JPH11160349A - Acceleration sensor - Google Patents

Acceleration sensor

Info

Publication number
JPH11160349A
JPH11160349A JP9327586A JP32758697A JPH11160349A JP H11160349 A JPH11160349 A JP H11160349A JP 9327586 A JP9327586 A JP 9327586A JP 32758697 A JP32758697 A JP 32758697A JP H11160349 A JPH11160349 A JP H11160349A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acceleration sensor
hall element
pedestal
movable electrode
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9327586A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takayoshi Awai
崇善 粟井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP9327586A priority Critical patent/JPH11160349A/en
Publication of JPH11160349A publication Critical patent/JPH11160349A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a function for measuring azimuth and to miniaturize a sensor by providing a Hall element at a weight part or a pedestal. SOLUTION: A movable electrode 3 is provided on the lower surface of a weight part 12 and a fixed electrode 4 is provided on the upper surface of a pedestal 2. Acceleration is detected by detecting the distortion of a beam part 11 due to the application of the acceleration to a weight part 12 as a change of capacitance between the movable electrode 3 and the electrode 4. Also, an azimuth is detected by a Hall element 5 being formed on the weight part 12. The Hall element 5 is formed on the upper surface of the weight part 12 and hence is formed on a vertical line for the movable electrode 3 and the electrode 4 of an acceleration sensor, thus eliminating the need for separately forming the acceleration sensor and the Hall element, and also forming the Hall element 5 with only an area for constituting the conventional acceleration sensor.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、支持部と、該支持
部により支持された梁部と、該梁部に接続された重り部
と、前記支持部に接合された台座とを有してなる加速度
センサに関し、加速度と方位の計測ができる機能を備え
たものであり、ナビゲーションシステム等に利用される
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention comprises a support, a beam supported by the support, a weight connected to the beam, and a pedestal joined to the support. The acceleration sensor has a function of measuring acceleration and azimuth, and is used for a navigation system or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の加速度センサ、例えば、
静電容量型の加速度センサは、図7に示すように、基板
7上に台座2を介して支持部10により梁部11が支持
され、梁部11に重り部12が接続されてなる梁構造を
有するシリコンチップ1が設けられる。重り部12の下
面には可動電極3が設けられ、台座2の上面には固定電
極4が設けられている。重り部12に加えられた加速度
による梁部11の歪みを可動電極3と固定電極4との間
の静電容量の変化として検出することにより、加速度が
検出される。加速度センサとしては上述の静電容量型の
加速度センサの替わりにピエゾ抵抗を用いたピエゾ抵抗
型の加速度センサでも良い。
2. Description of the Related Art Conventionally, this kind of acceleration sensor, for example,
As shown in FIG. 7, the capacitive acceleration sensor has a beam structure in which a beam 11 is supported on a substrate 7 by a support 10 via a pedestal 2 and a weight 12 is connected to the beam 11. Is provided. The movable electrode 3 is provided on the lower surface of the weight portion 12, and the fixed electrode 4 is provided on the upper surface of the pedestal 2. The acceleration is detected by detecting the distortion of the beam 11 due to the acceleration applied to the weight 12 as a change in the capacitance between the movable electrode 3 and the fixed electrode 4. As the acceleration sensor, a piezoresistive acceleration sensor using a piezoresistor may be used instead of the above-described capacitance type acceleration sensor.

【0003】また、基板7上には、また、台座6を介し
てホール素子5が設けられる。ホール素子5は2つの入
力端子と2つの出力端子を有した十字形状の素子であ
り、入力端子に電圧を印加したときの出力端子間に発生
するホール電圧により方位を検出するものである。つま
り、入力端子に電圧を印加し電流Iが流れている場合、
ホール素子5に垂直に磁場が加わると、出力端子間にホ
ール電圧Vが発生する。今、ホール素子の厚みをdとす
ると、ホール電圧Vは、V=H×I×B/dで表され
る。ここで、Hはホール係数であり材料に固有の定数で
ある。この式から明らかなように、dを小さくする程、
高感度のホール素子を得ることができる。ホール素子5
の材料としてはインジウムアンチモン、ガリウムヒ素等
が用いられる。
A Hall element 5 is provided on a substrate 7 via a pedestal 6. The Hall element 5 is a cross-shaped element having two input terminals and two output terminals. The Hall element 5 detects a direction by a Hall voltage generated between the output terminals when a voltage is applied to the input terminals. That is, when a voltage is applied to the input terminal and the current I flows,
When a magnetic field is vertically applied to the Hall element 5, a Hall voltage V is generated between the output terminals. Now, assuming that the thickness of the Hall element is d, the Hall voltage V is represented by V = H × I × B / d. Here, H is a Hall coefficient and is a constant peculiar to the material. As is clear from this equation, the smaller d is,
A highly sensitive Hall element can be obtained. Hall element 5
Indium antimony, gallium arsenide, or the like is used as the material for.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような加速度センサにあっては、加速度センサとホール
素子とが基板7上に別々のモジュールとして設けられて
いるので、占有面積が大きくなり、小型化が困難であっ
た。
However, in the above-described acceleration sensor, since the acceleration sensor and the Hall element are provided as separate modules on the substrate 7, the occupied area is large and the size is small. Was difficult.

【0005】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、方位測定の機能を備え
た小型の加速度センサを提供することにある。
[0005] The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a small-sized acceleration sensor having a function of azimuth measurement.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
支持部と、該支持部により支持された梁部と、該梁部に
接続された重り部と、前記支持部に接合された台座とを
有してなる加速度センサにおいて、前記重り部あるいは
台座上にホール素子を設けたことを特徴とするものであ
る。
According to the first aspect of the present invention,
In an acceleration sensor having a support, a beam supported by the support, a weight connected to the beam, and a pedestal joined to the support, the acceleration sensor includes: In which a hall element is provided.

【0007】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、前記梁部上にピエゾ素子を形成したピエゾ
抵抗型の加速度センサにおいて、ホール素子を台座上に
設けたことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, in the piezoresistive acceleration sensor in which a piezo element is formed on the beam portion, a hall element is provided on a pedestal. Things.

【0008】請求項3記載の発明は、請求項1記載の発
明において、固定電極と可動電極を有する静電容量型の
加速度センサにおいて、前記固定電極を台座の上面に設
け、前記可動電極を重り部の下面に設け、ホール素子を
重り部の上面に設けたことを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, in the capacitive acceleration sensor having a fixed electrode and a movable electrode, the fixed electrode is provided on an upper surface of a pedestal, and the movable electrode is weighted. And a Hall element is provided on the upper surface of the weight portion.

【0009】請求項4記載の発明は、請求項1記載の発
明において、固定電極と可動電極を有する静電容量型の
加速度センサにおいて、前記固定電極を台座の上面に設
け、前記可動電極を重り部の下面に設けるとともに、前
記支持部の上部に上部台座を設け、該上部台座にホール
素子を設けたことを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a capacitance type acceleration sensor having a fixed electrode and a movable electrode, wherein the fixed electrode is provided on an upper surface of a base and the movable electrode is weighted. And an upper pedestal provided on an upper portion of the support portion, and a hall element provided on the upper pedestal.

【0010】請求項5記載の発明は、請求項1記載の発
明において、固定電極と可動電極を有する静電容量型の
加速度センサにおいて、前記可動電極を重り部の上面に
設けるとともに、前記支持部の上部に上部台座を設け、
前記固定電極を前記上部台座の下面に設け、ホール素子
を前記上部台座の上面に設けたことを特徴とするもので
ある。
According to a fifth aspect of the present invention, in the capacitance type acceleration sensor having a fixed electrode and a movable electrode according to the first aspect of the present invention, the movable electrode is provided on an upper surface of a weight portion and the support portion is provided. An upper pedestal is provided at the top of the
The fixed electrode is provided on a lower surface of the upper pedestal, and a Hall element is provided on an upper surface of the upper pedestal.

【0011】請求項6記載の発明は、請求項1記載の発
明において、固定電極と可動電極を有する静電容量型の
加速度センサにおいて、ホール素子を重り部の下面に設
け、前記可動電極を重り部の上面に設け、前記支持部の
上部に上部台座を設け、前記固定電極を該上部台座の下
面に設けたことを特徴とするものである。
According to a sixth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, in a capacitance type acceleration sensor having a fixed electrode and a movable electrode, a Hall element is provided on a lower surface of a weight portion, and the movable electrode is weighted. An upper pedestal is provided on the upper portion of the support portion, and the fixed electrode is provided on a lower surface of the upper pedestal.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図1は、本発明の実施の形態
の一例に係る加速度センサの概略構成を示す断面の模式
図である。本実施形態では、ガラス製の台座2上に支持
部10及び梁部11により重り部12が支持された梁構
造を有するシリコンチップ1が設けられる。梁構造は、
シリコンチップを堀り込み凹部を形成することにより梁
部11、重り部12を形成するようにして構成するので
ある。重り部12の下面には可動電極3が設けられ、台
座2の上面には固定電極4が設けられている。加速度が
重り部12に加わることによる梁部11の歪みを可動電
極3と固定電極4との間の静電容量の変化として検出す
ることにより、加速度が検出されるようになっている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an acceleration sensor according to an example of an embodiment of the present invention. In this embodiment, a silicon chip 1 having a beam structure in which a weight portion 12 is supported by a support portion 10 and a beam portion 11 on a glass pedestal 2 is provided. The beam structure is
The beam portion 11 and the weight portion 12 are formed by digging a silicon chip to form a concave portion. The movable electrode 3 is provided on the lower surface of the weight portion 12, and the fixed electrode 4 is provided on the upper surface of the pedestal 2. The acceleration is detected by detecting the distortion of the beam 11 caused by the acceleration applied to the weight 12 as a change in the capacitance between the movable electrode 3 and the fixed electrode 4.

【0013】ここで、重り部12の上面には、ホール素
子5がインジウムアンチモン等の材料を蒸着やスパッタ
等の方法で形成することにより設けられる。ホール素子
5は図2の上面図に示すように、2つの入力端子51と
2つの出力端子52を有した十字形状の素子であり、重
り部12上に形成される。ホール素子5は、入力端子5
1に電圧を印加したときの出力端子52間に発生するホ
ール電圧により方位を検出するものであり、この検出の
原理は従来の技術で説明した通りである。
Here, the Hall element 5 is provided on the upper surface of the weight portion 12 by forming a material such as indium antimony by a method such as vapor deposition or sputtering. The Hall element 5 is a cross-shaped element having two input terminals 51 and two output terminals 52 as shown in the top view of FIG. The Hall element 5 has an input terminal 5
The azimuth is detected by the Hall voltage generated between the output terminals 52 when a voltage is applied to 1, and the principle of this detection is as described in the prior art.

【0014】本実施形態においては、加速度が重り部1
2に加わることによる梁部11の歪みを可動電極3と固
定電極4との間の静電容量の変化として検出することに
より、加速度が検出される。また、方位は、重り部12
上に形成されたホール素子5により検出される。
In the present embodiment, the acceleration is
2 is detected as a change in the capacitance between the movable electrode 3 and the fixed electrode 4, thereby detecting the acceleration. The direction is the weight 12
It is detected by the Hall element 5 formed above.

【0015】本実施形態によれば、ホール素子5が重り
部12の上面に形成されており、加速度センサの可動電
極3、固定電極4に対して垂直ライン上に形成されるこ
とになるので、基板上に別々に加速度センサとホール素
子とを形成する必要がなくなり、従来の加速度センサを
構成していた面積だけでホール素子5も形成できるので
ある。
According to the present embodiment, the Hall element 5 is formed on the upper surface of the weight portion 12 and is formed on a line perpendicular to the movable electrode 3 and the fixed electrode 4 of the acceleration sensor. It is not necessary to separately form the acceleration sensor and the Hall element on the substrate, and the Hall element 5 can be formed only with the area that has constituted the conventional acceleration sensor.

【0016】図3は本発明の他の実施形態に係る加速度
センサの概略構成を示す断面の模式図である。本実施形
態では、加速度センサとして、ピエゾ抵抗型のものを使
用しており、梁部11の上面にピエゾ抵抗素子8を形成
することにより加速度センサを構成している。ホール素
子5は台座2の上面に形成されるのである。
FIG. 3 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of an acceleration sensor according to another embodiment of the present invention. In the present embodiment, a piezoresistive sensor is used as the acceleration sensor, and the piezoresistive element 8 is formed on the upper surface of the beam portion 11 to constitute the acceleration sensor. The Hall element 5 is formed on the upper surface of the pedestal 2.

【0017】本実施形態によれば、上述の実施形態と同
様に、ホール素子5が加速度センサのピエゾ抵抗素子8
の形成された加速度センサに対して垂直ライン上に形成
されることになるので、基板上に別々に加速度センサと
ホール素子とを形成する必要がなくなり、従来の加速度
センサを構成していた面積だけでホール素子5も形成で
きるのである。
According to this embodiment, similarly to the above-described embodiment, the Hall element 5 is replaced by the piezoresistive element 8 of the acceleration sensor.
Since it is formed on a vertical line with respect to the formed acceleration sensor, it is not necessary to separately form the acceleration sensor and the Hall element on the substrate, and only the area that constitutes the conventional acceleration sensor is eliminated. Thus, the Hall element 5 can be formed.

【0018】図4は本発明の他の実施形態に係る加速度
センサの概略構成を示す断面の模式図であり、図1で示
した実施形態に係る加速度センサにおいて、支持部10
の上に、凹部の形成されたガラス製の上部台座21を設
け、ホール素子5を上部台座21の上面に形成した構成
になっている。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of an acceleration sensor according to another embodiment of the present invention. In the acceleration sensor according to the embodiment shown in FIG.
A glass upper pedestal 21 having a concave portion is provided thereon, and the Hall element 5 is formed on the upper surface of the upper pedestal 21.

【0019】本実施形態によれば、上述の実施形態と同
様に、ホール素子5が加速度センサの可動電極3、固定
電極4に対して垂直ライン上に形成されることになるの
で、基板上に別々に加速度センサとホール素子とを形成
する必要がなくなり、従来の加速度センサを構成してい
た面積だけでホール素子5も形成できるのである。
According to the present embodiment, similarly to the above-described embodiment, the Hall element 5 is formed on a vertical line with respect to the movable electrode 3 and the fixed electrode 4 of the acceleration sensor. It is not necessary to separately form the acceleration sensor and the Hall element, and the Hall element 5 can be formed only with the area that has constituted the conventional acceleration sensor.

【0020】図5は本発明の他の実施形態に係る加速度
センサの概略構成を示す断面の模式図である。図4で示
した実施形態に係る加速度センサにおいて、可動電極3
を重り部12の上面に形成し、固定電極4を上部台座2
1の下面に形成した構成になっている。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of an acceleration sensor according to another embodiment of the present invention. In the acceleration sensor according to the embodiment shown in FIG.
Is formed on the upper surface of the weight portion 12, and the fixed electrode 4 is
1 is formed on the lower surface.

【0021】本実施形態によれば、上述の実施形態と同
様に、ホール素子5が加速度センサの可動電極3、固定
電極4に対して垂直ライン上に形成されることになるの
で、基板上に別々に加速度センサとホール素子とを形成
する必要がなくなり、従来の加速度センサを構成してい
た面積だけでホール素子5も形成できるのである。
According to the present embodiment, similarly to the above-described embodiment, the Hall element 5 is formed on a vertical line with respect to the movable electrode 3 and the fixed electrode 4 of the acceleration sensor. It is not necessary to separately form the acceleration sensor and the Hall element, and the Hall element 5 can be formed only with the area that has constituted the conventional acceleration sensor.

【0022】図6は本発明の他の実施形態に係る加速度
センサの概略構成を示す断面の模式図であり、図5で示
した実施形態に係る加速度センサにおいて、ホール素子
5を重り部12の下面に形成した構成になっている。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of an acceleration sensor according to another embodiment of the present invention. In the acceleration sensor according to the embodiment shown in FIG. It has a configuration formed on the lower surface.

【0023】本実施形態によっても、上述の実施形態の
ものと同様の効果を奏する。
According to this embodiment, the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上のように、請求項1乃至請求項6に
記載の発明によれば、ホール素子が加速度センサの可動
電極、固定電極やピエゾ抵抗素子等の圧力計測用の素子
に対して垂直ライン上に形成されることになるので、基
板上に別々に加速度センサとホール素子とを形成する必
要がなくなり、従来の加速度センサを構成していた面積
だけでホール素子が形成できるようになり、方位測定の
機能を備えた小型の加速度センサが提供できた。
As described above, according to the first to sixth aspects of the present invention, the Hall element is used for a pressure measuring element such as a movable electrode, a fixed electrode or a piezoresistive element of an acceleration sensor. Since it is formed on a vertical line, it is not necessary to separately form an acceleration sensor and a Hall element on a substrate, and a Hall element can be formed only with the area that constitutes a conventional acceleration sensor. Thus, a small acceleration sensor having a function of measuring the direction can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る加速度センサの概略
構成を示す断面の模式図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of an acceleration sensor according to an embodiment of the present invention.

