JPH11106921A - Bubbling-type liquid raw material vaporizer and operating method for starting transport of the raw material vapor - Google Patents

Bubbling-type liquid raw material vaporizer and operating method for starting transport of the raw material vapor

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JPH11106921A
JPH11106921A JP26526597A JP26526597A JPH11106921A JP H11106921 A JPH11106921 A JP H11106921A JP 26526597 A JP26526597 A JP 26526597A JP 26526597 A JP26526597 A JP 26526597A JP H11106921 A JPH11106921 A JP H11106921A
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JP
Japan
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raw material
valve
back pressure
pipe
type liquid
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JP26526597A
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Satoshi Tanimoto
谷本  智
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Nissan Motor Co Ltd
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Nissan Motor Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bubbling-type liq. material vaporizer of a chemical vapor growth device by which the back flow of a liq. raw material is prevented at all times and to furnish an operating method for starting the transport of the raw material vapor. SOLUTION: This bubbling-type liq. material vaporizer 33 consists of a raw material vessel 41 provided with a carrier gas inlet 42 internally furnished with an immersed pipe 46 in which one end is immersed in a liq. raw material 45 filled in a vessel leaving a void 44 and externally furnished with an inlet valve 47 and a raw material vapor outlet 43, of a carrier gas transport pipe 51 connecting the inlet valve and the supply port of a carrier gas supply source 49, of a raw material vapor transport pipe 54 connecting an outlet valve and a raw material vapor introducing port, a bypass valve 55 connecting the carrier gas transport pipe and the raw material vapor transport pipe and of a thermostatic bath 56. In this case, a back pressure detecting means 57 is also provided to discriminate whether or not the difference between the internal pressure in the carrier gas transport pipe and the internal pressure in the raw material vessel is negative (back pressure).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】 本発明は化学的気相成長
(以下、CVD)装置や化学的蒸気エピタキシー(以
下、CBE)装置の一構成部として使用されるバブリン
グ型液体原料気化装置及びその原料蒸気輸送開始操作方
法に関する。なおCBEは高真空下で行われるCVDの
一形態と考えられるのでCVDと分けて考えず、以下の
説明においてCVDと言えばCBEを含んでいるものと
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bubbling type liquid source vaporizer used as a component of a chemical vapor deposition (hereinafter, CVD) apparatus or a chemical vapor epitaxy (hereinafter, CBE) apparatus, and a raw material vapor thereof. The present invention relates to a transportation start operation method. Note that CBE is considered to be a form of CVD performed under high vacuum, so it is not considered separately from CVD, and in the following description, CVD is assumed to include CBE.

【0002】[0002]

【従来の技術】 CVDは1つ以上の原料(化学的)蒸
気を所定の圧力に維持された反応器に輸送し、反応器の
中で所定の温度に保持された基板に供給し、化学反応を
起こさせることによって薄膜を堆積させる方法である。
すでに、広い産業分野で用いられている。室温付近で気
体である原料の種類と数は非常に限られているので、C
VDにおいては液体原料の使用をしばしば余儀なくされ
る。このとき、原料蒸気をいかに安定に発生(気化)さ
せるかが技術的に重要な課題である。固体原料を昇温し
て液化させて使用する場合も同様である。
2. Description of the Related Art In CVD, one or more raw (chemical) vapors are transported to a reactor maintained at a predetermined pressure, and supplied to a substrate maintained at a predetermined temperature in the reactor to perform chemical reaction. Is a method of depositing a thin film.
Already used in a wide range of industrial fields. Since the type and number of raw materials that are gaseous at around room temperature are very limited,
In VD, the use of liquid raw materials is often forced. At this time, how to stably generate (vaporize) the raw material vapor is a technically important issue. The same applies to the case where the solid raw material is heated and liquefied for use.

【0003】図5はCVDで広く用いているバブラと呼
ばれる液体原料の気化装置(以下、従来例1と称する)
の構成を示している。111は液体原料112を充填し
ている密封された原料容器である。113は原料容器1
11のキャリアガス入口113であり、キャリアガス入
口113には液体原料112の液面を経て原料容器11
1底部近傍に達する浸漬管114が設けられている。キ
ャリアガス入口113の上部にはバルブ115を介して
キャリアガス輸送管L1が延接されている。116はキ
ャリアガスに搬送された原料蒸気出口で、液体原料11
2に占められていない原料容器111の上部空隙に開口
している。原料蒸気出口116にはバルブ117を介し
て原料蒸気輸送管L2が接続されている。118はキャ
リアガスを原料容器111を経由せず原料蒸気輸送管L
2に送るためのバイパスバルブである。キャリアガス輸
送管L1の他の一端は流量調節器119とバルブ120
を介してキャリアガス供給源121に接続されている。
一方、原料蒸気輸送管L2は途中、原料容器111の内
圧を調整するために設置された圧力調整バルブ122と
通常のバルブ123を介してCVD反応器124の原料
導入口に結ばれている。キャリアガス輸送管L1と原料
蒸気輸送管L2の一部を含む原料気化装置全体は図のよ
うに所定の温度に保温された恒温槽125の中に収納さ
れている。CVD反応器124への原料蒸気の輸送は、
バルブ118を閉じ、バルブ120、115、117、
123を開け、121からキャリアガスを供給すること
によって達成される。キャリアガス輸送管L1を流れる
キャリアガスは流量調節器119で流量を調節されて原
料容器111の浸漬管114の先端から原料中に放出さ
れ、泡となって途中原料の蒸気を吸収しながら上昇し、
原料容器111の上部空隙ではじけ拡散する。キャリア
ガスと混合した原料蒸気はキャリアガスとともに原料蒸
気出口116から原料蒸気輸送管L2を通ってCVD反
応器124に輸送される。原料蒸気の毎分当たりの輸送
量はキャリアガスの流量、原料容器111内の圧力、恒
温槽125の温度で決定される。
FIG. 5 shows an apparatus for vaporizing a liquid material called a bubbler widely used in CVD (hereinafter referred to as Conventional Example 1).
Is shown. Reference numeral 111 denotes a sealed raw material container filled with a liquid raw material 112. 113 is the raw material container 1
11 is a carrier gas inlet 113, and the carrier gas inlet 113 passes through the liquid surface
An immersion tube 114 reaching one bottom is provided. A carrier gas transport pipe L1 is connected to the upper portion of the carrier gas inlet 113 via a valve 115. Reference numeral 116 denotes a raw material vapor outlet conveyed by the carrier gas.
2 is open in the upper space of the raw material container 111 that is not occupied. The raw material vapor outlet 116 is connected to a raw material vapor transport pipe L2 via a valve 117. Reference numeral 118 denotes a raw material vapor transport pipe L which does not pass the carrier gas through the raw material container 111.
2 is a bypass valve for sending to 2. The other end of the carrier gas transport pipe L1 is connected to the flow controller 119 and the valve 120.
Is connected to the carrier gas supply source 121 via the.
On the other hand, the raw material vapor transport pipe L2 is connected to the raw material introduction port of the CVD reactor 124 via a pressure adjusting valve 122 installed for adjusting the internal pressure of the raw material container 111 and a normal valve 123. The entire raw material vaporizer including a part of the carrier gas transport pipe L1 and a part of the raw material vapor transport pipe L2 is housed in a thermostat 125 maintained at a predetermined temperature as shown in the figure. The transport of the raw material vapor to the CVD reactor 124
The valve 118 is closed, and the valves 120, 115, 117,
This is achieved by opening 123 and supplying carrier gas from 121. The flow rate of the carrier gas flowing through the carrier gas transport pipe L1 is adjusted by the flow rate regulator 119 and released into the raw material from the tip of the immersion pipe 114 of the raw material container 111, and rises as bubbles while absorbing the vapor of the raw material on the way. ,
In the upper space of the raw material container 111, the material is repelled and diffused. The raw material vapor mixed with the carrier gas is transported together with the carrier gas from the raw material vapor outlet 116 to the CVD reactor 124 through the raw material vapor transport pipe L2. The transport rate of the raw material vapor per minute is determined by the flow rate of the carrier gas, the pressure in the raw material container 111, and the temperature of the thermostat 125.

