in is configured, these optical elements are supported by a barrel PK. 本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。 In this embodiment, the projection optical system PL is the reduction system having the projection magnification β of, for example, 1 / 4,1 / 5, or 1/8. なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。 The projection optical system PL may be either a unity magnification system or an enlargement system. また、投影光学系PLは、屈折素子を含まない反射系、反射素子を含まない屈折系、屈折素子と反射素子とを含む屈折反射系のいずれであってもよい。 The projection optical system PL, reflecting system including no dioptric element, the dioptric system including no catoptric element, may be any of catadioptric system including a refracting element and the reflective element. また、本実施形態の投影光学系PLの先端部の光学素子2は鏡筒PKに対して着脱(交換)可能に設けられている。 Further, the optical element 2 at the end portion of the projection optical system PL of this embodiment is provided detachably with respect to the barrel PK (exchange). また、先端部の光学素子2は鏡筒PKより露出しており、液浸領域AR2の液体LQは光学素子2に接触する。 Further, the optical element 2 of the tip portion is exposed from the barrel PK, the liquid LQ of the immersion area AR2 contacts the optical element 2. これにより、金属からなる鏡筒PKの腐蝕等が防止されている。 Thereby, corrosion or the like of the barrel PK formed of metal is prevented.

基板ステージPSTは、基板Pを基板ホルダPHを介して保持するZチルトステージ52と、Zチルトステージ52を支持するXYステージ53とを備えている。 The substrate stage PST includes a Z tilt stage 52 that holds the substrate P via the substrate holder PH, an XY stage 53 which supports the Z tilt stage 52. 基板ステージPSTはリニアモータ等の基板ステージ駆動装置PSTDにより駆動される。 The substrate stage PST is driven by a substrate stage-driving unit PSTD such as a linear motor. 基板ステージ駆動装置PSTDは制御装置CONTにより制御される。 The substrate stage-driving unit PSTD is controlled by the control unit CONT. Zチルトステージ52は基板ホルダPHに保持されている基板PをZ軸方向、及びθX、θY方向(傾斜方向)に移動可能である。 Z tilt stage 52 is capable of moving the substrate P held by the substrate holder PH Z-axis direction, and .theta.X, the θY direction (tilt direction). XYステージ53は基板ホルダPHに保持されている基板PをZチルトステージ52を介してXY方向(投影光学系PLの像面と実質的に平行な方向)、及びθZ方向に移動可能である。 XY stage 53 is movable substrate P held by the substrate holder PH XY direction through the Z tilt stage 52 (substantially parallel to the image plane direction of the projection optical system PL), and θZ directions. なお、ZチルトステージとXYステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。 It goes without saying that the Z tilt stage and the XY stage may be integrally provided.

基板ステージPST上には凹部32が設けられており、基板ホルダPHは凹部32に配置されている。 The substrate stage PST has the recess 32 is provided, the substrate holder PH is disposed in the recess 32. そして、基板ステージPST(Zチルトステージ52)のうち凹部32以外の上面31は、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ(面一)になるような平坦面(平坦部)となっている。 The upper surface 31 other than the recess 32 of the substrate stage PST (Z tilt stage 52) is approximately the same height as the surface of the substrate P held by the substrate holder PH (flush) to become such a flat surface (flat portion ) it has become. また、移動鏡55の上面も、基板ステージPSTの上面31とほぼ同じ高さ(面一)となっている。 The upper surface of the moving mirror 55 also has substantially the same height as the upper surface 31 of the substrate stage PST (the flush). 基板Pの周囲に基板P表面とほぼ面一の上面31を設けたので、基板Pのエッジ領域を液浸露光するときにおいても、投影光学系PLの像面側に液体LQを保持して液浸領域AR2を良好に形成することができる。 Is provided with the substantially plane upper surface 31 of the first and the substrate P surface around the substrate P, even when the immersion exposure of the edge area of ​​the substrate P, to hold the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL liquid the immersion area AR2 can be formed satisfactorily. また、基板Pのエッジ部とその基板Pの周囲に設けられた平坦面(上面)31との間には0.1〜2mm程度のギャップが形成されるが、液体LQの表面張力によりそのギャップに液体LQが流れ込むことはほとんどなく、基板Pの周縁近傍を露光する場合にも、上面31により投影光学系PLの下に液体LQを保持することができる。 Further, the gap due to surface tension, but the liquid LQ gap of about 0.1~2mm is formed between the edge portion of the substrate P and the flat surface (upper surface) 31 provided around the substrate P that the liquid LQ flows is little, if exposing the vicinity of the circumferential edge of the substrate P also can hold liquid LQ under the projection optical system PL by the upper surface 31.

基板ステージPSTの上面31は撥液化処理されて撥液性を有している。 The upper surface 31 of the substrate stage PST has a been repelling treatment liquid repellency. 上面31の撥液化処理としては、例えばポリ四フッ化エチレン(テフロン(登録商標))等のフッ素系樹脂材料あるいはアクリル系樹脂材料等の撥液性材料を塗布、あるいは前記撥液性材料からなる薄膜を貼付する処理が挙げられる。 The liquid-repelling treatment of the upper surface 31, consisting for example of polytetrafluoroethylene (Teflon (registered trademark)) fluorine-based resin material or coating a liquid repellent material such as an acrylic resin material, or the liquid-repellent material such as process of sticking the thin film and the like. 基板ステージPSTの上面31を形成する部材そのものをフッ素系樹脂などの撥液性部材で形成してもよい。 The member itself forms the top surface 31 of the substrate stage PST may be formed of a liquid-repellent member such as a fluororesin. 上面31を撥液性にすることで、液浸露光中においては基板ステージPST外側への液体LQの流出を防止でき、液浸露光後においては、上面31に残留した液体LQを良好に回収(除去)することができる。 The upper surface 31 by the liquid-repellent, during the liquid immersion exposure can be prevented outflow of the liquid LQ into the substrate stage PST outside, after the liquid immersion exposure, satisfactorily recover the liquid LQ remaining on the upper surface 31 ( can be removed).

本実施形態においては、後述するように、この上面31には光洗浄装置80より紫外光(UV光)が照射されるが、紫外光を照射されても、上面31の撥液性が大きく損なわれない膜材料が使用されている。 In the present embodiment, as described later, this upper surface 31 is ultraviolet light from the optical cleaning device 80 (UV light) is irradiated, even if irradiated with ultraviolet light, greatly compromised the liquid repellency of the upper surface 31 film material which is not is used.

基板ステージPST(Zチルトステージ52)上には移動鏡55が設けられている。 Movement mirror 55 is provided on the substrate stage PST (Z tilt stage 52). また、移動鏡55に対向する位置にはレーザ干渉計56が設けられている。 A laser interferometer 56 is provided at a position opposed to the movement mirror 55. 基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計56によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。 Dimensional position of the substrate P on the substrate stages PST, and the angle of rotation are measured in real time by the laser interferometer 56, the measurement results are output to the control unit CONT. 制御装置CONTはレーザ干渉計56の計測結果に基づいて、レーザ干渉計56で規定される2次元座標系内で基板ステージ駆動装置PSTDを介してXYステージ53を駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。 The control unit CONT based on the measurement results of the laser interferometer 56, supported by the substrate stage PST by driving the XY stage 53 via the substrate stage driving unit PSTD in the laser interferometer 56 2-dimensional coordinate system defined by It is to position in the X-axis direction and the Y-axis direction of the substrate P are.

図2に示すように、露光装置EXS(露光装置本体EX)は、基板P表面の面位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出系60を有している。 As shown in FIG. 2, the exposure apparatus EXS (exposure apparatus main body EX) has a focus leveling detection system 60 which detects the surface position information about the substrate P surface. フォーカス・レベリング検出系60は、投射部60Aと受光部60Bとを有し、投射部60Aから液体LQを介して基板P表面(露光面)に斜め方向から検出光Laを投射するとともに、その基板Pからの反射光を液体LQを介して受光部60Bで受光することによって、基板P表面の面位置情報を検出する。 Focus leveling detection system 60 has a a projection portion 60A and the light receiving portion 60B, with projecting a detection light La from an oblique direction on the surface of the substrate P (exposure surface) of the projection portion 60A through the liquid LQ, the substrate the reflected light from P by received by the light receiving portion 60B through the liquid LQ, detects surface position information of the substrate P surface. 制御装置CONTは、フォーカス・レベリング検出系60の動作を制御するとともに、受光部60Bの受光結果に基づいて、所定基準面(像面)に対する基板P表面のZ軸方向における位置(フォーカス位置)を検出する。 The control unit CONT controls the operation of the focus leveling detection system 60, based on the light receiving result of the light receiving portion 60B, the position in the Z-axis direction of the substrate P surface with respect to a predetermined reference plane (image plane) (the focus position) To detect. また、基板P表面における複数の各点での各フォーカス位置を求めることにより、フォーカス・レベリング検出系60は基板Pの傾斜方向の姿勢を求めることもできる。 Moreover, by determining the respective focus positions at a plurality of points on the surface of the substrate P, the focus leveling detection system 60 can also determine the direction of inclination of the posture of the substrate P. なお、フォーカス・レベリング検出系60の構成としては、例えば特開平8−37149号公報に開示されているものを用いることができる。 As the structure of the focus leveling detection system 60 can be used those disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-37149. なお、フォーカス・レベリング検出系60は、液体LQを介さずに基板Pの表面位置を検出するものであってもよい。 The focus leveling detection system 60 may be used to detect the surface position of the substrate P not through the liquid LQ.

制御装置CONTは、基板ステージ駆動装置PSTDを介して基板ステージPSTのZチルトステージ52を駆動することにより、Zチルトステージ52に保持されている基板PのZ軸方向における位置(フォーカス位置)、及びθX、θY方向における位置を制御する。 Controller CONT, by driving the Z tilt stage 52 of the substrate stage PST via the substrate stage drive apparatus PSTD, position in the Z-axis direction of the substrate P held by the Z tilt stage 52 (focus position), and .theta.X, to control the position in the θY direction. すなわち、Zチルトステージ52は、フォーカス・レベリング検出系60の検出結果に基づく制御装置CONTからの指令に基づいて動作し、基板Pのフォーカス位置(Z位置)及び傾斜角を制御して基板Pの表面(露光面)を投影光学系PL及び液体LQを介して形成される像面に合わせ込む。 That, Z tilt stage 52 is operated on the basis of the instruction from the control unit CONT based on the detection results of the focus leveling detection system 60, the substrate P by controlling the focus position (Z position) and inclination angle of the substrate P surface Komu suit image plane formed via the (exposure surface) projection optical system PL and the liquid LQ.

投影光学系PLの先端近傍には、基板P上のアライメントマークあるいはZチルトステージ52上に設けられた後述する基準部材(計測部材)上の基準マークを検出する基板アライメント系350が設けられている。 To near the tip of the projection optical system PL, and the substrate alignment system 350 for detecting the reference mark on the reference member to be described later provided on the alignment mark or Z tilt stage 52 on the substrate P (measuring member) is provided . 本実施形態の基板アライメント系350では、例えば特開平4−65603号公報に開示されているような、基板ステージPSTを静止させてマーク上にハロゲンランプからの白色光等の照明光を照射して、得られたマークの画像を撮像素子により所定の撮像視野内で撮像し、画像処理によってマークの位置を計測するFIA(フィールド・イメージ・アライメント)方式が採用されている。 In the substrate alignment system 350 of the present embodiment, for example as disclosed in JP-A-4-65603, by irradiating the illumination light such as white light from a halogen lamp onto a mark substrate stage PST by stationary , an image of the mark obtained by imaging within a predetermined imaging visual field by the image pickup device, FIA (field image alignment) method for measuring the position of the mark by the image processing is employed.

図1に戻って、マスクステージMST、投影光学系PL、及び基板ステージPSTは、本体コラム1に支持されている。 Returning to FIG. 1, the mask stage MST, the projection optical system PL, and the substrate stage PST is supported in the main body column 1. 本体コラム1は、本体チャンバCH1の底面上に設置されたベースプレートBPの上方に複数の防振ユニット3を介して支持されている。 Body column 1 is supported via a plurality of vibration isolating unit 3 above the base plate BP which is placed on the bottom surface of the body chamber CH1. 本体コラム1は、防振ユニット3によって支持されたメインコラム4と、メインコラム4の上に設けられたサポートコラム5とを備えている。 Body column 1 is provided with a main column 4 supported by the vibration isolating unit 3, and a support column 5 which is provided on the main column 4. 投影光学系PLは、メインコラム4の上面4Aに保持部材PFを介して保持されている。 Projection optical system PL is held through a holding member PF on the upper surface 4A of the main column 4. サポートコラム5は、照明光学系ILの少なくとも一部を下方から支持している。 Support column 5 supports at least part of the illumination optical system IL from below.

マスクステージMSTは、メインコラム4に支持された不図示のマスクステージベース上を2次元移動可能に設けられている。 The mask stage MST is provided a mask stage based on, not shown, is supported by the main column 4 movably 2D. また、基板ステージPST(XYステージ53)は、メインコラム4の底面によって構成されている基板ステージベース57上を2次元移動可能に設けられている。 Further, the substrate stage PST (XY stage 53) is provided on the substrate stage base 57 that is configured by the bottom surface of the main column 4 movably 2D.

また、マスクステージMSTの近傍には、マスクMと投影光学系PLとを介してZチルトステージ52上に設けられた後述する基準部材上の基準マークを検出するマスクアライメント系360が設けられている。 In the vicinity of the mask stage MST, mask alignment system 360 for detecting the reference mark on the reference member to be described later provided on the Z tilt stage 52 via the mask M and the projection optical system PL, is provided . 本実施形態のマスクアライメント系360では、例えば特開平7−176468号公報に開示されているような、マークに対して光を照射し、CCDカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出するVRA(ビジュアル・レチクル・アライメント)方式が採用されている。 In the mask alignment system 360 of the present embodiment, for example as disclosed in JP-A-7-176468, the light irradiates the mark, and the image data of the mark imaged by the CCD camera or the like and image processing VRA to detect the mark position (visual reticle alignment) system is adopted.

次に、露光装置本体EXを収容している露光室100を空調する空調系KCについて、図1を参照しながら説明する。 Next, the air conditioning system KC for conditioning the exposure chamber 100 which accommodates the exposure apparatus body EX, is described with reference to FIG.

空調系KCは、本体チャンバCH1の内部と機械室CH2の内部とを含む循環流路の複数の所定位置のそれぞれ配置されたフィルタユニット103、105、118、121、及び温調装置110、111、116を備えている。 Air conditioning system KC are each arranged filter units of the plurality of predetermined positions of the circulation channel including the inside of the inner and the machine chamber CH2 of the body chamber CH1 103,105,118,121, and temperature control device 110 and 111, It is equipped with a 116. 空調系KCは、前記フィルタユニット及び温調装置等を介して気体を循環することで、露光室100の環境(清浄度、温度、圧力等)を所望状態に維持する。 Air conditioning system KC, by circulating the gas through the filter unit and the temperature control device or the like, to maintain the environment of the exposure chamber 100 (cleanness, temperature, pressure, etc.) to the desired state. また、機械室CH2の所定位置には、フィルタユニット109を配置された外気取り入れ口(OA口)108が形成されている。 Further, a predetermined position of the machine chamber CH2, the filter unit 109 disposed outside air intake (OA openings) 108 is formed. 清浄度を維持するために、本体チャンバCH1の内部、特に露光室100の内部は外部に対して陽圧に維持されている。 To maintain cleanliness, the main body chamber CH1, especially inside the exposure chamber 100 is maintained at a positive pressure relative to the outside. そのため、本体チャンバCH1の内部から外部に対して気体が漏洩する。 Therefore, the gas leaks to the outside from the inside of the main body chamber CH1. OA口108は、前記漏洩分の気体を外部から取り入れるために設けられている。 OA port 108 is provided for taking the leakage amount of gas from the outside.

本体チャンバCH1の内部に設けられた給気流路101の一端部(機械室CH2側の端部)には、気体中の化学汚染物質を化学吸着及び物理吸着にて除去するケミカルフィルタ等を備えたフィルタユニット103が設けられている。 At one end of the air supply channel 101 provided in the main body chamber CH1 (end of the machine chamber of CH2), equipped with a chemical filter for removing chemical pollutants in a gas by chemical adsorption and physical adsorption the filter unit 103 is provided. 給気流路101の一端部は、接続部102を介して機械室CH2の内部に設けられた気体流路の出口114に接続されている。 One end of the air supply channel 101 is connected to the gas flow path of the outlet 114 provided inside the machine chamber CH2 via a connecting portion 102. 一方、給気流路101の他端部は、露光室100の上部に設けられた開口(給気口)104に接続されている。 On the other hand, the other end of the air supply channel 101 is connected to the opening (supply opening) 104 provided on the top of the exposure chamber 100. 給気口104には、露光室100に流入する気体中のパーティクルを除去するパーティクルフィルタであるULPAフィルタ(ultra low penetration air-filter)等を備えたフィルタユニット105が設けられている。 The air supply port 104, ULPA filter (ultra low penetration air-filter) or the like filter unit 105 having a is provided as a particle filter for removing particles in the gas flowing into the exposure chamber 100. 空調系KCは、給気口104より露光室100の上部空間に対して横方向、本実施形態では−X方向に気体を供給する。 Air conditioning system KC is transverse relative to the upper space of the exposure chamber 100 from the air supply port 104, supplies gas to the -X direction in the present embodiment.

露光室100の底部には排気部(リターン部)106が設けられている。 The bottom of the exposure chamber 100 and an exhaust portion (return portion) 106 is provided. リターン部106は、排気流路(リターンダクト)107を介して、機械室CH2の床面に形成された開口107Aに接続されている。 Return unit 106 via the exhaust flow path (return duct) 107 is connected to an opening 107A formed in the floor of the machine room CH2. 露光室100の内部の気体は、排気部106より排気され、機械室CH2に送られる。 Gas inside the exposure chamber 100 is exhausted from the exhaust unit 106, are sent to the machine chamber CH2.

機械室CH2の所定位置に設けられたOA口108には、ケミカルフィルタ等を備えたフィルタユニット109が設けられている。 The OA port 108 provided at a predetermined position of the machine chamber CH2, filter unit 109 is provided with a chemical filter or the like. 機械室CH2内部の気体流路中には、冷却装置(温調装置)110が設けられている。 The gas flow path within a machine room CH2, cooling device (temperature controller) 110 is provided. 冷却装置110の上方には、加熱装置(温調装置)111が所定距離だけ離れて配置されている。 Above the cooling device 110, the heating device (temperature controller) 111 are spaced apart by a predetermined distance. 加熱装置111の上方に設けられた機械室CH2の出口114近傍には、給気用ファン112が設けられている。 Near the outlet 114 of the machine chamber CH2 disposed above the heating apparatus 111, a fan 112 is provided for supply air. また、冷却装置110の下方には、ドレインパン122が配置されている。 Further, under the cooling device 110, a drain pan 122 is disposed. 温調装置110、111で温度調整された気体は、出口114を介して本体チャンバCH1に供給される。 Gas whose temperature adjusted at the temperature controller 110 and 111 is supplied to the main chamber CH1 through the outlet 114.

機械室CH2の内部において加熱装置111の下方には、冷却装置110を下方から上方に通過した気体の一部(例えば約1/5)が流れ込む分岐路113の一端部が接続されている。 Below the heating device 111 in the interior of the machine chamber CH2, one end portion of the branch passage 113 which portion of the gas which has passed through the cooling device 110 from bottom to top (e.g., about 1/5) flows is connected. 分岐路113の一端部には伸縮可能な蛇腹状部材113aが設けられており、分岐路113の一端部と機械室CH2の内部とは蛇腹状部材113aを介して接続されている。 At one end of the branch passage 113 is provided with expandable bellows member 113a, and is connected via a bellows-like member 113a to the inside of one end and a machine chamber CH2 outlet line 113. 一方、分岐路113の他端部に設けられた開口(給気口)115は、基板ステージPST近傍に配置されている。 On the other hand, the opening (supply port) 115 provided on the other end of the branch passage 113 is disposed in the vicinity of the substrate stage PST. 図1に示すように、分岐路113の大部分は、露光室100内部に設けられている。 As shown in FIG. 1, most of the branch passage 113 are provided inside the exposure chamber 100.

分岐路113の内部には加熱装置116が設けられている。 Heating device 116 is provided inside of the branch path 113. また、分岐路113のうち給気口115の近傍には、給気用ファン117が設けられている。 In the vicinity of the inner air inlet 115 of the branch passage 113, the air supply fan 117 is provided. 給気口115は、メインコラム4の−X側の側壁に設けられている。 Air supply port 115 is provided on the side wall of the -X side of the main column 4. 給気口115には、ケミカルフィルタ及びULPAフィルタ等を備えたフィルタユニット118が設けられている。 The air supply port 115, the filter unit 118 is provided with a chemical filter and a ULPA filter or the like. 温調装置110、116で温度調整された気体は、給気口115を介して、露光室100の内部うち、投影光学系PLの一部を含む基板ステージPST近傍の空間(空調空間)125に供給される。 Gas whose temperature adjusted at the temperature controller 110, 116 via the air supply port 115, among the inside of the exposure chamber 100, the space (air-conditioned space) 125 of the substrate stage PST vicinity including a portion of the projection optical system PL It is supplied. 以下の説明では、投影光学系PLの一部及び基板ステージPSTを含み、メインコラム4で囲まれた空間を、空調空間125として説明する。 In the following description, it comprise a portion and the substrate stage PST of the projection optical system PL, and the space surrounded by the main column 4, will be described as an air-conditioned space 125.

空調系KCは、給気口115より、投影光学系PLの一部を含む基板ステージPST近傍の空間(空調空間)125に対して横方向、本実施形態では+X方向に気体を供給し、その空調空間125を空調する。 Air conditioning system KC, from the air supply port 115, the gas is supplied to the horizontal direction, in this embodiment the + X direction with respect to the space (air-conditioned space) 125 of the substrate stage PST vicinity including a portion of the projection optical system PL, and the air conditioning the air-conditioned space 125. すなわち、空調空間125においては、空調系KCによって形成される気体の流れは、ほぼ+X方向に設定されている。 That is, in the air-conditioned space 125, a gas flow formed by the air conditioning system KC is set to approximately + X direction.

一方、基板ステージPSTに対して給気口115と反対側には、排気流路(リターンダクト)119の一端部である排気口120が配置されている。 On the other hand, on the side opposite to the air inlet 115 to the substrate stages PST, exhaust port 120 is disposed which is one end portion of the exhaust passage (return duct) 119. 排気口120は、メインコラム4の+X側の側壁に設けられており、給気口115と排気口120とは対向している。 Exhaust port 120 is provided on the side wall of the + X side of the main column 4 is opposed to the air supply port 115 and the exhaust port 120. 一方、リターンダクト119の他端部は、機械室CH2の床面に形成された開口119Aに接続されている。 On the other hand, the other end of the return duct 119 is connected to an opening 119A formed in the floor of the machine room CH2. 機械室CH2の床面に形成された開口107A、119Aには、ケミカルフィルタ等を備えたフィルタユニット121が設けられている。 Machine room CH2 floor opening formed 107A, the 119A, the filter unit 121 is provided with a chemical filter or the like. 露光室100の内部のうち空調空間125の気体は、排気口120より排気され、機械室CH2に送られる。 Gas air-conditioned space 125 of the interior of the exposure chamber 100 is exhausted from the exhaust port 120, is sent to the machine chamber CH2.

次に、図1及び図2を参照しながら液体供給機構10及び液体回収機構20について説明する。 Next, the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20 will be described with reference to FIGS.

液体供給機構10は、所定の液体LQを投影光学系PLの像面側に供給するためのものであって、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端部を接続する供給管13とを備えている。 Liquid supply mechanism 10 is for supplying the predetermined liquid LQ to the image plane side of the projection optical system PL, a liquid supply unit 11 capable of delivering the liquid LQ, the one end portion to the liquid supply section 11 and a supply pipe 13 to be connected. 液体供給部11は、液体LQを収容するタンク、加圧ポンプ、及び液体LQ中に含まれる異物や気泡を取り除くフィルタユニット等を備えている。 Liquid supply unit 11 includes a tank for accommodating the liquid LQ, a pressurizing pump, and the filter unit or the like for removing foreign matters and bubbles contained in the liquid LQ. 液体供給部11の液体供給動作は制御装置CONTにより制御される。 The liquid supply operation of the liquid supply unit 11 is controlled by the control unit CONT. 基板P上に液浸領域AR2を形成する際、液体供給機構10は液体LQを基板P上に供給する。 When forming the liquid immersion area AR2 on the substrate P, the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid LQ onto the substrate P.

液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収するためのものであって、液体LQを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端部を接続する回収管23とを備えている。 Liquid recovery mechanism 20 is for recovering the liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL, to connect the liquid LQ and the liquid recovery unit 21 capable of recovering, the one end portion to the liquid recovery section 21 and a recovery pipe 23. 液体回収部21は例えば真空ポンプ等の真空系(吸引装置)、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。 Liquid recovery unit 21 is, for example, a vacuum system such as a vacuum pump (suction device), a gas-liquid separator for separating the recovered liquid LQ and gas, and a tank or the like for accommodating the recovered liquid LQ. なお真空系、気液分離器、タンクなどの少なくとも一部を、露光装置EXSに設けずに、露光装置EXSが配置される工場の設備などを用いるようにしてもよい。 Note the vacuum system, the gas-liquid separator, at least a portion of such a tank, without providing the exposure apparatus EXS, may be used, such as factory equipment exposure apparatus EXS is arranged. 液体回収部21の液体回収動作は制御装置CONTにより制御される。 The liquid recovery operation of the liquid recovery section 21 is controlled by the control unit CONT. 基板P上に液浸領域AR2を形成するために、液体回収機構20は液体供給機構10より供給された基板P上の液体LQを所定量回収する。 To form the liquid immersion area AR2 on the substrate P, the liquid recovery mechanism 20 to recover a predetermined amount of the liquid LQ on the substrate P supplied from the liquid supply mechanism 10.

投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、液体LQに接する光学素子2の近傍にはノズル部材70が配置されている。 The plurality of optical elements constituting the projection optical system PL, in the vicinity of the optical element 2 in contact with the liquid LQ is disposed a nozzle member 70. ノズル部材70は、投影光学系PLの像面側の露光光ELが通過する光路空間を液体LQで満たすためのものであって、基板P(基板ステージPST)の上方において、光学素子2の側面を囲むように設けられた環状部材である。 Nozzle member 70, the optical path space which the exposure light EL on the image plane side of the projection optical system PL passes be for filled with the liquid LQ, over the substrate P (substrate stage PST), the side surface of the optical element 2 an annular member which is provided to surround the. ノズル部材70と光学素子2との間には隙間が設けられており、ノズル部材70は光学素子2に対して振動的に分離されるように所定の支持機構で支持されている。 Is provided with a gap between the nozzle member 70 and the optical element 2, the nozzle member 70 is supported by a predetermined support mechanism so as to be vibrationally isolated with respect to the optical element 2. また、その隙間に液体LQが浸入しないように、且つその隙間から液体LQ中に気泡が混入しないように構成されている。 Also configured so as to prevent bubbles mixed into the gap such that the liquid LQ does not penetrate, and the liquid LQ from the gap. ノズル部材70は、例えばステンレス鋼、チタンなどによって形成されている。 The nozzle member 70 is, for example, stainless steel, and is formed by a titanium.

ノズル部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方に設けられ、その基板P表面に対向するように配置された供給口12を備えている。 The nozzle member 70 is provided above the substrate P (substrate stage PST), and a supply port 12 disposed so as to face the substrate P surface. 本実施形態において、ノズル部材70は2つの供給口12A、12Bを有している。 In this embodiment, the nozzle member 70 the two supply ports 12A, and a 12B. 供給口12A、12Bはノズル部材70の下面70Aに設けられている。 Supply ports 12A, 12B are provided on the lower surface 70A of the nozzle member 70.

ノズル部材70の内部には、基板P上に供給される液体LQが流れる供給流路が形成されている。 Inside the nozzle member 70, the supply passage of the liquid LQ supplied onto the substrate P flows is formed. ノズル部材70の供給流路の一端部は供給管13の他端部に接続され、供給流路の他端部は供給口12A、12Bのそれぞれに接続されている。 One end of the supply channel of the nozzle member 70 is connected to the other end of the supply pipe 13, the other end of the supply channel is connected to the respective supply ports 12A, 12B. ここで、ノズル部材70の内部に形成された供給流路の他端部は、複数(2つ)の供給口12A、12Bのそれぞれに接続可能なように途中から分岐している。 Here, the other end portion of the supply passage formed in the nozzle member 70 is branched from the midway to be connectable supply port 12A of the plurality of (two), each of 12B.

また、ノズル部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方に設けられ、その基板P表面に対向するように配置された回収口22を備えている。 The nozzle member 70 is provided above the substrate P (substrate stage PST), and a recovery port 22 arranged to face the substrate P surface. 本実施形態において、回収口22は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの光学素子2(投影領域AR1)及び供給口12を囲むように環状に形成されている。 In the present embodiment, the recovery port 22, the lower surface 70A of the nozzle member 70, optical element 2 of the projection optical system PL is formed annularly to surround the (projection area AR1) and the supply port 12.

また、ノズル部材70の内部には、回収口22を介して回収された液体LQが流れる回収流路が形成されている。 Further, in the nozzle member 70, recovery flow path the liquid LQ recovered via the recovery port 22 flows is formed. ノズル部材70の回収流路の一端部は回収管23の他端部に接続され、回収流路の他端部は回収口22に接続されている。 One end of the recovery flow passage of the nozzle member 70 is connected to the other end of the recovery tube 23, the other end of the recovery flow passage is connected to the recovery port 22. ここで、ノズル部材70の内部に形成された回収流路は、回収口22に応じた環状流路と、その環状流路を流れた液体LQを集合するマニホールド流路とを備えている。 Here, the recovery flow passage formed in the nozzle member 70 includes an annular flow path in accordance with the recovery port 22, and a manifold channel for collection of the liquid LQ flowing the annular channel.

本実施形態において、ノズル部材70は、液体供給機構10及び液体回収機構20それぞれの一部を構成している。 In this embodiment, the nozzle member 70 constitutes a portion of each liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20. 液体供給機構10を構成する供給口12A、12Bは、投影光学系PLの投影領域AR1を挟んだX軸方向両側のそれぞれの位置に設けられており、液体回収機構20を構成する回収口22は、投影光学系PLの投影領域AR1に対して液体供給機構10の液体供給口12A、12Bの外側に設けられている。 Supply ports 12A constituting the liquid supply mechanism 10, 12B are provided on the respective positions of the X-axis direction both sides of the projection area AR1 of the projection optical system PL, the recovery port 22 which constitute the liquid recovery mechanism 20 , the liquid supply ports 12A of the liquid supply mechanism 10 with respect to the projection area AR1 of the projection optical system PL, is provided on the outside of 12B. なお本実施形態における投影光学系PLの投影領域AR1は、Y軸方向を長手方向とし、X軸方向を短手方向とした平面視矩形状に設定されている。 Note projection area AR1 of the projection optical system PL of this embodiment, the Y-axis direction is the longitudinal direction, are set in the X-axis direction in plan view a rectangular shape with a short direction.

液体供給部11の動作は制御装置CONTにより制御される。 Operation of the liquid supply unit 11 is controlled by the control unit CONT. 制御装置CONTは液体供給部11による単位時間あたりの液体供給量を制御可能である。 The control unit CONT is capable of controlling the liquid supply amount per unit time by the liquid supply unit 11. 基板P上に液体LQを供給する際、制御装置CONTは、液体供給部11より液体LQを送出し、供給管13及びノズル部材70内部に形成された供給流路を介して、基板Pの上方に設けられている供給口12A、12Bより基板P上に液体LQを供給する。 When supplying the liquid LQ onto the substrate P, controller CONT, the liquid LQ sent from the liquid supply unit 11 via a supply pipe 13 and the supply flow passage formed in the nozzle member 70, above the substrate P It supplies the liquid LQ onto provided by which the supply port 12A, the substrate than 12B P in. 液体LQは、供給口12A、12Bを介して、投影領域AR1の両側から供給される。 The liquid LQ is the supply port 12A, through 12B, are supplied from both sides of the projection area AR1.

液体回収部21の液体回収動作は制御装置CONTにより制御される。 The liquid recovery operation of the liquid recovery section 21 is controlled by the control unit CONT. 制御装置CONTは液体回収部21による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。 The control unit CONT is capable of controlling the liquid recovery amount per unit time by the liquid recovery unit 21. 基板Pの上方に設けられた回収口22から回収された基板P上の液体LQは、ノズル部材70内部に形成された回収流路、及び回収管23を介して液体回収部21に回収される。 The liquid LQ on the substrate P that has been recovered from the recovery port 22 provided above the substrate P is recovered recovery flow passage formed in the nozzle member 70, and through the recovery pipe 23 to the liquid recovery section 21 .

なお、ノズル部材70の構成(供給口、回収口の位置、形状、数など)は、上述のものに限られず、露光光ELの光路の液体LQで満たすように液浸領域AR2を維持できる構成であればよい。 The configuration of the nozzle member 70 (supply port, the position of the recovery port, shape, number, etc.) is not limited to those described above, you can maintain the liquid immersion area AR2 as filled with the liquid LQ of the optical path of the exposure light EL structure it is sufficient. 例えば、供給口12A、12Bは、投影光学系PLの投影領域AR1に対してY軸方向両側にそれぞれ配置してもよいし、ノズル部材70を複数の部材で構成するようにしてもよい。 For example, the supply ports 12A, 12B are respectively a Y-axis direction on both sides may be arranged with respect to the projection area AR1 of the projection optical system PL, may constitute a nozzle member 70 by a plurality of members.

投影光学系PLの光学素子2の下面(液体接触面)2A、及びノズル部材70の下面(液体接触面)70Aは親液性(親水性)を有している。 Projection underside (liquid contact surface) of the optical element 2 of the optical system PL 2A, and the lower surface (liquid contact surface) 70A of the nozzle member 70 has lyophilic property (hydrophilic). 本実施形態においては、光学素子2は、純水との親和性が高い蛍石で形成されている。 In this embodiment, the optical element 2, the affinity of the deionized water is formed at a high fluorite. なお光学素子2は、水との親和性が高い石英であってもよい。 Note optical element 2, affinity for water may be a high quartz. また光学素子2の液体接触面2A及びノズル部材70の液体接触面70Aに親水化(親液化)処理を施して、液体LQとの親和性をより高めるようにしてもよい。 The liquid contact surface 70A to the hydrophilic liquid contact surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 is subjected to (lyophilic) treatment, it may be further enhance the affinity for the liquid LQ. 親液化処理としては、MgF 、Al 、SiO などの親液性材料を前記液体接触面に設ける処理が挙げられる。 The lyophilic process, a process of providing a lyophilic material such as MgF 2, Al 2 O 3, SiO 2 to the liquid contact surface and the like. あるいは、本実施形態における液体LQは極性の大きい水であるため、親液化処理(親水化処理)として、例えばアルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を設けるようにしてもよい。 Alternatively, the liquid LQ in the present embodiment, since a great water polar, as lyophilic treatment (hydrophilic treatment), may be provided a thin film for example, with a substance of high polarity molecular structure such as alcohol. 光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aを親液性にすることで、液体LQの表面張力を利用して、液体LQの液浸領域AR2を、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aと、基板Pの上面及び/又は基板ステージPSTの上面との間で良好に形成することができる。 By the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 to lyophilic, by utilizing the surface tension of the liquid LQ, the liquid LQ of the immersion area AR2, the lower surface 2A and the nozzle member of the optical element 2 70 and the lower surface 70A of the can be satisfactorily formed between the upper surface of the upper surface and / or the substrate stage PST of the substrate P.

なお、本実施形態においては、光学素子2の下面2Aとノズル部材70の下面70Aはほぼ面一となるようにノズル部材70が配置されているが、光学素子2の下面2Aとノズル部材70の下面70Aとに段差があってもよい。 In the present embodiment, the nozzle member 70 as the lower surface 70A is substantially flush of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 is arranged, of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 on the lower surface 70A may be a step. 例えば、ノズル部材70の下面70Aと基板Pの上面及び/又は基板ステージPSTの上面との距離が、光学素子2の下面2Aと基板Pの上面及び/又は基板ステージPSTの上面との距離よりも小さくなるように、ノズル部材70を配置してもよい。 For example, the distance between the upper surface of the upper surface and / or the substrate stage PST of the lower surface 70A and the substrate P in the nozzle member 70, than the distance between the upper surface of the upper surface and / or the substrate stage PST of the lower surface 2A of the substrate P of the optical element 2 as smaller, it may be arranged nozzle member 70.

次に、図2を参照しながら光洗浄装置80について説明する。 Next, a description will be given of an optical cleaning device 80 with reference to FIG.

光洗浄装置80は、光洗浄効果を有する照射光Luを射出するものである。 Optical cleaning device 80 is to emit illumination light Lu with optical cleaning effect. 光洗浄装置80は、光源82と、その光源82を保持する筐体81とを備えている。 Optical cleaning device 80 includes a light source 82, a housing 81 for holding the light source 82. 本実施形態においては、光洗浄装置80は、紫外光(UV光)を下方に向けて射出するものである。 In the present embodiment, the optical cleaning device 80 is intended to emit toward ultraviolet light (UV light) downwardly. 光源82としては、Xe2エキシマレーザ(波長172nm)、KrClエキシマレーザ(波長222nm)、XeClエキシマレーザ(波長308nm)などが使用されている。 As the light source 82, Xe2 excimer laser (wavelength 172 nm), KrCl excimer laser (wavelength 222 nm), such as XeCl excimer laser (wavelength 308 nm) is used. 光洗浄装置80は、投影光学系PLの先端部の光学素子2、ノズル部材70、及び基板ステージPSTを収容した空調空間125の内側であって、投影光学系PLと並んだ位置に設けられている。 Optical cleaning unit 80, the optical element 2 at the end portion of the projection optical system PL, a nozzle member 70, and an inner of the air-conditioned space 125 accommodating the substrate stages PST, provided aligned with the projection optical system PL located there. 具体的には、光洗浄装置80は、空調空間125の内側であって、メインコラム4の天井面4Bのうち、投影光学系PL(露光光ELの光路)に対して+X側に所定距離離れた位置に取り付けられている。 Specifically, the optical cleaning device 80 is an inner air-conditioned space 125, out of the ceiling surface 4B of the main column 4, a predetermined distance away on the + X side with respect to the projection optical system PL (the optical path of the exposure light EL) It was attached to the position. ここで、上述したように、空調空間125においては、給気口115から供給された気体は+X方向に流れる。 Here, as described above, in the air-conditioned space 125, gas supplied from the air supply port 115 flows in the + X direction. したがって、光洗浄装置80は、投影光学系PLに対して空調系KCによって形成される気体(空気)の流れの下流側に設けられた構成となっている。 Accordingly, the optical cleaning device 80 has a configuration which is provided on the downstream side of the flow of gas (air) which is formed by the air conditioning system KC with respect to the projection optical system PL.

本実施形態においては、空調空間125の+X側の外側に、基板ステージPSTに対して基板Pを搬入(ロード)及び搬出(アンロード)する基板搬送系150が配置されている。 In this embodiment, the outer side of the + X side of the air-conditioned space 125, carried (loaded) and unloading (unloading) to the substrate transport system 150 is arranged to the substrate P to the substrate stage PST. 制御装置CONTは、基板ステージPSTに対して基板Pをロード・アンロードするとき、基板ステージPSTを空調空間125の+X側に移動し、基板搬送系150の近傍位置(ロード・アンロード位置)に配置する。 The control unit CONT, when loading and unloading the substrate P with respect to the substrate stage PST, and moves the substrate stage PST in the + X side of the air-conditioned space 125, the vicinity of the substrate transport system 150 (loading and unloading position) Deploy. 光洗浄装置80はそのロード・アンロード位置の上方に設けられており、基板ステージPSTは、光洗浄装置80の直下に移動可能な構成となっている。 Optical cleaning device 80 is provided above the loading and unloading position, the substrate stage PST has a movable structure directly under the optical cleaning device 80.

また、空調空間125の内側には、その空調空間125の気体成分を検出する検出器84(84A、84B)が設けられている。 Further, inside the air-conditioned space 125, the detector 84 (84A, 84B) is provided for detecting the gas component of the air-conditioned space 125. 本実施形態においては、検出器84は、空調空間125の酸素濃度を検出可能な酸素濃度計によって構成されている。 In the present embodiment, the detector 84 is constituted by a detectable oximeter oxygen concentration of the air-conditioned space 125. 検出器84は一つでもよいが、本実施形態においては、空調空間125の複数の所定位置のそれぞれに検出器84A、84Bが設けられている。 Detector 84 may be one, but in the present embodiment, the detector 84A, 84B are provided in each of a plurality of predetermined positions of the air-conditioned space 125. 具体的には、検出器84Aは、メインコラム4の天井面4Bのうち、光洗浄装置80に並ぶ位置に取り付けられている。 Specifically, the detector 84A, of the ceiling surface 4B of the main column 4, is mounted in a position aligned in the optical cleaning device 80. 検出器84Bは、光洗浄装置80より射出される紫外光Luの光路近傍に設けられている。 Detector 84B is provided in an optical path near the ultraviolet light Lu emitted from the optical cleaning device 80.

図3は基板ステージPSTのZチルトステージ52を上方から見た平面図である。 Figure 3 is a plan view of the Z tilt stage 52 of the substrate stage PST from above. なお図3においては、基板Pは破線で仮想的に図示されている。 In FIG. 3, the substrate P is virtually illustrated by broken lines. 平面視矩形状のZチルトステージ52の互いに垂直な2つの縁部に移動鏡55が配置されている。 Movable mirror 55 is arranged on two mutually perpendicular edges of a rectangular shape in plan view Z tilt stage 52. また、Zチルトステージ52のほぼ中央部に凹部32が形成されており、この凹部32に基板Pを保持する基板ホルダPHが配置されている。 Further, a recess 32 is formed in a substantially central portion of the Z tilt stage 52, the substrate holder PH which holds the substrate P in the concave portion 32 is disposed.

基板ホルダPHは、略円環状の周壁部33と、この周壁部33の内側に配置され、基板Pを保持(支持)する複数のピン状の支持部34とを備えている。 Substrate holder PH includes a ring-shaped peripheral wall 33 is disposed inside of the peripheral wall 33, and a plurality of pin-shaped support 34 which holds the substrate P (substrate). ピン状の支持部34のそれぞれは、その上面34Aを基板Pの裏面に接触させて基板Pを保持する。 Each of the pin-shaped supporting portion 34, the upper surface 34A is brought into contact with the rear surface of the substrate P holds the substrate P. なお、図においては、支持部34は比較的大きく示されているが、実際には非常に小さなピン状の支持部が周壁部33の内側に多数形成されている。 In the figure, the support 34 is shown relatively large, the actual support of the very small pin-like to have formed a large number inside the peripheral wall 33.

周壁部33は支持部34の周囲に配置されており、支持部34は周壁部33の内側において一様に配置されている。 Peripheral wall 33 is arranged around the support 34, the support portion 34 are uniformly arranged in the inside of the peripheral wall portion 33. 上述したように、基板ホルダPHに保持されている基板Pの側面とZチルトステージ52の上面31との間には所定のギャップが形成されている。 As described above, a predetermined gap is formed between the upper surface 31 of the side surface and the Z tilt stage 52 of the substrate P held by the substrate holder PH. なお図においては、周壁部33の上端面は比較的広い幅を有しているが、実際には0.1〜2mm程度の幅しか有していない。 In still the figure, the upper end surface of the peripheral wall portion 33 has a relatively wide width, not actually has only a width of about 0.1 to 2 mm.

基板ホルダPHの支持部34以外の上面には、吸引口41が複数設けられている。 The upper surface other than the supporting portion 34 of the substrate holder PH, the suction port 41 is provided with a plurality. 吸引口41は、基板ステージPST外部に設けられた真空ポンプを含む不図示の真空系に流路を介して接続されている。 Suction port 41 is connected through a flow path to a vacuum system (not shown) including a vacuum pump provided on the substrate stage PST outside. 制御装置CONTは、真空系を駆動し、周壁部33及び支持部34を含む基板ホルダPHと支持部34に支持された基板Pとの間に形成された空間38内部のガス(空気)を吸引口41より吸引してこの空間38を負圧にすることで、支持部34に基板Pを吸着保持する。 The control unit CONT drives the vacuum system, suction the peripheral wall 33 and the space 38 inside the gas which is formed between the substrate P supported by the substrate holder PH and the support portion 34 includes a support portion 34 (air) was aspirated from the mouth 41 by the space 38 in the negative pressure, the substrate P is held by suction to the support 34. すなわち、本実施形態における基板ホルダPHは、所謂ピンチャック機構を備えた構成である。 That is, the substrate holder PH in the present embodiment is configured to include a so-called pin chuck mechanism.

また、基板ステージPST上において、基板Pの外側の所定位置には、光計測部として基準部材(計測部材)300が配置されている。 Further, on the substrate stages PST, the predetermined position outside the substrate P, reference member (measuring member) 300 is disposed as an optical measuring unit. 基準部材300には、基板アライメント系350により検出される基準マークPFMと、マスクアライメント系360により検出される基準マークMFMとが所定の位置関係で設けられている。 The reference member 300, and the reference mark PFM to be detected by the substrate alignment system 350, and the reference mark MFM to be detected by the mask alignment system 360 are provided in a predetermined positional relationship. 基準部材300の上面はほぼ平坦面となっており、基板ステージPSTに保持された基板P表面、及び基板ステージPSTの上面31とほぼ同じ高さ(面一)に設けられている。 Upper surface of the reference member 300 is a substantially flat surface is provided on the surface of the substrate P held by the substrate stages PST, and substantially the same height as the upper surface 31 of the substrate stage PST (flush). 基準部材300の上面は、フォーカス・レベリング検出系60の基準面としての役割も果たすことができる。 Upper surface of the reference member 300 can also serve as the reference surface of the focus leveling detection system 60.

また、基板ステージPST上のうち、基板Pの外側の所定位置には、光計測部として例えば特開昭57−117238号公報に開示されているような照度ムラセンサ400、例えば特開2002−14005号公報に開示されているような空間像計測センサ500、及び例えば特開平11−16816号公報に開示されているような照射量センサ(照度センサ)600、特開昭62−183522に開示されているような不図示の反射部材(計測部材)など、各種光計測部が設けられている。 In addition, of the substrate stages PST, the predetermined position outside the substrate P, the uneven illuminance sensor 400 as disclosed as the optical measuring unit, for example, in JP 57-117238, JP example, JP 2002-14005 irradiation amount sensor (illuminance sensor) 600 as disclosed in the spatial image measuring sensor 500, and for example, JP-a 11-16816 discloses, as disclosed in Japanese, is disclosed in JP-a-62-183522 such as a reflective member (not shown) such as (measuring members), various optical measuring unit is provided.

また、各光計測部の上面は、基板ステージPSTの上面31とほぼ面一で、光透過性の撥液材料で被覆されている。 The upper surface of each of the optical measuring unit is a substantially flush with the upper surface 31 of the substrate stages PST, are coated with a light-transmissive liquid repellent material. 本実施形態においては、液体LQとして純水を使用しており、各光計測部の上面は撥水性のサイトップ(旭硝子社製、登録商標)で被覆されている。 In this embodiment uses pure water as the liquid LQ, CYTOP (Asahi Glass Co., Ltd., registered trademark) of the upper surface of each of the optical measuring unit repellent is coated with.

また、各光計測部の上面の撥液材料は、露光光ELや光洗浄装置80からの紫外光(UV光)が照射されても、その撥液性が損なわれにくいものを用いているが、撥液性が劣化した場合や、不純物が付着して汚染された場合には、各光計測部の上面を形成する部材を交換するようにしてもよい。 Further, liquid repellent material of the upper surface of each of the optical measuring unit, also the exposure light EL or ultraviolet light from the optical cleaning device 80 (UV light) is irradiated, its liquid repellency is used as the hardly impaired , and if the liquid repellency is deteriorated, when the impurities are contaminated by deposition may be adapted to exchange members forming the upper surface of the optical measuring sections.

また、基板ステージPST上に基準部材300,センサ400,500、600のすべてを設ける必要はなく、それらの少なくとも一つを省略してもよい。 The reference member 300 on the substrate stages PST, there is no need to provide all of the sensors 400, 500, 600, those may be omitted at least one.

なお、各光計測部の上面は、基板ステージPSTの上面31と一体的に形成してもよいし、基板ステージPSTの上面31を形成する部材とは別の部材に形成してもよい。 Incidentally, the upper surface of each of the optical measurement part may be an upper surface 31 formed integrally with the substrate stages PST, it may be formed in a separate member from the member constituting the upper surface 31 of the substrate stage PST.

次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いてマスクMのパターン像を基板Pに露光する方法について説明する。 Next, the pattern image of the mask M will be described a method for exposing the substrate P by using the exposure apparatus EX constructed as described above.

基板Pの露光処理を行うために、まず、制御装置CONTは、基板ステージPST上に基板Pを支持した状態で、液体供給機構10及び液体回収機構20による液体LQの供給及び回収を行い、投影光学系PLの像面側に液体LQの液浸領域AR2を形成する。 In order to perform the exposure process for the substrate P, first, the control unit CONT, while supporting the substrate P on the substrate stages PST, perform supply and recovery of the liquid LQ by the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20, the projection to form the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ on the image plane side of the optical system PL.

制御装置CONTは、基板Pの露光処理を行う前に、光計測部300、400、500、600を使った各種計測動作を行い、その計測結果に基づいて、基板Pのアライメント処理や、投影光学系PLの結像特性調整(キャリブレーション)処理を行う。 The control unit CONT, before performing the exposure process for the substrate P, performs various measuring operation using the optical measuring section 300, 400, 500, 600, based on the measurement result, and the alignment process of the substrate P, the projection optical imaging characteristics adjustment system PL performs (calibration) process. 例えば光計測部400を使った計測動作を行う場合には、制御装置CONTは、基板ステージPSTをXY方向に移動することで液体LQの液浸領域AR2に対して基板ステージPSTを相対的に移動し、光計測部400上に液体LQの液浸領域AR2を配置し、その状態で液体LQを介した計測動作を行う。 For example, when performing a measuring operation using the optical measuring section 400, the control unit CONT, relatively moves the substrate stage PST with respect to the liquid LQ of the immersion area AR2 by moving the substrate stage PST in the XY direction and, on the optical measuring section 400 to place the liquid LQ of the immersion area AR2, it performs the measuring operation via the liquid LQ in that state. 同様に、光計測部300を使った計測動作や、光計測部500、600を使った計測動作を行う際にも、液体LQの液浸領域AR2に対して基板ステージPSTを相対的に移動し、光計測部300、500、600上に液体LQの液浸領域AR2を配置した状態で液体LQを介した計測動作を行う。 Similarly, the measurement operation and using the optical measuring section 300, when performing measurement operations using the optical measuring section 500 and 600 also relatively moves the substrate stage PST with respect to the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 performs measuring operation via the liquid LQ in a state on the optical measuring section 300, 500 is arranged the liquid LQ of the liquid immersion area AR2.

上記アライメント処理及びキャリブレーション処理を行った後、制御装置CONTは、液体供給機構10による基板P上に対する液体LQの供給と並行して、液体回収機構20による基板P上の液体LQの回収を行い、基板Pよりも小さく且つ投影領域AR1よりも大きい液浸領域AR2を局所的に形成しつつ、基板Pを支持する基板ステージPSTをX軸方向(走査方向)に移動しながら、マスクMのパターン像を投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介して基板P上に投影露光する。 After the alignment process and the calibration process, the control unit CONT, in parallel with the supply of the liquid LQ with respect to the upper substrate P by the liquid supply mechanism 10 performs recovery of the liquid LQ on the substrate P by the liquid recovery mechanism 20 while locally forming a large immersion area AR2 than small and the projection area AR1 than the substrate P, while moving the substrate stage PST which supports a substrate P in the X axis direction (scanning direction), of the mask M pattern projection exposure onto the substrate P via the liquid LQ and the projection optical system PL between the projection optical system PL and the substrate P with the image.

本実施形態における露光装置EXは、マスクMと基板PとをX軸方向(走査方向)に移動しながらマスクMのパターン像を基板Pに投影露光するものであって、走査露光時には、液浸領域AR2の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMの一部のパターン像が投影領域AR1内に投影され、マスクMが−X方向(又は+X方向)に速度Vで移動するのに同期して、基板Pが投影領域AR1に対して+X方向(又は−X方向)に速度β・V(βは投影倍率)で移動する。 The exposure apparatus EX of the present embodiment, the pattern image of the mask M while moving the mask M and the substrate P in the X axis direction (scanning direction) be one which projection exposure onto the substrate P, at the time of scanning exposure, immersion part of the pattern image of the mask M is projected in the projection area AR1 via the liquid LQ and the projection optical system PL of the area AR2, synchronization to the mask M is moved at the velocity V in the -X direction (or + X direction) to, (the beta projection magnification) speed beta · V in + X direction the substrate P is with respect to the projection area AR1 (or the -X direction) to move. 基板P上には複数のショット領域が設定されており、1つのショット領域への露光終了後に、基板Pのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で基板Pを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行われる。 On the substrate P are set a plurality of shot areas, after exposure is completed for one shot area, the next shot region moves to the scanning start position by stepping movement of the substrate P, following a step-and-scan the scanning exposure process for the respective shot areas while moving the substrate P in a manner is sequentially performed. なお、投影光学系PLの構造によっては、マスクMと基板Pとを同一の方向(例えば、+X方向)へ移動して各ショット領域が露光される。 Depending on the structure of the projection optical system PL, and the mask M and the substrate P and the same direction (e.g., + X direction) each shot region moves to the is exposed.

基板Pの中央領域に設定されたショット領域を露光するときは、液浸領域AR2は基板P上に配置される。 When exposing the shot areas set in the central region of the substrate P, the liquid immersion area AR2 is arranged on the substrate P. 一方、基板Pのエッジ領域に設定されたショット領域を露光するときは、液浸領域AR2は、基板Pと基板ステージPSTの上面31とのそれぞれに跨るように配置される。 Meanwhile, when exposing the shot areas set on the edge region of the substrate P, the liquid immersion area AR2 is arranged to span each of the upper surface 31 of the substrate P and the substrate stage PST.

基板Pの液浸露光終了後、制御装置CONTは、液体供給機構10による液体供給を停止した後、液体回収機構20を使って、基板P上や基板ステージPSTの上面31、あるいは光計測部、300、400、500、600上に残留している液体LQを回収する。 After immersion exposure is completed for the substrate P, controller CONT, after stopping the liquid supply by the liquid supply mechanism 10, by using the liquid recovery mechanism 20, the upper surface 31 of the substrate P and the substrate stage PST or the optical measuring unit, recovering the liquid LQ remaining on the 300, 400, 500 and 600. 次いで、制御装置CONTは、露光処理を終えた基板Pを搬出(アンロード)するとともに、未だ露光されていない未露光基板Pを基板ステージPSTに搬入(ロード)するために、図4に示すように、基板ステージPSTを投影光学系PLに対して+X側に移動し、空調空間125の+X側、すなわち基板搬送系150の近傍位置(ロード・アンロード位置)に配置する。 Then, the control unit CONT, together with the substrate P having been subjected to the exposure process is unloaded (unloading), the unexposed substrate P that has not yet been exposed to loading (loading) on ​​the substrate stages PST, as shown in FIG. 4 in the substrate stage PST moves in the + X side with respect to the projection optical system PL, + X side of the air-conditioned space 125, that is disposed in the vicinity of the substrate transport system 150 (loading and unloading position). 上述したように、そのロード・アンロード位置の上方には光洗浄装置80が設けられている。 As described above, the optical cleaning device 80 is provided above the loading and unloading position.

制御装置CONTは、基板搬送系150によって露光処理を終えた基板Pを基板ステージPSTからアンロードした後、未露光基板Pを基板ステージPSTにロードする前に、基板ステージPST上に基板Pが無い状態で、基板ステージPSTを移動して光洗浄装置80の直下に配置する。 The control unit CONT, after unloading the substrate P having been subjected to exposure processing by the substrate transfer system 150 from the substrate stage PST, before loading an unexposed substrate P on the substrate stage PST, there is no substrate P on the substrate stage PST state, by moving the substrate stage PST is arranged directly below the optical cleaning device 80. その状態で、制御装置CONTは光洗浄装置80を駆動し、光洗浄装置80より紫外光Luを下方に向けて射出する。 In this state, the control unit CONT drives the optical cleaning device 80, is emitted toward the ultraviolet light Lu below the optical cleaning device 80. 光洗浄装置80より射出された紫外光Luは基板ステージPSTに対して照射される。 The emitted ultraviolet light Lu from the optical cleaning device 80 is irradiated to the substrate stage PST. 光洗浄装置80は、基板ステージPSTの上面31、基板ステージPSTの上面31に設けられている光計測部300、400、500、600、及び基板ホルダPHに紫外光Luを所定時間だけ照射する。 Optical cleaning device 80 irradiates the top surface 31 of the substrate stages PST, optical measuring sections 300, 400, 500, 600 are provided on the upper surface 31 of the substrate stages PST, and the ultraviolet light Lu on the substrate holder PH by a predetermined time. なお、光洗浄装置80は、移動鏡55の上面に紫外光Luを照射してもよい。 The optical cleaning device 80 may be irradiated with ultraviolet light Lu on the upper surface of the movable mirror 55.

紫外光Luが照射されることにより、基板ステージPST上面の不純物(有機物)を気化(除去)することができる。 By ultraviolet light Lu is irradiated, it is possible to vaporize the substrate stage PST upper surface of the impurity (organic matter) (removed). また、基板ステージPST上面近傍では、空気中の酸素が紫外光Luを吸収して励起状態となり、酸化力を増したオゾンなどに化学変化し、基板ステージPST上面に付着した不純物(有機物)が酸化分解される。 Further, the substrate stage PST near the top surface, oxygen in the air by absorbing the ultraviolet light Lu becomes excited and the chemically changed ozone with increased oxidizing power, impurities adhering to the substrate stage PST top (organic matter) oxide It is decomposed.

液浸領域AR2の液体LQ中には、例えば基板P上に塗布された感光剤から発生した不純物(異物)が混入する可能性がある。 The liquid LQ of the liquid immersion area AR2, for example, an impurity generated from the photosensitive agent applied on the substrate P (foreign matter) is likely to be mixed. なお、感光剤から発生する不純物とは、感光剤の破片や感光剤に含まれる電解質の析出物等を含む。 Note that the impurities generated from the photosensitive agent comprises a precipitate or the like of the electrolyte contained in the debris and photosensitive agent photosensitizer. 上記感光剤は有機物を含んでいるため、液浸領域AR2の液体LQ中に有機物を含む不純物が混入する可能性がある。 The photosensitive agents because it contains organic matter, there is a possibility that impurities are mixed containing organic substances in the liquid LQ of the liquid immersion area AR2. 上述したように、液体LQの液浸領域AR2は、基板P表面、光計測部300、400、500、600を含む基板ステージPSTの上面31上を移動するが、液浸領域AR2が基板ステージPST上を相対的に移動することにより、基板ステージPSTの上面31、基板ステージPST上に設けられた光計測部300、400、500、600等に不純物(有機物)が付着する可能性がある。 As described above, the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 is the surface of the substrate P, but moves on the upper surface 31 of the substrate stage PST including the optical measuring sections 300, 400, 500, 600, the liquid immersion area AR2 substrate stage PST by relatively moving on the upper surface 31 of the substrate stages PST, there is a possibility that impurities (organic matter) adheres to the optical measuring sections 300, 400, 500, 600 or the like provided on the substrate stage PST. また、空中を浮遊している不純物(有機物)が、基板ステージPSTの上面31や、光計測部300、400、500、600等に付着する可能性もある。 The impurity (organic matter) that airborne is, there top surface 31 and the substrate stages PST, also adhere to the optical measuring sections 300, 400 and the like.

本実施形態においては、基板ステージPSTの上面31、光計測部300、400、500、600、基板ホルダPH上に付着した有機物は、酸化力の強化された雰囲気下で、前記紫外光Luにより除去される。 In this embodiment, the upper surface 31 of the substrate stages PST, optical measuring sections 300, 400, 500, 600, organic matter deposited on the substrate holder PH, in an atmosphere which is enhanced in oxidizing power, removed by the ultraviolet light Lu It is. このようにして、上記基板ステージPSTの上面31、光計測部300、400、500、600の上面、及び基板ホルダPHが光洗浄され、液体LQの付着跡の形成も抑制できる。 In this way, the upper surface 31 of the substrate stages PST, the upper surface of the optical measuring sections 300, 400, 500, 600, and is the substrate holder PH light washing, can be suppressed the formation of the adhesion trace of the liquid LQ.

また、基板Pの液浸露光終了後、基板ステージPST上の液体LQを回収しきれずに、基板ステージPST上に液体LQが残留する可能性もある。 Further, there is after the immersion exposure is completed for the substrate P, without being completely recovered the liquid LQ on the substrate stages PST, possibly the liquid LQ remaining on the substrate stage PST. 残留した液体LQを放置しておくと、液体LQが乾燥した後、基板ステージPSTの上面31や、光計測部300、400、500、600の上面等に、液体LQの付着跡(所謂ウォーターマーク)が形成される可能性がある。 If left remaining liquid LQ, after the liquid LQ is dried, and the upper surface 31 of the substrate stages PST, the upper surface or the like of the optical measuring sections 300, 400, 500, 600, the liquid LQ of the adhesion trace (so-called water mark ) are likely to be formed. また、液体LQが基板Pの裏面側に入り込んで基板ホルダPHに付着すると、その基板ホルダPHにも液体LQの付着跡(ウォーターマーク)が形成される可能性がある。 Further, the liquid LQ is the attached to the substrate holder PH enters the back surface side of the substrate P, adhesion mark of the liquid LQ to the substrate holder PH (water mark) are likely to be formed. また、基板Pの液浸露光終了後に、基板ステージPST上の液体LQが回収しきれたとしても、不純物(有機物)を基板ステージPST上に付着させた状態で長時間放置しておくと、付着跡(ウォーターマーク)が形成される可能性がある。 Further, after the liquid immersion exposure completion of the substrate P, as the liquid LQ on the substrate stage PST is completely collected and for extended periods impurity (organic matter) in a state of being deposited on the substrate stage PST, attachment there is a possibility that the mark (water mark) is formed.

本実施形態においては、光洗浄装置80によって、上記基板ステージPSTの上面31、光計測部300、400、500、600の上面、及び基板ホルダPHに紫外光を照射することで、光洗浄効果による付着跡(ウォーターマーク)の除去も期待できる。 In the present embodiment, the optical cleaning device 80, by irradiating the upper surface 31 of the substrate stages PST, the upper surface of the optical measuring sections 300, 400, 500, 600, and ultraviolet light to the substrate holder PH, by optical cleaning effect removal of adhesion trace (water mark) can also be expected.

基板ステージPSTの光洗浄処理を終えた後、制御装置CONTは、その光洗浄された基板ステージPSTに未露光基板Pをロードする。 After completion of the optical cleaning treatment of the substrate stages PST, the control unit CONT loads the unexposed substrate P to the light cleaned substrate stage PST. 基板ホルダPHに不純物(有機物)が付着していたり、付着跡(ウォーターマーク)が形成されていると、それらが異物として作用し、基板ホルダPHで基板Pを良好に吸着保持できなくなったり、あるいは保持した基板Pの平坦度(フラットネス)が劣化し、良好な露光精度及び計測精度を得られない不都合が生じる。 Or adhered impurities (organic matter) is the substrate holder PH, the adhesion trace (water mark) is formed, they act as a foreign substance, or no longer be satisfactorily attracted and held substrate P by the substrate holder PH, or flatness of the held substrate P (flatness) is deteriorated, resulting not inconvenience a good exposure and measurement accuracies. 本実施形態においては、未露光の基板Pを基板ホルダPHで保持する前に、その基板ホルダPHを光洗浄することで、上記不都合の発生を防止することができる。 In the present embodiment, before holding the substrate P unexposed by the substrate holder PH, by the substrate holder PH light washing, it is possible to prevent the occurrence of the above disadvantages.

また、基板Pを露光する前に、上述したように、光計測部300、400、500、600を使った計測処理を行う場合には、その計測処理を行う前に、それら光計測部300、400、500、600を光洗浄することで、付着した不純物(有機物)や付着跡(ウォーターマーク)に起因する計測精度の劣化を防止することができる。 Also, before exposing the substrate P, as described above, when performing the measurement process using the optical measuring sections 300, 400, 500, 600, before performing the measurement process, these optical measuring section 300, 400, 500, 600 by the light wash, it is possible to prevent deterioration of the measurement accuracy due to adhering impurities (organic matter) and the adhesion trace (water mark).

また、上述したように、基板Pのエッジ領域を液浸露光するときは、液浸領域AR2の一部が基板ステージPSTの上面31に配置されるが、液浸露光を行う前に、基板ステージPSTの上面31を光洗浄することで、付着した不純物(有機物)や付着跡(ウォーターマーク)に起因する基板ステージPSTの上面31の液体LQとの接触角の変化や、光計測部300、400、500、600の上面の液体LQとの接触角の変化を防止することができる。 As described above, when the liquid immersion exposure for the edge area of ​​the substrate P, a part of the liquid immersion area AR2 is arranged on the upper surface 31 of the substrate stages PST, before performing the liquid immersion exposure, the substrate stage by optical cleaning the upper surface 31 of the PST, the change in contact angle and the liquid LQ of the upper surface 31 of the substrate stage PST due to adhering impurities (organic matter) and the adhesion trace (water mark), the optical measurement unit 300 and 400 , it is possible to prevent a change in the contact angle between the liquid LQ of the upper surface of 500,600. 例えば、基板ステージPSTの上面31の液体LQとの接触角が変化すると、液浸領域LQの液体LQの圧力が変化し、それに伴って、基板Pや基板ステージPST、投影光学系PLの光学素子2に及ぼす液体LQの力も変化する。 For example, if the contact angle between the liquid LQ of the upper surface 31 of the substrate stage PST is changed, the liquid immersion area LQ of the pressure of the liquid LQ is changed, and accordingly, the substrate P and the substrate stage PST, the optical element of the projection optical system PL the force of the liquid LQ on the 2 also changes. すると、基板Pやその基板Pを支持する基板ステージPSTが変形したり、光学素子2の位置が変動する等の不都合が生じ、露光精度及び計測精度が劣化する可能性がある。 Then, or the substrate stage PST is modified to support the substrate P and the substrate P, inconvenience such as the position of the optical element 2 is varied, the exposure accuracy and the measurement accuracy may be deteriorated. また、基板Pなどに及ぼす液体LQの力が変化すると、液浸領域AR2の液体LQが基板Pの外側に流出したり、液浸領域AR2中に気泡が発生したり、上面31と基板Pのエッジ部との隙間に液体LQが入り込むなどの不都合が発生し易くなる。 Moreover, the force of the liquid LQ on such a substrate P is changed, the liquid immersion area AR2 or flows out to the outside of the liquid LQ substrate P, or air bubbles are generated in the immersion area AR2, the upper surface 31 and the substrate P disadvantages, such as between the liquid LQ from entering the edge portion is likely to occur. 本実施形態においては、液浸露光を行う前に、基板ステージPSTの上面31を光洗浄することで、上面31の液体LQとの接触角の変化を防止し、上記不都合の発生を防止することができる。 In the present embodiment, before performing the liquid immersion exposure, by the upper surface 31 of the substrate stage PST light washing, to prevent a change in contact angle between the liquid LQ of the top surface 31, preventing the occurrence of the inconvenience can.

また、基板ステージPST上などに形成された付着跡(ウォーターマーク)は異物として作用するため、その異物が例えば空中を浮遊して基板P上に付着し、その状態で露光処理が行われると、基板P上のパターン欠陥を招く。 Further, since the adhesion trace formed like on the substrate stage PST (watermark) is acting as a foreign body, and deposited on the substrate P that foreign matter, for example by airborne, the exposure process is performed in this state, causing pattern defects on the substrate P. 本実施形態においては、光洗浄装置80は、付着跡(ウォーターマーク)が基板ステージPST上に形成されないように、紫外光Luを照射しているので、付着跡(ウォーターマーク)の形成を抑制し、上記パターン欠陥などの不都合の発生を防止することができる。 In the present embodiment, the optical cleaning device 80, as the adhesion trace (water mark) is not formed on the substrate stages PST, since irradiated with ultraviolet light Lu, to suppress the formation of the adhesion trace (water mark) , it is possible to prevent the occurrence of inconvenience such as the pattern defect.

本実施形態においては、光洗浄装置80は投影光学系PLに並んだ位置に設けられている。 In the present embodiment, the optical cleaning device 80 is provided arranged in the projection optical system PL position. このような配置にすることにより、露光処理をしていないときは、基板ステージPSTを直ちに光洗浄装置80の直下に移動することができ、光洗浄処理時間の短縮化を図ることができる。 With such an arrangement, when not the exposure processing, it is possible to move immediately just under the optical cleaning device 80 of the substrate stages PST, it is possible to shorten the optical cleaning treatment time.

ところで、光洗浄装置80(光源82)は発熱源となるため、投影光学系PLに近づけすぎると、投影光学系PLの結像特性の変動などを引き起こし、露光精度及び投影光学系PLを介した計測精度を劣化させる。 Incidentally, since the optical cleaning device 80 (light source 82) is a heat generating source, too close to the projection optical system PL, etc. This may cause variation in imaging characteristics of the projection optical system PL, via the exposure accuracy and the projection optical system PL degrade the measurement accuracy. また、光洗浄装置80の光洗浄によって空中に飛散した異物(不純物)が露光精度や計測精度に影響を及ぼすおそれもある。 Also, foreign matter scattered in the air by the optical cleaning of the optical cleaning device 80 (impurity) is also may affect the exposure accuracy and measurement accuracy. したがって、光洗浄装置80は、投影光学系PL(露光光ELの光路)から所定距離だけ離れた位置に設けることが望ましい。 Accordingly, the optical cleaning device 80 is preferably provided from the projection optical system PL (the optical path of the exposure light EL) to a position spaced a predetermined distance.

本実施形態においては、光洗浄装置80は、投影光学系PLに対して空調系KCによって形成される気体(空気)の流れの下流側に設けられた構成となっている。 In the present embodiment, the optical cleaning device 80 has a configuration which is provided on the downstream side of the flow of gas (air) which is formed by the air conditioning system KC with respect to the projection optical system PL. したがって、光洗浄装置80で発生した熱が、投影光学系PL(露光光ELの光路)に伝わることを効果的に防止することができる。 Therefore, heat generated in the optical cleaning device 80 can be effectively prevented from being transmitted to the projection optical system PL (the optical path of the exposure light EL). また、光洗浄装置80による光洗浄によって分解された異物(不純物)が空中に飛散しても、投影光学系PL側へ流れることなく、排気口120から排出することができる。 Also, foreign matters are decomposed by the optical cleaning by the optical cleaning device 80 (impurities) are scattered in the air, without flowing into the projection optical system PL side, it can be discharged from the exhaust port 120.

このように、空調系KCによって形成される気体の流れの方向を考慮して、光洗浄装置80の設置位置を設定することで、光洗浄装置80に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止することができる。 Thus, taking into account the direction of flow of the gas formed by the air conditioning system KC, by setting the installation position of the optical cleaning device 80, preventing the deterioration of the exposure accuracy and the measurement accuracy caused by the optical cleaning device 80 can do.

なお、光洗浄装置80から射出する照射光Luとしては、光洗浄効果を有する照射光であれば、例えばArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などでもよい。 As the irradiation light Lu emitted from the optical cleaning device 80, if the irradiation light having an optical cleaning effect, for example, ArF excimer laser beam (wavelength 193 nm) and F 2 laser beam (wavelength 157 nm) vacuum ultraviolet light ( VUV light) or the like may be used. あるいは、水銀ランプ、重水素ランプなどを用いることもでき、この場合には光洗浄装置80の低コスト化を図ることができる。 Alternatively, a mercury lamp, can also be used as a deuterium lamp, in this case, it is possible to reduce the cost of the optical cleaning device 80.

ところで、上述したように、光洗浄は、酸素による紫外光Luの吸収に基づいて、紫外光Luの照射領域近傍の雰囲気の酸化力を強化し、不純物(有機物)を酸化分解し、その除去を促進させる構成であるが、紫外光Luの照射領域近傍の雰囲気中の酸素は必ずしも必要ではない。 Incidentally, as described above, light cleaning is based on the absorption of the ultraviolet light Lu by oxygen, to enhance the oxidation power of the atmosphere of the irradiation area near the ultraviolet light Lu, oxidative decomposition of impurities (organic matter), its removal a structure to promote, but oxygen in the atmosphere of the irradiation area near the ultraviolet light Lu is not necessarily required. 一方で、酸素は、紫外光Luに対する吸光物質として作用するため、前記雰囲気中の酸素濃度が高すぎると、紫外光Luは十分な光強度で照射されない。 On the other hand, oxygen, to act as a light-absorbing substance to ultraviolet light Lu, when the oxygen concentration in the atmosphere is too high, the ultraviolet light Lu is not irradiated with a sufficient light intensity. したがって、照射する紫外光Luの波長などに応じて、前記雰囲気中の酸素濃度を最適に設定することが望ましい。 Therefore, depending on the wavelength of the ultraviolet light Lu to be irradiated, it is preferable to optimally set the oxygen concentration in the atmosphere.

そこで、制御装置CONTは、紫外光Luの光路を含む空調空間125の酸素濃度を検出器84(84A、84B)を使って検出し、光洗浄するときは、検出器84の検出結果に基づいて、空調空間125のうち、少なくとも紫外光Luの光路を含む空間の酸素濃度を調整するとよい。 Therefore, the control unit CONT detects using the detector 84 the oxygen concentration of the air-conditioned space 125 including the optical path of the ultraviolet light Lu (84A, 84B), when the optical cleaning is based on the detection result of the detector 84 of the air-conditioned space 125, may be adjusted oxygen concentration of the space including the optical path of at least the ultraviolet light Lu. 例えば、検出器84で検出した酸素濃度が、所望濃度に対して低い場合には、制御装置CONTは、空調系KCの給気口115より空調空間125に対して供給する気体に酸素を追加することで、空調空間125の酸素濃度を高くすることができる。 For example, the oxygen concentration detected by the detector 84 is lower with respect to the desired concentration, the control unit CONT, to add oxygen to the gas supplied to the air-conditioned space 125 from the air inlet 115 of the air conditioning system KC it is, it is possible to increase the oxygen concentration of the air-conditioned space 125. 一方、検出器84で検出した酸素濃度が、所望濃度に対して高い場合には、制御装置CONTは、空調系KCの給気口115より空調空間125に対して供給する気体に窒素などの不活性ガスを追加することで、空調空間125の酸素濃度を低くすることができる。 On the other hand, the oxygen concentration detected by the detector 84, is higher with respect to the desired concentration, the control unit CONT, the more air inlets 115 of the air conditioning system KC such as nitrogen to the gas supplied to the air-conditioned space 125 not by adding an active gas, it is possible to lower the oxygen concentration of the air-conditioned space 125.
空調空間125の気体は、排気口120より回収される。 Gas air-conditioned space 125 is recovered from the exhaust port 120.

<第2の実施形態> <Second Embodiment>
図5は本発明の第2の実施形態を示す概略構成図である。 Figure 5 is a schematic diagram showing a second embodiment of the present invention. ここで、以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。 In the following description, the same reference numerals are given to identical or similar to those in the embodiments described above, explanations thereof are therefore abbreviated or omitted.

上述したように、光洗浄装置80(光源82)は発熱源となるため、図5に示すように、空調空間125の外側に配置するようにしてもよい。 As described above, since the optical cleaning device 80 (light source 82) is made of a heat source, as shown in FIG. 5, it may be arranged outside the air-conditioned space 125. こうすることにより、光洗浄装置80で発生した熱が、投影光学系PL(露光光ELの光路)に伝わることを更に効果的に防止することができる。 By doing so, heat generated in the optical cleaning device 80, from being transmitted to the projection optical system PL (the optical path of the exposure light EL) can be further effectively prevented. 図5において、光洗浄装置80はメインコラム4の上面4Aに設けられており、空調空間125よりも外側に配置されている。 5, the optical cleaning device 80 is provided on the upper surface 4A of the main column 4, it is arranged outside the air-conditioned space 125. メインコラム4の上壁の一部には、紫外光Luを透過可能な透過窓83が設けられており、光洗浄装置80は透過窓83の上に設けられている。 Some of the upper wall of the main column 4 is permeable transmission window 83 is provided to the ultraviolet light Lu, optical cleaning device 80 is provided on the transmission window 83. 透過窓83は、例えば石英ガラスや蛍石、あるいはフッ化マグネシウムなど、紫外光Luに対して吸収の少ない材料で構成されている。 Transmissive window 83, for example, quartz glass or fluorite, or magnesium fluoride, and a absorption of less material to ultraviolet light Lu. 光洗浄装置80は下方に向けて紫外光Luを射出する。 Optical cleaning device 80 emits the ultraviolet light Lu downward. 光洗浄装置80より射出された紫外光Luは、透過窓83を通過した後、光洗浄装置80及び透過窓83の直下に配置されている基板ステージPST上に照射される。 The emitted ultraviolet light Lu from the optical cleaning device 80 is passed through the transmission window 83 and irradiated onto the substrate stage PST, which is disposed immediately below the optical cleaning device 80 and a transmission window 83.

また、図5に示す実施形態においては、光洗浄装置80を空調空間125の外側に配置しているため、空調系KCによって形成される空調空間125における気体の流れ方の設計に対する自由度を広げることができる。 Further, in the embodiment shown in FIG. 5, since the light cleaning device 80 arranged outside the air-conditioned space 125, more freedom for the gas flow direction of the design in the air-conditioned space 125 formed by the air conditioning system KC be able to.

<第3の実施形態> <Third Embodiment>
図6は第3の実施形態を示す図である。 6 is a diagram showing a third embodiment. 図6において、光洗浄装置80は、空調空間125の外側に配置され、紫外光Luを射出する光源82と、光源82から射出された紫外光Luを空調空間125の内部に配置された基板ステージPST上に導く光学系86とを備えている。 6, the optical cleaning device 80, the air-conditioning is arranged outside the space 125, a light source 82 for emitting ultraviolet light Lu, disposed inside the substrate stage of the air-conditioned space 125 The emitted ultraviolet light Lu from the light source 82 and an optical system 86 for guiding on the PST. 光学系86は、メインコラム4の+X側の側壁の一部に設けられ、紫外光Luを透過可能な透過窓83と、空調空間125の内側に配置され、透過窓83を通過した紫外光Luの光路を折り曲げる反射ミラー85とを備えている。 Optics 86 is provided on a portion of the side wall of the + X side of the main column 4, and can transmit transmission window 83 with ultraviolet light Lu, is arranged inside the air-conditioned space 125, the ultraviolet light Lu that has passed through the transmission window 83 and a reflecting mirror 85 for bending the optical path. 透過窓83は、上述同様、例えば石英ガラスや蛍石、あるいはフッ化マグネシウムなど、紫外光Luに対して吸収の少ない材料で構成されている。 Transmissive window 83, the same manner as described above, for example, quartz glass or fluorite, or magnesium fluoride, and a absorption of less material to ultraviolet light Lu. 光源82はハウジング81に収容された状態で、メインコラム4の+X側の外側において、透過窓83の近くに配置されている。 Light source 82 is in a state of being accommodated in the housing 81, the outside of the + X side of the main column 4 is disposed close to the transmission window 83. 光源82から射出された紫外光Luは、透過窓83を通過した後、反射ミラー85で反射し、基板ステージPSTに照射される。 Ultraviolet light Lu emitted from the light source 82, after passing through the transmission window 83, is reflected by the reflection mirror 85 is irradiated to the substrate stage PST. なお、反射ミラー85は、凸面であっても凹面であってもよい。 The reflecting mirror 85 may be concave even convex. 反射ミラー85を凸面にすることにより、基板ステージPSTの広い領域を紫外光Luで一括して照射することができる。 The reflection mirror 85 by the convex, a large area of ​​the substrate stage PST can be irradiated at once with the ultraviolet light Lu. 一方、反射ミラー85を凹面にすることにより、光源82から射出された紫外光Luを反射ミラー85で集光した後、基板ステージPSTに照射することができる。 On the other hand, by the reflecting mirror 85 to the concave surface, after condensing the emitted ultraviolet light Lu from the light source 82 by the reflecting mirror 85 can be irradiated to the substrate stage PST. また、反射ミラー85を移動可能(揺動可能)に設け、その反射ミラー85を動かすことで、反射ミラー85で反射した紫外光Luを基板ステージPSTの所望位置に照射することができる。 Further, the reflecting mirror 85 can be moved provided (swingably), can be irradiated by moving the reflecting mirror 85, the ultraviolet light Lu reflected by the reflecting mirror 85 to a desired position of the substrate stage PST. なお、反射ミラー85に代えてあるいは反射ミラー85に加えて、紫外光Luを偏向または集光させるレンズやプリズムなどの光学素子を用いても良い。 Instead of the reflecting mirror 85 or in addition to the reflection mirror 85 may be used optical elements such as lenses and prisms for deflecting or converging the ultraviolet light Lu.

図6に示した実施形態においても、発熱源となる光源82は、空調空間125の外側に配置されているので、光洗浄装置80の光源82で発生した熱が、投影光学系PL(露光光ELの光路)に伝わることを更に効果的に防止することができる。 Also in the embodiment shown in FIG. 6, a light source 82 serving as a heating source, because it is located outside the conditioned space 125, the heat generated by the light source 82 of the optical cleaning device 80, the projection optical system PL (exposure light from being transmitted to the optical path) of the EL can be further effectively prevented.

また、図6に示す実施形態においても、光洗浄装置80の光源82を空調空間125の外側に配置しているため、空調系KCによって形成される空調空間125における気体の流れ方の設計に対する自由度を広げることができる。 Also in the embodiment shown in FIG. 6, since the light source 82 of the optical cleaning device 80 is disposed outside the air-conditioned space 125, free for the gas flow direction of the design in the air-conditioned space 125 formed by the air conditioning system KC degree can be widened. 例えば、図6に示す実施形態においては、空調空間125に対して気体を供給する給気口115(115A、115B)は2つ設けられており、メインコラム4の上壁に設けられている。 For example, in the embodiment shown in Figure 6, air inlet 115 (115A, 115B) for supplying the gas against the air-conditioned space 125 is provided two, are provided on the upper wall of the main column 4. なお、上述した実施形態同様、給気口115A、115Bのそれぞれにはフィルタユニット118(118A、118B)が設けられている。 As in the embodiment described above, the air supply port 115A, the filter unit 118 to each of 115B (118A, 118B) are provided. 本実施形態においては、空調系KCは、給気口118A、118Bより空調空間125に対して縦方向、本実施形態では−Z方向に気体を供給する。 In the present embodiment, the air conditioning system KC is the air supply port 118A, the vertical direction relative to the air-conditioned space 125 from 118B, supplies gas to the -Z direction in the present embodiment. また、メインコラム4の+X側及び−X側それぞれの側壁の下部には、空調空間125の気体を排気する排気口120(120A、120B)が設けられている。 Further, the bottom of the + X side and -X side respective side walls of the main column 4, exhaust port 120 (120A, 120B) for exhausting gas in the air-conditioned space 125 is provided.

なお、図4〜6に示した例(第1〜第3実施形態)では基板ステージPSTを投影光学系PLの下方の位置からX方向に所定位置まで移動させ、所定位置にて紫外光Luを基板ステージPSTに照射していた。 Note that moving the examples (first to third embodiments), the substrate stage PST shown in Figures 4-6 from a position below the projection optical system PL in the X direction to a predetermined position, the ultraviolet light Lu at a predetermined position It was irradiated to the substrate stage PST. しかし、これに限らず、基板ステージPSTを投影光学系PLの下方の位置に維持したまま、図6に示したような反射鏡やその他の光学部材を用いて紫外光Luを投影光学系PLの下方に位置する基板ステージPSTに導いても良い。 However, not limited thereto, while maintaining the substrate stage PST at a position below the projection optical system PL, the projection optical system PL ultraviolet light Lu with a reflecting mirror or other optical element as shown in FIG. 6 it may be led to the substrate stage PST to be positioned below.

また、図4〜6に示した例(第1〜第3実施形態)空調系KCによって、空調空間125内の酸素濃度が光洗浄可能な状態に維持される場合には、検出器84を省略して、検出器84の検出結果に基づく酸素濃度の調整を積極的に行わなくてもよい。 Further, when the example (first to third embodiments) conditioning system KC shown in FIGS. 4-6, the oxygen concentration of the conditioned space 125 is maintained in light washable states omitted detector 84 and it may not actively perform adjustment of the oxygen concentration based on the detection result of the detector 84.