【図2】同上の加速度センサの上面の模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram of an upper surface of the acceleration sensor.

【図3】本発明の他の実施形態に係る加速度センサの概
略構成を示す断面の模式図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an acceleration sensor according to another embodiment of the present invention.

【図4】本発明の他の実施形態に係る加速度センサの概
略構成を示す断面の模式図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of an acceleration sensor according to another embodiment of the present invention.

【図5】本発明の他の実施形態に係る加速度センサの概
略構成を示す断面の模式図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of an acceleration sensor according to another embodiment of the present invention.

【図6】本発明の他の実施形態に係る加速度センサの概
略構成を示す断面の模式図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of an acceleration sensor according to another embodiment of the present invention.

【図7】従来例に係る加速度センサの概略構成を示す断
面の模式図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an acceleration sensor according to a conventional example.

【符号の説明】 1 シリコンチップ 2 ガラス台座 3 可動電極 4 固定電極 5 ホール素子 8 ピエゾ抵抗素子 10 支持部 11 梁部 12 重り部 21 上部台座 51 入力端子 52 出力端子[Description of Signs] 1 Silicon chip 2 Glass pedestal 3 Movable electrode 4 Fixed electrode 5 Hall element 8 Piezoresistive element 10 Support section 11 Beam section 12 Weight section 21 Upper pedestal 51 Input terminal 52 Output terminal

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 支持部と、該支持部により支持された梁
部と、該梁部に接続された重り部と、前記支持部に接合
された台座とを有してなる加速度センサにおいて、前記
重り部あるいは台座上にホール素子を設けたことを特徴
とする加速度センサ。
1. An acceleration sensor comprising a support, a beam supported by the support, a weight connected to the beam, and a pedestal joined to the support. An acceleration sensor, wherein a hall element is provided on a weight or a pedestal.
【請求項2】 前記梁部上にピエゾ素子を形成したピエ
ゾ抵抗型の加速度センサにおいて、ホール素子を台座上
に設けたことを特徴とする請求項1記載の加速度セン
サ。
2. The acceleration sensor according to claim 1, wherein in the piezoresistive acceleration sensor having a piezo element formed on the beam portion, a Hall element is provided on a pedestal.
【請求項3】 固定電極と可動電極を有する静電容量型
の加速度センサにおいて、前記固定電極を台座の上面に
設け、前記可動電極を重り部の下面に設け、ホール素子
を重り部の上面に設けたことを特徴とする請求項1記載
の加速度センサ。
3. A capacitance type acceleration sensor having a fixed electrode and a movable electrode, wherein the fixed electrode is provided on an upper surface of a pedestal, the movable electrode is provided on a lower surface of a weight portion, and a Hall element is provided on an upper surface of the weight portion. The acceleration sensor according to claim 1, wherein the acceleration sensor is provided.
【請求項4】 固定電極と可動電極を有する静電容量型
の加速度センサにおいて、前記固定電極を台座の上面に
設け、前記可動電極を重り部の下面に設けるとともに、
前記支持部の上部に上部台座を設け、該上部台座にホー
ル素子を設けたことを特徴とする請求項1記載の加速度
センサ。
4. A capacitance type acceleration sensor having a fixed electrode and a movable electrode, wherein the fixed electrode is provided on an upper surface of a pedestal, and the movable electrode is provided on a lower surface of a weight portion.
The acceleration sensor according to claim 1, wherein an upper pedestal is provided on the upper portion of the support, and a hall element is provided on the upper pedestal.
【請求項5】 固定電極と可動電極を有する静電容量型
の加速度センサにおいて、前記可動電極を重り部の上面
に設けるとともに、前記支持部の上部に上部台座を設
け、前記固定電極を前記上部台座の下面に設け、ホール
素子を前記上部台座の上面に設けたことを特徴とする請
求項1記載の加速度センサ。
5. A capacitance type acceleration sensor having a fixed electrode and a movable electrode, wherein the movable electrode is provided on an upper surface of a weight portion, an upper pedestal is provided on an upper portion of the support portion, and the fixed electrode is mounted on the upper portion. The acceleration sensor according to claim 1, wherein the acceleration sensor is provided on a lower surface of the pedestal, and the Hall element is provided on an upper surface of the upper pedestal.
【請求項6】 固定電極と可動電極を有する静電容量型
の加速度センサにおいて、ホール素子を重り部の下面に
設け、前記可動電極を重り部の上面に設け、前記支持部
の上部に上部台座を設け、前記固定電極を該上部台座の
下面に設けたことを特徴とする請求項1記載の加速度セ
ンサ。
6. A capacitance type acceleration sensor having a fixed electrode and a movable electrode, wherein a Hall element is provided on a lower surface of the weight portion, the movable electrode is provided on an upper surface of the weight portion, and an upper pedestal is provided above the support portion. The acceleration sensor according to claim 1, wherein the fixed electrode is provided on a lower surface of the upper pedestal.
JP9327586A 1997-11-28 1997-11-28 Acceleration sensor Pending JPH11160349A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9327586A JPH11160349A (en) 1997-11-28 1997-11-28 Acceleration sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9327586A JPH11160349A (en) 1997-11-28 1997-11-28 Acceleration sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11160349A true JPH11160349A (en) 1999-06-18

