JPH11150259A - 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 転送電極の開口の最適な位置に遮光膜の開口
部を得るためのレジストパターンを高精度に位置合わせ
できるようにする。 【解決手段】 有効画素領域に転送電極２を形成する際
に、周辺領域にも転送電極２を形成してこの周辺領域の
転送電極２をダミー転送電極３とし、転送電極２および
ダミー転送電極３を覆う遮光材料膜５上に、有効画素領
域の遮光膜の開口部を得るための第１レジストパターン
７を形成する際、周辺領域の遮光材料膜５上に、第１レ
ジストパターン７を反転した形状の第２レジストパター
ン８をダミー転送電極３の開口３ａに重なるように形成
する。そして、周辺領域のダミー転送電極３の開口３ａ
に対する第２レジストパターン８の位置の観察結果に基
づいて、有効画素領域の転送電極２が開口した位置に対
する第１レジストパターン７の位置合わせを行うように
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の製
造方法および固体撮像素子に関し、詳細には開口部を有
する遮光膜を形成する際のアライメントに好適な固体撮
像素子の製造方法および固体撮像素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の固体撮像素子においては、スチル
カメラ等の需要から多画素、小型化の要求が強くなって
きている。これに伴い、固体撮像素子の製造における加
工精度の要求も厳しくなっている。特に、感度やスミア
等の特性は、受光部の直上位置を開口した転送電極を覆
いかつ受光部の直上位置のみに開口部を有する遮光膜の
開口部が、受光部の直上位置に精度良く形成されている
か否かに大きく依存している。したがって、遮光膜の開
口部を形成する際のアライメント、すなわちウエハから
なる基体上に形成された転送電極のその開口と、遮光膜
の開口部を形成するためのレジストパターンとの位置合
わせが重要とされている。

【０００３】ところが、開口部を有する遮光膜の形成プ
ロセスでは、下地の転送電極の形状（凹凸）を反映する
ように遮光材料膜が形成されるため、遮光膜材料膜を形
成した状態で転送電極が開口した位置を視認できるもの
の、遮光材料膜上に形成されるレジスト膜は上面が平坦
に形成されることから、レジスト膜を形成した状態で転
送電極が開口した位置を視認することができない。

【０００４】そのため、リソグラフィ技術（レジスト塗
布，露光，現像，ベーキング等）によって、遮光膜の開
口部を得るための孔パターンを有したレジストパターン
を形成する際に、図３（ａ）に示すように転送電極２１
の開口２１ｃの最適な位置にレジストパターン（ハッチ
ングで示す）２２の孔パターン２２ａが形成されている
場合に対して、同図（ｂ）に示すように孔パターン２２
ａが例えば左右にズレて形成されていても直接、確認す
ることができない。

【０００５】そこで従来では、転送電極の開口と遮光膜
の開口部との位置合わせを高精度に行う場合、固体撮像
素子の製造用の基体として、リソグラフィ技術の１回の
露光で照射される領域（１ショット）毎に、その領域に
おける有効画素領域の周辺に正方形等の規格化されたア
ライメント用のパターンを位置合わせの代用として設け
た基体を用いている。そして、通常の工程によって基体
に転送電極、受光部、レジストパターン等を形成した
後、アライメント用のパターンに対するそのレジストパ
ターンの位置ズレを光学顕微鏡等の光学的手段を用いて
観察し、この観察結果に基づき上記の位置合わせを行っ
ている。なお、この位置合わせによる補正は、次に処理
する基体に対して加えられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では、規格化されたアライメント用のパターンを用
いても、以下に述べる理由から下地の転送電極が開口し
た位置と、遮光膜の開口部を形成するためのレジストパ
ターンとの位置合わせを高精度に行うことができないと
いう難点がある。

【０００７】上記したようにアライメント用のパターン
は光学顕微鏡等の光学的手段を用いて観察するが、光学
的手段は光の波長により解像度が決まるものである。そ
のため、アライメント用のパターンを大きいパターンに
形成する必要がある。しかもこのパターンを常に規格化
した一定の形状に形成している。

