JPH11117072A - チャンバ内への基板搬入／搬出方法 - Google Patents
チャンバ内への基板搬入／搬出方法Info
- Publication number
- JPH11117072A JPH11117072A JP29336797A JP29336797A JPH11117072A JP H11117072 A JPH11117072 A JP H11117072A JP 29336797 A JP29336797 A JP 29336797A JP 29336797 A JP29336797 A JP 29336797A JP H11117072 A JPH11117072 A JP H11117072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- differential pressure
- reaction
- chamber
- reaction tubes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェーハの反応管１４、１６内への搬入、搬出
時に反応管１４、１６の内外圧力差をなくすことによっ
てパーティクルの発生を防止できるチャンバ内への基板
搬入／搬出方法を提供する。 【解決手段】メインバルブ１０９までの間の排気ポート
３６に差圧計１３１を設置し、反応管１４の外部に差圧
計１３２を設置する。差圧計１３１によって反応管１
４、１６内の圧力を検出し、差圧計１３２によって反応
管１４、１６の外部の圧力を検出する。ウェーハ２０の
処理を減圧化で行った後にＮ2 を反応室１４、１６内に
注入しする。差圧計１３１と差圧計１３２との間に圧力
差がなくなった時点でボートダウンすると反応管１４、
１６の外部の圧力と反応管１４、１６内の圧力が同圧に
なった状態での開口ができ、ボート１８を引き出しても
排気ポート３６からのパーティクルの戻り等が生じるの
を防止することができる。
時に反応管１４、１６の内外圧力差をなくすことによっ
てパーティクルの発生を防止できるチャンバ内への基板
搬入／搬出方法を提供する。 【解決手段】メインバルブ１０９までの間の排気ポート
３６に差圧計１３１を設置し、反応管１４の外部に差圧
計１３２を設置する。差圧計１３１によって反応管１
４、１６内の圧力を検出し、差圧計１３２によって反応
管１４、１６の外部の圧力を検出する。ウェーハ２０の
処理を減圧化で行った後にＮ2 を反応室１４、１６内に
注入しする。差圧計１３１と差圧計１３２との間に圧力
差がなくなった時点でボートダウンすると反応管１４、
１６の外部の圧力と反応管１４、１６内の圧力が同圧に
なった状態での開口ができ、ボート１８を引き出しても
排気ポート３６からのパーティクルの戻り等が生じるの
を防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャンバ内への基
板搬入／搬出方法に関し、特に、減圧下で気相成長を行
う半導体製造装置におけるチャンバ内への基板搬入／搬
出方法に関するものである。
板搬入／搬出方法に関し、特に、減圧下で気相成長を行
う半導体製造装置におけるチャンバ内への基板搬入／搬
出方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の気相成長装置は、例え
ば、図１の様にヒータ１２内部に外部反応管１４、内部
反応管１６を設けこの内部反応管１６内にボート１８を
設置しボート１８にウェーハ２０を装填して、反応ガス
注入ポート３２より反応ガスを流入させ、流入した反応
ガスは内部反応管１６内を上昇させ、その後、内部反応
管１６と外部反応管１４との間の間隙１５を降下させ排
気ポート３６より反応ガスを排出する構造になってい
た。
ば、図１の様にヒータ１２内部に外部反応管１４、内部
反応管１６を設けこの内部反応管１６内にボート１８を
設置しボート１８にウェーハ２０を装填して、反応ガス
注入ポート３２より反応ガスを流入させ、流入した反応
ガスは内部反応管１６内を上昇させ、その後、内部反応
管１６と外部反応管１４との間の間隙１５を降下させ排
気ポート３６より反応ガスを排出する構造になってい
た。
【０００３】ウェーハ２０を出炉する場合は、反応室１
４、１６内を減圧にして、ウェーハ２０の処理（気相成
長）を減圧化で行った後にＮ2 を０．５〜５．０ｌ／ｍ
ｉｎで炉内（反応室１４、１６内）に注入し、徐々に大
気圧に戻す。大気圧を検知するために、大気圧スイッチ
が設けられているが、このスイッチでは厳密な検知が出
来ず、反応室１４、１６内が多少陰圧側若しくは陽圧側
のいずれであってもスイッチ動作してしまう。従って、
使用方法としては確実に陰圧が解除されるようにするた
めに、陽圧側（７６０ｔｏｒｒ以上）で作動するように
セットされていた。大気圧スイッチでは厳密な検知がで
きないために、陰圧側で合わせると陰側へのズレ量によ
っては、ウェーハ脱落による破損やボート他石英部品の
破損も考えられるからである。
４、１６内を減圧にして、ウェーハ２０の処理（気相成
長）を減圧化で行った後にＮ2 を０．５〜５．０ｌ／ｍ
ｉｎで炉内（反応室１４、１６内）に注入し、徐々に大
気圧に戻す。大気圧を検知するために、大気圧スイッチ
が設けられているが、このスイッチでは厳密な検知が出
来ず、反応室１４、１６内が多少陰圧側若しくは陽圧側
のいずれであってもスイッチ動作してしまう。従って、
使用方法としては確実に陰圧が解除されるようにするた
めに、陽圧側（７６０ｔｏｒｒ以上）で作動するように
セットされていた。大気圧スイッチでは厳密な検知がで
きないために、陰圧側で合わせると陰側へのズレ量によ
っては、ウェーハ脱落による破損やボート他石英部品の
破損も考えられるからである。
【０００４】このような理由から、炉内圧力が大気圧セ
ンサーで７６０ｔｏｒｒ以上であることを確認した状態
で出炉を可能としている。又、ウェーハ２０の入炉の場
合は、炉内圧力が７６０ｔｏｒｒ以上であることをセン
サで確認した後にボート入出口をシールしているシャッ
ターが移動し、ボート入出口を開口し、その後ボート１
８を挿入している。
ンサーで７６０ｔｏｒｒ以上であることを確認した状態
で出炉を可能としている。又、ウェーハ２０の入炉の場
合は、炉内圧力が７６０ｔｏｒｒ以上であることをセン
サで確認した後にボート入出口をシールしているシャッ
ターが移動し、ボート入出口を開口し、その後ボート１
８を挿入している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この様にウェーハの２
０入出炉の場合、炉内圧力が７６０ｔｏｒｒ以上であり
さえすれば可能となっており、圧力の上限は設けていな
い。従って、反応炉内と反応炉外との間に差圧がある場
合には排気ポート３６付近に付着している反応生成物４
０が反応管１６内に戻りウェーハ２０に付着してしまう
という問題があった。
０入出炉の場合、炉内圧力が７６０ｔｏｒｒ以上であり
さえすれば可能となっており、圧力の上限は設けていな
い。従って、反応炉内と反応炉外との間に差圧がある場
合には排気ポート３６付近に付着している反応生成物４
０が反応管１６内に戻りウェーハ２０に付着してしまう
という問題があった。
【０００６】従って、本発明の目的は、反応炉内外の差
圧によってパーティクルが発生するという従来技術の問
題点を解決し、ウェーハ入出炉時のパーティクル発生を
無くすことのできるチャンバ内への基板搬入／搬出方法
を提供することにある。
圧によってパーティクルが発生するという従来技術の問
題点を解決し、ウェーハ入出炉時のパーティクル発生を
無くすことのできるチャンバ内への基板搬入／搬出方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、チャン
バ内の圧力を測定可能な第１の差圧計によって検出され
た第１の圧力と、チャンバ外部の圧力を測定可能な第２
の差圧計によって検出された第２の圧力との間に圧力差
がなくなった時点で、前記チャンバを開き、前記チャン
バ内に前記基板を搬入または前記チャンバから前記基板
を搬出することを特徴とするチャンバ内への基板の搬入
／搬出方法が提供される。
バ内の圧力を測定可能な第１の差圧計によって検出され
た第１の圧力と、チャンバ外部の圧力を測定可能な第２
の差圧計によって検出された第２の圧力との間に圧力差
がなくなった時点で、前記チャンバを開き、前記チャン
バ内に前記基板を搬入または前記チャンバから前記基板
を搬出することを特徴とするチャンバ内への基板の搬入
／搬出方法が提供される。
【０００８】このようにすれば、基板をチャンバ内に搬
入し、またチャンバから搬出する際にチャンバの内部の
圧力と外部の圧力との間の差をなくすことができ、その
結果、チャンバ内外の圧力差に起因して排気系等からの
パーティクルの戻り等が生じるのを防止することができ
る。
入し、またチャンバから搬出する際にチャンバの内部の
圧力と外部の圧力との間の差をなくすことができ、その
結果、チャンバ内外の圧力差に起因して排気系等からの
パーティクルの戻り等が生じるのを防止することができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の一実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１０】図１は、本発明の基板搬入／搬出方法が好
適に適用される縦型半導体製造装置の概略断面図であ
り、図２は、本発明の基板搬入／搬出方法が好適に適用
される縦型半導体製造装置の概略配管図である。なお、
図１、図２中、１２はヒータ、１４は外部反応管、１５
は間隙、１６は内部反応管、１８はボート、２０はウェ
ーハ、２２は断熱板、２４は断熱板ホルダー、２６はオ
ーリング上部冷却経路、２８はオーリング下部冷却経
路、３０はインレットフランジ、３２は反応ガス導入ポ
ート、３４はシールキャップ、３６は排気ポート、４０
は反応生成物付着部、５１〜５３はマスフローコントロ
ーラ、６０はフィルタ、７０はニードルバルブ、８０は
ドライポンプ、９１、９２は逆止弁、１００は縦型気相
成長装置、１０１〜１１１はバルブ、１２１〜１２４は
圧力計、１３１、１３２は差圧計をそれぞれ示す。
適に適用される縦型半導体製造装置の概略断面図であ
