JPH11144532A

JPH11144532A - 電気通信ケーブル

Info

Publication number: JPH11144532A
Application number: JP30774797A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Horie; 靖堀江; Ryoji Ono; 良次大野; Katsuhiro Yokoyama; 桂広横山; Masahiro Tanaka; 正浩田中
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 1997-11-11
Filing date: 1997-11-11
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】伝送速度がＧbitレベルのＬＡＮ間伝送
用に使用される特性インピ−ダンスが150±10(Ω)のシ
−ルド層付きカッド撚り電気通信ケ−ブルを提供するこ
とにある。【解決手段】４本の絶縁線芯を星形カッド状に撚り合
わせ、その外側に押さえ絶縁層、電磁シ−ルド層、その
外側に熱可塑性樹脂製シース層を順次被覆した100Mbps
以上の高速デ−タ伝送に使用される電気通信ケ−ブルに
おいて、絶縁線芯に使用される導体の半径ｒとケ−ブル
の中心に対して点対称に配置された２本の絶縁線芯の導
体間距離Ｄおよびカッドの撚ピッチＰが 6.5≦D／r≦9 (１) 7≦P／D≦18 (２) であることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＣＳＩ伝送より
も高速な100Mbps以上の信号伝送を行うコンピュ−タイ
ンタ−フェ−ス用、あるいは伝送速度がＧbitレベルの
ＬＡＮ間伝送用に使用される特性インピ−ダンスが150
±10(Ω)のシ−ルド層付きカッド撚り構造の電気通信ケ
−ブルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、ＬＡＮや高速インタ−フェ−ス用
の伝送媒体として平衡ケ−ブルが使用されるケースが増
えている。平衡ケ−ブルとして一般に、ツイストペア型
とカッド撚り型のものとがある。一般に、前述した高速
デ−タ伝送の用途では、ツイストペア型ケ−ブルが主に
使用されている。しかし、信号伝送用の伝送路として２
回線必要な場合、対撚ケ−ブルの２対構造では大きな収
納体積を占めるものとなる。また更に、回線間の漏話を
考慮して対撚線毎にシ−ルドを施す場合、１００Ω以上
の特性インピ−ダンスにするにはケーブル外径が大き
く、ケーブルが硬く曲げ難く且つ重いものとなる。

【０００３】他方、カッド撚り型ケ−ブルは、対撚線に
比べ４線芯の収納性か良く、２回線必要な場合には、２
対ケ−ブルに比べ外径を小さくできる。しかし、ツイス
トペア型ケ−ブルのように数十Ｍbps以上の高速伝送に
使用された実績が少ない。また、カッド撚り型ケ−ブル
については、電話用ケ−ブルとして過去に多数の研究論
文が発表されている。かかる多くの発表論文には、特性
インピ−ダンスが約160Ωで、カッドの対角に位置する2
本の絶縁線芯の導体間距離Dと導体径ｒの関係を5≦D／r
≦12（好ましくは5≦D／r≦7)とした複数カッド撚り型
ケ−ブルが記述されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記したように、ツイ
ストペア型ケ−ブルでは、ケ−ブル外径が大きく、硬
く、更に重いものとなる欠点があった。また、カッド撚
り型ケ−ブルについては、過去において上記したように
導体間距離Dと導体径ｒの好ましい関係が特定されてい
たが、一般に高い周波数帯域での耐ノイズ特性向上の目
的からカッド撚の周囲にシ−ルド層を施し特性インピ−
ダンスを150(Ω)とするには、対角に位置する導体間隔
を大きくする必要があり、上記条件の5≦D／r≦7を採用
することができない。この場合、一般に空気層を多く含
む絶縁体を導体上に被覆する方法がとられるが、カッド
撚りした際に絶縁体が潰れる可能性が高い。また絶縁体
を潰れ難くする為にピッチ長を長くすると、100MHz以上
の周波数で近端漏話が大きくなる欠点があった。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明はかかる点に鑑み
なされたもので、外径が等しい４本の絶縁線芯を星形カ
ッド状に撚り合わせ、その外側に押さえ絶縁層を被覆
し、その外側に電磁シ−ルド層を形成し、その外側に熱
可塑性樹脂製シース層を施し、100Mbps以上の高速デ−
タ伝送に使用される電気通信ケ−ブルにおいて、絶縁線
芯に使用される導体の半径ｒとケ−ブルの中心に対して
点対称に配置された２本の絶縁線芯の導体間の特性イン
ピ−ダンスが１０ＭＨZ以上の周波数帯域で１５０±１
０(Ω)でかつ、前記点対称に配置された２本の絶縁線芯
の導体間距離Ｄおよびカッドの撚ピッチＰが 6.5≦D／r≦9 ・・・(１) 7≦P／D≦18 ・・・(２) であることを特徴とする。

