JPH11110142A - 記憶装置及びデータ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記憶領域が複数のブロックに分割されてなる
とともに、ブロックへのデータの書き込みを所定のペー
ジ単位毎に行う記憶装置に関して、ブロックにデータが
正常に書き込まれたか否かの確認を、ブロックに書き込
まれた全データを読み出すことなく、効率良く行えるよ
うにする。 【解決手段】 ブロックにデータを書き込む際に、当該
ブロックへの書き込みの最後に、当該ブロックの最終ペ
ージに上記データの少なくとも一部及び／又は追加管理
情報を書き込む。なお、ブロックに書き込まれるデータ
が当該ブロックの最終ページにまで至らないときには、
当該ブロックへの書き込みの最後に、当該ブロックの最
終ページに追加管理情報だけを書き込むようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記憶領域が複数の
ブロックに分割されてなる記憶装置に関する。また、本
発明は、記憶領域が複数のブロックに分割されてなる記
憶装置にデータを書き込む際のデータ処理方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】パーソナルコンピュータやデジタルスチ
ルカメラ等のようなデータ処理装置に用いられる記憶装
置として、フラッシュメモリを備えた記憶装置がある。

【０００３】フラッシュメモリを備えた記憶装置は、通
常、記憶領域を複数のブロックに分割し、データ領域の
管理をブロック単位で行う。ここで、各ブロックはデー
タ消去の単位となる。すなわち、データを消去する際
は、当該データを含むブロック全体に対して初期化処理
を施す。これにより、当該ブロックに格納されているデ
ータが一括して消去され、新たなデータの書き込みが可
能となる。

【０００４】また、このような記憶装置において、各ブ
ロックは複数のページによって構成される。そして、ブ
ロックへのデータの書き込みや、ブロックからのデータ
の読み出しは、ページ単位毎に行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来、記憶領域が複数
のブロックに分割されてなる記憶装置にデータを書き込
んだときに、ブロックにデータが正常に書き込まれたか
を確認するには、ブロック内の全てのデータを読み出し
て確認するしかなかった。すなわち、従来、ブロックに
データが正常に書き込まれたか否かを確認するには、ブ
ロック内の全てのデータを読み出す必要があり、非常に
効率が悪かった。

【０００６】本発明は、以上のような従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、ブロックにデータが正常に書
き込まれたか否かの確認を、ブロックに書き込まれた全
データを読み出すことなく、効率良く行うことが可能な
記憶装置及びデータ処理方法を提供することを目的とし
ている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る記憶装置
は、記憶領域が複数のブロックに分割されてなるととも
に、ブロックへのデータの書き込みを所定のページ単位
毎に行う記憶装置である。そして、ブロックにデータを
書き込む際に、当該データがブロックの全ページを満た
すほどの大きさを持たなくても、当該ブロックへの書き
込みの最後に、当該ブロックの最終ページに上記データ
の少なくとも一部及び／又は上記データ以外の情報を書
き込むことを特徴とする。

【０００８】この記憶装置では、例えば、ブロックに書
き込まれるデータが当該ブロックの最終ページにまで至
らないときには、当該ブロックへの書き込みの最後に、
当該ブロックの最終ページに上記情報だけを書き込むよ
うにし、また、ブロックに書き込まれるデータが当該ブ
ロックの最終ページにまで至るときには、当該ブロック
への書き込みの最後に、当該ブロックの最終ページに上
記データの少なくとも一部及び上記情報を書き込むよう
にする。

【０００９】なお、上記情報は、当該情報のエラーを検
出し訂正するためのエラー訂正符号を含んでいることが
好ましい。また、上記情報は、最終ページに書き込まれ
るデータのエラーを検出し訂正するためのエラー訂正符
号を含んでいることが好ましい。

【００１０】以上のような本発明に係る記憶装置では、
ブロックへのデータ書き込みの最後に、当該ブロックの
最終ページに上記データの少なくとも一部及び／又は上
記データ以外の情報を書き込むようにしているので、ブ
ロックへのデータの書き込みが完了した後に、ブロック
の最終ページに書き込まれている内容を確認することに
より、ブロックへのデータの書き込みが正常になされた
か否かを判別することができる。

【００１１】また、本発明に係るデータ処理方法は、記
憶領域が複数のブロックに分割されてなるとともに、ブ
ロックへのデータの書き込みを所定のページ単位毎に行
う記憶装置に対してデータを書き込む際に、上記データ
がブロックの全ページを満たすほどの大きさを持たなく
ても、当該ブロックへの書き込みの最後に、当該ブロッ
クの最終ページに上記データの少なくとも一部及び／又
は上記データ以外の情報を書き込むことを特徴とする。

【００１２】このデータ処理方法では、例えば、ブロッ
クに書き込まれるデータが当該ブロックの最終ページに
まで至らないときには、当該ブロックへの書き込みの最
後に、当該ブロックの最終ページに上記情報だけを書き
込むようにし、また、ブロックに書き込まれるデータが
当該ブロックの最終ページにまで至るときには、当該ブ
ロックへの書き込みの最後に、当該ブロックの最終ペー
ジに上記データの少なくとも一部及び上記情報を書き込
むようにする。

【００１３】なお、上記情報は、当該情報のエラーを検
出し訂正するためのエラー訂正符号を含んでいることが
好ましい。また、上記情報は、最終ページに書き込まれ
るデータのエラーを検出し訂正するためのエラー訂正符
号を含んでいることが好ましい。

【００１４】以上のような本発明に係るデータ処理方法
では、ブロックへのデータ書き込みの最後に、当該ブロ
ックの最終ページに上記データの少なくとも一部及び／
又は上記データ以外の情報を書き込むようにしているの
で、ブロックへのデータの書き込みが完了した後に、ブ
ロックの最終ページに書き込まれている内容を確認する
ことにより、ブロックへのデータの書き込みが正常にな
されたか否かを判別することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１６】１．システムの全体構成 本発明が適用されるシステムの一例について、その全体
構成を図１に示す。このシステムは、ホスト側システム
となるデータ処理装置１と、シリアルインターフェース
を介してデータ処理装置１に接続される記憶装置である
メモリカード２とから構成される。

【００１７】なお、ここでは、データ処理装置１とメモ
リカード２との間でのデータのやり取りをシリアルイン
ターフェースによって行うシステムを例に挙げるが、本
発明は、データのやり取りをパラレルインターフェース
によって行うシステムに対しても適用可能である。

【００１８】データ処理装置１は、演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）３と、内部メモリ４と、補助記憶装置５と、シリア
ルインターフェース回路６とを備え、これらがバス７に
よって相互に接続されてなる。このデータ処理装置１
は、例えば、補助記憶装置５に格納されているプログラ
ムを読み出して、当該プログラムを、内部メモリ４をワ
ークエリアとして使用して、ＣＰＵ３により実行する。
このとき、必要に応じて、シリアルインターフェース回
路６を介してメモリカード２との間でデータのやり取り
を行う。

【００１９】なお、本発明が適用されるシステムに使用
されるデータ処理装置１は、記憶装置との間でデータの
やり取りが可能なものであるならば特に限定されるもの
ではなく、本発明は、パーソナルコンピュータ、デジタ
ルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ等、種々のデー
タ処理装置に適用可能である。

【００２０】データ処理装置１とメモリカード２とは、
シリアルインターフェースによって接続されており、具
体的には、少なくとも３本のデータ線ＳＣＬＫ，Ｓｔａ
ｔｅ，ＤＩＯによって接続される。すなわち、データ処
理装置１とメモリカード２とは、少なくとも、データ伝
送時にクロック信号を伝送する第１のデータ線ＳＣＬＫ
と、データ伝送時に必要なステータス信号を伝送する第
２のデータ線Ｓｔａｔｅと、メモリカード２に書き込む
データ又はメモリカード２から読み出すデータ等をシリ
アルに伝送する第３のデータ線ＤＩＯとによって接続さ
れ、これらを介して、データ処理装置１とメモリカード
２との間でのデータのやり取りを行う。

【００２１】データ処理装置１とメモリカード２との間
でのデータのやり取りは、通常、ヘッダーと実データと
から構成されるファイル単位で行われる。なお、ファイ
ルのヘッダーには、例えば、ファイルにアクセスするた
めの情報や、データ処理装置１で実行されるプログラム
で必要とされる情報等が格納される。

【００２２】２．メモリカードの構成 メモリカード２は、図２に示すように、いわゆるコント
ロールＩＣからなるコントローラ１１と、コントローラ
１１によって管理されるフラッシュメモリ１２とを備え
ている。

【００２３】コントローラ１１は、シリアル／パラレル
変換やパラレル／シリアル変換等を行うシリアル／パラ
レル・パラレル／シリアル・インターフェース・シーケ
ンサ１３（以下、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・
シーケンサ１３と称する。）と、フラッシュメモリ１２
へのインターフェースを司るフラッシュメモリ・インタ
ーフェース・シーケンサ１４と、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・イン
ターフェース・シーケンサ１３とフラッシュメモリ・イ
ンターフェース・シーケンサ１４との間でやり取りされ
るデータを一時的に記憶するページバッファ１５と、エ
ラー訂正の処理を行うエラー訂正回路１６と、フラッシ
ュメモリ１２へのアクセスを制御する制御コマンドの生
成等を行うコマンドジェネレータ１７と、このメモリカ
ード２のバージョン情報や各種属性情報等が格納されて
いるコンフィグレーションＲＯＭ１８と、各回路に対し
てそれらの動作に必要なクロック信号を供給する発振器
１９とを備えている。

【００２４】Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・シー
ケンサ１３は、少なくとも上述した３本のデータ線ＳＣ
ＬＫ，Ｓｔａｔｅ，ＤＩＯを介して、データ処理装置１
のシリアルインターフェース回路６に接続され、これら
のデータ線ＳＣＬＫ，Ｓｔａｔｅ，ＤＩＯを介して、デ
ータ処理装置１との間でデータのやり取りを行う。すな
わち、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・シーケンサ
１３は、ページバッファ１５から送られてきたパラレル
データをシリアルデータに変換して、データ処理装置１
のシリアルインターフェース回路６へ送出する。また、
Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・シーケンサ１３
は、データ処理装置１のシリアルインターフェース回路
６から送られてきたシリアルデータをパラレルデータに
変換して、ページバッファ１５へ送出する。

【００２５】このＳ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・
シーケンサ１３とデータ処理装置１との間でのシリアル
データの伝送は、第１のデータ線ＳＣＬＫによってデー
タ処理装置１から送られてくるクロック信号によって同
期を取りながら、第３のデータ線ＤＩＯによって行われ
る。このとき、第３のデータ線ＤＩＯによってやり取り
されるシリアルデータのデータ種別は、第２のデータ線
Ｓｔａｔｅによって伝送されるステータス信号によって
判別される。ここで、シリアルデータの種別には、例え
ば、フラッシュメモリ１２に書き込むべきデータ、フラ
ッシュメモリ１２から読み出されたデータ、又はこのメ
モリカード２の動作を制御するための制御データ等があ
る。なお、ステータス信号は、メモリカード２の状態を
示すためにも使用される。ステータス信号によって示さ
れるメモリカード２の状態には、例えば、メモリカード
２が何らかの処理の最中でデータ処理装置１からのデー
タ入力を受け付けない状態や、メモリカード２の側での
処理が終了してデータ処理装置１からのデータ入力を待
っている状態等がある。

【００２６】また、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース
・シーケンサ１３は、データ処理装置１から送られてき
たデータがメモリカード２の動作を制御するための制御
データである場合には、当該制御データをコマンドジェ
ネレータ１７に送出する。

【００２７】コマンドジェネレータ１７は、データ処理
装置１からＳ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・シーケ
ンサ１３を介して送られてきた制御データに基づいて、
フラッシュメモリ１２へのアクセスを制御する制御コマ
ンドを生成し、当該制御コマンドをフラッシュメモリ・
インターフェース・シーケンサ１４へ送出する。フラッ
シュメモリ・インターフェース・シーケンサ１４は、後
述するように、この制御コマンドに基づいて、フラッシ
ュメモリ１２にデータを書き込んだり、フラッシュメモ
リ１２からデータを読み出したりする。

