JPH11135366A - Solid electrolytic capacitor - Google Patents

Solid electrolytic capacitor

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Publication number
JPH11135366A
JPH11135366A JP31589497A JP31589497A JPH11135366A JP H11135366 A JPH11135366 A JP H11135366A JP 31589497 A JP31589497 A JP 31589497A JP 31589497 A JP31589497 A JP 31589497A JP H11135366 A JPH11135366 A JP H11135366A
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JP
Japan
Prior art keywords
insulating plate
sintered body
lead wire
electrolytic capacitor
anode lead
Prior art date
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Pending
Application number
JP31589497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Narita
敬弘 成田
Akira Hayashi
彰 林
Hideaki Ochiai
英昭 落合
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Lincstech Circuit Co Ltd
Original Assignee
Hitachi AIC Inc
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH11135366A publication Critical patent/JPH11135366A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the dimension of a sintered body of a solid electrolytic capacitor by a thinned oration of its insulating plate, and increase its electrostatic capacity without changing its outside dimension, by providing in the root of its anode lead wire its thin insulating plate with a specific thickness. SOLUTION: In a sintered body 1 of a solid electrolytic capacitor, a fine power of a metal with a valve action is compressed and molded in the state of drawing out therefrom an anode lead wire 2 made of the metal with the valve action to sinter the fine powder. Further, on the root of the anode lead wire 2, such an insulating plate 3 made of Teflon (R) or a silicon rubber, etc., as a circular plate is fitted. Making the thickness of this insulating plate 3 smaller than 0.2 mm, its size is so selected as to protrude its end portion 3a from a side surface 1a of the sintered body 1. In this case, making the protruded length of the insulating plate 3 from the sintred body 1 to be not smaller than 0.1 mm, the crawling-up of a liquid when forming a solid electrolyte layer is prevented to eliminate fault such as a shorting. As a result, the electrostatic capacity of the capacitor is increased, and its size is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は固体電解コンデンサ
に関し、特に静電容量を増大でき、小形化が可能な固体
電解コンデンサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid electrolytic capacitor, and more particularly, to a solid electrolytic capacitor capable of increasing the capacitance and reducing its size.

【0002】[0002]

【従来の技術】タンタル固体電解コンデンサ等の固体電
解コンデンサは、例えば、タンタルやアルミニウム等の
弁作用金属の微粉末を、予じめタンタル等の弁作用金属
からなる陽極用リード線の一端を埋め込んで、加圧成型
し、次に、真空中において高温度で焼結して形成した角
形や円筒形の焼結体を用いる。そしてこの焼結体に酸化
皮膜、固体電解質層、カーボン層及び銀層を順次設けて
コンデンサ素子としている。この場合、特に固体電解質
層を形成する際に、硝酸マンガン溶液等に焼結体を浸漬
等する処理を行なうが、液が焼結体から引き出されてい
る陽極用リード線に付着すると短絡不良を生じ易くな
り、また、この陽極用リード線に陽極端子を溶接し難く
なる。このため、通常、陽極用リード線の根本に、テフ
ロン製等の厚さ0.2mmの円板状の絶縁板を配置して液
の這い上がりを防止している。
2. Description of the Related Art In a solid electrolytic capacitor such as a tantalum solid electrolytic capacitor, for example, fine powder of a valve metal such as tantalum or aluminum is embedded in advance at one end of an anode lead wire made of a valve metal such as tantalum. Then, a rectangular or cylindrical sintered body formed by sintering at a high temperature in a vacuum is used. An oxide film, a solid electrolyte layer, a carbon layer and a silver layer are sequentially provided on the sintered body to form a capacitor element. In this case, in particular, when forming the solid electrolyte layer, a treatment such as immersing the sintered body in a manganese nitrate solution or the like is performed. However, if the liquid adheres to the anode lead wire drawn out of the sintered body, a short circuit failure occurs. In addition, it becomes difficult to weld the anode terminal to the anode lead wire. For this reason, a 0.2 mm thick disk-shaped insulating plate made of Teflon or the like is usually arranged at the root of the anode lead wire to prevent the liquid from rising.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、焼結体の大
きさは、通常、数mm程度のオーダーである。従って、厚
さ0.2mm程度の絶縁板であっても、コンデンサ素子全
体に占める割合が比較的大きい。そして外装を含めた全
体の寸法が所定値に制限されている固体電解コンデンサ
では、静電容量を増加するためには焼結体を大きくする
手段が考えられる。しかし、焼結体から引き出されてい
る陽極用リード線には陽極端子を接続しなければなら
ず、従って、陽極用リード線を所定値以上に短かくでき
ないため、この陽極用リード線が外装表面から露出し易
くなり、好ましくない。また、静電容量を所定値にして
全体を小形化すると、焼結体の大きさを変えることがで
きないため、その分、外装の肉厚が薄くなり、絶縁耐圧
が低下する。
The size of a sintered body is usually on the order of several mm. Therefore, even if the insulating plate has a thickness of about 0.2 mm, the ratio of the insulating plate to the entire capacitor element is relatively large. In the case of a solid electrolytic capacitor in which the overall dimensions including the exterior are limited to a predetermined value, means for enlarging the sintered body may be considered to increase the capacitance. However, an anode terminal must be connected to the anode lead wire drawn out of the sintered body, and therefore, the anode lead wire cannot be shortened to a predetermined value or more. It is easy to expose from the surface, which is not preferable. Further, when the whole is miniaturized by setting the capacitance to a predetermined value, the size of the sintered body cannot be changed, and accordingly, the thickness of the exterior becomes thinner and the withstand voltage decreases.

