JPH11142471A - Burn-in test method and burn-in test device - Google Patents

Burn-in test method and burn-in test device

Info

Publication number
JPH11142471A
JPH11142471A JP32216497A JP32216497A JPH11142471A JP H11142471 A JPH11142471 A JP H11142471A JP 32216497 A JP32216497 A JP 32216497A JP 32216497 A JP32216497 A JP 32216497A JP H11142471 A JPH11142471 A JP H11142471A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
device under
power supply
under test
burn
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32216497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideki Kano
秀樹 狩野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP32216497A priority Critical patent/JPH11142471A/en
Publication of JPH11142471A publication Critical patent/JPH11142471A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability and efficiently conduct a test by measuring the static power current of a device under test(DUT) during the burn-in test, storing the quality judged result and the serial number of the DUT, and selecting the DUT based on the judged result after the burn-in test. SOLUTION: A power voltage VDD is fed to a DUT1 from a power voltage feeding means 3, a test pattern is fed from a test pattern feeding means 2, and a power current IDD is generated when the DUT 1 is operated. A DUT selecting means 5 selects the DUT 1 and applies the DUT serial number information ID to it. A power current detecting means 4 detects a static power current Iddq in the internal stable state of the DUT 1. A quality judging means 6 judges the DUT 1 by comparing the detected value and the standard current value set in advance. The judged result is stored in a quality judged result storing means 7 together with the serial number ID of the DUT 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、バーンイン装置に
関し、特に静止電源電流(Iddq)の測定機能を付加
したバーンイン装置に関する。より詳細には、本発明
は、初期不良を起こすCMOS型集積回路を除くために
高温条件下で行われるバーンイン試験に使用されるバー
ンイン試験方法及びバーンイン試験装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a burn-in device, and more particularly to a burn-in device having a function of measuring a quiescent power supply current (Idddq). More specifically, the present invention relates to a burn-in test method and a burn-in test apparatus used for a burn-in test performed under a high temperature condition in order to remove a CMOS type integrated circuit that causes an initial failure.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、CMOS型集積回路はあらゆる産
業分野に使用されており、高い信頼性が要求される場合
が多い。初期不良を起こすCMOS型集積回路を除外す
るため高温条件下で行われるバーンイン試験に使用され
るバーンイン装置には次のようなものがある。
2. Description of the Related Art In recent years, CMOS type integrated circuits have been used in various industrial fields, and high reliability is often required. The following burn-in devices are used in burn-in tests performed under high-temperature conditions to exclude CMOS integrated circuits that cause initial failure.

【0003】一般に、スタティックバーンイン装置は、
恒温槽、DC電源ユニット、被試験デバイスへの電源供
給回路を設けて構成される。
[0003] Generally, a static burn-in device is
It is configured by providing a thermostat, a DC power supply unit, and a power supply circuit to the device under test.

【0004】また、ダイナミックバーンイン装置は、前
記スタティックバーンイン装置に被試験デバイスを動作
されるためのテストパターン発生器、ドライバー回路等
を付加して構成される。
A dynamic burn-in apparatus is constructed by adding a test pattern generator for operating a device under test to the static burn-in apparatus, a driver circuit, and the like.

【0005】さらにモニター(テスト)バーンイン装置
は、前記ダイナミックバーンイン装置に、被試験デバイ
スの動作が正常であるかをモニター(テスト)するため
のコンパレータ回路等を付加して構成される。
Further, the monitor (test) burn-in apparatus is constructed by adding a comparator circuit for monitoring (testing) whether the operation of the device under test is normal to the dynamic burn-in apparatus.

【0006】図3に従来のバーンイン装置として、特開
平6−102312号公報に提案されるバーンイン装置
の構成を示す。図3を参照すると、この従来のバーンイ
ン装置は、パルス供給制御手段18によってパルス供給
手段19から被試験デバイス11に供給されるパルスの
周波数を被試験デバイス11に流れ込む電源電流ICC
が所望の一定値となるように制御するようにしたもので
ある。図中12は被試験デバイスに電源VCCを供給す
る電源電圧供給手段、13は電源電流Iccを電圧の大
きさとして検出する電源電流検出手段である。
FIG. 3 shows a configuration of a burn-in device proposed as a conventional burn-in device in Japanese Patent Laying-Open No. 6-102312. Referring to FIG. 3, this conventional burn-in apparatus includes a power supply current ICC that causes a frequency of a pulse supplied from a pulse supply unit 19 to a device under test 11 to flow into the device under test 11 by a pulse supply control unit 18.
Is controlled to be a desired constant value. In the figure, reference numeral 12 denotes a power supply voltage supply means for supplying the power supply VCC to the device under test, and 13 denotes a power supply current detection means for detecting the power supply current Icc as a voltage magnitude.

【0007】次に、静止電源電流(IDD quies
cent current、以下、「Iddq」と記
す)テストは、ダイナミック回路を含まないCMOS型
集積回路において、定常状態(信号が安定している状
態)では微小なリーフ電流のみしか流れないことを利用
して、集積回路内部の故障検出を行うものである。
Next, the quiescent power supply current (IDD quies)
The cent current (hereinafter referred to as “Iddq”) test is based on the fact that in a CMOS type integrated circuit that does not include a dynamic circuit, only a small leaf current flows in a steady state (state in which a signal is stable). , For detecting a failure inside the integrated circuit.

【0008】Iddqテストの利点は故障検出能力が高
いことと、故障の活性化さえできれば、集積回路の外部
端子まで故障を伝搬させる必要がないため、テストパタ
ーンが作成が容易な上、テストパターン数が短くて済む
こと等が上げられる。
[0008] The advantages of the Iddq test are that the fault detection capability is high and, if the fault can be activated, it is not necessary to propagate the fault to the external terminals of the integrated circuit. Can be shortened.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の技術は
下記記載の問題点を有している。
The above prior art has the following problems.

【0010】第1の問題点は、従来の技術において、大
規模CMOS(ロジック)集積回路の場合、スタティッ
ク・バーンイン装置によってスクリーンを実施していた
が、スクリーニング効果が少ない、ということである。
A first problem is that, in the prior art, in the case of a large-scale CMOS (logic) integrated circuit, a screen is implemented by a static burn-in device, but the screening effect is small.

【0011】その理由は、スタティックバーンイン装置
は、試験デバイスに電源バイアスを加えるだけである
か、又はパルス等を入力して、一部回路を動作するだけ
だからである。
The reason is that the static burn-in apparatus only applies a power supply bias to the test device or operates only a part of the circuit by inputting a pulse or the like.

【0012】また、実際に内部回路を動作させるダイナ
ミックバーンイン装置を実施すれば、スクリーニング効
果が上げられるが、CMOS型集積回路は非常に複雑な
パターンが多く、これを処理可能なテスターを附属させ
ると、非常に高価になるため、ほとんど使われていな
い。
Further, if a dynamic burn-in device for actually operating the internal circuit is implemented, the screening effect can be improved. However, a CMOS type integrated circuit has many very complicated patterns, and if a tester capable of processing such patterns is provided, it is necessary to attach a tester. Very expensive, and rarely used.

【0013】第2の問題点は、デバイスの初期不良を除
くための、テストとして、Iddqテストがあるが、I
ddqテストは、テスト時間が長くかかる、ということ
である。
A second problem is that there is an Iddq test as a test for removing the initial failure of the device.
The ddq test means that the test time is long.

【0014】その理由は、Iddqテストを実施する場
合、CMOS集積回路が定常状態になった後にテストす
る必要があるためである。
The reason is that when performing the Iddq test, it is necessary to perform the test after the CMOS integrated circuit enters a steady state.

