JPH11142880A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH11142880A
JPH11142880A JP32391697A JP32391697A JPH11142880A JP H11142880 A JPH11142880 A JP H11142880A JP 32391697 A JP32391697 A JP 32391697A JP 32391697 A JP32391697 A JP 32391697A JP H11142880 A JPH11142880 A JP H11142880A
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pixel electrode
line
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liquid crystal
crystal display
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Kazuyuki Tada
一幸 多田
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靖 中島
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ディスクリネーションの発生を防止し、かつ
開口率を大きくする。 【解決手段】 配向膜のラビング方向が矢印で示す方向
の場合、補助容量ライン6のライン部6aのうち画素電
極5と対応する部分はすべて画素電極5の上辺の内側に
おいて画素電極5の上辺部と重ね合わされているととも
に、この重ね合わされたライン部6aの左端部における
矢印で示すラビング方向の上流側にはラビング方向とほ
ぼ直交する方向に切り欠いた傾斜切り欠き部6dが設け
られている。このようにすると、ディスクリネーション
の発生を防止することができる。したがって、ブラック
マスクによってディスクリネーションによる光漏れを防
止する必要はない。この結果、ブラックマスクの開口部
22aを大きくすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、所謂ディスクリ
ネーションの発生を防止し、かつ開口率を高めた液晶表
示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、アクティブマトリックス型の液晶
表示装置には、走査信号ライン、データ信号ライン及び
補助容量ラインをそれぞれ複数ずつ備えているととも
に、走査信号ラインとデータ信号ラインの各交差点に対
応させてその交差点近傍に画素電極及び該画素電極に接
続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタを
備えている。
【0003】図5は従来のこのような液晶表示装置の一
例の一部の断面図を示し、図6はその下ガラス基板側の
一部の平面図を示したものである。この場合、図5は図
6のX−X線にほぼ沿う断面図に相当する。また、図6
では、図5に示すパッシベーション膜15及び配向膜1
6を省略している。この液晶表示装置は下ガラス基板1
及び上ガラス基板21を備えている。下ガラス基板1の
上面側には走査信号ライン2とデータ信号ライン3がマ
トリックス状に設けられ、その各交差点近傍には薄膜ト
ランジスタ4及び画素電極5が設けられ、さらに走査信
号ライン2と平行して補助容量ライン6が設けられてい
る。
【0004】すなわち、下ガラス基板1の上面の所定の
箇所にはゲート電極7を含む走査信号ライン2が設けら
れ、他の所定の箇所には補助容量ライン6が設けられ、
その上面全体にはゲート絶縁膜8が設けられている。ゲ
ート絶縁膜8の上面の所定の箇所でゲート電極7に対応
する部分にはアモルファスシリコンからなる半導体薄膜
9が設けられ、この半導体薄膜9の上面の中央部にはチ
ャネル保護膜10が設けられている。半導体薄膜9及び
チャネル保護膜10の上面の両側にはn+シリコン層1
1、12が設けられている。このうちn+シリコン層1
1の上面にはドレイン電極13が設けられ、n+シリコ
ン層12の上面にはソース電極14が設けられている。
ゲート絶縁膜8の上面の所定の箇所にはデータ信号ライ
ン3がドレイン電極13に接続されて設けられている。
ゲート絶縁膜8の上面の他の所定の箇所にはITOから
なる画素電極5がソース電極14に接続されて設けられ
ている。画素電極5を除く上面全体にはパッシベーショ
ン膜15が設けられ、画素電極5及びパッシベーション
膜15の上面には配向膜16が設けられている。
【0005】補助容量ライン6は、図6に示すように、
画素電極5の上辺部に対応する位置において走査信号ラ
イン2と平行して設けられたライン部6aと、このライ
ン部6aから画素電極5の左辺部及び右辺部に沿ってそ
れぞれ引き出された引出部6b、6cとからなってい
る。この場合、ライン部6aのうち画素電極5と対応す
る所定の部分の下側は画素電極5の上辺部と重ね合わさ
れ、左引出部6bの右側は画素電極5の左辺部と重ね合
わされ、右引出部6cの左側は画素電極5の右辺部と重
ね合わされ、そしてこれらの重ね合わされた部分によっ
て補助容量が形成されている。
【0006】一方、上ガラス基板21の下面にはブラッ
クマスク22が設けられ、その下面にはカラーフィルタ
23が設けられ、その下面にはITOからなる共通電極
24が設けられ、その下面には配向膜25が設けられて
いる。そして、下ガラス基板1と上ガラス基板21は図
示しないシール材を介して貼り合わされ、その各配向膜
16、25間には液晶26が封入されている。なお、図
6において一点鎖線で示すものは、ブラックマスク22
の開口部22aを示す。
【0007】ところで、この液晶表示装置が捩じれネマ
ティック型である場合には、一般にプレチルト角が2〜
3°程度と低いので、ディスクリネーション(discrinat
