JPH11154325A - 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクInfo
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- JPH11154325A JPH11154325A JP26990798A JP26990798A JPH11154325A JP H11154325 A JPH11154325 A JP H11154325A JP 26990798 A JP26990798 A JP 26990798A JP 26990798 A JP26990798 A JP 26990798A JP H11154325 A JPH11154325 A JP H11154325A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度記録が可能な程度に十分な平清度を有
し、かつ、記録エリアを周縁にまで拡大することを可能
とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供す
る。 【構成】 円板状ガラス基板の主表面に、研削、硬質ポ
リシャを使用する第１研磨及び軟質ポリシャを使用する
第２研磨を順次施して前記主表面を鏡面にする磁気ディ
スク用ガラス基板の製造方法において、少なくとも第２
研磨を、酸化セリウム、酸化ジルコン、コロイダルシリ
カから選ばれる研磨剤で研磨することを特徴とする。
し、かつ、記録エリアを周縁にまで拡大することを可能
とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供す
る。 【構成】 円板状ガラス基板の主表面に、研削、硬質ポ
リシャを使用する第１研磨及び軟質ポリシャを使用する
第２研磨を順次施して前記主表面を鏡面にする磁気ディ
スク用ガラス基板の製造方法において、少なくとも第２
研磨を、酸化セリウム、酸化ジルコン、コロイダルシリ
カから選ばれる研磨剤で研磨することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高密度記録を可能と
する磁気ディスクに用いる磁気ディスク用ガラス基板の
製造方法及びその製造方法によって製造された磁気ディ
スク用ガラス基板並びに該磁気ディスク用ガラス基板を
用いた磁気ディスクに関する。
する磁気ディスクに用いる磁気ディスク用ガラス基板の
製造方法及びその製造方法によって製造された磁気ディ
スク用ガラス基板並びに該磁気ディスク用ガラス基板を
用いた磁気ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板を用いた磁気ディスクにおい
ても、記録容量の向上に対する要請は強く、高密度記録
化や記録エリアの拡大が急務となっている。
ても、記録容量の向上に対する要請は強く、高密度記録
化や記録エリアの拡大が急務となっている。
【０００３】高密度の記録を可能にするためには、ガラ
ス基板の記録部となる表面（以下、主表面という）をで
きるだけ平滑にする必要があり、一方、記録エリアを拡
大するためにはこの平滑な領域をできるだけ広く確保す
る必要がある。
ス基板の記録部となる表面（以下、主表面という）をで
きるだけ平滑にする必要があり、一方、記録エリアを拡
大するためにはこの平滑な領域をできるだけ広く確保す
る必要がある。
【０００４】ところで、アルミニウム合金に金属メッキ
した基板や結晶化ガラス基板については、高密度記録を
可能とするためにその表面を高精度に平滑化する試みは
行われている（例えば、特開昭６０−２２９２３４号公
報、特公昭６２−４０１４０号公報参照）が、ガラス基
板についてはそのような観点での表面平滑化は未だ行わ
れていないのが実情である。
した基板や結晶化ガラス基板については、高密度記録を
可能とするためにその表面を高精度に平滑化する試みは
行われている（例えば、特開昭６０−２２９２３４号公
報、特公昭６２−４０１４０号公報参照）が、ガラス基
板についてはそのような観点での表面平滑化は未だ行わ
れていないのが実情である。
【０００５】
【発明が解決しようとする謀題】そこで、本発明者は、
円板状ガラス基板について基板全域に高密度記録を可能
とすべく高精度に平滑化する試みを行った。なお、よく
知られているように、ガラスの表面仕上げの工程は、大
きく分けて、（ｌ）荒ずり（粗研削）、（２）砂掛け
（精研削）、（３）研磨の各工程からなる。このうち、
（２）の砂掛け工程は、いわゆるラッピングと呼ばれ、
加工物の寸法精度・形状精度の向上を目的とする。ま
た、（３）の研磨工程はポリシングと呼ばれ、面の平滑
さの向上（表面粗さの低減）と加工歪を小さくすること
を目的とする。そして、この（３）の研磨工程は通常さ
らに２工程に分かれ、硬質ポリシャを使用する第１研磨
工程と、軟質ポリシャを使用する第２研磨（ファイナル
研磨）工程とからなる。ここでは、第２研磨工程で考え
られる最高度に近い研磨を施した。
円板状ガラス基板について基板全域に高密度記録を可能
とすべく高精度に平滑化する試みを行った。なお、よく
知られているように、ガラスの表面仕上げの工程は、大
きく分けて、（ｌ）荒ずり（粗研削）、（２）砂掛け
（精研削）、（３）研磨の各工程からなる。このうち、
（２）の砂掛け工程は、いわゆるラッピングと呼ばれ、
加工物の寸法精度・形状精度の向上を目的とする。ま
