JPH11153496A - Method and device for measuring temperature, etc., of machined surface of hard base and hard base for measurement - Google Patents
Method and device for measuring temperature, etc., of machined surface of hard base and hard base for measurementInfo
- Publication number
- JPH11153496A JPH11153496A JP31700797A JP31700797A JPH11153496A JP H11153496 A JPH11153496 A JP H11153496A JP 31700797 A JP31700797 A JP 31700797A JP 31700797 A JP31700797 A JP 31700797A JP H11153496 A JPH11153496 A JP H11153496A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hard substrate
- processing
- measuring
- temperature
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 105
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 30
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000010365 information processing Effects 0.000 claims description 7
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する分野】本発明は、半導体ウェハや磁気デ
ィスク基板といった硬質基板を、研削や研磨といった表
面加工する際の、加工中における加工面の温度や圧力、
ｐＨといった物理的または化学的な状態を測定し、この
測定結果を処理する硬質基板の加工面温度等の測定方
法、およびそれに使用される測定装置並びにその測定用
硬質基板に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for processing a surface of a hard substrate, such as a semiconductor wafer or a magnetic disk substrate, such as grinding or polishing, in which the temperature, pressure, etc.
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for measuring a physical surface or a chemical state such as pH, a method for measuring a processing surface temperature of a hard substrate for processing the measurement result, a measuring apparatus used for the method, and a hard substrate for the measurement.
【０００２】[0002]
【従来の技術】硬質基板の表面を加工するにあたって
は、その加工面における温度や圧力といった要件が、そ
の加工結果に影響を与えるため、これらの要件を測定し
て分析することにより、より高品質な硬質基板の製造方
法を開発することができる。そこで、例えば半導体ウェ
ハの研磨工程を例にとって、その研磨面の温度測定方法
をあげると次のようなものがある。 （１）研磨クロスを放射温度計でスポット測定する。 （２）研磨定盤の冷却水の排出側で、その排水温度の変
化を測定して解析することにより、半導体ウェハの温度
を類推する。 （３）研磨定盤の表面に熱電対を埋め込み、これにより
研磨クロスを介して半導体ウェハの温度を間接的に測定
する。2. Description of the Related Art When processing the surface of a hard substrate, requirements such as temperature and pressure on the processed surface affect the processing result. Therefore, by measuring and analyzing these requirements, higher quality can be obtained. It is possible to develop a method for manufacturing a rigid substrate. Therefore, taking a semiconductor wafer polishing process as an example, a method for measuring the temperature of the polished surface is as follows. (1) The polishing cloth is spot-measured with a radiation thermometer. (2) On the cooling water discharge side of the polishing table, the temperature of the semiconductor wafer is estimated by measuring and analyzing the change in the temperature of the discharged water. (3) A thermocouple is embedded in the surface of the polishing platen, whereby the temperature of the semiconductor wafer is indirectly measured via a polishing cloth.
【０００３】また、研磨面にかかる荷重の測定方法につ
いては、例えば研磨開始前において、半導体ウェハと保
持装置の間に圧力センサーを介在させ、保持装置および
研磨定盤を停止させた状態で保持装置を降下させること
により、荷重を測定していた。[0003] As for the method of measuring the load applied to the polished surface, for example, before starting the polishing, a pressure sensor is interposed between the semiconductor wafer and the holding device, and the holding device and the polishing platen are stopped. , The load was measured.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た温度測定方法は、加工中における硬質基板の加工面を
直接測定している訳ではなく、間接的測定または類推し
た値に過ぎない。また、半導体ウェハの研磨において
は、その加工面の外周部と中心部ではその温度が異なる
ことが予測され、この温度差が研磨における化学的作用
に大きく影響を与えることにより、部位による研磨レー
トの違いが生じることが指摘されているが、上記した温
度測定方法はこれを確証するものはなかった。However, the above-mentioned temperature measuring method does not directly measure the processed surface of the hard substrate during processing, but merely measures the value indirectly or by analogy. Also, in polishing a semiconductor wafer, it is predicted that the temperature is different between the outer peripheral portion and the central portion of the processed surface, and this temperature difference greatly affects the chemical action in polishing, so that the polishing rate by the portion is reduced. Although it is pointed out that a difference occurs, the temperature measurement method described above has not confirmed this.
【０００５】さらに、研磨荷重については、上記した測
定はあくまでも静止状態における測定であり、一旦研磨
が開始されると、研磨装置の揺動や、研磨布のうねりや
リバウンドといった静止状態では予測できない状態が加
わる。この不測の状態は加工面に大きな影響を与えるも
のと推測されているが、研磨中における研磨荷重分布を
実際に測定して、その影響を分析することはできない。[0005] Further, the above-mentioned measurement is a measurement in a stationary state, and once the polishing is started, the polishing load cannot be predicted in a stationary state such as a swing of a polishing apparatus, a undulation of a polishing pad, or a rebound. Is added. Although this unexpected state is presumed to have a large effect on the machined surface, it is impossible to actually measure the polishing load distribution during polishing and analyze the effect.
