JP4518712B2 - Tray-type multi-chamber substrate processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、薄膜形成、表面改質又はドライエッチングのような真空中で基板に対する処理を行う基板処理装置に関するものであり、特に、トレイに基板を載せた状態で処理を行うトレイ式基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
各種半導体部品や電子部品等の製造プロセスでは、微細な電子回路を形成するため、薄膜形成、表面改質、ドライエッチング等のような処理を基板に対して真空中で行う基板処理装置が使用される。このような基板処理装置では、基板をトレイに載せて処理することがある。特に、複数の同一の基板を同時に処理したり、外形寸法の異なる複数の基板を同時に処理する場合、基板をトレイに載せて処理する装置(以下、トレイ式基板処理装置)が使用される。基板は、処理が行われる真空チャンバー(以下、処理チャンバー)に、トレイに載った状態で搬入されて処理される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のトレイ式基板処理装置では、未処理の基板を人の手によりトレイに装着し、処理済みの基板を人の手によりトレイから取り外していた。このため、基板の着脱に手間がかかり、生産性や作業性の向上の点で障害となっていた。
【0004】
また、従来のトレイ式基板処理装置では、基板の着脱は大気中で行われるため、トレイを介した基板の汚損の問題が生じていた。即ち、真空中で処理を行うのは、基板に対する不純物の付着を防止して品質を高めるためであるが、基板の着脱が大気中で行われる場合、トレイが処理チャンバーから一旦大気側に搬出され、基板の装着後に処理チャンバーに戻ってくるため、大気中の塵埃、ゴミ等の不純物がトレイに付着して処理チャンバーに持ち込まれることがある。このような不純物が処理チャンバーに持ち込まれると、処理中に基板に付着して処理の品質が損なわれる結果となり易い。
【0005】
特に、成膜処理やエッチング処理では、トレイの表面に膜が堆積することが多く、基板の着脱が大気中で行われると、トレイ表面の堆積膜が原因で処理の品質が損なわれ易い。膜が堆積したトレイが大気に取り出されると、堆積膜の表面が酸化等の変性を受け易い。そして、処理チャンバー内での処理の際にこの変性した堆積膜の上にさらに膜が堆積する。このようにしてトレイには、表面が変性した膜が積層される。
このような性質の違う層が積層された膜は、不安定であり、僅かな衝撃で剥離し易い。堆積膜の剥離が処理チャンバー内で生ずると、剥離した膜がパーティクルとなって処理チャンバー内を浮遊する。処理チャンバー内に浮遊するパーティクルが基板に付着すると、処理の品質が損なわれることになる。パーティクルとは、本明細書では、処理の品質を損なう微粒子の総称である。前述した大気中の塵埃、ゴミ等もパーティクルである。
【0006】
一方、処理中の基板の温度は、しばしば処理の品質に影響を与える。面内均一性良く基板に対して処理を行うためには、処理中の基板の温度が所定の値に均一性良く維持されていることが必要である。しかしながら、従来のトレイ式基板処理装置では、トレイと基板との間の熱接触性が均一でないため、処理の均一性が充分に高く得られないことがある。
【0007】
本願の発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、トレイに基板を載せながら処理するトレイ式基板処理装置において、基板の着脱を自動的に行うようにして生産性や作業性を向上させるとともに、トレイに起因した処理の品質低下を防止する技術的意義がある。併せて、本願の発明は、処理中の基板の温度をより均一にする実用的な構成を提供することで、処理の均一性を高くすることができるという技術的意義がある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項1記載のトレイ式マルチチャンバー基板処理装置は、真空中で基板を処理する処理チャンバーを含む複数の真空チャンバーを備え、基板がトレイに載せられた状態で処理チャンバー内に配置されて処理されるトレイ式マルチチャンバー基板処理装置であって、
未処理の基板をトレイに装着するとともに処理済みの基板をトレイから取り外す基板着脱機構を有しており、前記基板着脱機構は、処理チャンバーに対して真空が連続するよう気密に接続された別の真空チャンバー内に設けられ、さらに
基板の輪郭に合わせた形状のリングチャックと、前記トレイに載せられた未処理の基板の周辺部上にリングチャックを載せるとともに処理済みの基板の周辺部からリングチャックを取り外すチャック着脱機構とを備えており、前記チャック着脱機構は、前記処理チャンバーと真空が連続するよう気密に接続された別の真空チャンバー内に設けられていることを特徴とする。
また、上記課題を解決するため、本願の請求項1記載のトレイ式マルチチャンバー基板処理装置は、中央に設けられた真空チャンバーであるセパレーションチャンバーと、セパレーションチャンバーの周囲にセパレーションチャンバーに対して気密に接続された処理チャンバーを含む複数の真空チャンバーとから成り、基板がトレイに載せられた状態で処理チャンバー内に配置されて処理されるトレイ式マルチチャンバー基板処理装置であって、
未処理の基板をトレイに装着するとともに処理済みの基板をトレイから取り外す基板着脱機構を有しているとともに、前記セパレーションチャンバーの周囲の複数の真空チャンバーの一つは、前記基板着脱機構を内部に備えた基板着脱チャンバーであり、さらに
基板の輪郭に合わせた形状のリングチャックと、前記トレイに載せられた未処理の基板の周辺部上にリングチャックを載せるとともに処理済みの基板の周辺部からリングチャックを取り外すチャック着脱機構とを備えており、前記チャック着脱機構は、前記処理チャンバーと真空が連続するよう気密に接続された別の真空チャンバー内に設けられていることを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態(実施形態)について説明する。
図1は、本願発明の実施形態に係るトレイ式基板処理装置の平面概略図である。図1に示す装置は、内部空間が気密に連通するようにして接続された複数の真空チャンバー1,2,3,4からなるマルチチャンバー型の装置であり、以下、トレイ式マルチチャンバー基板処理装置と呼ぶ。
【0010】
真空チャンバーのうちの一つは、中央に設けられたセパレーションチャンバー1であり、他の真空チャンバー2,3,4は、セパレーションチャンバー1の周囲にセパレーションチャンバー1に対して気密に接続されている。セパレーションチャンバー1と各真空チャンバー2,3,4との境界部分には、それぞれゲートバルブ5が設けられている。また、各チャンバー1,2,3,4は、専用又は兼用の図1中不図示の排気系によって所定圧力まで排気されるようになっている。
複数の真空チャンバーのうちの幾つかは、内部で基板9に対して処理が行われる処理チャンバー2である。また、別の真空チャンバーの一つは、大気側と処理チャンバー2との間で基板9が搬送される際に一時的に基板9が滞留するチャンバーであるロードロックチャンバー3である。
【0011】