た、（３）の研磨工程はポリシングと呼ばれ、面の平滑
さの向上（表面粗さの低減）と加工歪を小さくすること
を目的とする。そして、この（３）の研磨工程は通常さ
らに２工程に分かれ、硬質ポリシャを使用する第１研磨
工程と、軟質ポリシャを使用する第２研磨（ファイナル
研磨）工程とからなる。ここでは、第２研磨工程で考え
られる最高度に近い研磨を施した。
【０００６】ところが、このような研磨仕上げを施した
場合、平滑度については十分な精度が得られるが、基板
の外周端部（基板周縁）に磁気ヘッドのフライングに有
害な隆起部が形成されることがわかった。
場合、平滑度については十分な精度が得られるが、基板
の外周端部（基板周縁）に磁気ヘッドのフライングに有
害な隆起部が形成されることがわかった。
【０００７】すなわち、表面形状測定器（ＲＡＮＫ Ｔ
ＡＹＬ０Ｒ Ｈ０ＢＳ０Ｎ社のＴａｌｙｓｕｆｆ）を用
い、図９に示されるように、ガラス基板２の外周端部か
ら約１０ｍｍ中心に向かった位置Ａから外周端部Ｂまで
触針（ｓｔｙｌｕｓ）を移動ざせてガラス基板１の直径
方向の真直精度を測定したところ、図１０に示されるよ
うな結果が得られた。これによれば、ガラス基板の外周
端部近傍に隆起部（額縁）１ｃが形成され、この隆起部
１ｃから外周端面に移行する部位に縁だれが形成されて
いることが確認され、この隆起部１ｃの高さが高いた
め、磁気ヘッドのフライングに支障をきたすおそれがあ
ることが確認された。ここで、隆起部１Ｃの表面を以下
スキージャンプといい、また、縁だれの表面をロールオ
フということにする。また、この場合、平坦面を基準と
したスキージャンプの最大高さ（平坦面とスキージャン
プの頂点との距離）Ｓをスキージャンプの値といい、ま
た、スキージャンプの頂点から研磨面と面取面との境界
部までの距離Ｒをロールオフの値ということにする。そ
うすると、スキージャンプの値Ｓが０．４５μｍであっ
た。スキージャンプの値がこのように大きいと、磁気ヘ
ッドがこの部分をフライングすることができなくなるの
で、この部分を有効な記録部にすることはできない。そ
れゆえ、記録エリアがその分狭められてしまうという間
題があった。
ＡＹＬ０Ｒ Ｈ０ＢＳ０Ｎ社のＴａｌｙｓｕｆｆ）を用
い、図９に示されるように、ガラス基板２の外周端部か
ら約１０ｍｍ中心に向かった位置Ａから外周端部Ｂまで
触針（ｓｔｙｌｕｓ）を移動ざせてガラス基板１の直径
方向の真直精度を測定したところ、図１０に示されるよ
うな結果が得られた。これによれば、ガラス基板の外周
端部近傍に隆起部（額縁）１ｃが形成され、この隆起部
１ｃから外周端面に移行する部位に縁だれが形成されて
いることが確認され、この隆起部１ｃの高さが高いた
め、磁気ヘッドのフライングに支障をきたすおそれがあ
ることが確認された。ここで、隆起部１Ｃの表面を以下
スキージャンプといい、また、縁だれの表面をロールオ
フということにする。また、この場合、平坦面を基準と
したスキージャンプの最大高さ（平坦面とスキージャン
プの頂点との距離）Ｓをスキージャンプの値といい、ま
た、スキージャンプの頂点から研磨面と面取面との境界
部までの距離Ｒをロールオフの値ということにする。そ
うすると、スキージャンプの値Ｓが０．４５μｍであっ
た。スキージャンプの値がこのように大きいと、磁気ヘ
ッドがこの部分をフライングすることができなくなるの
で、この部分を有効な記録部にすることはできない。そ
れゆえ、記録エリアがその分狭められてしまうという間
題があった。
【０００８】そこで、本発明者がこの原因を究明したし
たところ、第２研磨（ファイナル研磨）工程の前の工程
である第１研磨工程を終了した段階においては、図１１
に示されるように、スキージャンプの値Ｓが十分に小さ
い値を有していることが判明した。したがって、スキー
ジャンプの値Ｓが大きくなるのは第２研磨工程に原因が
あるということが判明した。
たところ、第２研磨（ファイナル研磨）工程の前の工程
である第１研磨工程を終了した段階においては、図１１
に示されるように、スキージャンプの値Ｓが十分に小さ
い値を有していることが判明した。したがって、スキー
ジャンプの値Ｓが大きくなるのは第２研磨工程に原因が
あるということが判明した。
【０００９】この発明は、上述の背景のもとでなされた
ものであり、高密度記録が可能な程度に十分な平滑度を
有し、かつ、記録エリアを周縁にまで拡大することを可
能とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及びその
製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板
並びに該磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディス
クを提供することを目的としたものである。
ものであり、高密度記録が可能な程度に十分な平滑度を
有し、かつ、記録エリアを周縁にまで拡大することを可
能とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及びその
製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板
並びに該磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディス
クを提供することを目的としたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに第１の発明は、円板状ガラス基板の主表面に、研
