JP2000091163A - Manufacture of solid electrolytic capacitor - Google Patents

Manufacture of solid electrolytic capacitor

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JP2000091163A
JP2000091163A JP10260221A JP26022198A JP2000091163A JP 2000091163 A JP2000091163 A JP 2000091163A JP 10260221 A JP10260221 A JP 10260221A JP 26022198 A JP26022198 A JP 26022198A JP 2000091163 A JP2000091163 A JP 2000091163A
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JP
Japan
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capacitor element
solid electrolytic
cathode layer
manufacture
electrolytic capacitor
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Pending
Application number
JP10260221A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Inoue
勉 井上
Yoshihiro Suzuki
芳博 鈴木
Takayuki Arayashiki
貴之 荒屋敷
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Lincstech Circuit Co Ltd
Original Assignee
Hitachi AIC Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To materialize the manufacture of a solid electrolyte capacitor which can raise leaked current property and can suppress the inferiority. SOLUTION: This is the manufacture of a solid electrolytic capacitor 16 which forms a sintered substance 1 by burying one end of a lead wire 2 for a cathode and sintering the powder of metal for valve action and forms an oxide film 5 and a cathode layer in order in this sintered substance 1 and forms a package 15 next. This is manufacture of a solid electrolytic capacitor 16 which performs the processing of bringing the cathode layer of a capacitor element 9 into contact with the electrode member consisting of a lump of ceramic granular matter which is provided with a metallic layer on the surface and applying positive voltage to the capacitor element 9 after formation of the cathode layer and besides before formation of the package 15.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解コンデン
サの製造方法に関し、特に漏れ電流特性等の不良を改良
した固体電解コンデンサの製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor, and more particularly to a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor with improved defects such as leakage current characteristics.

【0002】[0002]

【従来の技術】タンタル固体電解コンデンサ等の固体電
解コンデンサは、例えば、次の通りの方法で製造する。
すなわち、先ず、タンタルやアルミニウム等の弁作用金
属の微粉末にバインダーを混合した粉末を、予じめタン
タル等の弁作用金属からなる陽極用リード線の一端を埋
め込んで焼結体を形成する。次に、複数個の焼結体を陽
極用リード線の先端でステンレス等の細長い金属板に接
続する。そしてこの状態で、焼結体を化成液中に浸漬
し、陽極酸化して酸化皮膜を形成する。酸化皮膜を形成
後、二酸化マンガン又は、ポリアニリンやポリピロール
等の導電性高分子等からなる導電層,カーボン層,銀層
を順次積層して陰極層とする。そして、陽極用リード線
を切断し、陰極層を形成後のコンデンサ素子を金属板か
ら分離する。分離後、陽極用リード線に陽極端子を接続
するとともに、陰極層に陰極端子を接続する。この後、
コンデンサ素子と、陽極端子及び陰極端子の一部とを被
覆する、絶縁樹脂等からなる外装を形成する。
2. Description of the Related Art A solid electrolytic capacitor such as a tantalum solid electrolytic capacitor is manufactured by, for example, the following method.
That is, first, a powder obtained by mixing a binder with fine powder of a valve metal such as tantalum or aluminum is embedded in advance at one end of an anode lead wire made of a valve metal such as tantalum to form a sintered body. Next, the plurality of sintered bodies are connected to an elongated metal plate such as stainless steel at the tips of the anode lead wires. Then, in this state, the sintered body is immersed in a chemical conversion solution and anodized to form an oxide film. After forming the oxide film, a cathode layer is formed by sequentially stacking a conductive layer made of manganese dioxide or a conductive polymer such as polyaniline or polypyrrole, a carbon layer, and a silver layer. Then, the anode lead wire is cut, and the capacitor element after the formation of the cathode layer is separated from the metal plate. After the separation, the anode terminal is connected to the anode lead wire, and the cathode terminal is connected to the cathode layer. After this,
An exterior made of an insulating resin or the like is formed to cover the capacitor element and a part of the anode terminal and the cathode terminal.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、コンデンサ
素子を絶縁樹脂等で被覆して外装を形成する際や形成後
に絶縁樹脂等が収縮し、このために酸化皮膜等が損傷
し、漏れ電流が増加し、漏れ電流不良が増加する欠点が
ある。
When or after forming a casing by covering a capacitor element with an insulating resin or the like, the insulating resin or the like shrinks, thereby damaging an oxide film or the like and increasing leakage current. However, there is a disadvantage that leakage current defects increase.