ion)の発生による表示品質の低下が大きな問題となって
いる。すなわち、特に、図5において点線で示すよう
に、画素電極5と補助容量ライン6の所定の一部との間
に横方向電界が生じると、同図において符号31で示す
一点鎖線の左側において液晶分子が配向膜によるプレチ
ルト方向に沿って配列することにより、当該左側が正常
表示領域32となるのに対し、符号31で示す一点鎖線
の右側において液晶分子が点線で示す横電界に沿って配
列することによりつまりプレチルト方向と逆方向に配列
することにより、当該右側が光漏れを生じて白抜けを起
こす異常表示領域33となり、その間の符号31で示す
一点鎖線がディスクリネーション・ラインとなる。この
現象を1つの画素電極5について見ると、下ガラス基板
1の配向膜16のラビング方向が図6において矢印で示
す方向である場合、同図において斜線で示す領域が光漏
れを生じて白抜けを起こす異常表示領域23となり、こ
の斜線部を囲む部分のうち湾曲部がディスクリネーショ
ン・ライン31となる。このように、1つの画素電極5
の一部に白抜けの部分が生じると、液晶表示装置の表示
部全体でのコントラストが著しく低下し、表示品質が大
幅に低下してしまう。そこで、従来では、ディスクリネ
ーションの発生領域を覆うようにブラックマスク22を
設けることにより、ディスクリネーションによる光漏れ
を低減するようにしている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような液晶表示装置では、ディスクリネーションの
発生領域を覆うようにブラックマスク22を設けている
ので、ブラックマスク22の開口部22aが小さくな
り、開口率が低下するという問題があった。この発明の
課題は、ディスクリネーションの発生を防止し、かつ開
口率を大きくすることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明は、走査信号ラ
イン、データ信号ライン及び補助容量ラインを備えてい
るとともに、前記走査信号ラインと前記データ信号ライ
ンの各交差点近傍に画素電極及び該画素電極に接続され
たスイッチング素子を備えている液晶表示装置におい
て、前記補助容量ラインの前記走査信号ラインと平行す
る部分のうち前記画素電極に対応する実質的にすべての
部分を前記画素電極と重ね合わせたものである。
【0010】この発明によれば、補助容量ラインの所定
の部分つまりディスクリネーションの原因となる横電界
を発生させる部分をすべて画素電極と重ね合わせると、
補助容量ラインの前記所定の部分と画素電極との間に横
方向電界が生ぜず、したがってディスクリネーションの
発生を防止することができる。このため、ディスクリネ
ーションの発生が防止された領域におけるブラックマス
クの開口部を画素電極の端部側まで広げても光漏れが発
生することがなく、したがって開口率を大きくすること
ができる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1はこの発明の第1実施形態に
おける液晶表示装置の下ガラス基板側の要部の平面図を
示したものである。この図において、図6と同一名称部
分には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。こ
の第1実施形態では、補助容量ライン6のうちライン部
6aのみが図6に示す従来の場合と異なっている。すな
わち、補助容量ライン6の左引出部6bの右側は、図6
に示す場合と同様に、画素電極5の左辺部と重ね合わさ
れている。また、補助容量ライン6の右引出部6cの左
側も、図6に示す従来の場合と同様に、画素電極5の右
辺部と重ね合わされている。これに対し、補助容量ライ
ン6のライン部6aのうち画素電極5に対応する所定の
部分はすべて画素電極5の上辺の内側において画素電極
5の上辺部と重ね合わされている。なお、本実施形態に
おける補助容量ライン6は、ITO等の透明導電層で形
成するのが好ましいが、アルミニウムやクロム等の非透
明金属層で形成することもできる。非透明層で形成した
場合は、その非透明補助容量ライン6がブラックマスク
22で決められる開口部22aから食み出した部分の面
積だけ開口率が低下することになるが、ディスクリネー
ションによる光漏れ領域をブラックマスク22で覆う従
来の場合に比べれば、格段に開口率は向上している。
【0012】このようにすると、補助容量ライン6のラ
イン部6aのうち画素電極5に対応する所定の部分つま
り画素電極5と重ね合わされた所定の部分と画素電極5
との間に横方向電界が生ぜず、したがってディスクリネ
ーションの発生を防止することができる。このため、ブ
ラックマスクによってディスクリネーションによる光漏
れを防止する必要はない。この結果、ディスクリネーシ
ョンの発生が防止された領域におけるブラックマスクの
開口部22aを画素電極5の端部側まで広げても、光漏
れが発生することはない。すなわち、ブラックマスクの
開口部22aの上辺を画素電極5の上辺とライン部6a
の下エッジとの間に配置し、またブラックマスクの開口
部22aの左辺を画素電極5の左辺と左引出部6bの右
エッジとの間に配置しても、光漏れが発生することがな
く、したがって開口率を大きくすることができる。
【0013】ところで、図1に示す第1実施形態の場合
には、ディスクリネーションの発生を完全に防止するこ
とはできない。すなわち、図6に示す従来の場合には、
補助容量ライン6の左引出部6bと画素電極5との間に
も横方向電界が生じ、この領域にもディスクリネーショ
ンが発生している。そこで、図2に示すこの発明の第2
実施形態のように、ライン部6aのうち画素電極5に対
応する所定の部分の左端部に傾斜切り欠き部6dを設け
ると、すなわち、下ガラス基板の配向膜(図5において
符合16で示す配向膜)のラビング方向が図2において
矢印で示す方向の場合、ライン部6aのうち画素電極5
に対応する所定の部分のラビング方向の上流側にラビン