パレーションチャンバー1は、各処理チャンバー2を相互に気密に分離して内部雰囲気の相互汚染を防止するとともに、各処理チャンバー2やロードロックチャンバー3への基板搬送の経由空間となるものである。即ち、セパレーションチャンバー1内には、各チャンバー2,3,4に対して基板9の搬送を行う搬送ロボット11が設けられている。搬送ロボット11は、多関節ロボットであり、基板9を載せて支持する先端プレート111と、先端プレート111を先端に固定したアーム112と、アーム112を垂直な軸方向(z方向)、垂直な軸の周りの円周方向(θ方向)、回転半径方向(水平方向,r方向)に駆動する不図示の駆動機構113とから成っている。
【0012】
本実施形態の装置の大きな特徴点は、未処理の基板9をトレイに装着するとともに処理済みの基板9をトレイから取り外す基板着脱機構を有しており、この基板着脱機構は、処理チャンバー2に対して真空が連続するよう気密に接続された別の真空チャンバー(以下、基板着脱チャンバー)4内に設けられている点である。未処理の基板9は、搬送ロボット11によりロードロックチャンバー3から取り出された後、基板着脱チャンバー4で基板着脱機構によりトレイに載せられる。そして、基板9は、トレイに載せられた状態で搬送ロボット11により各処理チャンバー2に順次搬送されて処理され、その後、基板着脱チャンバー4に戻って基板着脱機構によりトレイから取り外される。その後、搬送ロボット11により基板着脱チャンバー4からロードロックチャンバー3に戻されるようになっている。
【0013】
本実施形態の装置の別の大きな特徴点は、トレイに載せられた基板9の上にリングチャックがさらに載せられ、この状態で基板9が処理されるようになっているとともに、このリングチャックの着脱のための機構(以下、チャック着脱機構)も真空チャンバー内に設けられている点である。リングチャックは、基板9の周縁に沿って延びる形状であり、自重のみによって基板9をトレイに押さえつけて基板9とトレイとの間の熱伝導を高めるようになっている。
【0014】
以下、さらに具体的に説明する。
図2は、実施形態の装置に使用されるトレイ6及びリングチャック7の斜視概略図である。トレイ6は、全体としては扁平な円形の皿状であり、中央にほぼ円形の凹部61を有している。処理される基板9もほぼ円形であり、トレイ6の凹部61に落とし込まれた状態でトレイ6に載るようになっている。尚、基板9の輪郭には、オリエンテーションフラット(以下、オリフラ)と呼ばれる直線状の部分がある。これに合わせて、トレイ6の凹部61の輪郭も、直線状の部分(以下、トレイ直線部)を有している。
また、トレイ6を厚さ方向に貫通する小さな貫通孔62が設けられている。貫通孔62は、凹部61に設けられており、トレイ6の中心と同心の正方形の角の位置に設けられている。この貫通孔62は、後述する基板支持ピン41が挿通されるものである。
【0015】
リングチャック7は、図2に示すようにほぼ円環状である。リングチャック7の内径は、基板9の直径よりも少し小さい。図2に示すように、リングチャック7は、基板9のオリフラに合わせてやはり直線状の部分(チャック直線部)を有している。リングチャック7は、その内縁に沿って下側の突出した突起(以下、内縁突起)71を有している。この内縁突起71は、基板9の外径にほぼ等しい直径を成しており、この内縁突起71が基板9の周辺部に接触した形でリングチャック7は基板9上に載せられるようになっている。
【0016】
図3は、図1に示すX−X方向における基板着脱チャンバー4の断面概略図である。図4は、図3に示す基板着脱チャンバー4内の部材の斜視概略図である。
基板着脱チャンバー4内には、図3及び図4に示すように、基板9の着脱の際に基板9が一時的に載せられる基板支持ピン41が設けられている。基板支持ピン41は、本実施形態では四つ設けられており、基板着脱チャンバー4の底面から上方に垂直に延びている。四つの基板支持ピン41は、皆同じ高さであり、図2に示すトレイ6の貫通孔62と同じ位置関係、即ち正方形の角に相当する位置に設けられている。四つの基板支持ピン41が成す正方形の中心を通る鉛直な軸Aは、基板着脱チャンバー4における基板9の停止位置の基準となる軸であり、以下、着脱中心軸Aと呼ぶ。
【0017】
基板着脱チャンバー4内には、トレイ6を係留するトレイ係留具42と、リングチャック7を係留するチャック係留具43とが設けられている。基板着脱機構には、前述した搬送ロボット11が一部兼用されている。即ち、基板着脱機構は、搬送ロボット11と、トレイ係留具42とから主に構成されている。また、チャック着脱機構も、同様に、搬送ロボット11が一部兼用されており、搬送ロボット11とチャック係留具43とから主に構成されている。
【0018】
トレイ係留具42は、トレイ6をその縁で支持する小さな三つの部材である。三つのトレイ係留具42は、着脱中心軸Aに対して互いに等距離の位置にあり、着脱中心軸Aと同軸の円周上に120度間隔で設けられている。各トレイ係留具42は、トレイ6の外形に適合した段差を有している。トレイ6は、各トレイ係留具42の段差の内側に落とし込まれた状態で係留されるようになっている。
【0019】
一方、チャック係留具43は、トレイ係留具42の上方に設けられている。チャック係留具43も、トレイ係留具42と同様に、小さな三つの部材である。三つのチャック係留具43は、同様に着脱中心軸Aにに対して互いに等距離の位置にあり、同軸円周上に120度間隔で設けられている。尚、図4に示すように、チャック係留具43は、トレイ係留具42に対して少しずれた位置関係になっている。チャック係留具43は、リングチャック7の外形に適合した段差を有している。リングチャック7は、各チャック係留具43の段差の内側に落とし込まれた状態で係留されるようになっている。尚、トレイ係留具42及びチャック係留具43は、不図示の取付具によって基板着脱チャンバー4に取り付けられている。
【0020】
次に、基板着脱チャンバー4内での基板9及びリングチャック7の着脱の動作について説明する。まず、未処理の基板9をトレイ6に載置し、基板9の上にリングチャック7を載せる動作について説明する。図5〜図7は、基板着脱チャンバー4内での基板9及びリングチャック7の装着の動作について示した図である。図5〜図7には、基板9及びリングチャック7の着脱の際に搬送ロボット11の先端プレート111が位置する高さを、「1,2,3,4」として示してある(以下、レベル1,レベル2,レベル3,レベル4と呼ぶ)。
【0021】
まず、初期状態では、図5(1)に示すように、トレイ6はトレイ係留具42に係留されており、リングチャック7はチャック係留具43に係留されている。尚、トレイ6は、その貫通孔62に基板支持ピン41を挿通させた状態となっている。搬送ロボット11は、未処理の基板9を先端プレート111に載せてロードロックチャンバー3から取り出し、先端プレート111をセパレーションチャンバー1内のレベル3の高さに位置させる。この状態が、スタンバイ状態である。
セパレーションチャンバー1と基板着脱チャンバー4との間のゲートバルブ5が開けられた後、搬送ロボット11は、図5(2)に示すように、先端プレート111をレベル3の高さに沿って基板着脱チャンバー4内に進入させ、基板支持ピン41の上方の所定位置で停止させる。所定位置とは、基板9の中心が着脱中心軸A上に位置する位置である。
【0022】
次に、搬送ロボット11は、図5(3)に示すように、先端プレート111を垂直に下降させ、先端プレート111をレベル3より低いレベル2の高さとする。レベル2は基板支持ピン41の上端の高さより低く、この下降の過程で、基板9は基板支持ピン41の上に載る。尚、図4に示すように、先端プレート111は、基板支持ピン41の離間間隔よりも小さい幅を持っており、先端プレート111は各基板支持ピン41に干渉することなく下降できるようになっている。
