JPH11102952A - Semiconductor manufacture and equipment therefor - Google Patents

Semiconductor manufacture and equipment therefor

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JPH11102952A
JPH11102952A JP13273398A JP13273398A JPH11102952A JP H11102952 A JPH11102952 A JP H11102952A JP 13273398 A JP13273398 A JP 13273398A JP 13273398 A JP13273398 A JP 13273398A JP H11102952 A JPH11102952 A JP H11102952A
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JP
Japan
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substrate
cassette
wafer
processed
holder
Prior art date
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Pending
Application number
JP13273398A
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Japanese (ja)
Inventor
Yukinori Yuya
幸則 油谷
Riichi Kano
利一 狩野
Kazuto Ikeda
和人 池田
Yuji Yoshida
祐治 吉田
Shinichiro Watabiki
真一郎 綿引
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To automate the carriage of a substrate holder between the outside and a load lock chamber, and to improve throughput and the quality of products. SOLUTION: A cassette loaded with a substrate holder 18 and the cassette loaded with a substrate 7 to be processed are individually carried in and carried away, and the substrate holder 18 and the substrate 7 to be processed are individually carried from the cassettes to the load lock chamber. The substrate 7 to be processed is mounted on the substrate holder 18 inside the load lock chamber or both are separated and the substrate holder 18 holding the substrate 7 to be processed is carried between the load lock chamber and a reaction chamber. In such a manner, the carrying-in, mounting and carrying-away of a non-processed substrate holder performed by manual work to a semiconductor manufacturing device are omitted.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に熱処
理、或は成膜処理をして半導体を製造する半導体製造方
法及びその装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing method for manufacturing a semiconductor by subjecting a substrate to be processed to a heat treatment or a film forming process, and an apparatus therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造装置はウェーハ或はガラス基
板等被処理基板に種々の薄膜を生成し、或はエッチング
等各種処理を行い、被処理基板表面に多数の半導体素子
を形成する反応室を具備している。
2. Description of the Related Art A semiconductor manufacturing apparatus forms a reaction chamber for forming various thin films on a substrate to be processed such as a wafer or a glass substrate or performing various processes such as etching to form a large number of semiconductor elements on the surface of the substrate to be processed. I have it.

【0003】外部と半導体製造装置との間の被処理基板
の搬送は基板カセットに装填した状態で行われ、前記反
応室内部への被処理基板の搬入、搬出は基板移載機の搬
送プレート上に前記被処理基板を1枚ずつ載置し行われ
る。然し、処理直後の被処理基板は高温となっており、
常温の前記搬送プレートが高温の被処理基板に接すると
前記搬送プレートと被処理基板との温度差により被処理
基板が前記搬送プレートにより局部的に冷却され、熱応
力が発生し、被処理基板にスリップが発生する。スリッ
プは製品品質の低下の要因となる。
A substrate to be processed is transported between the outside and the semiconductor manufacturing apparatus in a state where the substrate is loaded in a substrate cassette. The substrate to be processed is loaded into and unloaded from the inside of the reaction chamber on a transport plate of a substrate transfer machine. The substrates to be processed are placed one by one. However, the substrate to be processed immediately after processing is at a high temperature,
When the transfer plate at room temperature is in contact with the substrate to be processed at a high temperature, the substrate to be processed is locally cooled by the transfer plate due to a temperature difference between the transfer plate and the substrate to be processed, and thermal stress is generated. Slip occurs. Slip causes a decrease in product quality.

【0004】従って、被処理基板を基板ホルダに保持
し、前記搬送プレート上に該基板ホルダを介して被処理
基板を載置し、前記反応室への搬入、搬出及び該反応室
内での処理を一貫して行い、搬入、搬出時に基板移載機
の前記搬送プレートが直接被処理基板に接触しない様に
している。
Accordingly, the substrate to be processed is held by a substrate holder, the substrate to be processed is placed on the transfer plate via the substrate holder, and the substrate is carried into and out of the reaction chamber, and the processing in the reaction chamber is performed. The transfer is performed consistently, so that the transfer plate of the substrate transfer machine does not directly contact the substrate to be processed during loading and unloading.

【0005】先ず、図6、図7に於いてウェーハカセッ
ト1を説明する。
First, the wafer cassette 1 will be described with reference to FIGS.

【0006】該ウェーハカセット1は箱状のウェーハ収
納ケース本体2と、該収納ケース本体2の正面3に水平
に固着された取手部4と、前記収納ケース本体2の下面
に形成された脚部5とで構成されている。
The wafer cassette 1 has a box-shaped wafer storage case main body 2, a handle portion 4 horizontally fixed to the front surface 3 of the storage case main body 2, and legs formed on the lower surface of the storage case main body 2. 5 is comprised.

【0007】前記ウェーハ収納ケース本体2は上面に開
口部6を有し、前記ウェーハ収納ケース本体2の両側内
壁には被処理基板であるウェーハ7が装入される溝が形
成されている。前記正面3に平行な方向の前記開口部6
の幅はウェーハ7の外径より僅かに大きく、前記開口部
6を通して前記ウェーハ7が前記溝に沿って装入、取出
し可能となっている。又、下面にも開口部8を有し前記
正面3に平行な方向の前記開口部8の幅は前記ウェーハ
7の外径より小さくなっている。
The wafer storage case main body 2 has an opening 6 on the upper surface, and grooves are formed in the inner walls on both sides of the wafer storage case main body 2 for receiving a wafer 7 as a substrate to be processed. The opening 6 in a direction parallel to the front 3
Is slightly larger than the outer diameter of the wafer 7 so that the wafer 7 can be loaded and unloaded through the opening 6 along the groove. The lower surface also has an opening 8, and the width of the opening 8 in a direction parallel to the front surface 3 is smaller than the outer diameter of the wafer 7.

【0008】次に、図8〜図11に於いて従来の半導体
製造装置の内、被処理基板を1枚又は複数枚ずつ処理す
る枚葉式半導体製造装置について説明する。
Next, a single-wafer-type semiconductor manufacturing apparatus for processing one or a plurality of substrates to be processed among conventional semiconductor manufacturing apparatuses will be described with reference to FIGS.