グ方向とほぼ直交する方向に切り欠いた傾斜切り欠き部
6dを設けると、ディスクリネーションの発生を完全に
防止することができる。
【0014】次に、図3はこの発明の第3実施形態にお
ける液晶表示装置の下ガラス基板側の要部の平面図を示
したものである。この図において、図6と同一名称部分
には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。この
第3実施形態では、補助容量ライン6のライン部6aは
画素電極5の上下方向ほぼ中央部に設けられている。そ
して、ライン部6aから画素電極5の左辺部の上下に沿
って左引出部6bが引き出され、またライン部6aから
画素電極5の右辺部の上下に沿って右引出部6cが引き
出されている。この場合、補助容量ライン6は、開口率
が低下しないようにするために、ITO等の透明な材料
によって層状に形成されている。
【0015】このようにすると、補助容量ライン6のラ
イン部6aのうち画素電極5に対応する所定の部分つま
り画素電極5と重ね合わされた所定の部分と画素電極5
との間に横方向電界が生ぜず、したがってディスクリネ
ーションの発生を防止することができる。このため、ブ
ラックマスクによってディスクリネーションによる光漏
れを防止する必要はない。この結果、ブラックマスクの
開口部22aの上辺を画素電極5の上辺近傍に配置し、
またブラックマスクの開口部22aの左辺を画素電極5
の左辺と左引出部6bの右エッジとの間に配置しても、
光漏れが発生することがなく、したがって開口率を大き
くすることができる。なお、補助容量ライン6をライン
部6aのみで形成するようにしてもよい。
【0016】ところで、補助容量ライン6を例えばIT
Oによって形成した場合には、アルミニウム等によって
形成する場合と比較して、抵抗値が大きくなる。そこ
で、図4に示すこの発明の第4実施形態のように、補助
容量ライン6をITO等からなる幅広の透明層61とア
ルミニウム等からなる幅狭の非透明層62との2層構造
とするようにしてもよい。図4の実施形態では、補助容
量ライン6が、走査信号ライン2に平行する部分のみか
らなっている。この場合、透明層61と非透明層62の
上下はどちらであってもよい。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、補助容量ラインのディスクリネーションの原因とな
る横電界を発生させる部分を画素電極と重ね合わせるこ
とにより、ディスクリネーションの原因となる横電界の
発生を抑制し、したがってディスクリネーションの発生
を防止することができる。このため、ブラックマスクの
開口部を画素電極の端部側まで広げてもディスクリネー
ションによる光漏れが発生することがなく、したがって
開口率を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態における液晶表示装置
の下ガラス基板側の要部の平面図。
【図2】この発明の第2実施形態における液晶表示装置
の下ガラス基板側の要部の平面図。
【図3】この発明の第3実施形態における液晶表示装置
の下ガラス基板側の要部の平面図。
【図4】この発明の第4実施形態における液晶表示装置
の下ガラス基板側の要部の平面図。
【図5】従来の液晶表示装置の一例の一部の断面図。
【図6】同従来の液晶表示装置の下ガラス基板側の一部
の平面図。
【符号の説明】
2 走査信号ライン 3 データ信号ライン 4 薄膜トランジスタ 5 画素電極 6 補助容量ライン 22a ブラックマスクの開口部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 走査信号ライン、データ信号ライン及び
    補助容量ラインを備えているとともに、前記走査信号ラ
    インと前記データ信号ラインの各交差点近傍に画素電極
    及び該画素電極に接続されたスイッチング素子を備えて
    いる液晶表示装置において、前記補助容量ラインの前記
    走査信号ラインと平行する部分のうち前記画素電極に対
    応する実質的にすべての部分を前記画素電極と重ね合わ
    せたことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の発明において、前記補助
    容量ラインの前記画素電極に対応する部分は前記画素電
    極の端部と重ね合わされていることを特徴とする液晶表
    示装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の発明において、前記補助
    容量ラインの前記画素電極に対応する部分のラビング方
    向の上流側に位置する所定部分がラビング方向とほぼ直
    交する方向に切り欠かれていることを特徴とする液晶表
    示装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の発明において、前記補助
    容量ラインは透明層からなり、該補助容量ラインの前記
    画素電極に対応する部分は前記画素電極のほぼ中央部で
    重ね合わされていることを特徴とする液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の発明において、前記補助
    容量ラインは前記走査信号ラインと平行する部分のみか
    らなるとともに幅広の透明層と幅狭の非透明層の2層を
    積層してなり、該補助容量ラインの前記画素電極と対応
    する部分は前記画素電極のほぼ中央部で重ね合わされて
    いることを特徴とする液晶表示装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002250933A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
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