【0004】このような従来の原料気化装置が抱え、解
決を迫られている重大な問題の一つに液体原料112の
逆流とこれに伴ない起こる諸問題がある。詳しく説明す
ると、いま、原料容器111内の圧力をP0、キャリア
ガス輸送管L1内の圧力をP1とする。圧力がP0>P
1であるとき、誤って気化装置のバルブ115を開ける
と、液体原料112はキャリアガス輸送管L1に吸いあ
がることになる。このような逆流は、(1)液体原料1
12を充填し直した後に初めて成膜するとき、(2)あ
る圧力で成膜した後にそれよりも低圧力で成膜を行なお
うとするとき、(3)長期にわたって停止していたCV
D装置を久しぶりで稼動するときなどにしばしば発生す
る。また、バルブ操作はミスしやすい人間がするもので
あるから、本来開けてはならない期間に、誤ってバルブ
を開け、その結果逆流を引き起こすこともありうる。逆
流が起こるとキャリアガス輸送管L1に接続している流
量調節器119やバルブ115が破損したり動作が不安
定になったりする。これら部品の機能を回復するための
経費の支出やその間の装置の停止による製造の遅れなど
で発生した経済的損害は決して小さくない。CVDの実
際の現場では原料の再充填や残量の秤量のために、キャ
リアガス輸送管L1を外すことが少なからずある。発火
性の液体原料(たとえばアルキルガリウム)や毒性の強
い液体原料(4エチル鉛)がキャリアガス輸送管L1に
滞留したまま、この作業を行うことは極めて危険であ
り、安全衛生上、許されない。作業者が逆流に気づかな
いまま、取り外し作業を行った場合には火災や爆発、急
性中毒障害などの重大事故を招く恐れがある。
[0004] One of the serious problems that such a conventional raw material vaporizing apparatus has and is required to solve is the backflow of the liquid raw material 112 and various problems that accompany it. More specifically, the pressure in the raw material container 111 is P0, and the pressure in the carrier gas transport pipe L1 is P1. Pressure is P0> P
When it is 1, if the valve 115 of the vaporizer is opened by mistake, the liquid raw material 112 will be sucked into the carrier gas transport pipe L1. Such a backflow is caused by (1) liquid raw material 1
(2) When forming a film at a certain pressure and then trying to form a film at a lower pressure, (3) CV stopped for a long time
It often occurs when the D apparatus is operated after a long time. In addition, since the operation of the valve is performed by a person who is apt to make a mistake, the valve may be accidentally opened during a period when the valve should not be opened, and as a result, a backflow may be caused. When the backflow occurs, the flow regulator 119 and the valve 115 connected to the carrier gas transport pipe L1 may be damaged or the operation may be unstable. The economic damage caused by the expenditure for restoring the function of these parts and the production delay due to the stoppage of the equipment in the meantime is not small. At the actual site of CVD, the carrier gas transport pipe L1 is often removed for refilling the raw materials and weighing the remaining amount. It is extremely dangerous to perform this operation while the ignitable liquid raw material (for example, alkyl gallium) or the highly toxic liquid raw material (4-ethyl lead) stays in the carrier gas transport pipe L1, and is not allowed in terms of safety and health. If the worker performs the removal work without noticing the backflow, a serious accident such as a fire, explosion or acute poisoning may occur.

【0005】このような原料の逆流の問題を解決するた
めの一方法として特開平5−343339号公報では図
6に示す新規な構成の原料気化装置の原料容器を提案し
ている。本従来例(以下「従来例2」と称する)によれ
ば、原料容器本体201の内部は中央の仕切り202に
より、2室A、Bに区画されている。前記2室の各々
は、仕切り202の最下部に設けた細孔203により導
通されている。この細孔203の直径はA、B室の直径
より小さければ良いが、これらの室の直径の1/5以下
とすることが、液体原料の逆流を確実に防ぐ上で好まし
い。各室A、Bは各々室内の上部空間に導通させた気体
導入管204a及び204bを有し、この気体導入管2
04a及び204bには各々バルブ205a、205b
が介装されている。A室の容積はB室の容積以上とする
ことが望ましく、液体原料206の充填量はB室の容積
未満にする。使用前、液体原料の液面はA、B室とも同
じレベルになっている。使用時において、バルブ205
aを開けたとき、キャリアガス入口側が出口側の圧力よ
りも低く(言い換えると逆圧に)なっていても液体原料
206はB室よりA室に移るが、これより先のバルブ2
05aを通り上部配管に逆流することはない。こうして
特開平5−343339号公報は旧来の従来例1が抱え
ていた液体原料が逆流するという問題点を明らかに解決
している。
As a method for solving such a problem of the backflow of the raw material, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-343339 proposes a raw material container of a raw material vaporizer having a novel structure shown in FIG. According to this conventional example (hereinafter referred to as “Conventional example 2”), the inside of the raw material container body 201 is divided into two chambers A and B by a central partition 202. Each of the two chambers is electrically connected by a pore 203 provided at the bottom of the partition 202. The diameter of the pores 203 may be smaller than the diameters of the chambers A and B. However, it is preferable that the diameter be equal to or less than 1/5 of the diameter of these chambers in order to reliably prevent the liquid material from flowing backward. Each of the chambers A and B has gas introduction pipes 204a and 204b which are respectively connected to an upper space in the chamber.
04a and 204b have valves 205a and 205b, respectively.
Is interposed. The volume of the chamber A is desirably equal to or larger than the volume of the chamber B, and the filling amount of the liquid raw material 206 is set to be smaller than the volume of the chamber B. Before use, the liquid level of the liquid raw material is at the same level in both the chambers A and B. In use, the valve 205
When a is opened, the liquid raw material 206 moves from the chamber B to the chamber A even if the carrier gas inlet side is lower than the outlet side pressure (in other words, a reverse pressure).
There is no backflow to the upper piping through 05a. Thus, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-343339 clearly solves the problem of the liquid material flowing backward in the conventional example 1 of the related art.