【0015】したがって本発明は、上記問題点に鑑みて
なされたものであって、その目的は、信頼性を向上した
CMOS型集積回路を供給できると共に、試験の効率化
を図ることができるようにしたバーンイン方法及び装置
を提供することにある。
Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a CMOS integrated circuit with improved reliability and to improve the efficiency of testing. To provide a burn-in method and apparatus.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のバーンイン試験方法は、バーンイン試験中
に、被試験デバイスの静止電源電流(Iddq)を測定
し、その良否判定結果及び被試験デバイスの認識番号を
格納し、バーンイン試験後に、前記良否判定結果を用い
て前記被試験デバイスを選別する、ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a burn-in test method according to the present invention measures a quiescent power supply current (Idddq) of a device under test during a burn-in test, and evaluates a pass / fail judgment result and a test result. A device identification number is stored, and after the burn-in test, the device under test is selected using the pass / fail judgment result.

【0017】また本発明のバーンイン装置は、テストパ
ターンを生成し、被試験デバイスにテストパターンを供
給するテストパターン供給手段と、前記被試験デバイス
に電源電圧(VDD)を供給する電源電圧供給手段と、
前記電源電圧供給手段から前記被試験デバイスに流れ込
む静止電源電流(Iddq)を検出する電源電流検出手
段と、前記被試験デバイスを選択し、被試験デバイス認
識番号情報(ID)を生成する試験デバイス選択手段
と、前記電源電流検出手段により検出された静止電源電
流値をあらかじめ設定した規格電流値を比較し被試験デ
バイスが良品であるか不良品であるかを判定する良否判
定手段と、前記良否判定手段によって良否判定された結
果を前記被試験デバイス認識番号情報(ID)と共に格
納する、良否判定結果格納手段と、を少なくとも含むこ
とを特徴とする。
Further, the burn-in apparatus of the present invention comprises a test pattern supply means for generating a test pattern and supplying the test pattern to the device under test, and a power supply voltage supply means for supplying a power supply voltage (VDD) to the device under test. ,
Power supply current detection means for detecting a quiescent power supply current (Idddq) flowing into the device under test from the power supply voltage supply means, and a test device selection for selecting the device under test and generating device identification number information (ID) for the device under test Means for comparing the static power supply current value detected by the power supply current detection means with a preset standard current value to determine whether the device under test is a non-defective product or a defective product; Means for storing a result of the pass / fail judgment by the means together with the device identification number information (ID) under test.

【0018】[発明の概要]本発明のバーンイン装置
は、テストパターンを生成し、被試験デバイス(図1の
1)にテストパターンを供給するテストパターン供給手
段(図1の2)と、前記被試験デバイスに電源電圧(V
DD)を供給する電源電圧供給手段(図1の3)と、前
記電源電圧供給手段から前記被試験デバイスに流れ込む
Iddqを検出する電源電流検出手段(図1の4)と、
検出された静止電源電流値とあらかじめ設定した規格電
流値を比較することによって被試験デバイスが良品であ
るか不良品であるかを判定する良否判定手段(図1の
6)を備えて構成される。
[Summary of the Invention] A burn-in apparatus according to the present invention comprises a test pattern supply means (2 in FIG. 1) for generating a test pattern and supplying the test pattern to a device under test (1 in FIG. 1). The power supply voltage (V
Power supply voltage supply means (3 in FIG. 1) for supplying DD), power supply current detection means (4 in FIG. 1) for detecting Iddq flowing into the device under test from the power supply voltage supply means,
A pass / fail determination unit (6 in FIG. 1) configured to compare the detected static power supply current value with a preset standard current value to determine whether the device under test is a good product or a bad product. .

【0019】本発明のバーンイン方法及び装置によれ
ば、バーンイン試験中に被試験デバイスのIddqを測
定し、その良否判定結果とID情報を用いて被試験デバ
イスを選別する。
According to the burn-in method and apparatus of the present invention, the Iddq of the device under test is measured during the burn-in test, and the device under test is selected using the pass / fail judgment result and the ID information.