削、硬質ポリシャを使用する第１研磨及び軟質ポリシャ
を使用する第２研磨を順次施して前記主表面を鏡面にす
る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記
第２研磨を、酸化セリウム、酸化ジルコン、コロイダル
シリカから選ばれる研磨剤で研磨することを特徴とする
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。
めに第１の発明は、円板状ガラス基板の主表面に、研
削、硬質ポリシャを使用する第１研磨及び軟質ポリシャ
を使用する第２研磨を順次施して前記主表面を鏡面にす
る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記
第２研磨を、酸化セリウム、酸化ジルコン、コロイダル
シリカから選ばれる研磨剤で研磨することを特徴とする
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法である。
【００１１】第２の発明は、円板状ガラス基板の主表面
に、研削、硬質ポリシャを使用する第１研磨及び軟質ポ
リシャを使用する第２研磨を順次施して前記主表面を鏡
面にする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法におい
て、前記第１研磨及び第２研磨を、酸化セリウム、酸化
ジルコン、コロイダルシリカから選ばれる研磨剤で研磨
することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造
方法である。
に、研削、硬質ポリシャを使用する第１研磨及び軟質ポ
リシャを使用する第２研磨を順次施して前記主表面を鏡
面にする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法におい
て、前記第１研磨及び第２研磨を、酸化セリウム、酸化
ジルコン、コロイダルシリカから選ばれる研磨剤で研磨
することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造
方法である。
【００１２】第３の発明は、第１又は第２の発明にかか
る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で製造されたこ
とを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板である。
る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法で製造されたこ
とを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板である。
【００１３】第４の発明は、第３の発明にかかる磁気デ
ィスク用ガラス基板の主表面上に磁性膜を含む膜が形成
されてなることを特徴とする磁気ディスクである。
ィスク用ガラス基板の主表面上に磁性膜を含む膜が形成
されてなることを特徴とする磁気ディスクである。
【００１４】上述の発明の方法によれば、高密度記録が
可能な程度に十分な平滑度を有し、かつ、有効な記録エ
リアを周縁にまで拡大することを可能とする磁気ディス
ク用ガラス基板が得られることが確認された。この結果
は、本発明者が、上述の解明結果に基づき、従来のガラ
スの研磨工程の常識にこだわることなく広く研磨条件を
変えて種々実験した結果、はじめて得られたものであ
る。
可能な程度に十分な平滑度を有し、かつ、有効な記録エ
リアを周縁にまで拡大することを可能とする磁気ディス
ク用ガラス基板が得られることが確認された。この結果
は、本発明者が、上述の解明結果に基づき、従来のガラ
スの研磨工程の常識にこだわることなく広く研磨条件を
変えて種々実験した結果、はじめて得られたものであ
る。
【００１５】
【実施例】（磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一
実施例）図１は第１及び第２研磨工程説明図、図２は砂
掛け工程説明図、図３は研磨加工後の測定値及び評価を
示す図、図４及び図５は研磨加工後の主表面のプロフィ
ールの測定例を示す図、図６はスキージャンプと加工圧
力及び加工時間との関係を示す図、図７はロールオフと
加工圧力及び加工時間との関係を示す図、図８は磁気ヘ
ッドとの接触状態測定説明図である。以下、これらの図
面を参照にしながら一実施例にかかる磁気ディスク用ガ
ラス基板の製造方法を説明する。
実施例）図１は第１及び第２研磨工程説明図、図２は砂
掛け工程説明図、図３は研磨加工後の測定値及び評価を
示す図、図４及び図５は研磨加工後の主表面のプロフィ
ールの測定例を示す図、図６はスキージャンプと加工圧
力及び加工時間との関係を示す図、図７はロールオフと
加工圧力及び加工時間との関係を示す図、図８は磁気ヘ
ッドとの接触状態測定説明図である。以下、これらの図
面を参照にしながら一実施例にかかる磁気ディスク用ガ
ラス基板の製造方法を説明する。
【００１６】この一実施例の方法の工程は、大きく分け
て、（ｌ）荒ずり（粗研削）、（２）砂掛け（精研
削）、（３）第１研磨、（４）第２研磨（ファイナル研
磨）の各工程からなり、これらの工程の内、（４）第２
研磨（ファイナル研磨）が本発明の特徴点をなすもので
ある。以下、これら工程を詳細に説明する。
て、（ｌ）荒ずり（粗研削）、（２）砂掛け（精研
削）、（３）第１研磨、（４）第２研磨（ファイナル研
磨）の各工程からなり、これらの工程の内、（４）第２
研磨（ファイナル研磨）が本発明の特徴点をなすもので
ある。以下、これら工程を詳細に説明する。
【００１７】（１）荒ずり工程 まず、直径９６ｍｍφ、厚さ３ｍｍの円板状にプレス成
形されたアルミノシリケートガラスからなるガラス基板
を、比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径
９６ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍに形成する。
形されたアルミノシリケートガラスからなるガラス基板
を、比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径
９６ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍに形成する。
【００１８】次に、上記砥石より粒度の細かいダイヤモ
ンド砥石で上記ガラス基板の両面を片面ずつ研削加工す
る。このときの荷重は１００Ｋｇ程度とする。これによ
り、両面の表面粗さをＲｍａｘで１０μ程度に仕上げ
る。
ンド砥石で上記ガラス基板の両面を片面ずつ研削加工す
る。このときの荷重は１００Ｋｇ程度とする。これによ
り、両面の表面粗さをＲｍａｘで１０μ程度に仕上げ
る。
【００１９】次いで、円筒状の砥石を用いてガラス基板
の中央部分に孔を開けるとともに、外周端面も研削して
直径を９５ｍｍφにした後、外周端面及び内周面に所定
の面取加工を施す。
の中央部分に孔を開けるとともに、外周端面も研削して
直径を９５ｍｍφにした後、外周端面及び内周面に所定
の面取加工を施す。
【００２０】（２）砂掛け工程 次に砂掛け加工を施す。この砂掛け加工は、図２にその
概略断面で示したような研磨装置を用いて行い、砥粒の
粒度を＃４００、＃１０００と変えて２回行う。
概略断面で示したような研磨装置を用いて行い、砥粒の
粒度を＃４００、＃１０００と変えて２回行う。
【００２１】ここで、図２において、符号１はガラス基
板、符号２はガラス基板１より厚さのやや薄いキャリ
ア、符号１０．１１は鋳鉄からなるラップ盤、符号６は
内側ギア、符号７は外側ギア、符号９はアルミナ砥粒で
ある。
板、符号２はガラス基板１より厚さのやや薄いキャリ
ア、符号１０．１１は鋳鉄からなるラップ盤、符号６は
内側ギア、符号７は外側ギア、符号９はアルミナ砥粒で
ある。
【００２２】はじめに粒度＃４００のアルミナ砥粒を用
い、荷重Ｌを１００Ｋｇ程度に設定して内側ギア６と外
側ギア７とを回転させることにより、キャリア２内に収
納したガラス基板１の両面を面精度０〜１μ、表面粗さ
Ｒｍａｘ ６μ程度にラッピングする。
い、荷重Ｌを１００Ｋｇ程度に設定して内側ギア６と外
側ギア７とを回転させることにより、キャリア２内に収
納したガラス基板１の両面を面精度０〜１μ、表面粗さ
Ｒｍａｘ ６μ程度にラッピングする。
【００２３】次いで、アルミナ砥粒を＃１０００に変え
て面精度０〜１μ、表面粗さＲｍａｘ２μ程度にラッピ
ングする。
て面精度０〜１μ、表面粗さＲｍａｘ２μ程度にラッピ
ングする。
【００２４】（３）第１研磨工程 次に、第１研磨加工を施す。この第１研磨加工は、図１
にその概略断面で示したような研磨装置を用いて行い、
上述の砂掛け工程で残留したキズや歪みを除去するもの
である。ここで、図１に示される研磨装置は、図２に示
した研磨装置におけるラップ盤の代わりに内表面にポリ
シャ５を接着した定盤３，４を用いる点と、アルミナ砥
粒９を用いる代わりに、粒径１μｍの酸化セリウムを水
で溶いた研磨液９ａを用いる点のみが上記図２に示され
る場合と異なるほかは同じである。
にその概略断面で示したような研磨装置を用いて行い、
上述の砂掛け工程で残留したキズや歪みを除去するもの
である。ここで、図１に示される研磨装置は、図２に示
した研磨装置におけるラップ盤の代わりに内表面にポリ
シャ５を接着した定盤３，４を用いる点と、アルミナ砥
粒９を用いる代わりに、粒径１μｍの酸化セリウムを水
で溶いた研磨液９ａを用いる点のみが上記図２に示され
る場合と異なるほかは同じである。
【００２５】この第１研磨工程では、ポリシャ５とし
て、硬質ポリシャ（スピードファム社製の商品名「セリ
ウムパッドＭＨＣ１５」）を用い、以下の研磨条件で行
った。 研磨液一酸化セリウム＋水 荷重…３００ｇ／ｃｍ2 （Ｌ＝２３８Ｋｇ） 研磨時間…１５分 除去量…３０μ 下定盤回転数…４０ＲＰＭ 上定盤回転数…３５ＲＰＭ 内ギア回転数…１４ＲＰＭ 外ギア回転数…２９ＲＰＭ この第１研磨工程によって、ガラス基板１の表面粗さは
Ｒｍａｘ １００オングストローム、スクラッチ（クラ
ックを伴うキズ）は５０個程度であった。なお、このと
きのガラス基板１の直径方向の真直精度を、上述の表面
形状測定器（ＲＡＮＫ ＴＡＹＬ０Ｒ Ｈ０ＢＳ０Ｎ社
のＴａｌｙｓｕｒｆ）を用い、同様にして測定したとこ
ろ、図１１に示される場合と同様の結果が得られた。
て、硬質ポリシャ（スピードファム社製の商品名「セリ
ウムパッドＭＨＣ１５」）を用い、以下の研磨条件で行
った。 研磨液一酸化セリウム＋水 荷重…３００ｇ／ｃｍ2 （Ｌ＝２３８Ｋｇ） 研磨時間…１５分 除去量…３０μ 下定盤回転数…４０ＲＰＭ 上定盤回転数…３５ＲＰＭ 内ギア回転数…１４ＲＰＭ 外ギア回転数…２９ＲＰＭ この第１研磨工程によって、ガラス基板１の表面粗さは