【0004】本発明は、以上の欠点を改良し、漏れ電流
特性を向上でき、不良を低下できる固体電解コンデンサ
の製造方法を提供することを課題とするものである。
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor which can improve the above-mentioned drawbacks, improve the leakage current characteristics, and reduce the defects.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、陽極用リード線の一端を埋め込んで、
弁作用金属の粉末を焼結して焼結体を形成し、この焼結
体に酸化皮膜及び陰極層を順次形成し、外装を被覆する
固体電解コンデンサの製造方法において、陰極層を形成
後で、かつ外装を形成する前に、コンデンサ素子の陰極
層を表面に金属めっき膜を設けたセラミック製の粒状物
の塊からなる電極部材に接触して前記コンデンサ素子に
正方向の電圧を印加する処理を行うことを特徴とする固
体電解コンデンサの製造方法を提供するものである。
According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, one end of an anode lead wire is embedded,
The powder of the valve metal is sintered to form a sintered body, and an oxide film and a cathode layer are sequentially formed on the sintered body. And a process of applying a positive voltage to the capacitor element by contacting the cathode layer of the capacitor element with an electrode member made of a lump of ceramic granular material provided with a metal plating film on the surface before forming the exterior. And a method for producing a solid electrolytic capacitor.

【0006】すなわち、本発明は、外装を形成する前
に、コンデンサ素子に正方向の電圧を印加する処理を行
っているために、漏れ電流特性が改良される。そしてそ
の後に外装を形成しても、漏れ電流不良が増大するのを
低下できる。
That is, according to the present invention, since the process of applying a positive voltage to the capacitor element is performed before forming the exterior, the leakage current characteristic is improved. And even if an exterior is formed after that, the increase in leakage current failure can be reduced.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。先ず、タンタルやアルミニウム,ニオブ等の弁作
用金属の微粉末に、アクリル系樹脂等を有機溶剤で溶か
したバインダーを添加し、混合する。混合した後、加熱
して有機溶剤を揮発して除去する。次に、この弁作用金
属の粉末を、円筒形や角形等の形状にプレス等で圧縮成
型する。この際、タンタル等の弁作用金属からなる陽極
用リード線の一端を粉末中に挿入し、他端を引き出した
構造にする。圧縮成型後、真空中等の雰囲気中において
高温度で焼成して、図1(イ)に示す通りの焼結体1を
形成する。この後、陽極用リード線2の根本に、テフロ
ンやシリコーンゴム,シリコーン樹脂等からなる円板状
の絶縁板3を配置する。そして、図1(ロ)に示す通
り、この焼結体1を複数個,陽極用リード線2の箇所で
ステンレス製等の細長い金属板4に接続する。焼結体1
を金属板4に接続後、この焼結体1を硝酸やリン酸等の
化成液中に浸漬して陽極化成し、図1(ハ)に示す通
り、厚さ200Å〜3000Å程度の酸化皮膜5を形成
する。
Embodiments of the present invention will be described below. First, a binder obtained by dissolving an acrylic resin or the like in an organic solvent is added to and mixed with fine powder of a valve metal such as tantalum, aluminum, or niobium. After mixing, the mixture is heated to volatilize and remove the organic solvent. Next, the valve metal powder is compression-molded into a shape such as a cylinder or a square by a press or the like. At this time, one end of an anode lead wire made of a valve metal such as tantalum is inserted into the powder, and the other end is drawn out. After the compression molding, firing is performed at a high temperature in an atmosphere such as a vacuum to form a sintered body 1 as shown in FIG. Thereafter, a disk-shaped insulating plate 3 made of Teflon, silicone rubber, silicone resin, or the like is disposed at the root of the anode lead wire 2. Then, as shown in FIG. 1B, a plurality of the sintered bodies 1 are connected to an elongated metal plate 4 made of stainless steel or the like at the locations of the anode lead wires 2. Sintered body 1
Is connected to a metal plate 4, the sintered body 1 is immersed in a chemical solution such as nitric acid or phosphoric acid and anodized to form an oxide film 5 having a thickness of about 200 to 3000 mm as shown in FIG. To form