【０００６】すなわち、研磨や研削といった加工におい
ては、研磨クロスといった加工資材が硬質基板の加工面
に接触しており、一方反対側の面はトップリングといっ
た保持装置により保持されているため、直接その面を測
定することは困難であり、非接触の測定をするにしても
硬質基板自体が回転運動をしているため、部位ごとの状
態を正確に測定することはできなかった。That is, in the processing such as polishing and grinding, a processing material such as a polishing cloth is in contact with the processing surface of the hard substrate, and the opposite surface is directly held by a holding device such as a top ring. It is difficult to measure the surface, and even when non-contact measurement is performed, the state of each part cannot be accurately measured because the hard substrate itself is rotating.
【０００７】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、加工中の硬質基板の加工面の状態を直接測定するこ
とを目的とするものであり、しかも硬質基板の各部位ご
とにその測定をすることができる硬質基板の加工面温度
等の測定方法およびその測定装置並びにその測定用硬質
基板を提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to directly measure the state of a processing surface of a hard substrate being processed. It is an object of the present invention to provide a method of measuring a processing surface temperature or the like of a hard substrate, a measuring device thereof, and a hard substrate for the measurement.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】このため請求項１の発明
では、硬質基板の加工面の状態を感知するセンサーと、
該センサーからの情報を記録する記録手段が該硬質基板
の一部分に形成されているようにしたものである。According to the first aspect of the present invention, there is provided a sensor for sensing a state of a processed surface of a hard substrate,
Recording means for recording information from the sensor is formed on a part of the hard substrate.
【０００９】請求項２の発明では硬質基板の加工面の状
態を感知するセンサーが、該硬質基板の一部分内に設け
られ、該硬質基板の非加工面に該センサーに接続した回
路が設けられ、硬質基板の外に配置され、前記センサー
からの情報を記録する記録装置に該回路を接続できるよ
うにしたものである。前記センサーとしては、温度測定
用として熱起電力センサー、荷重測定用として圧電型半
導体が使用されるものがある。また、前記センサーに接
続した回路は非加工面である裏面に印刷したものを適用
することにより、その凹凸による加工面への影響を防止
できる。According to the second aspect of the present invention, a sensor for sensing the state of the processed surface of the hard substrate is provided in a part of the hard substrate, and a circuit connected to the sensor is provided on the non-processed surface of the hard substrate. The circuit can be connected to a recording device that is arranged outside the hard substrate and records information from the sensor. Some of the sensors use a thermoelectromotive force sensor for temperature measurement and a piezoelectric semiconductor for load measurement. In addition, by applying a circuit connected to the sensor printed on the back surface which is a non-processed surface, it is possible to prevent the unevenness from affecting the processed surface.
【００１０】請求項４の発明では、硬質基板の非加工面
に、温度変化により変色する変色部材を設けるようにし
たものである。この変色部材としては変色媒体である変
色塗料や変色ラベルといったものが適用される。According to a fourth aspect of the present invention, a discoloration member that discolors due to a temperature change is provided on the non-processed surface of the hard substrate. As the discoloration member, a discoloration paint or a discoloration label as a discoloration medium is applied.
【００１１】請求項７の発明では、硬質基板を研磨等の
加工する際の加工面について、温度や圧力といった加工
面の状態を測定するにあたり、前記加工面の状態を感知
するセンサーと、該センサーから情報を取り出す伝達手
段とを予め備えた測定用硬質基板を使用し、実際にこの
測定用硬質基板を所望の加工方法により加工することに
より、前記加工面の状態を測定するようにしたものであ
る。According to a seventh aspect of the present invention, in measuring a state of a processing surface such as a temperature or a pressure on a processing surface when processing a hard substrate such as polishing, a sensor for sensing the state of the processing surface, and the sensor And a transmitting means for extracting information from the hard substrate for measurement, which is provided in advance, and by actually processing the hard substrate for measurement by a desired processing method, the state of the processed surface is measured. is there.
【００１２】請求項８の発明では、硬質基板の非加工面
に、圧力または温度変化により変色する変色部材を配置
して、該硬質基板の加工面温度を測定する方法であっ
て、該変色部材の変色温度が多段階であるように設け、
前記硬質基板を所望の加工方法により加工するようにし
たものである。According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method for measuring a temperature of a processed surface of a hard substrate by disposing a color changing member which changes color due to pressure or temperature change on a non-processed surface of the hard substrate. Provided so that the discoloration temperature is multi-step,
The hard substrate is processed by a desired processing method.
【００１３】請求項９の発明では、硬質基板を保持装置
により保持して加工するにあたり、該硬質基板と該保持
装置との間に圧力センサーシートを介在させて、前記硬
質基板を加工するようにしたものである。According to the ninth aspect of the present invention, when the hard substrate is held and processed by the holding device, the pressure sensor sheet is interposed between the hard substrate and the holding device to process the hard substrate. It was done.
【００１４】請求項１０の発明では、加工面の状態を測
定する測定手段を有する硬質基板と、該硬質基板の測定
情報を処理する情報処理手段と、前記測定手段および／
または情報処理手段を加工装置に装着できる装着手段と
からなるようにしたものである。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a hard substrate having a measuring means for measuring a state of a processed surface, an information processing means for processing measurement information of the hard substrate, and the measuring means and / or
Alternatively, the information processing means comprises a mounting means capable of being mounted on the processing apparatus.