り、図２は、本発明の基板搬入／搬出方法が好適に適用
される縦型半導体製造装置の概略配管図である。なお、
図１、図２中、１２はヒータ、１４は外部反応管、１５
は間隙、１６は内部反応管、１８はボート、２０はウェ
ーハ、２２は断熱板、２４は断熱板ホルダー、２６はオ
ーリング上部冷却経路、２８はオーリング下部冷却経
路、３０はインレットフランジ、３２は反応ガス導入ポ
ート、３４はシールキャップ、３６は排気ポート、４０
は反応生成物付着部、５１〜５３はマスフローコントロ
ーラ、６０はフィルタ、７０はニードルバルブ、８０は
ドライポンプ、９１、９２は逆止弁、１００は縦型気相
成長装置、１０１〜１１１はバルブ、１２１〜１２４は
圧力計、１３１、１３２は差圧計をそれぞれ示す。
【００１１】本実施の形態においては、メインバルブ１
０９までの間の排気ポート３６に差圧計１３１を設置
し、反応管１４の外部の筺体内にも差圧計１３２を設置
する。差圧計１３１によって反応管１４、１６内の圧力
を検出し、差圧計１３２によって反応管１４、１６の外
部の筺体内の圧力（本実施の形態では大気圧）を検出す
る。
０９までの間の排気ポート３６に差圧計１３１を設置
し、反応管１４の外部の筺体内にも差圧計１３２を設置
する。差圧計１３１によって反応管１４、１６内の圧力
を検出し、差圧計１３２によって反応管１４、１６の外
部の筺体内の圧力（本実施の形態では大気圧）を検出す
る。
【００１２】ウェーハ２０を出炉する場合は、反応室１
４、１６内を減圧にして、ウェーハ２０の処理（気相成
長）を減圧化で行った後にＮ2 を炉内（反応室１４、１
６内）に注入し、徐々に大気圧に戻す。
４、１６内を減圧にして、ウェーハ２０の処理（気相成
長）を減圧化で行った後にＮ2 を炉内（反応室１４、１
６内）に注入し、徐々に大気圧に戻す。
【００１３】そして、差圧計１３１と差圧計１３２との
間に圧力差がなくなった時点でボートダウンすると反応
管１４、１６の外部の筺体内の圧力（本実施の形態では
大気圧）と反応管１４、１６内の圧力が同圧になった状
態での開口ができ、ボート１８を引き出しても排気ポー
ト３６からのパーティクルの戻り等が生じるのを防止す
ることができる。
間に圧力差がなくなった時点でボートダウンすると反応
管１４、１６の外部の筺体内の圧力（本実施の形態では
大気圧）と反応管１４、１６内の圧力が同圧になった状
態での開口ができ、ボート１８を引き出しても排気ポー
ト３６からのパーティクルの戻り等が生じるのを防止す
ることができる。
【００１４】また、ウェーハ２０の入炉の場合は、出炉
の際と同様にして反応管１４、１６の外部の筺体内の圧
力と反応管１４、１６内の圧力が同圧になった時点でボ
ート入出口をシールしているシャッターを移動し、ボー
ト入出口を開口し、その後ボート１８を挿入する。
の際と同様にして反応管１４、１６の外部の筺体内の圧
力と反応管１４、１６内の圧力が同圧になった時点でボ
ート入出口をシールしているシャッターを移動し、ボー
ト入出口を開口し、その後ボート１８を挿入する。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、基板をチャンバ内に搬
入し、またチャンバから搬出する際にチャンバの内部の
圧力と外部の圧力の差をなくすことができ、その結果、
チャンバ内外の圧力差からパーティクルが発生するのを
防止できる。
入し、またチャンバから搬出する際にチャンバの内部の
圧力と外部の圧力の差をなくすことができ、その結果、
チャンバ内外の圧力差からパーティクルが発生するのを
防止できる。
【図１】本発明の基板搬入／搬出方法が好適に適用され
る縦型気相成長装置の概略断面図である。
る縦型気相成長装置の概略断面図である。
【図２】本発明の基板搬入／搬出方法が好適に適用され
る縦型気相成長装置の概略配管図である。
る縦型気相成長装置の概略配管図である。
１２…ヒータ １４…外部反応管 １５…間隙 １６…内部反応管 １８…ボート ２０…ウェーハ ２６…オーリング上部冷却経路 ２８…オーリング下部冷却経路 ３０…インレットフランジ ３２…反応ガス導入ポート ３４…シールキャップ ３６…排気ポート ４０…反応生成物付着部 １００…縦型気相成長装置 １０１〜１１１…バルブ １２１〜１２４…圧力計 １３１、１３２…差圧計
Claims (1)
- 【請求項１】チャンバ内の圧力を測定可能な第１の差圧
計によって検出された第１の圧力と、チャンバ外部の圧
力を測定可能な第２の差圧計によって検出された第２の
圧力との間に圧力差がなくなった時点で、前記チャンバ
を開き、前記チャンバ内に前記基板を搬入または前記チ
ャンバから前記基板を搬出することを特徴とするチャン
バ内への基板の搬入／搬出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29336797A JPH11117072A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | チャンバ内への基板搬入／搬出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29336797A JPH11117072A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | チャンバ内への基板搬入／搬出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11117072A true JPH11117072A (ja) | 1999-04-27 |
Family
ID=17793872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29336797A Withdrawn JPH11117072A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | チャンバ内への基板搬入／搬出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11117072A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6611128B2 (en) * | 2001-09-14 | 2003-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Device for detecting a battery condition |
-
1997
- 1997-10-09 JP JP29336797A patent/JPH11117072A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6611128B2 (en) * | 2001-09-14 | 2003-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Device for detecting a battery condition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11453946B2 (en) | Gas-phase reactor system including a gas detector | |
| JP3186262B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5365772A (en) | Leak detection in a reduced pressure processing apparatus | |
| KR100745372B1 (ko) | 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치 및 그 방법 | |
| US7165443B2 (en) | Vacuum leakage detecting device for use in semiconductor manufacturing system | |
| US5445521A (en) | Heat treating method and device | |
| JPH11117072A (ja) | チャンバ内への基板搬入／搬出方法 | |
| JP3305817B2 (ja) | 半導体製造装置及びウェーハ処理方法 | |
| JPH11117073A (ja) | チャンバ内への基板搬入／搬出方法 | |
| KR20060134465A (ko) | 저압 화학기상 증착설비의 배기장치 | |
| JP2520592Y2 (ja) | 減圧排気装置 | |
| KR0166855B1 (ko) | 웨이퍼의 보호막 도포장비 | |
| JP4304354B2 (ja) | 半導体装置の処理方法 | |
| KR0122609Y1 (ko) | 반도체 제조용 로드락챔버의 대기압일치장치 | |
| TW202409342A (zh) | 氣相反應器系統 | |
| KR100808372B1 (ko) | 화학기상증착장치의 진공 시스템 및 이의 제어 방법 | |
| KR0122311Y1 (ko) | 반도체 제조용 챔버의 압력감지장치 | |
| JPH10163291A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR0156320B1 (ko) | 반도체 저압 화학기상증착 방법 | |
| KR20070028057A (ko) | 반도체 제조 공정용 진공 처리 장치 | |
| JPH06349759A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS62152529A (ja) | 処理装置 | |
| KR200222595Y1 (ko) | 저압기상증착장비의반응관내대기압조성장치 | |
| KR19990012513U (ko) | 반도체 제조용 저압화학 기상증착장치 | |
| KR100932118B1 (ko) | 반도체 제조설비의 진공 시스템 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |