JPH11133101A - Stationary power supply current test circuit - Google Patents

Stationary power supply current test circuit

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JPH11133101A
JPH11133101A JP9292195A JP29219597A JPH11133101A JP H11133101 A JPH11133101 A JP H11133101A JP 9292195 A JP9292195 A JP 9292195A JP 29219597 A JP29219597 A JP 29219597A JP H11133101 A JPH11133101 A JP H11133101A
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JP
Japan
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power supply
supply current
circuit
scale
test
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Application number
JP9292195A
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Japanese (ja)
Inventor
Michio Maekawa
道生 前川
Junichi Hirase
潤一 平瀬
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH11133101A publication Critical patent/JPH11133101A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately measure the abnormal current value of a power supply current caused by the defect of an internal circuit by dividedly measuring the stationary power supply current test. SOLUTION: This test circuit is provided with small-scale CMOS circuits 1-3 using low-threshold value voltage transistors, switches 4-5 using high- threshold value voltage transistors inserted between the power supply terminals and GND of the CMOS circuits 1-3, pull-down circuits 7 fixing the CMOS inputs of the small-scale circuits 1-3, and a selector 10 selecting the small-scale circuit measuring a stationary power supply current. Large-scale CMOS circuits can be divided to measure the stationary power supply current, thereby the effect of the leakage current of the low-threshold value voltage transistors can be minimized. The measurement of the stationary power supply current which has been difficult by conventional low-voltage, large-scale CMOS circuits using the low-threshold value voltage transistors is made feasible, and good product/ defective products can be judged by a stationary power supply current test in a shipping inspection.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置のテ
スト回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test circuit for a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は従来の半導体装置の静止電源電流
測定回路の構成図を示す。11はCMOS回路の電源端
子、17はCMOS回路の電源電流、15はCMOS回
路への入力信号、14は低しきい値電圧トランジスタを
用いた大規模CMOS回路である。従来の静止電源電流
の測定は、CMOS回路14の内部状態を入力信号15
を用いて固定し、電源端子11に流れる静止電源電流1
7を測定する構成を取っていた。
2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a configuration diagram of a conventional static power supply current measuring circuit of a semiconductor device. 11 is a power supply terminal of the CMOS circuit, 17 is a power supply current of the CMOS circuit, 15 is an input signal to the CMOS circuit, and 14 is a large-scale CMOS circuit using low threshold voltage transistors. In the conventional measurement of the quiescent power supply current, the internal state of the CMOS
And the static power supply current 1 flowing through the power supply terminal 11
7 was measured.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体装置は高
集積化が進み、従来複数の半導体装置で構成していたシ
ステム全体を1つの半導体装置で実現することが可能と
なってきた。このため、半導体装置の大規模化、複雑化
が急速に進んできている。このように、半導体装置の規
模が大きくなると、半導体装置の内部回路をコントロー
ルし、半導体装置内部の故障を全て検出するテストパタ
ーンを作成することが困難になってくる。しかし、半導
体装置の出荷検査における故障検出率と市場不良率は密
接な関係にあり、半導体装置の品質を保証するため、多
大な工数を要しても故障検出率の向上を行っているのが
現状である。
In recent years, the degree of integration of semiconductor devices has been increased, and it has become possible to realize an entire system conventionally constituted by a plurality of semiconductor devices with one semiconductor device. For this reason, the size and complexity of semiconductor devices have been rapidly increasing. As described above, as the size of the semiconductor device increases, it becomes difficult to control the internal circuit of the semiconductor device and create a test pattern for detecting all failures inside the semiconductor device. However, the failure detection rate in shipping inspection of semiconductor devices and the market failure rate are closely related, and in order to guarantee the quality of semiconductor devices, the failure detection rate is improved even if a lot of man-hours are required. It is the current situation.

【0004】この故障検出率の向上を効果的に行う手段
として、テストパターンによるファンクションテストの
他に、半導体装置の静止時の電源電流を測定する静止電
源電流テストという方法がある。半導体装置の電源端子
は全ての内部回路とつながっているため、電源端子に流
れる電源電流を測定することにより、内部回路の状態を
判定することができる。図3を用いて静止電源電流テス
トについて説明する。まず、CMOS回路の入力に内部
回路の状態を変化させる入力信号15を入れる。内部回
路に欠陥18がない場合、欠陥なしの電源電流17(a)
はCMOS回路では動作時のみ大きく流れ、静止時には
数uA以下の漏れ電流値20となる。ここで、内部回路に
欠陥18が存在する場合、測定点19での電源電流17
(b)は故障モードに応じて異常に大きい異常電流値21
となる。これを良品/不良品選別電流値22で良否判定
することにより、出荷検査において良品/不良品の選別
が可能となる。ファンクションテストと静止電源電流テ
ストを比較すると、ファンクションテストは内部状態を
制御するパターン23と内部状態を外部に伝えるパター
ン24と期待値判定を行うパターン25を用意する必要
があるのに対し、静止電源電流テストは内部状態を制御
するパターン23を用意すれば検査を行うことができ
る。このため、完成度の高い検査を実現するのに比較的
工数を必要としないため、半導体装置の開発期間の短
縮、コスト低減と品質の向上の両立を図ることができ
る。
As a means for effectively improving the failure detection rate, there is a method called a static power supply current test for measuring a power supply current when the semiconductor device is at rest, in addition to a function test using a test pattern. Since the power supply terminal of the semiconductor device is connected to all internal circuits, the state of the internal circuit can be determined by measuring the power supply current flowing through the power supply terminal. The quiescent power supply current test will be described with reference to FIG. First, an input signal 15 for changing the state of the internal circuit is input to the input of the CMOS circuit. If there is no defect 18 in the internal circuit, the power supply current 17 (a) without defect
Flows in the CMOS circuit only during operation and has a leakage current value 20 of several uA or less at rest. Here, when the defect 18 exists in the internal circuit, the power supply current 17 at the measurement point 19 is determined.
(b) is an abnormally large abnormal current value 21 according to the failure mode.
Becomes By making a pass / fail decision based on the good / defective product selection current value 22, good / defective products can be selected in the shipping inspection. Comparing the function test and the quiescent power supply current test, the function test needs to prepare a pattern 23 for controlling the internal state, a pattern 24 for transmitting the internal state to the outside, and a pattern 25 for determining the expected value. The current test can be performed by preparing a pattern 23 for controlling the internal state. For this reason, since relatively few man-hours are required to realize a highly completed inspection, it is possible to shorten the development period of the semiconductor device, reduce costs and improve quality.

【0005】しかし、近年の半導体装置では消費電力の
低下を目的として、低電圧化が進み現在主流の3.3V
駆動から2.5V駆動へ更には1.8V駆動へ急速に変
化しつつある。ここで問題になるのが、低電圧化に伴う
CMOSトランジスタのしきい値電圧の低下である。し
きい値電圧が低下するとCMOS回路の静止時に流れる
漏れ電流が大きくなることが明らかになっており、これ
によって大規模回路での静止電源電流の測定が困難にな
りつつあるという課題がある。
[0005] However, in recent semiconductor devices, the voltage has been reduced for the purpose of lowering the power consumption, and the mainstream current 3.3 V is used.
It is rapidly changing from driving to 2.5V driving and further to 1.8V driving. The problem here is a decrease in the threshold voltage of the CMOS transistor due to the lowering of the voltage. It has been found that when the threshold voltage decreases, the leakage current flowing when the CMOS circuit is at rest increases, which causes a problem that it is becoming difficult to measure the quiescent power supply current in a large-scale circuit.

【0006】図4を用いて低しきい値電圧トランジスタ
を用いた大規模半導体装置での静止電源電流テストの困
難さについて説明を行う。図4の(a)は高しきい値電
圧トランジスタを用いた小規模半導体装置での電源電流
である。この場合、欠陥なしの回路での測定点19での
漏れ電流値20は1uA以下であり、回路に欠陥があった
場合の異常電流値21は漏れ電流値20の数十倍以上あ
るため、良品/不良品選別電流値22で正確に良品/不
良品の選別を行うことが可能である。良品/不良品選別
電流値22が幅を持っているのは、測定装置の測定ばら
つきを考慮したものである。図4の(b)は低しきい値
電圧トランジスタを用いた小規模半導体装置での電源電
流である。この場合は、欠陥なしの回路での測定点19
での漏れ電流値20は数uA程度に増えるが、回路に欠陥
があった場合の異常電流値21は同程度であるため、相
対的に漏れ電流値20に対する比率は数倍程度となる。
このため、高しきい値電圧トランジスタを用いた半導体
装置よりは判定が困難になるが、良品/不良品選別電流
値22で良品/不良品の選別を行うことは可能である。
ところが、図4の(c)の低しきい値電圧トランジスタ
を用いた大規模半導体装置での電源電流になると、漏れ
電流値20を生じるトランジスタの数が大幅に増加する
ため、欠陥なしの回路でも漏れ電流値20は数十uA以上
になる。こうなると、回路に欠陥が1、2カ所存在して
も異常電流値21は漏れ電流値20に対し大きな差がな
くなるため、良品/不良品選別電流値22で良品/不良
品の選別を行うことは困難になる。
The difficulty of a static power supply current test in a large-scale semiconductor device using low threshold voltage transistors will be described with reference to FIG. FIG. 4A shows a power supply current in a small-scale semiconductor device using a high threshold voltage transistor. In this case, the leakage current value 20 at the measurement point 19 in the circuit having no defect is 1 uA or less, and the abnormal current value 21 when the circuit has a defect is several tens times or more of the leakage current value 20. The non-defective / defective product selection can be accurately performed with the / defective product selection current value 22. The reason why the non-defective / defective product selection current value 22 has a width is in consideration of the measurement variation of the measuring device. FIG. 4B shows a power supply current in a small-scale semiconductor device using a low threshold voltage transistor. In this case, the measurement point 19 in the circuit without defects
Although the leakage current value 20 increases to about a few uA, the abnormal current value 21 when there is a defect in the circuit is about the same, so that the ratio to the leakage current value 20 becomes relatively several times.
For this reason, although it is more difficult to make a determination than a semiconductor device using a high threshold voltage transistor, it is possible to perform a non-defective / defective product selection using the non-defective / defective product selection current value 22.
However, in the case of the power supply current in a large-scale semiconductor device using the low threshold voltage transistor shown in FIG. 4C, the number of transistors that generate a leakage current value of 20 increases significantly, so that even a circuit without defects can be used. The leakage current value 20 is several tens uA or more. In this case, even if there are one or two defects in the circuit, the abnormal current value 21 does not greatly differ from the leakage current value 20, so that the non-defective / defective product is selected based on the non-defective / defective product current value 22. Becomes difficult.

【0007】したがって、本発明の目的は、低電圧で且
つ大規模な半導体装置でも静止電源電流テストを行うこ
とができる静止電源電流テスト回路を提供することであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a static power supply current test circuit capable of performing a static power supply current test even with a low-voltage and large-scale semiconductor device.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の静止電源電流
テスト回路は、低しきい値電圧トランジスタを用いた小
規模CMOS回路と、CMOS回路の電源とGNDに挿
入した高しきい値電圧トランジスタによるスイッチと、
小規模回路のCMOS入力を固定する入力固定回路と、
静止電源電流を測定する小規模回路を選択するセレクタ
を備えたものである。
A quiescent power supply current test circuit according to claim 1 is a small scale CMOS circuit using a low threshold voltage transistor, and a high threshold voltage transistor inserted into a power supply and GND of the CMOS circuit. Switch and
An input fixing circuit for fixing the CMOS input of the small-scale circuit;
It is provided with a selector for selecting a small-scale circuit for measuring a quiescent power supply current.

【0009】請求項1の静止電源電流テスト容易化回路
によれば、静止電源電流テストを分割して測定できるよ
うに構成したため、内部回路の欠陥による電源電流の異
常電流値を精度良く測定でき、従来の半導体装置に比べ
て故障検出性の向上による製品品質の向上、検査設計に
あまり工数を必要としないことから半導体装置の開発期
間の短縮を行うことができる。
According to the quiescent power supply current test facilitation circuit of the present invention, since the quiescent power supply current test can be divided and measured, the abnormal current value of the power supply current due to a defect in the internal circuit can be measured accurately. Compared with the conventional semiconductor device, the quality of the product is improved due to the improvement of the fault detection capability, and the inspection design does not require much man-hour, so that the development period of the semiconductor device can be shortened.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】この発明の一実施の形態を、図1
により説明する。図1は、この発明の一実施の形態によ
る半導体装置の静止電源電流テスト容易化回路の構成図
を示す。1〜3は低しきい値電圧トランジスタを用いた
小規模CMOS回路、4(a)〜(c)はCMOS回路の電源
に挿入した高しきい値電圧トランジスタによるスイッ
チ、5(a)〜(c)はCMOS回路のGNDに挿入した高し
きい値電圧トランジスタによるスイッチ、6(a)〜(c)は
高しきい値電圧トランジスタによるスイッチ4(a)〜
(c),5(a)〜(c)を制御する制御回路、7(a)〜(c)は小
規模回路のCMOS入力を固定する入力固定回路、10
は静止電源電流を測定する小規模回路を選択するセレク
タ、8(a)〜(c)はセレクタ10の出力、11はCMOS
回路の電源端子、12は静止電源電流測定モードに設定
するテストモード端子、13は通常動作状態での消費電
力をコントロールするノーマルモード端子、9は制御回
路6の動作を示す真理値表である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention is shown in FIG.
This will be described below. FIG. 1 is a configuration diagram of a circuit for facilitating the test of a static power supply current of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 1-3 are small-scale CMOS circuits using low threshold voltage transistors, 4 (a)-(c) are switches using high threshold voltage transistors inserted in the power supply of the CMOS circuit, and 5 (a)-(c). ) Are switches by high threshold voltage transistors inserted in the GND of the CMOS circuit, and 6 (a) to 6 (c) are switches 4 (a) to 4 by high threshold voltage transistors.
(c), control circuits for controlling 5 (a) to (c); 7 (a) to (c), input fixing circuits for fixing CMOS inputs of small-scale circuits;
Is a selector for selecting a small-scale circuit for measuring a static power supply current, 8 (a) to 8 (c) are outputs of the selector 10, and 11 is a CMOS.
A power supply terminal of the circuit, 12 is a test mode terminal for setting a quiescent power supply current measurement mode, 13 is a normal mode terminal for controlling power consumption in a normal operation state, and 9 is a truth table showing an operation of the control circuit 6.

【0011】本実施の形態の静止電源電流テスト回路を
用いた半導体装置は、実使用モード時には大規模回路と
して動作し、静止電源電流テストを実施する静止電源電
流テストモード時には小規模回路に分割してテストを実
施するものである。図1を用いて、静止電源電流テスト
モード時と、実使用モード時の動作の説明を行う。
The semiconductor device using the quiescent power supply current test circuit of the present embodiment operates as a large-scale circuit in the actual use mode, and is divided into small-scale circuits in the quiescent power supply current test mode for performing the quiescent power supply current test. Test. The operation in the static power supply current test mode and in the actual use mode will be described with reference to FIG.

【0012】まず、静止電源電流テストモード時の動作
について説明する。小規模回路に分割した静止電源電流
テストは次のようにして行う。まず、静止電源電流テス
ト用テストモード端子12をHに固定する。テストモー
ド端子12をHの状態にすると静止電源電流テストモー
ドとなり、真理値表9に示すようにセレクタ10の出力
8によって、高しきい値電圧トランジスタによるスイッ
チ4とスイッチ5を制御することができる。この際、ノ
ーマルモード端子13は静止電源電流テスト動作に影響
を与えないため、HまたはLに固定しておけば良い。こ
のような静止電源電流テストモード時においてセレクタ
出力A8(a)をHにし、トランジスタスイッチA4(a)と
トランジスタスイッチa5(a)をオン状態にし、小規模
回路A1を選択する。この際、小規模回路B2と小規模
回路B3は、セレクタ出力B8(b)とセレクタ出力C8
(c)をLに固定することにより、高しきい値電圧トラン
ジスタによるスイッチB4(b)とスイッチb5(b)、ス
イッチC4(c)とスイッチc5(c)により電源とGND
から切り離されている。またこの際、小規模回路A1の
入力は入力固定回路A7(a)で固定され、小規模回路A
1の内部状態は静止状態になっている。この内部状態は
様々な静止状態に固定できるものとする。この状態で電
源端子11の静止電源電流の測定を行い小規模回路A1
の内部回路の欠陥による異常電流が発生しているかどう
か判定を行う。次にセレクタ10の出力B8(b)をHに
し、トランジスタスイッチB4(b)とトランジスタスイ
ッチb5(b)をオン状態にし、小規模回路B2を選択す
る。小規模回路B2と同様に電源端子11の静止電源電
流の測定を行い小規模回路B2の内部回路の欠陥による
異常電流が発生しているかどうか判定を行う。このよう
にして小規模回路を順次選択し、静止電源電流の測定を
個別に実施していく。
First, the operation in the static power supply current test mode will be described. The quiescent power supply current test divided into small-scale circuits is performed as follows. First, the test mode terminal 12 for static power supply current test is fixed at H. When the test mode terminal 12 is set to the H state, the quiescent power supply current test mode is set. As shown in the truth table 9, the output 8 of the selector 10 can control the switch 4 and the switch 5 by the high threshold voltage transistor. . At this time, since the normal mode terminal 13 does not affect the quiescent power supply current test operation, it may be fixed to H or L. In such a static power supply current test mode, the selector output A8 (a) is set to H, the transistor switches A4 (a) and a5 (a) are turned on, and the small-scale circuit A1 is selected. At this time, the small-scale circuits B2 and B3 output the selector output B8 (b) and the selector output C8
By fixing (c) to L, the power supply and GND are controlled by the switches B4 (b) and b5 (b) and the switches C4 (c) and c5 (c) using the high threshold voltage transistors.
Disconnected from At this time, the input of the small-scale circuit A1 is fixed by the input fixing circuit A7 (a).
The internal state of No. 1 is in a stationary state. This internal state can be fixed to various stationary states. In this state, the static power supply current of the power supply terminal 11 is measured, and the small-scale circuit A1 is measured.
It is determined whether or not an abnormal current has occurred due to a defect in the internal circuit. Next, the output B8 (b) of the selector 10 is set to H, the transistor switch B4 (b) and the transistor switch b5 (b) are turned on, and the small-scale circuit B2 is selected. As in the case of the small-scale circuit B2, the static power supply current of the power supply terminal 11 is measured to determine whether or not an abnormal current has occurred due to a defect in the internal circuit of the small-scale circuit B2. In this way, small-scale circuits are sequentially selected, and the static power supply current is individually measured.

【0013】次に、実使用モード時の動作の説明を行
う。本実施の形態の静止電源電流テスト回路を用いた半
導体装置では、ノーマルモード端子13をコントロール
することにより、実使用モード時の消費電力を削減する
ことも可能である。静止電源電流テスト用テストモード
端子12をLに固定した実使用モード状態では、真理値
表9に示すようにノーマルモード端子13をHに設定す
ることにより、全ての低しきい値電圧トランジスタを用
いたCMOS回路1〜3を、CMOS回路の電源端子に
挿入した高しきい値電圧トランジスタによるスイッチ4
とCMOS回路のGNDに挿入した高しきい値電圧トラ
ンジスタによるスイッチ5により電源端子11とGND
に接続し、1つの大規模回路として動作するようにする
ことが可能である。この際、セレクタ出力8は実使用モ
ード時の動作に影響を与えないため、HまたはLに固定
しておけば良い。この状態で、実使用モード時の通常動
作を行う。ここで、実使用モード時にスタンバイ状態の
ように回路を動作させる必要がなく消費電力をできる限
り小さくしたい場合には、真理値表9に示すように、静
止電源電流テスト用テストモード端子12をLに固定し
た実使用モード状態で、ノーマルモード端子13をLに
設定することにより、全ての低しきい値電圧トランジス
タを用いたCMOS回路1〜3を、CMOS回路の電源
端子に挿入した高しきい値電圧トランジスタによるスイ
ッチ4とCMOS回路のGNDに挿入した高しきい値電
圧トランジスタによるスイッチ5により電源端子11と
GNDから切り離し、消費電力を削減することも可能で
ある。
Next, the operation in the actual use mode will be described. In the semiconductor device using the quiescent power supply current test circuit of the present embodiment, the power consumption in the actual use mode can be reduced by controlling the normal mode terminal 13. In the actual use mode in which the test mode terminal 12 for the quiescent power supply current test is fixed at L, by setting the normal mode terminal 13 to H as shown in the truth table 9, all the low threshold voltage transistors are used. Switch 4 using a high threshold voltage transistor having the CMOS circuits 1 to 3 inserted in the power supply terminal of the CMOS circuit.
And a power supply terminal 11 and a GND by a switch 5 using a high threshold voltage transistor inserted into the GND of a CMOS circuit.
To operate as one large-scale circuit. At this time, since the selector output 8 does not affect the operation in the actual use mode, it may be fixed to H or L. In this state, the normal operation in the actual use mode is performed. Here, when it is not necessary to operate the circuit as in the standby state in the actual use mode and it is desired to reduce power consumption as much as possible, as shown in the truth table 9, the test mode terminal 12 for the quiescent power supply current test is set to L level. By setting the normal mode terminal 13 to L in the actual use mode state fixed to, the CMOS circuits 1 to 3 using all the low threshold voltage transistors are inserted into the power supply terminals of the CMOS circuit. The power supply terminal 11 and the GND can be separated by a switch 4 formed by a value voltage transistor and a switch 5 formed by a high threshold voltage transistor inserted in the GND of the CMOS circuit, thereby reducing power consumption.

【0014】[0014]

【発明の効果】請求項1の静止電源電流テスト回路によ
れば、大規模CMOS回路を分割して静止電源電流の測
定を行うことができるように構成したため、低しきい値
電圧トランジスタの漏れ電流の影響を最小限に押さえる
ことができ、従来の低しきい値電圧トランジスタによる
低電圧・大規模CMOS回路で困難であった静止電源電
流の測定を可能にし、出荷検査において静止電源電流テ
ストによる良品/不良品の判定を行うことができる。
According to the quiescent power supply current test circuit of the present invention, since the large-scale CMOS circuit is divided so that the quiescent power supply current can be measured, the leakage current of the low threshold voltage transistor is reduced. The minimum power supply current, which is difficult for low-voltage, large-scale CMOS circuits using conventional low-threshold-voltage transistors. / Defective products can be determined.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施の形態による静止電源電流テ
スト回路の構成図
FIG. 1 is a configuration diagram of a quiescent power supply current test circuit according to an embodiment of the present invention;

【図2】従来の半導体装置の静止電源電流測定回路の構
成図
FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional static power supply current measuring circuit of a semiconductor device.

【図3】静止電源電流テストの判定方法を示す説明図FIG. 3 is an explanatory diagram showing a determination method of a static power supply current test.

