JPH11154585A - サージアブソーバの封止方法 - Google Patents
サージアブソーバの封止方法Info
- Publication number
- JPH11154585A JPH11154585A JP31836697A JP31836697A JPH11154585A JP H11154585 A JPH11154585 A JP H11154585A JP 31836697 A JP31836697 A JP 31836697A JP 31836697 A JP31836697 A JP 31836697A JP H11154585 A JPH11154585 A JP H11154585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- surge absorber
- glass
- glass tube
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 封入ガスとしてどのような性状のガスを用い
た場合でもきわめて良好な封止特性を有したサージアブ
ソーバを製造する。 【解決手段】 封止電極１２にリード線１１を溶着す
る。次に、この封止電極１２の外周面にガラスビーズ１
３を外嵌し、還元性でない雰囲気中で加熱しガラスビー
ズ１３を封止電極１２に溶着させて封止体１５とする。
サージ吸収素子及びこの封止体１５をガラス管１４に挿
入した後、カーボンヒーターにて封入ガス雰囲気中で加
熱し、ガラスビーズ１３とガラス管１４とを溶着する。
た場合でもきわめて良好な封止特性を有したサージアブ
ソーバを製造する。 【解決手段】 封止電極１２にリード線１１を溶着す
る。次に、この封止電極１２の外周面にガラスビーズ１
３を外嵌し、還元性でない雰囲気中で加熱しガラスビー
ズ１３を封止電極１２に溶着させて封止体１５とする。
サージ吸収素子及びこの封止体１５をガラス管１４に挿
入した後、カーボンヒーターにて封入ガス雰囲気中で加
熱し、ガラスビーズ１３とガラス管１４とを溶着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス管内にガスが
封入されたサージアブソーバを製造するための封止方法
に関する。
封入されたサージアブソーバを製造するための封止方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器に印加されるサージ電圧を吸収
するためのサージアブソーバとして、サージ吸収素子を
封入ガスとともにガラス管に挿入し、該ガラス管の端部
にジュメット製の封止電極を挿入して加熱して封止（he
rmetic seal)したものがある。この場合、封止電極にガ
ラスビーズを外嵌させることにより、ガラス管として径
の大きなものが採用できるようになり、結果としてサー
ジアブソーバの放電開始電圧を高くすることができる。
するためのサージアブソーバとして、サージ吸収素子を
封入ガスとともにガラス管に挿入し、該ガラス管の端部
にジュメット製の封止電極を挿入して加熱して封止（he
rmetic seal)したものがある。この場合、封止電極にガ
ラスビーズを外嵌させることにより、ガラス管として径
の大きなものが採用できるようになり、結果としてサー
ジアブソーバの放電開始電圧を高くすることができる。
【０００３】封止電極にガラスビーズを外嵌させてサー
ジアブソーバを製作する場合、封止電極の外周面に酸化
膜（亜酸化銅）を形成しておき、封止電極にガラスビー
ズを外嵌させ、これをガラス管の両端に挿入し、カーボ
ンヒーターで封入ガス雰囲気中で加熱して封止電極とガ
ラスビーズとガラス管とを同時に封止することが行われ
ている。この封止電極は金属製であるが、この外周面に
亜酸化銅膜が存在するため、溶融軟化したガラスとの濡
れ性を有する。
ジアブソーバを製作する場合、封止電極の外周面に酸化
膜（亜酸化銅）を形成しておき、封止電極にガラスビー
ズを外嵌させ、これをガラス管の両端に挿入し、カーボ
ンヒーターで封入ガス雰囲気中で加熱して封止電極とガ
ラスビーズとガラス管とを同時に封止することが行われ
ている。この封止電極は金属製であるが、この外周面に
亜酸化銅膜が存在するため、溶融軟化したガラスとの濡
れ性を有する。
【０００４】図２（ａ）〜（ｃ）はこのサージアブソー
バの製造手順を示す断面図である。まず、カーボンヒー
タの下ヒータの封入部にガラス管５、ガラスビーズ９Ｂ
及びリード線７Ｂ付き封止電極６Ｂを順次挿入する。そ
して、このガラス管５内に、フランジ付キャップ電極８
Ａ，８Ｂを両端に被着したサージ吸収素子３を挿入する
（図２（ａ））。
バの製造手順を示す断面図である。まず、カーボンヒー
タの下ヒータの封入部にガラス管５、ガラスビーズ９Ｂ
及びリード線７Ｂ付き封止電極６Ｂを順次挿入する。そ
して、このガラス管５内に、フランジ付キャップ電極８