Ｒｍａｘ １００オングストローム、スクラッチ（クラ
ックを伴うキズ）は５０個程度であった。なお、このと
きのガラス基板１の直径方向の真直精度を、上述の表面
形状測定器（ＲＡＮＫ ＴＡＹＬ０Ｒ Ｈ０ＢＳ０Ｎ社
のＴａｌｙｓｕｒｆ）を用い、同様にして測定したとこ
ろ、図１１に示される場合と同様の結果が得られた。
【００２６】（４）第２研磨工程 次に、第１研磨工程で用いた研磨装置（図１）を用い、
ポリシャ５を硬質ポリシャから軟質ポリシャ（スピード
ファム社製の商品名「ポリラックス」）に代えて第２研
磨加工を行った。この第２研磨工程では、加工圧力Ｐ
（ｇ／ｃｍ2 ）と加工時間ｔ（ｍｉｎ）との積であるＰ
ｔの値を、１０００＜Ｐｔ＜１５０００の範囲になるよ
うに設定した。この点は本発明の特徴点である。Ｐｔ値
をこの範囲に設定することにより、第１研磨で残存した
スクラッチを高密度記録に十分に耐える程度に減少させ
ると同時に、ガラス基板１のスキージャンプの値（Ｓ）
とロールオフの値（ｒ）とを、この近傍を磁気ヘッドが
支障なくフライングできる程度に小さくすることができ
た。なお、このときの他の研磨条件は第１研磨工程の場
合と同じである。
ポリシャ５を硬質ポリシャから軟質ポリシャ（スピード
ファム社製の商品名「ポリラックス」）に代えて第２研
磨加工を行った。この第２研磨工程では、加工圧力Ｐ
（ｇ／ｃｍ2 ）と加工時間ｔ（ｍｉｎ）との積であるＰ
ｔの値を、１０００＜Ｐｔ＜１５０００の範囲になるよ
うに設定した。この点は本発明の特徴点である。Ｐｔ値
をこの範囲に設定することにより、第１研磨で残存した
スクラッチを高密度記録に十分に耐える程度に減少させ
ると同時に、ガラス基板１のスキージャンプの値（Ｓ）
とロールオフの値（ｒ）とを、この近傍を磁気ヘッドが
支障なくフライングできる程度に小さくすることができ
た。なお、このときの他の研磨条件は第１研磨工程の場
合と同じである。
【００２７】図３は、第２研磨加工における加工圧力Ｐ
（ｇ／ｃｍ2 ）と加工時間ｔ（ｍｉｎ）を種々変えて得
た各ガラス基板について、スキージャンプの値（ｓ）と
ロールオフの値（ｒ）とを実測し、また、各ガラス基板
について、磁気ヘッドによるフライングの可否を調べ、
さらには、各ガラス基板の表面に残存するスクラッチの
数を検査するとともに、これらの結果に基づく評価を示
したものである。また、図４及び図５はスキージャンプ
の値（ｓ）とロールオフの値（ｒ）との実測の際に求め
た主表面プロフィールの測定例を示したものであり、図
６及び図７はこの実測結果に基づいて、加工圧力をバラ
メータとして、加工時間とスキージャンプとの関係、並
びに、加工時間とロールオフとの関係をグラフに示した
ものである。なお、この場合、スキージャンプの値
（Ｓ）とロールオフの値（ｒ）との実測は、上述の表面
形状測定器（ＲＡＮＫ ＴＡＹＬ０Ｒ Ｈ０ＢＳ０Ｎ社
のＴａｌｙｓｕｆｆ）を用い、図９に示される方法で図
１０及び図１１に示された結果を得た場合の測定方法と
同じ方法を用いた。
（ｇ／ｃｍ2 ）と加工時間ｔ（ｍｉｎ）を種々変えて得
た各ガラス基板について、スキージャンプの値（ｓ）と
ロールオフの値（ｒ）とを実測し、また、各ガラス基板
について、磁気ヘッドによるフライングの可否を調べ、
さらには、各ガラス基板の表面に残存するスクラッチの
数を検査するとともに、これらの結果に基づく評価を示
したものである。また、図４及び図５はスキージャンプ
の値（ｓ）とロールオフの値（ｒ）との実測の際に求め
た主表面プロフィールの測定例を示したものであり、図
６及び図７はこの実測結果に基づいて、加工圧力をバラ
メータとして、加工時間とスキージャンプとの関係、並
びに、加工時間とロールオフとの関係をグラフに示した
ものである。なお、この場合、スキージャンプの値
（Ｓ）とロールオフの値（ｒ）との実測は、上述の表面
形状測定器（ＲＡＮＫ ＴＡＹＬ０Ｒ Ｈ０ＢＳ０Ｎ社
のＴａｌｙｓｕｆｆ）を用い、図９に示される方法で図
１０及び図１１に示された結果を得た場合の測定方法と
同じ方法を用いた。
【００２８】また、磁気ヘッドによるフライングの可否
については、図８に示されるように、ガラス基板１を回
転させた状態で、磁気ヘッド２０の読取り面をガラス基
板１の主表面から０．１μｍ離して該磁気ヘッド２０を
基板１の内周側から外周側に繰り返し１０回移動させて
接触の有無を調べることによって行った。接触の有無
は、磁気ヘッドの読取り面に取り付けたピエゾ素子によ
って検出した。また、磁気ヘッド２０は、該磁気ヘッド
２０の外端部がガラス基板１の外周端面から１ｍｍ内側
に位置するところで静止させた。
については、図８に示されるように、ガラス基板１を回
転させた状態で、磁気ヘッド２０の読取り面をガラス基
板１の主表面から０．１μｍ離して該磁気ヘッド２０を
基板１の内周側から外周側に繰り返し１０回移動させて
接触の有無を調べることによって行った。接触の有無
は、磁気ヘッドの読取り面に取り付けたピエゾ素子によ
って検出した。また、磁気ヘッド２０は、該磁気ヘッド
２０の外端部がガラス基板１の外周端面から１ｍｍ内側
に位置するところで静止させた。
【００２９】さらに、スクラッチ（クラックを伴うキズ
と、伴わないキズの両者を含む）のの検査は、ガラス基
板１に透過光をあて、顕微鏡でガラス基板１の全領域中
に残存するスクラッチの数を数えることによって行っ
た。
と、伴わないキズの両者を含む）のの検査は、ガラス基