【００１５】請求項１１の発明では、硬質基板の加工面
に近接するように該硬質基板にその先端が埋設された熱
電対と、該熱電対に接続された配線と、該配線により前
記熱電対に接続された記録装置とからなり、該記録装置
を加工装置の硬質基板保持機構に固定し、かつ前記硬質
基板および前記記録装置を固定することによる加工面へ
の影響を防止する手段を前記硬質基板保持機構に設ける
ようにしたものである。In the eleventh aspect of the present invention, a thermocouple whose tip is buried in the hard substrate so as to be close to a processing surface of the hard substrate, a wire connected to the thermocouple, and the thermocouple formed by the wire A recording device fixed to a hard substrate holding mechanism of a processing device, and a means for preventing an influence on a processing surface due to fixing the hard substrate and the recording device. This is provided on the substrate holding mechanism.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】本発明は、硬質基板の加工中にお
ける加工面の状態を測定するにあたり、所望する加工装
置に装着して実際にその加工をする硬質基板であって、
予めその硬質基板内に測定する対象を感知できるセンサ
ーを取り付け、このセンサーによって得られた測定結果
を取り出せる手段を、硬質基板自体、加工装置、または
それ以外の外部に装着した上で、通常の硬質基板の加工
と同じ条件で加工を行うものである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to a hard substrate which is mounted on a desired processing apparatus and is actually processed when measuring a state of a processed surface during processing of the hard substrate,
A sensor capable of sensing an object to be measured is mounted in advance on the hard substrate, and a means for extracting a measurement result obtained by this sensor is attached to the hard substrate itself, a processing device, or other external components, and then a normal hard substrate is mounted. The processing is performed under the same conditions as the processing of the substrate.
【００１７】まず、このセンサーを備えた硬質基板とし
ては、硬質基板のいずれかの部分にセンサーを埋め込
み、このセンサーから測定値を取り出す情報採取手段を
設けたものである。情報採取手段としては、例えばセン
サーに直接接続され、加工面の反対側になる裏面を通っ
て、外部に設けられた情報処理装置に情報をおくる配線
が設けられたものや、記憶素子や変色媒体といった記憶
手段を硬質基板の加工面と反対側の面、すなわち非加工
面に形成したものを使用する。First, as a hard substrate provided with this sensor, a sensor is embedded in any part of the hard substrate, and information collecting means for taking out a measured value from this sensor is provided. The information collecting means may be, for example, a device directly connected to a sensor and provided with a wiring for sending information to an information processing device provided outside through a back surface opposite to a processing surface, a storage element or a color changing medium. The storage means is formed on the surface opposite to the processing surface of the hard substrate, that is, on the non-processing surface.
【００１８】次に、この硬質基板を加工装置に装着する
と共に、情報処理装置に配線を接続する。この情報処理
装置としては情報を蓄積できる記録装置を使用し、これ
を直接加工装置に取り付け、加工中においてこれらの配
線や記録装置の重量などが加工に影響を与えないように
することにより、正確な測定結果を得るように設ける。Next, the hard substrate is mounted on a processing device, and wiring is connected to the information processing device. This information processing device uses a recording device that can store information, and attaches it directly to the processing device so that the wiring and the weight of the recording device do not affect the processing during processing. It is provided to obtain an accurate measurement result.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説
明する。 実施例１ 図１は実施例１の測定装置の主要構成を示す模式図、図
２は実施例１において使用される測定用硬質基板の一部
切り欠き斜視図である。本実施例は、硬質基板である半
導体ウェハを枚葉式の研磨装置により研磨する加工装置
における測定方法を例にとって示すものである。図１に
示すように、本実施例の測定装置の主要構成としては、
通常の研磨装置としてのトップリング６と、これにより
保持して研磨される測定用ウェハ１と、測定用ウェハ１
の裏面に当接するバッキングパッド３と、バッキングパ
ッド３に装着され測定用ウェハ１を保持するテンプレー
ト４と、トップリング６に固定される記録装置２と、こ
の記録装置２の重量に対応したバランサー５とから構成
されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Example 1 FIG. 1 is a schematic diagram showing a main configuration of a measuring apparatus of Example 1, and FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of a hard substrate for measurement used in Example 1. The present embodiment shows an example of a measuring method in a processing apparatus for polishing a semiconductor wafer as a hard substrate by a single wafer type polishing apparatus. As shown in FIG. 1, the main configuration of the measuring apparatus of the present embodiment is as follows.
Top ring 6 as a normal polishing device, measurement wafer 1 held and polished by this, and measurement wafer 1
, A template 4 mounted on the backing pad 3 and holding the measurement wafer 1, a recording device 2 fixed to the top ring 6, and a balancer 5 corresponding to the weight of the recording device 2. It is composed of
【００２０】図２に示すように、測定用ウェハ１は通常
研磨されるウェハと同様の形状ではあるが、その各所に
裏側から複数の熱センサー１１が埋め込まれ、この熱セ
ンサー１１に接続した回路を形成する配線１２が裏側に
フォトリソグラフィー等により印刷されたものであり、
この配線１２は測定用ウェハ１の端部で集合し、上記し
た記録装置２にリード線１３により接続されている。さ
らに、この配線１２の印刷面は樹脂（図示せず）により
保護され、荷重の集中による断線の防止、および防水で
きるように設けられている。As shown in FIG. 2, the measurement wafer 1 has the same shape as the wafer to be polished normally, but a plurality of heat sensors 11 are embedded in the respective places from the back side, and a circuit connected to the heat sensors 11 is provided. Are printed on the back side by photolithography or the like,
The wirings 12 gather at the end of the measurement wafer 1 and are connected to the above-described recording device 2 by lead wires 13. Further, the printed surface of the wiring 12 is protected by a resin (not shown), and is provided so that disconnection due to concentration of load can be prevented and waterproof.
【００２１】本測定装置により測定するにあたっては、
通常研磨と同じ条件で研磨を行う。この研磨加工中にお
いて、熱センサー１１から配線１２、リード線１３を介
して測定結果が随時記録装置２に送られて蓄積される。
研磨が終了したならこの記録装置２を取り外して専用の
解析装置（図示せず）にその情報を移して解析を行う。When measuring with this measuring device,
Polishing is performed under the same conditions as normal polishing. During the polishing process, the measurement result is sent from the heat sensor 11 via the wiring 12 and the lead wire 13 to the recording device 2 as needed, and is accumulated.
When the polishing is completed, the recording device 2 is detached, and the information is transferred to a dedicated analyzer (not shown) for analysis.
【００２２】尚、熱センサー１１は例えば熱電対タイプ
のものを、測定用ウェハ１の裏側から研磨取代の厚さよ
り僅かに厚い部分を残して彫り込まれた穴に埋め込んだ
ものや、測定用ウェハ１に穿設された穴に取り付けられ
るものなど、測定の目的や、取代、砥粒の種類などによ
りその選択は任意である。The thermal sensor 11 is, for example, a thermocouple type embedded in a hole engraved from the back side of the measurement wafer 1 except for a portion slightly thicker than the thickness of the polishing allowance. The selection is arbitrary according to the purpose of measurement, such as the one attached to the hole formed in the hole, the allowance, and the type of abrasive grains.
【００２３】また、配線については上記した裏面への印
刷により、研磨荷重の押圧による凹凸の影響は出ないも
のの、これに限定されるものではなく、例えば配線とし
てウェハの外側にむき出しのものを使用し、この配線の
凹凸による影響をなくすために、柔らかいバッキングパ
ッドを使用することも可能である。このバッキングパッ
ドとしては、例えば圧縮率が３０％以上で十分な厚さを
有するシリコーンラバーなどが好適である。Further, the wiring is not affected by the unevenness due to the pressing of the polishing load by the printing on the back surface, but the wiring is not limited to this. For example, a wiring that is exposed outside the wafer is used. However, it is also possible to use a soft backing pad to eliminate the influence of the unevenness of the wiring. As this backing pad, for example, a silicone rubber having a sufficient thickness with a compression ratio of 30% or more is suitable.
【００２４】実施例２ 図３は実施例２の測定用硬質基板の構造を示す拡大部分
側面断面図である。本実施例は、実施例１の配線１１や
それに接続され外部に固定する記録装置２を必要としな
い測定用ウェハに関するものである。すなわち、本実施
例の測定用ウェハ１ａにおいては、その内部にセンサー
１１ａを埋め込み、このセンサー１１ａ個々に隣接する
ように測定用ウェハ１ａ内に形成された記憶回路２ａを
有するものである。Embodiment 2 FIG. 3 is an enlarged partial side sectional view showing a structure of a hard substrate for measurement of Embodiment 2. The present embodiment relates to a measurement wafer that does not require the wiring 11 of the first embodiment or the recording device 2 connected to the wiring 11 and fixed to the outside. That is, in the measurement wafer 1a of the present embodiment, the sensor 11a is embedded therein, and the storage circuit 2a is formed in the measurement wafer 1a so as to be adjacent to each sensor 11a.
【００２５】したがって、この測定用ウェハ１ａは測定
結果の情報蓄積手段をその内部に有しており、外見上に
おいて通常のウェハと略同じものであることから、測定
に当たり特別な設定も必要としない。そのため、例えば
バッチ式の加工装置により他のウェハと同時に加工する
ことも可能である。加工終了後においては、専用の解析
装置（図示せず）を使用して、各記憶回路２ａから情報
を取り出して解析する。Therefore, since the measurement wafer 1a has information storage means for storing the measurement results therein and is substantially the same as a normal wafer in appearance, no special setting is required for the measurement. . Therefore, for example, it is also possible to process simultaneously with another wafer by a batch type processing apparatus. After the processing, information is taken out from each storage circuit 2a and analyzed using a dedicated analysis device (not shown).
【００２６】実施例３ 本実施例３においては、平面研削や研磨において、その
加工面にかかる荷重分布を測定するためのものである。
図４は実施例３の測定に使用される測定用硬質基板を示
す斜視図である。図４に示すように、本実施例３の測定
用硬質基板１ｂの非加工面である裏面には、圧力センサ
ーとして圧電型半導体である複数のピエゾ素子１１ｂが
格子状に配列して形成されており、これらに接続した配
線１２ｂが接続され、このピエゾ素子１１ｂからの荷重
情報の取り出しと蓄積は上記実施例１と同様にして行わ
れる。Embodiment 3 This embodiment 3 is for measuring the distribution of the load applied to the processed surface in surface grinding and polishing.