【０００８】ところが、実際の転送電極の開口は微細で
あり、また図３（ａ），（ｂ）に示されるように第１転
送電極パターン２１ａと第２転送電極パターン２１ｂと
によって形成されるものであることから、第１転送電極
パターン２１ａと第２転送電極パターン２１ｂとの微妙
なズレ等によって常に一定の形状に形成されるものとは
なっていない。すなわち、規格化されたアライメント用
のパターンは、第１転送電極パターン２１ａ，第２転送
電極パターン２２ｂの微妙なズレ等を反映していないも
のとなっている。

【０００９】このため、従来のアライメント用のパター
ンを用いた位置合わせでは、上記微妙なズレ等に対して
必要な、レジストパターンの微妙な位置制御を行うこと
ができず、転送電極の開口の最適な位置にレジストパタ
ーンの孔パターンを高精度に形成できないのである。結
果として、感度やスミア等の特性バラツキが最小限に抑
えられた固体撮像素子を得ることができないという不具
合が生じている。

【００１０】また、たとえ転送電極の上方にレジスト膜
を形成した状態で転送電極が開口した位置を視認できた
としても、従来では転送電極の開口に対してレジストパ
ターンの孔パターンを位置合わせするため、さらに固体
撮像素子の製造プロセスを進めなければ、例えば上記孔
パターンの中心が転送電極の開口の中心と一致していた
か微妙にズレていたかがわからない。しかし、固体撮像
素子の製造プロセスを進めてしまうと、孔パターンの中
心が転送電極の開口の中心と微妙にズレていた場合に、
この基体はもはや用いることができないものとなってし
まうのである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するために本発明に係る請求項１の発明は、有効画素領
域とその周辺の周辺領域とを有した基体を用い、この基
体上の縦横それぞれに所定間隔をあけて開口した状態に
転送電極を形成し、有効画素領域にて転送電極が開口し
た位置に光電変換をなす受光部を設け、基体上に転送電
極を覆う状態で遮光性を有する遮光材料膜を形成し、有
効画素領域における遮光材料膜上に第１レジストパター
ンを形成し、第１レジストパターンをマスクとして遮光
材料膜をエッチングすることにより、受光部の直上位置
に開口部を有する遮光膜を形成する固体撮像素子の製造
方法において、転送電極を形成する際に、有効画素領域
だけでなく周辺領域にも転送電極を形成してこの周辺領
域の転送電極をダミー転送電極とし、上記遮光材料膜上
に第１レジストパターンを形成する際に、周辺領域の遮
光材料膜上に、第１レジストパターンを反転した形状の
第２レジストパターンをダミー転送電極が開口した位置
に重なるように形成し、周辺領域のダミー転送電極が開
口した位置に対する第２レジストパターンの位置の観察
結果に基づいて、有効画素領域の転送電極が開口した位
置に対する第１レジストパターンの位置合わせを行うよ
うになっている。

【００１２】また本発明に係る請求項２の発明は、基板
に設けられた有効画素領域とその周辺の周辺領域とを備
え、有効画素領域には、有効画素領域における基板上
に、その縦横それぞれに所定間隔をあけて開口した状態
に転送電極が形成され、基板の転送電極が開口した位置
に光電変換をなす受光部が設けられ、転送電極の上方
に、受光部の直上位置を開口した開口部を有しかつ受光
部以外への光の入射を遮断する遮光膜が形成された固体
撮像素子において、周辺領域における基板上に、有効画
素領域の転送電極と同じパターン形状を有するアライメ
ント用のダミー転送電極が設けられている構成となって
いる。

【００１３】上記した請求項１の発明に係る固体撮像素
子の製造方法において、第１レジストパターンは、受光
部の直上位置に開口部を有する遮光膜を形成するための
エッチングマスクとなるものであることから、遮光膜の
開口部を形成する位置の直上にこの開口部に対応する形
状の孔パターンを有するものである。一方、第２レジス
トパターンは、第１レジストパターンを反転した形状に
形成されるため、遮光膜の開口部を形成する位置の直上
に設けられて遮光膜の開口部に対応する形状の島パター
ンとなる。すなわち、第２レジストパターンは第１レジ
ストパターンの孔パターン部分と一致した形状になる。