板１に透過光をあて、顕微鏡でガラス基板１の全領域中
に残存するスクラッチの数を数えることによって行っ
た。
【００３０】そして、これらの結果の評価基準として
は、まず、磁気ヘッドによるフライングが４回以上でき
なかった場合は不適とした。また、スクラッチの数が１
１個以上観測されたものについても不適とした。図３で
は、この評価結果を下記の符号で示した。
は、まず、磁気ヘッドによるフライングが４回以上でき
なかった場合は不適とした。また、スクラッチの数が１
１個以上観測されたものについても不適とした。図３で
は、この評価結果を下記の符号で示した。
【００３１】「適」の評価 ◎……１０回全てフライング可 スクラッチなし ○……１０回全てフライング可 スクラッチ１〜５個あり △2 ……１０回全てフライング可 スクラッチ５〜１０個あり △1 ……１０回中１〜３回フライング不可 スクラッチなし「不適」の評価 ×1 …・１０回中４回以上フライング不可 スクラッチなし ×2 ……１０回全てフライング可 スクラッチ１１個以上あり 図３から、明らかなように、Ｐｔの値が１０００＜Ｐｔ
＜１５０００であれば、フライングに多少の不安が残
り、また、ガラス基板主表面にスクラッチが多少残存す
るが、実用的に問題ない範囲にあり、また、Ｐｔの値が
３０００＜Ｐｔ＜１００００（◎の場合）のときは、ス
キージャンプの値が０．３μｍ以下で、ロールオフの値
も０．５μｍとなり、スキージャンプの値が十分に低い
とともに、ロールオフの値が小さいことからそのスキー
ジャンプの頂点の位置も外周端部寄りに位置することに
なるので、フライングに支障をきたすおそれがさらに完
全になくなる。さらに、この場合には、スクラッチもほ
ぼ完全に除去されているので、高密度の記録を高品質で
行うことが可能となる。
＜１５０００であれば、フライングに多少の不安が残
り、また、ガラス基板主表面にスクラッチが多少残存す
るが、実用的に問題ない範囲にあり、また、Ｐｔの値が
３０００＜Ｐｔ＜１００００（◎の場合）のときは、ス
キージャンプの値が０．３μｍ以下で、ロールオフの値
も０．５μｍとなり、スキージャンプの値が十分に低い
とともに、ロールオフの値が小さいことからそのスキー
ジャンプの頂点の位置も外周端部寄りに位置することに
なるので、フライングに支障をきたすおそれがさらに完
全になくなる。さらに、この場合には、スクラッチもほ
ぼ完全に除去されているので、高密度の記録を高品質で
行うことが可能となる。
【００３２】（磁気ディスクの製造方法の一実施例）次
に、上述の一実施例にかかる磁気ディスク用ガラス基板
の製造方法によって得られたガラス基板を用いて磁気デ
ィスクを製造する方法の一実施例を説明する。まず、上
述の一実施例にかかる磁気ディスク用ガラス基板の製造
方法によって得られたガラス基板の表面を、イオン交換
によって表面部にあるＮａイオンをＫイオンに置換し、
化学強化する。
に、上述の一実施例にかかる磁気ディスク用ガラス基板
の製造方法によって得られたガラス基板を用いて磁気デ
ィスクを製造する方法の一実施例を説明する。まず、上
述の一実施例にかかる磁気ディスク用ガラス基板の製造
方法によって得られたガラス基板の表面を、イオン交換
によって表面部にあるＮａイオンをＫイオンに置換し、
化学強化する。
【００３３】次に、上記ガラス基板の一主表面に、Ｃｒ
膜（厚さ；１８００オングストローム）、ＣｒーＣｏー
Ｎｉ合金膜（同１０００オングストローム）、ＳｉＯ2
膜（同１０００オングストローム）を順次スパッタリン
グにより成膜して磁気ディスクを得る。
膜（厚さ；１８００オングストローム）、ＣｒーＣｏー
Ｎｉ合金膜（同１０００オングストローム）、ＳｉＯ2
膜（同１０００オングストローム）を順次スパッタリン
グにより成膜して磁気ディスクを得る。
【００３４】こうして得られた磁気ディスクにおいて、
ＣｒーＣｏーＮｉ合金膜が磁性膜であり、その下地層た
るＣｒ膜は磁性膜の磁気特性を向上させる下地膜であ
り、さらに、ＳｉＯ2 膜は保護膜である。
ＣｒーＣｏーＮｉ合金膜が磁性膜であり、その下地層た
るＣｒ膜は磁性膜の磁気特性を向上させる下地膜であ
り、さらに、ＳｉＯ2 膜は保護膜である。
【００３５】この磁気ディスクについて、上述の実施例
の場合と同様の磁気ヘッドのフライングテストを行った
ところ、磁気ヘッドと保護膜との接触は全く認められな
かった。
の場合と同様の磁気ヘッドのフライングテストを行った
ところ、磁気ヘッドと保護膜との接触は全く認められな
かった。
【００３６】また、この実施例による磁気ディスクと、
図１０に示されるような、従来の方法で製造した磁気デ
ィスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクとでは、磁気
ヘッドがフライングできる距離が約１ｍｍ異なることに
なる。これによる記憶容量の違いは約４％程度に相当す
る。さらに、磁性膜の下地となるガラス基板の主表面の
スクラッチが少ないので、情報の記録または読み出しの
際に誤差が生ずるおそれを防止できる。
図１０に示されるような、従来の方法で製造した磁気デ
ィスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクとでは、磁気
ヘッドがフライングできる距離が約１ｍｍ異なることに
なる。これによる記憶容量の違いは約４％程度に相当す
る。さらに、磁性膜の下地となるガラス基板の主表面の
スクラッチが少ないので、情報の記録または読み出しの