FIG. 4 is a perspective view showing a hard substrate for measurement used in the measurement of the third embodiment. As shown in FIG. 4, a plurality of piezo elements 11b, which are piezoelectric semiconductors, are formed as a pressure sensor in a grid pattern on the back surface of the hard substrate for measurement 1b of the third embodiment, which is the non-processed surface. The wiring 12b connected thereto is connected, and the extraction and accumulation of the load information from the piezo element 11b are performed in the same manner as in the first embodiment.
【００２７】実施例４ 本実施例４は、上記実施例３と同様に加工面にかかる荷
重分布を測定する測定方法である。図５は実施例４の荷
重測定方法を適用した加工装置等の分解斜視図である。
図５に示すように、本実施例においては、荷重を感知す
る手段として圧力センサーシート１ｃを使用する。この
圧力センサーシート１ｃは縦配線１１ｃおよび横配線１
２ｃからなる格子状に形成され、各配線の交差点におけ
る圧力の変化による電圧の変化を感知するように設けら
れたものである。この圧力センサーシート１ｃを使用し
て荷重を測定するにあたっては、加工する硬質基板１０
ｃの形状と略同形状に成形し、硬質基板１０ｃのを保持
する保持装置３ｃとの間に介在させ、これからの荷重情
報の取り出しと蓄積は上記実施例１と同様にして行われ
る。Embodiment 4 This embodiment 4 is a measuring method for measuring the distribution of the load applied to the machined surface in the same manner as in the above embodiment 3. FIG. 5 is an exploded perspective view of a processing apparatus or the like to which the load measuring method according to the fourth embodiment is applied.
As shown in FIG. 5, in this embodiment, a pressure sensor sheet 1c is used as a means for detecting a load. The pressure sensor sheet 1c includes a vertical wiring 11c and a horizontal wiring 1c.
It is formed in a lattice shape of 2c, and is provided so as to sense a change in voltage due to a change in pressure at the intersection of each wiring. When measuring the load using the pressure sensor sheet 1c, the rigid substrate 10 to be processed is used.
c is formed into a shape substantially the same as the shape of c, and is interposed between the holding device 3c for holding the hard substrate 10c. Extraction and accumulation of load information therefrom are performed in the same manner as in the first embodiment.
【００２８】実施例５ 上記各実施例においては、温度または圧力を電気的な信
号に変換して、これを記録装置で記憶させて情報解析し
ていたが、本実施例５においては圧力または温度により
変化を生じる媒体により、加工面の状態を測定するもの
である。図６は実施例５の測定用硬質基板を示す一部切
断斜視図である。図６に示すように本実施例５の測定用
硬質基板１ｄにおいては、その非加工面である裏面に温
度の変化により変色する変色塗料層１０ｄが塗布されて
いる。この変色塗料層１０ｄは、変色温度が異なる変色
塗料１１〜１５ｄを帯状にある一定間隔をもって塗布
し、さらにこれに交差させて変色塗料１１〜１５ｄを帯
状に塗布することにより、格子状に各変色塗料１１〜１
５ｄ塗布面が露出するようにしている。したがって、こ
の変色塗料層１０ｄにおける温度の上昇をその変色によ
り５段階で得ることができると共に、変色塗料層１０ｄ
全体における温度変化の分布も解析できる。Fifth Embodiment In each of the above embodiments, the temperature or pressure is converted into an electric signal, which is stored in a recording device for information analysis. The state of the machined surface is measured using a medium that changes due to the above. FIG. 6 is a partially cut perspective view showing a hard substrate for measurement of Example 5. As shown in FIG. 6, on the hard substrate for measurement 1d of the fifth embodiment, a discoloring paint layer 10d that changes color due to a change in temperature is applied to the back surface which is the non-processed surface. The discoloring paint layer 10d is formed by applying the discoloring paints 11 to 15d having different discoloring temperatures in a strip shape at a certain interval, and further applying the discoloring paints 11 to 15d in a strip shape so as to intersect with the discoloration paints. Paint 11
The 5d coating surface is exposed. Therefore, the temperature rise in the color-change paint layer 10d can be obtained in five stages by the color change, and the color-change paint layer 10d
The distribution of the temperature change in the whole can also be analyzed.
【００２９】また、この変色媒体を使用したものは、裏
面における変化であり、間接的であるため上記した各実
施例ほどその測定精度は高くはないものの、配線や記録
装置といったものは必要とせず構造を簡単にすることが
可能である。この温度変色を利用した温度測定には、温
度変色ラベルなどの他の媒体を利用することもできる。Further, the use of this discoloring medium is a change on the back surface and is indirect, so that the measurement accuracy is not as high as in each of the above-mentioned embodiments, but no wiring or recording device is required. The structure can be simplified. For the temperature measurement using the temperature discoloration, another medium such as a temperature discoloration label can be used.
【００３０】さらに、上記実施例では測定する対象を研
磨や研削における加工面の温度および荷重分布を測定す
るものであったが、これに限られるものではなく、砥粒
のｐＨや流速、または取代といった要件についても測定
することができる。Further, in the above-mentioned embodiment, the temperature and load distribution of the surface to be measured in polishing and grinding are measured. However, the present invention is not limited to this. Such requirements can also be measured.
