JP2015128196A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce consumption of process liquid used for processing a substrate.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises: an elastically deformable sponge 41 which can absorb process liquid; a reservoir 40 which supplies the process liquid to the sponge 41; and a substrate transfer robot 21 which holds a substrate W. The substrate transfer robot 21 supplies the process liquid that has been absorbed by the sponge 41 to a lower surface of the substrate W, by moving the sponge 41 and the substrate W relatively and bringing the sponge 41 into contact with the lower surface of the substrate W. A control device controls sliding between the sponge 41 and the substrate W on the basis of measured result by a measurement unit for measuring a contamination state of the substrate W.

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate, ceramic substrate, solar cell substrate and the like.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
複数枚の基板を一括して処理するバッチ式の基板処理装置は、たとえば、薬液が貯留された薬液処理槽と、リンス液が貯留されたリンス処理槽と、これらの処理槽の間で複数枚の基板を一括して搬送する搬送ロボットとを備えている(例えば特許文献1参照)。基板が処理されるときには、複数枚の基板が搬送ロボットによって薬液処理槽およびリンス処理槽に順次搬送される。
In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device is used.
A batch type substrate processing apparatus that collectively processes a plurality of substrates includes, for example, a chemical processing tank in which a chemical solution is stored, a rinse processing tank in which a rinsing liquid is stored, and a plurality of substrates between these processing tanks. And a transport robot that transports the substrates in a lump (see, for example, Patent Document 1). When a substrate is processed, a plurality of substrates are sequentially transferred to a chemical solution processing tank and a rinse processing tank by a transfer robot.

一方、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、一枚の基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の上面に向けて処理液を吐出する処理液ノズルとを備えている(例えば特許文献2参照)。基板が処理されるときには、回転状態の基板に向けて処理液ノズルから薬液およびリンス液が順次吐出される。処理液ノズルから吐出された薬液およびリンス液は、基板に供給された後、基板の周囲に飛散する。   On the other hand, a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one includes, for example, a spin chuck that horizontally holds and rotates a single substrate, and a processing liquid toward an upper surface of the substrate held by the spin chuck. (For example, refer to Patent Document 2). When the substrate is processed, the chemical liquid and the rinse liquid are sequentially discharged from the processing liquid nozzle toward the rotating substrate. The chemical liquid and the rinse liquid discharged from the processing liquid nozzle are supplied to the substrate and then scattered around the substrate.

特開平5−190529号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-190529 特開2010−177371号公報JP 2010-177371 A

バッチ式の基板処理装置では、処理される基板の枚数に拘わらず処理槽内に一定量の処理液を貯留する必要がある。したがって、処理液の消費量を低減することが困難である。一方、枚葉式の基板処理装置では、基板に供給された処理液が基板から排出されるから、基板に処理液を供給し続ける必要がある。そのため、処理液の消費量を低減することが困難である。   In a batch type substrate processing apparatus, it is necessary to store a certain amount of processing liquid in a processing tank regardless of the number of substrates to be processed. Therefore, it is difficult to reduce the consumption of the processing liquid. On the other hand, in a single wafer type substrate processing apparatus, since the processing liquid supplied to the substrate is discharged from the substrate, it is necessary to continue supplying the processing liquid to the substrate. For this reason, it is difficult to reduce the consumption of the processing liquid.

そこで、この発明の目的は、処理液の消費量を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can reduce the consumption of processing liquid.

前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジと、前記スポンジに処理液を供給する処理液供給手段と、基板を保持する基板保持手段と、前記スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを相対移動させて両者を接触させることにより、前記スポンジに吸収されている処理液を前記基板の主面に供給させる接触手段と、前記スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とが接触している状態で前記スポンジと前記基板とを相対移動させて、前記スポンジと前記基板とを摺動させる摺動手段と、基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段と、前記摺動手段を制御することにより、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記スポンジと前記基板との摺動を制御する摺動制御手段とを含む、基板処理装置である。基板の主面は、デバイス形成面である表面であってもよいし、表面とは反対側の裏面であってもよい。   In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is characterized in that a processing liquid can be absorbed and elastically deformable sponge, a processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the sponge, and a substrate holding means for holding the substrate. And a contact means for supplying the processing liquid absorbed by the sponge to the main surface of the substrate by relatively moving the sponge and the main surface of the substrate held by the substrate holding means to contact each other. And sliding the sponge and the substrate by moving the sponge and the substrate relative to each other while the sponge and the main surface of the substrate held by the substrate holding means are in contact with each other. Controlling the sliding between the sponge and the substrate based on the measurement result of the contamination state measuring means by controlling the contamination state measuring means for measuring the contamination state of the substrate and the sliding means That includes a sliding control means, a substrate processing apparatus. The main surface of the substrate may be a surface that is a device forming surface, or may be a back surface opposite to the front surface.

この構成によれば、接触手段が、処理液供給手段によって処理液が供給されたスポンジと基板保持手段に保持されている基板とを相対移動させて、スポンジと基板の主面とを接触させる。これにより、スポンジが弾性変形して、スポンジに吸収されている処理液が染み出る。そのため、薄い液膜(処理液の液膜)が形成され、この液膜によって基板の主面(主面の一部であってもよいし、全部であってもよい)が覆われる。したがって、基板においてスポンジが接触した部分に処理液を確実に供給することできる。さらに、スポンジと基板との接触により処理液が基板に一瞬で供給されるから、処理液の供給に要する時間を短縮することができる。しかも、基板の主面に供給された処理液は、基板の主面におけるスポンジとの接触部分を覆う必要最低限の量であるから、処理液の消費量を低減することができる。   According to this configuration, the contact means relatively moves the sponge supplied with the processing liquid by the processing liquid supply means and the substrate held by the substrate holding means to bring the sponge into contact with the main surface of the substrate. As a result, the sponge is elastically deformed and the treatment liquid absorbed by the sponge oozes out. Therefore, a thin liquid film (liquid film of the processing liquid) is formed, and this liquid film covers the main surface (which may be a part or all of the main surface) of the substrate. Therefore, it is possible to reliably supply the processing liquid to the portion of the substrate that is in contact with the sponge. Furthermore, since the processing liquid is instantaneously supplied to the substrate by the contact between the sponge and the substrate, the time required for supplying the processing liquid can be shortened. In addition, since the processing liquid supplied to the main surface of the substrate is the minimum necessary amount that covers the contact portion with the sponge on the main surface of the substrate, the consumption of the processing liquid can be reduced.

さらに、この構成によれば、摺動制御手段が、汚染状態測定手段の測定結果に基づいてスポンジと基板との摺動を制御する。すなわち、たとえば基板の汚染度が高い場合、摺動制御手段は、摺動手段によってスポンジと基板とを摺動させる。一方、たとえば基板の汚染度が低い場合、摺動制御手段は、スポンジと基板とを摺動させない。このように、基板の汚染状態に応じてスポンジと基板との摺動が制御されるから、基板の清浄度を安定させることができる。   Further, according to this configuration, the sliding control unit controls the sliding between the sponge and the substrate based on the measurement result of the contamination state measuring unit. That is, for example, when the degree of contamination of the substrate is high, the sliding control means slides the sponge and the substrate by the sliding means. On the other hand, for example, when the degree of contamination of the substrate is low, the sliding control means does not slide the sponge and the substrate. Thus, since the sliding of the sponge and the substrate is controlled according to the contamination state of the substrate, the cleanliness of the substrate can be stabilized.

請求項2記載の発明は、前記スポンジを洗浄するスポンジ洗浄手段をさらに含む、請求項1記載の基板処理装置である。
この構成によれば、スポンジ洗浄手段によってスポンジが洗浄される。これにより、スポンジから異物が除去される。そのため、スポンジと基板とが接触したときに、スポンジから基板に異物が移動して、基板が汚染されることを抑制または防止することができる。
The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a sponge cleaning means for cleaning the sponge.
According to this configuration, the sponge is cleaned by the sponge cleaning means. This removes foreign matter from the sponge. Therefore, when the sponge and the substrate come into contact with each other, it is possible to suppress or prevent the foreign matter from moving from the sponge to the substrate to contaminate the substrate.

請求項3記載の発明は、前記スポンジ洗浄手段は、前記スポンジが浸漬される処理液を貯留する洗浄槽と、前記洗浄槽に貯留されている処理液に前記スポンジが浸漬されている状態で前記スポンジを保持するスポンジ保持手段と、前記スポンジ保持手段に保持されている前記スポンジを圧縮させる圧縮手段とを含む、請求項2記載の基板処理装置である。   According to a third aspect of the present invention, the sponge cleaning means includes a cleaning tank storing a processing liquid in which the sponge is immersed, and the sponge is immersed in the processing liquid stored in the cleaning tank. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a sponge holding unit that holds the sponge and a compression unit that compresses the sponge held by the sponge holding unit.

この構成によれば、圧縮手段は、スポンジ保持手段に保持されているスポンジを圧縮させることができる。したがって、スポンジは、洗浄槽に貯留されている処理液に浸漬されている状態で圧縮される。圧縮手段が、その後にスポンジの圧縮を解除すると、スポンジはその弾性によって元の形状に膨張して復元する。これにより、スポンジは、その吸収力によって処理液を吸収する。スポンジが圧縮されると、スポンジの表面に付着している異物や、スポンジの内部に保持されている異物が、スポンジに吸収されている処理液と共にスポンジから排出される。これにより、スポンジから異物が除去される。   According to this configuration, the compression unit can compress the sponge held by the sponge holding unit. Accordingly, the sponge is compressed while being immersed in the treatment liquid stored in the cleaning tank. When the compression means subsequently releases the compression of the sponge, the sponge expands to its original shape due to its elasticity. Thereby, the sponge absorbs the treatment liquid by its absorption power. When the sponge is compressed, foreign matter adhering to the surface of the sponge and foreign matter held inside the sponge are discharged from the sponge together with the treatment liquid absorbed by the sponge. This removes foreign matter from the sponge.

基板処理装置は、圧縮手段を繰り返し作動させてスポンジの圧縮/膨張を繰り返してもよい。すなわち、圧縮手段の作動が繰り返し行われることにより、スポンジの圧縮/膨張が繰り返し行われてもよい。この場合、スポンジによる処理液の吸収および排出が繰り返し行われ、スポンジから異物が確実に除去される。したがって、スポンジと基板とが接触したときに、スポンジから基板に異物が移動して、基板が汚染されることを抑制または防止することができる。   The substrate processing apparatus may repeat compression / expansion of the sponge by repeatedly operating the compression unit. That is, the compression / expansion of the sponge may be repeatedly performed by repeatedly operating the compression unit. In this case, the treatment liquid is repeatedly absorbed and discharged by the sponge, and foreign matters are reliably removed from the sponge. Therefore, when the sponge and the substrate come into contact with each other, it is possible to suppress or prevent the foreign matter from moving from the sponge to the substrate and contaminating the substrate.

請求項4記載の発明は、前記スポンジ洗浄手段は、前記洗浄槽に貯留されている処理液を循環させる循環配管と、前記循環配管を流れる処理液から異物を除去するフィルタとをさらに含む、請求項3記載の基板処理装置である。
この構成によれば、洗浄槽に貯留されている処理液が、循環配管に排出され、循環配管を通って再び洗浄槽に戻る。これにより、洗浄槽に貯留されている処理液が循環する。循環配管を流れる処理液に含まれる異物は、フィルタによって除去される。したがって、洗浄槽に貯留されている処理液に含まれる異物が、スポンジに付着することを抑制または防止することができる。これにより、スポンジと基板とが接触したときに、スポンジから基板に異物が移動して、基板が汚染されることを抑制または防止することができる。
The sponge cleaning means further includes a circulation pipe that circulates the processing liquid stored in the cleaning tank, and a filter that removes foreign substances from the processing liquid flowing through the circulation pipe. Item 4. The substrate processing apparatus according to Item 3.
According to this configuration, the processing liquid stored in the cleaning tank is discharged to the circulation pipe and returns to the cleaning tank again through the circulation pipe. Thereby, the processing liquid stored in the cleaning tank circulates. Foreign matter contained in the processing liquid flowing through the circulation pipe is removed by the filter. Therefore, it is possible to suppress or prevent foreign substances contained in the processing liquid stored in the cleaning tank from adhering to the sponge. Thereby, when a sponge and a board | substrate contact, it can suppress or prevent that a foreign material moves from a sponge to a board | substrate and a board | substrate is contaminated.

請求項5記載の発明は、前記基板保持手段に保持されている基板の主面に対する前記スポンジの押し付け量を変更する押し付け量変更手段と、前記押し付け量変更手段を制御することにより、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記押し付け量を変更する押し付け量制御手段とをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置である。   The invention according to claim 5 is characterized in that the contamination state is controlled by controlling the pressing amount changing means for changing the pressing amount of the sponge against the main surface of the substrate held by the substrate holding means, and the pressing amount changing means. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a pressing amount control unit that changes the pressing amount based on a measurement result of the measuring unit.

この構成によれば、押し付け量制御手段が、汚染状態測定手段の測定結果に基づいて基板の主面に対するスポンジの押し付け量を制御する。すなわち、たとえば基板の汚染度が高い場合、押し付け量制御手段は、押し付け量変更手段を制御し、基板の汚染度が低い場合に比べて押し付け量を増加させる。これにより、スポンジから染み出る処理液の量が増加し、基板に供給される処理液の量が増加する。このように、基板の汚染状態に応じて基板の主面に対する処理液の供給量が制御されるから、基板の清浄度を安定させることができる。   According to this configuration, the pressing amount control unit controls the pressing amount of the sponge against the main surface of the substrate based on the measurement result of the contamination state measuring unit. That is, for example, when the degree of contamination of the substrate is high, the pressing amount control unit controls the pressing amount changing unit to increase the pressing amount as compared with the case where the degree of contamination of the substrate is low. As a result, the amount of the processing liquid that oozes from the sponge increases, and the amount of the processing liquid supplied to the substrate increases. Thus, since the supply amount of the processing liquid to the main surface of the substrate is controlled according to the contamination state of the substrate, the cleanliness of the substrate can be stabilized.

請求項6記載の発明は、基板の温度を変化させる温度変更手段をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、温度変更手段が、基板を加熱および/または冷却することにより、基板の温度を変化させる。これにより、基板が膨張および/または収縮する。また、基板の温度が変化することにより、基板に付着している異物の温度も変化し、この異物が膨張および/または収縮する。したがって、基板および異物の両方が膨張および/または収縮する。基板の膨張率と異物の膨張率が異なる場合、基板および異物が膨張および/または収縮することにより、基板と異物との接触状態が変化し、異物が基板から取れ易くなる。したがって、異物の除去率を向上させることができる。
A sixth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, further comprising a temperature changing means for changing the temperature of the substrate.
According to this configuration, the temperature changing unit changes the temperature of the substrate by heating and / or cooling the substrate. As a result, the substrate expands and / or contracts. Further, when the temperature of the substrate changes, the temperature of the foreign matter attached to the substrate also changes, and the foreign matter expands and / or contracts. Accordingly, both the substrate and the foreign material expand and / or contract. When the expansion rate of the substrate and the expansion rate of the foreign matter are different, the contact state between the substrate and the foreign matter changes due to the expansion and / or contraction of the substrate and the foreign matter, and the foreign matter is easily removed from the substrate. Therefore, the foreign matter removal rate can be improved.

請求項7記載の発明は、前記温度変更手段は、基板を加熱する加熱手段と、基板を冷却する冷却手段と、前記加熱手段および冷却手段によって基板の加熱および冷却を交互に実行させる温度制御手段とを含む、請求項6記載の基板処理装置である。
この構成によれば、温度制御手段が加熱手段および冷却手段を制御することにより、基板の加熱および冷却が交互に実行される。したがって、基板の膨張率と異物の膨張率が異なる場合には、基板と異物との接触状態が変化し、異物が基板から取れ易くなる。特に、基板の加熱および冷却が交互に実行されるから、加熱だけまたは冷却だけが実行される場合に比べて、基板の温度差が大きくなる。そのため、異物が基板から一層取れ易くなる。これにより、異物の除去率を向上させることができる。
According to a seventh aspect of the present invention, the temperature changing means includes a heating means for heating the substrate, a cooling means for cooling the substrate, and a temperature control means for alternately heating and cooling the substrate by the heating means and the cooling means. The substrate processing apparatus according to claim 6, comprising:
According to this configuration, the temperature control unit controls the heating unit and the cooling unit, whereby the heating and cooling of the substrate are alternately performed. Therefore, when the expansion coefficient of the substrate and the expansion coefficient of the foreign matter are different, the contact state between the substrate and the foreign matter changes, and the foreign matter is easily removed from the substrate. In particular, since the heating and cooling of the substrate are performed alternately, the temperature difference between the substrates becomes larger than when only heating or cooling is performed. Therefore, it becomes easier to remove foreign substances from the substrate. Thereby, the removal rate of a foreign material can be improved.

請求項8記載の発明は、基板にリンス液を供給するリンス液供給手段と、基板を乾燥させる乾燥手段と、前記スポンジから基板への処理液の供給が行われる供給ステーションと、前記リンス液供給手段から基板へのリンス液の供給および前記乾燥手段による基板の乾燥が行われるリンス・乾燥ステーションと、基板の搬入および搬出が行われる搬入・搬出ステーションとをさらに含み、基板が、前記搬入・搬出ステーションから前記供給ステーションに移動し、その後、前記供給ステーションから前記リンス・乾燥ステーションを通って前記搬入・搬出ステーションに移動するように、前記基板を搬送する搬送手段とをさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置である。   The invention according to claim 8 is a rinsing liquid supply means for supplying a rinsing liquid to a substrate, a drying means for drying the substrate, a supply station for supplying a processing liquid from the sponge to the substrate, and the rinsing liquid supply. The apparatus further includes a rinsing / drying station where the rinsing liquid is supplied from the means to the substrate and the substrate is dried by the drying means, and a loading / unloading station where the substrate is loaded and unloaded, and the substrate is loaded / unloaded. The apparatus further comprises transport means for transporting the substrate so as to move from the station to the supply station and then from the supply station to the loading / unloading station through the rinse / drying station. The substrate processing apparatus according to claim 7.

この構成によれば、搬送手段が基板を搬送する。搬送手段によって搬送される基板は、搬入・搬出ステーションから供給ステーションに移動する。その後、この基板は、供給ステーションからリンス・乾燥ステーションを通って搬入・搬出ステーションに移動する。搬送手段によって搬送される基板は、供給ステーションでスポンジから供給される処理液によって処理される。また、搬送手段によって搬送される基板は、リンス・乾燥ステーションでリンス液供給手段から供給されるリンス液によって処理される。すなわち、基板に付着している処理液がリンス液によって洗い流される。その後、基板に付着しているリンス液が、リンス・乾燥ステーションで乾燥手段によって除去され、基板が乾燥する。このように、搬送手段が基板を搬送することにより、一連の処理が基板に施される。   According to this structure, a conveyance means conveys a board | substrate. The substrate transported by the transport means moves from the loading / unloading station to the supply station. Thereafter, the substrate moves from the supply station through the rinse / drying station to the loading / unloading station. The substrate conveyed by the conveying means is processed with the processing liquid supplied from the sponge at the supply station. The substrate transported by the transport means is processed by the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply means at the rinse / dry station. That is, the processing liquid adhering to the substrate is washed away by the rinse liquid. Thereafter, the rinse liquid adhering to the substrate is removed by the drying means at the rinse / drying station, and the substrate is dried. In this way, a series of processing is performed on the substrate by the transport means transporting the substrate.

請求項9記載の発明は、前記基板処理装置は、基板が搬送される搬送路をさらに含み、前記搬入・搬出ステーション、前記リンス・乾燥ステーション、および前記供給ステーションは、この順番で前記搬送路に沿って配置されており、前記搬送手段は、前記搬送路に沿って基板を搬送する、請求項8記載の基板処理装置である。
この構成によれば、搬入・搬出ステーション、リンス・乾燥ステーション、および供給ステーションが、この順番で搬送路に沿って配置されている。搬送手段は、搬送路に沿って基板を搬送する。したがって、搬送手段によって搬送される基板は、搬入・搬出ステーションからリンス・乾燥ステーションを通って供給ステーションに移動する。その後、この基板は、供給ステーションからリンス・乾燥ステーションを通って搬入・搬出ステーションに移動する。すなわち、リンス・乾燥ステーションでリンス処理および乾燥処理が行われた基板は、供給ステーションを通過せずに、リンス・乾燥ステーションから搬入・搬出ステーションに移動する。したがって、供給ステーションに漂う処理液の雰囲気などが基板に付着することを抑制または防止することができる。これにより、基板の清浄度を向上させることができる。
According to a ninth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a conveyance path through which the substrate is conveyed, and the loading / unloading station, the rinsing / drying station, and the supply station are in this order in the conveyance path. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the substrate processing apparatus is arranged along the transfer path.
According to this configuration, the carry-in / carry-out station, the rinse / dry station, and the supply station are arranged in this order along the conveyance path. The transport means transports the substrate along the transport path. Therefore, the substrate transported by the transport means moves from the carry-in / carry-out station to the supply station through the rinse / dry station. Thereafter, the substrate moves from the supply station through the rinse / drying station to the loading / unloading station. That is, the substrate that has been rinsed and dried at the rinse / dry station moves from the rinse / dry station to the carry-in / carry-out station without passing through the supply station. Therefore, it is possible to suppress or prevent the atmosphere of the processing liquid floating in the supply station from adhering to the substrate. Thereby, the cleanliness of the substrate can be improved.

前記スポンジは、基板の主面以上の大きさの第1基板接触面を有する全面処理スポンジと、基板の主面よりも小さい第2基板接触面を有する部分処理スポンジとを含み、前記基板処理装置は、前記接触手段を制御することにより、前記全面処理スポンジおよび部分処理スポンジのうちのいずれか一方のスポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを接触させる接触制御手段をさらに含んでいてもよい。   The sponge includes a whole-surface processing sponge having a first substrate contact surface having a size larger than a main surface of the substrate, and a partial processing sponge having a second substrate contact surface smaller than the main surface of the substrate. Further comprising contact control means for controlling the contact means to bring either one of the whole-surface processing sponge or the partial-processing sponge into contact with the main surface of the substrate held by the substrate holding means. May be included.

この構成によれば、接触手段が接触制御手段によって制御されることにより、全面処理スポンジおよび部分処理スポンジのうちのいずれか一方のスポンジと基板とが接触する。全面処理スポンジは、基板の主面以上の大きさの第1基板接触面を有しているから、接触制御手段が全面処理スポンジと基板とを接触させることにより、基板の主面の全域に処理液を一瞬で供給することができる。一方、部分処理スポンジは、基板の主面よりも小さい第2基板接触面を有しているから、接触制御手段が部分処理スポンジと基板とを接触させることにより、基板の主面の一部に処理液を供給することができる。したがって、処理液の供給が必要でない部分に処理液が供給されることを抑制または防止することができる。   According to this configuration, the contact means is controlled by the contact control means, so that one of the whole-process sponge and the partial-process sponge contacts the substrate. Since the full-surface processing sponge has a first substrate contact surface larger than the main surface of the substrate, the contact control means contacts the entire surface processing sponge and the substrate to process the entire main surface of the substrate. The liquid can be supplied in an instant. On the other hand, since the partial processing sponge has a second substrate contact surface that is smaller than the main surface of the substrate, the contact control means brings the partial processing sponge and the substrate into contact with each other to form a part of the main surface of the substrate. Treatment liquid can be supplied. Therefore, it is possible to suppress or prevent the processing liquid from being supplied to a portion where it is not necessary to supply the processing liquid.