【0008】酸化皮膜5を形成後、図1(ニ)に示す通
り、二酸化マンガンや導電性高分子等からなる導電層6
を形成する。導電層6を形成するには、陽極用リード線
2の引き出し面側を上にして焼結体1を硝酸マンガン溶
液中等に、液面が陽極用リード線2の引き出し面のわず
かに上であって絶縁板3の高さを越えない程度に浸漬す
る。これにより、液を焼結体1に付着して含浸する。含
浸後、溶液の種類に応じて処理を行い、導電層6を形成
する
After the oxide film 5 is formed, as shown in FIG. 1D, a conductive layer 6 made of manganese dioxide, a conductive polymer, or the like is formed.
To form In order to form the conductive layer 6, the sintered body 1 is placed in a manganese nitrate solution or the like with the lead surface side of the anode lead wire 2 facing upward, and the liquid level is slightly above the lead surface of the anode lead wire 2. Immersion so as not to exceed the height of the insulating plate 3. Thereby, the liquid adheres to and impregnates the sintered body 1. After the impregnation, processing is performed according to the type of the solution to form the conductive layer 6.

【0009】すなわち、溶液が硝酸マンガン溶液であれ
ば、焼結体1を硝酸マンガン溶液中に浸漬して液を含浸
した後、加熱分解し、さらに再化成処理する。そして硝
酸マンガン溶液の濃度を順次高くして、これらの含浸,
脱水,加熱分解及び再化成処理の工程を繰り返し行い、
所定の厚さの二酸化マンガンからなる導電層6を形成す
る。
That is, if the solution is a manganese nitrate solution, the sintered body 1 is immersed in the manganese nitrate solution to impregnate the solution, then thermally decomposed, and further subjected to re-chemical treatment. Then, the concentration of the manganese nitrate solution was gradually increased to impregnate these
Repeat the steps of dehydration, thermal decomposition and re-chemical treatment,
A conductive layer 6 of manganese dioxide having a predetermined thickness is formed.

【0010】また、導電性高分子からなる導電層6を形
成するには例えば次の各種の方法により行う。すなわ
ち、第1の方法は、先ず、導電性高分子の溶液中に焼結
体1を浸漬する。浸漬後、アルコール等の有機溶剤で洗
浄する。洗浄後、乾燥して溶媒を蒸発させる。そして必
要に応じてこの浸漬から乾燥までの工程を繰り返して行
い、所定の厚さに形成する。また、第2の方法は、先
ず、脱ドープした高分子の溶液中に焼結体1を浸漬す
る。浸漬後、洗浄し、乾燥する。そしてこの浸漬から乾
燥までの工程を必要に応じて所定回数繰り返して行い、
所定の厚さの脱ドープした高分子の膜を形成する。この
膜を形成後、焼結体1をドーピング溶液中に数10分〜
数時間浸漬して接触し、高分子にドーパントのイオンを
結合して導電性を付与し、導電性高分子の膜を形成す
る。さらに、第3の方法は、先ず、アニリンやピロー
ル,チオフェン等のモノマーとドーパントのイオンとを
含む溶液中に焼結体1を浸漬する。次に、酸化剤の溶液
中に焼結体1を浸漬して化学重合反応させて、導電性高
分子の膜を形成する。そして第4の方法は、先ず、アニ
リンやピロール等のモノマーの溶液中に焼結体1を浸漬
する。次に、酸化剤の溶液中に焼結体1を浸漬して化学
重合反応させて、高分子の膜を形成する。高分子の膜を
形成後、焼結体1をドーピング溶液中に浸漬して接触
し、導電性を付与して導電性高分子の膜を形成する。な
お、ドーパントは、解離定数がナフタレンスルホン酸又
はその誘導体とほぼ同一か又はより小さく、かつドーパ
ントの陰イオンがナフタレンスルホン酸又はその誘導体
の陰イオンよりも小さい物質を用いる。このようなドー
パントとしては、例えば、スルホイソフタル酸やスルホ
コハク酸,メタンスルホン酸,フェノールスルホン酸,
スルホサリチル酸,ベンゼンスルホン酸,ベンゼンジス
ルホン酸,アルキルベンゼンスルホン酸及びその誘導
体、カンファースルホン酸,スルホ酢酸,スルホアニリ
ン,ジフェノールスルホン酸等の酸又はこれらの酸の塩
等を用いる。また、ドーピング溶液は、例えばドーパン
トあるいはドーパントと酸化剤とを有機溶媒に溶解した
組成にする。液中のドーパントや酸化剤の濃度は0.0
1〜1mol/lの範囲が好ましい。そして有機溶媒は、
例えば、ケトン類やエステル類,アルコール類,芳香族
炭化水素類,ニトリル酸,セルソルブ類,含窒素化合物
等を用いる。さらに、酸化剤の溶液は、酸化剤だけでは
なく、他にドーパントを加えた溶液や、酸化剤とドーパ
ントとの塩の溶液を用いてもよい。そして酸化剤には、
第2の鉄塩や過硫酸塩,バナジン酸塩等の水素基準電極
に対して0.8V以上の酸化電位を有する塩を用いる。
ところで、タンタル粉末により素子を形成した場合に
は、タンタル粉末のCV値が大きくなり体積当りの静電
容量が大きくなるほど、素子内部に液が含浸し難しくな
る。従って、特性の良好な導電性高分子の膜を形成する
ためには、導電性高分子の溶液等に濃度の高いものを用
いる必要がある。そして高分子の中でポリアニリンは、
溶媒への溶解度が大きく、比較的高濃度の溶液を調整で
き、適当な物質である。
The conductive layer 6 made of a conductive polymer is formed by, for example, the following various methods. That is, in the first method, first, the sintered body 1 is immersed in a conductive polymer solution. After immersion, it is washed with an organic solvent such as alcohol. After washing, dry and evaporate the solvent. Then, if necessary, the steps from immersion to drying are repeated to form a predetermined thickness. In the second method, first, the sintered body 1 is immersed in a solution of the undoped polymer. After immersion, wash and dry. The process from immersion to drying is repeated a predetermined number of times as necessary,
A undoped polymer film having a predetermined thickness is formed. After forming this film, the sintered body 1 is placed in a doping solution for several tens of minutes.
It is immersed in contact for several hours to bond the ion of the dopant to the polymer to impart conductivity, thereby forming a conductive polymer film. Further, in the third method, first, the sintered body 1 is immersed in a solution containing a monomer such as aniline, pyrrole, or thiophene and a dopant ion. Next, the sintered body 1 is immersed in a solution of an oxidizing agent to cause a chemical polymerization reaction to form a conductive polymer film. In the fourth method, first, the sintered body 1 is immersed in a solution of a monomer such as aniline or pyrrole. Next, the sintered body 1 is immersed in a solution of an oxidizing agent to cause a chemical polymerization reaction, thereby forming a polymer film. After the formation of the polymer film, the sintered body 1 is immersed in a doping solution and brought into contact with the sintered body 1 to impart conductivity to form a conductive polymer film. Note that as the dopant, a substance having a dissociation constant substantially equal to or smaller than that of naphthalenesulfonic acid or a derivative thereof and an anion of the dopant smaller than that of naphthalenesulfonic acid or a derivative thereof is used. Such dopants include, for example, sulfoisophthalic acid, sulfosuccinic acid, methanesulfonic acid, phenolsulfonic acid,
Acids such as sulfosalicylic acid, benzenesulfonic acid, benzenedisulfonic acid, alkylbenzenesulfonic acid and derivatives thereof, camphorsulfonic acid, sulfoacetic acid, sulfoaniline and diphenolsulfonic acid, and salts of these acids are used. The doping solution has, for example, a composition in which a dopant or a dopant and an oxidizing agent are dissolved in an organic solvent. The concentration of the dopant or oxidant in the solution is 0.0
A range of 1 to 1 mol / l is preferred. And the organic solvent is
For example, ketones, esters, alcohols, aromatic hydrocarbons, nitrile acid, cellosolves, nitrogen-containing compounds and the like are used. Further, as the solution of the oxidizing agent, not only the oxidizing agent but also a solution to which a dopant is added or a solution of a salt of the oxidizing agent and the dopant may be used. And the oxidizing agent
A salt having an oxidation potential of 0.8 V or more with respect to a hydrogen reference electrode such as a second iron salt, persulfate, or vanadate is used.
By the way, when an element is formed from tantalum powder, as the CV value of the tantalum powder increases and the capacitance per unit volume increases, the inside of the element becomes more difficult to impregnate with a liquid. Therefore, in order to form a conductive polymer film having good characteristics, it is necessary to use a conductive polymer solution or the like having a high concentration. And polyaniline in the polymer,
It is a suitable substance that has a high solubility in a solvent and can prepare a relatively high-concentration solution.

【0011】導電層6を形成後、図1(ホ)に示す通
り、カーボンペーストを塗布してカーボン層7を形成す
る。また、カーボン層7の表面には、図1(ヘ)に示す
通り、銀ペーストを塗布して銀層8を形成し、コンデン
サ素子9とする。
After forming the conductive layer 6, a carbon paste is applied to form a carbon layer 7 as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 1F, a silver paste is applied to the surface of the carbon layer 7 to form a silver layer 8 to obtain a capacitor element 9.

【0012】そして導電層6,カーボン層7及び銀層8
からなる陰極層を形成後、陽極用リード線2側を正と
し、陰極層側を負にして、正方向にコンデンサ素子9に
電圧を印加する。この際、周囲温度は室温〜200℃程
度、特に120〜150℃程度の範囲が好ましく、より
漏れ電流を低下できる。また、電圧の印加時間は、数1
0分〜数時間、好ましくは1時間程度がよい。
The conductive layer 6, the carbon layer 7, and the silver layer 8
After the cathode layer made of is formed, the anode lead wire 2 side is made positive and the cathode layer side is made negative, and a voltage is applied to the capacitor element 9 in the positive direction. At this time, the ambient temperature is preferably in the range of room temperature to about 200 ° C., particularly about 120 to 150 ° C., and the leakage current can be further reduced. The voltage application time is given by the following equation
0 minute to several hours, preferably about 1 hour.

【0013】そしてコンデンサ素子9に電圧を印加する
には、金属板4に電極を接続するとともに、陰極層を電
極部材に接触する。
In order to apply a voltage to the capacitor element 9, an electrode is connected to the metal plate 4 and the cathode layer is brought into contact with the electrode member.

【0014】この電極部材は表面に金属めっき膜を設け
たセラミック製の粒状物からなる。セラミック材として
は、ジルコニア・シリカ系や、アルミナ、窒化ケイ素、
炭化ケイ素等を用いる。また、金属めっき膜としては、
ニッケルめっき膜や金めっき膜、銅めっき膜あるいはこ
れらを組み合わせたもの等を用いる。さらに、粒状物と
しては、球体や楕円形体、円筒形体等とする。そして粒
状物の平均粒径は、10.0mmより小さい範囲が好まし
く、特に、6mmより小さい範囲が好ましく、漏れ電流特
性を改良できる効果が顕著である。
This electrode member is made of ceramic granular material having a metal plating film on the surface. Ceramic materials include zirconia-silica, alumina, silicon nitride,
Silicon carbide or the like is used. Also, as the metal plating film,
A nickel plating film, a gold plating film, a copper plating film or a combination thereof is used. Further, the granular material is a sphere, an ellipse, a cylinder, or the like. The average particle size of the granular material is preferably smaller than 10.0 mm, particularly preferably smaller than 6 mm, and the effect of improving the leakage current characteristics is remarkable.

【0015】そして例えば図2に示す通り、金属板10
の表面上に粒状の電極部材11を載せ、この電極部材1
1中にコンデンサ素子9の一部を埋め込む。そして陽極
用リード線2を接続している金属板4側を陽極とし、電
極部材11を載せた金属板10側を陰極としてコンデン
サ素子9に正方向の電圧を印加する。
Then, for example, as shown in FIG.
A granular electrode member 11 is placed on the surface of the
A part of the capacitor element 9 is embedded in 1. Then, a positive voltage is applied to the capacitor element 9 using the metal plate 4 side to which the anode lead wire 2 is connected as an anode and the metal plate 10 side on which the electrode member 11 is mounted as a cathode.

