JPH11112328A - Low-consumption logic circuit - Google Patents

Low-consumption logic circuit

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JPH11112328A
JPH11112328A JP9271774A JP27177497A JPH11112328A JP H11112328 A JPH11112328 A JP H11112328A JP 9271774 A JP9271774 A JP 9271774A JP 27177497 A JP27177497 A JP 27177497A JP H11112328 A JPH11112328 A JP H11112328A
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JP
Japan
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transistor
control signal
transmission gate
gate
turned
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Application number
JP9271774A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Tatsumi
▲隆▼ 辰巳
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a subthreshold current which flows when a transistor is off by connecting a transistor which turns on and off according to a control signal controlling the on/off state of a transmission gate between one end of an inverter whose another end is connected to a power source and the ground. SOLUTION: A transistor M3 which inputs a control signal CNT at its gate is connected to the source terminal of a transistor M4 as a driver constituting the inverter 10 inverting and outputting a clock CLK. The subthreshold current which flows when the transistor M4 turns off is reducible by turning off the transistor M3, so that the power consumption can be reduced. Further, the clock CLK having passed through the transmission gate M1 which turns on when the control signal CNT is 'H' only passes through one gate stage of the transistor M4 or M5 and then a signal CLKA as its inverted signal can be outputted fast.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、制御信号が有効
なときだけクロックを出力するCMOS(Comple
mentary Metal Oxide Semic
onductor)トランジスタにより構成されたゲー
テッドクロック回路による低消費論理回路に係わり、特
に高速かつ低消費電力で半導体集積回路などに用いて好
適な低消費論理回路に関するものである。
The present invention relates to a CMOS (Complete) that outputs a clock only when a control signal is valid.
mentary Metal Oxide Semiic
The present invention relates to a low-consumption logic circuit based on a gated clock circuit constituted by transistors, and particularly relates to a low-consumption logic circuit suitable for use in a semiconductor integrated circuit at high speed and low power consumption.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は従来の低消費論理回路の構成を示
す回路図であり、図において、1は制御信号CNTとク
ロックCLKとが入力され、制御信号CNT及びクロッ
クCLKの論理積演算を行い、この演算結果を反転して
出力するナンド回路、2はナンド回路1の出力信号を反
転して出力するインバータ、3はインバータ2の出力信
号を反転し、この反転された信号CLKAを出力するイ
ンバータである。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional low-consumption logic circuit. In FIG. 5, reference numeral 1 denotes a control signal CNT and a clock CLK which are input, and performs a logical product operation of the control signal CNT and the clock CLK. The NAND circuit 2 inverts the result of the operation and outputs the inverted signal, the inverter 2 inverts the output signal of the NAND circuit 1 and outputs the inverted signal, and the inverter 3 inverts the output signal of the inverter 2 and outputs the inverted signal CLKA. It is an inverter.

【0003】次に動作について説明する。ここで、図6
はこの従来例における低消費論理回路の動作を説明する
タイムチャートである。
Next, the operation will be described. Here, FIG.
Is a time chart for explaining the operation of the conventional low-consumption logic circuit.

【0004】この低消費論理回路は、例えば時刻t1〜
t2間に示すように、制御信号CNTが「H」レベルの
時のみ、クロックCLKを反転した信号CLKAをイン
バータ3から出力する。従って、時刻t1以前及び時刻
t2以降においては、制御信号CNTが「L」レベルな
ので信号CLKAが「H」の状態となる。
[0004] This low-consumption logic circuit operates, for example, from time t1 to time t1.
As shown during t2, the inverter 3 outputs the inverted signal CLKA of the clock CLK only when the control signal CNT is at "H" level. Therefore, before the time t1 and after the time t2, since the control signal CNT is at the “L” level, the signal CLKA is in the “H” state.

【0005】この種の他の従来例として例えば特開昭6
2−154915号公報に示された半導体集積回路装置
がある。これは、CMOS入出力回路のソース側にトラ
ンジスタを追加し、制御信号により信号出力を制御し、
出力を中間電位にしないことで、入力側のトランジスタ
の貫通電流をなくすように構成したものである。
Another conventional example of this kind is disclosed in, for example,
There is a semiconductor integrated circuit device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-154915. That is, a transistor is added to the source side of the CMOS input / output circuit, and the signal output is controlled by a control signal.
By not setting the output to the intermediate potential, the through current of the transistor on the input side is eliminated.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の低消費論理回路
は以上のように構成されているので、クロックCLKの
反転信号である信号CLKAを出力していない期間、つ
まり制御信号CNTが「L」の期間にインバータ3のN
chトランジスタはオフしているが、このオフ時にサブ
スレッショルド電流(リーク電流)が流れることから完
全にはオフしておらず、また、これをナンド回路1及び
インバータ2と比較すると、ナンド回路1及びインバー
タ2のトランジスタにもリーク電流は流れるものの、一
般的な構成として最出力側のインバータ3のトランジス
タが大きいため、インバータ3の方がオフ時に流れる電
流量が多く、これによってインバータ3のトランジスタ
がオフしている時の消費電力が大きくなるなどの課題が
あった。
Since the conventional low-consumption logic circuit is configured as described above, the period in which the signal CLKA which is the inverted signal of the clock CLK is not output, that is, the control signal CNT is "L". During the period of N
Although the channel transistor is turned off, it is not completely turned off because a subthreshold current (leakage current) flows at the time of turning off. When this is compared with the NAND circuit 1 and the inverter 2, Although the leak current also flows through the transistor of the inverter 2, since the transistor of the inverter 3 on the most output side is large as a general configuration, the amount of current flowing when the inverter 3 is turned off is larger. However, there is a problem that power consumption during operation is increased.

【0007】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、信号入出力用のインバータを構成
するトランジスタのオフ時に流れるサブスレッショルド
電流を低減し、これによってトランジスタの消費電力を
低減することができる低消費論理回路を得ることを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and reduces a subthreshold current flowing when a transistor constituting a signal input / output inverter is off, thereby reducing power consumption of the transistor. It is an object of the present invention to obtain a low power consumption logic circuit.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明に係る低消費論
理回路は、トランスミッションゲートを通過した入力信
号を反転して出力し、一端が電源に接続されたインバー
タの他端と、グランドとの間に、トランスミッションゲ
ートのオン/オフを制御する第1制御信号に応じてオン
/オフする第1トランジスタを接続したものである。
SUMMARY OF THE INVENTION A low consumption logic circuit according to the present invention inverts an input signal passed through a transmission gate and outputs the inverted signal, and connects between the other end of the inverter, one end of which is connected to a power supply, and ground. And a first transistor that is turned on / off in response to a first control signal that controls on / off of the transmission gate.

【0009】この発明に係る低消費論理回路は、インバ
ータの他端とグランドとの間に、トランスミッションゲ
ートを通過した入力信号に応じてオン/オフする第2ト
ランジスタを接続したものである。
The low power consumption logic circuit according to the present invention has a second transistor connected between the other end of the inverter and the ground, which is turned on / off in response to an input signal passing through the transmission gate.

【0010】この発明に係る低消費論理回路は、インバ
ータとグランドとの間に、トランスミッションゲートに
より入力信号が遮断されている場合に、第2制御信号に
よりオフとされる第3トランジスタを接続したものであ
る。
A low-consumption logic circuit according to the present invention has a third transistor connected between an inverter and a ground, which is turned off by a second control signal when an input signal is cut off by a transmission gate. It is.

【0011】この発明に係る低消費論理回路は、第1制
御信号がトランスミッションゲートを遮断状態とするレ
ベルと、トランスミッションゲートを通過した入力信号
が第2トランジスタをオフとするレベルと、第2制御信
号が第3トランジスタをオフとするレベルとを0Vとし
たものである。
The low power consumption logic circuit according to the present invention is characterized in that the first control signal has a level that turns off the transmission gate, an input signal that has passed through the transmission gate turns off the second transistor, and a second control signal. Indicates that the level at which the third transistor is turned off is 0V.

【0012】この発明に係る低消費論理回路は、第3ト
ランジスタをオフとする第2制御信号のレベルを負電圧
としたものである。
In the low power consumption logic circuit according to the present invention, the level of the second control signal for turning off the third transistor is a negative voltage.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による低
消費論理回路の構成を示す回路図である。図1におい
て、M1は制御信号(第1制御信号)CNTが、N型ト
ランジスタのゲート端子G1に供給されると共に、イン
バータ5を介してP型トランジスタのゲート端子G2に
供給され、この供給された制御信号CNTが「H」レベ
ルの時にクロック(入力信号)CLKを通過させ、
「L」レベルの時にクロックCLKを遮断するトランス
ミッションゲート、M2は制御信号CNTがインバータ
5を介してゲート端子に供給され、ドレイン端子がトラ
ンスミッションゲートM1の出力端子とN型のトランジ
スタM4及びP型のトランジスタM5のゲート端子とに
接続され、ソース端子が接地されたN型のトランジスタ
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a low-consumption logic circuit according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, M1 is supplied with a control signal (first control signal) CNT supplied to a gate terminal G1 of an N-type transistor and supplied to a gate terminal G2 of a P-type transistor via an inverter 5 and supplied thereto. When the control signal CNT is at “H” level, the clock (input signal) CLK is passed,
A transmission gate M2 which cuts off the clock CLK when the signal is at the "L" level. The control signal CNT is supplied to the gate terminal of the transmission gate M1 via the inverter 5, and the drain terminal is connected to the output terminal of the transmission gate M1, the N-type transistor M4 and the P-type An N-type transistor connected to the gate terminal of the transistor M5 and having the source terminal grounded.

【0014】M3は制御信号CNTがゲート端子に供給
され、ドレイン端子がトランジスタM4のソース端子に
接続され、ソース端子が接地されたN型のトランジスタ
(第1トランジスタ)、M4はそのゲート端子がトラン
ジスタM5のゲート端子、トランスミッションゲートM
1の出力端子及びトランジスタM2のドレイン端子に接
続され、ドレイン端子がトランジスタM5のドレイン端
子に接続されたN型のトランジスタ、M5はそのソース
端子が電源に接続されたP型のトランジスタ、10はト
ランジスタM4,M5により構成され、トランジスタM
4,M5の互いに接続されたゲート端子に供給される信
号を反転し、この反転信号を互いに接続されたドレイン
端子から信号CLKAとして出力するインバータであ
る。
M3 is an N-type transistor (first transistor) in which the control signal CNT is supplied to the gate terminal, the drain terminal is connected to the source terminal of the transistor M4, and the source terminal is grounded. Gate terminal of M5, transmission gate M
1, an N-type transistor whose drain terminal is connected to the drain terminal of the transistor M5, M5 is a P-type transistor whose source terminal is connected to a power supply, and 10 is a transistor M4, M5 and the transistor M
4 and M5 are inverters that invert the signal supplied to the mutually connected gate terminals and output the inverted signal as a signal CLKA from the mutually connected drain terminals.