ここで、図2などを参照して説明した第1の実施形態においては、空調空間125における気体の流れは横方向なので、その気体の流れる距離が長くなり、上流部と下流部とで温度差が生じる可能性が高くなる。 Here, in the first embodiment described with reference to FIG. 2 etc., since the flow of gas in the air-conditioned space 125 transverse, the temperature difference between the distance of the flow of the gas is increased, an upstream portion and a downstream portion It is more likely to occur. したがって、レーザ干渉計56の計測ビームの照射方向に関して温度分布が生じることとなり、計測ビームの光路が変動する可能性が高くなり、その結果、レーザ干渉計56による基板ステージPSTの位置計測精度が低下するおそれもある。 Accordingly, it is the temperature distribution with respect to the irradiation direction of the laser interferometer 56 for measuring the beam occurs, the optical path is more likely to change in the measurement beam, as a result, lowering the position measuring accuracy of the substrate stage PST by the laser interferometer 56 fear there to be. 一方、図6に示した第3の実施形態においては、空調空間125における気体の流れの方向が縦方向なので、その気体の流れる距離を短くすることができ、上流部と下流部とで温度差が生じる不都合を抑えることができる。 On the other hand, in the third embodiment shown in FIG. 6, the direction of flow of the gas in the air-conditioned space 125 is longitudinally temperature difference between the distance of the flow of gas can be shortened, the upstream portion and a downstream portion it is possible to suppress the inconvenience that may occur. また、気体の流れの方向はレーザ干渉計56の計測ビームの照射方向とほぼ直交するため、計測ビームの照射方向に関して温度分布が生じる不都合を抑えることができる。 The direction of the gas flow to substantially perpendicular to the irradiation direction of the measurement beam of the laser interferometer 56 can be suppressed a disadvantage that the temperature distribution occurs with respect to the irradiation direction of the measurement beam. したがって、レーザ干渉計56による基板ステージPSTの位置計測精度を維持することができる。 Therefore, it is possible to maintain the position measurement accuracy of the substrate stage PST by the laser interferometer 56.

<第4の実施形態> <Fourth Embodiment>
次に、第4の実施形態について図7を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 7, a fourth embodiment. 上述した第1〜第3の実施形態のように、空調空間125全体の酸素濃度を空調系KCを使って調整する構成では、空調空間125全体を所望の酸素濃度に置換するまでに時間がかかる可能性がある。 As in the first to third embodiments described above, in the structure for adjusting the air-conditioned space 125 overall oxygen concentration with the air-conditioning system KC, time consuming the entire air-conditioned space 125 before replacement to the desired oxygen concentration there is a possibility. そこで、図7に示すように、光洗浄装置80は、基板ステージPSTのうち紫外光Luが照射される照射領域近傍に対して所定の気体を供給する気体供給系87と、気体を吸引回収する気体回収系88とを備えた構成とするとよい。 Therefore, as shown in FIG. 7, the optical cleaning device 80 includes a gas supply system 87 for supplying a predetermined gas to the irradiation region near the ultraviolet light Lu is irradiated out of the substrate stages PST, sucks recovered gas it may be configured to include a gas recovery system 88. 気体供給系87の供給口87A及び気体回収系88の回収口88Aは、基板ステージPSTの近傍に設けられ、基板ステージPSTを挟んで互いに対向するように配置されている。 Recovery port 88A of the supply port 87A and the gas recovery system 88 of the gas supply system 87 is provided in the vicinity of the substrate stages PST, are arranged so as to face each other across the substrate stage PST.

制御装置CONTは、紫外光Luの光路を含む空調空間125の酸素濃度を検出器84(84A、84B)を使って検出し、光洗浄するときは、検出器84の検出結果に基づいて、気体供給系87より供給する気体成分(酸素濃度)を調整する。 The control unit CONT detects using the detector 84 (84A, 84B) the oxygen concentration of the air-conditioned space 125 including the optical path of the ultraviolet light Lu, when the optical cleaning is based on the detection result of the detector 84, the gas gas components supplied from the supply system 87 (the oxygen concentration) adjusted. 例えば、検出器84で検出した酸素濃度が、所望濃度に対して低い場合には、制御装置CONTは、気体供給系87より前記照射領域に対して供給する気体に酸素を追加することで、前記照射領域近傍の酸素濃度を高くすることができる。 For example, the oxygen concentration detected by the detector 84 is lower with respect to the desired concentration, the control unit CONT, by adding oxygen to the gas supplied to the irradiation area from the gas supply system 87, the it is possible to increase the oxygen concentration in the irradiation region near. 一方、検出器84で検出した酸素濃度が、所望濃度に対して高い場合には、制御装置CONTは、気体供給系87より前記照射領域に対して供給する気体に窒素などの不活性ガスを追加することで、前記照射領域近傍の酸素濃度を低くすることができる。 On the other hand, the oxygen concentration detected by the detector 84 is higher with respect to the desired concentration, the control unit CONT, adding an inert gas such as nitrogen gas supplied to the irradiation area from the gas supply system 87 doing, it is possible to lower the oxygen concentration of the irradiation region near.

このような構成とすることにより、光洗浄対象領域(紫外光Luの照射領域)近傍の比較的小さい空間のみを光洗浄に適した環境に迅速に設定することができ、光洗浄処理時間を短くすることができる。 With such a configuration, only a relatively small space in the vicinity (the irradiation area of ​​the ultraviolet light Lu) optical cleaned area environment suitable for optical cleaning can be set quickly, shortening the optical cleaning treatment time can do. また、図7に示した実施形態においては、紫外光Luの照射領域近傍に気体回収系88の回収口88Aが設けられているので、基板ステージPST上などから異物が発生した場合でも、その異物を吸引回収することができる。 Further, in the embodiment shown in FIG. 7, in the vicinity irradiation area of ​​the ultraviolet light Lu since recovery port 88A of the gas recovery system 88 is provided, even if foreign matter or the like on the substrate stage PST is generated, the foreign matter it can be sucked recover. 例えば、基板ステージPSTを光洗浄したとき、その基板ステージPSTに付着している有機物が気化して浮遊する場合があるが、その気化した有機物を気体回収系88で迅速に回収することで、空調空間125の清浄度を維持することができる。 For example, when the optical cleaning the substrate stage PST, there is a case where an organic substance adhering to the substrate stage PST to float vaporizes, by rapidly recovering the vaporized organic material in the gas recovery system 88, the air-conditioning it is possible to maintain the cleanliness of the space 125. また、気体供給系87は、オゾンガスのような酸化促進ガス(光洗浄促進ガス)を供給することも可能である。 Further, the gas supply system 87, it is also possible to supply the oxidation promoting gas such as ozone gas (optical cleaning promoting gas). こうすることにより、光洗浄対象領域(紫外光Luの照射領域)近傍の空間(雰囲気)をオゾンガスで満たすことができ、酸化力の強化された雰囲気下で、基板ステージPST上に付着した不純物(有機物)を紫外光Luにより酸化分解して光洗浄することができる。 By doing so, the optical cleaning target region near the space (the irradiation area of ​​the ultraviolet light Lu) (atmosphere) can be filled with ozone gas, in an atmosphere which is enhanced in oxidizing power, was deposited on the substrate stage PST impurities ( the organics) oxidizing decomposition by ultraviolet light Lu can be optically cleaned.

<第5の実施形態> <Fifth Embodiment>
次に、第5の実施形態について図8を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 8, a fifth embodiment. 図8に示す光洗浄装置80は、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち最も像面側の光学素子2、及びノズル部材70に紫外光Luを照射し、光洗浄する。 Optical cleaning device 80 shown in FIG. 8, is irradiated with ultraviolet light Lu most optical element 2 of the image plane side, and the nozzle member 70 in the plurality of optical elements constituting the projection optical system PL, light wash. 光学素子2及びノズル部材70は、液浸領域AR2の液体LQに接触する部材であって、光洗浄装置80は、光学素子2及びノズル部材70のうち液浸領域AR2の液体LQに接触する液体接触面2A、70Aに少なくとも紫外光Luを照射する。 The optical element 2 and the nozzle member 70 is a member that contacts the liquid LQ of the liquid immersion area AR2, the optical cleaning device 80, the liquid in contact with the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 of the optical element 2 and the nozzle member 70 contact surface 2A, irradiating at least the ultraviolet light Lu to 70A. 光洗浄装置80は、基板ステージPSTのうち、基板ホルダPH、基準部材、光計測部以外の所定位置に設けられている。 Optical cleaning device 80, of the substrate stages PST, the substrate holder PH, the reference member is provided at a predetermined position other than the optical measuring unit. 光洗浄装置80の光源82は基板ステージPSTの所定位置に設けられた凹部59の内側に設けられており、その凹部59の開口は、紫外光Luを透過可能な透過窓83で塞がれている。 Light source 82 of the optical cleaning device 80 is provided inside the recess 59 provided at a predetermined position of the substrate stages PST, opening of the recess 59 is blocked to the ultraviolet light Lu capable of transmitting a transmission window 83 there. 光洗浄装置80の光源82は、上方に向けて紫外光Luを射出する。 Light source 82 of the optical cleaning device 80 emits ultraviolet light Lu upward. 光源82から射出された紫外光Luは、透過窓83を通過した後、光学素子2及びノズル部材70を照射する。 Ultraviolet light Lu emitted from the light source 82, after passing through the transmission window 83 to illuminate the optical element 2 and the nozzle member 70.

また、図8においては、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aの汚染を検出する検出装置90が設けられている。 Further, in FIG. 8, the detection device 90 for detecting the contamination of the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 is provided. 検出装置90は、下面2A、70Aに付着している不純物(有機物)を検出可能である。 Detector 90 can detect impurities (organic matter) adhering the lower surface 2A, the 70A. また、ここでいう不純物は、上述同様、液体LQの付着跡(ウォーターマーク)や、基板Pの感光剤(フォトレジスト)から発生した異物(感光剤の破片や感光剤に含まれる電解質の析出物等)を含む。 The impurity here, the same manner as described above, the liquid LQ of the adhesion trace (water mark) and the substrate P in the photosensitive agent (photoresist) electrolyte precipitates contained in debris and photosensitive agent of the generated foreign substance (sensitizer from including etc.). なお、以下の説明では、光学素子2の下面2Aの汚染(異物)を検出する場合について説明するが、ノズル部材70の下面70Aの汚染(異物)を検出する場合も、同様の手順で検出可能である。 In the following description, there will be described a case of detecting the contamination of the lower surface 2A of the optical element 2 (foreign matter) even when detecting the contamination of the lower surface 70A of the nozzle member 70 (foreign matter) can be detected by the same procedure it is.

図8において、検出装置90は、基板ステージPST(Zステージ52)上に設けられ、投影光学系PLの光学素子2の下面2A(又はノズル部材70の下面70A)に対して斜め下方から所定の検出光を照射する発光部91と、光学素子2の下面2Aと発光部91とを結ぶ光路上に配置された分岐ミラー93と、基板ステージPST上に設けられ、発光部91からの照射に基づく光学素子2の下面2Aからの反射光を受光するための第1受光部92と、基板ステージPSTの上方位置に配置され、発光部91からの照射に基づく分岐ミラー93からの分岐光を受光するための第2受光部94とを備えている。 8, the detection device 90 is provided on the substrate stage PST (Z stage 52), the lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL (or the nozzle member 70 the lower surface 70A) of a predetermined obliquely from below with respect to a light emitting unit 91 for the detection light, a splitting mirror 93 arranged on an optical path connecting the lower surface 2A of the optical element 2 and the light emitting portion 91, provided on the substrate stages PST, based on the radiation from the light emitting portion 91 a first light receiving portion 92 for receiving reflected light from the lower surface 2A of the optical element 2, is disposed above the substrate stages PST, receives the branched light from the branching mirror 93 based on the radiation from the light emitting portion 91 and a second light receiving portion 94 for. 検出装置90を構成する発光部91及び第1受光部92等は、基板ステージPST上のうち基板ホルダPHや基準部材、光計測部以外の位置に設けられている。 Emitting portion 91 and the first light receiving unit 92 or the like constituting the detecting device 90, the substrate holder PH and the reference member of the substrate stages PST, is provided at a position other than the optical measuring unit. そして、第1、第2受光部92、94の受光結果は、制御装置CONTへ出力される。 Then, first, the light receiving result of the second light receiving portion 92, 94 is output to the control unit CONT. 制御装置CONTは、第1、第2受光部92、94の受光結果に基づいて、光学素子2の下面2Aの光反射率を求め、その求めた光反射率と、予め記憶している所定反射率とを比較し、その比較した結果に基づいて、光学素子2の下面2Aの汚染(汚染度)を検出(測定)する。 The control unit CONT, the first, based on the light reception result of the second light receiving section 92 obtains the light reflectance of the lower surface 2A of the optical element 2, and the determined light reflectance, predetermined reflection stored in advance comparing the rate, based on the result of the comparison, contamination of the lower surface 2A of the optical element 2 (contamination level) detection (measurement) to. つまり、光学素子2に異物が付着していれば、この異物に起因して散乱光が生じて反射率が変化し、第1受光部92で受光される受光量が変化する。 That is, if the adhered foreign matter on the optical element 2, the foreign substance due scattered light reflectance changes occurring, the received light amount received by the first light receiving portion 92 is changed. 制御装置CONTは、光学素子2の下面2Aが光学特性に影響を与えるほど汚染されていないと想定される本装置完成時及び/または前回の光洗浄後に測定された光学素子2の下面2Aの光反射率を所定反射率として予め記憶している。 The control unit CONT light enough contaminated during the device completed is assumed not to, and / or last of the lower surface 2A of the optical element 2, which is measured after the optical cleaning underside 2A of the optical element 2 affects the optical properties stores in advance the reflectance as a predetermined reflectance.

光学素子2の汚染を検出するとき、制御装置CONTは、基板ステージPSTを移動して検出装置90を投影光学系PLの下に配置する。 When detecting the contamination of the optical element 2, the control unit CONT arranges the detecting device 90 moves the substrate stage PST under the projection optical system PL. そして、発光部91から所定の検出光が照射されると、その検出光のうち分岐ミラー93を透過した検出光は光学素子2の下面2Aを照射した後この下面2Aで反射し、その反射光は第1受光部92により受光される。 When the predetermined detection light from the light emitting unit 91 is emitted, the detection light transmitted through the splitting mirror 93 of the detection light is reflected by the lower surface 2A after irradiation with the lower surface 2A of the optical element 2, the reflected light It is received by the first light receiving portion 92. 一方、分岐ミラー93により分岐された検出光(分岐光)は光学素子2の下面2Aに至ることなく第2受光部94により受光される。 On the other hand, the detection light (branched light) split by the splitting mirror 93 is received by the second light receiving section 94 without reaching the lower surface 2A of the optical element 2. そして、両受光部92、94の受光結果が制御装置CONTに出力される。 Then, the light receiving results of both the light receiving portion 92, 94 is output to the control unit CONT. 制御装置CONTは、第1受光部92の受光結果と第2受光部94の受光結果とに基づいて光学素子2の下面2Aの光反射率を求め、その求めた光反射率が上記所定反射率に対して許容値以上であるか否かを求める。 The control unit CONT, the light receiving result and reception result sought light reflectance of the lower surface 2A of the optical element 2 based on the, the determined light reflectance above a predetermined reflectivity of the second light receiving portion 94 of the first light receiving portion 92 determining whether a more tolerance against. すなわち、求めた光反射率が上記所定反射率に対して許容値未満である場合、制御装置CONTは、光学素子2の下面2Aは汚染されていないと判断する。 That is, when the determined light reflectance is less than the allowable value for the predetermined reflectance, the control unit CONT, the lower surface 2A of the optical element 2 is judged not to be contaminated. 一方、求めた光反射率が上記所定反射率に対して許容値以上である場合、制御装置CONTは、光学素子2の下面2Aは汚染されていると判断する。 On the other hand, if the determined light reflectance is allowable value or more with respect to the predetermined reflectance, the control unit CONT, the lower surface 2A of the optical element 2 is determined to be contaminated.

制御装置CONTは、検出装置90の検出結果に基づいて、光洗浄装置80の動作を制御する。 The control unit CONT based on the detection result of the detector 90, controls the operation of the optical cleaning device 80. 具体的には、検出装置90の検出結果に基づいて、光学素子2の下面2Aが汚染されていないと判断した場合、制御装置CONTは、光洗浄装置80による光洗浄処理を行わず、露光動作を継続する。 Specifically, based on a detection result of the detection device 90, when the lower surface 2A of the optical element 2 is determined not to be contaminated, the control unit CONT does not perform the optical cleaning treatment by the optical cleaning device 80, an exposure operation It is continued. こうすることにより、不必要な光洗浄処理を行うことが無くなるので、スループット(露光装置の稼働率)を向上することができる。 By doing so, since it is unnecessary to perform unnecessary optical cleaning treatment, it is possible to improve the throughput (operation rate of the exposure apparatus). 一方、検出装置90の検出結果に基づいて、光学素子2の下面2Aが汚染されていると判断した場合、制御装置CONTは、光洗浄装置80による光洗浄処理を行う。 On the other hand, based on the detection result of the detection device 90, when the lower surface 2A of the optical element 2 is determined to be contaminated, the control unit CONT performs the optical cleaning treatment by the optical cleaning device 80. 投影光学系PLの光学素子2の下面2Aが汚染され、液体の付着跡などが形成されてしまうと、投影光学系PLを通過する露光光や計測光の照射量や照度分布が変化するなどして、露光精度や計測精度が劣化する可能性がある。 The lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL is contaminated, the like adhesion trace of the liquid will be formed, and such dose and intensity distribution of the exposure light and the measurement light passing through the projection optical system PL changes Te, it is possible that the exposure accuracy and measurement accuracy is deteriorated. 本実施形態においては、光洗浄装置80を使って光学素子2の下面2Aを光洗浄処理しているので、汚染された状態の光学素子2を使って露光処理や計測処理を行ってしまうといった不都合の発生を防止することができる。 In this embodiment, disadvantage since the optical cleaning treatment of the lower surface 2A of the optical element 2 with the optical cleaning device 80, thereby performing an exposure process and measurement process using the optical element 2 of the contaminated state it is possible to prevent the occurrence. また、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aを光洗浄装置80を用いて光洗浄処理を行うことで、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aの親液性(液体LQの接触角が20度以下)を維持することができ、光学素子2及びノズル部材70と、基板ステージPST(基板P)との間で液体LQを良好に保持し続けることができる。 Further, by performing the optical cleaning treatment by using a light cleaning device 80 to the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2, lyophilic lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 (liquid contact angle of the LQ is able to maintain more than 20 degrees), can be an optical element 2 and the nozzle member 70, it continues to satisfactorily retain the liquid LQ between the substrate stage PST (substrate P). また、ノズル部材70の供給口12、回収口22に付着した汚染物(異物)も除去することができるので、光学素子2の像面側の光路空間への液体の供給及び回収が安定的に行われ、液体LQの液浸領域AR2を良好に維持することができる。 The supply port 12 of the nozzle member 70, since the contaminants adhered to the recovery port 22 (foreign matter) can be removed, the supply of liquid to the optical path space on the image plane side of the optical element 2 and the recovery is stably performed, the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 can be satisfactorily maintained.

なお、本実施形態において、光洗浄装置80を使って光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aを光洗浄するときに、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aと光洗浄装置80との間を液体LQで満たしてもよい。 In the present embodiment, when the optical cleaning the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 with the optical cleaning device 80, the lower surface 70A and a light cleaning of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 between the device 80 may be filled with the liquid LQ. この場合、液体供給装置10の供給動作と液体回収装置20の回収動作を行わなくても、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aと光洗浄装置80との間を液体LQで満たし続けることも可能であるが、液体の供給動作と回収動作を実行しながら光洗浄することによって、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aから除去された不純物(汚染物)を液体LQと一緒に回収することができる。 In this case, even without recovery operation of the supply operation and the liquid recovery unit 20 of the liquid supply apparatus 10 to fill the space between the lower 70A and the light cleaning device 80 of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 in the liquid LQ it is also possible to continue by optical cleaning while performing supply operation and recovery operation of the liquid, the lower surface 2A and impurities (contaminants), which is removed from the lower surface 70A of the nozzle member 70 of the optical element 2 of the liquid LQ it can be recovered with.

なお、光学素子2の下面2Aの汚染を検出するために、検出装置90として、マスクアライメント系360を用いることもできる。 In order to detect the contamination of the lower surface 2A of the optical element 2, as the detection device 90, it is also possible to use a mask alignment system 360. また、基板ステージPST上に配置されている光計測部を使って、投影光学系PLの露光光の透過率変化から光学素子2の下面2Aの汚染状態を判断するようにしてもよい。 Further, by using the optical measuring sections which are arranged on a substrate stages PST, it may be determined contamination state of the lower surface 2A of the optical element 2 from the transmittance change of the exposure light of the projection optical system PL. あるいは、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの下方に観察系(カメラなど)を対向させて、その観察系を使って、光学素子2の下面2Aおよびノズル部材70の下面70Aの光洗浄を実行するか否かを判断するようにしてもよい。 Alternatively, so as to face the observation system below the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 (such as a camera), with the observation system, the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 it may be determined whether to perform the optical cleaning. また、図8を用いて説明した第5実施形態においては、検出装置90を使って光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの汚染状態を確認してから、光洗浄装置80による光洗浄処理を行うようにしているが、検出装置90を省いて、例えば、所定時間毎、あるいは所定枚数の基板処理毎に光洗浄処理を行うこともできる。 Further, in the fifth embodiment described with reference to FIG. 8, after checking the contamination state of the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 with the detector 90, light from the optical cleaning device 80 Although to perform the cleaning process, omitting the detector 90, for example, it is also possible to perform optical cleaning treatment for each substrate processing every predetermined time, or a predetermined number of sheets.

また、第5実施形態においては、光学素子2の下面2Aおよびノズル部材70の下面70Aの両方を光洗浄しているが、どちらか一方を行うだけでもよい。 In the fifth embodiment, both the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 has been optical cleaning may only perform either.

<第6の実施形態> <Sixth Embodiment>
次に、第6の実施形態について図9を参照しながら説明する。 Will be described below with reference to FIG sixth embodiment. 上述した第1〜第5の各実施形態においては、露光装置EXS(露光装置本体EX)は、1つの基板ステージPSTを備えた構成であるが、本発明の光洗浄装置80は、特開平11−135400号公報に開示されているような、2つのステージを備えた露光装置にも適用可能である。 In each embodiment of the first to fifth mentioned above, the exposure apparatus EXS (exposure apparatus main body EX) is a configuration in which one substrate stages PST, optical cleaning device 80 of the present invention, JP-A-11 -135400 Patent as disclosed in Japanese, is also applicable to an exposure apparatus provided with two stages.

図9に示す露光装置本体EXは、基板Pを保持する基板ホルダPHを有し、基板Pを保持した状態で移動可能な基板ステージPST1と、基板ステージPST1に並ぶ位置に設けられ、上述した光計測部300、400、500、600を備えた計測ステージPST2とを備えている。 The exposure apparatus main body EX shown in FIG. 9 has a substrate holder PH which holds the substrate P, the substrate stage PST1 which is movable while holding the substrate P, is provided in a position arranged in the substrate stage PST1, light above and a measurement stage PST2 with a measuring section 300, 400, 500, 600. 本実施形態においては、基板ステージPST1には基準部材(計測部材)及び光計測部は設けられていない。 In the present embodiment, the substrate stage PST1 is not provided with a reference member (measuring member) and an optical measurement unit. また計測ステージPST2は計測専用のステージであって基板Pを保持しない。 The measuring stage PST2 does not hold the substrate P by a dedicated stage measurement. 基板ステージPST1及び計測ステージPST2は、リニアモータ等を含むステージ駆動装置をそれぞれ有しており、XY平面内で互いに独立して2次元移動可能となっている。 The substrate stage PST1 and the measuring stage PST2 has a stage driving device including a linear motor or the like, respectively, and has a two-dimensional movable independently of each other in the XY plane. また、基板ステージPST1及び計測ステージPST2のXY方向の位置は、レーザ干渉計によって計測される。 Further, XY direction position of the substrate stage PST1 and the measuring stage PST2 is measured by a laser interferometer.

各種計測処理を行う場合には、計測ステージPST2が投影光学系PLの下に配置され、その計測ステージPST2上に液体LQの液浸領域AR2が形成される。 When performing various measurement processing, the measurement stage PST2 is disposed under the projection optical system PL, the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ on the measuring stage PST2 is formed. そして、その液浸領域AR2の液体LQを介して、光計測部300、400、500、600を使った計測処理が行われる。 Then, through the liquid LQ of the liquid immersion area AR2, measurement process using the optical measuring sections 300, 400, 500, 600 is performed. 計測ステージPST2を使った計測処理を行っている間、基板ステージPST1には未露光基板Pがロードされる。 While performing the measurement process using the measurement stage PST2, the substrate stage PST1 unexposed substrate P is loaded.

そして、上記計測処理を終えた後、制御装置CONTは、計測ステージPST2上に形成されている液体LQの液浸領域AR2を、基板Pを支持している基板ステージPST1上に移動する。 Then, after finishing the measurement process, the control unit CONT, the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ formed on the measuring stage PST2, moved on the substrate stage PST1 supporting the substrate P. 液浸領域AR2を計測ステージPST2から基板ステージPST1上に移動する場合には、制御装置CONTは、例えば計測ステージPST2と基板ステージPST1との間から液体LQが漏出しない程度に互いを近接させた状態で、投影光学系PLの像面側に形成されている液浸領域AR2に対して計測ステージPST2と基板ステージPST1とを一緒に移動する。 State when moving the liquid immersion area AR2 from the measuring stage PST2 on the substrate stage PST1, the control unit CONT, for example, the liquid LQ from the space between the measurement stage PST2 and the substrate stage PST1 is brought close to each other so as not to leak in, move together with the measurement stage PST2 and the substrate stage PST1 to the immersion area AR2 formed on the image plane side of the projection optical system PL. そして、基板ステージPST1上に液浸領域AR2を移動した後、制御装置CONTは、上記計測ステージPST2を使って計測した計測結果に基づいて、基板Pのアライメント処理や、投影光学系PLの結像特性調整(キャリブレーション)処理を行った後、基板ステージPST1上の基板Pを液浸露光する。 Then, after moving the liquid immersion area AR2 on the substrate stage PST1, the control unit CONT based on the measurement result measured using the measuring stage PST2, the alignment processing of the substrate P, the imaging of the projection optical system PL after adjusting the characteristics (calibration) process, immersion exposure of the substrate P on the substrate stage PST1.

このように、図9に示す実施形態においては、基板ステージPST1上及び計測ステージPST2上の双方に液体LQの液浸領域AR2が形成されるため、それら基板ステージPST1の上面及び計測ステージPST2の上面のそれぞれに、不純物(有機物)が付着したり、液体LQの付着跡(ウォーターマーク)が形成される可能性があるが、第1〜第4の実施形態で説明したような光洗浄装置80を用いて、基板ステージPST1や計測ステージPST2の光洗浄を行うことができる。 Thus, in the embodiment shown in FIG. 9, since the liquid immersion area AR2 of the liquid LQ on the both on the upper substrate stage PST1 and the measuring stage PST2 is formed, the upper surface and the upper surface of the measuring stage PST2 their substrate stage PST1 of each, or to adhere impurities (organic matter) is, there is a possibility that the liquid LQ of the adhesion trace (water mark) is formed, a light cleaning apparatus 80 as described in the first to fourth embodiments using, it is possible to perform optical cleaning of the substrate stage PST1 and the measuring stage PST2. 例えば、制御装置CONTは、所定時間間隔毎(所定処理基板枚数毎)に、光洗浄装置80を使って、基板ステージPST1及び計測ステージPST2それぞれに紫外光Luを照射して光洗浄を行うことができる。 For example, the control unit CONT, a predetermined time interval (every predetermined number of processed substrates), using the optical cleaning device 80, is possible to perform optical cleaning by irradiating ultraviolet light Lu each substrate stage PST1 and the measuring stage PST2 it can. あるいは、制御装置CONTは、上記検出装置90を使って、基板ステージPST1及び計測ステージPST2の汚染を検出し、その検出結果に基づいて、光洗浄装置80の動作を制御する。 Alternatively, the control unit CONT uses the detection unit 90 detects contamination of the substrate stage PST1 and the measuring stage PST2, based on the detection result, controls the operation of the optical cleaning device 80. また、基板ステージPST1上の基板Pの露光中に、計測ステージPST2を光洗浄装置80を使って光洗浄することもできる。 Further, during the exposure of the substrate P on the substrate stage PST1, the measuring stage PST2 can be optically cleaned using light cleaning device 80. あるいは、計測ステージPST2で計測動作を実行している間に、基板ステージPST1の光洗浄を行ってもよい。 Alternatively, while performing the measurement operation in the measuring stage PST2, it may be carried out optical cleaning of the substrate stage PST1. また、上述のような基板ステージPST1と計測ステージPST2とを備えた露光装置の場合には、第5の実施形態に示したような光洗浄装置80を計測ステージPST2に設けて、光学素子2の下面2A及び/又はノズル部材70の下面70Aを光洗浄することができる。 In the case of the exposure apparatus provided with the substrate stage PST1 as described above and the measuring stage PST2 is provided with a light cleaning device 80 shown in the fifth embodiment the measuring stage PST2, the optical element 2 the lower surface 70A of the lower surface 2A and / or the nozzle member 70 can be a light wash. この場合、光学素子2の下面2A及び/又はノズル部材70の下面70Aの汚染状態を検出する検出系の少なくとも一部を計測ステージに設けてもよい。 In this case, it may be provided at least in part measurement stage of a detection system for detecting contamination state of the lower surface 70A of the lower surface 2A and / or the nozzle member 70 of the optical element 2.