Ａ，８Ｂを両端に被着したサージ吸収素子３を挿入する
（図２（ａ））。
【０００５】次に、ガラス管５内のサージ吸収素子３の
キャップ電極８Ａのフランジ部に当接するようにガラス
ビーズ９Ａを挿入した後、リード線７Ａ付き封止電極６
Ａを振り込んだカーボンヒータの上ヒータをかぶせ（図
２（ｂ））、封止装置に入れ、５５０〜７５０℃で１〜
３分程度加熱して封着する（図２（ｃ））。
キャップ電極８Ａのフランジ部に当接するようにガラス
ビーズ９Ａを挿入した後、リード線７Ａ付き封止電極６
Ａを振り込んだカーボンヒータの上ヒータをかぶせ（図
２（ｂ））、封止装置に入れ、５５０〜７５０℃で１〜
３分程度加熱して封着する（図２（ｃ））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の封止方法に
おいては、加熱時に封止電極の表面の亜酸化銅膜が還元
され、ガラスの封止電極への濡れ性が低下し、封止不良
率を高めるおそれがある。
おいては、加熱時に封止電極の表面の亜酸化銅膜が還元
され、ガラスの封止電極への濡れ性が低下し、封止不良
率を高めるおそれがある。
【０００７】本発明は、このような問題点を解消し、ガ
ラス管の端部を確実に封止することができるサージアブ
ソーバの封止方法を提供することを目的とする。
ラス管の端部を確実に封止することができるサージアブ
ソーバの封止方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のサージアブソー
バの封止方法は、カーボンヒーターで加熱した封入ガス
中でサージ吸収素子のガス封止を行なうサージアブソー
バの封止方法において、先に金属若しくは合金よりな
り、外面に亜酸化銅の膜が設けられている封止電極と該
封止電極の外周に嵌合させたガラスビーズとを非還元性
雰囲気中で溶着させて封止体を作製し、ついでカーボン
ヒーターで加熱した封入ガス中で、該封止体とガラス管
とを用いて該サージ吸収素子をガス封止することを特徴
とするものである。
バの封止方法は、カーボンヒーターで加熱した封入ガス
中でサージ吸収素子のガス封止を行なうサージアブソー
バの封止方法において、先に金属若しくは合金よりな
り、外面に亜酸化銅の膜が設けられている封止電極と該
封止電極の外周に嵌合させたガラスビーズとを非還元性
雰囲気中で溶着させて封止体を作製し、ついでカーボン
ヒーターで加熱した封入ガス中で、該封止体とガラス管
とを用いて該サージ吸収素子をガス封止することを特徴
とするものである。
【０００９】かかるサージアブソーバの封止方法にあっ
ては、封止電極の外周面にガラスを溶着させる際の雰囲
気を非還元性雰囲気としているから、金属製の封止電極
表面の亜酸化銅膜が滅消することはなく、カーボンヒー
ターで加熱した封入ガス雰囲気中で加熱して封止する場
合に、ガラス管、ガラスビーズ及び封止電極が十分にな
じみ、確実に封止することができる。
ては、封止電極の外周面にガラスを溶着させる際の雰囲
気を非還元性雰囲気としているから、金属製の封止電極
表面の亜酸化銅膜が滅消することはなく、カーボンヒー
ターで加熱した封入ガス雰囲気中で加熱して封止する場
合に、ガラス管、ガラスビーズ及び封止電極が十分にな
じみ、確実に封止することができる。
【００１０】本発明は、封止時の雰囲気が還元性雰囲気
であっても確実に封止することができる。
であっても確実に封止することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して実施の形態
について説明する。図１は実施の形態に係るサージアブ
ソーバの封止方法を示す断面図である。
について説明する。図１は実施の形態に係るサージアブ
ソーバの封止方法を示す断面図である。
【００１２】まず、（ａ）図の通り封止電極１２にリー
ド線１１を溶接する。次に、（ｂ）図のようにこの封止
電極１２の外周面にガラスビーズ１３（短いガラスの筒
状体）を外嵌し、次いで還元性でない雰囲気中で加熱し
（ｃ）図の如くガラスビーズ１３を封止電極１２に溶着
させて封止体１５とする。
ド線１１を溶接する。次に、（ｂ）図のようにこの封止
電極１２の外周面にガラスビーズ１３（短いガラスの筒
状体）を外嵌し、次いで還元性でない雰囲気中で加熱し
（ｃ）図の如くガラスビーズ１３を封止電極１２に溶着
させて封止体１５とする。
【００１３】次いで、ガラス管１４の一端に封止体１５
を挿入し、次いでガラス管１４内にサージ吸収素子（図
示略）を挿入する。ガラスビーズ１３が溶着されたリー
ド線付き封止電極１２よりなる封止体１５を振り込んだ
カーボンヒーターの上ヒータをかぶせることにより、該
封止体１５をガラス管１５の他端に挿入する。なお、サ
ージ吸収素子をガラス管１４内に挿入した後、ガス置換
を行い封入ガス雰囲気とする。
を挿入し、次いでガラス管１４内にサージ吸収素子（図
示略）を挿入する。ガラスビーズ１３が溶着されたリー
ド線付き封止電極１２よりなる封止体１５を振り込んだ
カーボンヒーターの上ヒータをかぶせることにより、該
封止体１５をガラス管１５の他端に挿入する。なお、サ
ージ吸収素子をガラス管１４内に挿入した後、ガス置換
を行い封入ガス雰囲気とする。
【００１４】次に、該カーボンヒータ内で封入ガス雰囲
気中にて加熱し、ガラスビーズ１３とガラス管１４とを
溶着する。これにより、（ｅ）図に示すように両端が確
実に封止されたサージアブソーバ１６が作製される。
気中にて加熱し、ガラスビーズ１３とガラス管１４とを
溶着する。これにより、（ｅ）図に示すように両端が確
実に封止されたサージアブソーバ１６が作製される。
【００１５】なお、上記のガラス管１４はガラスビーズ
１３よりも軟化点が高いものが好ましい。
１３よりも軟化点が高いものが好ましい。
【００１６】封入ガスとしては、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘ
ｅなどの希ガスのほか、ＣＯ2 ，ＳＦ6 ，ＣＦ4 ，Ｃ2
Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，これらの混合ガスなどをも用いること
ができる。
ｅなどの希ガスのほか、ＣＯ2 ，ＳＦ6 ，ＣＦ4 ，Ｃ2
Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，これらの混合ガスなどをも用いること
ができる。
【００１７】封止電極としては、表面に酸化膜として亜
酸化銅層を形成したジュメット合金が好ましい。リード
線としては銅被覆鋼線などが用いられる。
酸化銅層を形成したジュメット合金が好ましい。リード
線としては銅被覆鋼線などが用いられる。
【００１８】
【実施例】実施例１ 封止電極、リード線、ガラスビーズ、ガラス管として次
の材料及び寸法よりなるものを用い、図１の手順に従っ
てサージアブソーバを作製した。
の材料及び寸法よりなるものを用い、図１の手順に従っ
てサージアブソーバを作製した。
【００１９】 封止電極：直径１．７ｍｍ、厚さ２．０ｍｍ、 材質：表面に亜酸化銅層が形成されたジュメット リード線：線径０．５ｍｍの銅被覆鋼線 ガラスビーズ：軟化温度６００℃の鉛ガラス製 外径３．１ｍｍ、内径１．８ｍｍ、長さ２．０ｍｍ ガラス管：軟化温度７００℃の鉛ガラス製 外径５．１ｍｍ、内径３．２ｍｍ、長さ１４ｍｍ ガラスビーズの溶着温度は６６０℃とし、このときの雰
囲気はＡｒとした。
囲気はＡｒとした。
【００２０】ガラス管内の封入気体はＣＯ2 とし、封止
時の加熱温度及び時間は７２０℃×１．０ｍｉｎとし
た。
時の加熱温度及び時間は７２０℃×１．０ｍｉｎとし
た。
【００２１】得られたサージアブソーバについて封入状
態のＨｅリークチェックを行ったところＨｅの検出量は
１×１０-9ａｔｍ・ｃｃ／ｓｅｃ以下と封止状態がきわ
めて良好であることが認められた。
態のＨｅリークチェックを行ったところＨｅの検出量は
１×１０-9ａｔｍ・ｃｃ／ｓｅｃ以下と封止状態がきわ
めて良好であることが認められた。
【００２２】実施例２ 封入気体をアルゴンとしたこと以外は実施例１と同様に
してサージアブソーバを作成した。得られたサージアブ
ソーバについて封入状態のＨｅリークチェックを行った
ところＨｅの検出量は１×１０-9ａｔｍ・ｃｃ／ｓｅｃ
以下と封止状態がきわめて良好であることが認められ
た。
してサージアブソーバを作成した。得られたサージアブ
ソーバについて封入状態のＨｅリークチェックを行った
ところＨｅの検出量は１×１０-9ａｔｍ・ｃｃ／ｓｅｃ
以下と封止状態がきわめて良好であることが認められ
た。
【００２３】比較例１ ガラスビーズを予め封止電極に溶着させることなく、封
止電極、ガラスビーズ及びガラス管を同時に溶着させる
ようにしたこと以外は実施例１と同様にしてサージアブ
ソーバを作成した。得られたサージアブソーバについて
封入状態のＨｅリークチェックを行ったところＨｅの検
出量は１×１０-5ａｔｍ・ｃｃ／ｓｅｃと封止特性に劣
ることが認められた。
止電極、ガラスビーズ及びガラス管を同時に溶着させる
ようにしたこと以外は実施例１と同様にしてサージアブ
ソーバを作成した。得られたサージアブソーバについて
封入状態のＨｅリークチェックを行ったところＨｅの検
出量は１×１０-5ａｔｍ・ｃｃ／ｓｅｃと封止特性に劣
ることが認められた。
【００２４】比較例２ 封入気体をアルゴンとしたこと以外は比較例１と同様に
してサージアブソーバを作製した。得られたサージアブ
ソーバについて封入状態のＨｅリークチェックを行った
ところＨｅの検出量は１×１０-9ａｔｍ・ｃｃ／ｓｅｃ
以下と封止状態がきわめて良好であることが認められ
た。
してサージアブソーバを作製した。得られたサージアブ
ソーバについて封入状態のＨｅリークチェックを行った
ところＨｅの検出量は１×１０-9ａｔｍ・ｃｃ／ｓｅｃ
以下と封止状態がきわめて良好であることが認められ
た。
【００２５】これらの実施例１，２及び比較例１，２よ
り、本発明方法によると封入性ガスとしてどのような性
状のガスを用いた場合でもきわめて良好な封止特性を有
したサージアブソーバを製造できることが認められる。
り、本発明方法によると封入性ガスとしてどのような性
状のガスを用いた場合でもきわめて良好な封止特性を有
したサージアブソーバを製造できることが認められる。
【００２６】
【発明の効果】以上の通り、本発明方法によると封入ガ
スとしてどのような性状のガスを用いてカーボンヒータ
ーで封止する場合でもきわめて良好な封止特性を有した
サージアブソーバを製造できる。本発明によれば、ガラ
ス管の管径が大きく放電開始電圧が高いサージアブソー
バを効率良く作製できる。
スとしてどのような性状のガスを用いてカーボンヒータ
ーで封止する場合でもきわめて良好な封止特性を有した
サージアブソーバを製造できる。本発明によれば、ガラ
ス管の管径が大きく放電開始電圧が高いサージアブソー
バを効率良く作製できる。
【図１】実施の形態に係るサージアブソーバの封止方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】従来のサージアブソーバの封止方法を示す断面
図である。
図である。
５，１４ ガラス管 ６Ａ，６Ｂ，１２ 封止電極 ７Ａ，７Ｂ，１１ リード線 ９Ａ，９Ｂ，１３ ガラスビーズ １５ 封止体 １６ サージアブソーバ
Claims (1)
- 【請求項１】 カーボンヒーターで加熱した封入ガス中
でサージ吸収素子のガス封止を行なうサージアブソーバ
の封止方法において、先に金属若しくは合金よりなり、
外面に亜酸化銅の膜が設けられている封止電極と該封止
電極の外周に嵌合させたガラスビーズとを非還元性雰囲
気中で溶着させて封止体を作製し、ついでカーボンヒー
ターで加熱した封入ガス中で、該封止体とガラス管とを
用いて該サージ吸収素子をガス封止することを特徴とす
るサージアブソーバの封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31836697A JPH11154585A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | サージアブソーバの封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31836697A JPH11154585A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | サージアブソーバの封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154585A true JPH11154585A (ja) | 1999-06-08 |
Family
ID=18098355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31836697A Pending JPH11154585A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | サージアブソーバの封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11154585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1037345A1 (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-20 | Yang, Bing Lin | Surge absorber without chips |
| KR100361558B1 (ko) * | 1998-04-27 | 2003-04-11 | 빙린 양 | 칩없는서지흡수기 |
-
1997
- 1997-11-19 JP JP31836697A patent/JPH11154585A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361558B1 (ko) * | 1998-04-27 | 2003-04-11 | 빙린 양 | 칩없는서지흡수기 |
| EP1037345A1 (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-20 | Yang, Bing Lin | Surge absorber without chips |
| SG93229A1 (en) * | 1999-03-16 | 2002-12-17 | Lin Yang Bing | Surge absorber without chips |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021203 |