【0020】この結果、故障検出能力が高いIddqテ
ストをバーンイン試験中に実施することにより、信頼性
の高いデバイスを供給することができる。また、テスト
時間が長いIddqテストをバーンイン試験中に実施す
るためバーンイン試験後のデバイスのテスト時間を短縮
でき、安価なデバイスを供給することができる。
As a result, a highly reliable device can be supplied by performing the Iddq test having a high fault detection capability during the burn-in test. Further, since the Iddq test having a long test time is performed during the burn-in test, the test time of the device after the burn-in test can be reduced, and an inexpensive device can be supplied.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0022】図1は、本発明の好ましい実施の形態の構
成を示す図である。図1を参照すると、本発明のバーン
イン装置は、その好ましい実施の形態において、被試験
デバイス1テストパターン供給手段2と、電源電圧供給
手段3と、電源電流検出手段4と、試験デバイス選択手
段5と、良品判定手段6と、良否判定結果格納手段7
と、を含む。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, in a burn-in apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, a device under test 1 test pattern supply means 2, power supply voltage supply means 3, power supply current detection means 4, and test device selection means 5 are provided. Non-defective determining means 6 and non-defective determining result storing means 7
And

【0023】被試験デバイス1は、恒温槽内部へ保管さ
れる。恒温槽は、例えば125℃で保つことができるも
のが好ましい。
The device under test 1 is stored inside a thermostat. It is preferable that the thermostat can be maintained at, for example, 125 ° C.

【0024】テストパターン供給手段2は、被試験デバ
イスを動作させるためのパルス発生器である。
The test pattern supply means 2 is a pulse generator for operating the device under test.

【0025】電源電圧供給手段3は、電源電圧VDDを
定電化する定電圧回路等で形成される。
The power supply voltage supply means 3 is formed by a constant voltage circuit for making the power supply voltage VDD constant.

【0026】電源電流検出手段4は、被試験デバイス1
に流れる電源電流を検出するための電流計である。
The power supply current detecting means 4 includes the device under test 1
Is an ammeter for detecting a power supply current flowing through the power supply.

【0027】試験デバイス選択手段5は、測定するデバ
イスを順次選択するためのドライバー回路で構成され
る。
The test device selecting means 5 comprises a driver circuit for sequentially selecting devices to be measured.

【0028】良否判定手段6は、予め設定した良否判定
電流値と電源電流検出手段4で検出された電源電流(I
ddq)とを比較するコンパレータ回路である。
The pass / fail judgment means 6 is provided with a preset pass / fail judgment current value and the power supply current (I
ddq).

【0029】良否判定結果格納手段7は、良否判定手段
6の結果(データ)を入力し、かつ試験デバイス選択手
段5からの対象となる試験デバイスのデータも入力し、
各々のデータを合わせて記憶する。
The pass / fail judgment result storage means 7 receives the result (data) of the pass / fail judgment means 6 and also inputs the data of the target test device from the test device selecting means 5.
Each data is stored together.

【0030】図2は、本発明の実施の形態の処理フロー
を説明するための流れ図である。図1及び図2を参照し
て、本発明の実施の形態の動作について説明する。
FIG. 2 is a flowchart for explaining the processing flow of the embodiment of the present invention. The operation of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0031】(1)被試験デバイス1に電源電圧供給手
段3から電源電圧VDDとテストパターン供給手段2か
らテストパターンを供給する(ステップ201)。
(1) The power supply voltage VDD from the power supply voltage supply means 3 and the test pattern from the test pattern supply means 2 are supplied to the device under test 1 (step 201).

【0032】(2)ステップ201によって被試験デバ
イス1が動作を開始する。これにより電源電流が発生す
る(ステップ202)。
(2) The device under test 1 starts operating in step 201. As a result, a power supply current is generated (step 202).

【0033】(3)試験デバイス選択手段5によって被
試験デバイス選択し、認識番号情報(ID)設定する
(ステップ203)。
(3) The device under test is selected by the test device selecting means 5, and the identification number information (ID) is set (step 203).

【0034】(4)選択された被試験デバイスが安定状
態のとき、静止電源電流Iddqを電源電流検出手段5
で検出する(ステップ204)。
(4) When the selected device under test is in a stable state, the quiescent power supply current Iddq is
(Step 204).

【0035】(5)検出した電源電流Iddqと規格電
流を比較し、良否判定手段6によって判定する(ステッ
プ205)。
(5) The detected power supply current Iddq is compared with the standard current and judged by the pass / fail judgment means 6 (step 205).

【0036】(6)良否判定手段6の結果と被試験デバ
イス認識番号情報(ID)と共に、良否判定結果格納手
段7に格納する(ステップ206)。すなわち、検出し
たIddqの値と予め設定した規格電流値とを比較する
ことによって被試験デバイス1が良品であるか不良品で
あるかを良否判定手段6によって判定する。その後、良
否判定手段6によって判定した結果を前記被試験デバイ
ス認識番号(ID)と共に良否判定結果格納手段7に格
納する。
(6) The result of the pass / fail determination means 6 and the device under test identification number information (ID) are stored in the pass / fail determination result storage means 7 (step 206). That is, by comparing the detected Iddq value with a preset standard current value, the pass / fail determination unit 6 determines whether the device under test 1 is a good product or a bad product. Thereafter, the result determined by the pass / fail judgment means 6 is stored in the pass / fail judgment result storage means 7 together with the device under test identification number (ID).

【0037】[0037]

【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明のバーンイン装置の一実施例
について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In order to explain the above-mentioned embodiment of the present invention in more detail, an embodiment of the burn-in apparatus of the present invention will be described.

【0038】図1は、本発明の一実施例の構成を示す図
である。図1において、1は被試験デバイス、2は被試
験デバイス1にテストパターンを供給するテストパター
ン供給手段、3は被試験デバイスに電源電圧VDDを供
給する電源電圧供給手段、4は被試験デバイス1の電源
電流を検出する電源電流検出手段である。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of one embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a device under test, 2 denotes a test pattern supply unit that supplies a test pattern to the device under test 1, 3 denotes a power supply voltage supply unit that supplies a power supply voltage VDD to the device under test, and 4 denotes a device under test 1. Power supply current detection means for detecting the power supply current of the power supply.

【0039】また、5は被試験デバイス1を選択し、被
試験デバイス認識番号情報(ID)を生成し、関連ユニ
ットに被試験デバイス1の良否判定を実施する良否判定
手段である。また、7は良否判定手段6によって良否判
定された結果を被試験デバイス選択手段5によって生成
された被試験デバイスID情報と共に格納する良否判定
結果格納手段である。
Reference numeral 5 denotes pass / fail determination means for selecting the device under test 1, generating device identification number information (ID) under test, and performing pass / fail judgment of the device under test 1 on the associated unit. Reference numeral 7 denotes a pass / fail judgment result storage unit that stores the result of pass / fail judgment by the pass / fail judgment unit 6 together with the device-under-test ID information generated by the device-under-test selection unit 5.

【0040】電源電圧供給手段3は、電源電圧VDDを
定電化する定電圧回路等で形成される。電圧は、5.0
V又は3.3V等下1ケタまで(100mV)の電圧精
度があるものが望ましい。
The power supply voltage supply means 3 is formed by a constant voltage circuit for making the power supply voltage VDD constant. The voltage is 5.0
It is desirable to have a voltage accuracy of up to one digit (100 mV) below V or 3.3V.

【0041】電源電流検出手段4は、被試験デバイス1
に流れる電源電流を検出するための電流計であり、好ま
しくは最小1pAまでの電流が測定可能なものである。
The power supply current detecting means 4 is provided for the device under test 1.
Is an ammeter for detecting a power supply current flowing through the power supply, and is preferably capable of measuring a current of at least 1 pA.

【0042】良否判定結果格納手段7はメモリー回路、
例えばDRAM等で構成される。
The pass / fail judgment result storage means 7 is a memory circuit,
For example, it is composed of a DRAM or the like.

【0043】次に、本発明の一実施例の動作について、
図1を参照して詳細に説明する。
Next, the operation of one embodiment of the present invention will be described.
This will be described in detail with reference to FIG.

【0044】被試験デバイス1に電源電圧供給手段3か
ら電源電圧VDDが供給されると共に、テストパターン
供給手段2からテストパターンが供給され被試験デバイ
ス1が動作すると、電源電流IDDが発生する。ここ
で、被試験デバイス選択手段5によって、被試験デバイ
スを選択すると共に、被試験デバイスに被試験デバイス
認識番号情報(ID)を付ける。
When the power supply voltage VDD is supplied from the power supply voltage supply means 3 to the device under test 1 and the test pattern is supplied from the test pattern supply means 2 and the device under test 1 operates, a power supply current IDD is generated. Here, the device under test is selected by the device under test selection means 5 and device identification number information (ID) is added to the device under test.

【0045】次に電源電流検出手段4によって、選択さ
れた被試験デバイスの内部が安定した状態で静止電源電
流(Iddq)を検出する。検出したIddqの値と予
め設定した規格電流値とを比較することによって被試験
デバイス1が良品であるか不良品であるかを良否判定手
段6によって判定する。その後、良否判定手段6によっ
て判定した結果を被試験デバイス認識番号(ID)と共
に良否判定結果格納手段7に格納する。
Next, the quiescent power supply current (Idddq) is detected by the power supply current detecting means 4 while the inside of the selected device under test is stabilized. By comparing the detected Iddq value with a preset standard current value, the pass / fail determination unit 6 determines whether the device under test 1 is a good product or a bad product. Thereafter, the result determined by the pass / fail determination means 6 is stored in the pass / fail determination result storage means 7 together with the device identification number (ID) under test.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.

【0047】本発明の第1の効果は、Iddqテストを
付加したバーンイン装置により初期不良を除く、スクリ
ーニング効果を上げることができる、ということであ
る。これにより、テスター機能をもった高価なダイナミ
ックバーンイン装置を用いることなく、バーンインテス
トのコストを低減し、信頼性の高いCMOS型集積回路
を安価に、生産できるようになる。
The first effect of the present invention is that a screening effect can be improved by removing a defective initial part by a burn-in apparatus to which an Iddq test is added. As a result, the burn-in test cost can be reduced and a highly reliable CMOS integrated circuit can be produced at low cost without using an expensive dynamic burn-in device having a tester function.

【0048】その理由は、本発明で用いるIddqテス
トは、CMOS型集積回路特にロジック部の故障検出能
力が高い、ためである。
The reason is that the Iddq test used in the present invention has a high capability of detecting a failure in a CMOS type integrated circuit, particularly in a logic portion.

【0049】本発明の第2の効果は、Iddqテストを
バーンイン試験中に実施するため、選別時間を非常に短
縮することができる、ということである。これにより、
製造時間及び製造コストを削減できる。
A second advantage of the present invention is that the screening time can be greatly reduced because the Iddq test is performed during the burn-in test. This allows
Manufacturing time and manufacturing cost can be reduced.

【0050】その理由は、本発明においては、測定時間
の長いIddqテストをバーンイン中に実施でき、選別
時に、不要としたことによる。
The reason is that, in the present invention, the Iddq test having a long measurement time can be performed during burn-in, and is unnecessary at the time of selection.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のバーンイン試験装置の実施の形態の構
成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a burn-in test apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明のバーンイン試験装置の実施の形態の動
作を説明するためのフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the embodiment of the burn-in test apparatus according to the present invention.

【図3】従来のスタティックバーンイン試験装置の構成
を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a conventional static burn-in test device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 被試験デバイス 2 テストパターン供給手段 3 電源電圧供給手段 4 電源電流供給手段 5 被試験デバイス選択手段 6 良否判定手段 7 良否判定結果格納手段 8 パルス供給制御手段 9 パルス供給手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Device under test 2 Test pattern supply means 3 Power supply voltage supply means 4 Power supply current supply means 5 Device under test selection means 6 Pass / fail judgment means 7 Pass / fail judgment result storage means 8 Pulse supply control means 9 Pulse supply means

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】バーンイン試験中に、被試験デバイスの静
止電源電流(Iddq)を測定し、その良否判定結果及
び被試験デバイスの認識番号を格納し、バーンイン試験
後に、前記良否判定結果を用いて前記被試験デバイスを
選別する、ことを特徴とするバーンイン試験方法。
1. A quiescent power supply current (Idddq) of a device under test is measured during a burn-in test, a pass / fail judgment result and an identification number of the device under test are stored, and after the burn-in test, the pass / fail judgment result is used. A burn-in test method, wherein the device under test is selected.
【請求項2】バーンイン試験において、 (a)被試験デバイスに電源電圧とテストパターンを供
給して前記被試験デバイスの動作を開始させ、 (b)被試験デバイス選択し認識番号情報(ID)設定
し、 (c)前記選択された被試験デバイスが安定状態のとき
静止電源電流(Iddq)を検出し、 (d)前記検出した電源電流(Iddq)と規格電流と
を比較して良否を判定し、 (e)良否判定手結果を前記被試験デバイスの認識番号
情報(ID)と共に結果格納手段に格納する、 ことを特徴とするバーンイン試験方法。
2. In a burn-in test, (a) a power supply voltage and a test pattern are supplied to a device under test to start operation of the device under test, and (b) a device under test is selected and identification number information (ID) is set. (C) detecting a quiescent power supply current (Idddq) when the selected device under test is in a stable state; and (d) comparing the detected power supply current (Idddq) with a standard current to determine pass / fail. (E) storing the result of the pass / fail judgment together with the identification number information (ID) of the device under test in a result storage means.
【請求項3】テストパターンを生成し、被試験デバイス
にテストパターンを供給するテストパターン供給手段
と、 前記被試験デバイスに電源電圧(VDD)を供給する電
源電圧供給手段と、 前記電源電圧供給手段から前記被試験デバイスに流れ込
む静止電源電流(Iddq)を検出する電源電流検出手
段と、 前記被試験デバイスを選択し、被試験デバイス認識番号
情報(ID)を生成する試験デバイス選択手段と、 前記電源電流検出手段により検出された静止電源電流値
を予め設定した規格電流値を比較し前記被試験デバイス
の良/不良を判定する良否判定手段と、 前記良否判定手段によって良否判定された結果を前記被
試験デバイス認識番号情報(ID)と共に格納する、良
否判定結果格納手段と、 を少なくとも含むことを特徴とするバーンイン装置。
3. A test pattern supply means for generating a test pattern and supplying the test pattern to the device under test, a power supply voltage supply means for supplying a power supply voltage (VDD) to the device under test, and the power supply voltage supply means Power supply current detection means for detecting a quiescent power supply current (Idddq) flowing into the device under test from the device; test device selection means for selecting the device under test and generating device identification number information (ID) under test; A pass / fail determination means for comparing the static power supply current value detected by the current detection means with a preset standard current value to determine pass / fail of the device under test; Storing at least the test device identification number information (ID) together with the pass / fail determination result storage means. N'in apparatus.
JP32216497A 1997-11-07 1997-11-07 Burn-in test method and burn-in test device Pending JPH11142471A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32216497A JPH11142471A (en) 1997-11-07 1997-11-07 Burn-in test method and burn-in test device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32216497A JPH11142471A (en) 1997-11-07 1997-11-07 Burn-in test method and burn-in test device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11142471A true JPH11142471A (en) 1999-05-28

Family

ID=18140658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32216497A Pending JPH11142471A (en) 1997-11-07 1997-11-07 Burn-in test method and burn-in test device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11142471A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002107404A (en) * 2000-10-02 2002-04-10 Sony Corp Non-defective article determination method for cmos integrated circuit
US7199600B2 (en) 2004-09-17 2007-04-03 Fujitsu Limited Semiconductor device testing method and testing equipment
JP2008004778A (en) * 2006-06-22 2008-01-10 Sharp Corp Semiconductor device, its inspection method, and probe card
JP2009204550A (en) * 2008-02-29 2009-09-10 Advantest Corp Test device, system, and method
JP2011064618A (en) * 2009-09-18 2011-03-31 Renesas Electronics Corp Semiconductor device and method for testing the same
CN106248241A (en) * 2016-08-30 2016-12-21 广东爱晟电子科技有限公司 Strengthen the method and device of heat sensitive chip and temperature sensor electric property stability

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002107404A (en) * 2000-10-02 2002-04-10 Sony Corp Non-defective article determination method for cmos integrated circuit
US7199600B2 (en) 2004-09-17 2007-04-03 Fujitsu Limited Semiconductor device testing method and testing equipment
JP2008004778A (en) * 2006-06-22 2008-01-10 Sharp Corp Semiconductor device, its inspection method, and probe card
US7902853B2 (en) * 2006-06-22 2011-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, semiconductor device testing method, and probe card
JP4708269B2 (en) * 2006-06-22 2011-06-22 シャープ株式会社 Semiconductor device and inspection method of semiconductor device
JP2009204550A (en) * 2008-02-29 2009-09-10 Advantest Corp Test device, system, and method
JP2011064618A (en) * 2009-09-18 2011-03-31 Renesas Electronics Corp Semiconductor device and method for testing the same
CN106248241A (en) * 2016-08-30 2016-12-21 广东爱晟电子科技有限公司 Strengthen the method and device of heat sensitive chip and temperature sensor electric property stability

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2783243B2 (en) Method and apparatus for detecting failure of CMOS integrated circuit
US5731700A (en) Quiescent power supply current test method and apparatus for integrated circuits
US8138783B2 (en) Testable integrated circuit and IC test method
US6215324B1 (en) Dynamic burn-in test equipment
JP2007205792A (en) Testing device and testing method
US7617427B2 (en) Method and apparatus for detecting defects in integrated circuit die from stimulation of statistical outlier signatures
JP2008256632A (en) Testing method and ic tester of semiconductor integrated circuit
JPH11142471A (en) Burn-in test method and burn-in test device
JPH1138085A (en) Action error inspecting method for tester
JP2002323546A (en) Method for testing leak current and semiconductor integrated circuit
US6738940B1 (en) Integrated circuit including a test signal generator
JPH0823016A (en) Test of semiconductor memory
JP2000258490A (en) Device testing system
JP3148576B2 (en) Test circuit and test method for semiconductor integrated circuit
JP3598643B2 (en) Semiconductor integrated circuit measuring device and semiconductor integrated circuit device
JP2003084048A (en) Testing device for semiconductor
JPH06160487A (en) Test pattern for cmos integrated circuit, testing method and forming method for the same pattern
JPH06148264A (en) Measuring method for leakage current
JPH11271398A (en) Apparatus for inspecting semiconductor integrated circuit and method for detecting failure of the same
JPH05264676A (en) Method and device for detecting fault
JP2004257815A (en) Inspection method of semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit device
JP2000046896A (en) Tester for semiconductor cmos integrated circuit
JP2001141775A (en) Tester and testing method for semiconductor device and storage medium
JP2001074804A (en) Testing apparatus and testing method
JPH04205899A (en) Semiconductor manufacturing device

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20001003