【００３１】[0031]
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
次に示す優れた効果がある。 （１）測定が直接の測定であるため、正確な値を得られ
る。 （２）測定のための加工が、実際の加工と同じ条件で行
われるため、解析資料を実際の加工に大きく反映させる
ことができる。 （３）硬質基板の部位ごとにその測定値を得られるた
め、部位による変化を改善または利用することにより、
より高度な加工方法を開発できる。 （４）測定用硬質基板を使用することにより、特別な加
工装置を必要とせず、通常の加工条件下で測定を行うこ
とができる。 （５）測定結果を硬質基板内に記録する手段を有する測
定用硬質基板においては、どのような加工条件でも使用
できるため、例えばバッチ式の加工において、通常の硬
質基板と同時に加工しながらの測定も可能である。 （６）変色媒体を用いたものについては、測定用硬質基
板を安価に製造できる。According to the present invention, the configuration is as described above.
There are the following excellent effects. (1) Since the measurement is a direct measurement, an accurate value can be obtained. (2) Since the processing for the measurement is performed under the same conditions as the actual processing, the analysis data can be largely reflected in the actual processing. (3) Since the measured value can be obtained for each part of the hard substrate, by improving or utilizing the change due to the part,
More advanced processing methods can be developed. (4) By using a hard substrate for measurement, measurement can be performed under normal processing conditions without requiring a special processing device. (5) In a hard substrate for measurement having a means for recording the measurement result in the hard substrate, any processing conditions can be used. For example, in batch processing, measurement is performed simultaneously with a normal hard substrate. Is also possible. (6) For those using a discoloration medium, a hard substrate for measurement can be manufactured at low cost.
【図１】実施例１の測定装置の主要構成を示す模式図で
ある。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a main configuration of a measuring apparatus according to a first embodiment.
【図２】実施例１において使用される測定用硬質基板の
一部切り欠き斜視図である。FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of a hard substrate for measurement used in Example 1.
【図３】実施例２の測定用硬質基板の構造を示す拡大部
分側面断面図である。FIG. 3 is an enlarged partial side sectional view showing a structure of a hard substrate for measurement of Example 2.
【図４】実施例３の測定に使用される測定用硬質基板を
示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a hard substrate for measurement used for measurement in Example 3.
【図５】実施例４の荷重測定方法を適用した加工装置等
の分解斜視図である。FIG. 5 is an exploded perspective view of a processing apparatus or the like to which the load measuring method according to the fourth embodiment is applied.
【図６】実施例５の測定用硬質基板を示す一部切断斜視
図である。FIG. 6 is a partially cut perspective view showing a hard substrate for measurement of Example 5.
１‥‥‥測定用ウェハ １１‥‥熱センサー １２‥‥配線 １３‥‥リード線 ２‥‥‥記録装置 ３‥‥‥バッキングパッド ４‥‥‥テンプレート ５‥‥‥バランサー ６‥‥‥トップリング １ａ‥‥測定用ウェハ １１ａ‥センサー ２ａ‥‥記憶回路 １ｂ‥‥測定用硬質基板 １１ｂ‥ピエゾ素子 １２ｂ‥配線 １３ｂ‥リード線 １ｃ‥‥圧力センサーシート １０ｃ‥硬質基板 １１ｃ‥縦配線 １２ｃ‥横配線 １ｄ‥‥測定用硬質基板 １０ｄ‥変色塗料層 １１ｄ〜１５ｄ‥‥変色塗料 1 ‥‥‥ Measurement wafer 11 ‥‥‥ Heat sensor 12 Wiring 13 ‥‥ Lead wire 2 ‥‥‥ Recording device 3 ‥‥‥ Backing pad 4 ‥‥‥ Template 5 ‥‥‥ Balancer 6 ‥‥‥ Top ring 1a << Measurement wafer 11a >> Sensor 2a >> Storage circuit 1b >> Measurement hard substrate 11b >> Piezo element 12b >> Wiring 13b >> Lead wire 1c >> Pressure sensor sheet 10c >> Hard substrate 11c >> Vertical wiring 12c >> Horizontal wiring 1d硬 質 Measurement hard substrate 10d ‥ Discolored paint layer 11d ~ 15d ‥‥ Discolored paint
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｔ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/66 H01L 21/66 T
Claims (11)
サーと、該センサーからの情報を記録する記録手段とが
該硬質基板の一部分に形成されていることを特徴とする
硬質基板の加工面温度等の測定用硬質基板。1. A processed surface of a hard substrate, wherein a sensor for detecting a state of a processed surface of the hard substrate and recording means for recording information from the sensor are formed in a part of the hard substrate. Hard substrate for measuring temperature, etc.
サーが、該硬質基板の一部分内に設けられ、該硬質基板
の非加工面に該センサーに接続した回路が設けられ、硬
質基板の外に配置され、前記センサーからの情報を記録
する記録装置に該回路を接続できるように設けたことを
特徴とする硬質基板の加工面温度等の測定用硬質基板。2. A sensor for detecting a state of a processed surface of the hard substrate is provided in a part of the hard substrate, and a circuit connected to the sensor is provided on a non-processed surface of the hard substrate. Wherein the circuit is connected to a recording device for recording information from the sensor, the rigid substrate being used for measuring a processing surface temperature of the hard substrate.
加工面に印刷されていることを特徴とする請求項２記載
の硬質基板の加工面温度等の測定用硬質基板。3. The hard substrate for measuring the temperature of a processed surface of a hard substrate according to claim 2, wherein a circuit connected to the sensor is printed on a non-processed surface of the hard substrate.
変化により変色する変色部材を設けたことを特徴とする
加工面荷重または加工面温度の測定用硬質基板。4. A hard substrate for measuring a processing surface load or a processing surface temperature, wherein a discoloration member that changes color by a change in pressure or temperature is provided on a non-processing surface of the hard substrate.
サーが、熱起電力センサーであることを特徴とする請求
項１または２記載の硬質基板の加工面温度等の測定用硬
質基板。5. The hard substrate according to claim 1, wherein the sensor for sensing the state of the processed surface of the hard substrate is a thermoelectromotive force sensor.
サーが、圧電型半導体であることを特徴とする請求項１
または２記載の硬質基板の加工面温度等の測定用硬質基
板。6. The sensor according to claim 1, wherein the sensor for detecting the state of the processed surface of the hard substrate is a piezoelectric semiconductor.
Or a hard substrate for measurement of a processed surface temperature or the like of the hard substrate according to 2.
について、温度や圧力といった加工面の状態を測定する
にあたり、前記加工面の状態を感知するセンサーと、該
センサーから情報を取り出す伝達手段とを予め備えた測
定用硬質基板を使用し、実際にこの測定用硬質基板を所
望の加工方法により加工することにより、前記加工面の
状態を測定することを特徴とする硬質基板の加工面温度
等の測定方法。7. A sensor for sensing a state of a processing surface such as a temperature and a pressure on a processing surface when a hard substrate is processed by polishing or the like, and a transmission for extracting information from the sensor. Using a hard substrate for measurement provided with means in advance, and actually processing the hard substrate for measurement by a desired processing method, thereby measuring the state of the processed surface. How to measure temperature etc.
変色する変色部材を配置して、該硬質基板の加工面温度
を測定する方法であって、該変色部材の変色温度が多段
階であるように設けて、前記硬質基板を所望の加工方法
により加工することを特徴とする硬質基板の加工面温度
の測定方法。8. A method for measuring a temperature of a processed surface of a hard substrate by disposing a color changing member that changes color by a temperature change on a non-processed surface of the hard substrate, wherein the color changing temperature of the color changing member is multi-stepped. A method for measuring a processing surface temperature of a hard substrate, wherein the processing is performed as described above, and the hard substrate is processed by a desired processing method.
するにあたり、該硬質基板と該保持装置との間に圧力セ
ンサーシートを介在させて、前記硬質基板を加工するこ
とを特徴とする硬質基板の加工面圧力の測定方法。9. A hard substrate, wherein the hard substrate is processed by holding a hard substrate with a holding device and interposing a pressure sensor sheet between the hard substrate and the holding device. Method of measuring the processing surface pressure.
する硬質基板と、該硬質基板の測定情報を処理する情報
処理手段と、前記測定手段および／または情報処理手段
を加工装置に装着できる装着手段とからなることを特徴
とする硬質基板の加工面温度等の測定装置。10. A hard substrate having measuring means for measuring a state of a processing surface, an information processing means for processing measurement information of the hard substrate, and a mounting capable of mounting the measuring means and / or the information processing means on a processing apparatus. A measuring device for measuring the processing surface temperature or the like of the hard substrate.
硬質基板にその先端が埋設された熱電対と、該熱電対に
接続された配線と、該配線により前記熱電対に接続され
た記録装置とからなり、該記録装置を加工装置の硬質基
板保持機構に固定し、かつ前記硬質基板および前記記録
装置を固定することによる加工面への影響を防止する手
段を前記硬質基板保持機構に設けたことを特徴とする硬
質基板の加工面温度の測定装置。11. A thermocouple whose tip is buried in the hard substrate so as to be close to a processing surface of the hard substrate, a wire connected to the thermocouple, and a recording device connected to the thermocouple by the wire. A device for fixing the recording device to a hard substrate holding mechanism of a processing device, and providing a means for preventing the hard substrate and the recording device from affecting a processing surface by fixing the recording device. An apparatus for measuring a processing surface temperature of a hard substrate.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31700797A JP3939410B2 (en) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | Method for measuring processing surface temperature etc. of hard substrate, measuring device thereof, and hard substrate for measurement thereof |
| TW87118003A TW406343B (en) | 1997-11-18 | 1998-10-29 | Method and device for measuring temperature, etc., of machined surface of hard base and hard base for measurement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31700797A JP3939410B2 (en) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | Method for measuring processing surface temperature etc. of hard substrate, measuring device thereof, and hard substrate for measurement thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11153496A true JPH11153496A (en) | 1999-06-08 |
| JP3939410B2 JP3939410B2 (en) | 2007-07-04 |
Family
ID=18083378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31700797A Expired - Lifetime JP3939410B2 (en) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | Method for measuring processing surface temperature etc. of hard substrate, measuring device thereof, and hard substrate for measurement thereof |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3939410B2 (en) |
| TW (1) | TW406343B (en) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001090710A1 (en) * | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Kamel Fauzi Razali | Thermocouple passing through encapsulant of integrated circuit |
| JP2003106883A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Yamatake Corp | Airflow sensor |