【0004】本発明は、以上の欠点を改良し、静電容量
を増加でき、小形化が可能な固体電解コンデンサを提供
することを課題とするものである。
An object of the present invention is to provide a solid electrolytic capacitor which can improve the above-mentioned drawbacks, increase the capacitance, and reduce the size.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、以上の課題を
解決するために、陽極用リード線を引き出した弁作用金
属からなる焼結体に、酸化皮膜、固体電解質層及び陰極
層を設けた固体電解コンデンサにおいて、陽極用リード
線の根本に厚さが0.2mmより薄い絶縁板を配置するこ
とを特徴とする固体電解コンデンサを提供するものであ
る。
In order to solve the above problems, the present invention provides an oxide film, a solid electrolyte layer and a cathode layer on a sintered body made of a valve metal from which an anode lead wire is drawn. The present invention also provides a solid electrolytic capacitor characterized in that an insulating plate having a thickness of less than 0.2 mm is arranged at the root of a lead wire for an anode.

【0006】すなわち、本発明は、絶縁板の厚さを従来
の厚さの0.2mmよりも薄くしている。従って、外形寸
法を変えることなく、その薄くなった分だけ焼結体の寸
法を大きくでき、静電容量を増加できる。そして焼結体
の大きさを変えないで容量を一定に保持した場合には、
外形寸法を小さくでき、小形化できる。
That is, in the present invention, the thickness of the insulating plate is made smaller than the conventional thickness of 0.2 mm. Therefore, the dimensions of the sintered body can be increased by the reduced thickness without changing the external dimensions, and the capacitance can be increased. And when the capacity is kept constant without changing the size of the sintered body,
External dimensions can be reduced and downsized.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1において、1は、焼結体であ
り、弁作用金属の微粉末を、弁作用金属からなる陽極用
リード線2を引き出した状態にして圧縮成形し、焼結し
たものである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a sintered body, which is obtained by compression molding and sintering a fine powder of a valve action metal in a state where an anode lead wire 2 made of a valve action metal is drawn out.

【0008】陽極用リード線2の根本には、テフロンや
シリコーンゴム、シリコーン樹脂等からなる円板状等の
絶縁板3をはめ込んで配置している。この絶縁板3は、
厚さが0.2mmよりも薄く、その端部3aが焼結体1の
側面1aから突出する大きさになっている。そして絶縁
板3は、好ましくは0.1mm程度の厚さがよく、コンデ
ンサの静電容量を増大でき、小形化できる効果がより大
きくなるとともに、薄すぎて陽極用リード線2にはめ込
む作業が困難になることがなく、切断したりする不良を
防止し易い。また、絶縁板3が焼結体1から突出する長
さは0.10mm以上が好ましく、固体電解質層を形成す
る際に液が這い上がるのを防止し易く、短絡不良等を低
下できる効果が大きくなる。さらに、焼結体が角形の場
合には、一例として図2(イ)に示す通り、絶縁板3−
1を焼結体1−1の対向する2側面1−1a,1−1b
のみから突出する構造とする。また、他の例として、図
2(ロ)に示す通り、絶縁板3−2を焼結体1−2の4
つの側面1−2a,1−2b,1−2c,1−2dの全
部から突出する構造にしてもよい。この場合、後者の絶
縁板3−2の方が前者の絶縁板3−1よりも液の這い上
がりをより効果的に防止し易く、耐圧不良を低下する効
果に優れている。そして焼結体1−3が円筒状の場合に
は、例えば図2(ハ)に示す通り、側面1−3aの全部
から、絶縁板3−3の端部を突出する構造にする。
A disk-shaped insulating plate 3 made of Teflon, silicone rubber, silicone resin, or the like is fitted and arranged at the root of the anode lead wire 2. This insulating plate 3
The thickness is thinner than 0.2 mm, and the end 3 a has a size protruding from the side surface 1 a of the sintered body 1. The thickness of the insulating plate 3 is preferably about 0.1 mm, and the capacitance of the capacitor can be increased. The effect of reducing the size can be increased, and the work of fitting the lead wire 2 to the anode lead 2 is difficult because it is too thin. And it is easy to prevent a defect such as cutting. Further, the length of the insulating plate 3 protruding from the sintered body 1 is preferably 0.10 mm or more, and it is easy to prevent the liquid from creeping up when forming the solid electrolyte layer, and the effect of reducing short circuit failure and the like is great. Become. Further, when the sintered body is square, as shown in FIG.
1 is used as two opposing side surfaces 1-1a and 1-1b of the sintered body 1-1.
The structure protrudes only from Further, as another example, as shown in FIG.
It may be configured to protrude from all of the two side surfaces 1-2a, 1-2b, 1-2c, and 1-2d. In this case, the latter insulating plate 3-2 is more effective in preventing the liquid from crawling up more effectively than the former insulating plate 3-1 and has an excellent effect of reducing the withstand voltage failure. When the sintered body 1-3 has a cylindrical shape, for example, as shown in FIG. 2C, the structure is such that the end of the insulating plate 3-3 protrudes from the entire side surface 1-3a.

【0009】絶縁板3を配置後、焼結体1を化成処理し
て、厚さ200オングストローム〜6000オングスト
ローム程度の酸化皮膜4を設けている。酸化皮膜4の表
面には、二酸化マンガン等からなる固体電解質層5を設
けている。また、固体電解質層5の表面には、カーボン
ペーストからなるカーボン層6を設けている。このカー
ボン層6の表面には銀ペーストからなる銀層7を設け、
コンデンサ素子としている。そしてカーボン層6と銀層
7とを合せて陰極層として用いる。
After disposing the insulating plate 3, the sintered body 1 is subjected to a chemical conversion treatment to provide an oxide film 4 having a thickness of about 200 Å to 6000 Å. On the surface of the oxide film 4, a solid electrolyte layer 5 made of manganese dioxide or the like is provided. Further, on the surface of the solid electrolyte layer 5, a carbon layer 6 made of a carbon paste is provided. A silver layer 7 made of silver paste is provided on the surface of the carbon layer 6,
It is a capacitor element. Then, the carbon layer 6 and the silver layer 7 are combined and used as a cathode layer.

【0010】銀層7には銀導電性ペースト8により陰極
端子9を接続している。また、陽極用リード線2には陽
極端子10を接続している。そしてコンデンサ素子、陰
極端子9及び陽極端子10の一部をエポキシ樹脂等の外
装11で被覆して、固体電解コンデンサ12を形成して
いる。
A cathode terminal 9 is connected to the silver layer 7 by a silver conductive paste 8. An anode terminal 10 is connected to the anode lead wire 2. Then, the capacitor element, a part of the cathode terminal 9 and a part of the anode terminal 10 are covered with an exterior 11 such as epoxy resin to form a solid electrolytic capacitor 12.

【0011】次に、上記の固体電解コンデンサ12の製
造方法を説明する。先ず、タンタルやアルミニウム、ニ
オブ等の弁作用金属の微粉末に、カンファやアクリル系
樹脂等を有機溶剤で溶かしたバインダーを添加し、混合
する。混合した後、加熱し、有機溶剤を揮発して除去す
る。次に、この弁作用金属の微粉末を、タンタル等の弁
作用金属からなる陽極用リード線2を引き出した状態に
して、角形や円筒形等の形状にプレス等で圧縮成形す
る。圧縮成形後、真空中等の雰囲気中において高温度で
焼結して焼結体1を形成する。
Next, a method of manufacturing the solid electrolytic capacitor 12 will be described. First, a binder in which camphor, an acrylic resin, or the like is dissolved in an organic solvent is added to and mixed with fine powder of a valve metal such as tantalum, aluminum, or niobium. After mixing, the mixture is heated to remove the organic solvent by volatilization. Next, the fine powder of the valve action metal is compression-molded into a square or cylindrical shape by a press or the like with the anode lead wire 2 made of a valve action metal such as tantalum pulled out. After the compression molding, the sintered body 1 is formed by sintering at a high temperature in an atmosphere such as a vacuum.

【0012】焼結後、陽極用リード線2の根本に、テフ
ロンやシリコーンゴム、シリコーン樹脂等からなる円板
状の絶縁板3を配置する。
After sintering, a disk-shaped insulating plate 3 made of Teflon, silicone rubber, silicone resin or the like is arranged at the root of the anode lead wire 2.

【0013】そしてこの焼結体1から引き出されている
陽極用リード線2の先端をアルミニウムやステンレス等
の金属板に溶接する。そしてこの状態で焼結体1を硝酸
やリン酸等の化成液中に目視等により所定のレベルまで
浸漬して化成処理し、厚さ200オングストローム〜6
000オングストローム程度の酸化皮膜を形成する。
The tip of the anode lead wire 2 drawn from the sintered body 1 is welded to a metal plate such as aluminum or stainless steel. Then, in this state, the sintered body 1 is immersed in a chemical conversion solution such as nitric acid or phosphoric acid to a predetermined level by visual observation or the like to form a chemical conversion treatment, and has a thickness of 200 Å to
An oxide film of about 000 angstroms is formed.

【0014】酸化皮膜4を形成後、二酸化マンガンやT
CNQ塩、有機導電性高分子からなる固体電解質層5を
形成する。この固体電解質層5を形成するには、陽極用
リード線2の引き出し面側を上にして焼結体1を硝酸マ
ンガン溶液中等に、液面が陽極用リード線2の引き出し
面のわずかに上であって絶縁板3を越えない程度に目視
して浸漬する。これにより、液を焼結体1に付着し含浸
する。含浸後、溶液の種類に応じた処理を行ない、固体
電解質層5を形成する。すなわち、溶液が硝酸マンガン
溶液であれば、焼結体1を硝酸マンガン溶液中に浸漬し
て液を含浸した後、加熱分解し、さらに再化成処理す
る。そして硝酸マンガン溶液の濃度を順次高くして、こ
れらの含浸、加熱分解及び再化成処理の工程を繰り返し
行ない、所定の厚さの二酸化マンガンからなる固体電解
質層5を形成する。また、有機導電性高分子からなる固
体電解質層5を形成するには次の各種の方法により行な
う。すなわち、第1の方法は、有機導電性高分子の溶液
中に焼結体1を浸漬する。浸漬後、アルコール等の有機
溶剤で洗浄する。洗浄後、乾燥して溶媒を蒸発させる。
そして必要に応じてこの浸漬から乾燥までの工程を繰り
返して行ない、所定の厚さに形成する。また、第2の方
法は、脱ドープした高分子の溶液中に焼結体1を浸漬す
る。浸漬後、洗浄し、乾燥する。そしてこの浸漬から乾
燥までの工程を必要に応じて所定回数繰り返して行な
い、所定の厚さの脱ドープした高分子の膜を形成する。
この膜を形成後、焼結体1をドーピング溶液中に数10
分〜数時間浸漬して接触し、高分子の膜をドーピングし
て導電性を付与し、有機導電性高分子の膜を形成する。
さらに、第3の方法は、アニリンやピロール、チオフェ
ン等のモノマーにドーピングイオンを含む溶液中に焼結
体1を浸漬する。次に、酸化剤の溶液中に焼結体1を浸
漬して化学重合反応させて、有機導電性高分子の膜を形
成する。そして第4の方法は、ドーピングイオンを含ま
ないアニリンやピロール等のモノマーの溶液中に焼結体
1を浸漬する。次に、酸化剤の溶液中に焼結体1を浸漬
して化学重合反応させ、高分子の膜を形成する。高分子
の膜を形成後、焼結体1をドーピング溶液中に浸漬して
接触し、導電性を付与して有機導電性高分子の膜を形成
する。なお、ドーパントは、解離定数がナフタレンスル
ホン酸又はその誘導体とほぼ同一か又はより小さく、か
つドーパントの陰イオンがナフタレンスルホン酸又はそ
の誘導体の陰イオンよりも小さい物質とする。このよう
なドーパントとしては、例えば、スルホイソフタル酸や
スルホコハク酸、メタンスルホン酸、フェノールスルホ
ン酸、スルホサリチル酸、ベンゼンスルホン酸、ベンゼ
ンジスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸及びその
誘導体、カンファースルホン酸、スルホ酢酸、スルホア
ニリン、ジフェノールスルホン酸等の酸又はこれらの酸
の塩を用いる。また、ドーピング溶液は、例えばドーパ
ントあるいはドーパントと酸化剤とを有機溶媒に溶解し
た組成にする。液中のドーパントや酸化剤の濃度は0.
01〜1mol/lの範囲が好ましい。そして有機溶媒
は、例えば、ケトン類やエステル類、アルコール類、芳
香族炭化水素類、ニトリル酸、セルソルブ類、含チッ素
化合物等を用いる。さらに、酸化剤の溶液は、酸化剤だ
けではなく、他にドーパントを加えた溶液や、酸化剤と
ドーパントとの塩の溶液を用いてもよい。そして酸化剤
には、第2の鉄塩や過硫酸塩、バナジン酸塩等の水素基
準電極に対して0.8V以上の酸化電位を有する塩を用
いる。ところで、タンタル粉末により素子を形成した場
合には、タンタル粉末のCV値が大きくなり体積当りの
静電容量が大きくなるほど、素子内部に液が含浸し難く
なる。従って、特性の良好な導電性高分子の膜を形成す
るためには、導電性高分子の溶液等に濃度の高いものを
用いる必要がある。そして高分子のなかでポリアニリン
は、溶媒への溶解度が大きく、比較的高濃度の溶液を調
製でき、適当な物質である。
After forming the oxide film 4, manganese dioxide or T
A solid electrolyte layer 5 made of a CNQ salt and an organic conductive polymer is formed. In order to form the solid electrolyte layer 5, the sintered body 1 is placed in a manganese nitrate solution or the like with the lead surface side of the anode lead wire 2 facing upward. Then, immersion is performed visually so as not to exceed the insulating plate 3. Thereby, the liquid adheres to and impregnates the sintered body 1. After the impregnation, a treatment according to the type of the solution is performed to form the solid electrolyte layer 5. That is, if the solution is a manganese nitrate solution, the sintered body 1 is immersed in the manganese nitrate solution to impregnate the solution, then thermally decomposed, and further subjected to rechemical treatment. Then, the concentration of the manganese nitrate solution is sequentially increased, and the steps of impregnation, thermal decomposition, and re-chemical treatment are repeated to form a solid electrolyte layer 5 of manganese dioxide having a predetermined thickness. The following various methods are used to form the solid electrolyte layer 5 made of an organic conductive polymer. That is, in the first method, the sintered body 1 is immersed in a solution of the organic conductive polymer. After immersion, it is washed with an organic solvent such as alcohol. After washing, dry and evaporate the solvent.
If necessary, the steps from immersion to drying are repeated to form a predetermined thickness. In the second method, the sintered body 1 is immersed in a solution of the undoped polymer. After immersion, wash and dry. The process from immersion to drying is repeated a predetermined number of times as necessary, to form a undoped polymer film having a predetermined thickness.
After forming this film, the sintered body 1 is put in a doping solution for several tens of minutes.
It is immersed in contact for several minutes to several hours, and is doped with a polymer film to impart conductivity, thereby forming an organic conductive polymer film.
In the third method, the sintered body 1 is immersed in a solution containing doping ions in a monomer such as aniline, pyrrole, or thiophene. Next, the sintered body 1 is immersed in a solution of an oxidizing agent to cause a chemical polymerization reaction, thereby forming a film of an organic conductive polymer. In the fourth method, the sintered body 1 is immersed in a solution of a monomer such as aniline or pyrrole containing no doping ions. Next, the sintered body 1 is immersed in a solution of an oxidizing agent to cause a chemical polymerization reaction, thereby forming a polymer film. After the formation of the polymer film, the sintered body 1 is immersed in a doping solution and brought into contact with the film to impart conductivity to form a film of the organic conductive polymer. Note that the dopant is a substance having a dissociation constant substantially equal to or smaller than that of naphthalenesulfonic acid or a derivative thereof, and an anion of the dopant smaller than that of naphthalenesulfonic acid or a derivative thereof. Such dopants include, for example, sulfoisophthalic acid, sulfosuccinic acid, methanesulfonic acid, phenolsulfonic acid, sulfosalicylic acid, benzenesulfonic acid, benzenedisulfonic acid, alkylbenzenesulfonic acid and derivatives thereof, camphorsulfonic acid, sulfoacetic acid, and sulfoacetic acid. Acids such as aniline and diphenolsulfonic acid or salts of these acids are used. The doping solution has, for example, a composition in which a dopant or a dopant and an oxidizing agent are dissolved in an organic solvent. The concentration of the dopant or the oxidizing agent in the solution is set to 0.1.
The range of 01 to 1 mol / l is preferred. As the organic solvent, for example, ketones, esters, alcohols, aromatic hydrocarbons, nitrile acid, cellosolves, nitrogen-containing compounds, and the like are used. Further, as the solution of the oxidizing agent, not only the oxidizing agent but also a solution to which a dopant is added or a solution of a salt of the oxidizing agent and the dopant may be used. As the oxidizing agent, a salt having an oxidation potential of 0.8 V or more with respect to the hydrogen reference electrode, such as a second iron salt, a persulfate, or a vanadate, is used. By the way, when an element is formed from tantalum powder, the more the CV value of the tantalum powder increases and the capacitance per volume increases, the more difficult it is to impregnate the liquid inside the element. Therefore, in order to form a conductive polymer film having good characteristics, it is necessary to use a conductive polymer solution or the like having a high concentration. Among the polymers, polyaniline is a suitable substance because it has a high solubility in a solvent and can prepare a solution having a relatively high concentration.

【0015】固体電解質層5を形成後、カーボンペース
トを塗布してカーボン層6を形成する。また、カーボン
層6の表面には銀ペーストを塗布して銀層7を形成す
る。そして固体電解質層5、カーボン層6及び銀層7を
陰極層として用いる。
After forming the solid electrolyte layer 5, a carbon paste is applied to form a carbon layer 6. A silver paste is applied to the surface of the carbon layer 6 to form a silver layer 7. Then, the solid electrolyte layer 5, the carbon layer 6, and the silver layer 7 are used as a cathode layer.

【0016】銀層7を形成後、この銀層7に銀導電性ペ
ースト8により陰極端子9を接続するとともに、陽極用
リード線3に陽極端子10を抵抗溶接等により接続す
る。そして樹脂モールド法や樹脂ディップ法等により外
装11を形成する。外装11を形成後、エージング処理
し、さらに陰極端子9と陽極端子10とを外装11の表
面に沿って折り曲げて、固体電解コンデンサ12を形成
する。
After the silver layer 7 is formed, a cathode terminal 9 is connected to the silver layer 7 by a silver conductive paste 8 and an anode terminal 10 is connected to the anode lead wire 3 by resistance welding or the like. Then, the exterior 11 is formed by a resin molding method, a resin dipping method, or the like. After the exterior 11 is formed, aging treatment is performed, and the cathode terminal 9 and the anode terminal 10 are bent along the surface of the exterior 11 to form the solid electrolytic capacitor 12.

【0017】[0017]

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。 実施例1:焼結体は、タンタル微粉末を圧縮、成形した
ものを真空中で、1300〜1600℃の温度で焼結
し、0.42mm×0.72mm×0.65mm角の大きさに
形成したものであり、タンタルからなる陽極用リード線
を引き出している。そして陽極用リード線の根本には厚
さ0.1mm、直径0.8mmの円板状のテフロン製の絶縁
板を配置している。そして酸化皮膜は、焼結体を温度5
0℃の硝酸水溶液中に目視により所定のレベルまで浸漬
し、直流電圧30Vを印加して化成処理して形成する。
また、固体電解質層は、硝酸マンガン溶液中に焼結体を
浸漬して液を含浸し、その後、熱分解し、再化成し、こ
の含浸から再化成までの工程を数回繰り返して行ない形
成する。さらに、カーボン層及び銀層を各々カーボンペ
ースト及び銀ペーストを塗布して形成する。また、陰極
端子は銀導電性ペーストにより銀層に接続する。そして
陽極端子は抵抗溶接により陽極用リード線2に接続す
る。外装は、エポキシ樹脂を材質とし、トランスファー
モールド法により形成する。これらの条件により定格1
0V,1.5μFのタンタル固体電解コンデンサを形成
する。
Next, an embodiment of the present invention will be described. Example 1: A sintered body is obtained by compressing and molding a tantalum fine powder and sintering it in a vacuum at a temperature of 1300 to 1600 ° C. to a size of 0.42 mm × 0.72 mm × 0.65 mm square. The lead wire for the anode made of tantalum is drawn out. At the root of the anode lead wire, a disk-shaped Teflon insulating plate having a thickness of 0.1 mm and a diameter of 0.8 mm is arranged. Then, the oxide film is heated at a temperature of 5 ° C.
It is immersed in a nitric acid aqueous solution at 0 ° C. to a predetermined level visually, and a direct current voltage of 30 V is applied to form a chemical conversion treatment.
Further, the solid electrolyte layer is formed by immersing the sintered body in a manganese nitrate solution to impregnate the liquid, thereafter thermally decomposing and re-chemically forming, and repeating the process from impregnation to re-chemical formation several times. . Further, a carbon layer and a silver layer are formed by applying a carbon paste and a silver paste, respectively. The cathode terminal is connected to the silver layer by a silver conductive paste. The anode terminal is connected to the anode lead wire 2 by resistance welding. The exterior is made of epoxy resin and is formed by a transfer molding method. Due to these conditions, rating 1
A 0 V, 1.5 μF tantalum solid electrolytic capacitor is formed.

【0018】実施例2:絶縁板の大きさを厚さ0.1m
m、直径0.6mmとする以外は実施例1と同一とする。
Embodiment 2: The size of the insulating plate is 0.1 m in thickness.
m, the same as Example 1 except that the diameter is 0.6 mm.

【0019】実施例3:焼結体の大きさを0.85mm×
1.05mm×1.20mm角とするとともに、絶縁板の大
きさを厚さ0.1mm、直径1.1mmとし、定格10V,
10μFのタンタル固体電解コンデンサとする以外は、
実施例1と同一の条件とする。
Example 3 The size of the sintered body was 0.85 mm ×
1.05 mm x 1.20 mm square, and the size of the insulating plate is 0.1 mm thick and 1.1 mm in diameter.
Except for a 10 μF tantalum solid electrolytic capacitor,
The conditions are the same as in the first embodiment.

【0020】実施例4:絶縁板の大きさを厚さ0.1m
m、直径0.7mmとする以外は実施例3と同一とする。
Embodiment 4: The size of the insulating plate is 0.1 m in thickness.
Example 3 is the same as Example 3 except that m and the diameter are 0.7 mm.

【0021】実施例5:焼結体の大きさを1.62mm×
3.25mm×3.80mm角とするとともに、絶縁基板の
大きさを厚さ0.1mm、直径1.7mmとし、定格10
V,100μFのタンタル固体電解コンデンサとする以
外は、実施例1と同一の条件とする。
Example 5: The size of the sintered body was 1.62 mm ×
The size of the insulating substrate is set to be 0.15 mm in thickness and 1.7 mm in diameter.
The conditions were the same as in Example 1 except that a tantalum solid electrolytic capacitor of V, 100 μF was used.

【0022】実施例6:絶縁板の大きさを厚さ0.1m
m、直径1.3mmとする以外は実施例5と同一とする。
Embodiment 6: The size of the insulating plate is 0.1 m in thickness.
Example 5 is the same as Example 5 except that m and the diameter are 1.3 mm.

【0023】そしてこの実施例1〜実施例6とともに、
従来例と合せて、静電容量の可能な増加率を求め、ま
た、二酸化マンガン層を形成する際の硝酸マンガン溶液
の這い上がりによる不良率を測定した。なお、静電容量
の可能な増加率は、コンデンサの外形寸法を変えずに、
従来の厚さ0.2mmの絶縁板を用いた場合に比較して各
実施例で用いた絶縁板の厚さの差の分だけ焼結体を長く
したとしたときに増加できる静電容量の増加率の値とす
る。また、液の這い上がりによる不良は、二酸化マンガ
ン層を形成した後の焼結体を目視して測定する。さら
に、試料数は実施例1〜実施例4が各々6500個、そ
して実施例5及び実施例6が各々1000個とする。ま
た、従来例の条件は次の通りとする。
Then, along with Examples 1 to 6,
In combination with the conventional example, the possible increase rate of the capacitance was obtained, and the defective rate due to the manganese nitrate solution climbing up when forming the manganese dioxide layer was measured. It should be noted that the possible rate of increase of the capacitance can be changed without changing the external dimensions of the capacitor.
Capacitance that can be increased when the sintered body is lengthened by the difference in the thickness of the insulating plate used in each example as compared with the case where the conventional insulating plate having a thickness of 0.2 mm is used. Value of increase rate. The failure due to the liquid creeping up is measured by visually observing the sintered body after forming the manganese dioxide layer. Further, the number of samples is 6500 for each of Examples 1 to 4, and 1000 for each of Examples 5 and 6. The conditions of the conventional example are as follows.

【0024】従来例1:絶縁板の大きさを厚さ0.2m
m、直径0.6mmとする以外は実施例1と同一とする。
Conventional example 1: The size of the insulating plate is 0.2 m thick
m, the same as Example 1 except that the diameter is 0.6 mm.

【0025】従来例2:絶縁板の大きさを厚さ0.2m
m、直径0.7mmとする以外は実施例3と同一とする。
Conventional example 2: The size of the insulating plate is 0.2 m in thickness.
Example 3 is the same as Example 3 except that m and the diameter are 0.7 mm.

【0026】従来例3:絶縁板の大きさを厚さ0.2m
m、直径1.3mmとする以外は実施例5と同一とする。
Conventional Example 3: The size of the insulating plate is set to 0.2 m in thickness.
Example 5 is the same as Example 5 except that m and the diameter are 1.3 mm.

【0027】測定結果を表1に示す。Table 1 shows the measurement results.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】この表1から明らかな通り、実施例1〜実
施例6によれば、従来例1〜従来例3よりも静電容量を
2.6〜15.2%増加できる。
As is clear from Table 1, according to the first to sixth embodiments, the capacitance can be increased by 2.6 to 15.2% as compared with the conventional examples 1 to 3.

【0030】なお、同一定格の実施例5と実施例6とを
比較すると、絶縁板の径がより大きく図2(イ)に示す
通り絶縁板の端部が焼結体の2つの側面から突出する構
造の前者のコンデンサの方が、後者の絶縁板の径が小さ
く絶縁板の端部が絶縁体の各側面から突出しない構造の
コンデンサよりも硝酸マンガン溶液の這い上がりによる
不良率が7/16に低下している。
When comparing Example 5 and Example 6 of the same rating, the diameter of the insulating plate is larger and the ends of the insulating plate protrude from the two side surfaces of the sintered body as shown in FIG. The former capacitor having a smaller structure has a smaller failure rate due to the manganese nitrate solution crawling than the latter having a structure in which the diameter of the insulating plate is small and the end of the insulating plate does not protrude from each side of the insulator. Has declined.

【0031】また、同一定格どうしの実施例1と実施例
2及び実施例3と実施例4とを各々比較すると、図2
(ロ)に示す通り絶縁板の端部が焼結体の4つの側面か
ら突出した構造の実施例1及び実施例3の方が、図2
(イ)に示す通りの構造の実施例2及び実施例4より
も、硝酸マンガン溶液の這い上がりによる不良率が2/
7〜5/16に低下している。
Further, when the first and second embodiments and the third and fourth embodiments having the same rating are compared with each other, FIG.
As shown in (b), the first and third embodiments of the structure in which the ends of the insulating plate protrude from the four side surfaces of the sintered body are shown in FIG.
The defect rate due to the manganese nitrate solution crawling was 2 /
It has decreased to 7 to 5/16.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、焼結体か
ら引き出した陽極用リード線の根本に厚さが0.2mmよ
り薄い絶縁板を配置しているため、静電容量を増加で
き、小形化が可能な固体電解コンデンサが得られる。
As described above, according to the present invention, the capacitance is increased because the insulating plate having a thickness of less than 0.2 mm is arranged at the base of the anode lead wire drawn out of the sintered body. Thus, a solid electrolytic capacitor that can be downsized can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の断面図を示す。FIG. 1 shows a sectional view of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施の形態に用いる絶縁板を設け
た焼結体の平面図を示す。
FIG. 2 is a plan view of a sintered body provided with an insulating plate used in another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…焼結体、 2…陽極用リード線、 3…絶縁板、
4…酸化皮膜、5…固体電解質層、 6…カーボン層、
7…銀層、12…固体電解コンデンサ。
1 ... sintered body, 2 ... lead wire for anode, 3 ... insulating plate,
4 ... oxide film, 5 ... solid electrolyte layer, 6 ... carbon layer,
7 ... silver layer, 12 ... solid electrolytic capacitor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 陽極用リード線を引き出した弁作用金属
からなる焼結体に、酸化皮膜、固体電解質層及び陰極層
を設けた固体電解コンデンサにおいて、陽極用リード線
の根本に厚さが0.2mmより薄い絶縁板を配置すること
を特徴とする固体電解コンデンサ。
1. A solid electrolytic capacitor in which an oxide film, a solid electrolyte layer, and a cathode layer are provided on a sintered body made of a valve metal from which an anode lead wire has been drawn out. A solid electrolytic capacitor having an insulating plate thinner than 2 mm.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1437750A1 (en) * 2001-10-18 2004-07-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the capacitor
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