【0023】
次に、図6(1)に示すように、搬送ロボット11は、レベル2の高さに沿って先端プレート111を後退させ、セパレーションチャンバー1内に位置させる。次に、図6(2)に示すように、搬送ロボット11は、先端プレート111をさらに下降させ、最も低い高さであるレベル1に位置させる。そして、搬送ロボット11は、このレベル1の高さに沿って先端プレート111を前進させ、図6(3)に示すように図5(3)と同じ水平方向の位置で停止させる。レベル1は、トレイ係留具42に係留されているトレイ6の下面より低い高さであり、この前進により、先端プレート111はトレイ6の下方に位置することになる。
【0024】
次に、搬送ロボット11は、先端プレート111を上昇させ、レベル3の高さに再び位置させる。この上昇の過程で、先端プレート111の上にトレイ6が載り、そのトレイ6の上に基板9が載ることになる。
尚、トレイ6は、凹部61の中心が着脱中心軸A上に位置し、トレイ直線部が周方向の所定の位置になるようトレイ係留具42に係留されている。このため、トレイ6が先端プレート111によって持ち上げられた際、基板9がトレイ6の凹部61に落とし込まれ、基板9のオリフラもトレイ直線部に沿った状態となる。
【0025】
次に、搬送ロボット11は、図7(1)に示すように、先端プレート111をさらに上昇させ、レベル3よりも高いレベル4に位置させる。レベル4は、チャック係留具43及びチャック係留具43に係留されているリングチャック7の位置より高いので、この上昇の過程で、リングチャック7が基板9の上に載ることになる。この際の載置位置は、前述したように、リングチャック7の内縁突起71が基板9の周縁に接触する位置である。
尚、トレイ6は、図2及び図4に示すように、その側面のうちチャック係留具43の位置に相当する箇所に窪み63が形成されている。トレイ6がレベル4に上昇する際、この窪み63の部分をチャック係留具43が通過するようになっており、これによりトレイ6がチャック係留具43に干渉することが無いようになっている。
【0026】
次に、図7(2)に示すように、搬送ロボット11は、レベル4の高さに沿って先端プレート111を後退させ、先端プレート111をセパレーションチャンバー1内に位置させる。その後、セパレーションチャンバー1と基板着脱チャンバー4との間のゲートバルブ5が閉じられ、搬送ロボット11は、先端プレート111をレベル3の高さまで下降させる。レベル3は、各処理チャンバー2とセパレーションチャンバー1との間の搬送ラインの高さに一致しており、この後、搬送ロボット11は、トレイ6に載せられた基板9を各処理チャンバー2に搬送することになる。
【0027】
次に、処理済みの基板9をトレイ6から取り外す動作について説明する。取り外しの動作は、上述したのと全く逆の動作であり、図7(2),(1),図6(3),(2),(1),図5(3),(2),(1)の順に動作が進む。
まず、搬送ロボット11は、処理済みの基板9を載せたトレイ6を先端プレート111で支持し、基板着脱チャンバー4内に進入させる。この際、先端プレート111は、レベル4の高さとする。そして、搬送ロボット11は、先端プレート111を前進させ、基板9の中心が着脱中心軸Aに一致する位置で停止させる。
この状態から、搬送ロボット113は、先端プレート111をレベル3に高さに下降させる。この下降により、まずリングチャック7がチャック係留具43の上に載り、係留が完了する。尚、この際、チャック係留具43は、トレイ6の側面の窪み63の部分を通過する。
【0028】
次に、搬送ロボット11は、先端プレート111をレベル2の高さまで下降させる。この下降により、基板9が各基板支持ピン41の上に載り、基板9がトレイ6から取り外される。この下降の際、各基板支持ピン41は、トレイ6の貫通孔62にそれぞれ挿通される。
搬送ロボット11は、先端プレート111をさらに下降させ、レベル1の高さとする。この下降により、トレイ6がトレイ係留具42の上に載り、トレイ6の係留が完了する。
【0029】
次に、搬送ロボット11は、レベル1の高さに沿って先端プレート111を後退させ、セパレーションチャンバー1内に位置させる。この状態から、搬送ロボット11は、先端プレート111を上昇させて再びレベル2の高さとし、この高さで先端プレート111を前進させ、基板9の下方に進入させる。
この状態から、搬送ロボット11は、先端プレート111を上昇させてレベル3の高さとする。この上昇の過程で、基板9が先端プレート111に載る。この後、搬送ロボット11は、レベル3の高さにおいて先端プレート111を後退させ、ロードロックチャンバー3まで基盤9を搬送する。
【0030】
次に、図1に示す装置の他の部分の構成について説明する。
ロードロックチャンバー3内には、所定数の基板9を収納可能なロック内カセット31が設けられている。また、大気側に設けられた外部カセット81とロック内カセット31との間で基板9の搬送を行うオートローダ82が設けられている。オートローダ82は、前述した搬送ロボット11とほぼ同様の構成である。
【0031】
図8は、図1に示す装置における処理チャンバー2の正面断面概略図である。処理チャンバー2の構成は、基板9に対して行う処理の内容に応じて最適化される。本実施形態の装置は、レジストで形成された回路パターンをマスクとしてエッチングを行う装置となっている。
処理チャンバー2内では、フッ素系ガスのプラズマにより基板9の表面がエッチングされるようになっている。具体的には、処理チャンバー2は、図8に示すように、内部を排気する排気系21と、四フッ化炭素(CF4)のようなフッ素系ガスをプロセスガスとして導入するプロセスガス導入系22と、導入されたガスに高周波放電を生じさせてプラズマを形成する高周波電極23と、高周波電極に高周波電力を供給する高周波電源24と、処理チャンバー2内の所定位置にトレイ6を保持するトレイホルダー25等を備えている。
高周波放電により形成されたフッ素系ガスのプラズマ中では、フッ素活性種やフッ素イオンが盛んに形成され、このフッ素活性種やフッ素イオンが基板9の表面に到達することにより表面がッチングされる。尚、電界を設定して基板9にイオンを加速して入射させながらエッチングする反応性イオンエッチングが行われることもある。
【0032】
また、処理チャンバー2には、処理中の基板9の温度を制御する温度制御機構が設けられている。本実施形態では、温度制御機構は、トレイホルダー25を介して基板9を加熱しながら温度制御するようになっている。温度制御機構は、ジュール熱を発生させてトレーホルダー25を加熱するようトレーホルダー25内に設けられたヒータ261と、トレーホルダー25の温度を計測する不図示の温度センサと、温度センサからの信号によりヒータ261の電源を制御する不図示の制御部等から構成されている。
【0033】
処理中の基板9は、温度センサによってその温度が検出され、制御部によって所定の温度に維持されるよう負帰還制御される。尚、トレイ6は、ヒータ261の熱を効率良く基板9に伝えるよう熱伝導率の高い材料であることが好ましい。具体的には、トレイ6は、基板9より熱伝導率が高い材料又は熱伝導率が100W/m・K以上であることが好ましく、例えば窒化アルミニウム(AlN)等の材料が使用される。尚、トレイ6をトレイホルダー25に静電吸着させて熱接触性を向上させたり、後述するようにトレイ6とトレイホルダー25との隙間にガスを供給して圧力を上昇させて熱交換効率を向上させたりする場合がある。