【0016】また、陰極側の金属板10と粒状の電極部
材11との間に、金属箔等で被覆する等して導電性を付
与したゴムやスポンジ,ガラスウール,綿を介在したり
等してもよい。この場合には、図2の場合に比較して粒
状の電極部材11にコンデンサ素子9を接触した際に、
コンデンサ素子9に加わる機械的な力をより軽減でき
る。コンデンサ素子9に電圧を印加した後、陽極用リー
ド線を切断してコンデンサ素子9を金属板4から分離す
る。そして図1(ト)に示す通り、銀層8に銀ペースト
12により陰極端子13を接続するとともに、陽極用リ
ード線2に陽極端子14を溶接等により接続する。次
に、図1(チ)に示す通り、樹脂モールド法や樹脂ディ
ップ法等により外装15を形成し、コンデンサ素子9を
絶縁樹脂で被覆する。外装15を形成後、エージング処
理し、さらに陰極端子13と陽極端子14とを外装15
の表面に沿って折り曲げて、固体電解コンデンサ16を
形成する。
In addition, rubber, sponge, glass wool, or cotton, which has been provided with conductivity by being coated with a metal foil or the like, is interposed between the metal plate 10 on the cathode side and the granular electrode member 11. You may. In this case, when the capacitor element 9 contacts the granular electrode member 11 as compared with the case of FIG.
The mechanical force applied to the capacitor element 9 can be further reduced. After a voltage is applied to the capacitor element 9, the lead wire for the anode is cut to separate the capacitor element 9 from the metal plate 4. Then, as shown in FIG. 1 (g), the cathode terminal 13 is connected to the silver layer 8 by the silver paste 12, and the anode terminal 14 is connected to the anode lead wire 2 by welding or the like. Next, as shown in FIG. 1H, the exterior 15 is formed by a resin molding method, a resin dipping method, or the like, and the capacitor element 9 is covered with an insulating resin. After the exterior 15 is formed, it is subjected to an aging treatment, and further, the cathode terminal 13 and the anode terminal 14 are
To form a solid electrolytic capacitor 16.

【0017】[0017]

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。先
ず、タンタルの微粉末に、バインダーを混合した粉末を
角形にプレス圧縮成型する。この際、タンタル製の陽極
用リード線の一端を粉末中に挿入し、他端を引き出した
構造にする。圧縮成型後、真空中で焼結し、2.60mm
×2.32mm×1.52mm角の焼結体を形成する。次
に、焼結体を硝酸溶液中に浸漬し、化成電圧17Vで陽
極酸化処理し、酸化皮膜を形成する。酸化皮膜を形成
後、二酸化マンガン,導電性ポリピロール,導電性ポリ
アニリンのどれか一種類からなる導電層を形成する。導
電層を形成後、カーボンペースト及び銀ペーストを順次
塗布して、カーボン層及び銀層を形成する。銀層を形成
後、室温〜200℃の温度の雰囲気中においてコンデン
サ素子に9Vの直流電圧を1時間印加する。この際、コ
ンデンサ素子の電極部材に対する押圧力は10kg/cm
とする。また、電極部材は表1に示す通りとする。電圧
を印加後、コンデンサ素子の陰極層をリードフレームの
陰極端子部に銀ペーストにより接続するとともに、陽極
用リード線をリードフレームの陽極端子部に溶接する。
この後、トランスファーモールド法により外装を形成す
る。外装を形成後、リードフレームを所定の位置で切断
し、エージング処理を行い、陰極端子及び陽極端子をフ
ォーミングし、定格7V,100μFのタンタル固体電
解コンデンサを造る。
Next, an embodiment of the present invention will be described. First, a powder obtained by mixing a binder with a fine powder of tantalum is press-molded into a square shape. At this time, one end of the tantalum anode lead wire is inserted into the powder, and the other end is pulled out. After compression molding, sinter in vacuum, 2.60mm
A sintered body of × 2.32 mm × 1.52 mm square is formed. Next, the sintered body is immersed in a nitric acid solution and subjected to anodizing treatment at a formation voltage of 17 V to form an oxide film. After forming the oxide film, a conductive layer made of any one of manganese dioxide, conductive polypyrrole, and conductive polyaniline is formed. After forming the conductive layer, a carbon paste and a silver paste are sequentially applied to form a carbon layer and a silver layer. After forming the silver layer, a DC voltage of 9 V is applied to the capacitor element for one hour in an atmosphere at a temperature of room temperature to 200 ° C. At this time, the pressing force of the capacitor element against the electrode member is 10 kg / cm 2
And The electrode members are as shown in Table 1. After applying the voltage, the cathode layer of the capacitor element is connected to the cathode terminal of the lead frame with silver paste, and the anode lead wire is welded to the anode terminal of the lead frame.
Thereafter, an exterior is formed by a transfer molding method. After forming the exterior, the lead frame is cut at a predetermined position, subjected to aging treatment, and the cathode terminal and the anode terminal are formed to produce a tantalum solid electrolytic capacitor rated at 7 V and 100 μF.

【0018】そして上記実施例の方法により製造したタ
ンタル固体電解コンデンサと、比較例及び従来例のタン
タル固体電解コンデンサとにつき、漏れ電流の不良率を
測定し、表1に示した。
The defective rate of leakage current was measured for the tantalum solid electrolytic capacitors manufactured by the method of the above embodiment and the tantalum solid electrolytic capacitors of the comparative example and the conventional example, and the results are shown in Table 1.

【0019】なお、比較例1〜比較例2のタンタル固体
電解コンデンサは、陰極層を形成後に電圧を印加する際
に用いる電極部材の条件を表1の通りとする以外は、実
施例1〜実施例16と同一の条件で製造したものとす
る。
The tantalum solid electrolytic capacitors of Comparative Examples 1 and 2 were prepared in the same manner as in Examples 1 to 2 except that the conditions of the electrode members used when applying a voltage after forming the cathode layer were as shown in Table 1. Assume that it was manufactured under the same conditions as in Example 16.

【0020】また、従来例のタンタル固体電解コンデン
サは、外装形成前に電圧を印加する処理を省略する以外
は、実施例1〜実施例16と同一の条件で製造したもの
とする。
The conventional tantalum solid electrolytic capacitor is manufactured under the same conditions as in Examples 1 to 16, except that the process of applying a voltage before forming the exterior is omitted.

【0021】そして、漏れ電流は、試料に1KΩの抵抗
を直列に接続し、温度25℃の雰囲気中において試料と
抵抗間に直流電圧7Vを印加し、1分経過後の電流値と
する。そして一般的に用いている製品定格基準値0.0
1CV(μA/μF・V)に0.25を掛けた値、すな
わち0.25×0.01CVを基準値とし、漏れ電流が
この値よりも小さい場合を良,等しいか大きい場合を不
良として不良率を求めた。
The leakage current is determined by connecting a 1 KΩ resistor in series to the sample, applying a DC voltage of 7 V between the sample and the resistor in an atmosphere at a temperature of 25 ° C., and setting a current value after a lapse of 1 minute. And the commonly used product rating standard value 0.0
A value obtained by multiplying 1 CV (μA / μF · V) by 0.25, that is, 0.25 × 0.01 CV as a reference value, is good if the leakage current is smaller than this value, and is bad if the leakage current is equal or larger. The rate was determined.

【0022】なお、電極部材は球体とし、その材質、融
点、密度、めっき膜形成前の平均粒径、表面粗さ(基準
長さ0.1mmとした場合の最大高さRm)、めっき膜及
び導電層の材質を併せて表1に記載する。
The electrode member is a sphere, and its material, melting point, density, average particle size before plating film formation, surface roughness (maximum height Rm when reference length is 0.1 mm), plating film and Table 1 also shows the material of the conductive layer.

【0023】[0023]

【表1】 [Table 1]

【0024】表1から明らかな通り、漏れ電流の不良率
は、実施例1〜実施例16が0.8〜5.1%,比較例
1〜比較例2が5.8〜6.7%,そして従来例が7.
2%となる。すなわち、実施例1〜実施例16によれ
ば、比較例1〜比較例2に比べて約12〜88%の大き
さに低下し、そして従来例に比較して約11〜71%の
大きさに低下している。また、実施例1〜実施例14と
実施例15〜実施例16とについて、漏れ電流の不良率
を比較すると、前者の方が後者の約16〜78%の大き
さに低下している。従って、粒状物の平均粒径は6.0
mm以下がより好ましいことが明らかである。
As is clear from Table 1, the defective rate of the leakage current is 0.8 to 5.1% in Examples 1 to 16 and 5.8 to 6.7% in Comparative Examples 1 and 2. And the conventional example is 7.
2%. That is, according to Examples 1 to 16, the size is reduced to about 12 to 88% as compared with Comparative Examples 1 and 2, and about 11 to 71% as compared with the conventional example. Has declined. In addition, comparing Example 1 to Example 14 and Example 15 to Example 16 with respect to the defect rate of the leakage current, the former is reduced to about 16 to 78% of the latter. Therefore, the average particle size of the granules is 6.0.
It is clear that mm or less is more preferable.

