JPH1112779A - 電解槽の電気的接触部の構造 - Google Patents
電解槽の電気的接触部の構造Info
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- JPH1112779A JPH1112779A JP9180704A JP18070497A JPH1112779A JP H1112779 A JPH1112779 A JP H1112779A JP 9180704 A JP9180704 A JP 9180704A JP 18070497 A JP18070497 A JP 18070497A JP H1112779 A JPH1112779 A JP H1112779A
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/02—Tanks; Installations therefor
- C25D17/04—External supporting frames or structures
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25C—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25C7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells; Servicing or operating of cells
- C25C7/02—Electrodes; Connections thereof
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電解槽の電気的接触部における接触抵抗の増
大をなくし、常に高効率にて電解精練を行なうことので
きる電解槽の電気的接触部の構造を提供する。 【解決手段】 電解槽内に配置されるアノード１及びカ
ソード２に電流を供給するために、電解槽の槽壁上にブ
スバー１０として細長の導電性部材を設け、導電性部材
１０は、基部をなす細長形状の板状部材１１の上表面
に、長手方向に沿って平行に凸状部１２を形成し、この
凸状部１２の少なくとも上方表面には、長手方向に沿っ
て全面に或は部分的に金メッキ１３が施される。
大をなくし、常に高効率にて電解精練を行なうことので
きる電解槽の電気的接触部の構造を提供する。 【解決手段】 電解槽内に配置されるアノード１及びカ
ソード２に電流を供給するために、電解槽の槽壁上にブ
スバー１０として細長の導電性部材を設け、導電性部材
１０は、基部をなす細長形状の板状部材１１の上表面
に、長手方向に沿って平行に凸状部１２を形成し、この
凸状部１２の少なくとも上方表面には、長手方向に沿っ
て全面に或は部分的に金メッキ１３が施される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に銅電解精練
などの電解精練技術に関するものであり、特に、銅電解
精練に使用する電解槽における、例えば陽極（アノー
ド）或は陰極（カソード）と、ブスバー（共通導体）或
はサイドブスバーとの電気的接触部の構造に関するもの
である。
などの電解精練技術に関するものであり、特に、銅電解
精練に使用する電解槽における、例えば陽極（アノー
ド）或は陰極（カソード）と、ブスバー（共通導体）或
はサイドブスバーとの電気的接触部の構造に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば銅電解精練においては、長
方形の電解槽中に、図５に示すように、粗銅（９９％Ｃ
ｕ）からなるアノード１と、種板とされるカソード２が
交互に平行となるように配置される。
方形の電解槽中に、図５に示すように、粗銅（９９％Ｃ
ｕ）からなるアノード１と、種板とされるカソード２が
交互に平行となるように配置される。
【０００３】又、電解槽の槽壁１００上には、ブスバー
１０が配置されており、このブスバー１０上に、粗銅を
鋳造して作製された所定のアノード１の耳部１Ａ、及び
所定のカソード２を取付けたクロスバー（導電用棹）３
の端部３Ａが配置される。通常、電解槽２００は、図２
に示すように、複数個並設して配置され、電解槽内部の
アノード１とカソード２には、図示するような電流供給
方式（Ｗａｌｋｅｒ式）にて電源（＋、−）に接続され
る。
１０が配置されており、このブスバー１０上に、粗銅を
鋳造して作製された所定のアノード１の耳部１Ａ、及び
所定のカソード２を取付けたクロスバー（導電用棹）３
の端部３Ａが配置される。通常、電解槽２００は、図２
に示すように、複数個並設して配置され、電解槽内部の
アノード１とカソード２には、図示するような電流供給
方式（Ｗａｌｋｅｒ式）にて電源（＋、−）に接続され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような装置を使用
して銅電解精練を行なった場合に、時間経過と共に電解
効率が低下することが知られている。これは、電解浴を