【００１４】この請求項１の発明では、転送電極を形成
する際に、有効画素領域だけでなく周辺領域にも転送電
極を形成してこの周辺領域の転送電極をダミー転送電極
とするため、ダミー転送電極は有効画素領域に転送電極
を形成する際のこの転送電極の微妙なズレをそのまま反
映したものとなる。同様に、遮光材料膜上に第１レジス
トパターンを形成する際に、周辺領域の遮光材料膜上に
第２レジストパターンを形成するため、第２レジストパ
ターンは第１レジストパターンを形成する際の第１レジ
ストパターンの位置ズレをそのまま反映したものとな
る。

【００１５】そして、転送電極の微妙な位置ズレを反映
したダミー転送電極をアライメント用のパターンとして
用い、島パターンである第２レジストパターンをダミー
転送電極が開口した位置に重なるように形成するため、
ダミー転送電極が開口した位置に対する第２レジストパ
ターンの位置を観察することにより、有効画素領域の転
送電極が開口した位置に対する第１レジストパターンの
孔パターンの微妙な位置ズレの情報が高精度に得られ
る。さらに観察結果に基づき、転送電極が開口した位置
に対する第１レジストパターンの孔パターンの位置合わ
せを行うため、この位置合わせが高い精度でなされる。
また第１レジストパターンおよび第２レジストパターン
を形成した段階で上記の位置合わせを行えるため、位置
合わせに用いた基体は、位置合わせ後に第１レジストパ
ターンおよび第２レジストパターンを除去することによ
り、再び固体撮像素子の製造に用いることが可能にな
る。

【００１６】請求項２の発明に係る固体撮像素子では、
周辺領域における基板上に設けられたアライメント用の
ダミー転送電極が、有効画素領域の転送電極と同じパタ
ーン形状を有するものであることから、ダミー転送電極
は有効画素領域の転送電極と同じ工程にて形成されるこ
とになる。よって、ダミー転送電極は有効画素領域の転
送電極と同じ高さ位置に設けられて、有効画素領域に転
送電極を形成する際の転送電極の微妙な位置ズレをその
まま反映したものとなる。したがってこの固体撮像素子
は、転送電極の上方に開口部を有する遮光膜を形成する
際に、開口部に対応する形状の孔パターンを有する第１
レジストパターンを得るためのリソグラフィ技術にて、
上記のダミー転送電極を用いた請求項１の発明と同様の
位置合わ、すなわち転送電極が開口した位置に対する第
１レジストパターンの孔パターンの位置合わせを高精度
に行えるものとなる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る固体撮像素子
の製造方法および固体撮像素子の実施の形態を図面に基
づいて説明する。図１（ａ），（ｂ）および図２（ｃ）
は請求項１の発明に係る固体撮像素子の製造方法の一実
施形態を工程順に示す説明図であり、特に請求項１の発
明の特徴である転送電極の形成プロセスと遮光膜の形成
プロセスとを示した図である。なお、図１（ａ），
（ｂ）および図２（ｃ）において（イ）は有効画素領域
の要部平面図、（ロ）は周辺領域の要部平面図をそれぞ
れ示している。

【００１８】本実施形態の実施にあたっては、予め、有
効画素領域とその周辺の周辺領域とを有した基体を用
い、基体上に例えば酸化膜からなる第１絶縁膜（図示
略）を形成しておく。なお、請求項１の発明における基
体は、後に複数の基板（チップ）に分割される例えばシ
リコンからなるウエハであり、分割される基板毎に有効
画素領域および周辺領域を有したものとなっている。ま
た周辺領域は、例えば、有効画素領域の周辺に設けられ
たいわゆる光学的黒領域と呼ばれる無効画素領域と、そ
の周辺に設けられて駆動回路等が形成された回路領域
と、これら以外の領域、つまり基板の周縁付近の領域と
からなっている。

【００１９】このような基体を用い、まず、図１（ａ）
の（イ）に示すように、有効画素領域における基体１上
に、上記第１絶縁膜を介して、基体１の縦横それぞれに
所定間隔をあけて開口した状態に第１転送電極パターン
２ａおよび第２転送電極パターン２ｂからなる転送電極
２を形成する。その際、図１（ａ）の（ロ）に示すよう
に、有効画素領域だけでなく周辺領域にも同様に上記の
転送電極２を形成し、この周辺領域の転送電極２をダミ
ー転送電極３とする。このとき、後述する遮光膜の開口
部を得るためのレジストパターンの形成工程にて行うリ
ソグラフィ技術（レジスト塗布，露光，現像，ベーキン
グ等）において、１回の露光で照射される領域（１ショ
ット）毎に、１か所以上ダミー転送電極３を形成する。