【0034】
図1には、複数の処理チャンバー2が示されている。複数の処理チャンバー2は、同様にエッチングを行う処理チャンバー2として構成される場合もあるし、エッチングを行う処理チャンバー2と、エッチング以外の処理を行う処理チャンバー2として構成される場合もある。例えば、処理チャンバー2は、エッチング後にレジストをアッシングして除去するアッシングチャンバーであったり、アッシング後に基板9を洗浄してレジストの残渣を除去する洗浄チャンバーであったりする場合がある。「処理」は最も広い意味で使われており、いずれかの処理チャンバー2が、エッチング後に基板9を冷却するものとして構成される場合もある。
【0035】
次に、本実施形態の装置の全体の動作について説明する。
未処理の基板9は、外部カセット81に予め所定数収容されている。基板9は、オートローダ82によって外部カセット81からロードロックチャンバー3に搬入され、ロック内カセット31に収容される。搬送ロボット11は、基板9をロードロックチャンバー3から1枚ずつ取り出し、基板着脱チャンバー4に搬送する。そして、前述したように、基板9のトレイ6への装着、リングチャック7の基板9への載置が行われる。
搬送ロボット11は、基板9が載ったトレイ6を処理チャンバー2に搬送し、トレイホルダー25に載置する。そして、前述したように、処理チャンバー2内で基板9に対して処理が行われる。
【0036】
基板9に対する処理が終了すると、搬送ロボット11は、基板9が載ったトレイ6を再び基板着脱チャンバー4に搬送する。そして、前述したように、リングチャック7の取り外しと係留、基板9のトレイ6からの取り外し、トレイ6の係留が行われる。
基板9は、搬送ロボット11によってロードロックチャンバー3に戻され、ロック内カセット31に収容される。そして、基板9は、オートローダ82によって外部カセット81に戻される。
【0037】
上記構成及び動作に係る本実施形態では、トレイ6への基板9の着脱が基板着脱機構によって自動的に行われるので、生産性や作業性の点で優れている。また、基板9の着脱が真空中で行われ、トレイ6は大気中に取り出されることなく真空側に係留されるので、トレイ6が大気側に取り出されることに起因したパーティクルの発生の問題もない。
【0038】
上記構成及び動作に係る本実施形態では、リングチャック7が自重のみで基板9をトレイ6に押さえ付けるようになっている。この点は、処理中の基板9の温度の均一化、機構の簡略化、基板9の傷付きやパーティクル発生の低減等の多くの技術的意義を有する。以下、この点について説明する。
【0039】
まず、処理中に基板9をトレイ6に押し付ける点は、基板9の温度制御を効率よく行うためである。前述したように、処理中の基板9の温度は、しばしば処理の品質に影響を与える。本実施形態においては、エッチングは基板9を高温に加熱しながら行われるが、エッチングは温度依存性の高いプロセスであり、基板9は処理中に所定の高温に安定して均一よく保持されている必要がある。
一方、本実施形態のような真空中での処理では、雰囲気のガス分子が少ないため、対流やガス分子による熱の伝導伝達はあまり期待できない。また、ランプヒータ等の輻射加熱源を使用して輻射加熱する方法もあるが、処理チャンバー2内の堆積物によって輻射線が遮られる問題がある。
【0040】
このようなことから、処理中の基板9の温度制御のための構成としては、固体同士の接触を利用した伝導伝達を利用するのが非常に有効である。基板9がホルダーに直接保持される構成では、ホルダー内にヒータを設け、ホルダーと基板9との接触を介して基板9を加熱して温度制御するが、本実施形態では、トレイ6を使用しているので、トレイ6と基板9との間の接触を介して加熱することになる。この際、基板9がトレイ6に押し付けられないと、熱接触性が悪く、温度制御の効率や精度が低下する問題がある。これを解決する方法として、本実施形態のように自重のみで押し付けを行う場合と、機械的な力によって押し付けを行う場合とがある。
【0041】
図9は、実施形態の装置の技術的意義を説明するための比較例を示した図であり、機械的な力によってトレイ6への基板9の押し付けを行う構成について示した図である。
図9に示す比較例では、基板9の輪郭に相当する形状のリング状のクランプリング72と、クランプリング72を保持した保持棒73と、保持棒73を上下動させてクランプリング72を基板9に押し付ける直線駆動源74とが設けられている。この比較例では、直線駆動源74が適当な力で保持棒73を引き下げることによりクランプリング72が基板9に押し付けられる。しかしながら、この比較例は、上記実施形態と比較すると、処理中の基板9の温度が不均一になったり、パーティクルが発生したりし易いという欠点がある。
【0042】
この比較例では、保持棒73がクランプリング72を下方に押すことによりクランプリング72が基板9に押し付けられるので、クランプリング72は、保持棒73が連結されている部分で強く圧力で基板9に押し付けられ、それ以外の部分では押し付け圧力は低くなる。ここで、基板9の熱は、クランプリング72に伝わり、クランプリング72と保持棒73との連結箇所を介して保持棒73に逃げていく。この際、保持棒73が連結されている部分では、基板9からクランプリング72に伝わって保持棒73に逃げていく熱が多く、それ以外では熱の放散は少ない。このため、保持棒73を臨む部分で基板9の温度が低下し易く、基板9の温度が不均一になり易い。
【0043】
また、基板9の温度制御を効率よく行うためには、基板9をより大きな圧力でトレイ6に押し付けることが必要であるが、図9に示す比較例でこれを行うと、基板9が傷ついたり、パーティクルが発生したりする問題がある。即ち、大きな圧力で基板9をトレイ6に押し付けるには、保持棒73を大きな力で押し下げることになるが、これを行うと、クランプリング72の基板9に対する押し付け力もその部分で大きくなる。クランプリング72が局所的に大きな力で基板9に押し付けられる結果、その部分で基板9が傷つけられたり、パーティクルが発生したりすることがある。パーティクルの発生は、基板9の傷付きにより破片が放出されて生ずる場合の他、基板9の表面に堆積した膜が過剰な押し付け力により剥がれて生ずる場合がある。
【0044】
一方、本実施形態の構成では、リングチャック7はその自重のみによって基板9をトレイ6に押し付けるので、上記のような基板9の温度不均一化やパーティクル発生といった問題は少ない。また、上記のように機械的にクランプリング72を押し付ける構成であると、機構的に複雑になり易い欠点があるが、本実施形態ではこのような問題はなく、機構的に簡略になる。また、図9に示すような機構があると、トレイ6のトレイホルダー25への載置やトレイホルダー25からの取り外しに支障が出たり、これを避けるために直線駆動源74のストロークを大きくする必要が生じて構造が大がかりになったりする問題があるが、本実施形態ではこのような問題はない。尚、リングチャック7についても、トレイ6と同様、大気側に取り出されることなく真空側に係留されるので、リングチャック7が大気側に取り出されることによる汚染やパーティクルの発生等の問題はない。
【0045】
リングチャック7の一例について示すと、材質としては窒化アルミニウム等が使用される。重要な自重については、基板9が直径3インチの半導体ウェーハの場合、1〜3kg程度である。尚、最終的に必要なのは、基板9の押し付け圧力であり、これは、当然のことながら処理チャンバー2内の雰囲気圧力に依存する。
【0046】
次に、基板9に対する熱伝達効率をさらに高めた別の実施形態について説明する。図10は、基板9に対する熱伝達効率をさらに高めた別の実施形態に係る基板処理装置の正面概略図である。図10に示す実施形態の装置には、トレイと基板との間にガスを導入して両者の間の熱伝達性を高める熱伝達用ガス導入系27が設けられている。
具体的に説明すると、トレイホルダー25の上面には、図10に示すように浅い深さの凹部251が形成されている。凹部251は大きさは、トレイ6より少し小さい。また、トレイホルダー25を上下に貫通するようにしてガス導入孔252が形成されている。熱伝達用ガス導入系は、ガス導入孔252を通して、まず凹部251内にガスを導入するようになっている。
【0047】
また、トレイ6には、不図示の小さなガス吹き出し孔が多数均一に設けられている。凹部251内に導入されたガスは、このガス吹き出し孔や前述した貫通孔62を通して基板9とトレイ6との間に導入される。
このようにして導入されたガスは、トレイホルダー25とトレイ6との間の空間の圧力及びトレイ6と基板9との間の空間の圧力を高める。尚、トレイ6や基板9の表面は完全な平坦面でなく微視的には小さな凹凸がある。従って、それらの凹凸によって小さな空間が形成される。
【0048】
前述したように処理チャンバー2内は排気系21によって排気されており、処理に必要な真空圧力である。従って、熱伝達用ガス導入系27がガスを導入しないと、トレイホルダー25とトレイ6との間やトレイ6と基板9との間も真空圧力であり、対流による熱の伝達の効率や接触による熱の伝導伝達の効率は高くない。熱伝達用ガス導入系27によってガスが導入されると、これらの空間の圧力が高まり、熱伝達効率が向上する。導入されるガスは、ヘリウム等である。
【0049】
この際、ガスの導入量が多ければ多い程、圧力は上昇するので、熱伝達効率はより上昇する。しかしながら、あまり多くガスを導入すると、圧力差によって基板9がトレイ6から浮き上がってしまう恐れがある。基板9が浮き上がると、トレイ6と基板9との距離が長くなってかえって熱伝達効率が低下する他、処理中の基板9の姿勢や位置が変化する結果、処理の再現性が大きく低下する恐れもある。さらに、処理後に基盤9を搬送しようとした際、うまく搬送できずに搬送エラーとなる恐れもある。
【0050】
この実施形態のリングチャック7は、このような基板9の浮き上がりを防止する技術的意義も有する。基板9の浮き上がりを防止するためには、基板9の両側の空間の圧力差により生ずる力と同等以上の力で基板9を押さえ付けることが可能な自重をリングチャック7が有することが必要である。
より具体的に説明すると、圧力差をP(Torr)、基板9の表面積をS(cm2)とすると、基板9が受ける全体の力F(kgf)は、1kgf=760Torrだから、
F=(P/760)・S
となる。この値は、例えば直径75mm(3インチサイズ)の基板の場合は1.7kgf、直径100mm(4インチサイズ)の基板の場合は3.1kgf、直径125mm(5インチサイズ)の基板の場合は4.8kgf、直径150mm(6インチサイズ)の基板の場合は7.0kgf、直径200mm(8インチサイズ)の基板の場合は12.4kgfとなる。このように、基板9のサイズに合わせて、基板9が浮き上がらないようにする値の自重を持つリングチャック7を選択する。これにより、さらに熱伝達効率を高めながら処理が行える。
【0051】
上記実施形態では、基板着脱機構及びチャック着脱機構は、基板着脱チャンバー4という専用の真空チャンバー内に設けられたが、これは必須の条件ではない。ロードロックチャンバー3内や処理チャンバー2内に設けられていても良い。但し、ロードロックチャンバー3は基板9の搬入搬出の際に大気に開放されるので、それ以外の真空チャンバーの方が好ましい。また、処理チャンバー2内に基板着脱機構やチャック着脱機構を設ける構成としては、プリヒート(予備加熱)処理を行う処理チャンバー2内にそれらを設ける構成が現実的である。
【0052】
また、上記実施形態は、中央のセパレーションチャンバー1の周囲にロードロックチャンバー3や処理チャンバー2を接続したマルチチャンバー基板処理装置である。このような装置は、クラスターツールタイプとも呼ばれ、真空チャンバーの増設や処理チャンバーの付け替えが容易であるという長所がある。従って、基板着脱チャンバー4の追加も容易であり、上記効果が容易に得られる実用的な装置となっている。
上記実施形態では、エッチングを基板処理の例として採り上げたが、スパッタリングや化学蒸着(CVD)等の成膜処理、表面酸化や表面窒化等の表面改質処理についても、同様に実施可能である。
【0053】
リングチャック7は、上述したように基板9のトレイ6への押し付けの目的で使用されているが、これ以外にも、基板9の周辺部(周縁からあるの幅の領域)への膜堆積を防止するシャドウ形成の目的でも使用されることがある。例えば、スパッタリングやCVDのような成膜処理を行う場合、基板9の周辺部にも膜が堆積したり、基板9の周縁をまわり込んで基板9の裏面にも膜が堆積したりすると、ロボットのアーム等が基板9を保持した際に膜が剥がれてパーティクルを発生させることがある。このようなことがないよう、リングチャック7によってシャドウ形成を行う。シャドウ形成は、基板9の周縁に近づくに従って徐々に膜厚が薄くなっているようにすることが好ましい。
【0054】
上記実施形態において、基板9の寸法や形状が異なった場合、それに応じて異なる構成のトレイ6やリングチャック7が使用される。また、二以上の基板を載置することが可能なトレイ6が使用されることがある。この場合、リングチャック7に代えて、各基板の形状に合わせて開口を設けた一枚の大きな板状の部材をリングチャック7と同様の目的で使用することがある。さらに、トレイ6は、形状寸法が同じ二以上の基板を載置するものであっても良く、異なる形状寸法の基板を載置するものであっても良い。また、異なる形状寸法の基板9を載置するため、トレイ6の凹部61が複数の段差を有するようにしたり、凹部61の側壁部分をテーパー面にしたりしても良い。
また、基板9としては半導体ウェーハが想定されたが、液晶ディスプレイ用の基板やプラズマディスプレイ用の基板、ハードディスク等の情報記録媒体用の基板等を対象とすることが可能である。
【0055】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の請求項1記載の発明によれば、トレイに対する基板の着脱を行う基板着脱機構が設けられているとともに、基板着脱機構は、処理チャンバーに対して真空が連続するよう気密に接続された別の真空チャンバー内に設けられているので、トレイが大気側に取り出されることによる問題がないという効果に加えて、リングチャックがその自重のみによって基板をトレイに押さえつけて基板とトレイとの間の熱伝導を高めるので、基板の温度が不均一になったり基板の傷つき等によりパーティクルが発生したりする問題が少ない。
また、請求項2記載の発明によれば、中央に設けられた真空チャンバーであるセパレーションチャンバーと、セパレーションチャンバーの周囲にセパレーションチャンバーに気密に接続された処理チャンバーを含む複数の真空チャンバーとから成っているので、上記効果が容易に得られる実用的な装置になるという効果に加えて、リングチャックがその自重のみによって基板をトレイに押さえつけて基板とトレイとの間の熱伝導を高めるので、基板の温度が不均一になったり基板の傷つき等によりパーティクルが発生したりする問題が少ない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の実施形態に係るトレイ式基板処理装置の平面概略図である。
【図2】実施形態の装置に使用されるトレイ6及びリングチャック7の斜視概略図である。
【図3】図1に示すX−X方向における基板着脱チャンバー4の断面概略図である。
【図4】図3に示す基板着脱チャンバー4内の部材の斜視概略図である。
【図5】基板着脱チャンバー4内での基板9及びリングチャック7の装着の動作について示した図である。
【図6】基板着脱チャンバー4内での基板9及びリングチャック7の装着の動作について示した図である。
【図7】基板着脱チャンバー4内での基板9及びリングチャック7の装着の動作について示した図である。
【図8】図1に示す装置における処理チャンバー2の正面断面概略図である。
【図9】実施形態の装置の技術的意義を説明するための比較例を示した図であり、機械的な力によってトレイ6への基板9の押し付けを行う構成について示した図である。
【図10】基板9に対する熱伝達効率をさらに高めた別の実施形態に係る基板処理装置の正面概略図である。
【符号の説明】
1 セパレーションチャンバー
11 搬送ロボット
111 先端プレート
2 処理チャンバー
21 排気系
22 プロセスガス導入系
23 高周波電極
24 高周波電源
25 トレイホルダー
27 熱伝達用ガス導入系
3 ロードロックチャンバー
31 ロック内カセット
4 基板着脱チャンバー
41 基板支持ピン
42 トレイ係留具
43 チャック係留具
5 ゲートバルブ
6 トレイ
7 リングチャック
81 外部カセット
82 オートローダ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate in a vacuum such as thin film formation, surface modification, or dry etching, and in particular, tray type substrate processing that performs processing with the substrate placed on a tray. It relates to the device.
[0002]
[Prior art]
In the manufacturing process of various semiconductor components and electronic components, a substrate processing apparatus that performs processing such as thin film formation, surface modification, dry etching, etc. in a vacuum is used to form fine electronic circuits. The In such a substrate processing apparatus, a substrate is sometimes placed on a tray for processing. In particular, when processing a plurality of identical substrates at the same time or simultaneously processing a plurality of substrates having different external dimensions, an apparatus (hereinafter referred to as a tray-type substrate processing apparatus) for processing the substrates on a tray is used. The substrate is carried into a vacuum chamber (hereinafter referred to as a processing chamber) where processing is performed while being placed on a tray and processed.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in a conventional tray type substrate processing apparatus, an unprocessed substrate is mounted on the tray by a human hand, and a processed substrate is removed from the tray by a human hand. For this reason, it takes time to attach and detach the substrate, which has been an obstacle in terms of improving productivity and workability.
[0004]
Moreover, in the conventional tray type substrate processing apparatus, since the substrate is attached and detached in the atmosphere, there has been a problem of substrate contamination via the tray. In other words, the processing is performed in a vacuum in order to prevent impurities from adhering to the substrate and improve the quality. However, when the substrate is attached and detached in the atmosphere, the tray is once taken out from the processing chamber to the atmosphere side. Since the substrate returns to the processing chamber after mounting the substrate, impurities such as dust and dirt in the atmosphere may adhere to the tray and be brought into the processing chamber. When such impurities are brought into the processing chamber, they tend to adhere to the substrate during processing and result in a loss of processing quality.
