JPH11154764A - Manufacture of infrared data communication module - Google Patents

Manufacture of infrared data communication module

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Publication number
JPH11154764A
JPH11154764A JP33482397A JP33482397A JPH11154764A JP H11154764 A JPH11154764 A JP H11154764A JP 33482397 A JP33482397 A JP 33482397A JP 33482397 A JP33482397 A JP 33482397A JP H11154764 A JPH11154764 A JP H11154764A
Authority
JP
Japan
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plating
circuit board
data communication
communication module
infrared data
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP33482397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahito Furuya
正仁 古屋
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Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH11154764A publication Critical patent/JPH11154764A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to radiate heat from a light emitting element and take measures against outer noises effectively. SOLUTION: In a module body, electronic parts like a LED element and a photo-diode are mounted on the surface of a circuit board 2. An upper face of the LED element and the photo-diode is covered by heme-spherical lens parts 7a and 7b. The upper surface of the module body is sealed with a sealing resin (epoxy resin). An Ni plating layer is formed on all faces of the sealing resin 7 except for the semi-spherical lens parts 7a and 7b. In the grounding of the Ni plating layer 21, part of the NI plating layer 21 is soldered by solder 10 with a GND electrode 9 on the mounting board side. After resist film is formed on the hemi-spherical lens parts 7a and 7b, a dicing tape is stuck on the rear face of the board, and in this assembled state, dicing, Ni plating, resist film flaking steps are carried out. In this way, a shielding case is not necessary, and the cost of the product in assembling steps is reduced, and effective shielding measures by the Ni plating layer are realized. At the same time, good reliability by using effective heat radiation, and small thin body are realized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ューター、プリンター、PDA、ファクシミリ、ページ
ャー、携帯電話等の民生機器に使用される赤外線データ
通信モジュールの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an infrared data communication module used in consumer equipment such as a personal computer, a printer, a PDA, a facsimile, a pager, and a mobile phone.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光通信機能を搭載したノート型パ
ソコン、PDA、携帯電話等の携帯機器で赤外線データ
通信モジュールの小型化がより強く要求されている。L
EDからなる赤外線発光素子、フォトダイオードからな
る受光素子、アンプ、ドライブ回路等が組み込まれたI
Cからなる回路部を回路基板に直接ダイボンド及びワイ
ヤーボンドし、可視光線カット剤入りエボキシ樹脂によ
るレンズ一体の樹脂モールドで、送信部と受信部を一体
パッケージ化した赤外線データ通信モジュールが開発さ
れている。従来の一般的な赤外線データ通信モジュール
の構造について、図15でその概要を説明する。図15
は、赤外線データ通信モジュールの外観を示す斜視図で
ある。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been a strong demand for miniaturization of infrared data communication modules in portable devices such as notebook computers, PDAs, and mobile phones equipped with an optical communication function. L
An infrared light emitting element composed of an ED, a light receiving element composed of a photodiode, an amplifier, a drive circuit and the like are incorporated.
An infrared data communication module has been developed in which a circuit portion made of C is directly die-bonded and wire-bonded to a circuit board, and a transmission unit and a reception unit are integrally packaged with a resin-integrated resin mold made of an epoxy resin containing a visible light cut agent. . The structure of a conventional general infrared data communication module will be outlined with reference to FIG. FIG.
FIG. 2 is a perspective view showing an appearance of the infrared data communication module.

【0003】図15において、1は、赤外線データ通信
モジュールである。2はガラスエボキシ、BTレジン等
の耐熱性及び絶縁性を有する回路基板であり、表面には
図示しない電極パターンが形成されている。
In FIG. 15, reference numeral 1 denotes an infrared data communication module. Reference numeral 2 denotes a circuit board having heat resistance and insulating properties, such as glass epoxy or BT resin, on which an electrode pattern (not shown) is formed.

【0004】図示しない発光素子である赤外LED素子
及び受光素子であるフォトダイオードが回路基板2上面
側に形成された電極パターンにダイボンド及びワイヤー
ボンド実装されている。赤外LED素子及びフォトダイ
オードは電極パターン上に、導電性接着剤として銀ペー
スト等のダイボンドペーストで電気的に接続されてい
る。前記回路基板2上には、前記赤外LED素子及びフ
ォトダイオード以外に、図示しない集積回路等の電子部
品が搭載されている。
A not-shown infrared LED element as a light emitting element and a photodiode as a light receiving element are die-bonded and wire-bonded to an electrode pattern formed on the upper surface of the circuit board 2. The infrared LED element and the photodiode are electrically connected on the electrode pattern by a die bond paste such as a silver paste as a conductive adhesive. On the circuit board 2, electronic components such as an integrated circuit (not shown) are mounted in addition to the infrared LED element and the photodiode.

【0005】7は、赤外LED素子及びフォトダイオー
ド等を樹脂封止する可視光線カット剤入りエポキシ系樹
脂等の透光性の封止樹脂で、赤外LED素子及びフォト
トダイオードの上面に半球型レンズ部7a及び7bを形
成し、赤外線光を照射及び集光する機能を持たせると同
時に両素子の保護を行う。
Reference numeral 7 denotes a light-transmitting sealing resin such as an epoxy resin containing a visible light-cutting agent for resin-sealing the infrared LED element and the photodiode. The hemisphere is provided on the upper surface of the infrared LED element and the photodiode. The mold lenses 7a and 7b are formed to provide a function of irradiating and condensing infrared light and at the same time protect both elements.

