JPH11145229A - 半導体装置の外観検査方法および装置 - Google Patents

半導体装置の外観検査方法および装置

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JPH11145229A
JPH11145229A JP32052397A JP32052397A JPH11145229A JP H11145229 A JPH11145229 A JP H11145229A JP 32052397 A JP32052397 A JP 32052397A JP 32052397 A JP32052397 A JP 32052397A JP H11145229 A JPH11145229 A JP H11145229A
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JP
Japan
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semiconductor device
foreign matter
lead portion
light
observed
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JP32052397A
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Kazuaki Maehara
和明 前原
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、異物発見に熟練を要することなく
容易に異物検出が可能な半導体装置の外観検査方法及び
装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置1のリード部付近からの光を
偏光板2を通して観察し、リード部とそれに付着した異
物との観察像のコントラスト差により異物付着の有無を
確認する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の外観
検査方法および装置に係り、特に、半導体装置のリード
部上への異物付着の有無を確認する方法および装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置のリード部上に付着し
た異物は、図3(a)、(b)に示すように、接眼レン
ズ3及び対物レンズ4を有する実体顕微鏡、又は拡大鏡
6を用いて検査者がリード部付近(試料1)を一定倍率
で拡大して目視し、その有無を確認していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の外観検査方法では、半導体装置が白色光により
照らされて拡大観察されるため、白色又は透明に近い異
物は白色光により反射されてしまい、金属であるリード
部との間にあまりコントラスト差がなく、異物有無の確
認のために熟練を要する、という問題があった。
【0004】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、異物発見に熟練を
要することなく容易に異物検出が可能な半導体装置の外
観検査方法及び装置を提供する点にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、半導体
装置のリード部上への異物付着の有無を確認するための
外観検査方法において、半導体装置のリード部付近から
の光を偏光板を通して観察し、リード部とそれに付着し
た異物との観察像のコントラスト差により異物付着の有
無を確認することに存する。
【0006】また、本発明の要旨は、半導体装置のリー
ド部上への異物付着の有無を確認する外観検査装置にお
いて、半導体装置のリード部付近からの光を観察するた
めの実体顕微鏡と、実体顕微鏡の観察像のコントラスト
差を検出するコントラスト検出部とを備え、実体顕微鏡
の光路中に偏光板を挿入したことに存する。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。図1は、本発明の一実
施形態である半導体装置の外観検査方法に用いられる実
体顕微鏡を示す図である。図1に示す実体顕微鏡では、
接眼レンズ3と対物レンズ4の間の光路中に偏光板(偏
光レンズ)2が挿入されている。なお、試料1に対する
光源の図示を省略しているが、この光源は試料1に対し
ていわゆる透過光でも反射光でもいずれであってもよ
い。
【0008】従って、図1に示す実体顕微鏡により試料
1(半導体装置のリード部)を観察すると、金属からな
るリード部と異物との屈折率または反射率が異なること
によりリード部からの光と異物からの光との間に位相差
が生じ、この位相差は偏光板2を通過することにより光
のコントラスト差として観察できる。従って、図1の実
体顕微鏡により半導体装置のリード部を観察すれば、半
導体装置と異物の観察像との間にコントラストの差が生
じるため、リード部への異物付着の有無を熟練を要する
ことなく容易に確認することができ、結果として検出率
の向上を図ることができる。
【0009】一例として、本発明者の実験データによれ
ば、従来の検査方法に比較して異物検出率は30ppmから6
0ppmに向上し、その結果、異物付着半導体装置の流出率
は10ppmから5ppmに低下した。
【0010】このように、コントラスト差という客観的
かつ定量的な判断基準により異物検出ができることか
ら、図2に示すように、接眼レンズ3から出射する光を
コントラスト差認識装置5に入力し、このコントラスト
差認識装置5の検出結果を用いて半導体装置への異物付
着の有無を自動的に検査することが可能になる。コント
ラスト差認識装置5としては周知の構成が適用可能であ
るが、一例として照度計が挙げられる。
【0011】なお、本実施の形態においては、本発明は
それに限定されず、本発明を適用する上で好適なものに
適用することができる。また、上記構成部材の数、位
置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実
施する上で好適な数、位置、形状等にすることができ
る。なお、各図において、同一構成要素には同一符号を
付している。
【0012】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、以下に掲げる効果を奏する。すなわち、異物発見に
熟練を要することなく容易に異物検出が可能となり、結
果として異物検出率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態である半導体装置の異物検
査方法が適用される実体顕微鏡を示す模式図である。
【図2】本発明の一実施形態である半導体装置の異物検
出装置を示す模式図である。
【図3】従来の半導体装置の異物検査方法を説明するた
めの模式図であり、(a)は拡大鏡を使用した場合、
(b)は実体顕微鏡を使用した場合の図である。
【符号の説明】
1 試料(半導体装置) 2 偏光板(偏光レンズ) 3 接眼レンズ 4 対物レンズ 5 コントラスト差認識装置 6 拡大鏡
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年2月16日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 半導体装置の外観検査方法および
装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の外観
検査方法および装置に係り、特に、半導体装置のリード
部上への異物付着の有無を確認する方法および装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置のリード部上に付着し
た異物は、図3及び図4に示すように、接眼レンズ3及
び対物レンズ4を有する実体顕微鏡、又は拡大鏡6を用
いて検査者がリード部付近(試料1)を一定倍率で拡大
して目視し、その有無を確認していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の外観検査方法では、半導体装置が白色光により
照らされて拡大観察されるため、白色又は透明に近い異
物は白色光により反射されてしまい、金属であるリード
部との間にあまりコントラスト差がなく、異物有無の確
認のために熟練を要する、という問題があった。
【0004】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、異物発見に熟練を
要することなく容易に異物検出が可能な半導体装置の外
観検査方法及び装置を提供する点にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、半導体
装置への異物付着の有無を確認するための外観検査方法
において、半導体装置からの光を偏光板を通して観察
し、半導体装置とそれに付着した異物との観察像のコン
トラスト差により異物付着の有無を確認することに存す
る。
【0006】また、本発明の要旨は、半導体装置への異
物付着の有無を確認する外観検査装置において、半導体
装置からの光を観察するための実体顕微鏡と、実体顕微
鏡の観察像のコントラスト差を検出するコントラスト検
出部とを備え、実体顕微鏡の光路中に偏光板を挿入した
ことに存する。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。図1は、本発明の一実
施形態である半導体装置の外観検査方法に用いられる実
体顕微鏡を示す図である。図1に示す実体顕微鏡では、
接眼レンズ3と対物レンズ4の間の光路中に偏光板(偏
光レンズ)2が挿入されている。なお、試料1に対する
光源の図示を省略しているが、この光源は試料1に対し
ていわゆる透過光でも反射光でもいずれであってもよ
い。
【0008】従って、図1に示す実体顕微鏡により試料
1(半導体装置のリード部)を観察すると、金属からな
るリード部と異物との屈折率または反射率が異なること
によりリード部からの光と異物からの光との間に位相差
が生じ、この位相差は偏光板2を通過することにより光
のコントラスト差として観察できる。従って、図1の実
体顕微鏡により半導体装置のリード部を観察すれば、半
導体装置と異物の観察像との間にコントラストの差が生
じるため、リード部への異物付着の有無を熟練を要する
ことなく容易に確認することができ、結果として検出率
の向上を図ることができる。
【0009】一例として、本発明者の実験データによれ
ば、従来の検査方法に比較して異物検出率は30ppm
から60ppmに向上し、その結果、異物付着半導体装
置の流出率は10ppmから5ppmに低下した。
【0010】このように、コントラスト差という客観的
かつ定量的な判断基準により異物検出ができることか
ら、図2に示すように、接眼レンズ3から出射する光を
コントラスト差認識装置5に入力し、このコントラスト
差認識装置5の検出結果を用いて半導体装置への異物付
着の有無を自動的に検査することが可能になる。コント
ラスト差認識装置5としては周知の構成が適用可能であ
るが、一例として照度計が挙げられる。
【0011】なお、本実施の形態においては、本発明は
それに限定されず、本発明を適用する上で好適なものに
適用することができる。また、上記構成部材の数、位
置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実
施する上で好適な数、位置、形状等にすることができ
る。なお、各図において、同一構成要素には同一符号を
付している。
【0012】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、以下に掲げる効果を奏する。すなわち、異物発見に
熟練を要することなく容易に異物検出が可能となり、結
果として異物検出率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態である半導体装置の異物検
査方法が適用される実体顕微鏡を示す模式図である。
【図2】本発明の一実施形態である半導体装置の異物検
出装置を示す模式図である。
【図3】従来の半導体装置の異物検査方法を説明するた
めの模式図であり、拡大鏡を使用した場合の図である。
【図4】従来の半導体装置の異物検査方法を説明するた
めの模式図であり、実体顕微鏡を使用した場合の図であ
る。
【符号の説明】 1 試料(半導体装置) 2 偏光板(偏光レンズ) 3 接眼レンズ 4 対物レンズ 5 コントラスト差認識装置 6 拡大鏡

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置への異物付着の有無を確認す
    るための外観検査方法において、 前記半導体装置からの光を偏光板を通して観察し、前記
    半導体装置とそれに付着した異物との観察像のコントラ
    スト差により異物付着の有無を確認することを特徴とす
    る半導体装置の外観検査方法。
  2. 【請求項2】 前記半導体装置のリード部付近からの光
    を偏光板を通して観察することを特徴とする請求項1記
    載の半導体装置の外観検査方法。
  3. 【請求項3】 実体顕微鏡により前記半導体装置からの
    光を観察することを特徴とする請求項1または2記載の
    半導体装置の外観検査方法。
  4. 【請求項4】 半導体装置への異物付着の有無を確認す
    る外観検査装置において、 前記半導体装置からの光を観察するための実体顕微鏡
    と、 前記実体顕微鏡の観察像のコントラスト差を検出するコ
    ントラスト検出部とを備え、 前記実体顕微鏡の光路中には偏光板が挿入されているこ
    とを特徴とする半導体装置の外観検査装置。
  5. 【請求項5】 前記実体顕微鏡は前記半導体装置のリー
    ド部付近からの光を観察することを特徴とする請求項4
    記載の半導体装置の外観検査装置。
  6. 【請求項6】 前記コントラスト検出部は照度計である
    ことを特徴とする請求項4または5記載の半導体装置の
    外観検査装置。
JP32052397A 1997-11-07 1997-11-07 半導体装置の外観検査方法および装置 Pending JPH11145229A (ja)

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JP (1) JPH11145229A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2080061A2 (en) * 2006-09-27 2009-07-22 Delkin Devices Inc. Image sensor inspection device
US11037288B2 (en) 2018-12-25 2021-06-15 Seiko Epson Corporation Visual inspection device and visual inspection method

Cited By (5)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2080061A2 (en) * 2006-09-27 2009-07-22 Delkin Devices Inc. Image sensor inspection device
EP2080061A4 (en) * 2006-09-27 2009-12-16 Delkin Devices Inc IMAGE SENSOR INSPECTION DEVICE
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US8346076B2 (en) 2006-09-27 2013-01-01 Delkin Devices, Inc. Image sensor inspection device
US11037288B2 (en) 2018-12-25 2021-06-15 Seiko Epson Corporation Visual inspection device and visual inspection method

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