また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報などに開示されている複数の基板ステージを備えるツインステージ型の露光装置にも適用できる。 Further, the present invention, JP-A 10-163099, JP-A No. 10-214783, JP-to twin stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages as disclosed, such as in JP-T-2000-505958 applied it can. 上述のようなツインステージ型の露光装置の場合には、第5の実施形態などに示したような光洗浄装置80をどちらか一方の基板ステージに設けてもよいし、両方に設けてもよい。 In the case of a twin-stage type exposure apparatus as described above, the optical cleaning device 80 as shown such as the fifth embodiment may be provided on either one of the substrate stage may be provided on both . このようなツインステージ型の露光装置においては、一方の基板ステージ上の基板が露光されている間または位置合わせ動作が行われている間に、別の基板ステージの光洗浄を行うことができる。 In such twin-stage type exposure apparatus can be performed while the substrate on one substrate stage is being performed during or alignment operation has been exposed, the optical cleaning of another substrate stage.

また、上述の第5の実施形態及び第6実施形態においては、光洗浄装置80が基板ステージPSTや計測ステージPST2に固定される構成となっているが、光洗浄装置80を基板ステージPSTや計測ステージPST2に脱着可能な構成とすることもできる。 Further, in the fifth and sixth embodiments described above, the light cleaning device 80 are configured to be fixed to the substrate stage PST and the measuring stage PST2, an optical cleaning device 80 substrate stage PST and the measuring It can also be a detachable configuration to stage PST2. この場合には、所定のタイミングで行われる露光装置EXのメンテナンスのときに、オペレータが基板ステージPSTや計測ステージPST2への光洗浄装置80の脱着を行うようにしてもよいし、露光装置EX内に配置された所定の搬送機構や工具を用いて光洗浄装置80を露光装置EX内に設置するようにしてもよい。 In this case, when the maintenance of the exposure apparatus EX is performed at a predetermined timing, it may also be operator performs desorption of optical cleaning device 80 to the substrate stage PST and the measuring stage PST2, the exposure apparatus EX the optical cleaning device 80 with the predetermined transport mechanism and tool positioned in may be installed in the exposure apparatus EX.

なお、投影光学系PLの像面側で移動可能な可動体(基板ステージPSTや計測ステージPST2)に設けられた光洗浄装置80は、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aを光洗浄するものであるが、空調空間125内で浮遊している不純物や液滴が、通常ならば液体LQと接することがない部材、例えば液浸領域AR2の近傍に配置された基板アライメント系350の一部(対物レンズなど)やフォーカス・レベリング検出系60の一部に付着する可能性がある場合には、その光洗浄装置80を使って、液浸領域AR2の近傍に配置された部材を光洗浄処理するようにしてもよい。 The optical cleaning device 80 provided on a movable moving member (substrate stage PST and the measuring stage PST2) at the image plane side of the projection optical system PL, light the underside 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 is intended to wash, but impurities and droplets floating in the air-conditioned space inside 125, never would normally contact with the liquid LQ member, for example, the substrate alignment system 350 disposed in the vicinity of the liquid immersion area AR2 some when there is likely to adhere to a part of (an objective lens, etc.) and a focus leveling detection system 60 uses the light cleaning device 80, an optical member disposed in the vicinity of the liquid immersion area AR2 it may be cleaning.

なお、上述した第5の実施形態においては、光洗浄装置80を基板ステージPSTに設けているが、基板ステージPSTとは別に、投影光学系PLの下(像面側)でXY方向に2次元的に移動可能な可動体を配置して、その可動体に光洗浄装置80を配置するようにしてもよい。 In the fifth embodiment described above, the optical cleaning device 80 is provided on the substrate stages PST, separately from the substrate stages PST, 2-dimensional XY direction under the projection optical system PL (image plane side) by placing a movable movable member in manner, it may be arranged a light cleaning device 80 to the movable body. そして、そのような可動体として、上述したように、第6の実施形態のような計測ステージPST2を用いることができる。 Then, as such a movable member, as described above, it can be used measuring stage PST2, as in the sixth embodiment.

なお、上述した第1〜第4の実施形態や第6の実施形態において、光洗浄装置80の近傍に液浸領域AR2を形成するための機構とは別に、液体LQの供給機構と回収機構とを配置して、例えば基板ステージPSTの上面31を光洗浄するとき、光洗浄装置80による紫外光Luの照射動作と並行して、上面31の紫外光Luの照射領域に対する液体LQの供給及び回収動作を行ってもよい。 Incidentally, in the first to fourth and sixth embodiments of the above, apart from the mechanism for forming the liquid immersion area AR2 in the vicinity of the optical cleaning device 80, and the liquid LQ of the supply mechanism and recovery mechanism the arranged, for example, when the optical cleaning the upper surface 31 of the substrate stages PST, in parallel with the irradiation operation of ultraviolet light Lu by the optical cleaning device 80, the supply of the liquid LQ with respect to the irradiation area of ​​the ultraviolet light Lu of the upper surface 31 and recovered operation may be performed. こうすることによっても、基板ステージPSTの上面31から発生した異物を、液体LQとともに回収することができる。 By doing so, the foreign matter generated from the upper surface 31 of the substrate stages PST, can be recovered together with the liquid LQ.

なお、上述した第1〜第6の実施形態においては、露光光ELとして、光洗浄効果を有するArFエキシマレーザ光が使用されているため、光洗浄するための照射光として、基板Pを露光するための露光光ELを用いてもよい。 In the first to sixth embodiments described above, as the exposure light EL, for ArF excimer laser light having an optical cleaning effect is used as the irradiation light for the optical cleaning, exposes the substrate P it may be used exposure light EL for. 基板ステージPSTを光洗浄する場合には、光洗浄対象である基板ステージPST上に基板Pが無い状態で、その基板ステージPSTを投影光学系PLの直下に配置し、基板ステージPSTに対して投影光学系PLを介して照明光学系ILからの露光光EL(照射光)を照射すればよい。 When light cleaning the substrate stage PST, while the substrate P is not on the substrate stage PST is light cleaned, and place the substrate stage PST directly below projection optical system PL, the projection with respect to the substrate stage PST it may be irradiated with the exposure light EL (irradiation light) from the illumination optical system IL via a optical system PL. また、計測ステージを備えた露光装置において、計測ステージを光洗浄する場合には、計測ステージを投影光学系PLの直下に配置し、計測ステージに対して投影光学系PLを介して露光光EL(照射光)を照射すればよい。 Further, in the exposure apparatus equipped with a measurement stage, when the optical cleaning the measuring stage, the measurement stage directly under the projection optical system PL, via the projection optical system PL with respect to the measuring stage exposure light EL ( it may be irradiated with the irradiation light). また、投影光学系PLに露光光ELを通過させることにより、液浸領域AR2の液体LQに接触する光学素子2も光洗浄することができる。 Further, by passing the exposure light EL in the projection optical system PL, the optical element 2 in contact with the liquid LQ of the liquid immersion area AR2 can be also light cleaning. この場合も、例えば基板ステージPSTの上面や光計測部300、400、500、600の上面を光洗浄しているときに、液体供給機構10と液体回収機構20とを併用するようにしてもよい。 Again, when the example is light washed top or upper surface of the optical measuring sections 300, 400, 500, 600 of the substrate stages PST, it may be used together with the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20 .

なお、上述した第1〜第4、第6の実施形態においては、光洗浄装置80から射出される紫外光Luの光束の径は比較的大きく、基板ステージPST(あるいは計測ステージ)の全域を一括して照射可能であるが、光洗浄装置80から射出される紫外光Luの光束の径を小さくし、その光束及び基板ステージPSTのうち少なくとも一方を相対的に移動しながら、基板ステージPSTの全域あるいは予め定められた一部の領域に紫外光Luを照射するようにしてもよい。 Incidentally, the first to fourth mentioned above, in the sixth embodiment, the diameter of the light beam in the ultraviolet light Lu emitted from the light cleaning device 80 is relatively large, batch the entire area of ​​the substrate stage PST (or measurement stage) and is a possible irradiation, the diameter of the light beam in the ultraviolet light Lu emitted from the light cleaning device 80 is reduced, while relatively moving at least one of the light beam and the substrate stage PST, the whole area of ​​the substrate stage PST or it may be irradiated with ultraviolet light Lu in a part of the area defined in advance. こうすることにより光洗浄装置80を小型化でき、省スペース化を実現できる。 Can downsize the optical cleaning device 80 by doing so, it can realize space saving. また、光洗浄装置80は、基板ステージPST(あるいは計測ステージ)の上面31、光計測部300、400、500、600の上面、基板ホルダPHの上面の全てを毎回光洗浄しなくてもよく、また紫外光Luの照射時間もそれぞれ異なっていてもよい。 Further, the optical cleaning device 80 has an upper surface 31 of the substrate stage PST (or measurement stage), the upper surface of the optical measuring sections 300, 400, 500, 600 may not all of the top surface of the substrate holder PH and the optical cleaning each time, also the irradiation time of the ultraviolet light Lu may be different. 例えば光計測部400の上面など、基板ステージPST上の特定領域に対して紫外光Luを重点的に(長い時間)照射するようにしてもよい。 For example, the upper surface of the light measurement unit 400, focus the ultraviolet light Lu for a specific area on the substrate stage PST (long time) may be irradiated. また、第5の実施形態などにおいても、光洗浄装置80から射出される紫外光Luの光束の径を小さくし、その光束及び光洗浄装置80を搭載した基板ステージPSTのうち少なくとも一方を相対的に移動しながら、光学素子2やノズル部材70の全域あるいは予め定められた一部の領域に紫外光Luを照射するようにしてもよい。 Also in such a fifth embodiment, the diameter of the light beam in the ultraviolet light Lu emitted from the light cleaning device 80 is reduced, relative to at least one of the substrate stage PST mounted with the light flux and the optical cleaning device 80 while moving, it may be irradiated with ultraviolet light Lu in whole or in part with a predetermined area of ​​the optical element 2 and the nozzle member 70.

なお、上述した第1〜第4、第6の実施形態において、基板ステージPSTより露光処理を終えた基板Pをアンロードした後、未露光基板Pをロードする前に、基板ステージPSTを光洗浄装置80を使って光洗浄処理する構成であるが、予め定められた所定時間間隔毎、あるいは所定処理基板枚数毎に、光洗浄処理を行う構成であってもよい。 Incidentally, the first to fourth mentioned above, in the sixth embodiment, after unloading the substrate P having been subjected to the exposure process from the substrate stage PST, before loading an unexposed substrate P, optical cleaning the substrate stage PST While using the device 80 is configured to light cleaning treatment, every predetermined time interval that is determined in advance or for each predetermined number of processed substrates, may be configured to perform the optical cleaning treatment. その場合、制御装置CONTは、基板ステージPST上に基板Pが無い状態で、基板ステージPSTを光洗浄装置80の直下まで移動する。 In that case, the control unit CONT, while the substrate P is not on the substrate stage PST, to move the substrate stage PST to just below the optical cleaning device 80. 光洗浄装置80は、制御装置CONTの制御の下、基板ステージPSTの移動とともに紫外光Luの照射を開始する。 Optical cleaning apparatus 80 under the control of the control device CONT, to start the irradiation of the ultraviolet light Lu with the movement of the substrate stage PST. そして、制御装置CONTは、光洗浄装置80を使って基板ステージPSTに対して所定時間だけ紫外光Luを照射した後、再び露光動作に戻ればよい。 Then, the control unit CONT, after irradiation with ultraviolet light Lu predetermined time with respect to the substrate stage PST by using the optical cleaning device 80, it may return to the exposure operation again. また、上記時間間隔が長すぎたり、上記処理基板枚数が多すぎると、基板ステージPST上などに液体LQの付着跡(ウォーターマーク)が形成される確率が高くなるため、基板ステージPST上などに液体LQの付着跡(ウォーターマーク)が形成されないように、光洗浄装置80による紫外光Luを照射する時間間隔(処理基板枚数)を適宜決定すればよい。 Also, or the time interval is too long, if the number of processed substrates is too large, the probability of the liquid LQ of the adhesion trace (water mark) is formed like on the substrate stage PST is increased, and the like on the substrate stage PST as liquid LQ adhesion trace (water mark) is not formed, the time interval for irradiating ultraviolet light Lu by the optical cleaning device 80 (the number of processed substrates) may be appropriately determined.

なお、上述の第1〜第6の実施形態において、光洗浄処理を行うための照射光Luを発する光源としては、上述の記載と一部重複するが、Ar エキシマランプ(波長126nm)、Ar エキシマレーザ(波長126nm)、Kr エキシマランプ(波長146nm)、Kr エキシマレーザ(波長146nm)、F ダイマランプ(波長157nm)、F ダイマレーザ(波長157nm)、Xe エキシマランプ(波長172nm)、Xe エキシマレーザ(波長172nm)、ArFエキシマランプ(波長193nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、KrClエキシマランプ(波長222nm)、KrClエキシマレーザ(波長222nm)、KrFエキシマランプ(波長248nm)、KrFエキシマレーザ Incidentally, in the first to sixth embodiments, as a light source for emitting illumination light Lu for performing optical cleaning treatment, but partly overlap as described above, Ar 2 excimer lamp (wavelength 126 nm), Ar 2 excimer laser (wavelength 126 nm), Kr 2 excimer lamp (wavelength 146 nm), Kr 2 excimer laser (wavelength 146 nm), F 2 Daimaranpu (wavelength 157 nm), F 2 Daimareza (wavelength 157 nm), Xe 2 excimer lamp (wavelength 172 nm) , Xe 2 excimer laser (wavelength 172 nm), ArF excimer lamp (wavelength 193 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), KrCl excimer lamp (wavelength 222 nm), KrCl excimer laser (wavelength 222 nm), KrF excimer lamp (wavelength 248 nm), KrF excimer laser 波長248nm)、XeClエキシマランプ(波長308nm)、XeClエキシマレーザ(波長308nm)、低圧水銀ランプ(波長185nmと254nmとの光を同時に発光)、重水素ランプ(真空紫外〜可視まで広域な波長を有する光)などを使用することができる。 Wavelength 248 nm), XeCl excimer lamp (wavelength 308 nm), XeCl excimer laser (wavelength 308 nm), simultaneously emitting light of a low pressure mercury lamp (wavelength 185nm and 254 nm), having a broad wavelength to the deuterium lamp (vacuum ultraviolet to visible may be used such as an optical).

それらの光源を用いて、照射光Luを連続照射してもよく、パルス光として断続的に照射してもよい。 Using these light sources, the illumination light Lu may be continuous irradiation, it may be intermittently irradiated as pulse light. また、照射光Luのパワーや照射時間は、汚染度や光洗浄の対象などに応じて適宜調整することができる。 The power and irradiation time of the irradiation light Lu can be adjusted appropriately depending on the target degree of contamination or light wash. また、複数の光源を用いたり、波長可変レーザーを用いて複数の波長の光を液体と接触する部材に照射することもできる。 It is also possible to irradiate or using a plurality of light sources, the light of a plurality of wavelengths using the wavelength tunable laser member in contact with the liquid.

<第7の実施形態> <Seventh embodiment>
次に、第7の実施形態について図10を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 10 for the seventh embodiment. 図10に示す露光装置EXS(露光装置本体EX)は、図7を用いて説明した第6の実施形態同様、2つのステージを備えたものである。 The exposure apparatus EXS shown in FIG. 10 (exposure apparatus main body EX), like the sixth embodiment described with reference to FIG. 7, but with two stages. 図10において、投影光学系PLの像面側には、光学部材として反射部材700が設けられている。 10, the image plane side of the projection optical system PL, the reflecting member 700 is provided as an optical member. 反射部材700は例えばガラスによって形成されており、その上面は光を反射可能な反射面となっている。 Reflecting member 700 is formed by, for example, glass, the upper surface has a reflection capable reflecting surface light. 本実施形態においては、反射部材700は、投影光学系PLの像面側で移動可能な計測ステージPST2上に配置されている。 In the present embodiment, the reflecting member 700 is disposed on the movable measuring stage PST2 in the image plane side of the projection optical system PL. 制御装置CONTは、計測ステージPST2を駆動して、投影光学系PLの下に反射部材700を配置した状態で、投影光学系PLを介して露光光ELを反射部材700上に照射する。 The control unit CONT drives the measuring stage PST2, in the state in which the reflective member 700 under the projection optical system PL, irradiates the exposure light EL through the projection optical system PL on the reflective member 700. 投影光学系PLからの露光光ELを照射された反射部材700は、露光光ELを反射することで、その露光光ELと同一波長の光を発生する。 Reflecting member 700 which is irradiated with the exposure light EL from the projection optical system PL, by reflecting exposure light EL, which generate light of the exposure light EL having the same wavelength. 反射部材700から発生した露光光ELと同一波長の反射光は、液浸領域AR2の液体LQに接触する光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aに照射される。 The reflected light of the exposure light EL the same wavelength generated from the reflective member 700 is irradiated to the bottom surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 in contact with the liquid LQ of the liquid immersion area AR2. 本実施形態においても、露光光ELとして、光洗浄効果を有するArFエキシマレーザ光が使用されている。 In this embodiment, as the exposure light EL, ArF excimer laser light is used having an optical cleaning effect. なお本実施形態においては、ノズル部材70の下面70Aに形成された回収口22には多孔部材(又はメッシュ部材)22Pが配置されいる。 In the present embodiment, the recovery port 22 formed on the lower surface 70A of the nozzle member 70 porous member (or mesh member) 22P is disposed. この多孔部材22Pは下面70Aの一部を構成しており、反射部材700から発生した反射光は、この多孔部材22Pにも照射される。 The porous member 22P constitutes a part of the lower surface 70A, the reflected light generated from the reflective member 700 is also irradiated to the porous member 22P. このように、光洗浄装置の一部として機能する反射部材700を投影光学系PLの像面側に配置し、光洗浄効果を有する露光光ELを反射部材700を介して光学素子2の下面2Aや、多孔部材22Pを含むノズル部材70の下面70Aに照射することで、これら光学素子2やノズル部材70(多孔部材22P)を光洗浄することができる。 Thus, the reflecting member 700 that functions as a part of the light cleaning device is arranged on the image plane side of projection optical system PL, the lower surface 2A of the optical element 2 with the exposure light EL through the reflecting member 700 having an optical cleaning effect and, by irradiating the lower surface 70A of the nozzle member 70 comprising a porous member 22P, these can optical element 2 and the nozzle member 70 (the porous member 22P) light cleaning. それにより、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの親液性を維持する(高める)ことができる。 Thereby, it is possible to maintain lyophilic lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 (enhanced).

なお、投影光学系PLの像面側に配置する光学部材700としては、照射された光(露光光EL)を反射する反射部材に限られず、照射された光を散乱する散乱面を有する散乱部材であってもよい。 As the optical member 700 to be located on the image plane side of projection optical system PL, scattering member having a scattering surface that scatters not limited to the reflection member for reflecting the irradiated light (exposure light EL), the irradiation light it may be. 光学部材700として、散乱部材を用いることによって、散乱部材に照射された露光光ELは、散乱して光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aに達するため、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの比較的広い領域に、光洗浄作用を有する露光光ELと同一波長の照射光を照射することができる。 As an optical member 700, by using the scattering member, the exposure light EL irradiated on the scattering member, in order to reach the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 by scattering, the lower surface 2A Ya optical element 2 the relatively large area of ​​the lower surface 70A of the nozzle member 70, can be irradiated with the irradiation of the exposure light EL having the same wavelength with a light cleaning action. 更には、光学部材700として、照射された光を回折する回折面を有する回折部材を用いてもよく、その場合においても、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの比較的広い領域に、光洗浄作用を有する露光光ELと同一波長の照射光を照射することができる。 Furthermore, as the optical member 700 may be used a diffraction member having a diffractive surface for diffracting the irradiated light, even in that case, a relatively large area of ​​the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 , it is possible to irradiate the illumination light of the exposure light EL having the same wavelength with a light cleaning action.

なお、計測ステージPST2上に配置された光学部材(反射部材、回折部材、散乱部材)700に露光光ELを照射する場合、計測ステージPST2をXY方向に移動しながら、この光学部材700に露光光ELを照射するようにしてもよい。 Incidentally, disposed on the measuring stage PST2 optical member (reflective member, diffraction member, scattering member) when irradiating the exposure light EL to 700, while moving the measuring stage PST2 in the XY direction, the exposure light to the optical member 700 EL may be irradiated with. あるいは、光学部材700を可動にして、光学部材700からの照射光(露光光)の方向を変化させてもよい。 Alternatively, the optical member 700 to the movable, may be changed in the direction of illumination light (exposure light) from the optical member 700. こうすることにより、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aの比較的広い領域に照射光(露光光)を照射して良好に光洗浄することができる。 Thus, it is possible to satisfactorily optical cleaning by irradiating illumination light (exposure light) to a relatively large area of ​​the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2.

また、ノズル部材70の下面70A(多孔部材22Pを含む)に、光触媒作用を有する材料701を被覆しておいてもよい。 Further, the lower surface 70A of the nozzle member 70 (including a porous member 22P), may be coated with a material 701 having a photocatalytic action. そのような材料としては酸化チタンが挙げられる。 Such materials include titanium oxide. ノズル部材70の下面70Aに酸化チタン701を被覆した状態で、そのノズル部材70の下面70Aに、光洗浄作用を有する露光光ELと同一波長の光を照射することで、有機物などの汚染物は光触媒反応によって酸化分解されるので、より効果的に光洗浄することができる。 While coated titanium oxide 701 on the lower surface 70A of the nozzle member 70, the lower surface 70A of the nozzle member 70, by irradiating light of exposure light EL having the same wavelength with optical cleaning effect, contaminants such organic matter since the oxidative decomposition by the photocatalytic reaction, it is possible to more effectively optical cleaning. また、光触媒反応により、ノズル部材70の下面70Aの親液性が向上されるため、ノズル部材70Aの下に液浸領域AR2を良好に形成できるという効果も期待できる。 Further, the photocatalytic reaction, because lyophilic property of the lower surface 70A of the nozzle member 70 is improved, an effect that the liquid immersion area AR2 under the nozzle member 70A can be satisfactorily formed can be expected.

また、図10に示すように、光洗浄中においては、制御装置CONTは、液体供給機構10及び液体回収機構20を使って、投影光学系PLと光学部材700との間に、基板Pを液浸露光するときに用いる液体と同じ液体LQを満たした状態で、投影光学系PL及び液体LQを介して露光光ELを光学部材700に照射するようにしてもよい。 Further, as shown in FIG. 10, in the optical cleaning, the control apparatus CONT uses the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20, between the projection optical system PL and the optical member 700, the liquid substrate P in a state filled with the same liquid LQ and the liquid to be used when immersion exposure, may be irradiated with the exposure light EL to the optical member 700 through the projection optical system PL and the liquid LQ. 光学部材700から発生した露光光ELと同一波長の光は、液浸領域AR2の液体LQを介して光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aに照射される。 Light of the exposure light EL the same wavelength generated from the optical member 700 is irradiated to the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 through the liquid LQ of the liquid immersion area AR2. 液体供給機構10及び液体回収機構20を使って液体LQの供給及び回収を行いながら光洗浄することで、光洗浄したことによって光学素子2やノズル部材70から発生した異物を、液体LQとともに回収することができる。 Using the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20 by optical cleaning while supplying and recovering the liquid LQ, the foreign substances generated from the optical element 2 and the nozzle member 70 by the light washed, recovered together with the liquid LQ be able to.

ところで、基板Pを液浸露光するときに用いる液体LQは、液浸領域AR2における気泡発生の防止等を目的として、投影光学系PLの像面側に供給される前に脱気処理されている。 Incidentally, the liquid LQ to be used when the immersion exposure of the substrate P, for the purpose of prevention of bubble generation in the liquid immersion area AR2, which is degassed before being fed to the image plane side of the projection optical system PL . すなわち、液体供給機構10(液体供給部11)は、液体LQ中の溶存酸素(溶存気体)を低減するための脱気装置を備えており、投影光学系PLの像面側に供給する前の液体LQに対して脱気処理を行った後に、その脱気処理した液体LQを投影光学系PLの像面側に供給している。 That is, the liquid supply mechanism 10 (liquid supply unit 11) is provided with a deaerator for reducing the dissolved oxygen in the liquid LQ (dissolved gas), before feeding to the image plane side of the projection optical system PL after a degassing treatment was carried out with respect to the liquid LQ, and supplies the degassed liquid LQ on the image plane side of the projection optical system PL. 一方で、光洗浄は、光洗浄効果を有する光を照射することによって汚染物(有機物)を酸化分解することができるため、光洗浄するときにおいては、液体LQ中に所定濃度の酸素が存在(溶存)していることが望ましい。 On the other hand, light cleaning, it is possible to oxidize and decompose pollutants (organic matter) by irradiation with light having a light cleaning effect, at the time when the light washing, there are the oxygen of a predetermined concentration in the liquid LQ ( it is desirable that the dissolved). したがって、投影光学系PLと光学部材700との間に液体LQを満たした状態で、光学部材700に露光光ELを照射して、光学素子2やノズル部材70を光洗浄するときには、制御装置CONTは、投影光学系PLの像面側に供給する液体LQの酸素濃度を、基板Pを露光するときの液体LQの酸素濃度よりも多くするようにしてもよい。 Accordingly, in a state filled with the liquid LQ between the projection optical system PL and the optical member 700 is irradiated with the exposure light EL in the optical member 700, the optical element 2 and the nozzle member 70 when light washing, the control unit CONT is the oxygen concentration of the liquid LQ supplied to the image plane side of the projection optical system PL, it may be more than the oxygen concentration of the liquid LQ when exposing the substrate P. すなわち、光洗浄するときには、制御装置CONTは、例えば脱気処理を施さない液体LQを投影光学系PLの像面側に供給する。 That is, when the optical cleaning, the control unit CONT, for example, supplies the liquid LQ that is not subjected to degassing treatment to the image plane side of the projection optical system PL. あるいは、投影光学系PLと光学部材700との間に液体LQを満たした状態で、光学部材700に露光光ELを照射して、光学素子2やノズル部材70を光洗浄するときには、制御装置CONTは、基板Pの露光に用いる液体(純水)とは別の、例えば過酸化水素水を、投影光学系PLの像面側に供給するようにしてもよい。 Alternatively, in a state filled with the liquid LQ between the projection optical system PL and the optical member 700 is irradiated with the exposure light EL in the optical member 700, the optical element 2 and the nozzle member 70 when light washing, the control unit CONT is separate from the liquid (pure water) used for the exposure of the substrate P, for example a hydrogen peroxide solution, it may be supplied to the image plane side of the projection optical system PL.

なお本実施形態において、光学部材(反射部材、回折部材、散乱部材)700の設置位置としては、計測ステージPST2に限られず、例えば基板ステージPST1の上面のうち、基板Pが配置される以外の領域に配置してもよい。 In the present embodiment, an optical member (a reflecting member, the diffraction member, scattering member) As the installation position of 700, not limited to the measurement stage PST2, for example of the top surface of the substrate stage PST1, a region other than the substrate P is placed it may be arranged to. 更には、基板ステージPST1及び計測ステージPST2とは別の、投影光学系PLの像面側に配置されている部材で支持するようにしてもよい。 Furthermore, separate from the substrate stage PST1 and the measuring stage PST2, it may be supported by a member which is disposed on the image plane side of the projection optical system PL. また、光学部材700を、基板ステージPSTや計測ステージPST2に脱着可能とすることもできる。 Further, the optical member 700 may be detachable to the substrate stage PST and the measuring stage PST2. あるいは、基板ステージPSTの基板ホルダに、反射面、回折面、及び散乱面のうち少なくともいずれか1つを有するダミー基板を配置し、そのダミー基板に露光光ELを照射するようにしてもよい。 Alternatively, the substrate holder of the substrate stages PST, reflective surface, a diffraction surface, and a dummy substrate having at least one of a scattering surface arranged, may be irradiated with the exposure light EL on the dummy substrate. ダミー基板を用いる場合には、基板搬送系150を使ってダミー基板を基板ステージPST(基板ホルダPH)に容易に搭載することができる。 When using a dummy substrate, a dummy substrate can be easily mounted on the substrate stage PST (substrate holder PH) with a substrate transport system 150.

なお、基板ステージPSTに光学部材700を配置したり、回折面などを有するダミー基板を基板ステージPSTに搭載する場合には、上述したようなツインステージ型の露光装置にも適用できることはいうまでもない。 Incidentally, or to place an optical member 700 to the substrate stage PST, a dummy substrate having a like diffraction surface when mounted on the substrate stage PST is to say can be applied to a twin stage type exposure apparatus as described above Absent.