【0006】8は、略箱型形状をした薄板、例えば、略
0.15mmの厚さのステンレス、アルミ、銅、鉄等の
金属製のシールドケースである。シールドケース8は、
前記赤外LED素子及びフォトダイオードの上面に形成
した半球型レンズ部7a、7bに対応する位置にそれぞ
れ透光窓8aを有し、モジュール本体を覆っている。前
記シールドケース8は、回路部を囲っているので、電磁
シールド対策を採ることができ、外部からのノイズなど
による影響を防止するのに極めて有効である。従って、
半球型レンズ部7a、7b及びプリント配線基板等のマ
ザーボードに実装される以外の面は、前記シールドケー
ス8でカバーされている。9は、マザーボードのGND
電極であり、赤外線データ通信モジュール1はこのGN
D電極に半田10にて半田付けされている。
Reference numeral 8 denotes a substantially box-shaped thin plate, for example, a shield case made of metal such as stainless steel, aluminum, copper, or iron having a thickness of about 0.15 mm. The shield case 8
Transparent windows 8a are provided at positions corresponding to the hemispherical lens portions 7a and 7b formed on the upper surfaces of the infrared LED element and the photodiode, respectively, and cover the module body. Since the shield case 8 surrounds the circuit section, it is possible to take measures against electromagnetic shielding, which is extremely effective in preventing the influence of external noise and the like. Therefore,
The surfaces other than those mounted on the motherboard, such as the hemispherical lens portions 7a and 7b and the printed wiring board, are covered with the shield case 8. 9 is GND of motherboard
Electrodes, and the infrared data communication module 1
It is soldered to the D electrode with solder 10.

【0007】前記赤外線データ通信モジュール1の製造
方法の概略について説明する。図9〜図15は、従来の
赤外線データ通信モジュールの製造方法を示す。図9
は、集合回路基板にスルーホール加工工程と電極パター
ン形成工程、図10は、赤外LED素子、フォトダイオ
ード及び集積回路のダイボンド工程、図11は、ワイヤ
ーボンド工程、図12は、樹脂封止工程、図13は、ダ
イシング工程、図14は、赤外線データ通信モジュール
半完成品単体にするチップバラシ工程、図15は、シー
ルドケース組み込み工程を示す、それぞれ斜視図であ
る。
An outline of a method for manufacturing the infrared data communication module 1 will be described. 9 to 15 show a method of manufacturing a conventional infrared data communication module. FIG.
Is a through-hole processing step and an electrode pattern forming step in the collective circuit board, FIG. 10 is a die bonding step of an infrared LED element, a photodiode and an integrated circuit, FIG. 11 is a wire bonding step, and FIG. 13, FIG. 13 is a perspective view showing a dicing step, FIG. 14 is a perspective view showing a chip balancing step for making a semi-finished infrared data communication module alone, and FIG.

【0008】図9において、スルーホール加工工程は、
ガラスエポキシ樹脂よりなる多数個取りする集合回路基
板2Aの各列毎に、上下面導電パターン接続用の複数個
のスルーホール11をNC切削等の加工手段により穴明
けする。
In FIG. 9, a through-hole processing step includes
A plurality of through-holes 11 for connecting the upper and lower conductive patterns are formed in each row of the collective circuit board 2A made of glass epoxy resin by a processing means such as NC cutting.

【0009】次に、メッキ工程において、前記スルーホ
ール11の壁面を含む集合回路基板2Aの全表面を洗浄
した後、集合回路基板2Aの全表面を無電解メッキによ
り銅メッキ層を形成し、その上に電解メッキによりニッ
ケルメッキ層を形成し、更に、その上に電解メッキによ
り金メッキ層を形成する。
Next, in a plating step, after cleaning the entire surface of the collective circuit board 2A including the wall surfaces of the through holes 11, a copper plating layer is formed on the entire surface of the collective circuit board 2A by electroless plating. A nickel plating layer is formed thereon by electrolytic plating, and a gold plating layer is further formed thereon by electrolytic plating.

【0010】更に、電極パターン形成工程は、エッチン
グ工程で、メッキレジストをラミネートし、露光現像し
てパターンマスクを形成し、前記集合回路基板2Aの上
面に電子部品実装用電極パターン2a、2b及び2c
と、上面及び下面の導電パターンと接続するスルーホー
ル電極11aを形成する。
In the electrode pattern forming step, a plating resist is laminated in an etching step, and a pattern mask is formed by exposure and development, and the electronic component mounting electrode patterns 2a, 2b and 2c are formed on the upper surface of the collective circuit board 2A.
Then, a through-hole electrode 11a connected to the upper and lower conductive patterns is formed.

【0011】図10において、電子部品を実装するダイ
ボンド工程で、前記集合回路基板2Aの上面側の所定位
置、即ち、前記電子部品実装用電極パターン2a、2b
及び2c上に、銀ペースト等の導電性接着剤6を塗布又
は印刷し、赤外LED素子3と、フォトダイオード4及
び集積回路5等の電子部品を傷が付かない程度に軽く加
圧しながら銀ペースト上に搭載し、その後キュアー炉に
入れて、所定の温度、時間保持することで銀ペーストが
硬化することにより、前記電子部品は集合回路基板2A
上に固着し一体化される。
In FIG. 10, in a die bonding step of mounting an electronic component, a predetermined position on the upper surface side of the collective circuit board 2A, that is, the electronic component mounting electrode patterns 2a, 2b.
And 2c, a conductive adhesive 6 such as a silver paste is applied or printed, and the infrared LED element 3 and the electronic components such as the photodiode 4 and the integrated circuit 5 are pressed while being lightly pressed so as not to be damaged. The electronic component is mounted on the paste, then put into a curing furnace, and held at a predetermined temperature for a predetermined time to cure the silver paste.
It is fixed on and integrated.

