JPH11119441A

JPH11119441A - パターン形成方法

Info

Publication number: JPH11119441A
Application number: JP9276003A
Authority: JP
Inventors: Keiji Watabe; 慶二渡部; Ei Yano; 映矢野; Takahisa Namiki; 崇久並木; Koji Nozaki; 耕司野崎; Yoshikazu Igarashi; 美和五十嵐; Keiko Yano; 恵子矢野; Hiroko Kaimoto; 裕子開元; Shigeru Shimizu; 茂清水; Takashi Saito; 隆司斉藤; Masashi Uzawa; 正志鵜澤
Original assignee: Fujitsu Ltd; Nitto Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd; Nitto Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1997-10-08
Filing date: 1997-10-08
Publication date: 1999-04-30

Abstract

(57)【要約】【課題】レジスト膜のチャージアップに起因するゲー
ト絶縁膜等の破壊及びアライメント精度の低下を回避で
きるとともに、工程数が少なく、半導体集積回路の製造
コストを低減できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】微細加工すべき被処理膜１１が形成され
た基板１０上に、露光（又は露光後のベーク）により極
性が変化する有機導電性材料からなる有機導電性膜１２
を形成する。その後、有機導電性膜１２を選択露光し、
必要に応じてベークした後、シリル化処理を施す。次い
で、酸素を含むガスを用いてプラズマエッチングを施
し、有機導電性膜１２のうち表面がシリル化されていな
い部分を除去する。これにより残存した有機導電性膜１
２からなるパターンをエッチングマスクとして、被処理
膜１１をドライエッチングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理物を所望の
パターンにパターニングするパターン形成方法に関し、
特に半導体集積回路の微細なパターンの形成に好適なパ
ターン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣ）の製造には、薄
膜形成技術及び写真蝕刻技術（リソグラフィ）が多用さ
れている。これらの薄膜形成技術及び写真蝕刻技術の進
歩によってトランジスタ等の半導体単位素子はますます
微細化され、ＬＳＩ（Large Scale Integration circui
t ）、ＶＬＳＩ（Very Large Scale Integration circu
it）、ＵＬＳＩ（Ultra Large Scale Integration circ
uit ）のような集積回路が実用化されるようになった。

【０００３】半導体集積回路の配線形成工程において
も、これらの薄膜形成技術及び写真蝕刻技術が使用され
ている。以下、半導体集積回路の配線形成方法について
説明する。まず、所定の素子が形成された半導体基板上
に、導電性材料からなる薄膜を形成する。その後、導電
性薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。

【０００４】次に、所定の配線パターンが描画された露
光マスクを介してフォトレジスト膜を露光し、その後現
像処理することにより、フォトレジスト膜に配線パター
ンを転写する。なお、露光には、可視光線、紫外線、遠
紫外線又はＸ線等が使用される。また、露光マスクを使
用せず、電子線によりレジスト膜に直接パターンを描画
する方法もある。

【０００５】次いで、残存したレジスト膜をエッチング
マスクとして導電性薄膜をエッチングする。その後、レ
ジスト膜を除去する。これにより、半導体集積回路の配
線が完成する。ところで、半導体集積回路においては、
より一層の高集積化、遅延時間の短縮化及び低電力消費
化が要望されており、それに伴って超微細パターンを高
精度で形成する方法やゲート絶縁膜の超薄膜化が検討さ
れている。

【０００６】しかし、現在実用化されているノボラック
レジストや化学増幅レジスト等の単層レジストでは、レ
ジスト材料が絶縁性であるため、ドライエッチング、ア
ッシング又はイオン注入等のプロセスでレジスト膜に照
射された荷電粒子が蓄積されてチャージアップが発生
し、薄いゲート絶縁膜が破壊されることがある。また、
電子線によりレジスト膜を露光する場合は、レジスト膜
がチャージアップして電子線の進行方向が曲げられ、パ
ターンのアライメント精度が低下するといった問題点が
ある。

【０００７】このような問題点を解決すべく、本願発明
者らは、導電性膜を使用した多層レジスト法によりパタ
ーニングする２層レジスト法及び３層レジスト法を提案
した（特開平６−３８１３号、特開平８−１０９３５１
号）。２層レジスト法では、被処理物の上に有機導電性
膜及びＳｉ（シリコン）含有フォトレジスト膜を順次形
成し、フォトレジスト膜を露光及び現像して所定の形状
にパターニングした後、残存したレジスト膜をエッチン
グマスクとしてドライエッチング法により導電性膜をエ
ッチングしてレジスト膜のパターンを導電性膜に転写
し、更に該導電性膜をエッチングマスクとして被処理膜
をエッチングする。また、３層レジスト法では、被処理
膜の上に有機導電性膜、Ｓｉ含有樹脂膜及びフォトレジ
スト膜を順次形成し、フォトレジスト膜を露光及び現像
して所定のパターンにパターニングした後、ドライエッ
チングを施してＳｉ含有樹脂膜にパターンを転写し、更
に導電性膜に転写して、残存した導電性膜をエッチング
マスクとして被処理膜をパターニングするものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た２層レジスト法及び３層レジスト法においては、いず
れも導電性膜をエッチングマスクとして被処理物をエッ
チングするので、チャージアップに起因するゲート絶縁
膜の破壊やアライメント精度の低下を回避する効果があ
るものの、工程数が多くなり、半導体集積回路の製造コ
ストが増大するという欠点がある。

【０００９】本発明の目的は、レジスト膜のチャージア
ップに起因するゲート絶縁膜等の破壊及びアライメント
精度の低下を回避できるとともに、工程数が少なく、半
導体集積回路の製造コストを低減できるパターン形成方
法を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、被処理
物上に、露光により極性が変化する有機導電性材料から
なる有機導電性膜を形成する工程と、前記有機導電性膜
を選択的に露光する工程と、前記有機導電性膜に対しシ
リル化処理を施す工程と、酸素を含むガスを用いてプラ
ズマエッチングを施し、前記有機導電性膜のうち表面が
シリル化されていない部分を除去する工程と、残存した
有機導電性膜をエッチングマスクとして前記被処理物を
エッチングする工程とを有することを特徴とするパター
ン形成方法により解決する。

【００１１】また、上記した課題は、被処理物上に、露
光した後にベークすることにより極性が変化する有機導
電性材料からなる有機導電性膜を形成する工程と、前記
有機導電性膜を選択的に露光する工程と、前記有機導電
性膜をベークする工程と、前記有機導電性膜に対しシリ
ル化処理を施す工程と、酸素を含むガスを用いてプラズ
マエッチングを施し、前記有機導電性膜のうち表面がシ
リル化されていない部分を除去する工程と、残存した有
機導電性膜をエッチングマスクとして前記被処理物をエ
ッチングする工程とを有することを特徴とするパターン
形成方法により解決する。

【００１２】以下、本発明の作用について説明する。本
発明においては、被処理物の上に、露光又は露光後のベ
ークにより表層の極性が変化する有機導電性材料からな
る有機導電性膜を形成する。そして、露光（又は、露光
とその後のベーク）により有機導電性膜の表面の極性
（極性基の有無）を選択的に変化させた後、シリル化処
理を施す。これにより、極性基を有する部分がシリル化
される。

【００１３】その後、前記有機導電性膜に対し、酸素を
含むガスを使用してプラズマエッチングを施す。これに
より、有機導電性膜のうちシリル化されていない部分が
除去されるが、シリル化された部分では表面にＳｉＯ₂
が生成され、その下方の有機導電性膜が残存する。次い
で、この残存した有機導電性膜をエッチングマスクとし
て前記被処理膜をエッチングする。これにより、被処理
膜を所望のパターンにパターニングすることができる。

【００１４】このとき、エッチングマスク（残存した有
機導電性膜）が荷電粒子に照射されても、エッチングマ
スクが導電性であるためチャージアップが回避され、ゲ
ート絶縁膜の破壊及びアライメント精度の低下等のエッ
チングマスクのチャージアップに起因する不具合が回避
される。また、２層レジスト法又は３層レジスト法に比
べて工程数が少なく、製造に要する時間を短縮できると
ともに、半導体集積回路の製造コストの低下を図ること
ができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。図１，図２は本発
明の実施の形態のパターン形成方法を工程順に示す断面
図である。まず、図１（ａ）に示すように、微細加工す
べき被処理膜１１が形成された基板１０上に、有機導電
性膜１２を０．１〜１００μｍの厚さに形成する。

【００１６】この場合に、有機導電性膜１２は、シート
抵抗が１０¹⁰Ω／□以下であることが好ましく、露光又
は露光後のベーク処理により極性が変化する材料からな
るものであることが必要である。このような材料として
は、例えば、スルホン化ポリアニリン構造を有する導電
性樹脂、スルホン化ポリチオフェン構造を含有する導電
性樹脂、テトラシアノキノジメタン錯体構造を有する組
成物を樹脂組成物に混合したものなどがある。

【００１７】また、露光又は露光後のベーク処理による
極性変化を促進するため、又は膜特性を向上させるため
に、感光性の高分子化合物又は低分子化合物を添加して
もよい。この種の添加剤としては、例えば、ノボラック
樹脂類、ヒドロキシスチレン樹脂類、アクリル酸樹脂
類、ビニルアルコール樹脂類及びこれらの極性基に保護
基を導入した樹脂等の高分子化合物、ナフトキノンジア
ジドエステル類、光酸発生剤類、光塩基発生剤類、光分
解型塩基性組成物、メラミン誘導体類、極性基に保護基
を導入した低分子化合物類等を使用することができる。
これらの添加剤は、単独で用いてもよく、必要に応じて
２以上のものを混合して用いてもよい。

【００１８】この場合に、添加剤の添加量は、導電性組
成物として導電性ポリマを用いた場合には、導電性組成
物１００重量部に対し７０重量部以下とすることが好ま
しく、３０重量部以下とすることがより一層好ましい。
また、導電性組成物としてテトラシアノキノジメタン錯
体を用いた場合には、導電性組成物１重量部に対して、
添加剤の添加量は１００重量部以下とすることが好まし
く、５０重量部以下とすることがより一層好ましい。添
加剤の添加量が多すぎると有機導電性膜の導電性が低下
し、チャージアップを防止する効果が損なわれる。

【００１９】次に、図１（ｂ）に示すように、有機導電
性膜を選択的に露光する。このときの光源としては、導
電性組成物の極性変化を促進するものであれば特に限定
されないが、電子線、Ｘ線、収束イオンビーム、ＡｒＦ
エキシマレーザ等の真空紫外線、ＫｒＦエキシマレーザ
等の遠紫外線、ｇ線、ｉ線等の紫外線を使用することが
できる。この露光により、有機導電性膜の表面の光に照
射された部分の極性が変化する。なお、露光後にベーク
することにより、露光された部分の極性が変化する有機
導電性材料により有機導電性膜を形成してもよい。ここ
では、露光された部分の表面に極性基が発生するとす
る。

【００２０】次に、図２（ａ）に示すように、有機導電
性膜１２に対しシリル化処理を施す。このシリル化処理
は、例えば有機導電性膜１２をシリル化剤のベーパーに
晒したり、シリル化剤の溶液中に浸漬することにより行
う。このシリル化処理により、有機導電性膜の表面のう
ち、極性基を有する部分（符号１３で示す）にシリル基
が結合する。なお、ベーパー処理又浸漬処理後に基板を
加熱してもよい。

【００２１】シリル化剤としては、例えば、アリロキシ
トリメチルシラン、１，３−ビス（クロロメチル）テト
ラメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリ
ル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）トリフル
オロアセトアミド、ビス（トリメチルシリル）尿素、ｔ
−ブチルジメチルキロロシラン、２−（ｔ−ブチルジメ
チルシロキシ）ペンタ−２−エン４−オン、Ｎ−（ｔ−
ブチルジメチルシリル）−Ｎ−メチルトリフルオロアセ
トアミド、クロロメチルジメチルクロロシラン、（ジメ
チルアミノ）トリメチルシラン、（Ｎ，Ｎ−ジメチルア
ミノ）ジメチルシラン、ジメチルクロロシラン、ヘプタ
メチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメ
チルジシロキサン、Ｎ−メチル−Ｎ−トリメチルシリル
トリフルオロアセトアミド、ノナメチルトリシラザン、
１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、ヘキサメチ
ルジメチルクロロシラン、トリメチルクロロシラン、ト
リメチルヨードシラン、Ｎ−（トリメチルシリル）アセ
トアミド、トリメチルシリルアジド、トリメチルシリル
シアナニド、Ｎ−（トリメチルシリル）イミダゾール、
Ｏ−（２−トリメチルシリルエチル）ヒドロキシアミン
塩酸塩、３−トリメチルシリル−２−オキサゾリジノ
ン、トリメチルシリストリフルオロメタンスルフォンネ
ート等を使用することができる。

【００２２】次に、図２（ｂ）に示すように、プラズマ
エッチング装置を使用し、基板１０側を負極として、酸
素を含むガスで有機導電性膜１２をプラズマエッチング
する。これにより、シリル化された部分にはＳｉＯ₂１
４が形成され、その下の有機導電性膜１２が保護され
る。一方、シリル化されていない部分の有機導電性膜１
２は酸素プラズマによりエッチング除去される。これに
より、有機導電性膜１２が所望の形状にパターニングさ
れる。

【００２３】次いで、この残存した有機導電性膜１２を
エッチングマスクとして、被処理膜１１をドライエッチ
ングする。その後、有機導電性膜１２を例えば水又は
０．１Ｎアンモニウム・メタノール溶液等で除去する。
これにより、被処理膜１１のパターニングが完成する。
本実施の形態においては、有機導電性膜１２をパターニ
ングし、その有機導電性膜１２をエッチングマスクとし
てその下方の被処理膜１１をエッチングするので、被処
理膜１１をドライエッチングするときにエッチングマス
クに電荷が蓄積されることがなく、エッチングマスクの
チャージアップに起因するゲート絶縁膜の破壊及びアラ
イメント精度の低下が回避され、微細パターンの形成が
可能になる。また、本実施の形態においては、有機導電
性膜の表面を選択露光（又は露光とその後のベーク処
理）し、その後シリル化処理することにより酸素を含む
ガスに対するエッチング選択性を付与するので、工程が
簡単であり、半導体集積回路の製造に要する時間が短縮
されるとともに、製造コストを低減できるという効果が
得られる。

【００２４】なお、上述の実施の形態においては、露光
前には極性基がなく、露光により極性基が発生する有機
導電性膜を用いた場合について説明したが、露光前に極
性基を有し、露光により極性基が消滅する有機導電性膜
を使用してもよい。この場合は、有機導電性膜のうちエ
ッチング除去すべき部分を露光する。以下、本実施の形
態の方法により微細パターンを形成した実験例について
説明する。

【００２５】（実験例１）有機導電性材料として、シク
ロヘキサノン１００重量部に対し、メチルブチルモルホ
リン−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯体を
０．１重量部、ブチルイソキノリン−ＴＣＮＱ錯体を
０．４重量部、メチルαピコリンＴＣＮＱ錯体を０．５
重量部、ターシャリーブトキシカルボニル化ビニルフェ
ノールとターシャリーブチルメタクリレートとの共重合
体を２０重量部、トリフェニルスルフォニウムトリフレ
ートを１重量部添加したものを用意した。

【００２６】なお、メチルブチルモルホリン−テトラシ
アノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯体、ブチルイソキノリ
ン−ＴＣＮＱ錯体、メチルαピコリンＴＣＮＱ錯体は導
電性を有する化合物であり、ターシャリーブトキシカル
ボニル化ビニルフェノールとターシャリーブチルメタク
リレートとの共重合体は膜質を向上させ極性変化機能を
発現させるため、トリフェニルスルファニウムトリフレ
ートは光酸発生剤として、シクロヘキサノンはスピンコ
ートするための溶剤として添加した。

【００２７】そして、シリコンウェハの上に、有機導電
性材料を約２μｍの厚さに塗布し、１００℃の温度で３
分間ベーキングして有機導電性膜とした。その後、この
有機導電性膜に対し、ＫｒＦエキシマレーザを２００ｍ
Ｊ／ｃｍ²の露光量で、０．５μｍのラインアンドスペ
ースのパターンを描くように選択露光した。次に、ウェ
ハを１１０℃の温度で５分間ベークした後、ヘキサメチ
ルジシラザン雰囲気に２分間晒して光に照射された部分
をシリル化した。

【００２８】その後、シリコンウェハを平行平板型ドラ
イエッチング装置内に入れ、ガス圧が２０mTorr 、印加
周波数が１３．５６ＭＨｚ、酸素ガス流量が２０ｓｃｃ
ｍ、ＲＦパワーが０．１６Ｗ／ｃｍ²の条件で酸素プラ
ズマエッチングを行った。この酸素プラズマエッチング
により、有機導電性膜の表面のシリル化された部分にＳ
ｉＯ₂が形成され、このＳｉＯ₂によりその下方の有機
導電性膜が保護されて、シリル化されていない部分の有
機導電性膜のみが除去された。

【００２９】このようにして形成された有機導電性膜の
パターンを走査電子顕微鏡で観察したところ、０．５μ
ｍラインアンドスペースパターンが形成できていること
が確認できた。（実験例２）特開平８−１０９３５号公報に記載した方
法でポリアミノアニソールスルホン酸（重量平均分子量
330000）を合成した。すなわち、３−アミノ−４−メト
キシベンゼンスルホン酸１００mmolを温度が２５℃で濃
度が４mol ／リットルのアンモニア水溶液に攪拌溶解し、ペ
ルオキソ二硫酸アンモニウム１００mmolの水溶液を滴下
した。滴下後、２５℃の温度を維持しつつ、１２時間攪
拌を続けた後、反応生成物を濾別洗浄後乾燥し、ポリア
ミノアニソールスルホン酸の重合体粉末を得た。

【００３０】このようにして合成したポリアミノアニソ
ールスルホン酸５０重量部、ポリビニルアルコール（重
合度500 、ケン化度８９％）５０重量部、光塩基発生剤
２重量部、水１０００重量部、界面活性剤（ポリオキシ
エチレンフェニルエーテル：重合度８）が１０重量部か
らなる優位導電性材料を２μｍの厚さでシリコンウェハ
上に塗布し、１００℃の温度で３分間ベークして有機導
電性膜を形成した。この有機導電性膜にＡｒＦエキシマ
レーザを２００ｍＪ／ｃｍ²の露光量で０．５μｍのラ
インアンドスペースのパターンを描くように選択露光
し、その後１１０℃の温度で２分間ベーキングした。

【００３１】次に、このウェハ上の有機導電性膜をヘキ
サメチルジシラザン雰囲気に２分間晒して光に照射され
ていない部分をシリル化した後、ドライエッチング装置
を用いて、ガス圧２０mTorr 、印加周波数が１３．５６
ＭＨｚ、酸素ガス流量が２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワーが
０．１６Ｗ／ｃｍ²の条件でエッチングして、有機導電
性膜からなるパターンを形成した。

【００３２】このようにして形成された有機導電性膜の
パターンを走査電子顕微鏡で観察したところ、０．５μ
ｍラインアンドスペースパターンが形成できていること
が確認できた。（チャージアップ低減効果）以下、有機導電性膜をエッ
チングマスクとして用いたときのチャージアップ低減効
果を調べた結果について説明する。

【００３３】図３（ａ）は、チャージアップの検査に使
用したウェハを示す上面図、図３（ｂ）は同じくそのウ
ェハに形成された複数のチップのうちの１つを示す断面
図、図３（ｃ）は同じくそのチップの上面図、図３
（ｄ）は電子線露光した領域を示す上面図、図３（ｅ）
は電子線露光後のチップを示す上面図である。ウェハ２
０上にはアルミニウム膜２２が形成されており、各チッ
プ２１の四隅に位置合わせ用のアライメントマーク（段
差）２３が形成されている。なお、各チップ２１のサイ
ズは、いずれも１辺が９．５ｍｍの正方形である。

【００３４】このウェハ２０を使用し、アルミニウム膜
２２上に、前記実験例１で使用したものと同一組成の有
機導電性膜（図示せず）を約２μｍの厚さに形成し、１
００℃の温度で３分間ベークした。その後、電子線露光
装置を用いてアライメントマーク２３を検出し、初期値
とした。次に、チップ２１の中央部（図３（ｄ）中に斜
線で示す部分）を電子線露光した。露光した面積はチッ
プ面積の２０％であり、露光時のビーム電流は４０ｍＡ
／ｃｍ²、加速電圧は３０ｋＶ、露光量は５０μＣ／ｃ
ｍ²である。その後、図３（ｅ）に示すように、再度ア
ライメントマーク２３を検出した。

【００３５】その結果、アライメントマーク２３の検出
位置の初期値とのずれ量は０．０８μｍ以下と小さいも
のであった。一方、同様の方法で通常のＰＭＭＡ（ポリ
メチルメタクリレート）レジストを用いてアライメント
マークの検出位置のずれ量を検出したところ、初期値と
のずれ量は０．３μｍ以上であった。

【００３６】これらの結果から、本発明による電子線の
チャージアップ防止効果が確認できた。なお、上記の実
施の形態においては半導体集積回路の配線を形成する場
合について説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、半導体基板自体の選択エッチングや基板上に
形成された絶縁層の選択エッチングに適用することもで
きる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光により又は露光とその後のベーク処理とにより極性
が変化する有機導電性材料からなる有機導電性膜を形成
し、該有機導電性膜を選択的に露光した後にシリル化処
理を施し、その後酸素を含むプラズマエッチングにより
前記有機導電性膜をエッチングするので、簡単なプロセ
スでチャージアップに起因する種々の障害が防止され、
パターン形成精度が向上する。これにより、半導体集積
回路等の製造に重要な微細加工時の信頼性が大幅に向上
するという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態のパターン形成方法を工程
順に示す断面図（その１）である。

【図２】本発明の実施の形態のパターン形成方法を工程
順に示す断面図（その２）である。

【図３】チャージアップの評価方法を示す図であり、
（ａ）はチャージアップの検査に使用したウェハを示す
上面図、（ｂ）は同じくそのウェハに形成された複数の
チップのうちの１つを示す断面図、（ｃ）は同じくその
チップの上面図、（ｄ）は電子線露光した領域を示す上
面図、（ｅ）は電子線露光後のチップを示す上面図であ
る。

【符号の説明】

１０基板１１被処理膜１２有機導電性膜１３極性基を有する部分１４ＳｉＯ₂ ２０シリコンウェハ２１チップ２２アルミニウム膜２３アライメントマーク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者矢野映神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者並木崇久神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者野崎耕司神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者五十嵐美和神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者矢野恵子神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者開元裕子神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者清水茂神奈川県横浜市鶴見区大黒町10番１号日東化学工業株式会社中央研究所内 (72)発明者斉藤隆司東京都千代田区丸の内１丁目５番１号日東化学工業株式会社内 (72)発明者鵜澤正志神奈川県横浜市鶴見区大黒町10番１号日東化学工業株式会社中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理物上に、露光により極性が変化す
る有機導電性材料からなる有機導電性膜を形成する工程
と、前記有機導電性膜を選択的に露光する工程と、前記有機導電性膜に対しシリル化処理を施す工程と、酸素を含むガスを用いてプラズマエッチングを施し、前
記有機導電性膜のうち表面がシリル化されていない部分
を除去する工程と、残存した有機導電性膜をエッチングマスクとして前記被
処理物をエッチングする工程とを有することを特徴とす
るパターン形成方法。
【請求項２】前記有機導電性材料には、露光により極
性を変化させるための高分子又は低分子組成物が添加さ
れていることを特徴とする請求項１に記載のパターン形
成方法。
【請求項３】被処理物上に、露光した後にベークする
ことにより極性が変化する有機導電性材料からなる有機
導電性膜を形成する工程と、前記有機導電性膜を選択的に露光する工程と、前記有機導電性膜をベークする工程と、前記有機導電性膜に対しシリル化処理を施す工程と、酸素を含むガスを用いてプラズマエッチングを施し、前
記有機導電性膜のうち表面がシリル化されていない部分
を除去する工程と、残存した有機導電性膜をエッチングマスクとして前記被
処理物をエッチングする工程とを有することを特徴とす
るパターン形成方法。
【請求項４】前記有機導電性材料には、露光後のベー
クにより極性を変化させるための高分子又は低分子組成
物が添加されていることを特徴とする請求項３に記載の
パターン形成方法。
【請求項５】前記有機導電性材料は、スルホン化ポリ
アニリン構造を有する導電性樹脂を含有することを特徴
とする請求項１又は３に記載のパターン形成方法。
【請求項６】前記有機導電性材料は、スルホン化ポリ
チオフェン構造を有する導電性樹脂を含有することを特
徴とする請求項１又は３に記載のパターン形成方法。
【請求項７】前記有機導電性材料には、テトラシアノ
キノジメタン錯体及び樹脂組成物を含むことを特徴とす
る請求項１又は３に記載のパターン形成方法。