際に誤差が生ずるおそれを防止できる。
【００３７】なお、上述の各実施例においては、ガラス
基板を構成するガラス素材としてアルミノシリケートガ
ラスを用いた例をかかげたが、これは、ソーダライムガ
ラス、石英ガラス等の他のガラス素材を用いてもよい。
基板を構成するガラス素材としてアルミノシリケートガ
ラスを用いた例をかかげたが、これは、ソーダライムガ
ラス、石英ガラス等の他のガラス素材を用いてもよい。
【００３８】また、磁気ディスクを製造する際の化学強
化は必ずしも施さなくてもよい。
化は必ずしも施さなくてもよい。
【００３９】さらに、第１研磨工程で使用する硬質ポリ
シャの硬度は８０〜９５（ＪｌＳＫ６３０１Ａ 型）で
あり、第２研磨で使用する軟質ポリシャの硬度は６０〜
８０（ＪｌＳ Ｋ６３０１ Ａ型）季呈度が目安であ
り、軟質ポリシャとしては、スウェード、ベロアを素材
とするものが、また、硬質ポリシャとしては、硬質ベロ
ア、ウレタン発砲、ピッチ含浸スウェード等を使用する
ことができる。
シャの硬度は８０〜９５（ＪｌＳＫ６３０１Ａ 型）で
あり、第２研磨で使用する軟質ポリシャの硬度は６０〜
８０（ＪｌＳ Ｋ６３０１ Ａ型）季呈度が目安であ
り、軟質ポリシャとしては、スウェード、ベロアを素材
とするものが、また、硬質ポリシャとしては、硬質ベロ
ア、ウレタン発砲、ピッチ含浸スウェード等を使用する
ことができる。
【００４０】また、第１及び第２研磨工程で使用できる
研磨剤としては、他に、酸化ジルコン、コロイダルシリ
カ等が使用できる。
研磨剤としては、他に、酸化ジルコン、コロイダルシリ
カ等が使用できる。
【００４１】研磨方法は、両面研磨でなく、片面研磨で
もよく、ピッチポリシングあるいはフロートポリシング
等の手法を用いてもよい。
もよく、ピッチポリシングあるいはフロートポリシング
等の手法を用いてもよい。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明にかかる磁
気ディスク用ガラス基板の製造方法は、円板状ガラス基
板の主表面に、研削、硬質ポリシャを使用する第１研磨
及び軟質ポリシャを使用する第２研磨を順次施して前記
主表面を鏡面にする磁気ディスク用ガラス基板の製造方
法において、少なくとも第２研磨を、酸化セリウム、酸
化ジルコン、コロイダルシリカから選ばれる研磨剤で研
磨することを特徴とするもので、これにより、高密度記
録が可能な程度に十分な平滑度を有し、かつ、記録エリ
アを周縁にまで拡大することを可能とする磁気ディスク
用ガラス基板を得ることを可能としたものである。
気ディスク用ガラス基板の製造方法は、円板状ガラス基
板の主表面に、研削、硬質ポリシャを使用する第１研磨
及び軟質ポリシャを使用する第２研磨を順次施して前記
主表面を鏡面にする磁気ディスク用ガラス基板の製造方
法において、少なくとも第２研磨を、酸化セリウム、酸
化ジルコン、コロイダルシリカから選ばれる研磨剤で研
磨することを特徴とするもので、これにより、高密度記
録が可能な程度に十分な平滑度を有し、かつ、記録エリ
アを周縁にまで拡大することを可能とする磁気ディスク
用ガラス基板を得ることを可能としたものである。
【図１】第１及び第２研磨工程説明図である。
【図２】砂掛け加工工程説明図である。
【図３】研磨加工後の測定値及び評価示す図である。
【図４】研磨加工後の主表面のプロフィールの測定例を
示す図である。
示す図である。
【図５】研磨加工後の主表面のプロフィールの測定例を
示す図である。
示す図である。
【図６】スキージャンプと加工圧力及び加工時間との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図７】ロールオフと加工圧力及び加工時間との関係を
示す図である。
示す図である。
【図８】磁気ヘッドとの接触状態測定説明図である。
【図９】ガラス基板の直径方向の真直精度測定説明図で
ある。
ある。
【図１０】従来の第２研磨工程後のガラス基板の周縁部
の測定結果を示す図である。
の測定結果を示す図である。
【図１１】従来の第１研磨工程後のガラス基板の周縁部
の測定結果を示す図である。
の測定結果を示す図である。
１…ガラス基板、２…キャリア、３…下側定盤、４…上
側定盤、５…ポリシャ、６…内側ギア、７…外側ギア、
９…アルミナ砥粒、９ａ…研磨液、１０，１１…ラップ
盤。
側定盤、５…ポリシャ、６…内側ギア、７…外側ギア、
９…アルミナ砥粒、９ａ…研磨液、１０，１１…ラップ
盤。
Claims (4)
- 【請求項１】 円板状ガラス基板の主表面に、研削、硬
質ポリシャを使用する第１研磨及び軟質ポリシャを使用
する第２研磨を順次施して前記主表面を鏡面にする磁気
ディスク用ガラス基板の製造方法において、 前記第２研磨を、酸化セリウム、酸化ジルコン、コロイ
ダルシリカから選ばれる研磨剤で研磨することを特徴と
する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 - 【請求項２】 円板状ガラス基板の主表面に、研削、硬
質ポリシャを使用する第１研磨及び軟質ポリシャを使用
する第２研磨を順次施して前記主表面を鏡面にする磁気
ディスク用ガラス基板の製造方法において、 前記第１研磨及び第２研磨を、酸化セリウム、酸化ジル
コン、コロイダルシリカから選ばれる研磨剤で研磨する
ことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の磁気ディスク用
ガラス基板の製造方法で製造されたことを特徴とする磁
気ディスク用ガラス基板。 - 【請求項４】 請求項３に記載の磁気ディスク用ガラス
基板の主表面上に磁性膜を含む膜が形成されてなること
を特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26990798A JP3184495B2 (ja) | 1991-09-30 | 1998-09-24 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26990798A JP3184495B2 (ja) | 1991-09-30 | 1998-09-24 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25190591A Division JP3184261B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクの製造方法並びに磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154325A true JPH11154325A (ja) | 1999-06-08 |
| JP3184495B2 JP3184495B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=17478893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26990798A Expired - Lifetime JP3184495B2 (ja) | 1991-09-30 | 1998-09-24 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3184495B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250166A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-09-27 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| CN100343905C (zh) * | 2004-02-10 | 2007-10-17 | Tdk股份有限公司 | 磁记录媒体的制造方法 |
| US7429209B2 (en) | 2002-12-26 | 2008-09-30 | Hoya Corporation | Method of polishing a glass substrate for use as an information recording medium |
| US7500904B2 (en) | 2002-12-26 | 2009-03-10 | Hoya Corporation | Glass substrate for information recording medium and method for producing same |
| US9190096B2 (en) | 2008-10-17 | 2015-11-17 | Hoya Corporation | Method for producing glass substrate and method for producing magnetic recording medium |
-
1998
- 1998-09-24 JP JP26990798A patent/JP3184495B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7429209B2 (en) | 2002-12-26 | 2008-09-30 | Hoya Corporation | Method of polishing a glass substrate for use as an information recording medium |
| US7500904B2 (en) | 2002-12-26 | 2009-03-10 | Hoya Corporation | Glass substrate for information recording medium and method for producing same |
| CN100343905C (zh) * | 2004-02-10 | 2007-10-17 | Tdk股份有限公司 | 磁记录媒体的制造方法 |
| JP2007250166A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-09-27 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| US9190096B2 (en) | 2008-10-17 | 2015-11-17 | Hoya Corporation | Method for producing glass substrate and method for producing magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3184495B2 (ja) | 2001-07-09 |
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