【０００６】また、絶縁線芯を被覆する熱可塑性樹脂は
誘電率が2.3より小さいものを使用する。特にポリエチ
レンを発泡させることによって、誘電率を1.75から2の
間で制御した絶縁線芯を使用する時に、カッド撚りされ
た４本の絶縁線芯の内、ケ−ブルの中心に対して点対称
に配置された絶縁線芯の導体間の特性インピ−ダンスを
１５０±１０（Ω）に設定するために、カッド撚の上に
被覆される押さえ絶縁層と絶縁線芯を構成する絶縁体と
の総厚さＴと導体間隔Ｄ、導体径ｄの関係を以下の回帰
式を満足するようにする。 T／D＝1986.1−1380.8・(D／r)＋399.4・(D／r)²−61.475
・(D／r)³＋5.3079・(D／r)⁴−0.24368・(D／r)⁵＋0.00465
・(D／r)⁶ ケ−ブル中心に対して点対称に位置する導体間に必要に
応じて電気通信ケ−ブルの断面方向の中心にカッド構造
防止のため比誘電率が2.3以下の介在を入れる。

【０００７】

【発明の実施の形態】このようにカッド撚りケ−ブルに
おいて、絶縁線芯に使用される導体の外径ｄと対角に位
置する導体間の距離Ｄの関係が6.5≦D／r≦９となる様
に構成することによって、カッド撚りケ−ブルで100MHz
〜1GHzの周波数帯域で減衰量特性が良好になる。

【０００８】カッド撚りピッチについては、1Gbps程度
の高速デ−タ伝送を行うには近端漏話減衰量を１GHzで
0.05%以下にするのが好ましく、カッド撚りピッチＰをP
／D≦１８の範囲に特定することで達成することができ
る。また、誘電率が2.3より小さい絶縁体を使用するこ
とにより、減衰量を低減しケ−ブル外径を小さくできる
効果がある。

【０００９】1Gbps以上の高速伝送が検討されている特
性インピ−ダンス150Ωの平衡ケ−ブルとするには、カ
ッド撚の上に被覆された押さえ巻き絶縁層と絶縁線芯を
構成する絶縁体との総厚さＴと導体間隔Ｄ、導体半径r
を以下の回帰式を満足するようにすることにより、ケー
ブルの特性インピーダンスを150±10Ωの範囲にするこ
とができる。 T／D＝1986.1−1380.8・(D／r)＋399.4・(D／r)²−61.475
・(D／r)³＋5.3079・(D／r)⁴−0.24368・(D／r)⁵＋0.00465
・(D／r)⁶ カッド撚の中心に介在を入れるのはカッド形状を崩れ難
くし、漏話特性を劣化させ難くするためである。

【００１０】以下、上記のとおり数値限定した根拠につ
いて説明する。まず始め、図７に示すように、周波数に
対する減衰量の特性を測定する目的で、直径0.65mmの錫
メッキ軟銅線の導体１に絶縁体２の厚さを変えて仕上り
外径2.5mm、2.4mm、2.3mm、2.2mm、2.1mm、2.0mm、1.9m
m、1.8mm、1.7mm、1.6mm、1.5mmの絶縁線芯３を用意
し、それぞれをカット撚りしてカット撚線芯４を構成し
た。