| JP2004193576A (en) * | 2002-11-28 | 2004-07-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Adhesive tape for protecting semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor wafer using the same |
| US7246570B2 (en) | 2005-02-03 | 2007-07-24 | General Electric Company | Indication film for temperature and temperature distribution measurement and related method |
| WO2006067971A3 (en) * | 2004-12-21 | 2007-08-16 | Nissan Motor | Startup method for fuel cell stack structure, temperature control method for fuel cell stack structure, and fuel cell stack structure |
| US8609295B2 (en) | 2004-10-22 | 2013-12-17 | Nissan Motor Co., Ltd. | Solid-electrolyte fuel cell and stack structure |
| JP2014069261A (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | Polishing device |
| JP2014090178A (en) * | 2002-12-03 | 2014-05-15 | Kla-Encor Corp | Integrated process condition sensing wafer and data analysis system |
| JP2020096056A (en) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | Workpiece unit |
| JP2020174198A (en) * | 2020-01-24 | 2020-10-22 | 株式会社東京精密 | Grinder and grinding method |
| JP2020181987A (en) * | 2020-01-24 | 2020-11-05 | 株式会社東京精密 | Polisher and polishing method |
-
1997
- 1997-11-18 JP JP31700797A patent/JP3939410B2/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-29 TW TW87118003A patent/TW406343B/en active
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001090710A1 (en) * | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Kamel Fauzi Razali | Thermocouple passing through encapsulant of integrated circuit |
| JP2003106883A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Yamatake Corp | Airflow sensor |
| JP2004193576A (en) * | 2002-11-28 | 2004-07-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Adhesive tape for protecting semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor wafer using the same |
| JP2014090178A (en) * | 2002-12-03 | 2014-05-15 | Kla-Encor Corp | Integrated process condition sensing wafer and data analysis system |
| US8609295B2 (en) | 2004-10-22 | 2013-12-17 | Nissan Motor Co., Ltd. | Solid-electrolyte fuel cell and stack structure |
| WO2006067971A3 (en) * | 2004-12-21 | 2007-08-16 | Nissan Motor | Startup method for fuel cell stack structure, temperature control method for fuel cell stack structure, and fuel cell stack structure |
| US8039157B2 (en) | 2004-12-21 | 2011-10-18 | Nissan Motor Co., Ltd. | Startup method for fuel cell stack structure, temperature control method for fuel cell stack structure, and fuel cell stack structure |
| US7246570B2 (en) | 2005-02-03 | 2007-07-24 | General Electric Company | Indication film for temperature and temperature distribution measurement and related method |
| JP2014069261A (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | Polishing device |
| JP2020096056A (en) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社ディスコ | Workpiece unit |
| JP2020174198A (en) * | 2020-01-24 | 2020-10-22 | 株式会社東京精密 | Grinder and grinding method |
| JP2020181987A (en) * | 2020-01-24 | 2020-11-05 | 株式会社東京精密 | Polisher and polishing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3939410B2 (en) | 2007-07-04 |
| TW406343B (en) | 2000-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1014437B1 (en) | In-situ measurement method and apparatus for semiconductor processing | |
| JPH11153496A (en) | Method and device for measuring temperature, etc., of machined surface of hard base and hard base for measurement | |
| KR100218309B1 (en) | Apparatus and method for leveling detecting semiconductor wafer in cmp apparatus | |
| JP2001210683A (en) | Chucking mechanism of prober | |
| JP2005528680A (en) | Fingerprint sensor manufacturing method and fingerprint sensor | |
| US6946856B1 (en) | Thermal testing method for integrated circuit chips and packages | |
| JPH07208962A (en) | Surface-characteristic determination method of mounting film | |
| JP2006510209A (en) | Integrated circuit and integrated circuit package corresponding to the integrated circuit | |
| US6348807B2 (en) | Method and system for utilizing multiple thermocouples to obtain a temperature contour map | |
| JPH0653294A (en) | Probing device | |
| JPH088455Y2 (en) | Probe card suitable for heating or cooling test | |
| JP2585801B2 (en) | Probe card | |
| JPS6118338B2 (en) | ||
| JPH0515068B2 (en) | ||
| JPH0641140U (en) | Probe card with temperature sensor | |
| JPS60169742A (en) | Detecting method of bonded state in die bonding | |
| JPS5814608Y2 (en) | Wafer inspection equipment | |
| KR0119296Y1 (en) | Prober card | |
| JPS6222448A (en) | Wafer to which ic is formed | |
| JP2500450B2 (en) | Semiconductor wafer | |
| JPH07288250A (en) | Sputtering apparatus | |
| JPS58169924A (en) | Test device for ic wafer | |
| JPS62237740A (en) | Method for measuring surface temperature of semiconductor wafer | |
| JP2000040717A (en) | Tab tape and electric-characteristic measuring and testing method thereof | |
| JPH10173011A (en) | Method for identifying defective chip |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041020 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060307 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060502 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060502 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070327 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070328 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140406 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |