JPH11110305A - 記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法 - Google Patents

記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法

Info

Publication number
JPH11110305A
JPH11110305A JP26717397A JP26717397A JPH11110305A JP H11110305 A JPH11110305 A JP H11110305A JP 26717397 A JP26717397 A JP 26717397A JP 26717397 A JP26717397 A JP 26717397A JP H11110305 A JPH11110305 A JP H11110305A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
area management
data
management information
flag
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP26717397A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3119214B2 (ja
Inventor
Mitsuhiro Hirabayashi
光浩 平林
Kenichi Nakanishi
健一 中西
Satoru Sasa
哲 佐々
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP26717397A priority Critical patent/JP3119214B2/ja
Priority to US09/162,326 priority patent/US6219768B1/en
Priority to KR1019980040766A priority patent/KR100527610B1/ko
Publication of JPH11110305A publication Critical patent/JPH11110305A/ja
Priority to JP2000201055A priority patent/JP3788205B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3119214B2 publication Critical patent/JP3119214B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023Free address space management
    • G06F12/0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory

Abstract

(57)【要約】 【課題】 伝送効率を悪化させることなく領域管理情報
を分散して記憶させることができるとともに、セル構造
が変わっても既存の記憶装置との互換性がとれる記憶装
置及びデータ処理システム並びにデータの書き込み及び
読み出し方法を提供する。 【解決手段】 フラッシュメモリ21と変換部25と制
御部26とを備え、変換部25が入力された領域管理情
報を、この領域管理情報に冗長データが付加されてなる
領域管理フラグに変換し、制御部26がこの領域管理フ
ラグをフラッシュメモリ21に記憶させ、又フラッシュ
メモリ21から読み出された領域管理フラグを変換部2
5が元の領域管理情報に変換し、制御部26がこの領域
管理情報を出力するようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、任意のデータ、こ
のデータを管理するためのデータ管理情報及びこのデー
タが記憶される領域の状態を管理するための領域管理情
報を記憶する記憶装置と、この記憶装置を用いたデータ
処理システム並びに記憶装置に任意のデータ、このデー
タを管理するためのデータ管理情報及びこのデータが記
憶される領域の状態を管理するための領域管理情報を書
き込み又は読み出すデータの書き込み及び読み出し方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、コンピュータ等の電子機器で
用いられるデータを記憶させておく外部記憶装置とし
て、フラッシュメモリ(電気的消去可能型プログラマブ
ルROM(Read-Only Memory))を記憶媒体として用い
たカード型の外部記憶装置(以下、メモリカードとい
う。)が提案されている。
【0003】このメモリカードには、記憶媒体であるメ
モリに、任意のデータと、付属データである管理情報と
が記憶される。そして、メモリカードは、これらデータ
や管理情報をホスト側のコンピュータ等に供給する際
は、エラー訂正符号等を用いてエラー訂正をかけて、セ
ルの故障等に起因するデータのエラーを訂正して出力す
るようにしている。
【0004】ところで、上記管理情報としては、記憶さ
れたデータの順番を示す論理アドレス等のようにデータ
を管理するためのデータに依存した情報(データ管理情
報)の他に、例えばデータが記憶された領域が使用可能
か否かを示す情報のように、データが記憶される領域の
状態を管理するための情報(領域管理情報)が記憶され
る場合がある。
【0005】このような領域管理情報は、データから独
立したメモリ内の領域に関する情報であるので、データ
が記憶された後に書き換える必要が生じる場合がある。
したがって、この領域管理情報は、通常、データを書き
換えることなく単独で書き換えることができるようにな
されている。
【0006】また、このような領域管理情報は、エラー
が生じた場合に通常のエラー訂正符号を用いてエラー訂
正を行うようにすると、情報を書き換える度にエラー訂
正符号を書き換えなければならない。そこで、このよう
な領域管理情報に対しては、エラー訂正符号を用いたエ
ラー訂正を行わずに、同一の情報を複数ビットに分散し
て記憶させておくことでエラー対策をすることが望まし
い。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、領域管
理情報を複数ビットに分散させて記憶させた場合、メモ
リカードからデータを読み出す際に伝送データが長くな
り伝送効率が悪化してしまう。特に、近年一つのセルに
複数ビットの情報を記憶させる技術が提案されており、
セルあたりの記憶ビット数が増加していくと、エラー対
策のための分散ビット数を多くする必要が生じ、伝送効
率が更に悪化する可能性がある。
【0008】また、このようにメモリカードのセル構造
が変わり、情報の分散のさせ方が変更されると、この新
しいメモリカードに対応するために、ホスト側からメモ
リカードに供給するデータの形態や、ホスト側がメモリ
カードのメモリを管理するためのドライバの構成、イン
ターフェースの仕様等を変更する必要が生じ、既存のメ
モリカードとの互換性がとれない。特に、デジタルカメ
ラのように、ドライバ等が予め組み込まれた電子機器に
おいては、ソフトのバージョンアップ等で対応できない
ので、新しいメモリカードを使用することが不可能とな
ってしまう。
【0009】そこで、本発明は、伝送効率を悪化させる
ことなく領域管理情報を分散して記憶させることができ
るとともに、セル構造が変わっても既存の記憶装置との
互換性がとれる記憶装置及びデータ処理システム並びに
データの書き込み及び読み出し方法を提供することを目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る記憶装置
は、データとこのデータを管理するためのデータ管理情
報とこのデータが記憶される領域の状態を管理するため
の領域管理情報とを記憶する記憶手段と、入力された領
域管理情報をこの領域管理情報に冗長データが付加され
てなる領域管理フラグに変換し又は上記記憶手段から読
み出された領域管理フラグを元の領域管理情報に変換す
る変換手段と、この変換手段によって変換された領域管
理フラグを記憶手段に書き込み又は記憶手段から領域管
理フラグを読み出して変換手段に供給してこの変換手段
によって変換された元の領域管理情報を出力する制御を
行う制御手段とを備える。
【0011】この記憶装置によれば、入力された領域管
理情報が変換手段によりこの領域管理情報よりもビット
数の多い領域管理フラグに変換される。そして、変換手
段により変換された領域管理フラグは、制御手段により
記憶手段に書き込まれる。
【0012】また、この記憶装置によれば、制御手段に
より記憶手段から読み出された領域管理フラグが、変換
手段によりもとの領域管理情報に変換される。そして、
変換手段により変換された領域管理情報は、制御手段に
より出力される。
【0013】なお、この記憶装置は、変換手段が、上記
領域管理情報と上記領域管理フラグとが対応記録された
変換テーブルを備えることが望ましい。この場合、変換
手段は、この変換テーブルを参照して、入力された領域
管理情報を領域管理フラグに変換する。
【0014】また、この記憶装置は、変換手段が、記憶
手段の管理情報記憶領域から読み出された領域管理フラ
グのパターンから元の領域管理情報を判断するフラグ判
別回路を備えることが望ましい。この場合、変換手段
は、このフラグ判別回路を用いて、記憶手段から読み出
された領域管理フラグを元の領域管理情報に変換する。
【0015】また、本発明に係るデータ処理システム
は、データとこのデータを管理するためのデータ管理情
報とこのデータが記憶される領域の状態を管理するため
の領域管理情報とが記憶される記憶装置と、この記憶装
置にデータ、データ管理情報及び領域管理情報を供給し
又は記憶部から供給されたデータ、データ管理情報及び
領域管理情報を処理するデータ処理装置とを備えてい
る。
【0016】そして、このデータ処理システムは、記憶
装置が、データ処理装置から供給された領域管理情報を
この領域管理情報に冗長データが付加されてなる領域管
理フラグに変換して記憶するとともに、記憶された領域
管理フラグを元の領域管理情報に変換してデータ処理装
置に供給するようにしている。
【0017】なお、このデータ処理システムは、記憶装
置が、上記領域管理情報と上記領域管理フラグとが対応
記録された変換テーブルを備えることが望ましい。この
場合、記憶装置は、この変換テーブルを参照して、入力
された領域管理情報を領域管理フラグに変換する。
【0018】また、このデータ処理システムは、記憶装
置が、読み出された領域管理フラグのパターンから元の
領域管理情報を判断するフラグ判別回路を備えることが
望ましい。この場合、記憶装置は、このフラグ判別回路
を用いて、読み出された領域管理フラグを元の領域管理
情報に変換する。
【0019】また、本発明に係るデータの書き込み及び
読み出し方法は、データとこのデータを管理するための
管理情報とこのデータが記憶される領域の状態を管理す
るための領域管理情報とを記憶装置に書き込み、又はこ
の記憶装置に書き込まれた上記データとデータ管理情報
と領域管理情報とを記憶装置から読み出すデータの書き
込み及び読み出し方法において、データ書き込み時は、
記憶装置に入力された領域管理情報をこの領域管理情報
に冗長データが付加されてなる領域管理フラグに変換し
て記憶装置に書き込み、データ読み出し時は、読み出さ
れた領域管理フラグを元の領域管理情報に変換して記憶
装置から出力するようにしている。
【0020】なお、このデータの書き込み及び読み出し
方法は、記憶装置が、上記領域管理情報と上記領域管理
フラグとが対応記録された変換テーブルを備え、データ
書き込み時は、この変換テーブルを参照して、領域管理
情報を領域管理フラグに変換することが望ましい。
【0021】また、このデータの書き込み及び読み出し
方法は、記憶装置が、読み出された領域管理フラグのパ
ターンから元の領域管理情報を判断するフラグ判別回路
を備え、データ読み出し時は、このフラグ判別回路を用
いて、読み出された領域管理フラグを元の領域管理情報
に変換して記憶装置から出力することが望ましい。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
【0023】ここでは、本発明を、図1に示すように、
ホスト側の装置となるデータ処理装置10と、シリアル
インターフェースを介してこのデータ処理装置10に接
続される外部記憶装置であるメモリカード20とから構
成されるシステム1に適用した例について説明する。
【0024】なお、ここでは、データ処理装置10とメ
モリカード20との間でのデータのやり取りをシリアル
インターフェースによって行うシステムを例に説明する
が、本発明はデータのやり取りをパラレルインターフェ
ースによって行うシステムに対しても適用可能である。
【0025】このシステム1に用いられるデータ処理装
置10は、所定のプログラムを実行するデータ処理部1
1と、外部装置であるメモリカード20との間でデータ
のやり取りをするためのシリアルインターフェース回路
12と、データ処理部11とシリアルインターフェース
回路12間に設けられ、データ処理装置11から供給さ
れたデータ等を一時的に記憶するレジスタ13と、デー
タ処理部11、シリアルインターフェース回路12、レ
ジスタ13のそれぞれに接続され、これらの処理動作を
制御する制御部14とを備えている。
【0026】このデータ処理装置10は、例えばデータ
処理部11が所定のプログラムを実行する際に、外部記
憶装置であるメモリカード20にデータを記憶させる必
要があると判断した場合は、データ処理部11が制御部
14の制御に基づいて、記憶させるべきデータやこのデ
ータを管理するために必要な情報である管理情報、制御
データである書き込み命令等をレジスタ13に書き込
む。
【0027】そして、シリアルインターフェース回路1
2が、制御部14の制御に基づいてレジスタ13からこ
れら記憶させるべきデータや管理情報、書き込み命令等
を読み出し、シリアルデータに変換して、クロック信号
やステータス信号とともにこれらの転送を行う。なお、
上記管理情報は、データを管理するための情報であるデ
ータ管理情報と、データが記憶される領域の状態を管理
するための領域管理情報を含む情報である。
【0028】また、このデータ処理装置10は、データ
処理部11が所定のプログラムを実行する際に、外部記
憶装置であるメモリカード20からデータを読み出す必
要があると判断した場合は、データ処理部11が制御部
14の制御に基づいて制御データである読み出し命令を
レジスタ13に書き込む。そして、シリアルインターフ
ェース回路12が、制御部14の制御に基づいてレジス
タ13から読み出し命令を読み出し、シリアルデータに
変換して、クロック信号やステータス信号とともにこれ
らの転送を行う。
【0029】この読み出し命令に従ってメモリカード2
0から転送されてきた所定のデータや管理情報は、シリ
アルインターフェース回路12によりパラレルデータに
変換され、レジスタ13に書き込まれる。そして、デー
タ処理部11が、制御部14の制御に基づいてレジスタ
13からこれら所定のデータや管理情報を読み出して処
理を行う。
【0030】なお、本発明が適用されるシステムに用い
られるデータ処理装置は、メモリカード20等の外部記
憶装置との間でデータのやり取りが可能なものであれば
特に限定されるものではなく、パーソナルコンピュー
タ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ等の
種々のデータ処理装置が適用可能である。
【0031】このシステム1において、データ処理装置
10とメモリカード20とは、シリアルインターフェー
スによって接続されており、具体的には、少なくとも3
本のデータ線SCLK,State,DIOによって接
続される。すなわち、データ処理装置10とメモリカー
ド20とは、少なくとも、データ伝送時にクロック信号
を伝送するための第1のデータ線SCLKと、データ伝
送時に必要なステータス信号を伝送するための第2のデ
ータ線Stateと、メモリカード20に書き込むデー
タ又はメモリカード20から読み出すデータをシリアル
に伝送する第3のデータ線DIOとによって接続され、
これらを介して、データ処理装置10とメモリカード2
0との間でデータのやり取りを行う。
【0032】メモリカード20は、図2に示すように、
所定のデータや管理情報を記憶するフラッシュメモリ2
1と、データ処理装置10との間でデータのやり取りを
するためのシリアル/パラレル・パラレル/シリアル・
インターフェース回路(以下、S/P・P/Sインター
フェース回路22という。)と、フラッシュメモリ21
とS/P・P/Sインターフェース回路22間に設けら
れ、S/P・P/Sインターフェース回路22から供給
されたデータや管理情報を一時的に記憶するレジスタ2
3と、このレジスタ23に接続され、レジスタ23に書
き込まれたデータやデータ管理情報にエラーがある場合
にエラー訂正符号に基づいてエラーを訂正するエラー訂
正回路24と、レジスタ23とフラッシュメモリ21間
に設けられ、レジスタ23から読み出された領域管理情
報をこの領域管理情報に冗長データが付加されてなる情
報(本明細書においては、領域管理フラグと称する。)
に変換し、又はフラッシュメモリ21から読み出された
領域管理フラグを元の領域管理情報に変換する変換部2
5と、フラッシュメモリ21、S/P・P/Sインター
フェース回路22、レジスタ23、変換部25のそれぞ
れに接続され、これらの処理動作を制御する制御部26
とを備えている。
【0033】S/P・P/Sインターフェース回路22
は、少なくとも上述した3本のデータ線SCLK,St
ate,DIOを介して、データ処理装置10のシリア
ルインターフェース回路12に接続され、これらのデー
タ線SCLK,State,DIOを介して、データ処
理装置10との間でデータのやり取りを行う。すなわ
ち、S/P・P/Sインターフェース回路22は、デー
タ処理装置10のシリアルインターフェース回路12か
ら送られてきたシリアルデータをパラレルデータに変換
して、レジスタ23に書き込む。また、S/P・P/S
インターフェース回路22は、レジスタ23から読み出
されたパラレルデータをシリアルデータに変換して、デ
ータ処理装置10のシリアルインターフェース回路12
へ送出する。
【0034】このS/P・P/Sインターフェース回路
22とデータ処理装置10との間でのシリアルデータの
伝送は、第1のデータ線SCLKによってデータ処理装
置10から送られてくるクロック信号によって同期を取
りながら、第3のデータ線DIOによって行われる。こ
のとき、第3のデータ線DIOによってやり取りされる
シリアルデータのデータ種別は、第2のデータ線Sta
teによって伝送されるステータス信号によって判別さ
れる。ここで、シリアルデータの種別には、例えば、フ
ラッシュメモリ21に記憶させるべきデータ、フラッシ
ュメモリ21から読み出されたデータ、又はこのメモリ
カード20の動作を制御するための制御データ等があ
る。
【0035】また、S/P・P/Sインターフェース回
路22は、データ処理装置10から送られてきたデータ
が書き込み命令や読み出し命令等の制御データである場
合には、当該制御データを制御部26に供給する。
【0036】制御部26は、このS/P・P/Sインタ
ーフェース回路22から供給された制御データに基づい
てメモリカード20の動作を制御する。
【0037】レジスタ23はフラッシュメモリ21とS
/P・P/Sインターフェース回路22間でやり取りさ
れるデータを一時的に記憶する。
【0038】エラー訂正回路24は、S/P・P/Sイ
ンターフェース回路22によりレジスタ23に書き込ま
れたデータにエラー訂正符号を付加する。また、エラー
訂正回路24は、フラッシュメモリから読み出されレジ
スタ23に書き込まれたデータにエラー訂正処理を施
す。
【0039】変換部25は、レジスタ23から読み出さ
れた管理情報のうち領域管理情報を領域管理フラグに変
換する。また、変換部25は、フラッシュメモリ21か
ら読み出された領域管理フラグを元の領域管理情報に変
換する。
【0040】以上のようなメモリカード20に対して、
データ処理装置10から記憶させるべきデータや管理情
報、書き込み命令等がシリアルデータとして送られてく
ると、先ず、S/P・P/Sインターフェース回路22
がこれらのデータをパラレルデータに変換して、書き込
み命令を制御部26に供給するとともに、制御部26の
制御に基づいて、所定のデータや管理情報をレジスタ2
3に書き込む。
【0041】ここで、レジスタ23に書き込まれた所定
のデータや管理情報には、エラー訂正回路24により、
領域管理情報以外を対象としたエラー訂正符号が付加さ
れる。
【0042】そして、制御部26が、S/P・P/Sイ
ンターフェース回路22から供給された書き込み命令に
基づいて、レジスタ23から所定のデータや管理情報を
読み出して、フラッシュメモリ21に書き込む処理を行
う。この際、制御部26は、レジスタ23から読み出し
た管理情報のうち領域管理情報を先ず変換部25に供給
する。変換部25に供給された領域管理情報は、この変
換部25により領域管理フラグに変換される。そして、
制御部26は、この変換部25により変換された領域管
理フラグをフラッシュメモリ21に書き込む。
【0043】また、このメモリカード20は、データ処
理装置10から読み出し命令が送られてくると、S/P
・P/Sインターフェース回路22が、この読み出し命
令を制御部26に供給する。
【0044】そして、制御部26が、S/P・P/Sイ
ンターフェース回路22から供給された読み出し命令に
基づいて、フラッシュメモリ21から所定のデータや管
理情報を読み出して、レジスタ23に書き込む。この
際、制御部26は、フラッシュメモリ21から読み出し
た領域管理フラグを先ず変換部25に供給する。変換部
25に供給された領域管理フラグは、この変換部25に
より元の領域管理情報に変換される。そして、制御部2
6は、この変換部25により変換された元の領域管理情
報をレジスタ23に書き込む。
【0045】ここで、レジスタ23に書き込まれたデー
タや管理情報のうちデータ管理情報にエラーがある場合
は、エラー訂正回路24にてエラー訂正符号に基づいて
エラー訂正が行われる。
【0046】そして、S/P・P/Sインターフェース
回路22が、制御部26の制御に基づいてレジスタ23
からこれら所定のデータや管理情報等を読み出してシリ
アルデータに変換し、データ処理装置10に送出する。
【0047】なお、以上はメモリカード20にエラー訂
正回路24が設けられ、メモリカード20内でエラー訂
正を行うシステムについて説明したが、本発明はデータ
処理装置がエラー訂正回路を備え、データ処理装置側で
エラー訂正を行うシステムに対しても適用可能である。
この場合、データにエラー訂正符号が付加された状態
で、データ処理装置10とメモリカード20との間のデ
ータのやり取りが行われる。
【0048】ここで、上述したメモリカード20に搭載
されるフラッシュメモリ21の記憶領域の構造について
説明する。
【0049】このフラッシュメモリ21の記憶領域は、
記憶単位である多数のセルから構成され、図3(a)に
示すように、データの消去単位となる複数のブロックに
分割されている。そして、これらの各ブロックには、そ
れぞれ固有の物理アドレスが付けられている。
【0050】これらのブロックは、データの消去単位で
あると同時に、ファイル管理上の最小単位でもある。す
なわち、ファイルは1つ又は複数のブロックに格納さ
れ、1つのブロックを複数のファイルで利用することは
できないようになされている。
【0051】これら各ブロックは複数のセルからなり、
これら各セルに「1」又は「0」を示す2つの状態を取
り得る情報、すなわち1ビットの情報が記憶される。
【0052】そして、各ブロックは、初期状態では、全
てのビットが「1」とされており、ビット単位での変更
は「1」から「0」への変更のみが可能とされている。
したがって、フラッシュメモリ21に「1」及び「0」
からなるデータを書き込む際は、「1」については該当
するビットをそのまま保持し、「0」については該当す
るビットを「1」から「0」に変更してデータの書き込
みを行う。
【0053】また、一度書き込んだデータをフラッシュ
メモリ21から消去する際は、ブロック単位で一括して
初期化処理を行い、当該ブロックの全ビットを「1」と
する。これにより、当該ブロックに書き込まれたデータ
は一括消去され、このブロックは再びデータ書き込みが
可能な状態とされる。
【0054】また、フラッシュメモリ21の各ブロック
は、図3(b)に示すように、データの書き込みや読み
出しの単位となる複数のページから構成される。このペ
ージは、例えば512バイトの記憶容量を有する記憶単
位であり、フラッシュメモリ21にデータを書き込む際
は、このページ単位でレジスタ23から読み出されたデ
ータが、制御部25によりページ単位でフラッシュメモ
リ21に書き込まれる。また、このフラッシュメモリ2
1からデータを読み出す際は、制御部25によりフラッ
シュメモリ21からデータがページ毎に読み出され、レ
ジスタ23に供給される。
【0055】データの書き込みや読み出しの単位となる
ページは、データ記憶領域と管理情報記憶領域とを有し
ている。ここで、データ記憶領域とは、任意のデータが
書き込まれる領域をいい、管理情報記憶領域とは、デー
タ記憶領域に書き込まれるデータの管理に必要な情報
(管理情報)が格納される領域をいう。
【0056】管理情報記憶領域は、16バイトの領域を
有し、このうち最初の3バイトが、ブロック単位で一括
して初期化処理を行うことなく情報を書き換えることが
できるオーバーライト領域に設定されている。そして、
管理情報記憶領域は、残りの13バイトが、情報を書き
換える際はブロック単位で一括して初期化処理を行う通
常領域に設定されている。
【0057】そして、ブロックを構成する各ページの管
理情報記憶領域に、管理情報が格納される。具体的に
は、図3(c)に示すように、各ブロックの先頭ページ
の管理情報記憶領域には、このブロックを管理するため
に必要な情報として、いわゆる分散管理情報が格納され
る。また、各ブロックの2ページ目以降の各ページの管
理情報記憶領域にも、予備の分散管理情報として、先頭
ページの管理情報記憶領域に格納された分散管理情報と
同じ管理情報が記憶される。ただし、各ブロックの最終
ページの管理情報記憶領域には、分散管理情報だけでは
不足する情報を補う、いわゆる追加管理情報が格納され
る。
【0058】このように、メモリカード20に搭載され
るフラッシュメモリ21では、各ブロック内の管理情報
記憶領域に、それぞれのブロックを管理するための分散
管理情報が格納され、この分散管理情報により、例えば
当該ブロックがファイルの先頭となるブロックであるか
否かについての情報や、複数のブロックからファイルが
構成される場合にはそれらのブロックの繋がりを示す情
報等を得ることができる。
【0059】そして、このメモリカード20は、各ブロ
ックの分散管理情報を集めることにより、フラッシュメ
モリ21全体を管理するための情報として、いわゆる集
合管理情報を作成して、この集合管理情報を一つのファ
イルとしてフラッシュメモリ21に格納するようにして
いる。
【0060】そして、データ処理装置10とメモリカー
ド20間でデータのやり取りを行う場合、データ処理装
置10は、通常、フラッシュメモリ21からこの集合管
理情報を読み出して、各ブロックにアクセスするために
必要な情報を得るようにしている。これにより、データ
アクセスの度に個々のブロックに格納された分散管理情
報にアクセスする必要がなくなり、より高速なデータア
クセスが可能となる。
【0061】次に、分散管理情報、追加管理情報、集合
管理情報について、更に詳細に説明する。
【0062】分散管理情報は、各ページ毎に設けられた
16バイトの管理情報記憶領域に格納された、ブロック
を管理するための管理情報である。そして、この分散管
理情報は、例えば図4に示すように、1バイトの可/不
可フラグと、1バイトのブロックフラグと、4ビットの
最終フラグと、4ビットの参照フラグと、1バイトの管
理フラグと、2バイトの論理アドレスと、2バイトの連
結アドレスと、2バイトの分散管理情報用エラー訂正符
号と、3バイトのデータ用エラー訂正符号とからなり、
これらの情報のうち、可/不可フラグ、ブロックフラ
グ、最終フラグ、参照フラグが、管理情報記憶領域の最
初の3バイトのオーバーライト領域に格納される。
【0063】また、管理情報記憶領域の13バイトの通
常領域に、管理フラグと論理アドレスと連結アドレスと
リザーブ領域と分散管理情報用エラー訂正符号とデータ
用エラー訂正符号とが格納される。そして、通常領域の
残りの3バイトは、リザーブ領域とされる。
【0064】可/不可フラグは、ブロックが使用可能な
状態か使用不可能な状態かを示すフラグである。すなわ
ち、ブロック内に回復不可能なエラーが生じたようなと
きは、この可/不可フラグによって、当該ブロックが使
用不可能な状態であることが示される。
【0065】ブロックフラグは、ブロックの使用状態を
示すフラグであり、具体的には、「未使用」、「先頭使
用」、「使用」、「未消去」の4つの状態を示すフラグ
である。「未使用」は、当該ブロックが未使用又は消去
済みで初期状態(全ビットが「1」の状態)とされてお
り、すぐにデータの書き込みが可能な状態を示す。「先
頭使用」は、当該ブロックがファイルの先頭で使用され
ている状態を示す。「使用」は、当該ブロックがファイ
ルの先頭以外で使用されている状態を示す。したがっ
て、ブロックフラグが「使用」のとき、当該ブロックは
他のブロックから連結されていることとなる。「未消
去」は、当該ブロックに書かれていたデータが不要とな
った状態を示す。このメモリカード20においては、ブ
ロック内に記憶された不要なデータを消去する場合に、
まずブロックフラグを「未消去」の状態にしておき、処
理時間に余裕があるときに、ブロックフラグが「未消
去」になっているブロックを消去するようにしている。
これにより、メモリカード20は、データの消去の処理
をより効率よく行うことが可能となる。
【0066】最終フラグは、ファイルが当該ブロックで
終わっているか否かを示すフラグであり、具体的には、
「ブロック連続」、「ブロック最終」の2つの状態を示
すフラグである。「ブロック連続」は、当該ブロックに
記憶されたファイルにはまだ続きがあり、他のブロック
に続いていることを示す。「ブロック最終」は、当該ブ
ロックに記憶されたファイルは、このブロックで終了し
ていることを示す。
【0067】参照フラグは、追加管理情報の参照を指示
するためのフラグであり、具体的には、「参照情報な
し」、「参照情報あり」の2つの状態を示すフラグであ
る。「参照情報なし」は、ブロックの最終ページの管理
情報記憶領域に有効な追加管理情報が存在しないことを
示す。「参照情報あり」は、ブロックの最終ページの管
理情報記憶領域に有効な追加管理情報が存在することを
示す。
【0068】管理フラグは、ブロックの属性等を示すフ
ラグであり、例えば当該ブロックが読み出し専用のブロ
ックか、あるいは書き込みも可能なブロックか等の属性
を示す。
【0069】論理アドレスは、当該ブロックの論理アド
レスを示す。この論理アドレスの値は、データの書換を
行うとき等に必要に応じて更新される。なお、この論理
アドレスの値は、同じ論理アドレスの値を同時に複数の
ブロックが持つことがないように設定されている。
【0070】連結アドレスは、当該ブロックに連結する
他のブロックの論理アドレスを示す。すなわち、当該ブ
ロックに記憶されたファイルが他のブロックに続いてい
る場合に、連結アドレスは、そのファイルの続きが記憶
されたブロックの論理アドレスの値を示す。
【0071】分散管理情報用エラー訂正符号は、分散管
理情報のうち、管理フラグ、論理アドレス、連結アドレ
ス及びリザーブ領域に書き込まれたデータを対象とした
エラー訂正符号である。
【0072】データ用エラー訂正符号は、このデータ用
エラー訂正符号が書き込まれたページのデータ記憶領域
に記憶されたデータを対象としたエラー訂正符号であ
る。
【0073】ところで、上述した分散管理情報のうち、
可/不可フラグ、ブロックフラグ、最終フラグ、参照フ
ラグは、データ記憶領域の状態を管理するための情報
(領域管理情報)であり、データから独立して書き換え
る必要が生じる場合があるので、上述した分散管理情報
用エラー訂正符号の対象から外し、それぞれの情報を示
す符号と同一符号の所定量の冗長データが付加されてな
るフラグ(領域管理フラグ)として管理情報記憶領域に
格納されることにより、エラー対策がなされている。
【0074】具体的には、これらの領域管理情報は、図
5に示すように、冗長データが付加されて領域管理フラ
グとして管理情報記憶領域のオバーライト領域に格納さ
れている。
【0075】すなわち、可/不可フラグは、ブロックが
使用可能な状態である場合は1ビットの情報「1」で示
され、ブロックが使用不可能な状態である場合は1ビッ
トの情報「0」で示される。そして、この可/不可フラ
グは、管理情報記憶領域に格納されるときは、冗長デー
タが付加されて、例えば1バイトの情報「111111
11」又は「0000 0000」に変換されて格納さ
れる。
【0076】また、ブロックフラグは、ブロックが「未
使用」の場合には2ビットの情報「11」で示され、ブ
ロックが「先頭使用」の場合には2ビットの情報「1
0」で示され、ブロックが「使用」の場合には2ビット
の情報「01」で示され、ブロックが「未消去」の場合
には2ビットの情報「00」で示される。そして、この
ブロックフラグは、管理情報記憶領域に格納されるとき
は、冗長データが付加されて、例えば1バイトの情報
「1111 1111」又は「1111 0000」又
は「0000 1111」又は「0000 0000」
に変換されて格納される。
【0077】また、最終フラグは、「ブロック連続」の
場合は1ビットの情報「1」で示され、「ブロック最
終」の場合には1ビットの情報「0」で示される。そし
て、この最終フラグは、管理情報記憶領域に格納される
ときは、冗長データが付加されて、例えば4ビットの情
報「1111」又は「0000」に変換されて格納され
る。
【0078】また、参照フラグは、「参照情報なし」の
場合は1ビットの情報「1」で示され、「参照情報あ
り」の場合は1ビットの情報「0」で示される。そし
て、この参照フラグは、管理情報記憶領域に格納される
ときは、例えば4ビットの情報「1111」又は「00
00」に変換されて格納される。
【0079】これら領域管理情報は、以上のように冗長
データが付加された領域管理フラグとして管理情報記憶
領域に格納されることにより、例えば当該フラグが格納
されたセルが故障してエラーが生じた場合であっても、
例えば領域管理フラグの「1」と「0」の数を比較する
ことにより元の領域管理情報が認識される。
【0080】追加管理情報は、ブロックの最終ページの
16バイトの管理情報記憶領域に格納される情報であ
り、分散管理情報だけでは不足する情報を補う追加情報
を含んでいる。
【0081】この追加管理情報は、具体的には、例えば
図6に示すように、1バイトの可/不可フラグと、1バ
イトのブロックフラグと、4ビットの最終フラグと、4
ビットの参照フラグと、1バイトの識別番号と、2バイ
トの有効データサイズと、2バイトの追加管理情報用エ
ラー訂正符号と、3バイトのデータ用エラー訂正符号と
からなる。
【0082】ここで、領域管理フラグである可/不可フ
ラグ、ブロックフラグ、最終フラグ、参照フラグとデー
タ用エラー訂正符号については、分散管理情報の場合と
同様である。また、追加情報用エラー訂正符号は、分散
管理情報における分散管理情報用エラー訂正符号に相当
するものであり、追加管理情報のうち領域管理フラグを
除いた識別番号、有効データサイズ及びリザーブ領域に
書き込まれたデータを対象としたエラー訂正符号であ
る。
【0083】そして、識別番号及び有効データサイズと
が、分散管理情報の不足分を補う追加情報として、追加
管理情報に含まれている。
【0084】そして、追加管理情報も分散管理情報と同
様に、領域管理情報である可/不可フラグ、ブロックフ
ラグ、最終フラグ、参照フラグが、冗長データが付加さ
れた領域管理フラグとして、管理情報記憶領域の最初の
3バイトのオーバーライト領域に格納される。
【0085】また、管理情報記憶領域の13バイトの通
常領域に、識別番号と有効データサイズと追加管理情報
用エラー訂正符号とデータ用エラー訂正符号とが格納さ
れる。そして、通常領域の残りの5バイトは、リザーブ
領域とされる。
【0086】識別番号は、エラー処理用の情報であり、
ブロックのデータを書き換える度に、識別番号の値がイ
ンクリメントされる。この識別番号は、何らかのエラー
が発生して、同じ論理アドレスを持つブロックが複数存
在するようになってしまった場合に、それらのブロック
に書き込まれたデータの新旧を識別するために使用され
る。なお、識別番号には1バイトの領域が使用され、そ
の値の範囲は「0」から「255」まであり、その初期
値(すなわち、新しい論理アドレスを使用するときに最
初に設定される識別番号の値)は、「0」とされる。な
お、識別番号が「255」を越えたときには「0」に戻
るものとする。そして、同じ論理番号を持つブロックが
複数存在する場合には、この識別番号の値が小さい方の
ブロックを有効とする。
【0087】有効データサイズは、ブロック内の有効な
データのサイズを示す。すなわち、当該ブロックのデー
タ記憶領域に空きがある場合、有効データサイズは、当
該データ記憶領域に書き込まれたデータのサイズの値を
示す。このとき、参照フラグは「参照情報あり」に設定
される。なお、ブロックのデータ記憶領域に空きがない
場合、有効データサイズは当該ブロックのデータ領域に
空きがないことを示す情報として「0xffff」に設
定される。
【0088】なお、以上説明した分散管理情報及び追加
管理情報は、ブロック内のデータが更新される毎に、常
に最新情報となるように更新される。
【0089】集合管理情報は、上述したように、各ブロ
ックの分散管理情報を集めて作成される情報であり、フ
ァイルとしてフラッシュメモリ21に格納される。すな
わち、図7に示すように、各ブロックの分散管理情報か
ら、全ブロックをまとめて管理するための情報である集
合管理情報のファイルが作成され、この集合管理情報が
所定のブロックのデータ記憶領域に格納される。なお、
集合管理情報は、1つのブロックに格納されるものであ
っても、複数のブロックにわたって格納されるものであ
ってもよい。そして、データ処理装置10は、通常は、
この集合管理情報によって、各ブロックにアクセスする
ために必要な情報を得るようにする。
【0090】以上説明したように、本発明を適用したメ
モリカード20は、データの管理に必要な情報である管
理情報のうち、領域管理情報については、変換部25に
より冗長データを有する領域管理フラグに変換されてフ
ラッシュメモリ21の管理情報記憶領域、詳しくは管理
情報記憶領域のうちのオーバーライト領域に記憶され
る。そして、フラッシュメモリ21から読み出された領
域管理フラグは、変換部25により元の領域管理情報に
変換されてレジスタ23、S/P・P/Sインターフェ
ース回路22を介してデータ処理装置10に転送され
る。
【0091】ここで、レジスタ23から読み出された領
域管理情報を領域管理フラグに変換し、又はフラッシュ
メモリ21から読み出された領域管理フラグを元の領域
管理情報に変換する変換部25の詳細について説明す
る。
【0092】この変換部25は、図1に示すように、変
換テーブル27とフラグ判別回路28と変換制御部29
とを備えている。
【0093】変換テーブル27には、領域管理情報と領
域管理フラグとが対応記録されている。例えば、この変
換テーブル27には、可/不可フラグに関し、領域管理
情報の「1」とこれに対応する領域管理フラグの「11
11 1111」が記録され、領域管理情報の「0」と
これに対応する領域管理フラグの「0000 000
0」が記録されている。
【0094】また、変換テーブル27には、ブロックフ
ラグに関し、領域管理情報の「11」とこれに対応する
領域管理フラグの「1111 1111」が記録され、
領域管理情報の「10」とこれに対応する領域管理フラ
グの「1111 0000」が記録され、領域管理情報
の「01」とこれに対応する領域管理フラグの「000
0 1111」が記録され、領域管理情報の「00」と
これに対応する領域管理フラグの「0000 000
0」が記録されている。
【0095】また、変換テーブル27には、最終フラグ
に関し、領域管理情報の「1」とこれに対応する領域管
理フラグの「1111」が記録され、領域管理情報の
「0」とこれに対応する領域管理フラグの「0000」
が記録されている。
【0096】また、変換テーブル27には、参照フラグ
に関し、領域管理情報の「1」とこれに対応する領域管
理フラグの「1111」が記録され、領域管理情報の
「0」とこれに対応する領域管理フラグの「0000」
が記録されている。
【0097】そして、変換部25に領域管理情報が供給
されると、変換制御部29が、変換テーブル27を参照
して、供給された領域管理情報をこの領域管理情報に対
応した領域管理フラグに変換する。
【0098】フラグ判別回路28は、フラッシュメモリ
21から読み出された領域管理フラグのパターンから元
の領域管理情報を判断する。すなわち、このフラグ判別
回路28は、フラッシュメモリ21に記憶された領域管
理フラグに、セルの故障等に起因するエラーが生じた場
合であっても、このエラーを有する領域管理フラグのパ
ターンから、元の領域管理情報が判別できるようになさ
れている。
【0099】具体的には、例えば最終フラグに関し、領
域管理情報の「1」が、領域管理フラグ「1111」と
してメモリ21に記憶されていた場合に、セルの故障に
起因してこの領域管理フラグにエラーが生じ、「111
1」が「1110」又は「1101」又は「1011」
又は「0111」となっていたとする。この場合、フラ
グ判別回路28は、この領域管理フラグの「0」と
「1」の数を比較して、数の多い方の情報、すなわち
「1」を元の領域管理情報であると判断する。
【0100】そして、変換制御部29は、フラグ判別回
路28により判断された情報を元の領域管理情報として
レジスタ23に書き込む。
【0101】なお、以上は、可/不可フラグについては
1ビットの領域管理情報を1バイトの領域管理フラグと
してフラッシュメモリ21に記憶させ、ブロックフラグ
についていは2ビットの領域管理情報を1バイトの領域
管理フラグとしてフラッシュメモリ21に記憶させ、最
終フラグについては1ビットの領域管理情報を4ビット
の領域管理フラグとしてフラッシュメモリ21に記憶さ
せ、参照フラグについては1ビットの領域管理情報を4
ビットの領域管理フラグとしてフラッシュメモリ21に
記憶させた例について説明したが、冗長データの付加の
させ方はこの例に限定されるものではなく、フラッシュ
メモリ21のセルの故障率を基に、セルに故障が生じた
場合でも元の領域管理情報が判別できる範囲で、冗長デ
ータの付加のさせ方を決めればよい。
【0102】例えば、セルの故障率が低い場合は、1ビ
ットの領域管理情報につき2ビットの冗長データを付加
し、3ビットの領域管理フラグに変換して3つのセルに
分散させて記憶させるようにすれば、3つのセルのうち
の1つのセルが故障した場合であっても、フラグ判別回
路28により「0」と「1」の数を比較することにより
元の領域管理情報が判別される。但し、領域管理情報に
付加する冗長データのビット数を増やせば、それだけデ
ータの信頼性が増すことになる。
【0103】本発明を適用したメモリカード20は、以
上のような変換部25を備え、入力された領域管理情報
をこの管理情報に冗長データを付加してなる領域管理フ
ラグに変換してフラッシュメモリ21に記憶させること
により、記憶された領域管理フラグにフラッシュメモリ
21のセルの故障等に起因するエラーが生じた場合であ
っても、エラー訂正符号を用いることなくエラーを訂正
して元の領域管理情報を出力することができる。
【0104】また、このメモリカード20は、データ処
理装置10との間でデータのやり取りをする際は、領域
管理情報を冗長データが付加されていない元の領域管理
情報のままで伝送するようにしているので、冗長データ
を付加する場合の問題点である伝送効率の悪化を招くこ
とがなく、また冗長データの付加の仕方が変更された場
合でも、データ処理装置10の構成を変更することなく
対応可能で、メモリカード間の互換性を保つことができ
る。
【0105】なお、以上は、一つのセルに1ビットの情
報が記憶される、いわゆる2値型のフラッシュメモリに
ついて説明したが、本発明は、1つのセルに2ビット以
上の情報が記憶される、いわゆる多値型のフラッシュメ
モリを搭載したメモリカードにも適用可能である。
【0106】この場合、例えば1つのセルに2ビットの
情報が記憶されるフラッシュメモリにおいては、1つの
セルが故障したときに2ビットのエラーが生じることに
なる。したがって、このようなフラッシュメモリに例え
ば1ビットの領域管理情報を記憶させる際は、この領域
管理情報を少なくとも5ビットの領域管理フラグに変換
して3つのセルに記憶させることが望ましい。このよう
に、1つのセルに2ビットの情報が記憶されるフラッシ
ュメモリにおいて、1ビットの領域管理情報を少なくと
も5ビットの領域管理フラグに変換して3つのセルに記
憶させることにより、当該領域管理フラグが格納された
セルのうち一つが故障して2ビットのエラーが生じた場
合であっても、上述した変換部25のフラグ判別回路2
8において領域管理フラグの「1」と「0」の数を比較
することにより、元の領域管理情報が認識される。
【0107】具体的には、1つのセルに2ビットの情報
が記憶されるフラッシュメモリの管理情報記憶領域に領
域管理情報を記憶させる場合は、例えば図8に示すよう
に、領域管理情報に冗長データを付加して領域管理フラ
グとして記憶させる。なお、上述したように、変換部2
5のフラグ判別回路28において元の領域管理情報を認
識するためには、1ビットの領域管理情報を5ビットの
領域管理フラグに変換すればよいが、偶数ビットに変換
した方がデータが扱いやすいので、この図8に示す例に
おいては、1ビットの領域管理情報を6ビット若しくは
1バイトの領域管理フラグに変換して記憶させ、2ビッ
トの領域管理情報を12ビットの領域管理フラグに変換
して記憶させるようにしている。
【0108】すなわち、可/不可フラグに関し、ブロッ
クが使用可能な状態であることを示す1ビットの領域管
理情報「1」は、1バイトの領域管理フラグブ「111
11111」に変換されて4つのセルに記憶され、ブロ
ックが使用不可能な状態であることを示す1ビットの領
域管理情報「0」は、1バイトの領域管理フラグ「00
00 0000」に変換されて4つのセルに記憶され
る。
【0109】また、ブロックフラグに関し、ブロックが
「未使用」であることを示す2ビットの領域管理情報
「11」は、12ビットの領域管理フラグ「11111
1 111111」に変換されて6つのセルに記憶さ
れ、ブロックが「先頭使用」であることを示す2ビット
の領域管理情報「10」は、12ビットの領域管理フラ
グ「111111 000000」に変換されて6つの
セルに記憶され、ブロックが「使用」であることを示す
2ビットの領域管理情報「01」は、12ビットの領域
管理フラグ「000000 111111」に変換され
て6つのセルに記憶され、ブロックが「未消去」である
ことを示す2ビットの領域管理情報「00」は、12ビ
ットの領域管理フラグ「000000 000000」
に変換されて6つのセルに記憶される。
【0110】また、最終フラグに関し、「ブロック連
続」であることを示す1ビットの領域管理情報「1」
は、6ビットの領域管理フラグ「111111」に変換
されて3つのセルに記憶され、「ブロック最終」である
ことを示す1ビットの領域管理情報「0」は、6ビット
の領域管理フラグ「000000」に変換されて3つの
セルに記憶される。
【0111】また、参照フラグに関し、「参照情報な
し」であることを示す1ビットの領域管理情報「1」
は、6ビットの領域管理フラグ「111111」に変換
されて3つのセルに記憶され、「参照情報あり」である
ことを示す1ビットの領域管理情報「0」は、6ビット
の領域管理フラグ「000000」に変換されて3つの
セルに記憶される。
【0112】以上ように、領域管理情報に冗長データを
付加して領域管理フラグとして記憶させておくことによ
り、例えば最終フラグに関し、セルの故障にエラーが生
じて、「111111」が「111100」又は「11
0011」又は「001111」となっていた場合で
も、フラグ判別回路28によりこの最終フラグの「0」
と「1」の数が比較されることにより、元の領域管理情
報「1」が認識される。
【0113】なお、この場合、変換テーブル27には、
領域管理情報と上述した領域管理フラグを対応記録させ
ておくようにする。
【0114】また、以上のように領域管理情報を領域管
理フラグに変換して管理情報記憶領域に記憶させる場合
は、領域管理フラグ全体で4バイト使用することになる
ので、16バイトの管理情報記憶領域のうち最初の4バ
イトをオーバーライト領域に設定する。
【0115】また、2ビットの領域管理情報であるブロ
ックフラグに関しては、例えば図9に示すように、ブロ
ックが「未使用」であることを示す領域管理情報「1
1」を、6ビットの領域管理フラグ「111111」に
変換して3つのセルに分散させて記憶し、ブロックが
「先頭使用」であることを示す領域管理情報「10」
を、6ビットの領域管理フラグ「101010」に変換
して3つのセルに分散させて記憶し、ブロックが「使
用」であることを示す領域管理情報「01」を、6ビッ
トの領域管理フラグ「010101」に変換して3つの
セルに分散させて記憶し、ブロックが「未消去」である
ことを示す領域管理情報「00」を、6ビットの領域管
理フラグ「000000」に変換して3つのセルに分散
させて記憶するようにしてもよい。
【0116】この場合、フラグ判別回路28は、2ビッ
ト単位で符号のパターンを認識し、多いパターンを元の
領域管理情報として判別する。
【0117】具体的には、例えばブロックが「先頭使
用」であることを示す領域管理情報「10」を、6ビッ
トの領域管理フラグ「101010」に変換して3つの
セルに分散させて記憶させた場合において、1つのセル
が故障すると、領域管理フラグ「101010」が「0
01010」又は「011010」又は「11101
0」又は「100010」又は「100110」又は
「101110」又は「101000」又は「1010
01」又は「101011」のいずれかになる。この場
合、フラグ判別回路28は、この領域管理フラグの符号
のパターンを2ビット単位で認識し、多いパターン「1
0」を元の領域管理情報であると判断する。
【0118】2ビットの領域管理情報であるブロックフ
ラグを以上のように領域管理フラグとして記憶させるよ
うにした場合は、使用ビット数を少なくすることができ
る。
【0119】なお、以上は、外部記憶装置であるメモリ
カード20及びこのメモリカード20とデータ処理装置
10とを備えたシステム1に本発明を適用した例につい
て説明したが、本発明は、内部メモリを備えたデータ処
理装置に適用することも可能である。この場合、内部メ
モリに領域管理情報を記憶させる際に、領域管理情報を
この領域管理情報に冗長データを付加した領域管理フラ
グに変換して記憶させ、また内部メモリから領域管理フ
ラグを読み出す際にこの領域管理フラグを元の領域管理
情報に変換して読み出すようにすればよい。
【0120】
【発明の効果】本発明に係る記憶装置は、入力された上
記領域管理情報をこの領域管理情報に冗長データが付加
されてなる領域管理フラグに変換し、又は記憶手段から
読み出された領域管理フラグを元の領域管理情報に変換
する変換手段を備え、領域管理情報を記憶手段に記憶さ
せるときは領域管理フラグに変換して記憶させ、領域管
理情報を伝送するときには元の領域管理情報のままで伝
送するようにしているので、伝送効率の悪化を招くこと
なく、領域管理情報のエラー対策をエラー訂正符号を用
いずに行うことができる。
【0121】また、この記憶装置は、領域管理情報を伝
送するときには元の領域管理情報のままで伝送するよう
にしているので、冗長データの付加の仕方が変更された
場合でも、外部装置の構成を変更することなくこの外部
装置とのデータの伝送が可能で、互換性を保つことがで
きる。
【0122】また、本発明に係るデータ処理システム
は、記憶装置が、データ処理装置から供給された領域管
理情報をこの領域管理情報に冗長データが付加されてな
る領域管理フラグに変換して記憶するとともに、記憶さ
れた領域管理フラグを元の領域管理情報に変換してデー
タ処理装置に供給するようにしているので、記憶装置と
データ処理装置間のデータの伝送を伝送効率の悪化を招
くことなく行うことができるとともに、領域管理情報の
エラー対策をエラー訂正符号を用いることなく行うこと
ができる。
【0123】また、このデータ処理システムは、記憶装
置とデータ処理装置間で領域管理情報を伝送するときに
は元の領域管理情報のままで伝送するようにしているの
で、冗長データの付加の仕方が変更された場合でも、デ
ータ処理装置の構成を変更することなく記憶装置とデー
タ処理装置間のデータの伝送が可能で、互換性を保つこ
とができる。
【0124】また、本発明に係るデータの書き込み及び
読み出し方法によれば、データ書き込み時は、記憶装置
に入力された領域管理情報をこの領域管理情報に冗長デ
ータが付加されてなる領域管理フラグに変換して記憶装
置に書き込み、データ読み出し時は、読み出された領域
管理フラグを元の領域管理情報に変換して記憶装置から
出力するようにしているので、記憶装置と外部装置との
間でデータを伝送する際の伝送効率の悪化を招くことな
く、領域管理情報のエラー対策をエラー訂正符号を用い
ずに行うことができる。
【0125】また、このデータの書き込み及び読み出し
方法によれば、データ読み出し時は、領域管理フラグを
元の領域管理情報に変換してするようにしているので、
記憶装置に記憶される領域管理フラグの冗長データの付
加の仕方が変更された場合でも、外部装置の構成を変更
することなく記憶装置と外部装置とのデータの伝送が可
能で、互換性を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】データ処理装置の構成を示すブロック図であ
る。
【図2】メモリカードの構成を示すブロック図である。
【図3】フラッシュメモリの記憶領域の構造を示す模式
図である。
【図4】分散管理情報を説明する模式図である。
【図5】領域管理フラグの一例を示す模式図である。
【図6】追加管理情報を説明する模式図である。
【図7】集合管理情報の構築を説明する模式図である。
【図8】領域管理フラグの他の例を説明する模式図であ
る。
【図9】領域管理フラグの他の例を説明する模式図であ
る。
【符号の説明】
1 システム、10 データ処理装置、20 メモリカ
ード、21 フラッシュメモリ、25 変換部、26
制御部、27 変換テーブル、28 フラグ判別回路、
29 変換制御部

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データとこのデータを管理するためのデ
    ータ管理情報とこのデータが記憶される領域の状態を管
    理するための領域管理情報とが記憶される記憶手段と、 入力された上記領域管理情報をこの領域管理情報に冗長
    データが付加されてなる領域管理フラグに変換し、又は
    上記記憶手段から読み出された上記領域管理フラグを元
    の領域管理情報に変換する変換手段と、 上記変換手段によって変換された領域管理フラグを上記
    記憶手段に書き込み、又は上記記憶手段から上記領域管
    理フラグを読み出して上記変換手段に供給し、この変換
    手段によって変換された元の領域管理情報を出力する制
    御を行う制御手段とを備える記憶装置。
  2. 【請求項2】 上記変換手段は、上記領域管理情報と上
    記領域管理フラグとが対応記録された変換テーブルを備
    え、この変換テーブルを参照して、上記領域管理情報を
    上記領域管理フラグに変換することを特徴とする請求項
    1記載の記憶装置。
  3. 【請求項3】 上記変換手段は、上記記憶手段から読み
    出された領域管理フラグのパターンから元の領域管理情
    報を判断するフラグ判別回路を備え、このフラグ判別回
    路を用いて、上記記憶手段から読み出された領域管理フ
    ラグを上記領域管理情報に変換することを特徴とする請
    求項1記載の記憶装置。
  4. 【請求項4】 上記記憶手段はフラッシュメモリからな
    り、 上記変換手段は、上記領域管理情報を、1ビットの情報
    につき少なくとも3ビットの領域管理フラグに変換し、 上記制御手段は、上記領域管理フラグを上記フラッシュ
    メモリの少なくとも3つのセルに分散させて書き込むこ
    とを特徴とする請求項1記載の記憶装置。
  5. 【請求項5】 データとこのデータを管理するためのデ
    ータ管理情報とこのデータが記憶される領域の状態を管
    理するための領域管理情報とが記憶される記憶装置と、 上記記憶装置に上記データ、データ管理情報及び領域管
    理情報を供給し、又は上記記憶装置から供給されたデー
    タ、データ管理情報及び領域管理情報を処理するデータ
    処理装置とを備え、 上記記憶装置は、上記データ処理装置から供給された上
    記領域管理情報をこの領域管理情報に冗長データが付加
    されてなる領域管理フラグに変換して記憶するととも
    に、記憶された領域管理フラグを元の領域管理情報に変
    換して上記データ処理装置に供給することを特徴とする
    データ処理システム。
  6. 【請求項6】 上記記憶装置は、上記領域管理情報と上
    記領域管理フラグとが対応記録された変換テーブルを備
    え、この変換テーブルを参照して、入力された領域管理
    情報を領域管理フラグに変換することを特徴とする請求
    項5記載のデータ処理システム。
  7. 【請求項7】 上記記憶装置は、記憶された領域管理フ
    ラグのパターンから元の領域管理情報を判断するフラグ
    判別回路を備え、このフラグ判別回路を用いて、記憶さ
    れた領域管理フラグを上記領域管理情報に変換すること
    を特徴とする請求項5記載のデータ処理システム。
  8. 【請求項8】 上記記憶装置はフラッシュメモリを備
    え、 上記記憶装置は、上記領域管理情報を、1ビットの情報
    につき少なくとも3ビットの領域管理フラグに変換し
    て、上記フラッシュメモリの少なくとも3つのセルに分
    散して記憶することを特徴とする請求項5記載のデータ
    処理システム。
  9. 【請求項9】 データとこのデータを管理するためのデ
    ータ管理情報とこのデータが記憶される領域の状態を管
    理するための領域管理情報とを記憶装置に書き込み、又
    はこの記憶装置に書き込まれた上記データとデータ管理
    情報と領域管理情報とを上記記憶装置から読み出すデー
    タの書き込み及び読み出し方法において、 データ書き込み時は、上記記憶装置に入力された上記領
    域管理情報をこの領域管理情報に冗長データが付加され
    てなる領域管理フラグに変換して上記記憶装置に書き込
    み、 データ読み出し時は、読み出された領域管理フラグを元
    の領域管理情報に変換して上記記憶装置から出力するこ
    とを特徴とするデータの書き込み及び読み出し方法。
  10. 【請求項10】 上記記憶装置は、上記領域管理情報と
    上記領域管理フラグとが対応記録された変換テーブルを
    備え、 データ書き込み時は、この変換テーブルを参照して、入
    力された領域管理情報を領域管理フラグに変換すること
    を特徴とする請求項9記載のデータの書き込み及び読み
    出し方法。
  11. 【請求項11】 上記記憶装置は、読み出された領域管
    理フラグのパターンから元の領域管理情報を判断するフ
    ラグ判別回路を備え、 データ読み出し時は、このフラグ判別回路を用いて、読
    み出された領域管理フラグを元の領域管理情報に変換し
    て上記記憶装置から出力することを特徴とする請求項9
    記載のデータの書き込み及び読み出し方法。
  12. 【請求項12】 上記記憶装置はフラッシュメモリを備
    え、 上記領域管理情報は、1ビットの情報につき少なくとも
    3ビットの領域管理フラグに変換され、上記フラッシュ
    メモリの少なくとも3つのセルに分散して書き込まれる
    ことを特徴とする請求項9記載のデータの書き込み及び
    読み出し方法。
JP26717397A 1997-09-30 1997-09-30 記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法 Expired - Lifetime JP3119214B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26717397A JP3119214B2 (ja) 1997-09-30 1997-09-30 記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法
US09/162,326 US6219768B1 (en) 1997-09-30 1998-09-28 Employing stored management data for supervision of data storage
KR1019980040766A KR100527610B1 (ko) 1997-09-30 1998-09-30 저장장치,데이터처리시스템및데이터기록및판독방법
JP2000201055A JP3788205B2 (ja) 1997-09-30 2000-07-03 記憶装置、データ処理システム、データの書き込み及び読み出し方法並びにデータ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26717397A JP3119214B2 (ja) 1997-09-30 1997-09-30 記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000201055A Division JP3788205B2 (ja) 1997-09-30 2000-07-03 記憶装置、データ処理システム、データの書き込み及び読み出し方法並びにデータ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11110305A true JPH11110305A (ja) 1999-04-23
JP3119214B2 JP3119214B2 (ja) 2000-12-18

Family

ID=17441126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26717397A Expired - Lifetime JP3119214B2 (ja) 1997-09-30 1997-09-30 記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6219768B1 (ja)
JP (1) JP3119214B2 (ja)
KR (1) KR100527610B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001043143A (ja) * 1997-09-30 2001-02-16 Sony Corp 記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法
JP2005516264A (ja) * 1999-06-11 2005-06-02 レクサー・メディア・インコーポレイテッド 不揮発性メモリ上で実行されるブロック書き込み動作時間を低減させる方法および装置
JP2005190288A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Tdk Corp メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3233079B2 (ja) 1997-09-30 2001-11-26 ソニー株式会社 データ処理システム及びデータ処理方法
JP3454700B2 (ja) * 1998-01-20 2003-10-06 富士通株式会社 情報記憶装置及びその制御方法
US6601140B1 (en) * 1999-04-07 2003-07-29 Sony Corporation Memory unit, data processing unit, and data processing method using memory unit type
US7380272B2 (en) * 2000-05-17 2008-05-27 Deep Nines Incorporated System and method for detecting and eliminating IP spoofing in a data transmission network
US6763424B2 (en) * 2001-01-19 2004-07-13 Sandisk Corporation Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory
JP2002342164A (ja) * 2001-05-22 2002-11-29 Hitachi Ltd 記憶装置及びデータ処理装置並びに記憶部制御方法
KR100921851B1 (ko) * 2001-06-28 2009-10-13 소니 가부시끼 가이샤 전자 장치, 정보 처리 장치, 어댑터 장치 및 정보 교환시스템
US20030056141A1 (en) * 2001-09-18 2003-03-20 Lai Chen Nan Control method used in and-gate type system to increase efficiency and lengthen lifetime of use
JP2003196142A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Sony Corp ライトワンス型メモリ装置及びファイル管理方法
JP3935139B2 (ja) * 2002-11-29 2007-06-20 株式会社東芝 半導体記憶装置
US7904635B2 (en) * 2003-03-04 2011-03-08 Netac Technology Co., Ltd. Power cut data recovery and data management method for flash media
US20050138090A1 (en) * 2003-12-17 2005-06-23 Oliver Augenstein Method and apparatus for performing a backup of data stored in multiple source medium
US7631138B2 (en) 2003-12-30 2009-12-08 Sandisk Corporation Adaptive mode switching of flash memory address mapping based on host usage characteristics
US8504798B2 (en) * 2003-12-30 2013-08-06 Sandisk Technologies Inc. Management of non-volatile memory systems having large erase blocks
JP2005222201A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリアクセス装置、及び半導体メモリカード
US7434092B2 (en) * 2005-02-22 2008-10-07 Silicon Storage Techonology, Inc. Semiconductor memory and method of storing configuration data
US7734668B2 (en) * 2005-07-26 2010-06-08 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Information management system, information processing device, and program
JP4241703B2 (ja) * 2005-09-30 2009-03-18 ブラザー工業株式会社 情報管理システム、情報処理装置及び情報管理プログラム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5690349A (en) * 1979-12-25 1981-07-22 Fujitsu Ltd Error correction code circuit
JPS62206658A (ja) * 1986-03-07 1987-09-11 Hitachi Ltd 記憶管理装置
JP2753254B2 (ja) * 1988-04-06 1998-05-18 株式会社日立製作所 パケツト交換システム
JPH02193236A (ja) * 1989-01-21 1990-07-30 Fuji Photo Film Co Ltd メモリカードの記憶管理方式
EP0443029B1 (en) * 1989-04-28 1995-09-20 Anritsu Corporation Signal generator and signal receiver based on synchronous multiplex transmission system
JP3391479B2 (ja) * 1992-09-14 2003-03-31 富士写真フイルム株式会社 メモリカード管理方法および方式
JP2647312B2 (ja) * 1992-09-11 1997-08-27 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 一括消去型不揮発性半導体記憶装置
JP2974526B2 (ja) * 1992-12-18 1999-11-10 富士通株式会社 データ転送処理方法及びデータ転送処理装置
US5784377A (en) * 1993-03-09 1998-07-21 Hubbell Incorporated Integrated digital loop carrier system with virtual tributary mapper circuit
US5737550A (en) * 1995-03-28 1998-04-07 Advanced Micro Devices, Inc. Cache memory to processor bus interface and method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001043143A (ja) * 1997-09-30 2001-02-16 Sony Corp 記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法
JP2005516264A (ja) * 1999-06-11 2005-06-02 レクサー・メディア・インコーポレイテッド 不揮発性メモリ上で実行されるブロック書き込み動作時間を低減させる方法および装置
JP2005190288A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Tdk Corp メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990030283A (ko) 1999-04-26
US6219768B1 (en) 2001-04-17
KR100527610B1 (ko) 2006-03-28
JP3119214B2 (ja) 2000-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3119214B2 (ja) 記憶装置、データ処理システム並びにデータの書き込み及び読み出し方法
JP3233079B2 (ja) データ処理システム及びデータ処理方法
US7890732B2 (en) Memory card and semiconductor device
US5812814A (en) Alternative flash EEPROM semiconductor memory system
KR100642529B1 (ko) 외부기억장치및데이터처리방법
US8310896B2 (en) Memory system and method of writing into nonvolatile semiconductor memory
KR100742849B1 (ko) 데이타 기억 장치, 데이타 처리 시스템, 데이타 처리 방법 및 데이타 처리 장치
US20060064537A1 (en) Memory card having a storage cell and method of controlling the same
US6680870B2 (en) Memory device, data processing method and data processing program
JP3620478B2 (ja) 記憶装置、この記憶装置を用いたデータ処理システム及びデータ読み出し方法
JP3788205B2 (ja) 記憶装置、データ処理システム、データの書き込み及び読み出し方法並びにデータ処理装置
JP4127307B2 (ja) データ記憶装置、データ処理システム、データ処理方法及びデータ処理装置
KR20100056400A (ko) 기록가능 메모리 장치
JP2910745B2 (ja) 記憶装置及びデータ処理方法
EP1804166B1 (en) Memory device and information processing apparatus
JPH07320017A (ja) Icメモリカード
JPH09198201A (ja) 半導体ディスク装置およびその書換回数管理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20000502

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20000912

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131013

Year of fee payment: 13

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term