基板の主面において部分処理スポンジが接触する部分は、予め定められた部分であってもよいし、基板ごとに設定される部分であってもよい。
基板の主面において部分処理スポンジが接触する部分が基板ごとに設定される場合、前記基板処理装置は、基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段と、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記全面処理スポンジおよび部分処理スポンジのうちのいずれか一方のスポンジを選択するスポンジ選択手段と、前記スポンジ選択手段によって前記部分処理スポンジが選択されたときに、基板の主面において前記部分処理スポンジが接触する部分を、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて基板ごとに設定する接触位置設定手段とをさらに含み、前記接触制御手段は、前記接触手段を制御することにより、前記接触位置設定手段により設定された部分と前記部分処理スポンジとが接触するように、前記部分処理スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを相対移動させてもよい。
The portion of the main surface of the substrate that contacts the partial processing sponge may be a predetermined portion or a portion set for each substrate.
When the portion of the main surface of the substrate that contacts the partial processing sponge is set for each substrate, the substrate processing apparatus is based on a contamination state measuring unit that measures the contamination state of the substrate and a measurement result of the contamination state measurement unit A sponge selection means for selecting one of the whole-surface treatment sponge and the partial treatment sponge, and the partial treatment sponge on the main surface of the substrate when the partial treatment sponge is selected by the sponge selection means. And a contact position setting means for setting a contact portion for each substrate based on a measurement result of the contamination state measuring means, and the contact control means controls the contact means to thereby set the contact position. The partial processing sponge and the substrate are held so that the portion set by the means and the partial processing sponge are in contact with each other. A main surface of the substrate held on the stage may be moved relative.

この構成によれば、汚染状態測定手段によって基板の汚染状態が測定される。スポンジ選択手段は、汚染状態測定手段の測定結果に基づいて全面処理スポンジおよび部分処理スポンジのうちのいずれか一方のスポンジを選択する。接触位置設定手段は、スポンジ選択手段が部分処理スポンジを選択したときに、基板の主面において部分処理スポンジが接触する部分を汚染状態測定手段の測定結果に基づいて基板ごとに設定する。そして、接触制御手段は、接触手段を制御することにより、接触位置設定手段により設定された部分と部分処理スポンジとを接触させる。したがって、基板の汚染されている部分に部分処理スポンジを確実に接触させて、この部分に処理液を確実に供給することができる。これにより、基板の清浄度を向上させることができる。   According to this configuration, the contamination state of the substrate is measured by the contamination state measuring unit. The sponge selection means selects one of the full-process sponge and the partial-process sponge based on the measurement result of the contamination state measurement means. The contact position setting means sets, for each substrate, a portion of the main surface of the substrate that the partial treatment sponge contacts when the sponge selection means selects the partial treatment sponge based on the measurement result of the contamination state measurement means. The contact control means controls the contact means to bring the part set by the contact position setting means into contact with the partial processing sponge. Therefore, the partial processing sponge can be reliably brought into contact with the contaminated portion of the substrate, and the processing liquid can be reliably supplied to this portion. Thereby, the cleanliness of the substrate can be improved.

請求項13記載の発明は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジに処理液供給手段によって処理液を供給し、前記スポンジに処理液を吸収させるステップと、汚染状態測定手段によって前記基板の汚染状態を測定するステップと、処理液を吸収した前記スポンジと基板保持手段に保持されている基板の主面とを接触手段によって相対移動させて接触させ、前記スポンジに吸収されている処理液を前記基板の主面に供給させるステップと、前記スポンジと前記基板の主面とが接触している状態で前記スポンジと前記基板とを相対移動させて摺動させる摺動手段を摺動制御手段が制御することにより、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記スポンジと前記基板との摺動を制御するステップとを含む、基板処理方法である。この構成によれば、請求項1の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。   According to a thirteenth aspect of the present invention, a process liquid is supplied to a sponge capable of absorbing the process liquid and elastically deformable by the process liquid supply means, and the sponge absorbs the process liquid; The step of measuring the contamination state, the sponge that has absorbed the treatment liquid and the main surface of the substrate held by the substrate holding means are moved relative to each other by the contact means, and the treatment liquid absorbed by the sponge is A sliding control means for supplying to the main surface of the substrate; and sliding means for sliding the sponge and the substrate relative to each other in a state where the sponge and the main surface of the substrate are in contact with each other. And controlling the sliding of the sponge and the substrate based on the measurement result of the contamination state measuring means. According to this configuration, it is possible to achieve an effect similar to the effect described with respect to the invention of claim 1.

本発明の第1実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the layout of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る全面処理ラインの概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the whole surface processing line which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る全面処理ラインの概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the whole surface processing line which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る基板搬送ロボットの概略構成を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing a schematic structure of a substrate transfer robot concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る搬入・搬出ステーションの概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the carrying in / out station which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る搬入・搬出ステーションの概略構成を示す側面図である。It is a side view which shows schematic structure of the carrying in / out station which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る第1薬液供給ステーションの概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the 1st chemical | medical solution supply station which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る第2薬液供給ステーションの概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the 2nd chemical | medical solution supply station which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係るリンス・乾燥ステーションの概略構成を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing a schematic structure of a rinse and drying station concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係るスポンジ洗浄装置の概略構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows schematic structure of the sponge cleaning apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 全面処理スポンジが薬液中で圧縮されている状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state by which the whole surface processing sponge is compressed in the chemical | medical solution. 全面処理スポンジが空気中で圧縮されている状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state by which the whole surface processing sponge is compressed in the air. 基板の処理の一例について説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating an example of a process of a board | substrate. 本発明の第2実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the layout of the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る全面処理ラインの概略構成を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating schematic structure of the whole surface processing line which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る部分処理ラインの概略構成を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating schematic structure of the partial process line which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 全面処理スポンジが薬液中で圧縮されている状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state by which the whole surface processing sponge is compressed in the chemical | medical solution. 全面処理スポンジが空気中で圧縮されている状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state by which the whole surface processing sponge is compressed in the air.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1のレイアウトを示す模式図である。
基板処理装置1は、薬液やリンス液などの処理液によって半導体ウエハ等の円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、基板Wが搬入されるインデクサブロック2と、インデクサブロック2に搬入された基板Wを処理する処理ブロック3と、基板処理装置1に備えられた装置や機器を制御する制御装置4(接触制御手段、スポンジ選択手段、接触位置設定手段、摺動制御手段、押し付け量制御手段、温度制御手段)とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a layout of a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type substrate processing apparatus that processes a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer one by one with a processing solution such as a chemical solution or a rinsing solution. The substrate processing apparatus 1 includes an indexer block 2 into which the substrate W is loaded, a processing block 3 that processes the substrate W loaded into the indexer block 2, and a control device that controls apparatuses and devices provided in the substrate processing apparatus 1. 4 (contact control means, sponge selection means, contact position setting means, sliding control means, pressing amount control means, temperature control means).

インデクサブロック2は、複数のキャリアCを保持するキャリア保持部5と、基板Wを搬送するインデクサロボット6と、インデクサロボット6を移動させるIR移動機構7と、基板Wの汚染状態を測定する測定ユニット8(汚染状態測定手段)とを含む。複数のキャリアCは、水平なキャリア配列方向D1に沿って配列された状態でキャリア保持部5に保持されている。各キャリアC内には、デバイス形成面である基板Wの表面が上に向けられた状態で、複数枚の基板Wが水平な姿勢で上下に間隔を空けて保持されている。IR移動機構7は、キャリア配列方向D1にインデクサロボット6を移動させる。インデクサロボット6は、キャリア保持部5に保持されたキャリアCに基板Wを搬入する搬入動作、および基板WをキャリアCから搬出する搬出動作を行う。さらに、インデクサロボット6は、インデクサブロック2内で基板Wを搬送すると共に、インデクサブロック2と処理ブロック203との間で基板Wを搬送する。   The indexer block 2 includes a carrier holding unit 5 that holds a plurality of carriers C, an indexer robot 6 that transports the substrate W, an IR moving mechanism 7 that moves the indexer robot 6, and a measurement unit that measures the contamination state of the substrate W. 8 (contamination state measuring means). The plurality of carriers C are held by the carrier holding unit 5 in a state of being arranged along the horizontal carrier arrangement direction D1. In each carrier C, a plurality of substrates W are held in a horizontal posture with a gap in the vertical direction with the surface of the substrate W, which is a device formation surface, facing upward. The IR moving mechanism 7 moves the indexer robot 6 in the carrier arrangement direction D1. The indexer robot 6 performs a loading operation for loading the substrate W into the carrier C held by the carrier holding unit 5 and a loading operation for unloading the substrate W from the carrier C. Further, the indexer robot 6 transports the substrate W in the indexer block 2 and transports the substrate W between the indexer block 2 and the processing block 203.

測定ユニット8は、基板Wに付着しているパーティクルなどの異物の数および基板Wに対する各異物の位置を測定するユニットである。測定ユニット8は、たとえば、パーティクルカウンタ、全反射蛍光X線分析装置(TRXRF)、エネルギー分散型X線分析装置(EDX:EnergyDispersive X−rayspectrometer)、走査型電子顕微鏡(SEM:ScanningElectron Microscope)、および画像認識異物検査装置の少なくとも一つを含む。制御装置4は、測定ユニット8の測定結果を取得し、この測定結果に基づいて基板Wを処理ブロック3に処理させる。   The measurement unit 8 is a unit that measures the number of foreign matters such as particles adhering to the substrate W and the position of each foreign matter with respect to the substrate W. The measurement unit 8 includes, for example, a particle counter, a total reflection fluorescent X-ray analyzer (TRXRF), an energy dispersive X-ray analyzer (EDX: Energy Dispersive X-ray spectrometer), a scanning electron microscope (SEM: Scanning Electron Microscope), and an image. It includes at least one recognized foreign substance inspection device. The control device 4 acquires the measurement result of the measurement unit 8 and causes the processing block 3 to process the substrate W based on the measurement result.

処理ブロック3は、基板Wを一枚ずつ処理する複数(たとえば、4つ)の処理ライン9、10を含む。各処理ライン9、10は、キャリア配列方向D1に直交する水平なライン延伸方向D2に延びている。4つの処理ライン9、10は、基板Wの下面の全域に薬液を供給する2つの全面処理ライン9と、基板Wの下面の一部に薬液を供給する2つの部分処理ライン10とを含む。2つの全面処理ライン9は、上下に重ねられており、2つの部分処理ライン10は、上下に重ねられている。上段の全面処理ライン9と上段の部分処理ライン10とは、同じ高さに配置されており、水平方向に対向している。同様に、下段の全面処理ライン9と下段の部分処理ライン10とは、同じ高さに配置されており、水平方向に対向している。   The processing block 3 includes a plurality of (for example, four) processing lines 9 and 10 that process the substrate W one by one. Each processing line 9, 10 extends in a horizontal line extending direction D2 orthogonal to the carrier arrangement direction D1. The four processing lines 9 and 10 include two full-surface processing lines 9 that supply a chemical solution to the entire lower surface of the substrate W and two partial processing lines 10 that supply a chemical solution to a part of the lower surface of the substrate W. The two full-surface processing lines 9 are stacked one above the other, and the two partial processing lines 10 are stacked one above the other. The upper overall processing line 9 and the upper partial processing line 10 are arranged at the same height and face each other in the horizontal direction. Similarly, the lower overall processing line 9 and the lower partial processing line 10 are arranged at the same height and face each other in the horizontal direction.

全面処理ライン9は、基板Wの搬入および搬出が行われる搬入・搬出ステーション11と、リンス処理および乾燥処理を行うリンス・乾燥ステーション12と、基板Wの下面の全域に薬液を供給する第1薬液供給ステーション13(供給ステーション)と、後述するスポンジ洗浄ロボット57が待機しているスポンジ洗浄ロボット待機ステーション14とを含む。これらのステーション11、12、13、14は、インデクサブロック2側から搬入・搬出ステーション11、リンス・乾燥ステーション12、第1薬液供給ステーション13、スポンジ洗浄ロボット待機ステーション14の順番でライン延伸方向D2に配列されている。   The entire surface processing line 9 includes a loading / unloading station 11 where the substrate W is loaded and unloaded, a rinsing / drying station 12 which performs a rinsing process and a drying process, and a first chemical solution that supplies a chemical solution to the entire lower surface of the substrate W. It includes a supply station 13 (supply station) and a sponge cleaning robot standby station 14 on which a sponge cleaning robot 57 described later is waiting. These stations 11, 12, 13, 14 are arranged in the line extending direction D 2 in the order of the loading / unloading station 11, the rinsing / drying station 12, the first chemical solution supply station 13, and the sponge cleaning robot standby station 14 from the indexer block 2 side. It is arranged.

同様に、部分処理ライン10は、搬入・搬出ステーション11と、リンス・乾燥ステーション12と、基板Wの下面の一部に薬液を供給する第2薬液供給ステーション15(供給ステーション)と、スポンジ洗浄ロボット待機ステーション14とを含む。すなわち、部分処理ライン10は、第1薬液供給ステーション13を除き、全面処理ライン9と同様の構成を有している。これらのステーション11、12、15、14は、インデクサブロック2側から搬入・搬出ステーション11、リンス・乾燥ステーション12、第2薬液供給ステーション15、スポンジ洗浄ロボット待機ステーション14の順番でライン延伸方向D2に配列されている。   Similarly, the partial processing line 10 includes a carry-in / carry-out station 11, a rinse / dry station 12, a second chemical liquid supply station 15 (supply station) that supplies a chemical to a part of the lower surface of the substrate W, and a sponge cleaning robot. Standby station 14. That is, the partial processing line 10 has the same configuration as the entire surface processing line 9 except for the first chemical solution supply station 13. These stations 11, 12, 15, 14 are arranged in the line extending direction D 2 in the order of the loading / unloading station 11, the rinsing / drying station 12, the second chemical solution supply station 15, and the sponge cleaning robot standby station 14 from the indexer block 2 side. It is arranged.

第1薬液供給ステーション13は、基板Wの下面の全域に薬液を供給すると共に、基板Wを加熱する第1加熱ステーション16と、基板Wの下面の全域に薬液を供給すると共に、基板Wを冷却する第1冷却ステーション17とを含む。第1加熱ステーション16および第1冷却ステーション17は、ライン延伸方向D2に配列されている。第1加熱ステーション16は、第1冷却ステーション17よりもリンス・乾燥ステーション12側に配置されている。第1加熱ステーション16と第1冷却ステーション17との順番は逆であってもよい。すなわち、第1冷却ステーション17が、第1加熱ステーション16よりもリンス・乾燥ステーション12側に配置されていてもよい。   The first chemical liquid supply station 13 supplies the chemical liquid to the entire lower surface of the substrate W, supplies the chemical liquid to the first heating station 16 that heats the substrate W, and supplies the chemical liquid to the entire lower surface of the substrate W, and cools the substrate W. The first cooling station 17. The first heating station 16 and the first cooling station 17 are arranged in the line extending direction D2. The first heating station 16 is disposed closer to the rinsing / drying station 12 than the first cooling station 17. The order of the first heating station 16 and the first cooling station 17 may be reversed. That is, the first cooling station 17 may be disposed closer to the rinsing / drying station 12 than the first heating station 16.

同様に、第2薬液供給ステーション15は、基板Wの下面の一部に薬液を供給すると共に、基板Wを加熱する第2加熱ステーション18と、基板Wの下面の一部に薬液を供給すると共に、基板Wを冷却する第2冷却ステーション19とを含む。第2加熱ステーション18および第2冷却ステーション19は、ライン延伸方向D2に配列されている。第2加熱ステーション18は、第2冷却ステーション19よりもリンス・乾燥ステーション12側に配置されている。第2加熱ステーション18と第2冷却ステーション19との順番は逆であってもよい。すなわち、第2冷却ステーション19が、第2加熱ステーション18よりもリンス・乾燥ステーション12側に配置されていてもよい。   Similarly, the second chemical liquid supply station 15 supplies the chemical liquid to a part of the lower surface of the substrate W, supplies the chemical liquid to the second heating station 18 that heats the substrate W, and a part of the lower surface of the substrate W. And a second cooling station 19 for cooling the substrate W. The second heating station 18 and the second cooling station 19 are arranged in the line extending direction D2. The second heating station 18 is disposed closer to the rinsing / drying station 12 than the second cooling station 19. The order of the second heating station 18 and the second cooling station 19 may be reversed. That is, the second cooling station 19 may be disposed closer to the rinsing / drying station 12 than the second heating station 18.

制御装置4は、インデクサロボット6によって各処理ライン9、10の搬入・搬出ステーション11に未処理の基板Wを搬入させる。そして、搬入・搬出ステーション11に搬入された基板Wは、同じ処理ライン9、10内で搬送され、処理される。その後、制御装置4は、各処理ライン9、10で処理された基板Wをインデクサロボット6によって搬入・搬出ステーション11から搬出させる。   The control device 4 causes the indexer robot 6 to load the unprocessed substrate W into the loading / unloading stations 11 of the processing lines 9 and 10. Then, the substrate W carried into the carry-in / out station 11 is carried and processed in the same processing lines 9 and 10. Thereafter, the control device 4 causes the indexer robot 6 to unload the substrates W processed in the processing lines 9 and 10 from the loading / unloading station 11.

図2および図3は、本発明の第1実施形態に係る全面処理ライン9の概略構成を示す模式図である。また、図4は、本発明の第1実施形態に係る基板搬送ロボット21の概略構成を示す模式図である。以下では、全面処理ライン9の構成について説明する。部分処理ライン10は、全面処理ライン9と同様の構成を備えているので、その説明を省略する。
図2に示すように、全面処理ライン9は、基板Wが搬送される搬送路20と、搬送路20に沿って基板Wを搬送する基板搬送ロボット21(基板保持手段、接触手段、圧縮手段、摺動手段、押し付け量変更手段、乾燥手段、搬送手段)と、基板搬送ロボット21を収容する密閉された処理ケース22とを含む。搬送路20は、ライン延伸方向D2に延びている。搬入・搬出ステーション11、リンス・乾燥ステーション12、第1薬液供給ステーション13、およびスポンジ洗浄ロボット待機ステーション14は、搬送路20に沿って配置されている。搬入・搬出ステーション11は、処理ケース22の外に設けられており、リンス・乾燥ステーション12、第1薬液供給ステーション13、およびスポンジ洗浄ロボット待機ステーション14は、処理ケース22内に設けられている。処理ケース22は、開口部23aを有する箱形の本体23と、開口部23aを開閉するシャッター24と、開口部23aが開かれる開位置と開口部23aが閉じられる閉位置との間でシャッター24を移動させるシャッター移動機構(図示せず)とを含む。
2 and 3 are schematic views showing a schematic configuration of the entire surface processing line 9 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the substrate transfer robot 21 according to the first embodiment of the present invention. Below, the structure of the whole surface processing line 9 is demonstrated. Since the partial processing line 10 has the same configuration as the entire surface processing line 9, the description thereof is omitted.
As shown in FIG. 2, the entire surface processing line 9 includes a transport path 20 that transports the substrate W, and a substrate transport robot 21 that transports the substrate W along the transport path 20 (substrate holding means, contact means, compression means, Sliding means, pressing amount changing means, drying means, transport means) and a sealed processing case 22 for accommodating the substrate transport robot 21. The conveyance path 20 extends in the line extending direction D2. The carry-in / carry-out station 11, the rinse / dry station 12, the first chemical solution supply station 13, and the sponge cleaning robot standby station 14 are arranged along the conveyance path 20. The loading / unloading station 11 is provided outside the processing case 22, and the rinsing / drying station 12, the first chemical solution supply station 13, and the sponge cleaning robot standby station 14 are provided in the processing case 22. The processing case 22 includes a box-shaped main body 23 having an opening 23a, a shutter 24 for opening and closing the opening 23a, and a shutter 24 between an open position where the opening 23a is opened and a closed position where the opening 23a is closed. And a shutter moving mechanism (not shown) for moving.

図2および図3に示すように、基板搬送ロボット21は、基板Wを保持する基板保持部25と、鉛直方向に伸縮可能な鉛直伸縮部26と、ライン延伸方向D2に伸縮可能な水平伸縮部27と、鉛直伸縮部26をライン延伸方向D2に移動させる水平移動部28とを含む。基板保持部25は、鉛直伸縮部26の下方で鉛直伸縮部26に支持されており、鉛直伸縮部26は、水平伸縮部27の下方で水平伸縮部27に支持されている。水平伸縮部27は、水平移動部28の下方で水平移動部28に支持されている。水平移動部28は、処理ケース22内でライン延伸方向D2に延びている。水平移動部28は、基板保持部25、鉛直伸縮部26、および水平伸縮部27を処理ケース22内で一体的に移動させる。   As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate transport robot 21 includes a substrate holding unit 25 that holds the substrate W, a vertical expansion / contraction unit 26 that can expand and contract in the vertical direction, and a horizontal expansion / contraction unit that can expand and contract in the line extending direction D2. 27 and a horizontal movement unit 28 for moving the vertical expansion / contraction part 26 in the line extending direction D2. The substrate holding part 25 is supported by the vertical elastic part 26 below the vertical elastic part 26, and the vertical elastic part 26 is supported by the horizontal elastic part 27 below the horizontal elastic part 27. The horizontal telescopic part 27 is supported by the horizontal moving part 28 below the horizontal moving part 28. The horizontal moving part 28 extends in the line extending direction D <b> 2 within the processing case 22. The horizontal movement unit 28 integrally moves the substrate holding unit 25, the vertical expansion / contraction unit 26, and the horizontal expansion / contraction unit 27 within the processing case 22.

さらに、図4に示すように、基板搬送ロボット21は、吸引力を発生する吸引機構29と、鉛直伸縮部26を鉛直方向に伸縮させる昇降機構30と、基板保持部25に保持されている基板Wの中心を通り鉛直方向に延びる基板回転軸線L1まわりに基板保持部25を回転させる回転機構31とを含む。吸引機構29の吸引力は、基板保持部25に伝達される。基板保持部25は、吸引機構29からの吸引力によって基板Wの上面(裏面)を吸引することにより、基板保持部25の下方で基板Wを水平に保持する。基板保持部25が基板Wを保持している状態で昇降機構30が鉛直伸縮部26を伸縮させると、基板Wが水平な姿勢で昇降する。さらに、基板保持部25が基板Wを保持している状態で回転機構31が基板保持部25を回転させると、基板回転軸線L1まわりに基板Wが回転する。   Further, as shown in FIG. 4, the substrate transport robot 21 includes a suction mechanism 29 that generates a suction force, an elevating mechanism 30 that expands and contracts the vertical extendable part 26 in the vertical direction, and a substrate held by the substrate holding part 25. And a rotation mechanism 31 that rotates the substrate holding part 25 around the substrate rotation axis L1 extending in the vertical direction through the center of W. The suction force of the suction mechanism 29 is transmitted to the substrate holder 25. The substrate holding unit 25 holds the substrate W horizontally below the substrate holding unit 25 by sucking the upper surface (back surface) of the substrate W by the suction force from the suction mechanism 29. When the elevating mechanism 30 expands and contracts the vertical extendable part 26 while the substrate holding unit 25 holds the substrate W, the substrate W moves up and down in a horizontal posture. Further, when the rotation mechanism 31 rotates the substrate holding unit 25 while the substrate holding unit 25 holds the substrate W, the substrate W rotates about the substrate rotation axis L1.