【００２０】例えば１ショットで１つの基板の形成領域
が照射される場合には、その基板の周辺領域に少なくと
も１か所ダミー転送電極３を形成する。また例えば、１
ショットで複数の基板の形成領域が照射される場合に
は、その複数の基板の形成領域における周辺領域のう
ち、少なくとも１か所にダミー転送電極３を形成する。
ダミー転送電極３の形成か所が増えるにしたがって、後
述する位置合わせの精度が高められることになる。また
この実施形態では、１ショット内の周辺領域のうち、基
板の周縁付近となる領域にダミー転送電極３を形成す
る。

【００２１】ここで、上記の転送電極２およびダミー転
送電極３の形成は、既存の技術によって行う。例えば、
化学的気相成長技術（以下、ＣＶＤ技術と記す）によっ
て、基体１上に第１絶縁膜を介してポリシリコン膜を形
成し、次いで、リソグラフィ技術（レジスト塗布，露
光，現像，ベーキング等）によってポリシリコン膜上に
所望のレジストパターンを形成する。続いてこのレジス
トパターンをマスクとした例えば反応性イオンエッチン
グ（以下、ＲＩＥと記す）等のエッチング技術によって
ポリシリコン膜を加工し、さらにレジストパターンを除
去することにより、基体上にポリシリコンからなるライ
ン状の第１転送電極パターン２ａ…を間隔をあけて形成
する。

【００２２】次に、第１転送電極パターン２ａの表面に
第２絶縁膜（図示略）を形成し、続いて第１転送電極パ
ターン２ａと同様のプロセスによって、基体１上の第１
転送電極パターン２ａ間にポリシリコンからなるライン
状の第２転送電極パターン２ｂを形成する。この際、隣
り合う第１転送電極パターン２ａ，２ａにそれぞれ第２
転送電極パターン２ｂ一部がオーバーラップするように
形成する。このことによって、有効画素領域の基体１の
縦横それぞれに所定間隔をあけて開口した状態に第１転
送電極パターン２ａおよび第２転送電極パターン２ｂか
らなる転送電極２が得られ、周辺領域の基体１の縦横そ
れぞれに所定間隔をあけて開口した状態に第１転送電極
パターン２ａおよび第２転送電極パターン２ｂからなる
ダミー転送電極３が得られる。

【００２３】このように、有効画素領域に転送電極２を
形成すると同時に、周辺領域にも同様の転送電極２を形
成して周辺領域の転送電極２をダミー転送電極３とする
ため、ダミー転送電極３は有効画素領域に転送電極２を
形成する際のこの転送電極２の微妙なズレをそのまま反
映したものとなる。

【００２４】次いで、例えばリソグラフィ技術およびイ
オン注入技術を用いて有効画素領域の転送電極２が開口
した位置（以下、単に開口と記す）２ｃに光電変換をな
す受光部４を設ける。これによって、転送電極２は受光
部４の直上位置を開口した状態になる。続いてＣＶＤ技
術によって、第２絶縁膜および第２転送電極パターン２
ｂを覆うようにして第１絶縁膜上に第３絶縁膜（図示
略）を形成し、リソグラフィ技術およびＲＩＥ等のエッ
チング技術によって、例えば第３絶縁膜に第２転送電極
パターン２ｂに達するスルーホールを形成し、また第３
絶縁膜および第２絶縁膜に第１転送電極パターン２ａ達
するスルーホール等を形成する。

【００２５】次に、スパッタリング技術によって、基体
１上全体に、転送電極２およびダミー転送電極３を覆う
状態で遮光性を有する遮光材料膜５を形成する。この遮
光材料膜５は、後述の遮光膜および配線（図示略）を形
成するためのもので、例えばアルミニウム等の金属膜で
形成される。その後、リソグラフィ技術によって、図１
（ｂ）の（イ）に示すように、有効画素領域における遮
光材料膜５上に、開口部を有する遮光膜を得るためのエ
ッチングにてマスクとなる第１レジストパターン７を形
成する。これとともに、同図（ｂ）の（ロ）に示すよう
に、周辺領域における遮光材料膜５上には、第１レジス
トパターン７を反転した形状の第２レジストパターン８
をダミー転送電極３が開口した位置（以下、単に開口と
記す）３ａに重なるように形成する。

【００２６】第１レジストパターン７は、開口部を有す
る遮光膜を得るためのエッチングにてマスクとなるもの
であることから、遮光膜の開口部を形成する位置の直上
がその開口部に対応する形状に除去されて、開口部に対
応する形状の孔パターンを有するものとなる。一方、第
２レジストパターン８は、第１レジストパターン７を反
転した形状に形成されるため、遮光膜の開口部を形成す
る位置の直上が、その開口部に対応する形状に残った島
パターンとなる。すなわち、第２レジストパターン８は
第１レジストパターン７の孔パターン部分と一致した形
状になる。また第２レジストパターン８は、第１レジス
トパターン７とともに形成するため、第１レジストパタ
ーン７を形成する際の第１レジストパターン１の位置ズ
レをそのまま反映したものとなる。

【００２７】次いで、周辺領域のダミー転送電極３の開
口３ａに対する第２レジストパターン８の位置を観察す
る。この観察では、例えば電子顕微鏡等を用い、ダミー
転送電極３の開口３ａに対して第２レジストパターン８
の位置がズレているか否かを確認する。そして位置ズレ
が生じている場合には、第２レジストパターン８の位置
および大きさを測定する。

【００２８】その後、観察結果に基づいて、例えば位置
ズレが生じている場合には、測定して得た第２レジスト
パターン８の位置および大きさの寸法から、例えば、第
１レジストパターン７および第２レジストパターン８の
形成に用いる露光装置の露光量や基体１を保持するステ
ージの位置の調整等を行って、有効画素領域の転送電極
２の開口２ｃに対する第１レジストパターン７の位置合
わせを行う。

【００２９】上記の位置合わせは、次に処理する基体１
に対して行われる。すなわち、次に処理する基体１上に
第１レジストパターン７を形成する露光にて、上記位置
合わせによる補正が加えられることになる。そして位置
合わせ後、第１レジストパターン７をマスクとして遮光
材料膜５をエッチングすることにより、受光部４の直上
位置に開口部６ａを有する遮光膜６を形成する（図１
（ｃ）の（イ）参照）。

【００３０】このエッチングでは、第２レジストパター
ン８が形成された基体１の周辺領域にて、第２レジスト
パターン８をマスクとした遮光材料膜５のエッチングも
なされ、周辺領域のダミー転送電極３の開口３ａの直上
位置に、開口３ａと同様の形状、つまり遮光膜６の開口
部６ａと同様の形状の遮光材料膜５のパターンが残るこ
とになる。その後は、第１レジストパターン７および第
２レジストパターン８を除去し、さらに従来と同様のプ
ロセスを行って遮光膜６上に、平坦化層、カラーフィル
タ層、層間絶縁膜、オンチップレンズ等を設けるととも
に基体１を複数の基板に分割する。

【００３１】以上の工程によって図２（ｃ）の（イ）に
示すように、分割して得た基板９の有効画素領域に、基
板９上に形成された転送電極２と、基板１の転送電極２
の開口２ｃの位置に設けられた受光部４と、転送電極２
の上方に形成されて高精度に受光部４の直上位置を開口
した開口部６ａを有する遮光膜６（ハッチングで示す）
と、図示しないが遮光膜６上に形成された平坦化層、カ
ラーフィルタ層、層間絶縁膜およびオンチップレンズ等
とを備えた固体撮像素子が得られる。

【００３２】なお、前述した基体１への転送電極２の形
成の際に、この固体撮像素子を構成する基板２の周辺領
域にダミー転送電極３を形成した場合には、例えば第１
レジストパターン７および第２レジストパターン８の形
成工程の露光の際に、１ショットで１つの基板９の形成
領域を照射する場合には、有効画素領域が図２（ｃ）の
（イ）に示すように構成されているとともに、基板９の
周辺領域が図２（ｃ）の（ロ）に示すように、ダミー転
送電極３と、遮光膜６の開口部６ａと同様の形状を有す
る遮光材料膜５のパターン１１とを備えた請求項２の発
明の一実施形態となる固体撮像素子１０が得られる。