Family

ID=18200716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9327586A Pending JPH11160349A (en) 1997-11-28 1997-11-28 Acceleration sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11160349A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007240530A (en) * 2006-03-07 2007-09-20 Robert Bosch Gmbh Motion sensor
WO2007148450A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Alps Electric Co., Ltd. Acceleration and magnetic direction detecting composite sensor and acceleration and magnetic direction detecting device
JP2008096261A (en) * 2006-10-11 2008-04-24 Matsushita Electric Works Ltd Magnetometric sensor
JP2015217473A (en) * 2014-05-16 2015-12-07 ローム株式会社 Mems sensor and method for manufacturing the same, and mems package including the same
DE102015203040A1 (en) * 2015-02-20 2016-08-25 Robert Bosch Gmbh Arrangement of an electric compass

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007240530A (en) * 2006-03-07 2007-09-20 Robert Bosch Gmbh Motion sensor
WO2007148450A1 (en) * 2006-06-22 2007-12-27 Alps Electric Co., Ltd. Acceleration and magnetic direction detecting composite sensor and acceleration and magnetic direction detecting device
JP2008096261A (en) * 2006-10-11 2008-04-24 Matsushita Electric Works Ltd Magnetometric sensor
JP4548401B2 (en) * 2006-10-11 2010-09-22 パナソニック電工株式会社 Magnetic sensor
JP2015217473A (en) * 2014-05-16 2015-12-07 ローム株式会社 Mems sensor and method for manufacturing the same, and mems package including the same
DE102015203040A1 (en) * 2015-02-20 2016-08-25 Robert Bosch Gmbh Arrangement of an electric compass

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2776142B2 (en) Acceleration sensor
US6378381B1 (en) Sensor using capacitance element
JPS6341080A (en) Semiconductor acceleration sensor
JPS6356935B2 (en)
JP2000028694A (en) Micromaching magnetic field sensor and its manufacture
JPH04299267A (en) Capacity type acceleration sensor
JPH04130276A (en) Semiconductor acceleration sensor
JPH07113647B2 (en) Semiconductor acceleration sensor
JPH06194379A (en) Semiconductor acceleration detector
KR20010032103A (en) Micromechanical differential pressure sensor device
US20160341759A1 (en) Sensor and method of manufacturing same
JPH11160349A (en) Acceleration sensor
EP3336503B1 (en) Pressure sensor having a multiple wheatstone bridge configuration of sense elements
JPH11248737A (en) Capacitance-type multi-axial acceleration sensor
JPH1123398A (en) Pressure sensor
JPH06291334A (en) Acceleration sensor
JPH06242141A (en) Semiconductor acceleration sensor
JPH05340956A (en) Acceleration sensor
JPH1144705A (en) Semiconductor acceleration sensor and its manufacture
JP2009068936A (en) Physical quantity detecting apparatus
JPH05107262A (en) Semiconductor acceleration sensor
JPS62190774A (en) Sensor for acceleration
JP2624315B2 (en) Semiconductor sensor
JPH0627134A (en) Acceleration sensor
JPS62190775A (en) Sensor for acceleration