基板保持部25に保持されている基板Wは、水平移動部28が、基板保持部25、鉛直伸縮部26、および水平伸縮部27を移動させることにより処理ケース22内でライン延伸方向D2に搬送される。すなわち、基板保持部25に保持されている基板Wは、リンス・乾燥ステーション12と薬液供給ステーション13、15との間で搬送される。また、基板保持部25に保持されている基板Wは、水平伸縮部27の伸縮によって処理ケース22の中と処理ケース22の外との間で搬送される。   The substrate W held by the substrate holding unit 25 is transported in the line extending direction D2 within the processing case 22 by the horizontal moving unit 28 moving the substrate holding unit 25, the vertical expansion / contraction unit 26, and the horizontal expansion / contraction unit 27. Is done. That is, the substrate W held by the substrate holding unit 25 is transported between the rinse / dry station 12 and the chemical solution supply stations 13 and 15. Further, the substrate W held by the substrate holding unit 25 is transported between the inside of the processing case 22 and the outside of the processing case 22 by the expansion and contraction of the horizontal expansion and contraction unit 27.

具体的には、図2に示すように、搬入・搬出ステーション11は、基板Wを支持する基板支持部材32を含む。基板支持部材32は、搬送路20よりも下方で基板Wを支持する。インデクサロボット6は、基板支持部材32に基板Wを搬入し、基板支持部材32から基板Wを搬出する。図3に示すように、処理ケース22の外から中に基板Wが搬送される場合には、基板保持部25、鉛直伸縮部26、および水平伸縮部27が処理ケース22内において開口部23aの近傍に配置されており、開口部23aが開かれている状態で、水平伸縮部27がライン延伸方向D2に伸長する。これにより、基板保持部25および鉛直伸縮部26が、開口部23aを通って処理ケース22の外に移動する。そして、基板支持部材32に支持されている基板Wの上方に基板保持部25が位置するように、基板保持部25および鉛直伸縮部26が処理ケース22の外に配置される。この状態で、基板保持部25が基板Wの上面に接する位置まで鉛直伸縮部26が伸長する。これにより、基板支持部材32に支持されている基板Wが基板保持部25に保持される。基板Wが基板保持部25に保持された後は、鉛直伸縮部26が収縮することにより、搬送路20に対応する高さまで基板Wが上昇する。その後、水平収縮部が収縮することにより、基板保持部25に保持されている基板Wが開口部23aを通じて処理ケース22内に搬送される。そして、開口部がシャッター24によって密閉される。このようにして、処理ケース22の外から中に基板Wが搬送される。   Specifically, as shown in FIG. 2, the loading / unloading station 11 includes a substrate support member 32 that supports the substrate W. The substrate support member 32 supports the substrate W below the transport path 20. The indexer robot 6 carries the substrate W into the substrate support member 32 and unloads the substrate W from the substrate support member 32. As shown in FIG. 3, when the substrate W is transported from outside the processing case 22, the substrate holding part 25, the vertical extension / contraction part 26, and the horizontal extension / contraction part 27 are formed in the opening 23 a in the processing case 22. The horizontal expansion / contraction part 27 is arrange | positioned in the vicinity and the horizontal expansion-contraction part 27 expand | extends in the line extending | stretching direction D2 in the state in which the opening part 23a is opened. Thereby, the board | substrate holding | maintenance part 25 and the vertical expansion-contraction part 26 move out of the processing case 22 through the opening part 23a. Then, the substrate holding part 25 and the vertical extension / contraction part 26 are disposed outside the processing case 22 so that the substrate holding part 25 is positioned above the substrate W supported by the substrate support member 32. In this state, the vertical extension / contraction part 26 extends to a position where the substrate holding part 25 contacts the upper surface of the substrate W. Accordingly, the substrate W supported by the substrate support member 32 is held by the substrate holding unit 25. After the substrate W is held by the substrate holding unit 25, the substrate W is raised to a height corresponding to the transport path 20 by the vertical expansion / contraction part 26 contracting. Thereafter, the horizontal contraction portion contracts, whereby the substrate W held by the substrate holding portion 25 is transferred into the processing case 22 through the opening 23a. Then, the opening is sealed by the shutter 24. In this way, the substrate W is transferred from the outside to the inside of the processing case 22.

一方、処理ケース22の中から外に基板Wが搬送されるときは、前述の一連の動作と同様の動作が行われる。すなわち、基板保持部25、鉛直伸縮部26、および水平伸縮部27が処理ケース22内において開口部23aの近傍に配置されており、開口部23aが開かれている状態で、水平伸縮部27がライン延伸方向D2に伸長する。これにより、基板保持部25に保持されている基板Wが、開口部23aを通って処理ケース22の外に搬送される。そして、基板保持部25に保持されている基板Wが基板支持部材32の上方に位置するように、基板保持部25および鉛直伸縮部26が処理ケース22の外に配置される。この状態で、基板保持部25に保持されている基板Wの下面(表面)の周縁部が基板支持部材32に接する位置まで、鉛直伸縮部26が伸長する。これにより、基板保持部25に保持されている基板Wが基板支持部材32に支持される。その後、鉛直伸縮部26および水平伸縮部27が順に収縮することにより、基板保持部25および鉛直伸縮部26が処理ケース22内に退避する。そして、開口部23aがシャッター24によって密閉される。このようにして、処理ケース22の中から外に基板Wが搬送される。   On the other hand, when the substrate W is transferred out of the processing case 22, the same operation as the above-described series of operations is performed. That is, the substrate holder 25, the vertical extension / contraction part 26, and the horizontal extension / contraction part 27 are disposed in the processing case 22 in the vicinity of the opening 23a, and the horizontal extension / contraction part 27 is in the state where the opening 23a is opened. It extends in the line stretching direction D2. As a result, the substrate W held by the substrate holder 25 is transported out of the processing case 22 through the opening 23a. Then, the substrate holding part 25 and the vertical extendable part 26 are arranged outside the processing case 22 so that the substrate W held by the substrate holding part 25 is positioned above the substrate support member 32. In this state, the vertical extendable portion 26 extends to a position where the peripheral edge portion of the lower surface (front surface) of the substrate W held by the substrate holding portion 25 is in contact with the substrate support member 32. As a result, the substrate W held by the substrate holding unit 25 is supported by the substrate support member 32. Thereafter, the vertical extension / contraction part 26 and the horizontal extension / contraction part 27 contract in order, whereby the substrate holding part 25 and the vertical extension / contraction part 26 are retracted into the processing case 22. The opening 23 a is sealed by the shutter 24. In this way, the substrate W is transported out of the processing case 22.

図5は、本発明の第1実施形態に係る搬入・搬出ステーション11の概略構成を示す平面図である。図6は、本発明の第1実施形態に係る搬入・搬出ステーション11の概略構成を示す側面図である。
搬入・搬出ステーション11は、基板Wを支持する基板支持部材32と、基板Wの表裏を反転させる反転機構33とを含む。反転機構33は、一対の挟持部材34と、開閉機構35と、昇降機構36と、回転機構37とを含む。一対の挟持部材34は、水平方向に対向している。挟持部材34は、一対の挟持部38を含む。一方の挟持部材34に設けられた一対の挟持部38は、他方の挟持部材34側に開いた溝39を有している。一対の挟持部38は、一対の挟持部材34が対向する方向に直交する水平な方向に間隔を空けて配置されている。挟持部材34は、水平方向および鉛直方向に移動可能であり、一対の挟持部材34が対向する方向に延びる水平な反転軸線L2まわりに回転可能である。
FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of the loading / unloading station 11 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 6 is a side view showing a schematic configuration of the loading / unloading station 11 according to the first embodiment of the present invention.
The carry-in / carry-out station 11 includes a substrate support member 32 that supports the substrate W, and a reversing mechanism 33 that reverses the front and back of the substrate W. The reversing mechanism 33 includes a pair of clamping members 34, an opening / closing mechanism 35, an elevating mechanism 36, and a rotating mechanism 37. The pair of clamping members 34 are opposed to each other in the horizontal direction. The clamping member 34 includes a pair of clamping parts 38. A pair of clamping parts 38 provided in one clamping member 34 has a groove 39 opened on the other clamping member 34 side. The pair of sandwiching portions 38 are arranged at intervals in a horizontal direction orthogonal to the direction in which the pair of sandwiching members 34 face each other. The clamping member 34 is movable in the horizontal direction and the vertical direction, and is rotatable around a horizontal inversion axis L2 extending in a direction in which the pair of clamping members 34 face each other.

開閉機構35は、開位置と、開位置に位置しているときよりも一対の挟持部材34の間隔が小さい閉位置との間で一対の挟持部材34を水平方向に移動させる。昇降機構36は、基板支持部材32と一対の挟持部材34との間での基板Wの受け渡しが行われる受け渡し高さと、一対の挟持部材34によって保持された基板Wが反転される反転高さ(図5に示す位置)との間で、一対の挟持部材34を同期させながら鉛直方向に移動させる。回転機構37は、一対の挟持部材34を同期させながら、一対の挟持部材34を反転軸線L2まわりに180度回転させる。   The opening / closing mechanism 35 moves the pair of clamping members 34 in the horizontal direction between the open position and a closed position where the distance between the pair of clamping members 34 is smaller than when the opening / closing mechanism 35 is located at the open position. The elevating mechanism 36 has a transfer height at which the substrate W is transferred between the substrate support member 32 and the pair of sandwiching members 34, and an inversion height at which the substrate W held by the pair of sandwiching members 34 is reversed ( The pair of clamping members 34 are moved in the vertical direction while being synchronized with the position shown in FIG. The rotation mechanism 37 rotates the pair of clamping members 34 about the reverse axis L2 by 180 degrees while synchronizing the pair of clamping members 34.

基板Wの表裏が反転される場合には、基板支持部材32に基板Wが支持されており、一対の挟持部材34が受け渡し高さに配置されている状態で、開閉機構35が、一対の挟持部材34を開位置から閉位置に移動させる。これにより、基板Wの周縁部が各挟持部38の溝39に入り込み、基板Wが一対の挟持部材34によって挟持される。そして、一対の挟持部材34によって基板Wが保持されている状態で、昇降機構36が、一対の挟持部材34を受け渡し高さから反転高さに移動させる。その後、回転機構37が一対の挟持部材34を反転軸線L2まわりに180度回転させる。これにより、基板Wの表裏が反転される。   When the front and back sides of the substrate W are reversed, the substrate support member 32 supports the substrate W, and the pair of clamping members 34 are disposed at the delivery height, so that the opening / closing mechanism 35 has a pair of clamping The member 34 is moved from the open position to the closed position. Accordingly, the peripheral edge portion of the substrate W enters the groove 39 of each sandwiching portion 38, and the substrate W is sandwiched by the pair of sandwiching members 34. Then, in a state where the substrate W is held by the pair of sandwiching members 34, the lifting mechanism 36 moves the pair of sandwiching members 34 from the delivery height to the reverse height. Thereafter, the rotation mechanism 37 rotates the pair of clamping members 34 about the reverse axis L2 by 180 degrees. Thereby, the front and back of the substrate W are reversed.

基板Wの表裏が反転された後は、一対の挟持部材34に保持されている基板Wの下面の周縁部が基板支持部材32に接する高さ(受け渡し高さ)まで、昇降機構36が一対の挟持部材34を下降させる。その後、開閉機構35が、一対の挟持部材34を閉位置から開位置に移動させる。これにより、各挟持部38が基板Wから離れて、一対の挟持部材34による基板Wの保持が解除される。すなわち、一対の挟持部材34から基板支持部材32に基板Wが渡され、基板支持部材32だけで基板Wが支持される。その後、昇降機構36が一対の挟持部材34を上昇させて基板支持部材32から退避させる。   After the front and back of the substrate W are reversed, the lifting mechanism 36 is moved to a height (delivery height) at which the peripheral edge of the lower surface of the substrate W held by the pair of clamping members 34 is in contact with the substrate support member 32. The clamping member 34 is lowered. Thereafter, the opening / closing mechanism 35 moves the pair of clamping members 34 from the closed position to the open position. Thereby, each clamping part 38 leaves | separates from the board | substrate W, and holding | maintenance of the board | substrate W by a pair of clamping member 34 is cancelled | released. That is, the substrate W is transferred from the pair of clamping members 34 to the substrate support member 32, and the substrate W is supported only by the substrate support member 32. Thereafter, the elevating mechanism 36 raises the pair of clamping members 34 and retracts them from the substrate support member 32.

図7は、本発明の第1実施形態に係る第1薬液供給ステーション13の概略構成を示す模式図である。図8は、本発明の第1実施形態に係る第2薬液供給ステーション15の概略構成を示す模式図である。
図7に示すように、第1薬液供給ステーション13の第1加熱ステーション16は、薬液を貯留している第1貯留槽40(処理液供給手段、洗浄槽)と、第1貯留槽40に貯留されている薬液に浸漬されている全面処理スポンジ41(スポンジ)と、全面処理スポンジ41を保持する第1保持部材42(スポンジ保持手段)と、第1保持部材42を鉛直方向に昇降させる昇降機構43と、第1貯留槽40に貯留されている薬液を循環させる循環配管44と、循環配管44に介装されたポンプ45およびフィルタ46と、循環配管44を流れる薬液を加熱するヒータ47a(温度変更手段、加熱手段)とを含む。また、第1薬液供給ステーション13の第1冷却ステーション17は、第1貯留槽40と、全面処理スポンジ41と、第1保持部材42と、昇降機構43と、循環配管44と、ポンプ45と、フィルタ46と、循環配管44を流れる薬液を冷却するクーラ47b(温度変更手段、冷却手段)とを含む。すなわち、第1冷却ステーション17は、ヒータ47aの代わりにクーラ47bを備えており、ヒータ47a以外は第1加熱ステーション16と同様の構成を備えている。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the first chemical liquid supply station 13 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 8 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the second chemical liquid supply station 15 according to the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 7, the first heating station 16 of the first chemical solution supply station 13 is stored in the first storage tank 40 (treatment liquid supply means, cleaning tank) that stores the chemical liquid, and the first storage tank 40. Full-surface processing sponge 41 (sponge) immersed in the chemical solution, a first holding member 42 (sponge holding means) that holds the full-surface processing sponge 41, and an elevating mechanism that raises and lowers the first holding member 42 in the vertical direction. 43, a circulation pipe 44 for circulating the chemical stored in the first storage tank 40, a pump 45 and a filter 46 interposed in the circulation pipe 44, and a heater 47a (temperature) for heating the chemical flowing through the circulation pipe 44 Change means, heating means). In addition, the first cooling station 17 of the first chemical solution supply station 13 includes a first storage tank 40, a whole surface processing sponge 41, a first holding member 42, an elevating mechanism 43, a circulation pipe 44, a pump 45, A filter 46 and a cooler 47b (temperature changing means, cooling means) for cooling the chemical flowing through the circulation pipe 44 are included. That is, the 1st cooling station 17 is provided with the cooler 47b instead of the heater 47a, and is provided with the structure similar to the 1st heating station 16 except the heater 47a.

また、図8に示すように、第2薬液供給ステーション15の第2加熱ステーション18は、第2貯留槽48(処理液供給手段、洗浄槽)と、部分処理スポンジ49(スポンジ)と、第2保持部材50(スポンジ保持手段)と、昇降機構43と、循環配管44と、ポンプ45と、フィルタ46と、ヒータ47aとを含む。また、第2薬液供給ステーション15の第2冷却ステーション19は、第2貯留槽48と、部分処理スポンジ49と、第2保持部材50と、昇降機構43と、循環配管44と、ポンプ45と、フィルタ46と、クーラ47bとを含む。すなわち、第2冷却ステーション19は、ヒータ47aの代わりにクーラ47bを備えており、ヒータ47a以外は第2加熱ステーション18と同様の構成を備えている。また、第1薬液供給ステーション13に設けられた第1貯留槽40と第2薬液供給ステーション15に設けられた第2貯留槽48の相違点は、大きさであり、第2貯留槽48の方が第1貯留槽40よりも大きい。同様に、第1保持部材42と第2保持部材50の相違点は、大きさであり、第2保持部材50の方が第1保持部材42よりも大きい。また、全面処理スポンジ41と部分処理スポンジ49との相違点は、大きさであり、部分処理スポンジ49の方が、全面処理スポンジ41よりも小さい。   Further, as shown in FIG. 8, the second heating station 18 of the second chemical liquid supply station 15 includes a second storage tank 48 (processing liquid supply means, cleaning tank), a partial processing sponge 49 (sponge), and a second A holding member 50 (sponge holding means), an elevating mechanism 43, a circulation pipe 44, a pump 45, a filter 46, and a heater 47a are included. The second cooling station 19 of the second chemical solution supply station 15 includes a second storage tank 48, a partial treatment sponge 49, a second holding member 50, an elevating mechanism 43, a circulation pipe 44, a pump 45, A filter 46 and a cooler 47b are included. That is, the second cooling station 19 includes a cooler 47b instead of the heater 47a, and has the same configuration as the second heating station 18 except for the heater 47a. The difference between the first storage tank 40 provided in the first chemical solution supply station 13 and the second storage tank 48 provided in the second chemical solution supply station 15 is the size. Is larger than the first storage tank 40. Similarly, the difference between the first holding member 42 and the second holding member 50 is the size, and the second holding member 50 is larger than the first holding member 42. Further, the difference between the full-process sponge 41 and the partial process sponge 49 is the size, and the partial process sponge 49 is smaller than the full-process sponge 41.

このように、第2薬液供給ステーション15は、第1薬液供給ステーション13と同様の構成を備えているから、以下では、第1薬液供給ステーション13について主として説明する。第2薬液供給ステーション15については、第1薬液供給ステーション13と異なる点についてのみ説明する。
図7に示すように、第1貯留槽40は、基板Wよりも大きい上向きに開いた開口部を有している。第1保持部材42は、薬液中に配置されている。図7と図8とを比較すると分かるように、第2貯留槽48の開口部は、第1貯留槽40の開口部よりも大きい。また、第2保持部材50は、第2貯留槽48の開口部に対応する大きさを有しており、薬液中に配置されている。図7に示すように、第1保持部材42は、流体が第1保持部材42を通って上下に移動できるように構成された網状の部材である。第1保持部材42は、薬液の液面の下方に配置されている。第1保持部材42は、第1貯留槽40に対して鉛直方向に移動可能である。後述するように全面処理スポンジ41が洗浄されるときには、昇降機構43が第1保持部材42を昇降させる。
Since the second chemical liquid supply station 15 has the same configuration as the first chemical liquid supply station 13 as described above, the first chemical liquid supply station 13 will be mainly described below. The second chemical liquid supply station 15 will be described only with respect to differences from the first chemical liquid supply station 13.
As shown in FIG. 7, the first storage tank 40 has an opening that is larger than the substrate W and opens upward. The first holding member 42 is disposed in the chemical solution. As can be seen by comparing FIG. 7 and FIG. 8, the opening of the second storage tank 48 is larger than the opening of the first storage tank 40. Moreover, the 2nd holding member 50 has a magnitude | size corresponding to the opening part of the 2nd storage tank 48, and is arrange | positioned in a chemical | medical solution. As shown in FIG. 7, the first holding member 42 is a net-like member configured to allow fluid to move up and down through the first holding member 42. The first holding member 42 is disposed below the liquid surface of the chemical solution. The first holding member 42 is movable in the vertical direction with respect to the first storage tank 40. As will be described later, when the whole surface processing sponge 41 is cleaned, the lifting mechanism 43 moves the first holding member 42 up and down.

図7に示すように、全面処理スポンジ41は、その一部が薬液に浸かっている処理位置で第1保持部材42によって下から支持されている。処理位置では、全面処理スポンジ41の上面41a(第1基板接触面)は、薬液の液面よりも上方に配置されており、全面処理スポンジ41の下面41bは、薬液中に配置されている。全面処理スポンジ41は、液体を吸収可能で弾性変形可能な多孔質材料によって形成されている。多孔質材料は、たとえば、PVA(ポリビニルアルコール)、PP(ポリプロピレン)、およびPE(ポリエチレン)の少なくとも一つを含む。全面処理スポンジ41の上面41aおよび下面41bは、たとえば、基板Wの直径以上の直径を有する円形の水平面である。第1実施形態では、全面処理スポンジ41の上面41aが第1基板接触面として機能する。すなわち、基板Wが全面処理スポンジ41の上方に位置している状態で、鉛直伸縮部26が伸長すると、基板搬送ロボット21に保持されている基板Wの下面の全域が、全面処理スポンジ41の上面41aに押し付けられる。これにより、全面処理スポンジ41に吸収されている薬液が染み出て、基板Wの下面の全域に薬液が供給される。   As shown in FIG. 7, the entire processing sponge 41 is supported from below by a first holding member 42 at a processing position where a part of the processing sponge 41 is immersed in a chemical solution. At the processing position, the upper surface 41a (first substrate contact surface) of the entire surface processing sponge 41 is disposed above the liquid surface of the chemical solution, and the lower surface 41b of the entire surface processing sponge 41 is disposed in the chemical solution. The entire surface processing sponge 41 is formed of a porous material that can absorb liquid and elastically deform. The porous material includes, for example, at least one of PVA (polyvinyl alcohol), PP (polypropylene), and PE (polyethylene). The upper surface 41a and the lower surface 41b of the whole surface processing sponge 41 are, for example, circular horizontal surfaces having a diameter equal to or larger than the diameter of the substrate W. In the first embodiment, the upper surface 41a of the whole surface processing sponge 41 functions as a first substrate contact surface. That is, when the vertical expansion / contraction part 26 extends in a state where the substrate W is positioned above the entire surface processing sponge 41, the entire area of the lower surface of the substrate W held by the substrate transport robot 21 becomes the upper surface of the entire surface processing sponge 41. It is pressed against 41a. As a result, the chemical solution absorbed by the entire surface processing sponge 41 oozes out, and the chemical solution is supplied to the entire lower surface of the substrate W.

また、図8に示すように、部分処理スポンジ49は、その一部が薬液に浸かっている処理位置で第2保持部材50によって下から支持されている。処理位置では、部分処理スポンジ49の上面49a(第2基板接触面)は、薬液の液面よりも上方に配置されており、部分処理スポンジ49の下面49bは、薬液中に配置されている。部分処理スポンジ49は、液体を吸収可能で弾性変形可能な多孔質材料によって形成されている。部分処理スポンジ49の上面49aおよび下面49bは、たとえば、基板Wの上面および下面よりも小さい水平面である。第1実施形態では、部分処理スポンジ49の上面49aが第2基板接触面として機能する。すなわち、基板Wが部分処理スポンジ49の上方に位置している状態で、鉛直伸縮部26が伸長すると、基板搬送ロボット21に保持されている基板Wの下面の一部が、部分処理スポンジ49の上面49aに押し付けられる。これにより、部分処理スポンジ49に吸収されている薬液が染み出て、基板Wの下面の一部に薬液が供給される。制御装置4は、水平移動部28および回転機構31(図3および図4参照)を制御して、ライン延伸方向D2への基板Wの位置および基板回転軸線L1まわりの基板Wの回転角度を変更することにより、基板Wの下面内の任意の部分と部分処理スポンジ49とを接触させる。   Further, as shown in FIG. 8, the partial processing sponge 49 is supported from below by the second holding member 50 at a processing position where a part thereof is immersed in the chemical solution. In the processing position, the upper surface 49a (second substrate contact surface) of the partial processing sponge 49 is disposed above the liquid surface of the chemical liquid, and the lower surface 49b of the partial processing sponge 49 is disposed in the chemical liquid. The partial treatment sponge 49 is formed of a porous material that can absorb liquid and elastically deform. The upper surface 49a and the lower surface 49b of the partial processing sponge 49 are horizontal surfaces that are smaller than the upper surface and the lower surface of the substrate W, for example. In the first embodiment, the upper surface 49a of the partial processing sponge 49 functions as a second substrate contact surface. That is, when the vertical expansion / contraction part 26 extends in a state where the substrate W is positioned above the partial processing sponge 49, a part of the lower surface of the substrate W held by the substrate transport robot 21 is moved to the partial processing sponge 49. Pressed against the upper surface 49a. As a result, the chemical solution absorbed by the partial processing sponge 49 oozes out and is supplied to a part of the lower surface of the substrate W. The control device 4 controls the horizontal moving unit 28 and the rotation mechanism 31 (see FIGS. 3 and 4) to change the position of the substrate W in the line extending direction D2 and the rotation angle of the substrate W around the substrate rotation axis L1. By doing so, the arbitrary part in the lower surface of the board | substrate W and the partial process sponge 49 are made to contact.