【0009】搬送室9の一方の側面には内部にウェーハ
台(図示せず)を有する2つの反応室10,10がそれ
ぞれ図示しない第1ゲートバルブを介して上下2段に気
密に連設され、前記一方の側面に対向する前記搬送室9
の他方の側面には2つのロードロック室11,11がそ
れぞれ図示しない第2ゲートバルブを介して上下2段に
気密に連設されている。
On one side of the transfer chamber 9, two reaction chambers 10, 10 each having a wafer stage (not shown) therein are connected in an airtight manner in two upper and lower stages via a first gate valve (not shown). , The transfer chamber 9 facing the one side surface
On the other side, two load lock chambers 11 and 11 are airtightly connected to each other in two upper and lower stages via a second gate valve (not shown).

【0010】前記搬送室9の内部には第1基板移載機1
2が設けられ、該第1基板移載機12は昇降可能且回転
可能な第1進退機構部13を有し、該第1進退機構部1
3は水平方向に進退可能な第1チャッキングヘッド14
を有し、該第1チャッキングヘッド14は水平方向に延
出する第1搬送プレート15を具備している。
A first substrate transfer machine 1 is provided inside the transfer chamber 9.
The first substrate transfer machine 12 has a first advance / retreat mechanism 13 that can be moved up and down and is rotatable.
Reference numeral 3 denotes a first chucking head 14 which can move forward and backward in the horizontal direction.
The first chucking head 14 has a first transport plate 15 extending in the horizontal direction.

【0011】該第1搬送プレート15は2股の先端部1
6,16と基端部17により2股フォーク状に形成さ
れ、前記反応室10内の前記ウェーハ台と後述するウェ
ーハ棚22と干渉しない形状となっている。前記先端部
16は前記ウェーハ7を保持したウェーハホルダ18を
受載し、前記基端部17は前記第1チャッキングヘッド
14に把持される様になっている。
The first transport plate 15 has a bifurcated tip 1
6, 16 and the base end portion 17 form a forked fork, and have a shape that does not interfere with the wafer table in the reaction chamber 10 and a wafer shelf 22 described later. The front end 16 receives a wafer holder 18 holding the wafer 7, and the base end 17 is gripped by the first chucking head 14.

【0012】前記ウェーハホルダ18は内径が前記ウェ
ーハ7の外径より大きい円環部19と、該円環部19の
内周面より中心側に突出する爪部20と、前記円環部1
9の外周面に反中心方向に突設した2対の搬送用腕部2
1で構成されている。
The wafer holder 18 has an annular portion 19 having an inner diameter larger than the outer diameter of the wafer 7, a claw portion 20 projecting from the inner peripheral surface of the annular portion 19 toward the center, and the annular portion 1.
9, two pairs of transfer arms 2 protruding from the outer peripheral surface in the direction opposite to the center.
1.

【0013】前記爪部20は前記円環部19の内周を等
分(図示では3等分)する位置に中心方向に突設され、
前記ウェーハ7の外周部分を支持可能となっている。前
記搬送用腕部21は前記第1搬送プレート15に対して
直交する方向に左右各一対突設され、前記先端部16に
受載可能となっている。
The claw portion 20 is protruded toward the center at a position equally dividing the inner circumference of the annular portion 19 (in the drawing, into three equal portions).
The outer peripheral portion of the wafer 7 can be supported. A pair of right and left transfer arms 21 project from right and left sides in a direction orthogonal to the first transfer plate 15, and can be received on the front end 16.

【0014】前記ロードロック室11の内部には鉛直方
向に所要段数、例えば前記ウェーハカセット1のウェー
ハ収納枚数に相当する枚数のウェーハを収納可能なウェ
ーハ棚22が形成されており、該各ウェーハ棚22は前
記ロードロック室11両側壁内面に固着された棚板2
3,23により構成されている。該棚板23は平面がL
字状の帯板であり、該棚板23の前記ウェーハホルダ1
8の受載部24は前記側壁と平行であり、対峙する前記
受載部24,24の間隔は後述する第2搬送プレート3
1の載置部33の幅より大きい。前記各受載部24の上
面には突起部25がそれぞれ2個ずつ突設され、該突起
部25は前記ウェーハ7の裏面に当接可能であり、前記
突起部25の高さは前記円環部19の厚さと後述する第
2搬送プレート31の厚さを加えた厚さより高くなって
いる。
Inside the load lock chamber 11, there are formed wafer shelves 22 capable of storing a required number of wafers in a vertical direction, for example, the number of wafers corresponding to the number of wafers stored in the wafer cassette 1. 22 is a shelf plate 2 fixed to the inner surfaces of both sides of the load lock chamber 11
3, 23. The shelf plate 23 has a plane L
The wafer holder 1 of the shelf board 23
8 is parallel to the side wall, and the interval between the receiving portions 24, 24 facing each other is the second transport plate 3 described later.
The width is larger than the width of the first mounting portion 33. On the upper surface of each of the receiving portions 24, two projections 25 are respectively protruded, and the projections 25 can be brought into contact with the back surface of the wafer 7, and the height of the projections 25 is the above-mentioned annular shape. The thickness is higher than the sum of the thickness of the portion 19 and the thickness of a second transport plate 31 described later.

【0015】前記ロードロック室11の反搬送室9側側
面には図示しない第3ゲートバルブが設けられ、該第3
ゲートバルブの前方には第2基板移載機26が設けられ
ている。
A third gate valve (not shown) is provided on the side surface of the load lock chamber 11 on the side opposite to the transfer chamber 9.
A second substrate transfer device 26 is provided in front of the gate valve.

【0016】該第2基板移載機26は昇降可能、回転可
能且前記ロードロック室11に対して進退可能な第2進
退機構部27を有し、該第2進退機構部27はカセット
受載部28を有すると共に該カセット受載部28に対し
て相対的に進退可能な第2チャッキングヘッド29を有
する。前記カセット受載部28には該カセット受載部2
8の上面と同一平面を形成する様、カセット受載プレー
ト30が水平に設けられ、前記カセット受載部28の上
面と前記カセット受載プレート30の上面により前記ウ
ェーハカセット1の載置面が形成される。前記第2チャ
ッキングヘッド29には水平方向に延びる第2搬送プレ
ート31が複数段(図示では3段)設けられている。
The second substrate transfer device 26 has a second advance / retreat mechanism 27 which can be moved up and down, is rotatable, and is capable of moving back and forth with respect to the load lock chamber 11, and the second advance / retreat mechanism 27 is capable of receiving a cassette. And a second chucking head 29 having a portion 28 and capable of moving forward and backward relative to the cassette receiving portion 28. The cassette receiving section 28 includes the cassette receiving section 2.
The cassette receiving plate 30 is provided horizontally so as to form the same plane as the upper surface of the cassette 8, and the upper surface of the cassette receiving portion 28 and the upper surface of the cassette receiving plate 30 form the mounting surface of the wafer cassette 1. Is done. The second chucking head 29 is provided with a plurality of (three in the figure) second transport plates 31 extending in the horizontal direction.

【0017】前記第2搬送プレート31は図9に示され
る様に前記第2チャッキングヘッド29に把持される把
持部32と、前記ウェーハ7を載置する載置部33で構
成され、前記把持部32の幅が前記載置部33の幅より
小さい短冊状を成している。
As shown in FIG. 9, the second transfer plate 31 is composed of a holding part 32 held by the second chucking head 29 and a mounting part 33 for mounting the wafer 7 thereon. The width of the portion 32 has a strip shape smaller than the width of the placing portion 33 described above.

【0018】該載置部33の先端部には前記爪部20と
の干渉を避ける矩形状の切欠部34が形成され、先端側
外周縁部に沿って先端側凸部35が隆起形成されてい
る。前記載置部33の基端部には前記先端側凸部35と
同一平面を成す基端側凸部36が形成され、該基端側凸
部36と前記先端側凸部35により中央部分に凹面37
が形成される。該凹面37の長手方向の長さは前記ウェ
ーハ7の外径より僅かに長く、又、前記凹面37の四隅
には段差部38が形成され、該段差部38は前記凹面3
7より高く且前記先端側凸部35及び基端側凸部36よ
り低く、前記段差部38により前記ウェーハ7の外周縁
部を支持可能となっている。
A rectangular notch 34 for preventing interference with the claw 20 is formed at the distal end of the mounting portion 33, and a distal convex portion 35 is formed to protrude along the outer peripheral edge of the distal end. I have. The base portion of the mounting portion 33 is formed with a base-side convex portion 36 that is flush with the distal-side convex portion 35, and the base-side convex portion 36 and the distal-side convex portion 35 form a central portion. Concave surface 37
Is formed. The length of the concave surface 37 in the longitudinal direction is slightly longer than the outer diameter of the wafer 7, and stepped portions 38 are formed at the four corners of the concave surface 37.
7 and lower than the distal-side convex portion 35 and the proximal-side convex portion 36, and the step 38 allows the outer peripheral edge of the wafer 7 to be supported.

【0019】前記第2基板移載機26の近傍にはカセッ
ト棚39が上下2段に設けられ、該カセット棚39の下
方には外部と半導体製造装置内部との間での前記ウェー
ハカセット1の授受を行うカセットステージ40が設け
られ、該カセットステージ40上には反転可能にカセッ
トローダポート41が設けられている。
In the vicinity of the second substrate transfer device 26, cassette shelves 39 are provided in two vertical stages, and below the cassette shelves 39, the wafer cassette 1 between the outside and the inside of the semiconductor manufacturing apparatus is provided. A cassette stage 40 for exchanging is provided, and a cassette loader port 41 is provided on the cassette stage 40 in a reversible manner.

【0020】前記ウェーハ7を垂直姿勢で収納した前記
ウェーハカセット1は外部搬送装置(図示せず)により
外部から前記カセットステージ40に搬送され、該カセ
ットステージ40の前記カセットローダポート41に載
置される。該カセットローダポート41は反転し、前記
ウェーハカセット1に収納された前記ウェーハ7を水平
姿勢にする。
The wafer cassette 1 containing the wafers 7 in a vertical position is transferred from the outside to the cassette stage 40 by an external transfer device (not shown), and is placed on the cassette loader port 41 of the cassette stage 40. You. The cassette loader port 41 is inverted to bring the wafer 7 stored in the wafer cassette 1 into a horizontal posture.

【0021】前記第2基板移載機26の前記カセット受
載部28及び前記第2チャッキングヘッド29を後退さ
せ、前記カセット受載プレート30及び前記第2搬送プ
レート31が前記第2進退機構部27より突出しない状
態として該第2進退機構部27を回転させると共に下降
させ、前記カセット受載部28を前記カセットローダポ
ート41に対峙させる。前記カセット受載部28を前進
させ、前記カセット受載プレート30を前記ウェーハカ
セット1の下方に挿入し、前記第2進退機構部27を若
干上昇させ、前記ウェーハカセット1を前記カセット受
載プレート30上に受載する。
The cassette receiving portion 28 and the second chucking head 29 of the second substrate transfer device 26 are retracted, and the cassette receiving plate 30 and the second transport plate 31 are moved to the second advance / retreat mechanism. The second advance / retreat mechanism 27 is rotated and lowered so as not to protrude from the cassette loader 27 so that the cassette receiving section 28 faces the cassette loader port 41. The cassette receiving portion 28 is advanced, the cassette receiving plate 30 is inserted below the wafer cassette 1, the second advance / retreat mechanism 27 is slightly raised, and the wafer cassette 1 is moved to the cassette receiving plate 30. Received above.

【0022】前記カセット受載部28を後退させ、前記
カセット受載プレート30が前記第2進退機構部27よ
り突出しない状態として該第2進退機構部27を回転さ
せると共に上昇させ、前記カセット棚39の所要位置に
対峙させる。前記カセット受載部28を前進させ、前記
第2進退機構部27を若干下降させ、前記ウェーハカセ
ット1を前記カセット棚39に移載する。
The cassette receiving portion 28 is retracted so that the cassette receiving plate 30 does not protrude from the second reciprocating mechanism 27, and the second reciprocating mechanism 27 is rotated and moved up to the cassette shelf 39. To the required position. The cassette receiving portion 28 is advanced, the second advance / retreat mechanism 27 is slightly lowered, and the wafer cassette 1 is transferred to the cassette shelf 39.

【0023】前記カセット受載部28及び第2チャッキ
ングヘッド29を後退させ、前記カセット受載プレート
30及び第2搬送プレート31が前記第2進退機構部2
7より突出しない状態として、該第2進退機構部27を
昇降させ、前記カセット棚39の所要位置に対峙させ
る。前記第2チャッキングヘッド29を前進させ、前記
第2搬送プレート31を前記カセット棚39に挿入し、
前記第2進退機構部27を若干上昇させ、前記ウェーハ
7を前記第2搬送プレート31に受載する。
The cassette receiving portion 28 and the second chucking head 29 are retracted, and the cassette receiving plate 30 and the second transport plate 31 are moved to the second advance / retreat mechanism 2.
The second advance / retreat mechanism 27 is moved up and down so as not to protrude from the position 7 so as to face a required position of the cassette shelf 39. Advance the second chucking head 29, insert the second transport plate 31 into the cassette shelf 39,
The second advance / retreat mechanism 27 is slightly raised, and the wafer 7 is received on the second transfer plate 31.

【0024】前記第2チャッキングヘッド29を後退さ
せ、前記第2搬送プレート31が前記第2進退機構部2
7より突出しない状態として該第2進退機構部27を回
転させると共に昇降させ、前記ロードロック室11の所
要段の前記受載部24上の前記ウェーハホルダ18の上
面より前記第2搬送プレート31の下面が若干高くなる
様に前記第2チャッキングヘッド29を前記ウェーハホ
ルダ18に対峙させる。該ウェーハホルダ18は予め作
業者の手作業により前記搬送用腕部21が前記ウェーハ
7の搬送方向と直交する様、前記棚板23の前記受載部
24上に載置しておく。前記第2チャッキングヘッド2
9を前進させ、前記ゲートバルブ(図示せず)を通して
前記第2搬送プレート31を前記ウェーハ棚22内に挿
入し、前記第2進退機構部27を若干下降させ、前記ウ
ェーハ7を前記棚板23の前記突起部25上に移載す
る。
The second chucking head 29 is retracted, and the second transport plate 31 is moved by the second advance / retreat mechanism 2.
The second advance / retreat mechanism 27 is rotated and moved up and down so that it does not protrude from the second transfer plate 7. The second chucking head 29 is opposed to the wafer holder 18 so that the lower surface is slightly higher. The wafer holder 18 is previously placed on the receiving portion 24 of the shelf plate 23 by a manual operation of an operator so that the transfer arm 21 is orthogonal to the transfer direction of the wafer 7. The second chucking head 2
9, the second transfer plate 31 is inserted into the wafer shelf 22 through the gate valve (not shown), the second advance / retreat mechanism 27 is slightly lowered, and the wafer 7 is transferred to the shelf plate 23. On the projection 25.

【0025】前記第1チャッキングヘッド14を後退さ
せ、前記第1搬送プレート15が前記進退機構部13よ
り突出しない状態として該第1進退機構部13を回転さ
せると共に昇降させ、前記ウェーハ棚22の所要段の前
記受載部24上の前記ウェーハホルダ18の下面より前
記第1搬送プレート15の上面が若干低くなる様、前記
第1チャッキングヘッド14を前記ウェーハ棚22に対
峙させる。前記第1チャッキングヘッド14を前進さ
せ、前記第2ゲートバルブ(図示せず)を通して、前記
第1搬送プレート15を前記ウェーハ棚22内に挿入す
る。前記第1進退機構部13を若干上昇させ、前記搬送
用腕部21を介して前記ウェーハホルダ18を前記第1
搬送プレート15上に受載し、更に、前記第1進退機構
部13を上昇させ、前記爪部20を介して前記ウェーハ
ホルダ18上に前記ウェーハ7を保持する。而して、該
ウェーハ7は前記ウェーハホルダ18に保持されて前記
第1搬送プレート15上に移載される。
The first chucking head 14 is retracted, and the first transport plate 15 is rotated so as not to protrude from the advance / retreat mechanism 13 and the first advance / retreat mechanism 13 is moved up and down. The first chucking head 14 is opposed to the wafer shelf 22 so that the upper surface of the first transfer plate 15 is slightly lower than the lower surface of the wafer holder 18 on the receiving portion 24 at the required stage. The first chucking head 14 is advanced, and the first transfer plate 15 is inserted into the wafer shelf 22 through the second gate valve (not shown). The first advance / retreat mechanism 13 is slightly raised, and the wafer holder 18 is moved to the first position via the transfer arm 21.
The wafer 7 is received on the transport plate 15, and further, the first advance / retreat mechanism 13 is raised, and the wafer 7 is held on the wafer holder 18 via the claw 20. Thus, the wafer 7 is held by the wafer holder 18 and transferred onto the first transfer plate 15.

【0026】前記第1チャッキングヘッド14を後退さ
せ、前記第1搬送プレート15が前記第1進退機構部1
3より突出しない状態として該第1進退機構部13を回
転させると共に昇降させ、所要の前記反応室10の前記
第1ゲートバルブ(図示せず)に対峙させる。前記第1
チャッキングヘッド14を前進させ、前記第1ゲートバ
ルブを通して前記ウェーハ7を保持した前記ウェーハホ
ルダ18を前記ウェーハ台(図示せず)上に移載する。
The first chucking head 14 is moved backward, and the first transport plate 15 is moved by the first advance / retreat mechanism 1.
The first advance / retreat mechanism 13 is rotated and moved up and down so that the first advance / retreat mechanism 13 is not protruded from the position 3 so as to face the required first gate valve (not shown) of the reaction chamber 10. The first
The chucking head 14 is advanced, and the wafer holder 18 holding the wafer 7 is transferred onto the wafer table (not shown) through the first gate valve.

【0027】前記第1ゲートバルブ(図示せず)を閉塞
し、前記反応室10内で前記ウェーハ7が前記ウェーハ
ホルダ18に保持された状態で成膜処理等所要の処理が
行われる。処理完了後、前記第1ゲートバルブ(図示せ
ず)を開放し、処理された前記ウェーハ7は前記ウェー
ハホルダ18に保持された状態で該ウェーハホルダ18
と共に前記反応室10から外部へ搬送される。
The first gate valve (not shown) is closed, and a required process such as a film forming process is performed in the reaction chamber 10 while the wafer 7 is held by the wafer holder 18. After the processing is completed, the first gate valve (not shown) is opened, and the processed wafer 7 is held in the wafer holder 18 while the wafer holder 18 is held.
Is transferred from the reaction chamber 10 to the outside.

【0028】前記反応室10から外部への前記ウェーハ
7の搬送は前述した手順と逆の手順で行われる。
The transfer of the wafer 7 from the reaction chamber 10 to the outside is performed in a procedure reverse to the procedure described above.

【0029】前記ウェーハホルダ18はウェーハ7処理
の過程で反応副生成物が付着堆積するので定期的に、或
は所定稼働時間毎に作業者の手作業により前記ウェーハ
棚22から取出され、洗浄等保守が行われる。
Since the reaction by-products are deposited on the wafer holder 18 in the process of processing the wafer 7, the wafer holder 18 is taken out of the wafer shelf 22 periodically or manually by a worker at a predetermined operation time, and is cleaned. Maintenance is performed.

【0030】[0030]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来のウェー
ハカセット及び半導体製造装置では、ロードロック室に
対するウェーハホルダの装填、取出しは作業者による手
作業で行っていた。従って、ウェーハホルダのメンテナ
ンスには半導体製造装置を休止させなければならず、又
多大な時間が掛り、スループットの向上を図ることが困
難であった。更に、作業者を介してメンテナンスエリア
からパーティクルが半導体製造装置内部へ浸入し、製品
の品質の向上が図れないという問題があった。
In the above-described conventional wafer cassette and semiconductor manufacturing apparatus, the loading and unloading of the wafer holder into and from the load lock chamber are manually performed by an operator. Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus must be stopped for the maintenance of the wafer holder, and it takes a long time, and it is difficult to improve the throughput. Further, there is a problem that particles enter the inside of the semiconductor manufacturing apparatus from the maintenance area via the operator, and the quality of the product cannot be improved.

【0031】本発明は斯かる実情に鑑み、外部とロード
ロック室との間のウェーハホルダの搬送の自動化を図
り、スループット及び製品の品質の向上を図ろうとする
ものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and aims to automate the transfer of the wafer holder between the outside and the load lock chamber, thereby improving the throughput and the quality of the product.

【0032】[0032]

【課題を解決するための手段】本発明は、基板ホルダが
装填されたカセットと被処理基板が装填されたカセット
が個別に搬入、搬出され、前記カセットから前記基板ホ
ルダ、前記被処理基板を個別にロードロック室に搬送
し、該ロードロック室内で前記基板ホルダに前記被処理
基板を乗載し、或は両者を分離し、前記ロードロック室
と反応室間では前記被処理基板を保持した前記基板ホル
ダを搬送する半導体製造方法に係り、又、基板ホルダに
保持された被処理基板に各種処理を行う反応室と、前記
被処理基板と前記基板ホルダを収納するロードロック室
と、該ロードロック室と前記反応室間で前記被処理基板
を保持した前記基板ホルダの搬送を行う第1基板移載機
と、前記被処理基板が装填された基板カセット及び前記
基板ホルダが装填された基板ホルダカセットを収納する
カセット棚と、該カセット棚と前記ロードロック室との
間で前記被処理基板及び前記基板ホルダの搬送を行う第
2基板移載機とを具備し、該第2基板移載機が前記被処
理基板と前記基板ホルダを受載可能な搬送プレートを有
する半導体製造装置に係り、前記被処理基板を装填した
前記基板カセットと前記基板ホルダを装填した前記基板
ホルダカセットを外部と前記カセット棚との間で搬送す
る。又、前記カセット棚と前記ロードロック室との間で
前記搬送プレート上に前記被処理基板又は前記基板ホル
ダを受載し搬送する。更に、前記ロードロック室と前記
反応室との間で前記被処理基板を前記基板ホルダ上に保
持した状態で搬送すると共に前記反応室内で前記被処理
基板に各種処理を施す。
According to the present invention, a cassette loaded with a substrate holder and a cassette loaded with a substrate to be processed are individually loaded and unloaded, and the substrate holder and the substrate to be processed are individually separated from the cassette. The substrate to be processed is mounted on the substrate holder in the load lock chamber, or both are separated, and the substrate to be processed is held between the load lock chamber and the reaction chamber. The present invention relates to a semiconductor manufacturing method for transporting a substrate holder, a reaction chamber for performing various processes on a substrate to be processed held by the substrate holder, a load lock chamber for storing the substrate to be processed and the substrate holder, and the load lock. A first substrate transfer machine for transporting the substrate holder holding the substrate to be processed between a chamber and the reaction chamber; a substrate cassette loaded with the substrate to be processed; and a substrate holder loaded with the substrate holder. A cassette shelf for accommodating the substrate holder cassette, and a second substrate transfer machine for transferring the substrate to be processed and the substrate holder between the cassette shelf and the load lock chamber. A transfer machine relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a transfer plate capable of receiving the substrate to be processed and the substrate holder, wherein the substrate cassette loaded with the substrate to be processed and the substrate holder cassette loaded with the substrate holder are externally mounted. And the cassette shelf. Further, the substrate to be processed or the substrate holder is received and transported on the transport plate between the cassette shelf and the load lock chamber. Further, the substrate to be processed is transported between the load lock chamber and the reaction chamber while being held on the substrate holder, and various processing is performed on the substrate to be processed in the reaction chamber.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】以下、図1〜図5を参照しつつ本
発明の実施の形態を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0034】尚、図1〜図5中、図6〜図11と同等の
ものには同符号を付し、説明は省略する。
In FIGS. 1 to 5, components equivalent to those in FIGS. 6 to 11 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0035】先ず、図1、図2に於いてウェーハホルダ
カセット51を説明する。
First, the wafer holder cassette 51 will be described with reference to FIGS.

【0036】該ウェーハホルダカセット51は箱状のウ
ェーハ収納ケース本体52と、該収納ケース本体52の
正面53に水平に固着された取手部54と、前記収納ケ
ース本体52の下面に形成された脚部55とで構成され
ている。
The wafer holder cassette 51 includes a box-shaped wafer storage case main body 52, a handle 54 horizontally fixed to a front surface 53 of the storage case main body 52, and legs formed on the lower surface of the storage case main body 52. And a unit 55.

【0037】前記収納ケース本体52は上面に開口部5
6を有し、前記正面53に平行な方向の前記開口部56
の幅はウェーハホルダ18の円環部19の外径より大き
く、又、下面にも開口部57を有し、前記正面53に平
行な方向の前記開口部57の幅は前記円環部19の外径
より小さくなっている。
The storage case body 52 has an opening 5 on its upper surface.
6, the opening 56 in a direction parallel to the front face 53.
Is larger than the outer diameter of the annular portion 19 of the wafer holder 18 and also has an opening 57 on the lower surface, and the width of the opening 57 in a direction parallel to the front surface 53 is Smaller than the outer diameter.

【0038】前記正面53は、中央が下方に湾曲した円
弧状を成す上辺58と、中央が上方に湾曲した半長円形
状を成す下辺59と、垂直な直線部60の下端に下部が
中心線61の方向に湾曲した円弧部62が連続した両側
辺とで形成される形状を成し、前記中心線61に対して
左右対称形となっている。又、前記正面53に対向する
対向面63は前記正面53と同一形状を成している。
The front 53 has an upper side 58 having an arcuate shape with the center curved downward, a lower side 59 having a semi-elliptical shape with the center curved upward, and a lower portion at the lower end of the vertical linear portion 60 at the center line. An arc portion 62 curved in the direction of 61 has a shape formed by continuous two sides, and is symmetrical with respect to the center line 61. The facing surface 63 facing the front surface 53 has the same shape as the front surface 53.

【0039】該正面53と直角を成す他の2側面64,
64は平面部65と、該平面部65に連続し下端が内側
に湾曲する曲面部66から成り、該曲面部66の内面に
は前記正面53と平行な方向に多数の溝(図示せず)が
等間隔で形成されると共に前記2側面64,64には前
記溝の延長上に上面から該溝と同幅のスリット67が形
成されている。而して、前記ウェーハホルダ18は前記
開口部56を通して前記正面53に平行に前記ウェーハ
ホルダカセット51に装入、取出しされ、前記円環部1
9は前記溝に挿脱されると共に搬送用腕部21は前記ス
リット67に挿脱される。
The other two side surfaces 64 at right angles to the front surface 53,
Reference numeral 64 denotes a flat surface portion 65 and a curved surface portion 66 which is continuous with the flat surface portion 65 and whose lower end is curved inward. Are formed at equal intervals, and slits 67 having the same width as the groove are formed on the two side surfaces 64 and 64 from the upper surface on the extension of the groove. Thus, the wafer holder 18 is inserted into and taken out of the wafer holder cassette 51 through the opening 56 in parallel with the front surface 53, and the annular portion 1 is removed.
9 is inserted into and removed from the groove, and the transfer arm 21 is inserted into and removed from the slit 67.

【0040】前記脚部55は断面が縦長の帯板状を成
し、前記正面53と直交する方向に平行に2列で形成さ
れている。
The legs 55 have a vertically long strip shape in cross section, and are formed in two rows parallel to a direction perpendicular to the front surface 53.

【0041】次に、図3に於いて第2搬送プレート68
を説明する。
Next, referring to FIG.
Will be described.

【0042】該第2搬送プレート68は第2チャッキン
グヘッド29に把持される把持部69と、前記ウェーハ
7を載置する載置部70で構成され、前記把持部69の
幅が前記載置部70の幅より小さい短冊状を成してい
る。
The second transfer plate 68 is composed of a holding portion 69 held by the second chucking head 29 and a mounting portion 70 on which the wafer 7 is mounted, and the width of the holding portion 69 is set as described above. It has a strip shape smaller than the width of the portion 70.

【0043】該載置部70の先端部には前記爪部20と
の干渉を避ける矩形状の切欠部71が形成され、先端側
外周縁部に沿って先端側凸部72が隆起形成されてい
る。前記載置部70の基端部には前記先端側凸部72と
同一平面を成す第1段差面73が形成され、該第1段差
面73は前記載置部70の基端側上面74より一段低く
なっている。前記先端側凸部72の外周及び前記第1段
差面73の外周はそれぞれ前記円環部19の外周円より
僅かに大きい円の弧の一部を成し、前記先端側凸部72
の内周及び前記第1段差面73の内周はそれぞれ前記円
環部19の外周円より小さく且該円環部19の内周円よ
り大きい円の弧の一部を成す様形成されている。
A rectangular notch 71 for preventing interference with the claw 20 is formed at the distal end of the mounting portion 70, and a distal-side convex portion 72 is formed to protrude along the outer peripheral edge on the distal side. I have. A first step surface 73 is formed at the base end of the placement unit 70 and is flush with the distal projection 72, and the first step surface 73 is higher than the base upper surface 74 of the placement unit 70. One step lower. The outer periphery of the distal-side convex portion 72 and the outer periphery of the first step surface 73 each form a part of an arc of a circle slightly larger than the outer peripheral circle of the annular portion 19, and
And the inner circumference of the first step surface 73 are formed so as to form part of an arc of a circle smaller than the outer circumference of the annular portion 19 and larger than the inner circumference of the annular portion 19. .

【0044】前記載置部70の中央部分には凹面75が
形成され、該凹面75の長手方向の長さは前記ウェーハ
7の外径より僅かに長く、前記凹面75と前記先端側凸
部72の間には第2段差面76が形成され、前記凹面7
5と前記第1段差面73の間には前記第2段差面76と
同一平面を成す第3段差面77が形成されている。前記
第2段差面76及び第3段差面77は前記凹面75より
一段高く、前記第1段差面73より一段低くなってい
る。前記凹面75の四隅には段差部78が隆起形成さ
れ、該段差部78の上面は前記第2段差面76より低く
なっている。
A concave surface 75 is formed at the center of the mounting portion 70, and the length of the concave surface 75 in the longitudinal direction is slightly longer than the outer diameter of the wafer 7, and the concave surface 75 and the front-side convex portion 72 are formed. A second stepped surface 76 is formed between the concave surfaces 7.
A third step surface 77 which is flush with the second step surface 76 is formed between the first step surface 5 and the first step surface 73. The second step surface 76 and the third step surface 77 are one step higher than the concave surface 75 and one step lower than the first step surface 73. At the four corners of the concave surface 75, step portions 78 are formed so as to protrude, and the upper surface of the step portion 78 is lower than the second step surface 76.

【0045】以下、作動を説明する。The operation will be described below.

【0046】前記ウェーハホルダ18は搬送用腕部21
がスリット67に挿入され、中心線61に対して左右対
称となる様垂直姿勢で前記ウェーハホルダカセット51
に装填される。該ウェーハホルダカセット51は外部搬
送装置(図示せず)により、外部からカセットステージ
40に搬送され、該カセットステージ40の前記カセッ
トローダポート41に載置される。該カセットローダポ
ート41は反転し、前記ウェーハホルダカセット51に
装填された前記ウェーハホルダ18を水平姿勢にする。
The wafer holder 18 has a transfer arm 21
Is inserted into the slit 67, and the wafer holder cassette 51 is placed in a vertical posture so as to be symmetrical with respect to the center line 61.
To be loaded. The wafer holder cassette 51 is transferred from the outside to the cassette stage 40 by an external transfer device (not shown), and is mounted on the cassette loader port 41 of the cassette stage 40. The cassette loader port 41 is inverted to bring the wafer holder 18 loaded in the wafer holder cassette 51 into a horizontal posture.

【0047】前記第2基板移載機26の前記第2チャッ
キングヘッド29を後退させ、カセット受載プレート3
0及び前記第2搬送プレート68が前記第2進退機構部
27より突出しない状態として該第2進退機構部27を
回転させると共に下降させ、前記カセット受載部28を
前記カセットローダポート41に対峙させる。前記カセ
ット受載部28を前進させ、前記カセット受載プレート
30を前記ウェーハホルダカセット51の下方に挿入
し、前記第2進退機構部27を若干上昇させ、前記ウェ
ーハホルダカセット51を前記カセット受載プレート3
0上に受載する。
The second chucking head 29 of the second substrate transfer machine 26 is retracted, and the cassette receiving plate 3
0 and the second transport plate 68 are not protruded from the second advance / retreat mechanism 27, and the second advance / retreat mechanism 27 is rotated and lowered to cause the cassette receiving section 28 to face the cassette loader port 41. . The cassette receiving section 28 is advanced, the cassette receiving plate 30 is inserted below the wafer holder cassette 51, the second advance / retreat mechanism 27 is slightly raised, and the wafer holder cassette 51 is placed in the cassette receiving section. Plate 3
0 is received.

【0048】前記カセット受載部28を後退させ、前記
カセット受載プレート30が前記第2進退機構部27よ
り突出しない状態として該第2進退機構部27を回転さ
せると共に上昇させ、前記カセット棚39の所要位置に
対峙させる。前記カセット受載部28を前進させ、前記
第2進退機構部27を若干下降させ、前記ウェーハホル
ダカセット51を前記カセット棚39に移載する。
The cassette receiving section 28 is retracted, and the cassette receiving plate 30 is not raised from the second advance / retreat mechanism 27. The second advance / retreat mechanism 27 is rotated and moved up, and the cassette shelf 39 is moved upward. To the required position. The cassette receiving section 28 is advanced, the second advance / retreat mechanism section 27 is slightly lowered, and the wafer holder cassette 51 is transferred to the cassette shelf 39.

【0049】前記カセット受載部28及び第2チャッキ
ングヘッド29を後退させ、前記カセット受載プレート
30及び第2搬送プレート68が前記第2進退機構部2
7より突出しない状態として、該第2進退機構部27を
昇降させ、前記カセット棚39の所要位置に対峙させ
る。前記第2チャッキングヘッド29を前進させ、前記
第2搬送プレート68を前記カセット棚39に挿入し、
前記第2進退機構部27を若干上昇させ、前記ウェーハ
ホルダ18を前記第2搬送プレート68に受載する。
The cassette receiving portion 28 and the second chucking head 29 are retracted, and the cassette receiving plate 30 and the second transport plate 68 are moved by the second advance / retreat mechanism 2.
The second advance / retreat mechanism 27 is moved up and down so as not to protrude from the position 7 so as to face a required position of the cassette shelf 39. Advance the second chucking head 29, insert the second transport plate 68 into the cassette shelf 39,
The second advance / retreat mechanism 27 is slightly raised, and the wafer holder 18 is received on the second transfer plate 68.

【0050】前記第2チャッキングヘッド29を後退さ
せ、前記第2搬送プレート68が前記第2進退機構部2
7より突出しない状態として該第2進退機構部27を回
転させると共に昇降させ、前記ロードロック室11の所
要段の前記受載部24に対峙させる。前記第2チャッキ
ングヘッド29を前進させ、前記ゲートバルブ(図示せ
ず)を通して前記第2搬送プレート68を前記ウェーハ
棚22内に挿入し、前記第2進退機構部27を若干下降
させ、前記ウェーハホルダ18を前記受載部24上に移
載する。
The second chucking head 29 is retracted, and the second transport plate 68 is moved by the second advance / retreat mechanism 2.
The second advance / retreat mechanism 27 is rotated and moved up and down so as not to protrude from the position 7 so as to face the receiving section 24 at a required stage of the load lock chamber 11. The second chucking head 29 is advanced, the second transfer plate 68 is inserted into the wafer shelf 22 through the gate valve (not shown), the second advance / retreat mechanism 27 is slightly lowered, and the wafer The holder 18 is transferred onto the receiving section 24.

【0051】前記ウェーハ7を装填したウェーハカセッ
ト1は従来と同様の手順で外部搬送装置(図示せず)に
より外部からカセット棚(図示せず)に収納され、又、
該カセット棚から前記ロードロック室11へ搬送され
る。
The wafer cassette 1 loaded with the wafers 7 is stored in a cassette shelf (not shown) from the outside by an external transfer device (not shown) in the same procedure as in the prior art.
The paper is transferred from the cassette shelf to the load lock chamber 11.

【0052】更に、従来と同様の手順で、前記ウェーハ
7は前記ウェーハホルダ18に保持された状態で前記ロ
ードロック室11から反応室(図示せず)内のウェーハ
台79に移載され、該反応室内で所定の処理が施され
る。
Further, the wafer 7 is transferred from the load lock chamber 11 to a wafer table 79 in a reaction chamber (not shown) while being held by the wafer holder 18 in the same procedure as in the prior art. A predetermined process is performed in the reaction chamber.

【0053】処理後、処理された前記ウェーハ7は上記
した手順と逆の手順で外部に搬出される。
After the processing, the processed wafer 7 is carried out to the outside in a procedure reverse to the procedure described above.

【0054】前記ウェーハホルダ18は定期的に、或は
所定稼働時間毎に洗浄等メンテナンスをする為、上記し
た手順と逆の手順で外部へ搬出される。
The wafer holder 18 is carried out to the outside in a procedure reverse to the above-described procedure in order to perform maintenance such as cleaning periodically or at a predetermined operation time.

【0055】尚、上記実施の形態に於いては、前記正面
53に平行な方向の前記開口部56の幅はウェーハホル
ダ18の円環部19の外径より広くなっているが、該円
環部19の外径より狭くてもよい。又、前記第2搬送プ
レート68の形状は短冊状となっているが、2股フォー
ク状等他の形状であってもよい。
In the above embodiment, the width of the opening 56 in a direction parallel to the front surface 53 is wider than the outer diameter of the annular portion 19 of the wafer holder 18. The outer diameter of the portion 19 may be smaller. Further, the shape of the second transport plate 68 is a strip shape, but may be another shape such as a bifurcated fork shape.

【0056】[0056]

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、半導体
製造装置へ手作業で行う被処理基板ホルダの搬入、実
装、搬出を省略できるので、被処理基板、被処理基板ホ
ルダの搬送を一貫して機械化でき作業効率が大幅に向上
し、スループットの向上及び省力化を図ることが可能と
なる。又、作業者を介してメンテナンスエリア等外部か
らパーティクルが半導体製造装置内部へ浸入することが
なく、製品の品質の向上を図ることが可能となる等種々
の優れた効果を発揮する。
As described above, according to the present invention, it is possible to omit the loading, mounting and unloading of the substrate holder to be manually performed into the semiconductor manufacturing apparatus. This makes it possible to mechanize the work, and the work efficiency is greatly improved, and it is possible to improve the throughput and save labor. Further, various excellent effects are exhibited such that particles can be prevented from entering the inside of the semiconductor manufacturing apparatus from the outside such as a maintenance area through an operator and the quality of a product can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施の形態に於けるウェーハホルダカセット
の立面図である。
FIG. 1 is an elevation view of a wafer holder cassette according to the present embodiment.

【図2】該ウェーハホルダカセットの平面図である。FIG. 2 is a plan view of the wafer holder cassette.

【図3】本実施の形態に於ける第2搬送プレートを示す
平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a second transport plate according to the embodiment.

【図4】該実施の形態に於ける反応室内にウェーハを保
持したウェーハホルダを移載する動作を示す平面図であ
る。
FIG. 4 is a plan view showing an operation of transferring a wafer holder holding a wafer into a reaction chamber in the embodiment.

【図5】図4のA−A矢視図である。FIG. 5 is a view taken in the direction of arrows AA in FIG. 4;

【図6】ウェーハカセットを示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a wafer cassette.

【図7】該ウェーハカセットの立面図である。FIG. 7 is an elevation view of the wafer cassette.

【図8】従来例を示す概略説明図である。FIG. 8 is a schematic explanatory view showing a conventional example.

【図9】従来例に於ける第2搬送プレートの平面図であ
る。
FIG. 9 is a plan view of a second transport plate in a conventional example.

【図10】ロードロック室のウェーハ棚の正面図であ
る。
FIG. 10 is a front view of a wafer shelf in a load lock chamber.

【図11】従来例に於けるウェーハ棚内でのウェーハの
移載動作を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing a wafer transfer operation within a wafer shelf in a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

9 搬送室 10 反応室 11 ロードロック室 12 第1基板移載機 15 第1搬送プレート 26 第2基板移載機 31 第2搬送プレート 39 カセット棚 40 カセットステージ 51 ウェーハホルダカセット 67 スリット 68 第2搬送プレート Reference Signs List 9 transfer chamber 10 reaction chamber 11 load lock chamber 12 first substrate transfer machine 15 first transfer plate 26 second substrate transfer machine 31 second transfer plate 39 cassette shelf 40 cassette stage 51 wafer holder cassette 67 slit 68 second transfer plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 祐治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 綿引 真一郎 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Yuji Yoshida 3--14-20 Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Inside Kokusai Electric Co., Ltd. (72) Inventor Shinichiro Watanabe 3--14-20, Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo Kokusai Electric Inside the corporation

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板ホルダが装填されたカセットと被処
理基板が装填されたカセットが個別に搬入、搬出され、
前記カセットから前記基板ホルダ、前記被処理基板を個
別にロードロック室に搬送し、該ロードロック室内で前
記基板ホルダに前記被処理基板を乗載し、或は両者を分
離し、前記ロードロック室と反応室間では前記被処理基
板を保持した前記基板ホルダを搬送することを特徴とす
る半導体製造方法。
1. A cassette loaded with a substrate holder and a cassette loaded with a substrate to be processed are individually loaded and unloaded,
The substrate holder and the substrate to be processed are individually transported from the cassette to a load lock chamber, and the substrate to be processed is mounted on the substrate holder in the load lock chamber, or both are separated, and the load lock chamber is separated. Transferring the substrate holder holding the substrate to be processed between the substrate and the reaction chamber.
【請求項2】 基板ホルダに保持された被処理基板に各
種処理を行う反応室と、前記被処理基板と前記基板ホル
ダを収納するロードロック室と、該ロードロック室と前
記反応室間で前記被処理基板を保持した前記基板ホルダ
の搬送を行う第1基板移載機と、前記被処理基板が装填
された基板カセット及び前記基板ホルダが装填された基
板ホルダカセットを収納するカセット棚と、該カセット
棚と前記ロードロック室との間で前記被処理基板及び前
記基板ホルダの搬送を行う第2基板移載機とを具備し、
該第2基板移載機が前記被処理基板と前記基板ホルダを
受載可能な搬送プレートを有することを特徴とする半導
体製造装置。
2. A reaction chamber for performing various processes on a substrate to be processed held by a substrate holder, a load lock chamber for accommodating the substrate to be processed and the substrate holder, and a load lock chamber between the load lock chamber and the reaction chamber. A first substrate transfer machine that transports the substrate holder holding the substrate to be processed, a cassette shelf that stores a substrate cassette loaded with the substrate to be processed and a substrate holder cassette loaded with the substrate holder; A second substrate transfer machine that transports the substrate to be processed and the substrate holder between a cassette shelf and the load lock chamber,
The semiconductor manufacturing apparatus, wherein the second substrate transfer machine has a transfer plate capable of receiving the substrate to be processed and the substrate holder.
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