JPH11122838A - ２次電池保護回路 - Google Patents
２次電池保護回路Info
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- JPH11122838A JPH11122838A JP28511397A JP28511397A JPH11122838A JP H11122838 A JPH11122838 A JP H11122838A JP 28511397 A JP28511397 A JP 28511397A JP 28511397 A JP28511397 A JP 28511397A JP H11122838 A JPH11122838 A JP H11122838A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の２次電池保護回路では、過電圧充電保
護ＩＣと温度ヒューズとが必要であるため、実装基板が
大型であるという問題がある。 【解決手段】 トランジスタＱ１が破壊していない場合
は、Ｑ１のオン抵抗ＲONを介して充電電流Ｉchargeが流
れるため、Ｑ１のドレイン・ソース間にはＲON×Ｉ
chargeで求められる降下電圧ＶDROPが発生する。一方、
Ｑ１が短絡破壊した場合は、Ｑ１のドレイン・ソース間
抵抗は０となるため、降下電圧ＶDROPは殆ど生じない。
また、Ｑ１のオン抵抗は、温度上昇に伴い増加するのに
対し、充電電流Ｉchargeは一定であるため、Ｑ１の降下
電圧ＶDROPも温度上昇に依存して増加する。そこで、Ｑ
１の降下電圧ＶDROPが所定電圧範囲より大であるか小で
あるかを、ウィンドコンパレータ１５１と基準電圧源１
５２を用いて検出することにより、Ｑ１の破壊と過熱発
生を検知し、その時は充電器１６の動作を停止する。
護ＩＣと温度ヒューズとが必要であるため、実装基板が
大型であるという問題がある。 【解決手段】 トランジスタＱ１が破壊していない場合
は、Ｑ１のオン抵抗ＲONを介して充電電流Ｉchargeが流
れるため、Ｑ１のドレイン・ソース間にはＲON×Ｉ
chargeで求められる降下電圧ＶDROPが発生する。一方、
Ｑ１が短絡破壊した場合は、Ｑ１のドレイン・ソース間
抵抗は０となるため、降下電圧ＶDROPは殆ど生じない。
また、Ｑ１のオン抵抗は、温度上昇に伴い増加するのに
対し、充電電流Ｉchargeは一定であるため、Ｑ１の降下
電圧ＶDROPも温度上昇に依存して増加する。そこで、Ｑ
１の降下電圧ＶDROPが所定電圧範囲より大であるか小で
あるかを、ウィンドコンパレータ１５１と基準電圧源１
５２を用いて検出することにより、Ｑ１の破壊と過熱発
生を検知し、その時は充電器１６の動作を停止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は２次電池保護回路に
係り、特に過電圧充電による２次電池の破壊を防止する
２次電池保護回路に関する。
係り、特に過電圧充電による２次電池の破壊を防止する
２次電池保護回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】充電することにより繰り返し使用可能な
２次電池には、リチウムイオン電池を使用する場合が多
い。リチウムイオン電池は、過充電や過負荷などの温度
上昇時、リチウムイオンが金属化し発火する可能性があ
る。このため、一般にリチウムイオン電池を使用した電
池パックには過電圧充電保護集積回路（ＩＣ）及び温度
ヒューズが内蔵されている。
２次電池には、リチウムイオン電池を使用する場合が多
い。リチウムイオン電池は、過充電や過負荷などの温度
上昇時、リチウムイオンが金属化し発火する可能性があ
る。このため、一般にリチウムイオン電池を使用した電
池パックには過電圧充電保護集積回路（ＩＣ）及び温度
ヒューズが内蔵されている。
【０００３】図５は従来の２次電池保護回路の一例の回
路構成図を示す。この従来回路は、２次電池１１に対す
る過電圧充電を保護するため、過電圧充電保護ＩＣ１
２、充電用ＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ
１、放電用ＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ
２、温度ヒューズＦ１及び充電器１３とから構成されて
いる。充電器１３は交流電源１４に接続されている。
路構成図を示す。この従来回路は、２次電池１１に対す
る過電圧充電を保護するため、過電圧充電保護ＩＣ１
２、充電用ＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ
１、放電用ＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ
２、温度ヒューズＦ１及び充電器１３とから構成されて
いる。充電器１３は交流電源１４に接続されている。
【０００４】また、過電圧充電保護ＩＣ１２は、反転入
力端子が２次電池１１の正側端子に接続されているコン
パレータ１２１と、正側端子がコンパレータ１２１の非
反転入力端子に接続され、かつ、負側端子が２次電池１
１の負側端子に接続されている基準電圧源１２２と、コ
ンパレータ１２１の出力端子がベースに接続され、コレ
クタがＱ１のゲートに接続され、エミッタが接地されて
いるＰＮＰトランジスタ１２３と、トランジスタＱ１、
Ｑ２のゲートと充電器１３に接続されているオン／オフ
コントロール回路１２４とより構成されている。
力端子が２次電池１１の正側端子に接続されているコン
パレータ１２１と、正側端子がコンパレータ１２１の非
反転入力端子に接続され、かつ、負側端子が２次電池１
１の負側端子に接続されている基準電圧源１２２と、コ
ンパレータ１２１の出力端子がベースに接続され、コレ
クタがＱ１のゲートに接続され、エミッタが接地されて
いるＰＮＰトランジスタ１２３と、トランジスタＱ１、
Ｑ２のゲートと充電器１３に接続されているオン／オフ
コントロール回路１２４とより構成されている。
【０００５】次に、この従来回路の動作について説明す
る。まず、充電時はトランジスタＱ１とＱ２がオン／オ
フコントロール回路１２４の出力信号によりそれぞれオ
ン状態とされ、その結果、充電器１３の正側端子→温度
ヒューズＦ１→２次電池１１→トランジスタＱ２→トラ
ンジスタＱ１→充電器１３の負側端子の閉ループ（充電
ループ）が形成されて、充電器１３からの充電電流Ｉ
ｃｈａｒｇｅにより２次電池１１が充電される。
る。まず、充電時はトランジスタＱ１とＱ２がオン／オ
フコントロール回路１２４の出力信号によりそれぞれオ
ン状態とされ、その結果、充電器１３の正側端子→温度
ヒューズＦ１→２次電池１１→トランジスタＱ２→トラ
ンジスタＱ１→充電器１３の負側端子の閉ループ（充電
ループ）が形成されて、充電器１３からの充電電流Ｉ
ｃｈａｒｇｅにより２次電池１１が充電される。
【０００６】一方、コンパレータ１２１は２次電池１１
の充電電圧ＶＢＡＴと基準電圧源１２２からの基準電圧
ＶＲＥＦとを比較し、ＶＢＡＴ＜ＶＲＥＦのときはハイ
レベルの信号を出力してトランジスタ１２３をオフと
し、トランジスタＱ１を引き続きオン／オフコントロー
ル回路１２４の出力信号によりオン状態を保持し、２次
電池１１の充電を継続する。これにより、充電電圧Ｖ
ＢＡＴが上昇していき、ＶＢＡＴ＞ＶＲＥＦに達する
と、コンパレータ１２１の出力信号がロウレベルとな
り、トランジスタ１２３がオンとなり、トランジスタＱ
１をオフとする。この結果、上記の充電ループが開放さ
れ、２次電池１１への電流供給ができなくなり、過電圧
充電から２次電池１１を保護することができる。
の充電電圧ＶＢＡＴと基準電圧源１２２からの基準電圧
ＶＲＥＦとを比較し、ＶＢＡＴ＜ＶＲＥＦのときはハイ
レベルの信号を出力してトランジスタ１２３をオフと
し、トランジスタＱ１を引き続きオン／オフコントロー
ル回路１２４の出力信号によりオン状態を保持し、２次
電池１１の充電を継続する。これにより、充電電圧Ｖ
ＢＡＴが上昇していき、ＶＢＡＴ＞ＶＲＥＦに達する
と、コンパレータ１２１の出力信号がロウレベルとな
り、トランジスタ１２３がオンとなり、トランジスタＱ
１をオフとする。この結果、上記の充電ループが開放さ
れ、２次電池１１への電流供給ができなくなり、過電圧
充電から２次電池１１を保護することができる。
【０００７】しかし、何らかの原因でトランジスタＱ１
が短絡破壊した場合、ＶＢＡＴ＞ＶＲＥＦの状態になっ
ても、上記の充電ループが開放されないため、２次電池
１１には更なる充電が行われ、充電電圧の上昇及び発熱
が生じる。この現象の保護として、従来は温度ヒューズ
Ｆ１を溶断させることにより、機械的に充電ループを開
放させる。
が短絡破壊した場合、ＶＢＡＴ＞ＶＲＥＦの状態になっ
ても、上記の充電ループが開放されないため、２次電池
１１には更なる充電が行われ、充電電圧の上昇及び発熱
が生じる。この現象の保護として、従来は温度ヒューズ
Ｆ１を溶断させることにより、機械的に充電ループを開
放させる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記の従来
の２次電池保護回路では、過電圧充電保護ＩＣ１２及び
温度ヒューズＦ１が必要であるため、実装基板が大型で
あるという問題がある。
の２次電池保護回路では、過電圧充電保護ＩＣ１２及び
温度ヒューズＦ１が必要であるため、実装基板が大型で
あるという問題がある。
【０００９】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
小型な実装基板で２次電池の過電圧充電を防止し得る２
次電池保護回路を提供することを目的とする。
小型な実装基板で２次電池の過電圧充電を防止し得る２
次電池保護回路を提供することを目的とする。
【００１０】また、本発明の他の目的は、外付け素子を
削減し得る２次電池保護回路を提供することにある。
削減し得る２次電池保護回路を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、２次電池に対して充電電流及び充電電圧
を供給する、外部信号により動作制御可能な充電器と、
充電時はオンとされて充電器からの充電電流及び充電電
圧を２次電池に供給する充電ループを形成する半導体ス
イッチング素子と、２次電池の充電電圧と第１の基準電
圧とを比較し、充電電圧が第１の基準電圧を越えたこと
を検出したときに検出信号を出力して、半導体スイッチ
ング素子をオフに制御する第１の比較手段と、半導体ス
イッチング素子の降下電圧が所定の電圧範囲内にあるか
どうかを検出し、降下電圧が電圧範囲を越えたときにエ
ラーパルスを出力して、充電器の動作を強制的に停止す
る第２の比較手段とを有する構成としたものである。
め、本発明は、２次電池に対して充電電流及び充電電圧
を供給する、外部信号により動作制御可能な充電器と、
充電時はオンとされて充電器からの充電電流及び充電電
圧を２次電池に供給する充電ループを形成する半導体ス
イッチング素子と、２次電池の充電電圧と第１の基準電
圧とを比較し、充電電圧が第１の基準電圧を越えたこと
を検出したときに検出信号を出力して、半導体スイッチ
ング素子をオフに制御する第１の比較手段と、半導体ス
イッチング素子の降下電圧が所定の電圧範囲内にあるか
どうかを検出し、降下電圧が電圧範囲を越えたときにエ
ラーパルスを出力して、充電器の動作を強制的に停止す
る第２の比較手段とを有する構成としたものである。
【００１２】この発明では、半導体スイッチング素子の
降下電圧が半導体スイッチング素子の短絡破壊や過熱時
に、上記の所定の電圧範囲の上限値より大なる値、ある
いは下限値よりも小なる値になることに着目し、半導体
スイッチング素子の降下電圧がこの所定の電圧範囲を越
えた時にエラーパルスを出力して充電器の動作を強制的
に停止するようにしたため、エラーパルス出力により上
記の充電ループを開放させることができる。
降下電圧が半導体スイッチング素子の短絡破壊や過熱時
に、上記の所定の電圧範囲の上限値より大なる値、ある
いは下限値よりも小なる値になることに着目し、半導体
スイッチング素子の降下電圧がこの所定の電圧範囲を越
えた時にエラーパルスを出力して充電器の動作を強制的
に停止するようにしたため、エラーパルス出力により上
記の充電ループを開放させることができる。
【００１３】ここで、本発明における上記の半導体スイ
ッチング素子は電界効果トランジスタであり、また、第
２の比較手段は、電界効果トランジスタのドレイン・ソ
ース間のオン抵抗と充電電流とによる降下電圧が所定の
電圧範囲内にあるかどうかを検出する手段であることが
望ましい。
ッチング素子は電界効果トランジスタであり、また、第
２の比較手段は、電界効果トランジスタのドレイン・ソ
ース間のオン抵抗と充電電流とによる降下電圧が所定の
電圧範囲内にあるかどうかを検出する手段であることが
望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は本発明になる２次電池保
護回路の一実施の形態の回路構成図、図２はオン抵抗の
説明図、図３はウィンドコンパレータの一例の回路構成
図、図４は図１の動作説明用タイミングチャートを示
す。図１中、図５と同一構成部分には同一符号を付して
ある。
て図面と共に説明する。図１は本発明になる２次電池保
護回路の一実施の形態の回路構成図、図２はオン抵抗の
説明図、図３はウィンドコンパレータの一例の回路構成
図、図４は図１の動作説明用タイミングチャートを示
す。図１中、図５と同一構成部分には同一符号を付して
ある。
【００１５】図１の実施の形態は、２次電池１１に対す
る過電圧充電を保護するため、過電圧充電保護ＩＣ１
５、充電用ＮチャネルＭＯＳ型電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ）Ｑ１、放電用ＮチャネルＭＯＳ型電界効果ト
ランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ２及び充電器１６とから構成さ
れている。充電器１６は交流電源１４に接続されてい
る。２次電池１１、過電圧充電保護ＩＣ１５、トランジ
スタＱ１及びＱ２は、バッテリパックに内蔵されてい
る。
る過電圧充電を保護するため、過電圧充電保護ＩＣ１
５、充電用ＮチャネルＭＯＳ型電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ）Ｑ１、放電用ＮチャネルＭＯＳ型電界効果ト
ランジスタ（ＦＥＴ）Ｑ２及び充電器１６とから構成さ
れている。充電器１６は交流電源１４に接続されてい
る。２次電池１１、過電圧充電保護ＩＣ１５、トランジ
スタＱ１及びＱ２は、バッテリパックに内蔵されてい
る。
【００１６】また、過電圧充電保護ＩＣ１５は、過充電
検出用コンパレータ１２１と、第１の基準電圧源１２２
と、オン／オフコントロール回路１２４と、ＦＥＴ異常
検出用ウィンドコンパレータ１５１と、第２の基準電圧
源１５２と、出力端子がトランジスタＱ１のゲートに接
続されているＡＮＤ回路１５３とより構成されている。
検出用コンパレータ１２１と、第１の基準電圧源１２２
と、オン／オフコントロール回路１２４と、ＦＥＴ異常
検出用ウィンドコンパレータ１５１と、第２の基準電圧
源１５２と、出力端子がトランジスタＱ１のゲートに接
続されているＡＮＤ回路１５３とより構成されている。
【００１７】次に、この実施の形態の充電時の動作につ
いて、（１）正常時の動作、（２）Ｑ１破壊時の動作、
（３）過熱検出時の動作に分けて説明する。
いて、（１）正常時の動作、（２）Ｑ１破壊時の動作、
（３）過熱検出時の動作に分けて説明する。
【００１８】（１）正常時の動作 図１において、バッテリパックの＋端子と−端子に充電
器１６を接続すると、オン／オフコントロール回路１２
４の２つの出力端子からそれぞれハイレベルのオン信号
が出力され、一方のオン信号はトランジスタＱ２のゲー
トに直接に供給されてこれをオンとし、他方のオン信号
は２入力ＡＮＤ回路１５３の一方の入力端子に供給され
る。また、これと同時に、コンパレータ１２１は２次電
池１１の充電電圧ＶＢＡＴと基準電圧源１２２からの基
準電圧ＶＲＥＦ１とを比較し、充電完了前はＶＢＡＴ＜
ＶＲＥＦ１であり、このときはコンパレータ１２１はハ
イレベルの信号をＡＮＤ回路１５３の他方の入力端子に
供給する。従って、ＡＮＤ回路１５３を通してオン信号
がトランジスタＱ１のゲートに印加され、これをオン状
態とする。
器１６を接続すると、オン／オフコントロール回路１２
４の２つの出力端子からそれぞれハイレベルのオン信号
が出力され、一方のオン信号はトランジスタＱ２のゲー
トに直接に供給されてこれをオンとし、他方のオン信号
は２入力ＡＮＤ回路１５３の一方の入力端子に供給され
る。また、これと同時に、コンパレータ１２１は２次電
池１１の充電電圧ＶＢＡＴと基準電圧源１２２からの基
準電圧ＶＲＥＦ１とを比較し、充電完了前はＶＢＡＴ＜
ＶＲＥＦ１であり、このときはコンパレータ１２１はハ
イレベルの信号をＡＮＤ回路１５３の他方の入力端子に
供給する。従って、ＡＮＤ回路１５３を通してオン信号
がトランジスタＱ１のゲートに印加され、これをオン状
態とする。
【００１９】これにより、充電器１６の正側端子→２次
電池１１→トランジスタＱ２→トランジスタＱ１→充電
器１６の負側端子の閉ループ（充電ループ）が形成され
て、充電器１６からの充電電流Ｉｃｈａｒｇｅにより２
次電池１１が充電される。充電は一般的に定電流−定電
圧方式（８０％程度まで定電流充電、以降フル充電まで
は定電圧充電を行う）で行われる。
電池１１→トランジスタＱ２→トランジスタＱ１→充電
器１６の負側端子の閉ループ（充電ループ）が形成され
て、充電器１６からの充電電流Ｉｃｈａｒｇｅにより２
次電池１１が充電される。充電は一般的に定電流−定電
圧方式（８０％程度まで定電流充電、以降フル充電まで
は定電圧充電を行う）で行われる。
【００２０】２次電池１１の充電電圧ＶＢＡＴは、上記
の充電の継続により上昇していきＶＢＡＴ＞ＶＲＥＦ１
の過電圧充電状態になると、充電電圧ＶＢＡＴと基準電
圧源１２２よりの基準電圧ＶＲＥＦ１とを比較している
コンパレータ１２１の出力信号がロウレベルとなるた
め、ＡＮＤ回路１５３の出力信号がロウレベルとなり、
トランジスタＱ１のゲート電圧がロウレベルとなること
によりＱ１がオフする。この動作により、上記の充電ル