【0015】即ち、この実施の形態1の特徴は、トラン
スミッションゲートM1を通過したクロックCLKを反
転出力するためのインバータ10を構成するドライバの
トランジスタM4のソース端子に、トランスミッション
ゲートM1の制御信号CNTをゲート入力とするトラン
ジスタM3を接続して構成した点にある。但し、クロッ
クCLKは、「L」と「H」とが交互に変化する入力信
号であれば、一定周期で変化しなくともよい。また上記
の「L」は0V、「H」はトランスミッションゲートM
1及びトランジスタM2〜M5を作動させるための電位
であるとする。
That is, the feature of the first embodiment is that the control signal CNT of the transmission gate M1 is supplied to the source terminal of the transistor M4 of the driver constituting the inverter 10 for inverting and outputting the clock CLK passed through the transmission gate M1. The point is that the transistor M3 serving as a gate input is connected to be configured. However, the clock CLK does not need to change at a constant cycle as long as the input signal changes between “L” and “H” alternately. The above “L” is 0 V, and “H” is the transmission gate M
1 and the potential for operating the transistors M2 to M5.

【0016】次に動作について説明する。但し、図1に
示す実施の形態1の回路は、図5に示した従来例の回路
と同様の動作を行うので、従来例で用いた図6のタイム
チャートを参照して動作説明を行う。
Next, the operation will be described. However, since the circuit of the first embodiment shown in FIG. 1 performs the same operation as the circuit of the conventional example shown in FIG. 5, the operation will be described with reference to the time chart of FIG. 6 used in the conventional example.

【0017】時刻t1以前又はt2以降に示すように、
制御信号CNTが「L」の場合は、トランスミッション
ゲートM1がオフし、トランジスタM2がオンし、Sで
示すノードが「L」となるので、トランジスタM5がオ
ン状態、トランジスタM4がオフ状態となり、これによ
って出力信号CLKAが「H」となる。またトランジス
タM3は制御信号CNTが「L」なのでオフ状態となっ
ている。
As shown before time t1 or after time t2,
When the control signal CNT is "L", the transmission gate M1 is turned off, the transistor M2 is turned on, and the node indicated by S becomes "L", so that the transistor M5 is turned on and the transistor M4 is turned off. Accordingly, the output signal CLKA becomes “H”. Further, the transistor M3 is in an off state because the control signal CNT is “L”.

【0018】この時、矢印A方向に流れるトランジスタ
M3のドレイン・ソース間リーク電流によって、トラン
ジスタM4のTで示すノード部分のソース電圧が上昇す
る。この上昇した電圧を+V1「V」とすると、この
時、トランジスタM4のゲート電圧は0「V」なので、
ゲート・ソース間の電圧が−V1「V」で逆バイアスさ
れることになる。この逆バイアスによって、トランジス
タM4のしきい値電圧が、従来のようにトランジスタM
4のソース端子が直接接地されている場合にゲート・ソ
ース間の電圧が0「V」の場合のしきい値電圧よりも、
上昇する。このしきい値電圧が上昇した状態は、他に言
い換えれば、トランジスタM4の空乏層が広がり電流の
通路が狭まった状態である。
At this time, the source voltage at the node indicated by T of the transistor M4 increases due to the drain-source leakage current of the transistor M3 flowing in the direction of arrow A. Assuming that the increased voltage is + V1 “V”, at this time, the gate voltage of the transistor M4 is 0 “V”.
The voltage between the gate and the source is reverse-biased at -V1 "V". This reverse bias raises the threshold voltage of transistor M4 to
4 when the source terminal is directly grounded, the threshold voltage is lower than the threshold voltage when the voltage between the gate and the source is 0 “V”.
Rise. In other words, the state in which the threshold voltage has increased is a state in which the depletion layer of the transistor M4 has expanded and the current path has narrowed.

【0019】従って、このようにしきい値電圧が上昇す
ると、矢印A方向に流れるサブスレッショルド電流I
は、上記した従来のゲート・ソース間の電圧が0「V」
の場合に流れるサブスレッショルド電流Iよりも減少す
る。このことから、トランジスタM3を接続した場合、
トランジスタM4がオフ時に流れる電流量が従来よりも
低減していることが分かる。
Therefore, when the threshold voltage rises in this manner, the sub-threshold current I flowing in the direction of arrow A is
Means that the above-described conventional gate-source voltage is 0 V
In this case, the sub-threshold current I flowing is reduced. From this, when the transistor M3 is connected,
It can be seen that the amount of current flowing when the transistor M4 is off is smaller than in the conventional case.

【0020】一方、図6に示す時刻t1とt2間に示す
ように、制御信号CNTが「H」の場合は、トランスミ
ッションゲートM1がオン、トランジスタM2がオフす
るので、ノードSにクロックCLKが伝わり、また、ト
ランジスタM3がオンとなっているので、トランジスタ
M4及びM5によってクロックCLKが反転され、これ
が信号CLKAとして出力される。
On the other hand, as shown between times t1 and t2 in FIG. 6, when the control signal CNT is "H", the transmission gate M1 is turned on and the transistor M2 is turned off, so that the clock CLK is transmitted to the node S. Since the transistor M3 is turned on, the clock CLK is inverted by the transistors M4 and M5, and is output as the signal CLKA.

【0021】即ち、制御信号CNTが「H」の時は、ト
ランスミッションゲートM1がオンしているので、この
トランスミッションゲートM1を通過したクロックCL
Kが、トランジスタM4またはM5のゲート1段を通過
するだけで、その反転信号である信号CLKAを出力す
ることができ、これによってクロックCLKを反転した
信号CLKAを高速に出力することができる。
That is, when the control signal CNT is "H", the transmission gate M1 is on, and the clock CL passing through the transmission gate M1 is turned on.
Only when K passes through one gate of the transistor M4 or M5, the inverted signal CLKA can be output, and the inverted signal CLKA can be output at a high speed.

【0022】以上のように、この実施の形態1によれ
ば、クロックCLKを反転出力するためのインバータ1
0を構成するドライバとなるトランジスタM4のソース
端子に、制御信号CNTをゲート入力とするトランジス
タM3を接続して構成したので、特別な回路を用いるこ
となくトランジスタM3をオフさせることにより、トラ
ンジスタM4がオフしている場合に流れるサブスレッシ
ョルド電流を低減することができ、これによって消費電
力を低減することができる効果が得られる。
As described above, according to the first embodiment, the inverter 1 for inverting and outputting the clock CLK is output.
Since the transistor M3 having the control signal CNT as a gate input is connected to the source terminal of the transistor M4 serving as a driver constituting the driver 0, the transistor M3 is turned off without using a special circuit. The sub-threshold current flowing when the switch is off can be reduced, thereby obtaining an effect of reducing power consumption.

【0023】また、制御信号CNTが「H」の時にオン
状態となるトランスミッションゲートM1を通過したク
ロックCLKが、トランジスタM4またはM5のゲート
1段を通過するだけで、その反転信号である信号CLK
Aを出力することができるように構成したので、これに
よってクロックCLKを反転した信号CLKAを高速に
出力することができる効果が得られる。
When the control signal CNT is "H", the clock CLK passing through the transmission gate M1 which is turned on only passes through one gate of the transistor M4 or M5, and the inverted signal CLK is obtained.
Since the configuration is such that A can be output, it is possible to obtain an effect that a signal CLKA obtained by inverting the clock CLK can be output at high speed.

【0024】実施の形態2.図2はこの発明の実施の形
態2による低消費論理回路の構成を示す回路図である。
但し、この図2において図1に示した実施の形態1の各
部に対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略
する。図2において、M6はそのゲート端子が、トラン
スミッションゲートM1の出力端子に接続され、ドレイ
ン端子がトランジスタM4のソース端子に接続され、ソ
ース端子が接地されたトランジスタ(第2トランジス
タ)である。
Embodiment 2 FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a low power consumption logic circuit according to a second embodiment of the present invention.
However, in FIG. 2, portions corresponding to the respective portions of the first embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In FIG. 2, M6 is a transistor (second transistor) whose gate terminal is connected to the output terminal of the transmission gate M1, whose drain terminal is connected to the source terminal of the transistor M4, and whose source terminal is grounded.

【0025】次に動作について説明する。但し、図2に
示す実施の形態2の回路は、図5に示した従来例の回路
と同様の動作を行うので、従来例で用いた図6のタイム
チャートを参照して動作説明を行う。
Next, the operation will be described. However, since the circuit of the second embodiment shown in FIG. 2 performs the same operation as the circuit of the conventional example shown in FIG. 5, the operation will be described with reference to the time chart of FIG. 6 used in the conventional example.

【0026】時刻t1以前又はt2以降に示すように、
制御信号CNTが「L」の場合は、トランスミッション
ゲートM1がオフし、トランジスタM2がオンし、Sで
示すノードが「L」となるので、トランジスタM5がオ
ン状態、トランジスタM4及びM6がオフ状態となり、
これによって出力信号CLKAが「H」となる。
As shown before time t1 or after time t2,
When the control signal CNT is “L”, the transmission gate M1 is turned off, the transistor M2 is turned on, and the node indicated by S becomes “L”, so that the transistor M5 is turned on, and the transistors M4 and M6 are turned off. ,
As a result, the output signal CLKA becomes “H”.

【0027】この時、矢印A方向に流れるトランジスタ
M6のドレイン・ソース間リーク電流によって、トラン
ジスタM4のTで示すノード部分のソース電圧が上昇す
る。この上昇した電圧を+V2「V」とすると、この
時、トランジスタM4のゲート電圧は0「V」なので、
ゲート・ソース間の電圧が−V2「V」で逆バイアスさ
れることになる。この逆バイアスによって、トランジス
タM4のしきい値電圧が上昇する。
At this time, the source voltage of the transistor M4 at the node indicated by T rises due to the drain-source leakage current of the transistor M6 flowing in the direction of arrow A. Assuming that the increased voltage is + V2 “V”, at this time, the gate voltage of the transistor M4 is 0 “V”.
The voltage between the gate and the source will be reverse-biased at -V2 "V". This reverse bias increases the threshold voltage of the transistor M4.

【0028】このようにしきい値電圧が上昇すると、矢
印A方向に流れるサブスレッショルド電流Iが、実施の
形態1で説明したように、従来のゲート・ソース間の電
圧が0「V」の場合に流れるサブスレッショルド電流I
よりも減少する。このことから、トランジスタM6を接
続した場合、トランジスタM4がオフ時に流れる電流量
が従来よりも低減していることが分かる。
As described above, when the threshold voltage increases, the subthreshold current I flowing in the direction of arrow A is reduced when the conventional gate-source voltage is 0 V, as described in the first embodiment. Sub-threshold current I flowing
Less than. This indicates that when the transistor M6 is connected, the amount of current flowing when the transistor M4 is turned off is smaller than that in the related art.

【0029】一方、図6に示す時刻t1とt2間に示す
ように、制御信号CNTが「H」の場合は、トランスミ
ッションゲートM1がオン、トランジスタM2がオフす
るので、ノードSにクロックCLKが伝わり、また、ト
ランジスタM6がトランジスタM4と同じオン/オフ動
作を行うので、トランジスタM4及びM5によってクロ
ックCLKが反転され、これが信号CLKAとして出力
される。
On the other hand, as shown between time t1 and time t2 in FIG. 6, when the control signal CNT is "H", the transmission gate M1 is turned on and the transistor M2 is turned off, so that the clock CLK is transmitted to the node S. Further, since the transistor M6 performs the same on / off operation as the transistor M4, the clock CLK is inverted by the transistors M4 and M5, and this is output as the signal CLKA.

【0030】即ち、制御信号CNTが「H」の時は、ト
ランスミッションゲートM1がオンしているので、この
トランスミッションゲートM1を通過したクロックCL
Kが、トランジスタM4またはM5のゲート1段を通過
するだけで、その反転信号である信号CLKAを出力す
ることができ、これによってクロックCLKを反転した
信号CLKAを高速に出力することができる。
That is, when the control signal CNT is "H", the transmission gate M1 is on, and the clock CL passing through the transmission gate M1 is turned on.
Only when K passes through one gate of the transistor M4 or M5, the inverted signal CLKA can be output, and the inverted signal CLKA can be output at a high speed.

【0031】以上のように、この実施の形態2によれ
ば、クロックCLKを反転出力するためのインバータ1
0を構成するドライバとなるトランジスタM4のソース
端子に、そのトランジスタM4のゲート入力信号と同じ
信号をゲート入力とするトランジスタM6を接続して構
成したので、特別な回路を用いることなくトランジスタ
M6をオフさせることにより、トランジスタM4がオフ
している場合に流れるサブスレッショルド電流を低減す
ることができ、これによって消費電力を低減することが
できる効果が得られる。
As described above, according to the second embodiment, the inverter 1 for inverting and outputting the clock CLK is output.
Since the transistor M6 having the same gate input signal as the gate input signal of the transistor M4 is connected to the source terminal of the transistor M4 serving as the driver constituting the driver 0, the transistor M6 is turned off without using a special circuit. By doing so, the sub-threshold current flowing when the transistor M4 is off can be reduced, whereby an effect of reducing power consumption can be obtained.

【0032】また、制御信号CNTが「H」の時にオン
状態となるトランスミッションゲートM1を通過したク
ロックCLKが、トランジスタM4またはM5のゲート
1段を通過するだけで、その反転信号である信号CLK
Aを出力することができるように構成したので、これに
よってクロックCLKを反転した信号CLKAを高速に
出力することができる効果が得られる。
When the control signal CNT is "H", the clock CLK that has passed through the transmission gate M1 that is turned on only passes through one gate of the transistor M4 or M5, and the inverted signal CLK is the signal CLK.
Since the configuration is such that A can be output, it is possible to obtain an effect that a signal CLKA obtained by inverting the clock CLK can be output at high speed.

【0033】実施の形態3.図3はこの発明の実施の形
態3による低消費論理回路の構成を示す回路図である。
但し、この図3において図1に示した実施の形態1の各
部に対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略
する。図3において、M7はそのゲート端子に、制御信
号CNTと別の制御信号(第2制御信号)CNT1が入
力され、ドレイン端子がトランジスタM4のソース端子
に接続され、ソース端子が接地されたトランジスタ(第
3トランジスタ)である。
Embodiment 3 FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a low-consumption logic circuit according to a third embodiment of the present invention.
However, in FIG. 3, the portions corresponding to the respective portions of the first embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In FIG. 3, a transistor M7 has a gate terminal to which a control signal (second control signal) CNT1 different from the control signal CNT is input, a drain terminal connected to the source terminal of the transistor M4, and a source terminal grounded. Third transistor).

【0034】次に動作について説明する。但し、図3に
示す実施の形態3の回路は、図5に示した従来例の回路
と同様の動作を行うので、従来例で用いた図6のタイム
チャートを参照して動作説明を行う。
Next, the operation will be described. However, since the circuit of the third embodiment shown in FIG. 3 performs the same operation as the circuit of the conventional example shown in FIG. 5, the operation will be described with reference to the time chart of FIG. 6 used in the conventional example.

【0035】時刻t1以前又はt2以降に示すように、
制御信号CNTが「L」の場合は、制御信号CNT2も
「L」とする。これによってトランスミッションゲート
M1がオフし、トランジスタM2がオンし、Sで示すノ
ードが「L」となるので、トランジスタM5がオン状
態、トランジスタM4及びM7がオフ状態となり、これ
によって出力信号CLKAが「H」となる。
As shown before time t1 or after time t2,
When the control signal CNT is “L”, the control signal CNT2 is also set to “L”. As a result, the transmission gate M1 is turned off, the transistor M2 is turned on, and the node indicated by S becomes "L", so that the transistor M5 is turned on, and the transistors M4 and M7 are turned off, whereby the output signal CLKA becomes "H". ".

【0036】この時、矢印A方向に流れるトランジスタ
M7のドレイン・ソース間リーク電流によって、トラン
ジスタM4のTで示すノード部分のソース電圧が上昇す
る。この上昇した電圧を+V2「V」とすると、この
時、トランジスタM4のゲート電圧は0「V」なので、
ゲート・ソース間の電圧が−V2「V」で逆バイアスさ
れることになる。この逆バイアスによって、トランジス
タM4のしきい値電圧が上昇する。
At this time, the source voltage of the transistor M4 at the node indicated by T rises due to the drain-source leakage current of the transistor M7 flowing in the direction of arrow A. Assuming that the increased voltage is + V2 “V”, at this time, the gate voltage of the transistor M4 is 0 “V”.
The voltage between the gate and the source will be reverse-biased at -V2 "V". This reverse bias increases the threshold voltage of the transistor M4.

【0037】このようにしきい値電圧が上昇すると、矢
印A方向に流れるサブスレッショルド電流Iが、実施の
形態1で説明したように、従来のゲート・ソース間の電
圧が0「V」の場合に流れるサブスレッショルド電流I
よりも減少する。このことから、トランジスタM7を接
続した場合、トランジスタM4がオフ時に流れる電流量
が従来よりも低減していることが分かる。
As described above, when the threshold voltage rises, the subthreshold current I flowing in the direction of arrow A is reduced when the conventional gate-source voltage is 0 V, as described in the first embodiment. Sub-threshold current I flowing
Less than. This indicates that, when the transistor M7 is connected, the amount of current flowing when the transistor M4 is off is smaller than in the conventional case.

【0038】この時、トランジスタM7のドレイン・ソ
ース間のリーク電流によって、トランジスタM4のTで
示すノードのソース電圧をV3「V」とすると、ゲート
電圧は0「V」となり、ゲート・ソース間の電圧は−V
3「V」となって逆バイアスされるので、しきい値電圧
が上昇し、トランジスタM4のサブスレッショルド電流
は例えばI2となる。
At this time, if the source voltage of the node indicated by T of the transistor M4 is set to V3 "V" due to the leakage current between the drain and source of the transistor M7, the gate voltage becomes 0 "V" and the gate-source Voltage is -V
Since the voltage is 3 V and reverse-biased, the threshold voltage increases, and the sub-threshold current of the transistor M4 becomes, for example, I2.

【0039】ここで、トランジスタM7が接続されてい
ない場合はトランジスタM4のゲート・ソース間の電圧
が0「V」となるが、この0「V」の場合のサブスレッ
ショルド電流を例えばI1として上記したI2と比較す
ると、I2<I1になる。このことから、トランジスタ
M7を接続した場合においては、トランジスタM4がオ
フ時に流れる電流量が低減していることが分かる。
Here, when the transistor M7 is not connected, the voltage between the gate and the source of the transistor M4 becomes 0 "V", and the sub-threshold current in the case of 0 "V" is set to, for example, I1. Compared with I2, I2 <I1. This shows that when the transistor M7 is connected, the amount of current flowing when the transistor M4 is off is reduced.

【0040】一方、図6に示す時刻t1とt2間に示す
ように、制御信号CNTが「H」の場合は、制御信号C
NT1も同様に「H」とする。これによってトランスミ
ッションゲートM1がオン、トランジスタM2がオフす
るので、ノードSにクロックCLKが伝わり、また、ト
ランジスタM7がオン状態となっているので、トランジ
スタM4及びM5によってクロックCLKが反転され、
これが信号CLKAとして出力される。
On the other hand, as shown between times t1 and t2 in FIG. 6, when control signal CNT is "H", control signal C
NT1 is similarly set to “H”. As a result, the transmission gate M1 is turned on and the transistor M2 is turned off, so that the clock CLK is transmitted to the node S. Further, since the transistor M7 is on, the clock CLK is inverted by the transistors M4 and M5,
This is output as signal CLKA.

【0041】即ち、制御信号CNTが「H」の時は、ト
ランスミッションゲートM1がオンしているので、この
トランスミッションゲートM1を通過したクロックCL
Kが、トランジスタM4またはM5のゲート1段を通過
するだけで、その反転信号である信号CLKAを出力す
ることができ、これによってクロックCLKを反転した
信号CLKAを高速に出力することができる。
That is, when the control signal CNT is "H", the transmission gate M1 is on, and the clock CL passing through the transmission gate M1 is turned on.
Only when K passes through one gate of the transistor M4 or M5, the inverted signal CLKA can be output, and the inverted signal CLKA can be output at a high speed.

【0042】また、制御信号CNT1の「L」レベルを
図4に示す回路によって、負電圧としてもよい。即ち、
スイッチ8に入力される制御信号CNT2が例えば
「L」の場合に、スイッチ8が負電位発生回路7から出
力される負電圧VBを選択し、これを「L」の制御信号
CNT1とし、制御信号CNT2が「H」の場合に、ス
イッチ8が電源電圧Vccを選択し、これを「H」の制
御信号CNT1とするようにしてもよい。
The "L" level of the control signal CNT1 may be set to a negative voltage by the circuit shown in FIG. That is,
When the control signal CNT2 input to the switch 8 is, for example, "L", the switch 8 selects the negative voltage VB output from the negative potential generating circuit 7, and sets this to the "L" control signal CNT1. When CNT2 is “H”, the switch 8 may select the power supply voltage Vcc and use this as the “H” control signal CNT1.

【0043】このように制御信号CNT1の「L」を負
電圧にすれば、0「V」の場合よりも更にトランジスタ
M4のしきい値電圧を上げることができ、これによって
トランジスタM4のオフ時のリーク電流を更に低減する
ことができる。
If the "L" of the control signal CNT1 is set to a negative voltage as described above, the threshold voltage of the transistor M4 can be further increased as compared with the case of 0 "V". Leak current can be further reduced.

【0044】また、DRAM(Dynamic Ran
dom Access Memory)とロジック回路
が混在している半導体集積回路では、負電圧の発生方法
として、DRAMの基板電圧発生回路を用いれば付加回
路無しに実現することができる。
A DRAM (Dynamic Ran)
A semiconductor integrated circuit in which a dom access memory and a logic circuit coexist can be realized without an additional circuit by using a substrate voltage generating circuit of a DRAM as a method of generating a negative voltage.

【0045】さらに、負電圧の発生は、DRAMの基板
電圧発生回路に限定されるものではなく、外部から入力
するようにしてもよい。
Further, the generation of the negative voltage is not limited to the substrate voltage generation circuit of the DRAM, but may be inputted from outside.

【0046】以上のように、この実施の形態3によれ
ば、クロックCLKを反転出力するためのインバータ1
0を構成するドライバとなるトランジスタM4のソース
端子に、クロックCLKの伝達を制御する制御信号CN
Tと別の制御信号CNT1をゲート入力とするトランジ
スタM7のドレイン端子を接続して構成したので、特別
な回路を用いることなくトランジスタM7をオフさせる
ことにより、トランジスタM4がオフしている場合に流
れるサブスレッショルド電流を低減することができ、こ
れによって消費電力を低減することができる効果が得ら
れる。
As described above, according to the third embodiment, the inverter 1 for inverting and outputting the clock CLK is output.
0, the control signal CN for controlling the transmission of the clock CLK is supplied to the source terminal of the transistor M4 serving as the driver constituting the driver.
Since the drain terminal of the transistor M7 having T and another control signal CNT1 as a gate input is connected, the transistor M7 is turned off without using a special circuit, and thus flows when the transistor M4 is off. The sub-threshold current can be reduced, and the effect of reducing power consumption can be obtained.

【0047】また、制御信号CNT1の「L」を負電圧
にしたので、0「V」の場合よりも更にトランジスタM
4のしきい値電圧を上げることができ、これによってト
ランジスタM4のオフ時のリーク電流を更に低減するこ
とができる効果が得られる。
Since "L" of the control signal CNT1 is set to a negative voltage, the transistor M is further increased than in the case of 0 "V".
4 can be increased, whereby the effect of further reducing the off-state leakage current of the transistor M4 can be obtained.

【0048】さらに、制御信号CNTが「H」の時にオ
ン状態となるトランスミッションゲートM1を通過した
クロックCLKが、トランジスタM4またはM5のゲー
ト1段を通過するだけで、その反転信号である信号CL
KAを出力することができるように構成したので、これ
によってクロックCLKを反転した信号CLKAを高速
に出力することができる効果が得られる。
Further, the clock CLK which has passed through the transmission gate M1 which is turned on when the control signal CNT is at "H" only passes through one gate of the transistor M4 or M5, and the signal CL which is an inverted signal thereof.
Since the configuration is such that the KA can be output, an effect that the signal CLKA obtained by inverting the clock CLK can be output at a high speed can be obtained.

【0049】さらに、トランジスタM7のゲート端子に
入力する制御信号CNT1を、クロックCLKの伝達を
制御する制御信号CNTと別にしたことで、例えば装置
のスタンバイ時に、スタンバイを示す信号を制御信号C
NT1とすることで速く回路動作を停止することがで
き、不要な動作をさせなくて済み、その分、消費電力を
低減することができる。
Further, the control signal CNT1 input to the gate terminal of the transistor M7 is separated from the control signal CNT for controlling the transmission of the clock CLK.
By using NT1, the circuit operation can be stopped quickly, and unnecessary operation can be avoided, and power consumption can be reduced accordingly.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、トラ
ンスミッションゲートを通過した入力信号を反転して出
力し、一端が電源に接続されたインバータの他端と、グ
ランドとの間に、トランスミッションゲートのオン/オ
フを制御する第1制御信号に応じてオン/オフする第1
トランジスタを接続して構成したので、第1制御信号に
より第1トランジスタをオフとすることによって、イン
バータを構成するトランジスタのオフ時に流れるサブス
レッショルド電流を低減することができ、これによって
消費電力を低減することができる効果がある。
As described above, according to the present invention, the input signal passing through the transmission gate is inverted and output, and the transmission is connected between the other end of the inverter, one end of which is connected to the power supply, and the ground. First on / off in response to a first control signal for controlling on / off of the gate
Since the transistor is connected, the first transistor is turned off by the first control signal, so that the subthreshold current flowing when the transistor forming the inverter is turned off can be reduced, thereby reducing power consumption. There is an effect that can be.

【0051】この発明によれば、インバータとグランド
との間に、トランスミッションゲートを通過した入力信
号に応じてオン/オフする第2トランジスタを接続して
構成したので、ゲート通過入力信号により第2トランジ
スタをオフとすることによって、インバータを構成する
トランジスタのオフ時に流れるサブスレッショルド電流
を低減することができ、これによって消費電力を低減す
ることができる効果がある。
According to the present invention, since the second transistor which is turned on / off in accordance with the input signal passing through the transmission gate is connected between the inverter and the ground, the second transistor is turned on by the gate passing input signal. Is turned off, it is possible to reduce a subthreshold current flowing when a transistor included in the inverter is turned off, thereby reducing power consumption.

【0052】この発明によれば、インバータとグランド
との間に、トランスミッションゲートにより入力信号が
遮断されている場合に、第2制御信号によりオフとされ
る第3トランジスタを接続して構成したので、第2制御
信号により第3トランジスタをオフとすることによっ
て、インバータを構成するトランジスタのオフ時に流れ
るサブスレッショルド電流を低減することができ、これ
によって消費電力を低減することができる効果がある。
According to the present invention, the third transistor which is turned off by the second control signal when the input signal is cut off by the transmission gate is connected between the inverter and the ground. By turning off the third transistor by the second control signal, a subthreshold current flowing when a transistor included in the inverter is turned off can be reduced, and thus there is an effect that power consumption can be reduced.

【0053】この発明によれば、第1制御信号がトラン
スミッションゲートを遮断状態とするレベルと、トラン
スミッションゲートを通過した入力信号が第2トランジ
スタをオフとするレベルと、第2制御信号が第3トラン
ジスタをオフとするレベルとを0Vとして構成したの
で、第1トランジスタがオフのときにリーク電流が流れ
ることにより、第1トランジスタのドレイン電圧を0V
以上とすることができ、これによってインバータのトラ
ンジスタのゲート・ソース間に逆バイアスをかけ、サブ
スレッショルド電流の低減を図ることができ、同様に、
他の第2及び第3トランジスタがオフ時にも、逆バイア
スをかけてサブスレッショルド電流の低減を図ることが
できる効果がある。
According to the present invention, the first control signal sets the level for turning off the transmission gate, the input signal passing through the transmission gate sets the level for turning off the second transistor, and the second control signal sets the level for turning off the third transistor. Is turned off at 0 V, and a leakage current flows when the first transistor is off, so that the drain voltage of the first transistor is 0 V.
As a result, a reverse bias can be applied between the gate and source of the transistor of the inverter, and the subthreshold current can be reduced.
Even when the other second and third transistors are off, there is an effect that the sub-threshold current can be reduced by applying a reverse bias.

【0054】この発明によれば、第3トランジスタをオ
フとする第2制御信号のレベルを負電圧として構成した
ので、0Vの時よりもさらにしきい値電圧を上げて逆バ
イアスをかけることができ、これによってさらにサブス
レッショルド電流の低減を図ることができる効果があ
る。
According to the present invention, since the level of the second control signal for turning off the third transistor is configured as a negative voltage, a reverse bias can be applied by further increasing the threshold voltage as compared with the case of 0V. Thus, there is an effect that the subthreshold current can be further reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1による低消費論理回
路の構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a low-consumption logic circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態2による低消費論理回
路の構成を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a low-consumption logic circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 この発明の実施の形態3による低消費論理回
路の構成を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of a low power consumption logic circuit according to a third embodiment of the present invention;

【図4】 図3に示す第3トランジスタのオン/オフを
制御する制御信号のレベルを生成する回路の構成を示す
図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a circuit that generates a level of a control signal for controlling on / off of a third transistor illustrated in FIG. 3;

【図5】 従来の低消費論理回路の構成を示す回路図で
ある。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional low-consumption logic circuit.

【図6】 従来例及びこの発明の実施の形態1から実施
の形態3による低消費論理回路の動作を説明するための
タイムチャートである。
FIG. 6 is a time chart for explaining the operation of the low-consumption logic circuit according to the conventional example and the first to third embodiments of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 インバータ、M1 トランスミッションゲート、
M3 トランジスタ(第1トランジスタ)、M6 トラ
ンジスタ(第2トランジスタ)、M7 トランジスタ
(第3トランジスタ)、CLK クロック(入力信
号)、CNT 制御信号(第1制御信号)、CNT1
制御信号(第2制御信号)。
10 inverter, M1 transmission gate,
M3 transistor (first transistor), M6 transistor (second transistor), M7 transistor (third transistor), CLK clock (input signal), CNT control signal (first control signal), CNT1
Control signal (second control signal).

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1制御信号に応じて入力信号を通過/
遮断するトランスミッションゲートと、一端が電源に接
続され、上記トランスミッションゲートを通過した入力
信号を反転して出力するインバータと、一端が上記イン
バータの他端と接続され、かつ他端がグランドに接続さ
れ、上記第1制御信号に応じてオン/オフする第1トラ
ンジスタとを備えた低消費論理回路。
An input signal is passed / responsive to a first control signal.
A transmission gate to cut off, one end connected to a power supply, an inverter for inverting and outputting an input signal passed through the transmission gate, one end connected to the other end of the inverter, and the other end connected to ground, A first transistor which is turned on / off in response to the first control signal.
【請求項2】 第1制御信号に応じて入力信号を通過/
遮断するトランスミッションゲートと、一端が電源に接
続され、上記トランスミッションゲートを通過した入力
信号を反転して出力するインバータと、一端が上記イン
バータの他端と接続され、かつ他端がグランドに接続さ
れ、上記トランスミッションゲートを通過した入力信号
に応じてオン/オフする第2トランジスタとを備えた低
消費論理回路。
2. Passing an input signal according to a first control signal
A transmission gate to cut off, one end connected to a power supply, an inverter for inverting and outputting an input signal passed through the transmission gate, one end connected to the other end of the inverter, and the other end connected to ground, A second transistor which is turned on / off in response to an input signal passed through the transmission gate.
【請求項3】 第1制御信号に応じて入力信号を通過/
遮断するトランスミッションゲートと、一端が電源に接
続され、上記トランスミッションゲートを通過した入力
信号を反転して出力するインバータと、一端が上記イン
バータの他端と接続され、かつ他端がグランドに接続さ
れ、上記トランスミッションゲートにより上記入力信号
が遮断されている場合に、第2制御信号によりオフとさ
れる第3トランジスタとを備えた低消費論理回路。
3. Passing an input signal according to a first control signal
A transmission gate to cut off, one end connected to a power supply, an inverter for inverting and outputting an input signal passed through the transmission gate, one end connected to the other end of the inverter, and the other end connected to ground, And a third transistor that is turned off by a second control signal when the input signal is cut off by the transmission gate.
【請求項4】 第1制御信号がトランスミッションゲー
トを遮断状態とするレベルと、トランスミッションゲー
トを通過した入力信号が第2トランジスタをオフとする
レベルと、第2制御信号が第3トランジスタをオフとす
るレベルとが0Vであることを特徴とする請求項1から
請求項3のうちのいずれか1項記載の低消費論理回路。
4. A level in which a first control signal turns off a transmission gate, a level in which an input signal passing through the transmission gate turns off a second transistor, and a second control signal turns off a third transistor. 4. The low consumption logic circuit according to claim 1, wherein the level is 0V.
【請求項5】 第3トランジスタをオフとする第2制御
信号のレベルが負電圧であることを特徴とする請求項3
記載の低消費論理回路。
5. The level of a second control signal for turning off the third transistor is a negative voltage.
Low consumption logic circuit as described.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006180255A (en) * 2004-12-22 2006-07-06 Toshiba Corp Mos type semiconductor integrated circuit device
JP2009517796A (en) * 2005-11-30 2009-04-30 モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド Low power consumption semiconductor integrated circuit using self-refresh

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