【0006】しかしながら、従来例2は逆流を解決した
点では非常に優れているけれども、つぎに述べるような
欠点も持っている。第1の欠点は成膜初期に起こる原料
蒸気濃度とガス流量の不安定性である。従来例2に記載
されている詳細な説明によれば、「気体導入管204a
からキャリアガスを導入するとA室中の有機金属(=液
体原料)はB室にすべて移行し、B室の有機金属の液面
は上昇する」。すなわち従来例2においては、キャリア
ガスが原料容器本体201に導入されても、A室の液体
原料がB室に全て移るまでの間はバブリングが開始され
ないのである。つまりこの期間に原料容器本体201か
ら反応器に輸送される原料蒸気はB室の上部空間に滞留
していた蒸気であり、その濃度及びガス流量はバブリン
グ開始後のものとは大きく異なったものとなさざるを得
ない。しかもその期間が長い。加えて、バブリングの実
際の開始時期が判然とせず、かつ、圧力やキャリアガス
の流量など成膜条件の変更などによって変動するという
難点も持つ。この点、従来例1はA室に相当する空間が
実質ないので、キャリアガスを導入後直ちにバブリング
が開始され、成膜初期の原料濃度とガス流量の不安定性
は従来例2に比べはるかに軽微である。従来例2が抱え
るもう一つの問題点は細孔203で起こる目詰まりの問
題である。これはつぎのような長期的メカニズムに基づ
き時間の経過とともに起こる。キャリアガスやリークガ
スに含まれる微量の不純物ガス(たとえば酸素)との反
応で生成した粒子や異物が液体原料に徐々に蓄積し、時
間の経過とともに容器の底部に沈殿する。従来例2にお
いては、成膜の度にA室とB室の仕切り202の最下部
に設けられた細孔203をA室の原料が通過する構成の
ため、底部に沈殿した粒子や異物もいっしょに細孔20
3を通してB室に搬送される。これを繰り返しているう
ちに細孔203は付着した粒子や異物で徐々に塞がれ、
ついには完全に詰まり、バブリングが不能になる事態に
至る。これを解決する一方法は細孔203の口径を広く
することであるが、口径を広くすると小径の泡を発生さ
せることが困難となり、気化器から搬送される原料蒸気
の濃度やガス流量が不安定になるという新たな問題を引
き起こすことになるので、この対策は抜本的な対策とは
なり得ない。このように従来例2は従来例1の原料の逆
流をが起きるという一大問題点を解決している点では非
常に優れているが、反面、従来例1ではさして問題とは
ならなかった新たな問題を引き起こすという技術的矛盾
を抱えている。
[0006] However, the conventional example 2 is very excellent in solving the backflow, but has the following disadvantages. The first disadvantage is the instability of the raw material vapor concentration and the gas flow rate which occur at the initial stage of film formation. According to the detailed description described in the conventional example 2, “the gas introduction pipe 204a
When the carrier gas is introduced into the chamber A, all the organic metal (= liquid raw material) in the chamber A moves to the chamber B, and the liquid level of the organic metal in the chamber B rises. " That is, in the conventional example 2, even if the carrier gas is introduced into the raw material container body 201, the bubbling is not started until all the liquid raw materials in the chamber A are transferred to the chamber B. That is, the raw material vapor transported from the raw material container body 201 to the reactor during this period is the vapor that has accumulated in the upper space of the chamber B, and its concentration and gas flow rate are significantly different from those after the start of bubbling. I have to do it. And the period is long. In addition, there is a drawback that the actual start time of bubbling is not clear and fluctuates due to a change in film forming conditions such as a pressure and a flow rate of a carrier gas. In this respect, in Conventional Example 1, since there is substantially no space corresponding to the room A, bubbling is started immediately after the introduction of the carrier gas, and the instability of the raw material concentration and the gas flow rate at the initial stage of film formation are far less than those in Conventional Example 2. It is. Another problem which the conventional example 2 has is a problem of clogging occurring in the pores 203. This occurs over time based on the following long-term mechanism: Particles and foreign substances generated by a reaction with a small amount of impurity gas (for example, oxygen) contained in the carrier gas or the leak gas gradually accumulate in the liquid raw material, and settle at the bottom of the container with the passage of time. In Conventional Example 2, since the raw material in the chamber A passes through the pores 203 provided at the lowermost part of the partition 202 between the chamber A and the chamber B each time a film is formed, particles and foreign substances settled at the bottom are also included. Pore 20
It is conveyed to room B through 3. While repeating this, the pores 203 are gradually closed by the attached particles and foreign substances,
Eventually, it becomes completely clogged, making bubbling impossible. One solution to this problem is to increase the diameter of the pores 203. However, if the diameter is widened, it becomes difficult to generate bubbles having a small diameter, and the concentration of the raw material vapor conveyed from the vaporizer and the gas flow rate are unsatisfactory. This countermeasure cannot be a drastic one, as it creates a new problem of stability. As described above, the conventional example 2 is very excellent in solving the major problem of backflow of the raw material of the conventional example 1, but it is a new technique which is not a problem in the conventional example 1. Technical contradictions that cause serious problems.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】 本発明は上記従来例
2が抱える課題を解決したもので、その目的は従来例1
の機能を低下させることなく、いかなるときでも液体原
料の逆流を防止することができるCVD装置のバブリン
グ型液体原料気化装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has solved the above-mentioned problems of the conventional example 2, and the object is to solve the problem of the conventional example 1.
It is an object of the present invention to provide a bubbling type liquid source vaporizer of a CVD apparatus which can prevent a backflow of a liquid source at any time without lowering the function of the above.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するた
めに、本発明においては、CVD装置の液体原料気化装
置及びこれの操作方法の構成を特許請求の範囲の各項に
記載するようにした。すなわち、請求項1または請求項
6記載のバブリング型液体原料気化装置では、空隙を残
し充填された液体原料に一端を浸漬させた浸漬管を内設
し外には第1バルブを外設した第1開口部と該空隙に開
口し外には第2バルブを外設した第2開口部とを備えた
密封原料容器と、該原料容器の第1バルブとキャリアガ
ス供給源の供給口とを結ぶ第1配管と、該原料容器の第
2バルブと反応器の原料蒸気導入口とを結ぶ第2配管
と、該第1配管と該第2配管とを連結する第3バルブ
(請求項1のみ)と、該原料容器を内包するように設け
られた恒温槽と、からなる化学的気相成長装置のバブリ
ング型液体原料気化装置において、該第1配管の内圧P
1と該原料容器の内圧P2との圧力差P1−P2が負で
あること、すなわち、逆圧であることを識別する逆圧検
出手段を備えたことを特徴とするバブリング型液体原料
気化装置とした。請求項2〜請求項5は請求項1記載の
バブリング型液体原料気化装置の、請求項7〜請求項1
0は請求項6記載のバブリング型液体原料気化装置の具
体的態様を示したものである。即ち、請求項2において
は請求項1記載の逆圧検出手段が前記原料容器の内圧の
変化、または第1配管の内圧の変化、または第2配管の
内圧の変化、のいずれか1つを監視する構成とした。請
求項3においては、請求項1と請求項2記載の逆圧検出
手段の逆圧識別は第1バルブが閉じ、第2バルブと第3
バルブが開いた状態でなされる構成とし、請求項4にお
いては、逆圧検出手段による逆圧状態の識別は第1配管
内圧の上昇の検出によってなされる構成とした。さら
に、請求項5においては、請求項1乃至請求項4記載の
バブリング型液体原料気化装置の原料蒸気輸送開始操作
方法が、第2バルブと第3バルブを同時または順次開く
工程と逆圧検出手段にて非逆圧状態を確認する工程と第
1バルブを開く工程と第3バルブを閉じる工程とから構
成されるとした。また、請求項7においては、請求項6
記載の逆圧検出手段が第1配管と原料容器、もしくは、
第1配管と第2配管、のいずれか一組の内圧を監視する
構成とした。請求項8においては、請求項6及び請求項
7記載の逆圧検出手段の逆圧識別が、前記第1バルブが
閉じ、前記第2バルブが開いた状態でなされる構成と
し、請求項9においては、請求項6乃至請求項8記載の
バブリング型液体原料気化装置が、前記逆圧検出手段に
よる逆圧状態の識別が第1配管内圧と、液体原料容器の
内圧あるいは第2配管の内圧との比較によってなされる
構成とした。
Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, according to the present invention, a liquid material vaporizing apparatus of a CVD apparatus and a configuration of an operation method thereof are described in the respective claims. . In other words, in the bubbling type liquid material vaporizer according to claim 1 or 6, a immersion pipe in which one end is immersed in the filled liquid material with leaving a gap is provided inside, and a first valve is provided outside. A hermetically sealed raw material container having one opening and a second opening which is open to the gap and has a second valve provided outside, and connects the first valve of the raw material container to a supply port of a carrier gas supply source; A first pipe, a second pipe connecting the second valve of the raw material container and the raw material vapor inlet of the reactor, and a third valve connecting the first pipe and the second pipe (claim 1 only) And a constant-temperature bath provided so as to enclose the source container, in the bubbling type liquid source vaporizer of the chemical vapor deposition apparatus, the internal pressure P of the first pipe.
A bubbling type liquid raw material vaporizer comprising: a pressure difference P1-P2 between the pressure vessel 1 and the internal pressure P2 of the raw material container; did. Claims 2 to 5 are the bubbling type liquid raw material vaporizers according to claim 1.
Numeral 0 indicates a specific mode of the bubbling type liquid raw material vaporizer according to the sixth aspect. That is, in claim 2, the back pressure detecting means according to claim 1 monitors any one of a change in the internal pressure of the raw material container, a change in the internal pressure of the first pipe, and a change in the internal pressure of the second pipe. Configuration. According to a third aspect of the present invention, the back pressure detection means of the first and second aspects is configured to discriminate the back pressure by closing the first valve and closing the second valve and the third valve.
According to a fourth aspect of the present invention, the back pressure state is identified by the back pressure detecting means by detecting an increase in the first pipe internal pressure. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for starting operation of transporting a raw material vapor of a bubbling type liquid raw material vaporizer according to any one of the first to fourth aspects, comprising the steps of simultaneously or sequentially opening a second valve and a third valve, And a step of opening the first valve and a step of closing the third valve. In claim 7, claim 6
The described back pressure detecting means is the first pipe and the raw material container, or
The internal pressure of one set of the first pipe and the second pipe was monitored. According to a ninth aspect of the present invention, the back pressure detection means of the sixth and seventh aspects is configured to identify the back pressure when the first valve is closed and the second valve is open. The bubbling type liquid source vaporizer according to claim 6 is characterized in that the identification of the back pressure state by the back pressure detecting means is based on the internal pressure of the first pipe and the internal pressure of the liquid source container or the internal pressure of the second pipe. The configuration was made by comparison.

【0009】請求項10においては、請求項6乃至請求
項8記載のバブリング型液体原料気化装置の原料蒸気輸
送開始操作方法が、第2バルブを開く工程と、前記逆圧
検出手段にて非逆圧状態を確認する工程と、前記第1バ
ルブを開く工程と、から構成されるとした。また、請求
項11の発明においては、請求項1乃至請求項4または
請求項6乃至請求項9記載のバブリング型液体原料気化
装置において、前記逆圧検出手段が逆圧状態を指示して
いるとき、前記第1バルブの開通を禁止する開通禁止手
段を具備する構成とした。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method of starting a raw material vapor transport of a bubbling type liquid raw material vaporizer according to a sixth aspect of the present invention, comprising the steps of: opening a second valve; The method includes a step of checking a pressure state and a step of opening the first valve. In the eleventh aspect of the present invention, in the bubbling type liquid material vaporizer according to the first to fourth or sixth to ninth aspects, when the back pressure detecting means indicates a back pressure state. The first valve is provided with opening prohibiting means for prohibiting opening of the first valve.

【0010】[0010]