【0012】図11において、ワイヤーボンド工程は、
前記集合回路基板2A上に固着された各電子部品を金線
等よりなるボンディングワイヤー12により集合回路基
板2A上のパターンにワイヤーボンド接続する。
In FIG. 11, the wire bonding step
Each electronic component fixed on the collective circuit board 2A is wire-bonded to a pattern on the collective circuit board 2A by a bonding wire 12 made of a gold wire or the like.

【0013】図12において、樹脂封止工程は、前記赤
外LED素子3及びフォトダイオード4の上面を、半球
型レンズ部7a及び7bで覆うように、集合回路基板2
Aの上面側を透光性のエポキシ樹脂よりなる封止樹脂7
を充填して、成形、キュアーする。以上により、赤外線
データ通信モジュール集合体1Aが形成される。
In FIG. 12, a resin sealing step is performed so that the upper surfaces of the infrared LED element 3 and the photodiode 4 are covered with hemispherical lens portions 7a and 7b.
A sealing resin 7 made of a translucent epoxy resin on the upper surface side of A
Fill, mold and cure. Thus, the infrared data communication module assembly 1A is formed.

【0014】図13において、ダイシング工程は、前記
赤外線データ通信モジュール集合体1Aを、直交する2
つのカットラインに沿って、ダイシング又はスライシン
グマシン等で切断して単体の赤外線データ通信モジュー
ル半完成品1Bに分割する。前記カットラインのうち、
X方向のカットライン13は、前記各列間に形成された
複数の図示しないスルーホール(11)の中心を通るラ
インであり、このラインに直交するY方向のカットライ
ン14は、前記電子部品の一組を含むラインである。前
記X方向のカットライン13の列上には、半円形状の図
示しないスルーホール電極(11a)が形成されてい
る。
In FIG. 13, in the dicing step, the infrared data communication module assembly 1A is
Cut along a cut line by a dicing or slicing machine or the like to divide it into a single infrared data communication module semi-finished product 1B. Of the cut lines,
An X-direction cut line 13 is a line passing through the center of a plurality of through holes (11) (not shown) formed between the rows, and a Y-direction cut line 14 orthogonal to this line is provided for the electronic component. This is a line including one set. A semicircular through-hole electrode (11a) (not shown) is formed on the row of the cut lines 13 in the X direction.

【0015】チップバラシ工程は、前記ダイシング工程
で分割され単体にばらされて、図14に示すように赤外
線データ通信モジュール半完成品1Bになる。前述した
ように、図15は、シールドケース組み込み工程で、赤
外線データ通信モジュール半完成品1Bを、略箱型形状
をした薄板のステンレス、アルミ、銅、鉄等の金属製の
シールドケース8で、前記赤外LED素子3及びフォト
ダイオード4の上面に形成した半球型レンズ部7a、7
bに対応する位置にそれぞれ透光窓8aを開口した状態
でモジュール本体を覆うことにより赤外線データ通信モ
ジュール1が完成する。
The chip dispersing step is divided in the dicing step and separated into individual pieces, and as shown in FIG. 14, an infrared data communication module semi-finished product 1B is obtained. As described above, FIG. 15 shows a semi-finished infrared data communication module 1B in a shield case assembling step, in which a substantially box-shaped shield case 8 made of metal such as stainless steel, aluminum, copper, or iron is used. Hemispherical lens portions 7a, 7 formed on the upper surfaces of the infrared LED element 3 and the photodiode 4.
The infrared data communication module 1 is completed by covering the module main body with the light transmitting windows 8a opened at the positions corresponding to b.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た赤外線データ通信モジュール及びその製造方法には次
のような問題点がある。即ち、赤外線データ通信モジュ
ールにおいて、使用中における赤外LED素子及びその
他の電子部品から発生する熱の放熱及び外部からのノイ
ズ対策をシールドケースを用いて行っているため、先
ず、薄板の前記金属製のシールドケース(部品代)が必
要となる。また、シールドケースを作るための金型(金
型代)が必要となる。更に、シールドケースに製品を組
み込み、2ヵ所の突起片を折り曲げる作業(工数)が必
要となる。また、組み込み後の組み込み高さ検査(工
数)が必要となる。また、組み込まれた製品とシールド
ケースの間(特に上面方向)に隙間(空気層)があるた
め、空気層に熱がこもってしまい、放熱が十分でなく、
電子部品の寿命劣化等を促進させる。信頼性及び製品の
コストアップになる等致命的な問題があった。
However, the above-mentioned infrared data communication module and the method of manufacturing the same have the following problems. That is, in the infrared data communication module, since the radiation of heat generated from the infrared LED elements and other electronic components during use and the countermeasures against noise from the outside are performed using the shield case, first, the thin plate made of the metal is used. Requires a shield case (parts cost). In addition, a mold (mold cost) for making the shield case is required. Furthermore, the work (man-hours) of incorporating the product into the shield case and bending the two projecting pieces is required. In addition, a built-in height inspection (man-hour) after the built-in is required. In addition, since there is a gap (air layer) between the built-in product and the shield case (especially in the top direction), heat is trapped in the air layer and heat is not sufficiently released.
Promote life degradation of electronic components. There were fatal problems such as increased reliability and product cost.

【0017】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、従来の金属製のシールドケース
を使わずに、その代わりとしてエボキシ樹脂の表面にN
iメッキ層を形成した簡単な構成で、このNiメッキ層
でシールド対策及び放熱効率をアップさせる。即ち、発
光素子の発生する熱を放熱させることができると同時
に、外部からのノイズ対策に対応することができる。安
価で、超小型、薄型の信頼性に優れた赤外線データ通信
モジュールの製造方法を提供するものである。
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to use a conventional metal shield case without using a conventional metal shield case, and instead use N.sub.
With a simple configuration in which an i-plated layer is formed, this Ni-plated layer improves shielding measures and heat radiation efficiency. That is, it is possible to dissipate the heat generated by the light emitting element and to cope with external noise. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an infrared data communication module which is inexpensive, ultra-small, thin and excellent in reliability.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における赤外線データ通信モジュールの製造
方法は、ガラスエポキシ樹脂よりなる多数個取りする集
合回路基板の各列毎に、上下面導電パターン接続用の複
数個のスルーホールを穴明けするスルーホール加工工程
と、前記スルーホールの各列間の所定位置にメッキ処理
により前記スルーホール内面を含む集合回路基板の全面
にメッキ層を形成するメッキ工程と、メッキレジストを
ラミネートし、露光現像後パターンマスクを形成し、パ
ターンエッチングを行い、集合回路基板の上面に電子部
品実装用電極パターンと、前記スルーホールにスルーホ
ール電極を形成する電極パターン形成工程と、前記集合
回路基板の上面に発光素子、受光素子及びICチップ等
の電子部品を導電性接着剤で固着し、電気的に接続する
実装工程と、前記発光素子及び受光素子の上面を、半球
型レンズ部で覆うように透光性のエポキシ樹脂で封止す
る樹脂封止工程と、前記封止樹脂の上面で半球型レンズ
部のみ露出するマスク型等のマスク部材でマスクするマ
スキング工程と、前記封止樹脂の上面で露出した半球型
レンズ部にレジスト液を塗布又は吹き付け、キュアーす
ることにより、半球型レンズ部にレジスト膜を形成する
レジスト塗布工程と、前記封止樹脂の上面を覆ったマス
ク型等のマスク部材を取り外した後、前記集合回路基板
の裏面にダイシングテープを貼付し、直交するカットラ
インに沿って前記集合回路基板を完全に切断し前記ダイ
シングテープの表面まで切り込むダイシング工程と、前
記分割された個々の回路基板がダイシングテープ上に貼
付された状態でNiメッキを施し、エポキシ樹脂よりな
る封止樹脂の表面にNiメッキ層を形成するNiメッキ
工程と、前記レジスト膜の除去工程と、前記ダイシング
テープ上から剥離し、単体の赤外線データ通信モジュー
ル完成品に分離するバラシ工程とよりなることを特徴と
するものである。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing an infrared data communication module according to the present invention comprises a method of manufacturing an infrared data communication module, comprising: A through-hole processing step of drilling a plurality of through-holes for pattern connection, and forming a plating layer on the entire surface of the collective circuit board including the inner surface of the through-hole by plating at a predetermined position between each row of the through-holes. A plating step, laminating a plating resist, forming a pattern mask after exposure and development, performing pattern etching, an electrode pattern for mounting electronic components on the upper surface of the collective circuit board, and an electrode pattern for forming a through-hole electrode in the through hole. Forming process, and conducting electronic parts such as light emitting element, light receiving element and IC chip on the upper surface of the collective circuit board. A mounting step of fixing with an adhesive and electrically connecting; a resin sealing step of sealing the upper surface of the light emitting element and the light receiving element with a translucent epoxy resin so as to be covered with a hemispherical lens portion; A masking step of masking with a mask member such as a mask that exposes only the hemispherical lens portion on the upper surface of the sealing resin, and applying or spraying and curing a resist liquid on the hemispherical lens portion exposed on the upper surface of the sealing resin. According to, a resist coating step of forming a resist film on the hemispherical lens portion, and after removing a mask member such as a mask type covering the upper surface of the sealing resin, a dicing tape is attached to the back surface of the collective circuit board, A dicing step of completely cutting the collective circuit board along an orthogonal cut line and cutting to the surface of the dicing tape; and Ni plating in a state of being adhered on a dicing tape, a Ni plating step of forming a Ni plating layer on the surface of a sealing resin made of an epoxy resin, a step of removing the resist film, and peeling off from the dicing tape, And a balancing step of separating the single infrared data communication module into a completed product.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明にお
ける赤外線データ通信モジュールの製造方法について説
明する。図1〜図7は、本発明の実施の形態に係わる赤
外線データ通信モジュールの製造方法を説明するそれぞ
れ斜視図である。図8は、赤外線データ通信モジュール
完成品の斜視図である。図において、従来技術と同一部
材は同一符号で示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing an infrared data communication module according to the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 7 are perspective views illustrating a method for manufacturing an infrared data communication module according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 is a perspective view of a completed infrared data communication module. In the drawings, the same members as those of the prior art are denoted by the same reference numerals.

【0020】図8において、20は、本発明の製造方法
に係わる赤外線データ通信モジュールである。2は、従
来と同様に、平面が略長方形形状のガラスエポキシ樹脂
よりなる回路基板で、表面には図示しない電極パターン
及びスルーホール電極が形成さている。赤外LED素
子、フォトダイオード及び集積回路等の電子部品が回路
基板2の表面側に形成さた電極パターンに銀ペースト等
の導電性接着剤によりダイボンドされ、金線等のボンデ
ィングワイヤーによりワイヤーボンド実装されている。
In FIG. 8, reference numeral 20 denotes an infrared data communication module according to the manufacturing method of the present invention. Reference numeral 2 denotes a circuit board made of glass epoxy resin having a substantially rectangular flat surface as in the related art, and an electrode pattern and a through-hole electrode (not shown) are formed on the surface thereof. Electronic components such as an infrared LED element, a photodiode, and an integrated circuit are die-bonded to an electrode pattern formed on the surface side of the circuit board 2 with a conductive adhesive such as a silver paste, and wire-bonded with a bonding wire such as a gold wire. Have been.

【0021】また、従来と同様に、赤外LED素子及び
フォトダイオード等の上面をエポキシ樹脂等の透光性の
封止樹脂7で、赤外LED素子及びフォトトダイオード
の上面に半球型レンズ部7a及び7bを形成し、赤外線
光を照射及び集光する機能を持たせると同時に両素子の
保護を行う。
In the same manner as in the prior art, the upper surfaces of the infrared LED element and the photodiode are covered with a translucent sealing resin 7 such as epoxy resin, and the upper surface of the infrared LED element and the photodiode are hemispherical lens portions. 7a and 7b are formed to have a function of irradiating and condensing infrared light and at the same time protect both elements.

【0022】21は、半球型レンズ部7a、7bを除
く、封止樹脂7の表面に形成されたNiメッキ層であ
る。前記Niメッキ層21は、従来のシールドケースの
機能を有するもので、電磁シールド対策を採ることがで
き、外部からのノイズなどによる影響を防止するのに極
めて有効である。更に、赤外LED素子及びその他の電
子部品から発生する熱を放熱するのに、従来のシールド
ケースと異なり、回路基板2及び半球型レンズ部を含め
た樹脂封止部は露出しているので空気層が介在すること
もなく放熱効率は極めて良好である。9は、マザーボー
ドのGND電極で、赤外線データ通信モジュール20は
このGND電極に半田10にて半田付けされている。
Reference numeral 21 denotes a Ni plating layer formed on the surface of the sealing resin 7 except for the hemispherical lens portions 7a and 7b. The Ni plating layer 21 has the function of a conventional shield case, can take measures against electromagnetic shielding, and is extremely effective in preventing the influence of external noise and the like. Further, unlike the conventional shield case, the resin sealing portion including the circuit board 2 and the hemispherical lens portion is exposed to dissipate heat generated from the infrared LED element and other electronic components. The heat radiation efficiency is extremely good without any intervening layers. Reference numeral 9 denotes a GND electrode of the motherboard, and the infrared data communication module 20 is soldered to this GND electrode with solder 10.

【0023】前記赤外線データ通信モジュール20の製
造方法について説明する。図1〜図7は、本発明の赤外
線データ通信モジュールの製造方法を示す。図1は、樹
脂封止工程、図2は、マスキング工程、図3は、レジス
ト塗布工程、図4は、ダイシング工程、図5は、メッキ
工程、図6は、レジスト剥離工程、図7は、単体の赤外
線データ通信モジュール完成品に分離するバラシ工程を
示す、それぞれ斜視図である。
A method of manufacturing the infrared data communication module 20 will be described. 1 to 7 show a method of manufacturing an infrared data communication module according to the present invention. 1 is a resin sealing step, FIG. 2 is a masking step, FIG. 3 is a resist coating step, FIG. 4 is a dicing step, FIG. 5 is a plating step, FIG. 6 is a resist peeling step, and FIG. It is a perspective view which shows the balancing process which isolate | separates into a single infrared data communication module finished product.

【0024】本発明の実施の形態に係わる赤外線データ
通信モジュールの製造方法において、ガラスエポキシ樹
脂よりなる多数個取りする集合回路基板の各列毎に、上
下面導電パターン接続用の複数個のスルーホールを穴明
けするスルーホール加工工程と、前記スルーホールの各
列間の所定位置にメッキ処理により前記スルーホール内
面を含む集合回路基板の全面にメッキ層を形成するメッ
キ工程と、メッキレジストをラミネートし、露光現像後
パターンマスクを形成し、パターンエッチングを行い、
集合回路基板の上面に電子部品実装用電極パターンと、
前記スルーホールにスルーホール電極を形成する電極パ
ターン形成工程と、前記集合回路基板の上面に発光素
子、受光素子及びICチップ等の電子部品を導電性接着
剤で固着し、ワイヤーボンド実装する実装工程は、前述
した従来技術と同様であるので、その説明は省略する。
In the method of manufacturing an infrared data communication module according to the embodiment of the present invention, a plurality of through holes for connecting upper and lower conductive patterns are provided for each row of a collective circuit board made of glass epoxy resin. And a plating step of forming a plating layer on the entire surface of the integrated circuit board including the inner surface of the through hole by plating at a predetermined position between each row of the through holes, and laminating a plating resist. After exposure and development, form a pattern mask, perform pattern etching,
An electrode pattern for mounting electronic components on the upper surface of the collective circuit board,
An electrode pattern forming step of forming a through-hole electrode in the through-hole, and a mounting step of fixing electronic components such as a light-emitting element, a light-receiving element, and an IC chip on the upper surface of the integrated circuit board with a conductive adhesive, and performing wire-bond mounting. Is the same as the above-described prior art, and the description thereof is omitted.

【0025】図1において、樹脂封止工程は、集合回路
基板2Aに形成されているスルーホール電極11a内に
樹脂の流れ込み防止のために、ドライフィルム等のマス
キングテープ22でスルーホール11をマスキングして
おく。前記発光素子及び受光素子の上面を半球型レンズ
部7a、7bで覆うように透光性のエポキシ樹脂よりな
る封止樹脂7を充填して、キュアーする。
In FIG. 1, in the resin sealing step, the through holes 11 are masked with a masking tape 22 such as a dry film in order to prevent resin from flowing into the through hole electrodes 11a formed on the collective circuit board 2A. Keep it. A sealing resin 7 made of a translucent epoxy resin is filled and cured so that the upper surfaces of the light emitting element and the light receiving element are covered with hemispherical lens portions 7a and 7b.