構成する硫酸銅溶液がブスバー１０と、電極１（及びク
ロスバー３）との間などの電気的接触部へと飛散し、接
触部に硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）を析出し、ブスバーと電極
間などの接触抵抗を増大させるからである。又、このよ
うな硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）がブスバー１０などに付着し
た場合、単に水洗するだけでは除去することができず、
磨き作業を必要とし、保守管理に多大の時間を要し、極
めて煩雑なものであった。
して銅電解精練を行なった場合に、時間経過と共に電解
効率が低下することが知られている。これは、電解浴を
構成する硫酸銅溶液がブスバー１０と、電極１（及びク
ロスバー３）との間などの電気的接触部へと飛散し、接
触部に硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）を析出し、ブスバーと電極
間などの接触抵抗を増大させるからである。又、このよ
うな硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）がブスバー１０などに付着し
た場合、単に水洗するだけでは除去することができず、
磨き作業を必要とし、保守管理に多大の時間を要し、極
めて煩雑なものであった。
【０００５】このような問題を解決するために、従来、
水を含んだスポンジをブスバー上に配置した、所謂、湿
潤ブスバーを採用するとか、或は、中空管状のブスバー
の内部に水を通し、ブスバー表面に水滴を発生させ、接
触部に硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜が形成されるのを阻止
し、ブスバーと電極間の接触抵抗の増大を低減させるこ
とが提案されているが、いずれも、十分とは言えない。
水を含んだスポンジをブスバー上に配置した、所謂、湿
潤ブスバーを採用するとか、或は、中空管状のブスバー
の内部に水を通し、ブスバー表面に水滴を発生させ、接
触部に硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜が形成されるのを阻止
し、ブスバーと電極間の接触抵抗の増大を低減させるこ
とが提案されているが、いずれも、十分とは言えない。
【０００６】上記問題は、ブスバーと電極間などの電気
的接触部みならず、例えば電解槽と電解槽とを電気的に
接続するために配置されるサイドブスバーと連結導体
間、更にはサイドブスバーと電極間などの電気的接触部
などにおいても同様に発生する問題である。
的接触部みならず、例えば電解槽と電解槽とを電気的に
接続するために配置されるサイドブスバーと連結導体
間、更にはサイドブスバーと電極間などの電気的接触部
などにおいても同様に発生する問題である。
【０００７】従って、本発明の目的は、電解槽の電気的
接触部における接触抵抗の増大をなくし、常に高効率に
て電解精練を行なうことのできる電解槽の電気的接触部
の構造を提供することである。
接触部における接触抵抗の増大をなくし、常に高効率に
て電解精練を行なうことのできる電解槽の電気的接触部
の構造を提供することである。
【０００８】本発明の他の目的は、電解槽の電気的接触
部にて生成された、例えば硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）のよう
な物質の除去を容易に達成でき、電気的接触部の保守管
理が容易とされる電解槽の電気的接触部の構造を提供す
ることである。
部にて生成された、例えば硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）のよう
な物質の除去を容易に達成でき、電気的接触部の保守管
理が容易とされる電解槽の電気的接触部の構造を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
電解槽の電気的接触部の構造にて達成される。要約すれ
ば、本発明は、電解槽内に配置されるアノード及びカソ
ードに電流を供給するために、電解槽の長壁上にブスバ
ーとして細長の導電性部材を設け、前記導電性部材は、
基部をなす細長形状の板状部材の上表面に、長手方向に
沿って平行に凸状部を形成し、前記凸状部の少なくとも
上方表面には、長手方向に沿って全面に或は部分的に金
メッキを施したことを特徴とする電解槽の電気的接触部
の構造である。
電解槽の電気的接触部の構造にて達成される。要約すれ
ば、本発明は、電解槽内に配置されるアノード及びカソ
ードに電流を供給するために、電解槽の長壁上にブスバ
ーとして細長の導電性部材を設け、前記導電性部材は、
基部をなす細長形状の板状部材の上表面に、長手方向に
沿って平行に凸状部を形成し、前記凸状部の少なくとも
上方表面には、長手方向に沿って全面に或は部分的に金
メッキを施したことを特徴とする電解槽の電気的接触部
の構造である。
【００１０】本発明の他の態様によれば、隣接する電解