また、光学部材700からの光洗浄作用を有する光で、液浸領域AR2の近くに配置された基板アライメント系350の一部やフォーカス・レベリング検出系60の一部を光洗浄処理するようにしてもよい。 Also, with light having a light cleaning action of the optical member 700, a portion of the part and the focus leveling detection system 60 of the substrate alignment system 350, which is located near the liquid immersion area AR2 so as to light cleaning treatment it may be. こうすることによって、基板アライメント系350の一部やフォーカス・レベリング検出系60の一部に不純物や液滴が付着することによって生じる計測精度の劣化を防止することができる。 By doing so, it is possible to prevent deterioration of the measurement accuracy caused by impurities or droplets adhere to a portion of the part of the substrate alignment system 350 and the focus leveling detection system 60.

なお、第7の実施形態においては、ノズル部材70の下面70Aを酸化チタン(二酸化チタン)などの光触媒作用を有する親液性(親水性)の材料で被膜しているが、ノズル部材70そのもの、またはその一部(液体と接触する部分)を光触媒作用を有する材料で形成するようにしてもよい。 In the seventh embodiment, although coating the lower surface 70A of the nozzle member 70 in the material of the lyophilic having photocatalyst activity, such as titanium oxide (titanium dioxide) (hydrophilic), the nozzle member 70 itself, or a portion thereof (a portion in contact with the liquid) may be formed of a material having a photocatalytic action.

また、光学素子2の下面2Aを光触媒作用を有する酸化チタンなどの材料で被膜して、光学部材700からの光により光洗浄を行ってもよい。 Further, by coating a material such as titanium oxide having a photocatalytic activity of the lower surface 2A of the optical element 2 may be subjected to optical cleaning by light from the optical member 700. このようにすることで、光学素子2の下面2Aの汚染をより確実に防止することができる。 In this way, it is possible to more reliably prevent the contamination of the lower surface 2A of the optical element 2.

また、上述の第5の実施形態などで説明した光洗浄装置80を用いる場合にも、ノズル部材70の下面70Aや光学素子2の下面2Aを酸化チタンなどの材料で被膜してもよい。 In the case of using the optical cleaning device 80 described in such fifth embodiment described above also may be coated with a lower surface 70A and the lower surface 2A of the optical element 2 of the nozzle member 70 with a material such as titanium oxide.

また、基板ステージPST1の上面や計測ステージPST2の上面(光計測部の上面を含む)の少なくとも一部を、必要に応じて酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料で形成するようにしてもよい。 Further, at least a portion of the upper surface of the upper surface and the measuring stage PST2 of the substrate stage PST1 (including the upper surface of the optical measuring sections) may be formed of a material having a photocatalytic activity, such as titanium oxide as needed. この場合も、第1〜第4の実施形態及び第6の実施形態のように、光洗浄装置80を用いることによって、基板ステージPSTや計測ステージPST2の上面の汚染を防止することができる。 Again, as in the first to fourth embodiments and the sixth embodiment, by using the optical cleaning device 80, it is possible to prevent contamination of the upper surface of the substrate stage PST and the measuring stage PST2.

また、ノズル部材70やステージ(PST1、PST2)など、液体LQに接触する部材をチタンや二酸化亜鉛を含む材料で形成してもよい。 The nozzle member 70 and the stage (PST1, PST2) etc., a member that contacts the liquid LQ may be formed of a material containing titanium and zinc dioxide. チタンや二酸化亜鉛は、光触媒作用を有する不動態膜が表面に形成されるため、酸化チタンコーティングと同様に、光洗浄処理を行うことによって、その表面の汚染物(有機物)を除去することができる。 Titanium or zinc dioxide, since the passivation film having a photocatalytic function is formed on the surface, like the titanium oxide coating, by performing optical cleaning treatment can remove contaminants of the surface (the organic matter) .

<第8の実施形態> <Embodiment 8>
次に、第8の実施形態について図11を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 11 in the eighth embodiment. 図11に示す露光装置EXS(露光装置本体EX)は、ノズル部材70を振動させる振動機構800を備えている。 The exposure apparatus EXS shown in FIG. 11 (exposure apparatus main body EX) is provided with a vibrating mechanism 800 to vibrate the nozzle member 70. 本実施形態においては、振動機構800は、超音波振動子によって構成されており、ノズル部材70の所定位置に取り付けられている。 In the present embodiment, the vibration mechanism 800 is constituted by the ultrasonic vibrator is attached to a predetermined position of the nozzle member 70. 図11に示す例では、超音波振動子800は、ノズル部材70の側面に取り付けられている。 In the example shown in FIG. 11, the ultrasonic transducer 800 is attached to the side surface of the nozzle member 70. 超音波振動子としては、ピエゾ素子や電磁式の振動子が挙げられる。 The ultrasonic transducers include transducers of the piezoelectric element or an electromagnetic. 超音波振動子800は、多孔部材22Pを含むノズル部材70の70Aや、側面に付着した汚染物を除去するためのものであって、ノズル部材70を振動させることで、付着している汚染物を振るい落とし、このノズル部材70を洗浄する。 Ultrasonic transducer 800, 70A and the nozzle member 70 comprising a porous member 22P, provided for the purpose of removing contaminants adhered to the side surface, by vibrating the nozzle member 70, contaminants adhering the drop shaken to wash the nozzle member 70. 更に、超音波振動子800を使ってノズル部材70を振動させることにより、供給口12近傍や、その供給口12に接続するノズル部材70内部に形成された供給流路に付着した汚染物を除去することもできるし、回収口22近傍や、回収口22に配置された多孔部材22P、その回収口22に接続するノズル部材70内部に形成された回収流路に付着した汚染物を除去することもできる。 Further, by vibrating the nozzle member 70 with an ultrasonic transducer 800, remove the supply port 12 and the vicinity, contaminants attached to the supply flow passage formed in the nozzle member 70 to be connected to the supply port 12 it may be, recovery port 22 and the vicinity, arranged in the recovery port 22 a porous member 22P, the removal of contaminants adhered to the recovery flow passage formed in the nozzle member 70 to be connected to the recovery port 22 It can also be. なお、超音波振動子800を使った洗浄作業は、基板Pの交換時やロット間で行うことができる。 Incidentally, the cleaning operation using the ultrasonic transducer 800 can be performed between the time of replacing or lot of the substrate P.

また、超音波振動子800を使ってノズル部材70を振動させている状態においては、制御装置CONTは、液体供給機構10及び液体回収機構20を使って、投影光学系PLと基板ステージPSTの上面31との間の光路空間に、基板Pを液浸露光するときに用いる液体と同じ液体LQを満たすようにしてもよい。 In the state in which to vibrate the nozzle member 70 with an ultrasonic transducer 800, the control apparatus CONT uses the liquid supply mechanism 10 and liquid recovery mechanism 20, the upper surface of the projection optical system PL and the substrate stage PST the optical path space between the 31, may satisfy the same liquid LQ and the liquid to be used when the liquid immersion exposure of the substrate P. こうすることにより、ノズル部材70より除去(分離)された汚染物を、液体LQとともに回収することができる。 Thereby, the removal from the nozzle member 70 (separation) has been contaminants, it can be recovered together with the liquid LQ. なお、超音波振動子800を使ってノズル部材70を振動させているときに、投影光学系PLと基板ステージPSTの上面31との間の光路空間に満たす液体としては、基板Pを液浸露光するときに用いる液体(純水)とは別の、例えばアルコールや過酸化水素水を用いるようにしてもよい。 Incidentally, when it is vibrating the nozzle member 70 with the ultrasonic vibrator 800, the liquid filling the optical path space between the upper surface 31 of the projection optical system PL and the substrate stages PST, immersion exposure of the substrate P it may be used another, such as alcohol and aqueous hydrogen peroxide with the liquid (pure water) to be used when. また、超音波振動子800を使った洗浄作業と、第5の実施形態の光洗浄装置80や第7の実施形態の光学部材700を使った洗浄作業とを併用してもよい。 Further, a cleaning operation using the ultrasonic transducer 800, and a cleaning operation may be used in combination using an optical member 700 of the fifth embodiment of the optical cleaning device 80 and the seventh embodiment.

なお、上述した第1〜第3、第5〜第8の実施形態において、第4の実施形態で説明したような気体供給系87及び気体回収系88を設け、光学素子2及びノズル部材70のうち、紫外光Luの照射領域近傍の空間(雰囲気)を、光洗浄に適した環境に設定するようにしてもよい。 Incidentally, the first to third mentioned above, in embodiments of the fifth to eighth, a gas supply system 87 and the gas recovery system 88 as described in the fourth embodiment is provided, the optical element 2 and the nozzle member 70 of the space (atmosphere) of the irradiation area near the ultraviolet light Lu, it may be set to an environment suitable for the optical cleaning.

また、上述した第1〜第4、第6〜第8の実施形態において、第5の実施形態のような検出装置90を設け、その検出装置90で基板ステージPSTの上面31、光計測部300、400、500、600、基板ホルダPHなどの汚染を検出するようにしてもよい。 Further, the first to fourth mentioned above, in the embodiment of the sixth to eighth, a detector 90, such as in the fifth embodiment is provided, the upper surface 31 of the substrate stage PST in the detection device 90, the optical measurement unit 300 , 400, 500, 600, may be detected contamination, such as a substrate holder PH. 制御装置CONTは、その検出装置90の検出結果に基づいて、基板ステージPSTが汚染しているか否かを判断し、光洗浄装置80の動作を制御することができる。 The controller CONT can, based on the detection result of the detecting device 90 determines whether or not the substrate stage PST is contaminated, to control the operation of the optical cleaning device 80. また、この場合、検出装置90として、基板アライメント系350やマスクアライメント系360を用いることもできる。 In this case, as the detection device 90, it is also possible to use a substrate alignment system 350 and the mask alignment system 360.

また、上述の第1〜第8の実施形態における投影光学系PLは、光学素子2の下面2A側の光路空間を液体LQで満たす構成になっているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、光学素子2のマスクM側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。 Further, the first through eighth projecting optical system PL in the embodiment described above, but has an optical path space of the lower surface 2A side of the optical element 2 to the structure filled with the liquid LQ, in International Publication No. WO 2004/019128 as disclosed, it is also possible to adopt a projection optical system that also optical path space of the mask M side of the optical element 2 filled with the liquid. この場合、照明光学系ILからの露光光ELや、第5の実施形態や第7の実施形態で説明した光洗浄装置80を用いて、投影光学系PLの終端の光学部材(光学素子2)の上面側、及び終端の光学部材のマスクM側の光学部材の下面を光洗浄処理するようにしてもよい。 In this case, and the exposure light EL from the illumination optical system IL, for example, using a light cleaning device 80 described in the fifth embodiment and the seventh embodiment, the optical member at the end of the projection optical system PL (optical element 2) the upper surface side, and the lower surface of the optical member of the mask M side of the end of the optical member may be an optical cleaning treatment.

なお、上述した第1〜第8の実施形態においては、洗浄作業を基板交換時などに行うように説明したが、予め定められた所定期間間隔毎に露光装置のメンテナンスを行う場合においては、そのメンテナンスの項目の一つとして、上記光洗浄効果を有する照射光を照射して光洗浄する処理を加えてもよい。 In the first to eighth embodiment described above, although the cleaning operation has been described as carried out, such as during substrate exchange, in the case of performing maintenance of the predetermined exposure apparatus every predetermined period intervals, the one of the maintenance items, may be added a process of optical cleaning by irradiating an irradiation light having the optical cleaning effect.

<第9の実施形態> <Ninth Embodiment>
次に、第9の実施形態について図12を参照しながら説明する。 Next, referring to FIG. 12 for the ninth embodiment. 本実施形態においては、露光装置EXSの光洗浄処理は、露光装置EXSとは別に設けられたメンテナンス機器900によって行われる。 In the present embodiment, the optical cleaning treatment of the exposure apparatus EXS is performed by the maintenance apparatus 900 provided separately from the exposure apparatus EXS. 図12において、メンテナンス機器900は、露光装置EXS内で液体LQに接触する部材に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光Luを発生する発光部901を備えている。 12, the maintenance device 900, to the member in contact with the liquid LQ in the exposure apparatus EXS, and a light emitting portion 901 for generating a predetermined illumination light Lu with optical cleaning effect. 発光部901は光源を有しており、その光源としては、上述の実施形態と同様の光源(Xe2エキシマレーザ、KrClエキシマレーザ、XeClエキシマレーザなど)を用いることができる。 Emitting portion 901 has a light source, as its light source, the same source as in the above-described embodiment (Xe2 excimer laser, KrCl excimer laser, XeCl excimer laser, etc.) can be used. また、本実施形態のメンテナンス機器900は、発光部901を移動可能に支持する支持機構902を備えている。 Also, maintenance device 900 of this embodiment includes a support mechanism 902 for movably supporting the light emitting portion 901. 支持機構902は、露光装置EX内部と外部との間で発光部901を移動可能であって、発光部901を支持する支持台903と、支持台903を移動可能に支持するステージ904と、ステージ904と台車905とを連結する連結部材906とを備えている。 Support mechanism 902, a light emitting portion 901 is movable between an exposure apparatus EX inside and the outside, a support base 903 for supporting the light emitting portion 901, a stage 904 for movably supporting the support base 903, the stage and a connecting member 906 for connecting the 904 and carriage 905. ステージ904はアクチュエータ等の駆動機構を有しており、発光部901を支持した支持台903は、ステージ904上でX軸方向及びY軸方向に移動可能である。 Stage 904 has a drive mechanism such as an actuator, a support base 903 supporting the light emitting portion 901 is movable in the X-axis direction and the Y-axis direction on the stage 904. なお、ステージ904は、支持台903をZ軸方向に移動可能であってもよい。 Incidentally, the stage 904, the support base 903 may be movable in the Z axis direction.

露光装置EXSのメインコラム4の一部には、空調空間125に対して発光部901を出し入れ可能な開口部120Cが形成されている。 Some of the main column 4 of the exposure apparatus EXS, the out opening sections 120C are formed the light emitting portion 901 with respect to the air-conditioned space 125. メンテナンス機器900は、開口部120Cを介して、露光装置EXSのうち空調空間125の内部に対して発光部901を移動可能である。 Maintenance device 900 through the opening 120C, is movable emitting portion 901 with respect to the interior of the air-conditioned space 125 of the exposure apparatus EXS.

本実施形態においては、露光装置EXSのメンテナンス時に、メンテナンス機器900を使った光洗浄処理が行われる。 In the present embodiment, at the time of maintenance of the exposure apparatus EXS, the optical cleaning treatment using maintenance device 900 is performed. メンテナンス機器900を使って光洗浄処理を行う場合には、例えば作業者が、メンテナンス機器900を露光装置EXSの開口部120C近傍に搬送する。 When performing optical cleaning treatment using the maintenance device 900, for example a worker conveys the maintenance device 900 to the vicinity of the opening 120C of the exposure apparatus EXS. メンテナンス機器900は台車905を有しているので、作業者はメンテナンス機器900を容易に搬送可能である。 Since maintenance device 900 has a carriage 905, the operator is capable of transporting the maintenance device 900 easily. そして、連結部材906の先端部に支持されているステージ904及びそのステージ904上の支持台903が、発光部901とともに開口部120Cを介して空調空間125の内部に移動される。 The support table 903 on the stage 904 and stage 904 is supported on the distal end portion of the connecting member 906 is moved inside the air-conditioned space 125 together with the light emitting portion 901 through the opening 120C. そして、発光部901は投影光学系PL及びノズル部材70の下方の位置に配置される。 Then, the light emitting portion 901 is disposed at a position below the projection optical system PL and the nozzle member 70. このとき、基板ステージPSTは、投影光学系PLの下方の位置以外の所定の退避位置に退避している。 At this time, the substrate stage PST is retracted to a predetermined retreat position other than the position under the projection optical system PL. そして、メンテナンス機器900は、ステージ904を駆動して、支持台903に支持されている発光部901を投影光学系PLの光学素子2の下面2Aに対して位置決めする。 The maintenance device 900 drives the stage 904 to position the light emitting portion 901 is supported by the support base 903 against the lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL. 発光部901の発光面は上方を向いており、光学素子2の下面2Aと対向する。 Emitting surface of the light emitting portion 901 is directed upward, facing the lower surface 2A of the optical element 2. この状態で、メンテナンス機器900は、発光部901より照射光Luを射出する。 In this state, maintenance equipment 900 emits irradiation light Lu from the light emitting unit 901. 光学素子2の下面2Aは照射光Luを照射されることにより光洗浄される。 The lower surface 2A of the optical element 2 is light cleaned by being irradiated with the irradiation light Lu. また、メンテナンス機器900は、ステージ904を駆動することにより、発光部901をノズル部材70の下面70Aに対して位置決めすることができ、その状態で発光部901より照射光Luを射出することにより、ノズル部材70の下面70Aを良好に光洗浄することができる。 Also, the maintenance device 900, by moving the stage 904, it is possible to position the light emitting portion 901 to the lower surface 70A of the nozzle member 70, by injecting irradiated light Lu from the light emitting unit 901 in this state, the lower surface 70A of the nozzle member 70 can be satisfactorily light cleaning. このように本実施形態のメンテナンス方法及びメンテナンス機器においても、露光装置内で、洗浄すべき部材を露光装置から取り外すことなく、露光装置内でかかる部材だけを光洗浄することが可能であるので、部材を露光装置から取り外す場合に比べて短時間でメンテナンスを完了することができる。 Also in the maintenance method and maintenance equipment of the present embodiment, in the exposure apparatus, without removing the to be cleaned member from the exposure apparatus, since only member of in the exposure apparatus is capable of light washing, it is possible to complete the maintenance in a shorter time as compared with the case of detaching the member from the exposure apparatus. 上述のように、液浸領域AR2を良好に形成するためには、投影光学系PLの光学素子2の下面2A、及びノズル部材70の下面70Aは親液性(親水性)であることが好ましく、照射光(紫外光)Luを照射することで、光学素子2の下面2A、及びノズル部材70の下面70Aに親液性を付与することもできる。 As described above, in order to satisfactorily form the liquid immersion area AR2 is preferably lower surface 2A of the optical element 2 of the projection optical system PL, and the lower surface 70A of the nozzle member 70 is lyophilic (hydrophilic) , it is possible to irradiate the illumination light (ultraviolet light) Lu, the lower surface 2A of the optical element 2, and also to impart lyophilic to the lower surface 70A of the nozzle member 70.

またメンテナンス機器900は、ステージ904を駆動して、発光部901を移動することにより、基板アライメント系350やフォーカス・レベリング検出系60等の他の部材も良好に光洗浄することができる。 The maintenance device 900 drives the stage 904, by moving the light emitting portion 901, other members such as a substrate alignment system 350 and the focus leveling detection system 60 also can be satisfactorily light cleaning.

またメンテナンス機器900は、発光部901の発光面を下方に向けて、基板ステージPSTの上面31や、基板ステージPST上の各光計測部300、400、500、600を光洗浄することができる。 The maintenance device 900, the light emitting surface of the light emitting portion 901 downward, and the upper surface 31 of the substrate stage PST, the respective light measuring devices 300, 400, 500, 600 on the substrate stage PST can be optically cleaned. あるいは、メンテナンス機器900は、発光部901の発光面を上方に向けた状態で照射光Luを射出し、反射部材を使って発光部901から射出した照射光Luを基板ステージPSTに導くこともできる。 Alternatively, maintenance device 900 may also be derived emits the irradiation light Lu in a state in which the light emitting surface of the light emitting portion 901 upward, the illumination light Lu emitted from the light emitting portion 901 with a reflecting member on the substrate stage PST . すなわち、メンテナンス機器900が反射部材を有する構成とすることで、発光部901から射出された照射光Luを所定方向に導くことができる。 That is, the structure where the maintenance device 900 has a reflective member, it is possible to guide the emitted illumination light Lu from the light emitting unit 901 in a predetermined direction.

なお、本実施形態においても、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aと発光部901の発光面との間を液体LQで満たしながら光洗浄処理を行うようにしてもよい。 Also in this embodiment, it may be performed optical cleaning treatment while filled with the liquid LQ between the light emitting surface of the lower surface 70A and the light emitting portion 901 of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2.

<第10の実施形態> <Tenth embodiment of>
次に、第10の実施形態について図13を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 13 for the tenth embodiment. 図13に示すメンテナンス機器900Aは、発光部901と、発光部901を支持する支持面908Aを有する支持部材908とを備えている。 Maintenance device 900A shown in FIG. 13 includes a light emitting portion 901, and a support member 908 having a support surface 908A for supporting the light emitting portion 901. 支持部材908は、ノズル部材70と接続可能な接続部909を備えている。 Support member 908 has a connecting portion 909 connectable to a nozzle member 70. ノズル部材70の側面には、支持部材908の接続部909と接続する被接続部70Sが設けられており、接続部909と被接続部70Sとが接続することで、支持部材908とノズル部材70とが接続する。 The side surface of the nozzle member 70, and the connecting part 70S is provided to be connected to the connecting portion 909 of the support member 908, by a connecting portion 909 and the connecting portion 70S is connected, the support member 908 and the nozzle member 70 door is connected. そして、ノズル部材70と支持部材908とを接続部909を介して接続することにより、支持部材908の支持面908A上の発光部901と、投影光学系PLの光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aとが対向するようになっている。 By connecting via the connection portion 909 of the nozzle member 70 and the support member 908, and the light emitting portion 901 on the support surface 908A of the support member 908, the lower surface 2A and the nozzle member of the optical element 2 of the projection optical system PL 70 and the lower surface 70A is made to face the. また、本実施形態においては、発光部901は、支持面908A上でX軸方向及びY軸方向のそれぞれに移動可能に設けられている。 In the present embodiment, the light emitting unit 901 is provided to be movable in both the X-axis direction and the Y-axis direction on the support surface 908A.

メンテナンス機器900Aを使って光洗浄処理を行う場合には、例えば作業者によって、発光部901を支持した支持部材908とノズル部材70とが接続される。 When performing optical cleaning treatment using the maintenance device 900A, for example by the operator, the supporting member 908 and the nozzle member 70 that supports the light emitting portion 901 are connected. このとき、基板ステージPSTは投影光学系PLの下方の位置以外の所定の退避位置に退避している。 At this time, the substrate stage PST is retracted to a predetermined retreat position other than the position under the projection optical system PL. そして、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aと発光部901の発光面とを対向させた状態で、発光部901から照射光Luを射出することにより、光学素子2の下面2A及びノズル部材70Aの下面70Aは照射光Luに照射されて光洗浄される。 Then, in a state of being opposed to the light emitting surface of the lower surface 70A and the light emitting portion 901 of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2, by injection irradiation light Lu from the light emitting portion 901, the lower surface 2A and the optical element 2 the lower surface 70A of the nozzle member 70A is optically cleaned is irradiated to the irradiation light Lu. また、発光部901は支持面908Aで移動可能であるため、発光部901を光学素子2の下面2A及びノズル部材70Aの下面70Aのそれぞれに対して所望の位置に位置決めした状態で照射光Luを照射することができる。 Further, since the light emitting portion 901 is movable in the support surface 908A, the irradiation light Lu emitting portion 901 in a state of being positioned at a desired position with respect to each of the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70A of the optical element 2 it can be irradiated.

なお、本実施形態においても、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aと発光部901の発光面との間を液体LQで満たしながら光洗浄処理を行うようにしてもよい。 Also in this embodiment, it may be performed optical cleaning treatment while filled with the liquid LQ between the light emitting surface of the lower surface 70A and the light emitting portion 901 of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2.

また、上述の第9及び第10の実施形態においては、1つの基板ステージPSTを備えた露光装置のメンテナンスについて述べているが、上述のような計測ステージと基板ステージとを備えた露光装置や、複数の基板ステージを備えた露光装置にも、第9及び第10の実施形態のメンテナンス機器を適用することができる。 In the ninth and tenth embodiments described above, it describes the maintenance of an exposure apparatus provided with a single substrate stages PST, exposure apparatus that includes a measurement stage and the substrate stage as described above, to an exposure apparatus having a plurality of substrate stages it can be applied to maintenance device of the ninth and tenth embodiments.

<第11の実施形態> <Embodiment of the 11>
次に、第11の実施形態について図14を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 14 for the eleventh embodiment. 図14に示す露光装置EXSは、図9や図10の実施形態同様、投影光学系PLの像面側で移動可能な基板ステージPST1及び計測ステージPST2を備えている。 The exposure apparatus EXS shown in FIG. 14 includes an embodiment similar, moveable substrate stage side of the image plane of the projection optical system PL PST1 and the measuring stage PST2 in FIGS. 9 and 10. また、図14に示すメンテナンス機器900Bは、発光部901と、発光部901を支持する支持部材912とを備えている。 Also, maintenance device 900B shown in FIG. 14 includes a light emitting portion 901, and a support member 912 for supporting the light emitting portion 901. 支持部材912は、計測ステージPST2と接続可能な接続部913を備えている。 Support member 912 has a connecting portion 913 connectable to a measuring stage PST2. 計測ステージPST2には、支持部材912の接続部913と接続する被接続部914が設けられており、接続部913と被接続部914とが接続することで、支持部材912と計測ステージPST2とが接続する。 The measuring stage PST2 are connected part 914 is provided to be connected to the connecting portion 913 of the support member 912, by a connecting portion 913 and the connecting portion 914 is connected, the support member 912 and the measuring stage PST2 Connecting.

メンテナンス機器900Bを使って光洗浄処理を行う場合には、例えば作業者によって、図14(A)に示すように、発光部901を支持した支持部材912と計測ステージPST2とが接続部913を介して接続される。 When performing optical cleaning treatment using the maintenance device 900B, for example by the operator, as shown in FIG. 14 (A), a support member 912 supporting the light emitting portion 901 and the measuring stage PST2 is via the connection portion 913 It is connected to Te. そして、図14(B)に示すように、計測ステージPST2を移動して、発光部901を投影光学系PLの下方の位置に配置し、光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aと発光部901の発光面とを対向させる。 Then, as shown in FIG. 14 (B), by moving the measuring stage PST2, the light emitting portion 901 is disposed at a position beneath of the projection optical system PL, and the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 It is opposed to the light emitting surface of the light emitting portion 901. その状態で、発光部901から照射光Luを射出することにより、光学素子2の下面2A及びノズル部材70Aの下面70Aは照射光Luに照射されて光洗浄される。 In this state, by injecting irradiated light Lu from the light emitting portion 901, the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70A of the optical element 2 is light cleaned is irradiated to the irradiation light Lu. また、発光部901は計測ステージPST2の移動に伴って移動可能であるため、発光部901を光学素子2の下面2A及びノズル部材70Aの下面70Aのそれぞれに対して所望の位置に位置決めした状態で、照射光Luを照射することができる。 Further, the light emitting portion 901 is because it is movable with the movement of the measuring stage PST2, the light emitting portion 901 in a state of being positioned at a desired position with respect to each of the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70A of the optical element 2 , it can be irradiated with the irradiation light Lu.

なお、メンテナンス機器900Bは、計測ステージPST2に限らず、基板ステージPST1に接続されてもよい。 Incidentally, the maintenance device 900B is not limited to the measuring stage PST2, it may be connected to the substrate stage PST1. メンテナンス機器900Bの支持部材912に基板ステージPST1と接続可能な接続部を設けることで、メンテナンス機器900Bと基板ステージPST1とを接続することができる。 By the support member 912 of the maintenance device 900B provided a connection portion connectable with the substrate stage PST1, it is possible to connect the maintenance device 900B and the substrate stage PST1.

また、本実施形態においても、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aと発光部901の発光面との間を液体LQで満たしながら光洗浄処理を行うようにしてもよい。 Also in this embodiment, it may be performed optical cleaning treatment while filled with the liquid LQ between the light emitting surface of the lower surface 70A and the light emitting portion 901 of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2.

<第12の実施形態> <12th Embodiment>
次に、第12の実施形態について図15を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 15 for the twelfth embodiment. 図15に示すメンテナンス機器900Cは、発光部901と、発光部901を支持する支持部材915とを備えている。 Maintenance device 900C shown in FIG. 15 includes a light emitting portion 901, and a support member 915 for supporting the light emitting portion 901. 支持部材915は、基板ステージPST1及び計測ステージPST2を移動可能に支持するステージベース(ベース部材)57と接続可能な接続部916を備えている。 Support member 915 includes a stage base (base member) 57 can be connected connection portion 916 that movably supports the substrate stage PST1 and the measuring stage PST2. ステージベース57には、支持部材915の接続部916と接続する被接続部917が設けられており、接続部916と被接続部917とが接続することで、支持部材915とステージベース57とが接続する。 The stage base 57 are connected part 917 is provided to be connected to the connecting portion 916 of the support member 915, by a connecting portion 916 and the connecting portion 917 is connected, and a support member 915 and the stage base 57 Connecting. 本実施形態においては、ステージベース57の上面と、そのステージベース57に接続されたメンテナンス機器900C(発光部901)の表面とはほぼ面一となっている。 In the present embodiment has the upper surface of stage base 57, substantially flush with the surface of the maintenance device 900C connected to the stage base 57 (the light emitting portion 901). これにより、基板ステージPST1及び計測ステージPST2がメンテナンス機器900C(発光部901)の表面上を移動可能であり、メンテナンス機器900Cをステージベース57に設けることによるステージベース57上の基板ステージPST1及び計測ステージPST2の移動範囲を拘束することはない。 Accordingly, the substrate stage PST1 and the measuring stage PST2 is movable over the surface of the maintenance device 900C (the light emitting portion 901), the substrate stage PST1 and the measuring stage on the stage base 57 by providing the maintenance device 900C on the stage base 57 the range of movement of the PST2 not to be bound to. そして、ステージベース57に接続部916を介して接続された支持部材915上の発光部901から照射光Luを射出することにより、投影光学系PLの光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aを光洗浄することができる。 Then, by injecting irradiated light Lu from the light emitting portion 901 on the support member 915 that is connected via connection 916 to the stage base 57, the lower surface of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 of the projection optical system PL 70A can be a light wash.