【0025】なお、コンデンサ素子がショート不良によ
り焼損した場合に電極部材が溶融して変形しているか否
かを測定した。その結果、実施例1〜実施例16及び比
較例2の場合には変形が認められなかったが、比較例1
の場合には変形していた。
In addition, when the capacitor element was burned out due to short-circuit failure, it was measured whether or not the electrode member was melted and deformed. As a result, no deformation was observed in Examples 1 to 16 and Comparative Example 2, but Comparative Example 1
In the case of it was deformed.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上の通り、本発明の製造方法によれ
ば、陽極用リード線の一端を埋め込んで、弁作用金属の
粉末を焼結して焼結体を形成し、この焼結体に酸化皮膜
及び陰極層を順次形成した後、外装を形成する前に、コ
ンデンサ素子の陰極層側を表面に金属めっき膜を設けた
セラミック製の粒状物の塊からなる電極部材に接触して
コンデンサ素子に正方向の電圧を印加しているため、漏
れ電流特性等を向上でき、不良を低下でき、信頼性の高
い固体電解コンデンサが得られる。
As described above, according to the manufacturing method of the present invention, one end of the anode lead wire is embedded, and the valve metal powder is sintered to form a sintered body. After sequentially forming the oxide film and the cathode layer, and before forming the exterior, the cathode layer side of the capacitor element is brought into contact with an electrode member made of a lump of ceramic granular material provided with a metal plating film on the surface, thereby forming the capacitor element. Since a positive voltage is applied to the capacitor, leakage current characteristics and the like can be improved, defects can be reduced, and a highly reliable solid electrolytic capacitor can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の工程図を示す。FIG. 1 shows a process chart of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態の金属層形成後のコンデン
サ素子に電圧を印加する状態の構造図を示す。
FIG. 2 is a structural diagram showing a state in which a voltage is applied to a capacitor element after a metal layer is formed according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1… 焼結体、 2…陽極用リード線、 4,10…金属
板、 5…酸化皮膜、6…導電層、 7…カーボン層、
8…銀層、 9…コンデンサ素子 15…外装、 16…固体電解コンデンサ。 整理番号 P2469
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sintered body, 2 ... Lead wire for anode, 4, 10 ... Metal plate, 5 ... Oxide film, 6 ... Conductive layer, 7 ... Carbon layer,
8: Silver layer, 9: Capacitor element 15: Exterior, 16: Solid electrolytic capacitor. Reference number P2469

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 陽極用リード線の一端を埋め込んで、弁
作用金属の粉末を焼結して焼結体を形成し、この焼結体
に酸化皮膜及び陰極層を順次形成し、外装を被覆する固
体電解コンデンサの製造方法において、陰極層を形成後
で、かつ外装を形成する前にコンデンサ素子の陰極層を
表面に金属めっき膜を設けたセラミック製の粒状物の塊
からなる電極部材に接触して前記コンデンサ素子に正方
向の電圧を印加する処理を行うことを特徴とする固体電
解コンデンサの製造方法。
A sinter is formed by sintering a valve metal powder by embedding one end of an anode lead wire, forming an oxide film and a cathode layer on the sintered body in order, and covering the exterior. In the method for manufacturing a solid electrolytic capacitor, the cathode layer of the capacitor element is brought into contact with an electrode member formed of a lump of ceramic granular material provided with a metal plating film on the surface after forming the cathode layer and before forming the exterior. Performing a process of applying a positive voltage to the capacitor element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB2539125A (en) * 2014-03-07 2016-12-07 Hitachi Ltd Vehicle coupling control system, vehicle coupling control method, and vehicle control system fault detection device

Cited By (2)

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GB2539125B (en) * 2014-03-07 2017-12-06 Hitachi Ltd Vehicle merging control system and vehicle merging control method, and failure detection device for vehicle control system

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