槽を電気的に接続するために、各電解槽の側壁に沿って
サイドブスバーと、各サイドブスバーを電気的に連結す
る連結導体とを設け、前記サイドブスバーと前記連結導
体との電気的接触部において、少なくとも一方のいずれ
かの接触面に金メッキを施し、その後、前記サイドブス
バーと前記連結導体を固定することを特徴とする電解槽
の電気的接触部の構造が提供される。
槽を電気的に接続するために、各電解槽の側壁に沿って
サイドブスバーと、各サイドブスバーを電気的に連結す
る連結導体とを設け、前記サイドブスバーと前記連結導
体との電気的接触部において、少なくとも一方のいずれ
かの接触面に金メッキを施し、その後、前記サイドブス
バーと前記連結導体を固定することを特徴とする電解槽
の電気的接触部の構造が提供される。
【００１１】本発明の更に他の態様によれば、電解槽内
に配置される電極を懸架し、ブスバー或はサイドブスバ
ーと電気的に連結する前記クロスバーを設け、少なくと
も前記ブスバー或はサイドブスバーと電気的に接触する
クロスバーの端部に金メッキを施したことを特徴とする
電解槽の電気的接触部の構造が提供される。
に配置される電極を懸架し、ブスバー或はサイドブスバ
ーと電気的に連結する前記クロスバーを設け、少なくと
も前記ブスバー或はサイドブスバーと電気的に接触する
クロスバーの端部に金メッキを施したことを特徴とする
電解槽の電気的接触部の構造が提供される。
【００１２】本発明の更に他の態様によれば、電解槽内
に配置されるアノードに電流を供給するために電解槽の
槽壁上にブスバー或はサイドブスバーを設け、前記アノ
ードは、少なくとも前記ブスバー或はサイドブスバーに
電気的に接触する部分に金メッキを施したことを特徴と
する電解槽の電気的接触部の構造が提供される。
に配置されるアノードに電流を供給するために電解槽の
槽壁上にブスバー或はサイドブスバーを設け、前記アノ
ードは、少なくとも前記ブスバー或はサイドブスバーに
電気的に接触する部分に金メッキを施したことを特徴と
する電解槽の電気的接触部の構造が提供される。
【００１３】上記各本発明にて、ニッケル下地メッキを
した後前記金メッキを行なうことができる。
した後前記金メッキを行なうことができる。
【００１４】本発明の好ましい実施態様によると、前記
電解槽は、銅電解精練に使用する電解槽とされる。
電解槽は、銅電解精練に使用する電解槽とされる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電気的接触部
の構造を図面に則して更に詳しく説明する。
の構造を図面に則して更に詳しく説明する。
【００１６】実施例１ 本発明は、図１に示すように、例えば銅電解精練におけ
る電解槽の長壁上に配置されたブスバーに適用すること
ができる。
る電解槽の長壁上に配置されたブスバーに適用すること
ができる。
【００１７】つまり、電解槽の槽壁１００上には、ブス
バー１０が配置されており、このブスバー１０上に、粗
銅を鋳造して作製されたアノード１の耳部１Ａ、１Ｂ及
びカソード２を取付けたクロスバー（導電用棹）３の端
部３Ａ、３Ｂが配置される。
バー１０が配置されており、このブスバー１０上に、粗
銅を鋳造して作製されたアノード１の耳部１Ａ、１Ｂ及
びカソード２を取付けたクロスバー（導電用棹）３の端
部３Ａ、３Ｂが配置される。
【００１８】本発明に従えば、ブスバー１０は、図１及
び図２に示すように、電解槽の長壁１００上に配置され
る中継導体としての細長の導電性部材とされ、この導電
性部材は、基部をなす細長形状の細長板状部材１１と、
この細長板状部材１１の上表面に、長手方向に沿って平
行に凸状部１２が形成される。この凸状部１２は、詳し
くは後で説明するが、アノード１の耳部１Ａ、及びカソ
ード２を取付けたクロスバー３の端部３Ａに直接接触
し、これら電極等を担持する部分であって、細長板状部
材１１と一体に成形して作製することもできるが、又、
別体として作製し、この細長板状部材１１に一体に固定
して作製することも可能である。この凸状部１２の形状
は、図示するように、凸状の湾曲面を有するものとする
ことが好ましいが、これに限定されるものではなく、凸
状部上面を平面とすることもでき、種々の形状が採用可
能である。
び図２に示すように、電解槽の長壁１００上に配置され
る中継導体としての細長の導電性部材とされ、この導電
性部材は、基部をなす細長形状の細長板状部材１１と、
この細長板状部材１１の上表面に、長手方向に沿って平
行に凸状部１２が形成される。この凸状部１２は、詳し
くは後で説明するが、アノード１の耳部１Ａ、及びカソ
ード２を取付けたクロスバー３の端部３Ａに直接接触
し、これら電極等を担持する部分であって、細長板状部
材１１と一体に成形して作製することもできるが、又、
別体として作製し、この細長板状部材１１に一体に固定
して作製することも可能である。この凸状部１２の形状
は、図示するように、凸状の湾曲面を有するものとする
ことが好ましいが、これに限定されるものではなく、凸
状部上面を平面とすることもでき、種々の形状が採用可
能である。
【００１９】本発明によれば、更に、この凸状部１２の
少なくとも頂上表面部分には、即ち、アノード１の耳部
１Ａ及びクロスバー３の端部３Ａが直接接触する表面部
分は、金（Ａｕ）メッキ１３が施される。勿論、下地処
理としてニッケル（Ｎｉ）メッキをした上に金メッキ１
３をしても良い。
少なくとも頂上表面部分には、即ち、アノード１の耳部
１Ａ及びクロスバー３の端部３Ａが直接接触する表面部
分は、金（Ａｕ）メッキ１３が施される。勿論、下地処
理としてニッケル（Ｎｉ）メッキをした上に金メッキ１
３をしても良い。
【００２０】本実施例で、このブスバーとしての板状導
電性部材１０は銅材にて作製され、基部の細長板状部材
１１の部分は、厚さ（Ｔ）１．５ｃｍ、幅（Ｗ）１３ｃ
ｍ、長さ（Ｌ）５７０ｃｍとされ、凸状部１２は、半径
Ｒ＝５ｃｍの湾曲形状に成形され、凸状部１２の基板１
１からの高さ（Ｈ）は０．５ｃｍとされた。二つの凸状
部１２は互にＰ＝１０ｃｍ離間して形成され、各凸状部
１２の中心から両側円周方向に大略５ｍｍの長さに亙っ
て金メッキ１３を施した。金メッキ１３の厚さは、１．
３μｍ程度の厚さでは、メッキ被膜にピンホールが発生
し、問題がある。本発明者らの研究実験の結果では、１
年程度の耐久性を持たせるには、摩耗を考慮すると３μ
ｍ程度の厚さが必要であることが分かった。
電性部材１０は銅材にて作製され、基部の細長板状部材
１１の部分は、厚さ（Ｔ）１．５ｃｍ、幅（Ｗ）１３ｃ
ｍ、長さ（Ｌ）５７０ｃｍとされ、凸状部１２は、半径
Ｒ＝５ｃｍの湾曲形状に成形され、凸状部１２の基板１
１からの高さ（Ｈ）は０．５ｃｍとされた。二つの凸状
部１２は互にＰ＝１０ｃｍ離間して形成され、各凸状部
１２の中心から両側円周方向に大略５ｍｍの長さに亙っ
て金メッキ１３を施した。金メッキ１３の厚さは、１．
３μｍ程度の厚さでは、メッキ被膜にピンホールが発生
し、問題がある。本発明者らの研究実験の結果では、１
年程度の耐久性を持たせるには、摩耗を考慮すると３μ
ｍ程度の厚さが必要であることが分かった。
【００２１】本発明の上記ブスバー１０を実際に使用す
る場合には、このブスバー１０の上に、即ち、平行に形
成された凸状部１２の上に、例えば図１に示すように、
交互に切欠き部２０Ａを有した電気的絶縁性板材２０、
例えばセラミック板材が配置される。従って、切欠き部
２０Ａに位置するアノード１の耳部１Ａ及びクロスバー
３の端部３Ａ等はブスバー１０と電気的接触が達成され
るが、絶縁性板材２０が位置した部分においては、即
ち、アノード１の耳部１Ｂ及びクロスバー３の端部３Ｂ
等はブスバー１０との電気的接触は達成されない。
る場合には、このブスバー１０の上に、即ち、平行に形
成された凸状部１２の上に、例えば図１に示すように、
交互に切欠き部２０Ａを有した電気的絶縁性板材２０、
例えばセラミック板材が配置される。従って、切欠き部
２０Ａに位置するアノード１の耳部１Ａ及びクロスバー
３の端部３Ａ等はブスバー１０と電気的接触が達成され
るが、絶縁性板材２０が位置した部分においては、即
ち、アノード１の耳部１Ｂ及びクロスバー３の端部３Ｂ
等はブスバー１０との電気的接触は達成されない。
【００２２】従って、本発明の他の実施例によれば、凸
状部１２の金メッキ１３は、図３に示すように、電気的
絶縁性板材２０の切欠き部２０Ａが位置する領域（Ｌ
1 ）のみに施すことも可能である。つまり、各凸状部１
２の上面には、領域Ｌ1 は極力短くする方が望ましい
が、例えばＬ1 ＝Ｌ2 ＝５ｃｍ間隔で金メッキ部及び非
メッキ部を形成することもできる。
状部１２の金メッキ１３は、図３に示すように、電気的
絶縁性板材２０の切欠き部２０Ａが位置する領域（Ｌ
1 ）のみに施すことも可能である。つまり、各凸状部１
２の上面には、領域Ｌ1 は極力短くする方が望ましい
が、例えばＬ1 ＝Ｌ2 ＝５ｃｍ間隔で金メッキ部及び非
メッキ部を形成することもできる。
【００２３】上記構成の本発明のブスバー１０を使用し
たところ、ブスバー１０の上記凸状部金メッキ表面に硫
酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜が付着するのが抑制され、接触
抵抗を従来の２０ｍＶから５ｍＶにまで低減することが
できた。又、僅かではあるが、この金メッキ部表面に付
着した硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜は、水洗により容易に
除去することができ、装置のメンテナンスの上でも極め
て好便であった。
たところ、ブスバー１０の上記凸状部金メッキ表面に硫
酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜が付着するのが抑制され、接触
抵抗を従来の２０ｍＶから５ｍＶにまで低減することが
できた。又、僅かではあるが、この金メッキ部表面に付
着した硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜は、水洗により容易に
除去することができ、装置のメンテナンスの上でも極め
て好便であった。
【００２４】実施例２ 例えば銅電解精練における電解槽は、上述したように、
複数個並設されるが、この場合に、図４に示すように、
各槽に設けられた槽壁１０２に沿って配置されたサイド
ブスバー３０を連結導体４０にて接続することが行なわ
れている。従来、サイドブスバー３０と連結導体４０と
は、半田付にて固定されていたが、この電気的接触部分
が腐食し易く、接触抵抗が増大することがあった。その
ために、この部分の保守管理を頻繁に必要とした。
複数個並設されるが、この場合に、図４に示すように、
各槽に設けられた槽壁１０２に沿って配置されたサイド
ブスバー３０を連結導体４０にて接続することが行なわ
れている。従来、サイドブスバー３０と連結導体４０と
は、半田付にて固定されていたが、この電気的接触部分
が腐食し易く、接触抵抗が増大することがあった。その
ために、この部分の保守管理を頻繁に必要とした。
【００２５】本発明に従えば、サイドブスバー３０と連
結導体４０との電気的接触部において、少なくとも一方
のいずれかの接触面に金メッキ１３を施し、その後両者
をボルトナットなどの締着手段５０にて固定される。金
メッキ１３の厚さは、本発明者らの研究実験の結果で
は、３μｍ程度の厚さで十分であることが分かった。
結導体４０との電気的接触部において、少なくとも一方
のいずれかの接触面に金メッキ１３を施し、その後両者
をボルトナットなどの締着手段５０にて固定される。金
メッキ１３の厚さは、本発明者らの研究実験の結果で
は、３μｍ程度の厚さで十分であることが分かった。
【００２６】斯かる構成により、サイドブスバー３０と
連結導体４０との電気的接触部が腐食することがなくな
り、接触抵抗の増大が発生せず、そのために、この連結
部分の保守管理の必要が全くなくなった。又、この金メ
ッキ１３部分に付着した硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜など
は、水洗により容易に除去することができ、この点でも
装置のメンテナンスが極めて好便であった。
連結導体４０との電気的接触部が腐食することがなくな
り、接触抵抗の増大が発生せず、そのために、この連結
部分の保守管理の必要が全くなくなった。又、この金メ
ッキ１３部分に付着した硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜など
は、水洗により容易に除去することができ、この点でも
装置のメンテナンスが極めて好便であった。
【００２７】実施例３ 銅電解精練においては、上述したように、カソード２は
クロスバー（導電用棹）３に懸架され、このクロスバー
３の端部３Ａが、図１に示すようにブスバー１０上に担
持されるか、或は、図４に示すようにサイドブスバー３
０上に配置され、電気的に接続される。
クロスバー（導電用棹）３に懸架され、このクロスバー
３の端部３Ａが、図１に示すようにブスバー１０上に担
持されるか、或は、図４に示すようにサイドブスバー３
０上に配置され、電気的に接続される。
【００２８】そのために、上述したように、クロスバー
３と、ブスバー１０或はサイドブスバー３０との電気的
接触部においては、硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜などが発
生し、接触抵抗を増大させることとなる。
３と、ブスバー１０或はサイドブスバー３０との電気的
接触部においては、硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜などが発
生し、接触抵抗を増大させることとなる。
【００２９】通常、クロスバー３は、断面が丸形或は角
形とされる銅ロッドにて作製されるが、本発明では、図
４に示すように、少なくともクロスバー３の端部３Ａに
は、特に、端部３Ａの下面に金（Ａｕ）メッキ１３が施
される。勿論、下地処理としてニッケル（Ｎｉ）メッキ
をした上に金メッキをした方が良い。本発明者らの研究
実験の結果では、１年程度の耐久性を持たせるには、３
μｍ程度の厚さが必要であることが分かった。
形とされる銅ロッドにて作製されるが、本発明では、図
４に示すように、少なくともクロスバー３の端部３Ａに
は、特に、端部３Ａの下面に金（Ａｕ）メッキ１３が施
される。勿論、下地処理としてニッケル（Ｎｉ）メッキ
をした上に金メッキをした方が良い。本発明者らの研究
実験の結果では、１年程度の耐久性を持たせるには、３
μｍ程度の厚さが必要であることが分かった。
【００３０】斯かる構成により、クロスバー３と、ブス
バー１０或はサイドブスバー３０との電気的接触部にお
いて、クロスバー３の端部３Ａの金メッキ表面に硫酸銅
（ＣｕＳＯ4 ）被膜が付着するのが抑制され、接触抵抗
が従来より著しく低減された。又、クロスバーの端部金
メッキ表面に、僅かではあるが付着した硫酸銅（ＣｕＳ
Ｏ4 ）被膜は、水洗により容易に除去することができ、
装置のメンテナンスの上でも極めて好便であった。
バー１０或はサイドブスバー３０との電気的接触部にお
いて、クロスバー３の端部３Ａの金メッキ表面に硫酸銅
（ＣｕＳＯ4 ）被膜が付着するのが抑制され、接触抵抗
が従来より著しく低減された。又、クロスバーの端部金
メッキ表面に、僅かではあるが付着した硫酸銅（ＣｕＳ
Ｏ4 ）被膜は、水洗により容易に除去することができ、
装置のメンテナンスの上でも極めて好便であった。
【００３１】実施例４ 銅電解精練においては、上述したように、所定のアノー
ド１はその耳部１Ａが、図１に示すようにブスバー１０
上に担持されるか、或は、図４に示すようにサイドブス
バー３０上に配置され、電気的に接続される。
ド１はその耳部１Ａが、図１に示すようにブスバー１０
上に担持されるか、或は、図４に示すようにサイドブス
バー３０上に配置され、電気的に接続される。
【００３２】そのために、上述したように、アノード１
と、ブスバー１０或はサイドブスバー３０との電気的接
触部においては、硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜などが発生
し、接触抵抗を増大させることとなる。
と、ブスバー１０或はサイドブスバー３０との電気的接
触部においては、硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）被膜などが発生
し、接触抵抗を増大させることとなる。
【００３３】本発明では、図４に示すように、サイドブ
スバー３０と電気的に接触するアノード１の耳部１Ａ、
或は又、図１にてブスバー１０の凸状部１２に電気的に
接触するアノード１の耳部１Ａには、特に、耳部１Ａの
下面に金（Ａｕ）メッキ１３が施される。勿論、下地処
理としてニッケル（Ｎｉ）メッキをした上に金メッキを
しても良い。本発明者らの研究実験の結果では、０．１
μｍ程度の厚さで十分であることが分かった。
スバー３０と電気的に接触するアノード１の耳部１Ａ、
或は又、図１にてブスバー１０の凸状部１２に電気的に
接触するアノード１の耳部１Ａには、特に、耳部１Ａの
下面に金（Ａｕ）メッキ１３が施される。勿論、下地処
理としてニッケル（Ｎｉ）メッキをした上に金メッキを
しても良い。本発明者らの研究実験の結果では、０．１
μｍ程度の厚さで十分であることが分かった。
【００３４】斯かる構成により、アノード１と、ブスバ
ー１０或はサイドブスバー３０との電気的接触部におい
て、アノード１の耳部１Ａの金メッキ表面に硫酸銅（Ｃ
ｕＳＯ4 ）被膜が付着するのが抑制され、接触抵抗が従
来より著しく低減された。又、アノード１の耳部金メッ
キ表面に、僅かではあるが付着した硫酸銅（ＣｕＳＯ
4 ）被膜は、必要により水洗すれば、容易に除去するこ
とができ、装置のメンテナンスの上でも極めて好便であ
った。
ー１０或はサイドブスバー３０との電気的接触部におい
て、アノード１の耳部１Ａの金メッキ表面に硫酸銅（Ｃ
ｕＳＯ4 ）被膜が付着するのが抑制され、接触抵抗が従
来より著しく低減された。又、アノード１の耳部金メッ
キ表面に、僅かではあるが付着した硫酸銅（ＣｕＳＯ
4 ）被膜は、必要により水洗すれば、容易に除去するこ
とができ、装置のメンテナンスの上でも極めて好便であ
った。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電解槽の
電気的接触部の構造によれば、電解槽の電気的接触部に
金メッキが施されるので、電気的接触部における接触抵
抗の増大をなくし、常に高効率にて電解精練を行なうこ
とができ、同時に、電解槽の電気的接触部にて生成され
た、例えば硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）のような物質の除去が
容易に達成され、電気的接触部の保守管理が容易であ
る、といった効果を奏し得る。
電気的接触部の構造によれば、電解槽の電気的接触部に
金メッキが施されるので、電気的接触部における接触抵
抗の増大をなくし、常に高効率にて電解精練を行なうこ
とができ、同時に、電解槽の電気的接触部にて生成され
た、例えば硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ）のような物質の除去が
容易に達成され、電気的接触部の保守管理が容易であ
る、といった効果を奏し得る。
【図１】本発明の一実施例であるブスバーの構造を示す
図である。
図である。
【図２】ブスバーの一実施例を示す示す図である。
【図３】ブスバーの他の実施例を示す示す図である。
【図４】本発明の他の実施例であるサイドブスバーと連
結導体の構造を示す図である。
結導体の構造を示す図である。
【図５】従来のブスバーの構造を示す図である。
【図６】本発明を適用し得る銅電解精練に使用する電解
槽の配置及び電解槽間の電流供給方式を示す図である。
槽の配置及び電解槽間の電流供給方式を示す図である。
１ アノード ２ カソード ３ クロスバー １０ ブスバー（細長導電性部
材） １１ 基部板状部材 １２ 凸状部 １３ 金メッキ ３０ サイドブスバー ４０ 連結導体 １００、１０２ 槽壁 ２００ 電解槽
材） １１ 基部板状部材 １２ 凸状部 １３ 金メッキ ３０ サイドブスバー ４０ 連結導体 １００、１０２ 槽壁 ２００ 電解槽
Claims (6)
- 【請求項１】 電解槽内に配置されるアノード及びカソ
ードに電流を供給するために、電解槽の槽壁上にブスバ
ーとして細長の導電性部材を設け、前記導電性部材は、
基部をなす細長形状の板状部材の上表面に、長手方向に
沿って平行に凸状部を形成し、前記凸状部の少なくとも
上方表面には、長手方向に沿って全面に或は部分的に金
メッキを施したことを特徴とする電解槽の電気的接触部
の構造。 - 【請求項２】 隣接する電解槽を電気的に接続するため
に、各電解槽の側壁に沿ってサイドブスバーと、各サイ
ドブスバーを電気的に連結する連結導体とを設け、前記
サイドブスバーと前記連結導体との電気的接触部におい
て、少なくとも一方のいずれかの接触面に金メッキを施
し、その後、前記サイドブスバーと前記連結導体を固定
することを特徴とする電解槽の電気的接触部の構造。 - 【請求項３】 電解槽内に配置される電極を懸架し、ブ
スバー或はサイドブスバーと電気的に連結する前記クロ
スバーを設け、少なくとも前記ブスバー或はサイドブス
バーと電気的に接触するクロスバーの端部に金メッキを
施したことを特徴とする電解槽の電気的接触部の構造。 - 【請求項４】 電解槽内に配置されるアノードに電流を
供給するために電解槽の槽壁上にブスバー或はサイドブ
スバーを設け、前記アノードは、少なくとも前記ブスバ
ー或はサイドブスバーに電気的に接触する部分に金メッ
キを施したことを特徴とする電解槽の電気的接触部の構
造。 - 【請求項５】 ニッケル下地メッキをした後前記金メッ
キを行なうことを特徴とする請求項１〜４のいずれかの
項に記載の電解槽の電気的接触部の構造。 - 【請求項６】 前記電解槽は、銅電解精練に使用する電
解槽である請求項１〜５のいずれかの項に記載の電解槽
の電気的接触部の構造。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18070497A JP3160556B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 電解槽の電気的接触部の構造 |
| US09/128,943 US6045669A (en) | 1997-06-20 | 1998-08-05 | Structure of electric contact of electrolytic cell |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18070497A JP3160556B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 電解槽の電気的接触部の構造 |
| US09/128,943 US6045669A (en) | 1997-06-20 | 1998-08-05 | Structure of electric contact of electrolytic cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112779A true JPH1112779A (ja) | 1999-01-19 |
| JP3160556B2 JP3160556B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=26500137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18070497A Expired - Fee Related JP3160556B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 電解槽の電気的接触部の構造 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6045669A (ja) |
| JP (1) | JP3160556B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006505693A (ja) * | 2002-11-07 | 2006-02-16 | オウトクンプ オサケイティオ ユルキネン | アルミニウム支持体バーに良好な接触面を形成する方法および支持体バー |
| JP2010534771A (ja) * | 2007-07-31 | 2010-11-11 | アンカー テクミン ソシエダ アノニマ | 非鉄金属に対するヒドロ金属冶金的な電解採取工程および電解精錬工程が行われるプラントの監視、制御、および管理のためのシステム |
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| FI104839B (fi) * | 1998-05-06 | 2000-04-14 | Outokumpu Oy | Elektrolyysialtaan virtakiskorakenne |
| US20040029129A1 (en) * | 2001-10-25 | 2004-02-12 | Liangsu Wang | Identification of essential genes in microorganisms |
| FI114925B (fi) * | 2002-11-07 | 2005-01-31 | Outokumpu Oy | Menetelmä hyvän kontaktipinnan aikaansaamiseksi elektrolyysialtaan virtakiskoon ja virtakisko |
| FI114927B (fi) * | 2002-11-07 | 2005-01-31 | Outokumpu Oy | Menetelmä hyvän kontaktipinnan muodostamiseksi katodin kannatintankoon ja kannatintanko |
| FR2850207A1 (fr) * | 2003-01-22 | 2004-07-23 | Saint Gobain Vetrotex | Piece de liaison electrique pour filiere delivrant des filaments notamment de verre |
| US7993501B2 (en) * | 2007-11-07 | 2011-08-09 | Freeport-Mcmoran Corporation | Double contact bar insulator assembly for electrowinning of a metal and methods of use thereof |
| FI121886B (fi) * | 2009-10-22 | 2011-05-31 | Outotec Oyj | Virtakiskorakenne |
| CA2841222C (en) * | 2011-07-12 | 2019-05-21 | Pultrusion Technique Inc. | Contact bar and capping board for supporting symmetrical electrodes for enhanced electrolytic refining of metals |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA971505A (en) * | 1970-09-04 | 1975-07-22 | International Nickel Company Of Canada | Electrowinning metal utilizing higher current densities on upper surfaces |
| US4134806A (en) * | 1973-01-29 | 1979-01-16 | Diamond Shamrock Technologies, S.A. | Metal anodes with reduced anodic surface and high current density and their use in electrowinning processes with low cathodic current density |
| CA1201681A (en) * | 1983-04-05 | 1986-03-11 | Ronald N. Honey | Cell top insulator |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP18070497A patent/JP3160556B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-05 US US09/128,943 patent/US6045669A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006505693A (ja) * | 2002-11-07 | 2006-02-16 | オウトクンプ オサケイティオ ユルキネン | アルミニウム支持体バーに良好な接触面を形成する方法および支持体バー |
| JP2010534771A (ja) * | 2007-07-31 | 2010-11-11 | アンカー テクミン ソシエダ アノニマ | 非鉄金属に対するヒドロ金属冶金的な電解採取工程および電解精錬工程が行われるプラントの監視、制御、および管理のためのシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3160556B2 (ja) | 2001-04-25 |
| US6045669A (en) | 2000-04-04 |
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