[0005]
In particular, in a film forming process or an etching process, a film is often deposited on the surface of the tray. When the substrate is attached or detached in the air, the quality of the process is easily impaired due to the deposited film on the tray surface. When the tray on which the film is deposited is taken out to the atmosphere, the surface of the deposited film is easily subjected to modification such as oxidation. Further, a film is further deposited on the modified deposited film during processing in the processing chamber. In this way, a film with a modified surface is laminated on the tray.
A film in which layers having different properties are laminated is unstable and easily peeled off with a slight impact. When peeling of the deposited film occurs in the processing chamber, the peeled film becomes particles and floats in the processing chamber. If particles floating in the processing chamber adhere to the substrate, the quality of the processing is impaired. In the present specification, the term “particle” is a general term for fine particles that impair the quality of processing. The above-mentioned atmospheric dust, dust, etc. are also particles.
[0006]
On the other hand, the temperature of the substrate being processed often affects the quality of the process. In order to perform processing on a substrate with good in-plane uniformity, the temperature of the substrate being processed needs to be maintained at a predetermined value with good uniformity. However, in the conventional tray type substrate processing apparatus, since the thermal contact between the tray and the substrate is not uniform, the processing uniformity may not be sufficiently high.
[0007]
The invention of the present application has been made to solve such problems, and in a tray type substrate processing apparatus for processing while placing a substrate on a tray, productivity and work are performed by automatically removing and attaching the substrate. There is a technical significance to improve the processability and to prevent deterioration in processing quality caused by the tray. In addition, the invention of the present application has a technical significance that the uniformity of processing can be enhanced by providing a practical configuration that makes the temperature of the substrate being processed more uniform.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problem,The tray-type multi-chamber substrate processing apparatus includes a plurality of vacuum chambers including a processing chamber for processing a substrate in a vacuum, and the tray-type multi-chamber is disposed and processed in the processing chamber while the substrate is placed on the tray. A substrate processing apparatus,
It has a substrate attaching / detaching mechanism for attaching an unprocessed substrate to the tray and removing the processed substrate from the tray, and the substrate attaching / detaching mechanism is another airtightly connected to the processing chamber so that the vacuum continues. Provided in a vacuum chamber, and
A ring chuck having a shape matching the contour of the substrate, and a chuck attaching / detaching mechanism for mounting the ring chuck on the peripheral portion of the unprocessed substrate placed on the tray and removing the ring chuck from the peripheral portion of the processed substrate. The chuck attaching / detaching mechanism is provided in another vacuum chamber that is airtightly connected to the processing chamber so that a vacuum is continuous.
Moreover, in order to solve the said subject,
It has a substrate attachment / detachment mechanism for attaching an unprocessed substrate to the tray and removing a processed substrate from the tray, and one of a plurality of vacuum chambers around the separation chamber has the substrate attachment / detachment mechanism inside. In the substrate mounting / demounting chamberYes, further
A ring chuck having a shape matching the contour of the substrate, and a chuck attaching / detaching mechanism for mounting the ring chuck on the peripheral portion of the unprocessed substrate placed on the tray and removing the ring chuck from the peripheral portion of the processed substrate. The chuck attaching / detaching mechanism is provided in another vacuum chamber that is airtightly connected to the processing chamber so that the vacuum is continuous.It is characterized by that.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments (embodiments) of the present invention will be described.
FIG. 1 is a schematic plan view of a tray type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The apparatus shown in FIG. 1 is a multi-chamber type apparatus composed of a plurality of
[0010]
One of the vacuum chambers is a
Some of the plurality of vacuum chambers are
[0011]
The
[0012]
The major feature of the apparatus of this embodiment is that it has a substrate attaching / detaching mechanism that attaches an
[0013]
Another major feature of the apparatus of this embodiment is that a ring chuck is further placed on the
[0014]
More specific description will be given below.
FIG. 2 is a schematic perspective view of the
Further, a small through
[0015]
The
[0016]
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the substrate attaching / detaching
As shown in FIGS. 3 and 4, substrate support pins 41 on which the
[0017]
In the substrate attaching / detaching
[0018]
The
[0019]
On the other hand, the
[0020]
Next, the operation of attaching / detaching the
[0021]
First, in the initial state, as shown in FIG. 5 (1), the
After the
[0022]
Next, as shown in FIG. 5 (3), the
[0023]
Next, as shown in FIG. 6 (1), the
[0024]
Next, the
The
[0025]
Next, as shown in FIG. 7A, the
As shown in FIGS. 2 and 4, the
[0026]
Next, as shown in FIG. 7B, the
[0027]
Next, an operation for removing the processed
First, the
From this state, the
[0028]
Next, the
The
[0029]
Next, the
From this state, the
[0030]
Next, the structure of the other part of the apparatus shown in FIG. 1 will be described.
In the
[0031]
FIG. 8 is a schematic front sectional view of the
In the
In the plasma of the fluorine-based gas formed by the high frequency discharge, fluorine active species and fluorine ions are actively formed, and the surface is etched when the fluorine active species and fluorine ions reach the surface of the
[0032]
The
[0033]
The
[0034]
In FIG. 1, a plurality of
[0035]
Next, the overall operation of the apparatus of this embodiment will be described.
A predetermined number of
The
[0036]
When the processing for the
The
[0037]
In the present embodiment related to the above configuration and operation, the
[0038]
In the present embodiment related to the above configuration and operation, the
[0039]
First, the point where the
On the other hand, in the treatment in vacuum as in the present embodiment, since there are few gas molecules in the atmosphere, heat conduction transfer by convection and gas molecules cannot be expected so much. In addition, there is a method of radiant heating using a radiant heating source such as a lamp heater, but there is a problem that radiation is blocked by deposits in the
[0040]
For this reason, as a configuration for controlling the temperature of the
[0041]
FIG. 9 is a view showing a comparative example for explaining the technical significance of the apparatus of the embodiment, and is a view showing a configuration in which the
In the comparative example shown in FIG. 9, a ring-shaped
[0042]
In this comparative example, the
[0043]
In order to efficiently control the temperature of the
[0044]
On the other hand, in the configuration of this embodiment, since the
[0045]
As an example of the
[0046]
Next, another embodiment in which the heat transfer efficiency for the
More specifically, a
[0047]
Further, the
The gas thus introduced increases the pressure in the space between the
[0048]
As described above, the inside of the
[0049]
At this time, the larger the amount of gas introduced, the higher the pressure, and the higher the heat transfer efficiency. However, if too much gas is introduced, the
[0050]
The
More specifically, the pressure difference is P (Torr), and the surface area of the
F = (P / 760) · S
It becomes. This value is, for example, 1.7 kgf for a substrate having a diameter of 75 mm (3 inch size), 3.1 kgf for a substrate having a diameter of 100 mm (4 inch size), and 4 for a substrate having a diameter of 125 mm (5 inch size). In the case of a substrate having a diameter of .8 kgf and a diameter of 150 mm (6 inches), 7.0 kgf and in the case of a substrate having a diameter of 200 mm (8 inches), 12.4 kgf. In this way, the
[0051]
In the above embodiment, the substrate attaching / detaching mechanism and the chuck attaching / detaching mechanism are provided in a dedicated vacuum chamber called the substrate attaching / detaching
[0052]
The above-described embodiment is a multi-chamber substrate processing apparatus in which a
In the above embodiment, etching is taken as an example of substrate processing, but film forming processing such as sputtering and chemical vapor deposition (CVD), and surface modification processing such as surface oxidation and surface nitriding can be similarly performed.
[0053]
The
[0054]
In the above embodiment, when the size and shape of the
Further, although a semiconductor wafer is assumed as the
[0055]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, the substrate attaching / detaching mechanism for attaching / detaching the substrate to / from the tray is provided, and the substrate attaching / detaching mechanism is hermetically sealed so that the vacuum is continuous with respect to the processing chamber. Because it is provided in a separate vacuum chamber connected to the tray, there is no problem due to the tray being taken out to the atmosphere sideIn addition to the above effect, the ring chuck presses the substrate against the tray only by its own weight and enhances the heat conduction between the substrate and the tray, so that the temperature of the substrate becomes non-uniform or particles are generated due to damage to the substrate, etc. There are few problems.
According to the second aspect of the present invention, the separation chamber includes a separation chamber that is a vacuum chamber provided in the center, and a plurality of vacuum chambers including a processing chamber that is hermetically connected to the separation chamber around the separation chamber. Therefore, it becomes a practical device that can easily obtain the above effects.In addition to the above effect, the ring chuck presses the substrate against the tray only by its own weight and enhances the heat conduction between the substrate and the tray, so that the temperature of the substrate becomes non-uniform or particles are generated due to damage to the substrate, etc. There are few problems.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view of a tray type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic perspective view of a
3 is a schematic cross-sectional view of a substrate attaching / detaching
4 is a schematic perspective view of members in a substrate attaching / detaching
FIG. 5 is a view showing an operation of mounting the
6 is a view showing an operation of mounting the
7 is a view showing an operation of mounting the
8 is a schematic front sectional view of a
FIG. 9 is a view showing a comparative example for explaining the technical significance of the apparatus of the embodiment, and is a view showing a configuration in which the
FIG. 10 is a schematic front view of a substrate processing apparatus according to another embodiment in which the heat transfer efficiency with respect to the
[Explanation of symbols]
1 Separation chamber
11 Transport robot
111 Tip plate
2 Processing chamber
21 Exhaust system
22 Process gas introduction system
23 High frequency electrode
24 high frequency power supply
25 Tray holder
27 Gas transfer system for heat transfer
3 Load lock chamber
31 Cassette in lock
4 Substrate attachment / detachment chamber
41 Board support pin
42 Tray mooring tool
43 chuck mooring tool
5 Gate valve
6 trays
7 Ring chuck
81 External cassette
82 Autoloader
Claims (3)
未処理の基板をトレイに装着するとともに処理済みの基板をトレイから取り外す基板着脱機構を有しており、前記基板着脱機構は、処理チャンバーに対して真空が連続するよう気密に接続された別の真空チャンバー内に設けられ、さらに
基板の輪郭に合わせた形状のリングチャックと、前記トレイに載せられた未処理の基板の周辺部上にリングチャックを載せるとともに処理済みの基板の周辺部からリングチャックを取り外すチャック着脱機構とを備えており、前記チャック着脱機構は、前記処理チャンバーと真空が連続するよう気密に接続された別の真空チャンバー内に設けられていることを特徴とするトレイ式マルチチャンバー基板処理装置。A plurality of comprises a vacuum chamber, tray type multi-chamber substrate processing apparatus in which the substrate is disposed within the processing chamber in a state of being placed on the tray is processed including a process chamber for processing a substrate with true air,
It has a substrate attaching / detaching mechanism for attaching an unprocessed substrate to the tray and removing the processed substrate from the tray, and the substrate attaching / detaching mechanism is another airtightly connected to the processing chamber so that the vacuum continues. A ring chuck provided in the vacuum chamber and shaped to match the contour of the substrate, and a ring chuck placed on the peripheral portion of the unprocessed substrate placed on the tray and from the peripheral portion of the processed substrate A tray-type multi-chamber, characterized in that it is provided in a separate vacuum chamber that is hermetically connected to the processing chamber so that the vacuum is continuous. Substrate processing equipment.
未処理の基板をトレイに装着するとともに処理済みの基板をトレイから取り外す基板着脱機構を有しているとともに、前記セパレーションチャンバーの周囲の複数の真空チャンバーの一つは、前記基板着脱機構を内部に備えた基板着脱チャンバーであり、さらに
基板の輪郭に合わせた形状のリングチャックと、前記トレイに載せられた未処理の基板の周辺部上にリングチャックを載せるとともに処理済みの基板の周辺部からリングチャックを取り外すチャック着脱機構とを備えており、前記チャック着脱機構は、前記処理チャンバーと真空が連続するよう気密に接続された別の真空チャンバー内に設けられていることを特徴とするトレイ式マルチチャンバー基板処理装置。It consists of a separation chamber, which is a vacuum chamber provided in the center, and a plurality of vacuum chambers including a processing chamber that is hermetically connected to the separation chamber around the separation chamber, and processing is performed with the substrate placed on a tray. A tray-type multi-chamber substrate processing apparatus disposed in a chamber for processing,
It has a substrate attachment / detachment mechanism for attaching an unprocessed substrate to the tray and removing a processed substrate from the tray, and one of a plurality of vacuum chambers around the separation chamber has the substrate attachment / detachment mechanism inside. A substrate mounting / demounting chamber, a ring chuck having a shape matching the contour of the substrate, and a ring chuck placed on the peripheral portion of the unprocessed substrate placed on the tray and ringed from the peripheral portion of the processed substrate A tray attachment / detachment mechanism for removing the chuck, and the chuck attachment / detachment mechanism is provided in a separate vacuum chamber that is airtightly connected to the processing chamber so that a vacuum is continuous. Chamber substrate processing equipment.
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