また、図7に示すように、循環配管44は、第1保持部材42よりも下方で第1貯留槽40に接続されている上流端44aおよび下流端44bを含む。第1貯留槽40に貯留されている薬液は、ポンプ45の吸引力によって上流端44aから循環配管44内に流れ込む。そして、循環配管44内に流れ込んだ薬液は、フィルタ46を通過した後、下流端44bから第1貯留槽40に戻る。このようにして、第1貯留槽40に貯留されている薬液が循環する。薬液がフィルタ46を通過することにより、薬液に含まれるパーティクルなどの異物が除去される。また、第1加熱ステーション16では、ヒータ47aが循環配管44に取り付けられており、第1冷却ステーション17では、クーラ47bが循環配管44に取り付けられている。したがって、薬液が循環配管44を流れることにより、この薬液が加熱または冷却される。ヒータ47aおよびクーラ47bの温度は、制御装置4によって制御される。   As shown in FIG. 7, the circulation pipe 44 includes an upstream end 44 a and a downstream end 44 b that are connected to the first storage tank 40 below the first holding member 42. The chemical stored in the first storage tank 40 flows into the circulation pipe 44 from the upstream end 44 a by the suction force of the pump 45. And the chemical | medical solution which flowed in in the circulation piping 44 returns to the 1st storage tank 40 from the downstream end 44b, after passing the filter 46. FIG. Thus, the chemical solution stored in the first storage tank 40 circulates. When the chemical solution passes through the filter 46, foreign matters such as particles contained in the chemical solution are removed. In the first heating station 16, the heater 47 a is attached to the circulation pipe 44, and in the first cooling station 17, the cooler 47 b is attached to the circulation pipe 44. Therefore, when the chemical solution flows through the circulation pipe 44, the chemical solution is heated or cooled. The temperature of the heater 47a and the cooler 47b is controlled by the control device 4.

循環配管44を流れる薬液が加熱されることにより、第1貯留槽40に貯留されている薬液の温度が上がる。したがって、全面処理スポンジ41自体や全面処理スポンジ41に吸収されている薬液の温度も上がる。そのため、基板Wが第1加熱ステーション16で全面処理スポンジ41に押し付けられることにより、基板Wが加熱される。一方、循環配管44を流れる薬液が冷却されることにより、第1貯留槽40に貯留されている薬液の温度が下がる。したがって、全面処理スポンジ41自体や全面処理スポンジ41に吸収されている薬液の温度も下がる。そのため、基板Wが第1冷却ステーション17で全面処理スポンジ41に押し付けられることにより、基板Wが冷却される。このように、基板Wが全面処理スポンジ41に押し付けられることにより、基板Wが加熱または冷却され、基板Wの温度が変化する。   By heating the chemical liquid flowing through the circulation pipe 44, the temperature of the chemical liquid stored in the first storage tank 40 increases. Accordingly, the temperature of the whole surface processing sponge 41 itself and the chemical solution absorbed by the whole surface processing sponge 41 also rises. Therefore, the substrate W is heated by pressing the substrate W against the entire processing sponge 41 at the first heating station 16. On the other hand, the temperature of the chemical solution stored in the first storage tank 40 is lowered by cooling the chemical solution flowing through the circulation pipe 44. Accordingly, the temperature of the whole surface processing sponge 41 itself and the chemical solution absorbed in the whole surface processing sponge 41 also decreases. Therefore, the substrate W is cooled by being pressed against the entire processing sponge 41 at the first cooling station 17. In this way, the substrate W is pressed against the entire surface processing sponge 41, whereby the substrate W is heated or cooled, and the temperature of the substrate W changes.

図9は、本発明の第1実施形態に係るリンス・乾燥ステーション12の概略構成を示す模式図である。
リンス・乾燥ステーション12は、基板搬送ロボット21に保持されている基板Wの下面に向けてリンス液の一例である純水(脱イオン水)を吐出するリンス液ノズル51(リンス液供給手段)と、リンス液ノズル51に純水を供給するリンス液配管52と、リンス液配管52に介装されたリンス液バルブ53と、リンス液ノズル51を水平方向に移動させるノズル移動機構54と、基板Wから排出された液体を受け止めるカップ55と、カップ55内に溜まった液体をカップ55の外に排出する排出配管(図示せず)とを含む。カップ55は、有底筒状である。カップ55は、基板Wよりも大きい上向きに開いた開口部を有している。リンス液ノズル51およびノズル移動機構54は、カップ55内に配置されている。基板搬送ロボット21に保持されている基板Wは、基板Wがカップ55の上方に位置している状態で鉛直伸縮部26が伸長することにより、カップ55内に搬送される。また、基板Wがカップ55内に位置している状態で、鉛直伸縮部26が収縮することにより、基板Wがカップ55の外に搬送される。
FIG. 9 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the rinsing / drying station 12 according to the first embodiment of the present invention.
The rinsing / drying station 12 includes a rinsing liquid nozzle 51 (rinsing liquid supply means) that discharges pure water (deionized water) as an example of a rinsing liquid toward the lower surface of the substrate W held by the substrate transfer robot 21. The rinse liquid pipe 52 for supplying pure water to the rinse liquid nozzle 51, the rinse liquid valve 53 interposed in the rinse liquid pipe 52, the nozzle moving mechanism 54 for moving the rinse liquid nozzle 51 in the horizontal direction, and the substrate W A cup 55 for receiving the liquid discharged from the cup 55, and a discharge pipe (not shown) for discharging the liquid accumulated in the cup 55 to the outside of the cup 55. The cup 55 has a bottomed cylindrical shape. The cup 55 has an opening that is larger than the substrate W and opens upward. The rinse liquid nozzle 51 and the nozzle moving mechanism 54 are disposed in the cup 55. The substrate W held by the substrate transport robot 21 is transported into the cup 55 when the vertical telescopic unit 26 extends while the substrate W is positioned above the cup 55. Further, when the substrate W is positioned in the cup 55, the vertical stretchable portion 26 contracts, so that the substrate W is transported out of the cup 55.

基板Wに純水が供給されるときには、基板Wがカップ55内に位置している状態で、制御装置4が、回転機構31(図4参照)を制御することにより、基板回転軸線L1まわりに基板Wを回転させる。そして、制御装置4は、リンス液バルブ53を開くことにより、基板Wを回転させながら、リンス液ノズル51から基板Wの下面に向けて純水を吐出させる。さらに、この状態で、制御装置4は、ノズル移動機構54を制御することにより、リンス液ノズル51を水平方向に移動させる。これにより、基板Wに対する純水の供給位置が、基板Wの下面中央部と基板Wの下面周縁部との間で移動する。したがって、基板Wの下面が純水によって走査され、基板Wの下面の全域に純水が供給される。   When pure water is supplied to the substrate W, the control device 4 controls the rotation mechanism 31 (see FIG. 4) while the substrate W is positioned in the cup 55, so that the substrate W is rotated around the substrate rotation axis L1. The substrate W is rotated. Then, the control device 4 opens the rinse liquid valve 53 to discharge pure water from the rinse liquid nozzle 51 toward the lower surface of the substrate W while rotating the substrate W. Further, in this state, the control device 4 moves the rinse liquid nozzle 51 in the horizontal direction by controlling the nozzle moving mechanism 54. Thereby, the supply position of the pure water with respect to the substrate W moves between the lower surface central portion of the substrate W and the lower surface peripheral portion of the substrate W. Therefore, the lower surface of the substrate W is scanned with pure water, and pure water is supplied to the entire lower surface of the substrate W.

純水が基板Wに供給された後は、制御装置4が基板Wを乾燥させる。具体的には、制御装置4が、ノズル移動機構54を制御することにより、リンス液ノズル51の移動を停止させる。さらに、制御装置4は、リンス液バルブ53を閉じることにより、リンス液ノズル51からの純水の吐出を停止させる。そして、基板Wがカップ55内に位置している状態で、制御装置4が、回転機構31を制御することにより、基板回転軸線L1まわりに高回転速度(たとえば、数千rpm)で基板Wを回転させる。これにより、基板Wに付着している純水に大きな遠心力が加わり、基板Wに付着している純水が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから純水が除去され、基板Wが乾燥する。また、基板Wの周囲に飛散した純水や、基板Wから落下した純水は、カップ55によって受け止められ、排出配管を通ってカップ55の外に排出される。   After the pure water is supplied to the substrate W, the control device 4 dries the substrate W. Specifically, the control device 4 stops the movement of the rinsing liquid nozzle 51 by controlling the nozzle moving mechanism 54. Further, the control device 4 closes the rinse liquid valve 53 to stop the discharge of pure water from the rinse liquid nozzle 51. Then, with the substrate W positioned in the cup 55, the control device 4 controls the rotation mechanism 31 to move the substrate W around the substrate rotation axis L1 at a high rotation speed (for example, several thousand rpm). Rotate. Thereby, a large centrifugal force is applied to the pure water adhering to the substrate W, and the pure water adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W. In this way, pure water is removed from the substrate W, and the substrate W is dried. The pure water scattered around the substrate W and the pure water dropped from the substrate W are received by the cup 55 and discharged to the outside of the cup 55 through the discharge pipe.

図10は、本発明の第1実施形態に係るスポンジ洗浄装置56の概略構成を示す模式図である。図11は、全面処理スポンジ41が薬液中で圧縮されている状態を示す模式図である。図12は、全面処理スポンジ41が空気中で圧縮されている状態を示す模式図である。
図10に示すように、全面処理ライン9は、全面処理スポンジ41を洗浄するスポンジ洗浄装置56(スポンジ洗浄手段)をさらに備えている。スポンジ洗浄装置56は、洗浄槽としての第1貯留槽40と、第1保持部材42と、昇降機構43と、循環配管44と、フィルタ46と、全面処理スポンジ41を圧縮するスポンジ洗浄ロボット57とを含む。昇降機構43は、処理位置(実線で示す位置)の下方に設けられた洗浄位置(一点鎖線で示す位置)と、処理位置の上方に設けられた絞り位置(二点鎖線で示す位置)との間で第1保持部材42を移動させる。洗浄位置は、全面処理スポンジ41の全体が薬液に浸かっている位置であり、絞り位置は、全面処理スポンジ41の全体が薬液に浸かっていない位置である。図示はしないが、部分処理ライン10も、全面処理ライン9と同様に、部分処理スポンジ49を洗浄するスポンジ洗浄装置56を備えている。部分処理ライン10に設けられたスポンジ洗浄装置56の構成は、全面処理ライン9に設けられたスポンジ洗浄装置56の構成と同様であるので、以下では、全面処理ライン9に設けられたスポンジ洗浄装置56の構成について説明する。
FIG. 10 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the sponge cleaning apparatus 56 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 11 is a schematic diagram showing a state where the entire surface processing sponge 41 is compressed in the chemical solution. FIG. 12 is a schematic diagram showing a state where the whole surface processing sponge 41 is compressed in the air.
As shown in FIG. 10, the entire surface processing line 9 further includes a sponge cleaning device 56 (sponge cleaning means) that cleans the entire surface processing sponge 41. The sponge cleaning device 56 includes a first storage tank 40 as a cleaning tank, a first holding member 42, an elevating mechanism 43, a circulation pipe 44, a filter 46, and a sponge cleaning robot 57 that compresses the entire surface processing sponge 41. including. The elevating mechanism 43 includes a cleaning position (a position indicated by a one-dot chain line) provided below the processing position (a position indicated by a solid line) and a throttle position (a position indicated by a two-dot chain line) provided above the processing position. The first holding member 42 is moved between them. The cleaning position is a position where the entire surface processing sponge 41 is immersed in the chemical solution, and the squeezing position is a position where the entire surface processing sponge 41 is not immersed in the chemical solution. Although not shown, the partial processing line 10 is also provided with a sponge cleaning device 56 for cleaning the partial processing sponge 49, as with the entire surface processing line 9. Since the configuration of the sponge cleaning device 56 provided in the partial processing line 10 is the same as the configuration of the sponge cleaning device 56 provided in the entire surface processing line 9, hereinafter, the sponge cleaning device provided in the entire surface processing line 9 is used. The configuration of 56 will be described.

図10に示すように、スポンジ洗浄ロボット57は、基板搬送ロボット21と同様の構成を有している。すなわち、スポンジ洗浄ロボット57は、プレート58と、プレート保持部59と、鉛直伸縮部26と、水平移動部28とを含む。さらに、図示はしないが、スポンジ洗浄ロボット57は、昇降機構30および回転機構31(図4参照)を含む。プレート58は、プレート保持部59の下方でプレート保持部59によって水平に保持されている。プレート保持部59は、鉛直伸縮部26の下方で鉛直伸縮部26によって保持されている。鉛直伸縮部26は、水平移動部28の下方で水平移動部28によって支持されている。水平移動部28は、第1薬液供給ステーション13とスポンジ洗浄ロボット待機ステーション14との間で、スポンジ洗浄ロボット57をライン延伸方向D2に移動させる。これにより、スポンジ洗浄ロボット57が、全面処理スポンジ41の上方に配置される。   As shown in FIG. 10, the sponge cleaning robot 57 has the same configuration as the substrate transfer robot 21. That is, the sponge cleaning robot 57 includes a plate 58, a plate holding unit 59, a vertical extension / contraction unit 26, and a horizontal movement unit 28. Further, although not shown, the sponge cleaning robot 57 includes an elevating mechanism 30 and a rotating mechanism 31 (see FIG. 4). The plate 58 is horizontally held by the plate holder 59 below the plate holder 59. The plate holding portion 59 is held by the vertical extendable portion 26 below the vertical extendable portion 26. The vertical telescopic part 26 is supported by the horizontal moving part 28 below the horizontal moving part 28. The horizontal moving unit 28 moves the sponge cleaning robot 57 in the line extending direction D2 between the first chemical solution supply station 13 and the sponge cleaning robot standby station 14. As a result, the sponge cleaning robot 57 is disposed above the entire surface processing sponge 41.

全面処理スポンジ41が洗浄されるときには、制御装置4が、昇降機構43によって第1保持部材42を洗浄位置に移動させる。そして、制御装置4は、スポンジ洗浄ロボット57が全面処理スポンジ41の上方に位置しており、全面処理スポンジ41の全体が薬液に浸かっている状態で、スポンジ洗浄ロボット57の鉛直伸縮部26を伸長させて、スポンジ洗浄ロボット57のプレート58を水平な姿勢で下降させる。これにより、図11に示すように、全面処理スポンジ41が、プレート58と第1保持部材42とによって上下に挟まれて、全面処理スポンジ41が薬液中で圧縮される。そのため、全面処理スポンジ41の内部に保持されている異物が、薬液と共に全面処理スポンジ41から押し出される。そして、この異物は、薬液と共に循環配管44を流れることにより、フィルタ46によって捕獲される。全面処理スポンジ41が圧縮された後は、制御装置4は、スポンジ洗浄ロボット57の鉛直伸縮部26を収縮させて、スポンジ洗浄ロボット57のプレート58を水平な姿勢で上昇させる。これにより、プレート58が全面処理スポンジ41から離れ、全面処理スポンジ41が元の形状に復元する。そのため、全面処理スポンジ41が薬液を吸収する。   When the entire surface processing sponge 41 is cleaned, the control device 4 moves the first holding member 42 to the cleaning position by the lifting mechanism 43. The control device 4 extends the vertical expansion / contraction part 26 of the sponge cleaning robot 57 in a state where the sponge cleaning robot 57 is positioned above the entire surface processing sponge 41 and the entire surface processing sponge 41 is immersed in the chemical solution. Then, the plate 58 of the sponge cleaning robot 57 is lowered in a horizontal posture. As a result, as shown in FIG. 11, the entire surface processing sponge 41 is sandwiched between the plate 58 and the first holding member 42 and the entire surface processing sponge 41 is compressed in the chemical solution. Therefore, the foreign matter held inside the entire surface processing sponge 41 is pushed out from the entire surface processing sponge 41 together with the chemical solution. And this foreign material is caught by the filter 46 by flowing through the circulation piping 44 with a chemical | medical solution. After the whole surface processing sponge 41 is compressed, the control device 4 contracts the vertical expansion / contraction part 26 of the sponge cleaning robot 57 and raises the plate 58 of the sponge cleaning robot 57 in a horizontal posture. As a result, the plate 58 is separated from the entire surface processing sponge 41, and the entire surface processing sponge 41 is restored to its original shape. Therefore, the whole surface processing sponge 41 absorbs the chemical solution.

次に、制御装置4は、昇降機構43によって第1保持部材42を絞り位置に移動させる。これにより、全面処理スポンジ41が、薬液の液面よりも上方に移動し、第1貯留槽40に貯留されている薬液から離れる。そして、制御装置4は、全面処理スポンジ41の全体が薬液に浸かっていない状態で、スポンジ洗浄ロボット57の鉛直伸縮部26を伸長させて、スポンジ洗浄ロボット57のプレート58を水平な姿勢で下降させる。これにより、図12に示すように、全面処理スポンジ41が、プレート58と第1保持部材42とによって上下に挟まれて、全面処理スポンジ41が空気中で圧縮される。すなわち、全面処理スポンジ41が絞られ、全面処理スポンジ41の内部に保持されている異物が、薬液と共に全面処理スポンジ41から押し出される。そして、全面処理スポンジ41から押し出された異物および薬液は、第1貯留槽40に落下し、循環配管44を流れる。   Next, the control device 4 moves the first holding member 42 to the throttle position by the lifting mechanism 43. Thereby, the whole surface processing sponge 41 moves above the liquid level of the chemical solution, and leaves the chemical solution stored in the first storage tank 40. Then, the control device 4 extends the vertical expansion / contraction part 26 of the sponge cleaning robot 57 and lowers the plate 58 of the sponge cleaning robot 57 in a horizontal posture in a state where the entire surface processing sponge 41 is not immersed in the chemical solution. . As a result, as shown in FIG. 12, the whole surface processing sponge 41 is sandwiched between the plate 58 and the first holding member 42 and the whole surface processing sponge 41 is compressed in the air. That is, the whole surface processing sponge 41 is squeezed, and the foreign matter held inside the whole surface processing sponge 41 is pushed out from the whole surface processing sponge 41 together with the chemical solution. And the foreign material and the chemical | medical solution which were extruded from the whole surface processing sponge 41 fall in the 1st storage tank 40, and flow through the circulation piping 44. FIG.

制御装置4は、スポンジ洗浄ロボット57等にこのような動作を繰り返し実行させることにより全面処理スポンジ41を洗浄させる。すなわち、制御装置4は、薬液中で全面処理スポンジ41を圧縮および復元させると共に、空気中で全面処理スポンジ41を圧縮および復元させる。このように、薬液中での全面処理スポンジ41の圧縮および復元と、空気中での全面処理スポンジ41の圧縮および復元とが繰り返し実行されることにより、全面処理スポンジ41の内部に保持されている異物が確実に除去され、全面処理スポンジ41の清浄度が高められる。したがって、基板Wと全面処理スポンジ41とが接触したときに、全面処理スポンジ41から基板Wに異物が移動して、基板Wが汚染されることを抑制または防止できる。   The control device 4 cleans the entire surface processing sponge 41 by causing the sponge cleaning robot 57 and the like to repeatedly execute such an operation. That is, the control device 4 compresses and restores the whole surface processing sponge 41 in the chemical solution, and compresses and restores the whole surface processing sponge 41 in the air. As described above, the compression and restoration of the whole surface processing sponge 41 in the chemical solution and the compression and restoration of the whole surface processing sponge 41 in the air are repeatedly performed, so that the whole surface processing sponge 41 is held inside. Foreign matter is reliably removed, and the cleanliness of the whole surface processing sponge 41 is increased. Therefore, it is possible to suppress or prevent contamination of the substrate W due to foreign matters moving from the entire surface processing sponge 41 to the substrate W when the substrate W and the entire surface processing sponge 41 come into contact with each other.

図13は、本発明の第1実施形態に係る基板Wの処理の一例について説明するためのフローチャートである。
基板処理装置1で基板Wが処理されるときには、制御装置4が、一枚の基板Wをインデクサロボット6によってキャリアCから搬出させる(S1)。そして、制御装置4は、この基板Wをインデクサロボット6によって測定ユニット8に搬送させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wが測定ユニット8に搬入され、基板Wの表面の汚染状態が測定ユニット8によって測定される(S2)。制御装置4は、測定ユニット8の測定結果を取得し、この測定結果に基づいて全面処理スポンジ41および部分処理スポンジ49のうちのいずれか一方のスポンジを選択する(S3)。すなわち、たとえば汚染されている部分が広い場合には、制御装置4は、全面処理ライン9を選択し、インデクサロボット6によって測定ユニット8から全面処理ライン9に基板Wを搬入させる。一方、汚染されている部分が狭い場合には、制御装置4は、部分処理ライン10を選択し、インデクサロボット6によって測定ユニット8から部分処理ライン10に基板Wを搬送させる。
FIG. 13 is a flowchart for explaining an example of processing of the substrate W according to the first embodiment of the present invention.
When the substrate W is processed by the substrate processing apparatus 1, the control device 4 carries out one substrate W from the carrier C by the indexer robot 6 (S1). Then, the control device 4 transports the substrate W to the measurement unit 8 by the indexer robot 6. Thereby, the substrate W is carried into the measurement unit 8 in a horizontal posture with the surface facing upward, and the contamination state of the surface of the substrate W is measured by the measurement unit 8 (S2). The control device 4 acquires the measurement result of the measurement unit 8, and selects either one of the whole process sponge 41 and the partial process sponge 49 based on the measurement result (S3). That is, for example, when the contaminated part is wide, the control device 4 selects the entire processing line 9 and causes the indexer robot 6 to carry the substrate W from the measuring unit 8 into the entire processing line 9. On the other hand, when the contaminated portion is narrow, the control device 4 selects the partial processing line 10 and causes the indexer robot 6 to transfer the substrate W from the measurement unit 8 to the partial processing line 10.

制御装置4が全面処理ライン9を選択した場合には、制御装置4は、インデクサロボット6によって全面処理ライン9の搬入・搬出ステーション11に基板Wを搬入させる。すなわち、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wが基板支持部材32上に載置される。搬入・搬出ステーション11に基板Wが搬入された後は、制御装置4は、反転機構33によって基板Wの表裏を反転させる。これにより、裏面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wが基板支持部材32上に載置される。その後、制御装置4は、基板支持部材32に支持されている基板Wを基板搬送ロボット21によって保持させ、基板搬送ロボット21によって搬入・搬出ステーション11から第1薬液供給ステーション13に基板Wを移動させる。そして、制御装置4は、基板搬送ロボット21に保持されている基板Wの下面(表面)を全面処理スポンジ41に押し付けさせる。   When the control device 4 selects the entire surface processing line 9, the control device 4 causes the indexer robot 6 to load the substrate W into the loading / unloading station 11 of the entire surface processing line 9. That is, the substrate W is placed on the substrate support member 32 in a horizontal posture with the surface facing upward. After the substrate W is loaded into the loading / unloading station 11, the control device 4 reverses the front and back of the substrate W using the reversing mechanism 33. Accordingly, the substrate W is placed on the substrate support member 32 in a horizontal posture with the back surface facing upward. Thereafter, the control device 4 holds the substrate W supported by the substrate support member 32 by the substrate transport robot 21 and moves the substrate W from the loading / unloading station 11 to the first chemical solution supply station 13 by the substrate transport robot 21. . Then, the control device 4 causes the lower surface (front surface) of the substrate W held by the substrate transport robot 21 to be pressed against the entire processing sponge 41.

具体的には、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって基板Wを第1加熱ステーション16に移動させる。そして、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって基板Wの下面を第1加熱ステーション16の全面処理スポンジ41に押し付けさせる。これにより、基板Wの下面の全域に薬液が供給されると共に、基板Wが加熱される。基板Wの下面が第1加熱ステーション16の全面処理スポンジ41に押し付けられた後は、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって基板Wを第1冷却ステーション17に移動させる。そして、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって基板Wの下面を第1冷却ステーション17の全面処理スポンジ41に押し付けさせる。これにより、基板Wの下面の全域に薬液が供給されると共に、基板Wが冷却される。   Specifically, the control device 4 moves the substrate W to the first heating station 16 by the substrate transport robot 21. Then, the control device 4 causes the substrate transport robot 21 to press the lower surface of the substrate W against the entire processing sponge 41 of the first heating station 16. Thereby, the chemical solution is supplied to the entire area of the lower surface of the substrate W, and the substrate W is heated. After the lower surface of the substrate W is pressed against the entire processing sponge 41 of the first heating station 16, the control device 4 moves the substrate W to the first cooling station 17 by the substrate transfer robot 21. Then, the control device 4 causes the substrate transfer robot 21 to press the lower surface of the substrate W against the entire processing sponge 41 of the first cooling station 17. Thereby, the chemical solution is supplied to the entire lower surface of the substrate W and the substrate W is cooled.

制御装置4は、第1薬液供給ステーション13でこのような動作を基板搬送ロボット21に繰り返し実行させる。これにより、基板Wの下面の全域に薬液が供給されると共に、基板Wの加熱および冷却が交互に複数回実行される(S4)。
第1加熱ステーション16および第1冷却ステーション17のいずれのステーションにおいても、制御装置4は、全面処理スポンジ41と基板Wの下面とが接触している状態で全面処理スポンジ41と基板Wとが相対移動するように基板搬送ロボット21を制御して、基板Wの汚染状態に応じて全面処理スポンジ41と基板Wとを摺動させてもよい。
The control device 4 causes the substrate transport robot 21 to repeatedly execute such an operation at the first chemical solution supply station 13. Thereby, the chemical solution is supplied to the entire area of the lower surface of the substrate W, and the heating and cooling of the substrate W are alternately executed a plurality of times (S4).
In both the first heating station 16 and the first cooling station 17, the control device 4 causes the entire surface processing sponge 41 and the substrate W to be relative to each other while the entire surface processing sponge 41 and the lower surface of the substrate W are in contact with each other. The whole substrate processing sponge 41 and the substrate W may be slid according to the contamination state of the substrate W by controlling the substrate transport robot 21 so as to move.

具体的には、制御装置4は、全面処理スポンジ41と基板Wとが接触している状態で、基板搬送ロボット21をライン延伸方向D2に往復させることにより、全面処理スポンジ41と基板Wとを摺動させてもよい。また、制御装置4は、全面処理スポンジ41と基板Wとが接触している状態で、基板搬送ロボット21によって基板Wを回転させることにより、全面処理スポンジ41と基板Wとを摺動させてもよい。   Specifically, the control device 4 reciprocates the substrate transport robot 21 in the line extending direction D2 while the entire surface processing sponge 41 and the substrate W are in contact with each other, thereby moving the entire surface processing sponge 41 and the substrate W. You may make it slide. Further, the control device 4 may cause the whole surface processing sponge 41 and the substrate W to slide by rotating the substrate W by the substrate transport robot 21 in a state where the whole surface processing sponge 41 and the substrate W are in contact with each other. Good.

また、第1加熱ステーション16および第1冷却ステーション17のいずれのステーションにおいても、制御装置4は、測定ユニット8の測定結果に基づいて基板Wの下面に対する全面処理スポンジ41の押し付け量を変更してもよい。すなわち、基板Wの下面に対する全面処理スポンジ41の押し付け量が増加すると、全面処理スポンジ41から染み出る薬液の量も増加する。したがって、たとえば基板Wの汚染度が高い場合には、制御装置4は、基板Wの汚染度が低い場合に比べて押し付け量が増加するように基板搬送ロボット21を制御して、基板Wに対する薬液の供給量を増加させてもよい。   In both the first heating station 16 and the first cooling station 17, the control device 4 changes the pressing amount of the entire processing sponge 41 against the lower surface of the substrate W based on the measurement result of the measurement unit 8. Also good. That is, when the pressing amount of the whole surface processing sponge 41 against the lower surface of the substrate W increases, the amount of the chemical liquid that exudes from the whole surface processing sponge 41 also increases. Therefore, for example, when the contamination level of the substrate W is high, the control device 4 controls the substrate transport robot 21 so that the pressing amount is increased as compared with the case where the contamination level of the substrate W is low. The supply amount may be increased.

第1薬液供給ステーション13で基板Wに薬液が供給された後は、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって第1薬液供給ステーション13からリンス・乾燥ステーション12に基板Wを移動させる。そして、制御装置4は、基板Wの下面の全域に純水を供給させることにより、基板Wの下面に付着している薬液を洗い流す(S5)。その後、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって基板Wを高回転速度で回転させることにより、基板Wに付着している純水を除去させる。これにより、基板Wが乾燥する(S6)。基板Wが乾燥した後は、制御装置4は、基板搬送ロボット21によってリンス・乾燥ステーション12から搬入・搬出ステーション11に基板Wを移動させる。その後、制御装置4は、反転機構33によって基板Wの表裏を反転させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wが基板支持部材32上に載置される。そして、制御装置4は、インデクサロボット6によって基板支持部材32上に載置されている基板Wを搬出させる。   After the chemical solution is supplied to the substrate W at the first chemical solution supply station 13, the control device 4 moves the substrate W from the first chemical solution supply station 13 to the rinse / dry station 12 by the substrate transport robot 21. And the control apparatus 4 wash | cleans the chemical | medical solution adhering to the lower surface of the board | substrate W by supplying a pure water to the whole lower surface of the board | substrate W (S5). Thereafter, the control device 4 causes the substrate transport robot 21 to rotate the substrate W at a high rotational speed, thereby removing pure water adhering to the substrate W. Thereby, the substrate W is dried (S6). After the substrate W is dried, the control device 4 moves the substrate W from the rinse / dry station 12 to the carry-in / carry-out station 11 by the substrate transport robot 21. Thereafter, the control device 4 reverses the front and back of the substrate W by the reversing mechanism 33. As a result, the substrate W is placed on the substrate support member 32 in a horizontal posture with the surface facing upward. Then, the control device 4 causes the indexer robot 6 to carry out the substrate W placed on the substrate support member 32.

一方、制御装置4が部分処理ライン10を選択した場合には、制御装置4は、インデクサロボット6によって部分処理ライン10の搬入・搬出ステーション11に基板Wを搬入させる。すなわち、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wが基板支持部材32上に載置される。搬入・搬出ステーション11に基板Wが搬入された後は、制御装置4は、反転機構33によって基板Wの表裏を反転させる。これにより、裏面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wが基板支持部材32上に載置される。その後、制御装置4は、基板支持部材32に支持されている基板Wを基板搬送ロボット21によって保持させ、基板搬送ロボット21によって搬入・搬出ステーション11から第2薬液供給ステーション15に基板Wを移動させる。そして、制御装置4は、基板搬送ロボット21に保持されている基板Wの下面(表面)を部分処理スポンジ49に押し付けさせる。   On the other hand, when the control device 4 selects the partial processing line 10, the control device 4 causes the indexer robot 6 to carry the substrate W into the loading / unloading station 11 of the partial processing line 10. That is, the substrate W is placed on the substrate support member 32 in a horizontal posture with the surface facing upward. After the substrate W is loaded into the loading / unloading station 11, the control device 4 reverses the front and back of the substrate W using the reversing mechanism 33. Accordingly, the substrate W is placed on the substrate support member 32 in a horizontal posture with the back surface facing upward. Thereafter, the control device 4 holds the substrate W supported on the substrate support member 32 by the substrate transport robot 21 and moves the substrate W from the loading / unloading station 11 to the second chemical solution supply station 15 by the substrate transport robot 21. . Then, the control device 4 causes the lower surface (front surface) of the substrate W held by the substrate transport robot 21 to be pressed against the partial processing sponge 49.

具体的には、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって基板Wを第2加熱ステーション18に移動させる。そして、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって基板Wの下面を第2加熱ステーション18の部分処理スポンジ49に押し付けさせる。これにより、基板Wの下面の一部に薬液が供給されると共に、基板Wが加熱される。基板Wの下面が第2加熱ステーション18の部分処理スポンジ49に押し付けられた後は、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって基板Wを第2冷却ステーション19に移動させる。そして、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって基板Wの下面を第2冷却ステーション19の部分処理スポンジ49に押し付けさせる。これにより、基板Wの下面の一部に薬液が供給されると共に、基板Wが冷却される。制御装置4は、このような動作を基板搬送ロボット21に繰り返し実行させる。   Specifically, the control device 4 moves the substrate W to the second heating station 18 by the substrate transport robot 21. The control device 4 causes the substrate transport robot 21 to press the lower surface of the substrate W against the partial processing sponge 49 of the second heating station 18. Thereby, the chemical solution is supplied to a part of the lower surface of the substrate W, and the substrate W is heated. After the lower surface of the substrate W is pressed against the partial processing sponge 49 of the second heating station 18, the control device 4 moves the substrate W to the second cooling station 19 by the substrate transport robot 21. Then, the control device 4 causes the substrate transfer robot 21 to press the lower surface of the substrate W against the partial processing sponge 49 of the second cooling station 19. Thereby, the chemical solution is supplied to a part of the lower surface of the substrate W, and the substrate W is cooled. The control device 4 causes the substrate transport robot 21 to repeatedly execute such an operation.

第2加熱ステーション18および第2冷却ステーション19のいずれのステーションにおいても、制御装置4は、基板Wの下面の汚染されている部分と部分処理スポンジ49とが接触するように、測定ユニット8の測定結果に基づいてライン延伸方向D2への基板Wの位置および基板回転軸線L1まわりの基板Wの回転角度を制御する。すなわち、制御装置4は、基板Wの下面において部分処理スポンジ49が接触する部分を測定ユニット8の測定結果に基づいて基板Wごとに設定する。そして、制御装置4は、設定した部分と部分処理スポンジ49とが接触するように基板搬送ロボット21を制御する。これにより、制御装置4によって設定された部分に薬液が供給される。すなわち、基板Wの下面において汚染されている部分に薬液が確実に供給される。   In both the second heating station 18 and the second cooling station 19, the control device 4 performs the measurement of the measurement unit 8 so that the contaminated portion of the lower surface of the substrate W and the partial processing sponge 49 come into contact with each other. Based on the result, the position of the substrate W in the line stretching direction D2 and the rotation angle of the substrate W around the substrate rotation axis L1 are controlled. In other words, the control device 4 sets the part of the lower surface of the substrate W where the partial processing sponge 49 comes into contact for each substrate W based on the measurement result of the measurement unit 8. Then, the control device 4 controls the substrate transport robot 21 so that the set portion and the partial processing sponge 49 come into contact with each other. Thereby, a chemical | medical solution is supplied to the part set by the control apparatus 4. FIG. That is, the chemical solution is reliably supplied to the contaminated portion on the lower surface of the substrate W.

制御装置4は、第2薬液供給ステーション15でこのような動作を基板搬送ロボット21に繰り返し実行させる。これにより、基板Wの下面の一部に薬液が供給されると共に、基板Wの加熱および冷却が交互に複数回実行される(S4)。
第2加熱ステーション18および第2冷却ステーション19のいずれのステーションにおいても、制御装置4は、部分処理スポンジ49と基板Wとが接触している状態で、基板搬送ロボット21をライン延伸方向D2に往復させることにより、部分処理スポンジ49と基板Wとを摺動させてもよい。また、制御装置4は、部分処理スポンジ49と基板Wとが接触している状態で、基板搬送ロボット21によって基板Wを回転させることにより、部分処理スポンジ49と基板Wとを摺動させてもよい。さらに、制御装置4は、基板Wの汚染状態に応じて基板Wの下面に対する部分処理スポンジ49の押し付け量を制御してもよい。
The control device 4 causes the substrate transport robot 21 to repeatedly execute such an operation at the second chemical solution supply station 15. Thereby, the chemical solution is supplied to a part of the lower surface of the substrate W, and the heating and cooling of the substrate W are alternately executed a plurality of times (S4).
In both the second heating station 18 and the second cooling station 19, the control device 4 reciprocates the substrate transport robot 21 in the line extending direction D2 while the partial processing sponge 49 and the substrate W are in contact with each other. By doing so, the partial processing sponge 49 and the substrate W may be slid. Further, the control device 4 may cause the partial processing sponge 49 and the substrate W to slide by rotating the substrate W by the substrate transport robot 21 in a state where the partial processing sponge 49 and the substrate W are in contact with each other. Good. Further, the control device 4 may control the pressing amount of the partial processing sponge 49 against the lower surface of the substrate W according to the contamination state of the substrate W.

第2薬液供給ステーション15で基板Wに薬液が供給された後は、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって第1薬液供給ステーション13からリンス・乾燥ステーション12に基板Wを移動させる。そして、制御装置4は、基板Wの下面の全域に純水を供給させることにより、基板Wの下面に付着している薬液を洗い流す(S5)。その後、制御装置4は、基板搬送ロボット21によって基板Wを高回転速度で回転させることにより、基板Wに付着している純水を除去させる。これにより、基板Wが乾燥する(S6)。基板Wが乾燥した後は、制御装置4は、基板搬送ロボット21によってリンス・乾燥ステーション12から搬入・搬出ステーション11に基板Wを移動させる。その後、制御装置4は、反転機構33によって基板Wの表裏を反転させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wが基板支持部材32上に載置される。そして、制御装置4は、インデクサロボット6によって基板支持部材32上に載置されている基板Wを搬出させる。   After the chemical solution is supplied to the substrate W at the second chemical solution supply station 15, the control device 4 moves the substrate W from the first chemical solution supply station 13 to the rinse / dry station 12 by the substrate transport robot 21. And the control apparatus 4 wash | cleans the chemical | medical solution adhering to the lower surface of the board | substrate W by supplying a pure water to the whole lower surface of the board | substrate W (S5). Thereafter, the control device 4 causes the substrate transport robot 21 to rotate the substrate W at a high rotational speed, thereby removing pure water adhering to the substrate W. Thereby, the substrate W is dried (S6). After the substrate W is dried, the control device 4 moves the substrate W from the rinse / dry station 12 to the carry-in / carry-out station 11 by the substrate transport robot 21. Thereafter, the control device 4 reverses the front and back of the substrate W by the reversing mechanism 33. As a result, the substrate W is placed on the substrate support member 32 in a horizontal posture with the surface facing upward. Then, the control device 4 causes the indexer robot 6 to carry out the substrate W placed on the substrate support member 32.

制御装置4は、全面処理ライン9および部分処理ライン10から搬出された基板Wをインデクサロボット6によって再び測定ユニット8に搬送させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wが測定ユニット8に搬入され、基板Wの表面の汚染状態が測定ユニット8によって測定される(S7)。制御装置4は、測定ユニット8の測定結果を取得し、この測定結果に基づいて基板Wに対する薬液の供給を再び行うか否かを判定する(S8)。   The control device 4 causes the indexer robot 6 to transport the substrate W unloaded from the entire surface processing line 9 and the partial processing line 10 to the measuring unit 8 again. Thereby, the substrate W is carried into the measurement unit 8 in a horizontal posture with the surface facing upward, and the contamination state of the surface of the substrate W is measured by the measurement unit 8 (S7). The control device 4 acquires the measurement result of the measurement unit 8, and determines whether or not to supply the chemical solution to the substrate W again based on the measurement result (S8).

具体的には、基板Wが汚染されていない場合(S8でYESの場合)には、制御装置4は、インデクサロボット6によって測定ユニット8からキャリアCに基板Wを搬送させ、この基板Wへの薬液の供給を終了させる(S9)。一方、基板Wが汚染されている場合(S8でNOの場合)には、制御装置4は、全面処理スポンジ41および部分処理スポンジ49のうちのいずれか一方のスポンジを選択する(S3に戻る)。そして、全面処理ライン209または部分処理ライン210で、薬液処理、リンス処理、および乾燥処理が実行される(2回目のS4〜6)。その後、制御装置4は、基板Wの汚染状態を測定ユニット8によって測定させる(2回目のS8)。制御装置4は、基板Wの汚染がなくなるまで、このような動作を繰り返し実行させる。   Specifically, when the substrate W is not contaminated (YES in S8), the control device 4 causes the indexer robot 6 to transfer the substrate W from the measurement unit 8 to the carrier C, and to the substrate W. The supply of the chemical solution is terminated (S9). On the other hand, when the substrate W is contaminated (NO in S8), the control device 4 selects either one of the whole process sponge 41 and the partial process sponge 49 (returns to S3). . And a chemical | medical solution process, a rinse process, and a drying process are performed by the whole surface process line 209 or the partial process line 210 (2nd S4-6). Thereafter, the control device 4 causes the measurement unit 8 to measure the contamination state of the substrate W (second time S8). The control device 4 repeatedly executes such an operation until the contamination of the substrate W is eliminated.

以上のように第1実施形態では、基板搬送ロボット21が、貯留槽40、48によって薬液が供給されたスポンジ41、49と基板搬送ロボット21に保持されている基板Wとを相対移動させて、スポンジ41、49と基板Wの下面とを接触させる。これにより、スポンジ41、49が弾性変形して、スポンジ41、49に吸収されている薬液が染み出る。そのため、薄い液膜(薬液の液膜)が形成され、この液膜によって基板Wの下面が覆われる。したがって、基板Wにおいてスポンジ41、49が接触した部分に薬液を確実に供給することできる。さらに、スポンジ41、49と基板Wとの接触により薬液が基板Wに一瞬で供給されるから、薬液の供給に要する時間を短縮することができる。しかも、この基板Wの下面に供給された薬液は、基板Wの下面におけるスポンジ41、49との接触部分を覆う必要最低限の量であるから、薬液の消費量を低減することができる。   As described above, in the first embodiment, the substrate transport robot 21 relatively moves the sponges 41 and 49 supplied with the chemicals by the storage tanks 40 and 48 and the substrate W held by the substrate transport robot 21. The sponges 41 and 49 are brought into contact with the lower surface of the substrate W. As a result, the sponges 41 and 49 are elastically deformed, and the chemical solution absorbed by the sponges 41 and 49 oozes out. Therefore, a thin liquid film (chemical liquid film) is formed, and the lower surface of the substrate W is covered with this liquid film. Therefore, the chemical solution can be reliably supplied to the portion of the substrate W where the sponges 41 and 49 are in contact. Furthermore, since the chemical liquid is instantaneously supplied to the substrate W by the contact between the sponges 41 and 49 and the substrate W, the time required for supplying the chemical liquid can be shortened. In addition, since the chemical solution supplied to the lower surface of the substrate W is the minimum amount necessary to cover the contact portion with the sponges 41 and 49 on the lower surface of the substrate W, the consumption of the chemical solution can be reduced.

さらに、スポンジ41、49と基板Wとが接触すると、基板Wの下面におけるスポンジ41、49との接触部分に薬液が均一に供給される。したがって、処理の均一性が向上する。しかも、基板Wに供給された薬液が少量であるから、基板Wに供給された薬液が基板Wに沿って流れることを抑制または防止することができる。すなわち、基板Wに供給された薬液は基板Wに留まる。たとえば、薬液が基板Wに沿って流動すると、薬液が流動している部分と流動していない部分とで処理に差が生じる場合がある。したがって、薬液の流動を抑制または防止することにより、処理の均一性をさらに向上させることができる。さらに、薬液が基板Wに留まるから、薬液の処理能力が十分に発揮される。すなわち、たとえば基板Wに供給された薬液が基板Wからすぐに排出されると、基板Wを処理する能力を有している状態で薬液が基板Wから離れる。したがって、薬液の流動を抑制または防止することにより、薬液を効率的に使用することができる。   Furthermore, when the sponges 41 and 49 and the substrate W come into contact with each other, the chemical solution is uniformly supplied to the contact portion between the sponges 41 and 49 on the lower surface of the substrate W. Therefore, the uniformity of processing is improved. Moreover, since the chemical solution supplied to the substrate W is small, it is possible to suppress or prevent the chemical solution supplied to the substrate W from flowing along the substrate W. That is, the chemical solution supplied to the substrate W remains on the substrate W. For example, when the chemical solution flows along the substrate W, there may be a difference in processing between a portion where the chemical solution is flowing and a portion where the chemical solution is not flowing. Therefore, the uniformity of processing can be further improved by suppressing or preventing the flow of the chemical solution. Further, since the chemical solution stays on the substrate W, the processing capability of the chemical solution is sufficiently exhibited. That is, for example, when the chemical liquid supplied to the substrate W is immediately discharged from the substrate W, the chemical liquid is separated from the substrate W in a state of having the ability to process the substrate W. Therefore, the chemical solution can be used efficiently by suppressing or preventing the flow of the chemical solution.

また第1実施形態では、基板搬送ロボット21が制御装置4によって制御されることにより、全面処理スポンジ41および部分処理スポンジ49のうちのいずれか一方のスポンジと基板Wとが接触する。全面処理スポンジ41は、基板Wの下面以上の大きさの第1基板接触面(全面処理スポンジ41の上面41a)を有しているから、制御装置4が全面処理スポンジ41と基板Wとを接触させることにより、基板Wの下面の全域に薬液を一瞬で供給することができる。一方、部分処理スポンジ49は、基板Wの下面よりも小さい第2基板接触面(部分処理スポンジ49の上面49a)を有しているから、制御装置4が部分処理スポンジ49と基板Wとを接触させることにより、基板Wの下面の一部に薬液を供給することができる。したがって、薬液の供給が必要でない部分に薬液が供給されることを抑制または防止することができる。   In the first embodiment, the substrate transport robot 21 is controlled by the control device 4, so that one of the whole-surface processing sponge 41 and the partial processing sponge 49 comes into contact with the substrate W. Since the whole surface processing sponge 41 has a first substrate contact surface (an upper surface 41a of the whole surface processing sponge 41) having a size larger than the lower surface of the substrate W, the control device 4 contacts the whole surface processing sponge 41 and the substrate W. By doing so, the chemical solution can be instantaneously supplied to the entire lower surface of the substrate W. On the other hand, since the partial processing sponge 49 has a second substrate contact surface (an upper surface 49a of the partial processing sponge 49) that is smaller than the lower surface of the substrate W, the control device 4 contacts the partial processing sponge 49 and the substrate W. By doing so, the chemical solution can be supplied to a part of the lower surface of the substrate W. Therefore, it can suppress or prevent that a chemical | medical solution is supplied to the part which does not need supply of a chemical | medical solution.

また第1実施形態では、測定ユニット8によって基板Wの汚染状態が測定される。制御装置4は、測定ユニット8の測定結果に基づいて全面処理スポンジ41および部分処理スポンジ49のうちのいずれか一方のスポンジを選択する。制御装置4は、部分処理スポンジ49を選択したときに、基板Wの下面において部分処理スポンジ49が接触する部分を測定ユニット8の測定結果に基づいて基板Wごとに設定する。そして、制御装置4は、設定した部分と部分処理スポンジ49とが接触するように基板搬送ロボット21を制御する。したがって、基板Wの汚染されている部分に部分処理スポンジ49を確実に接触させて、この部分に薬液を確実に供給することができる。これにより、基板Wの清浄度を向上させることができる。   In the first embodiment, the contamination state of the substrate W is measured by the measurement unit 8. The control device 4 selects either one of the whole processing sponge 41 and the partial processing sponge 49 based on the measurement result of the measurement unit 8. When the partial processing sponge 49 is selected, the control device 4 sets the part of the lower surface of the substrate W that the partial processing sponge 49 contacts with each substrate W based on the measurement result of the measurement unit 8. Then, the control device 4 controls the substrate transport robot 21 so that the set portion and the partial processing sponge 49 come into contact with each other. Therefore, the partial processing sponge 49 can be reliably brought into contact with the contaminated portion of the substrate W, and the chemical solution can be reliably supplied to this portion. Thereby, the cleanliness of the substrate W can be improved.

また第1実施形態では、基板搬送ロボット21が、貯留槽40、48に貯留されている薬液にスポンジ41、49が浸漬されている状態でスポンジ41、49を圧縮する。その後、基板搬送ロボット21によるスポンジ41、49の圧縮が解除され、スポンジ41、49がその弾性によって元の形状に膨張して復元する。このようなスポンジ41、49の圧縮/膨張が繰り返し行われる。スポンジ41、49が圧縮されると、スポンジ41、49の表面に付着している異物や、スポンジ41、49の内部に保持されている異物が、薬液と共にスポンジ41、49から排出される。これにより、スポンジ41、49から異物が除去される。また、スポンジ41、49が膨張すると、スポンジ41、49は、その吸収力によって薬液を吸収する。したがって、スポンジ41、49の圧縮/膨張が繰り返し行われることにより、スポンジ41、49による薬液の吸収および排出が繰り返し行われ、スポンジ41、49から異物が確実に除去される。これにより、スポンジ41、49と基板Wとが接触したときに、スポンジ41、49から基板Wに異物が移動して、基板Wが汚染されることを抑制または防止することができる。   In the first embodiment, the substrate transport robot 21 compresses the sponges 41 and 49 in a state where the sponges 41 and 49 are immersed in the chemical solution stored in the storage tanks 40 and 48. After that, the compression of the sponges 41 and 49 by the substrate transfer robot 21 is released, and the sponges 41 and 49 are expanded and restored to their original shapes due to their elasticity. Such compression / expansion of the sponges 41 and 49 is repeated. When the sponges 41 and 49 are compressed, foreign matter adhering to the surfaces of the sponges 41 and 49 and foreign matters held inside the sponges 41 and 49 are discharged from the sponges 41 and 49 together with the chemical solution. Thereby, the foreign matter is removed from the sponges 41 and 49. Further, when the sponges 41 and 49 are expanded, the sponges 41 and 49 absorb the chemical liquid by their absorption power. Therefore, by repeatedly performing the compression / expansion of the sponges 41 and 49, the chemicals are repeatedly absorbed and discharged by the sponges 41 and 49, and foreign matters are reliably removed from the sponges 41 and 49. Thereby, when the sponges 41 and 49 and the substrate W come into contact with each other, it is possible to suppress or prevent the foreign matter from moving from the sponges 41 and 49 to the substrate W to contaminate the substrate W.

また第1実施形態では、スポンジ洗浄装置56が、貯留槽40、48に接続された循環配管44と、循環配管44に介装されたフィルタ46とを含む。貯留槽40、48に貯留されている薬液は、循環配管44に排出され、循環配管44を通って再び貯留槽40、48に戻る。これにより、貯留槽40、48に貯留されている薬液が循環する。循環配管44を流れる薬液に含まれる異物は、フィルタ46によって除去される。したがって、貯留槽40、48に貯留されている薬液に含まれる異物が、スポンジ41、49に付着することを抑制または防止することができる。これにより、スポンジ41、49と基板Wとが接触したときに、スポンジ41、49から基板Wに異物が移動して、基板Wが汚染されることを抑制または防止することができる。   In the first embodiment, the sponge cleaning device 56 includes a circulation pipe 44 connected to the storage tanks 40 and 48, and a filter 46 interposed in the circulation pipe 44. The chemical solution stored in the storage tanks 40 and 48 is discharged to the circulation pipe 44 and returns to the storage tanks 40 and 48 again through the circulation pipe 44. Thereby, the chemical | medical solution currently stored by the storage tanks 40 and 48 circulates. Foreign matter contained in the chemical flowing through the circulation pipe 44 is removed by the filter 46. Therefore, it is possible to suppress or prevent foreign substances contained in the chemical solution stored in the storage tanks 40 and 48 from adhering to the sponges 41 and 49. Thereby, when the sponges 41 and 49 and the substrate W come into contact with each other, it is possible to suppress or prevent the foreign matter from moving from the sponges 41 and 49 to the substrate W to contaminate the substrate W.

また第1実施形態では、基板搬送ロボット21が、スポンジ41、49と基板Wとを摺動させる。具体的には、スポンジ41、49と基板Wとが接触している状態で、基板搬送ロボット21の水平移動部28が、スポンジ41、49をライン延伸方向D2に往復させることにより、スポンジ41、49と基板Wとを摺動させる。また、スポンジ41、49と基板Wとが接触している状態で、基板搬送ロボット21が、基板Wを回転させることにより、スポンジ41、49と基板Wとを摺動させる。これにより、基板Wの下面に付着している異物がスポンジ41、49によって擦り取られる。これにより、基板Wの清浄度を向上させることができる。   In the first embodiment, the substrate transfer robot 21 slides the sponges 41 and 49 and the substrate W. Specifically, in a state where the sponges 41 and 49 and the substrate W are in contact with each other, the horizontal moving unit 28 of the substrate transport robot 21 reciprocates the sponges 41 and 49 in the line extending direction D2, thereby 49 and the substrate W are slid. Further, in a state where the sponges 41 and 49 and the substrate W are in contact with each other, the substrate transport robot 21 rotates the substrate W to slide the sponges 41 and 49 and the substrate W. Thereby, the foreign matter adhering to the lower surface of the substrate W is scraped off by the sponges 41 and 49. Thereby, the cleanliness of the substrate W can be improved.

また第1実施形態では、制御装置4が、測定ユニット8の測定結果に基づいてスポンジ41、49と基板Wとの摺動を制御する。すなわち、たとえば基板Wの汚染度が高い場合、制御装置4は、基板搬送ロボット21によってスポンジ41、49と基板Wとを摺動させる。一方、たとえば基板Wの汚染度が低い場合、制御装置4は、スポンジ41、49と基板Wとを摺動させない。このように、基板Wの汚染状態に応じてスポンジ41、49と基板Wとの摺動が制御されるから、基板Wの清浄度を安定させることができる。   In the first embodiment, the control device 4 controls sliding between the sponges 41 and 49 and the substrate W based on the measurement result of the measurement unit 8. That is, for example, when the contamination level of the substrate W is high, the control device 4 causes the substrate transfer robot 21 to slide the sponges 41 and 49 and the substrate W. On the other hand, for example, when the contamination level of the substrate W is low, the control device 4 does not slide the sponges 41 and 49 and the substrate W. Thus, since the sliding of the sponges 41 and 49 and the substrate W is controlled according to the contamination state of the substrate W, the cleanliness of the substrate W can be stabilized.

また第1実施形態では、制御装置4が、測定ユニット8の測定結果に基づいて基板Wの下面に対するスポンジ41、49の押し付け量を制御する。すなわち、たとえば基板Wの汚染度が高い場合、制御装置4は、基板搬送ロボット21を制御し、基板Wの汚染度が低い場合に比べて押し付け量を増加させる。これにより、スポンジ41、49から染み出る薬液の量が増加し、基板Wに供給される薬液の量が増加する。このように、基板Wの汚染状態に応じて基板Wの下面に対する薬液の供給量が制御されるから、基板Wの清浄度を安定させることができる。   In the first embodiment, the control device 4 controls the pressing amount of the sponges 41 and 49 against the lower surface of the substrate W based on the measurement result of the measurement unit 8. That is, for example, when the contamination level of the substrate W is high, the control device 4 controls the substrate transport robot 21 and increases the amount of pressing compared to when the contamination level of the substrate W is low. As a result, the amount of the chemical liquid that exudes from the sponges 41 and 49 increases, and the amount of the chemical liquid supplied to the substrate W increases. Thus, since the supply amount of the chemical liquid to the lower surface of the substrate W is controlled according to the contamination state of the substrate W, the cleanliness of the substrate W can be stabilized.

また第1実施形態では、ヒータ47aおよびクーラ47bによって基板Wが加熱および冷却される。これにより、基板Wの温度が変化し、基板Wが膨張および収縮する。また、基板Wが加熱および冷却されることにより、基板Wに付着している異物の温度が変化し、この異物が膨張および収縮する。したがって、基板Wおよび異物の両方が膨張および収縮する。基板Wの膨張率と異物の膨張率が異なる場合、基板Wおよび異物が膨張および収縮することにより、基板Wと異物との接触状態が変化し、異物が基板Wから取れ易くなる。特に、基板Wの加熱および冷却が交互に実行されるから、加熱だけまたは冷却だけが実行される場合に比べて、基板Wの温度差が大きくなる。そのため、異物が基板Wから一層取れ易くなる。これにより、異物の除去率を向上させることができる。   In the first embodiment, the substrate W is heated and cooled by the heater 47a and the cooler 47b. As a result, the temperature of the substrate W changes, and the substrate W expands and contracts. Further, when the substrate W is heated and cooled, the temperature of the foreign matter adhering to the substrate W changes, and the foreign matter expands and contracts. Therefore, both the substrate W and the foreign material expand and contract. When the expansion rate of the substrate W and the expansion rate of the foreign matter are different, the contact state between the substrate W and the foreign matter changes due to the expansion and contraction of the substrate W and the foreign matter, and the foreign matter is easily removed from the substrate W. In particular, since the heating and cooling of the substrate W are performed alternately, the temperature difference of the substrate W becomes larger than when only heating or cooling is performed. Therefore, it becomes easier to remove foreign substances from the substrate W. Thereby, the removal rate of a foreign material can be improved.

また第1実施形態では、基板搬送ロボット21が基板Wを搬送する。基板搬送ロボット21によって搬送される基板Wは、搬入・搬出ステーション11から供給ステーション13、15に移動する。その後、この基板Wは、供給ステーション13、15リンス・乾燥ステーション12を通ってから搬入・搬出ステーション11に移動する。基板搬送ロボット21によって搬送される基板Wは、供給ステーション13、15でスポンジ41、49から供給される薬液によって処理される。また、基板搬送ロボット21によって搬送される基板Wは、リンス・乾燥ステーション12でリンス液ノズル51から供給される純水によって処理される。すなわち、基板Wに付着している薬液が純水によって洗い流される。その後、基板搬送ロボット21がリンス・乾燥ステーション12で基板Wを回転させることにより、基板Wに付着している純水が除去される。これにより、基板Wが乾燥する。このように、基板搬送ロボット21が基板Wを搬送することにより、一連の処理が基板Wに施される。   In the first embodiment, the substrate transport robot 21 transports the substrate W. The substrate W transported by the substrate transport robot 21 moves from the loading / unloading station 11 to the supply stations 13 and 15. Thereafter, the substrate W moves to the carry-in / carry-out station 11 after passing through the supply stations 13 and 15 rinsing / drying station 12. The substrate W transported by the substrate transport robot 21 is processed by the chemical solution supplied from the sponges 41 and 49 at the supply stations 13 and 15. Further, the substrate W transported by the substrate transport robot 21 is processed by pure water supplied from the rinse liquid nozzle 51 in the rinse / dry station 12. That is, the chemical solution adhering to the substrate W is washed away with pure water. Thereafter, the substrate transport robot 21 rotates the substrate W at the rinse / dry station 12, thereby removing pure water adhering to the substrate W. Thereby, the substrate W is dried. As described above, the substrate transport robot 21 transports the substrate W, whereby a series of processes are performed on the substrate W.

また第1実施形態では、搬入・搬出ステーション11、リンス・乾燥ステーション12、および供給ステーション13、15は、この順番で搬送路20に沿って配置されている。基板搬送ロボット21は、搬送路20に沿って基板Wを搬送する。したがって、基板搬送ロボット21によって搬送される基板Wは、搬入・搬出ステーション11からリンス・乾燥ステーション12を通って供給ステーション13、15に移動する。その後、この基板Wは、供給ステーション13、15からリンス・乾燥ステーション12を通って搬入・搬出ステーション11に移動する。すなわち、リンス・乾燥ステーション12でリンス処理および乾燥処理が行われた基板Wは、供給ステーション13、15を通過せずに、リンス・乾燥ステーション12から搬入・搬出ステーション11に移動する。したがって、供給ステーション13、15に漂う薬液の雰囲気などが基板Wに付着することを抑制または防止することができる。これにより、基板Wの清浄度を向上させることができる。   In the first embodiment, the carry-in / carry-out station 11, the rinse / dry station 12, and the supply stations 13 and 15 are arranged along the conveyance path 20 in this order. The substrate transport robot 21 transports the substrate W along the transport path 20. Accordingly, the substrate W transported by the substrate transport robot 21 moves from the carry-in / carry-out station 11 to the supply stations 13 and 15 through the rinse / dry station 12. Thereafter, the substrate W moves from the supply stations 13 and 15 to the carry-in / carry-out station 11 through the rinse / dry station 12. That is, the substrate W that has been rinsed and dried at the rinse / dry station 12 moves from the rinse / dry station 12 to the carry-in / carry-out station 11 without passing through the supply stations 13 and 15. Therefore, it is possible to suppress or prevent the atmosphere of the chemical solution floating on the supply stations 13 and 15 from adhering to the substrate W. Thereby, the cleanliness of the substrate W can be improved.

次に、この発明の第2実施形態について説明する。この第2実施形態と前述の第1実施形態との主要な相違点は、搬送される対象が異なることである。すなわち、第1実施形態では、基板Wが搬送されることにより、スポンジ41、49と基板Wとが接触するのに対し、第2実施形態では、スポンジ41、49が搬送されることにより、スポンジ41、49と基板Wとが接触する。以下の図14〜図18において、前述の図1〜図13に示された各部と同等の構成部分については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。   Next explained is the second embodiment of the invention. The main difference between the second embodiment and the first embodiment described above is that the object to be conveyed is different. That is, in the first embodiment, the sponges 41 and 49 and the substrate W come into contact with each other when the substrate W is transported, whereas in the second embodiment, the sponges 41 and 49 are transported so that the sponge W 41 and 49 and the substrate W come into contact with each other. In the following FIGS. 14 to 18, the same components as those shown in FIGS. 1 to 13 are given the same reference numerals as those in FIG. 1 and the description thereof is omitted.

図14は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置201のレイアウトを示す模式図である。
基板処理装置201は、枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置201は、インデクサブロック2と、インデクサブロック2に搬入された基板Wを処理する処理ブロック203と、基板処理装置201に備えられた装置や機器を制御する制御装置4とを備えている。
FIG. 14 is a schematic diagram showing a layout of the substrate processing apparatus 201 according to the second embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 201 is a single wafer type substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus 201 includes an indexer block 2, a processing block 203 that processes a substrate W carried into the indexer block 2, and a control device 4 that controls apparatuses and devices provided in the substrate processing apparatus 201. .

インデクサブロック2は、キャリア保持部5と、インデクサロボット6と、IR移動機構7と、測定ユニット8とを含む。インデクサロボット6は、インデクサブロック2内で基板Wを搬送すると共に、インデクサブロック2と処理ブロック203との間で基板Wを搬送する。
処理ブロック203は、基板Wを一枚ずつ処理する複数(たとえば、4つ)の処理ライン209、210を含む。各処理ライン209、210は、ライン延伸方向D2に延びている。4つの処理ライン209、210は、基板Wの上面の全域に薬液を供給する2つの全面処理ライン209と、基板Wの上面の一部に薬液を供給する2つの部分処理ライン210とを含む。2つの全面処理ライン209は、上下に重ねられており、2つの部分処理ライン210は、上下に重ねられている。上段の全面処理ライン209と上段の部分処理ライン210とは、同じ高さに配置されており、水平方向に対向している。同様に、下段の全面処理ライン209と下段の部分処理ライン210とは、同じ高さに配置されており、水平方向に対向している。
The indexer block 2 includes a carrier holding unit 5, an indexer robot 6, an IR moving mechanism 7, and a measurement unit 8. The indexer robot 6 transports the substrate W in the indexer block 2 and transports the substrate W between the indexer block 2 and the processing block 203.
The processing block 203 includes a plurality of (for example, four) processing lines 209 and 210 for processing the substrate W one by one. Each processing line 209, 210 extends in the line extending direction D2. The four processing lines 209 and 210 include two full-surface processing lines 209 that supply a chemical solution to the entire upper surface of the substrate W, and two partial processing lines 210 that supply a chemical solution to a part of the upper surface of the substrate W. The two full-surface processing lines 209 are vertically stacked, and the two partial processing lines 210 are vertically stacked. The upper overall processing line 209 and the upper partial processing line 210 are arranged at the same height and face each other in the horizontal direction. Similarly, the lower overall processing line 209 and the lower partial processing line 210 are disposed at the same height and face each other in the horizontal direction.

全面処理ライン209は、基板Wの上面の全域に薬液を供給する第1薬液供給ステーション213と、後述するスポンジ搬送ロボット221(接触手段、押し付け量変更手段)が待機しているスポンジ搬送ロボット待機ステーション214とを含む。これらのステーション213、214は、インデクサブロック2側から第1薬液供給ステーション213、スポンジ搬送ロボット待機ステーション214の順番でライン延伸方向D2に配列されている。同様に、部分処理ライン210は、基板Wの上面の一部に薬液を供給する第2薬液供給ステーション215と、スポンジ搬送ロボット待機ステーション214とを含む。これらのステーション215、214は、インデクサブロック2側から第2薬液供給ステーション215、スポンジ搬送ロボット待機ステーション214の順番でライン延伸方向D2に配列されている。部分処理ライン210は、スポンジを除き、全面処理ライン209と同様の構成を有している。すなわち、全面処理ライン209は、基板Wの上面の全域に薬液を供給する全面処理スポンジ41を備えており、部分処理ライン210は、基板Wの上面の一部に薬液を供給する部分処理スポンジ49を備えている。   The entire surface processing line 209 includes a first chemical solution supply station 213 that supplies a chemical solution to the entire upper surface of the substrate W, and a sponge transfer robot standby station in which a sponge transfer robot 221 (contact means, pressing amount changing means) described later is on standby. 214. These stations 213 and 214 are arranged in the line extending direction D2 in the order of the first chemical solution supply station 213 and the sponge transport robot standby station 214 from the indexer block 2 side. Similarly, the partial processing line 210 includes a second chemical solution supply station 215 that supplies a chemical solution to a part of the upper surface of the substrate W, and a sponge transfer robot standby station 214. These stations 215 and 214 are arranged in the line extending direction D2 in the order of the second chemical solution supply station 215 and the sponge transport robot standby station 214 from the indexer block 2 side. The partial processing line 210 has the same configuration as the entire surface processing line 209 except for the sponge. That is, the entire processing line 209 includes the entire processing sponge 41 that supplies the chemical liquid to the entire upper surface of the substrate W, and the partial processing line 210 includes the partial processing sponge 49 that supplies the chemical liquid to a part of the upper surface of the substrate W. It has.

図15は、本発明の第2実施形態に係る全面処理ライン209の概略構成を説明するための模式図である。図16は、本発明の第2実施形態に係る部分処理ライン210の概略構成を説明するための模式図である。
前述のように、部分処理ライン210は、全面処理ライン209と同様の構成を備えている。したがって、以下では、全面処理ライン209について主として説明する。部分処理ライン210については、全面処理ライン209と異なる点についてのみ説明する。
FIG. 15 is a schematic diagram for explaining a schematic configuration of the entire surface processing line 209 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 16 is a schematic diagram for explaining a schematic configuration of the partial processing line 210 according to the second embodiment of the present invention.
As described above, the partial processing line 210 has the same configuration as the entire surface processing line 209. Therefore, the entire surface processing line 209 will be mainly described below. Only the differences between the partial processing line 210 and the entire processing line 209 will be described.

図15に示すように、全面処理ライン209は、密閉された処理ケース222を含む。第1薬液供給ステーション213およびスポンジ搬送ロボット待機ステーション214は、処理ケース222内に設けられている。第1薬液供給ステーション213は、インデクサブロック2側に配置されている。処理ケース222は、開口部223aを有する箱形の本体223と、開口部223aを開閉するシャッター224と、開口部223aが開かれる開位置と開口部223aが閉じられる閉位置との間でシャッター224を移動させるシャッター移動機構(図示せず)とを含む。開口部223aは、インデクサブロック2に面しており、インデクサロボット6がアクセス可能な位置に配置されている。   As shown in FIG. 15, the entire surface processing line 209 includes a sealed processing case 222. The first chemical solution supply station 213 and the sponge transfer robot standby station 214 are provided in the processing case 222. The 1st chemical | medical solution supply station 213 is arrange | positioned at the indexer block 2 side. The processing case 222 includes a box-shaped main body 223 having an opening 223a, a shutter 224 for opening and closing the opening 223a, and a shutter 224 between an open position where the opening 223a is opened and a closed position where the opening 223a is closed. And a shutter moving mechanism (not shown) for moving. The opening 223 a faces the indexer block 2 and is disposed at a position accessible by the indexer robot 6.

図15に示すように、第1薬液供給ステーション213は、基板Wを水平に保持するスピンチャック260(基板保持手段)と、スピンチャック260に保持されている基板Wの上面に向けてリンス液の一例である純水を吐出するリンス液ノズル251と、リンス液ノズル251に純水を供給するリンス液配管252と、リンス液配管252に介装されたリンス液バルブ253と、リンス液ノズル251を水平方向に移動させるノズル移動機構254と、基板Wから排出された液体を受け止めるカップ255と、カップ255を昇降させるカップ昇降機構261と、カップ255内に溜まった液体をカップ255の外に排出する排出配管(図示せず)とを含む。   As shown in FIG. 15, the first chemical supply station 213 includes a spin chuck 260 (substrate holding means) that holds the substrate W horizontally, and a rinse liquid that is directed toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 260. As an example, a rinsing liquid nozzle 251 for discharging pure water, a rinsing liquid pipe 252 for supplying pure water to the rinsing liquid nozzle 251, a rinsing liquid valve 253 interposed in the rinsing liquid pipe 252, and a rinsing liquid nozzle 251 are provided. A nozzle moving mechanism 254 that moves in the horizontal direction, a cup 255 that receives the liquid discharged from the substrate W, a cup elevating mechanism 261 that raises and lowers the cup 255, and the liquid accumulated in the cup 255 is discharged out of the cup 255. And a discharge pipe (not shown).