【００１１】次に、４芯のカッド撚線芯４の上に0.2mm
の厚みを持つ絶縁テ−プで押え巻きを施して押さえ絶縁
層５を構成し、その上にアルミペットテープを巻くこと
によって電磁シールド層６を形成した。このようにして
シ−ルド層６とカッド撚線芯４との間に押さえ絶縁層５
によって間隔を設けた。このようにして製造された導体
間距離を変えた電気通信ケーブルの実験例１〜１１の１
１種類を表１に示すよう製造し、導体間距離がケ−ブル
の伝送特性に影響を及ぼすか否かを調査した。具体的に
は、各サンプルをそれぞれ長さ２０ｍについて周波数1M
Hzから1GHzの範囲で減衰量を測定した。この際、ケ−ブ
ルの特性インピ−ダンスの外径による変化を無視した。
その測定結果の主要なものを図８〜１０に示す。

【００１２】

【表１】

【００１３】この結果、絶縁外径が大きく導体間距離が
大きい実験例１のサンプルは100MHz以上の周波数帯域で
減衰量の変動が大きかった。導体間距離を小さくした実
験例５では、変動が改善されたものの700MHz以上の帯域
でやや変動が認められた。更に絶縁外径を小さくした実
験例７では周波数変動が認められなくなった。(ここで
変動としているのは短い周期で起こっている小さい変動
では無く、図に矢印で示した大きな変動のことであ
る。)

【００１４】100MHz以上の減衰量特性に実験例１のよう
に変動が認められるものは×とし、実験例５のようにや
や変動が認められるものは△、実験例７のように変動が
認められないものは○としてそれぞれを判定すると、表
２に示す結果となった。これにより、導体間隔Ｄが小さ
くなると変動が無くなっていくことが確認された。ここ
で、表２においてD／rの値を示したのは、平衡ケ−ブル
の高周波帯域での変動の要因であるインダクタンスと静
電容量は、D／rの関数として表せるので変動が起こるケ
−ブル構造上の指標として有効と考えたからである。こ
れによるとD／r＜9であれば変動が認められなくなる。

【００１５】

【表２】

【００１６】以上の検討の妥当性を確かめるために、導
体径を変えた確認サンプルを５種類（確認例１〜５）製
造して周波数1MHzから1GHｚまでの減衰量特性を測定し
た。その結果を表３に示す。

【００１７】

【表３】

【００１８】確認例１は、露悪実験である。先に、絶縁
線芯の絶縁体厚が大きい場合のカッド撚線芯の例は実験
例１で示したが、ここでは、導体径および絶縁外径を小
さくした絶縁線芯を用い、導体半径と変わらない程度の
絶縁体厚で被覆した絶縁線芯を用いて、導体間隔Ｄと導
体半径ｒとの関係がD／r＞9になるような太い中心介在
を介在させたサンプルを製造し、実験した。

【００１９】具体的には、図１１および表３に示したよ
うに1.5mmφのポリエチレン介在紐の周りに絶縁線芯0.8
0mmを４芯と0.8mmのポリエチレン介在紐４本を交互に配
列して集合撚りし、各絶縁線芯がケ−ブル断面の中心点
から等しい距離にあり中心点からみた位置が互いに90度
づつずれた構造のカッドケ−ブルとした。こうすること
で、介在紐中心に対して点対称に位置する絶縁線芯間
の導体間隔は、(1.5＋0.80)mmとなり、D／r＝2・(1.5＋
0.80)／0.48＝9.58＞9となる。

【００２０】確認例２、３、４、は、シ−ルド層無しの
カッド撚り構造のケ−ブルであり、シ−ルド層が無い場
合であっても、D／r＜9であれば100MHz以上の減衰量周
波数特性が変動しないことを確かめるための実験であ
る。