【作用】 本発明においては、第1配管、すなわち、キ
ャリアガス輸送管と原料容器の浸漬管を結ぶ第1バルブ
の開通は、必ず事前に逆圧を解消する一連の操作を行
い、かつ、逆圧検出手段にて非逆圧状態であることを確
認してから実施する構成としているため、バブリング開
始にあたって液体原料がキャリアガス輸送管を逆流する
という従来例1の問題は起こらない。また、本発明のい
くつかの実施の形態においては、この構成を発展させ
て、逆圧検出手段が逆圧状態を指示しているときに原料
容器の浸漬管とキャリアガス輸送管との導通を禁止する
逆圧導通禁止手段を具備しているため、液体原料気化装
置が逆圧状態のとき作業者等が誤って第1バルブを導通
する操作を行っても、原料の逆流を阻止することができ
る。また、本発明の構成は、従来例2のように仕切りに
より区画された原料容器本体の2室A、Bに充填された
液体原料が、バブリングの開始/終了する度に仕切りの
最下部に設けられた細孔を通って行き来する構成とは全
く異なるので、従来例2が抱える問題は生起せず、した
がって、この問題を解決することができる。
In the present invention, the opening of the first pipe, that is, the first valve connecting the carrier gas transport pipe and the immersion pipe of the raw material container, must be performed in advance by a series of operations for eliminating the back pressure. Since the pressure detection unit is configured to execute the process after confirming the non-back pressure state, the problem of the first conventional example that the liquid material flows backward through the carrier gas transport pipe at the start of bubbling does not occur. Further, in some embodiments of the present invention, this configuration is developed to establish conduction between the immersion tube of the raw material container and the carrier gas transport tube when the back pressure detecting means indicates the back pressure state. Since the reverse pressure conduction inhibiting means for inhibiting is provided, it is possible to prevent the reverse flow of the raw material even when an operator or the like erroneously conducts the operation of conducting the first valve when the liquid material vaporizer is in the reverse pressure state. it can. Further, according to the structure of the present invention, the liquid raw material filled in the two chambers A and B of the raw material container body partitioned by the partition as in Conventional Example 2 is provided at the bottom of the partition each time bubbling starts / ends. Since the configuration is completely different from the configuration of going back and forth through the provided pores, the problem of Conventional Example 2 does not occur, and therefore, this problem can be solved.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】 図1は本発明のバブリング型液
体原料気化装置を含む化学的気相成長(CVD)装置の
構成を示している。30は所定の温度に加熱した基板2
7を収納した反応器である。この反応器30には排気系
31が接続されていて、排気系31は反応器30内の残
留ガスや原料ガス、生成ガスを器外に排気するととも
に、成膜時においては反応器30内の圧力を所定の圧力
に維持する機能を有している。32は化学的蒸気供給系
であり、輸送管を介して液体原料蒸気やガス状原料、希
釈ガス、キャリアガスなどを反応器30に供給する役割
を担っている。化学的蒸気供給系32は少なくとも本発
明に基づくバブリング型液体原料気化装置33を一つ以
上具備するとともに、成膜においてガス状の原料や希釈
ガスを必要とする材料系においては必要に応じて一つ以
上のガス原料供給装置34と希釈ガス供給装置35を備
えている。このように本実施の形態で使用するCVD装
置の基本構成は広く、また従来例1や従来例2などで
も、用いられているCVD装置の構成と何ら変わらな
い。すなわち、本発明を適用したときCVD装置に求め
られる変更はバブリング型原料気化装置の変更にとどま
るのであって、CVD装置全体の変更にまで波及しな
い、ということである。これは本発明の優れた特長のひ
とつである。それでは、以下に本発明のCVD装置のバ
ブリング型液体原料気化装置の具体的な実施の形態を図
面に基づいて説明する。
FIG. 1 shows a configuration of a chemical vapor deposition (CVD) apparatus including a bubbling type liquid source vaporizer of the present invention. 30 is a substrate 2 heated to a predetermined temperature
This is a reactor containing 7. An exhaust system 31 is connected to the reactor 30. The exhaust system 31 exhausts the residual gas, the raw material gas, and the generated gas in the reactor 30 to the outside of the reactor, and also forms the gas in the reactor 30 during film formation. It has a function of maintaining the pressure at a predetermined pressure. Reference numeral 32 denotes a chemical vapor supply system, which has a role of supplying liquid raw material vapor, gaseous raw material, diluent gas, carrier gas, and the like to the reactor 30 via a transport pipe. The chemical vapor supply system 32 includes at least one or more bubbling-type liquid source vaporizers 33 according to the present invention. One or more gas source supply devices 34 and dilution gas supply devices 35 are provided. As described above, the basic configuration of the CVD apparatus used in the present embodiment is wide, and the configuration of the CVD apparatus used in Conventional Example 1 or Conventional Example 2 is not different at all. That is, when the present invention is applied, the change required for the CVD apparatus is limited to the change of the bubbling type vaporizer, and does not extend to the change of the entire CVD apparatus. This is one of the excellent features of the present invention. Now, a specific embodiment of a bubbling type liquid source vaporizing apparatus for a CVD apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】(実施の形態1) 図4は本発明バブリン
グ型液体原料気化装置の実施の形態1の構成を示してい
る。41は二つの開口部、即ち、キャリアガス入口(=
第1開口部)42と原料蒸気出口(=第2開口部)43
を有する密閉された原料容器で、内部に空隙44を残し
所望の液体原料45が充填されている。キャリアガス入
口42には一端を液体原料45の深部まで浸漬させた浸
漬管46が内設され、外には入口バルブ(=第1バル
ブ)47が外設されている。一方、原料蒸気出口43は
空隙44に開口し外には出口バルブ(=第2バルブ)4
8が外設されている。49はキャリアガス供給源であ
る。原料容器41の入口バルブ47とこのキャリアガス
供給源49の供給口とは途中、流量調節器50を介して
キャリアガス輸送管(=第1配管)51で結ばれてい
る。一方、原料容器41の出口バルブ48は途中、原料
容器41の圧力調整バルブ52(常時開)と原料導入バ
ルブ53を介して、原料蒸気輸送管(=第2配管)54
で反応器30(図3)の原料蒸気導入口に結ばれてい
る。キャリアガス輸送管51と原料蒸気輸送管54は図
のようにバイパスバルブ(=第3バルブ)55を介して
連結されている。56は原料容器41を内包するように
設けられた恒温槽で、原料容器41及び内部の液体原料
45を所定の温度に保持している。液体原料蒸気の毎分
当たりの輸送量はキャリアガス流量、原料容器41の内
圧、恒温槽56の温度によって決定される。57は入口
バルブ47が開通する前にキャリアガス輸送管の内圧P
1と該原料容器の内圧P2との圧力差P1−P2が負で
あること、すなわち、逆圧であることを識別し報知する
逆圧検出手段である。逆圧検出手段57の目的は入口バ
ルブ47が閉じ、出口バルブ48とバイパスバルブ55
が開いた状態で、次に挙げる内圧のいずれか、すなわ
ち、(イ)原料容器41の内圧、または、(ロ)キャリ
アガス輸送管51の内圧、または、(ハ)圧力調整バル
ブ52と出口バルブ48の間にある原料蒸気輸送管54
の内圧の変化、のいずれか1つを監視し、この変化が圧
力上昇か(あるいは圧力下降か)どうかを判断し、結果
を報知することによって達成される。この目的を達成す
るために逆圧検出手段57は少なくとも圧力計と、圧力
計の指示を2データ以上常時格納/更新できる記憶装置
と、記憶装置に格納された時間的に連なる2データを比
較する比較器と、比較の結果を表示、警報、信号出力な
どで作業者や他の機器に報知する報知器とを備えてい
る。逆圧検出手段57が(イ)原料容器41の内圧の変
化、を監視する構成である場合には圧力計(P)は容器
の内圧が計り得る位置、たとえば位置S1に設置されて
いるものとする。同様に逆圧検出手段57が、(ロ)キ
ャリアガス輸送管51の内圧の変化、または、(ハ)圧
力調整バルブ52と出口バルブ48の間にある原料蒸気
輸送管54の内圧の変化、を監視する構成である場合に
は、圧力計は夫々たとえばS2またはS3に設置されて
いるものとする。圧力計はS1またはS2またはS3に
一つあればよい。
Embodiment 1 FIG. 4 shows the structure of Embodiment 1 of a bubbling type liquid raw material vaporizer of the present invention. Reference numeral 41 denotes two openings, that is, a carrier gas inlet (=
(First opening) 42 and raw material vapor outlet (= second opening) 43
, And is filled with a desired liquid raw material 45 leaving a space 44 inside. An immersion pipe 46 having one end immersed to the depth of the liquid raw material 45 is provided inside the carrier gas inlet 42, and an inlet valve (= first valve) 47 is provided outside the carrier gas inlet 42. On the other hand, the raw material vapor outlet 43 opens into a gap 44 and an outlet valve (= second valve) 4
8 is provided outside. 49 is a carrier gas supply source. An inlet valve 47 of the raw material container 41 and a supply port of the carrier gas supply source 49 are connected by a carrier gas transport pipe (= first pipe) 51 via a flow rate controller 50 on the way. On the other hand, the outlet valve 48 of the raw material container 41 is connected to the raw material vapor transport pipe (= second pipe) 54 via the pressure adjusting valve 52 (normally open) and the raw material introduction valve 53 of the raw material container 41.
To the raw material vapor inlet of the reactor 30 (FIG. 3). The carrier gas transport pipe 51 and the raw material vapor transport pipe 54 are connected via a bypass valve (= third valve) 55 as shown in the figure. Reference numeral 56 denotes a constant temperature bath provided so as to include the raw material container 41, and holds the raw material container 41 and the liquid raw material 45 therein at a predetermined temperature. The transport rate of the liquid raw material vapor per minute is determined by the flow rate of the carrier gas, the internal pressure of the raw material container 41, and the temperature of the thermostat 56. 57 is an internal pressure P of the carrier gas transport pipe before the inlet valve 47 is opened.
This is a back pressure detecting means for identifying and notifying that the pressure difference P1-P2 between the pressure vessel 1 and the internal pressure P2 of the raw material container is negative, that is, a back pressure. The purpose of the back pressure detecting means 57 is that the inlet valve 47 is closed, the outlet valve 48 and the bypass valve 55
Is open, one of the following internal pressures: (a) the internal pressure of the raw material container 41, or (b) the internal pressure of the carrier gas transport pipe 51, or (c) the pressure adjusting valve 52 and the outlet valve 48, the raw material vapor transport pipe 54
This is achieved by monitoring any one of the changes in the internal pressure, determining whether the change is a pressure increase (or a pressure decrease), and reporting the result. In order to achieve this object, the back pressure detecting means 57 compares at least the pressure gauge, a storage device capable of constantly storing / updating two or more data of the pressure gauge, and two temporally consecutive data stored in the storage device. It is provided with a comparator and a notifier for notifying the worker or other devices of the result of the comparison by displaying, warning, signal output, or the like. When the back pressure detecting means 57 is configured to monitor (a) a change in the internal pressure of the raw material container 41, the pressure gauge (P) is installed at a position where the internal pressure of the container can be measured, for example, at a position S1. I do. Similarly, the back pressure detecting means 57 detects (b) a change in the internal pressure of the carrier gas transport pipe 51 or (c) a change in the internal pressure of the raw material vapor transport pipe 54 between the pressure adjusting valve 52 and the outlet valve 48. In the case of a configuration for monitoring, it is assumed that the pressure gauge is installed at, for example, S2 or S3, respectively. It is sufficient that one pressure gauge is provided in S1, S2, or S3.

【0013】つぎに本実施の形態の液体原料気化装置3
3の作用と効果をCVD成膜の過程とともに説明する。
所定の成長温度に保持された反応器30に基板27を収
納したあと、反応器30を一旦真空にひき、圧力が十分
に下がったら、バブリング型液体原料気化装置33のバ
イパスバルブ55と原料導入バルブ53を開通させて、
流量調節器50で所定の流量に調整されたキャリアガス
を反応器30に導入する。使用する化学的蒸気供給系3
2が希釈ガス供給装置35を備えている場合には、希釈
ガス供給装置35からも所定の流量に調節された希釈ガ
スを反応器30に供給する。つづいて、出口バルブ48
を開通させると同時に逆圧検出手段57の機能を作動さ
せて図中のS1、S2、S3のいずれかの地点の内圧の
変化を連続的に監視し、キャリアガス輸送管51と原料
容器41が逆圧状態にあるかどうかの識別をつぎのよう
にして行う。ある時間t1に計測され、逆圧検出手段5
7の記憶装置に格納された圧力データをP(t1)、t
1につづく時間t2に計測され、記憶装置に格納された
圧力データをP(t2)とする。原料容器41が逆圧状
態にあるとき出口バルブ48を開通させたことによっ
て、S1地点では圧力が減少し、S2地点及びS3地点
では圧力が増大する。
Next, the liquid raw material vaporizer 3 of the present embodiment will be described.
The function and effect of No. 3 will be described together with the process of CVD film formation.
After accommodating the substrate 27 in the reactor 30 maintained at a predetermined growth temperature, the reactor 30 is once evacuated to a vacuum, and when the pressure is sufficiently reduced, the bypass valve 55 and the source introduction valve of the bubbling type liquid source vaporizer 33. 53 was opened,
The carrier gas adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate controller 50 is introduced into the reactor 30. Chemical vapor supply system 3 to be used
In the case where 2 has a dilution gas supply device 35, the dilution gas supplied to the reactor 30 is also supplied from the dilution gas supply device 35 at a predetermined flow rate. Subsequently, the outlet valve 48
And at the same time, the function of the back pressure detecting means 57 is operated to continuously monitor the change of the internal pressure at any one of the points S1, S2 and S3 in the figure. Identification of whether or not there is a back pressure state is performed as follows. Measured at a certain time t1, the back pressure detecting means 5
The pressure data stored in the storage device of No. 7 is P (t1), t
The pressure data measured at time t2 following 1 and stored in the storage device is P (t2). By opening the outlet valve 48 when the raw material container 41 is in the reverse pressure state, the pressure decreases at the point S1, and increases at the points S2 and S3.

【0014】圧力の計測がS1地点で行われる場合に
は、P(t1)>P(t2)なる関係が成り立つときが
逆圧状態である。この時、比較器が逆圧であると判断
し、報知器に出力を命じる。やがて圧力関係がP(t
1)≦P(t2)となると比較器は逆圧状態が解除され
たと判断し、警報器の出力を停止させる。同様に圧力の
計測がS2またはS3地点で行われる場合には、比較器
は逆にP(t1)<P(t2)のとき逆圧であると判断
し、逆圧報知器に出力を命じる。やがて圧力関係がP
(t1)≧P(t2)となると比較器は逆圧状態が解除
されたと判断し、警報器の出力を停止させる。出口バル
ブ48を開通してから、原料容器41の逆圧状態が解か
れるまでの時間は長くても数秒の長さである。原料容器
41が逆圧状態にあった場合には、逆圧検出手段57が
警報器の出力を停止させ、逆圧状態が解除されたのを確
認した後に、また、原料容器41が逆圧状態になかった
場合には警報器が出力されないのを確認した後に、バイ
パスバルブ55を遮断すると同時に入口バルブ47を開
通し、浸漬管46にキャリアガスを送出しバブリングを
開始する。もし使用する化学的蒸気供給系32がガス原
料供給装置34を備えている場合には、このとき所定の
流量に調節されたガス原料を反応器30に供給する。成
膜が終わったところで、バルブ47、48、53を遮断
し、反応器30を大気圧にして基板27を器外に取り出
す。こうして、本実施の形態のバブリング型液体原料気
化装置33を用いたCVD成膜が終了する。
When the measurement of the pressure is performed at the point S1, when the relationship of P (t1)> P (t2) holds, it is the reverse pressure state. At this time, the comparator determines that the pressure is the reverse pressure, and instructs the alarm to output. Eventually, the pressure relationship becomes P (t
1) When ≤P (t2), the comparator determines that the back pressure state has been released, and stops the output of the alarm device. Similarly, when the pressure is measured at the point S2 or S3, the comparator determines that the pressure is back when P (t1) <P (t2), and instructs the back pressure alarm to output. Eventually the pressure relationship becomes P
When (t1) ≧ P (t2), the comparator determines that the back pressure state has been released, and stops the output of the alarm device. The time from when the outlet valve 48 is opened until the back pressure state of the raw material container 41 is released is several seconds at most. When the raw material container 41 is in the back pressure state, the back pressure detecting means 57 stops the output of the alarm and confirms that the back pressure state has been released. Otherwise, after confirming that the alarm is not output, the bypass valve 55 is shut off and the inlet valve 47 is opened at the same time, and the carrier gas is delivered to the immersion pipe 46 to start bubbling. If the chemical vapor supply system 32 to be used has a gas source supply device 34, the gas source adjusted to a predetermined flow rate is supplied to the reactor 30 at this time. When the film formation is completed, the valves 47, 48 and 53 are shut off, the reactor 30 is set to the atmospheric pressure, and the substrate 27 is taken out of the chamber. Thus, the CVD film formation using the bubbling type liquid source vaporizer 33 of the present embodiment is completed.

【0015】以上の説明からもはや明白なように、本実
施の形態のバブリング型液体原料気化装置33において
は、バイパスバルブ55と出口バルブ48を開通して原
料容器41の内圧とキャリアガス輸送管51の内圧を等
しくする工程と、逆圧状態が解消されたことを逆圧検出
手段57で確認する工程を経てから入口バルブ47を開
通する構成にしているため、CVDの開始前に原料容器
41の内圧が如何なる値であっても、液体原料45の逆
流を起こさずバブリングを開始することができる。本実
施の形態のバブリング型液体原料気化装置33の原料容
器41の構成は、従来例2のごとく仕切りにより区画さ
れた原料容器41本体の2室A、Bに充填された液体原
料45が、バブリングの開始/終了する度に仕切りの最
下部に設けられた細孔を通って行き来する構成とは全く
異なり、従来例1と同様、単純な構成をしている。した
がって従来例2が抱える諸問題は元来、生起せず、結果
として、これら問題を解決することができる。
As is apparent from the above description, in the bubbling type liquid raw material vaporizer 33 of the present embodiment, the internal pressure of the raw material container 41 and the carrier gas transport pipe 51 are opened by opening the bypass valve 55 and the outlet valve 48. The inlet valve 47 is opened after the step of equalizing the internal pressure of the raw material and the step of confirming that the back pressure state has been eliminated by the back pressure detecting means 57. Regardless of the value of the internal pressure, bubbling can be started without backflow of the liquid raw material 45. The configuration of the raw material container 41 of the bubbling type liquid raw material vaporizer 33 according to the present embodiment is such that the liquid raw material 45 filled in the two chambers A and B of the main body of the raw material container 41 partitioned by partitions as in Conventional Example 2 is bubbled. The structure is completely different from the structure in which the structure moves back and forth through a pore provided at the lowermost portion of the partition every time the start / end of the partition is started. Therefore, the problems of Conventional Example 2 do not originally occur, and as a result, these problems can be solved.

【0016】(実施の形態2) 図3は本発明バブリン
グ型液体原料気化装置の実施の形態2の構成を示してい
る。同図において図2と同じ符号のものは、図2の構成
物と同じものであり同じ機能を有するので、詳細な説明
は省略することにする。60は入口バルブ47が開通す
る前にキャリアガス輸送管51の内圧P1と原料容器4
1の内圧P2との圧力差P1−P2が負であること、す
なわち、逆圧であることを識別し報知する逆圧検出手段
である。逆圧検出手段60の目的は入口バルブ47が閉
じ、出口バルブ48が開いた状態で、次に挙げる2対の
内圧の組み合わせのいずれか1対、すなわち、(ニ)キ
ャリアガス輸送管51のS2地点の内圧と原料容器41
のS1地点の内圧の対、または、(ホ)キャリアガス輸
送管51のS2地点の内圧と原料蒸気輸送管54のS3
地点の内圧の対、のいずれか1対を監視し、S2地点の
内圧がS1又はS3地点の内圧より低いかどうかを判断
し、結果を報知することによって達成される。この目的
を達成するために逆圧検出手段60は少なくともS2地
点とS1又はS3地点に設置された2つの圧力計と、圧
力計が示す2地点の圧力データを常時比較する比較器
と、S2地点の内圧P(S2)がS1地点またはS3地
点の内圧P(S1)やP(S3)よりも低いとき表示、
警報、信号出力などで作業者や他の機器に原料容器41
が逆圧状態であることを報知する報知器と、を備えてい
る。
(Embodiment 2) FIG. 3 shows a configuration of Embodiment 2 of a bubbling type liquid raw material vaporizer of the present invention. In this figure, components having the same reference numerals as those in FIG. 2 are the same as those in FIG. 2 and have the same functions, so that detailed description will be omitted. Reference numeral 60 denotes the internal pressure P1 of the carrier gas transport pipe 51 and the raw material container 4 before the inlet valve 47 is opened.
This is a reverse pressure detecting means for identifying and reporting that the pressure difference P1-P2 from the internal pressure P2 is negative, that is, a reverse pressure. The purpose of the back pressure detecting means 60 is to set any one of the following two combinations of the internal pressures in a state where the inlet valve 47 is closed and the outlet valve 48 is open, namely, (d) S2 of the carrier gas transport pipe 51. Internal pressure at the point and raw material container 41
Or (e) the internal pressure at point S2 of the carrier gas transport pipe 51 and the internal pressure at point S2 of the raw material vapor transport pipe 54.
This is achieved by monitoring any one pair of the internal pressures at the points, determining whether the internal pressure at the point S2 is lower than the internal pressure at the points S1 or S3, and reporting the result. In order to achieve this object, the back pressure detecting means 60 includes at least two pressure gauges installed at the S2 point and the S1 or S3 point, a comparator for constantly comparing the pressure data at the two points indicated by the pressure gauge, and a S2 point. Is displayed when the internal pressure P (S2) is lower than the internal pressure P (S1) or P (S3) at the point S1 or S3.
Raw material container 41 for workers and other equipment by alarm, signal output, etc.
And a notifying device for notifying that the device is in a back pressure state.

【0017】つぎに本実施の形態のバブリング型液体原
料気化装置33の作用と効果をCVD成膜の過程ととも
に説明する。所定の成長温度に保持された反応器30に
基板27を収納したあと、反応器30を一旦真空にひ
き、圧力が十分に下がったら、バブリング型液体原料気
化装置33のバイパスバルブ55と原料導入バルブ53
を開通させて、流量調節器50で所定の流量に調整され
たキャリアガスを反応器30に導入する。使用する化学
的蒸気供給系32が希釈ガス供給装置35を備えている
場合には、希釈ガス供給装置35からも所定の流量に調
節された希釈ガスを反応器30に供給する。つづいて、
出口バルブ48を開通させると同時に逆圧検出手段60
の機能を作動させてS2地点とS1地点またはS2地点
とS3地点の内圧を一対の圧力系で計測し、P(S2)
<P(S1)またはP(S2)<P(S3)のときは比
較器は逆圧であると判断し、信号を報知器に送出し、報
知器に出力を命じる。しばらくして逆圧状態が解消し、
P(S2)≧P(S1)あるいはP(S2)≧P(S
3)となると比較器30は報知器への信号送出を解除
し、報知器の出力を停止させる。出口バルブ48を開通
してから、原料容器41の逆圧状態が解かれるまでの時
間は長くても数秒の長さである。逆圧検出手段60が報
知器の出力を停止し、逆圧状態の報知を解除したのを確
認した後(原料容器41が逆圧状態になかった場合には
警報器が出力されないのを確認した後)、バイパスバル
ブ55を遮断すると同時に入口バルブ47を開通し、浸
漬管46にキャリアガスを送出しバブリングを開始す
る。使用する化学的蒸気供給系32がガス原料供給装置
34を備えている場合には、このとき所定の流量に調節
されたガス原料を反応器30に供給する。このあと、反
応器30では成膜が開始される。成膜が終わったところ
で、バルブ47、48、53を遮断し、反応器30を大
気圧にして基板27を器外に取り出す。こうして、本実
施の形態のバブリング型液体原料気化装置33を用いた
CVD成膜が終了する。
Next, the operation and effect of the bubbling type liquid source vaporizer 33 of this embodiment will be described together with the process of CVD film formation. After accommodating the substrate 27 in the reactor 30 maintained at a predetermined growth temperature, the reactor 30 is once evacuated to a vacuum, and when the pressure is sufficiently reduced, the bypass valve 55 and the source introduction valve of the bubbling type liquid source vaporizer 33. 53
Is opened, and the carrier gas adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate controller 50 is introduced into the reactor 30. When the chemical vapor supply system 32 to be used includes the dilution gas supply device 35, the dilution gas supplied to the reactor 30 is also adjusted to a predetermined flow rate from the dilution gas supply device 35. Then,
When the outlet valve 48 is opened, the back pressure detecting means 60
, And measure the internal pressure at points S2 and S1 or at points S2 and S3 with a pair of pressure systems, P (S2)
When <P (S1) or P (S2) <P (S3), the comparator determines that the pressure is opposite, sends a signal to the alarm, and instructs the alarm to output. After a while, the back pressure condition disappears,
P (S2) ≧ P (S1) or P (S2) ≧ P (S
In 3), the comparator 30 cancels the signal transmission to the alarm, and stops the output of the alarm. The time from when the outlet valve 48 is opened until the back pressure state of the raw material container 41 is released is several seconds at most. After confirming that the back pressure detecting means 60 stops the output of the alarm and cancels the notification of the back pressure state, it is confirmed that the alarm is not output when the raw material container 41 is not in the back pressure state. After that, the bypass valve 55 is shut off and the inlet valve 47 is opened at the same time, and the carrier gas is delivered to the immersion pipe 46 to start bubbling. When the chemical vapor supply system 32 to be used includes the gas material supply device 34, the gas material adjusted to a predetermined flow rate is supplied to the reactor 30 at this time. Thereafter, film formation is started in the reactor 30. When the film formation is completed, the valves 47, 48 and 53 are shut off, the reactor 30 is set to the atmospheric pressure, and the substrate 27 is taken out of the chamber. Thus, the CVD film formation using the bubbling type liquid source vaporizer 33 of the present embodiment is completed.

【0018】本実施の形態においても、実施の形態1同
様、バイパスバルブ55と出口バルブ48を開通して原
料容器41の内圧とキャリアガス輸送管51の内圧を等
しくする工程と、逆圧状態が解消されたことを逆圧検出
手段60で確認する工程を経てから入口バルブ47を開
通する構成にしているため、CVDの開始前に原料容器
41の内圧が如何なる値であっても、液体原料45の逆
流を起こさずバブリングを開始することができる。ま
た、従来例2が抱える諸問題を解決することができるこ
とは実施の形態1と同じ理由で明白である。
Also in the present embodiment, as in the first embodiment, a step of opening the bypass valve 55 and the outlet valve 48 to equalize the internal pressure of the raw material container 41 and the internal pressure of the carrier gas transport pipe 51, Since the inlet valve 47 is opened after a step of confirming that the liquid material has been eliminated by the back pressure detecting means 60, the liquid material 45 is supplied to the liquid material 45 regardless of the internal pressure of the material container 41 before the start of CVD. Bubbling can be started without causing backflow. It is apparent that the problems of the second conventional example can be solved for the same reason as in the first embodiment.

【0019】(実施の形態3) 図4は本発明CVD装
置のバブリング型液体原料気化装置33の実施の形態3
の構成を示している。本装置は前記実施の形態2の一つ
を発展させたものである。61は電磁駆動型あるいは圧
空駆動型の入口バルブである。62は入口バルブ61の
駆動回路で、この駆動回路62には開通/遮断するON
/OFFスイッチ63と逆圧検出手段60の報知器に内
蔵されているノーマリクローズの出力接点64が直列に
挿入されている。逆圧検出手段60が逆圧を検出してい
るときは出力接点64はオープン、それ以外のときはク
ローズしている。
(Embodiment 3) FIG. 4 shows Embodiment 3 of a bubbling type liquid source vaporizer 33 of the CVD apparatus of the present invention.
Is shown. This device is an extension of one of the second embodiment. Reference numeral 61 denotes an electromagnetically driven or pneumatically driven inlet valve. Reference numeral 62 denotes a drive circuit for the inlet valve 61.
An / OFF switch 63 and a normally closed output contact 64 built in the alarm of the back pressure detecting means 60 are inserted in series. The output contact 64 is open when the back pressure detecting means 60 detects the back pressure, and is closed otherwise.

【0020】つぎに本実施の形態のバブリング型液体原
料気化装置33の作用と効果をCVD成膜の過程ととも
に説明する。所定の成長温度に保持された反応器30に
基板27を収納したあと、反応器30を一旦真空にひ
き、圧力が十分に下がったら、バブリング型液体原料気
化装置33のバイパスバルブ55と原料導入バルブ53
を開通させて、流量調節器50で所定の流量に調整され
たキャリアガスを反応器30に導入する。使用する化学
的蒸気供給系32が希釈ガス供給装置35を備えている
場合には、希釈ガス供給装置35からも所定の流量に調
節された希釈ガスを反応器30に供給する。つづいて、
出口バルブ48を開通させると同時に逆圧検出手段60
の機能を作動させてS2地点とS1地点またはS2地点
とS3地点の内圧を一対の圧力系で計測し、P(S2)
<P(S1)またはP(S2)<P(S3)のときは比
較器は逆圧であると判断し、信号を報知器に送出し、報
知器に出力接点64をOPENにするように命じる。逆
圧検出手段60を作動させると直ちにON/OFFスイ
ッチ63をONにして入口バルブ61を開通させる体勢
を整える。原料容器41が逆圧状態にあるときは、逆圧
検出手段60の出力接点64がOPENになっているの
で、逆圧状態が解除されるまで、入口バルブ61の開通
はしばらく保留される。出口バルブ48を開通してか
ら、原料容器41の逆圧状態が解かれるまでの時間は長
くても数秒の長さである。原料容器41が逆圧状態にな
いときは、ON/OFFスイッチ63をONすると同時
に入口バルブ61が開通する。この後、バイパスバルブ
55を遮断すると、浸漬管46にキャリアガスが送出さ
れバブリングが開始する。使用する化学的蒸気供給系3
2がガス原料供給装置34を備えている場合には、この
とき所定の流量に調節されたガス原料を反応器30に供
給する。このあと、反応器30では成膜が開始される。
成膜が終わったところで、バルブ61、48、53を遮
断し、反応器30を大気圧にして基板27を器外に取り
出す。こうして、本実施の形態のバブリング型液体原料
気化装置33を用いたCVD成膜が終了する。
Next, the operation and effect of the bubbling type liquid source vaporizer 33 of this embodiment will be described together with the process of CVD film formation. After accommodating the substrate 27 in the reactor 30 maintained at a predetermined growth temperature, the reactor 30 is once evacuated to a vacuum, and when the pressure is sufficiently reduced, the bypass valve 55 and the source introduction valve of the bubbling type liquid source vaporizer 33. 53
Is opened, and the carrier gas adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate controller 50 is introduced into the reactor 30. When the chemical vapor supply system 32 to be used includes the dilution gas supply device 35, the dilution gas supplied to the reactor 30 is also adjusted to a predetermined flow rate from the dilution gas supply device 35. Then,
When the outlet valve 48 is opened, the back pressure detecting means 60
, And measure the internal pressure at points S2 and S1 or at points S2 and S3 with a pair of pressure systems, P (S2)
When <P (S1) or P (S2) <P (S3), the comparator determines that the pressure is reverse, sends a signal to the alarm, and instructs the alarm to open the output contact 64. . As soon as the back pressure detecting means 60 is operated, the ON / OFF switch 63 is turned ON to adjust the posture for opening the inlet valve 61. When the raw material container 41 is in the back pressure state, the output contact 64 of the back pressure detecting means 60 is open, so that the opening of the inlet valve 61 is suspended for a while until the back pressure state is released. The time from when the outlet valve 48 is opened until the back pressure state of the raw material container 41 is released is several seconds at most. When the raw material container 41 is not in the reverse pressure state, the ON / OFF switch 63 is turned ON and the inlet valve 61 is opened at the same time. Thereafter, when the bypass valve 55 is shut off, the carrier gas is delivered to the immersion pipe 46, and bubbling starts. Chemical vapor supply system 3 to be used
When the apparatus 2 includes the gas source supply device 34, the gas source adjusted to a predetermined flow rate is supplied to the reactor 30 at this time. Thereafter, film formation is started in the reactor 30.
When the film formation is completed, the valves 61, 48 and 53 are shut off, the reactor 30 is set to the atmospheric pressure, and the substrate 27 is taken out of the chamber. Thus, the CVD film formation using the bubbling type liquid source vaporizer 33 of the present embodiment is completed.

【0021】本実施の形態においても、実施の形態1同
様、バイパスバルブ55と出口バルブ48を開通して原
料容器41の内圧とキャリアガス輸送管51の内圧を等
しくする工程と、逆圧状態が解消されたことを逆圧検出
手段60で確認する工程を経てから入口バルブ61を開
通する構成にしているため、CVDの開始前に原料容器
41の内圧が如何なる値であっても、液体原料45の逆
流を起こさずバブリングを開始することができる。ま
た、従来例2が抱える諸問題を解決することができるこ
とは実施の形態1と同じ理由で明白である。本実施の形
態は原料容器41内が逆圧状態にあるかないかを作業者
が確認することなしに入口バルブ61をOPENする操
作に移ることができる。ここが本実施の形態が実施の形
態2と機能的に異なるところである。このような機能
は、CVD装置をシーケンシャル制御で自動運転するよ
うな場合に、きわめて便利な機能である。
In the present embodiment, as in the first embodiment, the process of opening the bypass valve 55 and the outlet valve 48 to equalize the internal pressure of the raw material container 41 and the internal pressure of the carrier gas transport pipe 51 is the same as in the first embodiment. Since the inlet valve 61 is opened after a step of confirming that the liquid material has been canceled by the back pressure detecting means 60, the liquid material 45 can be supplied no matter what value the internal pressure of the material container 41 has before the start of CVD. Bubbling can be started without causing backflow. It is apparent that the problems of the second conventional example can be solved for the same reason as in the first embodiment. In this embodiment, the operation can be shifted to the operation of opening the inlet valve 61 without the operator confirming whether or not the inside of the raw material container 41 is under the back pressure. This is where the present embodiment is functionally different from the second embodiment. Such a function is extremely useful when the CVD apparatus is automatically operated by sequential control.

【0022】[0022]

【発明の効果】 以上説明してきたように、本発明のバ
ブリング型液体原料気化装置によれば、化学的気相成長
(CVD)の開始前に液体原料容器の内圧が如何なる値
であっても、液体原料の逆流を起こさずにバブリングを
開始することができるため、逆流とこれに伴い起こる火
災や爆発、急性中毒障害などの重大事故や、バルブ等の
破損を防ぐことができる。
As described above, according to the bubbling type liquid source vaporizer of the present invention, even if the internal pressure of the liquid source container is any value before the start of chemical vapor deposition (CVD), Since bubbling can be started without backflow of the liquid raw material, serious accidents such as fire, explosion, and acute poisoning damage caused by backflow and damage to valves and the like can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に基づくバブリング型液体原料気化装
置を含む化学的気相成長装置の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a chemical vapor deposition apparatus including a bubbling type liquid source vaporizer according to the present invention.

【図2】 本発明実施の形態1にかかるバブリング型液
体原料気化装置の構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a bubbling type liquid source vaporizer according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明実施の形態2にかかるバブリング型液
体原料気化装置の構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a bubbling type liquid raw material vaporizer according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明実施の形態3にかかるバブリング型液
体原料気化装置の構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a bubbling type liquid raw material vaporizer according to a third embodiment of the present invention.

【図5】 液体原料気化装置の従来例1の構成を示す図
である。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a conventional example 1 of a liquid source vaporizer.

【図6】 液体原料気化装置の従来例2の構成を示す図
である。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a second conventional example of a liquid source vaporizer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

S1 逆圧検出手段の圧力計の設置位置 S2 逆圧検出手段の圧力計の設置位置 S3 逆圧検出手段の圧力計の設置位置 27 基板 30 反応器 31 排気系 32 化学的蒸気供給系 33 バブリング型液体原料気化装置 34 ガス原料供給装置 35 希釈ガス供給装置 41 原料容器 42 キャリアガス入口 43 原料蒸気出口 44 空隙 45 液体原料 46 浸漬管 47 入口バルブ 48 出口バルブ 49 キャリアガス供給源 50 流量調節器 51 キャリアガス輸送管 52 圧力調整バルブ 53 原料導入バルブ 54 原料蒸気輸送管 55 バイパスバルブ 56 恒温槽 57 逆圧検出手段 60 逆圧検出手段 61 入口バルブ 62 駆動回路 63 ON/OFFスイッチ 64 出力接点 L1 キャリアガス輸送管 L2 原料蒸気輸送管 111 原料容器 112 液体原料 113 キャリアガス入口 114 浸漬管 115 バルブ 116 原料蒸気出口 117 バルブ 118 バイパスバルブ 119 流量調節器 120 バルブ 121 キャリアガス供給源 122 圧力調整バルブ 123 バルブ 124 CVD反応器 201 原料容器本体 202 仕切り 203 細孔 204a 気体導入管 204b 気体導入管 205a バルブ 205b バルブ 206 液体原料 S1 Installation position of pressure gauge of back pressure detection means S2 Installation position of pressure gauge of back pressure detection means S3 Installation position of pressure gauge of back pressure detection means 27 Substrate 30 Reactor 31 Exhaust system 32 Chemical vapor supply system 33 Bubbling type Liquid source vaporizer 34 Gas source supply device 35 Dilution gas supply device 41 Source container 42 Carrier gas inlet 43 Source vapor outlet 44 Void 45 Liquid source 46 Immersion tube 47 Inlet valve 48 Outlet valve 49 Carrier gas supply source 50 Flow rate controller 51 Carrier Gas transport pipe 52 Pressure regulating valve 53 Raw material introduction valve 54 Raw material vapor transport pipe 55 Bypass valve 56 Constant temperature bath 57 Reverse pressure detecting means 60 Reverse pressure detecting means 61 Inlet valve 62 Drive circuit 63 ON / OFF switch 64 Output contact L1 Carrier gas transport Pipe L2 Raw material vapor transport pipe 111 Raw material container 11 2 Liquid raw material 113 Carrier gas inlet 114 Immersion pipe 115 Valve 116 Raw material vapor outlet 117 Valve 118 Bypass valve 119 Flow rate regulator 120 Valve 121 Carrier gas supply source 122 Pressure regulating valve 123 Valve 124 CVD reactor 201 Raw material container body 202 Partition 203 Fine Hole 204a Gas inlet tube 204b Gas inlet tube 205a Valve 205b Valve 206 Liquid raw material

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 空隙を残し充填された液体原料に一端を
浸漬させた浸漬管を内設し外には第1バルブを外設した
第1開口部と、該空隙に開口し外には第2バルブを外設
した第2開口部と、を備えた密封された原料容器と、 該原料容器の第1バルブとキャリアガス供給源の供給口
とを結ぶ第1配管と、 該原料容器の第2バルブと反応器の原料蒸気導入口とを
結ぶ第2配管と、 該第1配管と該第2配管とを連結する第3バルブと、 該原料容器を内包するように設けられた恒温槽と、 からなる化学的気相成長装置のバブリング型液体原料気
化装置において、 前記第1配管の内圧P1と前記原料容器の内圧P2との
圧力差P1−P2が負であること、すなわち、逆圧であ
ることを識別する逆圧検出手段を備えたことを特徴とす
るバブリング型液体原料気化装置。
1. A dip tube, one end of which is immersed in a liquid material filled with a gap left inside, a first valve outside the first valve, and a first opening outside the gap, and a first opening outside the gap. A sealed raw material container having a second opening externally provided with two valves, a first pipe connecting the first valve of the raw material container and a supply port of a carrier gas supply source, A second pipe connecting the two valves to the raw material vapor inlet of the reactor, a third valve connecting the first pipe and the second pipe, and a thermostat provided so as to include the raw material container. A bubbling type liquid source vaporizer for a chemical vapor deposition apparatus comprising: a pressure difference P1-P2 between the internal pressure P1 of the first pipe and the internal pressure P2 of the source container is negative, that is, A bubbling type liquid source, comprising back pressure detecting means for identifying the presence thereof Vaporizer.
【請求項2】 前記逆圧検出手段がその目的を達成する
ために、前記原料容器の内圧の変化、または第1配管の
内圧の変化、または第2配管の内圧の変化、のいずれか
1つを監視することを特徴とする請求項1記載のバブリ
ング型液体原料気化装置。
2. The method according to claim 1, wherein the back pressure detecting means achieves its purpose by changing one of the internal pressure of the raw material container, the internal pressure of the first pipe, and the internal pressure of the second pipe. 2. The bubbling type liquid raw material vaporizer according to claim 1, wherein the bubbling is monitored.
【請求項3】 前記逆圧検出手段の逆圧識別は、第1バ
ルブが閉じ第2バルブと第3バルブが開いた状態でなさ
れることを特徴とする請求項1または請求項2記載のバ
ブリング型液体原料気化装置。
3. The bubbling according to claim 1, wherein the back pressure is detected by the back pressure detecting means when the first valve is closed and the second valve and the third valve are open. Liquid material vaporizer.
【請求項4】 前記逆圧検出手段による逆圧状態の識別
が、第1配管内圧の上昇の検出によってなされることを
特徴とする請求項1乃至請求項3記載のバブリング型液
体原料気化装置。
4. The bubbling type liquid source vaporizer according to claim 1, wherein the back pressure state is identified by the back pressure detecting means by detecting an increase in the first pipe internal pressure.
【請求項5】 第2バルブと第3バルブを同時または順
次開く工程と、逆圧検出手段にて非逆圧状態を確認する
工程と、第1バルブを開く工程と、第3バルブを閉じる
工程と、から構成される請求項1乃至請求項4記載のバ
ブリング型液体原料気化装置の原料蒸気輸送開始操作方
法。
5. A step of simultaneously or sequentially opening a second valve and a third valve, a step of confirming a non-back pressure state by a back pressure detecting means, a step of opening a first valve, and a step of closing a third valve. 5. A method for starting a raw material vapor transport of a bubbling type liquid raw material vaporizer according to claim 1, comprising:
【請求項6】 空隙を残し充填された液体原料に一端を
浸漬させた浸漬管を内設し外には第1バルブを外設した
第1開口部と、該空隙に開口し外には第2バルブを外設
した第2開口部と、を備えた密封原料容器と、 該原料容器の第1バルブと、キャリアガス供給源の供給
口と、を結ぶ第1配管と、 該原料容器の第2バルブと反応器とを結ぶ第2配管と、 該原料容器を内包するように設けられた恒温槽と、から
なる化学的気相成長装置のバブリング型液体原料気化装
置において、 該第1配管の内圧P1と該原料容器上部空間の圧力P2
との圧力差P1−P2が負であること、すなわち、逆圧
であることを識別する逆圧検出手段を備えたことを特徴
とするバブリング型液体原料気化装置。
6. A immersion tube having one end immersed in the filled liquid material leaving a gap therein, and a first opening outside the first valve outside the immersion tube, and a first opening outside the first valve outside the gap. A hermetically sealed raw material container having a second opening externally provided with two valves, a first pipe connecting the first valve of the raw material container, and a supply port of a carrier gas supply source, and a second pipe of the raw material container. A bubbling type liquid source vaporizer of a chemical vapor deposition apparatus, comprising: a second pipe connecting the two valves and the reactor; and a constant temperature bath provided so as to enclose the source vessel. Internal pressure P1 and pressure P2 in the upper space of the raw material container
A back pressure detecting means for identifying that the pressure difference P1-P2 is negative, that is, a back pressure.
【請求項7】 前記逆圧検出手段がその目的を達成する
ために、第1配管と原料容器、もしくは、第1配管と第
2配管、のいずれか一組の内圧を監視することを特徴と
する請求項6記載のバブリング型液体原料気化装置。
7. The back pressure detecting means monitors an internal pressure of any one of a first pipe and a raw material container or a first pipe and a second pipe in order to achieve the object. The bubbling type liquid raw material vaporizer according to claim 6.
【請求項8】 前記逆圧検出手段の逆圧識別は、前記第
1バルブが閉じ、前記第2バルブが開いた状態でなされ
ること特徴とする請求項6または請求項7記載のバブリ
ング型液体原料気化装置。
8. The bubbling type liquid according to claim 6, wherein the back pressure detection means detects the back pressure while the first valve is closed and the second valve is opened. Raw material vaporizer.
【請求項9】 前記逆圧検出手段による逆圧状態の識別
が、第1配管の内圧と、液体原料容器の内圧あるいは第
2配管の内圧と、の比較によってなされることを特徴と
する請求項6乃至請求項8記載のバブリング型液体原料
気化装置。
9. The method according to claim 1, wherein the identification of the state of the back pressure by the back pressure detecting means is performed by comparing the internal pressure of the first pipe with the internal pressure of the liquid material container or the internal pressure of the second pipe. The bubbling type liquid raw material vaporizer according to any one of claims 6 to 8.
【請求項10】 前記第2バルブを開く工程と、前記逆
圧検出手段にて非逆圧状態を確認する工程と、前記第1
バルブを開く工程と、から構成される請求項6乃至請求
項9記載のバブリング型液体原料気化装置の原料蒸気輸
送開始操作方法。
10. A step of opening the second valve, a step of confirming a non-back pressure state by the back pressure detecting means,
The method for starting operation of transporting raw material vapor of a bubbling type liquid raw material vaporizer according to claim 6, comprising a step of opening a valve.
【請求項11】 前記逆圧検出手段が逆圧状態を指示し
ているとき、前記第1バルブの開通を禁止する開通禁止
手段を具備することを特徴とする請求項1乃至請求項4
または請求項6乃至請求項9記載のバブリング型液体原
料気化装置。
11. The apparatus according to claim 1, further comprising an opening prohibiting unit that prohibits opening of the first valve when the back pressure detecting unit indicates a back pressure state.
10. A bubbling type liquid source vaporizer according to claim 6.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009078293A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Horiba Stec, Co., Ltd. Liquid material vaporization apparatus
CN116575014A (en) * 2023-05-10 2023-08-11 上海良薇机电工程有限公司 Bubbling device, liquid source bubbling system, method and semiconductor process system

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009078293A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Horiba Stec, Co., Ltd. Liquid material vaporization apparatus
US8544828B2 (en) 2007-12-19 2013-10-01 Horiba Stec, Co., Ltd. Liquid material vaporization apparatus
CN116575014A (en) * 2023-05-10 2023-08-11 上海良薇机电工程有限公司 Bubbling device, liquid source bubbling system, method and semiconductor process system
CN116575014B (en) * 2023-05-10 2024-02-27 上海良薇机电工程有限公司 Bubbling device, liquid source bubbling system, method and semiconductor process system

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