スピンチャック260は、基板Wを水平に保持して当該基板Wの中心を通る鉛直な基板回転軸線L201まわりに回転可能な円盤状のスピンベース262と、スピンベース262を基板回転軸線L201まわりに回転させるスピンモータ263とを含む。スピンチャック260は、基板Wを水平方向に挟んで当該基板Wを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)を吸着することにより当該基板Wを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。第2実施形態では、スピンチャック260は、たとえばバキューム式のチャックである。   The spin chuck 260 holds a substrate W horizontally and rotates around a vertical substrate rotation axis L201 that passes through the center of the substrate W, and rotates around the substrate rotation axis L201. And a spin motor 263. The spin chuck 260 may be a clamping chuck that holds the substrate W horizontally by holding the substrate W in the horizontal direction, or by adsorbing the back surface (lower surface) of the substrate W that is a non-device forming surface. A vacuum chuck that holds the substrate W horizontally may be used. In the second embodiment, the spin chuck 260 is, for example, a vacuum chuck.

スピンチャック260は、有底円筒状のカップ255内に収容されている。カップ昇降機構261は、カップ255の上端がスピンチャック260による基板Wの保持位置よりも下方に位置する搬入・搬出位置(実線で示す位置)と、カップ255の上端がスピンチャック260による基板Wの保持位置よりも上方に位置する処理位置(二点鎖線で示す位置)との間でカップ255を昇降させる。処理ケース222の外から中に基板Wが搬送されるときには、開口部223aが開かれており、カップ255が搬入・搬出位置に配置されている状態で、インデクサロボット6が、ハンドHを処理ケース222内に移動させ、基板Wをスピンチャック260上に載置させる。処理ケース222の中から外に基板Wが搬送されるときも同様に、開口部223aが開かれており、カップ255が搬入・搬出位置に配置されている状態で、インデクサロボット6が、スピンチャック260上に載置されている基板WをハンドHによって保持し、この基板Wを処理ケース222の外に移動させる。   The spin chuck 260 is accommodated in a bottomed cylindrical cup 255. The cup lifting mechanism 261 includes a loading / unloading position (a position indicated by a solid line) in which the upper end of the cup 255 is located below the holding position of the substrate W by the spin chuck 260, and the upper end of the cup 255 is the position of the substrate W by the spin chuck 260. The cup 255 is moved up and down between a processing position (a position indicated by a two-dot chain line) positioned above the holding position. When the substrate W is transported from outside the processing case 222, the indexer robot 6 handles the hand H with the opening 223a opened and the cup 255 placed at the loading / unloading position. Then, the substrate W is moved onto the spin chuck 260. Similarly, when the substrate W is transported out of the processing case 222, the indexer robot 6 is operated by the spin chuck with the opening 223a being opened and the cup 255 being disposed at the loading / unloading position. The substrate W placed on the substrate 260 is held by the hand H, and the substrate W is moved out of the processing case 222.

図15に示すように、全面処理ライン209のスポンジ搬送ロボット待機ステーション214は、第1貯留槽40と、全面処理スポンジ41と、第1保持部材42と、昇降機構43と、循環配管44と、ポンプ45と、フィルタ46と、温度調整装置247(温度変更手段)とを含む。さらに、スポンジ搬送ロボット待機ステーション214は、第1薬液供給ステーション213とスポンジ搬送ロボット待機ステーション214との間で全面処理スポンジ41を搬送するスポンジ搬送ロボット221を含む。温度調整装置247は、ヒータであってもよいし、クーラであってもよい。   As shown in FIG. 15, the sponge transfer robot standby station 214 of the entire processing line 209 includes a first storage tank 40, an entire processing sponge 41, a first holding member 42, an elevating mechanism 43, a circulation pipe 44, A pump 45, a filter 46, and a temperature adjusting device 247 (temperature changing means) are included. Furthermore, the sponge transfer robot standby station 214 includes a sponge transfer robot 221 that transfers the entire surface processing sponge 41 between the first chemical solution supply station 213 and the sponge transfer robot standby station 214. The temperature adjustment device 247 may be a heater or a cooler.

同様に、図16に示すように、部分処理ライン210のスポンジ搬送ロボット待機ステーション214は、第1貯留槽40と、部分処理スポンジ49と、第1保持部材42と、昇降機構43と、循環配管44と、ポンプ45と、フィルタ46と、温度調整装置247とを含む。さらに、スポンジ搬送ロボット待機ステーション214は、第2薬液供給ステーション215とスポンジ搬送ロボット待機ステーション214との間で部分処理スポンジ49を搬送するスポンジ搬送ロボット221を含む。   Similarly, as shown in FIG. 16, the sponge transfer robot standby station 214 of the partial processing line 210 includes a first storage tank 40, a partial processing sponge 49, a first holding member 42, an elevating mechanism 43, and circulation piping. 44, a pump 45, a filter 46, and a temperature adjusting device 247. Further, the sponge transfer robot standby station 214 includes a sponge transfer robot 221 that transfers the partial processing sponge 49 between the second chemical solution supply station 215 and the sponge transfer robot standby station 214.

図15に示すように、スポンジ搬送ロボット221は、スポンジ保持部225(スポンジ保持手段)と、鉛直伸縮部26と、水平移動部28とを含む。図示はしないが、スポンジ搬送ロボット221は、鉛直伸縮部26を鉛直方向に伸縮させる昇降機構30と、スポンジ保持部225を鉛直軸線まわりに回転させる回転機構31とをさらに含む(図4参照)。スポンジ保持部225は、鉛直伸縮部26の下方で鉛直伸縮部26に支持されている。鉛直伸縮部26は、水平移動部28の下方で水平移動部28に支持されている。全面処理スポンジ41は、スポンジ保持部225の下方でスポンジ保持部225に保持されている。また、図16に示すように、部分処理スポンジ49は、スポンジ保持部225の下方でスポンジ保持部225に保持されている。   As shown in FIG. 15, the sponge transport robot 221 includes a sponge holding unit 225 (sponge holding means), a vertical expansion / contraction unit 26, and a horizontal movement unit 28. Although not shown, the sponge transport robot 221 further includes an elevating mechanism 30 that expands and contracts the vertical expansion / contraction part 26 in the vertical direction and a rotation mechanism 31 that rotates the sponge holding part 225 around the vertical axis (see FIG. 4). The sponge holding part 225 is supported by the vertical elastic part 26 below the vertical elastic part 26. The vertical telescopic part 26 is supported by the horizontal moving part 28 below the horizontal moving part 28. The whole surface processing sponge 41 is held by the sponge holding unit 225 below the sponge holding unit 225. As shown in FIG. 16, the partial processing sponge 49 is held by the sponge holding unit 225 below the sponge holding unit 225.

図15に示すように、全面処理スポンジ41は、第1貯留槽40に貯留されている薬液に浸漬されており、基板Wに薬液が供給されるときに、スポンジ搬送ロボット221によって第1薬液供給ステーション213に搬送される。同様に、図16に示すように、部分処理スポンジ49は、第1貯留槽40に貯留されている薬液に浸漬されており、基板Wに薬液が供給されるときに、スポンジ搬送ロボット221によって第2薬液供給ステーション215に搬送される。第2実施形態では、全面処理スポンジ41の下面41bが第1基板接触面として機能し、部分処理スポンジ49の下面49bが第2基板接触面として機能する。   As shown in FIG. 15, the whole surface processing sponge 41 is immersed in the chemical liquid stored in the first storage tank 40, and when the chemical liquid is supplied to the substrate W, the first chemical liquid supply is performed by the sponge transport robot 221. Transported to station 213. Similarly, as shown in FIG. 16, the partial treatment sponge 49 is immersed in the chemical liquid stored in the first storage tank 40, and the chemical transfer robot 221 performs the first operation when the chemical liquid is supplied to the substrate W. It is conveyed to the two chemical solution supply station 215. In the second embodiment, the lower surface 41b of the entire process sponge 41 functions as a first substrate contact surface, and the lower surface 49b of the partial process sponge 49 functions as a second substrate contact surface.

図17は、全面処理スポンジ41が薬液中で圧縮されている状態を示す模式図である。図18は、全面処理スポンジ41が空気中で圧縮されている状態を示す模式図である。以下では、全面処理スポンジ41が洗浄されるときの動作の一例について説明する。部分処理スポンジ49が洗浄されるときの動作については、全面処理スポンジ41が洗浄されるときと同様であるので、その説明を省略する。以下では、図15、図17、および図18を参照する。   FIG. 17 is a schematic diagram showing a state where the entire surface processing sponge 41 is compressed in the chemical solution. FIG. 18 is a schematic diagram showing a state where the whole surface processing sponge 41 is compressed in the air. Below, an example of operation | movement when the whole surface process sponge 41 is wash | cleaned is demonstrated. Since the operation when the partial processing sponge 49 is cleaned is the same as that when the entire processing sponge 41 is cleaned, description thereof is omitted. In the following, reference is made to FIG. 15, FIG. 17, and FIG.

全面処理スポンジ41が洗浄されるときには、制御装置4が、昇降機構43によって第1保持部材42を洗浄位置(図17に示す位置)に移動させる。そして、制御装置4は、第1保持部材42が洗浄位置に位置しており、スポンジ搬送ロボット221が第1貯留槽40の上方に位置している状態で、スポンジ搬送ロボット221の鉛直伸縮部26を伸長させて、全面処理スポンジ41を水平な姿勢で下降させる。これにより、全面処理スポンジ41の全体が薬液に浸かると共に、全面処理スポンジ41が、スポンジ搬送ロボット221と第1保持部材42とによって上下に挟まれて、全面処理スポンジ41が薬液中で圧縮される。そのため、全面処理スポンジ41の内部に保持されている異物が、薬液と共に全面処理スポンジ41から押し出される。そして、この異物は、薬液と共に循環配管44を流れることにより、フィルタ46によって捕獲される。全面処理スポンジ41が圧縮された後は、制御装置4は、スポンジ搬送ロボット221の鉛直伸縮部26を収縮させて、全面処理スポンジ41を水平な姿勢で上昇させる。これにより、全面処理スポンジ41が、薬液の液面よりも上方に移動し、第1貯留槽40に貯留されている薬液から離れる。また、全面処理スポンジ41は、上昇している間に元の形状に復元し、第1貯留槽40に貯留されている薬液を吸収する。   When the entire surface processing sponge 41 is cleaned, the control device 4 moves the first holding member 42 to the cleaning position (position shown in FIG. 17) by the lifting mechanism 43. The control device 4 is configured so that the first holding member 42 is positioned at the cleaning position and the sponge transfer robot 221 is positioned above the first storage tank 40, and the vertical telescopic unit 26 of the sponge transfer robot 221. Is extended to lower the entire surface processing sponge 41 in a horizontal posture. As a result, the entire surface processing sponge 41 is immersed in the chemical solution, and the entire surface processing sponge 41 is vertically sandwiched between the sponge transport robot 221 and the first holding member 42 so that the entire surface processing sponge 41 is compressed in the chemical solution. . Therefore, the foreign matter held inside the entire surface processing sponge 41 is pushed out from the entire surface processing sponge 41 together with the chemical solution. And this foreign material is caught by the filter 46 by flowing through the circulation piping 44 with a chemical | medical solution. After the entire surface processing sponge 41 is compressed, the control device 4 contracts the vertical expansion / contraction part 26 of the sponge transport robot 221 to raise the entire surface processing sponge 41 in a horizontal posture. Thereby, the whole surface processing sponge 41 moves above the liquid level of the chemical solution, and leaves the chemical solution stored in the first storage tank 40. In addition, the entire surface processing sponge 41 is restored to its original shape while rising, and absorbs the chemical stored in the first storage tank 40.

次に、制御装置4は、昇降機構43によって第1保持部材42を絞り位置(図18に示す位置)に移動させる。これにより、第1保持部材42が、薬液の液面よりも上方に移動し、第1貯留槽40に貯留されている薬液から離れる。また、第1保持部材42が絞り位置に移動することにより、第1保持部材42が全面処理スポンジ41に近づき、全面処理スポンジ41が、スポンジ搬送ロボット221と第1保持部材42とによって上下に挟まれて空気中で圧縮される。これにより、全面処理スポンジ41が絞られ、全面処理スポンジ41の内部に保持されている異物が、薬液と共に全面処理スポンジ41から押し出される。そして、全面処理スポンジ41から押し出された異物および薬液は、第1貯留槽40に落下し、循環配管44を流れる。第1保持部材42が絞り位置に移動した後は、制御装置4は、第1保持部材42を再び洗浄位置に移動させる。第1保持部材42が洗浄位置に移動することにより、第1保持部材42が全面処理スポンジ41から離れ、全面処理スポンジ41が元の形状に復元する。   Next, the control device 4 moves the first holding member 42 to the throttle position (position shown in FIG. 18) by the lifting mechanism 43. Thereby, the 1st holding member 42 moves upwards rather than the liquid level of a chemical | medical solution, and leaves | separates from the chemical | medical solution stored in the 1st storage tank 40. FIG. Further, when the first holding member 42 moves to the throttle position, the first holding member 42 approaches the whole surface processing sponge 41, and the whole surface processing sponge 41 is sandwiched between the sponge transport robot 221 and the first holding member 42. Compressed in the air. Thereby, the whole surface processing sponge 41 is squeezed, and the foreign matter held inside the whole surface processing sponge 41 is pushed out from the whole surface processing sponge 41 together with the chemical solution. And the foreign material and the chemical | medical solution which were extruded from the whole surface processing sponge 41 fall in the 1st storage tank 40, and flow through the circulation piping 44. FIG. After the first holding member 42 has moved to the throttle position, the control device 4 moves the first holding member 42 to the cleaning position again. When the first holding member 42 moves to the cleaning position, the first holding member 42 is separated from the entire surface processing sponge 41, and the entire surface processing sponge 41 is restored to its original shape.

このように、第2実施形態では、昇降機構43が第1保持部材42を移動させることにより、全面処理スポンジ41が圧縮される。すなわち、第2実施形態では、昇降機構43が圧縮手段として機能する。制御装置4は、スポンジ搬送ロボット221等に前述の動作を繰り返し実行させる。これにより、薬液中での全面処理スポンジ41の圧縮および復元と、空気中での全面処理スポンジ41の圧縮および復元とが繰り返し実行される。したがって、全面処理スポンジ41の内部に保持されている異物が確実に除去され、全面処理スポンジ41の清浄度が高められる。そのため、全面処理スポンジ41と基板Wとが接触したときに、全面処理スポンジ41から基板Wに異物が移動して、基板Wが汚染されることを抑制または防止できる。   As described above, in the second embodiment, the entire processing sponge 41 is compressed as the lifting mechanism 43 moves the first holding member 42. That is, in the second embodiment, the elevating mechanism 43 functions as a compression unit. The control device 4 causes the sponge transport robot 221 and the like to repeatedly execute the above-described operation. Thereby, compression and decompression of the whole surface processing sponge 41 in the chemical solution and compression and restoration of the whole surface treatment sponge 41 in the air are repeatedly executed. Accordingly, the foreign matter held in the entire surface processing sponge 41 is reliably removed, and the cleanness of the entire surface processing sponge 41 is increased. Therefore, when the whole surface processing sponge 41 and the substrate W come into contact with each other, it is possible to suppress or prevent contamination of the substrate W due to foreign matters moving from the whole surface processing sponge 41 to the substrate W.

次に、本発明の第2実施形態に係る基板Wの処理の一例について説明する。以下では、図13を参照する。
基板処理装置201で基板Wが処理されるときには、制御装置4が、一枚の基板Wをインデクサロボット6によってキャリアCから搬出させる(S1)。そして、制御装置4は、この基板Wをインデクサロボット6によって測定ユニット8に搬送させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wが測定ユニット8に搬入され、基板Wの表面の汚染状態が測定ユニット8によって測定される(S2)。制御装置4は、測定ユニット8の測定結果を取得し、この測定結果に基づいて全面処理スポンジ41および部分処理スポンジ49のうちのいずれか一方のスポンジを選択する(S3)。すなわち、たとえば汚染されている部分が広い場合には、制御装置4は、全面処理ライン209を選択し、インデクサロボット6によって測定ユニット8から全面処理ライン209に基板Wを搬入させる。一方、汚染されている部分が狭い場合には、制御装置4は、部分処理ライン210を選択し、インデクサロボット6によって測定ユニット8から部分処理ライン210に基板Wを搬送させる。
Next, an example of processing of the substrate W according to the second embodiment of the present invention will be described. In the following, reference is made to FIG.
When the substrate W is processed by the substrate processing apparatus 201, the control device 4 carries out one substrate W from the carrier C by the indexer robot 6 (S1). Then, the control device 4 transports the substrate W to the measurement unit 8 by the indexer robot 6. Thereby, the substrate W is carried into the measurement unit 8 in a horizontal posture with the surface facing upward, and the contamination state of the surface of the substrate W is measured by the measurement unit 8 (S2). The control device 4 acquires the measurement result of the measurement unit 8, and selects either one of the whole process sponge 41 and the partial process sponge 49 based on the measurement result (S3). That is, for example, when the contaminated part is wide, the control device 4 selects the entire surface processing line 209 and causes the indexer robot 6 to carry the substrate W from the measuring unit 8 to the entire surface processing line 209. On the other hand, when the contaminated portion is narrow, the control device 4 selects the partial processing line 210 and causes the indexer robot 6 to transfer the substrate W from the measurement unit 8 to the partial processing line 210.

制御装置4が全面処理ライン209を選択した場合には、制御装置4は、インデクサロボット6によって第1薬液供給ステーション213に基板Wを搬入させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wがスピンチャック260上に載置される。その後、制御装置4は、リンス液ノズル251がスピンチャック260の上方から退避している状態で、スポンジ搬送ロボット221によって全面処理スポンジ41をスポンジ搬送ロボット待機ステーション214から第1薬液供給ステーション213に移動させる。これにより、全面処理スポンジ41が、基板Wの上方に配置される。   When the control device 4 selects the entire surface processing line 209, the control device 4 causes the indexer robot 6 to carry the substrate W into the first chemical solution supply station 213. As a result, the substrate W is placed on the spin chuck 260 in a horizontal posture with the surface facing upward. Thereafter, the control device 4 moves the entire processing sponge 41 from the sponge transfer robot standby station 214 to the first chemical supply station 213 by the sponge transfer robot 221 with the rinse liquid nozzle 251 retracted from above the spin chuck 260. Let Thereby, the whole surface processing sponge 41 is disposed above the substrate W.

次に、制御装置4は、全面処理スポンジ41が基板Wの上方に位置している状態で、鉛直伸縮部26を伸長させて、全面処理スポンジ41を水平な姿勢で下降させる。これにより、全面処理スポンジ41の下面41bが、静止状態の基板Wの上面の全域に押し付けられる。そのため、全面処理スポンジ41に吸収されている薬液が染み出て、この薬液が基板Wの上面の全域に供給される(S4)。また、全面処理スポンジ41自体や全面処理スポンジ41に吸収されている薬液が温度調整装置247によって加熱または冷却されているので、全面処理スポンジ41と基板Wとが接触することにより、基板Wが加熱または冷却される。   Next, the control device 4 extends the vertical expansion / contraction portion 26 in a state where the entire surface processing sponge 41 is positioned above the substrate W, and lowers the entire surface processing sponge 41 in a horizontal posture. Thereby, the lower surface 41b of the whole surface processing sponge 41 is pressed to the entire upper surface of the stationary substrate W. Therefore, the chemical solution absorbed by the entire surface processing sponge 41 oozes out and is supplied to the entire upper surface of the substrate W (S4). Further, since the whole surface processing sponge 41 itself and the chemical solution absorbed in the whole surface processing sponge 41 are heated or cooled by the temperature adjusting device 247, the substrate W is heated by the contact between the whole surface processing sponge 41 and the substrate W. Or cooled.

全面処理スポンジ41が基板Wに押し付けられている間、制御装置4は、スポンジ搬送ロボット221をライン延伸方向D2に往復させることにより、全面処理スポンジ41と基板Wとを摺動させてもよい。また、全面処理スポンジ41が基板Wに押し付けられている間、制御装置4は、スポンジ搬送ロボット221によって全面処理スポンジ41を鉛直軸線まわりに回転させることにより、全面処理スポンジ41と基板Wとを摺動させてもよい。さらに、制御装置4は、基板Wの上面に対する全面処理スポンジ41の押し付け量をスポンジ搬送ロボット221によって増減させてもよい。すなわち、制御装置4は、基板Wの汚染状態に応じて押し付け量を制御してもよい。   While the entire surface processing sponge 41 is pressed against the substrate W, the control device 4 may slide the entire surface processing sponge 41 and the substrate W by reciprocating the sponge transport robot 221 in the line extending direction D2. Further, while the entire surface processing sponge 41 is pressed against the substrate W, the control device 4 causes the entire surface processing sponge 41 and the substrate W to slide by rotating the entire surface processing sponge 41 around the vertical axis by the sponge transfer robot 221. It may be moved. Further, the control device 4 may increase or decrease the pressing amount of the whole surface processing sponge 41 against the upper surface of the substrate W by the sponge transport robot 221. That is, the control device 4 may control the pressing amount according to the contamination state of the substrate W.

第1薬液供給ステーション213で基板Wに薬液が供給された後は、制御装置4は、スポンジ搬送ロボット221によって全面処理スポンジ41をスポンジ搬送ロボット待機ステーション214に退避させる。これにより、第1貯留槽40に貯留されている薬液に全面処理スポンジ41が浸漬され、全面処理スポンジ41に薬液が補充される。そして、スポンジ搬送ロボット221が退避した後は、制御装置4は、スピンチャック260によって基板回転軸線L201まわりに基板Wを回転させる。さらに、制御装置4は、リンス液ノズル251がスピンチャック260の上方に位置しており、カップ255が処理位置に位置している状態で、リンス液バルブ253を開いて、リンス液ノズル251から純水を吐出させる。これにより、基板Wの上面の全域に純水が供給され、基板Wに付着している薬液が純水によって洗い流される(S5)。その後、制御装置4は、リンス液バルブ253を閉じてリンス液ノズル251からの純水の吐出を停止させる。   After the chemical solution is supplied to the substrate W at the first chemical solution supply station 213, the control device 4 causes the sponge transfer robot 221 to retract the entire processing sponge 41 to the sponge transfer robot standby station 214. Thereby, the whole surface processing sponge 41 is immersed in the chemical liquid stored in the first storage tank 40, and the chemical liquid is replenished to the whole surface processing sponge 41. Then, after the sponge transport robot 221 is retracted, the control device 4 rotates the substrate W around the substrate rotation axis L201 by the spin chuck 260. Further, the control device 4 opens the rinse liquid valve 253 in a state where the rinse liquid nozzle 251 is positioned above the spin chuck 260 and the cup 255 is positioned at the processing position. Let water discharge. Thereby, pure water is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and the chemical solution adhering to the substrate W is washed away by the pure water (S5). Thereafter, the control device 4 closes the rinse liquid valve 253 and stops the discharge of pure water from the rinse liquid nozzle 251.