【００２１】確認例２は、0.65mmの錫メッキ軟銅単線に
ポリエチレンを外径が1.25mmになるように被覆した絶縁
線芯をカッド撚したのち、ＰＶＣでジャッケットを施し
たサンプルである。

【００２２】確認例３は、0.5mmの錫メッキ軟銅単線に
ポリエチレンを外径が0.94mmになるように被覆した絶縁
線芯をカッド撚したのち、同様にＰＶＣでジャッケット
を施したサンプルである。

【００２３】確認例４は、導体に単線ではなく撚線を使
用した例で、0.1mmの錫メッキ軟銅単線を７本撚合わせ
た導体にポリエチレンを外径が0.90mmになるように被覆
した絶縁線芯をカッド撚したのち、同様にＰＶＣでジャ
ッケットを施したサンプルである。

【００２４】確認例５は、比較例より絶縁外径が小さい
絶縁線芯でカッド撚した場合で、シ−ルド層を設けたタ
イプである。

【００２５】以上の確認例をケーブル長が５mで評価し
た。その結果、表４に示すように、確認例１は減衰量周
波数特性に変動が有り、確認例２〜５は、変動が無いこ
とが確認できた。これより、導体径を変えた場合でもD
／r＞9であれば周波数特性が変動し、D／r≦9であれば
変動しないことが確認された。

【００２６】

【表４】

【００２７】なお、D／r＞9となる実験例１のサンプル
に、図１２に示す１ＧbpsのＮＲＺ信号のアイパターン
をランダムなパターンで伝送させたときのアイ・パタ−
ンをみると図１３に示すとおりであり、アイパターンが
確認できなく、高速デ−タ伝送用として好ましくないこ
とが予想される。また、導体と導体間隔をD／r≧6.5に
設定したのは、導体と導体間隔をD／r＜6.5となってい
る場合に、本発明のシ−ルド付きのカッドケ−ブルで15
0Ωとするにはカッド撚した絶縁線芯の回りにかなり厚
く絶縁層を施す必要があり実用的でないためである。以
上の結果から数式(1)の数値が特定された。

【００２８】次に数式(2)の根拠について説明する。近
端漏話減衰量は、一般に0.5%以下にするのが好ましい。
このためカッド撚ピッチの長さを小さくすることで漏話
減衰量が低減できるかを、表５に示す構造のサンプルで
検討した。近端漏話の測定は、パルスジェネレ−タによ
ってカッド撚の対角に位置する絶縁線芯間に振幅180mV
の１ＧbpsのＮＲＺ信号をランダムなパタ−ンで入力
し、近端側の残りの絶縁線芯間に漏話してくる信号をオ
シロスコ−プで検出した。実験例３の近端漏話の電圧を
図１４に示す。漏話の評価は、図１４に示された振幅の
大きさを測定して判断した。実験したケ−ブルの構造と
漏話電圧の評価結果も表５に示した。

【００２９】

【表５】

【００３０】漏話してくる信号電圧と実験したサンプル
のカッド撚ピッチの関係(p／D)をプロットすると図１５
となる。このプロットについて３次の多項式近似を行う
と、近端漏話電圧：Vn＝-48.843+13.848・(p/D)-1.121・
(p/D)²+0.030099(p/D)³と表せる。

【００３１】目標値である近端漏話減衰量0.5％以下、
即ち23dB以下となるのは、入力電圧が180mVであるから2
3＝−20・log(Vn／180)式からVn＝12.75mV 以下となる。
上記多項式で12.75以下となるのは、P／Dが１８以下の
時である。これにより、カッド撚ピッチＰを P／D≦１
８の範囲で特定する必要があることがわかる。

【００３２】また、下限値として7を設定したのは、7未
満にするとカッドの絶縁線芯が互いに押しつぶし合い、
星型カッドの形状を維持できなくなる。これが、数式
(2)の数値限定をした理由である。