なお、本実施形態においては、メンテナンス機器900Cは、ベース部材57に常駐させることもできる。 In the present embodiment, maintenance device 900C may also reside in the base member 57. また、メンテナンス機器900C(発光部901)をベース部材57に対して上下動可能に配置しておき、メンテナンス機器900(発光部901)を光学素子2やノズル部材70に近接させて光洗浄処理を行うこともできる。 Also, maintenance device 900C (the light emitting portion 901) should be placed in vertically movable relative to the base member 57, in close proximity maintenance device 900 (light emitting portion 901) to the optical element 2 and the nozzle member 70 the optical cleaning treatment It can also be carried out.

なお、上述の第11及び第12の実施形態においては、基板ステージPST1と計測ステージPST2とを備えた露光装置のメンテナンス機器について述べているが、一つ又は複数の基板ステージのみを備えた露光装置に、第11及び第12の実施形態のメンテナンス機器を用いることもできる。 In the eleventh and twelfth embodiments described above, the exposure apparatus has been described maintenance device of the exposure apparatus provided with a substrate stage PST1 and the measuring stage PST2, having only one or more of the substrate stage to, it may also be used maintenance device of the eleventh and twelfth embodiments.

<第13の実施形態> <13th embodiment>
次に、第13の実施形態について図16を参照しながら説明する。 It will be described below with reference to FIG. 16 for the thirteenth embodiment. 図16には基板ステージPSTの一例が示されている。 It is shown an example of a substrate stage PST in Figure 16. 図16において、基板ステージPSTは、Xガイド部材920によりX軸方向への移動を案内され、Xリニアモータ921によりX軸方向に移動する。 16, the substrate stage PST, the X guide member 920 is guided to move in the X-axis direction, moves in the X-axis direction by X linear motor 921. Xリニアモータ921は、基板ステージPSTに設けられた可動子921MとXガイド部材920に設けられた固定子921Cとによって構成されている。 X linear motor 921 is constituted by a stator 921C provided on the movable element 921M and X guide member 920 provided on the substrate stage PST. 基板ステージPSTは、Xガイド部材920を囲むように設けられた枠部材930を有しており、その下面934に、ステージベース57の上面に対して基板ステージPSTを非接触支持するためのエアベアリング935が設けられている。 The substrate stage PST, X guide member 920 has a frame member 930 which is provided to surround the, on its lower surface 934, an air bearing for contactless support the substrate stage PST with respect to the upper surface of stage base 57 935 is provided. エアベアリング935によって、枠部材930を含む基板ステージPSTがステージベース57に対して非接触支持され、枠部材930とXガイド部材920とのZ軸方向に関するギャップが維持されている。 The air bearing 935, a substrate stage PST including the frame member 930 is supported in a non-contact manner with respect to stage base 57, the gap in the Z axis direction of the frame member 930 and the X guide member 920 is maintained. また、枠部材930の内側面にはエアベアリング935が設けられており、このエアベアリング935によって、枠部材930の内側面とXガイド部材920とのY軸方向に関するギャップが維持されている。 Further, the inner surface of the frame member 930 has an air bearing 935 is provided by the air bearing 935, a gap in the Y-axis direction between the inner surface and the X guide member 920 of the frame member 930 is maintained.

Xガイド部材920は、ステージベース57のX軸方向両側のそれぞれに設けられた側面視略L字状の支持部材923の上端部のガイド部923BによりY軸方向への移動を案内される。 X guide member 920 is guided to move in the Y-axis direction by the guide portion 923B of the upper end portion of the X-axis direction on both sides of the side view L-shaped support member 923 provided on each of the stage base 57. ガイド部923B(支持部材923)は、Xガイド部材920の両端部のそれぞれに対応する位置に設けられており、Xガイド部材920の両端部のそれぞれには、ガイド部923Bに対応する被ガイド部924が設けられている。 Guide section 923B (the support member 923) is provided at positions corresponding to both ends of the X guide member 920, the respective opposite ends of the X guide member 920, the guide portion corresponding to the guide section 923B 924 is provided. ガイド部923Bと被ガイド部924との間にはエアベアリングが介在しており、被ガイド部924はガイド部923Bに対して非接触支持されている。 Between the guide portion 923B and the guided portion 924 is interposed the air bearing, the guide portion 924 is supported in a non-contact manner with respect to the guide portion 923B. Xガイド部材920は、Yリニアモータ922によりY軸方向に移動可能に設けられている。 X guide member 920 is provided movably in the Y-axis direction by the Y linear motor 922. 基板ステージPSTは、Yリニアモータ922の駆動により、Xガイド部材920と一緒にY軸方向へ移動可能である。 The substrate stage PST is driven by the Y linear motors 922 can be moved in the Y-axis direction together with the X guide member 920. Yリニアモータ922は、Xガイド部材920の長手方向両端部のそれぞれに設けられた可動子922Mと、この可動子922Mに対応するように、支持部材923の平面部923A上にエアベアリングを介して非接触支持されている固定子922Cとを備えている。 Y linear motors 922, and a mover 922M provided in each of the longitudinal ends of the X guide member 920, so as to correspond to the movable element 922M, via an air bearing on a planar portion 923A of the support member 923 and a stator 922C which is a non-contact support. Yリニアモータ922の可動子922Mが固定子922Cに対して駆動することで、Xガイド部材920が基板ステージPSTと一緒にY軸方向に移動する。 Mover 922M of Y linear motors 922 that is driven against the stator 922C, X guide member 920 is moved in the Y-axis direction together with the substrate stage PST. また、Yリニアモータ922、922のそれぞれの駆動を調整することでXガイド部材920はθZ方向にも回転移動可能となっている。 Further, X guide member 920 by adjusting the respective drive of the Y linear motors 922,922 has a possible rotational movement in the θZ direction. したがって、このYリニアモータ922、922により基板ステージPSTがXガイド部材920とほぼ一体的にY軸方向及びθZ方向に移動可能となっている。 Therefore, almost it has become integrally movable in the Y-axis direction and the θZ direction substrate stage PST and the X guide member 920 by the Y linear motors 922,922.

図16の実施形態において、メンテナンス機器900Dを構成する発光部901は、ガイド部923Bに接続された支持部材919上に支持されている。 In the embodiment of FIG. 16, the light emitting unit 901 constituting the maintenance device 900D is supported on a support member 919 connected to the guide portion 923B. 支持部材919は、ステージベース57のX軸方向両側に設けられたガイド部923Bのそれぞれに接続可能な接続部918を有している。 Support member 919 has a connecting portion 918 connectable to each of the guide portions 923B provided on the X-axis direction on both sides of the stage base 57. メンテナンス時においては、基板ステージPSTは、投影光学系PLの下方の位置以外の所定の退避位置に退避する。 During maintenance, the substrate stage PST is retracted to a predetermined retreat position other than the position under the projection optical system PL. そして、メンテナンス機器900Dの支持部材919がガイド部923Bに支持される。 The supporting member 919 of the maintenance device 900D is supported by the guide portion 923B. このとき、発光部901が投影光学系PLの下方の位置に配置されるように、支持部材919がガイド部923Bに支持される。 In this case, as the light emitting portion 901 is disposed at a position beneath of the projection optical system PL, and the support member 919 is supported by the guide portion 923B. この状態で、発光部901が照射光Luを射出することにより、投影光学系PLの光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aを光洗浄することができる。 In this state, the light emitting unit 901 emits the illumination light Lu, the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2 of the projection optical system PL may be an optical cleaning.

なお、メンテナンス機器900Dの発光部901をXガイド部材920上に設置し、Xガイド部材920上に設置された発光部901と光学素子2の下面2A及びノズル部材70の下面70Aとを対向させ、その発光部901から照射光Luを射出して、光学素子2の下面2Aやノズル部材70の下面70Aに照射するようにしてもよい。 Incidentally, are opposed to the lower surface 70A of the maintenance device 900D of the light emitting portion 901 is placed on the X guide member 920, the X guide member emitting portion 901 disposed on the 920 and the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2, and emits illumination light Lu from the light emitting unit 901, may be irradiated on the lower surface 70A of the lower surface 2A and the nozzle member 70 of the optical element 2.

また本実施形態においては、1つの基板ステージPSTを備えた露光装置のメンテナンスについて述べているが、上述のような計測ステージと基板ステージとを備えた露光装置や、複数の基板ステージを備えた露光装置にも本実施形態のメンテナンス機器を適用することができる。 In this embodiment also, although it describes the maintenance of an exposure apparatus provided with a single substrate stages PST, exposure apparatus that includes a measurement stage and the substrate stage as described above, comprises a plurality of substrate stages exposure device also can be applied to maintenance device of the present embodiment.

なお、上述の第10〜第13の実施形態おいては、メンテナンス機器を、ノズル部材、ステージ、ベース部材に接続しているが、露光装置EXSに対してメンテナンス機器を接続する接続位置(取り付け位置)としては、例えばメインコラム4(図1など参照)であってもよい。 Incidentally, the Keep embodiment of the tenth to 13 described above, the maintenance device, the nozzle member, the stage, but is connected to the base member, the connecting position (attachment position connecting the maintenance device to the exposure apparatus EXS ) as may be, for example, the main column 4 (see, FIG. 1).

なお、上述の第10〜第13の実施形態のメンテナンス機器においても、発光部901から射出した照射光Luを反射部材で反射し、その反射光を光学素子2やノズル部材70、あるいはステージに照射するようにしてもよい。 Also in the maintenance equipment tenth to thirteenth embodiment of the above, the irradiation light Lu emitted from the light emitting unit 901 is reflected by the reflecting member, irradiating the reflected optical element 2 and the nozzle member 70 or the stage, it may be.

また、第9〜第13の実施形態においても、第7の実施形態で述べたように、光洗浄を行う部材の表面に光触媒作用を有する膜が形成されていることが望ましい。 Also in the embodiment of the ninth to 13, as described in the seventh embodiment, it is desirable that the film having a photocatalytic activity on the surface of the member for light cleaning is formed.

なお上述のメンテナンス機器においては、発光部901に光源が内蔵されたものとして説明したが、光源を発光部901とは離れた位置(例えば露光装置EXSの外部)に設け、その光源から射出された照射光Luを光ファイバ等で発光部901まで伝送するようにしてもよい。 In still above the maintenance device, the light source to the light emitting portion 901 has been described as being built, a position apart from the light emitting portion 901 and light source is provided on (e.g., the outside of the exposure apparatus EXS), emitted from the light source the irradiation light Lu may be transmitted to the light-emitting portion 901 in the optical fiber or the like.

なお、上述の各実施形態においては、ステージの基準部材、光計測部、光学素子2の下面2A,ノズル部材70の下面70Aなどを光洗浄しているが、これらのすべてを光洗浄する必要はなく、必要に応じて、これらの少なくとも一部に光洗浄を行うようにすればよい。 In each embodiment described above, the reference member of the stage, the light measuring unit, the lower surface 2A of the optical element 2, and the lower surface 70A of the nozzle member 70 has the optical cleaning, is necessary to all of these optical cleaning no, if necessary, it may be performed for these at least in part on the optical cleaning.

また、上述の実施形態においては、露光装置EXSに搭載された部材を光洗浄する場合について説明したが、液体LQに接触する部材を、露光装置EXSに組み込む前や、露光装置EXSから取り外したときに光洗浄することも効果的である。 Further, when in the above-described embodiment, the member mounted on the exposure apparatus EXS has been described a case where light wash, a member that contacts the liquid LQ, and prior to incorporation into the exposure apparatus EXS, removed from the exposure apparatus EXS it is also effective to light cleaning.

上述したように、本実施形態における液体LQは純水により構成されている。 As described above, the liquid LQ in the present embodiment is constituted by pure water. 純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。 Pure water can be obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing plant or the like, that it has no adverse effects on the photoresist and the optical element (lens) and the like on the substrate P. また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。 Further, pure water has no adverse effects on the environment and contains very few impurities, the action of cleaning the surface of the optical element provided at the end face of the surface, and the projection optical system PL of the substrate P can be expected . なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。 When the purity of pure water supplied from the factory or the like is low, the exposure apparatus may be provided with an ultrapure water-producing unit.

そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水(水)の屈折率nはほぼ1.44程度と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nm程度に短波長化されて高い解像度が得られる。 Then, when the wavelength is using pure water refractive index of the (water) n is said to approximately 1.44, ArF excimer laser light as the light source of the exposure light EL (wavelength 193nm) with respect to the exposure light EL of about 193nm , 1 / n, i.e. to reduce the wavelength is high resolution of about 134nm obtained on the substrate P. 更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍程度に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。 Furthermore, approximately n times the depth of focus than in the air, namely to be enlarged to about 1.44 times, when the depth of focus approximately the same as that when used in air may be secured, the projection optical system It can be more increasing the numerical aperture of PL, and resolution improves on this point.

なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数NAが0.9〜1.3になることもある。 In the case of using the liquid immersion method as described above, the numerical aperture NA of the projection optical system is 0.9 to 1.3. このように投影光学系の開口数NAが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。 Since the when the numerical aperture NA of the projection optical system becomes large, a random polarized light conventionally used as the exposure light sometimes the image formation performance is deteriorated due to the polarization effect, to use a polarized illumination desirable. その場合、マスク(レチクル)のライン・アンド・スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスク(レチクル)のパターンからは、S偏光成分(TE偏光成分)、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるようにするとよい。 In that case, it is appropriate that the linear polarized illumination, which is adjusted to the longitudinal direction of the line pattern of the line-and-space pattern of the mask (reticle), from the pattern of the mask (reticle), S-polarized light component (TE-polarized component), i.e. the line pattern may be as diffracted light of the polarization direction component along the longitudinal direction is many injection of. 投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、投影光学系PLと基板P表面に塗布されたレジストとの間が空気(気体)で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与するS偏光成分(TE偏光成分)の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系の開口数NAが1.0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。 If between coated on the projection optical system PL and the substrate P surface resist it is filled with a liquid, between the resist coated on the projection optical system PL and the substrate P surface is filled with air (gas) as compared with the case where there, since the transmittance of the resist surface of the diffracted light that contributes S-polarized light component to improve the contrast (TE-polarized component) is high, the numerical aperture NA of the projection optical system that exceeds 1.0 it is possible to obtain high imaging performance even when. また、位相シフトマスクや特開平6−188169号公報に開示されているようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法(特にダイポール照明法)等を適宜組み合わせると更に効果的である。 Moreover, it is further effective when combined oblique incidence illumination method, which is adjusted to the longitudinal direction of the line pattern as disclosed in JP-phase shift masks and JP 6-188169 (particularly dipole illumination method) or the like as appropriate.

また、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、微細なライン・アンド・スペースパターン(例えば25〜50nm程度のライン・アンド・スペース)を基板P上に露光するような場合、マスクMの構造(例えばパターンの微細度やクロムの厚み)によっては、Wave guide効果によりマスクMが偏光板として作用し、コントラストを低下させるP偏光成分(TM偏光成分)の回折光よりS偏光成分(TE偏光成分)の回折光が多くマスクMから射出されるようになるので、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスクMを照明しても、投影光学系PLの開口数NAが0.9〜1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。 Further, for example, ArF excimer laser as the exposure light, 1/4 about using the projection optical system PL having a reduction magnification, the substrate fine line-and-space pattern (e.g. 25~50nm line-and-space of about) If such is exposed on P, depending on the structure of the mask M (for example, the pattern fineness and the thickness of chromium), the mask M acts as a polarizing plate due to the Wave guide effect, P-polarized light component lowering the contrast (TM-polarized light since the diffracted light of the S-polarized light component from the diffracted light component) (TE-polarized component) is radiated from the mask M, it is desirable to use the linear polarized illumination as described above, the mask M is illuminated with random polarized light also, it is the numerical aperture NA of the projection optical system PL obtain the high resolution performance even when large as 0.9 to 1.3. また、マスクM上の極微細なライン・アンド・スペースパターンを基板P上に露光するような場合、Wire Grid効果によりP偏光成分(TM偏光成分)がS偏光成分(TE偏光成分)よりも大きくなる可能性もあるが、例えばArFエキシマレーザを露光光とし、1/4程度の縮小倍率の投影光学系PLを使って、25nmより大きいライン・アンド・スペースパターンを基板P上に露光するような場合には、S偏光成分(TE偏光成分)の回折光がP偏光成分(TM偏光成分)の回折光よりも多くマスクMから射出されるので、投影光学系PLの開口数NAが0.9〜1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。 Further, when an extremely fine line-and-space pattern on the mask M such that the exposure on the substrate P, greater than P-polarized light components by Wire Grid effect (TM-polarized light component). The S-polarized light component (TE-polarized component) Although some potentially, for example, an ArF excimer laser as the exposure light, such as by using the projection optical system PL having a reduction magnification of about 1/4, to expose the 25nm line-and-space pattern larger than the substrate P in this case, since the diffracted light of the S-polarized component (TE-polarized component) is radiated from the mask M than the diffracted light of the P polarized light component (TM-polarized light component), the numerical aperture NA of the projection optical system PL is 0.9 it is possible to obtain the high resolution performance even when such large for 1.3.

更に、マスク(レチクル)のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明(S偏光照明)だけでなく、特開平6−53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線(周)方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。 Further, the line pattern of the mask (reticle) aligned in the longitudinal direction linearly polarized light illumination (S polarized light illumination) as well, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-53120, of a circle centering on the optical axis the combination of a tangent (circumference) polarized illumination method that linearly polarizes in a direction oblique incidence illumination method is also effective. 特に、マスク(レチクル)のパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合には、同じく特開平6−53120号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数NAが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。 In particular, not only the line pattern the pattern of the mask (reticle) extends in a predetermined direction, as in the case where the line patterns extending in a plurality of different directions in a mixed manner, are also disclosed in JP-A-6-53120 to, in the tangential direction of a circle centering on the optical axis by a combination of a polarization illumination method and the zonal illumination method that linearly polarized, it is possible to obtain high imaging performance even when the numerical aperture NA of the projection optical system is large it can.

本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子2が取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。 In the present embodiment, the optical element 2 is attached to the end portion of the projection optical system PL, the optical characteristics of the projection optical system PL by the lens can be performed, for example, aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) to adjust the. なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。 The optical element to be attached to the tip of the projection optical system PL, and may be an optical plate used to adjust the optical characteristics of the projection optical system PL. あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。 Alternatively the exposure light EL may be a plane parallel plate that can transmit. この場合、平行平面板のマスクM側及び基板P側の両方に液体LQを配置するようにしてもよい。 In this case, it is also possible to place the liquid LQ to both of the mask M side and the substrate P side of the plane parallel plate. 特に、投影光学系PLの開口数NAが1以上となる場合には、平行平面板のマスクM側にも液体が必要となる。 In particular, when the numerical aperture NA of the projection optical system PL is 1 or more, the liquid required to mask M side of the plane parallel plate.

なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。 Incidentally, if the pressure between the substrate P and the optical element at the tip of the projection optical system PL caused by the flow of the liquid LQ is large, instead of the replaceable its optical element, the optical element is moved by the pressure it may be firmly fixed so as not.

なお、本実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たす構成であってもよい。 In the present embodiment, the liquid state is between is a configuration which is filled with the liquid LQ, for example, fitted with a cover glass comprising a plane parallel plate to the surface of the substrate P and the projection optical system PL and the substrate P surface it may be configured to satisfy the LQ.

また、上述の液浸法を適用した露光装置は、投影光学系PLの光学素子2の射出側の光路空間を液体(純水)で満たして基板Pを露光する構成になっているが、国際公開第2004/019128号に開示されているように、投影光学系PLの光学素子2の入射側の光路空間も液体(純水)で満たすようにしてもよい。 Further, exposure apparatus that applies the liquid immersion method described above, but has a configuration in which the optical path space on the emission side of the optical element 2 of the projection optical system PL is filled with the liquid (pure water) to expose the substrate P, International as disclosed in Publication No. 2004/019128, it may satisfy the optical path space on the incident side of the optical element 2 of the projection optical system PL in the liquid (pure water). この場合、光学素子2の入射側の光路空間の液体に接触する部材を、上述したように光洗浄処理するようにしてもよい。 In this case, the member in contact with the liquid in the optical path space on the incident side of the optical element 2 may be an optical cleaning treatment as described above. また、光洗浄処理要の照射光Luを使って光学素子2の入射側の液体の殺菌に用いてもよい。 It may also be used for sterilization of liquid on the entrance side of the optical element 2 by using the irradiation light Lu optical cleaning treatment needed.

なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF レーザである場合、このF レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。 Although the liquid LQ of this embodiment is water, a liquid other than water may be, for example, when the light source of exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser beam is not transmitted through water , as the liquid LQ that can transmit the F 2 laser light may include, for example, fluorine-based fluid such as perfluoropolyether (PFPE) or fluorine based oil. この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。 In this case, the portion in contact with the liquid LQ, lyophilic treatment by forming a thin film, for example having a molecular structure with small polarity including fluorine material. また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。 Further, as the liquid LQ, Besides, if there is transparent to the exposure light EL high as possible refractive index, stable ones (e.g. cedar the photo resist coated on the projection optical system PL and the substrate P surface oil) can also be used. この場合も表面処理は用いる液体LQの極性に応じて行われる。 In this case, the surface treatment is performed depending on the polarity of the liquid LQ to be used.

なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 Furthermore, the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for fabricating semiconductor devices but glass substrates for display devices, the original plate of a mask or reticle used in a ceramic wafer or an exposure apparatus, for a thin film magnetic head (synthetic quartz, silicon wafer) used by an exposure apparatus.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As for the exposure apparatus EX, in the other scanning exposure apparatus by a step-and-scan method by synchronously moving the mask M and the substrate P to scan expose the pattern of the mask M (scanning stepper), and the mask M and the substrate P the pattern of the mask M collectively exposed, can also be applied to a projection exposure apparatus by a step-and-repeat system for moving sequentially steps the substrate P (stepper) while stationary.

上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いても良い。 In the embodiment described above has a light transmitting type mask is used to form a predetermined light shielding pattern on a transparent substrate (or a phase pattern or a light attenuation pattern) (reticle), in place of the reticle, e.g., U.S. as disclosed in Japanese Patent No. 6,778,257, based on the electronic data of the pattern to be exposed, transmission pattern or reflection pattern, or may be an electron mask for forming a light-emitting pattern.

また、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞をウエハW上に形成することによって、ウエハW上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。 Also, as disclosed in WO 2001/035168 pamphlet, the interference fringes by forming on the wafer W, an exposure apparatus that forms line-and-space patterns on a wafer W (lithography system) it is also possible to apply the present invention.

また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系(例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系)を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。 Further, As for the exposure apparatus EX, in the first pattern and the first pattern projection optical system a reduced image of the substrate P in a state where substantially stationary (e.g., 1/8 refractive type projection optical system including no catoptric element with a reduction magnification) It can also be applied to an exposure apparatus of a system that full-field exposure of the substrate P using. この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。 In this case, further subsequently, a reduced image of the second pattern in a state where the second pattern and the substrate P are substantially stationary with the projection optical system, the one-shot exposure in the first pattern partially superposes the substrate P It can also be applied to a stitching type full-field exposure apparatus that. また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Also, the stitching type exposure apparatus, and transferring at least two patterns are partially overlaid and the substrate P, it is also applicable to an exposure apparatus of step-and-stitch type and the substrate P is successively moved.

また、上述の実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平6−124873号公報や特開平10−303114号公報などに開示されているような、露光対象の基板の表面全体が液体で覆われている液浸露光装置にも適用可能である。 In the embodiment described above adopts the exposure apparatus in which the liquid is locally filled between the projection optical system PL and the substrate P, the present invention is, JP-A-6-124873 Publication and JP-A-10 -303114 Patent as disclosed such as in Japanese, the entire surface of the substrate as the exposure objective is applicable to an immersion exposure apparatus that is covered with liquid.

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX, the present invention is not limited to semiconductor device fabrication exposure apparatuses that expose a semiconductor element pattern onto a substrate P, an exposure apparatus and a liquid crystal display device for manufacturing or for display manufacturing, thin film magnetic heads, imaging devices (CCD ) or it can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing such as a reticle or mask.

基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。 When the linear motor is used for the substrate stage PST or the mask stage MST (see USP5,623,853 or USP5,528,118), using either a magnetic levitation type that uses an air floating type Lorentz force or reactance force using air bearings it may be. また、各ステージPST、MSTは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。 Further, each of the stages PST, MST may be a type that moves along a guide or may be the guideless type in which no guide is provided.

各ステージPST、MSTの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージPST、MSTを駆動する平面モータを用いてもよい。 As each of the stages PST, MST driving mechanism, a magnet unit in which magnets are two-dimensional, each of the stages PST by an electromagnetic force is opposed to the armature unit in which to place the coils in a two-dimensional, MST is driven it may be used. この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージPST、MSTに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージPST、MSTの移動面側に設ければよい。 In this case, either one stage PST of the magnet unit and the armature unit is connected MST, and may be provided and the other of the magnet unit and the armature unit stage PST, the moving surface side of the MST.

基板ステージPSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−166475号公報(USP5,528,118)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 Generated by the movement of the substrate stage PST reaction force so as not transmitted to the projection optical system PL, as described in JP-A-8-166475 discloses (USP5,528,118), mechanically using a frame member it may be released to the floor (ground).

マスクステージMSTの移動により発生する反力は、投影光学系PLに伝わらないように、特開平8−330224号公報(US S/N 08/416,558)に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。 Reaction force generated by the movement of the mask stage MST, so as not transmitted to the projection optical system PL, as described in JP-A-8-330224 discloses (US S / N 08 / 416,558), using a frame member mechanically it may be released to the floor (ground) Te.

以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。 As described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment is manufactured by assembling various subsystems, including each constituent element recited in the claims of the present application so that the predetermined mechanical accuracy, the optical accuracy , it is manufactured by assembling. これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 To ensure these respective precisions, performed before and after the assembling include the adjustment for achieving the optical accuracy for various optical systems, an adjustment to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, the various electrical systems adjustment for achieving the electrical accuracy is performed. 各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。 The steps of assembling the various subsystems into the exposure apparatus includes various subsystems, the mechanical interconnection, electrical circuit wiring connections, and the piping connection of the air pressure circuit. この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。 Before the process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems, there are also the processes of assembling each individual subsystem. 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。 After completion of the assembling the various subsystems into the exposure apparatus, overall adjustment is performed and various kinds of accuracy as the entire exposure apparatus are secured. なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The manufacturing of the exposure apparatus is preferably performed in a clean room in which temperature and cleanliness are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図17に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。 Microdevices such as semiconductor devices are manufactured, as shown in FIG. 17, a step 201 that performs microdevice function and performance design, a step 202 of manufacturing a mask (reticle) based on this design step, a base material for the device substrate a step 203 of producing the exposure process step 204 of exposing a pattern of a mask onto a substrate by the exposure apparatus EX of the embodiment described above, a device assembly step (dicing, bonding, including packaging step) 205, an inspection step 206, etc. It is produced through.

第1の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 It is a schematic block diagram showing an exposure apparatus according to the first embodiment. 図1の要部拡大図である。 It is an enlarged view of FIG. 基板ステージの平面図である。 It is a plan view of the substrate stage. 第1の実施形態に係る露光装置の動作の一例を示す図である。 Is a diagram illustrating an example of the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment. 第2の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 It is a schematic block diagram showing an exposure apparatus according to the second embodiment. 第3の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 It is a schematic block diagram showing an exposure apparatus according to a third embodiment. 第4の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 It is a schematic block diagram showing an exposure apparatus according to a fourth embodiment. 第5の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 It is a schematic block diagram showing an exposure apparatus according to a fifth embodiment. 第6の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 It is a schematic block diagram showing an exposure apparatus according to a sixth embodiment. 第7の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 It is a schematic block diagram showing an exposure apparatus according to a seventh embodiment. 第8の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 It is a schematic block diagram showing an exposure apparatus according to the eighth embodiment. 第9の実施形態に係るメンテナンス機器を示す図である。 It is a diagram illustrating a maintenance device according to a ninth embodiment. 第10の実施形態に係るメンテナンス機器を示す図である。 It is a diagram illustrating a maintenance device according to the tenth embodiment. 第11の実施形態に係るメンテナンス機器を示す図である。 It is a diagram illustrating a maintenance device according to an eleventh embodiment. 第12の実施形態に係るメンテナンス機器を示す図である。 It is a diagram illustrating a maintenance device according to the twelfth embodiment. 第13の実施形態に係るメンテナンス機器を示す図である。 It is a diagram illustrating a maintenance device according to the thirteenth embodiment. 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。 Is a flow chart showing an example of a manufacturing process of semiconductor devices.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

2…光学素子、12…供給口、22…回収口、31…上面、57…ステージベース(ベース部材)、70…ノズル部材、80…光洗浄装置、82…光源、84(84A、84B)…検出器、86…光学系、87…気体供給系、88…気体回収系、90…検出装置、125…空調空間、300…基準部材(計測部材)、400、500、600…光計測部、700…光学部材、800…振動機構、900…メンテナンス機器、901…発光部、AR1…投影領域、AR2…液浸領域、CONT…制御装置、EL…露光光、EX…露光装置本体、EXS…露光装置、KC…空調系、LQ…液体、Lu…照射光(紫外光)、P…基板、PH…基板ホルダ、PL…投影光学系、PST(PST1)…基板ステージ、PST2…計測ステージ 2 ... optical element, 12 ... inlet, 22 ... recovery port, 31 ... upper surface 57 ... stage base (base member), 70 ... nozzle member, 80 ... optical cleaning device, 82 ... light source, 84 (84A, 84B) ... detector, 86 ... optical system, 87 ... gas supply system, 88 ... gas recovery system, 90 ... detector, 125 ... conditioned space, 300 ... reference member (measuring member), 400, 500, 600 ... optical measuring unit, 700 ... optical member, 800 ... vibration mechanism, 900 ... maintenance device, 901 ... light-emitting unit, AR1 ... projection area, AR2 ... immersion area, CONT ... controller, EL ... exposure light, EX ... exposure apparatus main body, EXS ... exposure apparatus , KC ... air conditioning system, LQ ... liquid, Lu ... irradiating light (ultraviolet light), P ... substrate, PH ... substrate holder, PL ... projection optical system, PST (PST1) ... substrate stage, PST2 ... measurement stage

Claims (81)

  1. 投影光学系の像面側に液体の液浸領域を形成し、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記基板を露光する露光装置において、 The liquid immersion area of ​​the liquid is formed on the image plane side of the projection optical system, an exposure apparatus for exposing a substrate through a liquid in the said projection optical system liquid immersion area,
    前記液浸領域を形成するための液体に接触する部材に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光を照射する光洗浄装置を備えた露光装置。 Against member in contact with the liquid for forming the liquid immersion area, the exposure apparatus having a light cleaning device for irradiating a predetermined irradiation light having an optical cleaning effect.
  2. 前記像面側で移動可能なステージを備え、 Includes a movable stage by the image surface side,
    前記光洗浄装置は、前記ステージ上面に前記照射光を照射する請求項1記載の露光装置。 The light cleaning apparatus, exposure apparatus according to claim 1, wherein irradiating the illumination light to the stage top surface.
  3. 前記ステージは、前記基板を保持する基板ホルダを有し、 The stage includes a substrate holder for holding said substrate,
    前記光洗浄装置は、前記基板ホルダに前記照射光を照射する請求項2記載の露光装置。 The light cleaning apparatus, exposure apparatus according to claim 2, wherein irradiating the illumination light to the substrate holder.
  4. 前記ステージは前記基板を保持可能であって、 The stage is a capable of holding the substrate,
    前記光洗浄装置は、前記ステージ上に前記基板が無い状態で、前記照射光を照射する請求項2又は3記載の露光装置。 The light cleaning device, in the state the substrate is not on the stage, the exposure apparatus according to claim 2 or 3, wherein irradiating the illumination light.
  5. 前記光洗浄装置は、前記ステージ上に設けられた光計測部に前記照射光を照射する請求項2〜4のいずれか一項記載の露光装置。 The light cleaning apparatus, exposure apparatus according to any one of claims 2-4 for illuminating the illumination light to the optical measuring section provided on the stage.
  6. 前記光洗浄装置は、前記投影光学系を構成する複数の光学素子のうち最も像面に近い光学素子に前記照射光を照射する請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。 The light cleaning apparatus, exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5 that irradiates the illumination light to the optical element closest to the image plane of the plurality of optical elements constituting the projection optical system.
  7. 前記投影光学系の像面側近傍に配置され、前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材を有し、 The projection optical system is disposed near the image plane side of having a nozzle member having at least one of the recovery port for recovering the supply port and the liquid supplying the liquid,
    前記光洗浄装置は、前記ノズル部材に前記照射光を照射する請求項1〜6のいずれか一項記載の露光装置。 The light cleaning apparatus, exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6 that irradiates the illumination light to the nozzle member.
  8. 前記部材のうち前記照射光が照射される照射領域近傍に対して気体を供給する気体供給系と、 A gas supply system for supplying gas to the irradiation region near where the illumination light is irradiated of said member,
    前記気体を回収する気体回収系とを備えた請求項1〜7のいずれか一項記載の露光装置。 Exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7 and a gas recovery system for recovering the gas.
  9. 前記照射光の光路を含む空間の気体成分を検出する検出器を備え、 A detector for detecting the gas component of the space including the optical path of the illumination light,
    前記気体供給系は、前記検出器の検出結果に基づいて、供給する気体成分を調整する請求項8記載の露光装置。 Wherein the gas supply system, on the basis of the detector of the detection result, the exposure apparatus according to claim 8, wherein adjusting the gas component is supplied.
  10. 前記投影光学系の少なくとも一部を収容し、空調系によって空調される空調空間を有し、 Houses at least a part of said projection optical system has a conditioned space to be conditioned by the air conditioning system,
    前記光洗浄装置は、前記投影光学系に対して前記空調系によって形成される気体の流れの下流側に設けられている請求項1〜9のいずれか一項記載の露光装置。 The light cleaning apparatus, exposure apparatus according to any one of claims 1 to 9, with respect to the projection optical system provided on the downstream side of the flow of the gas formed by the air-conditioning system.
  11. 前記光洗浄装置は、前記空調空間の外側に配置され、前記照射光を射出する光源と、 The light cleaning device, the arranged outside the air-conditioned space, a light source for emitting said illumination light,
    前記光源から射出された前記照射光を前記空調空間内部に配置された部材に導く光学系とを備えた請求項10記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 10, further comprising an optical system for guiding the illumination light emitted from the light source member disposed within the conditioned space.
  12. 前記部材の汚染を検出する検出装置と、 A detection device for detecting contamination of said member,
    前記検出装置の検出結果に基づいて、前記光洗浄装置の動作を制御する制御装置とを備えた請求項1〜11のいずれか一項記載の露光装置。 The detection based on the detection result of the device, an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 11 and a control device for controlling the operation of the light cleaning device.
  13. 前記光洗浄装置は、前記部材に付着した有機物を除去する請求項1〜12のいずれか一項記載の露光装置。 The light cleaning apparatus, an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 12 for removing an organic matter attached to the member.
  14. 前記光洗浄装置は、前記部材上の液体が乾燥した後に、その付着跡が前記部材上に形成されないように、前記所定の照射光を照射する請求項1〜13のいずれか一項記載の露光装置。 The light cleaning device, after the liquid on the member is dried, so that the adhesion trace is not formed on the member, the exposure of any one of claims 1 to 13 which irradiates a predetermined irradiation light apparatus.
  15. 前記光洗浄装置は、前記部材に照射光を照射することによって、前記部材の液体接触面の親液性を高める請求項1〜12のいずれか一項記載の露光装置。 The light cleaning apparatus, by irradiating the irradiation light to the member, an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 12 to enhance the lyophilic property of the liquid contact surface of the member.
  16. 前記液体は純水であって、 The liquid is a pure water,
    前記光洗浄装置は、前記部材上にウォーターマークが形成されないように、前記所定の照射光を照射する請求項1〜13のいずれか一項記載の露光装置。 The light cleaning apparatus, so as not watermarks formed on the member, an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 13 which irradiates a predetermined irradiation light.
  17. 前記照射光として、前記基板を露光するための露光光を用いる請求項1〜16のいずれか一項記載の露光装置。 Examples irradiation light, an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 16 using the exposure light for exposing the substrate.
  18. 前記光洗浄装置は、前記投影光学系の像面側に配置され、前記投影光学系からの露光光の照射によって前記露光光と同一波長の光を、前記照射光として発生する光学部材を含む請求項17記載の露光装置。 Wherein the light cleaning device is disposed on the image plane side of the projection optical system, comprising an optical member for generating light having the same wavelength as the exposure light, as the illumination light by the irradiation of the exposure light from the projection optical system the exposure apparatus in claim 17, wherein.
  19. 前記光学部材は反射部材を含み、 Wherein the optical member includes a reflecting member,
    前記照射光は、前記露光光の照射によって前記反射部材から発生する反射光を含む請求項18記載の露光装置。 The irradiation light exposure apparatus according to claim 18, further comprising a reflected light generated from the reflection member by the irradiation of the exposure light.
  20. 前記光学部材は回折部材を含み、 Wherein the optical member includes a diffractive member,
    前記照射光は、前記露光光の照射によって前記回折部材から発生する回折光を含む請求項18記載の露光装置。 The irradiation light exposure apparatus according to claim 18, further comprising a diffracted light generated from the diffraction member by irradiation of the exposure light.
  21. 前記光学部材は散乱部材を含み、 Wherein the optical member includes a scattering member,
    前記照射光は、前記露光光の照射によって前記散乱部材から発生する散乱光を含む請求項18記載の露光装置。 The irradiation light exposure apparatus according to claim 18, further comprising a scattered light generated from the scattering member by irradiation of the exposure light.
  22. 前記光学部材は、前記投影光学系の像面側で移動可能な可動部材に配置されている請求項18〜21のいずれか一項記載の露光装置。 The optical member, the projection optical system exposure apparatus according to any one of claims 18 to 21 which is arranged on the movable member movable on the image plane side of the.
  23. 前記液体に接触する部材は、光触媒作用を有する材料で被覆されている請求項1〜22のいずれか一項記載の露光装置。 Member in contact with said liquid, the exposure apparatus of any one of claims 1 to 22 which is coated with a material having a photocatalytic action.
  24. 前記材料は、酸化チタンを含む請求項23記載の露光装置。 The material, the exposure apparatus of claim 23 containing titanium oxide.
  25. 前記液体に接触する部材は、光触媒作用を有する膜が形成される材料を含む請求項1〜24のいずれか一項記載の露光装置。 Member in contact with said liquid, the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 24 which comprises a material film having a photocatalytic function is formed.
  26. 前記光触媒作用を有する膜が形成される材料はチタンを含む請求項25記載の露光装置。 Material film having photocatalytic activity is formed an exposure apparatus according to claim 25 further comprising titanium.
  27. 前記光洗浄装置は、前記投影光学系と前記光学部材との間に液体を満たした状態で、前記液体に接触する部材に、前記照射光を照射する請求項1〜26のいずれか一項記載の露光装置。 The light cleaning device, in a state filled with liquid between the optical member and the projection optical system, the member in contact with the liquid, according to any one of claims 1 to 26 for irradiating the illumination light of the exposure apparatus.
  28. 前記投影光学系と前記光学部材との間の液体は酸素を含む請求項27記載の露光装置。 The liquid exposure apparatus according to claim 27 further comprising an oxygen between the optical member and the projection optical system.
  29. 前記投影光学系と前記光学部材との間の液体は前記基板の露光に用いられる液体である請求項27記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 27, wherein the liquid is a liquid used for exposure of the substrate between the optical member and the projection optical system.
  30. 前記液体に接触する部材の少なくとも一部が、光触媒作用をもたらす材料から形成されている請求項18に記載の露光装置。 At least a portion of the member in contact with the liquid, the exposure apparatus according to claim 18, which is formed from a material that provides a photocatalytic action.
  31. 前記光洗浄装置は、前記投影光学系と前記光学部材との間に液体を満たした状態で、前記液体に接触する部材に、前記照射光を照射する請求項18に記載の露光装置。 The light cleaning device, in a state filled with liquid between the optical member and the projection optical system, the member in contact with the liquid, the exposure apparatus according to claim 18 which irradiates the illumination light.
  32. 前記光洗浄装置は、前記部材に照射光を照射することによって、前記部材の液体接触面の親液性を高める請求項31に記載の露光装置。 The light cleaning apparatus, by irradiating the irradiation light to the member, an exposure apparatus according to claim 31 to improve the liquophilic liquid contact surface of the member.
  33. 投影光学系の像面側の光路空間を液体で満たして、前記投影光学系と前記液体とを介して基板を露光する露光装置において、 The optical path space on the image plane side of the projection optical system is filled with liquid, the exposure apparatus that exposes a substrate via said said projection optical system liquid,
    前記光路空間を液体で満たすためのノズル部材と、 The optical path space and the nozzle member for filling with liquid,
    前記ノズル部材に付着した汚染物を除去するために、前記ノズル部材の少なくとも一部を振動させる振動機構とを備えた露光装置。 To remove contaminants adhering to the nozzle member, an exposure apparatus that includes a vibration mechanism for vibrating at least a portion of said nozzle member.
  34. 前記振動機構は、前記光路空間を液体で満たした状態で前記ノズル部材の少なくとも一部を振動させる請求項33記載の露光装置。 The vibrating mechanism, an exposure apparatus according to claim 33, wherein vibrating the at least a portion of said nozzle member the optical path space in a state filled with liquid.
  35. 前記振動機構によって前記ノズル部材を振動させるときに、前記光路空間に供給された液体は、前記基板の露光に用いられる液体である請求項34記載の露光装置。 Wherein when vibrating the nozzle member by the vibration mechanism, the liquid supplied to the optical path space, exposure apparatus according to claim 34, wherein the liquid used for exposure of the substrate.
  36. 前記振動機構は、超音波振動子を含む請求項33〜35のいずれか一項記載の露光装置。 The vibrating mechanism, an exposure apparatus according to any one of claims 33 to 35 comprising an ultrasonic vibrator.
  37. 請求項1〜請求項36のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。 Device manufacturing method using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to claim 36.
  38. 露光光の光路空間を液体で満たして、前記液体を介して基板を露光する露光装置のメンテナンス方法において、 The optical path space of the exposure light is filled with liquid, in the maintenance method for an exposure apparatus which exposes a substrate through the liquid,
    前記露光装置内で前記液体に接触する部材に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光を照射するメンテナンス方法。 Against member in contact with the liquid in the exposure apparatus, a maintenance method of irradiating a predetermined irradiation light having a light cleaning effect.
  39. 前記液体に接触する部材は、前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくとも一方を有するノズル部材を含む請求項38記載のメンテナンス方法。 Member, maintenance method of claim 38 further comprising a nozzle member having at least one of the recovery port for recovering the supply port and the liquid supplying the liquid in contact with the liquid.
  40. 前記液体に接触する部材は、光触媒作用を有する膜が表面に形成されている請求項38又は39記載のメンテナンス方法。 Member, according to claim 38 or 39 maintenance method according films having photocatalytic action is formed on the surface in contact with the liquid.
  41. 前記液体に接触する部材はチタンを含む請求項40記載のメンテナンス方法。 40. maintenance method according member containing titanium in contact with said liquid.
  42. 前記液体に接触する部材に照射光を照射することによって、前記液体に接触する部材に付着した有機物を除去する請求項38〜41のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 By irradiating the irradiation light to the member in contact with the liquid, any method of maintaining one of claims 38 to 41 to remove organic substances adhering to the member in contact with the liquid.
  43. 前記液体に接触する部材に照射光を照射することによって、前記液体に接触する部材の液体接触面の親液性を高める請求項38〜42のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 By irradiating the irradiation light to the member in contact with the liquid, any method of maintaining one of claims 38 to 42 to enhance the lyophilic property of the liquid contact surface of the member in contact with the liquid.
  44. 前記液体に接触する部材は、前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくとも一方を有するノズル部材を含む請求項43記載のメンテナンス方法。 Member, maintenance method of claim 43 further comprising a nozzle member having at least one of the recovery port for recovering the supply port and the liquid supplying the liquid in contact with the liquid.
  45. 前記露光装置は、前記液体と光学部材とを介して前記基板に露光光を照射する露光装置であって、 The exposure apparatus is an exposure apparatus that irradiates exposure light onto the substrate through said liquid and the optical member,
    前記液体と接触する部材は、前記光学部材を含む請求項43又は44記載のメンテナンス方法。 Member, maintenance method according to claim 43 or 44, wherein including the optical member in contact with the liquid.
  46. 前記液体と接触する部材を液体と接触させた状態で、前記液体と接触する部材に前記照射光を照射する請求項38〜45のいずれか一項に記載のメンテナンス方法。 Wherein the member to make contact with the liquid while in contact with the liquid, the maintenance method according to any one of claims 38 to 45 for irradiating the illumination light to the member in contact with the liquid.
  47. 前記露光装置内に所定の光学素子を持ち込み、 Bringing a predetermined optical element in the exposure apparatus,
    前記光学素子に前記露光光を照射し、前記光学素子からの光を、前記光洗浄効果を有する照射光として、前記液体と接触する部材に照射する請求項38〜46のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 The exposure light irradiating the optical element, the light from the optical element, as the irradiation light having the light cleaning effect, of any one of claims 38 to 46 for irradiating the member in contact with the liquid maintenance method.
  48. 前記露光装置は投影光学系を備え、前記投影光学系の像面側の光路空間を液体で満たして、前記投影光学系と前記液体とを介して前記基板に露光光を照射して前記基板を露光する請求項38〜47のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 The exposure apparatus includes a projection optical system, the optical path space on the image plane side of the projection optical system is filled with liquid, a substrate by radiating an exposure light onto the substrate through said said projection optical system liquid any method of maintaining one of claims 38-47 to be exposed.
  49. 露光光の光路空間を液体で満たして、前記液体を介して基板を露光する露光装置のメンテナンス機器において、 The optical path space of the exposure light is filled with liquid, in the maintenance device of the exposure apparatus that exposes a substrate through the liquid,
    前記露光装置内で前記液体に接触する部材に対して、光洗浄効果を有する所定の照射光を発生する発光部を備えたメンテナンス機器。 Against member in contact with the liquid in the exposure apparatus, maintenance device having a light emitting portion for generating a predetermined illumination light having a light cleaning effect.
  50. 前記露光装置内の物体と接続可能な接続部を備えた請求項49記載のメンテナンス機器。 Maintenance device of claim 49, further comprising an object which can be connected connection part in the exposure apparatus.
  51. 前記接続部は、前記露光装置のうち、前記投影光学系の像面側で移動可能なステージと接続可能である請求項50記載のメンテナンス機器。 The connecting portion of the exposure apparatus, maintenance device of claim 50, wherein movable stage that can be connected on the image plane side of the projection optical system.
  52. 前記接続部は、前記露光装置のうち、前記投影光学系の像面側で移動可能なステージを支持するベース部材と接続可能である請求項50又は51記載のメンテナンス機器。 Said connecting portion, said out of the exposure apparatus, the projection optical system according to claim 50 or 51 maintenance device according base member and is connectable to supporting the movable stage on the image plane side of the.
  53. 前記接続部は、前記露光装置のうち、前記光路空間を満たすための液体を供給する供給口及び液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部材と接続可能である請求項50〜52のいずれか一項記載のメンテナンス機器。 The connecting portion of the exposure apparatus, according to claim 50 can be connected to the nozzle member having at least one of the recovery port for recovering the supply port and the liquid supplying liquid for filling the optical path space 52 maintenance device according to one of.
  54. 前記発光部を移動可能に支持する支持機構を有する請求項49〜53のいずれか一項記載のメンテナンス機器。 Maintenance device of any one of claims 49 to 53 having a supporting mechanism for movably supporting said light emitting portion.
  55. 前記支持機構は、露光装置内部と外部との間で発光部を移動する請求項54記載のメンテナンス機器。 The support mechanism is maintenance device of claim 54, wherein moving the light emitting portion between the exposure apparatus inside and the outside.
  56. 前記液体に接触する部材は、前記液体を供給する供給口及び前記液体を回収する回収口のうち少なくとも一方を有するノズル部材を含む請求項49〜55のいずれか一項記載のメンテナンス機器。 The member in contact with the liquid, the maintenance apparatus according to any one of claims 49-55 comprising a nozzle member having at least one of the recovery port for recovering the supply port and the liquid supplying the liquid.
  57. 前記液体に接触する部材は、光触媒作用を有する膜が表面に形成されている請求項49〜56のいずれか一項記載のメンテナンス機器。 Member maintenance device of any one of claims 49 to 56 which films having photocatalytic action is formed on the surface in contact with the liquid.
  58. 前記液体に接触する部材はチタンを含む請求項57記載のメンテナンス機器。 Maintenance device of claim 57, wherein members containing titanium in contact with said liquid.
  59. 前記液体に接触する部材に照射光を照射することによって、前記液体に接触する部材に付着した有機物を除去する請求項49〜58のいずれか一項記載のメンテナンス機器。 By irradiating the irradiation light to the member in contact with the liquid, the maintenance apparatus according to any one of claims 49-58 for removing an organic matter attached to member in contact with the liquid.
  60. 前記液体に接触する部材に照射光を照射することによって、前記液体に接触する部材の液体接触面の親液性を高める請求項49〜59のいずれか一項記載のメンテナンス機器。 By irradiating the irradiation light to the member in contact with the liquid, the maintenance apparatus according to any one of claims 49 to 59 to enhance the lyophilic property of the liquid contact surface of the member in contact with the liquid.
  61. 前記露光光を前記発光部に照射することによって、前記発光部から発生する光を前記光洗浄効果を有する照射光として前記液体と接触する部材に照射する請求項49、56〜60のいずれか一項に記載のメンテナス機器。 By irradiating the exposure light to the light emitting portion, any one of the claims 49,56~60 for irradiating light generated from the light emitting portion to a member in contact with the liquid as the irradiation light having the light cleaning effect Mentenasu device according to claim.
  62. 前記発光部は光学面を含み、 The light emitting unit includes an optical surface,
    前記露光光を前記光学面に照射することによって、前記光学面から発生する光を前記光洗浄効果を有する照射光として前記液体と接触する部材に照射する請求項61に記載のメンテナス機器。 By irradiating the exposure light on the optical surface, Mentenasu device according to claim 61 for irradiating light generated from the optical surface member in contact with the liquid as the irradiation light having the optical cleaning effect.
  63. 前記露光装置は、前記基板を保持する基板ステージを有し、 The exposure apparatus includes a substrate stage which holds the substrate,
    前記光学面が、前記基板ステージに搭載される請求項62記載のメンテナンス機器。 The optical surface maintenance device of claim 62, wherein mounted on the substrate stage.
  64. 前記露光装置は、投影光学系を備え、前記投影光学系と前記液体とを介して前記基板を露光する請求項49〜63のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 The exposure apparatus includes a projection optical system, any maintenance method of one of claims 49 to 63 for exposing a substrate via said said projection optical system liquid.
  65. 基板を露光するための露光装置を構成する部材の洗浄方法であって、 A cleaning method of members constituting an exposure apparatus for exposing a substrate,
    前記露光装置が少なくとも基板上に形成される液浸領域の液体を介して基板を露光する液浸露光装置であり、 An immersion exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid immersion area of ​​the exposure device is formed at least on a substrate,
    前記部材が前記液浸領域を形成する液体に接触する部材であり、 A member in contact with the liquid in which the member forms the liquid immersion area,
    前記洗浄方法が、前記部材に所定の光を照射することを含む露光装置を構成する部材の洗浄方法。 The method of cleaning members constituting an exposure apparatus comprising the cleaning method, irradiates a predetermined light on the member.
  66. 露光装置から該部材を取り外すことなく、前記所定の光として紫外光を前記部材に照射する請求項65に記載の洗浄方法。 Without removing the member from the exposure apparatus, a method of cleaning according to claim 65 for irradiating ultraviolet light as the predetermined light to the member.
  67. 前記露光装置が複数の光学素子を備える投影光学系を有し、前記部材が投影光学系の像面側の端部の光学素子である請求項65又は66に記載の洗浄方法。 The exposure apparatus has a projection optical system comprising a plurality of optical elements, the method of cleaning according to claim 65 or 66 wherein the member is an optical element of an end portion of the image plane side of the projection optical system.
  68. 前記所定の光を、光学素子により前記部材に照射する請求項65〜67のいずれか一項に記載の洗浄方法。 The method of cleaning according to any one of claims 65 to 67 for irradiating predetermined light, the member by the optical element.
  69. さらに、前記部材の汚染状態をチェックすることを含み、 Furthermore, include checking the contamination state of said members,
    前記部材の汚染状態に基づいて前記所定の光の照射を制御する請求項65〜68のいずれか一項に記載の洗浄方法。 The method of cleaning according to any one of claims 65 to 68 for controlling the irradiation of the predetermined light based on the contamination state of said member.
  70. 前記制御は、前記所定の光を前記部材に照射するか否かも含む請求項69記載の洗浄方法。 The control method of cleaning according to claim 69, further comprising also whether irradiating the predetermined light to said member.
  71. 前記露光装置が液体を供給及び/又は回収するためのノズル部材を有し、前記所定の光が照射される部材が該ノズル部材である請求項65〜70のいずれか一項に記載の洗浄方法。 Has a nozzle member for the exposure apparatus for supplying and / or recovering liquid, cleaning method according to any one of the predetermined claims 65-70 is member to which light is irradiated is the nozzle member .
  72. 前記露光装置において、前記ノズル部材は、前記基板と対向するように配置され、 In the exposure apparatus, the nozzle member is disposed so as to face the substrate,
    前記ノズル部材と前記基板との間に前記液体を保持可能である請求項71記載の洗浄方法。 The method of cleaning according to claim 71 wherein said liquid is capable of holding between the substrate and the nozzle member.
  73. 前記ノズル部材の液体と接する面は、親水性である請求項71又は72に記載の洗浄方法。 Surface in contact with liquid in the nozzle member, cleaning method according to claim 71 or 72 is hydrophilic.
  74. 前記ノズル部材の液体と接する面が、光触媒作用をもたらす材料から形成されている請求項71〜73のいずれか一項に記載の洗浄方法。 It said liquid in contact with the surface of the nozzle member, the method of cleaning according to any one of claims 71 to 73, which is formed from a material that provides a photocatalytic action.
  75. 前記露光装置が光学部材を備え、前記所定の光が露光光であり、該露光光を光学部材を使ってノズル部材に向けて照射する請求項71〜74のいずれか一項に記載の洗浄方法。 The exposure apparatus comprising an optical member, wherein the predetermined light is exposure light, a method of cleaning according to any one of claims 71 to 74 for irradiating the said exposure light to the nozzle member with the optical member .
  76. 前記ノズル部材と前記光学部材との間に前記液体を存在させつつ、露光光を液体を介して前記光学部材に照射する請求項75に記載の洗浄方法。 While the presence of the liquid between the optical member and the nozzle member, cleaning method according to claim 75 in which the exposure light is irradiated to the optical member via the liquid.
  77. さらに、前記液体中の酸素濃度を調整する請求項76に記載の洗浄方法。 Furthermore, the method of cleaning according to claim 76 for adjusting the oxygen concentration in the liquid.
  78. 酸化促進雰囲気下で、前記所定の光を部材に照射する請求項65〜77のいずれか一項に記載の洗浄方法。 Under oxidation promoting atmosphere, The method of cleaning according to any one of claims 65 to 77 for irradiating the predetermined light to member.
  79. 基板を露光する露光方法であって、 An exposure method for exposing a substrate,
    請求項65〜78のいずれか一項に記載の洗浄方法により前記部材を光洗浄すること、 Said member to light cleaned by cleaning method according to any one of claims 65 to 78,
    前記基板を液体を介して露光することを含む露光方法。 The exposure method comprising exposing the substrate through a liquid.
  80. 前記基板を液体を介して露光する前または露光した後に、前記部材を光洗浄する請求項79に記載の露光方法。 It said substrate before or after exposure to an exposure through a liquid, the exposure method according to claim 79 for optical cleaning the member.
  81. 請求項79又は80に記載の露光方法により基板を露光することと、 And exposing the substrate by the exposure method according to claim 79 or 80,
    露光した基板を現像することと、 And developing the exposed substrate,
    現像した基板を加工することを含むデバイスの製造方法。 A device manufacturing method comprising processing the developed substrate.
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