次に、制御装置4は、カップ255を処理位置に位置させている状態で、スピンチャック260によって基板Wを高回転速度で回転させる。基板Wに付着している純水は、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの周囲に振り切られる。そして、基板Wの周囲に飛散した純水や、基板Wから落下した純水は、カップ255によって受け止められ、排出配管を通ってカップ255の外に排出される。したがって、基板Wに供給された純水が第1貯留槽40内に進入して、薬液中に純水が混ざることが抑制または防止される。また、基板Wに付着している純水が基板Wの周囲に振り切られることにより、基板Wから純水が除去され、基板Wが乾燥する(S6)。基板Wの乾燥が行われた後は、制御装置4は、カップ昇降機構261によってカップ255を搬入・搬出位置に移動させる。その一方で、制御装置4は、シャッター224を移動させて、開口部223aを開く。そして、制御装置4は、スピンチャック260に保持されている基板Wをインデクサロボット6によって搬出させる。   Next, the control device 4 rotates the substrate W at a high rotation speed by the spin chuck 260 in a state where the cup 255 is positioned at the processing position. The pure water adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. The pure water scattered around the substrate W and the pure water dropped from the substrate W are received by the cup 255 and discharged out of the cup 255 through the discharge pipe. Therefore, it is suppressed or prevented that the pure water supplied to the substrate W enters the first storage tank 40 and the pure water is mixed into the chemical solution. Further, the pure water adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W, whereby the pure water is removed from the substrate W and the substrate W is dried (S6). After the substrate W is dried, the control device 4 moves the cup 255 to the loading / unloading position by the cup lifting mechanism 261. On the other hand, the control device 4 moves the shutter 224 to open the opening 223a. Then, the control device 4 causes the indexer robot 6 to carry out the substrate W held on the spin chuck 260.

一方、制御装置4が部分処理ライン210を選択した場合には、制御装置4は、インデクサロボット6によって第2薬液供給ステーション215に基板Wを搬入させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wがスピンチャック260上に載置される。その後、制御装置4は、リンス液ノズル251がスピンチャック260の上方から退避している状態で、スポンジ搬送ロボット221によって部分処理スポンジ49をスポンジ搬送ロボット待機ステーション214から第2薬液供給ステーション215に移動させる。これにより、部分処理スポンジ49が、基板Wの上方に配置される。   On the other hand, when the control device 4 selects the partial processing line 210, the control device 4 loads the substrate W into the second chemical solution supply station 215 by the indexer robot 6. As a result, the substrate W is placed on the spin chuck 260 in a horizontal posture with the surface facing upward. Thereafter, the control device 4 moves the partial processing sponge 49 from the sponge transport robot standby station 214 to the second chemical solution supply station 215 by the sponge transport robot 221 while the rinse liquid nozzle 251 is retracted from above the spin chuck 260. Let Thereby, the partial processing sponge 49 is disposed above the substrate W.

次に、制御装置4は、部分処理スポンジ49が基板Wの上方に位置している状態で、鉛直伸縮部26を伸長させて、部分処理スポンジ49を水平な姿勢で下降させる。これにより、部分処理スポンジ49の下面49bが、静止状態の基板Wの上面の一部に押し付けられる。そのため、部分処理スポンジ49に吸収されている薬液が染み出て、この薬液が基板Wの上面の一部に供給される(S4)。また、部分処理スポンジ49自体や部分処理スポンジ49に吸収されている薬液が温度調整装置247によって加熱または冷却されているので、部分処理スポンジ49と基板Wとが接触することにより、基板Wが加熱または冷却される。   Next, in a state where the partial processing sponge 49 is positioned above the substrate W, the control device 4 extends the vertical expansion / contraction part 26 and lowers the partial processing sponge 49 in a horizontal posture. Accordingly, the lower surface 49b of the partial processing sponge 49 is pressed against a part of the upper surface of the stationary substrate W. Therefore, the chemical solution absorbed by the partial processing sponge 49 oozes out and is supplied to a part of the upper surface of the substrate W (S4). Further, since the partial treatment sponge 49 itself and the chemical solution absorbed in the partial treatment sponge 49 are heated or cooled by the temperature adjustment device 247, the partial treatment sponge 49 and the substrate W come into contact with each other, whereby the substrate W is heated. Or cooled.

部分処理スポンジ49が基板Wの上面に押し付けられるとき、制御装置4は、基板Wの上面の汚染されている部分と部分処理スポンジ49とが接触するように、測定ユニット8の測定結果に基づいてライン延伸方向D2への部分処理スポンジ49の位置および基板回転軸線L201まわりの基板Wの回転角度を制御する。すなわち、制御装置4は、基板Wの上面において部分処理スポンジ49が接触する部分を測定ユニット8の測定結果に基づいて基板Wごとに設定する。そして、制御装置4は、設定した部分に部分処理スポンジ49が押し付けられるようにスポンジ搬送ロボット221およびスピンチャック260を制御する。これにより、制御装置4によって設定された部分に薬液が供給される。すなわち、基板Wの上面において汚染されている部分に薬液が確実に供給される。   When the partial processing sponge 49 is pressed against the upper surface of the substrate W, the control device 4 is based on the measurement result of the measurement unit 8 so that the contaminated portion of the upper surface of the substrate W comes into contact with the partial processing sponge 49. The position of the partial processing sponge 49 in the line stretching direction D2 and the rotation angle of the substrate W around the substrate rotation axis L201 are controlled. In other words, the control device 4 sets the portion of the upper surface of the substrate W where the partial processing sponge 49 comes into contact for each substrate W based on the measurement result of the measurement unit 8. Then, the control device 4 controls the sponge transport robot 221 and the spin chuck 260 so that the partial processing sponge 49 is pressed against the set portion. Thereby, a chemical | medical solution is supplied to the part set by the control apparatus 4. FIG. That is, the chemical solution is reliably supplied to the contaminated portion on the upper surface of the substrate W.

部分処理スポンジ49が基板Wに押し付けられている間、制御装置4は、スポンジ搬送ロボット221をライン延伸方向D2に往復させることにより、部分処理スポンジ49と基板Wとを摺動させてもよい。また、部分処理スポンジ49が基板Wに押し付けられている間、制御装置4は、スポンジ搬送ロボット221によって部分処理スポンジ49を回転させることにより、部分処理スポンジ49と基板Wとを摺動させてもよい。さらに、制御装置4は、基板Wの上面に対する部分処理スポンジ49の押し付け量をスポンジ搬送ロボット221によって増減させてもよい。すなわち、制御装置4は、基板Wの汚染状態に応じて押し付け量を制御してもよい。   While the partial processing sponge 49 is pressed against the substrate W, the control device 4 may slide the partial processing sponge 49 and the substrate W by reciprocating the sponge transport robot 221 in the line extending direction D2. In addition, while the partial processing sponge 49 is pressed against the substrate W, the control device 4 may cause the partial processing sponge 49 and the substrate W to slide by rotating the partial processing sponge 49 by the sponge transfer robot 221. Good. Further, the control device 4 may increase / decrease the pressing amount of the partial processing sponge 49 against the upper surface of the substrate W by the sponge transfer robot 221. That is, the control device 4 may control the pressing amount according to the contamination state of the substrate W.

第2薬液供給ステーション215で基板Wに薬液が供給された後は、制御装置4は、スポンジ搬送ロボット221によって部分処理スポンジ49を第2薬液供給ステーション215から退避させる。これにより、第1貯留槽40に貯留されている薬液に部分処理スポンジ49が浸漬され、部分処理スポンジ49に薬液が補充される。そして、スポンジ搬送ロボット221が退避した後は、制御装置4は、スピンチャック260によって基板回転軸線L201まわりに基板Wを回転させる。さらに、制御装置4は、リンス液ノズル251がスピンチャック260の上方に位置しており、カップ255が処理位置に位置している状態で、リンス液バルブ253を開いて、リンス液ノズル251から純水を吐出させる。これにより、基板Wの上面の全域に純水が供給され、基板Wに付着している薬液が純水によって洗い流される(S5)。その後、制御装置4は、リンス液バルブ253を閉じて、リンス液ノズル251からの純水の吐出を停止させる。   After the chemical liquid is supplied to the substrate W at the second chemical liquid supply station 215, the control device 4 retracts the partial processing sponge 49 from the second chemical liquid supply station 215 by the sponge transport robot 221. Thereby, the partial treatment sponge 49 is immersed in the chemical solution stored in the first storage tank 40, and the partial treatment sponge 49 is replenished with the chemical solution. Then, after the sponge transport robot 221 is retracted, the control device 4 rotates the substrate W around the substrate rotation axis L201 by the spin chuck 260. Further, the control device 4 opens the rinse liquid valve 253 in a state where the rinse liquid nozzle 251 is positioned above the spin chuck 260 and the cup 255 is positioned at the processing position. Let water discharge. Thereby, pure water is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and the chemical solution adhering to the substrate W is washed away by the pure water (S5). Thereafter, the control device 4 closes the rinse liquid valve 253 and stops the discharge of pure water from the rinse liquid nozzle 251.

次に、制御装置4は、カップ255を処理位置に位置させている状態で、スピンチャック260によって基板Wを高回転速度で回転させる。基板Wに付着している純水は、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの周囲に振り切られる。そして、基板Wの周囲に飛散した純水や、基板Wから落下した純水は、カップ255によって受け止められ、排出配管を通ってカップ255の外に排出される。したがって、基板Wに供給された純水が第1貯留槽40内に進入して、薬液中に純水が混ざることが抑制または防止される。また、基板Wに付着している純水が基板Wの周囲に振り切られることにより、基板Wから純水が除去され、基板Wが乾燥する(S6)。基板Wの乾燥が行われた後は、制御装置4は、カップ昇降機構261によってカップ255を搬入・搬出位置に移動させる。その一方で、制御装置4は、シャッター224を移動させて、開口部223aを開く。そして、制御装置4は、スピンチャック260に保持されている基板Wをインデクサロボット6によって搬出させる。   Next, the control device 4 rotates the substrate W at a high rotation speed by the spin chuck 260 in a state where the cup 255 is positioned at the processing position. The pure water adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. The pure water scattered around the substrate W and the pure water dropped from the substrate W are received by the cup 255 and discharged out of the cup 255 through the discharge pipe. Therefore, it is suppressed or prevented that the pure water supplied to the substrate W enters the first storage tank 40 and the pure water is mixed into the chemical solution. Further, the pure water adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W, whereby the pure water is removed from the substrate W and the substrate W is dried (S6). After the substrate W is dried, the control device 4 moves the cup 255 to the loading / unloading position by the cup lifting mechanism 261. On the other hand, the control device 4 moves the shutter 224 to open the opening 223a. Then, the control device 4 causes the indexer robot 6 to carry out the substrate W held on the spin chuck 260.

制御装置4は、全面処理ライン209および部分処理ライン210から搬出された基板Wをインデクサロボット6によって再び測定ユニット8に搬送させる。これにより、表面が上に向けられた水平な姿勢で基板Wが測定ユニット8に搬入され、基板Wの表面の汚染状態が測定ユニット8によって測定される(S7)。制御装置4は、測定ユニット8の測定結果を取得し、この測定結果に基づいて基板Wに対する薬液の供給を再び行うか否かを判定する(S8)。   The control device 4 causes the indexer robot 6 to transport the substrate W unloaded from the entire surface processing line 209 and the partial processing line 210 to the measurement unit 8 again. Thereby, the substrate W is carried into the measurement unit 8 in a horizontal posture with the surface facing upward, and the contamination state of the surface of the substrate W is measured by the measurement unit 8 (S7). The control device 4 acquires the measurement result of the measurement unit 8, and determines whether or not to supply the chemical solution to the substrate W again based on the measurement result (S8).

具体的には、基板Wが汚染されていない場合(S8でYESの場合)には、制御装置4は、インデクサロボット6によって測定ユニット8からキャリアCに基板Wを搬送させ、この基板Wへの薬液の供給を終了させる(S9)。一方、基板Wが汚染されている場合(S8でNOの場合)には、制御装置4は、全面処理スポンジ41および部分処理スポンジ49のうちのいずれか一方のスポンジを選択する(S3に戻る)。そして、全面処理ライン209または部分処理ライン210で、薬液処理、リンス処理、および乾燥処理が実行される(2回目のS4〜6)。その後、制御装置4は、基板Wの汚染状態を測定ユニット8によって測定させる(2回目のS7)。制御装置4は、基板Wの汚染がなくなるまで、このような動作を繰り返し実行させる。   Specifically, when the substrate W is not contaminated (YES in S8), the control device 4 causes the indexer robot 6 to transfer the substrate W from the measurement unit 8 to the carrier C, and to the substrate W. The supply of the chemical solution is terminated (S9). On the other hand, when the substrate W is contaminated (NO in S8), the control device 4 selects either one of the whole process sponge 41 and the partial process sponge 49 (returns to S3). . And a chemical | medical solution process, a rinse process, and a drying process are performed by the whole surface process line 209 or the partial process line 210 (2nd S4-6). Thereafter, the control device 4 causes the measurement unit 8 to measure the contamination state of the substrate W (second time S7). The control device 4 repeatedly executes such an operation until the contamination of the substrate W is eliminated.

この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の第1および第2実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の第1および第2実施形態では、循環配管を流れる薬液を加熱および冷却することにより、基板を加熱および冷却する場合について説明した。しかし、貯留槽に貯留されている薬液を加熱および冷却することにより、基板を加熱および冷却してもよい。また、スポンジを直接加熱および冷却してもよいし、基板を直接加熱および冷却してもよい。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the contents of the first and second embodiments described above, and various modifications can be made within the scope of the claims. is there.
For example, in the first and second embodiments described above, the case where the substrate is heated and cooled by heating and cooling the chemical flowing through the circulation pipe has been described. However, the substrate may be heated and cooled by heating and cooling the chemical stored in the storage tank. Further, the sponge may be directly heated and cooled, or the substrate may be directly heated and cooled.

また、前述の第1および第2実施形態では、基板に付着している液体を遠心力によって振り切って、基板を乾燥させる場合について説明した。しかし、基板に気体を吹き付けることにより、基板に付着している液体を除去して、基板を乾燥させてもよい。
また、前述の第1および第2実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明した。しかし、基板処理装置は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
In the first and second embodiments described above, the case where the liquid adhering to the substrate is shaken off by centrifugal force to dry the substrate has been described. However, the substrate may be dried by removing the liquid adhering to the substrate by blowing gas onto the substrate.
In the first and second embodiments described above, the case where the substrate processing apparatus is an apparatus for processing a disk-shaped substrate has been described. However, the substrate processing apparatus may be an apparatus for processing a polygonal substrate such as a substrate for a liquid crystal display device.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

1 基板処理装置
4 制御装置(接触制御手段、スポンジ選択手段、接触位置設定手段、摺動制御手段、押し付け量制御手段、温度制御手段)
8 測定ユニット(汚染状態測定手段)
11 搬入・搬出ステーション
12 リンス・乾燥ステーション
13 第1薬液供給ステーション(供給ステーション)
15 第2薬液供給ステーション(供給ステーション)
20 搬送路
21 基板搬送ロボット(基板保持手段、接触手段、圧縮手段、摺動手段、押し付け量変更手段、乾燥手段、搬送手段)
40 第1貯留槽(処理液供給手段、洗浄槽)
41 全面処理スポンジ(スポンジ)
41a 全面処理スポンジの上面(第1基板接触面)
41b 全面処理スポンジの下面(第1基板接触面)
42 第1保持部材(スポンジ保持手段)
43 昇降機構(圧縮手段)
44 循環配管
46 フィルタ
47a ヒータ(温度変更手段、加熱手段)
47b クーラ(温度変更手段、冷却手段)
48 第2貯留槽(処理液供給手段、洗浄槽)
49 部分処理スポンジ(スポンジ)
49a 部分処理スポンジの上面(第2基板接触面)
49b 部分処理スポンジの下面(第2基板接触面)
50 第2保持部材(スポンジ保持手段)
51 リンス液ノズル(リンス液供給手段)
56 スポンジ洗浄装置(スポンジ洗浄手段)
201 基板処理装置
221 スポンジ搬送ロボット(接触手段、摺動手段、押し付け量変更手段)
225 スポンジ保持部(スポンジ保持手段)
247 温度調整装置(温度変更手段)
260 スピンチャック(基板保持手段)
1 substrate processing apparatus 4 control device (contact control means, sponge selection means, contact position setting means, sliding control means, pressing amount control means, temperature control means)
8 Measuring unit (contamination state measuring means)
11 Loading / Unloading Station 12 Rinse / Drying Station 13 First Chemical Solution Supply Station (Supply Station)
15 Second chemical supply station (supply station)
20 transport path 21 substrate transport robot (substrate holding means, contact means, compression means, sliding means, pressing amount changing means, drying means, transport means)
40 1st storage tank (treatment liquid supply means, cleaning tank)
41 Full-surface treatment sponge (sponge)
41a Upper surface of first surface treatment sponge (first substrate contact surface)
41b Bottom surface of whole surface processing sponge (first substrate contact surface)
42 1st holding member (sponge holding means)
43 Lifting mechanism (compression means)
44 Circulating piping 46 Filter 47a Heater (temperature changing means, heating means)
47b cooler (temperature changing means, cooling means)
48 Second storage tank (treatment liquid supply means, cleaning tank)
49 Partially treated sponge (sponge)
49a Upper surface of the partially treated sponge (second substrate contact surface)
49b Lower surface of the partially treated sponge (second substrate contact surface)
50 Second holding member (sponge holding means)
51 Rinsing liquid nozzle (rinsing liquid supply means)
56 Sponge cleaning device (sponge cleaning means)
201 substrate processing apparatus 221 sponge transfer robot (contact means, sliding means, pressing amount changing means)
225 Sponge holding part (sponge holding means)
247 Temperature adjusting device (temperature changing means)
260 Spin chuck (substrate holding means)

Claims (10)

処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジと、
前記スポンジに処理液を供給する処理液供給手段と、
基板を保持する基板保持手段と、
前記スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とを相対移動させて両者を接触させることにより、前記スポンジに吸収されている処理液を前記基板の主面に供給させる接触手段と、
前記スポンジと前記基板保持手段に保持されている基板の主面とが接触している状態で前記スポンジと前記基板とを相対移動させて、前記スポンジと前記基板とを摺動させる摺動手段と、
基板の汚染状態を測定する汚染状態測定手段と、
前記摺動手段を制御することにより、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記スポンジと前記基板との摺動を制御する摺動制御手段とを含む、基板処理装置。
A sponge capable of absorbing the processing liquid and elastically deforming;
Treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid to the sponge;
Substrate holding means for holding the substrate;
Contact means for supplying the processing liquid absorbed by the sponge to the main surface of the substrate by relatively moving the sponge and the main surface of the substrate held by the substrate holding means to bring them into contact with each other; ,
Sliding means for sliding the sponge and the substrate by relatively moving the sponge and the substrate in a state where the sponge and the main surface of the substrate held by the substrate holding means are in contact with each other; ,
A contamination state measuring means for measuring the contamination state of the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: a sliding control unit that controls sliding of the sponge and the substrate based on a measurement result of the contamination state measuring unit by controlling the sliding unit.
前記スポンジを洗浄するスポンジ洗浄手段をさらに含む、請求項1記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a sponge cleaning unit that cleans the sponge. 前記スポンジ洗浄手段は、
前記スポンジが浸漬される処理液を貯留する洗浄槽と、
前記洗浄槽に貯留されている処理液に前記スポンジが浸漬されている状態で前記スポンジを保持するスポンジ保持手段と、
前記スポンジ保持手段に保持されている前記スポンジを圧縮させる圧縮手段とを含む、請求項2記載の基板処理装置。
The sponge cleaning means includes
A cleaning tank for storing a treatment liquid in which the sponge is immersed;
A sponge holding means for holding the sponge in a state in which the sponge is immersed in the processing liquid stored in the cleaning tank;
The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising: a compression unit that compresses the sponge held by the sponge holding unit.
前記スポンジ洗浄手段は、前記洗浄槽に貯留されている処理液を循環させる循環配管と、前記循環配管を流れる処理液から異物を除去するフィルタとをさらに含む、請求項3記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the sponge cleaning unit further includes a circulation pipe that circulates the processing liquid stored in the cleaning tank and a filter that removes foreign substances from the processing liquid flowing through the circulation pipe. 前記基板保持手段に保持されている基板の主面に対する前記スポンジの押し付け量を変更する押し付け量変更手段と、
前記押し付け量変更手段を制御することにより、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記押し付け量を変更する押し付け量制御手段とをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
A pressing amount changing means for changing the pressing amount of the sponge against the main surface of the substrate held by the substrate holding means;
5. The pressing amount control unit that changes the pressing amount based on the measurement result of the contamination state measuring unit by controlling the pressing amount changing unit, according to claim 1. Substrate processing equipment.
基板の温度を変化させる温度変更手段をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a temperature changing unit that changes the temperature of the substrate. 前記温度変更手段は、基板を加熱する加熱手段と、基板を冷却する冷却手段と、前記加熱手段および冷却手段によって基板の加熱および冷却を交互に実行させる温度制御手段とを含む、請求項6記載の基板処理装置。   The temperature changing means includes a heating means for heating the substrate, a cooling means for cooling the substrate, and a temperature control means for alternately heating and cooling the substrate by the heating means and the cooling means. Substrate processing equipment. 基板にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
基板を乾燥させる乾燥手段と、
前記スポンジから基板への処理液の供給が行われる供給ステーションと、
前記リンス液供給手段から基板へのリンス液の供給および前記乾燥手段による基板の乾燥が行われるリンス・乾燥ステーションと、
基板の搬入および搬出が行われる搬入・搬出ステーションとをさらに含み、
基板が、前記搬入・搬出ステーションから前記供給ステーションに移動し、その後、前記供給ステーションから前記リンス・乾燥ステーションを通って前記搬入・搬出ステーションに移動するように、前記基板を搬送する搬送手段とをさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
Rinsing liquid supply means for supplying a rinsing liquid to the substrate;
A drying means for drying the substrate;
A supply station for supplying the processing liquid from the sponge to the substrate;
A rinsing / drying station for supplying the rinse liquid from the rinse liquid supply means to the substrate and drying the substrate by the drying means;
And a loading / unloading station where substrates are loaded and unloaded,
Transporting means for transporting the substrate so that the substrate moves from the loading / unloading station to the supply station and then moves from the supply station to the loading / unloading station through the rinse / drying station; Furthermore, the substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-7 containing.
前記基板処理装置は、基板が搬送される搬送路をさらに含み、
前記搬入・搬出ステーション、前記リンス・乾燥ステーション、および前記供給ステーションは、この順番で前記搬送路に沿って配置されており、
前記搬送手段は、前記搬送路に沿って基板を搬送する、請求項8記載の基板処理装置。
The substrate processing apparatus further includes a transport path through which the substrate is transported,
The carry-in / carry-out station, the rinse / dry station, and the supply station are arranged along the conveyance path in this order,
The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the transport unit transports a substrate along the transport path.
処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジに処理液供給手段によって処理液を供給し、前記スポンジに処理液を吸収させるステップと、
汚染状態測定手段によって前記基板の汚染状態を測定するステップと、
処理液を吸収した前記スポンジと基板保持手段に保持されている基板の主面とを接触手段によって相対移動させて接触させ、前記スポンジに吸収されている処理液を前記基板の主面に供給させるステップと、
前記スポンジと前記基板の主面とが接触している状態で前記スポンジと前記基板とを相対移動させて摺動させる摺動手段を摺動制御手段が制御することにより、前記汚染状態測定手段の測定結果に基づいて前記スポンジと前記基板との摺動を制御するステップとを含む、基板処理方法。
Supplying the treatment liquid to the sponge capable of absorbing and elastically deforming the treatment liquid by the treatment liquid supply means, and allowing the sponge to absorb the treatment liquid;
Measuring the contamination state of the substrate by a contamination state measuring means;
The sponge that has absorbed the treatment liquid and the main surface of the substrate held by the substrate holding means are moved relative to each other by the contact means, and the treatment liquid absorbed by the sponge is supplied to the main surface of the substrate. Steps,
By controlling the sliding means for sliding the sponge and the substrate relative to each other while the sponge is in contact with the main surface of the substrate, the sliding control means controls the contamination state measuring means. Controlling the sliding of the sponge and the substrate based on a measurement result.
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