【００３３】ここで、本発明が目的としているのは、特
性インピ−ダンスの値が150±10(Ω)となるケ−ブルで
ある。以上のように導体外径と導体間距離との関係をD
／r＜9に特定するとカッド撚りしたケ−ブルに直接シ−
ルドを施して10MHz以上の周波数帯域で150±10(Ω)の範
囲の特性インピ−ダンスを確保するには絶縁線芯に被覆
する絶縁材料として比誘電率が1.56以下の絶縁体を使用
する必要がある。この場合、絶縁体としてポリエチレン
を使用すると約60％以上の高発泡率が必要となる。

【００３４】50％以上に発泡させたポリエチレンを被覆
した絶縁線芯は、側圧による潰れが生じやすく：上記に
数値限定した７≦ P／D≦１８の範囲となるような撚ピ
ッチで絶縁体の潰れが無いようにカッド撚するのは困難
である。15から30%程度の発泡率のポリエチレンで被覆
した絶縁線芯であればカッド撚の際の側圧程度では潰れ
にくい。この程度の発泡絶縁線芯で6.5＜D／r＜9の範囲
を満足するようにカッド撚りして150±10(Ω)の特性イ
ンピ−ダンスとするには、シ−ルド層とカッド撚された
絶縁線芯表面との間にスペ−サを設ける必要がある。ス
ペ−サの厚さは、絶縁線芯の外径によって異なり、絶縁
線芯の外径が小さい場合は絶縁線芯の外径が大きい場合
よりも厚めにする必要がある。

【００３５】ここで、以下の実験を行った。導体外径0.
65mmの錫メッキ軟銅単線の上に発泡率20%の発泡ポリエ
チレン材でその厚さを変えて絶縁外径の異なる１１種類
の絶縁線芯をした。各々の外径の絶縁線芯をカッド撚り
し、シ−ルド層とカッド撚り表面との間に絶縁層として
ポリエチレンテ−プを重ね巻きし、10MHz以上の周波数
帯域でカッド撚りの対角に位置する絶縁線芯の導体間の
特性インピ−ダンスが150±5(Ω)になるようにし、その
ときのテ−プ巻きの厚さを測定した。導体外径0.50mmの
導体についても同様に１１種類作成し、同様の測定を行
った。この結果を表6に示す。

【００３６】

【表６】

【００３７】かかる導体外径 0.65mm錫メッキ軟銅撚線
を使用した結果と導体外径0.50mm錫メッキ軟銅撚線を使
用した結果をD/rとT/D（Ｄ：カッド撚外径、ｄ：導体外
径、Ｔ：押さえ巻き絶縁層と絶縁線芯を構成する絶縁体
の厚さ）との関係を各例についてプロットすると図１
６に示す通りとなり、プロットは以下の近似式で表され
る。 T／D＝1986.1−1380.8・(D／r)＋399.4・(D／r)²−61.475
・(D／r)³＋5.3079・(D／r)⁴−0.24368・(D／r)⁵＋0.00465
・(D／r)⁶ これらの結果を請求項１及び２で特定した。

【００３８】

【実施例】以下本発明を図１〜３にそれぞれ図示した実
施例により説明する。図は通信ケーブル全体を示す断面
図であり、１は導線、２はその上に被覆された絶縁体、
３は錫メッキ軟導線１と絶縁体２とで構成された絶縁線
芯、４は絶縁線芯３がカット撚りして構成されたカット
撚線芯、５はカット撚線芯４の上を覆うように巻き付け
られた押さえ絶縁層、６はその上に被覆された電磁シー
ルド層、７は電磁シールド層の上に被覆されたシース
層、８はカット撚りされた絶縁線芯の中心に配置された
介在紐である。

【００３９】図１に示す実施例１の導線１は、直径0.65
mmの錫メッキ軟導線を用いた。絶縁体２は約50%発泡さ
せた高密度ポリエチレンで外径が2.0mmになるように被
覆して形成した。介在紐８は直径0.8mmのポリエチレン
製のものを用い、その周りに前記したように形成した絶
縁線芯３の４本を星型カッド状に撚合わせて集合撚し
た。集合撚ピッチは40mmとした。

【００４０】押さえ絶縁層５は、前記集合撚りされたカ
ット撚線芯４の外側に、15mm幅0.22mm厚の不織布をテ−
プ幅の1／3がラップするように巻くことにより形成し
た。電磁シールド層６はアルミニウムとポリエステルを
ラミネ−トしたテ−プをアルミウムの面が外側になるよ
うにラップ巻きし、その上に直径0.1mmの錫メッキ軟導
線で編組したものを被覆することにより形成した。シー
ス層７は0.6mm厚のPVCをパイプ状に被覆することにより
構成した。

【００４１】図２に示す実施例２の絶縁線芯３は、直径
0.65mmの錫メッキ軟導線に約20%発泡させた高密度ポリ
エチレンで外径が2.0mmになるように被覆することによ
り構成した。この絶縁線芯３の４本を前記と同じ介在紐
８の周りに星型カッド状に撚合わせて集合撚し、カッド
を構成した。集合撚ピッチは40mmとした。集合撚したカ
ット撚線芯４の外側に15mm幅0.41mm厚の不織布をテ−プ
幅の1／3がラップするように巻いて押さえ巻きによる押
さえ絶縁層５を構成した。電磁シ−ルド層６およびシー
ス層７の形成方法は上記と同様である。

【００４２】実施例３は、直径0.65mmの錫メッキ軟導線
による導体１の上に約20%発泡させた高密度ポリエチレ
ンで外径が1.6mmになるように被覆して絶縁線芯３を構
成した。同様に直径0.8mmのポリエチレン製の介在紐８
の周りに前記したように形成した絶縁線芯４本を星型カ
ッド状に撚合わせて集合撚した。このときのカッド撚ピ
ッチは20mmとした。カット撚線芯４の外側に0.41mm厚の
不織布をラップ巻きし、この例ではさらにその上に0.41
mm厚の不織布をラップ巻きし、押さえ絶縁層５を２重に
構成した。電磁シ−ルド層６とシース層７は先の２つの
実施例と同様に形成した。

【００４３】上記３つの実施例は、2.0mmおよび1.6mmの
絶縁線芯３がカッド状に配列されるから導体間隔Dは、
2.0×√2＝2.83mm、1.6×√2＝2.26mmとなり、導体径dが
0.65mmであるからそれぞれD／rは、実施例１・２で8.71
また実施例３で6.95であり、ともに9以下の条件を満足
する。カッド撚ピッチPについてもP／Dの値は、それぞ
れ実施例１・２で14.83、実施例３で8.85となり、とも
に18以下の条件を満足している。

【００４４】また、押え巻き厚さについて発泡率が小さ
い実施例２および３において、実施例２は、0.41mm厚さ
の不織布をテ−プ幅の1／4がラップするようにしている
ので、厚さは等価的に0.55mmとなり、また実施例３は２
重に巻いているので1.1mmの厚さで押え巻きしたことに
なる。よって、実施例２はＤ／r＝2.83×2／0.65＝8.7
1、Ｔ／Ｄ＝0.55／2.83＝0.19、実施例３は、Ｄ／r＝2.2
6×2／0.65＝6.95、Ｔ／Ｄ＝1.1／2.26＝0.49でいずれ
も以下の回帰式に従って厚さが調整されている。 T／D＝1986.1−1380.8・(D／r)＋399.4・(D／r)²−61.475
・(D／rd)³＋5.3079・(D／r)⁴−0.24368・(D／r)⁵＋0.0046
5・(D／r)⁶ これら実施例による電気通信ケ−ブルは、押さえ絶縁層
５を、必要に応じて設けられる介在紐を介して４本の絶
縁線芯３が星形カッド状に撚合わせた上に、熱可塑性樹
脂をパイプ状に押し出し成形するなどの手段を用いて形
成することもできる。

【００４５】かかる実施例１〜３の特性インピーダンス
及び近端漏話の測定値は表７に示す通りであった。また
各実施例の減衰量ー周波数特性はそれぞれ図１４〜１６
に示す通りであった（長さ２０ｍで測定）。このことか
ら、かかる実施例１〜３は、いづれも100MHz以上1GHzの
周波数帯域で特性インピーダンスが150±10(Ω)の範囲
内であり、近端漏話は12.75mV 以下となっていることが
確認できた。また減衰量の周波数特性についても100MHz
以上の周波数帯域において変動が無く良好であった。ケ
ーブル外径については、いづれも約8mm となり、実際の
配線上で特に問題とならない値である。

【００４６】

【表７】

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、上記のように導体半径
r、導体間距離D、集合撚ピッチｐ、集合撚とシ−ルドま
での距離Tの関係を上記のように数値限定することで、1
00MHz以上の周波数帯域で安定して伝送できる特性イン
ピ−ダンス150±10(Ω)のカッド型の電気通信ケ−ブル
を構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図である。

【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図である。

【図３】本発明の第３の実施例を示す断面図である。

【図４】本発明の第１の実施例における減衰量ー周波数
特性図である。

【図５】本発明の第２の実施例における減衰量ー周波数
特性図である。

【図６】本発明の第３の実施例における減衰量ー周波数
特性図である。

【図７】本発明を発明するために行った実験例の断面図
である。

【図８】実験例１の減衰量ー周波数特性図である。

【図９】実験例５の減衰量ー周波数特性図である。

【図１０】実験例７の減衰量ー周波数特性図である。

【図１１】本発明の効果を確認するために行った確認例
の断面図である。

【図１２】測定時におけるアイパターン入力波形図であ
る。

【図１３】実験例１のアイパターンである。

【図１４】実験例３の近端漏話波形図である。

【図１５】実験例における近端漏話とＰ／Ｄとの関係を
示す特性図である。

【図１６】実験例における２Ｄ／ｄとＴ／ｄとの関係を
示す特性図である。

【符号の説明】

１は導体、２は絶縁体、３は絶縁線芯４はカット撚線芯、５は押さえ絶縁層、６は電磁シールド層、７はシース層、８は介在紐である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田中正浩東京都千代田区丸の内２丁目６番１号古河電気工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外径が等しい４本の絶縁線芯を星形カッ
ド状に撚り合わせ、その外側に押さえ絶縁層を被覆し、
その外側に電磁シ−ルド層を形成し、その外側に熱可塑
性樹脂製シース層を施し、100Mbps以上の高速デ−タ伝
送に使用される電気通信ケ−ブルにおいて、絶縁線芯に
使用される導体の半径ｒとケ−ブルの中心に対して点対
称に配置された２本の絶縁線芯の導体間の特性インピ−
ダンスが１０ＭＨZ以上の周波数帯域で１５０±１０
(Ω)でかつ、前記点対称に配置された２本の絶縁線芯の
導体間距離Ｄおよびカッドの撚ピッチＰが 6.5≦D／r≦9 (１) 7≦P／D≦18 (２) であることを特徴とする通信ケ−ブル。
【請求項２】前記絶縁線芯の絶縁体の誘電率が1.75か
ら2の範囲内であり、かつ前記押さえ絶縁層と絶縁線芯
を構成する絶縁体との総厚さＴ、導体間隔Ｄ、導体半径
ｒの関係が、 T／D＝1986.1−1380.8・(D／r)＋399.4・(D／r)²−61.475
・(D／r)³＋5.3079・(D／r)⁴−0.24368・(D／r)⁵＋0.00465
・(D／r)⁶ の回帰式を満足する請求項１記載の電気通信ケーブル。
【請求項３】前記各絶縁線芯の間に比誘電率が2.3 以
下の介在を介在させたことを特徴とする請求項１記載の
電気通信ケーブル。