【００３３】また、例えば第１レジストパターン７およ
び第２レジストパターン８の形成工程の露光の際に、１
ショットで複数の基板９の形成領域を照射するととも
に、基板９の周辺領域以外にダミー転送電極３を形成し
た場合には、有効画素領域が図２（ｃ）の（イ）に示す
ように構成されているとともに、基板９の周辺領域が従
来と同様に構成された固体撮像素子が得られることにな
る。

【００３４】このように、本実施形態の固体撮像素子の
製造方法では、有効画素領域に転送電極２を形成する際
のこの転送電極２の微妙なズレをそのまま反映したダミ
ー転送電極３を周辺領域に形成し、転送電極２およびダ
ミー転送電極３を遮光材料膜５で覆い、さらに有効画素
領域の遮光材料膜５上に第１レジストパターン７を形成
するとともに周辺領域の遮光材料膜５上に、第１レジス
トパターン７の位置ズレをそのまま反映した第２レジス
トパターン８を形成する。したがって、ダミー転送電極
３の開口３ａに対する第２レジストパターン８の位置を
観察することにより、有効画素領域の転送電極２の開口
２ｃに対する第１レジストパターン７の孔パターンの微
妙な位置ズレの情報を高精度に得ることができる。

【００３５】そして、観察結果に基づき、転送電極２の
開口２ｃに対する第１レジストパターン７の孔パターン
の位置合わせを行うことから、転送電極２の開口２ｃと
第１レジストパターン７の孔パターンとを高精度に位置
合わせした状態で第１レジストパターン７を形成するこ
とができる。このため、第１レジストパターン７をマス
クとして遮光材料膜５をエッチングすることにより、受
光部４の直上の最適な位置にしかも最適な形状に遮光膜
５の開口部５ａを形成することができる。よって、受光
部４に光を入射させかつ受光部４以外への光の入射を確
実に防止できるため、感度やスミア等の特性がバラツキ
が少ない最善値である固体撮像素子を製造することがで
きる。

【００３６】また本実施形態では第１レジストパターン
７および第２レジストパターン８を形成した段階で上記
の位置合わせを行うことができるので、位置合わせに用
いた基体１は、位置合わせ後に第１レジストパターン７
および第２レジストパターン８を除去することにより、
再び固体撮像素子の製造に用いることができる。

【００３７】また周辺領域にアライメント用のダミー転
送電極３を備えた固体撮像素子１０では、ダミー転送電
極３が、有効画素領域の転送電極２と同じパターン形状
を有するものであるため、上記実施形態の方法で述べた
ように有効画素領域の転送電極２と同じ工程にて形成さ
れて、有効画素領域に転送電極２を形成する際のこの転
送電極２の微妙な位置ズレをそのまま反映したものとな
っている。よって、転送電極２の上方に開口部６ａを有
する遮光膜６を形成する際、開口部６ａに対応する形状
の孔パターンを有する第１レジストパターンを７得るた
めのリソグラフィ技術では、ダミー転送電極３を用いた
上記実施形態と同様の方法を実施できるので、有効画素
領域の転送電極２の開口２ｃに対して第１レジストパタ
ーン７の孔パターンの位置合わせを高精度に行うことが
できる。

【００３８】したがって、ダミー転送電極３を備えた固
体撮像素子１０は、受光部４の直上の最適な位置にしか
も最適な形状に遮光膜５の開口部５ａが形成されたもの
となるので、感度やスミア等の特性がバラツキが最小限
に抑えられたものとなる。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明に係
る固体撮像素子の製造方法によれば、有効画素領域の転
送電極の微妙なズレをそのまま反映したダミー転送電極
を周辺領域に形成し、周辺領域の遮光材料膜上に第１レ
ジストパターンの位置ズレをそのまま反映した第２レジ
ストパターンをダミー転送電極の開口に重なるように形
成し、ダミー転送電極の開口に対する第２レジストパタ
ーンの位置を観察して、転送電極の開口に対する第１レ
ジストパターンの位置合わせを行うので、転送電極の開
口の最適な位置に位置合わせした第１レジストパターン
をマスクとした遮光材料膜のエッチングを行うことがで
きる。したがって、受光部の直上の最適な位置にしかも
最適な形状に遮光膜の開口部を形成することができるた
め、感度やスミア等の特性がバラツキが少ない最善値で
ある固体撮像素子を製造することができる。

【００４０】また請求項２の発明に係る固体撮像素子に
よれば、周辺領域に、転送電極の微妙な位置ズレをその
まま反映したアライメント用のダミー転送電極が設けら
れているので、転送電極の上方に開口部を有する遮光膜
を形成する際、開口部に対応する形状の孔パターンを有
する第１レジストパターンを得るためのリソグラフィ技
術にて、ダミー転送電極を用いた上記請求項１の発明と
同様の方法により、有効画素領域の転送電極の開口に対
して第１レジストパターンの孔パターンの位置合わせを
高精度に行うことができる。したがってこの発明によれ
ば、受光部の直上の最適な位置にしかも最適な形状に遮
光膜の開口部が形成されたものとなるので、感度やスミ
ア等の特性のバラツキが少ない固体撮像素子を実現でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ）は本発明に係る固体撮像素子の
製造方法の一実施形態を工程順に示す説明図（その１）
であり、（イ）は有効画素領域の要部平面図、（ロ）は
周辺領域の要部平面図である。

【図２】（ｃ）は本発明に係る固体撮像素子の製造方法
の一実施形態を工程順に示す説明図（その２）であり、
（イ）は有効画素領域の要部平面図、（ロ）は周辺領域
の要部平面図である。

【図３】（ａ），（ｂ）は本発明の課題を説明するため
の要部平面図である。

【符号の説明】

１…基体、２…転送電極、２ｃ，３ａ…開口、３…ダミ
ー転送電極、４…受光部、５…遮光材料膜、６…遮光
膜、６ａ…開口部、７…第１レジストパターン、８…第
２レジストパターン、９…基板、１０…固体撮像素子

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 有効画素領域とその周辺の周辺領域とを
   有した基体を用い、該基体上に、その縦横それぞれに所
   定間隔をあけて開口した状態に転送電極を形成し、前記
   有効画素領域にて前記転送電極が開口した位置に光電変
   換をなす受光部を設け、前記基体上に前記転送電極を覆
   う状態で遮光性を有する遮光材料膜を形成し、前記有効
   画素領域における遮光材料膜上に第１レジストパターン
   を形成し、該第１レジストパターンをマスクとして前記
   遮光材料膜をエッチングすることにより、前記受光部の
   直上位置に開口部を有する遮光膜を形成する固体撮像素
   子の製造方法において、 前記転送電極を形成する際に、前記有効画素領域だけで
   なく前記周辺領域にも前記転送電極を形成してこの周辺
   領域の転送電極をダミー転送電極とし、 前記遮光材料膜上に第１レジストパターンを形成する際
   に、前記周辺領域の遮光材料膜上に、第１レジストパタ
   ーンを反転した形状の第２レジストパターンを前記ダミ
   ー転送電極が開口した位置に重なるように形成し、 前記周辺領域のダミー転送電極が開口した位置に対する
   前記第２レジストパターンの位置の観察結果に基づい
   て、前記有効画素領域の転送電極が開口した位置に対す
   る前記第１レジストパターンの位置合わせを行うことを
   特徴とする固体撮像素子の製造方法。
2. 【請求項２】 基板に設けられた有効画素領域とその周
   辺の周辺領域とを備え、 前記有効画素領域には、該有効画素領域における基板上
   に、その縦横それぞれに所定間隔をあけて開口した状態
   に転送電極が形成され、 前記基板の前記転送電極が開口した位置に光電変換をな
   す受光部が設けられ、 前記転送電極の上方に、前記受光部の直上位置を開口し
   た開口部を有しかつ受光部以外への光の入射を遮断する
   遮光膜が形成された固体撮像素子において、 前記周辺領域における基板上には、前記有効画素領域の
   転送電極と同じパターン形状を有するアライメント用の
   ダミー転送電極が設けられていることを特徴とする固体
   撮像素子。