【００２８】なお、このコマンドジェネレータ１７に
は、誤消去防止スイッチ２０が接続されている。そし
て、この誤消去防止スイッチ２０がオンになっていると
きには、フラッシュメモリ１２に書かれているデータを
消去するように指示する制御データがデータ処理装置１
から送られてきたとしても、コマンドジェネレータ１７
は、フラッシュメモリ１２に書かれているデータを消去
するような制御コマンドを生成しない。すなわち、この
メモリカード２は、誤消去防止スイッチ２０によって、
フラッシュメモリ１２に保存されているデータの消去が
行えない状態と、フラッシュメモリ１２に保存されてい
るデータの消去が行える状態とを切り換えることが可能
となっている。

【００２９】Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・シー
ケンサ１３とフラッシュメモリ・インターフェース・シ
ーケンサ１４との間に配されたページバッファ１５は、
いわゆるバッファメモリであり、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・イン
ターフェース・シーケンサ１３とフラッシュメモリ・イ
ンターフェース・シーケンサ１４との間でやり取りされ
るデータを一時的に記憶する。

【００３０】すなわち、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェ
ース・シーケンサ１３からフラッシュメモリ・インター
フェース・シーケンサ１４へ送られるデータは、先ず、
Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・シーケンサ１３か
らページバッファ１５に送られて、このページバッファ
１５によって一時的に記憶される。このとき、ページバ
ッファ１５に記憶されたデータは、エラー訂正回路１６
によってエラー訂正符号が付けられる。そして、エラー
訂正符号が付けられたデータは、ページバッファ１５か
ら所定のページ単位毎（例えば１ページ＝５１２バイト
とされる。）に、フラッシュメモリ・インターフェース
・シーケンサ１４へと送られる。

【００３１】或いは、フラッシュメモリ・インターフェ
ース・シーケンサ１４からＳ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフ
ェース・シーケンサ１３へ送られるデータは、先ず、フ
ラッシュメモリ・インターフェース・シーケンサ１４か
らページバッファ１５に送られて、このページバッファ
１５によって一時的に記憶される。このとき、ページバ
ッファ１５に記憶されたデータは、エラー訂正回路１６
によってエラー訂正処理が施される。そして、エラー訂
正処理が施されたデータは、ページバッファ１５から所
定のページ単位毎に、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェー
ス・シーケンサ１３へと送られる。

【００３２】フラッシュメモリ・インターフェース・シ
ーケンサ１４は、コマンドジェネレータ１７からの制御
コマンドに基づいて、フラッシュメモリ１２へのデータ
の書き込みや、フラッシュメモリ１２からのデータの読
み出し等を行う。すなわち、フラッシュメモリ・インタ
ーフェース・シーケンサ１４は、コマンドジェネレータ
１７からの制御コマンドに基づいて、フラッシュメモリ
１２からデータを読み出して、当該データを上述のよう
にページバッファ１５を介して、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・イン
ターフェース・シーケンサ１３へと送出する。或いは、
フラッシュメモリ・インターフェース・シーケンサ１４
は、コマンドジェネレータ１７からの制御コマンドに基
づいて、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・シーケン
サ１３からのデータを、上述のようにページバッファ１
５を介して受け取り、当該データをフラッシュメモリ１
２に書き込む。

【００３３】コンフィグレーションＲＯＭ１８には、こ
のメモリカード２のバージョン情報や各種属性情報等が
格納されている。コンフィグレーションＲＯＭ１８に格
納された情報は、必要に応じて、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・イン
ターフェース・シーケンサ１３を介してコマンドジェネ
レータ１７によって読み出されて使用される。すなわ
ち、コマンドジェネレータ１７は、必要に応じて、コン
フィグレーションＲＯＭ１８に格納されている情報を読
み出し、この情報に基づいてメモリカード２に関する各
種設定を行う。

【００３４】以上のようなメモリカード２に対して、フ
ラッシュメモリ１２に書き込まれるデータが、上述した
３本のデータ線ＳＣＬＫ，Ｓｔａｔｅ，ＤＩＯを介し
て、データ処理装置１からシリアルデータとして送られ
てくると、先ず、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・
シーケンサ１３は、当該シリアルデータをパラレルデー
タに変換し、当該パラレルデータをページバッファ１５
へ送出する。ページバッファ１５は、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・
インターフェース・シーケンサ１３から送られてきたデ
ータを一時的に記憶する。このとき、ページバッファ１
５に記憶されたデータには、エラー訂正回路１６によっ
てエラー訂正符号が付けられる。そして、エラー訂正符
号が付けられたデータは、所定のページ単位毎にフラッ
シュメモリ・インターフェース・シーケンサ１４に送出
される。そして、フラッシュメモリ・インターフェース
・シーケンサ１４は、ページバッファ１５から送られて
きたデータを、コマンドジェネレータ１７からの制御コ
マンドに基づいて、フラッシュメモリ１２に書き込む。
以上の処理により、データ処理装置１から送られてきた
データが、フラッシュメモリ１２に書き込まれる。

【００３５】また、以上のようなメモリカード２からデ
ータを読み出す際は、先ず、コマンドジェネレータ１７
からの制御コマンドに基づいて、フラッシュメモリ・イ
ンターフェース・シーケンサ１４によって、フラッシュ
メモリ１２からデータが読み出される。そして、フラッ
シュメモリ・インターフェース・シーケンサ１４は、フ
ラッシュメモリ１２から読み出したデータをページバッ
ファ１５に送出する。ページバッファ１５は、フラッシ
ュメモリ・インターフェース・シーケンサ１４から送ら
れてきたデータを一時的に記憶する。このとき、ページ
バッファ１５に記憶されたデータには、エラー訂正回路
１６によってエラー訂正処理が施される。そして、エラ
ー訂正処理が施されたデータは、所定のページ単位毎に
Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・シーケンサ１３に
送出される。そして、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェー
ス・シーケンサ１３は、ページバッファ１５から送られ
てきたデータを、シリアルデータに変換した上で、上述
した３本のデータ線ＳＣＬＫ，Ｓｔａｔｅ，ＤＩＯを介
して、データ処理装置１へと送出する。以上の処理によ
り、フラッシュメモリ１２から読み出されたデータが、
データ処理装置１へと送出される。

【００３６】なお、データの書き込みや読み出しを行う
際は、フラッシュメモリ１２に書き込まれるデータやフ
ラッシュメモリ１２から読み出されたデータのやり取り
が行われるだけでなく、そのやり取りを制御するための
制御データも、データ処理装置１からメモリカード２の
Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・シーケンサ１３へ
送られる。この制御データは、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インタ
ーフェース・シーケンサ１３からコマンドジェネレータ
１７に送られる。そして、コマンドジェネレータ１７
は、Ｓ／Ｐ＆Ｐ／Ｓ・インターフェース・シーケンサ１
３から送られてきた制御データに基づいて、フラッシュ
メモリ１２へのアクセスを制御する制御コマンドを生成
する。そして、この制御コマンドは、フラッシュメモリ
・インターフェース・シーケンサ１４に送られ、フラッ
シュメモリ・インターフェース・シーケンサ１４は、こ
の制御コマンドに基づいてフラッシュメモリ１２にアク
セスして、データの書き込みやデータの読み出しを行
う。

【００３７】なお、メモリカード２は、上述した３本の
データ線ＳＣＬＫ，Ｓｔａｔｅ，ＤＩＯを備えるだけで
なく、その他に、電圧供給用の配線や、通常は使用しな
いリザーブの配線等を備えていてもよい。例えば、図２
並びに後掲する図３では、上述した３本のデータ線ＳＣ
ＬＫ，Ｓｔａｔｅ，ＤＩＯの他に、４本の電源用の配線
ＶＳＳ１，ＶＳＳ２，ＶＣＣ，ＩＮＴと、３本のリザー
ブの配線ＲＳＶ１，ＲＳＶ２，ＲＳＶ３とをメモリカー
ド２に設けた例を挙げている。

【００３８】３．メモリカードの外観 つぎに、以上のようなメモリカード２の具体的な外形に
ついて、図３を参照して説明する。

【００３９】メモリカード２は、合成樹脂等からなり平
面形状が長方形とされる薄肉のカード状のケース２１
に、上述したコントローラ１１やフラッシュメモリ１２
等が内蔵されてなる。そして、このメモリカード２は、
当該メモリカード２を装着する装着機構を備えたデータ
処理装置１に装着されて使用される。

【００４０】このメモリカード２のケース２１の前端部
には、斜めに切り欠かれた切り欠き部２２が形成されて
おり、更に当該切り欠き部２２が形成された部分に、１
０個の凹状部２３が形成されている。そして、これらの
凹状部２３の内部には、メモリカード２がデータ処理装
置１の装着装置に装着されたときに、データ処理装置１
の接続端子に接続される外部接続用端子が、それぞれ配
されている。すなわち、このメモリカード２は、外部接
続用端子として１０本の端子２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，
２４ｄ，２４ｅ，２４ｆ，２４ｇ，２４ｈ，２４ｉ，２
４ｊを備えている。これらの外部接続用端子の内訳は、
３本のデータ線用の端子２４ｂ，２４ｄ，２４ｈ、４本
の電源用端子２４ａ，２４ｆ，２４ｉ，２４ｊ、及び３
本のリザーブ端子２４ｃ，２４ｅ，２４ｇである。

【００４１】また、このメモリカード２のケース２１の
上面には、誤消去防止部材２５が取り付けられている。
誤消去防止部材２５は、ケース２１の内部に収納された
上記誤消去防止スイッチ２０に係合されており、この誤
消去防止部材２５をスライド操作することにより、誤消
去防止スイッチ２０のオン／オフの切り換えを行えるよ
うになっている。

【００４２】このメモリカード２には、データ処理装置
１の装着装置に装着された際にメモリカード２がデータ
処理装置１から脱落しないようにするため、ケース２０
の側面の一方に円弧状の第１のロック用切欠部２６が形
成され、ケース２０の側面の他方に矩形状の第２のロッ
ク用切欠部２７が形成されている。そして、このメモリ
カード２がデータ処理装置１の装着装置に装着される
と、メモリカード２が脱落しないように、これらのロッ
ク用切欠部２６，２７が、データ処理装置１の装着装置
に係合される。

【００４３】なお、図３に示したメモリカード２は、本
発明が適用される記憶装置の一例に過ぎない。すなわ
ち、本発明は、記憶装置の外形に依存することなく、ど
んな外形の記憶装置にも適用可能である。

【００４４】４．記憶領域の構造 つぎに、以上のようなメモリカード２に搭載されるフラ
ッシュメモリ１２の記憶領域の構造について説明する。

【００４５】このフラッシュメモリ１２の記憶領域は、
図４（ａ）に示すように、データ消去の単位となる複数
のブロックに分割されてなる。なお、これらのブロック
には、このメモリカード２が起動されたときにデータ処
理装置１によって最初に読み込まれるデータであるブー
トデータが格納されるブートブロックと、任意のデータ
が書き込まれるデータブロックとがある。各ブロックに
は、それぞれ固有の物理アドレスが付けられている。こ
れらのブロックは、データ消去の単位であると同時に、
ファイル管理上の最小単位でもある。すなわち、ファイ
ルは１つ又は複数のブロックに格納され、１つのブロッ
クを複数のファイルで利用することはできない。

【００４６】そして、各ブロックは、「１」又は「０」
を示す２つの状態を取りうる複数のビットからなり、初
期状態では、全てのビットが「１」とされており、ビッ
ト単位での変更は「１」から「０」へだけが可能となっ
ている。すなわち、「１」及び「０」からなるデータを
書き込む際、「１」については該当するビットをそのま
ま保持し、「０」については該当するビットを「１」か
ら「０」に変更する。

【００４７】そして、一度書き込んだデータを消去する
際は、ブロック単位で一括して初期化処理を行い、当該
ブロックの全ビットを「１」とする。これにより、当該
ブロックに書き込まれたデータが一括して消去され、そ
のブロックは再びデータの書き込みが可能な状態とな
る。なお、「０」から「１」への変更を行うには、ブロ
ック単位で一括して初期化処理を行い、当該ブロックの
全ビットを「１」にする必要があるが、「１」から
「０」への変更は、ブロック単位で一括して初期化処理
を行わなくて可能である。

【００４８】なお、本発明は、上述のように各ビットが
２つの状態だけを取りうるフラッシュメモリ（いわゆる
２値型のフラッシュメモリ）だけでなく、各ビットが３
つ以上の状態を取りうるフラッシュメモリ（いわゆる多
値型のフラッシュメモリ）にも適用可能である。

【００４９】上記フラッシュメモリ１２の各ブロック
は、図４（ｂ）に示すように、データの書き込みや読み
出しの単位となる複数のページから構成される。すなわ
ち、このフラッシュメモリ１２にデータを書き込む際
は、上述したように、ページ単位にてページバッファ１
５から送られてきたデータが、フラッシュメモリ・イン
ターフェース・シーケンサ１４によってページ単位にて
フラッシュメモリ１２に書き込まれる。また、このフラ
ッシュメモリ１２からデータを読み出す際は、フラッシ
ュメモリ・インターフェース・シーケンサ１４によって
ページ単位毎にデータが読み出されて、ページバッファ
１５へと送られる。

【００５０】各ページは、データエリアと、冗長エリア
とを有している。データエリアは、任意のデータが書き
込まれる領域である。冗長エリアは、データエリアに書
き込まれるデータの管理に必要な情報が格納される領域
である。

【００５１】具体的には、図４（ｃ）に示すように、ブ
ロックの先頭ページの冗長エリアには、当該ブロックを
管理するために必要な情報として、いわゆる分散管理情
報が格納される。また、ブロックの２ページ目以降の各
ページの冗長エリアにも、予備の分散管理情報として、
先頭ページの冗長エリアに格納された分散管理情報と同
じものが格納される。ただし、最終ページの冗長エリア
には、分散管理情報ではなく、分散管理情報だけでは管
理しきれない追加情報として、いわゆる追加管理情報が
格納される。

【００５２】このように、このフラッシュメモリ１２で
は、各ブロック内の冗長エリアに分散管理情報が格納さ
れる。分散管理情報は、当該分散管理情報が格納された
ブロックを管理するための情報である。この分散管理情
報により、例えば、当該ブロックがファイルの先頭とな
るブロックであるか否かについての情報や、複数のブロ
ックからファイルが構成される場合にはそれらのブロッ
クの繋がりを示す情報等を得ることができる。なお、こ
の分散管理情報については、後で詳細に説明する。

【００５３】そして、このメモリカード２では、各ブロ
ックの分散管理情報を集めることにより、フラッシュメ
モリ全体を管理するための情報として、いわゆる集合管
理情報を作成して、この集合管理情報をファイルとして
フラッシュメモリ１２に格納しておくようにする。

【００５４】そして、通常は、集合管理情報によって、
各ブロックにアクセスするために必要な情報を得るよう
にする。すなわち、データ処理装置１とメモリカード２
との間でデータのやり取りを行う際、データ処理装置１
は、集合管理情報をメモリカード２から読み出して内部
メモリ４に管理テーブルを作成し、この管理テーブルに
基づいてメモリカード２にアクセスする。これにより、
データアクセスの都度、個々のブロックに格納された分
散管理情報にアクセスするような必要がなくなり、より
高速なデータアクセスが可能となる。

【００５５】５．分散管理情報 つぎに、分散管理情報について詳細に説明する。

【００５６】分散管理情報は、当該分散管理情報が格納
されたブロックを管理するための情報であり、１６バイ
トの冗長エリアに書き込まれてなる。具体的には、図５
に示すように、１バイトの可／不可フラグと、１バイト
のブロックフラグと、４ビットの最終フラグと、４ビッ
トの参照フラグと、１バイトの管理フラグと、２バイト
の論理アドレスと、２バイトの連結アドレスと、３バイ
トのリザーブ領域と、２バイトの分散管理情報用エラー
訂正符号と、３バイトのデータ用エラー訂正符号とから
なる。

【００５７】可／不可フラグは、ブロックが使用可能状
態か使用不可能状態かを示すフラグであり、具体的に
は、「使用可」と「使用不可」の２つの状態を示す。
「使用可」は、当該ブロックが使用可能な状態を示し、
「使用不可」は、当該ブロックが使用不可能な状態であ
ることを示す。例えば、ブロック内に回復不能なエラー
が生じたようなときに、この可／不可フラグが「使用不
可」に設定され、当該ブロックが使用不可とされる。

【００５８】ブロックフラグは、ブロックの状態を示す
フラグであり、具体的には、「未使用」「先頭使用」
「使用」「未消去」の４つの状態を示す。「未使用」
は、当該ブロックが未使用又は消去済みで、初期状態
（全ビットが「１」の状態）とされており、直ぐにデー
タの書き込みが可能な状態を示す。「先頭使用」は、当
該ブロックがファイルの先頭で使用されている状態を示
す。なお、ブートデータが格納されたブートブロックに
おいて、ブロックフラグは「先頭使用」とされる。「使
用」は、当該ブロックがファイルの先頭以外で使用され
ている状態を示す。ブロックフラグが「使用」のとき、
当該ブロックは、他のブロックから連結されていること
となる。「未消去」は、当該ブロックに書かれていたデ
ータが無効となった状態を示す。例えば、データの消去
を行うときに、取りあえずブロックフラグを「未消去」
にしておき、処理時間に余裕があるときに、ブロックフ
ラグが「未消去」になっているブロックを消去するよう
にする。これにより、消去処理をより効率良く行うこと
が可能となる。

【００５９】最終フラグは、ファイルが終わっているか
否かを示すフラグであり、具体的には、「ブロック連
続」「ブロック最終」の２つの状態を示す。「ブロック
連続」は、次のブロックへの連結があることを示す。す
なわち、「ブロック連続」は、当該ブロックに格納され
たファイルにはまだ続きがあり、当該ファイルが他のブ
ロックに続いていることを示す。「ブロック最終」は、
最終ブロックであることを示す。すなわち、「ブロック
最終」は、当該ブロックに格納されたファイルが、この
ブロックで終了していることを示す。

【００６０】参照フラグは、追加管理情報の参照を指定
するためのフラグであり、具体的には、「参照情報な
し」「参照情報あり」の２つの状態を示す。「参照情報
なし」は、ブロックの最終ページの冗長領域に、有効な
追加管理情報が存在しないことを示す。「参照情報あ
り」は、ブロックの最終ページの冗長領域に、有効な追
加管理情報が存在していることを示す。

【００６１】管理フラグは、ブロックの属性等を示すフ
ラグである。例えば、この管理フラグによって、当該ブ
ロックが読み出し専用ブロックか、或いは書き込みも可
能なブロックであるかが示される。また、例えば、この
管理フラグによって、当該ブロックがブートブロックで
あるか、或いはデータブロックであるかが示される。

【００６２】論理アドレスは、文字通りそのブロックの
論理アドレスを示す。この論理アドレスの値は、データ
の書き換えを行うときなどに必要に応じて更新される。
なお、論理アドレスの値は、正常に処理が行われている
限り、同じ論理アドレスの値を同時に複数のブロックが
持つことがないように設定される。

【００６３】ところで、フラッシュメモリの場合、同一
ブロック内でデータを書き換えるには、上述したよう
に、先ずブロック消去を行う必要がある。しかしなが
ら、保証されている消去可能回数には上限があり、ブロ
ック消去の回数は出来るだけ少なくすることが要求され
る。そこで、ブロックのデータを更新する際は、同一の
ブロックを使って新たなデータに書き換えるのではな
く、他のブロックに新たなデータを書き込むようにす
る。このとき、先にデータが格納されていたブロック
は、当該ブロックに格納されていたデータが無効になっ
たことを示すように、ブロックフラグを「未消去」にす
る。そして、このメモリカード２では、このようにデー
タを更新した場合でも、当該データが格納されているブ
ロックを示すアドレスが同じとなるように、各ブロック
に対して予め設定されている物理アドレスとは別に、動
的に変更が可能な論理アドレスを各ブロックに割り当て
て、この論理アドレスでデータが格納されているブロッ
クを表すようにする。

【００６４】連結アドレスは、当該ブロックに連結する
ブロックの論理アドレスを示す。すなわち、ブロックに
格納されたファイルにはまだ続きがあり、当該ファイル
が他のブロックに続いている場合、連結アドレスには、
そのファイルの続きが格納された次のブロックの論理ア
ドレスの値が設定される。

【００６５】分散管理情報用エラー訂正符号は、分散管
理情報のうち、管理フラグ、論理アドレス、連結アドレ
ス及びリザーブ領域に書き込まれデータを対象としたエ
ラー訂正符号である。

【００６６】なお、可／不可フラグ、ブロックフラグ、
最終フラグ及び参照フラグは、分散管理情報用エラー訂
正符号によるエラー訂正やエラー検出の対象となってい
ない。したがって、可／不可フラグ、ブロックフラグ、
最終フラグ及び参照フラグは、分散管理情報用エラー訂
正符号を更新することなく書き換えることが可能となっ
ている。

【００６７】データ用エラー訂正符号は、当該データ用
エラー訂正符号が格納されているページのデータエリア
に書き込まれたデータを対象としたエラー訂正符号であ
る。

【００６８】なお、分散管理情報用エラー訂正符号やデ
ータ用エラー訂正符号は、メモリカード２の内部に配さ
れたエラー訂正回路１６によって使用される。したがっ
て、これらのエラー訂正符号を用いてのエラー訂正は、
データ処理装置１に依存することなく、メモリカード２
に依存した任意の手法を使用することができる。

【００６９】６．追加管理情報 つぎに、追加管理情報について詳細に説明する。

【００７０】追加管理情報は、ブロックの最終ページの
１６バイトの冗長エリアに格納される情報であり、分散
管理情報だけでは管理しきれない追加情報を含んでい
る。

【００７１】具体的には、追加管理情報は、図６に示す
ように、１バイトの可／不可フラグと、１バイトのブロ
ックフラグと、４ビットの最終フラグと、４ビットの参
照フラグと、１バイトの識別番号と、２バイトの有効デ
ータサイズと、５バイトのリザーブ領域と、２バイトの
追加管理情報用エラー訂正符号と、３バイトのデータ用
エラー訂正符号とからなる。

【００７２】ここで、可／不可フラグ、ブロックフラ
グ、最終フラグ、参照フラグ、リザーブ領域及びデータ
用エラー訂正符号については、分散管理情報の場合と同
様である。また、追加管理情報用エラー訂正符号は、分
散管理情報における分散管理情報用エラー訂正符号に相
当するものであり、追加管理情報のうち、識別番号、有
効データサイズ及びリザーブ領域に書き込まれデータを
対象としたエラー訂正符号である。

【００７３】そして、識別番号及び有効データサイズと
が、分散管理情報だけでは管理しきれない追加情報とし
て、追加管理情報に含まれている。

【００７４】識別番号は、エラー処理用の情報であり、
ブロックのデータを書き換える度に、この識別番号の値
がインクリメントされる。この識別番号は、何らかのエ
ラーが発生して、同じ論理アドレスを持つブロックが複
数存在するようになってしまった場合に、それらのブロ
ックに書き込まれたデータの新旧を識別するために使用
される。なお、識別番号には１バイトの領域が使用さ
れ、その値の範囲は「０」から「２５５」までであり、
その初期値は「０」とされる。なお、識別番号が「２５
５」を越えたときには「０」に戻される。そして、同じ
論理アドレスを持つデータブロックが複数存在する場合
には、この識別番号の値が小さい方のデータブロックを
有効とする。ただし、ブートブロックについては、ブー
トブロックの予備がある場合、正常時には、それらのブ
ートブロックの識別番号は同じ値とされる。何らかの異
常により、それらの識別番号が異なるような状態となっ
た場合には、識別番号の値が大きい方のブートブロック
を有効とする。

【００７５】また、有効データサイズは、ブロック内の
有効なデータのサイズを示す。すなわち、当該ブロック
のデータエリアに空きがある場合、有効データサイズに
は、当該データエリアに書き込まれたデータのサイズを
示す値が設定される。このとき、分散管理情報の参照フ
ラグは「参照情報あり」に設定される。なお、ブロック
のデータエリアに空きがない場合、有効データサイズに
は、当該データエリアに空きがないことを示す値とし
て、「0xffff」が設定される。

【００７６】なお、以上のような分散管理情報及び追加
管理情報は、ブロック内のデータが更新される毎に、常
に最新情報となるように更新される。

【００７７】７．集合管理情報 つぎに、集合管理情報について詳細に説明する。

【００７８】集合管理情報は、上述したように、各ブロ
ックの分散管理情報を集めて作成されてなる情報であ
り、ファイルとしてフラッシュメモリ１２に格納され
る。すなわち、図７に示すように、各ブロックの分散管
理情報から、全ブロックをまとめて管理するための情報
である集合管理情報のファイルが作成され、この集合管
理情報が所定のブロックのデータエリアに格納される。
なお、集合管理情報は、１つのブロックに格納されるも
のであっても、複数のブロックにわたって格納されるも
のであってもよい。そして、データ処理装置１は、通常
は、この集合管理情報によって、各ブロックにアクセス
するために必要な情報を得るようにする。

【００７９】すなわち、メモリカード２に有効な集合管
理情報がファイルとして格納されている場合、データ処
理装置１は、その集合管理情報のファイルを読み出して
内部メモリ４に展開し、メモリカード２を管理するため
の管理テーブルを作成する。なお、集合管理情報のファ
イルの先頭が格納されているブロックの物理アドレス
は、ブートデータに含まれており、データ処理装置１
は、この物理アドレスに基づいて集合管理情報のファイ
ルにアクセスする。

【００８０】８．ブロックへのデータの書き込み つぎに、以上のようなシステムで、メモリカード２にデ
ータを書き込む際の処理について説明する。

【００８１】上記システムにおいて、データ処理装置１
からメモリカード２に送られたデータは、フラッシュメ
モリ１２の記憶領域を構成するブロックに書き込まれ
る。具体的には、メモリカード２は、各ブロックにデー
タをページ単位で書き込んでいく。ここで、ブロックの
最終ページ以外のページにデータを書き込むとき、それ
らのページの冗長部分には、分散管理情報を書き込むよ
うにする。

【００８２】そして、本発明を適用したメモリカード２
では、ブロックにデータを書き込む際、当該ブロックの
最終ページへの書き込みを必ず最後に行うようにする。
このとき、最終ページのデータエリアにデータが書き込
まれる場合は、最終ページへのデータの書き込みと同時
に、当該最終ページの冗長部に追加管理情報を書き込
む。また、最終ページのデータエリアにデータが書き込
まれない場合は、当該ブロックへのデータの書き込みが
終了した後に、最終ページの冗長部に追加管理情報のみ
を書き込む。すなわち、本発明を適用したメモリカード
２では、ブロックにデータを書き込む際、最後に最終ペ
ージの冗長部分に追加管理情報を常に書き込むようにす
る。

【００８３】なお、分散管理情報や追加管理情報には、
上述したように、エラー訂正符号を付けておく。これに
より、分散管理情報や追加管理情報の書き込み不良の検
出が可能となる。

【００８４】また、以上のように追加管理情報の書き込
みがなされたブロックに空きページが存在したとして
も、当該空きページへのデータの追記は行わない。換言
すれば、追加管理情報が書き込まれたブロックに、新た
にデータを書き込むときは、当該ブロックに消去処理を
施してから行う。

【００８５】９．ブロックに書き込んだデータの確認 つぎに、以上のようにブロックにデータを書き込んだ
後、当該データの書き込みが完全に行われたかを確認す
る処理について、図８のフローチャートを参照して、詳
細に説明する。

【００８６】ブロックへのデータの書き込みが完全に行
われたかを確認する際は、図８に示すように、先ず、ス
テップＳ１において、確認の対象となるブロックの分散
管理情報を読み込む。

【００８７】次に、ステップＳ２において、ステップＳ
１で読み込んだ分散管理情報に基づいて、確認の対象と
なるブロックが使用可能な状態であるか否かを確認す
る。具体的には、分散管理情報の可／不可フラグを参照
し、「使用不可」になっていないかを確認する。

【００８８】そして、確認の対象となるブロックが使用
不可能となっている場合には、ステップＳ３へ進み、今
後は当該ブロックをデータ保持に使用しないということ
で処理する。このときは、当然の事ながら、当該ブロッ
クへのデータの書き込みは正常に行われていないので、
これで処理を終了する。

【００８９】一方、確認の対象となるブロックが使用可
能となっている場合には、ステップＳ４へ進み、当該ブ
ロックの追加管理情報を読み込み、次に、ステップＳ５
において、ステップＳ４で読み込んだ追加管理情報にエ
ラーが無いかを調べる。なお、ここでのエラーチェック
は、追加管理情報用エラー訂正符号を用いて行う。すな
わち、追加管理情報用エラー訂正符号を用いて、読み込
んだ追加管理情報にエラーが無いかを調べる。

【００９０】そして、追加管理情報にエラーがある場合
には、ステップＳ６へ進み、書き込みが不完全であった
ものと判断し、これで処理を終了する。すなわち、追加
管理情報用エラー訂正符号を用いてのエラー訂正の結
果、冗長エリアに書かれている追加管理情報に異常があ
ると判断された場合は、当該追加管理情報の書き込み中
に障害が発生したものと見なし、データの書き込みは不
完全であったと判断する。

【００９１】一方、追加管理情報にエラーがない場合に
は、ステップＳ７へ進み、当該追加管理情報を含む最終
ページのデータエリアにデータが書き込まれているかを
判断する。

【００９２】そして、最終ページのデータエリアにデー
タが書き込まれている場合には、ステップＳ８へ進み、
当該最終ページのデータエリアに書かれているデータを
読み込み、次に、ステップＳ９において、ステップＳ８
で読み込んだデータにエラーが無いかを調べる。なお、
ここでのエラーチェックは、データ用エラー訂正符号を
用いて行う。すなわち、データ用エラー訂正符号を用い
て、読み込んだデータにエラーが無いかを調べる。

【００９３】そして、データにエラーがある場合には、
ステップＳ６へ進み、書き込みが不完全であったものと
判断し、これで処理を終了する。すなわち、データ用エ
ラー訂正符号を用いてのエラー訂正の結果、データエリ
アに書かれているデータに異常があると判断された場合
は、当該データの書き込み中に障害が発生したものと見
なし、データの書き込みは不完全であったと判断する。

【００９４】一方、データにエラーがない場合には、ス
テップＳ１０へ進む。このときは、冗長エリアに書かれ
ている追加管理情報も、データエリアに書かれているデ
ータも、正常にブロックに書き込まれているときなの
で、当該ブロックへのデータの書き込みが完全になされ
たものと判断し、これで処理を終了する。

【００９５】また、ステップＳ７においてデータエリア
にはデータがないと判断された場合にも、ステップＳ１
０へ進む。このときは、データエリアにはデータが書か
れていないが、冗長エリアには追加管理情報が正常に書
かれているときなので、ブロックへのデータの書き込み
が完全になされたものと判断し、これで処理を終了す
る。

【００９６】以上の処理により、ページ毎に冗長エリア
を持つメモリカード２について、ブロックへの書き込み
が正常に終了したか、或いは書き込み途中に障害が発生
して書き込みがブロック途中で中断したかを判別するこ
とが可能となる。しかも、以上の処理では、ブロックに
書かれた全データを読むことなく、各ブロックへの書き
込みの正否を確認することができる。したがって、各ブ
ロックへの書き込みの正否の確認を、非常に効率良く行
うことができる。

【００９７】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、ブロックに書き込まれた全データを読むことな
く、最終ページに書き込まれたデータを読み出すだけ
で、ブロックへのデータ書き込みの正否を確認すること
ができる。したがって、本発明によれば、各ブロックへ
のデータ書き込みの正否の確認を、非常に効率良く行う
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されるシステムの全体構成を示す
図である。

【図２】本発明を適用したメモリカードの構成を示すブ
ロック図である。

【図３】本発明を適用したメモリカードの外観を示す斜
視図である。

【図４】本発明を適用したメモリカードの記憶領域の構
造を示す図である。

【図５】分散管理情報の構成を示す図である。

【図６】追加管理情報の構成を示す図である。

【図７】各ブロックの分散管理情報から集合管理情報を
構築する様子を示す図である。

【図８】ブロックへのデータの書き込みが完全に行われ
たか否かを確認する処理のフローチャートである。

【符号の説明】

１ データ処理装置、 ２ メモリカード、 ３ 演算
処理装置、 ４ 内部メモリ、 ５ 補助記憶装置、
６ シリアルインターフェース回路、 ７ バス、 １
１ コントローラ、 １２ フラッシュメモリ、 １３
シリアル／パラレル・パラレル／シリアル・インター
フェース・シーケンサ、 １４ フラッシュメモリ・イ
ンターフェース・シーケンサ、 １５ ページバッフ
ァ、 １６エラー訂正回路、 １７ コマンドジェネレ
ータ、 １８ コンフィグレーションＲＯＭ、 １９
発振器、 ２０ 誤消去防止スイッチ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記憶領域が複数のブロックに分割されて
   なるとともに、ブロックへのデータの書き込みを所定の
   ページ単位毎に行う記憶装置であって、 ブロックにデータを書き込む際に、当該データがブロッ
   クの全ページを満たすほどの大きさを持たなくても、当
   該ブロックへの書き込みの最後に、当該ブロックの最終
   ページに上記データの少なくとも一部及び／又は上記デ
   ータ以外の情報を書き込むことを特徴とする記憶装置。
2. 【請求項２】 ブロックに書き込まれるデータが当該ブ
   ロックの最終ページにまで至らないときには、当該ブロ
   ックへの書き込みの最後に、当該ブロックの最終ページ
   に上記情報だけを書き込み、 ブロックに書き込まれるデータが当該ブロックの最終ペ
   ージにまで至るときには、当該ブロックへの書き込みの
   最後に、当該ブロックの最終ページに上記データの少な
   くとも一部及び上記情報を書き込むことを特徴とする請
   求項１記載の記憶装置。
3. 【請求項３】 上記情報には、当該情報のエラーを検出
   し訂正するためのエラー訂正符号が含まれることを特徴
   とする請求項１記載の記憶装置。
4. 【請求項４】 上記情報には、最終ページに書き込まれ
   るデータのエラーを検出し訂正するためのエラー訂正符
   号が含まれることを特徴とする請求項１記載の記憶装
   置。
5. 【請求項５】 ブロックへのデータの書き込みが完了し
   た後に、ブロックの最終ページに書き込まれた上記デー
   タの少なくとも一部及び／又は上記情報を読み出してそ
   の内容を確認することにより、ブロックへのデータの書
   き込みが正常になされたか否かを判別することを特徴と
   する請求項１記載の記憶装置。
6. 【請求項６】 記憶領域が複数のブロックに分割されて
   なるとともに、ブロックへのデータの書き込みを所定の
   ページ単位毎に行う記憶装置に対してデータを書き込む
   際に、 上記データがブロックの全ページを満たすほどの大きさ
   を持たなくても、当該ブロックへの書き込みの最後に、
   当該ブロックの最終ページに上記データの少なくとも一
   部及び／又は上記データ以外の情報を書き込むことを特
   徴とするデータ処理方法。
7. 【請求項７】 ブロックに書き込まれるデータが当該ブ
   ロックの最終ページにまで至らないときには、当該ブロ
   ックへの書き込みの最後に、当該ブロックの最終ページ
   に上記情報だけを書き込み、 ブロックに書き込まれるデータが当該ブロックの最終ペ
   ージにまで至るときには、当該ブロックへの書き込みの
   最後に、当該ブロックの最終ページに上記データの少な
   くとも一部及び上記情報を書き込むことを特徴とする請
   求項６記載のデータ処理方法。
8. 【請求項８】 上記情報には、当該情報のエラーを検出
   し訂正するためのエラー訂正符号が含まれることを特徴
   とする請求項６記載のデータ処理方法。
9. 【請求項９】 上記情報には、最終ページに書き込まれ
   るデータのエラーを検出し訂正するためのエラー訂正符
   号が含まれることを特徴とする請求項６記載のデータ処
   理方法。
10. 【請求項１０】 ブロックへのデータの書き込みが完了
    した後に、ブロックの最終ページに書き込まれた上記デ
    ータの少なくとも一部及び／又は上記情報を読み出して
    その内容を確認することにより、ブロックへのデータの
    書き込みが正常になされたか否かを判別することを特徴
    とする請求項６記載のデータ処理方法。