ープが開放されるため、２次電池１１への充電が停止さ
れ、２次電池１１の破壊は生じない。
の充電の継続により上昇していきＶＢＡＴ＞ＶＲＥＦ１
の過電圧充電状態になると、充電電圧ＶＢＡＴと基準電
圧源１２２よりの基準電圧ＶＲＥＦ１とを比較している
コンパレータ１２１の出力信号がロウレベルとなるた
め、ＡＮＤ回路１５３の出力信号がロウレベルとなり、
トランジスタＱ１のゲート電圧がロウレベルとなること
によりＱ１がオフする。この動作により、上記の充電ル
ープが開放されるため、２次電池１１への充電が停止さ
れ、２次電池１１の破壊は生じない。
【００２１】２次電池１１の充電が停止すると、放電に
より充電電圧ＶＢＡＴが低下していき、ＶＢＡＴ＜Ｖ
ＲＥＦ１になると、充電電圧ＶＢＡＴと基準電圧源１２
２よりの基準電圧ＶＲＥＦ１とを比較しているコンパレ
ータ１２１の出力信号がハイレベルとなるため、ＡＮＤ
回路１５３の出力信号がハイレベルとなり、トランジス
タＱ１のゲート電圧がハイレベルとなることによりＱ１
がオンする。この動作により、上記の充電ループが再び
形成されるため、２次電池１１への充電が再開される。
以下、上記と同様の動作が繰り返され、充電電圧ＶBAT
は基準電圧ＶREF1付近に維持される。
より充電電圧ＶＢＡＴが低下していき、ＶＢＡＴ＜Ｖ
ＲＥＦ１になると、充電電圧ＶＢＡＴと基準電圧源１２
２よりの基準電圧ＶＲＥＦ１とを比較しているコンパレ
ータ１２１の出力信号がハイレベルとなるため、ＡＮＤ
回路１５３の出力信号がハイレベルとなり、トランジス
タＱ１のゲート電圧がハイレベルとなることによりＱ１
がオンする。この動作により、上記の充電ループが再び
形成されるため、２次電池１１への充電が再開される。
以下、上記と同様の動作が繰り返され、充電電圧ＶBAT
は基準電圧ＶREF1付近に維持される。
【００２２】この正常動作時の、充電器１６の充電電
圧、オン／オフコントロール回路１２４の出力信号、ト
ランジスタＱ１のオン／オフ動作、充電電流Ｉ
ｃｈａｒｇｅ、充電電圧ＶＢＡＴは、それぞれ図４
（Ａ）にＢＣＨ、ＣＯＮＴ、Ｑ１、Ｉｃｈａｒｇｅ、Ｖ
ＢＡＴで示される。なお、図４（Ａ）に示すＱ１のハイ
レベルはトランジスタＱ１がオン状態、ロウレベルはト
ランジスタＱ１がオフ状態であることを示す。
圧、オン／オフコントロール回路１２４の出力信号、ト
ランジスタＱ１のオン／オフ動作、充電電流Ｉ
ｃｈａｒｇｅ、充電電圧ＶＢＡＴは、それぞれ図４
（Ａ）にＢＣＨ、ＣＯＮＴ、Ｑ１、Ｉｃｈａｒｇｅ、Ｖ
ＢＡＴで示される。なお、図４（Ａ）に示すＱ１のハイ
レベルはトランジスタＱ１がオン状態、ロウレベルはト
ランジスタＱ１がオフ状態であることを示す。
【００２３】（２）Ｑ１破壊時の動作 何らかの原因でトランジスタＱ１が破壊している場合、
トランジスタＱ１の制御が不可能となるため、上記の正
常動作時の２次電池１１の過電圧充電保護手法は使えな
い。そこで、この場合は、本実施の形態ではトランジス
タＱ１の破壊を検知し、充電器１６に破壊信号をフィー
ドバックすることにより、充電器１６自体の動作を停止
（またはスタンバイ状態）させて２次電池１１を保護す
る。トランジスタＱ１の破壊検知は以下のようにして行
う。
トランジスタＱ１の制御が不可能となるため、上記の正
常動作時の２次電池１１の過電圧充電保護手法は使えな
い。そこで、この場合は、本実施の形態ではトランジス
タＱ１の破壊を検知し、充電器１６に破壊信号をフィー
ドバックすることにより、充電器１６自体の動作を停止
（またはスタンバイ状態）させて２次電池１１を保護す
る。トランジスタＱ１の破壊検知は以下のようにして行
う。
【００２４】トランジスタＱ１はＭＯＳ型ＦＥＴであ
り、導通時に素子固有のオン抵抗ＲONをもつ。図２はこ
のオン抵抗の説明図を示す。同図において、Ｎ+型基板
２１の上に低濃度のＮ型のエピタキシャル層２２が積ま
れ、更にＰ層２３が形成され、その中にＮ+拡散層２４
が形成されている。Ｐ層２３やＮ+拡散層２４の表面に
は酸化膜２５が形成され、その中にゲート電極２６が形
成され、また酸化膜２５等の表面にはソース電極２７が
形成されている。また、基板２１の表面にはドレイン２
８が形成される。
り、導通時に素子固有のオン抵抗ＲONをもつ。図２はこ
のオン抵抗の説明図を示す。同図において、Ｎ+型基板
２１の上に低濃度のＮ型のエピタキシャル層２２が積ま
れ、更にＰ層２３が形成され、その中にＮ+拡散層２４
が形成されている。Ｐ層２３やＮ+拡散層２４の表面に
は酸化膜２５が形成され、その中にゲート電極２６が形
成され、また酸化膜２５等の表面にはソース電極２７が
形成されている。また、基板２１の表面にはドレイン２
８が形成される。
【００２５】かかる公知の二重拡散構造のＭＯＳ型ＦＥ
Ｔにおいて、オン時にはドレイン・ソース間にチャネル
抵抗ＲCH、接合ピンチ抵抗ＲJFET、エピタキシャル層抵
抗及び基板抵抗Ｒbulkからなるオン抵抗ＲONが生じる。
このオン抵抗ＲONは、ディスクリートデバイスにおいて
は、数ｍΩ〜数Ωという値を示す。
Ｔにおいて、オン時にはドレイン・ソース間にチャネル
抵抗ＲCH、接合ピンチ抵抗ＲJFET、エピタキシャル層抵
抗及び基板抵抗Ｒbulkからなるオン抵抗ＲONが生じる。
このオン抵抗ＲONは、ディスクリートデバイスにおいて
は、数ｍΩ〜数Ωという値を示す。
【００２６】トランジスタＱ１が破壊していない場合
は、上記のオン抵抗ＲONを介して充電電流Ｉchargeが流
れるため、トランジスタＱ１のドレイン・ソース間には
ＲON×Ｉchargeで求められる降下電圧ＶDROPが発生す
る。一方、トランジスタＱ１が短絡破壊した場合は、ト
ランジスタＱ１のドレイン・ソース間抵抗は０となるた
め、上記の降下電圧ＶDROPは殆ど生じない。従って、ト
ランジスタＱ１のドレイン・ソース間の降下電圧ＶDROP
を検出することにより、トランジスタＱ１の破壊の有無
を検知することができる。
は、上記のオン抵抗ＲONを介して充電電流Ｉchargeが流
れるため、トランジスタＱ１のドレイン・ソース間には
ＲON×Ｉchargeで求められる降下電圧ＶDROPが発生す
る。一方、トランジスタＱ１が短絡破壊した場合は、ト
ランジスタＱ１のドレイン・ソース間抵抗は０となるた
め、上記の降下電圧ＶDROPは殆ど生じない。従って、ト
ランジスタＱ１のドレイン・ソース間の降下電圧ＶDROP
を検出することにより、トランジスタＱ１の破壊の有無
を検知することができる。
【００２７】図１に示した実施の形態では、降下電圧Ｖ
DROPとトランジスタＱ１短絡破壊検知用基準電圧ＶREF2
とをウィンドコンパレータ１５１で比較することで、ト
ランジスタＱ１の破壊検知をする。ここで、ウィンドコ
ンパレータ１５１は、図３に示すように、抵抗ＲA及び
ＲBからなる抵抗分圧回路と、コンデンサＣと、コンパ
レータ３１及び３２と、ＯＲ回路３３とからなる。コン
パレータ３１は反転入力端子が基準電圧源１５２の＋端
子に接続され、非反転入力端子が図１のトランジスタＱ
１とＱ２との接続点Ｐに端子３４を介して接続されてい
る。
DROPとトランジスタＱ１短絡破壊検知用基準電圧ＶREF2
とをウィンドコンパレータ１５１で比較することで、ト
ランジスタＱ１の破壊検知をする。ここで、ウィンドコ
ンパレータ１５１は、図３に示すように、抵抗ＲA及び
ＲBからなる抵抗分圧回路と、コンデンサＣと、コンパ
レータ３１及び３２と、ＯＲ回路３３とからなる。コン
パレータ３１は反転入力端子が基準電圧源１５２の＋端
子に接続され、非反転入力端子が図１のトランジスタＱ
１とＱ２との接続点Ｐに端子３４を介して接続されてい
る。
【００２８】また、コンパレータ３２は非反転入力端子
が抵抗ＲA及びＲBとコンデンサＣとの共通接続点に接続
され、反転入力端子が上記の端子３４に接続されてい
る。更に、ＯＲ回路３３はコンパレータ３１及び３２の
両出力信号を論理和演算して、その出力信号を端子３５
を介して充電器１６にウィンドコンパレータ１５１の出
力信号として供給する。
が抵抗ＲA及びＲBとコンデンサＣとの共通接続点に接続
され、反転入力端子が上記の端子３４に接続されてい
る。更に、ＯＲ回路３３はコンパレータ３１及び３２の
両出力信号を論理和演算して、その出力信号を端子３５
を介して充電器１６にウィンドコンパレータ１５１の出
力信号として供給する。
【００２９】このウィンドコンパレータ１５１の動作に
ついて説明するに、トランジスタＱ１の非破壊時（正常
動作時）は、端子３４を介して入力される前記降下電圧
ＶDROPがある値となっており、ＶREF2＞ＶDROPである
が、抵抗ＲA及びＲBからなる抵抗分圧回路で基準電圧Ｖ
REF2を抵抗分圧して得られた電圧ＶREF2’（＝ＶREF2・
ＲB／（ＲA＋ＲB））に対しては、ＶREF2’＜ＶDROPな
る関係にある。なお、上記の抵抗分圧電圧ＶREF2’を便
宜上、短絡破壊検知電圧というものとする。
ついて説明するに、トランジスタＱ１の非破壊時（正常
動作時）は、端子３４を介して入力される前記降下電圧
ＶDROPがある値となっており、ＶREF2＞ＶDROPである
が、抵抗ＲA及びＲBからなる抵抗分圧回路で基準電圧Ｖ
REF2を抵抗分圧して得られた電圧ＶREF2’（＝ＶREF2・
ＲB／（ＲA＋ＲB））に対しては、ＶREF2’＜ＶDROPな
る関係にある。なお、上記の抵抗分圧電圧ＶREF2’を便
宜上、短絡破壊検知電圧というものとする。
【００３０】上記の短絡破壊検知電圧ＶREF2’はコンパ
レータ３２の非反転入力端子に入力され、ここで端子３
４を介して入力された降下電圧ＶDROPと比較されるが、
ＶREF2’＜ＶDROPであるため、コンパレータ３２の出力
信号はロウレベルである。一方、コンパレータ３１に入
力される降下電圧ＶDROPと基準電圧ＶREF2は、ＶREF2＞
ＶDROPなる関係にあるため、コンパレータ３１の出力信
号もロウレベルである。従って、ＯＲ回路３３から端子
３５へ出力される信号はロウレベルである。
レータ３２の非反転入力端子に入力され、ここで端子３
４を介して入力された降下電圧ＶDROPと比較されるが、
ＶREF2’＜ＶDROPであるため、コンパレータ３２の出力
信号はロウレベルである。一方、コンパレータ３１に入
力される降下電圧ＶDROPと基準電圧ＶREF2は、ＶREF2＞
ＶDROPなる関係にあるため、コンパレータ３１の出力信
号もロウレベルである。従って、ＯＲ回路３３から端子
３５へ出力される信号はロウレベルである。
【００３１】これに対し、トランジスタＱ１に短絡破壊
が生じたものとすると、図４（Ｃ）のＱ１にロウレベル
で模式的に示すようにトランジスタＱ１がオフとなり、
オン抵抗ＲONが図４（Ｃ）に示すように０となり、よっ
て端子３４を介して入力される降下電圧ＶDROPも図４
（Ｃ）に示すように、急激に低下してほぼ０となる。こ
のため、Ｑ１の短絡破壊時もＶREF2＞ＶDROPであるが、
図４（Ｃ）に示すように、ＶREF2’＞ＶDROPなる関係と
なるため、コンパレータ３２の出力信号がハイレベルと
なり、よって、ＯＲ回路３３から端子３５へ出力される
ウィンドコンパレータ１５１の出力信号も図４（Ｃ）に
エラーパルスとして示すようにハイレベルとなる。この
ハイレベルのエラーパルスは端子３５を介して充電器１
６に供給され、充電器１６を動作停止状態とする。
が生じたものとすると、図４（Ｃ）のＱ１にロウレベル
で模式的に示すようにトランジスタＱ１がオフとなり、
オン抵抗ＲONが図４（Ｃ）に示すように０となり、よっ
て端子３４を介して入力される降下電圧ＶDROPも図４
（Ｃ）に示すように、急激に低下してほぼ０となる。こ
のため、Ｑ１の短絡破壊時もＶREF2＞ＶDROPであるが、
図４（Ｃ）に示すように、ＶREF2’＞ＶDROPなる関係と
なるため、コンパレータ３２の出力信号がハイレベルと
なり、よって、ＯＲ回路３３から端子３５へ出力される
ウィンドコンパレータ１５１の出力信号も図４（Ｃ）に
エラーパルスとして示すようにハイレベルとなる。この
ハイレベルのエラーパルスは端子３５を介して充電器１
６に供給され、充電器１６を動作停止状態とする。
【００３２】これにより、充電器１６はエラーパルスか
ハイレベルとなった時点から、回路固有の遅延時間（Ｄ
ＥＬＡＹ）遅れて図４（Ｃ）にＢＣＨで示すように、出
力充電電圧を０とし、これによりオン／オフコントロー
ル回路１２４の出力信号も図４（Ｃ）にＣＯＮＴで示す
ように、ロウレベルとなる。以上の動作により、充電ル
ープは開放され、トランジスタＱ１短絡破壊時における
２次電池１１の過電圧充電保護が実現される。
ハイレベルとなった時点から、回路固有の遅延時間（Ｄ
ＥＬＡＹ）遅れて図４（Ｃ）にＢＣＨで示すように、出
力充電電圧を０とし、これによりオン／オフコントロー
ル回路１２４の出力信号も図４（Ｃ）にＣＯＮＴで示す
ように、ロウレベルとなる。以上の動作により、充電ル
ープは開放され、トランジスタＱ１短絡破壊時における
２次電池１１の過電圧充電保護が実現される。
【００３３】（３）過熱検出時の動作 トランジスタＱ１が短絡破壊しているときは、上記の
（２）で説明した動作により２次電池保護が可能である
が、トランジスタＱ１が非破壊で、かつ、著しい温度上
昇が認められる状態においては、上記（２）の方法での
保護は不可能である。従って、過負荷による温度上昇を
検出し、２次電池１１を保護する機能も必要になる。
（２）で説明した動作により２次電池保護が可能である
が、トランジスタＱ１が非破壊で、かつ、著しい温度上
昇が認められる状態においては、上記（２）の方法での
保護は不可能である。従って、過負荷による温度上昇を
検出し、２次電池１１を保護する機能も必要になる。
【００３４】そこで、この実施の形態では、上記の過負
荷による温度上昇に対して２次電池１１を保護するため
に、過熱状態をトランジスタＱ１のオン抵抗検知により
検出する。ＭＯＳ型ＦＥＴのオン抵抗は、温度上昇に伴
い、増加する特性をもっている。また、２次電池１１の
充電は一般に定電流方式で行われるため、温度上昇時に
おいても定常時相当の充電電流Ｉchargeが供給される。
従って、トランジスタＱ１の両端の降下電圧ＶDROPも温
度上昇に依存して増加する。
荷による温度上昇に対して２次電池１１を保護するため
に、過熱状態をトランジスタＱ１のオン抵抗検知により
検出する。ＭＯＳ型ＦＥＴのオン抵抗は、温度上昇に伴
い、増加する特性をもっている。また、２次電池１１の
充電は一般に定電流方式で行われるため、温度上昇時に
おいても定常時相当の充電電流Ｉchargeが供給される。
従って、トランジスタＱ１の両端の降下電圧ＶDROPも温
度上昇に依存して増加する。
【００３５】すなわち、トランジスタＱ１が非破壊で、
かつ、著しい温度上昇が生じた場合は、図４（Ｂ）に示
すように、降下電圧ＶDROPが温度上昇に依存して増加し
て基準電圧ＶREF2より大となる。すると、図３のコンパ
レータ３１の出力信号がハイレベルとなるため、ＯＲ回
路３３から端子３５へ出力されるウィンドコンパレータ
１５１の出力信号も図４（Ｂ）にエラーパルスとして示
すようにハイレベルとなる。このハイレベルのエラーパ
ルスは端子３５を介して充電器１６に供給され、充電器
１６を動作停止状態とする。
かつ、著しい温度上昇が生じた場合は、図４（Ｂ）に示
すように、降下電圧ＶDROPが温度上昇に依存して増加し
て基準電圧ＶREF2より大となる。すると、図３のコンパ
レータ３１の出力信号がハイレベルとなるため、ＯＲ回
路３３から端子３５へ出力されるウィンドコンパレータ
１５１の出力信号も図４（Ｂ）にエラーパルスとして示
すようにハイレベルとなる。このハイレベルのエラーパ
ルスは端子３５を介して充電器１６に供給され、充電器
１６を動作停止状態とする。
【００３６】これにより、充電器１６はエラーパルスか
ハイレベルとなった時点から、回路固有の遅延時間（Ｄ
ＥＬＡＹ）遅れて図４（Ｂ）にＢＣＨで示すように、出
力充電電圧を０とし、これによりオン／オフコントロー
ル回路１２４の出力信号も図４（Ｂ）にＣＯＮＴで示す
ように、ロウレベルとなる。以上の動作により、充電ル
ープは開放される。
ハイレベルとなった時点から、回路固有の遅延時間（Ｄ
ＥＬＡＹ）遅れて図４（Ｂ）にＢＣＨで示すように、出
力充電電圧を０とし、これによりオン／オフコントロー
ル回路１２４の出力信号も図４（Ｂ）にＣＯＮＴで示す
ように、ロウレベルとなる。以上の動作により、充電ル
ープは開放される。
【００３７】充電器１６の動作停止により２次電池１１
の充電が停止されると、充電電流Ｉchargeが図４（Ｂ）
に示すように急激に低下し、それに伴いオン抵抗ＲONも
低下するため、降下電圧ＶDROPが基準電圧ＶREF2より小
となる。すると、図３のコンパレータ３１の出力信号が
コンパレータ３２の出力信号と同様にロウレベルとなる
ため、ＯＲ回路３３から端子３５へ出力されるウィンド
コンパレータ１５１の出力信号も図４（Ｂ）にエラーパ
ルスとして示すようにロウレベルとなる。
の充電が停止されると、充電電流Ｉchargeが図４（Ｂ）
に示すように急激に低下し、それに伴いオン抵抗ＲONも
低下するため、降下電圧ＶDROPが基準電圧ＶREF2より小
となる。すると、図３のコンパレータ３１の出力信号が
コンパレータ３２の出力信号と同様にロウレベルとなる
ため、ＯＲ回路３３から端子３５へ出力されるウィンド
コンパレータ１５１の出力信号も図４（Ｂ）にエラーパ
ルスとして示すようにロウレベルとなる。
【００３８】充電器１６は端子３５を介して入力される
信号がロウレベルとなると、所定時間遅れて動作を開始
し、図４（Ｂ）にＢＣＨで示すように、ハイレベルの電
圧と充電電流Ｉchargeを発生する。この充電再開によ
り、再びトランジスタＱ１が過熱してＶREF2＜ＶDROPと
なると、再び、前記したように充電器１６が動作を停止
される。以下、上記と同様の動作が繰り返される。この
ようにして、トランジスタＱ１過熱時における２次電池
１１の過電圧充電保護が実現される。
信号がロウレベルとなると、所定時間遅れて動作を開始
し、図４（Ｂ）にＢＣＨで示すように、ハイレベルの電
圧と充電電流Ｉchargeを発生する。この充電再開によ
り、再びトランジスタＱ１が過熱してＶREF2＜ＶDROPと
なると、再び、前記したように充電器１６が動作を停止
される。以下、上記と同様の動作が繰り返される。この
ようにして、トランジスタＱ１過熱時における２次電池
１１の過電圧充電保護が実現される。
【００３９】なお、充電用ＭＯＳ型ＦＥＴＱ１がオープ
ン破壊を生じた際も、この動作により検出される。オー
プン破壊では、図１のＰ点の電位が充電器１６からの供
給電圧ＢＣＨに張り付いてしまうため、降下電圧ＶDROP
が基準電圧ＶREF2よりも大きくなる。よって、この場合
もウィンドコンパレータ１５１からはハイレベルのエラ
ーパルスが出力され、充電器１６を強制的に動作停止さ
せる。
ン破壊を生じた際も、この動作により検出される。オー
プン破壊では、図１のＰ点の電位が充電器１６からの供
給電圧ＢＣＨに張り付いてしまうため、降下電圧ＶDROP
が基準電圧ＶREF2よりも大きくなる。よって、この場合
もウィンドコンパレータ１５１からはハイレベルのエラ
ーパルスが出力され、充電器１６を強制的に動作停止さ
せる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
充電用トランジスタの降下電圧をウィンドコンパレータ
によって検出し、降下電圧が所定電圧範囲を越えた時に
充電ループを開放することにより、過電圧充電から２次
電池を保護するようにしたため、温度ヒューズを不要に
できるため、充電用トランジスタの破壊検出機能までの
１チップ化が容易にでき、また、外付け素子を削減で
き、更に基板実装面積を従来よりも小型化でき、またシ
ステムコストダウンを実現できる。
充電用トランジスタの降下電圧をウィンドコンパレータ
によって検出し、降下電圧が所定電圧範囲を越えた時に
充電ループを開放することにより、過電圧充電から２次
電池を保護するようにしたため、温度ヒューズを不要に
できるため、充電用トランジスタの破壊検出機能までの
１チップ化が容易にでき、また、外付け素子を削減で
き、更に基板実装面積を従来よりも小型化でき、またシ
ステムコストダウンを実現できる。
【図１】本発明の一実施の形態の回路構成図である。
【図２】オン抵抗を説明する図である。
【図３】図１中のウィンドコンパレータの一例の回路図
である。
である。
【図４】図１の動作説明用タイミングチャートである。
【図５】従来の一例の回路構成図である。
１１ ２次電池 １４ 交流電源 １５ 過電圧充電保護用集積回路（ＩＣ） １６ 充電器 ３１、３２、１２１ コンパレータ ３３ ＯＲ回路 ３４ 降下電圧入力端子 ３５ エラーパルス出力端子 １２２ 第１の基準電圧源 １２４ オン／オフコントロール回路 １５１ ウィンドコンパレータ １５２ 第２の基準電圧源 １５３ ＡＮＤ回路 Ｑ１ 充電用ＮチャネルＭＯＳ型電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ） Ｑ２ 放電用ＮチャネルＭＯＳ型電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ） ＲA、ＲB 分圧抵抗回路用抵抗 ＲON オン抵抗 ＶDROP Ｑ１の降下電圧 Ｉcharge 充電電流
（ＦＥＴ） Ｑ２ 放電用ＮチャネルＭＯＳ型電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ） ＲA、ＲB 分圧抵抗回路用抵抗 ＲON オン抵抗 ＶDROP Ｑ１の降下電圧 Ｉcharge 充電電流
Claims (6)
- 【請求項１】 ２次電池に対して充電電流及び充電電圧
を供給する、外部信号により動作制御可能な充電器と、 充電時はオンとされて前記充電器からの充電電流及び充
電電圧を前記２次電池に供給する充電ループを形成する
半導体スイッチング素子と、 前記２次電池の充電電圧と第１の基準電圧とを比較し、
該充電電圧が該第１の基準電圧を越えたことを検出した
ときに検出信号を出力して、前記半導体スイッチング素
子をオフに制御する第１の比較手段と、 前記半導体スイッチング素子の降下電圧が所定の電圧範
囲内にあるかどうかを検出し、該降下電圧が該電圧範囲
を越えたときにエラーパルスを出力して、前記充電器の
動作を強制的に停止する第２の比較手段とを有すること
を特徴とする２次電池保護回路。 - 【請求項２】 前記半導体スイッチング素子は電界効果
トランジスタであり、前記第２の比較手段は、該電界効
果トランジスタのドレイン・ソース間のオン抵抗と前記
充電電流とによる降下電圧が前記所定の電圧範囲内にあ
るかどうかを検出することを特徴とする請求項１記載の
２次電池保護回路。 - 【請求項３】 前記第２の比較手段は、第２の基準電圧
を発生する基準電圧源と、該第２の基準電圧と前記降下
電圧とが入力されるウィンドコンパレータにより構成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の２次電池保護
回路。 - 【請求項４】 前記ウィンドコンパレータは、前記第２
の基準電圧を抵抗分圧する抵抗分圧回路と、前記降下電
圧が第１の入力端子に入力され、前記第２の基準電圧が
第２の入力端子に入力される第１のコンパレータと、前
記抵抗分圧回路の出力電圧が第１の入力端子に入力さ
れ、前記降下電圧が第２の入力端子に入力される第２の
コンパレータと、前記第１及び第２のコンパレータの出
力電圧がそれぞれ入力され、前記降下電圧が前記第２の
基準電圧と前記抵抗分圧回路の出力電圧との間の所定の
電圧範囲の外にあるときに所定論理値の前記エラーパル
スを発生する論理回路とよりなることを特徴とする請求
項３記載の２次電池保護回路。 - 【請求項５】 前記所定の電圧範囲は、前記半導体スイ
ッチング素子が非破壊で、かつ、所定値以上の温度で動
作しているときの前記降下電圧付近の第１の値と、前記
半導体スイッチング素子が短絡破壊した時における前記
降下電圧よりも大なる第２の値の範囲であることを特徴
とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の２次電
池保護回路。 - 【請求項６】 前記第１の比較手段と第２の比較手段
は、それぞれ同一の集積回路内に設けられていることを
特徴とする請求項１記載の２次電池保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09285113A JP3080046B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | ２次電池保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09285113A JP3080046B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | ２次電池保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11122838A true JPH11122838A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3080046B2 JP3080046B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=17687292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09285113A Expired - Fee Related JP3080046B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | ２次電池保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3080046B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269645A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2007065362A1 (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Byd Company Limited | Protective circuits for secondary battery packs |
| JP2010178402A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Sharp Corp | 二次電池保護回路 |
| KR101093986B1 (ko) | 2004-09-07 | 2011-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배터리 팩의 보호회로 |
| US8106640B2 (en) | 2008-09-22 | 2012-01-31 | Fujitsu Limited | Power supply control circuit, power supply device, power supply system, and method of controlling power supply control device |
| CN110138056A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-08-16 | 深圳莱福德科技股份有限公司 | 应急电源保护方法和装置 |
| CN110719097A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-21 | 深圳市轩宇车鼎科技有限公司 | 一种开关机电路 |
| CN111790930A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-10-20 | 深圳市俊达通办公智能科技有限公司 | 一种防误触碰开关的电钻 |
| CN114144954A (zh) * | 2020-02-04 | 2022-03-04 | 富士电机株式会社 | 检测电路、开关控制电路、电源电路 |
-
1997
- 1997-10-17 JP JP09285113A patent/JP3080046B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101093986B1 (ko) | 2004-09-07 | 2011-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배터리 팩의 보호회로 |
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| JP2010178402A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Sharp Corp | 二次電池保護回路 |
| JP4659886B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2011-03-30 | シャープ株式会社 | 二次電池保護回路 |
| CN110138056A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-08-16 | 深圳莱福德科技股份有限公司 | 应急电源保护方法和装置 |
| CN110719097A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-21 | 深圳市轩宇车鼎科技有限公司 | 一种开关机电路 |
| CN114144954A (zh) * | 2020-02-04 | 2022-03-04 | 富士电机株式会社 | 检测电路、开关控制电路、电源电路 |
| CN111790930A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-10-20 | 深圳市俊达通办公智能科技有限公司 | 一种防误触碰开关的电钻 |
| CN111790930B (zh) * | 2020-06-23 | 2021-05-18 | 永康市佰力仕电动工具有限公司 | 一种防误触碰开关的电钻 |
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|---|---|
| JP3080046B2 (ja) | 2000-08-21 |
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