【0026】図2において、マスキング工程は、封止樹
脂7で形成した半球型レンズ部7a、7bを露出するよ
うに、封止樹脂7の表面をマスク部材として、例えば、
マスク型23等でマスクする。後述するように、フルダ
イシング後のNiメッキであることから、スルーホール
電極11a内にNiメッキが付くので、基板の裏面のス
ルーホール電極11aをマスキングテープ等でマスクす
る必要はない。
In FIG. 2, the masking step is performed by using the surface of the sealing resin 7 as a mask member so as to expose the hemispherical lens portions 7a and 7b formed by the sealing resin 7, for example,
Mask with a mask mold 23 or the like. As will be described later, since the Ni plating is performed after the full dicing, the Ni plating is applied to the inside of the through-hole electrode 11a. Therefore, it is not necessary to mask the through-hole electrode 11a on the back surface of the substrate with a masking tape or the like.

【0027】図3において、レジスト塗布工程は、前記
マスキングされた赤外線データ通信モジュール集合体2
0Aに、レジスト液を塗り付けるか又は吹き付け、キュ
アーすることにより、前記半球型レンズ部7a、7bの
表面にレジスト膜24が形成される。
In FIG. 3, in the resist coating step, the masked infrared data communication module assembly 2 is used.
By coating or spraying a resist solution on 0A and curing, a resist film 24 is formed on the surfaces of the hemispherical lens portions 7a and 7b.

【0028】図4において、ダイシング工程は、前記マ
スク型23を取り外した後、前記集合回路基板2Aの裏
面に粘着力の強いダイシングテープ25を貼付し、直交
する2つのカットライン即ち、X方向のカットライン1
3、Y方向のカットライン14に沿って、前記集合回路
基板2Aを完全に切断し、更に、前記ダイシングテープ
25の表面の一部を切り込む程度にダイシング又はスラ
イシングマシン等によりフルダイシングする。前記X方
向のカットライン13は、前記各列間に形成されている
複数のスルーホール11の中心を通るラインであり、図
示しないスルーホール電極は半円形状に形成される。
Referring to FIG. 4, the dicing step is such that, after removing the mask mold 23, a dicing tape 25 having a strong adhesive force is attached to the back surface of the collective circuit board 2A, and two orthogonal cut lines, that is, in the X direction. Cut line 1
3. Along the cut line 14 in the Y direction, the assembled circuit board 2A is completely cut, and further, full dicing is performed by a dicing or slicing machine or the like to cut a part of the surface of the dicing tape 25. The cut line 13 in the X direction is a line passing through the center of the plurality of through holes 11 formed between the rows, and a not-shown through hole electrode is formed in a semicircular shape.

【0029】図5において、Niメッキ工程は、前記フ
ルダイシングにより単品化された製品がダンシングテー
プ25により接着された状態で、Niメッキを施す。N
iメッキ層21は、レジスト膜24でマスクされた半球
型レンズ部7a、7bを除く封止樹脂7の全面に形成さ
れる。前記Niメッキ層21の厚みとしては、その目的
がシールドであることより、薄くてはシールドの効果が
発揮されず、最低でも、例えば、0.1mm以上の厚み
を確保する必要がある。従って、シールド用のNiメッ
キ層21は厚メッキになる。尚、前記Niメッキの際、
回路基板2の表面にもメッキ液は浸るが、基板の材質が
ガラス入りのエポキシ樹脂のため、基板の表面にはNi
メッキは付かない。しかし、前記スルーホール電極11
aの金メッキの上にNiメッキが付き、半田のヌレ性、
強度の点で多少不利であるが、製品としては全く問題が
ない。Niメッキ、レジスト除去の工程において、単品
化された製品がダイシングテープ25から剥がれて落ち
ることなく、集合した状態で処理することができるメリ
ットが極めて大きい。
In FIG. 5, in the Ni plating step, Ni plating is performed in a state where the products made into a single product by the full dicing are adhered by the dancing tape 25. N
The i-plated layer 21 is formed on the entire surface of the sealing resin 7 except for the hemispherical lens portions 7a and 7b masked by the resist film 24. Regarding the thickness of the Ni plating layer 21, since the purpose is a shield, if it is thin, the effect of the shield is not exhibited, and it is necessary to secure a thickness of, for example, 0.1 mm or more at least. Therefore, the Ni plating layer 21 for shielding becomes thick plating. In the case of the Ni plating,
Although the plating solution is also immersed in the surface of the circuit board 2, the material of the board is an epoxy resin containing glass.
No plating. However, the through-hole electrode 11
Ni plating on gold plating of a, solder wetting property,
Although it is somewhat disadvantageous in strength, there is no problem as a product. In the steps of Ni plating and resist removal, there is an extremely large merit that a single product can be processed in an assembled state without being separated from the dicing tape 25 and falling off.

【0030】図6において、レジスト剥離工程は、上記
したようにダイシングテープ25に貼付された状態で半
球型レンズ部7a、7b上のレジスト膜24を剥離す
る。
In FIG. 6, in the resist peeling step, the resist film 24 on the hemispherical lens portions 7a and 7b is peeled off while being attached to the dicing tape 25 as described above.

【0031】図7において、バラシ工程は、前記ダイシ
ングテープ25上から単品化された製品を剥離し、単体
の赤外線データ通信モジュール完成品20に分離する。
In FIG. 7, in the balancing step, a single product is separated from the dicing tape 25 and separated into a single infrared data communication module completed product 20.

【0032】全工程を終え完成した赤外線データ通信モ
ジュール20は、封止樹脂7の表面に形成されたNiメ
ッキ層21が形成され、電磁シールド対策を採ることが
でき、外部からのノイズなどによる影響を防止するのに
極めて有効である。更に、赤外LED素子3及びその他
の電子部品から発生する熱を放熱するのに、封止樹脂7
面から直接Niメッキ層21へ、また回路基板2から直
接放熱することができるので、放熱効率は極めて良好で
ある。
In the completed infrared data communication module 20 after completing all the steps, the Ni plating layer 21 formed on the surface of the sealing resin 7 is formed, so that it is possible to take measures against electromagnetic shielding and to be affected by external noise and the like. It is extremely effective in preventing Furthermore, the sealing resin 7 is used to radiate heat generated from the infrared LED element 3 and other electronic components.
Since heat can be radiated directly from the surface to the Ni plating layer 21 and directly from the circuit board 2, the heat radiation efficiency is extremely good.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の赤外線デ
ータ通信モジュールの製造方法は、半球型レンズ部を除
く、封止樹脂の表面にNiメッキ層を形成することによ
り、このNiメッキ層が従来のシールドケースの機能を
有するもので、電磁シールド対策を採ることができ、外
部からのノイズなどによる影響を防止するのに極めて有
効である。更に、赤外LED素子及びその他の電子部品
から発生する熱を放熱するのに、従来は基板とシールド
ケースとの間に空気層が介在していたが、封止樹脂面か
ら直接Niメッキ層へ、また回路基板から直接放熱し、
放熱効果をアップすることができる。
As described above, according to the method for manufacturing an infrared data communication module of the present invention, the Ni plating layer is formed on the surface of the sealing resin except for the hemispherical lens portion. It has the function of a conventional shield case, can take measures against electromagnetic shielding, and is extremely effective in preventing the effects of external noise and the like. Furthermore, an air layer was conventionally interposed between the substrate and the shield case to radiate heat generated from the infrared LED element and other electronic components. And radiate heat directly from the circuit board,
The heat radiation effect can be improved.

【0034】また、従来使用していたシールドケースは
不要となる。これに伴いシールドケースを作るための金
型が不要となり、シールドケースに製品を組み込み、そ
の後製品落下防止用の2箇所の突起片を折り曲げる作業
が不要となる。更に、組み込み後の検査も不要となる。
Further, the shield case conventionally used becomes unnecessary. This eliminates the need for a mold for forming the shield case, and eliminates the need to incorporate the product into the shield case and then bend the two projecting pieces for preventing the product from falling. Further, inspection after assembling becomes unnecessary.

【0035】以上述べたように、部材費でのコストダウ
ン、組立工数、検査工数等での製品のコストダウン、多
数個取り生産による生産性のアップ、放熱効果アップす
ることによる信頼性の向上、シールドケースがなくなる
ので、小型・薄型になる等の様々な実用効果を発揮する
赤外線データ通信モジュールの製造方法を提供すること
ができる。
As described above, cost reduction in material costs, product cost reduction in assembling man-hours, inspection man-hours, etc., productivity improvement by multi-cavity production, improvement of reliability by increasing heat radiation effect, Since there is no shield case, it is possible to provide a method of manufacturing an infrared data communication module that exhibits various practical effects such as reduction in size and thickness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係わる赤外線データ通信
モジュールの製造方法における樹脂封止工程を示す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a resin sealing step in a method for manufacturing an infrared data communication module according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1にマスク型を取り付けるマスキング工程を
示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a masking step of attaching a mask mold to FIG.

【図3】図2の半球型レンズ部にレジスト膜を形成する
レジスト液塗布工程を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a resist liquid applying step of forming a resist film on the hemispherical lens portion of FIG. 2;

【図4】図3のマスク型を取り外し、基板裏面にダイシ
ングテープを貼付し、フルダイシングするダイシング工
程を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a dicing step of removing the mask mold of FIG. 3, attaching a dicing tape to the back surface of the substrate, and performing full dicing.

【図5】図4の半球型レンズ部を除く封止樹脂の表面に
Niメッキ層を形成するNiメッキ工程を示す斜視図で
ある。
FIG. 5 is a perspective view showing a Ni plating step of forming a Ni plating layer on the surface of the sealing resin except for the hemispherical lens part of FIG.

【図6】図5のレジスト膜の剥離工程を示す斜視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view showing a step of removing the resist film of FIG. 5;

【図7】図6で単体の赤外線データ通信モジュール完成
品に分離するバラシ工程を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a balancing step of separating the single infrared data communication module into a completed product in FIG. 6;

【図8】図7の赤外線データ通信モジュールを、マザー
ボードのGND電極に半田付けした状態の斜視図であ
る。
8 is a perspective view showing a state where the infrared data communication module of FIG. 7 is soldered to a GND electrode of a motherboard.

【図9】従来と本発明に共通した集合回路基板にスルー
ホール加工及び電極パターン形成工程を示す斜視図であ
る。
FIG. 9 is a perspective view showing a through-hole processing and an electrode pattern forming process for a collective circuit board common to the conventional and the present invention.

【図10】図9の電極パターンに電子部品を導電性接着
剤で固着するダイボンド工程を示す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a die bonding step of fixing an electronic component to the electrode pattern of FIG. 9 with a conductive adhesive.

【図11】図10の電子部品をボンディングワイヤーで
接続するワイヤーボンド工程を示す斜視図である。
FIG. 11 is a perspective view showing a wire bonding step of connecting the electronic components of FIG. 10 with bonding wires.

【図12】図11の電子部品を封止する樹脂封止工程を
示す斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view illustrating a resin sealing step of sealing the electronic component of FIG. 11;

【図13】従来のダイシング工程を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing a conventional dicing process.

【図14】図13で分割された赤外線データ通信モジュ
ール半完成品を示す斜視図である。
FIG. 14 is a perspective view showing a semi-finished product of the infrared data communication module divided in FIG. 13;

【図15】図14の半完成品をシールドケースに組み込
んだ状態の赤外線データ通信モジュールの外観を示す斜
視図である。
15 is a perspective view showing an appearance of the infrared data communication module in a state where the semi-finished product of FIG. 14 is incorporated in a shield case.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 回路基板 2A 集合回路基板 2a、2b、2c 電子部品実装用電極パターン 3 赤外LED素子 4 フォトダイオード 5 集積回路 6 銀ペースト 7 封止樹脂 7a、7b 半球型レンズ部 8 シールドケース 9 マザーボードのGND電極 10 半田 11 スルーホール 11a スルーホール電極 12 ボンディングワイヤー 13 X方向カットライン 14 Y方向カットライン 20 赤外線データ通信モジュール 20A 赤外線データ通信モジュール集合体 21 Niメッキ層 22 マスキングテープ 23 マスク型 24 レジスト膜 25 ダイシングテープ DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 Circuit board 2A Collective circuit board 2a, 2b, 2c Electrode pattern for mounting electronic components 3 Infrared LED element 4 Photodiode 5 Integrated circuit 6 Silver paste 7 Sealing resin 7a, 7b Hemispherical lens section 8 Shield case 9 Motherboard GND Electrode 10 Solder 11 Through hole 11a Through hole electrode 12 Bonding wire 13 X direction cut line 14 Y direction cut line 20 Infrared data communication module 20A Infrared data communication module assembly 21 Ni plating layer 22 Masking tape 23 Mask type 24 Resist film 25 Dicing tape

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラスエポキシ樹脂よりなる多数個取り
する集合回路基板の各列毎に、上下面導電パターン接続
用の複数個のスルーホールを穴明けするスルーホール加
工工程と、前記スルーホールの各列間の所定位置にメッ
キ処理により前記スルーホール内面を含む集合回路基板
の全面にメッキ層を形成するメッキ工程と、メッキレジ
ストをラミネートし、露光現像後パターンマスクを形成
し、パターンエッチングを行い、集合回路基板の上面に
電子部品実装用電極パターンと、前記スルーホールにス
ルーホール電極を形成する電極パターン形成工程と、前
記集合回路基板の上面に発光素子、受光素子及びICチ
ップ等の電子部品を導電性接着剤で固着し、電気的に接
続する実装工程と、前記発光素子及び受光素子の上面
を、半球型レンズ部で覆うように透光性のエポキシ樹脂
で封止する樹脂封止工程と、前記封止樹脂の上面で半球
型レンズ部のみ露出するマスク型等のマスク部材でマス
クするマスキング工程と、前記封止樹脂の上面で露出し
た半球型レンズ部にレジスト液を塗布又は吹き付け、キ
ュアーすることにより、半球型レンズ部にレジスト膜を
形成するレジスト塗布工程と、前記封止樹脂の上面を覆
ったマスク型等のマスク部材を取り外した後、前記集合
回路基板の裏面にダイシングテープを貼付し、直交する
カットラインに沿って前記集合回路基板を完全に切断し
前記ダイシングテープの表面まで切り込むダイシング工
程と、前記分割された個々の回路基板がダイシングテー
プ上に貼付された状態でNiメッキを施し、エポキシ樹
脂よりなる封止樹脂の表面にNiメッキ層を形成するN
iメッキ工程と、前記レジスト膜の除去工程と、前記ダ
イシングテープ上から剥離し、単体の赤外線データ通信
モジュール完成品に分離するバラシ工程とよりなること
を特徴とする赤外線データ通信モジュールの製造方法。
1. A through-hole processing step of forming a plurality of through-holes for connecting upper and lower conductive patterns for each row of a plurality of collective circuit boards made of glass epoxy resin. A plating step of forming a plating layer on the entire surface of the collective circuit board including the inner surface of the through hole by plating at predetermined positions between rows, laminating a plating resist, forming a pattern mask after exposure and development, performing pattern etching, An electrode pattern for mounting electronic components on an upper surface of the integrated circuit board, an electrode pattern forming step of forming a through-hole electrode in the through hole, and an electronic component such as a light emitting element, a light receiving element, and an IC chip on the upper surface of the integrated circuit board. A mounting step of fixing with a conductive adhesive and electrically connecting the light emitting element and the light receiving element with a hemispherical lens unit. A resin sealing step of sealing with a translucent epoxy resin so as to cover; a masking step of masking with a mask member such as a mask type that exposes only a hemispherical lens portion on the upper surface of the sealing resin; A resist liquid is applied or sprayed onto the hemispherical lens portion exposed on the upper surface of the resin, and cured to form a resist film on the hemispherical lens portion, and a mask type or the like covering the upper surface of the sealing resin. After removing the mask member, a dicing tape is attached to the back surface of the collective circuit board, and the dicing step of completely cutting the collective circuit board along an orthogonal cut line and cutting to the surface of the dicing tape; and Ni plating is applied while the individual circuit boards are adhered to the dicing tape, and Ni plating is applied to the surface of the sealing resin made of epoxy resin. To form a N
A method for manufacturing an infrared data communication module, comprising: an i-plating step; a step of removing the resist film; and a balancing step of peeling off from the dicing tape and separating it into a single completed infrared data communication module.
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