【図4】低しきい値電圧トランジスタを用いた大規模半
導体装置での静止電源電流テストの説明図
FIG. 4 is an explanatory diagram of a quiescent power supply current test in a large-scale semiconductor device using a low threshold voltage transistor;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 低しきい値電圧トランジスタによる小規模回路A 2 低しきい値電圧トランジスタによる小規模回路B 3 低しきい値電圧トランジスタによる小規模回路C 4(a) 高しきい値電圧トランジスタによるスイッチA 4(b) 高しきい値電圧トランジスタによるスイッチB 4(c) 高しきい値電圧トランジスタによるスイッチC 5(a) 高しきい値電圧トランジスタによるスイッチa 5(b) 高しきい値電圧トランジスタによるスイッチb 5(c) 高しきい値電圧トランジスタによるスイッチc 6(a) 制御回路A 6(b) 制御回路B 6(c) 制御回路C 7(a) 入力固定回路A 7(b) 入力固定回路B 7(c) 入力固定回路C 8(a) セレクタ出力A 8(b) セレクタ出力B 8(c) セレクタ出力C 9 制御回路6の真理値表 10 セレクタ 11 電源端子 12 テストモード端子 13 ノーマルモード端子 14 低しきい値電圧トランジスタによる大規模回路 15 入力信号 16 出力信号 17 電源電流 18 欠陥 19 測定点 20 漏れ電流値 21 異常電流値 22 良品/不良品選別電流値 23 内部状態を制御するパターン 24 内部状態を外部に伝えるパターン 25 期待値判定を行うパターン 1 Small-scale circuit A with low threshold voltage transistor 2 Small-scale circuit B with low threshold voltage transistor 3 Small-scale circuit C with low threshold voltage transistor 4 (a) Switch A 4 with high threshold voltage transistor (b) High threshold voltage transistor switch B 4 (c) High threshold voltage transistor switch C 5 (a) High threshold voltage transistor switch a 5 (b) High threshold voltage transistor switch b 5 (c) Switch c 6 (a) using high threshold voltage transistor Control circuit A 6 (b) Control circuit B 6 (c) Control circuit C 7 (a) Input fixed circuit A 7 (b) Input fixed circuit B 7 (c) Input fixed circuit C 8 (a) Selector output A 8 (b) Selector output B 8 (c) Selector output C 9 Truth table of control circuit 6 10 Selector 11 Power supply terminal 12 Test mode terminal 13 No Multi-mode terminal 14 Large-scale circuit with low threshold voltage transistor 15 Input signal 16 Output signal 17 Power supply current 18 Defect 19 Measurement point 20 Leakage current value 21 Abnormal current value 22 Non-defective / defective product selection current value 23 Controls internal state Pattern 24 Pattern for transmitting the internal state to the outside 25 Pattern for performing expected value judgment

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 低しきい値電圧トランジスタを用いた小
規模CMOS回路と、前記CMOS回路の電源とGND
に挿入した高しきい値電圧トランジスタによるスイッチ
と、前記CMOS回路の入力を固定する入力固定回路
と、静止電源電流を測定する前記CMOS回路を選択す
るセレクタと、静止電源電流測定モードに設定するテス
トモード端子と、通常動作状態での消費電力をコントロ
ールするノーマルモード端子を備えた静止電源電流テス
ト回路。
1. A small-scale CMOS circuit using a low threshold voltage transistor, and a power supply and a GND of the CMOS circuit.
, A switch for fixing the input of the CMOS circuit, a selector for selecting the CMOS circuit for measuring the quiescent power supply current, and a test for setting the quiescent power supply current measurement mode A quiescent power supply current test circuit including a mode terminal and a normal mode terminal for controlling power consumption in a normal operation state.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2000011486A1 (en) * 1998-08-24 2000-03-02 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP2005140759A (en) * 2003-11-10 2005-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit and failure detection method for semiconductor integrated circuit

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